Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: KR102484252B1
Опубликовано: 03-01-2023
Автор(ы): 마사히로 타바타, 쇼 쿠마쿠라
Принадлежит: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method of forming a structure in a target substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP2553715A1. Автор: Krister Gumaelius. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20240120210A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2024081509A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of adjusting channel widths of semiconductive devices

Номер патента: US20170025286A1. Автор: Yu-Te Chen,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Meng-Lin Tsai,Chia-Hsun Tseng,Chiung-Lin Hsu,Jan-Fu Yang,Shin-Feng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Selective etch for silicon films

Номер патента: US09754800B2. Автор: Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11024510B2. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Method of wet etching an inorganic antireflection layer

Номер патента: EP1386350A1. Автор: Johannes Van Wingerden,Dirk M. Knotter,Madelon G. J. Rovers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-04.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Multicolor Self-Aligned Contact Selective Etch

Номер патента: US20190279901A1. Автор: Ying Zhang,Ho-Yung Hwang,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Multicolor self-aligned contact selective etch

Номер патента: US11094589B2. Автор: Ying Zhang,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of forming through silicon via and trench using the same mask layer

Номер патента: US20230377967A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory device including different height memory stack structures and methods of making the same

Номер патента: US20200335518A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui,Ken Oowada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of processing substrates and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200251329A1. Автор: Yoshinori Suzuki,Hideki Mizuno. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of manufacturing ots device, and ots device

Номер патента: US20210336137A1. Автор: Tadashi Yamamoto,Takahiko Sawada,Kazumasa Horita,Hyung-Woo AHN. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2022192063A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Wei Ying Doreen Yong,Samarth JAIN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-09-15.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US10410976B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170358489A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160365278A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110250748A1. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of manufacturing a microstructure

Номер патента: US20240239649A1. Автор: Anthony O'hara. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of increasing oxide/oxynitride etching selectivity ratio in fabrication of self-aligned borderless contact

Номер патента: US20020039842A1. Автор: Pei-Humg Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Selective etching processes of SiO2, Ti and In2O3 thin films for FeRAM device applications

Номер патента: US20060091107A1. Автор: Tingkai Li,David Evans,Sheng Hsu,Bruce Ulrich. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming spacers in CMOS devices

Номер патента: US20020020884A1. Автор: Marc Roy,Manon Daigle,Bruno Lessard,Ginette Couture. Владелец: Zarlink Semoconductor Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040014328A1. Автор: Tatsuichiro Maki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of forming spacers in cmos devices

Номер патента: EP1312114B1. Автор: Marc Roy,Manon Daigle,Bruno Lessard,Ginette Couture. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of patterning a silicon nitride dielectric film

Номер патента: WO2014113398A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of profiled silicon structures manufacturing

Номер патента: RU2730104C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Ольга Михайловна Крайнова,Ания Зиннатулловна Лифанова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2020-08-17.

Method of forming an isolation trench in a semiconductor substrate

Номер патента: US4390393A. Автор: Mario Ghezzo,Bruce F. Griffing. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-06-28.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11948844B2. Автор: Yong-Ho Jeon,HyunWoo Choi,Se-Koo Kang,Miri Joung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113965A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of integrated circuit fabrication including selective etching of silicon and silicon compounds

Номер патента: US5310457A. Автор: David H. Ziger. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-05-10.

Selective etching of silicon wafer

Номер патента: US20150357197A1. Автор: Brown C. Peethala,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Allan Upham,Da Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing the thin film

Номер патента: US09824891B1. Автор: Wei Sun. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Selective etching method and etching assembly

Номер патента: US20240312790A1. Автор: Eva Tois,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: US20100041189A1. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Hard mask and preparation method thereof, preparation method of josephson junction, and superconducting circuit

Номер патента: US12048255B2. Автор: Chunqing Deng,Ran GAO,Jingwei Zhou. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Composition for selective etch for chemical process of thinning of silicon plates

Номер патента: RU2615596C2. Автор: Владимир Григорьевич Коссов,Леонид Владимирович Горохов,Константин Ильич Серушкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2017-04-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements

Номер патента: US5019526A. Автор: Tetsuo Fujii,Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of etching and apparatus for plasma processing

Номер патента: US11955342B2. Автор: Masanori Hosoya,Tangkuei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of producing silicon nitride

Номер патента: RU2629656C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Anisotropic wet etching of silicon

Номер патента: US20070231540A1. Автор: Tomoyasu Aoshima. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of making stress released VLSI structure by the formation of porous intermetal layer

Номер патента: US5393709A. Автор: Water Lur,J. Y. Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Polishing composition, polishing method, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20240254366A1. Автор: Daiki Ito,Haruka ASANO. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Use of selective aluminum oxide etch

Номер патента: WO2019067713A1. Автор: Ying Zhang,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-04-04.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of forming insulating film improved in electric insulating property

Номер патента: US20040259385A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Shuji Fujiwara,Fumiki Aiso,Toshihide Takimoto,Tsuyoshi Setokubo. Владелец: NEC Hiroshima Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Arrangement for preventing short-circuiting in a bipolar double-poly transistor and a method of fabricating such an arrangement

Номер патента: US20050003623A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Anders Lindgren. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-06.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

An arrangement for preventing short-circuiting in a bipolar double-poly transistor and a method of fabricating such an arrangement

Номер патента: WO2003063224A1. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Anders Lindgren. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Arrangement for preventing short-circuiting in a bipolar double-poly transistor and a method of fabricating such an arrangement

Номер патента: US6911368B2. Автор: Ted Johansson,Hans Norström,Anders Lindgren. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-28.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080182396A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093032A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems

Номер патента: RU2625248C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Ильяс Рашитович Вергазов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2017-07-12.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon body, in which a sunken oxide layer is locally provided

Номер патента: US4622096A. Автор: Jan G. Dil,Johan W. Bartsen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1986-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170207223A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Shigetaka Mori,Kenichi Murata,Hitoshi Okano,Takuma Matsuno,Katsuhisa Kugimiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9917091B2. Автор: Hiroyuki Kawashima,Shigetaka Mori,Kenichi Murata,Hitoshi Okano,Takuma Matsuno,Katsuhisa Kugimiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202323A1. Автор: Yuuko Jimma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160225902A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160118394A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US12014995B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240290731A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20220392850A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of producing a silicon porous membrane

Номер патента: RU2690534C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Ирина Витальевна Пономарева,Владислав Евгеньевич Росликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2019-06-04.

Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors

Номер патента: RU2648287C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-03-23.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Polishing composition, production method of the same, polishing method, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20210301176A1. Автор: Akiko Soumiya. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: WO2007003220A1. Автор: Terry Sparks. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of heat treatment

Номер патента: EP1143494A4. Автор: Hitoshi Kato,Yukio Tojo,Yoshiyuki Fujita,Toshitake Tsuda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Dummy wafer structure and method of forming the same

Номер патента: US20140077343A1. Автор: ZHI Wang,Hsusheng CHANG,Chuan REN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of performing selective etch on array substrate

Номер патента: US20240217868A1. Автор: Hao-Wen Cheng,Ding-Shiang Wang,Wen-Jin Li,Ming-Huei Yen,Yu-Ting Guan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor and method of manufacturing a field effect transistor

Номер патента: EP1738405A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods of forming integrated circuit devices having electrically conductive layers therein with partially nitridated sidewalls

Номер патента: US8252681B2. Автор: Tai-su Park,Yu-Gyun Shin,Si-Young Choi,Jong-ryeol Yoo,Jong-Hoon Kang,Dong-Chan Kim,Jeong-Do Ryu,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-28.

Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions

Номер патента: US09793288B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device isolation region

Номер патента: US5538916A. Автор: Takashi Kuroi,Maiko Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US12040155B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20220301809A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming film stacks with reduced defects

Номер патента: WO2020149904A1. Автор: Hidehiro Kojiri,Deenesh Padhi,Ganesh Balasubramanian,Yue Chen,Xinhai Han,Zhijun Jiang,Thian Choi Lim,Vu Ngoc Tran Nguyen,Daemian Raj BENJAMIN RAJ,Nikhil Sudhindrarao JORAPUR,Miguel S. Fung,Chuan Ying WANG,Arkajit Roy BARMAN,Jose Angelo Olave. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Substrate treatment apparatus, method of manufacturing semiconductor device and workpiece substrate

Номер патента: US10804221B2. Автор: Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8697583B2. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120058647A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making a through hole in multi-layer insulating films

Номер патента: US5378652A. Автор: Toshiro Usami,Shuichi Samata,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20180254413A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20160254447A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen

Номер патента: US09978937B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402529A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Jinha Kim,Wangjoo Lee,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of making flash memory with high coupling ratio

Номер патента: US5427970A. Автор: Gary Hong,Chen-Chih Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240250154A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Ming-Chia Tai,Yu-Hsien Lin,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase shift mask and method of forming patterns using the same

Номер патента: US09977324B2. Автор: DongEon Lee,Jinho JU,Junhyuk Woo,Min Kang,Yong Son,Hyunjoo Lee,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Method of Etching a device using a hard mask and etch stop layer

Номер патента: US20090166330A1. Автор: Gary Yama. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-02.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Integrated Transistors and Methods of Forming Integrated Transistors

Номер патента: US20210233914A1. Автор: Takuya Imamoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893153B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Micromachined ultrasonic transducers and method of fabrication

Номер патента: WO2004016036A3. Автор: Butrus T Khuri-Yakub,Yongli Huang,Arif S Ergun. Владелец: Arif S Ergun. Дата публикации: 2004-05-13.

Three-dimensional memory device including replacement insulating layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230354608A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Masanori Tsutsumi,Noriyuki NAGAHATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11942532B2. Автор: Chao-Hsuan Chen,Ming-Chia Tai,Yu-Hsien Lin,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Diode and method of manufacturing diode

Номер патента: US20160300960A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Shinichiro Miyahara,Hiroki Miyake,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9255344B2. Автор: Shin Harada,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method of fabricating hetero-junction bipolar transistor (hbt) and structure thereof

Номер патента: US20090173970A1. Автор: Thomas N. Adam,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20240178066A1. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of preventing electrical shorting between metallization layers due to nodule growth

Номер патента: GB1315181A. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-04-26.

Method of forming a trench structure

Номер патента: US20050170661A1. Автор: Laertis Economikos,Klaus Hummler. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Integrated Transistors and Methods of Forming Integrated Transistors

Номер патента: US20210050354A1. Автор: Takuya Imamoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220302158A1. Автор: Atsushi Fukumoto,Noritaka ISHIHARA,Aki Maeda,Shuto Yamasaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11903202B2. Автор: Atsushi Fukumoto,Noritaka ISHIHARA,Aki Maeda,Shuto Yamasaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Multiple gate field-effect transistors having various gate oxide thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US11894276B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Zoe Chen,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200051957A1. Автор: Yuichi Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufaturing crystalline semiconductor material and method of manufaturing semiconductor device

Номер патента: US20020098695A1. Автор: Takashi Noguchi,Yoshifumi Mori,Setsuo Usui,Toru Hiraga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09779933B2. Автор: Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method For Producing Semiconductor Wafers Composed Of Silicon Having A Diameter Of At Least 450 mm, and Semiconductor Wafer Composed Of Silicon Having A Diameter of 450 mm

Номер патента: US20120315428A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Method For Producing Semiconductor Wafers Composed Of Silicon Having A Diameter Of At Least 450 mm, and Semiconductor Wafer Composed Of Silicon Having A Diameter of 450 mm

Номер патента: US20110175202A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5019891A. Автор: Tatsuo Itagaki,Shinichi Fukada,Kunio Miyazaki,Jin Onuki,Yasushi Koubuchi,Katuhiko Shiota,Genji Taki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-28.

A method of manufacturing a single crystal layer made of LNO and a substrate for epitaxial growth of a single crystal layer made of LNO

Номер патента: KR20200136431A. Автор: 브루노 기셀른. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2020-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170256400A1. Автор: Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160300926A1. Автор: Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for fabricating a network of nanometric lines made of single-crystal silicon and device obtained

Номер патента: US6583451B2. Автор: Didier Dutartre,Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-06-24.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of selectively forming silicide

Номер патента: US6677234B1. Автор: Eric Gerritsen,Josephus F. A. M. Guelen,Walter J. A. De Coster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-13.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Salicide recessed local oxidation of silicon

Номер патента: US5254495A. Автор: Water Lur,J. Y. Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1993-10-19.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of selectively forming silicide

Номер патента: EP1042801A1. Автор: Eric Gerritsen,Josephus F. A. M. Guelen,Walter J. A. De Coster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-11.

Fabrication of silicon germanium-on-insulator finFET

Номер патента: US09899253B2. Автор: Hong He,Qing Liu,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Method of selectively forming silicide

Номер патента: EP1042801B1. Автор: Eric Gerritsen,Josephus F. A. M. Guelen,Walter J. A. De Coster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of selective epitaxy

Номер патента: EP3323147A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of selective epitaxy

Номер патента: WO2017011097A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-01-19.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: US12049695B2. Автор: XINJIAN LEI,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,William Robert Entley,Robert Gordon Ridgeway,John Francis Lehmann. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of reducing stress between a nitride silicon spacer and a substrate

Номер патента: US20020090828A1. Автор: Horng-Nan Chern,Kun-Chi Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20030209760A1. Автор: Shinya Maruyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069142A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09805950B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120302051A1. Автор: Yoichiro Tarui,Yoshinori Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor structures comprising silicon nitride and related methods

Номер патента: US20180144927A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Method of thermally growing a silicon dioxide layer of substantially uniform thickness in a trench

Номер патента: WO2001024246A1. Автор: Ulrike Gruening,Alexander Michaelis,Uwe Schroeder,Helmut Horst Tews,Stephan Kudelka,Raj Jammy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-04-05.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Photonic package and method of manufacture

Номер патента: US12038599B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hung-Yi Kuo,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8030711B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20240304628A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Chun-Heng Chen,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing flash memory

Номер патента: US20020072175A1. Автор: Cheng-Chen Hsueh,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12100617B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Tsung-Wen Chen,Chao-Wei Lin,Janbo Zhang,Chia-Yi Chu,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Photonic Package and Method of Manufacture

Номер патента: US20240329302A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hung-Yi Kuo,Jiun Yi Wu,Hsing-Kuo Hsia,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Composition based on solvent-modified resin and methods of its application

Номер патента: RU2363071C2. Автор: Славомир РУБИНШТАЙН,Сандип ТОНАПИ,Анантх ПРАБХАКУМАР,Джон Роберт КЭМПБЕЛЛ,Райан Кристофер МИЛЛЗ,Дэвид Александр ГИБСОН III. Владелец: Моментив Перформанс Матириалз Инк.. Дата публикации: 2009-07-27.

Method for non-damaging surface mounting of silicon crystals and a3b5 type crystals by using shs foil deposited in form of metallizing multilayer nanostructured coating on surface of these crystals

Номер патента: RU2753171C1. Автор: Ольга Евгеньевна Квашенкина,Павел Гарифович Габдуллин,Владислав Евгеньевич Бабюк. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device protective overcoat with enhanced adhesion to polymeric materials and method of fabrication

Номер патента: US20020011656A1. Автор: Leland Swanson,Elizabeth Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing stacked nanowire MOS transistor

Номер патента: US09892912B2. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Dapeng Chen,Zuozhen Fu,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of creating structure - silicon on insulator

Номер патента: RU2704199C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Игорь Николаевич Чебурахин,Владимир Алексеевич Петрин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2019-10-24.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of forming tungsten film and system therefor

Номер патента: US11840759B2. Автор: Kenji Suzuki,Tsuyoshi Takahashi,Masaki Sano,Masafumi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Silicon member and method of producing the same

Номер патента: EP2784422A3. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

Silicon member and method of producing the same

Номер патента: US20140291680A1. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of forming tungsten film and system therefor

Номер патента: US20220290294A1. Автор: Kenji Suzuki,Tsuyoshi Takahashi,Masaki Sano,Masafumi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3802913A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: WO2019241183A1. Автор: Madhukar B. Rao,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Selective modification method of a base material surface

Номер патента: US20200051813A1. Автор: Hiroyuki Komatsu,Hitoshi Osaki. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Method of fabricating sidewall spacers for a self-aligned contact hole

Номер патента: US6033962A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Ming-Horn Tsai,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Thin film transistor and method of manufactruting thin film transistor

Номер патента: US20230420573A1. Автор: Manabu Ito,Chihiro Imamura. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of selectively forming local interconnects using design rules

Номер патента: US20020114180A1. Автор: Jigish Trivedi,Mike Violette,Todd Abbott,Chuck Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203884A1. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: US20110012209A1. Автор: Chien-En Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8710498B2. Автор: Hiroyuki Watanabe,Atsushi Sasaki,Tetsuya Shibata,Yuki Matsuura,Muneharu Akiyoshi,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of manufacturing flexible display

Номер патента: US09923157B2. Автор: Seungho Yoon,Eunjeong CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Vibrating body, method of manufacturing the same and vibration type drive device

Номер патента: US09818925B2. Автор: Yasuhiro Ogawa,Yutaka Maruyama,Masahiro Harada,Yosuke Igarashi,Yasuhiro Tsubota,Junzaburou Ono. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8334554B2. Автор: Sung-kwan Kim,June-Taeg Lee,Jung-Saeng Kim,Jeong-Wook Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-18.

Flexible substrate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20130059118A1. Автор: Chyi-Ming Leu,Yung-Hui Yeh,Yung-Lung Tseng,Chun-Cheng Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Reusable crucibles and method of manufacturing them

Номер патента: WO2007148986A1. Автор: Stein Julsrud,Gjertrud Rian,Rune Roligheten. Владелец: Rec Scanwafer As. Дата публикации: 2007-12-27.

Finfet having improved carrier mobility and method of its formation

Номер патента: EP1547156A1. Автор: Qi Xiang,Ming-Ren Lin,HaiHong Wang,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Memory Cells, Memory Cell Arrays, Methods of Using and Methods of Making

Номер патента: US20240185917A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Photomask structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240053674A1. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen,Shih-Hao YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US11948637B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Circuit and method of forming the same

Номер патента: EP3639369A1. Автор: TONG Lin,Joseph Sylvester Chang,Kwen Siong Chong,Ne Kyaw Zwa Lwin,Sivaramakrishnan Hariharakrishnan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-22.

Circuit and method of forming the same

Номер патента: US20200126971A1. Автор: TONG Lin,Joseph Sylvester Chang,Kwen Siong Chong,Ne Kyaw Zwa Lwin,Sivaramakrishnan Hariharakrishnan. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of Detecting a Defect of a Substrate and Apparatus for Performing the Same

Номер патента: US20150070690A1. Автор: Yu-Sin Yang,Hyung-Suk Cho,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Min-Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Structures, design structures and methods of fabricating global shutter pixel sensor cells

Номер патента: WO2011034737A2. Автор: John Ellis-Monaghan,Richard Rassel,James Adkisson,Mark Jaffe. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-03-24.

Image sensor, method of sensing image, and electronic device including the same with different resolutions

Номер патента: US11974059B2. Автор: Hyuck Choo,Jungwoo Kim,Myunghwa Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: WO2019018231A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224347A1. Автор: Sung-kwan Kim,June-Taeg Lee,Jung-Saeng Kim,Jeong-Wook Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4160682A1. Автор: Jeong Yu-Gwang,KANG Taewook,CHOI Sanggun,Keunwoo Kim,SungWon Cho,Joon Woo BAE,Jaehwan Chu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

A solar cell structure and a method of forming a solar cell structure

Номер патента: US20230307559A1. Автор: Brett Jason HALLAM,Catherine Emily CHAN,Yuchao ZHANG,Arman MAHBOUBI SOUFIANI. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230075763A1. Автор: Keunwoo Kim,Yu-gwang Jeong,SungWon Cho,Sanggun Choi,Taewook Kang,Joon Woo BAE,Jaehwan Chu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Carrier film and integrated circuit device using the same and method of making the same

Номер патента: US6078104A. Автор: Kazunori Sakurai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240098999A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US20190207070A1. Автор: Daniel Richter,Daniel Leisen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230106910A1. Автор: Tan Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Standing rigging component, in particular the mast of a vessel, and the method of its manufacture

Номер патента: NZ785639A. Автор: Loic Venec. Владелец: Sunreef Venture S A. Дата публикации: 2024-07-05.

Manufacturing method of diffraction grating

Номер патента: US9678253B2. Автор: Shigeru Sugiyama,Takashi Sukegawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Cooling device, electronic equipment device, and method of manufacturing cooling device

Номер патента: US20050047090A1. Автор: Koji Kitagawa,Eisaku Kato,Naoki Sano,Minehiro Tonosaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Integrated circuit including multi-height standard cell and method of designing the same

Номер патента: US20200243502A1. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230345734A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Field effect transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4423816A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Ferroelectric-based synaptic device and method of operating the synaptic device, and 3d synaptic device stack using the synaptic devices

Номер патента: US20230282275A1. Автор: Jeong-Hyun Kim,Jong-ho Lee. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-07.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054302A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing liquid ejecting head, method of manufacturing liquid ejecting apparatus and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US8991052B2. Автор: Tomohiro Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100304555A1. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8053292B2. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Method of manufacturing liquid ejecting head, method of manufacturing liquid ejecting apparatus and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US20130145589A1. Автор: Tomohiro Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Field effect transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023104278A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of making a non-contact smart card with an antenna support made of fibrous material, uses screen printing of antenna onto paper support with plastic protective lamination on outside surface

Номер патента: FR2801708A1. Автор: Georges Kayanakis,Christophe Mathieu,Sebastien Delenne. Владелец: ASK SA. Дата публикации: 2001-06-01.

Method for manufacturing component made of hard brittle material and component made of hard brittle material

Номер патента: US20230219193A1. Автор: Kouichi Inoue,Kazuyoshi Maeda,Hitoshi Nishijima,Norihito Shibuya,Kazumichi Hibino,Souichiro NISHIO. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of manufacturing gas barrier film

Номер патента: US20230257874A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Shinya Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: EP1269544A2. Автор: Daniel W. E. Verbugt,Hermanus L. Peek,Monique J. Beenhakkers. Владелец: Dalsa Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: US20020022296A1. Автор: Daniel VERBUGT,Hermanus Peek,Monique Beenhakkers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-02-21.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Method of forming an MNOS/MONOS by employing large tilt angle ion implantation underneath the field oxide

Номер патента: US5700728A. Автор: Ta-chi Kuo,Jyh-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Method of removing hard mask layer

Номер патента: US12040189B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sen Mao Feng,Ming Xuan Ren. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of making ionising radiation sensor

Номер патента: RU2575939C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин,Сергей Александрович Голубков,Любовь Григорьевна Литош,Вера Анатольевна Русина. Владелец: Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2016-02-27.

Semiconductor diode having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: US20020005558A1. Автор: Wiebe B. De Boer,Godefridus A.M. Hurkx,Adam R. Brown,Michael S. Peter,Hendrik G.A. Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837427B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device incorporating memory cell transistor and logic transistor, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040212010A1. Автор: Hideaki Aochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20030146514A1. Автор: Shinya Nakatani,Heiji Kobayashi. Владелец: MITSUBISHI DENKI AND RYODEN SEMICONDUCTOR SYSTEM ENGINEERING Corp KK. Дата публикации: 2003-08-07.

Method of forming a rugged polysilicon fin structure in DRAM

Номер патента: US5851878A. Автор: Hsiu-Wen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1353185A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1974-05-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090152644A1. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method of producing b-sialon, b-sialon, and products using the same

Номер патента: US20130106277A1. Автор: Masayoshi Ichikawa,Hideyuki Emoto. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2013-05-02.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240224529A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20230309309A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US12096635B2. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Flexible display and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266440A1. Автор: Sang-Joon SEO,Dong-Un Jin,Hoon-Kee Min,Sung-Guk An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071179A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Jung Yub SEO,Hee Won YOON,Shin Beom CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312998A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Jung Yub SEO,Hee Won YOON,Shin Beom CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6977199B2. Автор: Takeshi Kishida,Yusuke Kawase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-20.

Method of manufacture of a multi-site high-speed silicon pin-photosensitive element

Номер патента: RU2654961C1. Автор: Андрей Константинович Будтолаев,Павел Евгеньевич Хакуашев,Галина Владимировна Либерова,Андрей Викторович Рыбаков,Владимир Евгеньевич Степанюк. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Junction field effect transistor and method of fabricating

Номер патента: US4692780A. Автор: Izak Bencuya,Adrian I. Cogan. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1987-09-08.

Compositions comprising silacycloalkanes and methods using same for deposition of silicon-containing film

Номер патента: EP3990676A1. Автор: XINJIAN LEI,Ming Li,Raymond Nicholas Vrtis,Manchao Xiao,Robert Gordon Ridgeway. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-05-04.

Multijunction photovoltaic cell and related method of fabrication

Номер патента: CA3228978A1. Автор: Giuseppe Condorelli,Alfredo DI MATTEO,Cosimo Gerardi,Grazia LITRICO,Salvatore BELLINO,Alessandro FURNARI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-23.

Multijunction photovoltaic cell and related method of fabrication

Номер патента: EP4388591A1. Автор: Giuseppe Condorelli,Alfredo DI MATTEO,Cosimo Gerardi,Grazia LITRICO,Salvatore BELLINO,Alessandro FURNARI. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2024-06-26.

Electromechanical transducer and method of producing the same

Номер патента: US20120256520A1. Автор: Kazutoshi Torashima,Takahiro Akiyama,Toshio Tomiyoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Method of point-like silicate thread crystals growing

Номер патента: RU2653026C1. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-04.

Method of making improved aluminum metallization in self-aligned polysilicon gate technology

Номер патента: US4514233A. Автор: Katsuhiro Kawabuchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-30.

Method of making photocell structure

Номер патента: RU2509392C2. Автор: Йоханнес МАЙЕР,Тобиас РОШЕК,Маркус КУПИХ,Стефано БЕНАГЛИ. Владелец: Тел Солар Аг. Дата публикации: 2014-03-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230387271A1. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11791403B2. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of removing hard mask layer

Номер патента: US20230317453A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sen Mao Feng,Ming Xuan Ren. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12034063B2. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP4235156A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Dram and flash structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200083228A1. Автор: Ming-Che Li,Le-Tien Jung,Hung-Lin Shih,Li-Wei Liu,Hsuan-Tung Chu,Shih-Kuei Yen,Guan-Yi Liou,Huai-Jin Hsing. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047775A1. Автор: Hiromasa Fujimoto,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108388A1. Автор: Mari Otsuka,Hideaki Harakawa,Hiroyuki Kamijiyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Soft magnetic multilayer desposition apparatus, methods of manufacturing and magnetic multilayer

Номер патента: US20240186064A1. Автор: Martin BLESS,Claudiu Valentin FALUB. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Preparation of silicon composite material, and negative electrode plate containing same

Номер патента: AU2021408748A1. Автор: Hui Cao,Min Hou,Yuwei SUN,Chan LIU,Zhaoyu YU,Jinzuan WANG. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Preparation of silicon composite material, and negative electrode plate containing same

Номер патента: EP4160747A1. Автор: Hui Cao,Min Hou,Yuwei SUN,Chan LIU,Zhaoyu YU,Jinzuan WANG. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Preparation method of silicon-silicon oxide-carbon composite negative pole material of lithium ion battery

Номер патента: CN103730644A. Автор: 高川,吴孟涛,杨化滨,梁运辉. Владелец: Tianjin B&M Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Electrode catalyst layer for fuel cell and method of producing the same

Номер патента: US20100062305A1. Автор: Satoshi Kadotani,Tatsuya Kawahara,Tetsuya Hatanaka,Nobuhiro Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Positive electrode active material particle and manufacturing method of positive electrode active material particle

Номер патента: US20230327088A1. Автор: Masahiro Takahashi,Takahiro Kawakami,Teruaki Ochiai,Yohei MOMMA,Mayumi MIKAMI,Ayae TSURUTA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Stainless steel with high antirust properties for fuel cell and method of its production

Номер патента: RU2528520C2. Автор: Синсукэ ИДЭ,Син ИСИКАВА,Такуми ЮДЗИРО,Томохиро ИСИИ,Наоки НИСИЯМА,Норико МАКИИСИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-09-20.

Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same

Номер патента: US10903007B2. Автор: Ryo Ono,Akihiko Kono,Tetsuhiko FUKUOKA,Shoji Kusumoto. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2021-01-26.

Multi-Layer Ceramic Electronic Component and Method of Producing the Same

Номер патента: US20190164693A1. Автор: Ryo Ono,Akihiko Kono,Tetsuhiko FUKUOKA,Shoji Kusumoto. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same

Номер патента: US20210110976A1. Автор: Ryo Ono,Akihiko Kono,Tetsuhiko FUKUOKA,Shoji Kusumoto. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing dispersion containing conjugated electrically conductive polymer

Номер патента: EP3780045A1. Автор: Takashi Ohkubo,Yuta KAWAHARA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of manufacturing of a membrane with surface fibre structure, membrane manufactured by this method and use of such membrane

Номер патента: EP3857633A1. Автор: Peter Kus,Vladimir Matolin,Yurii YAKOVLEV. Владелец: Karlova Univerzita v Praze. Дата публикации: 2021-08-04.

Method of manufacturing solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing dispersion containing conjugated electrically conductive polymer

Номер патента: US20210027953A1. Автор: Takashi Ohkubo,Yuta KAWAHARA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing of a membrane with surface fibre structure, membrane manufactured by this method and use of such membrane

Номер патента: US20220045347A1. Автор: Peter Kus,Vladimir Matolin,Yurii YAKOVLEV. Владелец: Karlova Univerzita v Praze. Дата публикации: 2022-02-10.

Crimp terminal and manufacturing method of the same, wire assembly, and wire harness

Номер патента: US20170040713A1. Автор: Koichi Kumai,Daisuke Miyakawa. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of producing a vehicle glass assembly

Номер патента: US20210001432A1. Автор: Olivier Farreyrol. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Capacitive device comprising a ferroelectric p-n homojunction with negative capacitance, method of making the same and use

Номер патента: EP4369367A1. Автор: Lucian Pintilie,Ioana Pintilie,Georgia Andra BONI,Cristina CHIRILA,Luminita HRIB. Владелец: Institutul National De Cercetare Dezvoltare Pentru Fizica Materialelor Incdfm Bucuresti. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of producing a vehicle glass assembly

Номер патента: US12091729B2. Автор: Olivier Farreyrol. Владелец: Acr II Glass America Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Preparation method of composite cathode material

Номер патента: US20240372062A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing electrolytic capacitor

Номер патента: US20100170070A1. Автор: Takayuki Matsumoto. Владелец: Saga Sanyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Process for the production of grain-oriented electrical sheets made of silicon steel with low wattage losses and a low-noise transformer made of layered sheets during operation

Номер патента: DE69317810T2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Eiji Hina,Yukio Inokuti. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1998-08-06.

Process for the production of grain-oriented electrical sheets made of silicon steel with low wattage losses and a low-noise transformer made of layered sheets during operation

Номер патента: DE69317810D1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Eiji Hina,Yukio Inokuti. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1998-05-14.

Jumper element, shunt resistor apparatus, and method of adjusting characteristic of shunt resistor apparatus for current detection

Номер патента: US20230333143A1. Автор: Koichi Hirasawa,Keishi Nakamura,Katsuhide NISHIZAWA,Shuhei Matsubara. Владелец: Koa Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of fabricating contact elements in an electrochemical device such as sofc or eht

Номер патента: US20150194693A1. Автор: Bertrand Morel,Cyril Rado,Stéphane DI IORIO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of producing a vehicle glass assembly

Номер патента: EP3768464A1. Автор: Olivier Farreyrol. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of assembling a gas insulated power transmission line with outer enclosure of carbon steel and aluminum

Номер патента: CA1173126A. Автор: Alan H. Cookson. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1984-08-21.

Method of producing a filler for tubes with a high electric resistance made of melted magnesium oxide for electric tubelike heaters

Номер патента: YU112576A. Автор: G E Bockstiegel,M Neidhardt,G Rehfeld. Владелец: Dynamit Nobel AG. Дата публикации: 1982-06-30.

Motor vehicle, has ground pin made of aluminum or aluminum alloy and welded with front side members that are made of aluminum, where threaded section of ground pin is coated with titanium

Номер патента: DE102009015915A1. Автор: Rainer Stahl. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Fuse protection power tab for e.g. punch-grid type connector, in motor vehicle, has intermediate fuse part made of low fusing point alloy, and placed between base part and contact part made of silvered copper, to obtain fuse protection

Номер патента: FR2909488A1. Автор: Philippe Burguburu,Thomas Lhullier. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2008-06-06.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US09945030B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF MASS-PRODUCING SILICON OXIDE (SiOx) POWDER AND ANODE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: US20240317593A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing silicon oxide

Номер патента: US09741462B2. Автор: Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Negative Electrode, Non-Aqueous Electrolyte Secondary Battery, and Method of Producing Negative Electrode

Номер патента: US20200035992A1. Автор: Kaoru Inoue,Ryosuke OHSAWA,Akira Tsujiko. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Composite, method of preparing the same, electrode including the composite, and lithium battery including the electrode

Номер патента: US09917298B2. Автор: Jaeman Choi,Jonghwan Park,Inhyuk Son,Seongyong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Voltage non-linear resistor and method of producing the same

Номер патента: CA2050097A1. Автор: Osamu Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-01.

Negative electrode active material for non-aqueous electrolyte secondary battery and method of producing the same

Номер патента: US20160322637A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Kazuyuki Taniguchi,Yoshiyasu Yamada,Tetsuo Nakanishi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of producing a thin film cathode

Номер патента: RU2623104C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-22.

Method of creating nanostructured silicon anode

Номер патента: RU2718707C1. Автор: Сергей Николаевич Максимовский. Владелец: Сергей Николаевич Максимовский. Дата публикации: 2020-04-14.

Method of producing sheet from normalised silicon steel

Номер патента: RU2591097C2. Автор: Хунсюй ХЭЙ,Хуавэй ЧЖАН,Бо ВАН,Шишу СЕ,Айхуа МА,Юнцзе ЯН,Сяньдун ЛЮ,Лян ЦЗОУ,Сяолинь ЛИ,Гохуа ЯН. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing an on-board wireless module architecture

Номер патента: US09980391B1. Автор: William B. Weiser. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin-film transistor substrate and method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20240215315A1. Автор: Jun Tanaka,Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20110204346A1. Автор: Kiyoshi Nakamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Flexure of disk drive suspension, and method of manufacturing conductive circuit portion of flexure

Номер патента: US20170076745A1. Автор: Sei Kawao. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Electronic device and driving method of electronic device

Номер патента: US11743568B2. Автор: Dongwon Moon,Sungyoon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Flexure of disk drive suspension, and method of manufacturing conductive circuit portion of flexure

Номер патента: US9679592B2. Автор: Sei Kawao. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Auxetic stretchable substrate with flexible joint structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20240179838A1. Автор: Phillip Lee,Seungjun Chung,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Jun Chan CHOI,Jae Hong SUN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20170314161A1. Автор: Shin Harada,Eiryo Takasuka,Tsutomu Hori,Sho Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US8269216B2. Автор: Kiyoshi Nakamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Electronic device and driving method of electronic device

Номер патента: US20220078316A1. Автор: Dongwon Moon,Sungyoon Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Device for smoking material heating and method of heater formation

Номер патента: RU2709485C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-12-18.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Plating method and method of manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20230209721A1. Автор: Yuu Sugimoto,Shotaro NAGAOKA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Flexible electrical connection and method of making same

Номер патента: US4728751A. Автор: William J. Summa,Michael J. Canestaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-03-01.

Base plate, base unit, motor, disk drive apparatus and method of manufacturing the base plate

Номер патента: US20130335860A1. Автор: Yuki Masumi,Junzo FUJINAWA. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Thrust bearing, a turbomachine, and a method of making a bearing rotor disk for an electromagnetic thrust bearing in a turbomachine

Номер патента: US09926976B2. Автор: Eugenio Giorni,Michelangelo Bellacci,Massimo Camatti,Andrea Masala. Владелец: Nuovo Pignone Srl. Дата публикации: 2018-03-27.

Hearing protector and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1310277C. Автор: Cornelis Matheus Van Mierlo. Владелец: Safetec SA. Дата публикации: 1992-11-17.

Method of applying adherent coating on copper

Номер патента: US4954185A. Автор: Thomas S. Kohm. Владелец: Kollmorgen Corp. Дата публикации: 1990-09-04.

Electrothermal heater mat and method of manufacture thereof

Номер патента: EP3684603A1. Автор: Stephen GOODFELLOW-JONES. Владелец: GKN Aerospace Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Electrothermal heater mat and method of manufacture thereof

Номер патента: CA3075826A1. Автор: Stephen GOODFELLOW-JONES. Владелец: GKN Aerospace Services Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing optical compensation element and projector

Номер патента: US20090015795A1. Автор: Kazuo Aoki,Kazuhiro Nakazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Electronic device having substrate mounting sonic wave output element that outputs and receives sonic wave, pedestal to which the substrate is attached made of a nonconductive material, frame to which the pedestal is attached made of a conductive material, and conductive tape or conductive leaf spring which contacts substrate and frame

Номер патента: US10620021B2. Автор: Michio Fukushima,Yusuke Horishita,Junnosuke Yokoyama,Manabu Hada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

System and method of forming a fiber preform for use in manufacturing a component made of a composite material

Номер патента: US12064902B2. Автор: William R. Rodgers,Terrence WATHEN,Venkateshwar R. Aitharaju,Selina Xinyue Zhao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method of forming a fiber preform for use in manufacturing a component made of a composite material

Номер патента: US20230158712A1. Автор: William R. Rodgers,Terrence WATHEN,Venkateshwar R. Aitharaju,Selina Xinyue Zhao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Polarization-optical method of analyzing stress and deformation of solid material body using model made of piezo-optical material exposed to local heat flux

Номер патента: RU2610219C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов. Владелец: Сергей Константинович Есаулов. Дата публикации: 2017-02-08.

Inner container made of plastic and transport and storage container for liquids having an inner container made of plastic

Номер патента: AU2021201124A1. Автор: Udo Schutz. Владелец: Protechna SA. Дата публикации: 2021-09-16.

Arrangement of an air guiding element made of foam on a cooler element, and cooler element and air guiding element made of foam

Номер патента: US12090835B2. Автор: Mario Ippoliti,Thorsten Tobias Merz,Tomas Schorn. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Composite substrate and method of manufacturing composite substrate

Номер патента: US20210328571A1. Автор: Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Composite substrate and method of manufacturing composite substrate

Номер патента: EP3846343A1. Автор: Shoji Akiyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of producing a bonded body of piezoelectric material substrate

Номер патента: US12101079B2. Автор: Yuji Hori,Takahiro Yamadera. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Display apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357908A1. Автор: Ho Lim,Seunghee Lee,Jiyun PARK,Taemin Kim,Seulgee LEE,Gihoon Yang,Donggeun Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of producing composite material with metal matrix

Номер патента: RU2536847C2. Автор: Изабелль БУРЕШ,Вернер КРЕММЕР. Владелец: Виланд-Верке Аг. Дата публикации: 2014-12-27.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

High burn-up nuclear fuel tablet and method of making said tablet (versions)

Номер патента: RU2376665C2. Автор: Владимир Владимирович Новиков,Александр Владимирович Кулешов,Игорь Валентинович Петров,Андрей Евгеньевич Скомороха,Евгений Николаевич Михеев,Юрий Владимирович Пименов,Юрий Борисович Кондратюк,Владимир Викторович Владимиров. Владелец: Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод". Дата публикации: 2009-12-20.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of producing mould from material with heat-resistant polymer matrix

Номер патента: RU2604285C2. Автор: Леонид Викторович Воронцов,Георгий Виликович Оганесов,Андрей Викторович Буянкин. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2016-12-10.

Method of manufacturing a sector of a drawing of a sector vulcanization mold press form for tires of vehicles and a vulcanizing press form and a tire for vehicle

Номер патента: RU2663162C1. Автор: Карстен ВЕНЦЕЛЬ,Магнус ХАССЕЛЛЁВ. Владелец: КОНТИНЕНТАЛЬ РАЙФЕН ДОЙЧЛАНД ГМБХ. Дата публикации: 2018-08-01.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

A method of detecting the presence of an analyte in a biological sample

Номер патента: EP1131637A1. Автор: Howard Milne Chandler,Marc Sinatra. Владелец: Enterix Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Method of vehicle movement control and vehicle movement control device

Номер патента: RU2706750C1. Автор: Такаси ФУКУСИГЕ,Сатоси ТАНГЕ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of processing data for personal information protection and apparatus using the same

Номер патента: US20240160777A1. Автор: Wonseok Ahn,BoGun PARK. Владелец: Xperix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of granulating fine-dispersed materials

Номер патента: RU2714473C1. Автор: Антонина Сергеевна Сахарова,Егор Георгиевич Еремеев,Мария Владимировна Шершнева,Марина Михайловна Байдарашвили,Наталия Александровна Шредник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I". Дата публикации: 2020-02-17.

Method of making an article of footwear with a segmented plate

Номер патента: EP3164025A1. Автор: Christopher S. Cook,David J. Roulo. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2017-05-10.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: EP4282845A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: US20240076243A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanocapsules intended for transferring toxic drugs to the sites of invasive diseases occurrence in a patient body and method of their preparation

Номер патента: WO2010134829A3. Автор: Maciej Siewinski,Tadeusz Trziszka,Ewa Kilar,Katarzyna MALOLEPSZA-JARMOŁOWSKA,Wojciech Witkiewicz,Marek Bryjak,Wojciech Mikulewicz,Tadeusz Sebzda. Владелец: Akademia Medyczna im. Piastów Śląskich we Wrocławiu. Дата публикации: 2011-08-11.

Nanocapsules intended for transferring toxic drugs to the sites of invasive diseases occurrence in a patient body and method of their preparation

Номер патента: WO2010134829A2. Автор: Maciej Siewinski,Tadeusz Trziszka,Ewa Kilar,Katarzyna MALOLEPSZA-JARMOŁOWSKA,Wojciech Witkiewicz,Marek Bryjak,Wojciech Mikulewicz,Tadeusz Sebzda. Владелец: Akademia Medyczna im. Piastów Śląskich we Wrocławiu. Дата публикации: 2010-11-25.

Illumination optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190079377A1. Автор: Yuji Nakamura,Daisuke Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Silicon nitride foamed ceramic with multilevel structure and preparation method by combination of siliconizing, nitriding and in-situ growing whiskers or nanowires with CVI (chemical vapor infiltration) process

Номер патента: CN115368161A. Автор: 张青,成来飞,崔雪峰,叶昉,罗熙烨. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2022-11-22.

Method of producing anionically modified colloidal silica

Номер патента: US11814294B2. Автор: Ryota Mae. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of moulding of built-up layer of refractory body and mixture of particles

Номер патента: RU2051879C1. Автор: Be],Мейнккен Жан-Пьер,Мотте Леон-Филипп. Владелец: Главербель. Дата публикации: 1996-01-10.

Method of producing part made of low-silicon aluminum alloy

Номер патента: RU2700218C2. Автор: Ромен ЭПАЛЬ,Эмиль Томас ДИ СЕРИО. Владелец: Сейнт Джин Индастрис. Дата публикации: 2019-09-13.

Method of applying silicone caulking compound

Номер патента: CA2411939C. Автор: Donald Ervin Steinwandt,John Ruben Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of processing data for personal information protection and apparatus using the same

Номер патента: EP4369309A1. Автор: Won Seok Ahn,BoGun PARK. Владелец: Xperix Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of applying silicone caulking compound

Номер патента: US20060110539A1. Автор: John Johnson,Donald Steinwandt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Method of unloading racers from centrifugal forces (versions) and rolling bearing (versions)

Номер патента: RU2398976C1. Автор: Сергей Фридрихович Цодиков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Магнитный Подшипник". Дата публикации: 2010-09-10.

Method of base oil processing with viscosity index within 80 to 140

Номер патента: RU2334782C2. Автор: ВЕН Йоханнес Антониус Роберт ВАН,Патрик МУРО. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-09-27.

Method of manufacturing supporting substrate and led display device

Номер патента: RU2591771C1. Автор: Ся ЛАНЬ. Владелец: Бейджин Глукс Криэйтив Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for electrolytic production of silicon from molten salts

Номер патента: RU2760027C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Тимофей Анатольевич Гевел,Сергей Иванович Жук,Анастасия Евгеньевна Вахромеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-22.

Method of producing coated film-type substrate (versions)

Номер патента: RU2578148C2. Автор: Энтони Роберт КНОЕРЗЕР,Эндрю ХАНТ,Йонгдонг ДЖИАНГ,Кеннет Скотт ЛАВЕДЬЮЭ. Владелец: Нгимат Ко. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of manufacture of container casing for tuk with casing from high-duty cast iron with globular graphite

Номер патента: RU2646852C1. Автор: Илья Романович Шегельман,Алексей Сергеевич Васильев,Александр Натанович Капилевич,Вадим Александрович Тряпичкин,Дмитрий Михайлович Богданов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2018-03-12.

Solvent-resistant packing cardboard for liquids, method of its manufacture, use, and drinking glass made of such cardboard

Номер патента: RU2480551C2. Автор: Исто ХЕИСКАНЕН,Янне МЮЛЛЮКАНГАС,Тимо РЯЙСЯНЕН. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2013-04-27.

End face pulse seal assembly operating in cryogenic media, (versions) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2696423C1. Автор: Василий Сигизмундович Марцинковский,Вячеслав Борисович Тарельник,Наталия Вячеславовна Тарельник,Евгений Владиславович Коноплянченко,Михаил Юрьевич Думанчук,Чеслав КУНДЕРА,Алексей Николаевич Жуков. Владелец: Василий Сигизмундович Марцинковский. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Window of vehicle with lightguide part, method of making such window and its use in vehicle

Номер патента: RU2712388C1. Автор: Ли-Я Йех,Мартин Арндт,Кристиан ЭФФЕРТЦ,Мартин МЕЛЬХЕР. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-01-28.

Method of fabrication of distortion-resistant material

Номер патента: US4079157A. Автор: Junichi Yamamoto,Toshio Yagi,Kiyokazu Inmaru. Владелец: Toyo Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1978-03-14.

Method of manufacture of model of multi-stage aircraft

Номер патента: RU2639041C1. Автор: Николай Павлович Шоромов. Владелец: Николай Павлович Шоромов. Дата публикации: 2017-12-19.

Standard cell library and methods of using the same

Номер патента: US9852252B2. Автор: Jin-Tae Kim,Tae-Joong Song,Gi-young Yang,Jae-Ho Park,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Plane-parallel structures of silicon/silicon oxide

Номер патента: EP1517964A1. Автор: Patrice Bujard,Holger Leybach,Hilmar Weinert. Владелец: Ciba SC Holding AG. Дата публикации: 2005-03-30.

Polychromatic light out-coupling apparatus, near-eye displays comprising the same, and method of out-coupling polychromatic light

Номер патента: EP4300160A2. Автор: Toni Järvenpää,Marja Salmimaa,Peter Eskolin,Jyrki Sakari Kimmel. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Dual phase magnetic material component and method of its formation

Номер патента: US11976367B2. Автор: Min Zou,Pazhayannur Ramanathan Subramanian,Shenyan Huang,Wanming Zhang,Steve John Buresh,Deborah D. Whitis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-05-07.

Information processing apparatus, control method of information processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US11928217B2. Автор: Ayuta Kawazu,Nobuhiro Tagashira,Takami Eguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Polychromatic light out-coupling apparatus, near-eye displays comprising the same, and method of out-coupling polychromatic light

Номер патента: EP4300160A3. Автор: Toni Järvenpää,Marja Salmimaa,Peter Eskolin,Jyrki Sakari Kimmel. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Strengthen dual phase magnetic material component and method of its formation

Номер патента: US20220341020A1. Автор: Min Zou,Pazhayannur Ramanathan Subramanian,Shenyan Huang,Wanming Zhang,Steve John Buresh,Deborah D. Whitis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-10-27.

Dual phase magnetic material component and method of its formation

Номер патента: US20230257864A1. Автор: Min Zou,Pazhayannur Ramanathan Subramanian,Shenyan Huang,Wanming Zhang,Steve John Buresh,Deborah D. Whitis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-08-17.

Door, seal for door, method of covering door with facing material

Номер патента: RU2682518C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2019-03-19.

Injection mould and method of its fabrication

Номер патента: RU2526388C2. Автор: Чарльз Д. КЛЭНН,Брайан Д. РАД,Дуан Ли АУ. Владелец: Сэнт-Гобен Перформанс Пластикс Корпорейшн. Дата публикации: 2014-08-20.

Improved method of producing hydrocyanic acid by catalytic dehydration of gaseous formamide

Номер патента: RU2498940C2. Автор: Андреас ДЕКЕРС,Ральф БЕЛИНГ,Томас Шнайдер,Гюнтер АХХАММЕР,Херманн ЛУЙКЕН,Петер ПФАБ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2013-11-20.

Place of mounting of working blades of booster rotors and compressor of aviation engines of fifth generation; booster rotor and rotor of high pressure compressor of first generation aviation engine, with working blades, fixed with help of swallowtail type locks in ring grooves of these devices; method of assembling place of mounting working blades of booster rotors and compressor

Номер патента: RU2662755C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин,Егор Алексеевич Гаршин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2018-07-30.

Method of producing stretchable paper and device for its embodiment

Номер патента: RU2128262C1. Автор: Трани Джорджо,Карьоларо Норберто. Владелец: Картьере Карьоларо С.П.А.. Дата публикации: 1999-03-27.

Method of printing on a media

Номер патента: US20070085889A1. Автор: Marc Serra,Alejandro Campillo,Angel Barambio,Ana Cardells. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2007-04-19.

Bio-signal measurement patch device and method of using the same

Номер патента: US20240041374A1. Автор: Jong Ook Jeong. Владелец: Atsens Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Air conditioner filter and method of manufacture

Номер патента: US20190054409A1. Автор: LIANG Cheng,Andrew R. Fox. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-02-21.

Liquid crystal device, manufacturing method of liquid crystal device, and electronic apparatus

Номер патента: US20220128853A1. Автор: Masakazu Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Air conditioner filter and method of manufacture

Номер патента: EP3419736A1. Автор: LIANG Cheng,Andrew R. Fox. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-01-02.

The method of non-destructive evaluation of intergranular stress corrosion cracking (igssc) in structural components made of metal alloys, and the method of lifetime evaluation of the structural components

Номер патента: EP2841917A1. Автор: Sung-Soo Kim,Young-Suk Kim,Dae-Whan Kim. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2015-03-04.

Sound insulation tile for building and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220195722A1. Автор: Hwang-Pao Lee. Владелец: Isotech Products Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of Constructing Composite Stiffened Building Materials

Номер патента: US20240293995A1. Автор: Peter Sing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing film structure, method of manufacturing optical waveguide substrate and method of manufacturing second harmonic generation device

Номер патента: US20010046552A1. Автор: Takashi Yoshino,Makoto Iwai,Makoto Ohmori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Microfluidic device for the synthesis of micro and nanoproducts and method of manufacturing said microfluidic device

Номер патента: WO2024165885A1. Автор: Lucía Laura Policastro,Juan Martín Cabaleiro,Elena María Sanmarco,María Cristina Soraires Santacruz,Lisbeth Alexandra Benavides Castillo. Владелец: FERNÁNDEZ PEREZ, Bani Raquel. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of joining dissimilar metals without detrimental intermetallic compounds

Номер патента: EP4084924A1. Автор: Wei Lu,Fengchao LIU,Pingsha Dong,Alan TAUB. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2022-11-09.

Detector and method of determining speed

Номер патента: RU2458352C2. Автор: Кристофер Йен МОИР,Кристофер Йен МОИР (GB). Владелец: Кристофер Йен МОИР. Дата публикации: 2012-08-10.

Wig and method of its making

Номер патента: RU2400111C2. Автор: Такаши САТО,Хироко СУГАИ,Чисато ХОНМА,Йошими САСАКИ. Владелец: Адеранс Холдингс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-09-27.

Solid sample magnetic coupling high resolution nuclear magnetic resolution probe and method of use

Номер патента: US11927653B1. Автор: Albert Zens. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing a multi-layer tube

Номер патента: EP3271163A1. Автор: Domenico VIZZARRI. Владелец: IMM Hydraulics SpA. Дата публикации: 2018-01-24.

Method of manufacturing a multi-layer tube

Номер патента: WO2016147160A1. Автор: Domenico VIZZARRI. Владелец: I.M.M. Hydraulics S.P.A.. Дата публикации: 2016-09-22.

A package intended for contact with food made of a polyolefin recyclate and a method of its production

Номер патента: EP4296029A1. Автор: Piotr Kasprzak,Rafal GRYGLICKI. Владелец: Matsim SpZ OO. Дата публикации: 2023-12-27.

Bead core with a clamp, tire incorporating same, and method of making same

Номер патента: US20020026974A1. Автор: Gurdev Orjela,Claudio Villani,Alessandro Volpi,Guido Riva,Syed Mowdood. Владелец: Pirelli Pneumatici SpA. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of marking a surface of an object by means of a laser light

Номер патента: US5554196A. Автор: Ytsen Wielstra. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Monomer composition containing several cationic types, method of production and polymers containing units made thereof

Номер патента: RU2351584C2. Автор: Лео Жаоквинг ЛИУ. Владелец: Родиа Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Vessel and method of its production

Номер патента: RU2521396C2. Автор: Питер ХЕРМАН. Владелец: Комплит ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-06-27.

Diagnosis device and method of manufacturing the diagnosis device

Номер патента: WO2009011535A2. Автор: Byoung Su Lee,Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of manufacturing a curved metal plate, and golf club head

Номер патента: US20020107090A1. Автор: Chon Lin,Satoshi Matsumoto,Nozomu Ariyasu. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Control method of dishwasher

Номер патента: US20220218176A1. Автор: Changwoo Son,Byeongyong LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-07-14.

Medical Tubes and Methods of Manufacture

Номер патента: AU2022218488B2. Автор: Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing an environment-friendly tile

Номер патента: US9085128B2. Автор: Pen-Yuan Chen. Владелец: DONGGUAN MEI JER PLASTIC PRODUCTS CO Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Optical fibre assembly and method of making an optical fibre assembly

Номер патента: EP3158374A1. Автор: Christopher Holmes,Peter George Robin Smith,Lewis Glynn Carpenter,James Christopher Gates. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2017-04-26.

A method of eliminating moisture problems in housing

Номер патента: WO1995021801A1. Автор: Jan Kristensson,Bengt Känngard. Владелец: Kaenngaard Bengt. Дата публикации: 1995-08-17.

Method of preforming an implantable polymeric endoluminal support structure

Номер патента: EP4186477A1. Автор: Golo Von Basum,Bart SANDERS,Maria Alida Antonia Trommelen,Arturo Miguel Lichauco. Владелец: Stentit BV. Дата публикации: 2023-05-31.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: AU2024205547A1. Автор: Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: US12076489B2. Автор: Wenjie Robin LIANG,Paul James TONKIN,Anton PETROCHENKO. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of producing mine blast resistant armor from a 7xxx series aluminum alloy

Номер патента: WO2024154096A1. Автор: Achim Buerger,Bernd JACOBY,Katja KLAUER-DOBROWOLSKI,Roy NASH. Владелец: Novelis Koblenz GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: AU2024216402A1. Автор: Al-Tiay Ibrahim,Dean Antony Barker,Jonathan David Harwood,Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North,Mahran Maumoon SUJAU,Gavin Walsh Millar,Matthew Liam BUSWELL,David Leon McCAULEY,Katja Munkelt,Matthew Robert Wilson,Helgard OOSTHUYSEN,Sanjay Parag PATEL,Dominique Richard D'ANDREA,Grant Martin DOVER,Christopher Jaye Norman AMADIO,Josh STROOBANT,Andre VAN SCHALWYK. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

The preparation method of method for selective etching and nanometer pinpoint structure

Номер патента: CN110002393A. Автор: 杨涛,李俊杰,王文武,朱慧珑,李俊峰,周娜,李永亮,吴振华,殷华湘,王桂磊,傅剑宇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-12.

Container made of a porous material and coated with precious metal nanoparticles and method thereof

Номер патента: US20070297931A1. Автор: Wen-Lie Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of preforming an implantable polymeric endoluminal support structure

Номер патента: WO2023094158A1. Автор: Golo Von Basum,Bart SANDERS,Maria Alida Antonia Trommelen,Arturo Miguel Lichauco. Владелец: Stentit BV. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of and device for packing liquid and semiliquid products in containers made of thermally moulded plastic

Номер патента: RU2113381C1. Автор: Агуццоли Карло. Владелец: Юнифилл Интернэшнл А/Г. Дата публикации: 1998-06-20.

Refilling preform of optical fiber, comprises modulating quantity of silicon deposited on preform in function of angular position of preform, where deposition of silicon is carried by projection and vitrification of silicon precursor

Номер патента: FR2950621A1. Автор: Cedric Gonnet,Emmanuel Petitfrere,Laurent Calvo. Владелец: Draka Comteq France SAS. Дата публикации: 2011-04-01.

The preparation method of highly doped yttrium iron garnet film is directly grown on a kind of silicon

Номер патента: CN105714379B. Автор: 张燕,毕磊,邓龙江,王闯堂. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-07-27.

PROCESSING OF ULTRA-DISPERSED POWDER ON THE BASIS OF SILICON DIOXIDE OR PRODUCTS MADE FROM THE ULTRA-DISPERSED POWDER ON THE BASIS OF SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2013110513A. Автор: Пушкар ТАНДОН,Николя Леблон,Сринивас ВЕМУРИ. Владелец: Корнинг Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-09-20.

CONNECTED BODY MADE OF ALUMINUM AND SILICON NITRIDE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: DE69518501D1. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Hisao Takeuchi,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2000-09-28.

Method of constructing a drainage structure

Номер патента: RU2699086C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2019-09-03.

Device for filling packages with food products (variants) and method of packages filling (variants)

Номер патента: RU2328419C2. Автор: . Владелец: Индаг Гезелльшафт Фюр Индустрибедарф мбХ унд Ко. Бетрибс КГ. Дата публикации: 2008-07-10.

Rocket engine and method of assembling of its combustion chamber

Номер патента: RU2267635C1. Автор: Грегг ДЖОНС,Теренс Дж. МАКМАЛЛЕН,Микки Э. МАРШАЛЛ,Дональд Р. ТРЕНШЕЛ. Владелец: Юнайтид Текнолоджиз Копэрейшн. Дата публикации: 2006-01-10.

Method of gear wheel lubrication

Номер патента: RU2639389C1. Автор: Николай Викторович Мендрух. Владелец: Николай Викторович Мендрух. Дата публикации: 2017-12-21.

Plywood article yielding to subsequent forming and method of its fabrication

Номер патента: RU2482966C2. Автор: Саманта КИЛЬЮНЕН,Робин ВИЛЕН,Харри НИЕМИНЕН,Тимо ХЕЙККИЛЯ. Владелец: ЮПМ-Кюммене Вуд Ой. Дата публикации: 2013-05-27.

Method of operator acoustic protection

Номер патента: RU2626816C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-08-02.

Method of producing a bioactive porous coating for intraosseous implants made from titanium alloys

Номер патента: RU2734415C1. Автор: Александр Юрьевич Соловьев,Александр Иванович Бондарь. Владелец: Александр Иванович Бондарь. Дата публикации: 2020-10-16.

Method of heat exchanger soldering

Номер патента: RU2694410C1. Автор: Олег Георгиевич Кудашов,Валентина Ивановна Сидякина. Владелец: Акционерное общество "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (АО "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2019-07-12.

Method of manufacturing monolithic reinforced concrete beam flooring slabs with round voids, with use of non-extractable cardboard-polyethylene core drivers

Номер патента: RU2634156C2. Автор: Борис Александрович Пушкарев. Владелец: Борис Александрович Пушкарев. Дата публикации: 2017-10-24.

Thermal insulated multi-layer polymer pipe and method of its manufacture

Номер патента: RU2630057C1. Автор: Сергей Владимирович Алешин,Олег Петрович Волохович,Владимир Сергеевич Черкашин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИЗОЛА". Дата публикации: 2017-09-05.

Optical waveguide module having waveguide substrate made of predetermined material and ferrule made of material different from that of waveguide substrate

Номер патента: US5625730A. Автор: Shinji Ishikawa,Masahide Saito,Shigeru Semura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-04-29.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Microneedic applicator and method of its manufacture

Номер патента: RU2652567C1. Автор: Василий Николаевич Звездин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Микронидл Индастриал". Дата публикации: 2018-04-26.

Method of indirect evaporative cooling of air in rooms and device for its realization

Номер патента: RU2037745C1. Автор: Александр Иванович Макиенко,Валентин Александрович Матвеев,Виктор Александрович Морозов,Сергей Петрович Канашин,Юрий Иванович Краснощеков,Валерий Геннадьевич Хрящев,По Сик Тан. Владелец: По Сик Тан. Дата публикации: 1995-06-19.

Method of protecting fish and other aquatic organisms from entering water intake structure, method of protecting water intake structures and fish protection device from biological fouling, fish protection device

Номер патента: RU2619242C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2017-05-12.

Sheet type packing material and method of its manufacture

Номер патента: RU2107624C1. Автор: Лассон Рольф,Еман Петер. Владелец: Тетра Лаваль Холдингз Энд Файненс С.А.. Дата публикации: 1998-03-27.

Aircraft fuselage composed of lengthwise panels and method of its production

Номер патента: RU2489312C2. Автор: Гийом ГАЛЛАН,Филипп БЕРНАДЕ. Владелец: Эрбюс Операсьон (Сас). Дата публикации: 2013-08-10.

Air bag for car passenger locking system and method of its fabrication

Номер патента: RU2532446C2. Автор: Торстен ШМИДТ,Йенс ФЕЛЛЕР,Райнер ХОЙШМИД. Владелец: Таката-Петри Аг. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of producing sandwiched coating for cutting tool

Номер патента: RU2620530C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов,Лев Михайлович Морозов,Дамир Ильдарович Сагитов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-05-26.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: CA2896601C. Автор: Dean Antony Barker,Andre VAN SCHALKWYK,Jonathan David Harwood,Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North,Mahran Maumoon SUJAU,Joshua Daniel STROOBANT,Gavin Walsh Millar,Matthew Liam BUSWELL,Ibrahim AL-TIAY,David Leon McCAULEY,Katja Munkelt,Matthew Robert Wilson,Helgard OOSTHUYSEN,Sanjay Parag PATEL,Dominique Richard D'ANDREA,Grant Martin DOVER,Christopher Jaye Norman AMADIO. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Metal door frame constructed of a channel section and method of making same

Номер патента: US4562677A. Автор: Frantisek Hrabak. Владелец: STAVEBNI STROJIRENSTVI A LEHKA PREFABRIKACE GENERALNI REDITELSTV. Дата публикации: 1986-01-07.

A method of making a formable hockey stick blade

Номер патента: CA2486234C. Автор: Robert M. Miller,Alain Bellefleur,Win Fream,Vincent Borbone. Владелец: Bauer Hockey Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Improvements in or relating to methods of packing congealing substances

Номер патента: GB637654A. Автор: . Владелец: Lever Brothers and Unilever Ltd. Дата публикации: 1950-05-24.

Method of constructing a biosensor

Номер патента: CA2535394C. Автор: Lawrence B. Jansen,Ellen M. Anderson,Kenneth W. Ward. Владелец: Isense Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Method of producing a keratoprosthesis

Номер патента: US5458819A. Автор: Ian J. CONSTABLE,Traian V. Chirila,Geoffrey J. Crawford,Albert V. Russo. Владелец: Lions Eye Institute of Western Australia Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of heat treating nicraly alloys for use as ceramic kiln and furnace hardware

Номер патента: CA1196554A. Автор: George Y. Lai,Robert B. Herchenroeder. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1985-11-12.

Method of dividing a plate-like workpiece

Номер патента: US20050035099A1. Автор: Masaru Nakamura,Toshiyuki Yoshikawa,Satoshi Genda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Multilayer cellulose casing, method of manufacture thereof and extrusion head for obtaining said casing

Номер патента: CA2402692C. Автор: Agustin Garcia Vizcarra,Jose Abel Oiza Oset. Владелец: Viscofan Industria Navarra de Envolturas Celulosicas SA. Дата публикации: 2009-06-23.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: GB2527210A. Автор: Dean Antony Barker,Sanjay Patel,Andre VAN SCHALKWYK,Jonathan David Harwood,Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North,Mahran Maumoon SUJAU,Gavin Walsh Millar,Matthew Liam BUSWELL,Ibrahim AL-TIAY,David Leon McCAULEY,Katja Munkelt,Matthew Robert Wilson,Helgard OOSTHUYSEN,Grant Martin DOVER,Christopher Jaye Norman AMADIO,Josh STROOBANT,Dominique Richard D Andrea. Владелец: Fisher and Paykel Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Method of making phantom for nmr diagnosis

Номер патента: CA1324074C. Автор: Masao Nambu,Kazue Saitoh. Владелец: Nippon Oil Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: CA2838011C. Автор: Elmo Benson Stoks,Charles Christopher North. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Manufacturing method of gasket, gasket material molding the gasket for heat exchanger, and heat exchanger

Номер патента: US20180112071A1. Автор: Shuhei Yamazaki,Shinichi Okamaoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Medical tubes and methods of manufacture

Номер патента: AU2023278090A1. Автор: Wenjie Robin LIANG,Paul James TONKIN,Anton PETROCHENKO. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Feeder device, feeder station and method of feeding

Номер патента: EP1397301A1. Автор: Bengt Eriksson,Brodde Bengisson. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2004-03-17.

Control method of dishwasher

Номер патента: US11864706B2. Автор: Changwoo Son,Byeongyong LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of making a ceramic body

Номер патента: US5565156A. Автор: Nils A. Ingelstrom. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 1996-10-15.

All terrain cycle fork with fiber reinforced resin blades and crown and method of making same

Номер патента: US5078417A. Автор: John Mouritsen. Владелец: Cycle Composites Inc. Дата публикации: 1992-01-07.

Integrally molded air-bag cover article and method of making the same

Номер патента: US5947511A. Автор: Makoto Hirai,Hitoshi Nakada,Nobuhiro Usui,Shoichi Kohara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Dental appliance and method of manufacture

Номер патента: CA1146782A. Автор: Edwin J. Riley,Ralph B. Sozio. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1983-05-24.

Method of assessing lower temperature limit of mechanical operability of the articles made of polymer compounds

Номер патента: RU2599284C1. Автор: Светлана Алексеевна Бочкарева,Анатолий Ильич Реутов,Юрий Анатольевич Реутов,Наталья Юрьевна Гришаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2016-10-10.

Method of plating by means of submersion into molten electrolyte of strip made of high-strength steel

Номер патента: RU2367714C2. Автор: Манфред МЁЙРЕР,Ронни ЛЕЙШНЕР,Вильгельм ВАРНЕКЕ,Сабине ЦАЙЦИНГЕР,Гернот НОТАКЕР,Михаель УЛЬМАН,Норберт ШАФРАТ. Владелец: Тиссенкрупп Стил Аг. Дата публикации: 2009-09-20.

Mass transfer imaging media and methods of making and using the same

Номер патента: CA2214906C. Автор: Ernest W. Ellis. Владелец: LATRAN TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2006-05-30.

Duplex sprocket/gear construction and method of making same

Номер патента: CA2240426C. Автор: Timothy E. Geiman,Terry M. Cadle,Joel H. Mandel,Carl J. Landgraf. Владелец: GKN Sinter Metals LLC. Дата публикации: 2005-05-10.

Additive manufactured object and method of manufacturing additive manufactured object

Номер патента: US20230390869A1. Автор: Takafumi Fujii,Satoshi Hattori,Nobuyuki Sumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

An artificial intelligence intra-operative surgical guidance system and method of use

Номер патента: EP3852645A1. Автор: Edouard Saget,Richard Boddington,Josh Cates,Hind Oulhaj. Владелец: Orthogrid Systems Sas. Дата публикации: 2021-07-28.

Control valve in variable displacement compressor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117642A1. Автор: Hirohito Hayashi,Naoya Yokomachi,Hiroshi Fukasaku,Izuru Shimizu,Kitaru Iwata. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Well inserts with brittle membranes and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230151312A1. Автор: Eric Marguet,Sylvain BERGERAT,Silvia ANGELONI SUTER,Kaspar SUTER,Charlotte VOUTAT. Владелец: Simplinext SA. Дата публикации: 2023-05-18.

Tank and method of manufacturing a tank

Номер патента: US20220410699A1. Автор: Ryohei Sumiyoshi,Masaki Inaoka,Shogo Kajii. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of treating surfaces of solid materials of vitreous structure and product made of crystal or lead glass

Номер патента: PL290286A1. Автор: Gerard Cornier. Владелец: BACCARAT CRISTALLERIES. Дата публикации: 1992-01-27.

Artificial Intelligence Intra-Operative Surgical Guidance System and Method of Use

Номер патента: US20240206990A1. Автор: Edouard Saget,Richard Boddington,Erik Noble Kubiak,Joshua Cates,Hind Oulhaj. Владелец: Orthogrid Systems Holdings LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of labeling hollow objects such as containers made from tapes, films made of thermoplastic films

Номер патента: FR1515171A. Автор: . Владелец: E R C A. Дата публикации: 1968-03-01.

Method of applying an aluminium base to the bottom of a vessel made of high-grade steel

Номер патента: DE3232480A1. Автор: Peter 6842 Bürstadt Limburg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-03-01.

Method of imparting antistatic property to biodegradable polyester resin composition and products made of the resin composition

Номер патента: CN1748003A. Автор: 指田和幸,长谷部忠,神谷宗一郎. Владелец: RIKEN VITAMIN CO. Дата публикации: 2006-03-15.

Method of making a hand-grip for a paper bag or that made of other material

Номер патента: PL177492B1. Автор: Joseph Meynard,Antoine Vidal. Владелец: Antoine Vidal. Дата публикации: 1999-11-30.

Method of vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide

Номер патента: US7541070B2. Автор: Nicolas Schiller,Steffen Straach,Matthias Fahland,Mathias Räbisch,Christoph Charton. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2009-06-02.

Method of imparting antistatic property to biodegradable polyester resin composition and products made of the resin composition

Номер патента: EP1605017A4. Автор: Kazuyuki Sashida,Tadashi Hasebe,Soichiro Kamiya. Владелец: Riken Vitamin Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

Method of and apparatus for welding mitered mating surfaces of frame sections made of plastic and apparatus for making the same

Номер патента: CZ292208B6. Автор: Manfred Valentin. Владелец: SCHÜCO INTERNATIONAL KG. Дата публикации: 2003-08-13.

The method of forming intermetallic coatings of the Ti-Al system on surfaces made of aluminum alloys

Номер патента: RU2017146306A. Автор: Сергей Вольдемарович Федоров,Хтет Со Мин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2019-06-27.

Method of imparting antistatic property to biodegradable polyester resin composition and products made of the resin composition

Номер патента: KR101010385B1. Автор: 타다시 하세베,소이치로 카미야,카즈유키 사시다. Владелец: 리켄 비타민 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-01-21.

Methods of manufacturing a container or a cup with its disposable lid made of biobased and compostable hydrophobic paper or cardboard.

Номер патента: FR3099756A3. Автор: Serge Schlee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-12.

Method of making a container such as a bottle from a preform made of thermoplastic polymer

Номер патента: US20110290758A1. Автор: Eric Didier,Christian Detrois. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2011-12-01.

ARRANGEMENT OF AN AIR GUIDING ELEMENT MADE OF FOAM ON A COOLER ELEMENT, AND COOLER ELEMENT AND AIR GUIDING ELEMENT MADE OF FOAM

Номер патента: US20220016971A1. Автор: MERZ Thorsten Tobias,SCHORN Tomas,IPPOLITI Mario. Владелец: VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2022-01-20.

Brake disk for disk brake of motor vehicle, particularly passenger car, comprises friction ring, which is made of alloy, particularly from gray cast iron, and brake disk chamber that is made of thin walled sheet metal

Номер патента: DE102010012504A1. Автор: Dr.-Ing. Mayer Ralph. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2011-09-29.

Textile web made of woven or knitted fabric

Номер патента: CA1295116C. Автор: Peter Mueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-02-04.

Articular implant for repairing e.g. hip joint, has fixation piece comprising rod overmolded on pyrolytic carbon sheet, and layer made of elastomer/polymer material and placed between sheet and piece, where piece is made of polymer material

Номер патента: FR2928829A1. Автор: Michel Hassler,Yves Alain Ratron. Владелец: TORNIER SAS. Дата публикации: 2009-09-25.

Object transporting and storing pallet, has multilayer film partially made of elastomer materials and thermoplastic materials and surmounted on plate, where pallet is made of high density polyethylene

Номер патента: FR2910439A1. Автор: Denis Obriot. Владелец: Plastic Omnium SE. Дата публикации: 2008-06-27.

Flexible abutment links for attaching a part made of cmc

Номер патента: CA2733572C. Автор: Eric Conete. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2016-12-13.

Flange element for connecting e.g. pipeline part with exhaust manifold of internal combustion engine of motor vehicle, has area made of solid material for soldering part e.g. pipeline part, and another area made of sinter material

Номер патента: DE102009022180A1. Автор: Nicolas Drouart. Владелец: WITZENMANN GMBH. Дата публикации: 2010-11-25.

Strand for use with nozzle used as modeling tool in dental technology, has core and cladding made of different materials which are non-stickable, in which the core may be made of softer material compared to cladding

Номер патента: DE202006000704U1. Автор: . Владелец: Furtwangler Beate. Дата публикации: 2006-04-06.

Three-dimensionally molded layer body comprises first layer made of polyurethane molded part, and second layer made of glass fiber reinforced plastic, where two layers are connected by intermediate layer made of monomer with reactive groups

Номер патента: DE102011054969A1. Автор: Peter Dolibog,Thomas Schäufler. Владелец: Peter Dolibog. Дата публикации: 2013-04-18.

Connection of the support frame made of light metal profile beams with the outer skin of the car body made of a different material, especially for motor vehicles

Номер патента: DE894815C. Автор: Friedrich Dipl-Ing D Nallinger. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 1955-08-22.

Heat shield production method for use in motor vehicle, involves sticking together two top layers with insulating layer, which is made of insulating material, where insulating layer is arranged between top layers, which are made of metal

Номер патента: DE102006008946A1. Автор: Helmut W Diedrichs. Владелец: Diedrichs, Helmut W.. Дата публикации: 2007-08-30.

Defect inspection apparatus for bottles made of transparent material

Номер патента: CA1252539A. Автор: Hajime Yoshida. Владелец: Hajime Industries Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Braid or woven rope for use as e.g. covering in kids play device i.e. nest swing, has central core comprising body made of radial-elastic materials that are provided in braid or woven casing, and made of extruded foam material

Номер патента: CH701337A2. Автор: Martin Ullmann. Владелец: Seilfabrik Ullmann Ag. Дата публикации: 2010-12-31.

Arrangement of an air guiding element made of foam on a cooler element, and cooler element and air guiding element made of foam

Номер патента: EP3873758B1. Автор: Mario Ippoliti,Thorsten Tobias Merz,Tomas Schorn. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Inner containers made of plastic and transport and storage containers for liquids with an inner container made of plastic

Номер патента: DE102020105525A1. Автор: Udo Schutz. Владелец: Protechna SA. Дата публикации: 2021-09-02.

Pipe connection in two parts made of polymers as well as conduit system including this pipe connection and pipes made of identical polymers

Номер патента: EP0635670A1. Автор: Beat Masch.-Ing. Htl Wasser. Владелец: EMS Inventa AG. Дата публикации: 1995-01-25.

Internal support for torsional vibration damper, has wall portion made of glass reinforced plastic, which is extended from peripheral edges of mounting portion made of steel in direction of axis of rotation

Номер патента: DE102011120397A1. Автор: Johann Löw,Franz Kobus. Владелец: SGF Sueddeutsche Gelenkscheibenfabrik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-06.

Mold for manufacturing a turbomachine fan casing made of a composite material with differential expansion

Номер патента: US20230286227A1. Автор: Hubert Jean Marie FABRE,Maxime Marie Désiré Blaise. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing a capsule made of aluminum for small tubes with seal and product obtained therefrom

Номер патента: EP4323130A1. Автор: Maurizio Mattioli. Владелец: DBN Tubetti Srl. Дата публикации: 2024-02-21.

Vane made of composite material having a three-dimensional woven fibrous reinforcement and two-dimensional woven skin and method for manufacturing same

Номер патента: US11982209B2. Автор: Thomas Alain DE GAILLARD,Clément Pierre Postec,Teddy Fixy,Eddy Keomorakott Souryavongsa. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing a capsule made of aluminum for small tubes with seal and product obtained therefrom

Номер патента: WO2022219452A1. Автор: Maurizio Mattioli. Владелец: D.B.N. Tubetti S.R.L.. Дата публикации: 2022-10-20.

Mold for manufacturing a turbomachine fan casing made of a composite material with differential expansion

Номер патента: US11993032B2. Автор: Hubert Jean Marie FABRE,Maxime Marie Désiré Blaise. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-05-28.

Putty knife made of plastic material for the application of substances for mural coatings and the like

Номер патента: EP1726739B1. Автор: Alberto Gilli. Владелец: Candis Srl. Дата публикации: 2008-09-24.

Method for manufacturing a capsule made of aluminum for small tubes with seal and product obtained therefrom

Номер патента: US20240216976A1. Автор: Maurizio Mattioli. Владелец: DBN Tubetti Srl. Дата публикации: 2024-07-04.

Casting ring for obtaining a product made of titanium alloy or a titanium-aluminum intermetallic alloy and method using same

Номер патента: US20230415224A1. Автор: Pierre Jean Sallot. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-12-28.

Casting ring for obtaining a product made of titanium alloy or a titanium-aluminum intermetallic alloy and method using same

Номер патента: US12042849B2. Автор: Pierre Jean Sallot. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-23.

Combination apparatus made of sacrificial anode material removably affixed to a shaft of a propeller of an engine of a water craft, the apparatus including removable and replaceable cutting blades

Номер патента: US09988132B1. Автор: Ian Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method of selective etching of steel

Номер патента: RU2709558C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-12-18.

Catalyst for selective catalytic reduction (scr), containing composite oxide containing v and sb, method of its production and its application for removal of nitrogen oxides

Номер патента: RU2730513C2. Автор: Лианг ЧЕН,Фенг ЧЖАО,Джиади ЧЖАНГ,Каролина ГАЛЕАНО,Забине ХУБЕР,Эдгар ХЮННЕКЕС. Владелец: Басф Корпорейшн. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of manufacturing green sheet

Номер патента: EP4227283A1. Автор: Yasuhiro Araki,Dai Kusano,Kunihiro Gotoh. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of growing filamentous nanocrystals of silicon dioxide

Номер патента: RU2681037C2. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method of manufacturing products with coating and products with coating produced by this method

Номер патента: RU2359928C2. Автор: Джеймс Дж. ФИНЛИ,Джеймс П. ТИЛЬ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same

Номер патента: US20050008946A1. Автор: Kenichi Morimoto,Yoshinori Kinase,Yuki Aritsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of alpha-olefins isomerisation and obtained compositions

Номер патента: RU2346923C2. Автор: Дэвид Стефен БРАУН,Майкл Джозеф ДОЛЛ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2009-02-20.

Catalytic composition for hydrocracking and method of converting hydrocarbon raw material to low-boiling point material

Номер патента: RU2338590C2. Автор: Эдвард Джулиус КРЕЙТОН,Корнелис ОУВЕХЕНД,Эдвард Джулиус КРЕЙТОН (NL),Корнелис ОУВЕХЕНД (NL). Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Composite micromechanical component from silicon with metal and method of its production

Номер патента: RU2474532C2. Автор: Жан-Шарль ФИАККАБРИНО,Марко ВЕРАРДО,Тьерри КОНЮ,Жан-Филипп ТЬЕБО,Жан-Бернар ПЕТЕРС. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2013-02-10.

Reprocessing method of zinc concentrate

Номер патента: RU2382091C1. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Роман Иванович Крайденко,Артем Андреевич Андреев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of manufacturing glass with hollow nanopillars and glass with hollow nanopillars manufactured thereby

Номер патента: US20210163285A1. Автор: Myoung Woon Moon,Young A Lee,Sun Mi Yoon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing glass with hollow nanopillars and glass with hollow nanopillars manufactured thereby

Номер патента: US11753297B2. Автор: Myoung Woon Moon,Young A Lee,Sun Mi Yoon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Method of producing micro-mesoporous nanomaterials on basis of aluminum oxyhydroxide pleated nanosheets and materials obtained by this method

Номер патента: RU2674952C1. Автор: Сергей Григорьевич Псахье,Сергей Олегович Казанцев,Ольга Владимировна Бакина,Александр Сергеевич Ложкомоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2018-12-13.

Method of increasing yield of spring cereals

Номер патента: RU2678126C1. Автор: Наталья Николаевна Терещенко,Александра Владимировна Кравец,Оксана Модестовна Минаева,Борис Игоревич Макаров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2019-01-23.

Method of cultivating potatoes by intensive technology on irrigated lands of steppe zone of southern urals

Номер патента: RU2729128C1. Автор: Елена Анатольевна Сизова,Борис Георгиевич Рогачев,Нина Николаевна Докина,Михаил Анатольевич Кизаев,Дмитрий Викторович Фролов,Евгения Владимировна Аминова,Александр Алексеевич Мушинский. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук". Дата публикации: 2020-08-04.

Method of manufacturing a master plate and a master plate

Номер патента: EP3631538A1. Автор: Ismo Vartiainen,Mikhail ERDMANIS,Jussi RAHOM KI. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2020-04-08.

Nozzle plate for inkjet head and method of manufacturing the nozzle plate

Номер патента: US20080007594A1. Автор: Young-nam Kwon,Jae-Chang Lee,Tae-Woon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Method forming coatings based on pyrolytic silicon nitride which is boron

Номер патента: RU2168557C2. Автор: Артур Уиль м МУР,Артур Уильям Мур. Владелец: Адванст Керамикс Корпорейшн. Дата публикации: 2001-06-10.

Sol-gel method of producing silicon dioxide aerogels

Номер патента: RU2704219C2. Автор: Стефания ГРАНДИ,Пьеркарло МУСТАРЕЛЛИ,Андреа НУЛЛИ,Чезаре АКИЛЛИ. Владелец: Н.А.М. - Нано Анализис Энд Матириалз С.Р.Л.. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of treating joint in ceramic assembly

Номер патента: US09868276B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques,Khaled LAYOUNI,Yanxia Ann Lu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Endurance of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US09747987B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Kaveh Shakeri,Long T Hinh,Sarath Chandran Puthenthermadam. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Composition of coating to extend surface life of silicon carbide electric heaters

Номер патента: RU2049761C1. Автор: А.В. Иванов,Б.И. Поляк,к Б.И. Пол,В.А. Науменко,Н.П. Талакуев,В.Е. Сотников,А.Л. Юрков. Владелец: Юрков Андрей Львович. Дата публикации: 1995-12-10.

Powder mixture to be made into evaporation source material for use in ion plating, evaporation source material for use in ion plating and method of producing the same, and gas barrier sheet and method of producing the same

Номер патента: US20110163276A1. Автор: Yoshihiro Kishimoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of making boards from ceramic material

Номер патента: RU2469007C2. Автор: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Владелец: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Дата публикации: 2012-12-10.

SOLAR CELL BUILT AROUND p-TYPE HETEROSTRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON NITRIDE - SILICON

Номер патента: RU2568421C1. Автор: Родригес Веласкес Гуни,Василий Сергеевич Захвалинский,Евгений Александрович Пилюк,Дормидонт Архипович Шербан,Алексей Васильевич Симашкевич,Леонид Измайлович Брук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of determining concentration of electrically active donor impurity in surface layers of silicon by nondestructive method of ultra-soft x-ray emission spectroscopy

Номер патента: RU2709687C1. Автор: Эвелина Павловна Домашевская,Владимир Андреевич Терехов,Константин Александрович Барков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2019-12-19.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Strip for active substance delivery for oral care and methods of active substances delivery for oral care

Номер патента: RU2646502C2. Автор: Пол Альберт САГЕЛ,Цзеань Цзяньцюнь ЧЖАО,Лан Нгок НГУЕН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2018-03-05.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Method of preparing high-purity silicon powder from silicon perfluoride with simultaneous preparation of elementary fluorine, method of separating silicon from salt melt, silicon powder and elementary fluorine obtained by indicated method, and silicon tetrafluoride preparation process

Номер патента: RU2272785C1. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2006-03-27.

Grinding tool for processing fragile materials and method of its manufacturing

Номер патента: RU2594923C2. Автор: Стефан БЕРГ,Майкл ТОЛИН,Фредрик ВЕСТБЕРГ,Ида ЙОХАНССОН. Владелец: Слипнаксос Актиеболаг. Дата публикации: 2016-08-20.

Method of production of polycrystalline silicon

Номер патента: RU2278075C2. Автор: Александр В чеславович Елютин,Александр Вячеславович Елютин,Леонард Степанович Иванов,Владимир Григорьевич Левин,Денис Владимирович Назаркин,В чеслав Александрович Харченко,Вячеслав Александрович Харченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2006-06-20.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Method of producing porous glass

Номер патента: US20130045853A1. Автор: Yoshinori Kotani,Kenji Takashima,Zuyi Zhang. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of obtaining polycrystalline silicon

Номер патента: RU2674955C1. Автор: Владимир Васильевич Митин,Александр Аркадьевич Кох,Евгений Владимирович Оствальд,Ахсарбек Борисович Пинов. Владелец: Акционерное общество "Управляющая компания "АКЦЕНТ". Дата публикации: 2018-12-13.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Method of the chemical reprocessing of the ash-and-slag materials with production of silicon dioxide and aluminum oxide

Номер патента: RU2302375C2. Автор: Владимир Владимирович Жабо,Карл Ефимович Зегер,Эльмира Мироновна Тимошенко,Владимир Владимирович Ильюшин,Михаил Александрович Грайвер. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭКОНЭФ". Дата публикации: 2007-07-10.

Method of producing master batch of mixture of diene elastomer and silicon dioxide

Номер патента: RU2605253C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of silicon tetrafluoride production

Номер патента: RU2560377C2. Автор: Пунит ГУПТА,Сатиш БХУСАРАПУ. Владелец: Мемк Электроник Матириалз, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing high purity silicon powder from mixture of silicon dioxide and aluminium

Номер патента: RU2648436C2. Автор: Сергей Павлович Андреев,Николай Николаевич Лавров,Юрий Петрович Удалов,Борис Александрович Лавров,Галимжан Мендикараевич Сержанов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Предприятие "КЛИН". Дата публикации: 2018-03-26.

Method of obtaining aluminium-silicon alloys

Номер патента: RU2652905C1. Автор: Владимир Юрьевич Бажин,Владимир Леонидович Трушко,Сергей Анатольевич Савченков,Михаил Александрович Сутягинский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2018-05-03.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Back side anti-reflective coatings, coating formulations, and methods of coating ophthalmic lenses

Номер патента: EP3458252A1. Автор: Zohar Katzman,Benny NOV. Владелец: Shamir Optical Industry Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Oscillator and method of making for atomic force microscope and other applications

Номер патента: US20080128385A1. Автор: Frederick Sachs,Arthur Beyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Preparation method of sub-micron powder of high-entropy nitride via nitride thermal reduction with soft mechano-chemical assistance

Номер патента: US20240124365A1. Автор: XIANG Liu,Jiahao XU,Lutong Yang,Youjun LU,Chuyun WANG,Wuyang SONG. Владелец: NORTH MINZU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of etching optic elements

Номер патента: WO2003093886A3. Автор: Sureshchandra M Ojha. Владелец: Sureshchandra M Ojha. Дата публикации: 2004-02-26.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Method of obtaining masterbatch of synthetic diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2562283C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of producing zeolites and zeolite-like structures doped with metals, and methods for use thereof for catalytic reduction of nitrogen oxides

Номер патента: RU2595336C2. Автор: Даниель ХЕРАЙН,Фэй ВЭНЬ,Барри У. Л. САУТУОРД,Лисбет ЙОНГЕН,Александр ХОФМАНН. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-08-27.

Method of nepheline concentrate desiliconization and device for its implementation

Номер патента: RU2688083C1. Автор: Андрей Анатольевич Николаев,Анатолий Владимирович Николаев,Дмитрий Евгеньевич Кирпичев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-05-17.

Composite material (variants) and method or preparing thereof, method of treating fibrous semi-finished product (variants)

Номер патента: RU2176628C2. Автор: Сэй-Куин ЛАУ,Салаваторе Дж. КАЛАНДРА,Роджер В. ОНСОРГ. Владелец: Сент-Гобэн Индастриал Керамикс, Инк.. Дата публикации: 2001-12-10.

Method of producing highly pure trichlorosilane

Номер патента: RU2440293C1. Автор: Георгий Николаевич ПЕТРОВ,Пётр Равильевич Мироевский,Александр Кириллович Прохоров,Константин Владимирович Максимов. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ". Дата публикации: 2012-01-20.

Article from graphite with modified near-surface layer and method of modification of article surface, having base from graphite

Номер патента: RU2695423C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-07-23.

Method of making of ceramic filter member

Номер патента: RU2031891C1. Автор: Б.Р. Горобец,Д.Д. Покровский,А.В. Поляков,В.О. Павлюченков,М.Х. Левинская,Т.В. Симкина,О.И. Першикова. Владелец: Государственное малое научно-производственное предприятие "ВИАМ-41". Дата публикации: 1995-03-27.

Method of biological revegetation of technogenically disturbed lands

Номер патента: RU2512171C2. Автор: Владимир Александрович Котельников,Любовь Андреевна Иванова. Владелец: Любовь Андреевна Иванова. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of extracting metallic silicon from technical grade slag

Номер патента: RU2690877C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Антонина Игоревна Карлина,Ольга Ивановна Нохрина,Ирина Дмитриевна Рожихина,Илья Евгеньевич Ходосов,Артем Владимирович Проровский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный индустриальный университет", ФГБОУ ВО "СибГИУ". Дата публикации: 2019-06-06.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Fluid ejection head and manufacturing method of substrate for fluid ejection head

Номер патента: RU2373067C1. Автор: Хироюки АБО,Мицуру ТИДА,Тосиясу САКАИ,Нориясу ОЗАКИ,Казуя АБЕ,Кендзи ОНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-20.

Producing method of nanocrystalline silicon-replaced hydroxyapatite

Номер патента: RU2500840C1. Автор: Михаил Александрович Трубицын,Наталья Георгиевна Габрук,Ван Тхуан Ле,Ван Дат Доан. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-12-10.

Method of prevention of formation water breakthroughs to faces of gas, gas-condensate or gas hydrate wells

Номер патента: RU2728168C1. Автор: Виталий Вячеславович Сергеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Джиар Петролиум". Дата публикации: 2020-07-28.

Method of removing silicone oil residues from the vitreal cavity using a cannula

Номер патента: RU2741217C1. Автор: Александр Герасимович Югай,Константин Борисович Жихарев,Сергей Александрович Югай. Владелец: Сергей Александрович Югай. Дата публикации: 2021-01-22.

Micro-colloidal silicic acid/boric acid composition and method of preparing bioenhancing solution and powder

Номер патента: RU2555914C2. Автор: Хенк Мартен ЛАН,Вальтер Фердинанд ВИТТЕРЛАНД. Владелец: Барла Б.В.. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of making articles from ultra-fine grained silicon graphite

Номер патента: RU2699641C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2019-09-06.

Method of producing ethylene

Номер патента: RU2528829C1. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов,Алексей Викторович Кучеров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2014-09-20.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Method of reworking red mud of alumina production process

Номер патента: RU2245371C2. Автор: Е.А. Коршунов,С.П. Буркин,ков В.С. Треть,В.С. Третьяков,Ю.Н. Логинов,И.В. Логинова,Е.А. Андрюкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Фирма "Дата-Центр". Дата публикации: 2005-01-27.

Method of determining content of highly dispersed silicon dioxide in quartz glass based slurry

Номер патента: RU2694116C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Дмитрий Викторович Харитонов,Антонина Александровна Анашкина,Мария Сергеевна Моторнова. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2019-07-09.

Method of extracting nano-sized particles from technogenic wastes from flotation production

Номер патента: RU2692386C1. Автор: Виктор Викторович Кондратьев,Валерий Олегович Горовой,Александр Дмитриевич Колосов,Антон Александрович Клешнин,Валерий Николаевич Кижняев,Андрей Яковлевич Машович. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-06-24.

Fiber-optic sensor and method of its molding on analyzed object

Номер патента: RU2730436C1. Автор: Николай Леонидович Львов,Михаил Юрьевич Гавриков,Станислав Сергеевич Хабаров,Александр Александрович Барабанов,Александр Леонидович Бужилов,Александр Василович Тодоров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационный центр "Институт развития исследований, разработок и трансферта технологий". Дата публикации: 2020-08-24.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method of producing ultrafine silicon dioxide powder

Номер патента: RU2690830C1. Автор: Виталий Викторович Хрульков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ХИМТЭК". Дата публикации: 2019-06-05.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of Manufacturing Green Sheet

Номер патента: US20230416158A1. Автор: Yasuhiro Araki,Dai Kusano,Kunihiro Gotoh. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: EP4421148A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Surface-coated cutting tool and method of manufacturing the same

Номер патента: US09849517B2. Автор: Shinya Imamura,Hideaki Kanaoka,Anongsack Paseuth,Takanori Detani. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Binder modifier for making wood boards, compound and method of producing

Номер патента: RU2720306C1. Автор: Владислав Николаевич Бальский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТДН". Дата публикации: 2020-04-28.

Method of producing silicon dioxide coatings on surface of inorganic nanoparticles

Номер патента: RU2715531C2. Автор: Евгений Васильевич Юртов,Александра Анатольевна Серцова,Станислав Игоревич Маракулин,Денис Сергеевич Добровольский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И.Менделеева", РХТУ им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2020-02-28.

Fuel element for pressurised water reactors and method of making said fuel element

Номер патента: RU2481654C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Людмила Михайловна Иванова,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-05-10.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of production of high-silicate inorganic fibers from rock (versions), production line for realization of this method (versions), continuous and staple fibers (versions), inorganic fine-dispersed scaly particles (versions) obtained by this method

Номер патента: RU2233810C2. Автор: Виктор Фэдоровыч Кибол. Владелец: Виктор Фэдоровыч Кибол. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of making boron-silicon-containing nanoparticles

Номер патента: RU2460689C1. Автор: Умберто Орацио Джузеппе Мауджери,Вячеслав Иванович Беклемышев,Игорь Иванович Махонин,Ара Аршавирович Абрамян,Владимир Александрович Солодовников,Владимир Иванович Пустовой,Сергей Борисович Коровин,Алексей Геннадьевич Владимиров. Владелец: СИБ Лэборетрис Лимитед. Дата публикации: 2012-09-10.

Catalyst for dehydration of paraffin hydrocarbons and method of its application

Номер патента: RU2432203C1. Автор: Юрий Петрович Баженов,Лилия Зайнулловна Касьянова,Юрий Виталиевич Морозов,Рашит Шайхуллович Салахов,Николай Петрович Гришанин,Елена Владимировна Алексеева. Владелец: Открытое акционерное общество "Синтез-Каучук". Дата публикации: 2011-10-27.

Method of producing nanopowders of porous silicon

Номер патента: RU2722098C1. Автор: Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин,Владимир Михайлович Кашкаров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2020-05-26.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2736814C1. Автор: Наталья Владимировна Андреева,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-11-20.

Method of coating surface of inorganic particles with silicon dioxide and at least one additional inorganic compound (embodiments)

Номер патента: RU2695199C2. Автор: Хайко ФРАМ,Зигфрид БЛЮМЕЛЬ,Норберт БЕЙЕР,Юд-Рейнаульд ФИДАЛЬГО-ЭСТЕВЕС. Владелец: Кронос Интернациональ, Инк.. Дата публикации: 2019-07-22.

Silicon oxide-containing composition

Номер патента: RU2516846C2. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН. Владелец: Бим Кеми Аб. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of processing article containing plastic material, coated with silicon material

Номер патента: RU2433148C2. Автор: Жерар МИНЬЯНИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Method of manufacturing mechanical and micromechanical parts

Номер патента: US20090011373A1. Автор: Yvan Gonin,Vittorio Emilio Marsico. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-01-08.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Composition of mixed oxides and method of producing isoolefins

Номер патента: RU2596822C2. Автор: Маркус ВИНТЕРБЕРГ,Томас КВАНДТ,Кристиан БЕИНГ,Дитрих МАШМАЙЕР,Асли НАУ,Хорст-Вернер ЦАНТХОФФ,Кристиан ШУЛЬЦЕ ИСФОРТ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of producing aluminium oxide-based supports for catalysts of oil refining processes

Номер патента: RU2766506C1. Автор: Наталья Константиновна Кондрашева,Ростислав Робертович Коноплин,Людмила Валентиновна Парфенова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский горный университет». Дата публикации: 2022-03-15.

Method of preparing silanes

Номер патента: RU2152902C2. Автор: В.М. Воротынцев. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ХОРСТ". Дата публикации: 2000-07-20.

Method of application of high-strength and wear- resistant coatings to articles made of refractory metals and their alloys

Номер патента: RU2156320C1. Автор: А.В. Омельченко,В.И. Фролов,Ю.И. Пономарев,С.Ф. Маринин,В.И. Пыльников. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Композит". Дата публикации: 2000-09-20.

Method of improving erosion resistance of compressor blades of gas-turbine engine made of titanium alloys

Номер патента: RU2552201C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Михаил Юрьевич Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2015-06-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: SG168426A1. Автор: HSU Chien-En,Kao Chin-Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-02-28.

Method of obtaining composite powders based on alpha-phase of silicon nitride by shs method

Номер патента: RU2556931C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-20.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making breast exo-prosthesis, breast exo-prosthesis and use of breast exo-prosthesis for replacement of thoracic tissue deficiency in postoperative period and for simulation thereof

Номер патента: RU2589636C1. Автор: Петр Иванович Махонин,Владимир Валентинович Холин,Нина Васильевна Максименко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Реутовский экспериментальный завод средств протезирования" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of recycling waste gases, formed in process of obtaining pyrogenic silicon dioxide by high-temperature hydrolysis of silicon chlorides

Номер патента: RU2468993C1. Автор: Тимур Халидович Нагаев,Владимир Ильич Муклиев,Сергей Евгеньевич Овчинников,Ильдар Афлятунович Каримов,Наталья Игнатьевна Красилова. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российский научно-исследовательский и проектный институт титана и магния" (ОАО "РИТМ"). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of obtaining high purity silicon

Номер патента: RU2497753C1. Автор: Борис Георгиевич Грибов,Олег Николаевич Калашник,Константин Владимирович Зиновьев,Валерий Николаевич Суханов,Альбина Федоровна Щелокова,Лидия Николаевна Шевякова,Максут Сафиулович Минаждинов. Владелец: Борис Георгиевич Грибов. Дата публикации: 2013-11-10.

Method of obtaining finely dispersive polycrystalline silicon carbide

Номер патента: RU2516547C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Ольга Владимировна Зырянова,Дмитрий Викторович Шмидт,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-05-20.

Powder composite apk-1pk and method of its production

Номер патента: RU2533512C2. Автор: Ефим Леонидович Межирицкий,Марина Ильинична Ведерникова,Игорь Владимирович Мышляев,Александра Юрьевна Светикова,Виктор Дмитриевич Юферев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2014-11-20.

METHOD OF PREPARING NEGATIVE SELECTIVE ETCHING AGENT FOR RESISTANT LAYERS OF CHALCOGENIDE As2S3 GLASS

Номер патента: RU2165902C1. Автор: Юрий Александрович Бородин,Вячеслав Васильевич Петров,Петр Евгеньевич Шепелявый,Сергей Александрович Костюкевич,Евгений Федорович Венгер,Юрий Геннадиевич Гольцов,Андрей Андреевич Крючин. Владелец: Институт физики полупроводников Национальной Академии наук Украины. Дата публикации: 2001-04-27.

Based on the silicon nitride film/silicon micro-nano processing method of friction induction selective etch

Номер патента: CN103803484B. Автор: 王晓东,郭剑,钱林茂,余丙军,宋晨飞. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2016-02-03.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing sandwiched coating for cutting tool

Номер патента: RU2494171C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов,Александр Александрович Романов,Дмитрий Васильевич Горностаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of determining angular orientation of object

Номер патента: RU2248004C2. Автор: В.В. Савельев,М.Б. Богданов,А.В. Прохорцов,В.В. Блинов,Б.В. Сухинин,В.В. Блинов (RU),М.Б. Богданов (RU),А.В. Прохорцов (RU),В.В. Савельев (RU),Б.В. Сухинин (RU). Владелец: Тульский государственный университет (ТулГУ). Дата публикации: 2005-03-10.

Method of determination of relative phase permeabilities

Номер патента: RU2097740C1. Автор: Н.И. Хисамутдинов,А.Г. Телин,А.Р. Латыпов,М.М. Хасанов,С.А. Кондаратцев,Н.Т. Карачурин. Владелец: Внедренческий научно-исследовательский инженерный центр "Нефтегазтехнология". Дата публикации: 1997-11-27.

Method of raising quality and operational reliability of gas turbine engine blades made of refractory nickel alloys

Номер патента: RU2184178C2. Автор: В.П. Кузнецов,А.А. Иноземцев,А.С. Коряковцев,В.К. Сычев,В.П. Лесников. Владелец: ООО "Турбомет". Дата публикации: 2002-06-27.

Method of producing a composition for corrosion inhibition

Номер патента: PH22020050298U1. Автор: Fierro Josef Yeoj M Del,Jewel M Tandoc,Naomi Gabrielle M Valenciano. Владелец: Philippine Science High School Ilocos Region Campus Pshs Irc. Дата публикации: 2021-07-16.

Method of manufacture of diamond-like layers,especiallyon the surface of articles made of glass,quartz,semiconductor or metal

Номер патента: PL135759B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1985-12-31.

Method of heat treating surfaces of workpieces in particular those of tools made of high-speed steel

Номер патента: PL157728B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1992-06-30.

Method of preserving and rendering sharp and even the edges of implements made of magnetizable material

Номер патента: CA79549A. Автор: Oscar Newhouse. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-03-10.

Method of jointing together and/or mending conveyors belts, in particular those made of polyvinyl chloride, and hydraulic press therefor

Номер патента: PL291997A1. Автор: Marian Małachowski,Jan Mrowiec. Владелец: Miechowice Kopalnia Wegla Kami. Дата публикации: 1993-04-19.

Method of parting into individual members multimember tight walls in particular those made of larsen piles

Номер патента: PL136041B1. Автор: Jan Zarzedzi,Edward Gasiorek,Kazimierz Pierog. Владелец: Przed Budownictwa Wodno Inzyni. Дата публикации: 1986-01-31.

Method of sealing and plug for branch pipes for testing valving members

Номер патента: RU2310822C2. Автор: Петр Тихонович Харитонов. Владелец: Петр Тихонович Харитонов. Дата публикации: 2007-11-20.

Needle-punched fabric and method of its production

Номер патента: RU2365687C1. Автор: Александр Николаевич Белявцев,Дмитрий Исакович Файнер. Владелец: Дмитрий Исакович Файнер. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for metallisation of products made of concrete

Номер патента: RU2553707C1. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Валерий Станиславович Лесовик,Надежда Ивановна Бондаренко,Лилия Олеговна Линник,Иван Николаевич Борисов,Ирина Ивановна Морозова,Диана Олеговна Бондаренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2015-06-20.

Method for application of zirconium oxide coating on surface of article made of nickel alloy

Номер патента: RU2581546C2. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Владимир Викторович Черниченко,Максим Сергеевич Филатов,Олег Владимирович Стогней,Валерий Евгеньевич Бурыкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of coarse thread hardening

Номер патента: RU2355552C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Дмитрий Евгеньевич Тарасов,Владимир Ильич Сотников,Юрий Валерьевич Василенко,Дмитрий Львович Соловьев,Алексей Иванович Тиняков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2009-05-20.

Manufacturing method of academic peaked cap with flexible band

Номер патента: RU2371064C1. Автор: Ирина Юрьевна Кузнецова,Лёма Абдулхажиевич Бекмурзаев,Елена Владимировна Назаренко,Тамерлан Лемаевич Бекмурзаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2009-10-27.

Catalytic element for conversion of ammonia and method of catalytic conversion of ammonia

Номер патента: RU2186724C1. Автор: М.Г. Макаренко,В.В. Сотников,А.А. Кирчанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Катализатор". Дата публикации: 2002-08-10.

Method of strengthening surface of upper part of turbine blade feather

Номер патента: RU2297538C2. Автор: Владимир Владимирович Ермолаев,Александр Ильич Шкляр,Андрей Львович Максимов,Михаил Владимирович Великович,р Александр Ильич Шкл. Владелец: Открытое акционерное общество "Теплоэнергосервис". Дата публикации: 2007-04-20.

Rubber composition and based on it goods and their method of production

Номер патента: RU2358627C2. Автор: Надежда Афанасьевна Романюк,Валерий Викторович Иванов,Людмила Кузьминична Родионова,Евгений Михайлович Дистрянов,Юрий Иванович Пылев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт резиновых и латексных изделий" (ОАО "НИИР"). Дата публикации: 2009-06-20.

Temperature-resistant nickel alloy for receiving of products by method of granules metallurgy

Номер патента: RU2359053C1. Автор: Олег Хикметович Фаткуллин,Алексей Сергеевич Фурашов,Виктор Иванович Миронов,Сергей Александрович Кононов,Виктор Николаевич Каринский,Алексей Сергеевич Перевозов,Артур Керопович Давыдов,Виктор Константинович Казённов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ступинская металлургическая компания". Дата публикации: 2009-06-20.

Electric vehicle pantograph slip ring and method of its fabrication

Номер патента: RU2510339C1. Автор: Иосиф Сергеевич Гершман,Евгений Иосифович Гершман,Михаил Артурович Мельник. Владелец: Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский новый университет" (НОУ ВПО "РосНОУ"). Дата публикации: 2014-03-27.

Colloidal solution for nanoparticles of metal, metal-polymer nano-composites and method of production of such composites

Номер патента: RU2259871C2. Автор: Му Санг ЛИ,Санг Ил НАМ,Эун Сун МИН,Сеунг Бин КИМ,Хюн Сук СИН. Владелец: ЛИ Му-Санг. Дата публикации: 2005-09-10.

Method of producing sandwiched coating for cutting tool

Номер патента: RU2503743C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов,Александр Александрович Романов,Дмитрий Васильевич Горностаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-01-10.

Method of producing sandwiched coating for cutting tool

Номер патента: RU2566222C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов,Дамир Ильдарович Сагитов,Юрий Георгиевич Кривов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of obtaining wear-resistant coating for cutting tool

Номер патента: RU2640693C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Михаил Вячеславович Полозов,Гузель Ренатовна Мидарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-11.

Method of heat insulating and water proofing of shaped article

Номер патента: RU2274799C2. Автор: Коста Энтони. Владелец: Закрытое акционерное общество "МосФлоулайн". Дата публикации: 2006-04-20.

Method of making shells of sheet blanks

Номер патента: RU2045363C1. Автор: А.А. Круглов,О.А. Руденко. Владелец: ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ СВЕРХПЛАСТИЧНОСТИ МЕТАЛЛОВ РАН. Дата публикации: 1995-10-10.

Method of producing sandwiched coating for cutting tool

Номер патента: RU2495956C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Станислав Николаевич Власов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-10-20.

Method of manufacturing body protectors

Номер патента: CA1236807A. Автор: Per Tranberg. Владелец: Volcano International Medical AB. Дата публикации: 1988-05-17.

Method of electrolytic milling of connecting windows of internal channels in parts made of aluminum and its alloys

Номер патента: SU110679A1. Автор: Я.М. Ямпольский. Владелец: Я.М. Ямпольский. Дата публикации: 1957-11-30.

Method of manufacture of diamond-like layers,especiallyon the surface of articles made of glass,quartz,semiconductor or metal

Номер патента: PL246411A2. Автор: Zdzislaw Has,Bogdan Wendler,Stanislaw Miktura. Владелец: POLITECHNIKA LÓDZKA. Дата публикации: 1985-01-02.

Method of producing a composition for corrosion inhibition

Номер патента: PH22020050298Y1. Автор: Fierro Josef Yeoj M Del,Jewel M Tandoc,Naomi Gabrielle M Valenciano. Владелец: Philippine Science High School Ilocos Region Campus Pshs Irc. Дата публикации: 2021-07-16.

METHOD OF PRODUCING A 3D TEXTILE STRUCTURE AND SEMI-FINISHED FIBER PRODUCT MADE OF FIBER COMPOSITES

Номер патента: US20120301695A1. Автор: SCHMIDT TOBIAS,PUTZ THOMAS,GOJNY FLORIAN H.,GOMMEL HEIDE. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of heat resistance testing of rod specimens with round cross-section made of refractory

Номер патента: SU1285351A1. Автор: Богдан Дмитриевич Сторож. Владелец: Ивано-Франковский Институт Нефти И Газа. Дата публикации: 1987-01-23.

The method of applying safety and decorative covers on the surface of products made of aluminum or its alloys

Номер патента: SU7378A1. Автор: Пач А.. Владелец: Пач А.. Дата публикации: 1928-12-31.

The method of obtaining chemically resistant coatings on fabrics and other porous products made of fibrous materials while maintaining the air permeability of the products

Номер патента: SU89104A1. Автор: И.М. Найман,П.Г. Хабаров,Д.Н. Васкевич,С.С. Гурвиц. Владелец: С.С. Гурвиц. Дата публикации: 1950-11-30.

Method of processing composite material containing recycled short carbon fibers and articles made of the composite material wherein the recycled short carbon fibers are used as a reinforcement material

Номер патента: TW202216825A. Автор: 江家成,黃柏瑜,莊金龍,莊蕙珠,黃慶銘. Владелец: 得裕盛業股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-01.

Method of producing rare-earth metal-based diffusion currentless coating on component made of nickel or nickel alloy

Номер патента: RU2547585C1. Автор: Сергей Вадимович Жуковин,Андрей Николаевич Бушуев,Ольга Владимировна Чернова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВЯТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО "ВятГУ"). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing active oxide coatings on metallic electrodes in particular those made of titanium

Номер патента: PL134805B1. Автор: Jerzy Paprotny,Ginter Nawrat,Adam Korczynski,Andrzej Malachowski,Maria Gawlik,Rafal Bzik,Ewa Luszczynska. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1985-09-30.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining charge material for synthesis of silicon nitride

Номер патента: RU2465197C2. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Владимир Анатольевич Полюшко,Александр Николаевич Ищенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное общество "МИПОР". Дата публикации: 2012-10-27.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2096865C1. Автор: Владимир Анатольевич Хаустов. Владелец: Владимир Анатольевич Хаустов. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of obtaining of cubic silicon nitride

Номер патента: RU2331578C2. Автор: Александр Васильевич Уткин,Владимир Евгеньевич ФОРТОВ,Анатолий Николаевич Дремин,Виктор Филиппович Таций,Андрей Николаевич Жуков,Александр Викторович Ананьин,Александра Иринеевна Рогачева. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of composite cantilever production for scanning probe microscope

Номер патента: RU2340963C2. Автор: Андрей Борисович Шубин,Ольга Вениаминовна Сафронова,Антон Леонидович Рабухин,Азат Р шидович Ибрагимов,Азат Ряшидович Ибрагимов. Владелец: Зао "Нт-Мдт". Дата публикации: 2008-12-10.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of producing silicon

Номер патента: RU2345949C2. Автор: Юрий Дмитриевич Калашников,Евгений Васильевич Макаров,Виктор Васильевич Макаров. Владелец: Виктор Васильевич Макаров. Дата публикации: 2009-02-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining absorbed dose of ionising ultraviolet or beta-radiation in aluminium nitride monocrystal based detector

Номер патента: RU2517773C1. Автор: Александр Сергеевич Вохминцев,Илья Александрович Вайнштейн,Дмитрий Михайлович Спиридонов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-05-27.

Nanostructured ceramic matrix composite material and method of producing said material

Номер патента: RU2415109C1. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2011-03-27.

Method of making silicon-on-insulator structures

Номер патента: RU2382437C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Ида Евгеньевна Тысченко,Нина Владимировна Дудченко. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-02-20.

Method of application of protective coats on articles made from carbon graphite materials (versions)

Номер патента: RU2320614C2. Автор: Михаил Михайлович Миронов,Андрей Юрьевич Кривошеев,Андрей Владимирович Буржинский. Владелец: Андрей Юрьевич Кривошеев. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of engine fuels production

Номер патента: RU2252242C1. Автор: В.К. Смирнов,В.Б. Мельников,В.И. Вершинин,ров М.Х. Ишми,М.Х. Ишмияров,Х.Х. Рахимов,О.В. Барсуков,К.Н. Ирисова,В.А. Патрикеев,нчиков И.И. Лукъ,И.И. Лукъянчиков,М.И. Бабаев,А.Е. Макаров. Владелец: ООО "Компания Катахим". Дата публикации: 2005-05-20.

Method of preparation of means of fire fighting and sorption of oil products

Номер патента: RU2471527C2. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Марина Владимировна Акулова,Ольга Владимировна Потемкина,Игорь Александрович Малый,Наталья Шамильевна Лебедева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский институт Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий". Дата публикации: 2013-01-10.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FLUORESCENT IMAGING WITH BACKGROUND SURGICAL IMAGE COMPOSED OF SELECTIVE ILLUMINATION SPECTRA

Номер патента: US20120004557A1. Автор: McDowall Ian,Hasser Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanocrystalline silicon-substituted hydroxylapatite

Номер патента: RU2489534C1. Автор: Николай Захарович Ляхов,Марина Васильевна Чайкина,Наталья Васильевна Булина,Людмила Петровна Науменко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХТТМ СО РАН). Дата публикации: 2013-08-10.

Catalyst and method of deep cleaning of gas mixes from carbon sulphide in its presence

Номер патента: RU2414298C2. Автор: Марк Вениаминович Цодиков,Владимир Валентинович Смирнов,Ольга Владимировна Бухтенко,Татьяна Николаевна Жданова,Людмила Александровна Тюрина,Борис Петрович Золотовский,Сергей Сергеевич Курдюмов,Галина Федоровна Иванова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2011-03-20.

Method of micro-profiling of silicon structures

Номер патента: RU2559336C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Сергей Геннадьевич Миронов,Алексей Сергеевич Тимошенков,Михаил Ольгердович Рапидов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ). Дата публикации: 2015-08-10.

Method of producing sealed articles from heat resistant composites

Номер патента: RU2552545C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of carbothermal synthesis of disperse silicin carbide powders

Номер патента: RU2537616C1. Автор: Всеволод Николаевич Анфилогов,Алексей Сергеевич Лебедев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт минералогии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of processing kyanite concentrate

Номер патента: RU2489503C1. Автор: Николай Никитович Гришин,Алла Геннадьевна Иванова,Ольга Александровна Белогурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2013-08-10.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of aluminum oxide production

Номер патента: RU2254295C2. Автор: В.С. Смирнов,В.Г. Тесл,В.Г. Тесля,Г.З. Насыров,А.И. Киселев,Николай Анатольевич Иванушкин,Владимир Владимирович Жмурков. Владелец: Открытое акционерное общество "ВСЕРОССИЙСКИЙ АЛЮМИНИЕВО-МАГНИЕВЫЙ ИНСТИТУТ" ОАО "ВАМИ". Дата публикации: 2005-06-20.

Method of making absorbent coating

Номер патента: RU2503103C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Андрей Сергеевич Корпухин,Вадим Петрович Лаврищев,Олег Юрьевич Казанцев,Ольга Анатольевна Дюкарева. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-12-27.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Catalyst for oxidative dehydrogenation of methanol to formaldehyde and a method of its producing

Номер патента: RU2102140C1. Автор: Г.А. Браницкий,А.Н. Дудичев,В.Н. Макатун,В.Г. Потапов,С.В. Матвейчук,Е.Ю. Батян. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Акрон". Дата публикации: 1998-01-20.

Complex calcium metasilicate of europium and yttrium, red luminescent material based thereon for ultraviolet light-emitting diodes and method of producing said material

Номер патента: RU2470982C2. Автор: Александр Петрович Тютюнник,Владимир Георгиевич Зубков,Людмила Львовна Сурат,Иван Ильич Леонидов,Марина Александровна Мелкозерова. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of applying silicon nitride-based coating on glass, in particular, quartz, surface

Номер патента: RU2121985C1. Автор: И.С. Епифановский,ев А.В. Шир,А.В. Ширяев,В.Т. Заболотный,В.О. Вальднер,Е.Е. Старостин,С.А. Терешин,Е.В. Бовбель,С.Д. Рудник. Владелец: Научно-производственное объединение машиностроения. Дата публикации: 1998-11-20.

Mono- or disilicon-substituted tricyclononene, additive poly(mono- or disilicon-substituted tricyclononene) and method of separation of gas mixtures by means of based on it membranes

Номер патента: RU2410397C1. Автор: Евгений Шмерович Финкельштейн,Максим Владимирович Бермешев,Юрий Павлович Ямпольский,Людмила Эриковна Старанникова,Мария Леонидовна Грингольц. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2011-01-27.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Preparation method of liquid high-active waste for vitrification

Номер патента: RU2432630C2. Автор: Эдуард Михайлович Глаговский,Павел Петрович Полуэктов,Станислав Иванович Свиридов,Георг Борисович Борисов,Юрий Юрьевич Волчок,Татьяна Владимировна Смелова,Раввин Хилавович Фатхудинов. Владелец: Открытое акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2011-10-27.

Microprofile of structure of vacuum integral microwave circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2404481C1. Автор: Виталий Яковлевич Подвигалкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2010-11-20.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of hot repair of lining or manufacture of refractory products and powder mix

Номер патента: RU2040512C1. Автор: Филип Моттэ Леон,Микаэль Звосек Шарль,Д.Шерико Стефан,Зивковик Александр,Ван Марк Де Лиммен Ги,Моро Жан,Робин Пьер. Владелец: Фосбел Интернэшнл, Лтд.. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of zeolite, type mordenite

Номер патента: RU2160228C1. Автор: У.М. Джемилев,М.Л. Павлов,Б.И. Кутепов,Р.А. Махаматханов. Владелец: Институт нефтехимии и катализа АН РБ и УНЦ РАН. Дата публикации: 2000-12-10.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cover of antenna dome out of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: RU2453520C1. Автор: Ирина Юрьевна Келина,Каюм Билялович Шамшетдинов,Ираида Николаевна Курская,Валентина Николаевна Рудыкина,Анатолий Степанович Шаталин,Виктор Юрьевич Шеянов,Александр Иванович Ганичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of producing multi-layer coat for cutting tool

Номер патента: RU2410465C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Дамир Ильдарович Сагитов,Максим Юрьевич Смирнов,Алексей Валерьевич Циркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2011-01-27.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining ultradisperse silicon nitride powder

Номер патента: RU2541058C1. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Александр Юрьевич Бирюков,Владимир Анатольевич Полюшко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of fabricating multilayer coating for cutting tools

Номер патента: RU2293794C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Александр Николаевич Тулисов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-02-20.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494042C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of siliconizing large-size articles and a retort of a device for its implementation with seams of low permeability

Номер патента: RU2705185C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of producing polycrystalline silicon

Номер патента: RU2475451C1. Автор: Пётр Михайлович Гаврилов,Александр Петрович Прочанкин,Степан Александрович Муравицкий,Ахсарбек Борисович Пинов,Михаил Викторович Болгов,Тимур Рафкатович Тимербулатов,Олег Георгиевич Войнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОНТИНЕНТ ЭНЕРДЖИ". Дата публикации: 2013-02-20.

Method of production of hydrosols of silicon and humic asids from alkaline solutions of their salts by ionic exchange intensified by electrolysis

Номер патента: RU2250801C1. Автор: А.Д. Неклюдов,А.И. Поздняков,ков А.И. Поздн,Г.Н. Федотов. Владелец: Московский государственный университет леса. Дата публикации: 2005-04-27.

Device and method of obtaining highly-dispersive silicon dioxide

Номер патента: RU2435732C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Андрей Александрович Кочурков,Александр Николаевич Поливанов,Владимир Васильевич Вавилов,Рита Андреевна Грачева,Акиф Абдуллович Гезалов,Борис Семенович Кругляков,Максим Николаевич Герасимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганческих соединений" (ФГУ ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of smelting ferrosilicomanganese

Номер патента: RU2190683C1. Автор: Д.В. Захаров,В.Г. Мизин,В.В. Харлан,А.Ю. Зарапин,В.Г. Хайбуллин,С.В. Перекатов. Владелец: Открытое акционерное общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2002-10-10.

Method of creating through micro channels with diameters of micron and submicron sizes in silicon crystal with help of laser pulses

Номер патента: RU2592732C1. Автор: Андрей Владимирович Овчинников,Михаил Борисович Агранат,Сергей Игоревич Ашитков,Сергей Андреевич Ромашевский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-07-27.

Method of separation of silicon powder fluoride salts of alkaline metals and plant for realization of this method

Номер патента: RU2321538C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2008-04-10.

Method of producing polycrystalline silicon ingots

Номер патента: RU2465201C1. Автор: Сергей Михайлович Карабанов,Виктор Игоревич Ясевич,Валерий Леонидович Джхунян,Хосино Масахиро. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГИЯ". Дата публикации: 2012-10-27.

Preparation method of microcrystalline aluminium-silicone alloy combination

Номер патента: RU2448180C2. Автор: Владимир Иванович Никитин,Иван Юрьевич Тимошкин,Константин Владимирович Никитин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2012-04-20.

Method of producing super-thin silicon films on sapphire

Номер патента: RU2427941C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of product manufacture containing silicon substrate with film from carbide of silicon on its surface

Номер патента: RU2352019C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл". Дата публикации: 2009-04-10.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of low-carbon steel processing in ladle

Номер патента: RU2465341C2. Автор: Юрий Федорович Суханов,Юрий Николаевич Долгих. Владелец: Открытое акционерное общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of producing articles from carbon-silicon-carbide composite (cscc)

Номер патента: RU2561096C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD OF SELF-ORGANISING ENDOTAXY OF MONO 3C-SiC ON Si SUBSTRATE

Номер патента: RU2370851C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of producing high-purity silicon pellets

Номер патента: RU2477684C1. Автор: Борис Георгиевич Грибов,Олег Николаевич Калашник,Константин Владимирович Зиновьев,Валерий Николаевич Суханов. Владелец: Борис Георгиевич Грибов. Дата публикации: 2013-03-20.

Method of processing silicon-containing wastes using flame hydrolysis and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2440928C2. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Андрей Александрович Кочурков,Александр Николаевич Поливанов,Владимир Васильевич Вавилов,Акиф Абдуллович Гезалов,Борис Семенович Кругляков,Александр Николаевич Супоненко,Владимир Всеволодович Чиннов. Владелец: ООО "Русский кремний". Дата публикации: 2012-01-27.

Method of connecting ceramic units from silicon nitride

Номер патента: RU2365564C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Юрьевна Келина,Тамара Федоровна Баранова,Ираида Николаевна Курская,Владимир Васильевич Викулин (RU),Игорь Леонидович Шкарупа (RU),Тамара Федоровна Баранова (RU),Ирина Юрьевна Келина (RU),Ираида Николаевна Курская (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-08-27.

Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer

Номер патента: RU2403647C1. Автор: Ильдар Искандерович Амиров,Владимир Александрович Кальнов,Александр Александрович Орликовский,Александр Владимирович Постников,Камиль Ахметович Валиев,Олег Валентинович Морозов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of making thin-walled articles from composite material based on carbon-ceramic matrix with gradient thickness properties

Номер патента: RU2593508C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of measuring fluence of slow neutrons using monocrystalline silicon

Номер патента: RU2472181C1. Автор: Валерий Александрович Варлачев,Евгений Семенович Солодовников,Евгений Геннадьевич Емец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-01-10.

Method of producing triethoxysilane

Номер патента: RU2476435C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Евгений Алексеевич Монин,Ирина Александровна Быкова,Сергей Леонардович Русаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2013-02-27.

Method of aluminium-silicon alloy obtainment

Номер патента: RU2391421C1. Автор: Александр Александрович Кузнецов,Михаил Дмитриевич Николаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "Байкальский алюминий" (ООО Тд "Байкальский алюминий"). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of power generation

Номер патента: RU2291349C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2007-01-10.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of purifying metallurgical silicon with wet alternating current plasma in vacuum

Номер патента: RU2465202C2. Автор: Сергей Михайлович Карабанов,Виктор Игоревич Ясевич,Валерий Леонидович Джхунян. Владелец: Общество c ограниченной ответственностью "Энергия". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of hardening dislocation-free silicon plates

Номер патента: RU2344210C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Владимир Яковлевич Резник,Михаил Григорьевич Мильвидский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2009-01-20.

Method of producing chlorosilanes, method of chlorinating silicon dioxide-containing material and method of converting tetrachlorosilane to trichlorosilane

Номер патента: RU2373147C1. Автор: Александр Владимирович Щепелев. Владелец: Александр Владимирович Щепелев. Дата публикации: 2009-11-20.

Silicon dioxide synthesis reactor and method of producing silicon dioxide through flame hydrolysis

Номер патента: RU2378194C2. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Андрей Александрович Кочурков,Александр Николаевич Поливанов,Владимир Васильевич Вавилов,Гаяр Исхакович Судьяров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2010-01-10.

Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method

Номер патента: RU2156220C1. Автор: В.А. Карелин,А.И. Карелин,Д.А. Трубин,А.Г. Чернышев. Владелец: Чернышев Александр Георгиевич. Дата публикации: 2000-09-20.

Method of obtaining nanocrystalline silicon

Номер патента: RU2471709C1. Автор: Сергей Вячеславович Савилов,Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов. Владелец: Леонид Александрович Асланов. Дата публикации: 2013-01-10.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of manufacturing deep profiled silicon structures

Номер патента: RU2572288C1. Автор: Сергей Алексеевич Козин,Валерий Евгеньевич Пауткин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2016-01-10.

Method of production of regular systems of nano-size silicon whiskers

Номер патента: RU2336224C1. Автор: Валерий Александрович Небольсин,Анатолий Антонович Щетинин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-10-20.

Method of production of fluorescent labels based on biodegradable nanoparticles of silicon for use in vivo

Номер патента: RU2491227C1. Автор: Анатолий Александрович Ищенко,Анатолий Александрович Ольхов,Виктор Николаевич Баграташвили,Николай Николаевич Кононов,Сергей Геннадиевич Дорофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ имени М.В. Ломоносова). Дата публикации: 2013-08-27.

Method of making silicon crystals

Номер патента: RU2473719C1. Автор: Александр Федотович Яремчук,Евгений Борисович Соколов,Борис Николаевич Рыгалин,Виолетта Константиновна Прокофьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of purifying powdered silicon (versions)

Номер патента: RU2388691C2. Автор: Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,Александр Калистратович Лесников,Петр Александрович Лесников. Владелец: Дмитрий Семенович Стребков. Дата публикации: 2010-05-10.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

TAIL THE MOTION METHOD OF GENERATING SIMULATED STROBE MOTION VIDEOS AND PICTURES USING IMAGE CLONING

Номер патента: US20120002112A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-COBRA TOXIN ANTIBODY FRAGMENTS AND METHOD OF PRODUCING A VHH LIBRARY

Номер патента: US20120003245A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of cast oxide material and material produced by this method

Номер патента: RU2270878C1. Автор: Александр Григорьевич Мержанов,Владимир Исаакович Юхвид,Юрий Сергеевич Елисеев,Валерий Александрович Поклад,Ольга Геннадьевна Оспенникова,Владимир Алексеевич Горшков,Владимир Васильевич Деев. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской Академии наук. Дата публикации: 2006-02-27.

Method of producing silicon from silicon oxide

Номер патента: RU2562717C1. Автор: Ашот Александрович Навасардян. Владелец: Ашот Александрович Навасардян. Дата публикации: 2015-09-10.

Modification method of aluminium and aluminium-silicone alloys (silumins) by carbon

Номер патента: RU2538850C2. Автор: Владимир Анатольевич Изотов,Юлия Валентиновна Чибирнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П.А. Соловьева". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing silicon carbide nanofibre

Номер патента: RU2393112C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Анатольевич Ермаков,Алексей Вячеславович Антипов,Елизавета Петровна Симоненко,Роман Георгиевич Павелко. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-06-27.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of removing oxide from silicon plate surface

Номер патента: RU2534444C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of producing monosilane

Номер патента: RU2466089C1. Автор: Владимир Александрович Ольшанский. Владелец: Владимир Александрович Ольшанский. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of clinical estimation of accuracy of non-detachable dental prostheses manufacturing

Номер патента: RU2491033C1. Автор: Игорь Константинович Батрак,Танка Ибрагимович Ибрагимов,Ирина Яковлевна Аристова,Султанет Джалалутдиновна Атаева,Дмитрий Валентинович Басков,Олег Евгеньевич Кузнецов,Марина Сергеевна Новичкова,Нина Амурхановна Цаликова. Владелец: Нина Амурхановна Цаликова. Дата публикации: 2013-08-27.

METHOD OF MAKING SILICON DIOXIDE (SiO2) FILM

Номер патента: RU2372688C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-11-10.

Method of producing ceramic composite article

Номер патента: RU2412134C1. Автор: Вячеслав Геннадьевич Максимов,Владимир Георгиевич Бабашов,Юрий Александрович Ивахненко,Борис Владимирович Щетанов,Андрей Викторович Юдин,Елена Викторовна Тинякова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2011-02-20.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of production of ultrahard polycrystalline material

Номер патента: RU2329947C1. Автор: Николай Николаевич Кузин,Владислав Николаевич Слесарев. Владелец: Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук (ИФВД РАН). Дата публикации: 2008-07-27.

Method of receiving of hollow ingots by method of electroslag remelting

Номер патента: RU2363743C2. Автор: Валерий Николаевич Половинкин,Владимир Александрович Демидов,Наталья Петровна Павлова. Владелец: ОАО "Златоустовский металлургический завод". Дата публикации: 2009-08-10.

Method of silicon tetrafluoride extraction from gas mix and aggregate for implementation of method

Номер патента: RU2348581C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров,Тимофей Заурбиевич Кушхабиев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2009-03-10.

Method of identifying nanodispersed silicon dioxide particles in whole blood

Номер патента: RU2528902C1. Автор: Василий Николаевич Звездин,Нина Владимировна Зайцева,Марина Александровна Землянова,Анастасия Витальевна Кислицина. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения"). Дата публикации: 2014-09-20.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Method of production of aluminium-silicon alloy in electrolytic cell for production of aluminium

Номер патента: RU2383662C2. Автор: Борис Петрович Куликов,Александр Александрович Кузнецов,Михаил Дмитриевич Николаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "Байкальский алюминий" (ООО Тд "Байкальский алюминий"). Дата публикации: 2010-03-10.

Method of preparing siliceous solutions for recycling

Номер патента: RU2497758C2. Автор: Валерий Владимирович Лазарчук,Александр Сергеевич Рябов,Виктор Иванович Шамин,Андрей Иванович Сильченко,Михаил Егорович Романов,Александр Николаевич Рыбаков,Станислав Александрович Пашков,Сергей Геннадьевич Терентьев. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский химический комбинат". Дата публикации: 2013-11-10.

Method of improving adhesion to metals of silicon composite materials, obtained by reaction of polyaddition

Номер патента: RU2522614C2. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Наталья Юрьевна Семенкова,Анатолий Адамович Уэльский,Сергей Рафаилович Нанушьян,Ксения Сергеевна Попова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of preventing stenosis of frontonasal fistula in surgical treatment of chronic frontitis

Номер патента: RU2421165C1. Автор: Вячеслав Валерьевич Вавин,Николай Васильевич Мингалев,Андрей Владимирович Шелковников. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2011-06-20.

Ceramic-matrix composite material having hardened reinforcing component and method of making said material

Номер патента: RU2457192C2. Автор: Владимир Игоревич Румянцев,Роман Леонидович Сапронов,Владимир Александрович Мех. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Вириал". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of modifying surface of inorganic oxide

Номер патента: RU2496576C1. Автор: Сергей Николаевич Ланин,Сергей Михайлович Левачев,Ирина Сергеевна Левачева,Елена Владимировна Власенко,Артем Анатольевич Банных. Владелец: Сергей Михайлович Левачев. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of obtaining high-purity silicon

Номер патента: RU2435731C1. Автор: Вадим Георгиевич Кузьмин,Георгий Николаевич Кожевников,Адриан Георгиевич Водопьянов,Георгий Николаевич Кожевников (RU),Адриан Георгиевич Водопьянов (RU),Вадим Георгиевич Кузьмин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная компания "Кыштым-Раново-Инжиниринг" (ООО НПК "КРИН"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of radiation-induced thermal oxidising of silicon

Номер патента: RU2540462C1. Автор: Сергей Александрович Воронов,Николай Аркадьевич Самотаев,Юрий Александрович Воронов,Андрей Борисович Симаков,Татьяна Анатольевна Сугробова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of production of the inorganic gradient-porous material with the clad layer

Номер патента: RU2312703C1. Автор: Лев Ильич Трусов,Владимир Петрович Федотов. Владелец: Ассоциация делового сотрудничества в области передовых коплексных технологий "АСПЕКТ". Дата публикации: 2007-12-20.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING IP ADDRESS OF IMAGE FORMING APPARATUS USING DHCP, IMAGE FORMING APPARATUS AND SYSTEM OF ALLOCATING IP ADDRESS USING DHCP

Номер патента: US20120002240A1. Автор: MIN Ju-won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanosized powder of silicon compounds

Номер патента: RU2565182C1. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Георгий Алексеевич Поздняков,Владимир Николаевич Яковлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-10-20.

Manufacturing method of ceramic molds by removed patterns

Номер патента: RU2360764C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Виктор Михайлович Вдовец,Владимир Андреевич Никишин,Владимир Викторович Шувалов,Владимир Анатольевич Полозов,Евгений Евгеньевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of making thin-wall articles from composite material with gradient properties on thickness

Номер патента: RU2568660C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-11-20.

Method of manufacturing products from carbon-carbide-silicon material

Номер патента: RU2494962C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Владимир Юрьевич Чунаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of protecting silicon structures based on lead-silicate glass

Номер патента: RU2702411C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Азамат Ибрагимович Муртазалиев,Айшат Расуловна Шахмаева,Таджидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрктдинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2019-10-08.

Method of producing glass

Номер патента: RU2542019C1. Автор: Константин Николаевич Нищев,Алексей Николаевич Чабушкин,Татьяна Максимовна Зорина,Александр Алексеевич Пыненков,Владимир Михайлович Кяшкин,Андрей Александрович Панов,Сергей Анатольевич Сафроненков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of production of synthetic zeolite

Номер патента: RU2313486C1. Автор: Владимир Иванович Ерофеев,Любовь Михайловна Коваль. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Томскнефтехим" (ООО "Томскнефтехим"). Дата публикации: 2007-12-27.

Method of surgical removal of epiretinal membranes in conditions of silicone tamponade

Номер патента: RU2405510C1. Автор: Христо Периклович Тахчиди,Сардор Сагдуллаевич Тилляходжаев,Кирилл Сергеевич Норман. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2010-12-10.

Electrostatically depositing powder and the method of production of the abrasive flexible tool

Номер патента: RU2261262C2. Автор: Гво Шин СВЕИ,Силвэйн ПЕТИГНИ. Владелец: Сент-Гобэн Абразивс, Инк.. Дата публикации: 2005-09-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.