Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

A nanofluidic device for rapid and multiplexed serological antibody detection

Номер патента: US20240139742A1. Автор: Xiaodan Li,Yasin EKINCI,Thomas MORTELMANS. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-05-02.

A nanofluidic device for rapid and multiplexed serological antibody detection

Номер патента: EP4334721A1. Автор: Yasin EKINCI,Thomas MORTELMANS,Dr. Xiaodan LI. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-03-13.

A nanofluidic device for rapid and multiplexed serological antibody detection

Номер патента: WO2022233765A1. Автор: Yasin EKINCI,Thomas MORTELMANS,Dr. Xiaodan LI. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor nanosensing device with multilayer graphene sheet for sequencing or sensing nucleic acids

Номер патента: US20240003866A1. Автор: Krista Fretes. Владелец: Gentroma Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Nanofluidic device, fluidic system and method for performing a test

Номер патента: WO2018060263A1. Автор: Johannes Christoph HOHLBEIN,Klaus Helge MATHWIG. Владелец: Rijksuniversiteit Groningen. Дата публикации: 2018-04-05.

Clamping device with alignment of wheel hub

Номер патента: RU2590840C1. Автор: Дирк ВАРКОЧ,Тило ЯНЗ. Владелец: Хавека Аг. Дата публикации: 2016-07-10.

Nanofluidic device for charge analysis of straightened molecules

Номер патента: US09683958B2. Автор: Bo Curry,Brian Jon Peter,John Mannion. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317107A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: CA1122438A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: US4151740A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Analyte detection device with three-dimensional sensor

Номер патента: US20240268716A1. Автор: Cuijun YANG. Владелец: Medtrum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Ceramics fixing heater containing silicon nitride

Номер патента: CA2246919C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Rare earth-oxides, rare earth -nitrides, rare earth -phosphides and ternary alloys with silicon

Номер патента: US20050161663A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in mems manufacture

Номер патента: WO2007084317A2. Автор: Teruo Sasagawa,Wonsuk Chung,Steve Zee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-07-26.

Aircraft control device with protected force sensor and aircraft, equipped with such device

Номер патента: RU2631720C2. Автор: Седрик АНТРЕЖЮ. Владелец: Ратье Фижак. Дата публикации: 2017-09-26.

Device with decreased noise, and noise reduction method

Номер патента: RU2479050C2. Автор: Михель ЭРТЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-04-10.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20240241237A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip

Номер патента: EP4058753A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Ultrasonic device with the built-in gas supply system

Номер патента: RU2638909C2. Автор: Виктор Ф. РАНДКВИСТ,Кевин С. ДЖИЛЛ. Владелец: Саутвайэ Компэни. Дата публикации: 2017-12-18.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US11940572B2. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20220196813A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US20180147336A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Silicon nitride porous body and its production process

Номер патента: EP1167321A3. Автор: Nobuhiro Shinohara,Kanji Arai,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: US20030084584A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: Q-MARK MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Silicon nitride-carbon nanotube-graphene nanocomposite microbolometer IR detector

Номер патента: US09851257B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: US20240068813A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: WO2024043955A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Devices with scanner of fingerprints

Номер патента: RU2683621C2. Автор: Алоис ХОМЕР. Владелец: НОВОМАТИК АГ. Дата публикации: 2019-03-29.

Field device with radio-frequency connection, in which consumed power is controlled dynamically

Номер патента: RU2389056C2. Автор: Келли М. ОРТ. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2010-05-10.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Processing method for coating glass container with silicone rubber and glass container coated with silicone rubber

Номер патента: US20220168934A1. Автор: Min Shen. Владелец: TINYSGOOD DESIGN PTY LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Processing method for coating glass container with silicone rubber and glass container coated with silicone rubber

Номер патента: AU2021200975A1. Автор: Min Shen. Владелец: TINYSGOOD DESIGN PTY LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of processing article containing plastic material, coated with silicon material

Номер патента: RU2433148C2. Автор: Жерар МИНЬЯНИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2011-11-10.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Silicon nitride cutting tool and process for making

Номер патента: US4670024A. Автор: Deepak G. Bhat,Vinod Sarin,Paul F. Woerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Coated composite silicon nitride cutting tools

Номер патента: US4441894A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Silicon nitride cutting tool

Номер патента: US8496718B2. Автор: Takashi Watanabe,Shuichi Tateno,Tatsuyuki Nakaoka,Hiroshi Yoshimitsu,Takero Fukudome. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US20230297872A1. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for coating objects with silicone

Номер патента: US5993590A. Автор: Kathryn G. Krotseng. Владелец: Manni Kit Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: US5382273A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Robert D. Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1133683A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-10-19.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: CA2149658C. Автор: Pankaj Kumar Mehrotra,Robert David Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Display device with silicone

Номер патента: WO2001098828A1. Автор: Jacques Delacoux. Владелец: TRANSVIDEO. Дата публикации: 2001-12-27.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A1. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP4032700A1. Автор: Seung Yeon Lee,Eun Ok Chi,Seunggwan LEE. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A9. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon nitride ceramic heating and ignition device for granular fuel barbecue oven

Номер патента: US20230165403A1. Автор: Shirong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-01.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of molding silicon nitride ceramics

Номер патента: US5385701A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Osamu Komura,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: WO2013003830A3. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20160325987A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20170133472A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Silicon nitride waveguide coupled photodiode

Номер патента: US20240105875A1. Автор: Mona Mostafa HELLA,Asif Jahangir CHOWDHURY. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US11847535B2. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a liquid crystal display device with thin-film-transistors

Номер патента: US5032536A. Автор: Hirofumi Suzuki,Masateru Wakui,Ryouji Oritsuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-07-16.

Industrial fabric with silicone-coated surface suitable for use in papermaking machines

Номер патента: NZ540077A. Автор: Adam J Jaglowski,Alan L Billings. Владелец: Albany Int Corp. Дата публикации: 2007-02-23.

Device with turntable sections

Номер патента: RU2597033C1. Автор: Вальтер ГЮНТЕР,Александр КРОНШТАЙНЕР. Владелец: Лисец Аустриа Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Fire fighting device with fire sprinklers

Номер патента: RU2630786C1. Автор: Татьяна Дмитриевна Ходакова. Владелец: Татьяна Дмитриевна Ходакова. Дата публикации: 2017-09-13.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20190326294A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20200328214A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20210233912A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of coating metallic powder particles with silicon

Номер патента: US20160289823A1. Автор: Ying She,James T. Beals. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Gaming device with optical wireless connection system

Номер патента: RU2288504C2. Автор: Крейг А. ПОЛСЕН. Владелец: Ай Джи Ти. Дата публикации: 2006-11-27.

Pour-out device with improved locking and sealing cap with such device

Номер патента: RU2272765C2. Автор: Жак ГРАНЖЕ,Жан-Мари БУРРО. Владелец: ПЕШИНЭ КАПСЮЛЬ. Дата публикации: 2006-03-27.

Whirlpool device with adjustable orientation of jet

Номер патента: RU2397825C2. Автор: Пете КАЖУЧ. Владелец: Коулер Ко.. Дата публикации: 2010-08-27.

Batching device with self-cleaning nozzle

Номер патента: RU2382732C2. Автор: Балакрисхна РЕДДИ,Герхард УФЕЛЬ,Ричард ФАРРЕЛЛ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2010-02-27.

Device with spray nozzle for stationary showers and showers with flexible hose

Номер патента: RU2054335C1. Автор: Турнье Пьер. Владелец: Турнье Пьер. Дата публикации: 1996-02-20.

Composite corking device with outer dog layer

Номер патента: RU2448882C2. Автор: Дэвид БЭБКОК,Дэвид ШАШ. Владелец: Клоужер Системз Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2012-04-27.

Closure device with tamper-evident rim

Номер патента: RU2732658C2. Автор: Стефано ТАМАРИНДО. Владелец: ГУАЛА ПЭК С.п.А.. Дата публикации: 2020-09-21.

Device with spraying nozzles, washing machine, and spraying nozzle

Номер патента: RU2474481C2. Автор: Даниель ВАЛЬД. Владелец: Кхс Гмбх. Дата публикации: 2013-02-10.

Image-inverting prism device with double uses for a telescope

Номер патента: US20060056020A1. Автор: Paul Kuo. Владелец: Sun Long Optics Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Swivel joint device with sealed duct

Номер патента: EP4071396A1. Автор: Daniele Mantovani. Владелец: Tecno System Srl. Дата публикации: 2022-10-12.

Cutting device with adjustable side guide

Номер патента: RU2532220C2. Автор: Томас БАУР,Клаус БОЙМЕР. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2014-10-27.

Safety razor device with components turning and rotation possibility

Номер патента: RU2510328C2. Автор: Теренс Гордон РОЙЛ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device with silicon capacitor

Номер патента: US8461663B2. Автор: Mitsuru Soma,Reiki Fujimori. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Номер патента: US4751191A. Автор: Ronald C. Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US11999877B2. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions

Номер патента: US09793288B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Iii-n device with planarized topological structure

Номер патента: US20240213333A1. Автор: Fuchao Wang,Ebenezer Eshun,Jungwoo Joh,Bill Wofford,Jonathan R Garrett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device with re-fill layer

Номер патента: US12100634B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of fabricating semiconductor device with MIS structure

Номер патента: US6027977A. Автор: Toru Mogami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Ceramic phase in silicon nitride containing cerium

Номер патента: WO1992001647A1. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Silicon nitride containers for sintering silicon nitride

Номер патента: WO1992001898A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Zirconia-coated silicon nitride sintered member

Номер патента: US4816349A. Автор: Tomonori Takahashi,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon nitride sintered body, machine part, and bearing

Номер патента: EP4397643A1. Автор: Yuta Ito,Yasutake Hayakawa. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Conductive silicon nitride composite sintered body and a process for the production thereof

Номер патента: US20030155555A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor device with anti-deflection layers

Номер патента: CA3104245C. Автор: George Grama,Michael J. Rondon,Andrew P. Clarke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-03-28.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US20230343829A1. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid RS Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Electronic device with gallium nitride transistors and method of making same

Номер патента: US11742390B2. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas S. Dellas,Qhalid R S Fareed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon on insulator device with partially recessed gate

Номер патента: US09905648B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

DRAM device with improved memory cell reliability

Номер патента: US6316320B1. Автор: Yuji Abe,Takumi Nakahata,Satoshi Yamakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-13.

Method for fabricating a semiconductor device with laser programable fuses

Номер патента: US5641701A. Автор: Yoichi Miyai,David J. McElroy,Hideyuki Fukuhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Silicon nitride body having high as-fired surface strength

Номер патента: WO1996032359A1. Автор: Chien-Wei Li,Jean Yamanis,Mohammad Behi. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1996-10-17.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: EP3846596A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Silicon nitride circuit board

Номер патента: US5998000A. Автор: Kazuo Ikeda,Nobuyuki Mizunoya,Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Yoshitoshi Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Method of manufacturing a silicon nitride body

Номер патента: GB1335842A. Автор: . Владелец: Joseph Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1973-10-31.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Non-densified silicon nitride beta-phase material

Номер патента: US5405592A. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Silicon nitride-ceramic and a manufacturing method therof

Номер патента: US4886767A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210130241A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Methods of forming deuterated silicon nitride-containing materials

Номер патента: WO2005008763B1. Автор: Ronald A Weimer,Lyle D Breiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: US5439856A. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of forming high density beta silicon nitride

Номер патента: CA1092325A. Автор: Gerald Q. Weaver. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Silicon nitride-alumina composite ceramics and producing method thereof

Номер патента: US4845061A. Автор: Kazuhiro Inoguchi,Naochika Nunogaki,Novuei Ito,Tetsuo Toyama. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-07-04.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Silicon nitride sintered body and method for preparing the same

Номер патента: CA1223013A. Автор: Mikio Fukuhara,Yoshitaka Maekawa. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Method of manufacturing semiconductor device with a gettering sink material layer

Номер патента: US5516706A. Автор: Kenji Kusakabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Method for stripping silicon nitride

Номер патента: US7323413B2. Автор: Teresa Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Silicon nitride sintered substrate

Номер патента: US20230357010A1. Автор: Hideaki Kawai,Norihira MITSUMURA,Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: EP2526076A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: Ceradyne Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

High strength silicon nitride

Номер патента: WO1989008625A1. Автор: Hun C. Yeh. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-09-21.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Silicon nitride sintered members

Номер патента: US4940680A. Автор: Tomonori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Tool comprised of a silicon nitride sintered body

Номер патента: US5171723A. Автор: Toshio Nomura,Hideki Moriguchi,Mitsunori Kobayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-15.

Silicon nitride ceramic heater

Номер патента: US5998049A. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Fukuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Sintered silicon nitride and production method thereof

Номер патента: US5126294A. Автор: Akira Okada,Naoto Hirosaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-30.

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for continuously producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20230357087A1. Автор: Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20160137556A1. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Silicon nitride compositions

Номер патента: CA2540048C. Автор: Michael Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-21.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Process for making silicon nitride cutting tool material

Номер патента: US6066582A. Автор: Marianne Collin,Magnus Ekelund. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacture of silicon nitride

Номер патента: US4396587A. Автор: Isamu Iwami,Masami Yamaguchi,Yoshiharu Kitahama,Yoshirou Tajitsu. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1983-08-02.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Improvements in or relating to the Production of Silicon Nitride Articles

Номер патента: GB1168499A. Автор: Richard Alan Taylor. Владелец: Birmingham Small Arms Co Ltd. Дата публикации: 1969-10-29.

Silicon nitride sintered body

Номер патента: US5399536A. Автор: Akira Yamakawa,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Silicon nitride substrate

Номер патента: US20240150249A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon nitride substrate

Номер патента: EP4293713A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Rare earth-oxides, rare earth-nitrides, rare earth-phosphides and ternary alloys with silicon

Номер патента: WO2005065402A3. Автор: Petar B Atanackovic. Владелец: Petar B Atanackovic. Дата публикации: 2006-10-05.

Printed-circuit board structure with silicone layer as adhesive

Номер патента: RU2730586C1. Автор: Йанг Сзу-Нан. Владелец: Пролоджиум Холдинг Инк.. Дата публикации: 2020-08-24.

Silicon nitride components with protective coating

Номер патента: US6582779B2. Автор: Derek Raybould,Chien-Wei Li,Milton Ortiz,Thomas Edward Strangman. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Elastomeric mixtures filled with silicon dioxide

Номер патента: RU2413743C2. Автор: Рюи РИСЕНДЗ,Вильфрид БРАУБАХ. Владелец: Лэнксесс Инк.. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Forming gate all around device with silicon-germanium channel

Номер патента: US20240113192A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Rare earth-oxides, rare-earth-nitrides, rare earth-phosphides and ternary alloys with silicon

Номер патента: WO2005065357A3. Автор: Petar B Atanackovic. Владелец: Petar B Atanackovic. Дата публикации: 2005-12-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide

Номер патента: US5908796A. Автор: William Collins,Vimal Pujari. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: CA1257298A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: EP1063211A1. Автор: Kiyoshi Araki,Katsuhiro Inoue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Method for fabricating CMOS devices with guardband

Номер патента: US4412375A. Автор: James A. Matthews. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: CA1273185A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Production of silicon nitride whiskers

Номер патента: GB998167A. Автор: Christopher Charles Evans. Владелец: TI Group Services Ltd. Дата публикации: 1965-07-14.

Sintering of silicon nitride to high density

Номер патента: US4379110A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich,John A. Palm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-04-05.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramics

Номер патента: CA1302059C. Автор: Normand D. Corbin,Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramic

Номер патента: US5187127A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma,Jen Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Sintered self-reinforced silicon nitride

Номер патента: US5312785A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-17.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation

Номер патента: US5128287A. Автор: Marcellus Peuckert. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20170362087A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10239757B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-26.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for producing silicon nitride sinterned body

Номер патента: EP4317057A1. Автор: Satoru Wakamatsu,Dai Kusano,Kunihiro GOTOU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory devices with charge traps

Номер патента: US7602012B2. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: US11694867B2. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of forming silicon nitride on a substrate

Номер патента: US6534424B2. Автор: Hung-Chuan Chen,Tzy-Tzan Fu,Chao-Ming Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A3. Автор: Ehrenwall Andreas Von. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: EP4205158A1. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US11957812B2. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Silicon-nitride-containing interlayer of great hardness

Номер патента: US20140272748A1. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: ESK Ceramics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-09-18.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20240252717A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: WO1994017010A1. Автор: Derek Parr Thompson,Hassan Mandal,Yi Bing Cheng. Владелец: Cookson Group Public Limited Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Method and system for forming patterned structures including silicon nitride

Номер патента: US12100597B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: US09741557B1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Silicon nitride electrosurgical blade

Номер патента: US4850353A. Автор: Peter Stasz,Scott R. Grabinger,Jeffrey J. Solberg. Владелец: Everest Medical Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

CVD syntheses of silicon nitride materials

Номер патента: US20020016084A1. Автор: Michael Todd. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Process for producing corrosion resistant silicon nitride bodies containing La2 O3

Номер патента: US4749539A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Reaction sintered boride-oxide-silicon nitride for ceramic cutting tools

Номер патента: CA1260505A. Автор: Thomas P. Deangelis. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1989-09-26.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Silicon nitride sintered bodies and method for producing the same

Номер патента: CA1207804A. Автор: Keiji Matsuhiro,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-15.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

Process for preparing high-purity α-type silicon nitride

Номер патента: US4346068A. Автор: Kiyoshi Kasai,Yoshitaka Kubota,Takaaki Tsukidate. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Method for producing powder of α-silicon nitride

Номер патента: US4368180A. Автор: Hiroshi Inoue,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-11.

Method for producing semiconductor device with capacitor stacked

Номер патента: US6048764A. Автор: Hiroshi Suzuki,Akira Kubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Hot pressed, high strength silicon nitride

Номер патента: US3830652A. Автор: G Gazza. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1974-08-20.

Method for making sintered silicon nitride articles

Номер патента: US4462816A. Автор: Robert W. Wolfe,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Silicon nitride-zirconium silicate ceramics

Номер патента: US4069059A. Автор: William J. McDonough,Roy W. Rice. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-17.

Continuous process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding and silicon nitride obtained thereby

Номер патента: IL104435A. Автор: . Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 1996-11-14.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: US4795724A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Process for producing silicon nitride sliding member

Номер патента: US5961907A. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Masamichi Yamagiwa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Production of silicon nitride material components

Номер патента: US3819786A. Автор: E May. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1974-06-25.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Silicon nitride ceramics

Номер патента: GB2169594A. Автор: Isao Ikeda,Hiroyasu Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Silicon nitride sintered bodies and a method of producing the same

Номер патента: US4818733A. Автор: Tomonori Takahashi,Masahiro Shirai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Silicon nitride with improved high temperature strength

Номер патента: CA1268488A. Автор: Russell L. Yeckley. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-05-01.

Improvements relating to silicon nitride

Номер патента: GB1117788A. Автор: John Martin Herbert,Gerald George Deeley. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1968-06-26.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: US4814128A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

High density silicon nitride bodies

Номер патента: US4879080A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers

Номер патента: US4604273A. Автор: Robin W. Munn,Samuel Natansohn,Robert A. Long,Gary Czupryna. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Compositions and methods for polishing silicon nitride materials

Номер патента: MY150866A. Автор: Chen Zhan,Dysard Jeffrey,JOHNS Timothy,Anjur Sriram. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-14.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20190169028A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-06.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10662062B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

A method of forming a silicon nitride layer on a substrate

Номер патента: EP1454343A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Xianzhi Tao,Steven A. Chen,Kegang Huang,Sang H. Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: WO2011142789A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: CERADYNE, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Method of manufacturing silicon nitride whiskers

Номер патента: US5334565A. Автор: Masao Noguchi,Yusaku Takita,Tatsumi Ishihara,Yukako Mizuhara. Владелец: Ohita Gas Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of fabricating a MOS device with a localized punchthrough stopper

Номер патента: US5963811A. Автор: Horng-Nan Chern. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor device with STI and its manufacture

Номер патента: US20030173641A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Silicon on insulator device with partially recessed gate

Номер патента: US11948977B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-04-02.

Silicon on insulator device with partially recessed gate

Номер патента: US20180145135A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-24.

Thin film el device with protective film

Номер патента: US5072263A. Автор: Takashi Nire,Takehito Watanabe,Satoshi Tanda. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1991-12-10.

Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same

Номер патента: US20200235024A1. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Merrill Albert Hatcher, JR.,Philip W. Mason. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Rugged solid state hard drive with silicone gel damping

Номер патента: WO2012091734A1. Автор: Thanh Tran. Владелец: TeleCommunication Systems, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: CA1308231C. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-10-06.

Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11186771B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-30.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA2036010C. Автор: Manabu Isomura,Hiroaki Sakai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same

Номер патента: GB1521693A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-16.

Method of manufacturing silicon nitride objects

Номер патента: GB2065714A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-01.

Method of making silicon nitride based cutting tools - i

Номер патента: CA1142334A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-03-08.

Method of etching silicon nitride

Номер патента: US20020003126A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Jeffrey Chinn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Gases for low damage selective silicon nitride etching

Номер патента: US10217681B1. Автор: Rahul Gupta,James Royer,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: US4990471A. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh K. Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1991-02-05.

Detergent composition with siliconate-zeolite and silicate builder

Номер патента: CA1241247A. Автор: Edwin P. Plueddemann,Jeffrey A. Kosal. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Silicon nitride reinforced with molybdenum disilicide

Номер патента: US5064789A. Автор: John J. Petrovic,Richard E. Honnell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-11-12.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Sintering of silicon nitride using mg and be additives

Номер патента: CA1088960A. Автор: Svante Prochazka,Richard J. Charles,Charles D. Greskovich,Robert A. Giddings. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-11-04.

Process for producing silicon nitride sintered material

Номер патента: US5178809A. Автор: Akira Takahashi,Keiichiro Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Sintering of silicon nitride with Be additive

Номер патента: US4374792A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Method for manufacturing a sintered body of silicon nitride

Номер патента: US4971740A. Автор: Takeshi Kawashima,Hiroaki Nishio. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

Method of joining a pair of silicon nitride parts

Номер патента: US3881904A. Автор: Roger Francis Stokes,Brian John Hunt. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Synthesis of silicon nitride

Номер патента: CA1192377A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Kimihiko Sato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-27.

Silicon nitride whiskers

Номер патента: GB2178417A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Process for production of silicon nitride

Номер патента: CA1247326A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Technique for forming a silicon nitride layer having high intrinsic compressive stress

Номер патента: US20070254492A1. Автор: Volker Kahlert,Joerg Hohage,Steffen Baer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Silicon nitride sintered product

Номер патента: CA1314293C. Автор: Kenji Nakanishi,Kazuhiro Urashima,Masakazu Watanabe,Yo Tajima. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20200197565A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: SG181418A1. Автор: Haavard Soerheim,Arve Solheim,De Schootbrugge Egbert Van. Владелец: Saint Gobain Ind Keramik Roedental Gmbh. Дата публикации: 2012-07-30.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Arve Solheim,Havard Sorheim,Egbert Van De Schootbrugge. Владелец: Saint Gobain IndustrieKeramik Roedental GmbH. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: WO2017223541A1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US20240153888A1. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on plastic

Номер патента: US20210180177A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Spacerless fin device with reduced parasitic resistance and capacitance and method to fabricate same

Номер патента: US9472651B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Metal oxide particles coated with silicon dioxide

Номер патента: US6773814B2. Автор: Harald Alff,Helmut Mangold,Kai Schumacher,Steffen Hasenzahl. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2004-08-10.

Fabrication method of semiconductor device with MOSFET and capacitor having lower and upper polysilicon regions

Номер патента: US5814542A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Highly densified bodies from polysilanes filled with silicon carbide powders

Номер патента: CA1335016C. Автор: Gary T. Burns,William H. Atwell,Chandan K. Saha. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Method of stage change in fuel supply in device with combustion chamber

Номер патента: RU2526410C2. Автор: Дональд У. КЕНДРИК. Владелец: Лин Флейм, Инк.. Дата публикации: 2014-08-20.

Massage device with shock wave effect

Номер патента: RU2695307C1. Автор: . Владелец: АЙС ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-22.

Connection device with wide accessibility for furniture elements and furnishings

Номер патента: RU2719220C2. Автор: Карло КАТТАНЕО. Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2020-04-17.

Driving device of infusion device with locking device

Номер патента: RU2724045C1. Автор: Ханс ЛИСТ. Владелец: Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2020-06-18.

Aerosol-generating device with several heaters

Номер патента: RU2732423C2. Автор: Рюи Нуно Батиста,Лоран Манка. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-09-16.

Heating device with fixing device for fastening of facing elements

Номер патента: RU2713980C1. Автор: Дитер ЭДЕЛЬМАНН. Владелец: КЕРМИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-02-11.

Piercing device with damper

Номер патента: RU2419386C2. Автор: Роберт АСКОЛД. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2011-05-27.

Three-link locking device with cam

Номер патента: RU2739881C1. Автор: Константин Федорович Петров. Владелец: Константин Федорович Петров. Дата публикации: 2020-12-29.

Composite ceramic material reinforced with silicon carbide whiskers

Номер патента: US4946807A. Автор: Akiyasu Okuno,Masakazu Watanabe. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-07.

Denture Sterilization & Storage Device with mercury-free UVC LED

Номер патента: AU2020100257A4. Автор: Martin Christoph Assmann,Jui Chih Hsiao. Владелец: Eos Enviro/eos Imp And Export Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Aerosol generating device with holding mechanism

Номер патента: RU2771102C2. Автор: Майкл Эллиотт ДОЙЛ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-04-26.

Downhole device with pullout roller bearers

Номер патента: RU2543010C2. Автор: Пол Бернард ЛИ. Владелец: Пол Бернард ЛИ. Дата публикации: 2015-02-27.

Switching device with synchronizer

Номер патента: RU2610330C2. Автор: Кадзуйоси ХИРАИВА. Владелец: Киова Метал Воркс Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-02-09.

Overvoltage protection device with state alarm

Номер патента: RU2412496C2. Автор: Йозеф ЧЕРНИКА. Владелец: Кива Спол. С Р.О.. Дата публикации: 2011-02-20.

Needleless injection device with double limiter and reduced pressure profiles

Номер патента: RU2437684C2. Автор: Патрик АЛЕКСАНДР. Владелец: Кроссжект. Дата публикации: 2011-12-27.

Device with hook for hanging objects

Номер патента: RU2629870C2. Автор: ГРУСЕН Вилхелмус Мария ВАН. Владелец: Ян Ван Бокстел Артитес Б.В.. Дата публикации: 2017-09-04.

Connecting device with coaxial end sections of two liquid passing pipelines

Номер патента: RU2313027C1. Автор: Герхард ВАХТЕР,Янос КЕРТЕШ. Владелец: Расмуссен Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Connecting device with minimum visibility for parts of furniture and fittings

Номер патента: RU2721327C2. Автор: Карло КАТТАНЕО. Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2020-05-19.

Fastener of a penis extension device with a tensile force meter

Номер патента: RU2738581C2. Автор: Херберт ЙОХУМ. Владелец: Свисс-Тек Глоубл Лимитед. Дата публикации: 2020-12-14.

Device with jar head

Номер патента: RU2529040C2. Автор: Патрик САЛЬВАДОР. Владелец: Атлас Копко Кэнада Инк.. Дата публикации: 2014-09-27.

Steam foaming device with system of control flow foam

Номер патента: RU2399362C2. Автор: Матьё ОЗАНН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2010-09-20.

Electric device with multichamber body

Номер патента: RU2579152C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-04-10.

Device with flexible curtain

Номер патента: RU2430229C2. Автор: Бенуа КУНРАТС. Владелец: Динако Энтернасьональ С.А.. Дата публикации: 2011-09-27.

Device with multiple toilet care action

Номер патента: EP1341974A1. Автор: Petrus Henricus Aloysius Nicolaas Kuhn. Владелец: Sara Lee DE NV. Дата публикации: 2003-09-10.

Device with multiple toilet care action

Номер патента: IL155915A. Автор: . Владелец: Sara Lee DE NV. Дата публикации: 2008-11-03.

Device with multiple toilet care action

Номер патента: AU2002222782B2. Автор: Petrus Henricus Aloysius Nicolaas Kuhn. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2007-08-30.

ROTATABLE LOCK CATCH AND GRILLING DEVICE WITH ROTATABLE LOCK CATCH (Amended)

Номер патента: US20120000373A1. Автор: Dongmei Chen. Владелец: Tsann Kuen Zhangzhou Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Orthopedic auxiliary device with put-in functional element

Номер патента: RU2459603C2. Автор: Штефан ВАЙГЕРМЮЛЛЕР. Владелец: Меди Гмбх & Ко. Кг. Дата публикации: 2012-08-27.

Sliding coating for medical devices with a small quantity of microparticles

Номер патента: RU2627390C2. Автор: Дэвид Е. БАБКОК. Владелец: Сурмодикс, Инк.. Дата публикации: 2017-08-08.

Beverage preparation device with ergonomic control

Номер патента: RU2748515C2. Автор: Марко МАГАТТИ,Бертран ГИОН. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-05-26.

Device with wound curtain

Номер патента: RU2430230C2. Автор: Бенуа КУНРАТС. Владелец: Динако Энтернасьональ С.А.. Дата публикации: 2011-09-27.

Evacuation output unlocking device with sliding latch

Номер патента: RU2596945C2. Автор: ДИ ВИНАДИО Аймоне БАЛЬБО. Владелец: САВИО С.П.А.. Дата публикации: 2016-09-10.

Switching device with the arc extinction with the help of permanent magnets

Номер патента: RU2629563C2. Автор: Роберт КРАЛИК. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2017-08-30.

Electrosurgical device with offset conducting element

Номер патента: RU2612863C2. Автор: Дениз ТЕМЕЛЛИ,Нил ГОДАРА. Владелец: Авент Инк.,. Дата публикации: 2017-03-13.

Removable gripping device with clamp for cooking reservoir

Номер патента: RU2672351C2. Автор: Паскаль КЮЙЕРИ. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2018-11-13.

Inflatable damping device with pipelines system

Номер патента: RU2362471C2. Автор: Джон Дабл-ю Вилкинсон. Владелец: МПЛ, Лтд.. Дата публикации: 2009-07-27.

Load power supply device with variable electric power consumption

Номер патента: RU2598901C2. Автор: Ив БОНИ. Владелец: Атлантик Индюстри. Дата публикации: 2016-10-10.

Replacement unit for insert in hair care device with turning

Номер патента: RU2672952C1. Автор: Эдуар МЕССАЖЕ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-11-21.

Refrigerating device with glass door

Номер патента: RU2517852C2. Автор: Хосе Мария САДАБА. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

Electrical mounting device with mobile telephone charger

Номер патента: RU2524924C2. Автор: Ханс Йорг ТРОЙДЕ. Владелец: Абб Аг. Дата публикации: 2014-08-10.

Hydrogen generating device with stackable assembly type

Номер патента: RU2731617C1. Автор: Хсин-Юйнг Линь. Владелец: Хсин-Юйнг Линь. Дата публикации: 2020-09-07.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide

Номер патента: CA1096893A. Автор: Charles D. Greskovich,Chester R. O'Clair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Coarse reaction bonded silicon nitride

Номер патента: WO1995008519B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-06-08.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Stapling Device With Independent Tip Rotation

Номер патента: US20120000962A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DEVICE WITH LENTICULAR ARRAYS, EDGE-TYPE BACKLIGHT MODULE AND DIRECT-TYPE BACKLIGHT MODULE

Номер патента: US20120002440A1. Автор: . Владелец: ENTIRE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIBEROPTIC DEVICE WITH LONG FOCAL LENGTH GRADIENT-INDEX OR GRIN FIBER LENS

Номер патента: US20120002919A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Medical Device with Retractable Needle and Moveable Plunger Seal

Номер патента: US20120004621A1. Автор: Shaw Thomas J.,Zhu Ni. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY DEVICE WITH NEEDLES AND ROLLER

Номер патента: US20120004638A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FASTENER DRIVING DEVICE WITH DUST BLOWER

Номер патента: US20120000031A1. Автор: LIU Jim,Lee Sean,Liao Benson. Владелец: STANLEY FASTENING SYSTEMS, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD DEVICE WITH INTERNAL BATTERY

Номер патента: US20120000294A1. Автор: Mizutori Kenji,Mitsutake Ichiro,Watanabe Takashi. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER

Номер патента: US20120001164A1. Автор: GAO WEIYING,Deibler Dean T.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Enriching device with thin heating panels

Номер патента: RU2318165C1. Автор: Чинг-Сонг ЧЭН. Владелец: Чинг-Сонг ЧЭН. Дата публикации: 2008-02-27.

Power device with double synchronisation

Номер патента: RU2441306C1. Автор: Джинс-Петер РАЙНКЕНС. Владелец: Кейтерпиллар Моторен Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2012-01-27.

Medical vial access device with spike

Номер патента: CA149300S. Автор: . Владелец: Carmel Pharma AB. Дата публикации: 2014-06-09.

Respirator device with belt mounting

Номер патента: CA179152S. Автор: . Владелец: Tecmen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Handheld electronic device with display screen

Номер патента: CA155025S. Автор: . Владелец: Presidents Choice Bank. Дата публикации: 2016-03-08.

FOLDABLE COMPUTING DEVICE WITH COUNTERBALANCE MEMBER

Номер патента: US20120002369A1. Автор: WANG TAO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.