Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2024081509A1
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): John Sudijono, Mikhail Korolik, Paul E. Gee, Philip A. Kraus, Thai Cheng Chua, Tuck Foong Koh, Wei Ying Doreen Yong
Принадлежит: Applied Materials, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20240120210A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Isotropic silicon and silicon-germanium etching with tunable selectivity

Номер патента: US09984890B2. Автор: Subhadeep Kal,Kandabara N. Tapily,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2022192063A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Wei Ying Doreen Yong,Samarth JAIN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-09-15.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

High selectivity nitride removal process based on selective polymer deposition

Номер патента: US10325998B2. Автор: Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Nicholas C. M. Fuller,Richard S. Wise,Ravi K. Dasaka. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Etching with adjustable selectivity of isotropic silicon and silicon germanium

Номер патента: JP6827633B2. Автор: エヌ．タピリー カンダバラ,カル，スバディープ,モスデン，エラン. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-10.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: US20200402808A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Highly selective silicon oxide/silicon nitride etching by selective boron nitride or aluminum nitride deposition

Номер патента: KR20220024072A. Автор: 위-하오 차이,두 장,밍메이 왕. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-03.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US11742399B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20220406910A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20230343842A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Three dimensional memory device containing discrete silicon nitride charge storage regions

Номер патента: WO2017146808A1. Автор: Zhenyu Lu,Yanli Zhang,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Chun GE,Andrey Serov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: TW202301464A. Автор: 巴斯卡爾喬帝 布洋,米克海爾 柯羅立克,保羅Ｅ 吉,約翰 蘇迪喬諾,瑋盈 楊,家偉 洪,薩摩 簡. Владелец: 新加坡國立大學. Дата публикации: 2023-01-01.

Method of removing silicon nitride film

Номер патента: TW536756B. Автор: Yasuhiko Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: EP4050640A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-01-11.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: IL290312A. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-01.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

ISOTROPIC SILICON NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20220293430A1. Автор: Korolik Mikhail,Bhuyan Bhaskar Jyoti,Ang Kah Wee,JAIN Samarth,Sudijono John,Gee Paul E.,Yong Wei Ying Doreen. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: US20210272912A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: WO2021177990A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Dual-frequency silicon nitride for spacer application

Номер патента: US20050287823A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shreesh Narasimha,James Kelliher,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of forming silicon nitride on a substrate

Номер патента: US6534424B2. Автор: Hung-Chuan Chen,Tzy-Tzan Fu,Chao-Ming Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

CVD syntheses of silicon nitride materials

Номер патента: US20020016084A1. Автор: Michael Todd. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer

Номер патента: USRE32351E. Автор: Robert H. Dawson,George L. Schnable. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Nickel silicide - silicon nitride adhesion through surface passivation

Номер патента: US20040061184A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Andrew McKerrow,Ralf Willecke,Glenn Tessmer,Melissa Hewson,Donald Miles,Brian Kirkpatrick,Clinton Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Highly selective oxygen free silicon nitride etch

Номер патента: SG10201604056UA. Автор: Chih-Hsiang Wu,Seongjun Heo,Ying-Ren Chen,Bhaskar Nagabhirava. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A4. Автор: Daniela White,Emanuel I Cooper,Steven M Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: SUMIYOSHI Kazuhide. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

Method to form an l-shaped silicon nitride sidewall spacer

Номер патента: SG104924A1. Автор: Yu Jie,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Guan Ping Wu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-07-30.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon nitride CESL removal without gate cap height loss and resulting device

Номер патента: US09905472B1. Автор: Jinping Liu,Jiehui SHU,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Etching composition for silicon nitride layer and method of etching silicon nitride layer using the same

Номер патента: TW202116978A. Автор: 崔正敏,李智惠,文炯朗,韓權愚,張俊英,金賢貞,黃基煜. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-01.

Composition for etching silicon nitride film and method for etching silicon nitride film using the same

Номер патента: JP2021068896A. Автор: Jung Min Choi,Hyung Rang Moon,HyunJung Kim,Jihye Lee,俊 英 張,Kwen-Woo HAN,Jun-Young Jang,智 惠 李,智 惠 李,正 敏 崔,正 敏 崔,俊 英 張,賢 貞 金,賢 貞 金,炯 朗 文,炯 朗 文,權 愚 韓,權 愚 韓,基 ▲いく▼ 黄,Ki Wook Hwang,基 ▲いく▼ 黄. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Selective nitride removal

Номер патента: US20190333776A1. Автор: Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia,Yogita Pareek. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods of post treating silicon nitride based dielectric films with high energy low dose plasma

Номер патента: SG11202112611PA. Автор: Yong Sun,Jingmei Liang,Praket Prakash JHA,Jung Chan LEE,Shuchi Sunil OJHA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of forming deuterated silicon nitride-containing materials

Номер патента: WO2005008763B1. Автор: Ronald A Weimer,Lyle D Breiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method and system for forming patterned structures including silicon nitride

Номер патента: US12100597B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of etching silicon nitride

Номер патента: US20020003126A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Jeffrey Chinn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of patterning a silicon nitride dielectric film

Номер патента: WO2014113398A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US09893083B1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for stripping silicon nitride

Номер патента: US7323413B2. Автор: Teresa Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180331120A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10381377B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10121799B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180114795A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Forming Low-Stress Silicon Nitride Layer Through Hydrogen Treatment

Номер патента: US20230386826A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Forming low-stress silicon nitride layer through hydrogen treatment

Номер патента: US11830727B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Gases for low damage selective silicon nitride etching

Номер патента: US10217681B1. Автор: Rahul Gupta,James Royer,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for producing silicon nitride film, and silicon nitride film

Номер патента: EP3428959A4. Автор: Shoichi Murakami,Masayasu Hatashita,Hiroshi TAKA,Masaya Yamawaki. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Semiconductor structure has metal region and dielectric layer of low dielectric constant with a three layer barrier stack of silicon carbide nitride and silicon nitride

Номер патента: DE102005052052A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Jörg Hohage. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Capacitor, methods of forming capacitors, methods for forming silicon nitride layers on silicon-comprising substrates, and methods of densifying silicon nitride layers

Номер патента: US6323138B1. Автор: Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

In situ deposition and integration of silicon nitride in a high density plasma reactor

Номер патента: SG93911A1. Автор: Khazeni Kasra,Qiang Hua Zhong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate

Номер патента: TW519692B. Автор: Manuel Anselmo Hernandez,Scott Brandd Herner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-01.

Multilayer silicon nitride deposition for a semiconductor device

Номер патента: TW200839875A. Автор: Paul A Grudowski,Kurt H Junker,Xiang-Zheng Bo,Tien-Ying Luo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-01.

Method to increase the compressive stress of pecvd silicon nitride films

Номер патента: TWI343598B. Автор: Li-Qun Xia,Vladimir Zubkov,Mihaela Balseanu,Mei-Yee Shek,Saad Hichem M,Isabelita Roflox. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-11.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: TW548695B. Автор: Oleg Gluschenkov,Philip L Flaitz,Arne W Ballantine,Johnathan E Faltermeier,Jeffrey D Gilbert. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-21.

Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ uv cure

Номер патента: US20120196450A1. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu,Mei-Yee Shek,Isabelita Roflox. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Compositions and methods for polishing silicon nitride materials

Номер патента: MY150866A. Автор: Chen Zhan,Dysard Jeffrey,JOHNS Timothy,Anjur Sriram. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-14.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US20220315800A1. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US11999877B2. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of producing silicon nitride

Номер патента: RU2629656C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20210111033A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Doreen Wei Ying Yong,Debanjan Jana,Niharendu Mahapatra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Structure with isotropic silicon recess profile in nanoscale dimensions

Номер патента: US20110062494A1. Автор: Ying Zhang,Isaac Lauer,James Vichiconti,Ryan M. Martin,Sebastian Ulrich Engelmann,Nicholas C.M. Fuller,Eric Andrew Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

HIGH SELECTIVITY GAS PHASE SILICON NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20150371865A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,CHEN Zhijun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Etching composition for silicon nitride layer and etching process of silicon nitride layer using the same

Номер патента: KR102463291B1. Автор: 최정민,조연진,황기욱,장준영,김윤준,한권우,문형랑. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2022-11-03.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: TW200402102A. Автор: John Lee,Barbara A Haselden. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-02-01.

Silicon nitride film dry etching method

Номер патента: TW200901316A. Автор: Hisao Tosaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of selectively etching the silicon nitride film on the silicon oxide layer

Номер патента: TW389967B. Автор: Hideyuki Shoji,Mitsunari Sukekawa. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-05-11.

Apparatus and method for controlling silicon nitride etching tank

Номер патента: US20130217235A1. Автор: Tsung-Min Huang,Zin-Chang Wei,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Ming-Tsao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for preparing silicon-carbide-silicon-nitride composite material, and silicon-carbide-silicon-nitride composite material according to same

Номер патента: US20220144710A1. Автор: Sang Chul Lee. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for preparing silicon-carbide-silicon-nitride composite material, and silicon-carbide- silicon-nitride composite material according to same

Номер патента: US11697620B2. Автор: Sang Chul Lee. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Method for preparing silicon-carbide-silicon-nitride composite material, and silicon-carbide-silicon-nitride composite material according to same

Номер патента: SG11202110924UA. Автор: Sang Chul Lee. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structures comprising silicon nitride and related methods

Номер патента: US20180144927A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

Method for forming masks comprising silicon nitride and novel mask structures produced thereby

Номер патента: US4002511A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-11.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Dielectric silicon nitride barrier deposition process for improved metal leakage and adhesion

Номер патента: US20230386907A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Bhaskar Srinivasan,Joseph Jian Song,Gregory Boyd SHINN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Process for producing devices containing silicon nitride films

Номер патента: CA1327338C. Автор: John Aaron Mucha,Chorng-Ping Chang,Daniel Lawrence Flamm,Dale Edward Ibbotson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: US09741557B1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Low-dielectric silicon nitride film and method of forming the same, semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US6890869B2. Автор: Gishi Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A1. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A9. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20160325987A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Single wafer reactor, low temperature, thermal silicon nitride deposition

Номер патента: WO2023230296A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Steven Goza,Aaron Blake MILLER,Aaron Durbin,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20170133472A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: WO2017223541A1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-12-28.

Process for Silicon Nitride Removal Selective to SiGex

Номер патента: US20160013068A1. Автор: Ratkovich Anthony S.,Butterbaugh Jeffery W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

CMP composition for silicon nitride removal

Номер патента: US9803109B2. Автор: Hung-Tsung Huang,Ming-Chih Yeh,Chih-Pin Tsai. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Cmp composition for silicon nitride removal

Номер патента: EP3253843B1. Автор: Hung-Tsung Huang,Ming-Chih Yeh,Chih-Pin Tsai. Владелец: CMC Materials Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Flattening (CMP) Polishing with Adjustable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rate

Номер патента: JP6980821B2. Автор: シー シアオポー,レナード オニール マーク,ピー．ムレラ クリシュナ,ディー ローズ ジョーセフ,ホンチュン チョウ. Владелец: バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー. Дата публикации: 2021-12-15.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: IL272142B2. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-02-01.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide and Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: IL272142B1. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2023-10-01.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: IL182797A0. Автор: . Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-19.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: US20240079228A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Номер патента: US4751191A. Автор: Ronald C. Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

A method of forming a silicon nitride layer on a substrate

Номер патента: EP1454343A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Xianzhi Tao,Steven A. Chen,Kegang Huang,Sang H. Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Silicon nitride layer under a copper pad

Номер патента: US20230420357A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Sameer PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: US20210087501A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: EP3664125A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

CMP COMPOSITION FOR SILICON NITRIDE REMOVAL

Номер патента: US20160222254A1. Автор: HUANG Hung-Tsung,Yeh Ming-Chih,Tsai Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Shallow Trench Isolation (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing With Tunable Silicon Oxide And Silicon Nitride Removal Rates

Номер патента: US20200239736A1. Автор: Shi Xiaobo,"ONeill Mark Leonard",Murella Krishna P.,Rose Joseph D.,Zhou Hongjun. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

PROCESSING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM AND FORMING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20170356084A1. Автор: Nakanishi Toshio,Katayama Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Aqueous slurry and method for removing silicon dioxide in preference to silicon nitride, and slurry for polishing silica and silicon nitride

Номер патента: TW526251B. Автор: Ramanathan Srinivasan,Suryadevara V Babu,Yie-Shein Her,William George America. Владелец: Clarkson Univeresity. Дата публикации: 2003-04-01.

Isotropic silicon etch using anisotropic etchants

Номер патента: US20090111271A1. Автор: John S. Starzynski. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

ISOTROPIC SILICON AND SILICON-GERMANIUM ETCHING WITH TUNABLE SELECTIVITY

Номер патента: US20170271165A1. Автор: Kal Subhadeep,Mosden Aelan,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Process for Silicon Nitride Removal Selective to SiGex

Номер патента: US20130203262A1. Автор: Ratkovich Anthony S.,Butterbaugh Jeffery W.. Владелец: TEL FSI, Inc.. Дата публикации: 2013-08-08.

Silicon nitride film forming method, film forming device, and silicon nitride film

Номер патента: IL313438A. Автор: Morimoto Naoki,ANDO Yuta,Igari Akira. Владелец: Igari Akira. Дата публикации: 2024-08-01.

Slurry Composition for Polishing Silicon Nitride, Method of Polishing a Silicon Nitride Layer Using the Slurry Composition and Method of Manufacturing a Semiconductor Device Using the Slurry Composition

Номер патента: KR101396853B1. Автор: 이종원,한상엽,홍창기,이재동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-05-20.

Process for producing silicon nitride film, process for producing silicon nitride film laminate, computer-readable storage medium, and plasma cvd device

Номер патента: TW200952078A. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Junya Miyahara,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-16.

Processing method of silicon nitride film and forming method of silicon nitride film

Номер патента: KR102009923B1. Автор: 토시오 나카니시,다이스케 가타야마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-08-12.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: TW201207944A. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Production method and device for silicon nitride film

Номер патента: TWI446446B. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2014-07-21.

SILICON NITRIDE FILMS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: US20130157466A1. Автор: FOX Keith,SRIRAM Mandyam,"OLOUGHLIN Jennifer",ANTONELLI George Andrew,Niu Dong,van Schravendijk Bart J.,Womack Joseph L.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC FILMS AND POLYSILICON AND/OR SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130171824A1. Автор: Li Yuzhuo,Venkataraman Shyam Sundar,Pinder Harvey Wayne. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

Methods for Forming Semiconductor Constructions, and Methods for Selectively Etching Silicon Nitride Relative to Conductive Material

Номер патента: US20130252398A1. Автор: Shea Kevin R.,Graettinger Thomas M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A3. Автор: Ehrenwall Andreas Von. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor trench structure having a silicon nitride layer overlaying an oxide layer

Номер патента: US9029978B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11186771B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-30.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to produce integrated circuit packages having silicon nitride adhesion promoters

Номер патента: US20240222259A1. Автор: WEI Wei,Xiaoying Guo,Xiao Liu,Dingying Xu,Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Leonel Arana,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan,Xiyu Hu,Rhonda Jack,Catherine Mau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: TW201207946A. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: TW201207945A. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE FILM AND SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20190088465A1. Автор: Murakami Shoichi,Hatashita Masayasu,Taka Hiroshi,Yamawaki Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus

Номер патента: KR102334581B1. Автор: 노리아키 후키아게,준 오가와,다케시 오야마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-12-06.

Silicon nitride film deposition method, organic electronic device manufacturing method, and silicon nitride film deposition device

Номер патента: KR101881470B1. Автор: 히라쿠 이시카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-07-24.

SILICON NITRIDE FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

SILICON NITRIDE FILM FORMING METHOD AND SILICON NITRIDE FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20180037992A1. Автор: Ogawa Jun,OYAMA Takeshi,FUKIAGE Noriaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

METHOD OF FORMING A STRUCTURE INCLUDING SILICON NITRIDE ON TITANIUM NITRIDE AND STRUCTURE FORMED USING THE METHOD

Номер патента: US20200181770A1. Автор: Tang Fu,Longrie Delphine. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Silicon Nitride Film Forming Method and Silicon Nitride Film Forming Apparatus

Номер патента: US20160276147A1. Автор: SATO Hidenobu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE LAYER AND STRUCTURE INCLUDING SELECTIVELY-DEPOSITED SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20200286726A1. Автор: Swaminathan Shankar,Shero Eric James,Ma Paul,Sharma Bed Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE LAYER AND STRUCTURE INCLUDING SELECTIVELY-DEPOSITED SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20220351958A1. Автор: Swaminathan Shankar,Shero Eric James,Ma Paul,Sharma Bed Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus

Номер патента: CN105990101A. Автор: 佐藤敬信. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films

Номер патента: WO2013109369A1. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of forming a structure comprising silicon nitride on titanium nitride and structure formed

Номер патента: CN111276400A. Автор: 汤福,D.朗利. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-06-12.

Silicon nitride film deposition method, organic electronic device manufacturing method, and silicon nitride film deposition device

Номер патента: TW201248729A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-01.

Silicon nitride film and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200903781A. Автор: Seiichi Miyazaki,Toshio Nakanishi,Yoshihiro Hirota,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Univ Hiroshima. Дата публикации: 2009-01-16.

Bottom-Up Growth Of Silicon Oxide And Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Номер патента: US20180350668A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for forming crystalline silicon nitride

Номер патента: TW516124B. Автор: Yun-Yu Wang,Hua Shen,Rajarao Jammy,Philip L Flaitz,Philip E Batson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

Integrated method and tool for high quality selective silicon nitride deposition

Номер патента: US20240249934A1. Автор: Naomi Yoshida,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Hsueh Chung Chen,Scott A. DeVries,Raghuveer Satya Makala. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of depositing silicon oxide film and silicon nitride film, film forming apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201250045A. Автор: Atsushi Endo,Masaki Kurokawa,Hiroki IRIUDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: EP3347504B1. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of making a silicon nitride film that is transmissive to ultraviolet light

Номер патента: TW200416883A. Автор: Tai-Peng Lee. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

PEALD of films comprising silicon nitride

Номер патента: US09984868B2. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu,Woong Jae Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130072033A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Silicon nitride film forming method, silicon nitride film forming system and silicon nitride film forming system precleaning method

Номер патента: US20050081789A1. Автор: Hitoshi Kato,Kohei Fukushima,Atsushi Endo,Takeshi Kumagai,Tatsuo Nishita. Владелец: Tatsuo Nishita. Дата публикации: 2005-04-21.

SEMICONDUCTOR WAFER COMPRISING GALLIUM NITRIDE LAYER HAVING ONE OR MORE SILICON NITRIDE INTERLAYER THEREIN

Номер патента: US20130270575A1. Автор: Humphreys Colin,McAleese Clifford,Kappers Menno,Liu Zhenyu,Zhu Dandan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Etching composition for silicon nitride film and method for etching silicon nitride film using same

Номер патента: CN112384596A. Автор: 崔正敏,金高恩,赵娟振,黄基煜,韩权愚,高尙兰. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

SILICON NITRIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Kafuku Hidetaka,Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-03-21.

Etching composition for silicon nitride layer and etching process of silicon nitride layer using the same

Номер патента: KR102343436B1. Автор: 최정민,김고은,조연진,황기욱,한권우,고상란. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-12-24.

Silicon-rich low thermal budget silicon nitride for integrated circuits

Номер патента: TW200417014A. Автор: Yi Ma,Peyman Sana,Michael Scott Carroll,Minesh Amrat Patel. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2004-09-01.

Silicon-rich low thermal budget silicon nitride for integrated circuits

Номер патента: TWI315909B. Автор: Yi Ma,Peyman Sana,Michael Scott Carroll,Minesh Amrat Patel. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2009-10-11.

Silicon-rich low thermal budget silicon nitride for integrated circuits

Номер патента: GB2395359B. Автор: Yi Ma,Peyman Sana,Minesh Amrat Patel,Michael S Carroll. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-01-04.

Structure and method for forming CMOS devices with intrinsically stressed silicide using silicon nitride cap

Номер патента: TW200807630A. Автор: Yun-Yu Wang,Haining S Yang,Henry K Utomo,Robert J Purtell. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-02-01.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A4. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon nitride fill for PC gap regions to increase cell density

Номер патента: US09859275B2. Автор: Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Treatment method for reducing particles in dual damascene silicon nitride process

Номер патента: US20130084701A1. Автор: Jun Xu,Ke Wang,Meimei GU,Duoyuan HOU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Shimazu Tadashi,Kafuku Hidetaka,Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered compact, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP4397642A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1201623A3. Автор: Hideki Yamaguchi,Takayuki Naba,Michiyasu Komatsu,Haruhiko Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-07.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same

Номер патента: US20090224399A1. Автор: Junichi Watanabe,Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP4235156A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: EP3846596A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Silicon nitride circuit board

Номер патента: US5998000A. Автор: Kazuo Ikeda,Nobuyuki Mizunoya,Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Yoshitoshi Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210130241A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: US20240182770A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Silicon nitride sintered substrate

Номер патента: US20230357010A1. Автор: Hideaki Kawai,Norihira MITSUMURA,Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of fabricating silicon nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7544603B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: US20230274992A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride substrate

Номер патента: US20240150249A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon nitride substrate

Номер патента: EP4293713A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: EP1063211A1. Автор: Kiyoshi Araki,Katsuhiro Inoue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

High thermal conductivity silicon nitride circuit substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US6086990A. Автор: Fumio Ueno,Mitsuo Kasori,Akihiro Horiguchi,Hiroyasu Sumino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: EP1303878A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: WO2002008660A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-01-31.

Silicon-nitride-containing interlayer of great hardness

Номер патента: US20140272748A1. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: ESK Ceramics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Conductive thick film paste for silicon nitride and other substrates

Номер патента: EP4235773A3. Автор: Umesh Kumar,Srinivasan Sridharan,John J. Maloney,George E. Sakoske,Ponnusamy Palanisamy,Bradford J. Smith,George E. Graddy Jr.. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: EP3274354A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando JOVE. Владелец: Gelest Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Etching of silicon nitride

Номер патента: US5965465A. Автор: David L. Rath,Rangarajan Jagannathan,Keith R. Pope,Harald F. Okorn-Schmidt,Kenneth J. McCullough,Karen P. Madden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Technique for forming a silicon nitride layer having high intrinsic compressive stress

Номер патента: US20070254492A1. Автор: Volker Kahlert,Joerg Hohage,Steffen Baer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: US20230279031A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando A. JOVE. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210288083A1. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Silicon nitride waveguide coupled photodiode

Номер патента: US20240105875A1. Автор: Mona Mostafa HELLA,Asif Jahangir CHOWDHURY. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-28.

Photonics integrated circuit with silicon nitride waveguide edge coupler

Номер патента: US20220268994A1. Автор: Karen A. Nummy,Yusheng Bian,Thomas Houghton,Kevin K. Dezfulian,Kenneth J. Giewont,Asli Sahin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US20240153888A1. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches

Номер патента: US09754779B1. Автор: Dai Ishikawa,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: AU2022254712A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: US11694867B2. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: EP4205158A1. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Sti silicon nitride cap for flat feol topology

Номер патента: US20120187450A1. Автор: Frank Jakubowski,Peter Baars,Jörg S. RADECKER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Fuse with silicon nitride removed from fuse surface in cutting region

Номер патента: TW200810084A. Автор: Sang Yeon Kim. Владелец: Leadis Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

LOWERING TUNGSTEN RESISTIVITY BY REPLACING TITANIUM NITRIDE WITH TITANIUM SILICON NITRIDE

Номер патента: US20140001576A1. Автор: Gandikota Srinivas,LEI JIANXIN,Liu Zhendong,JAKKARAJU Rajkumar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of forming a silicon nitride layer on a gate oxide film and annealing the nitride layer

Номер патента: TW200947626A. Автор: Cheng-ta Wu,Li-Han Lin,Da-Yu Chuang,Yen-Da Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

LOWERING TUNGSTEN RESISTIVITY BY REPLACING TITANIUM NITRIDE WITH TITANIUM SILICON NITRIDE

Номер патента: US20150206756A1. Автор: Gandikota Srinivas,LEI JIANXIN,Liu Zhendong,JAKKARAJU Rajkumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: KR102072355B1. Автор: 젠동 리우,스리니바스 간디코타,지안신 레이,라즈쿠마 자카라주. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-01-31.

Method of forming a silicon nitride layer on a gate oxide film of a semiconductor device and annealing the nitride layer

Номер патента: US20090280654A1. Автор: Cheng-ta Wu,Da-Yu Chuang,Yen-Da Chen,Lihan Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of forming a silicon nitride layer on a gate oxide film and annealing the nitride layer

Номер патента: TWI380409B. Автор: Li Han Lin,Cheng Ta WU,Da Yu Chuang,Yen Da Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2012-12-21.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for CMOS devices

Номер патента: TW200710993A. Автор: Thomas W Dyer,hai-ning Yang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-16.

Selective formation of hydrogen rich pecvd silicon nitride for improved nmos transistor performance

Номер патента: SG90736A1. Автор: Feng Gao,Yong Meng Lee,Yunqiang Zhang,Sundaresan Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-20.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Tellurium-oxide-coated silicon nitride optical waveguides and methods of fabrication thereof

Номер патента: CA3025925A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-30.

Molybdenum silicide / silicon nitride composite infrared emitter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200203914A1. Автор: Davorin Babic,Viet Nguyen,Alex Kropachev,Dragan Grubisik,Arshey Patadia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US20230297872A1. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Sintering of silicon nitride using mg and be additives

Номер патента: CA1088960A. Автор: Svante Prochazka,Richard J. Charles,Charles D. Greskovich,Robert A. Giddings. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-11-04.

Moisture barrier composite film of silicon nitride and fluorocarbon polymer and its use with an on-cell tester for an electrochemical cell

Номер патента: US5593794A. Автор: Guang Wei,Jack Treger,Bryan C. Lagos. Владелец: Duracell Inc USA. Дата публикации: 1997-01-14.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US11847535B2. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Silicon nitride stabilized interface between lithium metal and solid electrolyte for high performance lithium metal batteries

Номер патента: WO2023086659A3. Автор: Qiao Qiao,Abiral BANIYA. Владелец: Baniya Abiral. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming a semiconductor memory device having silicon nitride overlying only in peripheral circuit area

Номер патента: US5518947A. Автор: Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Oxynitride phosphor powder, silicon nitride powder for production of oxynitride phosphor powder, and production method of oxynitride phosphor powder

Номер патента: US09758720B2. Автор: Takayuki Ueda,Masataka Fujinaga,Takuma Sakai,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon nitride board, method for manufacturing the silicon nitride board, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the silicon nitride board

Номер патента: WO2010002001A1. Автор: 渡辺　純一,加賀　洋一郎. Владелец: 日立金属株式会社. Дата публикации: 2010-01-07.

Silicon nitride board, method for manufacturing the silicon nitride board, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the silicon nitride board

Номер патента: KR101582704B1. Автор: 요우이찌로 가가,준이찌 와따나베. Владелец: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-01-05.

HIGH THERMAL CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20180002237A1. Автор: Aoki Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Silicon Nitride Sintered Body, Silicon Nitride Substrate, And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210122680A1. Автор: Fukasawa Takayuki,SANO Takashi,Aoki Katsuyuki,IWAI Kentaro,MOMMA Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE-METAL COMPOSITE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20220177377A1. Автор: Nishimura Koji,TSUGAWA Yuta,KOBASHI Seiji. Владелец: Denka Company Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride substrate, silicon nitride-metal composite, silicon nitride circuit substrate, and semiconductor package

Номер патента: CN113632217A. Автор: 津川优太,小桥圣治,西村浩二. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: WO2020027077A1. Автор: 深澤　孝幸,青木　克之,健太郎 岩井,門馬　旬,佐野　孝. Владелец: 東芝マテリアル株式会社. Дата публикации: 2020-02-06.

Silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity, silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate using same, and semiconductor device

Номер патента: WO2016117553A1. Автор: 青木　克之. Владелец: 東芝マテリアル株式会社. Дата публикации: 2016-07-28.

Silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: CN112313191A. Автор: 青木克之,深泽孝幸,佐野孝,岩井健太郎,门马旬. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Silicon nitride substrate, silicon nitride-metal complex, silicon nitride circuit board, and semiconductor package

Номер патента: EP3951853B1. Автор: Koji Nishimura,Yuta TSUGAWA,Seiji Kobashi. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD USING THE SAME

Номер патента: US20180134558A1. Автор: SANO Takashi,Aoki Katsuyuki,Nakayama Noritaka. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM, AND APPARATUS FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20150194637A1. Автор: Ishikawa Hiraku. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-07-09.

Phase change memory with a patterning scheme for tantalum nitride and silicon nitride layers

Номер патента: US10741756B1. Автор: Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal R. Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate using same

Номер патента: CN105683129A. Автор: 青木克之,中山宪隆,佐野孝. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-15.

Silicon nitride layer for light emitting device, light emitting device using the same, and method of forming silicon nitride layer for light emitting device

Номер патента: WO2006049449A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Gun Yong Sung,Tae Youb Kim,Nae Man Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2006-05-11.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US10322934B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Silicon nitride substrate and method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP2767524A4. Автор: Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Silicon Nitride Layer for Light Emitting Device, Light Emitting Device Using the Same, and Method of Forming Silicon Nitride Layer for Light Emitting Device

Номер патента: US20080093609A1. Автор: Tae Kim,Kyung Kim,Nae Park,Gun Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-04-24.

Silicon nitride substrate and method for producing silicon nitride substrate

Номер патента: US20140220302A1. Автор: Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD USING THE SAME

Номер патента: US20170152143A1. Автор: SANO Takashi,Aoki Katsuyuki,Nakayama Noritaka. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD USING THE SAME

Номер патента: US20160251223A1. Автор: SANO Takashi,Aoki Katsuyuki,Nakayama Noritaka. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SILICON NITRIDE FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170358652A1. Автор: Okamoto Yasuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Silicon nitride powder manufacturing system and silicon nitride powder manufacturing method

Номер патента: KR102342680B1. Автор: 이상균,고영석. Владелец: (주)에이치에스쏠라에너지. Дата публикации: 2021-12-24.

Silicon nitride film for light emitting device, light emitting device using the same and method for forming silicon nitride film for light emitting device

Номер патента: KR100698014B1. Автор: 김경현,성건용,김태엽,박래만. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-03-23.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US9884762B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using same

Номер патента: EP3061739B1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Silicon nitride substrate and method for producing silicon nitride substrate

Номер патента: US9655237B2. Автор: Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate using the same, and use thereof

Номер патента: JPWO2007018050A1. Автор: 哲美 大塚,元晴 深澤,深澤　元晴,猛 後藤,後藤　猛,大塚　哲美. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2009-02-19.

Process for producing on a surface a thin, X-rays-amorphous layer od aluminium nitride or of aluminium-silicon nitride

Номер патента: EP0326935A2. Автор: Helmut Dr. Steininger. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1989-08-09.

Process for producing on a surface a thin, x-rays-amorphous layer od aluminium nitride or of aluminium-silicon nitride

Номер патента: EP0326935A3. Автор: Helmut Dr. Steininger. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1991-04-03.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: JPWO2020044974A1. Автор: 孝幸 深澤,深澤　孝幸,克之 青木,旬 門馬,青木　克之,健太郎 岩井,門馬　旬. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-24.

METHOD FOR PLACING NANODIAMONDS WITH NV CENTERS ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2019144433A. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-06-29.

Method of fabricating silicone nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: TW200713489A. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Method of fabricating silicone nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: TWI282143B. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-01.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Multi-zone silicon nitride wafer heater assembly having corrosion protective layer, and methods of making and using the same

Номер патента: EP3994002A4. Автор: Matthew Simpson,Ramesh Divakar,Alan FILER. Владелец: Coorstek Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A4. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Electronic component module and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP3961694A4. Автор: Katsunori Terano,Toshitaka Yamagata. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Silicon nitride ROM and method of fabricating the same

Номер патента: TWI224857B. Автор: Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER INCLUDING SILICON OXIDE LAYER AND SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20130140547A1. Автор: JIN DONG-UN,Lee Jae-Seob. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

Cathode for electron gun comprising metal block, e.g. aluminium - with inclusions of oxide or nitride, e.g. alumina or silicon nitride

Номер патента: FR2344120A1. Автор: . Владелец: Battelle Memorial Institute Geneva Research Center. Дата публикации: 1977-10-07.

Isotropic silicon carbon negative electrode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN114031081A. Автор: 胡博,蔡新辉,吕猛,刘锐剑,金海侹. Владелец: Sinosteel Jincan New Energy Technology Huzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-02-11.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

POLYCRYSTALLINIC, SINTERED SILICON NITRID REMOVAL AND PROCEDURES THEREOF

Номер патента: NO147553C. Автор: Robert Arthur Giddings,Svante Prochazka,Charles David Greskovich,Richard Joseph Charles. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-05-04.

A kind of application of threadiness titanium nitride/silicon nitride/nitridation carbon composite nano-material

Номер патента: CN108275665A. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-13.

Titanium nitride/silicon nitride/carbon nitride/graphene composite nanomaterial and preparation method thereof

Номер патента: CN106531986A. Автор: 向红先. Владелец: Chengdu Yuya Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

A kind of threadiness titanium nitride/silicon nitride/nitridation carbon composite nano-material and preparation method thereof

Номер патента: CN106241755B. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

A kind of titanium nitride/silicon nitride/carbonitride/graphene composite nano material and preparation method thereof

Номер патента: CN106531986B. Автор: 向红先. Владелец: 苗强. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of threadiness titanium nitride/silicon nitride/carbonitride composite nano materials and preparation method thereof

Номер патента: CN106241755A. Автор: 孙琴华. Владелец: Hangzhou Fuyang Weiwen Environment Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Carbide-silicon nitride luminophores

Номер патента: RU2430948C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезиа ХИНТЦЕН,Йуан Кианг ЛИ. Владелец: Тридоник.Атко Оптоэлектроникс Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Silicon nitride - tungsten carbide composite sintered material, production process therefor, and glow plug comprising the same

Номер патента: US20020148823A1. Автор: Masaya Ito,Hiroki Watanabe,Katsura Matsubara. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon nitride ceramic heater

Номер патента: US5998049A. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Fukuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon nitride sintered body

Номер патента: US5399536A. Автор: Akira Yamakawa,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Ceramics fixing heater containing silicon nitride

Номер патента: CA2246919C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

SOLAR CELL BUILT AROUND p-TYPE HETEROSTRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON NITRIDE - SILICON

Номер патента: RU2568421C1. Автор: Родригес Веласкес Гуни,Василий Сергеевич Захвалинский,Евгений Александрович Пилюк,Дормидонт Архипович Шербан,Алексей Васильевич Симашкевич,Леонид Измайлович Брук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Ceramic phase in silicon nitride containing cerium

Номер патента: WO1992001647A1. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Silicon nitride containers for sintering silicon nitride

Номер патента: WO1992001898A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Zirconia-coated silicon nitride sintered member

Номер патента: US4816349A. Автор: Tomonori Takahashi,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20020045530A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2002-04-18.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20030139278A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2003-07-24.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Silicon nitride sintered body, machine part, and bearing

Номер патента: EP4397643A1. Автор: Yuta Ito,Yasutake Hayakawa. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US20240043349A1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-02-08.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Conductive silicon nitride composite sintered body and a process for the production thereof

Номер патента: US20030155555A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip

Номер патента: EP4058753A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Process for producing gray cast iron for use in high speed machining with cubic boron nitride and silicon nitride tools and the gray cast iron so produced

Номер патента: WO2001055458A1. Автор: Sundaresa V. Subramanian. Владелец: Subramanian Sundaresa V. Дата публикации: 2001-08-02.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Silicon nitride body having high as-fired surface strength

Номер патента: WO1996032359A1. Автор: Chien-Wei Li,Jean Yamanis,Mohammad Behi. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1996-10-17.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20240241237A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282848A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

Non-densified silicon nitride beta-phase material

Номер патента: US5405592A. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Silicon nitride-ceramic and a manufacturing method therof

Номер патента: US4886767A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head slider with diamoind-like carbon layer and a silicon nitride layer, and related head gimbal assembly and disk drive unit

Номер патента: US12106783B2. Автор: Hua Li,Peng Liu,Rong Huang,Jian Hui Huang,Da Yao HE. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Method of manufacturing a silicon nitride body

Номер патента: GB1335842A. Автор: . Владелец: Joseph Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1973-10-31.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Silicon nitride sintered body and method for preparing the same

Номер патента: CA1223013A. Автор: Mikio Fukuhara,Yoshitaka Maekawa. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: WO2024049944A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067577A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon nitride sintered body and wear-resistant member using the same

Номер патента: US20240025811A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata,Naoto HOUTSUKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: EP2526076A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: Ceradyne Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

High strength silicon nitride

Номер патента: WO1989008625A1. Автор: Hun C. Yeh. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-09-21.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: CA1122438A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: US5439856A. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of forming high density beta silicon nitride

Номер патента: CA1092325A. Автор: Gerald Q. Weaver. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Silicon nitride-alumina composite ceramics and producing method thereof

Номер патента: US4845061A. Автор: Kazuhiro Inoguchi,Naochika Nunogaki,Novuei Ito,Tetsuo Toyama. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-07-04.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: US4151740A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1979-05-01.

High-thermal-conductivity silicon nitride ceramic insulating plate and preparation method therefor

Номер патента: EP4269372A1. Автор: He Jing,Xiao He,Feng Sun,Xuemin Xu,Weiru Zhang,Panpan LIANG,Tingxia Dong,Peiyuan Lv,Jinmeng XU,Wenzhao WEI,Zhijie DING. Владелец: Sinoma Advanced Nitride Ceramics Co ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Batch sintering method for high-property silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067576A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Batch sintering method for high-performance silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282844A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon nitride sintered members

Номер патента: US4940680A. Автор: Tomonori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Tool comprised of a silicon nitride sintered body

Номер патента: US5171723A. Автор: Toshio Nomura,Hideki Moriguchi,Mitsunori Kobayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-15.

Silicon nitride cutting tool and process for making

Номер патента: US4670024A. Автор: Deepak G. Bhat,Vinod Sarin,Paul F. Woerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Method for preparing silicon nitride and silicon nitride composites

Номер патента: US5980699A. Автор: Scott F. Timmons,Renee C. Graef,Stuart T. Schwab,Montgomery D. Grimes. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 1999-11-09.

Sintered silicon nitride and production method thereof

Номер патента: US5126294A. Автор: Akira Okada,Naoto Hirosaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-30.

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

Ceramic composition, silicon nitride ceramic material and preparation method therefor, and ceramic product

Номер патента: ZA202308665B. Автор: LIANG XIAO,Yongquan Li,Xiaofeng Zeng,Fulin Zhu,Lihong Qian,Juxi Chen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for continuously producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20230357087A1. Автор: Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20160137556A1. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2058151C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto,Koichi Sogabe,Tomoyuki Awatsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Silicon nitride compositions

Номер патента: CA2540048C. Автор: Michael Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-21.

Coated composite silicon nitride cutting tools

Номер патента: US4441894A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

Process for making silicon nitride cutting tool material

Номер патента: US6066582A. Автор: Marianne Collin,Magnus Ekelund. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacture of silicon nitride

Номер патента: US4396587A. Автор: Isamu Iwami,Masami Yamaguchi,Yoshiharu Kitahama,Yoshirou Tajitsu. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1983-08-02.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Improvements in or relating to the Production of Silicon Nitride Articles

Номер патента: GB1168499A. Автор: Richard Alan Taylor. Владелец: Birmingham Small Arms Co Ltd. Дата публикации: 1969-10-29.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11919824B2. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317106A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317107A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Sintered reaction-bonded silicon nitride components

Номер патента: WO1996001236A1. Автор: Robert Alan Wordsworth,Carol Jayne Pindar,Nicholas Dominic Butler,Matthew Arnold Hepworth. Владелец: T & N Technology Limited. Дата публикации: 1996-01-18.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Producing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230391677A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Manufacturing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230382809A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide

Номер патента: US5908796A. Автор: William Collins,Vimal Pujari. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Silicon nitride components with protective coating

Номер патента: US6582779B2. Автор: Derek Raybould,Chien-Wei Li,Milton Ortiz,Thomas Edward Strangman. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: CA1257298A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Process for producing high purity silicon nitride by the direct reaction between elemental silicon and nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: US4935214A. Автор: Eloise A. Pugar,Peter E. D. Morgan. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-06-19.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: CA1273185A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: CA2004404A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Sintering of silicon nitride to high density

Номер патента: US4379110A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich,John A. Palm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-04-05.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramics

Номер патента: CA1302059C. Автор: Normand D. Corbin,Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Sintered self-reinforced silicon nitride

Номер патента: US5312785A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-17.

Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation

Номер патента: US5128287A. Автор: Marcellus Peuckert. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11807582B1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20170362087A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10239757B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-26.

Systems and methods for rapid inactivation of SARS-CoV-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: US11844344B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for producing silicon nitride sinterned body

Номер патента: EP4317057A1. Автор: Satoru Wakamatsu,Dai Kusano,Kunihiro GOTOU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip with electro-optic phase shifter

Номер патента: US20220011111A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US11796737B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Genxcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Co-Manufacturing of Silicon-on-Insulator Waveguides and Silicon Nitride Waveguides for Hybrid Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20240004133A1. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US11940572B2. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20220196813A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon nitride cutting tool

Номер патента: US8496718B2. Автор: Takashi Watanabe,Shuichi Tateno,Tatsuyuki Nakaoka,Hiroshi Yoshimitsu,Takero Fukudome. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US12032205B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: WO2022060271A8. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2022-08-18.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Composition, manufacturing and application of silicon nitride as biomaterial for medicinal purposes

Номер патента: RU2229313C2. Автор: Кент ОЛЬССОН,Ли ЙИАНГУО,Урбан ЛИНДГРЕН. Владелец: Биомат Систем Аб. Дата публикации: 2004-05-27.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Polysilazanes, processes for their preparation, ceramic materials which contain silicon nitride and can be prepared from them, and preparation thereof

Номер патента: CA1320305C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-07-13.

Production of silicon nitride whiskers

Номер патента: GB998167A. Автор: Christopher Charles Evans. Владелец: TI Group Services Ltd. Дата публикации: 1965-07-14.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramic

Номер патента: US5187127A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma,Jen Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: CA2004399A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: WO2022020022A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-27.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US20220016628A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: US20240140798A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Production process and production device of silicon nitride wave-absorbing material

Номер патента: GB2625432A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon nitride porous body and its production process

Номер патента: EP1167321A3. Автор: Nobuhiro Shinohara,Kanji Arai,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A3. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US11957812B2. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: US20030084584A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: Q-MARK MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A8. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Silicon nitride ceramics with improved wear resistance and production method therefore

Номер патента: WO2013171324A1. Автор: Prof. Hasan MANDAL,Prof. Ferhat KARA,Prof. Servet TURAN,Prof. Alpagut KARA. Владелец: Mda Ileri Teknoloji Seramikleri Sanayi Ticaret Ltd. Sti.. Дата публикации: 2013-11-21.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: EP4214178A1. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2023-07-26.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20240252717A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: WO1994017010A1. Автор: Derek Parr Thompson,Hassan Mandal,Yi Bing Cheng. Владелец: Cookson Group Public Limited Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon nitride-carbon nanotube-graphene nanocomposite microbolometer IR detector

Номер патента: US09851257B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon nitride electrosurgical blade

Номер патента: US4850353A. Автор: Peter Stasz,Scott R. Grabinger,Jeffrey J. Solberg. Владелец: Everest Medical Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Process for producing corrosion resistant silicon nitride bodies containing La2 O3

Номер патента: US4749539A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Superplastic silicon nitride sintered body

Номер патента: US5672553A. Автор: Mamoru Mitomo,Hideki Hirotsuru,Toshiyuki Nishimura,Hisayuki Suematsu. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1997-09-30.

Reaction sintered boride-oxide-silicon nitride for ceramic cutting tools

Номер патента: CA1260505A. Автор: Thomas P. Deangelis. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1989-09-26.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Silicon nitride sintered bodies and method for producing the same

Номер патента: CA1207804A. Автор: Keiji Matsuhiro,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-15.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

Process for preparing high-purity α-type silicon nitride

Номер патента: US4346068A. Автор: Kiyoshi Kasai,Yoshitaka Kubota,Takaaki Tsukidate. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: US5382273A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Robert D. Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for producing powder of α-silicon nitride

Номер патента: US4368180A. Автор: Hiroshi Inoue,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-11.

Sintered silicon nitride bodies suitable for use as high impact materials

Номер патента: CA2059775C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-20.

Hot pressed, high strength silicon nitride

Номер патента: US3830652A. Автор: G Gazza. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1974-08-20.

Method for making sintered silicon nitride articles

Номер патента: US4462816A. Автор: Robert W. Wolfe,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Silicon nitride-zirconium silicate ceramics

Номер патента: US4069059A. Автор: William J. McDonough,Roy W. Rice. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-17.

Continuous process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding and silicon nitride obtained thereby

Номер патента: IL104435A. Автор: . Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 1996-11-14.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: US4795724A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Process for producing silicon nitride sliding member

Номер патента: US5961907A. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Masamichi Yamagiwa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Silicon nitride sintered material for cutting tools and process for making the same

Номер патента: US4769350A. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Production of silicon nitride material components

Номер патента: US3819786A. Автор: E May. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1974-06-25.

Silicon nitride ceramics

Номер патента: GB2169594A. Автор: Isao Ikeda,Hiroyasu Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Silicon nitride sintered bodies and a method of producing the same

Номер патента: US4818733A. Автор: Tomonori Takahashi,Masahiro Shirai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: US5032663A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1991-07-16.

Silicon nitride with improved high temperature strength

Номер патента: CA1268488A. Автор: Russell L. Yeckley. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-05-01.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1133683A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-10-19.

Silicon nitride sintered products having high corrosion resistance and process for production thereof

Номер патента: US4499192A. Автор: Yasushi Matsuo,Yoshinori Hattori,Toru Shimamori. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-12.

Improvements relating to silicon nitride

Номер патента: GB1117788A. Автор: John Martin Herbert,Gerald George Deeley. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1968-06-26.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: US4814128A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

High density silicon nitride bodies

Номер патента: US4879080A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers

Номер патента: US4604273A. Автор: Robin W. Munn,Samuel Natansohn,Robert A. Long,Gary Czupryna. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Method of machining silicon nitride ceramics and silicon nitride ceramics products

Номер патента: CA2073388C. Автор: Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: CA2149658C. Автор: Pankaj Kumar Mehrotra,Robert David Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: US5189132A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-02-23.

Silicon diimide, a process for it's preparation and silicon nitride obtained therefrom

Номер патента: CA2052401A1. Автор: Aloys Eiling,Martin Jansen,Hans-Peter Baldus,Ulrich Wannagat,Adrian Schervan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-03.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: EP4282845A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: US20240076243A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20190169028A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-06.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10662062B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-05-26.

Preparation method of high-thermal-conductivity and net-size silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240116821A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP4032700A1. Автор: Seung Yeon Lee,Eun Ok Chi,Seunggwan LEE. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: WO2011142789A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: CERADYNE, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing silicon nitride whiskers

Номер патента: US5334565A. Автор: Masao Noguchi,Yusaku Takita,Tatsumi Ishihara,Yukako Mizuhara. Владелец: Ohita Gas Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Silicon nitride ceramic heating and ignition device for granular fuel barbecue oven

Номер патента: US20230165403A1. Автор: Shirong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-01.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA2036010C. Автор: Manabu Isomura,Hiroaki Sakai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of making silicon nitride based cutting tools - i

Номер патента: CA1142334A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-03-08.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: US4990471A. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh K. Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1991-02-05.

Silicon nitride reinforced with molybdenum disilicide

Номер патента: US5064789A. Автор: John J. Petrovic,Richard E. Honnell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-11-12.

Method for producing dense silicon nitride containing yttrium oxide and aluminum oxide and having high temperature strength and oxidation resistance

Номер патента: CA1122385A. Автор: J. Thomas Smith,Carr L.W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-27.

Synthesis of silicon nitride

Номер патента: CA1192377A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Kimihiko Sato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-27.

Silicon nitride whiskers

Номер патента: GB2178417A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Sintered silicon nitride ceramic articles having surface layers of controlled composition

Номер патента: US4400427A. Автор: Vincent W. Nehring,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat,Carr L. W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-08-23.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: US20240068813A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for selective laser sintering of silicon nitride and metal composites

Номер патента: EP4232228A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in mems manufacture

Номер патента: WO2007084317A2. Автор: Teruo Sasagawa,Wonsuk Chung,Steve Zee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-07-26.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: WO2024043955A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879B1. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: CA1308231C. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-10-06.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same

Номер патента: GB1521693A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-16.

Method of molding silicon nitride ceramics

Номер патента: US5385701A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Osamu Komura,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing silicon nitride objects

Номер патента: GB2065714A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-01.

Process for producing silicon nitride sintered material

Номер патента: US5178809A. Автор: Akira Takahashi,Keiichiro Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Sintering of silicon nitride with Be additive

Номер патента: US4374792A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Method for manufacturing a sintered body of silicon nitride

Номер патента: US4971740A. Автор: Takeshi Kawashima,Hiroaki Nishio. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

Method of joining a pair of silicon nitride parts

Номер патента: US3881904A. Автор: Roger Francis Stokes,Brian John Hunt. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: WO2013003830A3. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Process for production of silicon nitride

Номер патента: CA1247326A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Silicon nitride sintered product

Номер патента: CA1314293C. Автор: Kenji Nakanishi,Kazuhiro Urashima,Masakazu Watanabe,Yo Tajima. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US20180147336A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Optically efficient silicon nitride edge couplers in photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023215456A1. Автор: David Snyder,Sriram Tyagarajan,Kalpendu Shastri,Anujit Shastri,Rao Yelamarty,Ravinder Kachru. Владелец: Aayuna Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20200197565A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A2. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for producing spherical silicon nitride powder

Номер патента: US20190177162A1. Автор: Kuan-Ting Lai,Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-13.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879A. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-08.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: SG181418A1. Автор: Haavard Soerheim,Arve Solheim,De Schootbrugge Egbert Van. Владелец: Saint Gobain Ind Keramik Roedental Gmbh. Дата публикации: 2012-07-30.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Arve Solheim,Havard Sorheim,Egbert Van De Schootbrugge. Владелец: Saint Gobain IndustrieKeramik Roedental GmbH. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2060241A1. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-11-23.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: WO2021034385A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on plastic

Номер патента: US20210180177A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Forming a composite pressure diaphragm with implantations, epitaxy, and a silicon nitride layer

Номер патента: WO2002054032A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Gilberto Morales. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-07-11.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE, SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE SHEET, CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE

Номер патента: US20190031566A1. Автор: Fujita Suguru,TESHIMA Hiroyuki,Imamura Hisayuki,Kaga Youichirou,HAMAYOSHI Shigeyuki. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2019-01-31.

SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER

Номер патента: US20170107109A1. Автор: Jida Shinsuke,Yamao Takeshi,Honda Michio. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

The manufacturing method of alpha-silicon nitride powders, silicon nitride sinter and circuit board and alpha-silicon nitride powders

Номер патента: CN106470939B. Автор: 治田慎辅,山尾猛,本田道夫. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate, and production method for said silicon nitride powder

Номер патента: TW201605763A. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: Ube Industries. Дата публикации: 2016-02-16.

Silicon nitride sintered substrate, silicon nitride sintered substrate sheet, circuit substrate, and production method for silicon nitride sintered substrate

Номер патента: EP3438075A4. Автор: Hisayuki Imamura,Suguru Fujita,Shigeyuki Hamayoshi,Youichirou Kaga,Hiroyuki Teshima. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Manufacturing method for silicon nitride fluorescent substance using metal silicon oxynitride fluorescent substance, halo-nitride red fluorescent substance, manufacturing method for same and light emitting element comprising same

Номер патента: WO2012165906A2. Автор: 김창해,이정표,최강식,유화성,채혜원. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2012-12-06.

Silicon nitride substrate manufacturing method and silicon nitride substrate

Номер патента: JP7272370B2. Автор: 哲夫 山田,耕司 柴田,卓司 王丸,昌孝 藤永,道夫 本田. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2023-05-12.

Sintering aid composite additive for silicon nitride ceramic slurry, silicon nitride ceramic slurry and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111484335A. Автор: 曾小锋,隋志强,陈巨喜. Владелец: Hengyang Kaixin Special Materials Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Silicon nitride sintered body, process for producing the same, ceramic heater employing the silicon nitride sintered body and glow plug containing the ceramic heater

Номер патента: US20020096802A1. Автор: Masahiro Konishi,Shindo Watanabe. Владелец: Shindo Watanabe. Дата публикации: 2002-07-25.

Slurry-designated silicon nitride powder and method for producing same, silicon nitride powder slurry for use in mold release agent and method for producing same, silicon nitride powder for use in mold release agent, mold release agent, and polycrystalline-silicon-casting mold and method for producing same

Номер патента: EP3106431A4. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-20.

Coated article having a protective coating containing silicon nitride and/or silicon oxynitride

Номер патента: US12077468B2. Автор: James J. Finley,Paul A. Medwick,Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE PHOSPHOR, SILICON NITRIDE POWDER FOR NITRIDE PHOSPHOR, AND NITRIDE PHOSPHOR

Номер патента: US20160024379A1. Автор: Fujinaga Masataka,Ueda Takayuki,Jida Shinsuke,Sumino Mao,Iwashita Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon nitride-based ceramics and cutting tools manufactured therefrom

Номер патента: RU2110369C1. Автор: К.Мехротра Пенкай,Д.Никсон Роберт. Владелец: Кеннаметал Инк.. Дата публикации: 1998-05-10.

Method for producing nitride phosphor, silicon nitride powder for nitride phosphor, and nitride phosphor

Номер патента: CN105008486A. Автор: 藤永昌孝,治田慎辅,上田孝之,岩下和树,隅野真央. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet, and silicon nitride sintered body

Номер патента: US20220098121A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet and silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3919247A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member using same, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4155565A4. Автор: Katsuyuki Aoki,Kai Funaki,Takayuki Fukasawa,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Multilayered boron nitride/silicon nitride fiber coatings

Номер патента: US20070117484A1. Автор: Michael Kmetz. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member using same, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4159703A4. Автор: Kai Funaki. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A4. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD, SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Fujinaga Masataka,SHIBATA Koji,Yamao Takeshi,Honda Michio,Fujii Takayuki,Ohmaru Takuji. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2015-02-26.

Silicon nitride powder for mold release agent of casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing said silicon nitride powder, slurry containing said silicon nitride powder, casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing same, and method for manufacturing polycrystalline silicon ingot using said casting mold

Номер патента: US20160159648A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Volume-change resistant silicon oxy-nitride or silicon oxy-nitride and silicon nitride bonded silicon carbide refractory

Номер патента: CN102056862A. Автор: E·A·科特利尼,N·F·莱沃伊,E·乔治. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

SET TO MAKE A FORMULA OF SILICON NITRID THROUGH ISOSTATIC PRESSURE OF A SILICON NITRID POWDER FORMATED BODY WITH A GAS SHAPE PRESSURE MEDIUM IN A PRESSURE CIRCUIT FOR A SINCERATION OF SILICON NITRID ...

Номер патента: SE413400B. Автор: J Adlerborn,H Larker,J Nilsson. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-05-27.

Volume-change resistant silicon oxy-nitride or silicon oxy-nitride and silicon nitride bonded silicon carbide refractory

Номер патента: EP2634160A1. Автор: Eric Jorge,Nancy F. Levoy,Edmund A. Cortellini. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

Silicon nitride roller, method for manufacturing silicon nitride roller, and method for inspecting silicon nitride roller

Номер патента: WO2016133211A1. Автор: 田中　裕. Владелец: Ntn株式会社. Дата публикации: 2016-08-25.

Coated article having a protective coating containing silicon nitride and/or silicon oxynitride

Номер патента: AU2019222698B2. Автор: James J. Finley,Paul A. Medwick,Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: EP2832687B1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-14.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: EP2832687A4. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

METHOD FOR PREPARING SILICON-CARBIDE-SILICON-NITRIDE COMPOSITE MATERIAL, AND SILICON-CARBIDE-SILICON-NITRIDE COMPOSITE MATERIAL ACCORDING TO SAME

Номер патента: US20220144710A1. Автор: Lee Sang Chul. Владелец: TOKAI CARBON KOREA CO., LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

SILICON NITRIDE WEAR RESISTANT MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT

Номер патента: US20160137556A1. Автор: YAMAGUTI Haruhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

VANADIUM SILICON NITRIDE FILM, MEMBER COATED WITH VANADIUM SILICON NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Matsuoka Hiroyuki,Sakakibara Wataru,HABUKA Satoru. Владелец: DOWA THERMOTECH CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-26.

Silicon nitride powder and silicon nitride-containing aqueous slurry

Номер патента: JP3314554B2. Автор: 哲夫 山田,耕司 柴田,浩 柳沢. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2002-08-12.

Method for producing silicon nitride powder and silicon nitride sintered body

Номер патента: JP6690734B2. Автор: 哲夫 山田,耕司 柴田,卓司 王丸,猛 山尾,山田　哲夫. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Manufacturing method of pre-sintered porous Si-mixture granules for porous sintered reaction-bonded silicon nitride, pre-sintered porous granules therefrom, and method manufacturing the porous sintered reaction-bonded silicon nitride

Номер патента: KR101233744B1. Автор: 송인혁,박영조,장욱경. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2013-02-18.

Silicon nitride/the aluminium nitride of a kind of self-reinforcing toughness reinforcing/lanthanum barium Aluminous Silicate Glass-Ceramics trielement composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN106830690A. Автор: 韩磊,张静,罗志伟,张骞,宋俊,刘建磊,卢安贤,于静波. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon nitride phosphorescent substance alpha-silicon nitride powders, utilize the CaAlSiN of this powder 3phosphorescent substance, utilize the Sr of this powder 2si 5n 8phosphorescent substance, utilize (Sr, Ca) AlSiN of this powder 3phosphorescent substance, utilize the La of this powder 3si 6n 11the manufacture method of phosphorescent substance and this phosphorescent substance

Номер патента: CN103201213B. Автор: 藤永昌孝,酒井拓马,治田慎辅,上田孝之. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Method for manufacturing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder therefrom

Номер патента: KR20220131011A. Автор: 박규환,정훈. Владелец: 주식회사 아모텍. Дата публикации: 2022-09-27.

Multilayer silicon nitride antireflection film of crystalline silicon solar cell and preparation method of multilayer silicon nitride antireflection film

Номер патента: CN102339872A. Автор: 郭进,罗亮,刘海平,刘文峰,任哲. Владелец: HUNAN HONGTAIYANG NEW ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

The granular silicon nitride for preparing the method for silicon nitride and do not have whisker by the silicon-dioxide carbonitriding

Номер патента: CN1071640A. Автор: R·巴舍拉尔,J·-P·迪松. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1993-05-05.

CONTINUOUS PROCESS FOR THE PREPARATION OF SILICON NITRIDE BY CARBONITRURATION AND THE SILICON NITRIDE THUS OBTAINED.

Номер патента: FR2687393B1. Автор: Roland Bachelard,Jean-Pierre Disson,Bruno Morlhon. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1994-04-15.

Silicon nitride based material - with a coating of silicon nitride or silicon carbide

Номер патента: FR2344512A1. Автор: . Владелец: Gesellschaft fuer Kernforschung mbH. Дата публикации: 1977-10-14.

CONTINUOUS PROCESS FOR THE PREPARATION OF SILICON NITRIDE BY CARBONITRURATION AND SILICON NITRIDE THUS OBTAINED

Номер патента: FR2687393A1. Автор: Disson Jean-Pierre,Bachelard Roland,Morlhon Bruno. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1993-08-20.

Silicon nitride powder for mold release agent of polycrystalline silicon ingot casting mold and manufacturing method thereof, slurry containing silicon nitride powder, casting mold for polycrystalline silicon ingot and manufacturing method thereof, and polycrystalline silicon using the mold Manufacturing method of ingot casting

Номер патента: JP5975176B2. Автор: 猛 山尾,慎輔 治田,道夫 本田,孝行 藤井. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon-nitride-sintered body

Номер патента: CA1217506A. Автор: Hiroshi Inoue,Michiyasu Komatsu,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, silicon nitride powder for mold release material, silicon nitride powder-containing slurry for mold release layer, and mold release material for casting

Номер патента: JP5700052B2. Автор: 猛 山尾,慎輔 治田,道夫 本田. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Silicon nitride boron nitride composite sintered body and manufacture

Номер патента: JPS56120575A. Автор: Akira Miyamoto,Masaru Ishikawa,Masaaki Nishi,Akira Shironita,Kenki Ishizawa. Владелец: Shinagawa Refractories Co Ltd. Дата публикации: 1981-09-21.

Silicon nitride film forming method and silicon nitride film forming apparatus

Номер патента: KR100984658B1. Автор: 모리사끼히또시,가미야야스시,노무라슈지,도쯔까마사히로,오꾸도모끼,하또리료. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-10-01.

Moldable silicon nitride green-body composite and reduced density silicon nitride ceramic process

Номер патента: US11365155B1. Автор: Mark HAWTHORNE. Владелец: Atc Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon nitride whisker reinforced nitride composite material for 3D printing radar antenna housing and preparation and printing methods

Номер патента: CN115073195B. Автор: 成来飞,张立同,叶昉,许泽水,吕鑫元. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2023-04-18.

Silicon nitride powder, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: WO2021200830A1. Автор: 敏行 宮下,中村　祐三. Владелец: デンカ株式会社. Дата публикации: 2021-10-07.

Silicon nitride gradient porous capillary core for loop heat pipe and preparation method of bonding coating of silicon nitride gradient porous capillary core

Номер патента: CN107935622B. Автор: 王�锋,曾宇平,左开慧,夏咏锋,姚冬旭,尹金伟,梁汉琴. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2021-02-12.

Silicon nitride powder and production method therefor, and production method for silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3950582A4. Автор: Yuzo Nakamura,Toshiyuki Miyashita. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

SINTERED SILICON NITRIDE COMPOUND / BORON NITRIDE AND METHOD FOR ITS PREPARATION

Номер патента: IT1135575B. Автор: Miyamoto Akira,Ishikawa Masaru,Nishi Masaaki,Ishizawa Kenki,Shiranita Akira. Владелец: Shinagawa Refractories Co. Дата публикации: 1986-08-27.

Silicon nitride film, preparation method, silicon wafer containing silicon nitride film and solar battery

Номер патента: CN102820342A. Автор: 王涛,李倩,李永超,范志东,赵学玲,解占壹. Владелец: Yingli Energy China Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

METHOD FOR THE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS AND / OR SILICON OXIDE NITRIDE FILMS BY CVD

Номер патента: DE602006008190D1. Автор: Christian Dussarrat. Владелец: LAir Liquide SA a Directoire et Conseil de Surveillance pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-09-10.

Silicon nitride powder and method for producing same, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: TW202106615A. Автор: 田中孝明,竹田豪,塩月宏幸. Владелец: 日商電化股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-16.

Sintering aid for preparing silicon nitride ceramic, application of sintering aid and preparation method of silicon nitride ceramic

Номер патента: CN113105252A. Автор: 孙峰,曹冲,李泽坤,张伟儒,李洪浩,徐金梦,董廷霞,徐学敏,丁智杰,魏文钊. Владелец: Sinoma Advanced Nitride Ceramics Co ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Silicon nitride powder and production method therefor, and production method for silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3950582B1. Автор: Yuzo Nakamura,Toshiyuki Miyashita. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Silicon nitride powder and method for producing same, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3950583B1. Автор: Yuzo Nakamura,Toshiyuki Miyashita. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Titanium carbo-nitride complex silicon nitride tool

Номер патента: HU9700936D0. Автор: Hideki Kato,Masaru Matsubara,Kazuhiro Shintani,Yasuhiro Ninomiya,Shinya Ogimoto. Владелец: Ngk Spark Plug Co. Дата публикации: 1997-07-28.

Titanium carbo-nitride complex silicon nitride tool

Номер патента: HUP9700936A3. Автор: . Владелец: Ngk Spark Plug Co Ltd Nagoya. Дата публикации: 2002-01-28.

Mold for Casting Polycrystalline Silicon Ingot, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material Thereof, Slurry Containing Silicon Nitride Powder for Mold Release Layer Thereof and Mold Release Material for Casting Thereof

Номер патента: US20130273189A1. Автор: Jida Shinsuke,Yamao Takeshi,Honda Michio. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF MANUFACTURING POROUS SINTERED REACTION-BONDED SILICON NITRIDE CERAMICS FROM GRANULAR Si MIXTURE POWDER AND POROUS SINTERED REACTION-BONDED SILICON NITRIDE CERAMICS MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20140035206A1. Автор: Park Young Jo,Song In Hyuck,PARK Boo Won. Владелец: KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE SHEET-TYPE GREEN SHEET, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SINGLE SHEET-TYPE GREEN SHEET, AND SILICON NITRIDE SINTERED BODY

Номер патента: US20220098121A1. Автор: Nishimura Koji,YUASA Akimasa,KOBASHI Seiji,ESHIMA Yoshiyuki,WATANABE Ryuhei. Владелец: Denka Company Limited. Дата публикации: 2022-03-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR ELECTROLESS PLATING OF THIN GOLD FILMS DIRECTLY ONTO SILICON NITRIDE AND INTO PORES IN SILICON NITRIDE

Номер патента: US20170130338A1. Автор: DWYER Jason Rodger,WHELAN Julie C.,BANDARA Y.M. Nuwan D.Y.,KARAWDENIYA Buddini I.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR RAPID INACTIVATION OF SARS-COV-2 BY SILICON NITRIDE AND ALUMIMUM NITRIDE

Номер патента: US20210227832A1. Автор: McEntire Bryan J.,Bock Ryan M.,Bal Bhajanjit Singh. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding silica and silicon nitride in the form of whisker-free particles

Номер патента: AU655039B2. Автор: Roland Bachelard,Jean-Pierre Disson. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1994-12-01.

Beta-silicon nitride nanowire enhancing nitride porous silicon composite and preparation method thereof

Номер патента: CN108033801A. Автор: 李斌,李端,于坤江,高世涛,杨雪金,郑远义. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon nitride die for hot extention and a manufaturing method thereof

Номер патента: KR101364380B1. Автор: 박동진. Владелец: (주)두성이앤티. Дата публикации: 2014-02-17.

Method for preparing high-purity alpha-silicon nitride powder and high-purity alpha-silicon nitride powder

Номер патента: CN113493191B. Автор: 黄彬,张吉武,张耀华,李小东,王思嘉,马海安,宗鑫. Владелец: Xinjiang Jingshuo New Material Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Silicon nitride fluor alpha-silicon nitride powders, the Sr using it to obtain 3al 3si 13o 2n 21fluor and β-Sialon phosphor and their preparation method

Номер патента: CN103068728B. Автор: 藤永昌孝,酒井拓马,治田慎辅. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-23.

Preparation method of boron nitride/silicon nitride composite interface layer on fiber surface

Номер патента: CN108752012B. Автор: 焦健,杨金华,齐哲,吕晓旭,姜卓钰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2020-11-13.

Silicon nitride coated clays and method of preparation

Номер патента: US4810580A. Автор: C. Arlyn Rice. Владелец: ECC America Inc. Дата публикации: 1989-03-07.

Solar selective coating for harnessing solar energy, e.g. for solar steam generation, includes three solar absorber layers containing titanium aluminum nitride, titanium-aluminum-oxynitride and silicon nitride, respectively

Номер патента: DE102006039669A1. Автор: Harish Chandra Barshilia,Vatika Krishnamurthy William Grips,Karaikudi Sankaranarayana Rajam. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2008-02-28.

Solar absorber layer system comprises two subsystems comprising transparent, highly-refractive dielectric layer containing silicon nitride and partially absorbing layer containing metal or alloy or its oxide, nitride or oxynitride

Номер патента: DE102009016708A1. Автор: Holger Dr. Pröhl,Christoph Dr. Köckert,Markus Berendt. Владелец: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2009-10-22.

High thermal conductivity silicon nitride sintered body and silicon nitride structural member

Номер патента: JP4869070B2. Автор: 通泰 小松. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Process for converting nitrides that are difficult to digest, such as silicon nitrides, into a more easily digestible form or compound

Номер патента: DE419211C. Автор: . Владелец: ERNST FRIEDERICH DR. Дата публикации: 1925-09-26.

Shaped silicon nitride body prodn - by forming body from silicon and (inter)metallic phase dissolving the latter and nitriding silicon

Номер патента: FR2255394A1. Автор: . Владелец: Deutsche Gold und Silber Scheideanstalt. Дата публикации: 1975-07-18.

Highly heat conductive silicon nitride sintered body and silicon nitride structural member

Номер патента: EP1666434A1. Автор: Michiyasu/TOSHIBA MATERIALSCO.LTD KOMATSU. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Highly heat conductive silicon nitride sintered body and silicon nitride structural member

Номер патента: WO2005113466A1. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon nitride ceramics slurry and preparation method thereof and the application for preparing Silicon Nitride Slips by Tape Casting

Номер патента: CN107857595A. Автор: 谢建军,雷芳,章蕾,施鹰,贾颍飞,丁毛毛. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-03-30.

High-heat conductivity silicon nitride-aluminum nitride composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN105503199A. Автор: 张玉军,张琳,刘玉,龚红宇,郭学,冯玉润,王仙丽. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2016-04-20.

Nanocomposites of silicon nitride, silicon carbide, and boron nitride

Номер патента: US20050173840A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-08-11.

Silicon nitride powder and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: WO2021200814A1. Автор: 敏行 宮下,中村　祐三. Владелец: デンカ株式会社. Дата публикации: 2021-10-07.

METHOD FOR PRODUCING MOLDED BODIES FROM REACTION-TIED SILICON NITRIDE BY NITRIDING AT HIGH NITROGEN GAS PRESSURE.

Номер патента: DE3681622D1. Автор: Peter Arnold,Klaus Hunold,Alfred Lipp,Klaus Reinmuth,Johannes Napholcz. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1991-10-31.

High strength and fracture toughness sintered silicon nitride body mfr. - by wet milling silicon nitride powder with additives, drying and sintering, esp. for machine and tool cutting and wear parts

Номер патента: DE4126510A1. Автор: Susanne Kessler,Mathias Dr Herrmann,Christian Dr Schubert. Владелец: Christian Dr Schubert. Дата публикации: 1993-02-11.

Solar protection glazing comprising a thin layer based on titanium nitride and a layer of silicon nitride sub-stoichiometric in nitrogen.

Номер патента: FR3118440A1. Автор: Vinicius Da Silva Balani,Jean Lorenzzi. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2022-07-01.

Silicon nitride ceramic used as a cutting ceramic or as a substrate for coatings contains, as sintering aid, dysprosium oxide, aluminum oxide inserted as aluminum nitride and magnesium oxide

Номер патента: DE19939173A1. Автор: Michael Fripan,Ulrich Mowlai,Dieter Theil,Conrad Haeusermann,Alwin Nagel. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2001-02-22.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, and silicon nitride powder for mold release material, slurry containing silicon nitride powder for mold release layer and casting release material therefor

Номер патента: EP2660202B1. Автор: Takeshi Yamao,Michio Honda,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Method for manufacturing the porous Silicon Nitride ceramics and the porous Silicon Nitride ceramics thereof

Номер патента: KR100605056B1. Автор: 박동수,한병동. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2006-07-28.

Silicon nitride powder and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: WO2021200865A1. Автор: 敏行 宮下,中村　祐三. Владелец: デンカ株式会社. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for synthesizing silicon nitride and aluminum nitride at one time

Номер патента: CN106365641A. Автор: 林永兴,汪思保. Владелец: Anhui Technovo Lidar Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

Manufacturing Methods of Porous Sintered Reaction-Bonded Silicon Nitride and Porous Sintered Reaction-Bonded Silicon Nitride Fabricated Thereby

Номер патента: KR101155549B1. Автор: 이재욱,송인혁,박영조,이세훈,박부원. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2012-06-19.

Microcrystalline glass solder and method for welding porous silicon nitride and compact silicon nitride by using same

Номер патента: CN108640522B. Автор: 张�杰,刘春凤,方健,孙良博,汪宣志. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-03-30.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member using same, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: CN115667184A. Автор: 青木克之,深泽孝幸,船木开,佐野翔哉. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Composite silicon nitride mouldings - where mouldings are joined together by flame sprayed bonding layer contg. magnesium oxide and silicon nitride

Номер патента: DE2810380A1. Автор: Gerhard Reber,Ekkehard Lange. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 1979-09-27.

Continuous carbonitriding process for the preparation of silicon nitride; silicon nitride thus produced

Номер патента: CA2089700A1. Автор: Roland Bachelard,Jean-Pierre Disson,Bruno Morlhon. Владелец: Bruno Morlhon. Дата публикации: 1993-08-19.

Nitriding high alloy steel by electroslag remelting - using an electrode contg. deoxidant and silicon nitride

Номер патента: DE2924415A1. Автор: Johannes Jachowski,Paul Dipl Ing Pant,Rudolf Dipl Phys Dr Rer N Mohs. Владелец: Fried Krupp AG. Дата публикации: 1980-12-18.

Silicon nitride foamed ceramic with multilevel structure and preparation method by combination of siliconizing, nitriding and in-situ growing whiskers or nanowires with CVI (chemical vapor infiltration) process

Номер патента: CN115368161A. Автор: 张青,成来飞,崔雪峰,叶昉,罗熙烨. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2022-11-22.

A stab-resisting material coated with abrasive particles such as silicon carbide, titanium carbide, alumina, tungsten carbide, titanium nitride and silicon nitride which confers stab resistance properties

Номер патента: NZ337999A. Автор: Joseph Judith Breukers. Владелец: Twaron Products V. Дата публикации: 2001-02-23.

Sintered silicon nitride and silicon nitride tool

Номер патента: EP1312592A2. Автор: Kohei c/o NGK Spark Plug Co. Ltd Abukawa. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Polycrystalline silicon ingot casting mold, and silicon nitride powder for mold release material, slurry containing silicon nitride powder for mold release layer and casting release material therefor

Номер патента: CN103282307B. Автор: 治田慎辅,山尾猛,本田道夫. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

Ceramic bodies, such as crucibles e.g. for crystallized silicon production, have high-purity, high-adhesion silicon nitride coating applied from dispersion and nitrided

Номер патента: DE102006003820A1. Автор: Holger Dipl.-Chem.Dr. Szillat. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for brazing AlON ceramics and boron nitride/silicon nitride composite ceramics by adopting Ag-Cu-Ti brazing filler metal

Номер патента: CN106673685A. Автор: 张�杰,陶锐,刘春凤,刘明旭,魏庆晶. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2017-05-17.

Silicon nitride sintered body, method of preparing the same and nitrided compact

Номер патента: EP0901994B1. Автор: Akira Yamakawa,Seiji Nakahata,Michimasa Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-10-09.

A kind of preparation method of fiber surface boron nitride/silicon nitride compound interface layer

Номер патента: CN108752012A. Автор: 焦健,杨金华,齐哲,吕晓旭,姜卓钰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2018-11-06.

Vanadium silicon nitride film, vanadium silicon nitride film coated member, and method for manufacturing same.

Номер патента: MX2019007730A. Автор: Matsuoka Hiroyuki,Sakakibara Wataru,HABUKA Satoru. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Silicon nitride powder and method for producing same, and silicon nitride sintered body and method for producing same

Номер патента: WO2022202621A1. Автор: 豪 竹田,稔男 田中,直嗣 野上. Владелец: デンカ株式会社. Дата публикации: 2022-09-29.

Systems and methods for electroless plating of thin gold films directly onto silicon nitride and into pores in silicon nitride

Номер патента: WO2015196195A2. Автор: Jason Rodger DWYER. Владелец: KARAWDENIYA, Buddini, I.. Дата публикации: 2015-12-23.

A hard high refractive index optical film made from sputtered silicon nitride or silicon oxynitride

Номер патента: WO2020101882A3. Автор: Lin Lin,Shandon Dee Hart,Chang-Gyu Kim,Carlo Anthony Kosik Williams,Charles Andrew Paulson,James Joseph Price,Jung-Keun Oh,Karl William Koch Iii,Dong-Gun Moon. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet and silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3919247B1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Method forming coatings based on pyrolytic silicon nitride which is boron

Номер патента: RU2168557C2. Автор: Артур Уиль м МУР,Артур Уильям Мур. Владелец: Адванст Керамикс Корпорейшн. Дата публикации: 2001-06-10.

CERAMIC NANOSTRUCTURED MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2016142907A. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-03.

Bilayer silicon nitride polarization splitter and rotator

Номер патента: US20240230995A1. Автор: Jean-Luc Joseph Tambasco. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Firmly adhering silicon nitride-containing release layer

Номер патента: TW200920797A. Автор: Krishna Uibel. Владелец: Esk Ceramics Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2009-05-16.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: AU2003222246A1. Автор: Philip J. Lingle. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of sintering silicon nitride based materials

Номер патента: SE9601159D0. Автор: Marianne Collin,Marian Mikus. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 1996-03-25.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A4. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film

Номер патента: IL258508B1. Автор: . Владелец: Versum Mat Us Llc. Дата публикации: 2024-06-01.

Bimodal silicon nitride - bas ceramic composites

Номер патента: AU6888400A. Автор: Feng Yu,Kenneth W. White. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2000-11-21.

High-strength porous silicon nitride body and process for producing the same

Номер патента: TW460426B. Автор: Chihiro Kawai,Akira Yamakawa,Takahiro Matsuura. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2001-10-21.

Making hot pressed silicon nitride by use of low density reaction bonded body

Номер патента: ZA844467B. Автор: Andre Exis. Владелец: Ford Motor Canada. Дата публикации: 1985-01-30.

Making hot pressed silicon nitride by use of low density reaction bonded body

Номер патента: AU1046083A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1984-05-04.

Silicon nitride-based material, the production and utilization thereof in microwave processes

Номер патента: AU3038700A. Автор: Monika Willert-Porada,Thorsten Gerdes,Lothar SCHÖNFELDER,Gerhard WÖTTING. Владелец: Cfi Ceramics For Industry Gmbh. Дата публикации: 2000-07-12.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: AU2021365638A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Preparation of silicon nitride powder

Номер патента: GB8811944D0. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1988-06-22.

Silicon nitride wave-transparent material, and preparation process and preparation device thereof

Номер патента: GB202316471D0. Автор: . Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Waveguide junction with silicon nitride

Номер патента: WO2000073828A1. Автор: Arnold Peter Roscoe Harpin,Andrew George Rickman. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2000-12-07.

Process for producing high purity silicon nitride by the direct reaction between elemental silicon and nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: SE8803258D0. Автор: E A Pugar,P E D Morgan. Владелец: Us Energy. Дата публикации: 1988-09-15.

Process for producing high purity silicon nitride by direct reaction between elemental silicon & nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: GB8821956D0. Автор: . Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1988-10-19.

Fine silicon nitride powder having high content of alpha phase and method of making same

Номер патента: JPS5375200A. Автор: Masaaki Mori,Norihei Takai. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1978-07-04.

Method of making silicon nitride comprising objects

Номер патента: AU1945283A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1985-03-04.

Method of manufacturing *saiaron* *solid solution of silicon nitride and alumina* fine powder and its moldings

Номер патента: JPS5377209A. Автор: Naoyoshi Maeda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1978-07-08.

Asymmetric waveguide configuration on silicon nitride basis

Номер патента: WO2015143962A1. Автор: Tom Collins,Joost Brouckaert. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: IL212540A0. Автор: . Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2011-07-31.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: IL212540A. Автор: . Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2016-08-31.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: TW201210985A. Автор: Laurent Blanchard,Jerome Chevalier,Yann Vitupier,Gilbert Fantozzi,Aurelien Pelletant,Helen Reveron. Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2012-03-16.

Method of making a duo density silicon nitride article

Номер патента: AU7635274A. Автор: Michael U Goodyear,Karsten H Styhr,Arthur F Mclean,Eugene A Fisher. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1976-06-17.

Process for producing sintered silicon nitride-base body

Номер патента: DE3275538D1. Автор: Akihiko C O Tokyo Shibau Tsuge,Michiyasu C O Tokyo Sh Komatsu,Hiroshi C O Tokyo Shibau Inoue,Katsutoshi C O Tokyo Sh Komeya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-04-09.

Tunable silicon nitride waveguide structure

Номер патента: US20240272369A1. Автор: Donald J. Adams,Matthew J. Traverso. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon nitride materials

Номер патента: GB2189507B. Автор: Helen Pickup,Professor Richard John Brook. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1989-11-22.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A4. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: CA3195650A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: EP4232422A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: WO2022087522A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A4. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Preparation of silicon nitride powder

Номер патента: GB2204862B. Автор: Laszlo Marosi. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1991-01-30.

Preparation of silicon nitride powder

Номер патента: GB2204862A. Автор: Laszlo Marosi. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1988-11-23.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: AU2002350069A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: MARK Manufacturing Inc Q. Дата публикации: 2003-05-19.

Waveguide junction with silicon nitride

Номер патента: GB9912737D0. Автор: . Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 1999-08-04.

Waveguide junction with silicon nitride

Номер патента: AU4938600A. Автор: Arnold Peter Roscoe Harpin,Andrew George Rickman. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2000-12-18.

Forming a composite pressure diaphragm with implantations, epitaxy, and a silicon nitride layer

Номер патента: EP1348110A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Gilberto Morales. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Sintered silicon nitride-based materials suitable as roller bearing material,and method for producing same

Номер патента: GB8916608D0. Автор: . Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1989-09-06.

Process for manufacture of dense neodymium stabilised beta-silicon nitride - alpha-SiAlON composite

Номер патента: US20060089250A1. Автор: Siddhartha Bandyopadhyay,Himadri Maity. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Silicon nitride-based sintered body, and corrosion-resistant member, sliding member and member for paper-making machine each manufactured using same

Номер патента: EP3029008A4. Автор: Yoshinori Hirano,Mizuho Oota,Takehiro Oda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-04-12.

Verfahren zum Bearbeiten von Silicon-Nitrid-Keramik und Produkten aus derselben Keramik

Номер патента: DE69219585D1. Автор: Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-06-12.

Porus silicon nitride semiconductor dopant carriers

Номер патента: IE841413L. Автор: . Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1984-12-08.

Making hot pressed silicon nitride by use of low density reaction bonded body

Номер патента: AU1829883A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-03-04.

Silicon nitride ceramic, and silicon-based composition and method for its production

Номер патента: EP1081118B1. Автор: Seiji Nakahata,Michimasa Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-10-09.

Silicon nitride materials

Номер патента: GB8708788D0. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1987-05-20.

Improvements in or relating to the production of silicon nitride refractory artefacts

Номер патента: AU480603B2. Автор: Sidney Oneill And Calvin Eric Silverstone John. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1977-02-04.

Treatment of reaction-bonded silicon nitride articles

Номер патента: GB9004062D0. Автор: . Владелец: T&N Technology Ltd. Дата публикации: 1990-04-18.

Improvements in or relating to the production of silicon nitride refractory artefacts

Номер патента: AU7302474A. Автор: Sidney Oneill And Calvin Eric Silverstone John. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1975-01-16.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: AU2021365638A9. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A4. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated photonics optical gyroscopes with improved sensitivity utilizing high density silicon nitride waveguides

Номер патента: US20240337790A1. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia,Warren Bruce Jin. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon nitride powder for sintering

Номер патента: EP4137453A4. Автор: Hideaki Kawai,Satoru Wakamatsu. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Sintered silicon nitride of high toughness, strength and reliability.

Номер патента: GR3024703T3. Автор: Chien-Wei Li,Jeffrey A Goldacker. Владелец: Allied Signal Inc. Дата публикации: 1997-12-31.

Silicon Nitride Powder for Siliconnitride Phosphor, CaAlSiN3 Phosphor Using Same, Sr2Si5N8 Phosphor Using Same, (Sr, Ca)AlSiN3 Phosphor Using Same, La3Si6N11Phosphor Using Same, and Methods for Producing the Phosphors

Номер патента: US20130140490A1. Автор: Fujinaga Masataka,Ueda Takayuki,Jida Shinsuke,Sakai Takuma. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Silicon Nitride Powder for Siliconnitride Phosphor, Sr3Al3Si13O2N21 Phosphor and B-Sialon Phosphor Both Obtained Using Same, and Processes for Producing These

Номер патента: US20130153824A1. Автор: Fujinaga Masataka,Jida Shinsuke,Sakai Takuma. Владелец: UBE INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

FORMATION OF SILICON CARBIDE-SILICON NITRIDE NANOPARTICLE CARBON COMPOSITIONS

Номер патента: US20130196844A1. Автор: Keller Teddy M.,Laskoski Matthew,Qadri Syed B.,Saab Andrew. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2013-08-01.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining charge material for synthesis of silicon nitride

Номер патента: RU2465197C2. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Владимир Анатольевич Полюшко,Александр Николаевич Ищенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное общество "МИПОР". Дата публикации: 2012-10-27.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

Method of obtaining of cubic silicon nitride

Номер патента: RU2331578C2. Автор: Александр Васильевич Уткин,Владимир Евгеньевич ФОРТОВ,Анатолий Николаевич Дремин,Виктор Филиппович Таций,Андрей Николаевич Жуков,Александр Викторович Ананьин,Александра Иринеевна Рогачева. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of connecting ceramic units from silicon nitride

Номер патента: RU2365564C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Юрьевна Келина,Тамара Федоровна Баранова,Ираида Николаевна Курская,Владимир Васильевич Викулин (RU),Игорь Леонидович Шкарупа (RU),Тамара Федоровна Баранова (RU),Ирина Юрьевна Келина (RU),Ираида Николаевна Курская (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-08-27.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of obtaining composite powders based on alpha-phase of silicon nitride by shs method

Номер патента: RU2556931C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of producing silicon nitride-based sintered articles

Номер патента: RU2458023C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Нелля Александровна Попова,Александр Иванович Захаров,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing cover of antenna dome out of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: RU2453520C1. Автор: Ирина Юрьевна Келина,Каюм Билялович Шамшетдинов,Ираида Николаевна Курская,Валентина Николаевна Рудыкина,Анатолий Степанович Шаталин,Виктор Юрьевич Шеянов,Александр Иванович Ганичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of obtaining ultradisperse silicon nitride powder

Номер патента: RU2541058C1. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Александр Юрьевич Бирюков,Владимир Анатольевич Полюшко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-02-10.

Silicon nitride preparation process

Номер патента: RU2257338C1. Автор: Ю.М. Максимов,Л.Н. Чухломина,А.Н. Аврамчик. Владелец: Томский научный центр СО РАН. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of making articles from silicon nitride

Номер патента: RU2540674C2. Автор: Владимир Никитович Анциферов,Валентина Борисовна Кульметьева,Максим Николаевич Каченюк,Екатерина Николаевна Прямилова,Федор Николаевич Овсянников,Артур Шафикович Зайдулин,Антон Евгеньевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Реализация инженерно-технических целей порошковой металлургии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing silicon nitride-based products

Номер патента: RU2239613C1. Автор: В.В. Викулин,И.Н. Курска,И.Н. Курская,В.Н. Рудыкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2004-11-10.

Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide

Номер патента: CA1096893A. Автор: Charles D. Greskovich,Chester R. O'Clair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Method of obtaining technological trainings of ceramic articles from silicon nitride

Номер патента: RU2641358C2. Автор: Вячеслав Викторович Сирота,Ольга Александровна Лукьянова,Василий Сергеевич Докалов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-01-17.

Silicon nitride with increased alpha-phase content

Номер патента: RU2149824C1. Автор: И.П. Боровинская,А.Г. Мержанов,В.В. Закоржевский,Т.И. Игнатьева,Л.П. Савенкова. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. Дата публикации: 2000-05-27.

Method of applying silicon nitride-based coating on glass, in particular, quartz, surface

Номер патента: RU2121985C1. Автор: И.С. Епифановский,ев А.В. Шир,А.В. Ширяев,В.Т. Заболотный,В.О. Вальднер,Е.Е. Старостин,С.А. Терешин,Е.В. Бовбель,С.Д. Рудник. Владелец: Научно-производственное объединение машиностроения. Дата публикации: 1998-11-20.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Coarse reaction bonded silicon nitride

Номер патента: WO1995008519B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-06-08.

STRUCTURE WITH ISOTROPIC SILICON RECESS PROFILE IN NANOSCALE DIMENSIONS

Номер патента: US20120193715A1. Автор: Lauer Isaac,ZHANG YING,Vichiconti James,Fuller Nicholas C.M.,Martin Ryan M.,Engelmann Sebastian Ulrich,Joseph Eric Andrew. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

STRUCTURE WITH ISOTROPIC SILICON RECESS PROFILE IN NANOSCALE DIMENSIONS

Номер патента: US20120193680A1. Автор: Lauer Isaac,ZHANG YING,Vichiconti James,Fuller Nicholas C.M.,Martin Ryan M.,Engelmann Sebastian Ulrich,Joseph Eric Andrew. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

Manufacturing method of silicon oxide in nitride and silicon nitride in oxide

Номер патента: TW546706B. Автор: Shr-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Rapid nitridation preparation method of silicon nitride-boron nitride composite ceramic though reactive sintering

Номер патента: CN103086720A. Автор: 乔冠军,金志浩,金海云,李延军,史忠旗,杨万利. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2013-05-08.

METHOD OF MANUFACTURING PRE-SINTERED SI-MIXTURE GRANULE FOR POROUS SINTERED REACTION-BONDED SILICON NITRIDE, POROUS PRE-SINTERED GRANULE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING POROUS SINTERED REACTION-BONDED SILICON NITRIDE

Номер патента: US20120196125A1. Автор: Park Young Jo,Jang Wook Kyung,Song In Hyuck. Владелец: KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS. Дата публикации: 2012-08-02.

Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20120270413A1. Автор: MAEKAWA Shinji,Kakehata Tetsuya,Takehara Yuuichi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

LOW TEMPERATURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CONFORMAL SILICON CARBON NITRIDE AND SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130183835A1. Автор: Xia Li-Qun,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Witty Derek R.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

Solder for braze welding silicon nitride ceramic and method for braze welding silicon nitride ceramic

Номер патента: CN101265120A. Автор: 张�杰,孙元. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2008-09-17.

Silicon nitride powder, silicon nitride sintered body, and circuit board for electronic components using the same

Номер патента: JP4089974B2. Автор: 寿之 今村,昌久 祖父江,繁幸 濱吉. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Preparation method of silicon nitride composite material and substrate prepared from silicon nitride composite material

Номер патента: CN103360078A. Автор: 李雪,刘若鹏,季春霖. Владелец: Kuang Chi Innovative Technology Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

A kind of flame retardant resistance and the high aluminium nitride-silicon nitride nano particle transformer oil of homogeneity and preparation method thereof

Номер патента: CN104099154B. Автор: 李新满. Владелец: Tongling Sanjia Transformer Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Growth method of silicon nitride film and preparation method of thick film silicon nitride waveguide device

Номер патента: CN112680715A. Автор: 张鹏,杨妍,李彬,唐波,李志华,谢玲,刘若男. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-04-20.

Silicon nitride ceramic aggregate substrate and manufacturing method therefor, and manufacturing method for silicon nitride sintered substrate

Номер патента: JP2017028192A. Автор: Atsushi Sasaki,淳 佐々木,手島　博幸,博幸 手島,Nobuaki Yoshioka,Hiroyuki Tejima,佐々木　淳,伸朗 吉岡. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

SLURRY COMPOSITIONS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE RELATIVE TO SILICON OXIDE, METHODS OF POLISHING A SILICON NITRIDE LAYER AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120007018A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Method for preparing silicon nitride nanowire-enhanced silicon nitride porous ceramics

Номер патента: CN103214264B. Автор: 沈强,王开宇,陈斐,张联盟,李飞宇. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2014-10-01.

Method for manufacturing silicon nitride / boron nitride composite sintered body

Номер патента: JPH0672057B2. Автор: 純一 朽木,英雄 三好,晴衛 伝田. Владелец: Nichias Corp. Дата публикации: 1994-09-14.

Silicon nitride - boron nitride- silicon dioxide ceramic wave-transparent material and preparation process thereof

Номер патента: CN1259281C. Автор: 刘建,高芳,张伟儒,王重海,刘子峰,范景林,徐鸿照. Владелец: Shandong Industrial Ceramics Research and Design Institute Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-14.

Bit reading method for silicon nitride read-only memory unit

Номер патента: CN100466105C. Автор: 朱季龄,许献文,沈建元. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Silicon nitride - boron nitride- silicon dioxide ceramic wave-transparent material and preparation process thereof

Номер патента: CN1569743A. Автор: 刘建,高芳,张伟儒,王重海,刘子峰,范景林,徐鸿照. Владелец: Shandong Industrial Ceramics Research and Design Institute Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-26.

Growth method of silicon nitride film and preparation method of thick film silicon nitride waveguide device

Номер патента: CN112680715B. Автор: 张鹏,杨妍,李彬,唐波,李志华,谢玲,刘若男. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-01-03.

Method for manufacturing silicon nitride filter, and silicon nitride filter

Номер патента: JP2010235421A. Автор: Hidenori Kita,英紀 北,Hiroaki Okano,宏昭 岡野,直樹 近藤,Jiro Tsuchida,Naoki Kondo,淳 菅井,二朗 土田,Atsushi Sugai,Hideki Hiuga,秀樹 日向. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-10-21.

Silicon nitride-titanium nitride composite ceramics and method for producing the same

Номер патента: JP2658944B2. Автор: 裕一 沢井,素之 宮田,義幸 安富,恒行 金井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-30.

Silicon Nitride Sintered Substrate, Electronic Equipment, and Silicon Nitride Sintered Substrate Manufacturing Method

Номер патента: JP6909120B2. Автор: 理 松本,光隆 高橋,大亮 加藤. Владелец: Maruwa Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Silicon nitride material and preparation method thereof, as well as silicon nitride heating device and production method thereof

Номер патента: CN101913879B. Автор: 梁田,刘文彬,张伟儒,彭珍珍. Владелец: BEIJING SINOMA SYNTHETIC CRYSTAL INSTITUTE Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

The preparation method of beta-silicon nitride nanowire reinforcing silicon nitride foam ceramic

Номер патента: CN109796222A. Автор: 陈俊,陈国兵,赵爽,杨自春,杨飞跃,袁硕伟. Владелец: Naval University of Engineering PLA. Дата публикации: 2019-05-24.

Method for producing silicon nitride film, and silicon nitride film

Номер патента: TWI684668B. Автор: 村上彰一,髙洋志,山脇正也,畑下晶保. Владелец: 日商大陽日酸股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-11.

Brazing alloy for brazing silicon nitride ceramic and the method of connecting silicon nitride ceramic with the brazing alloy

Номер патента: CN1609059A. Автор: 张�杰,周玉,冯吉才,方洪渊. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2005-04-27.

Preparation method of silicon nitride-based conductive ceramic and molding method of silicon nitride-based conductive ceramic cutting tool

Номер патента: CN104609865A. Автор: 曾俊杰,伍尚华,郭伟明,蒋强国,周茂鹏,古尚贤,李安琼,高棱. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-13.

β-type silicon nitride powder and method for producing β-type silicon nitride powder

Номер патента: JP3242431B2. Автор: 藤 元 英 安,崎 尚 登 広,友 護 三. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Method for preparing alpha phase and beta phase silicon nitride powder by improved direct nitriding method

Номер патента: CN103332662A. Автор: 王刚,王磊,王赫,张捷宇,刘国奇,余仲达. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-02.

Silicon nitride material and preparation method thereof, as well as silicon nitride heating device and production method thereof

Номер патента: CN101913879A. Автор: 梁田,刘文彬,张伟儒,彭珍珍. Владелец: BEIJING SINOMA SYNTHETIC CRYSTAL INSTITUTE Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Silicon nitride trap layer olive-shaped energy band gap structure and manufacturing method thereof of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) component

Номер патента: CN101872767A. Автор: 王函,林钢. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

Add the preparation method of the silicon nitride base self-lubricating ceramic cutting tool material of alumina-coated hexagonal boron nitride composite powder

Номер патента: CN104892005B. Автор: 陈辉,马骏,许崇海,肖光春,衣明东,陈照强. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2016-09-21.

Boron nitride crystal whisker/silicon nitride ceramic composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN101555156B. Автор: 张玉军,赵林,龚红宇,谭砂砾,李建权,赵东亮,马富英. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2011-11-30.

METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2010124344A. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова,Анатолий Иванович Рачковский (RU),Игорь Евгеньевич Вичканский (RU),Георгий Юрьевич Сморчков (RU),Валентина Павловна Белова (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом" (RU). Дата публикации: 2011-12-20.

Composition for ceramic seam making from the sintered silicon nitride with metal

Номер патента: RU2016881C1. Автор: О.А. Тарасова,Ю.В. Васильев. Владелец: Санкт-Петербургский технологический институт. Дата публикации: 1994-07-30.

Method of preparing silicon nitride with elevated content of alpha-phase

Номер патента: RU2137708C1. Автор: И.П. Боровинская,А.Г. Мержанов,В.В. Закоржевский,Т.И. Игнатьева,Л.П. Савенкова. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. Дата публикации: 1999-09-20.

SILICON NITRIDE COMPOSITION POWDER

Номер патента: RU2013156900A. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2015-06-27.

Method to reduce stress between silicon nitride spacer and substrate

Номер патента: TW479282B. Автор: Horng-Nan Chern,Kun-Chi Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

Method of stripping off silicon nitride film

Номер патента: TW538475B. Автор: Bo-Min Su,Ruei-Cheng Huang. Владелец: Phoenix Silicon Int Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Method of enhancing round corner by pulling back silicon nitride using SF6/HBr in the shallow trench isolation etching process

Номер патента: TW501224B. Автор: Chun-Hung Lee,Chia-Chi Chung,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-01.

Method of defining silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide dielectric layer

Номер патента: TW564472B. Автор: Kuang-Chao Chen,Hsueh-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-01.

Process for forming silicon nitride film by highhfrequency ionic plating method

Номер патента: JPS5322877A. Автор: Masaomi Kameyama,Youichi Murayama,Hikari Sakaguchi. Владелец: Nippon Chemical Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-03-02.

Selective salicide process by reformation of silicon nitride sidewall spacers

Номер патента: TW466608B. Автор: Yong Meng Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-12-01.

High density silicon nitride-base container for pulling up silicon single crystal

Номер патента: JPS57188496A. Автор: Masaharu Watanabe,Hideo Nagashima,Hisashi Muraoka,Toshiro Usami,Yasuhiro Imanishi,Yukitoshi Matsuo. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-19.

Shallow trench isolation method with silicon nitride as self-aligned mask

Номер патента: TW312816B. Автор: Shiun-Ming Jang,Jenn-Hwa Yu,Yng-Her Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-08-11.

Manufacture of silicon nitride

Номер патента: CA120505A. Автор: Alf. Sinding-Larsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-09-14.

Lithium silicon nitride

Номер патента: CA826713A. Автор: D. Whitney Ellsworth,H. Crayton Philip. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1969-11-04.

Pyrolytic silicon nitride

Номер патента: CA718839A. Автор: E. Kuntz Urban. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1965-09-28.

Method of reducing pin holes in a silicon nitride passivation layer

Номер патента: TW418504B. Автор: Liang-Dung Jang,Shiang-Ping Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-01-11.

Spray apparatus for forming a uniform silicon nitride coating layer in a crucible and method thereof

Номер патента: TW201033771A. Автор: jian-liang Jiang,xu-ming Xie. Владелец: Zenith Materials Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

The method of etching the silicon nitride to form the spacer

Номер патента: TW403965B. Автор: Huei-Ying Tsai,Jr-Bang Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-01.

Sustituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: GB9301281D0. Автор: . Владелец: Cookson Group PLC. Дата публикации: 1993-03-17.

Method for improving the adhesion between silicon nitride and metal layer

Номер патента: TW466688B. Автор: Jr-Jian Liou,Wen-Yi Shie,Kuen-Chr Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Deoxidation of impurity contained in silicon nitride based material

Номер патента: JPS5488913A. Автор: Katsutoshi Nishida,Michiyasu Komatsu,Tadashi Miyano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-14.

Pressureless sintering silicon nitride powders

Номер патента: CA1023924A. Автор: Frederick F. Lange,Gerald R. Terwilliger. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-01-10.

Silicon nitride abrasive article and method

Номер патента: CA558763A. Автор: Dew. Erasmus Hendrik,D. Forgeng William. Владелец: Union Carbide and Carbon Corp. Дата публикации: 1958-06-10.

Silicon nitride from aminosilane using pecvd

Номер патента: SG130958A1. Автор: Arthur Kenneth Hochberg,Kirk Scott Cuthill. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2007-04-26.

Foamed silicon nitride

Номер патента: CA663657A. Автор: M. Dess Howard. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1963-05-21.

Silicon nitride

Номер патента: GB8625042D0. Автор: . Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1986-11-26.

Refractory dispersion containing silicon nitride

Номер патента: AU5950065A. Автор: Clifford Yates Paul. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1966-12-01.

Refractory dispersion containing silicon nitride

Номер патента: AU400259B2. Автор: Clifford Yates Paul. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1966-12-01.

Production of silicon nitride

Номер патента: JPS54160600A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Yasuhiko Endo. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1979-12-19.

Production of high strengh silicon nitride based sintered body

Номер патента: JPS5488915A. Автор: Tadashi Miyano,Masae Nakanishi,Shiyouzou Kawasaki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-14.

Airtightened silicon nitride sintered body

Номер патента: JPS55121972A. Автор: Tadahisa Hirao,Taketo Fukuura,Shigenori Murate. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-19.

Fishing line passing ring molded by using silicon nitride

Номер патента: JPS5519036A. Автор: Riyuuichi Oomura. Владелец: Fuji Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-02-09.

Monitoring method of semiconductor wafer trench etched by silicon nitride

Номер патента: TW299470B. Автор: Sen-Fu Chen,Wenn-Jen Jang,Bao-Ru Yang,Herng-Shinn Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-03-01.

Manufacture of silicon nitride sintered body

Номер патента: JPS56100169A. Автор: Matsuo Higuchi,Eiji Kamijiyou. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1981-08-11.

Low temperature deposition of silicon nitride

Номер патента: TW200525612A. Автор: Yoshihide Senzaki,Helms, Jr. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: GB9118065D0. Автор: . Владелец: Cookson Group PLC. Дата публикации: 1991-10-09.

Silicon nitride ball for bearing that has high life to the fat

Номер патента: MXPA96004257A. Автор: L Yeckley Russell. Владелец: Saintgobain/Norton Industrial Ceramics Corpo. Дата публикации: 1998-09-18.

Method for increasing rounding corner by pull-backed silicon nitride using dry etching in shallow trench isolation processing

Номер патента: TW480655B. Автор: Chun-Hung Lee,Chia-Chi Chung,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Process for preparing separation layer during hot compacting of precise compacts from silicon nitride in a graphite tool

Номер патента: CZ250192A3. Автор: Vojtech Doc Ing Csc Pulc,Ernest Ing Csc Gondar,Stefan Ing Csc Emmer. Владелец: Univ Slovenska Tech. Дата публикации: 1996-04-17.

Composition and method for preparing silicon- nitride articles

Номер патента: BG37904A1. Автор: Stojanov,Petrov,Vlov. Владелец: Vlov. Дата публикации: 1985-09-16.

Preparation of silicone nitride fibres

Номер патента: AU2012900879A0. Автор: . Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2012-03-22.

Silicon nitride-bonded silicon carbide and manufacture thereof

Номер патента: CA551221A. Автор: P. Swentzel John. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1958-01-07.

Preparation of silicon nitride fibres

Номер патента: AU2011900765A0. Автор: Woo Jin Lee,Jim Patel. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2011-03-24.

Mixing Energized and Non-Energized Gases for Silicon Nitride Deposition

Номер патента: US20120009803A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-12.

SYSTEMS AND METHODS FOR ETCHING SILICON NITRIDE

Номер патента: US20120015523A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

PRINTABLE ETCHING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS

Номер патента: US20120032108A1. Автор: STOCKUM Werner,KUEBELBECK Armin,NAKANOWATARI Jun. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

Methods for Forming Semiconductor Constructions, and Methods for Selectively Etching Silicon Nitride Relative to Conductive Material

Номер патента: US20120052650A1. Автор: Shea Kevin R.,Graettinger Thomas M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: METZ Andrew W.,COTTLE Hongyun. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-03-29.

AMINE CURING SILICON-NITRIDE-HYDRIDE FILMS

Номер патента: US20120083133A1. Автор: Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Zhao Yue,Ji Lili,Solis Earl Osman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

Process for Manufacturing a Ceramic Composite Based on Silicon Nitride and Beta-Eucryptite

Номер патента: US20120115707A1. Автор: Vitupier Yann,BLANCHARD Laurent,FANTOZZI Gilbert,PELLETANT Aurélien,REVERON Helen,CHEVALIER Jérôme. Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-05-10.

INSULATION SHEET MADE FROM SILICON NITRIDE, AND SEMICONDUCTOR MODULE STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20120119349A1. Автор: NABA Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

HIGH-PRESSURE HOMOGENIZATION WITH A SILICON NITRIDE VALVE

Номер патента: US20120127823A1. Автор: Nakach Mostafa. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-05-24.

PROCESS FOR JOINING STAINLESS STEEL PART AND SILICON NITRIDE CERAMIC PART AND COMPOSITE ARTICLES MADE BY SAME

Номер патента: US20120135268A1. Автор: CHANG HSIN-PEI,CHEN WEN-RONG,CHIANG HUANN-WU,CHEN CHENG-SHI,HU WEN-FENG. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING ALUMINUM-SILICON NITRIDE PASSIVATION

Номер патента: US20120153301A1. Автор: Brown Richard,Shealy James R.. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-21.

SILICON NITRIDE FILM AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM, AND PLASMA CVD DEVICE

Номер патента: US20120153442A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD FOR FORMING III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING ALUMINUM-SILICON NITRIDE PASSIVATION

Номер патента: US20120156836A1. Автор: Brown Richard,Shealy James R.. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-21.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR ALUMINUM SILICON NITRIDE

Номер патента: US20120156895A1. Автор: Brown Richard,Shealy James R.. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20120178264A1. Автор: HASEBE Kazuhide,MURAKAMI Hiroki,WATANABE Yosuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-07-12.

COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS SUCH AS FILMS INCLUDING SILICON, SILICON NITRIDE, SILICON DIOXIDE AND/OR SILICON-OXYNITRIDE

Номер патента: US20120178267A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

PLASMA CVD METHOD, METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Kohno Masayuki,Nishita Tatsuo,Nakanishi Toshio. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-07-12.

STI SILICON NITRIDE CAP FOR FLAT FEOL TOPOLOGY

Номер патента: US20120187450A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

PLASMA TREATMENT OF SILICON NITRIDE AND SILICON OXYNITRIDE

Номер патента: US20120190185A1. Автор: ROGERS Matthew Scott. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-07-26.

Dense Silicon Nitride Body Having High Strength, High Weibull Modulus and high fracture toughness

Номер патента: US20120190530A1. Автор: Mikijelj Biljana. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD TO INCREASE TENSILE STRESS OF SILICON NITRIDE FILMS USING A POST PECVD DEPOSITION UV CURE

Номер патента: US20120196452A1. Автор: Xia Li-Qun,"MSaad Hichem",Cox Michael S.,Shek Mei-yee,Balseanu Mihaela,LEE Jia,Zubkov Vladimir,Huang Tzu-Fang,Wang Rongping,Roflox Isabelita. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD OF FORMING SILICON NITRIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120208376A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE FILM, FILM FORMING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120252224A1. Автор: Endo Atsushi,KUROKAWA Masaki,IRIUDA Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-04.

SILICON NITRIDE BASED CRUCIBLE

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Sørheim Håvard,Solheim Arve,Van De Schootbrugge Egbert. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

SILICON NITRIDE ETCHING IN A SINGLE WAFER APPARATUS

Номер патента: US20130078809A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Jang Syun-Ming,LU HSUEH-CHIN,Yu Weibo,Chew Han-Guan,Huang Kuo Bin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON NITRIDE BOX REGION

Номер патента: US20130093039A1. Автор: Leobandung Effendi,Shahidi Ghavam G.,Ren Zhibin,Park Dae-Gyu,Ponoth Shom S.,Shi Leathen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of Controlling the Etching of Silicon Nitride Relative to Silicon Dioxide

Номер патента: US20130122716A1. Автор: Reimer Berthold,Wolf Claudia. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.