Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2
Опубликовано: 06-12-2016
Автор(ы): Kozo Makiyama
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for manufacturing a Si-based high-mobility CMOS device with stacked channel layers, and resulting devices

Номер патента: US09947591B2. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20190181050A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20190181050A1. Автор: Boccardi Guillaume,Merckling Clement. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device having fin structures

Номер патента: US20240347637A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128351A1. Автор: Kohei Nishiguchi,Hiroyuki Okazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213356A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094784B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Boccardi Guillaume,Merckling Clement. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20170178971A1. Автор: Boccardi Guillaume,Merckling Clement. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290858A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate

Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210408268A1. Автор: Xiantao Li,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160293724A1. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing transistor and display device

Номер патента: WO2018020348A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for Forming Oxide on Ono Structure

Номер патента: US20070117353A1. Автор: Chong-Jen Huang,Chih Hao Wang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou,Chong-Mu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor member and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093475A1. Автор: Kazuyuki Sato,Noboru Yokoyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220230920A1. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Gas phase treatment for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240339329A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Hard mask trimming in method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006177A1. Автор: Li-Te Lin,Tze-Chung Lin,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming ONO top oxide in NROM structure

Номер патента: US20040228969A1. Автор: Ching Wang,Hsian Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Process for fabricating semiconductor memory device with high data retention including silicon nitride etch stop layer formed at high temperature with low hydrogen ion concentration

Номер патента: US6190966B1. Автор: Minh Van Ngo,Sunil Mehta. Владелец: Vantis Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A4. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090146302A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299152A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of covering a device with a first layer of silicon nitride and with a second layer of a polyimide, and device covered by means of the method

Номер патента: EP0251347A1. Автор: Johannes Jacobus Ponjee,Wilhelmus Franciscus Marie Gootzen,Fredericus Johannes Touwslager. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-01-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150037969A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Laser annealing method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090246950A1. Автор: Jae Soo Kim,Ho Jin Cho,Cheol Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20090286380A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130267077A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chun-An Lin,Yu-Hsing Chang,Ming-Hwei Hong,Tsung-Da Lin,Ray-Nien Kwo,Tun-Wen Pi,Pen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230307520A1. Автор: Masaya Toda,Yuya Nagata,Tsubasa IMAMURA,Takuya KIKUCHI,Kappei IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11581225B2. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210375689A1. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09748140B1. Автор: Carsten Von Koblinski,Thomas Grille,Ursula Hedenig,Markus Ottowitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Rework method for wafers of manufacturing semiconductor devices using the same, and method of manufacturing semiconductor devices thereby

Номер патента: TW392231B. Автор: Chun-deuk Lee,Bo-yong Lee,Mi-sook Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425566A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297258A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and method for forming CMOS devices with intrinsically stressed silicide using silicon nitride cap

Номер патента: TW200807630A. Автор: Yun-Yu Wang,Haining S Yang,Henry K Utomo,Robert J Purtell. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-02-01.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09773678B2. Автор: Naoki Hatta,Takamitsu Kawahara,Tomoatsu Makino,Mitsuharu Kato,Motoki Kobayashi,Kuniaki Yagi,Hidetsugu Uchida,Ko Imaoka,Toyokazu Sakata,Akiyuki Minami. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Devices and methods for dynamically tunable biasing to backplates and wells

Номер патента: US09716138B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210020523A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180197790A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160268138A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-15.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110121311A1. Автор: Fumitaka Sato,Naoki Matsumoto,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yoko MAEDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130149850A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160247894A1. Автор: Kenji Hamada,Masayuki Imaizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09899210B2. Автор: Ren-Hua GUO,Ju-Ru HSIEH,Jen-Hao Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device including a heat treatment step

Номер патента: US09831080B2. Автор: So Tanaka,Ryosuke Kubota,Ren KIMURA,Kazuhito Kobashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for producing a structured wavelength conversion layer and optoelectronic device with a structured wavelength conversion layer

Номер патента: WO2023041582A1. Автор: David O'Brien,Erik Johansson. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

Bonding structure, photonic integrated circuit, and method for active alignment of optical axis of semiconductor optical device with optical axis of optical circuit on substrate

Номер патента: WO2024003442A1. Автор: Timo Aalto,Giovanni Delrosso,Mikko Harjanne,Jae-Wung Lee,Tomi HASSINEN. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with low-galvanic corrosion structures, and method of making same

Номер патента: US20230253249A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for manufacturing semiconductor and semiconductor

Номер патента: US20240194737A1. Автор: Jianfeng Gao,Junfeng Li,Jun Luo,Junjie Li,Na Zhou,Wenwu Wang,Enxu LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US20130260524A1. Автор: Yu-Jen Chang,Chien-Hung Chen,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor module and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20230178443A1. Автор: Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905529B2. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata,Tsuyoshi Kida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190027358A1. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10475640B2. Автор: Kuan-Yu Wang,Yan-Da Chen,Chang-Sheng Hsu,Yuan Sheng Lin,Weng Yi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120202328A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120052644A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080246125A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor manufacturing parts by using jig

Номер патента: US20200111661A1. Автор: Ki Won Kim. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065310A1. Автор: Yao Liang,Hung-Yu Chen,Yong Ma,Jingsheng GUO. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12051615B2. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046478B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus and methods for processing bonding semiconductor wafers

Номер патента: US20240194478A1. Автор: Scott LEFEVRE,Satohiko Hoshino,Yuji MIMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062702B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130095626A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230064568A1. Автор: Biao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

A method for fabrication of a high capacitance interpoly dielectric

Номер патента: WO2002080235A2. Автор: Mark A. Good,Amit S. Kelkar. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-10.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for forming doped p-type gate with anti-reflection layer

Номер патента: US6365468B1. Автор: Tony Lin,Chih-Yung Lin,Wen-Kuan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232503A1. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6825128B2. Автор: Shuichi Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7348249B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060148230A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacturing semiconductor stack structure with ultra thin die

Номер патента: US20240249973A1. Автор: Tzu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP3951026A1. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Methods for etch of SiN films

Номер патента: US09842744B2. Автор: Nitin Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068165B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Reflection-type mask blank, reflection-type mask, method for manufacturing reflection-type mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240160095A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8466069B2. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244672A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Exposure apparatus for manufacturing semiconductors and method for inspecting pellicles

Номер патента: US20070035715A1. Автор: Yong-Hoon Lee,Yo-han Ahn,Ok-sun Lee,Hyung-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of III-V compound

Номер патента: US09941168B1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09887101B2. Автор: So Tanaka,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor wafer thereof

Номер патента: US20200219715A1. Автор: Gang Yao,Aimin Wang,Zhiwei Lin,Kaixuan Chen,Xiangjing Zhuo,Liyan Huo. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11735411B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09779951B2. Автор: Masatoshi Sunamoto,Kazunari Nakata,Yoshiaki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20130161617A1. Автор: Kazuya Nishihori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140370445A1. Автор: Hideaki Yuki,Sunao Aya,Shozo Shikama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: US20070264593A1. Автор: Cheol Kyu Bok,Tae Seung Eom,Hyun Sook Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for manufacturing metal fluoride-containing organic polymer film, patterning method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230089206A1. Автор: Koji Asakawa,Ryosuke Yamamoto,Shinobu Sugimura,Norikatsu Sasao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170213724A1. Автор: Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP1801854A1. Автор: Isao c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. YOKOKAWA,Nobuhiko c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. NOTO,Kiyoshi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. MITANI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US12131947B2. Автор: Satoshi Takagi,Keisuke Fujita,Yutaka Motoyama,Akari Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09818612B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768070B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Hyung-Suk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11723198B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055254A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei,Le Ma,Jianfang He,Yajuan SU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240038584A1. Автор: Zhen Song,Libin Zhang,Yayi Wei. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411322A1. Автор: Tomoyuki Takeishi,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085049A1. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286692A1. Автор: Chien-Hao Chen,Sho-Shen Lee,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09876022B1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhisa Matsuda,Tomo Hasegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09831086B2. Автор: Yoshihiro Sawada,Yu Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor chip that includes dividing substrate by etching groove along cutting region of substrate combined with forming modified region by laser irradiating along cutting region in substrate

Номер патента: US09754833B2. Автор: Kenichi Ono,Michiaki Murata,Tsutomu Otsuka,Hideyuki Ikoma,Takahiro Hashimoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728431B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Shun Matsui,Tadashi Takasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing junction semiconductor wafer

Номер патента: EP4421887A1. Автор: Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods for manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US6784078B2. Автор: Yoshikazu Kasuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of oxide layers

Номер патента: US20210111273A1. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for improving height difference between gates

Номер патента: US20240021434A1. Автор: Jian Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing semiconductor device with vertical gate transistor

Номер патента: US20130109165A1. Автор: Heung-Jae Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method

Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258412A1. Автор: Tatsuya Naito,Toshiki Suzuki,Toshiyuki Matsui,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150031175A1. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for manufacturing an electronic device

Номер патента: US11817484B2. Автор: Stephan Niel,Franck Julien,Leo GAVE. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339330A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20130220224A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178036A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178032A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11043559B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020123181A1. Автор: Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing occurrence of cracks in aluminum nitride layer

Номер патента: US20230197486A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340475A1. Автор: Chih-Lin Wang,Long-Jie HONG,Chien-Chih Lin,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100006939A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8115255B2. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140106521A1. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20230207637A1. Автор: Chun-Shun Huang,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Tsutomu Murakawa,Naoto Yamade,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741854B2. Автор: Do Hyoung Kim,Seung Seok HA,Myeong Cheol Kim,Seung Ju PARK,Jae Hyoung Koo,Keun Hee BAI,Kyoung Hwan YEO,Ki Byung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuits having device contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160035623A1. Автор: Wei Lu,Fan Zhang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Anti-fuse and method for forming the same, unit cell of nonvolatile memory device with the same

Номер патента: CN102306643A. Автор: 全成都,辛昌熙,曹基锡. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-01-04.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12002864B2. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220216312A1. Автор: Wei Wan,Pan Wang,Xuesheng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160268412A1. Автор: Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107888B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972705B2. Автор: Masashi Iwatsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20090001520A1. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US7800201B2. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12082390B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Shunichi Ito,Tetsuya Kakehata,Erika TAKAHASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor products, corresponding semiconductor product and device

Номер патента: US20180190572A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods for retargeting vias and for fabricating semiconductor devices with retargeted vias

Номер патента: US9378323B1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

Method for performing enrichment of an electrode of an electrochemical device with ionic species

Номер патента: US09876219B2. Автор: Steve Martin,Sylvain Poulet,Helene Porthault. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for tuning the laser frequency implemented in a rotating device with an optical waveguide

Номер патента: WO2024033666A1. Автор: Hrvoje BULJAN,Dario JUKIĆ. Владелец: University Of Zagreb, Faculty Of Science. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing ohmic contacts of powerful electronic devices

Номер патента: RU2756579C1. Автор: Илья Александрович Рогачев,Валерий Анатольевич Красник,Александр Сергеевич Курочка. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881818B2. Автор: Nobuaki Yamanaka,Daisuke CHIKAMORI,Shinichirou KATSUKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device having via holes

Номер патента: US20070128852A1. Автор: Toshihiko Shiga,Takeo Shirahama,Kouichirou Hori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for forming recessed dielectric isolation with a minimized "bird's beak" problem

Номер патента: CA1043473A. Автор: Igor Antipov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method for manufacturing a MOS transistor having multi-layered gate oxide

Номер патента: US6284580B1. Автор: Shinobu Takehiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246474A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for manufacturing semiconductor module and intermediate assembly unit of the same

Номер патента: US09741628B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09853165B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Akihisa Shimomura,Yuta Endo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240284674A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device using etchant composition having high etching selectivity

Номер патента: US20230260797A1. Автор: Fang-Wei Lee,Huan-Chieh Su,Meng-Huan Jao,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09842943B2. Автор: Daisuke Umeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Camera package, method for manufacturing camera package, and electronic device

Номер патента: US12132064B2. Автор: Kotaro Nishimura,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Electroluminesecent material, method for manufactruing same, and luminesecent device

Номер патента: US20210408388A1. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220069103A1. Автор: Wei Huang,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060145284A1. Автор: Woong Sung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859158B2. Автор: Youngmok KIM,Kyoung-Eun Uhm,Kyunglyong KANG,Hodae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Electroluminesecent material, method for manufacturing same, and luminesecent device

Номер патента: US11407939B2. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Electroluminesecent material, method for manufacturing same, and luminesecent device

Номер патента: US20210363417A1. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Solar cell module and method for manufacturing the solar cell module, and mobile device with the solar cell module and method for manufacturing the mobile device

Номер патента: US20120012159A1. Автор: In Taek Song,Tae Young Kim,Jin Mun Ryu,Seung Yun Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD FOR PRODUCING A PHOTO-EMITTING AND/OR PHOTO-RECEIVING DEVICE WITH A METAL OPTICAL SEPARATION GRID

Номер патента: US20200343296A1. Автор: Gasse Adrien,Volpert Marion,DUPRE Ludovic. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for optically detecting a fingerprint or an object, and device with at least one screen

Номер патента: US9958988B2. Автор: Dan Hossu. Владелец: Dan Hossu. Дата публикации: 2018-05-01.

Subframe method for displaying grey scales on an active matrix el device with subdivided msb subframe

Номер патента: WO2002021574A2. Автор: Mitsuaki Osame,Kazutaka Inukai,Tomoyuki Iwabuchi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor package using sacrificial layer and semiconductor package manufactured by using thereof

Номер патента: US20240096820A1. Автор: Young Lyong Kim,Hyun Soo Chung,In Hyo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing semiconductor device with nano-gaps

Номер патента: US09799553B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09666437B2. Автор: Yuichi Urano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070116863A1. Автор: Kazunari Kimino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966329B2. Автор: Fukumi Shimizu,Haruhiko Harada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09941186B2. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070231957A1. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230063204A1. Автор: Eiji Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package with decoupling capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332270A1. Автор: Kyoung Lim SUK,Ji Hwang Kim,Kyung Don Mun,Sangjin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09847280B2. Автор: Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11985807B2. Автор: Tao Liu,Sen Li,Qiang Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282572A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for manufacturing semiconductor device and wiring structure

Номер патента: US11367627B2. Автор: Tadashi Takano,Michihiro Sato. Владелец: Nagase and Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20080179759A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852256B2. Автор: Jae-Hwan Kim,Myung-Soo JANG,Jong-Wha Chong,Cheol-Jon JANG,Ji-Ho Song,Kyung-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit

Номер патента: US5840621A. Автор: Naoki Kasai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20240274472A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US12068203B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210351147A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11594507B2. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240120199A1. Автор: So Young Lee,Yun Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297051A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Chanmi LEE,Seulgi Lee,Sanggyo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068160B2. Автор: Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09754793B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Shinichi Nakao,Mitsuhiro Omura,Soichi Yamazaki,Kei Watanabe,Yusuke Oshiki,Shunsuke Ochiai,Kosuke HORIBE,Yuya Matsubara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing semiconductor structure and same

Номер патента: US12150294B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for forming a passivation layer using polyimide layer as a mask

Номер патента: US6589712B1. Автор: Yi-Ren Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-07-08.

Method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20090186454A1. Автор: Dongxu Wang,Yoshiteru Miyawaki. Владелец: Sanyu Rec Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device having island structure

Номер патента: US20230420264A1. Автор: Chen-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating semiconductor device capable of decreasing critical dimension in peripheral region

Номер патента: US7179749B2. Автор: Kyung-Won Lee,Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222510A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US20070264768A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for Designing and Manufacturing a PMOS Device with Drain Junction Breakdown Point Located for Reduced Drain Breakdown Voltage Walk-in

Номер патента: US20090254872A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US8086979B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Color film substrate, touch display and method for manufacturing the color film substrate

Номер патента: US09887292B2. Автор: Fengjuan LIU,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing a liquid crystal display device with thin-film-transistors

Номер патента: US5032536A. Автор: Hirofumi Suzuki,Masateru Wakui,Ryouji Oritsuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing inter-instrument insulation of high-power gallium nitride transistors

Номер патента: RU2761051C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Александрович Зайцев,Владимир Ильич Егоркин,Валерий Евгеньевич Земляков,Максим Николаевич Журавлёв,Лариса Валентиновна Якимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-12-02.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US4321284A. Автор: Hisao Yakushiji. Владелец: VLSI Technology Research Association. Дата публикации: 1982-03-23.

Method for fabricating y-direction, self-alignment mask rom device

Номер патента: US20030235955A1. Автор: Jen-Chuan Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230402501A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12051719B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240343029A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing semiconductor package structure and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12100686B2. Автор: Yun Di HONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210343534A1. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and apparatus comprising same

Номер патента: US20070069362A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Satoshi Isa,Hiroki Fujisawa,Fumiyuki Osanai,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US12064946B2. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12074062B2. Автор: Taoyan YAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240351323A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for manufacturing semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US09881814B2. Автор: Seungjin Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20170345998A1. Автор: Yoshiyuki Kono,Akitoshi Mizutani,Seiji Nishimoto,Tomoyuki Takiguchi,Yoshinori Inuzuka,Camillo Pilla,Toshiyuki KOUMORI. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2017-11-30.

Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20170213759A1. Автор: Zheng-Yang Pan,Chih-Yu MA,Chia-Chiung LO,Yii-Chi LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12133376B2. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor die

Номер патента: US20240355631A1. Автор: Kang Sup Shin,Yang Beom KANG,Dal Jin LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US09721826B1. Автор: Zheng-Yang Pan,Chih-Yu MA,Chia-Chiung LO,Yii-Chi LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10593550B2. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20180342393A1. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for making an embedded memory MOS

Номер патента: US20020098650A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080064146A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20010018245A1. Автор: Naohiko Kimizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728441B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device and surface protective tape

Номер патента: US8444799B2. Автор: Kazuo Teshirogi,Kazuhiro Yoshimoto,Yuzo Shimobeppu,Masaya Tazawa,Mika Sakamoto,Hironori Fukaya,Kazuyuki Uragou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US20220406641A1. Автор: Keiichiro Watanabe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Partial implantation method for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060211226A1. Автор: Min Lee,Kyoung Rouh,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080293225A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Methods for manufacturing semiconductor structures including isolation layer and semiconductor structures including isolation layer

Номер патента: US12119260B2. Автор: YUAN Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881836B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220028760A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110136337A1. Автор: Shuichi Tanaka,Nobuaki Hashimoto,Yasuo Yamasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150348859A1. Автор: Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US7846792B2. Автор: Masanori Terahara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US20180108580A1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh Kelvin DOONG. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8114788B2. Автор: Shuichi Tanaka,Nobuaki Hashimoto,Yasuo Yamasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US9847264B1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh (Kelvin) Doong. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor product wafer

Номер патента: US09847264B1. Автор: Sheng-Che Lin,Yih-Yuh (Kelvin) Doong. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090142920A1. Автор: Eun-Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing semiconductor package and apparatus for flattening workpiece

Номер патента: US20240249958A1. Автор: Cong-Wei Chen,Shih-Yu Wang,Ya Fang CHAN,Kuoching CHENG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170170069A1. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240186207A1. Автор: Yoshihiro Kimura,Tadaaki Miyata,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device, film thickness measurement method, and temperature measurement method

Номер патента: US20240290666A1. Автор: Makoto Moriyama,Takaki Hashimoto,Tsubasa IMAMURA,Ai Furubayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device, film thickness measurement method, temperature measurement method, and temperature measurement substrate

Номер патента: EP4435834A1. Автор: Makoto Moriyama,Takaki Hashimoto,Tsubasa IMAMURA,Ai Furubayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831125B2. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Nakazawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070173065A1. Автор: Kuo-Wei Yang,Hui-Shen Shih,Chih-Jen Mao,Chun-Han Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040014328A1. Автор: Tatsuichiro Maki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144500A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403155A1. Автор: Soo Gil Kim,Joo Young MOON,Young Seok Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Ashing apparatus, ashing methods, and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20030073322A1. Автор: Takumi Shibata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059649A1. Автор: Jae Kang. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100240223A1. Автор: Hideki Ito,Naohisa Ikeya. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Wire bonding apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107070B2. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device using same, method for manufacturing thermal airflow sensor using same, and thermal airflow sensor

Номер патента: US09779976B2. Автор: Hiroshi Kikuchi,Ryosuke Doi,Hideki Mukuno,Satoshi IKEO,Toshifumi Sagawa. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing complementary insulated gate field effect transistors

Номер патента: USRE31079E. Автор: Satoshi Meguro,Kouichi Nagasawa,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-16.

Aluminum compound and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200207790A1. Автор: Akio Saito,Jaesoon Lim,Younjoung CHO,Takanori Koide,Masayuki Kimura,Gyu-hee Park,Yoshiki Manabe. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140206187A1. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Microwave heating device and method for manufacturing semiconductor packaging using the same

Номер патента: US20230326810A1. Автор: Ho-gyeong Yun,Ki Seok Jang,JiHo JOO,Jin Hyuk OH,Kwang-Seong Choi,Yong Sung Eom,Seok-Hwan Moon,Gwang-Mun Choi,Chanmi LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411344A1. Автор: Tomoyuki Takeishi,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070026680A1. Автор: Jae Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Arrangement and method for detecting defects on a substrate in a processing tool

Номер патента: EP1390974A2. Автор: Eckhard Marx,Thorsten Schedel,Karl Schumacher,Ralf Otto,Torsten Seidel,Günther Hraschan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-25.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160017191A1. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Robot, apparatus including robot, and method for manufacturing semiconductor structure using the same

Номер патента: US20240243001A1. Автор: Kenichi Sano,Chia-Yun Cheng,Yu-wei LU,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8951908B2. Автор: Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Mariko Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7524738B2. Автор: Hong Goo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060234475A1. Автор: Hong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080003732A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Grinding apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230339071A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim,Jongguw KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09840645B2. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Method for forming dielectric isolation combining dielectric deposition and thermal oxidation

Номер патента: CA1041227A. Автор: Bai-Cwo Feng,George C. Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Method for forming shallow trench isolation

Номер патента: US5712185A. Автор: Water Lur,Meng-Jin Tsai,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Methods for manufacturing semiconductor apparatus and cmos image sensor

Номер патента: US20120282729A1. Автор: Yasuhiro Kawabata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device having island structure

Номер патента: US20230422490A1. Автор: Chen-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068267B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for formation of an isolating oxide layer

Номер патента: CA2008499C. Автор: Alexander Kalnitsky,Joseph Paul Ellul,Sing Pin Tay,Roger Samuel Abbott. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1993-08-17.

Method for fabricating a semiconductor device with laser programable fuses

Номер патента: US5641701A. Автор: Yoichi Miyai,David J. McElroy,Hideyuki Fukuhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160013092A1. Автор: Hajime Suzuki,Naoki Fujita,Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20070194396A1. Автор: Yoji Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for manufacturing semiconductor and method for cleaning wafer substrate

Номер патента: US20170125240A1. Автор: Masayoshi Takahashi,Junichi Iida,Tsunejiro Takahashi,Katsumi TATERA. Владелец: Opt Creation Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor elements

Номер патента: US20170077433A1. Автор: Takeshi Gotanda,Akihiro Matsui,Shigehiko Mori,Haruhi Oooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20110240846A1. Автор: Yasutaka Takeuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Polymer for preparing resist underlayer film, resist underlayer film composition containing the polymer and method for manufacturing semiconductor device using the composition

Номер патента: US09996007B2. Автор: Yu Na Shim,Min Ho Jung,Soo Young Hwang,Jin Su Ham,Kyun Phyo Lee. Владелец: SK Global Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: SG139533A1. Автор: Kazuma Sekiya,Kazuhisa Arai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Composition for forming underlayer film in imprinting method, kit, pattern producing method, laminate, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US12109752B2. Автор: Yuichiro Goto,Akihiro HAKAMATA,Naoya SHIMOJU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Composite substrate, method for manufacturing the same and method for manufacturing light-emitting device using the same

Номер патента: US12021169B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Yu Wang,Shan Wang,Qin Wang,Chih-Chung Chiu,Bin Fang,Chiahao Tsai,Liangliang Gui,Jinkuang Dong,Zhaoming Huang. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220199430A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, wafer work piece and method for manufacturing semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: MY193426A. Автор: Fujiwara Takenori,Tomikawa Masao,Arimoto Shinji. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Composition for forming underlayer film for imprinting, method for producing composition for forming underlayer film for imprinting, pattern producing method, method for manufacturing semiconductor element, cured product, and kit

Номер патента: US12091497B2. Автор: Yuichiro Goto,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Polishing composition for semiconductor process and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US12116503B2. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230320227A1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Fu-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Yan-Jie Liao,Chao-Hung Chu,Po-Chen Yeh,Wei Chun WANG,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for making isolation region of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220199659A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120190146A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Composition for forming pattern, kit, pattern producing method, pattern, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20220002450A1. Автор: Yuichiro Goto,Naoya SHIMOJU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for making isolation region of CIS device

Номер патента: US12125866B2. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09953964B2. Автор: Soonbum Kim,JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Optical measurement apparatus, optical measurement method using the same, and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219314A1. Автор: Young Hoon Sohn,Min Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200259044A1. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for manufacturing semiconductor mark, and semiconductor mark

Номер патента: US20220216163A1. Автор: Chuang Shan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

III-nitride epitaxial structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10344397B2. Автор: Chen-Chi Yang,I-Kai LO,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246790A1. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for blister-free passivation of a silicon surface

Номер патента: US20120306058A1. Автор: Bart Vermang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09887220B2. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09698187B2. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09653644B2. Автор: Hiroaki Tamemoto,Ryota TAOKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device including ferreoelectric capacitor

Номер патента: US20090117671A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for manufacturing semiconductor device including ferroelectric capacitor

Номер патента: US7906349B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-03-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230121343A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8101462B2. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for manufacturing semiconductor substrate and composition

Номер патента: US20240255852A1. Автор: Takashi Katagiri,Eiji Yoneda,Masato Dobashi,Hiroyuki Komatsu,Kengo Ehara,Satoshi Dei,Sho YOSHINAKA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20080284013A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor device, particle, and semiconductor device

Номер патента: US20110201193A1. Автор: Fumihiro Bekku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240321819A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Atsushi Oga,Miki TOSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09957411B2. Автор: Takayuki Saito,Taichi Koyama,Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8293563B2. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrode matrix, method for manufacturing it and device for processing and/or storing data

Номер патента: RU2275697C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for manufacturing a reverse crown capacitor for DRAM memory cell

Номер патента: US5976981A. Автор: Chih-Hsiung Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for manufacturing substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234218A9. Автор: Keiichi Nakamura,Mamoru Matsuo,Kenta NAKAHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Electrode material for battery, electrode material paste for battery, and solar cell using same, storage battery, and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US9692052B2. Автор: Naoaki Sakurai,Shuzi Hayase,Akito Sasaki,Tomomichi Naka,Yoko Tokuno. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050003563A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12089392B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrode material for battery, electrode material paste for battery, and solar cell using same, storage battery, and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US09692052B2. Автор: Naoaki Sakurai,Shuzi Hayase,Akito Sasaki,Tomomichi Naka,Yoko Tokuno. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating a mim capacitor having increased capacitance density and related structure

Номер патента: WO2006057775B1. Автор: Guangming Li,Dieter Dornisch,Kenneth M Ring,Tinghao F Wang,David J Hoaward. Владелец: David J Hoaward. Дата публикации: 2006-12-14.

Ceramic/aluminum bonded body, insulating substrate, LED module, ceramic member, method for producing ceramic/aluminum bonded body, and method for producing insulating substrate

Номер патента: US11798856B2. Автор: Nobuyuki Terasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US11955571B2. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US20230317863A1. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: US20240204116A1. Автор: BIN Li,Ning Zhang,Ruifeng Li,Yankai QIU,Wenqi Li. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing led device with structure for precisely locating leds thereon

Номер патента: US20150155429A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Resin, photoresist composition, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12135502B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Siao-Shan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for producing a pulverulent precursor material, pulverulent precursor material, and use of pulverulent precursor material

Номер патента: US09828546B2. Автор: Daniel Bichler,Juliane Kechele,Simon Dallmeir,Sonja Tragl,Bianca Pohl-Klein. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Method for manufacturing NdFeB rare earth permanent magnetic device with composite plating

Номер патента: US09938625B2. Автор: Xiaodong Chen,Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for integrated antenna arrangements

Номер патента: US20170187096A1. Автор: Aycan Erentok,Huan-Sheng Hwang,Thomas Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for manufacturing synchronous electric machine and slip ring device with slip ring device outside machine housing

Номер патента: KR960032849A. Автор: 클라인부르거 요한,짐머만 한스. Владелец: 한스 요트. 헤쩨르. Дата публикации: 1996-09-17.

Energy storage device with a first metal layer formed from a precursor layer upon charge and diffused into a cathode during discharge

Номер патента: US11824183B2. Автор: James Kaschmitter,Pavel Khokhlov,R. Ernest Demaray. Владелец: Demaray LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

An energy storage device with a first metal layer formed from a precursor layer upon charge and diffused into a cathode during discharge

Номер патента: US20240088344A1. Автор: James Kaschmitter,Pavel Khokhlov,R. Ernest Demaray. Владелец: Demaray LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Electrically conductive contact and method for production thereof

Номер патента: CA2607408C. Автор: Klaus Hoffmann,Christoph Keist. Владелец: ABATEK INTERNATIONAL AG. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for line switching and connection establishment for a connector device with a combination port

Номер патента: DE102011053075A1. Автор: Chih-Fang Lee,Wei-Rong Chiang. Владелец: Arcadyan Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for suppressing electromagnetic interference of electronic device and electronic device with suppressed electromagnetic interference by the method

Номер патента: US6863547B2. Автор: Hee-Keun Park. Владелец: Averatec Asia Inc. Дата публикации: 2005-03-08.

Method for performing enrichment of an electrode of an electrochemical device with ionic species

Номер патента: US20160149203A1. Автор: Martin Steve,PORTHAULT Hélène,POULET Sylvain. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR SENDING A POWER SIGNAL TO A POWER SWITCHING DEVICE WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20180286612A1. Автор: Mantese Joseph V.,Blasko Vladimir,GIETZOLD Thomas,McCabe Brian L,Sobanski Kurt J. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

METHOD FOR PRODUCING A COATING ON A SCREEN AND DISPLAY DEVICE WITH A COATED SCREEN

Номер патента: DE69909028D1. Автор: J Wakelkamp,Hout T Van,De Poel C Van,M Compen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for operating a fuel cell device and fuel cell device with load limiter

Номер патента: EP2940772B1. Автор: Peter Bach,Matthew Kenneth Hortop. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-10-17.

Systems and methods for sending a power signal to a power switching device with galvanic isolation

Номер патента: US20180286612A1. Автор: Joseph V. Mantese,Vladimir Blasko,Thomas Gietzold,Brian L McCabe,Kurt J Sobanski. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for control of in-parallel reserve current sources and device with in-parallel reserve current sources

Номер патента: RU2452072C2. Автор: Франк ХЕРБЕНЕР,Орлефф ПЕШЕЛЬ. Владелец: Пиллер Груп Гмбх. Дата публикации: 2012-05-27.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: US20240292342A1. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: EP4422289A2. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US20150087288A1. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: US20130108094A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for the operation of a hearing device and hearing device with variable frequency shift

Номер патента: EP2550811A1. Автор: Stefan Petrausch,Ulrich Kornagel,Tobias Wurzbacher,Sebastian Pape. Владелец: Siemens Medical Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

System and method for transferring software applications and data between two mobile devices with different operating systems

Номер патента: US09690560B2. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100151611A1. Автор: Nozomi Ohashi,Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20130005062A1. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Electric device with multichamber body

Номер патента: RU2579152C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-04-10.

Method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20080050850A1. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for manufacturing of electronic emission device, source of electrons that uses it, device of image generation and device of information display and reproduction

Номер патента: RU2399983C2. Автор: Кейсуке ЯМАМОТО,Коки НУКАНОБУ,Такуто МОРИГУТИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-20.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210050706A1. Автор: Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Takehiro Nishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for manufacturing semiconductor device or photomask

Номер патента: US20090206282A1. Автор: Takashi Maruyama,Kozo Ogino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing solid electrolytic capacitor using functional polymer electrolytic composition

Номер патента: US20020042976A1. Автор: Sung-Ho Kim,Yong-Chul Kim,Young-Hoon Lee,Dal-Woo Shin,Jong-Joo Park. Владелец: Samwha Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for manufacturing a vacuum-tight beryllium outlet window

Номер патента: RU2760320C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Александр Васильевич Терехин,Николай Ефимович Шер,Валерий Дмитриевич Малыгин. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2021-11-23.

Method for manufacture of composite high-voltage insulator, high-voltage insulator, as well as plastic for use in such insulator and method for manufacture of non-cylindrical structural member

Номер патента: RU2256252C2. Автор: Антон ВЕРМЕЛИНГЕР. Владелец: Вермелингер Аг. Дата публикации: 2005-07-10.

Mixed oxide active material, electrode, method for electrode manufacture, and electrochemical cell incorporating this electrode

Номер патента: RU2276430C2. Автор: ХЁВЕЛЬН Фредерик Хендрик ВАН,Ламбертус ПЛОМП,Герард ЭЛЬЗИНГА. Владелец: Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд. Дата публикации: 2006-05-10.

Method and device for manufacturing of separator for polymer-electrolyte fuel element

Номер патента: RU2516342C2. Автор: Нобухиро ТАДЗОЕ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-05-20.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Method for determining the rotation angle of a rotor-stator device, with slip ring arrangement and computer tomograph

Номер патента: US09974513B2. Автор: Thilo Hannemann. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for performing adaptive input current control in an electronic device with aid of adaptor management, and associated apparatus

Номер патента: US09973075B2. Автор: Chia-Hsiang Lin,Nien-Hui Kung,Kuo-Chang Lo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

A method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: WO2023080920A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for streaming dynamic 5G AR/MR experience to 5G devices with updatable scenes

Номер патента: US12045940B2. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

A method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: EP4427199A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for streaming dynamic 5g ar/mr experience to 5g devices with updatable scenes

Номер патента: US20240371103A1. Автор: Iraj Sodagar. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for voice messaging interfaces and interactions

Номер патента: US20230269321A1. Автор: Geoffrey Kirkcaldie-Bowell. Владелец: Yatter Pty Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for determining the rotation angle of a rotor-stator device, with slip ring arrangement and computer tomograph

Номер патента: US20180085085A1. Автор: Thilo Hannemann. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-03-29.

Apparatus and method for compensating touch error in an electronic device with a touch screen

Номер патента: EP2626773A3. Автор: Jong-Dae Park,Heon-Seok Lee,Hoon-Do Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-19.

System and method for managing mobile wallet and its related credentials

Номер патента: EP2659445A2. Автор: Hyun Jin Kim,Ji Won Kang,Yong Sung Kwon,Hyung Joon HONG. Владелец: SK C&C Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-06.

METHOD FOR CONTROLLING A THREE-PHASE RECTIFIER FOR A LOADING DEVICE WITH THREE-PHASE INPUT.

Номер патента: FR3077441B1. Автор: Najib Rouhana. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

Device and method for pulse charging a battery and for driving other devices with a pulse

Номер патента: US20030117111A1. Автор: John Bedini. Владелец: Energenx Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for operating a dc converter for supplying an electrolysis device with electrical operating energy

Номер патента: EP4092895A1. Автор: Tilo Stach. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-11-23.

METHOD FOR THE OPERATION OF A HEARING DEVICE AND HEARING DEVICE WITH VARIABLE FREQUENCY SHIFT

Номер патента: US20130108094A1. Автор: Kornagel Ulrich,Pape Sebastian,Wurzbacher Tobias,Petrausch Stefan. Владелец: SIEMENS MEDICAL INSTRUMENTS PTE. LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

METHOD FOR EMBEDDING DEVICE-SPECIFIC DATA TO ENABLE PROVISIONING A DEVICE WITH A MOBILE DEVICE

Номер патента: US20130210412A1. Автор: Nelson Scott A.,Larson Kurt T.,Feraru Eugen,Tilstra Michael,Benson Mark,Tilstra Matthew,Hilden Matthew,Klein Nick. Владелец: Logic PD, Inc.. Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR PERFORMING ADAPTIVE INPUT CURRENT CONTROL IN AN ELECTRONIC DEVICE WITH AID OF ADAPTOR MANAGEMENT, AND ASSOCIATED APPARATUS

Номер патента: US20170025944A1. Автор: KUNG NIEN-HUI,Lin Chia-Hsiang,Lo Kuo-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

SYSTEM AND METHOD FOR TRANSFERRING SOFTWARE APPLICATIONS AND DATA BETWEEN TWO MOBILE DEVICES WITH DIFFERENT OPERATING SYSTEMS

Номер патента: US20150087288A1. Автор: Satpathy Ansuman Tapan,Dharawat Parikshit,Gan Su-Yin. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for the integration of a microelectromechanical systems (mems) microphone device with a complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20160119722A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for Sending Emergency Message Using Managing Server and Mobile Device with Fingprint Recognition Sensor, and Managing Server therefor

Номер патента: KR101526864B1. Автор: 김도현,신요식,김금용. Владелец: 주식회사 유니온커뮤니티. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for operating an overvoltage protection device and overvoltage protection device with at least one coarse protection and one fine protection element

Номер патента: DE19952004B4. Автор: Peter Dr.-Ing. Hasse,Ralph Dr.-Ing. Brocke,Jörg Dipl.-Ing. Pospiech,Peter Dr.-Ing. Zahlmann. Владелец: Dehn and Soehne GmbH and Co KG. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for being directed at image documentation equipment or scanning device with dentistry auxiliary element

Номер патента: CN109963525A. Автор: M·施乐格尔,M·鲍勒. Владелец: IVOKRALVARDENT AG. Дата публикации: 2019-07-02.

Method for Operating a Hearing Aid Device and Hearing Aid Device with a Microphone System in which Different Directional Characteristics can be Set

Номер патента: AU2004202682B2. Автор: Tom Weidner,Torsten Niederdränk. Владелец: Siemens Audioligische Technik GmbH. Дата публикации: 2007-01-11.

Bus system e.g. 2-wire bus system, operating method for use in motor vehicle, involves assigning each secondary device with address within address segments, where secondary devices are controlled and/or communicated over bus

Номер патента: DE102005039476A1. Автор: Lothar Blossfeld. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2007-02-22.

System and method for roaming of portable device between multiple access point devices with which the portable device is registered

Номер патента: CN109327878B. Автор: 杨斌,蒋宏业,K.埃斯基尔森. Владелец: Andingbao. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for short-term operation of well using immersed pump device with electric drive

Номер патента: RU2293176C1. Автор: Николай Петрович Кузьмичев. Владелец: Николай Петрович Кузьмичев. Дата публикации: 2007-02-10.

Method for constructing computational process of testing electronic i/o devices with exchange diagnostics

Номер патента: RU2750109C1. Автор: Виктор Викторович Прудков. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2021-06-22.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A2. Автор: Dong Zhou,Marion C. Lineberry,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green. Владелец: NTT DOCOMO Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A3. Автор: Dong Zhou,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green,Marion C Lineberry. Владелец: Marion C Lineberry. Дата публикации: 2007-08-23.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A3. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-09-20.

Systems and methods for activating and using a trackpad at an electronic device with a touch-sensitive display and no force sensors

Номер патента: US11119653B2. Автор: Marcos Alonso Ruiz,Morgan H. Winer,Randal J. Marsden,Colin D. Munro. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: CA3030314C. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2024-02-20.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP4235364A2. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2023-08-30.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: US20240118681A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for stimulating or blocking a nerve using an electrode device with a sutureless closure

Номер патента: US20230355965A1. Автор: Steven M. Goetz,Rebecca K. Gottlieb,David John Miller,Leonid M. Litvak,Kanthaiah Koka,Maneesh Shrivastav,ShaileshKumar V. Musley,Suryakiran Vadrevu. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Systems and methods for implementing machine learning in a local apl edge device with power constraints

Номер патента: EP4354231A1. Автор: Harshad MAHAJAN,Harikrishnan Baskaran. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing semiconductor structure having conductive block connected to transistor on the substrate

Номер патента: US12114481B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12108592B2. Автор: Jie Zhang,Jie Bai,Juanjuan Huang,Dahan QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Hybrid cartridge for electronic vaping, electronic vaping apparatus containing hybrid cartridge for electronic vaping, and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2750169C2. Автор: Кристофер С. ТАКЕР,Барри С. Смит,Уилльям Дж. Кроу,Нам ТРАН,Эдмон КАДЬЕ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Electro-luminescent device and method for its manufacture

Номер патента: RU2269876C2. Автор: Паскаль МАГЭН,Рене УИНАН. Владелец: Решерш Е Девелопман Дю Груп Кокрилл Самбр. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Method for forming a capacitor using a hemispherical-grain structure

Номер патента: US5837581A. Автор: Chih-Hsiung Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Method for forming a DRAM capacitor

Номер патента: US5681773A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for making magnetizable core with winding for electric machine (variants), magnetizable core manufactured using said method, with winding, and also an electric machine with core manufactured by said method, with winding

Номер патента: RU2267215C2. Автор: Клаус ПФЛЮГЕР,Хельмут КРОЙЦЕР,Эберхард РАУ,Адам ВИЛЛЬМОТТ,Алан ФАССИ,Уилль мс НЕЙЛ,Уилльямс НЕЙЛ,Мартин ХЕННЕ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing an electric power device, electric power device and use of an electric power device

Номер патента: RU2760843C1. Автор: Франческо АГОСТИНИ,Пьер ЭЛЬСЕР,Лукаш МАТЫСЯК,Роберт СЕКУЛЯ. Владелец: Абб Пауэр Гридс Свитцерланд Аг. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for manufacturing high-frequency printed circuit boards

Номер патента: RU2765105C1. Автор: Николай Владимирович Луконин,Сергей Анатольевич Толмачев,Андрей Глебович Масанов,Вадим Юрьевич Изотов,Владимир Сергеевич Катышев. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-01-25.

Method for manufacturing brushless dc motor stator and stator of brushless dc motor manufactured by this method

Номер патента: RU2287888C2. Автор: Йоунг-Кван КИМ,Биунг-Таек КИМ,Дзанг-Хо ШИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-11-20.

Method for manufacturing a multilayer printed circuit board

Номер патента: RU2602084C2. Автор: Геннадий Васильевич Мылов,Игорь Владимирович Дрожжин,Михаил Владимирович Ларин. Владелец: Акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод". Дата публикации: 2016-11-10.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

A method for controlling the stroke of a diesel free-piston gas generator

Номер патента: WO1997028362A1. Автор: Rolf Kvamsdal,Tor Arne Johansen,Olav Egeland,Magnar Jarle FØRDE. Владелец: Kvaerner Asa. Дата публикации: 1997-08-07.

Device, System and Method For The Detection and Screening of Plastic Microparticles

Номер патента: US20220228964A1. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2022-07-21.

Device, system and method for the detection and screening of plastic microparticles

Номер патента: US11867602B2. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-01-09.

Device, System And Method For The Detection And Screening of Plastic Microparticles

Номер патента: US20240133788A1. Автор: Wayne H. Knox,James Lionel MCGRATH,Gregory MADEJSKI. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-04-25.

A method for providing a perimetry processing tool and a perimetry device with such a tool

Номер патента: WO2022078568A1. Автор: Samuel WEINBACH,Jonas ANDRULIS. Владелец: Haag-Streit AG. Дата публикации: 2022-04-21.

Flow device and flow method for an additive manufacturing device and an additive manufacturing device with such a flow device

Номер патента: US12115722B2. Автор: Alexander SCHILLING,Sebastian Mehl,Franz-Josef Kerl. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2024-10-15.

OPTICALLY CLEAR ADHESIVE SHEET, METHOD FOR MANUFACTURING OPTICALLY CLEAR ADHESIVE SHEET, LAMINATE, DISPLAY DEVICE WITH TOUCH PANEL, AND METHOD FOR BONDING OPTICALLY CLEAR ADHESIVE SHEET

Номер патента: US20190194498A1. Автор: TAKAGI Daisuke,Miyake Masaya,HOSOKAWA Yuki,OKUNO Yuzo. Владелец: BANDO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for powering an engine by combustion of silicon hydrogens and silicon powder with self-generating silicon nitride lubrication

Номер патента: AU2002227859A1. Автор: Peter Plichta. Владелец: Peter Plichta. Дата публикации: 2002-06-11.

Heat exchanger, method for manufacturing the heat exchanger, and refrigeration cycle device with the heat exchanger

Номер патента: WO2012104944A1. Автор: 寿守務吉村,浩昭中宗,瑞朗酒井. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for drying compressed gas

Номер патента: US11857917B2. Автор: Hans Maria Karel HERMANS. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2024-01-02.

Device and method for the disposal/disposal firing of occupant protection devices/road user protection devices with pyrotechnic igniters

Номер патента: US20070132314A1. Автор: Günter Fendt,Lothar Weichenberger,Reinhard Helldorfer,Thomas Görnig. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2007-06-14.

Drying device and method for drying compressed gas

Номер патента: CA3159257C. Автор: Hans Maria Karel HERMANS. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Door drive for a door, in particular of a piece of furniture or an appliance, method for operating such a door drive as well as device with at least one such door drive

Номер патента: US20210017801A1. Автор: Meurer Gerold,Margonari Massimiliano. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

A SYSTEM AND METHOD FOR PREVENTING SIGHT DETERIORATION CAUSED BY NEAR WORK WITH DEVICES WITH ELECTRONIC SCREENS

Номер патента: US20190227636A1. Автор: LOPEZ GIL Norberto,LIU Yuou. Владелец: VISIONAPP SOLUTIONS S.L.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for switching and driving device for liquid crystal display device with driving circuit

Номер патента: KR100585410B1. Автор: 오금미,양명수. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-06-07.

Friction material for dry friction device, method for producing such dry friction material, and dry friction device with such friction material

Номер патента: KR970002027A. Автор: 궤린 리차드,쟈끄 제랄드. Владелец: 발레오. Дата публикации: 1997-01-24.

Recording medium for optical data storage devices, method for producing said recording medium and optical data storage device with corresponding recording layer

Номер патента: CN1214378C. Автор: A·扎菲洛夫,S·拉科夫斯基,J·巴卡吉瓦－埃尼瓦. Владелец: VIVASTAR MATERIALS AG. Дата публикации: 2005-08-10.

A system and method for preventing sight deterioration caused by near work with devices with electronic screens

Номер патента: EP3488319A1. Автор: Norberto Lopez Gil,Yuou LIU. Владелец: Visionapp Solutions SL. Дата публикации: 2019-05-29.

Recording medium for optical data storage devices, method for producing said recording medium and optical data storage device with a corresponding recording layer

Номер патента: US6743494B1. Автор: Atanas Zafirov,Slavtcho Rakovski,Jana Bakardjieva-Eneva. Владелец: Interaxia Ag. Дата публикации: 2004-06-01.

Door drive for a door, in particular of a piece of furniture or an appliance, method for operating such a door drive as well as device with at least one such door drive

Номер патента: US11499358B2. Автор: Gerold Meurer,Massimiliano Margonari. Владелец: Apparatebau Gronbach Srl. Дата публикации: 2022-11-15.

Devices, Systems, and Methods for a Heart-Valve Annulus Reinforcer

Номер патента: US20230240846A1. Автор: Julie Logan SANDS,Kenneth Eugene PERRY,Edward Ian WULFMAN,Philip Andrew Ahrens. Владелец: Revalve Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

System and method for controlling a core drill and an auto feed device with a human machine interface arranged on the core drill

Номер патента: US11994841B2. Автор: Martin Schaefer,Marco Balter,Christian Metzler. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2024-05-28.

Synchronizing a pulsatile cardiac assist device with a pacemaker

Номер патента: US20190374693A1. Автор: Arash Kheradvar,Ronald J. Hosmer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-12-12.

Devices, systems, and methods for a heart-valve annulus reinforcer

Номер патента: CA3187425A1. Автор: Julie Logan SANDS,Kenneth Eugene PERRY,Phillip Andrew Ahrens,Edward Ian WULFMAN. Владелец: Revalve Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Devices, systems, and methods for a heart-valve annulus reinforcer

Номер патента: EP4171445A1. Автор: Julie Logan SANDS,Kenneth Eugene PERRY,Phillip Andrew Ahrens,Edward Ian WULFMAN. Владелец: Revalve Solutions Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Device and Method for Checking and Correcting the Position of an Operating Device With Respect to a Piece

Номер патента: US20180001429A1. Автор: Di Stefano Giovanni,Navarria Filippo. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

FLOW DEVICE AND FLOW METHOD FOR AN ADDITIVE MANUFACTURING DEVICE AND AN ADDITIVE MANUFACTURING DEVICE WITH SUCH A FLOW DEVICE

Номер патента: US20220009001A1. Автор: Mehl Sebastian,Schilling Alexander,Kerl Franz-Josef. Владелец: EOS GMBH ELECTRO OPTICAL SYSTEMS. Дата публикации: 2022-01-13.

METHOD FOR PERFORMING PROCESS FAULT TOLERANT CONTROL OF AN ELECTRONIC DEVICE WITH AID OF CONTROL SIGNALS, AND ASSOCIATED APPARATUS AND ASSOCIATED COMPUTER PROGRAM PRODUCT

Номер патента: US20170031748A1. Автор: CHIANG Tsung-Yueh. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING AND USING ELECTRICAL STIMULATION AND RF ABLATION DEVICES WITH ELECTROMAGNETIC NAVIGATION

Номер патента: US20190038895A1. Автор: Pianca Anne Margaret,Carbunaru Rafaei. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD FOR DETERMINING THE ROTATION ANGLE OF A ROTOR-STATOR DEVICE, WITH SLIP RING ARRANGEMENT AND COMPUTER TOMOGRAPH

Номер патента: US20180085085A1. Автор: Hannemann Thilo. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-03-29.

METHOD FOR DISPLAYING AND MANAGING INTERACTION SYMBOLS AND ASSOCIATED VIEWING DEVICE WITH A TOUCH SURFACE

Номер патента: US20160098168A1. Автор: Hourlier Sylvain,LAFON Stéphanie,DARRIN Emilie. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD FOR OPTICALLY DETECTING A FINGERPRINT OR AN OBJECT, AND DEVICE WITH AT LEAST ONE SCREEN

Номер патента: US20160110025A1. Автор: Hossu Dan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

OPTICAL TRANSPARENT ADHESIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING OPTICAL TRANSPARENT ADHESIVE SHEET, LAMINATE AND DISPLAY DEVICE WITH TOUCH PANEL

Номер патента: US20180112112A1. Автор: Onishi Jun,HOSOKAWA Yuki. Владелец: BANDO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2018-04-26.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING ANALYSIS OF VISUAL FUNCTION USING A MOBILE DEVICE WITH DISPLAY

Номер патента: US20210153736A1. Автор: BLUMENKRANZ Mark,PALANKER Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

System and Method for Controlling a Core Drill and an Auto Feed Device with a Human Machine Interface Arranged on the Core Drill

Номер патента: US20220276638A1. Автор: BALTER Marco,SCHAEFER Martin,METZLER Christian. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERSONALIZED DINING CHECKS AND INDIVIDUALIZED PAYMENT BY ASSOCIATING DEVICE WITH DINING SESSION

Номер патента: US20190130504A1. Автор: CHRISTENSEN Coy A.,BRYANT Scot,de la Fuente Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING ANALYSIS OF VISUAL FUNCTION USING A MOBILE DEVICE WITH DISPLAY

Номер патента: US20170143202A1. Автор: BLUMENKRANZ Mark,PALANKER Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SYSTEM AND METHOD FOR TRANSFERRING SOFTWARE APPLICATIONS AND DATA BETWEEN TWO MOBILE DEVICES WITH DIFFERENT OPERATING SYSTEMS

Номер патента: US20160179493A1. Автор: Satpathy Ansuman Tapan,Dharawat Parikshit,Gan Su-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR PERSONALIZED DINING AND INDIVIDUALIZED ORDERING BY ASSOCIATING ELECTRONIC DEVICE WITH DINING SESSION

Номер патента: US20200167877A1. Автор: CHRISTENSEN Coy,BRYANT Scot,de la Fuente Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING ANALYSIS OF VISUAL FUNCTION USING A MOBILE DEVICE WITH DISPLAY

Номер патента: US20140285769A1. Автор: BLUMENKRANZ Mark,PALANKER Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US20160213243A1. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR REDUCING POWER CONSUMPTION OF DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE WITH LOW POWER CONSUMPTION

Номер патента: US20200227004A1. Автор: ZUO Qingcheng,YUAN Xiaoling. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING RECHARGEABLE POWER SOURCES IN A PORTABLE COMPUTING DEVICE WITH TWO OR MORE USAGE MODES

Номер патента: US20140359338A1. Автор: Park Hee-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING ADVERTISING SERVICES IN A PREDICTIVE MANNER TO DEVICES WITH AN ADVERTISING EXCHANGE

Номер патента: US20150287104A1. Автор: Kang Daniel,Chan Wayne,Gupta Arvind,Myers Raymond,Solomon Sasha,Deignan Michael. Владелец: VUNGLE, INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

Systems and Methods for Activating and Using a Trackpad at an Electronic Device with a Touch-Sensitive Display and No Force Sensors

Номер патента: US20190369870A1. Автор: Marsden Randal J.,Winer Morgan H.,ALONSO RUIZ Marcos,Munro Colin D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

METHODS FOR DETECTING SYSTEM-LEVEL TROJANS AND AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH SYSTEM-LEVEL TROJAN DETECTION

Номер патента: US20200387601A1. Автор: SCHAT Jan-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

SYSTEMS AND METHODS FOR ACTIVATING AND USING A TRACKPAD AT AN ELECTRONIC DEVICE WITH A TOUCH-SENSITIVE DISPLAY AND NO FORCE SENSORS

Номер патента: US20200409551A1. Автор: Marsden Randal J.,Winer Morgan H.,ALONSO RUIZ Marcos,Munro Colin D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method for filling the blood tubing system of a hemodialysing device with a saline solution

Номер патента: EP0161686B1. Автор: Hans-Dietrich Dr. Polaschegg. Владелец: Fresenius SE and Co KGaA. Дата публикации: 1991-02-13.

Systems and methods for activating and using a trackpad at an electronic device with a touch-sensitive display and no force sensors

Номер патента: US20210405870A1. Автор: Randal J. Marsden. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

METHOD FOR ENSURING THE ANGULAR POSITIONING OF AN ORIENTABLE CLOSURE DEVICE WITH RESPECT TO A FLEXIBLE DISTRIBUTION TUBE HAVING A MARKING.

Номер патента: FR2682079B1. Автор: Daniel Goyet. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1995-03-24.

System and method for providing analysis of visual function using a mobile device with display

Номер патента: US11452440B2. Автор: Daniel Palanker,Mark Blumenkranz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-09-27.

A method for repeatedly filling and emptying a tubular implantable containment device with a therapeutic device.

Номер патента: NL1003302A1. Автор: Mark Damon Butler,Stanley Lawrence Mish. Владелец: Gore Hybrid Technologies Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Device and method for checking and correcting the position of an operating device with respect to a piece

Номер патента: CA2971123A1. Автор: Giovanni Di Stefano,Filippo Navarria. Владелец: Comau SpA. Дата публикации: 2016-07-21.

AUTOMATIC DECODING METHOD FOR MAPPING AND SELECTION OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH A COMMON SERIAL INTERFACE

Номер патента: ITMI20021583A1. Автор: Paolino Schillaci,Salvatore Poli,Malfa Antonino La. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2004-01-19.

Method for anti-collision control and the management of picking devices with shared working areas in a packaging line

Номер патента: CA2794012A1. Автор: Daniele Bellante. Владелец: CAMA1 SpA. Дата публикации: 2013-06-30.

Method for power regulation of a defroster heater and refrigeration device with integrated defroster heating

Номер патента: CN1771419A. Автор: 伊利亚斯·马内塔斯,格奥尔格·施特劳斯. Владелец: BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2006-05-10.

METHOD FOR FILLING A BLOOD HOSE SYSTEM OF A HAEMODIALYSIS DEVICE WITH A PHYSIOLOGICAL SALINE SOLUTION, AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: DE3418434A1. Автор: Hans-Dietrich Dr. 6370 Oberursel Polaschegg. Владелец: Fresenius SE and Co KGaA. Дата публикации: 1985-11-21.

Method for power regulation of a defroster heater and refrigeration device with integrated defroster heating

Номер патента: EP1613907A1. Автор: Georg Strauss,Ilias Manettas. Владелец: BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2006-01-11.

Systems and methods for providing advertising services in a predictive manner to devices with an advertising exchange

Номер патента: US9336539B2. Автор: Raymond Myers,Arvind Gupta,Daniel Kang,Wayne Chan,Michael Deignan,Sasha Solomon. Владелец: Vungle Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Methods for detecting system-level trojans and an integrated circuit device with system-level trojan detection

Номер патента: US11586728B2. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-02-21.

Systems and methods for providing advertising services in a predictive manner to devices with an advertising exchange

Номер патента: CN106688005A. Автор: 阿尔温德·古普塔,韦恩·陈,丹尼尔·康,迈克尔·德尼安,萨莎·所罗门,雷蒙德·迈尔斯. Владелец: Vungle Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

METHOD FOR DETERMINING THE PARAMETERS OF A N-TERM DELAY DEVICE WITH THE SAME TIME CONSTANTS.

Номер патента: DE3873416D1. Автор: Hans-Peter Dr Ing Preuss. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-10.

Optical transparent adhesive sheet, method for producing optical transparent adhesive sheet, laminate and display device with touch panel

Номер патента: KR101999583B1. Автор: 준 오니시,유키 호소카와. Владелец: 반도 카가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-12.

Method for cavity preservation, mixing nozzle unit and cavity preservation device with such a mixing nozzle unit

Номер патента: EP3670001A1. Автор: Fredy Doll,Marc Engelhart. Владелец: IPR Intelligente Peripherien fuer Roboter GmbH. Дата публикации: 2020-06-24.

A method for generating an electronically storable, digital map and navigation device with a digital map

Номер патента: DE102007062991B3. Автор: Radu Tudose. Владелец: NAVIGON AG. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for power regulation of a defroster heater and refrigeration device with integrated defroster heating

Номер патента: US20060243722A1. Автор: Georg Strauss,Ilias Manettas. Владелец: BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Ultrasonic device with the built-in gas supply system

Номер патента: RU2638909C2. Автор: Виктор Ф. РАНДКВИСТ,Кевин С. ДЖИЛЛ. Владелец: Саутвайэ Компэни. Дата публикации: 2017-12-18.

Method of manufacturing semiconductor converter of ionizing radiation energy to electricity

Номер патента: RU2668229C1. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Сергей Юрьевич Трощиев,Николай Викторович Лупарев,Сергей Александрович Тарелкин,Виталий Сергеевич Бормашов,Антон Владимирович Голованов,Дмитрий Дмитриевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-09-27.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20020076863A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Heat exchange element, method for its manufacture and device for its implementation

Номер патента: RU2759309C1. Автор: Эдуард Аркадьевич Петровский,Олег Александрович Коленчуков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-11-11.

Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer

Номер патента: US20050054129A1. Автор: Kao-Su Huang,Wei-Shiau Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Production line for manufacture of a food extruded product and a method for production of a food extruded product

Номер патента: RU2723718C1. Автор: Николай Владимирович Семенякин. Владелец: Николай Владимирович Семенякин. Дата публикации: 2020-06-17.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet, and silicon nitride sintered body

Номер патента: US20220098121A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing single sheet-type green sheet, method for manufacturing silicon nitride sintered body, single sheet-type green sheet and silicon nitride sintered body

Номер патента: EP3919247A1. Автор: Koji Nishimura,Akimasa Yuasa,Seiji Kobashi,Yoshiyuki ESHIMA,Ryuhei Watanabe. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for manufacturing a tank boiler with a heating jacket and a tank boiler with a heating jacket

Номер патента: RU2761059C1. Автор: Максим Васильевич Агинских,Максим Сергеевич Лобанов,Екатерина Витальевна Шилова. Владелец: Ооо "Рейл1520 Ай Пи". Дата публикации: 2021-12-02.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Methods for manufacturing and application of ophthalmological devices with power supply, with energy saving mode

Номер патента: RU2641917C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС,Кэмилл ХИГХАМ,Скотт Р. ХАМФРИЗ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing rotation shells and device for its implementation

Номер патента: RU2638857C1. Автор: Александр Олегович Звонов,Александр Викторович Зубарев,Олег Валерьевич Васильев,Алексей Сергеевич Разнатовский. Владелец: федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр "Прогресс" (ФГУП "ФНПЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2017-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030176006A1. Автор: Hiroshi Muto,Kazuhiko Kano,Junji Oohara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US10604859B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Method for forming pattern, method for manufacturing ornament, method for manufacturing belt for wristwatch, method for manufacturing structure for mounting wiring, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20180087169A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090130603A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head slider with diamoind-like carbon layer and a silicon nitride layer, and related head gimbal assembly and disk drive unit

Номер патента: US12106783B2. Автор: Hua Li,Peng Liu,Rong Huang,Jian Hui Huang,Da Yao HE. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing of stamped plate

Номер патента: RU2417896C2. Автор: Ханс БУРКХАРТ,Вильфрид ЮД. Владелец: Амкор Флексиблз Кройцлинген АГ.. Дата публикации: 2011-05-10.

Receiving vessel for melt silicon or vessel for melting silicon and method for making it

Номер патента: RU2303663C2. Автор: Фредерик КАЙО,Койчи ШИМИЗУ,Казуми ТАНИ,Ёшифуми КОБАЯШИ. Владелец: Везувиус Франс С.А.. Дата публикации: 2007-07-27.

Device and method for manufacturing of interdental cleaner

Номер патента: RU2692457C2. Автор: Юрген БУЦ. Владелец: Санстар Сюис Са. Дата публикации: 2019-06-24.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-SPEED MULTICOMPONENT PHOTODETECTORS BUILT AROUND EPITAXIAL STRUCTURES InGaAs/InP

Номер патента: RU2318272C1. Автор: Инна Викторовна Чинарева,Ольга Викторовна Огнева,Олег Николаевич Забенькин,Тать на Николаевна Мищенкова,Татьяна Николаевна Мищенкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН", ФГУП "НПО "ОРИОН". Дата публикации: 2008-02-27.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: AU2021365638A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: CA3195650A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: EP4232422A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: WO2022087522A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Systems and methods for hot-isostatic pressing to increase nitrogen content in silicon nitride

Номер патента: AU2021365638A9. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09864267B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240231214A9. Автор: Teiichiro Umezawa,Kota Suzuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid crystal display device having esd protection circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1704443A1. Автор: Hideo c/o Philips Japan Ltd. TANAKA. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080057441A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing photomask and method for manufacturing semiconductor device using photomask

Номер патента: US20060222964A1. Автор: Kazumasa Morishita,Hiroki Futatsuya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11429019B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Wei-Chung HU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Ophthalmic devices with stabilizing elements

Номер патента: RU2637374C2. Автор: Шарика СНУК,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Эдвард Р. КЕРНИК,Карсон С. ПАТТ,Кэмилл ХИГХАМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-12-04.

Method for selecting photomask substrate, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070092811A1. Автор: Kazuya Fukuhara,Masamitsu Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Coated article and method for making the same

Номер патента: US8709594B2. Автор: Cheng-Shi Chen,Huann-Wu Chiang,Hsin-Pei Chang,Wen-Rong Chen,Xiao-Qiang Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Liquid crystal display device and method for making the same

Номер патента: US20090190055A1. Автор: Chien-Hung Chen,Li-Kai Chen. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Coated article and method for making the same

Номер патента: US20120141825A1. Автор: Cheng-Shi Chen,Huann-Wu Chiang,Hsin-Pei Chang,Wen-Rong Chen,Xiao-Qiang Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing a component of an internal-combustion engine

Номер патента: WO2015197497A1. Автор: Romulo Petrini FOGACA DE ALMEIDA. Владелец: MAHLE Metal Leve S/A. Дата публикации: 2015-12-30.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090305169A1. Автор: Katsutoshi Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120141944A1. Автор: Katsutoshi Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Device for making hollow concrete products, a method for making hollow concrete products and a hollow concrete structure

Номер патента: RU2769634C1. Автор: Виктор Юрьевич Шмаков. Владелец: Виктор Юрьевич Шмаков. Дата публикации: 2022-04-04.

Method for manufacturing parts of complex shape by hybrid casting-additive method

Номер патента: RU2752359C1. Автор: Виктор Борисович Федоров,Виктор Иванович Гузеев,Антон Дмитриевич Казанский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2021-07-26.

Granular material, method for manufacturing the granular material and method for manufacturing sintered ore

Номер патента: RU2765680C1. Автор: Кэнта ТАКЭХАРА,Тэцуя ЯМАМОТО,Масато КУРОИВА,Наото КОБАЯСИ,Тэцуя ДЗИННО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Preparation of lenses with elements for manufacturing of ophtalmological lens

Номер патента: RU2630103C2. Автор: Кристофер УАЙЛДСМИТ,Марк П. ПАУЭЛЛ,Майкл УИДМЭН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-09-05.

Door frame plat band, method for manufacturing door frame plat band, workpiece for implementing the method

Номер патента: RU2749947C1. Автор: Евгений Валерьевич Макаров. Владелец: Евгений Валерьевич Макаров. Дата публикации: 2021-06-21.

Method for manufacturing the absorbent component and method for manufacturing the absorbent product

Номер патента: RU2750537C1. Автор: Томоюки МОТЕГИ,Рюдзи МАЦУНАГА,Такуаки ХАРАДА,Юки КАТО,Хироюки ИВАСА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-06-29.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C9. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-12-13.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C9. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-10-30.

Device and a method for calibrating the irradiation system of the installation for manufacturing a three-dimensional product

Номер патента: RU2747975C1. Автор: Кристиан ТИЛЬ. Владелец: СЛМ Солюшенз Груп АГ. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

Blank for manufacturing test system for express diagnostics of helicobacter pylori infection by urease activity of biopsy material and method for manufacturing test system

Номер патента: RU2630651C1. Автор: Евгений Матвеевич Аксенов,Вадим Сергеевич Дмитриенко,Андрей Игоревич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ассоциация Медицины и Аналитики" (ООО "АМА"). Дата публикации: 2017-09-11.

Method for manufacturing joints of connections of hull structures made of polymer composite materials (pcm)

Номер патента: RU2648432C1. Автор: Сергей Дмитриевич Козлов,Антон Владимирович Веденецкий,Николай Николаевич Федонюк,Алексей Владимирович Блинов,Дмитрий Юриевич Соосаар,Марина Владимировна Бирюкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП "Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2018-03-27.

Component of tobacco industry product and method for manufacturing component of tobacco industry product

Номер патента: RU2764977C1. Автор: Пол ЛЬЮИС,Мэттью ХЕСФОРД,Эндрю БЕРТОН,Ян КИНГ,Сачин ПАТЕЛ,Райан ВЕЛД,Джереми КЛЕМЕНТС. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for application of coating on strips of metal-roll, production line for applying coating on strips of metal-roll

Номер патента: RU2664065C2. Автор: Дирк ХОЛЬШУМАХЕР,Андреас МЕШЕДЕ. Владелец: Тиссенкрупп Стил Юроп Аг. Дата публикации: 2018-08-14.

Method and device for manufacture of aerated food product and product manufactured with such method and device usage

Номер патента: RU2535260C2. Автор: Мелис АБИЛОВ,Шимон МАЦУРА,Тадеуш КЛАУС,Стефен ПИРСОН,Джули СИМОНСОН. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and system for manufacturing multi-segment tobacco products

Номер патента: RU2748505C2. Автор: Кшиштоф СТОЛЯРСКИ. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for creating 3d object from materials with low adhesive strength to each other, and device for its implementation

Номер патента: RU2751442C1. Автор: Рамиль Наилевич Кашапов,Наиль Фаикович Кашапов,Рустам Ринатович Фарахов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-07-13.

Method for manufacturing of shoe sole consisting of wearing part of sole containing vulcanizate, connected to polyurethane substrate, and composition used in this method

Номер патента: RU2318419C2. Автор: Лоренцо ЛОРЕНЦИН. Владелец: Мэйн Груп С.П.А.. Дата публикации: 2008-03-10.

Opening device, method for manufacturing such an opening device and packaging material for use in said method

Номер патента: RU2669275C2. Автор: Торбьерн АНДЕРССОН,Пер РЮДБЕРГ,Пер АНДЕРССОН,Пер ОЛЬССОН,Йеран ЙОХАНССОН,Маттиас ЛЕННАРТССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for manufacturing an article on top of a base device

Номер патента: US20240017324A1. Автор: Per Viklund,Ville-Pekka MATILAINEN. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for making a nano-particulate medium

Номер патента: GB2417962B. Автор: David Michael Newman,Mavis Lesley Wears,Michael Ian Jollie. Владелец: Coventry University. Дата публикации: 2006-08-23.

Sealant dispensing apparatus and method for manufacturing liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20070121055A1. Автор: Seung Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Tooth-cleaning composition and method for producing it

Номер патента: US20040047813A1. Автор: Hiroyuki Sasaki,Naofumi Yano. Владелец: Kanebo Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Resin, photoresist composition, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12085855B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Siao-Shan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Nozzle insert, nozzle device with a nozzle insert, and method for manufacturing a nozzle insert

Номер патента: EP4442876A1. Автор: Marnix Ghesquiere,Sebastiaan VERREPT,Bart LECLUYSE,Jens Feys. Владелец: Picanol NV. Дата публикации: 2024-10-09.

Nozzle insert, nozzle device with a nozzle insert, and method for manufacturing a nozzle insert

Номер патента: WO2024208489A1. Автор: Marnix Ghesquiere,Sebastiaan VERREPT,Bart LECLUYSE,Jens Feys. Владелец: PICANOL. Дата публикации: 2024-10-10.

Wavelength converting device, methode for manufacturing the same and lighting unit using the same

Номер патента: US09797577B2. Автор: Mitsunori Harada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Device for aseptic storage and method for manufacture and assembly thereof

Номер патента: RU2684373C2. Автор: Роберто Консоларо,Анджело Консоларо,Раджив КАББУР. Владелец: Бреветти Анджела С.Р.Л.. Дата публикации: 2019-04-08.

Method for manufacturing contactless chip-card and chip-card

Номер патента: RU2291484C2. Автор: Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Райнхард ПРОСКЕ,Андреас МЮЛЛЕР-ХИППЕР. Владелец: Серкл Смарт Кард Аг. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacturing a bimetallic turbine impeller

Номер патента: RU2766654C1. Автор: Александр Сергеевич Никитин,Любовь Александровна Магеррамова,Евгений Павлович Кратт,Валентин Васильевич Ясинский,Георгий Борисович Ремпель. Владелец: Акционерное общество "Объединенная двигателестроительная корпорация" (АО "ОДК"). Дата публикации: 2022-03-15.

Method for manufacturing osteosynthesis devices, osteosynthesis devices and implants made of semi-synthetic hybrid material obtained by structural modification of components of a natural marine biomaterial

Номер патента: RU2669926C2. Автор: Жорж КАМПРАС,Серж КАМПРАС. Владелец: Мбп (Моришес) Лтд. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Smoking product and method for smoking product manufacture

Номер патента: RU2542548C2. Автор: ФИБЕЛКОРН Ричард,КАЛДЖУРА Карл,НАППИ Леонардо. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2015-02-20.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for regeneration of eluates of sodium-cation filters

Номер патента: RU2756617C1. Автор: Олег Григорьевич Селиванов,Евгений Сергеевич Пикалов,Наталья Дмитриевна Смелая,Александра Евгеньевна Сенцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2021-10-04.

Zirconium base alloy and method for manufacturing fuel-assembly element for nuclear reactor from this alloy

Номер патента: RU2261487C2. Автор: Даниель ШАРКЕ,Жан-Поль МАРДОН,Жан СЕНЕВА. Владелец: Фраматом Анп. Дата публикации: 2005-09-27.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C2. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-10-24.

Steel material for main pipes, method for its production and method for manufacturing the main pipe

Номер патента: RU2747774C1. Автор: Томоюки ЁКОТА,Кёно ЯСУДА,Акихико ТАНИДЗАВА,Рюдзи МУРАОКА,Кадзукуни ХАСЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-05-13.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing brush head using molded bundle holder and support plate, as well as brush head

Номер патента: RU2770726C2. Автор: Флориан КОПЕЙНИГ,Михаэль МАЙДЛЬ,Мартин ВАРХ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing a container for explosives

Номер патента: RU2744060C1. Автор: Василий Степанович Бессмертный,Наталья Михайловна Здоренко,Дмитрий Владимирович Кочурин,Олег Владимирович Пучка,Марина Алексеевна Бондаренко,Андрей Викторович Черкасов,Екатерина Михайловна Бурьянова. Владелец: Автономная некоммерческая организация высшего образования "Белгородский университет кооперации, экономики и права". Дата публикации: 2021-03-02.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for manufacturing the surfaces of the assembly body of the coffin, the surface manufactured by the described method, and the body of the coffin with the group of the specified surfaces

Номер патента: RU2746455C2. Автор: Кристос МИКАЛАКОС,Фотиос КУТРОПУЛОС,Каралабос МИКАЛАКОС. Владелец: Каралабос МИКАЛАКОС. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for manufacture of hollow vane for gas-turbine engine

Номер патента: RU2349437C2. Автор: Ален ЛОРЬЕ,Даниель Гастон ЛОММ,Жан-Пьер ФЕРТЕ,Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЭ. Владелец: Снекма Мотер. Дата публикации: 2009-03-20.

Netted web of papermaking machine for manufacture of paper with thread-marks and method for manufacture of such a netted web

Номер патента: RU2300596C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Виттих КАУЛЕ,Томас ГЕРХАРДТ,Гюнтер ВИЛЬД,Бернд ШТУМБЕКК,Вольфганг ВЕНЗАУЕР,Андреас АИГНЕР,Виттих КАУЛЕ (DE),Карлхайнц МАЙЕР (DE),Бернд ШТУМБЕКК (DE),Вольфганг ВЕНЗАУЕР (DE),Гюнтер ВИЛЬД (DE),Томас ГЕРХАРДТ (DE),Андреас АИГНЕР (DE). Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2007-06-10.

Method for manufacturing unidirectional textile fabric

Номер патента: RU2756286C2. Автор: Ронни ВОККАТЦ,Сюхей ЙОСИДА,Дирк ОРТМАННС,Йосуке НАКАМУРА,Хидекадзу ЙОСИКАВА. Владелец: Тейджин Карбон Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for manufacturing hollow reinforcement structures intersecting one another

Номер патента: RU2670864C9. Автор: Лука БОТТЕРО,Массимо ГРЕГОРИ. Владелец: Алениа Аэрмакки С.п.А.. Дата публикации: 2018-12-04.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Counterfeit-proof paper, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: RU2315832C2. Автор: Тео Бурхард,Михаэль БЁМ,Хорст РАЙГЛЬ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2008-01-27.

METHOD FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION AND PRODUCTION LINE FOR MANUFACTURING OF COMPOSITE SUPERCONDUCTING WIRE BASED ON Nb3Sn COMPOSITION

Номер патента: RU2559803C2. Автор: Александр Константинович Шиков,Дмитрий Константинович Фигуровский,Александра Евгеньевна Воробьёва,Ильдар Мансурович Абдюханов,Елена Александровна Дергунова,Евгений Васильевич Никуленков,Мансур Нурахметович Насибулин,Надежда Викторовна Трактирникова. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for manufacture of products for children alimentation

Номер патента: RU2472399C2. Автор: Франк ВЕБЕР,Мартинас КУСЛЮС,Саймон ХУТШЕНРОЙТЕР,Томас РЕДЛЕР,Хуберт РАЙНЛЬ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-01-20.

Device and method for manufacturing blanks of thermoplastic bags for vacuum cleaners

Номер патента: RU2659047C1. Автор: Владимир Евгеньевич Зарецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Топ-маркет". Дата публикации: 2018-06-27.

Method for manufacturing confectionery product

Номер патента: RU2670011C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for manufacturing metal-plastic tooling and a device for its implementation

Номер патента: RU2759368C1. Автор: Сергей Витальевич Мартыненко,Хакимжан Хамазанович Байков,Виталий Валерьевич Пузанков,Юрий Александрович Гурин,Ольга Владимировна Райкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-11-12.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Gypsum slurry, hardened gypsum, gypsum-based building material, gypsum board, process for manufacturing gypsum slurry, process for manufacturing hardened gypsum, process for manufacturing gypsum-based building material, and process for manufacturing gypsum board

Номер патента: RU2655722C1. Автор: Кен ВАТАНАБЕ,Юдзи АТАКА. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing of tape, and tape used for manufacture of padded cloths and towels, as well as non-woven articles and materials

Номер патента: RU2317360C2. Автор: Чарльз И. КРАМЕР,Морис ПАКЕН,Джон СКЕЛТОН,Джозеф Дж. О'КОННОР. Владелец: Олбани Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for manufacturing composite component of timepiece or jewelry part and composite component obtained by such method

Номер патента: RU2675608C2. Автор: Албан ДЮБАХ,Пабло РОДРИГЕЗ,Роберт ПОМПЕ. Владелец: Те Свотч Груп Рисерч Энд Дивелопмент Лтд. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method for manufacturing transparent one-piece watch component

Номер патента: RU2571740C2. Автор: Ксавье ТЕНГЕЛИ,Кристиан ПОФФЕ,Филипп ГЕХТЕР. Владелец: Эта Са Мануфактюр Орложэр Сюис. Дата публикации: 2015-12-20.

Sleeper pad and method for its manufacture, construction of railway sleeper with sleeper pad fixed in it and method for connecting sleeper pad with railway sleeper

Номер патента: RU2756929C1. Автор: Андрей Александрович Смирнов,Александр Владимирович Замуховский,Александр Владимирович Шутько,Никита Александрович Терентьев,Марина Дмитриевна Лимонова. Владелец: Камарян Хачатур Оганесович. Дата публикации: 2021-10-07.

Method and device for manufacture of objects that have optimised response characteristics

Номер патента: RU2343527C2. Автор: ВИЛЛЕ Джеймс А. СТ.. Владелец: ВИЛЛЕ Джеймс А. СТ.. Дата публикации: 2009-01-10.

Plate-type heat exchanger and method for its manufacturing

Номер патента: RU2404396C2. Автор: Эрманно Филиппи,Энрико РИЦЦИ,Мирко ТАРОЦЦО. Владелец: Метанол Касале С.А.. Дата публикации: 2010-11-20.

Method for manufacturing thermally insulated closed-form structures

Номер патента: RU2764205C1. Автор: Сергей Витальевич Перетятков. Владелец: Сергей Витальевич Перетятков. Дата публикации: 2022-01-14.

Lyocell material with modified cross section for tobacco filters and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666427C2. Автор: Санг Ву ДЗИН,Ву Чул КИМ,Дзонг Чеол ДЗЕОНГ,Санг Мок ЛИ,Санг Йоел ЛИ,Дзонг Йеол КИМ,Соо Хо КИМ,Бонг Су ЧЕОНГ,Хиун Сук ЧО,Сунг Дзонг КИ. Владелец: Колон Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2018-09-07.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for stabilization of image, which is produced by optoelectronic device with mechanical scanning, and device which implements said method

Номер патента: RU2156548C1. Автор: Б.В. Грязев,Н.В. Петров,В.Н. Кукушкин,В.И. Жемеров. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2000-09-20.

Method for increasing working temp and corrosion resisting property of Nd-Fe-B by adding nona silicon nitride in crystal boundary phase

Номер патента: CN1725394A. Автор: 罗伟,严密,于濂清. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2006-01-25.

MIS gate structure type HEMT device and method for manufacturing MIS gate structure type HEMT device

Номер патента: JP5384029B2. Автор: 光浩田中,実人三好. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Method for manufacturing connector of electronic device and electronic device with battery

Номер патента: TW200906003A. Автор: Sheng-Ming Liu,Kuo-Chuan Liao. Владелец: Hic Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Transport vehicle and method for storage or retrieval of goods has load carrying device with platform to take vehicle with guide devices for height and sides whereby height devices guide goods bearer over travel drive

Номер патента: AT500227A1. Автор: . Владелец: Tgw Transportgeraete Gmbh. Дата публикации: 2005-11-15.

System and Method for Capturing Parameters and Register of Events in Portable Devices With Digital Television Receiver, Method for Remote Setting the Service of Parameter Capture and Events Register in Portable Devices, Respective Server and Portable Device

Номер патента: US20120174144A1. Автор: FLORES XAVIER Átila Leão,SANTOS VALENTE Paulo Vicente Dutra Da SILVA,GOMES FRANCO Leonardo,RICARDO DIAS André,CRIVELLARO Alexandre,QUELHAS ALVES Márcio Franco,DE FREITAS Lucas Rogério,TOST Daniel,DE OLIVEIRA Eduardo Seiti,CINCOETTI Gustavo,DE MELO XAVIER Felipe,DE ANDRÉ MAZZOCO Bruno,DE FREITAS Patricia,CARRARO Rodrigo GERALDI,KEIKO KAWAI Adriana,SEIBEL BUTTI Nickolas. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CORRELATING ELECTRONIC ADVERTISEMENTS PRESENTED TO CONSUMERS ON COMPUTING DEVICES WITH CONSUMER VISITS TO RETAIL ENVIRONMENTS

Номер патента: US20120016733A1. Автор: Belvin Timothy,Morton Timothy B.. Владелец: Visible Brands, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR THE OPERATION OF A HEARING DEVICE AND HEARING DEVICE WITH A LENGTHENING OF FRICATIVES

Номер патента: US20120134505A1. Автор: SERMAN MAJA,Pape Sebastian,GIESE ULRICH. Владелец: SIEMENS MEDICAL INSTRUMENTS PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD FOR ANTI-COLLISION CONTROL AND THE MANAGEMENT OF PICKING DEVICES WITH SHARED WORKING AREAS IN A PACKAGING LINE

Номер патента: US20130173051A1. Автор: BELLANTE Daniele. Владелец: CAMA1 S.P.A. Дата публикации: 2013-07-04.

A method for fabricating aligned oxide semiconductor wire patterns and electronic devices with the same

Номер патента: KR101486955B1. Автор: 이태우,민성용. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-01-27.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for sorting semiconductor products on a board

Номер патента: RU2316013C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-01-27.

Method for determining potentially unstable semiconductor products on a plate

Номер патента: RU2307369C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-09-27.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of products from sheet thermoplastics and device for method realisation

Номер патента: RU2361736C1. Автор: Юрий Алексеевич Афиногенов,Евгений Валерьевич Гальцов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Сибирский научно-исследовательский институт геологии, геофизики и минерального сырья. Дата публикации: 2009-07-20.

Method for manufacturing of mos integral circuits

Номер патента: RU2105382C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1998-02-20.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

MAGNETIC TAPE DEVICE FOR MAGNETIC ENCODER AND METHODS FOR MANUFACTURING AND MOUNTING SAID DEVICE

Номер патента: US20120001709A1. Автор: Martín Barrera Gonzalo,"Morillo Morales Rafael",Osuna González-Aguilar Rafael. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing superconductor heterostructure around a3b5 compounds by way of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2297690C1. Автор: Федор Юрьевич Солдатенков. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2007-04-20.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING NATURAL FIBER STRIPE-QUILTED FABRIC HAVING PROTRUDED WRINKLE PATTERNS ON ITS SURFACE

Номер патента: US20120000406A1. Автор: RYU Kwang Yeol. Владелец: DONG JIN BEDDING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR MANUFACTURING HIGHLY PURE NEUROTOXIN

Номер патента: US20120004179A1. Автор: Taylor Harold Victor,Eisele Karl-Heinz,PFEIL Michael,Friedrich Josef,Brünn Cornelia. Владелец: Merz Pharma GmbH & Co. KGaA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.