Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: FI20175587A1
Опубликовано: 22-12-2018
Автор(ы): Antti Lahti, Jaakko Makela, Juha-Pekka Lehtiö, Kalevi Kokko, Marjukka Tuominen, Marko Punkkinen, Mikhail KUZMIN, Pekka Laukkanen
Принадлежит: TURUN YLIOPISTO
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US20200105576A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: EP3642867A1. Автор: Pekka Laukkanen,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN,Jaakko M KEL,Juha-Pekka LEHTI. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2020-04-29.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: WO2018234620A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-27.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US11923236B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: AU2018287109B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Turku University of. Дата публикации: 2023-02-16.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: RU2019136331A. Автор: Пекка ЛАУККАНЕН,Марко ПУНККИНЕН,Марьюкка ТУОМИНЕН,Михаил КУЗЬМИН,Яакко МЯКЕЛЯ,Антти ЛАХТИ,Калеви КОККО,Юха-Пекк ЛЕХТИЁ. Владелец: Турун Илиописто. Дата публикации: 2021-07-21.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B1. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B2. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-03-01.

System on chip fully-depleted silicon on insulator with rf and mm-wave integrated functions

Номер патента: US20180053785A1. Автор: Jin Cai,Jean-Olivier Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

System on chip fully-depleted silicon on insulator with rf and mm-wave integrated functions

Номер патента: US09899415B1. Автор: Jin Cai,Jean-Olivier Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

SILICON-ON-INSULATOR WITH CRYSTALLINE SILICON OXIDE

Номер патента: US20200105576A1. Автор: KUZMIN Mikhail,LAUKKANEN Pekka,TUOMINEN Marjukka,MAKELA Jaakko,PUNKKINEN Marko,KOKKO Kalevi,LAHTI Antti,LEHTIÖ Juha-Pekka. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2020-04-02.

SYSTEM ON CHIP FULLY-DEPLETED SILICON ON INSULATOR WITH RF AND MM-WAVE INTEGRATED FUNCTIONS

Номер патента: US20180053784A1. Автор: Cai Jin,Plouchart Jean-Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

SYSTEM ON CHIP FULLY-DEPLETED SILICON ON INSULATOR WITH RF AND MM-WAVE INTEGRATED FUNCTIONS

Номер патента: US20180053785A1. Автор: Cai Jin,Plouchart Jean-Olivier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-02-22.

Silicon on insulator with multiple semiconductor thicknesses using layer transfer

Номер патента: EP3844809A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Silicon-on-insulator with porous silicon substrate

Номер патента: EP3646370A1. Автор: Richard Hammond,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Silicon-on-insulator with porous silicon substrate

Номер патента: EP3646370B1. Автор: Richard Hammond,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09741558B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09508545B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US20190043712A1. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US10636649B2. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Single crystalline silicon wafer, ingot, and producing method thereof

Номер патента: US6858077B2. Автор: Hong-Woo Lee,Joon-Young Choi,Hyon-Jong Cho,Hak-Do Yoo. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2005-02-22.

Crystalline silicon semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US6777714B2. Автор: Susumu Takahashi,Shinichi Muramatsu,Yasushi Minagawa,Fumihito Oka,Yoshiaki Yazawa. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

High-quality, single-crystalline silicon-germanium films

Номер патента: US20190013200A1. Автор: Max G. Lagally,Abhishek Bhat,Thomas Francis Kuech,Shelley A. Scott,Yingxin Guan,Xiaorui Cui. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation

Номер патента: US6987303B2. Автор: Ta Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

Precursor addition to silicon oxide CVD for improved low temperature gapfill

Номер патента: TW201030175A. Автор: Hiroshi Hamana,Paul Edward Gee,Nitin K Ingle,Shankar Venkataraman,Manuel A Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-16.

Method and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films

Номер патента: TW358971B. Автор: Li-Qun Xia,Ellie Yieh,Bang Nguyen,Paul Gee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-05-21.

Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same

Номер патента: EP1094509B1. Автор: Joe Zhao,Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia,Weidan Li. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Bottom-Up Growth Of Silicon Oxide And Silicon Nitride Using Sequential Deposition-Etch-Treat Processing

Номер патента: US20180350668A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Low temperature silicon oxide gap fill

Номер патента: WO2023230065A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Bhargav S. CITLA,Soham ASRANI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Low temperature silicon oxide gap fill

Номер патента: US20230386829A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Bhargav S. CITLA,Soham ASRANI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

SILICON ON INSULATOR WITH MULTIPLE SEMICONDUCTOR THICKNESSES USING LAYER TRANSFER

Номер патента: US20200075633A1. Автор: Liang Qingqing,GOKTEPELI Sinan,FANELLI Stephen Alan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Wafer with crystalline silicon and trap rich polysilicon layer

Номер патента: US20210217850A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Silicon Oxide Layer for Oxidation Resistance and Method Forming Same

Номер патента: US20200161170A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Process for forming silicon oxide film

Номер патента: US5314724A. Автор: Hatanaka Masanobu,Yuji Furumura,Atuhiro Tsukune. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1994-05-24.

Single crystalline silicon stack formation and bonding to a CMOS wafer

Номер патента: US11869803B2. Автор: Si-Woo Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Single crystalline silicon stack formation and bonding to a cmos wafer

Номер патента: US20240153813A1. Автор: Si-Woo Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for depositing silicon oxide

Номер патента: US20160020092A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Wanki Kim. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method and apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film

Номер патента: US20190043712A1. Автор: Koji Sasaki,Toshiyuki Ikeuchi,Kyungseok KO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film

Номер патента: US09460913B2. Автор: Jun Sato,Pao-Hwa Chou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Film-forming method for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film

Номер патента: US09466476B2. Автор: Jun Sato,Pao-Hwa Chou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for forming silicon oxide film

Номер патента: US09472393B2. Автор: Akira Shimizu,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature

Номер патента: US20190189435A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kurtis LESCHKIES,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US12100588B2. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Layered metal oxide-silicon oxide films

Номер патента: WO2024073220A1. Автор: Ravi Kumar,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Pulkit Agarwal,Pei-Chi Liu,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and apparatus for depositing a silicon oxide film

Номер патента: US20020090455A1. Автор: Katsuhisa Yuda,Manabu Ikemoto. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09564314B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics

Номер патента: US20050106318A1. Автор: Markus Lutz,Aaron Partridge,Silvia Kronmueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation

Номер патента: US20030207750A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of producing silicon oxide film, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device

Номер патента: CA2281788C. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Takao Sakamoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US20230343587A1. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming silicon oxide containing films

Номер патента: US8227032B2. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Eri Tsukada,Julien Gatineau,Ikuo Suzuki. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2012-07-24.

Starting material for use in forming silicon oxide film and method for forming silicon oxide film using same

Номер патента: US20120071006A1. Автор: Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Starting material for use in forming silicon oxide film and method for forming silicon oxide film using same

Номер патента: US8753988B2. Автор: Song Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Structures containing titanium silicon oxide

Номер патента: US20100176442A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing nano-crystalline silicon dot layer

Номер патента: US20080044574A1. Автор: Chi-Pin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Deposition of silicon oxide films

Номер патента: US20020155730A1. Автор: Kevin Mukai,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for silicone oxide deposition on large area substrates

Номер патента: EP1644972A2. Автор: Wendell T. Blonigan,Quanyuan Shang,Sanjay D. Yadav. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Method and system for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers

Номер патента: US20230349043A1. Автор: Takashi Yoshida,René Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus for forming silicon oxide film and method of forming silicon oxide film

Номер патента: US20010041462A1. Автор: Toshihiko Suzuki,Toyotaka Kataoka,Akihide Kashiwagi. Владелец: Akihide Kashiwagi. Дата публикации: 2001-11-15.

Ozone gas generation processing apparatus, method of forming silicon oxide film, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20140134851A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US09847221B1. Автор: Kapu Sirish Reddy,Kevin M. McLaughlin,Amit Pharkya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US11715641B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US12125709B2. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US20230420260A1. Автор: Norihito Yamaguchi,Masato Sugahara. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same

Номер патента: US20080121622A1. Автор: Seung-ki Chae,Pil-kwon Jun,Yang-Koo Lee,Dong-won Hwang,Kook-Joo Kim,Jung-In LA. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Selective deposition of silicon oxide on metal surfaces

Номер патента: US20240076775A1. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and device for etching silicon oxide

Номер патента: US20230274944A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for producing single crystal substrate with crystalline film, and device production method

Номер патента: JP6060348B2. Автор: 英雄 会田,奈津子 青田. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Semiconductor random access memory cell on silicon-on-insulator with dual control gates

Номер патента: KR0174633B1. Автор: 아코빅 알렉산드레,벤송우. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1999-02-01.

Semiconductor memory cell with random access to silicon-on-insulator with double control gates

Номер патента: DE19512431A1. Автор: Alexandre Acovic,Ben Song Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-11-02.

Silicon Oxide Layer for Oxidation Resistance and Method Forming Same

Номер патента: US20200161170A1. Автор: Ko Chung-Chi,Kao Wan-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Method for forming high purity silicon oxide field oxide isolation region

Номер патента: US6818495B1. Автор: Jin-Yuan Lee,Min-Hsiung Chiang,Jenn Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same

Номер патента: EP3666852A2. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,Chang Chung-Yi. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-06-17.

Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same

Номер патента: EP3666852A3. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,Chang Chung-Yi. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-08-19.

Silicon rich oxides and fluorinated silicon oxide insulating layers

Номер патента: GB2367426A. Автор: Steven Alan Lytle,Huili Shao,Mary Drummond Roby,Kurt G Steiner,Morgan J Thoma,Daniel Joseph Vitkavage,Susan C Vitkavage. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-04-03.

WAFER WITH CRYSTALLINE SILICON AND TRAP RICH POLYSILICON LAYER

Номер патента: US20210217850A1. Автор: Stamper Anthony K.,PEKARIK JOHN J.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing semiconductor devices comprising recessed silicon oxide regions

Номер патента: DE2860635D1. Автор: Billy Lee Crowder,William Ralph Hunter,Jr Douglas William Ormond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-08-06.

Method of Removing Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027371A1. Автор: Yamasaki Hideaki,KIKUCHI Takamichi,MURAKAMI Seishi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for fabricating mosfet on silicon-on-insulator with internal body contact

Номер патента: US20120309137A1. Автор: Jin Cai,Amlan Majumdar,Steven J. Koester. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US9472394B2. Автор: Jun Sato,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US09472394B2. Автор: Jun Sato,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of plural hills and method of fabricating the same

Номер патента: US09490316B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation

Номер патента: US09425041B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

A semiconductor device having fluorine doped silicon oxide films

Номер патента: GB2357902A. Автор: Tatsuya Usami,Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Trench filling method employing oxygen densified gap filling silicon oxide layer formed with low ozone concentration

Номер патента: US5817566A. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Process for forming low K silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A3. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A2. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Trench filling method employing silicon liner layer and gap filling silicon oxide trench fill layer

Номер патента: US5869384A. Автор: Chen-Hua Yu,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Method of manufacturing semiconductor devices in which silicon oxide regions inset in silicon are formed by a masking oxidation, wherein an intermediate layer of polycrystalline silicon is provided between the substrate and the oxidation mask

Номер патента: US3900350A. Автор: Johannes Arnoldus Appels,Wilhelmus Henricus Verkuijlen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1975-08-19.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A3. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: EP1320877A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Silicon oxide patterning using cvd photoresist

Номер патента: WO2002027777A2. Автор: Gill Lee. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of forming a silicon oxide layer

Номер патента: US20020197888A1. Автор: Tang Yu,Cheng-Chieh Huang,Tse-Wei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film

Номер патента: US09865459B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with impurity layer as channel stopper immediately under silicon oxide film

Номер патента: US5994190A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Silicon carbide (SiC) MOSFET with a silicon oxide layer capable of suppressing deterioration of carrier mobility and variation in threshold voltage

Номер патента: US10186596B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Nobuo Tajima,Tomoaki Kaneko,Takahiro Yamasaki,Takahisa Ohno,Jun Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: SG194085A1. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corp. Дата публикации: 2013-11-29.

Liquid phase conformal silicon oxide spin-on deposition

Номер патента: WO2022169934A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Liquid phase conformal silicon oxide spin-on deposition

Номер патента: US20220254630A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: WO2012141908A8. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corporation. Дата публикации: 2012-11-22.

Low temperature deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2697826A1. Автор: Baljit Singh,Curtis Dove,Mehdi Balooch,Eduard Gil Paran Tesnado. Владелец: Asia Union Electronic Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Etch stop use in etching of silicon oxide

Номер патента: US20010003679A1. Автор: J. Rolfson,David Cathey,Valerie Ward,Karen Winchester. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

Method for manufacturing single-crystalline silicon pads on crystal substrate

Номер патента: RU2121733C1. Автор: Р.Сарма Каллури,С.Ченли Чарльз. Владелец: Ханивелл Инк.. Дата публикации: 1998-11-10.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US7531240B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for removing crystal originated particles from a crystalline silicon body

Номер патента: US09679774B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Method for fabricating a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) non-volatile memory cell

Номер патента: US09466497B1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Yu-Chun Chang,Chia-Wen Wang,Kuo-Lung Li,Chih-Yang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of Forming a Nitrogen-Enriched Region within Silicon-Oxide-Containing Masses

Номер патента: US20090215253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John T. Moore,Neal R. Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of etching silicon oxide film

Номер патента: US20150056808A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Yoshinobu Hayakawa,Masahiro Ogasawara,Hikaru Watanabe,Masafumi Urakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Methods of uniformly removing silicon oxide and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US8435904B2. Автор: Nishant Sinha,Joseph N. Greeley,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-07.

Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials

Номер патента: US20040178169A1. Автор: David Dobuzinsky,Richard Wise,Sadanand Desphande,Arpan Mahorowala,Tina Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of fabricating crystalline silicon and switching device using crystalline silicon

Номер патента: US20050064675A1. Автор: Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20230420253A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of fabricating thin, crystalline silicon film and thin film transistors

Номер патента: US11791159B2. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20230420254A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Preparation method of crystalline silicon film based on layer transfer

Номер патента: US09502240B2. Автор: Wei Zhang,Cong Wang,Xiaoyuan Chen,Hui Yang,Dongfang Liu,Linfeng LU. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabricating 3D NAND memory having monolithic crystalline silicon vertical NAND channel

Номер патента: US09443865B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Method to produce ultrathin porous silicon-oxide layer

Номер патента: US5830532A. Автор: Yi Wei,Robert M. Wallace,Shaoping Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

High modulus carbon doped silicon oxide film for mold stack scaling solutions in advanced memory applications

Номер патента: WO2023225132A1. Автор: Pramod Subramonium,Kapu Sirish Reddy,Soumana Hamma,Malay Milan SAMANTARAY,Ananda K. Banerji,Katherine Elizabeth HAYNES. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

METHODS FOR PATTERNING A SILICON OXIDE-SILICON NITRIDE-SILICON OXIDE STACK AND STRUCTURES FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20210183641A1. Автор: HSIEH Yuan-Chih,Wang Yi-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Low temperature process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric-material characterized by improved resistance to oxidation and good gap-filling capabilities

Номер патента: US6365528B1. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process

Номер патента: US4872947A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1989-10-10.

Method of forming silicon nanocrystal embedded silicon oxide electroluminescence device with a mid-bandgap transition layer

Номер патента: US8133822B2. Автор: HAO Zhang,Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Silicon oxide film, method for forming silicon oxide film, and plasma cvd apparatus

Номер патента: TW201020339A. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Junya Miyahara,Masayuki Kohno. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition

Номер патента: US4892753A. Автор: John M. White,Ilya Perlov,Dan Maydan,David N. Wang,Cissy Leung,Kenneth S. Collins,Kam S. Law,Salvador P. Umotoy,John A. Adamik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1990-01-09.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

Film-forming method and film-forming apparatus for forming silicon oxide film on tungsten film or tungsten oxide film

Номер патента: TW201241226A. Автор: Jun Sato,Pao-Hwa Chou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Starting material for use in forming silicone oxide film and method for forming silicone oxide film using same

Номер патента: TW201109341A. Автор: Song-Yun Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Method and apparatus for depositing a silicon oxide film

Номер патента: TW507018B. Автор: Katsuhisa Yuda,Manabu Ikemoto. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-10-21.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: AU5494600A. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: Silicon Valley Group Thermal Systems LLC. Дата публикации: 2001-01-30.

플라즈마 화학 증착을 사용하여 불화 실리콘 산화물 유전층의 형성 방법(method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition)

Номер патента: KR970702683A. Автор: 링퀴안 퀴안,멜빈 씨. 슈미트,글렌 엘. 노빙거. Владелец: 와트킨스-존슨 컴패니. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of depositing silicon oxide film and silicon nitride film, film forming apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201250045A. Автор: Atsushi Endo,Masaki Kurokawa,Hiroki IRIUDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers

Номер патента: US20120225565A1. Автор: Paul Edward Gee,Shankar Venkataraman,Sidharth Bhatia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Method and Apparatus for Forming Silicon Oxide Film, and Storage Medium

Номер патента: US20190080913A1. Автор: HISHIYA Shingo,KIKAMA Eiji,KO Kyungseok,SHIMA Hiromi. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20220145452A1. Автор: Park Hyung Sang,Yoo Yong Min,Yoon Tae Ho. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Production of mono-crystalline silicon

Номер патента: GB2497120A. Автор: Erik Sauar,Oleg Fefelov,Canel Lode. Владелец: Rec Wafer Norway As. Дата публикации: 2013-06-05.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: EP3748695A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: Institut Photovoltaique dIle de France IPVF. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: WO2020245419A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2020-12-10.

Process for producing a crystalline silicon ingot

Номер патента: EP1766107A2. Автор: Michael V. Spangler,Carl D. Seburn. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2007-03-28.

Process for producing a crystalline silicon ingot

Номер патента: WO2006005018A3. Автор: Michael V Spangler,Carl D Seburn. Владелец: Solar Grade Silicon Llc. Дата публикации: 2006-12-21.

Process for producing a crystalline silicon ingot

Номер патента: WO2006005018A2. Автор: Michael V. Spangler,Carl D. Seburn. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2006-01-12.

Crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer

Номер патента: US09637391B2. Автор: Wen-Huai Yu,Cheng-Jui Yang,Yu-Min YANG,Kai-Yuan Pai,Wen-Chieh Lan,Yu-Tsung CHIANG,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,Chan-Lu SU. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer

Номер патента: US09493357B2. Автор: Wen-Huai Yu,Cheng-Jui Yang,Yu-Min YANG,Kai-Yuan Pai,Wen-Chieh Lan,Yu-Tsung CHIANG,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,Chan-Lu SU. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Graded Junction Silicon Nanocrystal Embedded Silicon Oxide Electroluminescence Device

Номер патента: US20090033206A1. Автор: Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi,Vincenzo Casasanta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US09828672B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Bismuth-titanium-silicon oxide, bismuth-titanium-silicon oxide thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4387723B2. Автор: 永 眞 ▲曹▼,ヨセプ 閔,永 洙 朴,正 賢 李,俊 冀 李,容 均 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation

Номер патента: US20020117082A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of manufacturing a silicon oxide film and an oxide based glass for semiconductor devices

Номер патента: EP0470632A2. Автор: Kazuo C/O Semiconductor Process Maeda,Noboru C/O Semiconductor Process Tokumasu,Yuko C/O Semiconductor Process Nishimoto. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 1992-02-12.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: WO2009044938A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-04-09.

Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US11920239B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Minimizing radical recombination using ald silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma

Номер патента: US20240218509A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Huatan Qiu,Geoffrey Hohn,Rachel E. Batzer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20180076023A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Polishing liquid composition for silicon oxide films

Номер патента: US20230279266A1. Автор: Norihito Yamaguchi,Masaki Inoue. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US11814547B2. Автор: Norihito Yamaguchi,Haruhiko Doi,Masaki Inoue,Masato Sugahara,Takanao SEIKE. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Polishing liquid composition for silicon oxide film

Номер патента: US11795346B2. Автор: Yohei Uchida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Front-side conductive paste for crystalline silicon solar cell, preparation method therefor, and solar cell

Номер патента: US10868201B1. Автор: Yu Li,Xiaoli Liu,Delin Li,Fengzhen Sun. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Front-side conductive paste for crystalline silicon solar cell, preparation method therefor, and solar cell

Номер патента: US20200388714A1. Автор: Yu Li,Xiaoli Liu,Delin Li,Fengzhen Sun. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Suzhou. Дата публикации: 2020-12-10.

Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film

Номер патента: US20020182343A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Katsuhisa Yuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for the formation of a silicon oxide film

Номер патента: US5372842A. Автор: Takashi Nakamura,Motoshi Sasaki,Katsutoshi Mine. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-13.

Methods of removing silicon oxide and gaseous mixtures for achieving same

Номер патента: US20090275205A1. Автор: Paul A. Morgan,J. Neil Greeley,Mark W. Kiehlbauch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-05.

Selective deposition of silicon oxide on dielectric surfaces relative to metal surfaces

Номер патента: US11898240B2. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2924143A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-09-30.

Insulating material of non-single crystalline silicon compound

Номер патента: US4711807A. Автор: Kenji Yamamoto,Takehisa Nakayama,Yoshihisa Tawada. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-08.

All-black crystalline silicon solar cell and preparation method therefor, and photovoltaic module

Номер патента: EP4358161A1. Автор: Lei Zhang,Yue He,Yong Ren,Shuai Guo,Hailiang REN,Zhaochun SHI. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Tunnel oxide layer, n-type bifacial crystalline silicon solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240145610A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Passivation stack on a crystalline silicon solar cell

Номер патента: EP3072165A1. Автор: SU Zhou,Erik Stensrud Marstein,Halvard Haug,Wenjing Wang,Junjie Zhu,Sean Erik FOSS,Chunlan ZHOU. Владелец: Institutt for Energiteknikk IFE. Дата публикации: 2016-09-28.

Tunneling oxide layer, n-type double-sided solar crystalline silicon battery, and preparation methods

Номер патента: EP4254517A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Tunneling oxide layer, n-type double-sided solar crystalline silicon battery, and preparation methods

Номер патента: AU2022424722A1. Автор: Hao Chen,Qian Yao,Ming Zhang,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Wenzhou XU,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell

Номер патента: US20240234602A1. Автор: Qijie Guo,Paul Douglas Vernooy. Владелец: Jiangsu Solamet Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

All-black crystalline silicon solar cell and preparation method therefor, and photovoltaic module

Номер патента: US20240304736A1. Автор: Lei Zhang,Yue He,Yong Ren,Shuai Guo,Hailiang REN,Zhaochun SHI. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell

Номер патента: EP4459638A1. Автор: Qijie Guo,Paul D Vernooy. Владелец: Solamet Electronic Materials Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Conductive paste composition, preparation method therefor and application thereof, and crystalline silicon solar cell

Номер патента: EP4456086A1. Автор: Qijie Guo,Paul D Vernooy. Владелец: Solamet Electronic Materials Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Passivation stack on a crystalline silicon solar cell

Номер патента: US09660130B2. Автор: SU Zhou,Erik Stensrud Marstein,Halvard Haug,Wenjing Wang,Junjie Zhu,Sean Erik FOSS,Chunlan ZHOU. Владелец: Institutt for Energiteknikk IFE. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Etching of silicon oxide film

Номер патента: US20080254636A1. Автор: Shigeki Tozawa,Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Silicon oxidation method

Номер патента: US20040262682A1. Автор: Damien Lenoble. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-12-30.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: US20100041189A1. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon

Номер патента: US20060207688A1. Автор: Toshiyuki Fujimoto,Shingo Ichimura,Akira Kurokawa,Hidehiko Nonaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Silicon oxide selective removal

Номер патента: US09478432B2. Автор: Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zhijun CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Gas-phase silicon oxide selective etch

Номер патента: US09564341B1. Автор: Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20040097026A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20020100946A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Silicon oxide film growing apparatus

Номер патента: US5376176A. Автор: Atsushi Kuriyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

Reduced temperature etching of doped silicon oxide

Номер патента: WO2023235188A1. Автор: HAO Chi,Pramod Subramonium,John Hoang,Joseph James VEGH,Jonathan CHURCH,Mehmet Fatih Yilmaz. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US20120196445A1. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: Pukyong National University. Дата публикации: 2012-08-02.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US8889563B2. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2014-11-18.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method For the Removal of Doped Surface Layers on the Back Faces of Crystalline Silicon Solar Wafers

Номер патента: US20080305643A1. Автор: Rainer Moeller,Moritz Heintze,Harald Wanka,Volkmar Hopfe,Ines Dani,Milan Rosina,Elena Lopez. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-12-11.

Crystalline silicon solar cell and metallization method therefor

Номер патента: US20240063318A1. Автор: Rong Su,Guoqiang Xing,Zhengxin Liu,Shengyi XIAO. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crystalline silicon solar cell and metallization method therefor

Номер патента: AU2022368595A1. Автор: Rong Su,Guoqiang Xing,Zhengxin Liu,Shengyi XIAO. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Crystalline silicon solar cell and metallization method therefor

Номер патента: EP4270493A1. Автор: Rong Su,Guoqiang Xing,Zhengxin Liu,Shengyi XIAO. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Preparation method and application of crystalline silicon solar cell having shallow junction diffusion emitter

Номер патента: EP4386874A1. Автор: Yue He,Yong Ren,Shuai Guo,Hailiang REN,Zaifa WANG,Zengbiao LI. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

System and method for controlling directionality of fast-wet etching of crystalline silicon, c-Si

Номер патента: US11906946B2. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-02-20.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING DIRECTIONALITY OF FAST-WET ETCHING OF CRYSTALLINE SILICON, c-SI

Номер патента: US20220113701A1. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2022-04-14.

RECESSED SILICON OXIDATION FOR DEVICES SUCH AS A CMOS SOI ICs

Номер патента: WO2002078061A3. Автор: Eric E Vogt,Cheisen J Yue. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Polycrystalline silicon oxidation method for making shallow and deep isolation trenches

Номер патента: US4238278A. Автор: Igor Antipov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-09.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

FORMING SILICON OXIDE LAYERS BY RADICAL OXIDATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SILICON OXIDE LAYER

Номер патента: US20180175150A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Storbeck Olaf,IRSIGLER Peter,Siemieniec Ralf,Laforet David,HELLMUND Oliver,Konrath Jens Peter,Stahrenberg Knut,LANGNER Maik,NEUBER Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Silicon oxide film forming method and plasma oxidation apparatus

Номер патента: US20130012033A1. Автор: Yoshihiro Sato,Yoshiro Kabe,Shuichiro Otao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20150087161A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20140199839A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-17.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20140295675A1. Автор: IKEUCHI Toshiyuki,OBU Tomoyuki,KIMURA Norifumi. Владелец: Tokyo Electronic Limited. Дата публикации: 2014-10-02.

FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20150332917A1. Автор: Sato Jun,Chou Pao-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Composite substrate with crystalline seed layer and carrier layer with a coincident cleavage plane

Номер патента: WO2011004211A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for depositing doped silicon oxide and atomic layer deposition process for depositing doped silicon oxide on substrate

Номер патента: TW201627520A. Автор: 福田秀明,中野竜,高牟礼昇,深澤篤穀,尼斯卡嫩安提,賀加蘇維,難波邦年. Владелец: Ａｓｍ國際股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-01.

A method of fabricating a semiconductor device having a silicon oxide layer, a method of fabricating a semiconductor device having dual spacers, a method of forming a silicon oxide layer on a substrate, and a method of forming dual spacers on a conductiv

Номер патента: TW200401397A. Автор: Chang-Won Lee,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-16.

Apparatus for manufacturing silicon oxide thin film and method for forming the silicon oxide thin film

Номер патента: US20100140756A1. Автор: Toshihide Kamata,Kenji Kozasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-06-10.

SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102709168B. Автор: 谢欣云,田志. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Method of manufacturing semiconductor devices in which silicon oxide regions inset in silicon are formed by a masking oxidation, and semiconductor devices manufactured in this manner

Номер патента: CA970478A. Автор: Johannes A. Appels,Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-07-01.

Method for making silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide structure

Номер патента: TW200426919A. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ching-Tang Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

Improvement to the anisotropic chemical etching process of silicon oxide in the manufacture of mos transistor flash eprom devices

Номер патента: SG71131A1. Автор: Giuseppe Miccoli,Alessandro Torsi,Felice Russo,Koteswara Rao Chintapalli,Giuseppe Cautiero. Владелец: Consorzio Eagle. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric

Номер патента: TWI232522B. Автор: Toshiharu Furukawa,James S Nakos,Anthony I Chou,Jay S Burnham,Margaret L Gibson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-05-11.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia

Номер патента: TW201120239A. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121B1. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method and apparatus for forming silicon oxide fil

Номер патента: TWI357109B. Автор: Katsushi Suzuki,Shinji Mori,Keisuke Suzuki,Kenji Tago,Kazuo Saki,Kimiya Aoki,Asami Shirakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-21.

Method for reducing the pattern sensitivity of ozone assisted chemical vapor deposited (CVD) silicon oxide insulator layers

Номер патента: TW386262B. Автор: Shiun-Ming Jang,Lu-Ming Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-04-01.

Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using uv curing in ammonia

Номер патента: US20140020259A1. Автор: Bart van Schravendijk,Bhadri N. Varadarajan. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process

Номер патента: US09607837B1. Автор: Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20150017794A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: ASM International. N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200020539A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method For Selectively Etching Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027374A1. Автор: Lee Jong-Bae,Sim Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR DEPOSITING SILICON OXIDE FILM HAVING IMPROVED QUALITY BY PEALD USING BIS(DIETHYLAMINO)SILANE

Номер патента: US20210057214A1. Автор: Nakano Ryu,KENGOYAMA Yuko,Suemori Hidemi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SILICON OXIDE DEPOSITION METHOD

Номер патента: US20220084817A1. Автор: Tuominen Marko,Tois Eva,Sharma Varun,BLOMBERG Tom,Givens Michael,Dezelah Charles,Chiappe Daniele,Madhiwala Viraj. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150079807A1. Автор: Tamura Tatsuya,Kumagai Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD OF MANUFACTURING A SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150079808A1. Автор: CHIBA Takashi,Tamura Tatsuya,Kumagai Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180076040A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE SELECTIVELY AGAINST EACH OTHER

Номер патента: US20180076048A1. Автор: GOHIRA Taku,Tominaga Sho. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

High Temperature Silicon Oxide Atomic Layer Deposition Technology

Номер патента: US20160099143A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Yan Wenbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHODS FOR FORMING A TOPOGRAPHICALLY SELECTIVE SILICON OXIDE FILM BY A CYCLICAL PLASMA-ENHANCED DEPOSITION PROCESS

Номер патента: US20210104399A1. Автор: Fukazawa Atsuki,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for manufacturing crystalline semiconductor film, substrate provided with crystalline semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: WO2011141949A1. Автор: 加藤智也,尾田智彦,大高盛. Владелец: パナソニック液晶ディスプレイ株式会社. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for fabricating silicon-oxide-nitride-oxide-silicon device

Номер патента: KR100851917B1. Автор: 이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-12.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method to remove metal and silicon oxide during gas-phase sacrificial oxide etch

Номер патента: EP1201603B1. Автор: Scott Edward Beck,Eric Anthony Robertson, Iii. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-04-14.

METHOD FOR SELECTIVATING DOTED SILICON OXIDE ON UNDOTIZED SILICON OXIDE

Номер патента: DE60135844D1. Автор: Li Li,Kei-Yu Ko,Guy T Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for fabricating thin silicon oxide layer for semiconductor device using oxidative behavior of photocatalyst

Номер патента: KR100643091B1. Автор: 이원규. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-11-10.

An etchant with selectivity for doped silicon oxide on top of undoped silicon oxide and silicon nitride, methods of using the etchant, and structures formed thereby.

Номер патента: JP2004503082A. Автор: リ、リ,コ、ケイ−ユ,ブラロック、ガイ　ティー．. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

IC INCLUDING BACK-END-OF-LINE (BEOL) TRANSISTORS WITH CRYSTALLINE CHANNEL MATERIAL

Номер патента: US20200312839A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,Sharma Abhishek. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

A method for improving the electrical continuity for a silicon-germanium film across a silicon/oxide/polysilicon surface using a novel two-temperature process

Номер патента: TW200529299A. Автор: Shih-Chang Chen,Mong Song Liang,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee,Chia-Lin Chen,Tien-Chih Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods of etching into silicon oxide-containing material, methods of forming container capacitors, and methods of forming DRAM arrays

Номер патента: TW200841424A. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods of etching into silicon oxide-containing m

Номер патента: TWI351739B. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Removing silicon oxide from a substrate

Номер патента: AU2003286795A1. Автор: Yi Wei,Ravindranath Droopad,Yong Liang,Zhiyi Yu,Xiaoming Hu,John L. Edwards Jr.,James B. Craigo. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Method of forming silicon oxide film

Номер патента: US20130109197A1. Автор: Jun Sato,Kazuhide Hasebe,Yuichiro Morozumi,Hiroki Murakami,Toshiyuki Ikeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20130295779A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin,Xiao Manchao,Lei Xinjian,"ONeill Mark Leonard",Han Bing,Chandra Haripin,Wang Meiliang. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PASSIVATION OF SILICON SURFACES USING INTERMEDIATE ULTRA-THIN SILICON OXIDE LAYER AND OUTER PASSIVATING DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130298984A1. Автор: Kherani Nazir Pyarali,CHOWDHURY A. K. M. Zahidur Rahim. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20140004715A1. Автор: KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20140011371A1. Автор: KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057458A1. Автор: Hong Kwon,LEE Jong Min,HAN Ji Hye,Park Hyung Soon,KIM Hyung Hwan,LEE Geun Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20170004974A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Manna Pramit. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

PATTERNING OF SILICON OXIDE LAYERS USING PULSED LASER ABLATION

Номер патента: US20170005206A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Rana Virendra V.,Anbalagan Pranav,Saraswat Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

PRE-TREATMENT APPROACH TO IMPROVE CONTINUITY OF ULTRA-THIN AMORPHOUS SILICON FILM ON SILICON OXIDE

Номер патента: US20190027362A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method For Selectively Etching Silicon Oxide Film

Номер патента: US20190027373A1. Автор: KWON Bong-Soo,Sim Tae-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for Masking a Surface Comprising Silicon Oxide

Номер патента: US20160035570A1. Автор: Laermer Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Method, device, and system for etching silicon oxide film

Номер патента: US20220051901A1. Автор: Takashi Kobayashi,Osamu Yokoyama,Kazuki Hashimoto,Takashi Sakuma,Shinya Okabe,Kwangpyo CHOI,Rio Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Silicon Oxide Selective Dry Etch Process

Номер патента: US20210066088A1. Автор: ZHANG Qi,Lu Xinliang,Chung Hua,Yang Haichun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

DEPOSITION METHOD OF SILICON OXIDE THIN FILM AND MANUFACTURE METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON TFT SUBSTRATE

Номер патента: US20180069023A1. Автор: MA Weixin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Process for Producing at Least One Silicon-Based Nanoelement in a Silicon Oxide Section and Process for the Manufacture of a Device Employing the Production Process

Номер патента: US20140179089A1. Автор: Berthelot Audrey,Larrey Vincent,Vaudaine Marie-Hélène,Vandroux Laurent. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US09601768B2. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

METHOD OF MASS-PRODUCING SILICON OXIDE (SiOx) POWDER AND ANODE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: US20240317593A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing silicon oxide-based negative electrode active material, and negative electrode for secondary battery including silicon oxide-based negative electrode active material

Номер патента: US20240116765A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US09945030B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and system for the production of silicon oxide deposit

Номер патента: US09790095B2. Автор: Hirofumi Fukuoka,Masanobu Nishimine. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon Oxide for Anode of Secondary Battery, Method for Preparing the Same and Anode of Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20140349190A1. Автор: Yun-Kyu Kang. Владелец: YEIL ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US12057260B2. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing silicon oxide

Номер патента: US09741462B2. Автор: Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite, method for manufacturing negative electrode, and lithium secondary battery

Номер патента: US09614222B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon oxide material, making method, negative electrode, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US09484159B2. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Tetsuya Inukai,Mitsugu Saito. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon-based molded body and method for continuously preparing silicon oxide by using same

Номер патента: EP4403518A1. Автор: Sunho Choi,Jaewoo Lee,Junghoon Cheon,Jingee PARK. Владелец: Posco Silicon Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Silicon oxide-carbon composite, method of manufacturing the composite, and energy storage device having the composite

Номер патента: US09985279B2. Автор: Sun Jae Kim,Hee June JUNG,Kang Seop Yun,Eul Noh. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon oxide and storage battery

Номер патента: US09865871B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Nobuhiro Inoue,Takuya Hirohashi,Yuika SATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preparing silicon oxide-carbon composite for negative electrode of lithium secondary battery

Номер патента: US09734928B2. Автор: Young Min Lee,Yong Mook Kang,Kyeong Se Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kongju National University. Дата публикации: 2017-08-15.

Porous silicon-silicon oxide-carbon composite, and method of preparing the same

Номер патента: US10892477B2. Автор: Yong Ju Lee,Hye Jin Kim,Eun Kyung Kim,Jang Wook Choi,Seung Youn Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-01-12.

Silicon oxide for non-aqueous electrolyte secondary battery negative electrode material, method for manufacturing the same, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20140302395A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon oxide-based negative electrode active material for secondary battery, method of producing the same, and negative electrode for secondary battery including the same

Номер патента: EP4365980A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Sang Hye Shin,Jung Hyun Yun,Nak Won Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

High aspect ratio silicon oxide etch

Номер патента: US20110059617A1. Автор: Glenn Mitchell,Robert Torres, Jr.,Adam Seymour. Владелец: Matheson Tri-Gas Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Silicon oxide and anode material for lithium ion secondary cell

Номер патента: EP2477260A1. Автор: Shingo Kizaki,Hideaki Kanno. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method and system for the production of silicon oxide deposit

Номер патента: WO2013141024A1. Автор: Hirofumi Fukuoka,Masanobu Nishimine. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-26.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US20160340778A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Silicon-oxide-coated soft magnetic powder, and method for manufacturing same

Номер патента: US12121965B2. Автор: Keisuke Yamada,Hidefumi Fujita,Tetsuya KAWAHITO,Koji Tanoue. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Lithium-doped silicon oxide composite anode material with high initial coulombic efficiency and preparation method thereof

Номер патента: US20230369575A1. Автор: Rusheng Fu,Yonglong WANG,Dexin Yu,Yunlin Yang. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing silicon oxide powder and negative electrode material

Номер патента: US20210020942A1. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for producing silicon oxide powder and negative electrode material

Номер патента: US11817581B2. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Stabilized, prelithiated silicon oxide particles for lithium ion battery anodes

Номер патента: US11784307B2. Автор: Kai Yan,Hongduan Huang. Владелец: Amprius Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon oxide coated aluminized Kapton radiator coating for nano-satellite thermal management

Номер патента: US11814195B1. Автор: Michael Choi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2023-11-14.

Lithium doped silicon oxide-based negative electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11728479B2. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: US20210119249A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2021-04-22.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: AU2019239819A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2020-10-29.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: AU2019239819B2. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2024-03-21.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: WO2019180312A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2019-09-26.

Voltage source with an electrolyte containing aluminium and silicon oxides, and method for manufacturing the voltage source

Номер патента: EP3769355A1. Автор: Juha LEPPÄNEN,Mirja PIISPANEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2021-01-27.

Method and a device for settling at least partially of a crystalline silicon layer on a subtrate

Номер патента: RU2258764C1. Автор: Эдвард Алойс Герард ХАМЕРС,Арно Хендрикус Мари СМЕТС,ДЕ САНДЕН Мауритиус Корнелиус Мари ВАН,ДЕ САНДЕН Мауритиус Корнелиус Мария ВАН,Даниель Корнелис СХРАМ. Владелец: Технише Университет Эйндховен. Дата публикации: 2005-08-20.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon memory cell

Номер патента: US20240215251A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US09666599B2. Автор: Arichika Ishida,Yasushi Kawata,Masato Hiramatsu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing twin bit structure cell with hafnium oxide and nano-crystalline silicon layer

Номер патента: US20110156129A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FinFET

Номер патента: US11856771B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell for FINFET and forming method thereof

Номер патента: US11882699B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of manufacturing a memory device comprising introducing a dopant into silicon oxide

Номер патента: US11991939B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Silicon oxide germanium resonant tunneling

Номер патента: US5466949A. Автор: Yasutoshi Okuno. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Method of manufacturing crystalline silicon solar cells with improved surface passivation

Номер патента: US20100154883A1. Автор: Yuji Komatsu,Valentin Dan Mihailetchi,Lambert Johan Geerligs. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2010-06-24.

ReRAM cells with diffusion-resistant metal silicon oxide layers

Номер патента: US20160028008A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240170590A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4376099A3. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2023270247A1. Автор: Lin Kairui. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Double-sided tunneling silicon-oxide passivated back-contact solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US12034094B2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Laminated silicon oxide film capacitors and method for their production

Номер патента: CA2023842A1. Автор: Hiroshi Yamamura,Yoshitaka Kubota,Naomichi Sakai,Hiroya Nagata,Masanaga Kikusawa. Владелец: Masanaga Kikusawa. Дата публикации: 1991-02-25.

Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication

Номер патента: US9419165B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pranav Anbalagan,Jianjun Liang. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon oxide insulator (SOI) semiconductor having selectively linked body

Номер патента: US6020222A. Автор: Donald Wollesen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US11869852B2. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-01-09.

Resistive memory device including a silicon oxide base spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240114810A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Jhih-Bin CHEN,Hung-Shu Huang,Hong Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Physical unclonable functions with copper-silicon oxide programmable metallization cells

Номер патента: US20200381372A1. Автор: Michael Kozicki,Wenhao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-03.

Silicon oxide liner for reduced nickel silicide bridging

Номер патента: EP1327261A1. Автор: Minh Van Ngo,Christy Mei-Chu Woo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Silicon oxide liner for reduced nickel silicide bridging

Номер патента: WO2002029882A1. Автор: Minh Van Ngo,Christy Mei-Chu Woo. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of making series-connected, thin-film solar module formed of crystalline silicon

Номер патента: US4879251A. Автор: Wolfgang Kruehler,Peter Milla. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-07.

Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication

Номер патента: US8399331B2. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Virendra V. Rana,Pranav Anbalagan,Jianjun Liang. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of making CCD having a single level electrode of single crystalline silicon

Номер патента: US5302544A. Автор: James P. Lavine. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-04-12.

Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation

Номер патента: CA2716402C. Автор: Ajeet Rohatgi,Daniel L. Meier. Владелец: Suniva Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Efficient Back Passivation Crystalline Silicon Solar Cell and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240097056A1. Автор: Peng Zhang,Lan Wang,Kun Chen,Zhiwei Yin. Владелец: Tongwie Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Electric injection annealing test device and a method thereof for crystalline silicon photovoltaic solar cells

Номер патента: US11929448B2. Автор: Xianmin ZHANG,Linlin CAI,Shenghui BAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-03-12.

Crystalline silicon solar cell and preparation method therefor, and photovoltaic assembly

Номер патента: US11961930B2. Автор: Wei Shan,Kun TANG,Haipeng YIN. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for preparing P-type crystalline silicon rear electrode

Номер патента: US11784277B2. Автор: Peng ZHU,Yeqing Wang,Yanmei Chen,Guizhong YANG. Владелец: Nantong T Sun New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Positive electrode of crystalline silicon solar cell having gate rupture prevention function

Номер патента: US11817511B2. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Jiebin Fang,Mingzhang FENG. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020363658B2. Автор: Peng Zhang,Lan Wang,Kun Chen,Zhiwei Yin. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Back-Surface Bridge Type Contact Electrode Of Crystalline Silicon Solar Battery And Preparation Method Therefor

Номер патента: US20160233356A1. Автор: Hui Shen,Yifeng Chen,Zhiqiang Feng,Pierre J. Verlinden,Pietro P. ALTERMATT. Владелец: Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making

Номер патента: US7750232B2. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for manufacturing n-type crystalline silicon cell

Номер патента: FI20205765A1. Автор: Zhi Yang,Shude Zhang,Qingzhu WEI,Zhichun NI. Владелец: Suzhou Talesun Solar Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Method for making solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunction for surface passivation

Номер патента: WO2009108161A1. Автор: Ajeet Rohatgi,Daniel L. Meier. Владелец: SUNIVA, INC.. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for making solar cells having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation in a furnace having doped sources

Номер патента: WO2009108163A1. Автор: Ajeet Rohatgi,Daniel L. Meier. Владелец: SUNIVA, INC.. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for removing undesired coating from front face of crystalline silicon solar cell

Номер патента: US20210234061A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Xiaoming Zhang,Huimin Wu,Jiebin Fang,Daneng HE. Владелец: Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Crystalline silicon solar cell screen for positive electrode hollow molding

Номер патента: EP3827987A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Jiebin Fang,Mingzhang FENG. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Crystalline silicon solar cell screen for positive electrode hollow molding

Номер патента: US20210245492A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Jiebin Fang,Mingzhang FENG. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of boron and phosphorus

Номер патента: EP2210283A1. Автор: Yuji Komatsu,Valentin Dan Mihailetchi. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2010-07-28.

Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using co diffusion of boron and phosphorus

Номер патента: AU2008321599A1. Автор: Yuji Komatsu,Valentin Dan Mihailetchi. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2009-05-22.

Positive electrode of crystalline silicon solar cell having gate rupture prevention function

Номер патента: US20210399151A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Jiebin Fang,Mingzhang FENG. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Positive electrode of crystalline silicon solar cell having gate rupture prevention function

Номер патента: EP3828939A1. Автор: Gang Chen,Kang-Cheng Lin,Jiebin Fang,Mingzhang FENG. Владелец: Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for making solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunction for surface passivation

Номер патента: EP2257996A1. Автор: Ajeet Rohatgi,Daniel L. Meier. Владелец: Suniva Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making

Номер патента: US20070006915A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Bifacial crystalline silicon solar panel with reflector

Номер патента: US20160284914A1. Автор: Ivan I. Scheulov. Владелец: Bakersun. Дата публикации: 2016-09-29.

Method For Manufacturing Crystalline Silicon Solar Cell Modules

Номер патента: US20170200844A1. Автор: Hao Jin,Fangdan Jiang,Guangdong He,Lujia Xu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Organic light emitting display with single crystalline silicon tft and method of fabricating the same

Номер патента: US20080272381A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-06.

Zinc Oxide-Crystalline Silicon Laminated Solar Cell And Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240322060A1. Автор: Wen Cai,Dai Qi You,Liu De Xiong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Perovskite-crystalline silicon tandem cell comprising carrier transport layer having nano-resistance-increasing structure

Номер патента: EP4435873A1. Автор: Chen Xu,ZHAO Wu,Zifeng Li,Junjie Xie,Yifan DIAO,Zhuxing SUN. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Flexible crystalline silicon photovoltaic module and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4399746A1. Автор: Yen-Chuan Chen,Hong-Shiang Tang,Robert Christoph HÄNDEL,Fan-Wei HSU. Владелец: Opes Solutions Changzhou Co Ltd Factory. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for making crystalline silicon-based solar cell, and method for making solar cell module

Номер патента: US09871161B2. Автор: Daisuke Adachi,Toshihiko Uto. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing crystalline silicon solar cell modules

Номер патента: US09722117B1. Автор: Hao Jin,Fangdan Jiang,Guangdong He,Lujia Xu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell and method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell module

Номер патента: US09634176B2. Автор: Daisuke Adachi,Hisashi Uzu,Masanori Kanematsu. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Laser soldering systems and methods for joining crystalline silicon solar batteries

Номер патента: US09559248B2. Автор: Fan ZHU,JingJia Ji,Yusen Qin. Владелец: SHARESUN CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Seed used for crystalline silicon ingot casting

Номер патента: US09337375B2. Автор: Wen-Huai Yu,Yu-Min YANG,Yu-Tsung CHIANG,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,Chung-Wen Lan,I-Ching Li,Ming-Kung HSIAO,Hung-Sheng CHOU. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Composition and method for silicon oxide and carbon doped silicon oxide cmp

Номер патента: EP4048750A1. Автор: Brian Reiss,Sudeep Pallikkara Kuttiatoor,Fernando HUNG LOW,Steven KRAFT,Sarah BROSNAN,Sajo Naik. Владелец: CMC Materials Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Composition and method for silicon oxide and carbon doped silicon oxide cmp

Номер патента: EP4048750A4. Автор: Brian Reiss,Steven KRAFT,Low Fernando Hung,Kuttiatoor Sudeep Pallikkara,Sarah BROSNAN,Sajo Naik. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2024-01-03.

Aqueous Solution for Etching Silicon Oxide

Номер патента: US20220098485A1. Автор: Guy Vereecke. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-31.

Forming method of silicon oxide film, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201101391A. Автор: Yoshinobu Tanaka,Hirokazu Ueda,Yusuke Ohsawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-01-01.

Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios

Номер патента: IL182797A0. Автор: . Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-19.

POLISHING LIQUID COMPOSITION FOR SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20220002588A1. Автор: Inoue Masaki,Doi Haruhiko,YAMAGUCHI Norihito,SUGAHARA Masato,SEIKE Takanao. Владелец: KAO CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-06.

Compositions and Methods For CMP of Silicon Oxide, Silicon Nitride, and Polysilicon Materials

Номер патента: US20150024595A1. Автор: MATEJA Daniel,WARD William,Moeggenborg Kevin,Dinega Dimitry. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

POLISHING COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE OVER SILICON OXIDE FILMS

Номер патента: US20160079080A1. Автор: Mishra Abhudaya,Wang Luling. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Aqueous Solution for Etching Silicon Oxide

Номер патента: US20220098485A1. Автор: Vereecke Guy. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

CLEANING SOLUTION AND CLEANING METHOD FOR MATERIAL COMPRISING CARBON-INCORPORATED SILICON OXIDE FOR USE IN RECYCLING WAFER

Номер патента: US20180087006A1. Автор: OIE Toshiyuki,SHIMADA Kenji. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING SILICON OXIDE FILM, AND POLISHING METHOD USING SAME

Номер патента: US20220145131A1. Автор: LEE Seung Hyun,Lee Seung Hun,Kim Seong Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

Номер патента: AU5866100A. Автор: Cyril Guedj,Gary Katulka,James Kolodzey. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2000-11-14.

Anode active material including porous silicon oxide-carbon material composite and method of preparing the same

Номер патента: US09991509B2. Автор: Yoon Ah Kang,Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Je Young Kim,Hye Ran Jung,Jung Woo Yoo,Seung Youn Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Porous Carbon Structure-Hosted Silicon Oxide (SiOx), Anode, Lithium-ion Battery, and Production Method

Номер патента: US20240347698A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-10-17.

High-performance lithium-ion battery cell designs with lithiated silicon oxide (lso) anodes

Номер патента: US20240243249A1. Автор: Hui He,Dewen Kong,Haijing Liu,Meiyuan Wu,Shubha Nageswaran. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving very long cycle life performance

Номер патента: US20240297338A1. Автор: Herman A. Lopez,Subramanian Venkatachalam,Yingnan DONG. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US09553309B2. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Koichiro Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon oxide composite material, negative electrode material, negative electrode and lithium ion battery, and preparation method therefor

Номер патента: EP4184613A1. Автор: Jianguo Ren,Xueqin He,Chunlei PANG,Lijuan QU,Zhiqiang DENG. Владелец: Dingyuan New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Lithium ion cells with high rate electrolyte for cells with silicon oxide active material achieving high power discharge and long cycle life

Номер патента: EP4399759A1. Автор: Sujeet Kumar,Herman Lopez,Kevin Hays,Ayyappan ELANGOVAN. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Silicon oxide based high capacity anode materials for lithium ion batteries

Номер патента: US09601228B2. Автор: Sujeet Kumar,Herman A. Lopez,Haixia Deng,Yongbong Han,Charan Masarapu,Yogesh Kumar Anguchamy. Владелец: Envia Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Negative electrode material for secondary battery having lithium-doped silicon-silicon oxide composite

Номер патента: US8753774B2. Автор: Nobuo Kawada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-17.

Silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon:silicon lithium silicate composite matrix, and a process for manufacture thereof

Номер патента: US09735425B2. Автор: Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Electron tube provided with porous silicon oxide getter

Номер патента: US4771214A. Автор: Takeo Itou,Hidemi Matsuda,Shigeo Takenaka,Norio Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20160149214A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Koichiro Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving very long cycle life performance

Номер патента: US11973178B2. Автор: Herman A. Lopez,Subramanian Venkatachalam,Yingnan DONG. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon oxide particles, making method, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor

Номер патента: US20130309574A1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Koichiro Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Volume change compensated silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon: silicon lithium silicate composite matrix, and cyclical ex-situ manufacturing processes

Номер патента: MY190556A. Автор: Yongbong Han,Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Silicon-silicon oxide-lithium composite material having nano silicon particles embedded in a silicon:silicon lithium silicate composite matrix, and a process for manufacture thereof

Номер патента: MY188547A. Автор: Michael Pak,Yuriy Matus. Владелец: Eocell Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Method of the multi-pin auto emission cathode matrix manufacturing on a mono-crystalline silicon

Номер патента: RU2652651C2. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2018-04-28.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US09747930B2. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US20170162217A1. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US20170372731A1. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film

Номер патента: US6444327B1. Автор: Hiroshi Tanabe,Katsuhisa Yuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

TUNNEL VALVE READ SENSOR WITH CRYSTALLINE ALUMINA TUNNEL BARRIER DEPOSITED USING ROOM TEMPERATURE TECHNIQUES

Номер патента: US20170162217A1. Автор: Biskeborn Robert G.,Lo Calvin S.,Topuria Teya. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

TUNNEL VALVE READ SENSOR WITH CRYSTALLINE ALUMINA TUNNEL BARRIER DEPOSITED USING ROOM TEMPERATURE TECHNIQUES

Номер патента: US20170372731A1. Автор: Biskeborn Robert G.,Lo Calvin S.,Topuria Teya. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

LED reflection plate, surface-mount light-emitting device and the lighting device and image display device that possess the light-emitting device that LED reflection plate is formed with crystallinity unsaturated polyester resin compositions, the shot-like particle comprising foregoing, the foregoing shot-like particle of shaping

Номер патента: CN104471732B. Автор: 小山智仁. Владелец: Japan U-Pica Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Composition for forming a silicon oxide layer, method for producing a silicon oxide layer, and electronic device

Номер патента: TWI653304B. Автор: 尹熙燦,沈秀姸,李知虎,郭澤秀,裵鎭希,黃丙奎,盧健培,金龍國,金眞敎. Владелец: 三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-11.

Solar cell with antireflective coating with graded layer including mixture of titanium oxide and silicon oxide

Номер патента: WO2007061606A1. Автор: Thomas J. Taylor,Nathan P. Mellott. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2007-05-31.

Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films

Номер патента: EP2924143B1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of controlling silicon oxide film thickness

Номер патента: US20120252228A1. Автор: Yuanchang Zhang. Владелец: Natcore Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Mixed metal-silicon-oxide barriers

Номер патента: US20170025635A1. Автор: Eric R. Dickey,Bryan Larson Danforth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-26.

Process for producing glass substrate provided with inorganic fine particle-containing silicon oxide film

Номер патента: US20150030778A1. Автор: Keisuke Abe,Yusuke Mori,Takashige Yoneda,Yuichi KUWAHARA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8809860B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

III-V Compound Semiconductor Material Passivation With Crystalline Interlayer

Номер патента: US20120132913A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8524614B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Iii-v compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US20130168834A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for creating barriers to metal contamination in silicon oxides

Номер патента: US20040121550A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Photovoltaic cell realizing method, involves anisotropic engraving substrate surface, and isotropic chemical engraving surface by silicon oxide formation by oxidation agent and elimination of oxide by engraving agent

Номер патента: FR2955706A1. Автор: Thierry SALVETAT,Adrien Danel,Florent Souche,Tiec Yannick Le. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-07-29.

Passivation of silicon oxide during photoresist burnoff

Номер патента: US4544416A. Автор: Charles G. Meador,Eddie H. Breashears. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: US20130126986A1. Автор: Michael P. Chudzik,Min Dai,Murshed M. Chowdhury,Shahab Siddiqui,Siddarth A. Krishnan,Shreesh Narasimha,MaryJane Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

High-K-Last Manufacturing Process for Embedded Memory with Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (Sonos) Memory Cells

Номер патента: US20170194334A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chen I-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) Type Nonvolatile Memory And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100521371B1. Автор: 최용석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Silicon wafer surface treatment method, odorless silicon wafer production method, silicon wafer oxide film formation method, silicon oxide wafer production method, oxygen active species atmosphere formation apparatus, and planarization treatment system

Номер патента: JP4294816B2. Автор: 道彦 柳澤,毅 佐土原. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Non-volatile memory cell having a silicon-oxide nitride-oxide-silicon gate structure and fabrication method of such cell

Номер патента: US20030224564A1. Автор: Sung-taeg Kang,Seung-Gyun Kim,Jung-Wook Han,Hyun-Khe Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Process for minimizing boron depletion in N-channel FET at the silicon-silicon oxide interface

Номер патента: US4596068A. Автор: Solomon F. Peters, Jr.. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1986-06-24.

Non-volatile memory cell having a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon gate structure and fabrication method of such cell

Номер патента: KR100468745B1. Автор: 김성균,한정욱,유현기,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-29.

Semiconductor device, method for forming silicon oxide film, and apparatus for forming silicon oxide film

Номер патента: EP1130634A1. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: OHMI, Tadahiro. Дата публикации: 2001-09-05.

Method for fabricating non-volatile memory device having a sidewall gate and SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) cell structure

Номер патента: KR100442883B1. Автор: 강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

A cluster tool compatible silicon oxide etching process using anhydrous hydrogen fluoride gas and water for trace oxide removal

Номер патента: TW455513B. Автор: Rick L Wise,David C Frystak,Phillip A Grothe,Daniel J Syverson,Joel Barnett. Владелец: Fsi Int Inc. Дата публикации: 2001-09-21.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: CN103946963A. Автор: 戴敏,M·M·乔德哈里,M-J·布罗德斯基,M·P·储德泽克,S·A·克里什南,S·纳拉丝穆哈,S·斯蒂奎. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

High-K-last manufacturing process for embedded memory with silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US9842850B2. Автор: Wei Cheng Wu,I-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

System and method for matching silicon oxide thickness between similar process tools

Номер патента: US20090125140A1. Автор: Andrew Le,Miles Dudman. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of selectively etching the silicon nitride film on the silicon oxide layer

Номер патента: TW389967B. Автор: Hideyuki Shoji,Mitsunari Sukekawa. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-05-11.

Etching of silicon oxide film

Номер патента: TW200901313A. Автор: Shigeki Tozawa,Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Selective removal of a silicon oxide layer

Номер патента: TW200746311A. Автор: Markus Müller,Pascal Besson,Alexandre Mondot. Владелец: St Microelectronics Crolles 2. Дата публикации: 2007-12-16.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US20120196445A1. Автор: Kwon-Taek Lim. Владелец: Pukyong National University. Дата публикации: 2012-08-02.

PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC FILMS AND POLYSILICON AND/OR SILICON NITRIDE FILMS

Номер патента: US20130171824A1. Автор: Li Yuzhuo,Venkataraman Shyam Sundar,Pinder Harvey Wayne. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS

Номер патента: US20130248756A1. Автор: Venkataraman Shyam Sundar,Noller Bastian Marten,Kingma Arend Jouke,Su Eason Yu-Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-09-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20140020259A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Varadarajan Bhadri N.. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

DIFFERENTIAL SILICON OXIDE ETCH

Номер патента: US20140080309A1. Автор: Wang Yunyu,Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.,Park Seung H.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-03-20.

GAS-PHASE SILICON OXIDE SELECTIVE ETCH

Номер патента: US20170040180A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,XU Jingjing. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20150056808A1. Автор: OGASAWARA Masahiro,Hayakawa Yoshinobu,Watanabe Hikaru,Kubota Kazuhiro,URAKAWA Masafumi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD OF SELECTIVELY REMOVING A REGION FORMED OF SILICON OXIDE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20150064922A1. Автор: OHTAKE Hiroto,Suzuki Eiji,Kitamura Akinori. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE FILM AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20210082712A1. Автор: Yamada Satoshi,CHINO Koki,Kon Yoshimitsu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-03-18.

SILICON OXIDE SELECTIVE REMOVAL

Номер патента: US20160093506A1. Автор: Wang Anchuan,Ingle Nitin K.,CHEN Zhijun. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE WITH RESPECT TO AN ORGANIC MASK

Номер патента: US20180102257A1. Автор: WANG Peng,BASAVALINGAPPA Adarsh,NAGABHIRAVA Bhaskar,GOSS Michael,GOPALADASU Prabhakara. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Method of filling apertures with crystalline material

Номер патента: GB1557039A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-05.

Apparatus and method for producing silicon oxides, and silicon oxide negative electrode material

Номер патента: EP3922601A1. Автор: Jae Woo Lee,Sun Ho Choi,Jung Hoon Cheon,Jin Gee Park. Владелец: Tera Technos Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Multi-stage magnesiothermic reduction for production of silicon oxides with reduced silicon grain size

Номер патента: US20230108286A1. Автор: YANG Zhao,Galen D. Stucky,Naoto Maru,Hengbin Wang,Xudong Hu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-04-06.

Anode active material for nonaqueous electrolyte secondary battery comprising silicon oxide composite and method for producing same

Номер патента: EP3719881B1. Автор: Seung Min Oh. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Silicon oxide-based negative electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3531483B1. Автор: Yusuke KASHITANI. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon oxide, making method, negative electrode, lithium ion secondary battery, and electrochemical capacitor.

Номер патента: EP2724982B1. Автор: Susumu Ueno,Hirofumi Fukuoka,Tetsuya Inukai,Mitsugu Saito. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

Li-CONTAINING SILICON OXIDE POWDER AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200002179A1. Автор: TAKESHITA Kohki,KIZAKI Shingo,KASHITANI Yusuke. Владелец: OSAKA Titanium technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing silicon oxide

Номер патента: US20140103253A1. Автор: Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

SILICON OXIDE FOR ANODE ACTIVE MATERIAL OF SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20140106221A1. Автор: Kim Tae Hoon,Kim Je Young,Jung Sang Yun,JEONG Han Nah,PARK Cheol Hee,LIM Byung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE POWDER AND NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20210020942A1. Автор: KASHITANI Yusuke. Владелец: OSAKA TITANIUM TECHNOLOGIES CO.,LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

SILICON OXIDE, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20140113192A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu,SAITO Mitsugu,INUKAI Tetsuya. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

MINIMIZING RADICAL RECOMBINATION USING ALD SILICON OXIDE SURFACE COATING WITH INTERMITTENT RESTORATION PLASMA

Номер патента: US20180044791A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,GONG Bo,van Schravendijk Bart J.,Qiu Huatan,Hohn Geoffrey,Batzer Rachel E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Silicon oxide-coated iron powder, method for producing the same, molded body for inductor using the same, and inductor

Номер патента: US20210050132A1. Автор: Masahiro Gotoh,Daisuke Kodama. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Silicon oxide-coated soft magnetic powder and method for producing same

Номер патента: US20210060642A1. Автор: Takuya Yano,Koji Tanoue,Yorito Nishizawa. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

SILICON OXIDE MATERIAL, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20140162123A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu,SAITO Mitsugu,INUKAI Tetsuya. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

MINIMIZING RADICAL RECOMBINATION USING ALD SILICON OXIDE SURFACE COATING WITH INTERMITTENT RESTORATION PLASMA

Номер патента: US20220145459A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,GONG Bo,van Schravendijk Bart J.,Qiu Huatan,Hohn Geoffrey,Batzer Rachel E.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Finfet with crystalline insulator

Номер патента: US20140312425A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Local silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) type structure having two separated gates and aligned oxide-nitride-oxide (ONO) and method for manufacturing the same

Номер патента: JP4445273B2. Автор: 來寅 李,金鐘 ▲ベ▼,相秀 金,基▲チュル▼ 金,辰熙 金,寅▲ウク▼ ▲チョ▼,成浩 金,光旭 高. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-07.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: WO2021108339A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-03.

Middle in-situ doped sige junctions for pmos devices on 28 nm low power/high performance technologies using a silicon oxide encapsulation, early halo and extension implantations

Номер патента: US20140183654A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky,Shiang Yang Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Enhanced densification of silicon oxide layers

Номер патента: US20120009413A1. Автор: Frank Y. Xu,Fen Wan,Marlon Menezes. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220359006A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-10.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11810616B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL PASSIVATION WITH CRYSTALLINE INTERLAYER

Номер патента: US20130168834A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Kiewra Edward W.,Kobayashi Masaharu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20140061819A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,DAI Min,Chowdhury Murshed M.,Narasimha Shreesh,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman,Agrawal Vineet,Hinh Long,Samanta Santanu Kumar,Kapre Ravindra. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-27.

OPTOELECTRONIC DEVICES WITH THIN BARRIER FILMS WITH CRYSTALLINE CHARACTERISTICS THAT ARE CONFORMALLY COATED ONTO COMPLEX SURFACES TO PROVIDE PROTECTION AGAINST MOISTURE

Номер патента: US20140224317A1. Автор: Feist Rebekah K.,Campbell Stephen A.,Tosun Banu,Aydill Eray. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON BASED MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATION THEREOF

Номер патента: US20220284951A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman,Agrawal Vineet,Hinh Long,Saha Swatilekha,Samanta Santanu Kumar,Amundson Michael,Kapre Ravindra M.. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell for finfet and forming method thereof

Номер патента: US20220293624A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

FINFET WITH CRYSTALLINE INSULATOR

Номер патента: US20140312425A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: Interantional Business Machines Corporation. Дата публикации: 2014-10-23.

PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS WITH CRYSTALLINE SILICON

Номер патента: US20150380581A1. Автор: Johnson Michael C.,Smith David D.,Rim Seung Bum,Jaffrennou Périne,Tracy Kieran Mark,Tomada Princess Carmi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR100446308B1. Автор: 김성균,한정욱,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-01.

Integration of buried oxide layers with crystalline layers

Номер патента: US8008215B2. Автор: Sheila Tandon,Gale Petrich,Leslie Kolodziejski. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-08-30.

Nanofin transistors with crystalline semiconductor fins

Номер патента: US8823006B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Device equipped with crystalline silicon type photovoltaic cells with surfaces of various geometries

Номер патента: FR3092215B1. Автор: Jeremy Sauvage,Baptiste Sinagra. Владелец: Groupe Adeo SA. Дата публикации: 2021-09-17.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7202521B2. Автор: Chung-woo Kim,Hee-soon Chae,Eun-Hong Lee,Jo-won Lee,Moon-kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-10.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20220262806A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Device equipped with crystalline silicon photovoltaic cells having surfaces with varied geometries

Номер патента: ES1278832U. Автор: Jeremy Sauvage,Baptiste Sinagra. Владелец: Groupe Adeo SA. Дата публикации: 2021-10-08.

Photovoltaic device with crystalline layer

Номер патента: WO2011116097A3. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Douglas Dauson. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2012-11-22.

Thin layer solar cell, has upper thin section cell exhibiting zinc oxide coating on glass substrate, and p-leading micro-crystalline silicon oxide layer formed on substrate using plasma-supported chemical gaseous phase separation procedure

Номер патента: DE102007003239A1. Автор: Porponth Sichanugrist,Nirut Pingate,Decha Yotsaksri. Владелец: NATIONAL SCIENCE AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT AGENCY. Дата публикации: 2007-09-13.

Prodn. of capacitor in storage appts. - by depositing poly-silicon layer on substrate, forming silicon oxide layer, tantalum@ layer and then tantalum oxide layer

Номер патента: DE4337889A1. Автор: Seung-Hee Lee,Jeong-Su Han. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-26.

Photovoltaic device with crystalline layer

Номер патента: US20110227131A1. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Douglas Dauson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (sonos) memory cell for finfet

Номер патента: US20220352195A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US20210350850A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Backside etch process for transparent silicon oxide technology

Номер патента: US20230085741A1. Автор: Jacob Becker,Jon Burnsed. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER INCLUDING SILICON OXIDE LAYER AND SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20130140547A1. Автор: JIN DONG-UN,Lee Jae-Seob. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER INCLUDING SILICON OXIDE LAYER AND SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160020265A1. Автор: JIN DONG-UN,Lee Jae-Seob. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

ReRAM cells with diffusion-resistant metal silicon oxide layers

Номер патента: US20160028008A1. Автор: Wang Yun,Nardi Federico. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

LATE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20150054072A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SILICON OXIDE LAYER ON A SILICON GERMANIUM BASE

Номер патента: US20220069109A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTIONS WITH COPPER-SILICON OXIDE PROGRAMMABLE METALLIZATION CELLS

Номер патента: US20220148982A1. Автор: Chen Wenhao,Kozicki Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

MIDDLE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20140183654A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

Acoustic surface-wave devices using mono crystalline bismuth silicon oxide substrate

Номер патента: US3956647A. Автор: Richard Stevens,Eileen Read,Richard Frank Mitchell. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-05-11.

Method of formation of microstructural devices with cross-metalized holes on single crystalline silicon surface

Номер патента: RU2676240C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Елена Владимировна Ветрова,Андрей Владимирович Капустян. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-12-26.

Temperature sensor having a cover layer with aluminum oxide, silicon oxide, yttrium oxide and boron oxide

Номер патента: US09823136B2. Автор: Yang Chen,Balasubramaniam Vaidhyanathan,Anthony Maher,Katherine O'Sullivan,Anthony Herlihy. Владелец: Sensata Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Electron tube having internal glass member coated with crystalline ceramic material

Номер патента: US3787780A. Автор: J Powell. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-01-22.

Battery modules and systems having a plurality of graphite, silicon and/or silicon oxide cells and a (lithium) titanate oxide cell

Номер патента: WO2021086683A1. Автор: James G. Snyder,Saori Tokuoka,Thomas Greszler. Владелец: SAFT AMERICA. Дата публикации: 2021-05-06.

Battery modules and systems having a plurality of graphite, silicon and/or silicon oxide cells and a (lithium) titanate oxide cell

Номер патента: EP4052311A1. Автор: James G. Snyder,Saori Tokuoka,Thomas Greszler. Владелец: Saft America Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Silicon oxide composite material with space buffering and lithium doping functions, preparation method of silicon oxide composite material and lithium ion battery

Номер патента: CN108232145B. Автор: 刘俊涛,潘芳芳,万爽,单旭意,肖亚洲. Владелец: China Aviation Lithium Battery Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Silicon oxide/carbon composite negative electrode material of lithium ion secondary battery and preparation method of silicon oxide/carbon composite negative electrode material

Номер патента: CN103594689A. Автор: 刘方,杨化滨,时晶. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2014-02-19.

Method for preparing lithiated amorphous silicon oxide, lithiated amorphous silicon oxide prepared thereby, and lithium sulfur battery comprising the same

Номер патента: KR20150089966A. Автор: 김한수,김영준,선양국. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2015-08-05.

Hollow resonator packed with crystalline alumina

Номер патента: JPS61112402A. Автор: デビツド　ジエラルド　ブレイアー. Владелец: University of Western Australia. Дата публикации: 1986-05-30.

Cryogenerator in transformer form - has amorphous core with crystalline structure and coil winding of zero resistance at temp. near absolute zero

Номер патента: FR2391542A1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-12-15.

COMPOSITIONS WITH CRYSTALLINE TRANS - (+/-) - DELTA-9-TETRAHYDROCANNABINOL

Номер патента: DE602006018466D1. Автор: Robert J Kupper. Владелец: Euro Celtique SA. Дата публикации: 2011-01-05.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: WO2022256535A9. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: WO2022256535A8. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Lithium ion cells with high performance electrolyte and silicon oxide active materials achieving long cycle life, fast charge and high thermal stability

Номер патента: EP4348750A1. Автор: Herman A. Lopez,Yu-Hsin Huang,Yingnan DONG,Kevin Hays. Владелец: Ionblox Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Electrode material including surface modified silicon oxide particles

Номер патента: CA3229652A1. Автор: In Kim,Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Nevin NAREN. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Electrode material including surface modified silicon oxide particles

Номер патента: EP4402734A1. Автор: In Kim,Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Nevin NAREN. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Graphene-containing metalized silicon oxide composite materials

Номер патента: WO2021236485A8. Автор: Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Joshua LAU,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Pitawat Mahawattanangul. Владелец: Nanograf Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Graphene-containing metalized silicon oxide composite materials

Номер патента: US12119482B2. Автор: Seonbaek HA,Kathryn HICKS,Joshua J. LAU,Aaron Yost,Cary Michael Hayner,Pitawat Mahawattanangul. Владелец: Nanograf Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon oxide composite material, negative electrode material, negative electrode and lithium ion battery, and preparation method therefor

Номер патента: EP4184613A4. Автор: Jianguo Ren,Xueqin He,Chunlei PANG,Lijuan QU,Zhiqiang DENG. Владелец: Dingyuan New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

SILICON OXIDE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, MAKING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20130266500A1. Автор: FUKUOKA Hirofumi,MIYAWAKI Satoru,Kashida Meguru,OHBA Toshio. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

IRON-SILICON OXIDE PARTICLES HAVING AN IMPROVED HEATING RATE IN AN ALTERNATING MAGNETIC AND ELECTROMAGNETIC FIELD

Номер патента: US20130303658A1. Автор: Katusic Stipan,Kress Peter,Herzog Harald,Albers Peter. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2013-11-14.

SILICON OXIDE PARTICLES, MAKING METHOD, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND ELECTROCHEMICAL CAPACITOR

Номер патента: US20130309574A1. Автор: WATANABE Koichiro,FUKUOKA Hirofumi,UENO Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

SILICON OXIDE-CARBON COMPOSITE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140106231A1. Автор: LEE Yong Ju,Jung Sang Yun,JEONG Han Nah,PARK Cheol Hee,LIM Byung Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

VOLUME CHANGE COMPENSATED SILICON-SILICON OXIDE-LITHIUM COMPOSITE MATERIAL HAVING NANO SILICON PARTICLES EMBEDDED IN A SILICON:SILICON LITHIUM SILICATE COMPOSITE MATRIX, AND CYCLICAL EX-SITU MANUFACTURING PROCESSES

Номер патента: US20180069233A1. Автор: Han Yongbong,Matus Yuriy,PAK Michael. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

ANODE ACTIVE MATERIAL INCLUDING POROUS SILICON OXIDE-CARBON MATERIAL COMPOSITE AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20140154578A1. Автор: LEE Yong Ju,Jung Hye Ran,Choi Seung Youn,Lee Mi Rim,Kim Je Young,YOO Jung Woo,Kang Yoon Ah. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

System for pulling-up monocrystal and method of exhausting silicon oxide

Номер патента: US5476065A. Автор: HIROSHI Yasuda,Hiroyuki Kojima,Koji Hosoda,Akira Tanikawa,Yoshifumi Kobayashi,Kazuhiro Ikezawa. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Process for producing crystalline silicon spheres

Номер патента: US4637855A. Автор: David E. Witter,Jules D. Levine. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-20.

Method of and apparatus for casting crystalline silicon ingot by electron bean melting

Номер патента: US5454424A. Автор: Nobuyuki Mori,Masafumi Maeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-03.

Improvements in or relating to processes for preparing crystalline silicon

Номер патента: GB1084580A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-09-27.

Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same

Номер патента: US20130095028A1. Автор: Wen-Huai Yu,Wen-Chieh Lan,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,yong-cheng Liu. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Multi-crystalline silicon ingot and directional solidification furnace

Номер патента: WO2013040372A1. Автор: Lee William FERRY,Benjamin Michael Meyer,Aditya Deshpande. Владелец: Memc Singapore Pte, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing crystalline silicon

Номер патента: US20020139297A1. Автор: Yuji Ishiwari,Saburo Wakita,Junichi Sasaki,Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for producing crystalline silicon

Номер патента: US6540828B2. Автор: Yuji Ishiwari,Saburo Wakita,Junichi Sasaki,Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Method of manufacturing a mono-crystalline silicon ball

Номер патента: US20020182875A1. Автор: Tomotsugu Aoyama,Kazuhiko Kuribayashi. Владелец: Institute of Space and Astronautical Science. Дата публикации: 2002-12-05.

Crucible assembly and method of manufacturing crystalline silicon ingot by use of such crucible assembly

Номер патента: US09903043B2. Автор: Wen-Huai Yu,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Wen-Ching Hsu,I-Ching Li,Hung-Sheng CHOU,Kuo-Wei CHUANG. Владелец: Sino-American Sulicon Products Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for selecting polycrystalline silicon rod, and method for producing single crystalline silicon

Номер патента: US09605356B2. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Arrangement for manufacturing crystalline silicon ingots

Номер патента: US09435052B2. Автор: Kai Johansen,Egor VLADIMIROV,Pouria Homayonifar,Alexandre TEIXEIRA. Владелец: REC Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Thin films with ppo base with crystalline nanoporous phases or active co-crystalline phases with chain orientation perpendicular to the film plane and procedure for the obtainment thereof

Номер патента: EP4247883A1. Автор: Gaetano Guerra,Christophe Daniel,Paola Rizzo,Nagendra Baku. Владелец: Materias SRL. Дата публикации: 2023-09-27.

Thin films with ppo base with crystalline nanoporous phases or active co-crystalline phases with chain orientation perpendicular to the film plane and procedure for the obtainment thereof

Номер патента: WO2022107021A1. Автор: Gaetano Guerra,Christophe Daniel,Paola Rizzo,Nagendra Baku. Владелец: MATERIAS S.r.l.. Дата публикации: 2022-05-27.

Silicon oxide based material

Номер патента: RU2401694C2. Автор: Йохан ЭКЕРОТ. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2010-10-20.

Silicon-oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon-oxide-coated-zinc-oxide-containing composition, and cosmetic

Номер патента: US09642785B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Yoshiki Kusahara. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon oxides

Номер патента: RU2431465C2. Автор: Питер Уилльям СТЭНИР. Владелец: ПиКью СИЛИКАС ЮКей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2011-10-20.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: US09949898B2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Zinc oxide which is coated with silicon oxide, method for manufacturing the same, composition which includes the zinc oxide coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US09855197B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of obtaining mother stock of diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2563013C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Ceramic material with low sintering temperature based on zirconium dioxide - aluminum oxide - silicon oxide system

Номер патента: RU2710341C1. Автор: Сергей Миронович Баринов,Валерий Вячеславович Смирнов,Сергей Валерьевич Смирнов,Маргарита Александровна Гольдберг,Татьяна Олеговна Оболкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-12-25.

Nickel/titanium oxide-silicon oxide catalyst for synthesizing terpinene-4-ol, preparation method thereof, and method of synthesizing terpinene-4-ol using the same

Номер патента: US11596930B2. Автор: Jie Liu,Dan Wu,Jingjing Chen,Huidong Zheng,Naixin Wu. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-07.

Reactive silicon oxide precursor facilitated anti-corrosion treatment

Номер патента: EP2736981A1. Автор: Henrik Pranov. Владелец: SiOx ApS. Дата публикации: 2014-06-04.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Thermoplastic polymer blends of ep or epdm polymer with crystalline polypropylene

Номер патента: CA1068039A. Автор: Paul T. Stricharczuk. Владелец: BF Goodrich Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Porous organic-inorganic hybrid materials with crystallinity and method for preparing thereof

Номер патента: US8507399B2. Автор: Jong-San Chang,Young Kyu HWANG,Dong Won Hwang,You-Kyong Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2013-08-13.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: US10238589B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of obtaining masterbatch of synthetic diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2562283C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Porous organic-inorganic hybrid materials with crystallinity and method for preparing thereof

Номер патента: US20120289399A1. Автор: Jong-San Chang,Young Kyu HWANG,Dong Won Hwang,You-Kyong Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-15.

Application of aluminium oxide and silicon oxide-containing compounds for manufacturing hydrophobic construction product

Номер патента: RU2577344C2. Автор: Уве ГЕРИГ,Флориан ЭЛЛЕНРИДЕР,Михаэль МЕЛЬХАРТ,Йоахим РИДМИЛЛЕР,Штеффен ВАХЕ,Матиас ДЕГЕНКОЛЬБ,Михаэль КУЧЕРА,Катя ФОЛАНД. Владелец: Констракшн Рисёрч Энд Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of obtaining mother stock of natural rubber and silicon oxide

Номер патента: RU2559497C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-08-10.

Process for preparing particles coated with silicon oxide by flame spray pyrolysis

Номер патента: EP4081482A1. Автор: Henri Samain,Valérie Jeanne-Rose,Yiannis Deligiannakis,Maria Louloudi. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2022-11-02.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: EP3577251A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: US20200340097A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2020-10-29.

Process for producing titanium-containing silicon oxide catalyst, the catalyst, and process for producing olefin compound with the catalyst

Номер патента: US20090234143A1. Автор: Jun Yamamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Optical system having optical thin film including amorphous silicon oxide-based binder

Номер патента: US09915761B2. Автор: Hitoshi Ishizawa,Tsuyoshi Murata,Shunsuke Niisaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of producing nanostructured composite ceramics based on zirconium, aluminum and silicon oxides

Номер патента: RU2701765C1. Автор: Александр Александрович Дмитриевский,Дарья Геннадиевна Жигачева,Андрей Олегович Жигачев,Александр Иванович Тюрин,Владимир Михайлович Васюков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина". Дата публикации: 2019-10-01.

High temperature-resistant silicon oxide-based inorganic fibre and method of producing said fibre

Номер патента: RU2469001C2. Автор: Робин РИХТЕР,Фолкер ШТЕДЕН,Свен ЛЕР. Владелец: Бельчем Фибер Материалс Гмбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Glass-like monoliths constituted by silicon oxide and titanium oxide and process for preparing them

Номер патента: CA2009672C. Автор: Guido Cogliati,Giovanni Bezzi. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 2001-05-29.

Novel method of obtaining precipitated silicon oxides

Номер патента: RU2550853C2. Автор: Сильвен НЕВЕ,Жоэль РАСИНУ,Малика КЛУЭН. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2015-05-20.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: CA2809748C. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2018-11-27.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: WO2001077014A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma

Номер патента: US5753564A. Автор: Takashi Fukada. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Manganese-aluminum-phosphorous-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: CA1246530A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Boron doped silicon oxide protective layer and method for making the same

Номер патента: WO2024028173A1. Автор: Eric Michel,Eric Tixhon. Владелец: AGC Glass Europe. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for preparing silicon oxide powder filler, powder filler obtained thereby, and application of silicon oxide powder filler

Номер патента: US20230365786A1. Автор: Wen Li,Ke Wang,Dawei Zhang,Jiangbo Huang. Владелец: Zhejiang Third Age Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Oxygen transport membrane for silicon oxide plant

Номер патента: EP1280731A1. Автор: Nitin Ramesh Keskar,Kevin Bruce Albaugh. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Cobalt-aluminum-phosphorous-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: CA1248078A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Titanium-aluminum-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: AU579862B2. Автор: Edith Marie Flanigen,Bonita Kristoffersen Marcus,Brent Mei-Tak Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1988-12-15.

Titanium-aluminum-phosphorous-silicon-oxide-molecular sieve compositions

Номер патента: CA1248507A. Автор: Bonita K. Marcus,Edith M. Flanigen,Brent M.T. Lok. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Iron-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieves

Номер патента: US4822478A. Автор: Edith M. Flanigen,Brent M. T. Lok,Lawrence D. Vail. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1989-04-18.

Packaging material comprising a silicon oxide layer and a polyolefin layer

Номер патента: US5731092A. Автор: Patrice Breant,Philippe Tordjeman. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 1998-03-24.

Method for producing sputtered silicon oxide electrolyte

Номер патента: WO2018142161A1. Автор: Aimin Song,Xiaochen MA. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2018-08-09.

Powder of mixed titanium and silicon oxide, dispersion thereof and titanium-containing zeolite based thereon

Номер патента: RU2415081C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Мартин МЁРТЕРС,Хельмут МАНГОЛЬД,Штеффен ХАЗЕНЦАЛЬ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2011-03-27.

Method for depositing a silicon oxide layer

Номер патента: US5965203A. Автор: Oswald Spindler,Zvonimir Gabric. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-12.

Process for producing a silicon oxide deposit on the surface of a metallic or metallized polymer substrate using corona discharge at pressures up to approximately atmospheric

Номер патента: US5523124A. Автор: Pascal Bouard,Frank Slootman. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1996-06-04.

Method and apparatus for producing silicon oxide-based ceramic membrane by gas phase synthesis

Номер патента: US20040033180A1. Автор: Masahiko Matsukata,Shiro Ikeda,Shuji Tsuruoka. Владелец: WASEDA UNIVERSITY BIO NANOTEC RESEARCH INSTITUTE Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Use of silicon oxide compounds as free-flow agents in the production of solid polyvinyl acetate resins

Номер патента: CA2598102A1. Автор: Rene Graewe,Thomas Wimmer,Marcus Biber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Compatible buffer liquids made of low-crystalline silicon dioxide

Номер патента: RU2770100C1. Автор: Пол Джозеф ДЖОУНС,Райан КИРЭН. Владелец: Халлибертон Энерджи Сервисез, Инк.. Дата публикации: 2022-04-14.

Crystalline silicone-imide copolymers

Номер патента: CA1250679A. Автор: Chung J. Lee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-02-28.

Process for producing ultra-fine powder of crystalline silicon

Номер патента: US20090010833A1. Автор: Arkady Garbar,Fernando De La Vega,Chariana Sokolinsky,Valery Rosenband,Dmitry Lekhtman,Thomas Zak. Владелец: Cima Nanotech Israel Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Sequestering of crystalline silicon dioxide

Номер патента: CA3127921A1. Автор: Max Kellermann,Jorg Ulrich Zilles,Paul PÁEZ-MALETZ. Владелец: Quarzwerke GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Sequestering of crystalline silicon dioxide

Номер патента: US20220162080A1. Автор: Max Kellermann,Jorg Ulrich Zilles,Paul PÁEZ-MALETZ. Владелец: Quarzwerke GmbH. Дата публикации: 2022-05-26.

Crystalline silicon carbide fiber and method for manufacturing same, and ceramic composite substrate

Номер патента: US12060302B2. Автор: Hideki Ozawa,Hiroyuki Yamaoka,Yuusuke TOMINAGA,Kouichirou Suyama,Mao SUMINO. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Piezoelectric ceramic materials based on lead zirconate titanate (PZT) with crystalline perovskite structure

Номер патента: ES2540898T3. Автор: Günter HELKE. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2015-07-14.

Silicon oxide-containing composition

Номер патента: RU2516846C2. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН. Владелец: Бим Кеми Аб. Дата публикации: 2014-05-20.

Purification of hydrolysed protein with crystalline zeolite

Номер патента: US4944953A. Автор: Guy J. Hartman,Gary G. Spyres. Владелец: TATE AND LYLE INGREDIENTS AMERICAS LLC. Дата публикации: 1990-07-31.

Endurance of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US09747987B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Kaveh Shakeri,Long T Hinh,Sarath Chandran Puthenthermadam. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Reduced silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory program disturb

Номер патента: US09773567B1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang,Paul Hoayun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Endurance of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US09378821B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Kaveh Shakeri,Long Hinh,Sarath C. Puthenthermadam. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Probe guide plate having a silicon oxide layer formed on surfaces and on an inner wall of a through hole thereof, and a protective insulating layer formed on the silicon oxide layer, and probe apparatus including the probe guide plate

Номер патента: US10261110B2. Автор: Yuichiro Shimizu,Chikaomi Mori,Tomoo Yamasaki,Kosuke FUJIHARA. Владелец: Japan Electronic Materials Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers

Номер патента: US6053984A. Автор: Steve I. Petvai,Leslie Jane Bohnenkamp,Michael P. Buet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-25.

Cellulose-silicon oxide composite superhydrophobic material and preparation method thereof

Номер патента: US20210180255A1. Автор: Yuan Zhao,Jian Wang,Hui Zhao,Cuicui LI,Lijie HUANG,Yangfan Xu,Chongxing Huang,Qingshan Duan,Hongxia Su,Linyun Zhang. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-17.

Low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: EP4408402A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Dentifrice compositions containing tin oxide-compatible particles of silicon oxide

Номер патента: RU2726804C1. Автор: Лоуренс Эдвард ДОЛАН,Санджив МИДХА,Ева ШНЕЙДЕРМАН,Карл Уильям ГАЛЛИС,Уильям Джексон ХАГАР,Тэрри Уильям НАССИВЕРА. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for surface modification of silicon oxide nanoparticles with included quantum dots

Номер патента: RU2611541C2. Автор: Ирина Юрьевна Горячева,Валентина Владимировна Гофтман. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-02-28.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: US12064522B2. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Enhanced bonding of adjacent layers of silicon oxides and silver

Номер патента: CA1113764A. Автор: Jon D. Masso. Владелец: Sola International, Inc.. Дата публикации: 1981-12-08.

Imaging members with plasma deposited silicon oxides

Номер патента: US4859553A. Автор: Frank Jansen,Joseph Mort. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1989-08-22.

Ozone-based low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: US20230355536A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Geetika Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Low Temperature Process For Preparing Silicon Oxide Coated Pharmaceuticals

Номер патента: US20220105048A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Ozone-based low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: WO2023215472A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Geetika Bajaj. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Low temperature silicon oxide coating for pharmaceutical applications

Номер патента: WO2023056304A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: WO2022072867A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Low temperature process for preparing silicon oxide coated pharmaceuticals

Номер патента: EP4221695A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Cleaning device for crystalline silicon recycled from photovoltaic cells by wet purification

Номер патента: US20240050994A1. Автор: Yu Zhao,Xiaohui Chen,Pin Zhou,Shubo WANG,Jingbo Zhao,Quanfa ZHOU. Владелец: Changzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2024-02-15.

Multi-crystalline silicon device and manufacturing method

Номер патента: EP2043866A2. Автор: Joseph Jech, Jr.,Constantine Nicholas Anagnostopoulos,Ali Gerardo Lopez. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-04-08.

Multi-crystalline silicon device and manufacturing method

Номер патента: WO2008013691A2. Автор: Joseph Jech, Jr.,Constantine Nicholas Anagnostopoulos,Ali Gerardo Lopez. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2008-01-31.

PROCESS FOR PRODUCING A SELF-ALIGNED SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICIUM CELL AND THE CELL

Номер патента: FR2858717B1. Автор: Seung Beom Yoon,Hee Seog Jeon,Yong Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-13.

PROCESS FOR PRODUCING A SELF-ALIGNED SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICIUM CELL AND THE CELL

Номер патента: FR2858717A1. Автор: Seung Beom Yoon,Hee Seog Jeon,Yong Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-11.

Direct current fast charge method for charging battery cells including lithium silicon oxide (lso)

Номер патента: US20240305122A1. Автор: Si Chen,Mark W. Verbrugge,Dewen Kong,Haijing Liu. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Process for producing a silica glass crucible with crystalline areas from a porous silica glass green body

Номер патента: DE10156137B4. Автор: Fritz Dipl.-Chem. Dr. Schwertfeger,Holger Dipl.-Chem. Dr. Szillat,Christoph Dipl.-Phys. Dr. Frey,Ulrich Dipl.-Min. Dr. Lambert,Axel Dipl.-Ing. Frauenknecht. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for the production of a silica glass crucible with crystalline regions from a porous silica glass green body

Номер патента: KR100512802B1. Автор: 슈베르트페거 프리츠,스질라트 홀거,프레이 크리스토프,람베르트 울리흐,프라우엔크네흐트 악셀. Владелец: 와커-헤미 게엠베하. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for the production of a silica glass crucible with crystalline regions from a porous silica glass green body

Номер патента: US20030159648A1. Автор: Axel Frauenknecht,Fritz Schwertfeger,Holger Szillat,Ulrich Lambert,Christoph Frey. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2003-08-28.

Components with crystalline coatings of the aluminum oxide / silicon oxide system and process for their production

Номер патента: DE10219812A1. Автор: Dirk Meyer,Alexandr Levin,Peter Paufler. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2003-11-13.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: US09546242B2. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US09834481B2. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,John Forrest Wight, Jr.,Thomas Richard Chapman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicone oxide and titanium oxide-based crystalline synthetic material and method for preparation thereof

Номер патента: RU2076775C1. Автор: Нотари Бруно,Тарамассо Марко,Перего Джованни. Владелец: Снампрогетти С.П.А.. Дата публикации: 1997-04-10.

Fixation of nitrogen using silicon oxide catalysts

Номер патента: US4308246A. Автор: Paul Harteck. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 1981-12-29.

Hydrocracking process with the use of a silicon oxide, zirconium oxide and titanium oxide composite catalyst

Номер патента: US3053755A. Автор: Young Dean Arthur,Rowland C Hansford. Владелец: Union Oil Company of California. Дата публикации: 1962-09-11.

Catalytic conversion with crystalline zeolite product constituting ZSM-5/ZSM-11 intermediates

Номер патента: US4289607A. Автор: George T. Kokotailo. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Activated carbon composite with crystalline tin silicate

Номер патента: US6129846A. Автор: Kishor P. Gadkaree. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Selectively cracking gas oil with crystalline alumnosilicate

Номер патента: GB1059464A. Автор: . Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1967-02-22.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: EP2817274A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Thomas Richard Chapman,John Forrest Wight, Jr. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: EP2914640A1. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Multilayer reflective polarizer with crystalline low index layers

Номер патента: US12019258B2. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-06-25.

Amorphous cobalt-inherent silicon oxide catalyst

Номер патента: US11884564B2. Автор: William E. Holmes,Daniel Dianchen Gang,Qiyu Lian,Mark E. Zappi. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2024-01-30.

Amorphous cobalt-inherent silicon oxide catalyst

Номер патента: US20230046975A1. Автор: William E. Holmes,Daniel Dianchen Gang,Qiyu Lian,Mark E. Zappi. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2023-02-16.

SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITION AND COSMETIC INCLUDING SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE

Номер патента: US20170095407A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Silicon oxide-coated zinc oxide, composition containing silicon oxide-coated zinc oxide, and cosmetic product

Номер патента: US20180161255A1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Hirokazu Matsushita. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

ZINC OXIDE WHICH IS COATED WITH SILICON OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, COMPOSITION WHICH INCLUDES THE ZINC OXIDE COATED WITH SILICON OXIDE, AND COSMETIC

Номер патента: US20170266084A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

ZINC OXIDE WHICH IS COATED WITH SILICON OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, COMPOSITION WHICH INCLUDES THE ZINC OXIDE COATED WITH SILICON OXIDE, AND COSMETIC

Номер патента: US20160287488A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARING SAME, COMPOSITION CONTAINING SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE, AND COSMETIC MATERIAL

Номер патента: US20180289600A1. Автор: Matsushita Hirokazu,ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Silicon oxide-coated zinc oxide, its production method, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetics

Номер патента: JP6763304B2. Автор: 俊輔 須磨,哲朗 板垣,浩和 松下. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2020-09-30.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: EP3127869A4. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-09-06.

Silicon oxide-coated zinc oxide and method for preparing same, and composition and cosmetic material containing silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: KR102414297B1. Автор: 슌스케 스마,šœ스케 스마,테츠로 이타가키,히로카즈 마츠시타. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-06-28.

Silicon-oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon-oxide-coated zinc-oxide-containing composition, and cosmetic

Номер патента: KR102176830B1. Автор: 슌스케 스마,šœ스케 스마,테츠로 이타가키,가쿠 후지하시. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-11-10.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: KR102246324B1. Автор: 테츠로 이타가키,가쿠 후지하시,슌스케 수마,šœ스케 수마. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-29.

Silicon oxide-coated zinc oxide, method for producing same, and composition and cosmetic including silicon oxide-coated zinc oxide

Номер патента: EP3127869B1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Sintered particle in the form of ball, useful for treating surface of bottles, comprises composition of e.g. zirconium oxide and hafnium oxide, silicon oxide and aluminum oxide, and crystallized phases of e.g. zircon, mullite and corundum

Номер патента: FR2978143A1. Автор: Emmanuel Pierre Marcel Nonnet,Roux Yves Marcel Leon Boussant. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2013-01-25.

Zinc oxide which is coated with silicon oxide, method for manufacturing the same, composition which includes the zinc oxide coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US10363204B2. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-07-30.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: AU2016336313A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Silicon oxide-coated zinc oxide, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, cosmetics

Номер патента: JP6859949B2. Автор: 俊輔 須磨,哲朗 板垣,浩和 松下,岳 藤橋,藤橋　岳. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2021-04-14.

Silicon oxide-coated zinc oxide, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetic product

Номер патента: EP3263525A4. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Gaku Fujihashi,Syunsuke SUMA,Hirokazu Matsushita. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-08-15.

Silicon oxide-coated zinc oxide, production method thereof, silicon oxide-coated zinc oxide-containing composition, and cosmetics

Номер патента: JP6458737B2. Автор: 俊輔 須磨,哲朗 板垣,岳 藤橋,藤橋　岳. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Silicon oxide-coated zinc oxide and method for manufacturing same, silicon oxide-coated zinc oxide containing composition, and cosmetic

Номер патента: KR20150144748A. Автор: 테츠로 이타가키,가쿠 후지하시,슌스케 수마,요시키 쿠사하라,?스케 수마. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-12-28.

Silicon oxide-coated iron oxide composition for coating comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: CA2992265A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Synthetic, crystalline, porous material containing silicon oxide, titanium oxide and aluminum oxide

Номер патента: US5246690A. Автор: Giuseppe Bellussi,Antonio Esposito,Franco Buonomo,Aldo Giusti. Владелец: Enichem Sintesi SpA. Дата публикации: 1993-09-21.

CLEANING METHOD OF SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS, SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD, AND SILICON OXIDE FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20150267292A1. Автор: Shimizu Akira,IKEUCHI Toshiyuki,KIM Cheoljung. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Metal oxide thin film, metal-silicon oxide thin film, or metal-germanium oxide thin film, and preparing method thereof

Номер патента: KR101838617B1. Автор: 박정우,이영재,여소정,염보라,장동학. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2018-03-14.

A kind of oxidation of cyclopentene synthesizing glutaric acid mesoporous silicon oxide supported tungsten oxide catalysts and preparation method thereof

Номер патента: CN108295889A. Автор: 吕志果,郭振美,靳满满. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2018-07-20.

TIO2 PIGMENT COATED WITH POROUS ALUMINUM OXIDE / SILICON OXIDE AND DENSE SILICON OXIDE, AS WELL AS THE PROCEDURE FOR PREPARING THIS.

Номер патента: NL7506369A. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1975-12-02.

Chlorosilicate phosphor production, involves providing mixture of raw material of basic lattice calcium carbonate, magnesium oxide, silicon oxide and raw material of dopant europium oxide

Номер патента: DE102007028120A1. Автор: Manfred Kobusch,Torsten Dr. Fries,Wilhelma Welsch. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2008-12-24.

Synthetic, crystalline, porous material containing silicon oxide, titanium oxide and iron oxide

Номер патента: EP0226258A3. Автор: Giuseppe Bellussi,Mario Gabriele Clerici,Franco Buonomo,Aldo Giusti. Владелец: Enichem Sintesi SpA. Дата публикации: 1988-06-29.

결정성 혼합 금속 수산화물 입자가 분산되어 있는 중합체성 복합재(Polymeric composites with crystalline mixed metal hydroxide particles dispersed therein)

Номер патента: KR980700367A. Автор: 클리브 피. 보스냑. Владелец: 더 다우 케미칼 캄파니. Дата публикации: 1998-03-30.

Multilayer optical film with crystalline low index layers

Номер патента: US20240302583A1. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-09-12.

PROCESS FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE PROVIDED WITH ALUMINUM OXIDE-CONTAINING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20130098113A1. Автор: Kuwahara Yuichi,Abe Keisuke. Владелец: ASAHI GLASS COMPANY, LIMTED. Дата публикации: 2013-04-25.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US20130224430A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Thomas Richard Chapman,John Forrest Wright, JR.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Use Of Compounds Containing Aluminium Oxide And Silicon Oxide For Producing A Hydrophilic Building Product

Номер патента: US20130319294A1. Автор: Gehrig Uwe,Ellenrieder Florian,Voland Katja,Degenkolb Mathias,Riedmiller Joachim,Kutschera Michael,Wache Steffen,Melchart Michael. Владелец: Construction Research & Technology GmbH. Дата публикации: 2013-12-05.

USE OF COMPOUNDS CONTAINING ALUMINIUM OXIDE AND SILICON OXIDE FOR PRODUCING A HYDROPHILIC BUILDING PRODUCT

Номер патента: US20160031760A1. Автор: Gehrig Uwe,Ellenrieder Florian,Voland Katja,Degenkolb Mathias,Riedmiller Joachim,Kutschera Michael,Wache Steffen,Melchart Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US20170044066A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Mark Alan Lewis,Robert John Locker,Keith Norman Bubb,Thomas Richard Chapman,Kenneth Joseph Drury,Christopher Lane Kerr,Todd Parrish St Clair. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

CLEANING PRODUCT EXHIBITING INCREASED STABILITY WITH CRYSTALLINE PARTICLES

Номер патента: US20150060322A1. Автор: Bergstrom Joan M.,Konishi Gregory A.. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2015-03-05.

ARTICLES MADE FROM THERMOPLASTIC POLYURETHANES WITH CRYSTALLINE CHAIN ENDS

Номер патента: US20160083540A1. Автор: Lu Qiwei,Makal Umit G.,Day Roger W.,Steinmetz Bryce W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SILICON OXIDE-COATED OXIDE COMPOSITION FOR COATING IN WHICH WEATHER RESISTANCE IS REQUIRED, AND METHOD OF PRODUCING COMPOSITION FOR COATING

Номер патента: US20190153246A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

THERMOPLASTIC POLYURETHANES WITH CRYSTALLINE CHAIN ENDS

Номер патента: US20150299377A1. Автор: Lu Qiwei,Makal Umit G.,Day Roger W.,Steinmetz Bryce W.. Владелец: LUBRIZOL ADVANCED MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2015-10-22.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: US20170292028A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

HONEYCOMB STRUCTURE COMPRISING A CEMENT SKIN COMPOSITION WITH CRYSTALLINE INORGANIC FIBROUS MATERIAL

Номер патента: US20150344375A1. Автор: Wight,JR. John Forrest,Chapman Thomas Richard,Sarma Huthavahana Kuchibhotla. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Ultraviolet-shielding particle coated with silicon oxide, aqueous composition containing ultraviolet-shielding particle coated with silicon oxide, and cosmetic

Номер патента: US20190350822A1. Автор: Tetsuro ITAGAKI,Hirokazu Matsushita,Norito MORISHITA. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Multilayer Reflective Polarizer with Crystalline Low Index Layers

Номер патента: US20200355859A1. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-11-12.

Blends of sulfonated elastomers with crystalline polyolefins

Номер патента: US3974241A. Автор: Robert D. Lundberg,Robert R. Phillips,Jan Bock,Lowell Westerman. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1976-08-10.

Isoparaffin-olefin alkylation with crystalline zeolite catalysts at low isoparaffin to olefin ratios

Номер патента: US3647916A. Автор: Philip D Caesar,Werner O Haag,John J Wise. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Highly acidic composition containing zirconium and silicon oxides and an oxide of at least one element selected from titanium, aluminium, tungsten, molybdenum, cerium, iron, tin, zinc, and manganese

Номер патента: KR101149113B1. Автор: 올리비에르 라셰르,엠마뉴엘 로아트,스테판 베르디에르,헤더 브래드쇼,클리브 버틀러,데보라 해리스,마이레드 피레이,귈라옴 크리니에르. Владелец: 마그네슘 일렉트론 리미티드. Дата публикации: 2012-05-25.

A kind of preparation method of the graphene oxide of controlled release corrosion inhibiter-mesoporous silicon oxide two-dimensional nano container

Номер патента: CN109608923A. Автор: 刘建华,李松梅,于美,熊亮亮,李应权. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-12.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: WO2008129901A1. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2008-10-30.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: EP2141205A1. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-06.

Process for producing hydrophobized silicon oxide-coated metal oxide particles comprising primary and secondary hydrophobizing steps

Номер патента: US8282991B2. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: EP2141205A4. Автор: Hajime Katayama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: CN101652434A. Автор: 片山肇. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Highly rut-resistant asphalt concrete with crystalline whiskers and steel-making slag and method for preparing the same

Номер патента: KR100796669B1. Автор: 나인태,안동춘. Владелец: 주식회사 효석. Дата публикации: 2008-01-22.

Silicon oxide-coated oxide composition for coating and a method for producing a composition for coating, which are required to have weather resistance.

Номер патента: JP6879487B2. Автор: 榎村　眞一,眞一 榎村,大介 本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Flexible titanium oxide/silicon oxide/carbon composite nanofiber membrane and preparation method thereof

Номер патента: CN107376888B. Автор: 吴小琼,郑煜铭,邵再东. Владелец: Institute of Urban Environment of CAS. Дата публикации: 2020-04-24.

Composition for etching silicon oxide layer and method for etching silicon oxide layer using the same

Номер патента: KR101316054B1. Автор: 홍창기,김고은,한정남,이효산,박명국,양호석. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2013-10-10.

NEW METHOD FOR PRODUCING DEPOSITED SILICON OXIDE, NEW DEPOSITED SILICON OXIDE AND OPTIONS OF ITS USE, IN PARTICULAR, FOR REINFORCING POLYMERS

Номер патента: RU2015111246A. Автор: Лоран ГИ,Эрик ПЕРЕН,Седрик БУАВЕН,Килани ЛАМИРИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2016-10-20.

Silicon oxide-coated UV-shielding particles, silicon oxide-coated UV-shielding particles-containing aqueous composition, cosmetics

Номер патента: KR102437232B1. Автор: 테츠로 이타가키,히로카즈 마츠시타,노리토 모리시타. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-08-26.

Process for producing metal oxide particle coated with hydrophobized silicon oxide

Номер патента: CN101652434B. Автор: 片山肇. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Mesoporous silica materials with crystalline pore walls and Manufacturing method of the same

Номер патента: KR101251057B1. Автор: 박성수,하창식,조동원,추상욱. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-04-05.

Method for producing titanium-containing silicon oxide molded body and titanium-containing silicon oxide molded body

Номер патента: CN111818997A. Автор: 小泽卓也,大内康久. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

PROCESS FOR PELLETIZING SUBSTANCES WITH CRYSTALLINE OR CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: DD207537A5. Автор: Franz J Gattys. Владелец: Gattys Ing Buero F J. Дата публикации: 1984-03-07.

Plastic granules contg. additives, partic. for melt spinning - with additives incorporated by fritting with crystalline plastics

Номер патента: FR2310851A1. Автор: . Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1976-12-10.

Producing propylene oxide, comprises reaction of propylene with hydroperoxide in presence of a silicon oxide catalyst containing titanium, which is prepared by reaction of metal halide compound with metal ether/metal hydroxyl compound

Номер патента: FR2941945A1. Автор: Tetsuo Suzuki,Masaru Ishino,Pierre Hubert Mutin,Andre Vioux,Olivier Lorret. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-13.

PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF METAL OXIDES, SINGLE OR MIXED, OR OF SILICON OXIDE

Номер патента: FR2763258A1. Автор: Christian Gilbert Guizard,Anne Julbe,Stephane Sarrade,Luc Schrive. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-11-20.

Process for manufacturing anisotropic permanent magnets with crystalline texture

Номер патента: FR1189958A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-10-08.

Fuel saving storage bricks - sun heat stored in glass bricks filled with crystalline soda

Номер патента: DE2360305A1. Автор: Joachim Marcus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-07-17.

Hydrocarbon conversion with crystalline silicates

Номер патента: GB2075045B. Автор: . Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1984-02-15.

Silicon oxide and magnesium oxide composite material and synthesis method thereof

Номер патента: CN111087032A. Автор: 范峰,凌凤香,张会成,王少军,杨春雁. Владелец: Sinopec Dalian Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2020-05-01.

Silicon oxide-based sintered body used in the preparation of silicon oxide and method for preparing same

Номер патента: KR101561182B1. Автор: 김남훈,이태욱,오성민,임보라미. Владелец: 대주전자재료 주식회사. Дата публикации: 2015-10-19.

Process for the preparation of amines from olefins with crystalline oxides based on aluminophophates having the structure of faujasite

Номер патента: SK281692B6. Автор: Peter Stops,Karsten Eller,Rudolf Kummer. Владелец: BASF AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2001-06-11.

A kind of fiber reinforcement aluminium oxide-silicon oxide binary aerogel composite material and preparation method

Номер патента: CN109095883A. Автор: 吴杰,姚其胜. Владелец: Shanghai Yining New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

THERMOPLASTIC POLYMERIC COMPOSITIONS OF EP OR EPDM POLYMER WITH CRYSTALLINE POLYPROPYLENE

Номер патента: FR2327278A1. Автор: . Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 1977-05-06.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SODIUM AND ALUMINUM SILICATES WITH CRYSTALLINE PREDOMINANCE AS WELL AS THE PRODUCTS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2379479A1. Автор: Helmut Derleth,Ludwig Walter,Karl-Heinrich Bretz,Artur Kurs. Владелец: Kali Chemie Ag. Дата публикации: 1978-09-01.

PROCESS FOR PREPARING SILICON OXIDE ALUMINUM OXIDE EXTRUDATES, AS WELL AS A PROCESS FOR PREPARING A CATALYST CARRIER FROM THESE EXTRUDATES.

Номер патента: NL7712703A. Автор: . Владелец: Nalco Chemical Co. Дата публикации: 1979-03-02.

Silicon oxide-coated oxide composition for coating in which weather resistance is required, and method of producing composition for coating

Номер патента: US10835458B2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

TREATMENT FLUIDS ACIDS CONTAINING ADDITIVES FOR THE CONTROL OF NON-POLYMER OXIDE SILICON OXIDE, AND RELATED METHODS

Номер патента: AR084258A1. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Serv Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

OXIDATION OF ACRYLIC ACID PROPANE BY USING CATALYSTS MIXED WITH CRYSTALLINE PHASES

Номер патента: FR2855516A1. Автор: Jean Luc Dubois,Manuel Baca,Jean Marc Millet. Владелец: Atofina SA. Дата публикации: 2004-12-03.

The preparation method of silicon oxide coated ferriferrous oxide core-shell type nano compound particle

Номер патента: CN105366734B. Автор: 傅毛生. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-03-29.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF METAL OXIDES, SINGLE OR MIXED, OR OF SILICON OXIDE

Номер патента: FR2763258B1. Автор: Christian Gilbert Guizard,Anne Julbe,Stephane Sarrade,Luc Schrive. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-06-25.

Macromolecular PTC composite material with crystalline polymer as matrix

Номер патента: CN103554588A. Автор: 黄长乐. Владелец: Anhui Huayin Mechanical and Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

METHOD OF OLEFIN METATHESIS USING A CATALYST BASED ON HIERARCHISTIC POROSITY SPHERICAL MATERIAL COMPRISING OXIDE METALLIC PARTICLES PITCHED IN A MATRIX COMPRISING SILICON OXIDE

Номер патента: FR3007029B1. Автор: Alexandra Chaumonnot,Clement Sanchez,Damien DEBECKER,Fréderic COLBEAU-JUSTIN. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2015-07-24.

Aluminum oxides enriched with crystalline silicon.

Номер патента: DE69105196D1. Автор: Susan L Lambert. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1994-12-22.

Zeolite with silicon oxide and titanium oxide and its method

Номер патента: KR100218550B1. Автор: 김용우,정경택,윤경식,정현종,설용건. Владелец: 남창우. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for producing hydrophobized silicon oxide-coated metal oxide particles

Номер патента: JPWO2008129901A1. Автор: 肇 片山. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Zinc-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieve compositions

Номер патента: US4935216A. Автор: Edith M. Flanigen,Brent M. T. Lok,Lawrence D. Vail. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1990-06-19.

Highly acidic composition containing zirconium and silicon oxides and an oxide of at least one element selected from titanium, aluminium, tungsten, molybdenum, cerium, iron, tin, zinc, and manganese

Номер патента: KR20090082186A. Автор: 올리비에르 라셰르,엠마뉴엘 로아트,스테판 베르디에르,헤더 브래드쇼,클리브 버틀러,데보라 해리스,마이레드 피레이,귈라옴 크리니에르. Владелец: 마그네슘 일렉트론 리미티드. Дата публикации: 2009-07-29.

Process for producing glass substrate provided with aluminum oxide-containing silicon oxide film

Номер патента: US8973403B2. Автор: Keisuke Abe,Yuichi KUWAHARA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for producing glass substrate with aluminum oxide-containing silicon oxide film

Номер патента: JPWO2011155543A1. Автор: 啓介 阿部,雄一 ▲桑▼原,阿部　啓介. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Silicon oxide-coated oxide composition for paint requiring weather resistance and method for producing coating composition

Номер патента: KR20180002721A. Автор: 마사카즈 에노무라,다이수케 혼다. Владелец: 엠. 테크닉 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-01-08.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: AU2016334775A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Mesostructured aluminosilicate material, useful in refining and petrochemical industries, comprises two elementary spherical particles comprising a mesostructured matrix with a base of silicon oxide and aluminum oxide

Номер патента: FR2872151A1. Автор: Alexandra Chaumonnot,Patrick Euzen,David Grosso,Cédric BOISSIÈRE,Clement Sanchez,Aurelie Coupe. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2005-12-30.

PROCEDURES FOR PELLETIZATION OF SUBSTANCES WITH CRYSTALLINES OR CRYSTLARIC STRUCTURE

Номер патента: DK44983D0. Автор: Franz Josef Gattys. Владелец: Gattys Ing Buero F J. Дата публикации: 1983-02-03.

Silicon oxide-coated oxide composition for paint requiring weather resistance and method for producing coating composition

Номер патента: KR102004743B1. Автор: 마사카즈 에노무라,다이수케 혼다. Владелец: 엠. 테크닉 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-29.

SILICON OXIDE IS COMPATIBLE WITH CHLORHEXIDIN, METHOD OF PREPARING AND DENTAL PASTS CONTAINING SUCH SILICON OXIDE

Номер патента: DK612388A. Автор: Jacques Persello. Владелец: Rhone Poulenc Chimie. Дата публикации: 1989-05-05.

A method of white carbon black is prepared with crystalline silicon diamond wire cutting waste material

Номер патента: CN110342529A. Автор: 闫姝,李大纲,邢鹏飞,孙钰杰,都兴红,冯忠宝,庄艳歆. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2019-10-18.

Manufactured articles in silicon oxide and/or other mixed metallic oxides and process for their preparation in "final" or "almost final" dimensions

Номер патента: CA2159975A1. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 1996-04-07.

Cracking with crystalline zeolite catalyst

Номер патента: CA923061A. Автор: B. Jones Henry,E. Nagle Richard,Dorrance P. Bunn, Jr.. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1973-03-20.

METHOD FOR RECOVERY OF ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE

Номер патента: DE69603289D1. Автор: Shlomo Nehari,Chanoch Gorin,Israel Lin,Amos Berkovich. Владелец: Mashal Alumina Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AN OXIDATION OR EPOXIDATION CATALYST BASED ON SILICON OXIDE AND A METAL

Номер патента: FR2811244B1. Автор: Jean Paul Schoebrechts. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2003-02-07.

Method and device for producing cast ingot from aluminum alloy with crystalline structure with equal grain using technologies of layer-layer additive building and fast curing

Номер патента: RU2764250C1. Автор: Цин Дун,Цзяо ЧЖАН,Баодэ СУНЬ. Владелец: Шанхай Цзяотун Юниверсити. Дата публикации: 2022-01-14.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: EP3360937A1. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-15.

Powder coating compositions with crystalline constituents that are stable in storage

Номер патента: CN1952024A. Автор: E·斯皮罗,L·赫尔库尔. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2007-04-25.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF METAL OXIDES AND SILICON OXIDE IN VERY FINISHED PARTICLES

Номер патента: IT1047224B. Автор: . Владелец: Degussa. Дата публикации: 1980-09-10.

Production method for titanium-containing silicon oxide molded article, and titanium-containing silicon oxide molded article

Номер патента: WO2019176951A1. Автор: 卓也 小澤,康久 大内. Владелец: 住友化学株式会社. Дата публикации: 2019-09-19.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: WO2012035455A1. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-03-22.

Acrylic polymer compositions with crystalline side chains and processes for their preparation

Номер патента: US20030055189A1. Автор: Zhenwen Fu,Hsing-Yeh Parker,Robert Gore,Richard Merritt,Scott Ibbitson,Martha Wolfersberger. Владелец: Wolfersberger Martha Alice Harbaugh. Дата публикации: 2003-03-20.

Process for the preparation of amines from olefins with crystalline oxides based on aluminophosphates having the structure of faujasite

Номер патента: EP0785185A1. Автор: Peter Stops,Rudolf Dr. Kummer,Karsten Dr. Eller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1997-07-23.

Reduce hafnium oxide-silicon oxide multi-layer surface roughness method

Номер патента: CN106835020B. Автор: 王建国,邵建达,孙建,朱美萍,易葵,张伟丽,许诺,王胭脂. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2019-05-17.

Calcium carbonate hydroxodialuminates with crystalline phase in the form of hexagonal inserts

Номер патента: ES2394860T3. Автор: Wolfgang Wehner,Reiner Sauerwein,Manfred Sorgalla,Ludwig Edenharter,Alfred Reimer. Владелец: Nabaltec AG. Дата публикации: 2013-02-06.

Use of compounds containing aluminium oxide and silicon oxide for producing a hydrophilic building product

Номер патента: CA2809748A1. Автор: Michael Kutschera,Florian Ellenrieder,Uwe Gehrig,Michael Melchart,Steffen Wache,Joachim Riedmiller,Mathias Degenkolb,Katja Voland. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2012-03-22.

Preparation method of germanium oxide-silicon oxide hybrid aerogel composite material

Номер патента: CN105693271A. Автор: 杨卓舒,纪勇,孟宪娴. Владелец: Zhuoda New Material Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-22.

Process for the production of optical articles from silicon oxide and / or other mixed metal oxides in "end" or "almost end" dimensions

Номер патента: DE69515953T2. Автор: Paolo Chiurlo,Lorenzo Costa. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 2000-10-05.

Sintered body made of silicon nitride with crystalline grain boundary phases

Номер патента: DE69306271D1. Автор: Roger Lee Ken Matsumoto. Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1997-01-16.

Shaped body with crystalline like peripheral surfaces and its use

Номер патента: EP0808802A1. Автор: Josef A. Huber. Владелец: Josef A. Huber. Дата публикации: 1997-11-26.

Core-shell nano silicon oxide @ zirconium oxide particle-polypropylene maleic anhydride grafted polypropylene composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN112358674A. Автор: 程璐,刘文凤,张子琦,李盛涛,张羽欣. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-02-12.

Impervious coatings for making metal, metal oxide, and silicon oxide surfaces resistant to graffiti

Номер патента: WO2020128728A1. Автор: John C. Clark,Dennis E. Vogel,George W. Griesgraber,Karl J. Manske,Kim M. Vogel,Bruce E. Tait,Mark E. Mueller,James R. Imbertson. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2020-06-25.

Metallic glasses with crystalline dispersions formed by electric currents

Номер патента: US20060137778A1. Автор: Jörg LÖFFLER,Troy Holland,Zuhair Munir. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2006-06-29.

Glass coating composition based on a tin oxide precursor, a silicon oxide precursor and an accelerator

Номер патента: PT101160A. Автор: David A Russo,Glenn P Florczak,Ryan Richard Dirkx. Владелец: Atochem North America Elf. Дата публикации: 1994-05-31.

Pure streptomycin concentrates prodn - from crude product with crystalline pyrosulphite,boracic acid and citrate

Номер патента: DE2237841B1. Автор: Ion; Almasanu Dumitru; Iaschi Pop (Rumänien). Владелец: Fabrica de Antibiotice Iaschi, Iaschi (Rumänien). Дата публикации: 1973-07-26.

A kind of preparation method of meso pore silicon oxide material and the meso pore silicon oxide material being made

Номер патента: CN107128929A. Автор: 陈妍,孙泽,雷浩,高军凯,高书峰,李焰旺. Владелец: Zhejiang Ocean University ZJOU. Дата публикации: 2017-09-05.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: WO2017061519A1. Автор: 榎村眞一,本田大介. Владелец: エム・テクニック株式会社. Дата публикации: 2017-04-13.

Sintered silicon oxide for film vapor deposition, its production method, and method for producing silicon oxide vapor deposition film

Номер патента: US8066806B2. Автор: Hirofumi Fukuoka,Meguru Kashida,Toshio Ohba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Composition for multilayer coating film containing iron oxide particles coated with silicon oxide.

Номер патента: MX2018003977A. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-08.

8-cyano-1-cyclopropyl-7-(1s,6s)-2,8-diazabicyclo- [4.3.0]-nonane-8-yl)-6- fl uoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid with crystalline modification a and drug eliciting effect against pathogenic microorganisms

Номер патента: RU2247122C2. Автор: Томас Химмлер,Хуберт РАСТ,Вернер ХАЛЕНБАХ. Владелец: Байер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2005-02-27.

SILICON OXIDE-BASED MEDIA, HETEROPOLIC ACID CATALYST ON THE BASIS AND SYNTHESIS OF COMPOUND ETHERS IN THE PRESENCE OF A HETEROPOLIC ACID CATALYST APPLIED ON SILICON OXIDE

Номер патента: RU2007115155A. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ,Крейг БЕЙЛИ (GB),Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ (GB). Владелец: БП Кемикэлз Лимитед (GB). Дата публикации: 2008-11-10.

OXIDATION OF ACRYLIC ACID PROPANE BY USING CATALYSTS MIXED WITH CRYSTALLINE PHASES

Номер патента: FR2855516B1. Автор: Jean Luc Dubois,Manuel Baca,Jean Marc Millet. Владелец: Atofina SA. Дата публикации: 2005-07-08.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: ES2678168T3. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Aluminum oxides enriched with crystalline silicon.

Номер патента: DE69105196T2. Автор: Susan L Lambert. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1995-03-23.

Resin-made packaging container having composite silicon oxide film or composite metal oxide film, and method for manufacturing same

Номер патента: EP3951007A4. Автор: Hitoshi Sakamoto,Hiroshi Fujimori,Emiko Takemoto,Natsuki YAMADA. Владелец: Takemoto Yoki Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Process for removing oxide (silicon oxide) deposits from periheral surfaces of furnace roller journals

Номер патента: YU273573A. Автор: L J Hamilton,W J Jenks,F J Milberger. Владелец: Uss Eng & Consult. Дата публикации: 1982-02-28.

Polyolefin blend with crystalline block composite for PVC-free wear layers

Номер патента: KR102444017B1. Автор: 시아오송 우,로날드 제이. 윅스,레니샤 위크함. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2022-09-19.

Highly active catalyst for the polymerization of olefins with a boron-containing substrate based on silicon oxide and its manufacture

Номер патента: RU2014113382A. Автор: Сутхирават САМИНГПРАЙ,Онтеера ЙЕНДЖИТРАТТАНАВАЛИ,Чая ЧАНДАВАСУ. Владелец: ПТТ ГЛОБАЛ КЕМИКАЛ ПАБЛИК КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2015-10-20.

PRODUCTION OF HIGH PURITY SUSPENSIONS CONTAINING SILICON OXIDES DEPOSITED BY ELECTRODIALYSIS

Номер патента: RU2011141185A. Автор: Маркус Руф,Патрик Штеннер,Флориан ЧУНКЕ,Манфред ДАННЕЛЬ,Юрген Бениш,Зильке ЗУР. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2013-04-20.

METHOD FOR PRODUCING UTERINE MIXTURE OF SYNTHETIC DIENE ELASTOMER AND SILICON OXIDE

Номер патента: RU2012122186A. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2013-12-10.

PROCESSED SILICON OXIDES AND METAL SILICATES FOR IMPROVING CLEANING IN A TOOTHCARE

Номер патента: RU2015108759A. Автор: Карл В. ГАЛЛИС,Уилльям Дж. ХАГАР,Патрик МакДЖИЛЛ,Терри В. НАССИВЕРА. Владелец: Джей.Эм. ХЬЮБЕР КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-01-10.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM UV RADIATION TO EMISSION OF THE VISIBLE RANGE IN THE FORM OF AN AMORPHIC SILICON OXIDE SiO2Sx FILM ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2014123940A. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2015-12-20.

Powder coating compositions with crystalline constituents that are stable in storage

Номер патента: US20100179273A1. Автор: Emmanouil Spyrou,Lars Hellkuhl. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-07-15.

Magnesium omeprazole with crystallinity higher than 70% process for its preparation and its use in the manufacture of medicaments for inhibiting gastric acid secretion and for obtaining gastric mucosa protective activity

Номер патента: IL110190A. Автор: . Владелец: Astra AB. Дата публикации: 2000-07-26.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

SILICON OXIDE MATERIAL

Номер патента: RU2008129104A. Автор: Йохан ЭКЕРОТ,Йохан ЭКЕРОТ (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2010-01-27.

PROCESS FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE PROVIDED WITH INORGANIC FINE PARTICLE-CONTAINING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20130098112A1. Автор: Kuwahara Yuichi,Abe Keisuke. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS

Номер патента: US20130168348A1. Автор: Li Yuzhuo,Chu Jea-Ju,Venkataraman Shyam Sundar,Pinder Harvey Wayne,Chiu Wei Lan William. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR FABRICATING A TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE MATERIAL WITH HIGH THERMAL STABILITY AND APPLICATIONS OF THE SAME

Номер патента: US20190015817A1. Автор: Hsu Yu-Chuan,TSAI Hsi-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD FOR FABRICATING TITANIUM-CONTAINING SILICON OXIDE MATERIAL AND APPLICATION OF THE SAME

Номер патента: US20180022720A1. Автор: Hsu Yu-Chuan,TSAI Hsi-Chin,Tseng Chia-Yao,Wu Po-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Compositions and Methods for the Deposition of Silicon Oxide Films

Номер патента: US20200040192A9. Автор: Xiao Manchao,Lei Xinjian,Ho Richard,MacDonald Matthew R.,Wang Meiliang,Rajaraman Suresh Kalpatu. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING METAL SILICON OXIDE AND METAL SILICON OXYNITRIDE LAYERS

Номер патента: US20220064795A1. Автор: YOSHIDA Takashi,Vervuurt René. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20160067387A1. Автор: Aswath Pranesh,Varanasi Venu,Maginot Megen,Lavrick Nickolay V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Reactive Silicon Oxide Precursor Facilitated Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20140154441A1. Автор: Pranov Henrik. Владелец: SiOx ApS. Дата публикации: 2014-06-05.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: EP4404908A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: CA3233098A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Ferrite magnetic head with gap spacer of silicon oxide and metal oxides

Номер патента: US3578920A. Автор: Kazuo Nozawa,Noriaki Okamoto,Teruo Wakabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-05-18.

SILICON-OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SILICON-OXIDE-COATED-ZINC-OXIDE-CONTAINING COMPOSITION, AND COSMETIC

Номер патента: US20160045411A1. Автор: ITAGAKI Tetsuro,SUMA Syunsuke,FUJIHASHI Gaku,KUSAHARA Yoshiki. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SILICON OXIDE-COATED IRON OXIDE COMPOSITION FOR COATING COMPRISING IRON OXIDE PARTICLES COATED WITH SILICON OXIDE

Номер патента: US20180200159A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-19.

SILICON OXIDE-COATED IRON OXIDE COMPOSITION FOR COATING COMPRISING IRON OXIDE PARTICLES COATED WITH SILICON OXIDE

Номер патента: US20170333300A1. Автор: Enomura Masakazu,Honda Daisuke. Владелец: M. TECHNIQUE CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-23.

Composite oxide based on cerium oxide, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: WO2014202149A1. Автор: Naotaka Ohtake,Toshihiro Sasaki. Владелец: Rhodia Operations. Дата публикации: 2014-12-24.

Reticle with crystalline substrate

Номер патента: TW538305B. Автор: Karl-Heinz Schuster,Christian Dr Wagner. Владелец: Zeiss Stiftung. Дата публикации: 2003-06-21.

SHORTENING WITH CRYSTALLINE FAT

Номер патента: US20220174973A1. Автор: Metin Serpil,Smith Paul Raymond,DAVOLI ZACCARELLI Fernanda. Владелец: Cargill, Incorporated. Дата публикации: 2022-06-09.

SILICON-OXIDE-NITRIDE-OXIDE-SILICON BASED MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATION THEREOF

Номер патента: US20210158868A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Hinh Long,Saha Swatilekha,Samanta Santanu Kumar,Amundson Michael,Argrawal Vineet,Kapre Ravindra,Prabhakar Venkataraman. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-27.

HIGHLY ACIDIC COMPOSITIONS COMPRISING ZIRCONIUM AND SILICON OXIDES AND AN OXIDE OF AT LEAST ONE OTHER ELEMENT SELECTED FROM AMONG TITANIUM, ALUMINUM, TUNGSTEN, MOLYBDENUM, CERIUM, IRON, TIN, ZINC, AND MANGANESE

Номер патента: US20160166988A1. Автор: Larcher Olivier,Rohart Emmanuel,Bradshaw Heather,CRINIERE Guillaume,VERDIER Stephan,BUTLER Clive,HARRIS Deborah,FEELEY Mairead. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Medical Device with Crystalline Drug Coating

Номер патента: US20150250772A1. Автор: Feng James Q.,KANGAS STEVEN L.,CHEN YEN-LANE,Zeng Hongxia. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2015-09-10.

MULTILAYER REFLECTIVE POLARIZER WITH CRYSTALLINE LOW INDEX LAYERS

Номер патента: US20210325587A1. Автор: Johnson Matthew B.,Johnson Stephen A.,Haag Adam D.,Edmonds William F.,Nevitt Timothy J.,Stover Carl A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Acoustic Frequency Based System with Crystalline Transducer Module for Non-invasive Detection of Explosives, Contraband, and other Elements

Номер патента: US20190310230A1. Автор: Picolli Richard,Tortoriello Vincent. Владелец: GTBM, Inc.. Дата публикации: 2019-10-10.

Acoustic frequency based system with crystalline transducer module and mass comparator for non-invasive detection of explosives and contraband

Номер патента: US20180364198A1. Автор: Picolli Richard,Totoriello Vincent. Владелец: GTBM, Inc.. Дата публикации: 2018-12-20.

Methods of operating a non-volatile memory device having a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) gate structure

Номер патента: KR100454117B1. Автор: 이창현,최정달. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Circuit and method for eliminating influence of word line coupling on read margin of SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor) device

Номер патента: CN107507639B. Автор: 刘芳芳,姚翔,李祖渠. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Silicon oxide film etching composition and silicon oxide film etching method using the same

Номер патента: KR100588812B1. Автор: 백귀종,한웅,임정훈,김현탁,김성배,이상원. Владелец: 테크노세미켐 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Composition with α-crystalline phase

Номер патента: JP6840850B2. Автор: ジ・ソン,シャオミン・ウェン,ハイクァン・ル. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2021-03-10.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKE-UP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: FR2686793B1. Автор: Beatrice Defossez,Sylvie Rossignol. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1994-04-15.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKE-UP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: FR2686793A1. Автор: Rossignol Sylvie,Defossez Beatrice. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1993-08-06.

Determining authenticity and geographic provenance of gems with crystalline structure comprises comparing ratios between values determined by shining light beam onto gem with homologous ratios from authentic gems

Номер патента: FR2796463A1. Автор: Bruno Sabot,Odile Barres,Alain Cheilletz,De Philippe Donato. Владелец: Mauboussin Successeur de Noury SA. Дата публикации: 2001-01-19.

Methods of programming silicon oxide nitride oxide semiconductor (SONOS) memory devices

Номер патента: US7349262B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han,Youn-seok Jeong,Hee-soon Chae,Jae-woong Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: US8404992B2. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Zinc oxide/silicon oxide composite gel chemical adsorbent, its preparation method and its application

Номер патента: CN102423681B. Автор: 刘国强,康飞宇,黄正宏. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-04.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: EP2174743B1. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-21.

Method for producing hyperspectral Fabry-Perot filter, involves filling silicon oxide layer in gaps after removing resist mask and performing leveling and thinning of surface of silicon oxide layer by chemical mechanical polishing

Номер патента: DE102011111883A1. Автор: Daniel Gäbler,Damiana Lerose. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: KR101491585B1. Автор: 요시히토 가와무라,종현 김,히로노리 구로키,유지 야나기다,나오히사 사와이. Владелец: 가부시키가이샤 구로키고교쇼. Дата публикации: 2015-02-09.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: HK1145665A1. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Kk. Дата публикации: 2011-04-29.

COSMETIC COMPOSITION FOR MAKEUP CONTAINING A TRANSPARENT PIGMENT OF TITANIUM OXIDE AND SILICON OXIDE.

Номер патента: ES2086932T3. Автор: Beatrice Defossez,Sylvie Rossignol. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1996-07-01.

Support base for the preparation of dehydroxylated catalysts with crystalline network, and process for preparing said catalysts

Номер патента: WO2000035582A3. Автор: Real Rafael Alfredo Diaz. Владелец: Real Rafael Alfredo Diaz. Дата публикации: 2000-10-26.

PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS WITH CRYSTALLINE MACITENTANE

Номер патента: DE14721256T1. Автор: Marijan STEFINOVIC,Johannes Raneburger,Ludwig ENGLMEIER. Владелец: SANDOZ AG. Дата публикации: 2017-03-16.

Lithium ferrous silicate anode material coated with crystalline carbon and preparation method thereof

Номер патента: CN102208647A. Автор: 蔡舒,周幸,燕子鹏,余其凯. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-10-05.

Method for enhancing conductivity of grid line with crystalline silicon solar energy

Номер патента: CN102437235A. Автор: 李华,李文,崔鹏超,钱应五. Владелец: ZHEJIANG KINGO SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Posterior chamber type eye with crystalline lens ametropia correct glasses

Номер патента: CN101021622A. Автор: 王宁利,董喆,陈宇艺. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-22.

Purification of hydrolysed protein with crystalline zeolite

Номер патента: CA2014247A1. Автор: Guy J. Hartman,Gary G. Spyres. Владелец: TATE AND LYLE INGREDIENTS AMERICAS LLC. Дата публикации: 1990-11-19.

Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm

Номер патента: US5132173A. Автор: Takashi Suzuki,Morimi Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

Faraday insulator with crystalline magnetooptical rotator for high power lasers

Номер патента: RU2637363C2. Автор: Олег Валентинович Палашов,Евгений Александрович Миронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2017-12-04.

Method and device for catalytic oxidation and reduction of gases and vapours with crystalline compounds of heavy metals and rare earths.

Номер патента: MX2007000657A. Автор: Christian Koch. Владелец: Christian Koch. Дата публикации: 2009-02-11.

High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer

Номер патента: US7651793B2. Автор: Junji Tominaga,Joo-Ho Kim. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-01-26.

DeNOx CATALYST LOADED WITH CRYSTALLINE ZEOLITES AND METHOD FOR PREPARATION OF THE SAME

Номер патента: KR20230073794A. Автор: 김대성,김종만,최지훈,전명표,김정유,울라 마흐붑,서민채. Владелец: 한국남동발전 주식회사. Дата публикации: 2023-05-26.

PROCESS FOR THE PREPARATION OF AN ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE CONTAINING CATALYST FOR THE VAPOR PHASE CONVERSION OF AMMONIA WITH AN ALCOHOL AND / OR ETHER TO ALKYLAMINS.

Номер патента: NL155003B. Автор: . Владелец: Leonard Jackson D. Дата публикации: 1977-11-15.

COMPOSITION BASED ON AMORPHOUS BONE POLYMERS WITH CRYSTALLINE LATERAL CHAINS THAT CAN BE USED AS A TONER FOR ELECTROSTATOGRAPHIC DEVELOPMENT

Номер патента: IT973330B. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1974-06-10.

Acoustic frequency based system with crystalline transducer module and mass comparator for non-invasive detection of explosives and contraband

Номер патента: US10317369B2. Автор: Richard Picolli,Vincent Totoriello. Владелец: GTBM Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Toner with crystalline wax

Номер патента: DE602006007528D1. Автор: Raj D Patel,Stephan V Drappel,Sandra J Gardner,Louis V Isganitis,Tie Hwee Ng,Sonja Hadzidedic,Kevin F Marcell,David J Sanders,Timothy L Lincoln. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Composition for etching silicon oxide layer and process of etching silicon oxide layer of semi conductor device by using the etchant

Номер патента: KR20050106997A. Автор: 백귀종,한웅,임정훈,김현탁,김성배,이상원. Владелец: 테크노세미켐 주식회사. Дата публикации: 2005-11-11.

PIEZOACOUNIC THIN FILM RECESSOR WITH CRYSTALLINE ZINC OXIDE LAYER

Номер патента: DE502005008923D1. Автор: Matthias Schreiter,Reinhard Gabl,Mathias Link. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-03-11.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: AU2022348925A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Solid pharmaceutical compositions containing (s)-2-(4-iso-butylphenyl)-propionic acid as active component and microcrystalline cellulose and colloidal silicon oxide

Номер патента: RU2168980C2. Автор: Федерико СТРОППОЛО,Даниеле Бонадео,Альберто ПАГАНО,Аннибале ГАЗЗАНИГА. Владелец: Замбон Груп С.П.А.. Дата публикации: 2001-06-20.

SILICON OXIDE COMPOSITION

Номер патента: RU2013155669A. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН. Владелец: Бим Кеми Аб. Дата публикации: 2015-06-20.

SILICON OXIDE COMPOSITION

Номер патента: RU2010133662A. Автор: Торд ХАССЛЕР,Хелена ВАССЕНИУС,Петер ВАЛЛЬБЕРГ,Том КИТТЕЛЬСЕН,Хелена ВАССЕНИУС (SE),Петер ВАЛЛЬБЕРГ (SE),Торд ХАССЛЕР (SE),Том КИТТЕЛЬСЕН (SE). Владелец: Бим Кеми Аб (Se). Дата публикации: 2012-02-27.

COMPOSITION FOR THE COATING CONTAINING COLLOID SILICON OXIDE AND THE GLOSSY SHEETS OBTAINED ON ITS BASIS FOR THE MAKING OF COPIES ON THE INKJET PRINTING DEVICES

Номер патента: RU2004130835A. Автор: Деметриус Микос,Дэниэль Рэй ФРУЖ,Деметриус МИКОС (US),Дэниэль Рэй ФРУЖ (US). Владелец: В.Р. Грейс Энд Ко.-Конн. (Us). Дата публикации: 2005-05-10.

COMPOSITION FOR THE COATING CONTAINING COLLOIDAL SILICON OXIDES AND THE GLOSSY SHEETS PRODUCED BASED ON IT BASIS FOR THE MAKING OF COPIES ON THE INKJET PRINTING DEVICES

Номер патента: RU2004130834A. Автор: Деметриус Микос,Дэниэль Рэй ФРУЖ,Деметриус МИКОС (US),Дэниэль Рэй ФРУЖ (US). Владелец: В.Р. Грейс Энд Ко.-Конн. (Us). Дата публикации: 2005-05-10.

Shortening with crystalline fat

Номер патента: EP3945837A1. Автор: Paul Raymond Smith,Serpil Metin,Fernanda Zaccarelli Davoli. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Shortening with crystalline fat.

Номер патента: MX2021011835A. Автор: Paul Raymond Smith,Serpil Metin,Davoli Fernanda Zaccarelli. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2021-11-12.

Wet etching silicon oxide during the formation of a damascene pole and adjacent structure

Номер патента: US20120113544A1. Автор: Christian R. Bonhôte,Kanaiyalal C. Patel. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON OXIDE NANO WIRES

Номер патента: US20130156951A1. Автор: SEO Jung Wook,KIM Dong Hoon,Cho Su Hwan,JANG Seon Hee,LEE Young Il. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Protective Fluorine-Doped Silicon Oxide Film For Optical Components

Номер патента: US20130265572A1. Автор: Delgado Gildardo. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

ELECTRONIC DEVICES CONTAINING SWITCHABLY CONDUCTIVE SILICON OXIDES AS A SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR PRODUCTION AND USE THEREOF

Номер патента: US20140036576A1. Автор: HE Tao,Zhong Lin,Yao Jun,Tour James M.,Natelson Douglas. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-02-06.

POROUS SILICON OXIDE DRYING AGENTS FOR WATERBORNE LATEX PAINT COMPOSITIONS

Номер патента: US20140178128A1. Автор: Jeganathan Suruliappa,Davies Chris,Goforth Kevin. Владелец: Potters Industries, LLC. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD FOR FABRICATING MOSFET ON SILICON-ON-INSULATOR WITH INTERNAL BODY CONTACT

Номер патента: US20120309137A1. Автор: Majumdar Amlan,Cai Jin,Koester Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for forming SOI (Silicon On Insulator) with stepped buried oxide layer

Номер патента: CN102148183A. Автор: 李乐. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for forming SOI (Silicon On Insulator) with stepped buried oxide layer

Номер патента: CN102148183B. Автор: 李乐. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-29.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024215620A1. Автор: Dennis Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Kevin McLaughlin,Kapu Sirish Reddy,Joel David Smith,Nupur BIHARI,Jason Nathaniel BELLING. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of hydrogen fluoride and metal or silicon oxides production

Номер патента: RU2061649C1. Автор: А.И. Соловьев,Н.В. Дедов,В.П. Коробцев. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 1996-06-10.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Electrolyte for deposition of nickel-cobalt-silicon oxide-plastic fluor composite coating

Номер патента: RU2489530C1. Автор: Валерий Владимирович Иванов,Владимир Ильич Балакай,Игорь Николаевич Щербаков,Ксения Владимировна Мурзенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-08-10.

Method of producing silicon from silicon oxide

Номер патента: RU2562717C1. Автор: Ашот Александрович Навасардян. Владелец: Ашот Александрович Навасардян. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of separating and purifying quantum dots enclosed in silicon oxide envelope

Номер патента: RU2570830C2. Автор: Глеб Борисович Сухоруков,Ирина Юрьевна Горячева,Валентина Вадимовна Гофтман,Елена Сергеевна Сперанская. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface

Номер патента: RU2323503C2. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Игорь Петрович Калинкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл"). Дата публикации: 2008-04-27.

Method for producing flexible parts from single-crystalline silicon

Номер патента: RU2059321C1. Автор: Алексей Викторович Полынков,Александр Александрович Трунов. Владелец: Александр Александрович Трунов. Дата публикации: 1996-04-27.

Method for treatment of single-crystalline silicon plates

Номер патента: RU2119693C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Гусев,В.К. Смолин. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1998-09-27.

Improvements in the Manufacture of Preparation of Crystalline Silicon.

Номер патента: GB189918659A. Автор: Bernhard Scheid. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-07-28.

Method of defining silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide dielectric layer

Номер патента: TW564472B. Автор: Kuang-Chao Chen,Hsueh-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-01.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TWI265602B. Автор: Po-Tsun Liu,Kow-Ming Chang,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Yi-Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-11-01.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TW200608527A. Автор: Po-Tsun Liu,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Hui Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-03-01.

Manufacturing method of silicon oxide in nitride and silicon nitride in oxide

Номер патента: TW546706B. Автор: Shr-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

Development of latent electrostatic images with crystalline toners

Номер патента: AU4658564A. Автор: Richard Nelson George. Владелец: Dennison Manufacturing Co. Дата публикации: 1966-01-13.

STARTING MATERIAL FOR USE IN FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM USING SAME

Номер патента: US20120071006A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

III-V Compound Semiconductor Material Passivation With Crystalline Interlayer

Номер патента: US20120132913A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

COMPOSITE SUBSTRATE WITH CRYSTALLINE SEED LAYER AND CARRIER LAYER WITH A COINCIDENT CLEAVAGE PLANE

Номер патента: US20120132922A1. Автор: Arena Chantal,Werkhoven Christiaan. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2012-05-31.

FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM

Номер патента: US20120164327A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-06-28.

POROUS ORGANIC-INORGANIC HYBRID MATERIALS WITH CRYSTALLINITY AND METHOD FOR PREPARING THEREOF

Номер патента: US20120289399A1. Автор: Hwang Young Kyu,Chang Jong-San,SEO You-Kyong,HWANG Dong Won. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

HIGHLY ACIDIC COMPOSITIONS COMPRISING ZIRCONIUM AND SILICON OXIDES AND AN OXIDE OF AT LEAST ONE OTHER ELEMENT SELECTED FROM AMONG TITANIUM, ALUMINUM, TUNGSTEN, MOLYBDENUM, CERIUM, IRON, TIN, ZINC, AND MANGANESE

Номер патента: US20120328500A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

Medical Device with Crystalline Drug Coating

Номер патента: US20130053947A1. Автор: CHEN YEN-LANE,Kangas Steve,Feng James,Zeng Maggie. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

CATALYSTS CONTAINING COPPER, ZINC OXIDE, ALUMINUM AND SILICON OXIDES

Номер патента: EA202192055A1. Автор: Моника Гарсия-Дигес,Полин Элизабет Глен,Норман Маклод,Нитиша Мистри,Майкл Томас Николсон,Симоне Ролофф-Стэндринг,Мелани Андреа Стенуэй. Владелец: Джонсон Мэттей Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of automatic control of process of dewaxing petroleum products with crystalline carbamide

Номер патента: SU597712A1. Автор: Леонид Петрович Лосев,Аркадий Георгиевич Сыресин,Виктор Александрович Овсянников,Алла Григорьевна Мартыненко,Николай Николаевич Дятлов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6518. Дата публикации: 1978-03-15.

The Hydrogenation active protective agent being carrier with the aluminium oxide-silicon oxide of titaniferous and Synthesis and applications thereof

Номер патента: CN102909084B. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2016-04-27.

Adhesive centrifuge for separating suspensions with crystalline precipitate

Номер патента: SU527208A1. Автор: Михаил Иванович Ильин,Яков Иванович Пугачев,Светлана Васильевна Ветер,Иван Матвеевич Стояновский. Владелец: Кубанский государственный университет. Дата публикации: 1976-09-05.

Method for preparing silica gel surface periodic zirconium oxide-silicon oxide composite material

Номер патента: CN102172520A. Автор: 徐伟,高子伟,高焕萍,卜珊,李金灵,姚平利. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2011-09-07.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: JP6092492B1. Автор: 榎村　眞一,眞一 榎村,大介 本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Method for preparing high-transparency cerium oxide and silicon oxide ultraviolet ray absorbing film

Номер патента: CN102180599B. Автор: 崔洪涛. Владелец: YANTAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

Titanium-containing silicon oxide-aluminum oxide forming composition and preparation method thereof

Номер патента: CN102908971B. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2014-12-31.

Silicon oxide-coated UV-shielding particles, silicon oxide-coated UV-shielding particles-containing water-based composition, cosmetics

Номер патента: JP6988488B2. Автор: 哲朗 板垣,浩和 松下,徳人 森下. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for producing fine particle silicon oxide / cerium oxide composite

Номер патента: JP3981483B2. Автор: 重禎 百瀬,栄 吉田,信良 矢部,浩太 東福寺,一之 田平,次雄 佐藤. Владелец: Daito Kasei Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-26.

Method for preparing calcium gluconate and isomaltooligosaccharide simultaneously with crystalline glucose mother liquor

Номер патента: CN102102115B. Автор: 王勇,李秋红,李曰强,阿纳斯,谢登玉,尹玉健. Владелец: SHANDONG XIWANG BIOCHEMICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-17.

Method of preparing lacquer to obtain coatings with crystalline patterns

Номер патента: SU62501A1. Автор: Ю.Н. Вахрамеев,В.Я. Лившиц. Владелец: В.Я. Лившиц. Дата публикации: 1942-11-30.

Method for preparing ferric oxide composite pigment doped with rare earth and silicon oxide

Номер патента: CN101671499B. Автор: 李云,王晨雪,肖林久,尚世智. Владелец: Shenyang University Of Chemical Technology. Дата публикации: 2012-07-25.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) device

Номер патента: CN102130179B. Автор: 陈广龙. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for producing silicon oxide thin film or titanium oxide thin film

Номер патента: JP4133353B2. Автор: 和志 林,敏洋 釘宮,裕史 後藤,勇藏 森. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Preparation method of zirconium oxide-silicon oxide composite aerogel

Номер патента: CN103214034A. Автор: 孙晓红,何健,李晓雷,王庆浦,季惠明. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-24.

Method for preparing transparent conductive films with crystalline structures

Номер патента: CN102102187A. Автор: 杨天赐,马世宪,刘邦祺,林鹏仕,郭玉如,林圣贤. Владелец: ZHONGHUAN CO Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Fischer-Tropsch synthesis catalyst taking silicon oxide-aluminum oxide as carrier and application thereof

Номер патента: CN102233282A. Автор: 李大东,聂红,吴玉,夏国富,王奎,王倩,刘斌,孙霞,侯朝鹏. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2011-11-09.

Titanium-containing silicon oxide-aluminum oxide forming composition and preparation method thereof

Номер патента: CN102908971A. Автор: 戴立顺,牛传峰,刘涛,邵志才,杨清河,刘佳,聂红,胡大为,王奎,孙淑玲. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2013-02-06.

Three phosphonitrile fire retardant of ring and its synthetic method with β crystalline substance induction nucleation

Номер патента: CN109776613A. Автор: 姜佳丽,张浥琨,冯才敏,黄健光,练翠霞,农彦彦,梁敏仪,郑小洁. Владелец: Shunde Vocational and Technical College. Дата публикации: 2019-05-21.

SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) device

Номер патента: CN102931196B. Автор: 陈广龙,陈昊瑜,梅绍宁. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for improving data retention of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) and structure of SONOS

Номер патента: CN102420233A. Автор: 张�雄. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Method of producing mineral fibre material with crystalline structure

Номер патента: SU1047850A1. Автор: Рафия Вагаповна Вагапова,Галина Сергеевна Раевская. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский И Проектный Институт "Теплопроект". Дата публикации: 1983-10-15.

Forming method of silicon oxide film and silicon oxide film forming equipment

Номер патента: JPH11204517A. Автор: Atsushi Suzuki,篤 鈴木,Akihide Kashiwagi,章秀 柏木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-30.

Method for producing solid preparation with crystalline form of dasatinib anhydride stably maintained

Номер патента: JP2019147798A. Автор: Toshifumi Fujii,利文 藤井,達矢 三明,Tatsuya Miake. Владелец: Ohara Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Manufacture method for forming thick silicon oxide isolation layer in radio frequency (RF) laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS)

Номер патента: CN103035514A. Автор: 蔡莹,周正良,遇寒,李琳松. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for local dry etching of silicon oxide oxide layers

Номер патента: SU1304666A1. Автор: Г.М. Цейтлин,М.Р. Бакланов,С.М. Репинский,Н.Н. Герасименко,Ф.Н. Дульцев,Л.Я. Соломатина. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 1999-11-10.

Method for preparing aluminium oxide-silicon oxide fibre

Номер патента: CN1434156A. Автор: 王心葵,温月芳,王浩静,宋士玮. Владелец: Shanxi Institute of Coal Chemistry of CAS. Дата публикации: 2003-08-06.

Method for enhancing reliability of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) flash memory device by means of selective epitaxy

Номер патента: CN102117779A. Автор: 杨欣,孙勤. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Method for embedding high-voltage device in silicon oxide-nitride-oxide semiconductor (SONOS) nonvolatile memory process

Номер патента: CN102446851B. Автор: 陈瑜,熊涛,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

BE-SONOS (Band-gap Engineering SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)) structure device with low operation voltage and forming method

Номер патента: CN102709330A. Автор: 田志. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for preparing aza titanium oxides-silicon oxide nucleocapsid nanometer complex ordered stephanoporate big sphere

Номер патента: CN101157022A. Автор: 朱仕惠,周爱军,韦磊,刘长生,李铭果. Владелец: Wuhan Institute of Technology. Дата публикации: 2008-04-09.

Novel double-bit line SONOS (silicon oxide nitride oxide silicon) unit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102446862A. Автор: 杨斌,郭明升,黄奕仙. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Cerium oxide composite abrasive material using silicon oxide as core and preparation method of abrasive material

Номер патента: CN103666372A. Автор: 李福清,吴秋芳,马新胜,史运宝,高纬. Владелец: Shanghai Huaming Hi Tech Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Silicon nitride trap layer olive-shaped energy band gap structure and manufacturing method thereof of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) component

Номер патента: CN101872767A. Автор: 王函,林钢. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

Mesoporous silicon oxide of surface clad metal oxide and preparation and application thereof

Номер патента: CN102059091A. Автор: 梁鑫淼,于龙,李秀玲,柳林,薛兴亚,闫竞宇,万慧慧. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2011-05-18.

Silicon oxide film, manufacturing method thereof, and silicon oxide film manufacturing apparatus

Номер патента: JP6183965B2. Автор: 彰一 村上,晶保 畑下. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-23.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1168873A. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 1997-12-31.

High modulus of elasticity synthetic yarns mfr. - by stretching filaments with crystallinity more than 30 per cent and rapidly cooling at nozzle outlet (NL 3.10.78)

Номер патента: IT1075370B. Автор: Giancarlo Locati. Владелец: Snam Progetti. Дата публикации: 1985-04-22.

Polymeric composites with crystalline mixed metal hydroxide particles dispersed therein

Номер патента: CA2205844A1. Автор: Chai-Jing Chou,Clive P. Bosnyak,Malcolm F. Finlayson,John L. Burba, III,Arthur E. Read, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-05-30.

Method for preparing ceramic thin sheet contg. alumina, silicon oxide and titanium oxide

Номер патента: CN1053650C. Автор: 李龙土,桂治轮,萧小月,曾智强. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-06-21.

Composition for laminated coating film comprising iron oxide particles coated with silicon oxide

Номер патента: JPWO2017061519A1. Автор: 榎村　眞一,眞一 榎村,大介 本田. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

silicon oxide/titanium oxide composite mesoporous flexible non-woven fiber membrane, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN103316625A. Автор: 王洋,于吉红,温强,邸建城. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2013-09-25.

Varicolored articles with crystalline thermoplastic chips

Номер патента: AU657647C. Автор: Peter C. Gaa,Beth A Rabroker. Владелец: Ralph Wilson Plastics Co. Дата публикации: 2001-01-18.

SILICON OXIDE FILM IMPLANTED BY IONS OF TIN ON A SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2013127976A. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-27.

Method of producing silicon oxide layer

Номер патента: TW424115B. Автор: Huang-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-01.

A method of etching silicon oxide to produce a tapered edge thereon

Номер патента: AU485868B2. Автор: John Ham Ralph Robert Soden Edward. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-02-19.

Methyl silicon oxide polymers and method of preparation

Номер патента: AU121902B2. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1946-08-15.

A method to prevent the recess of silicon oxide layer in the shallow trench isolation process

Номер патента: TW439198B. Автор: Jr-Shiang Shiau,Guo-Tai Huang,Jau-Yan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Methyl silicon oxide polymers and method of preparation

Номер патента: AU1463044A. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1946-08-15.

Silicon oxidation film pattern formation method

Номер патента: JPS51123563A. Автор: Nobuo Tsuda,Tadamasa Ogawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-10-28.

Method for upgrading silicon oxide layer quality and chemical vapor deposition apparatus thereof

Номер патента: TWI223671B. Автор: Stephen Chen,Eric Chou,Gilbert Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of joining silicon oxide material substrates

Номер патента: TW200837031A. Автор: Shu-Hui Chen,Jia-Wei Huang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2008-09-16.

Tube mounting fixture for silicon oxide layer homogenization process

Номер патента: TW504745B. Автор: Yung-Bin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-10-01.

METHOD FOR LOW TEMPERATURE GROWING SILICON OXIDE

Номер патента: RU2013116496A. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Петр Борисович Лагов,Александр Михайлович Мусалитин,Андрей Сергеевич Дренин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-10-20.

SLURRY COMPOSITIONS FOR SELECTIVELY POLISHING SILICON NITRIDE RELATIVE TO SILICON OXIDE, METHODS OF POLISHING A SILICON NITRIDE LAYER AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120007018A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

ENHANCED DENSIFICATION OF SILICON OXIDE LAYERS

Номер патента: US20120009413A1. Автор: . Владелец: MOLECULAR IMPRINTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACATURING METHOD AND SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD

Номер патента: US20120034754A1. Автор: Sekine Katsuyuki,NAKAZAWA Keisuke,Nakao Takashi,Kai Tetsuya,HOSHI Takeshi,MATSUO Shogo,Kato Ryu,Iwasawa Kazuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-02-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR AT LEAST PARTIALLY CONVERTING FILMS TO SILICON OXIDE AND/OR IMPROVING FILM QUALITY USING ULTRAVIOLET CURING IN STEAM AND DENSIFICATION OF FILMS USING UV CURING IN AMMONIA

Номер патента: US20120036732A1. Автор: Varadarajan Bhadri N.,Schravendijk Bart Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

MGF2 OPTICAL THIN FILM INCLUDING AMORPHOUS SILICON OXIDE BINDER, OPTICAL ELEMENT PROVIDED WITH THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING MGF2 OPTICAL THIN FILM

Номер патента: US20120058261A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

APPARATUS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM

Номер патента: US20120060752A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

SILICON OXIDE AND NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20120085974A1. Автор: KIZAKI Shingo. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

METHODS OF FORMING TITANIUM SILICON OXIDE

Номер патента: US20120088373A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of Forming Silicon Oxides and Methods of Forming Interlevel Dielectrics

Номер патента: US20120100726A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

SILICON OXIDE REMOVAL APPARATUS AND FACILITY FOR RECYCLING INERT GAS FOR USE IN SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120114531A1. Автор: HIGUCHI Takashi,HORIUCHI Tadahiko. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

SILICON OXIDE AND NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20120156120A1. Автор: . Владелец: OSAKA TITANIUM TECHNOLOGIES CO.,TD.. Дата публикации: 2012-06-21.

PATTERNING OF SILICON OXIDE LAYERS USING PULSED LASER ABLATION

Номер патента: US20120171804A1. Автор: . Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2012-07-05.

EMBEDDED CATALYST FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20120196451A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE FILM, FILM FORMING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120252224A1. Автор: Endo Atsushi,KUROKAWA Masaki,IRIUDA Hiroki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-04.

LOW TEMPERATURE SILICON OXIDE CONVERSION

Номер патента: US20120269989A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD OF FORMING SILICON OXIDE CONTAINING FILMS

Номер патента: US20120276292A1. Автор: Gatineau Julien,Dussarrat Christian,Yanagita Kazutaka,SUZUKI Ikuo,Tsukada Eri. Владелец: L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude. Дата публикации: 2012-11-01.

PHOTOVOLTAIC CELL, INCLUDING A CRYSTALLINE SILICON OXIDE PASSIVATION THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120291861A1. Автор: . Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2012-11-22.

SILICON OXIDE BASED HIGH CAPACITY ANODE MATERIALS FOR LITHIUM ION BATTERIES

Номер патента: US20120295155A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

FABRICATION OF SILICON OXIDE AND OXYNITRIDE HAVING SUB-NANOMETER THICKNESS

Номер патента: US20120329230A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Liu Jinping,Shepard,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

OBLIQUE-INCIDENCE DEPOSITED SILICON OXIDE LAYERS FOR DYNAMIC OPHTHALMIC LENSES

Номер патента: US20130050639A1. Автор: Haddock Joshua N.,Trajkovska Anita,Gupta Amitava,Blum Ronald,TIJSSEN Peter,Blom Marko Theodoor. Владелец: PixelOptics, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD FOR PREPARING SILICON OXIDE-CARBON COMPOSITE FOR NEGATIVE ELECTRODE OF LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20130075667A1. Автор: LEE Young Min,Kang Yong Mook,Song Kyeong Se. Владелец: Kongju National University Industry-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2013-03-28.

COMBINED SILICON OXIDE ETCH AND CONTAMINATION REMOVAL PROCESS

Номер патента: US20130084654A1. Автор: Gaylord Richard H.,Messer Blaze J.,Kumar Kaushik A.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-04-04.

REMOTE PLASMA RADICAL TREATMENT OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20130109164A1. Автор: Olsen Christopher S.,Yokota Yoshitaka. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

METHODS FOR FORMING A DOPED AMORPHOUS SILICON OXIDE LAYER FOR SOLAR CELL DEVICES

Номер патента: US20130112264A1. Автор: Wang Dapeng,Chae Yong Kee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-05-09.

METHODS FOR FORMING DOPED SILICON OXIDE THIN FILMS

Номер патента: US20130115763A1. Автор: Fukuda Hideaki,NISKANEN Antti,Fukazawa Atsuki,Nakano Ryu,Haukka Suvi,Takamure Noboru,Namba Kunitoshi. Владелец: ASM International. N.V.. Дата публикации: 2013-05-09.

APPARATUS AND METHODS FOR SILICON OXIDE CVD RESIST PLANARIZATION

Номер патента: US20130130405A1. Автор: Xia Li-Qun,Gouk Roman,Verhaverbeke Steven,Shek Mei-yee,JIN Yu. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

LATE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20130320449A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

MIDDLE IN-SITU DOPED SIGE JUNCTIONS FOR PMOS DEVICES ON 28 NM LOW POWER/HIGH PERFORMANCE TECHNOLOGIES USING A SILICON OXIDE ENCAPSULATION, EARLY HALO AND EXTENSION IMPLANTATIONS

Номер патента: US20130320450A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Ong Shiang Yang. Владелец: GlobalFoundries. Дата публикации: 2013-12-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.