Strained fully depleted silicon on insulator semiconductor device and manufacturing method therefor
Номер патента: WO2006052379A1
Опубликовано: 18-05-2006
Автор(ы): Ming-Ren Lin, Niraj Subba, Qi Xiang, Witold P. Maszara, Zoran Krivokapic
Принадлежит: Advanced Micro Devices, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-05-2006
Автор(ы): Ming-Ren Lin, Niraj Subba, Qi Xiang, Witold P. Maszara, Zoran Krivokapic
Принадлежит: Advanced Micro Devices, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices
Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.