System on chip fully-depleted silicon on insulator with rf and mm-wave integrated functions
Номер патента: US09899415B1
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Jean-Olivier Plouchart, Jin Cai
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Jean-Olivier Plouchart, Jin Cai
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
System on chip fully-depleted silicon on insulator with rf and mm-wave integrated functions
Номер патента: US20180053785A1. Автор: Jin Cai,Jean-Olivier Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.