Method for selecting polycrystalline silicon rod, and method for producing single crystalline silicon
Номер патента: US09605356B2
Опубликовано: 28-03-2017
Автор(ы): Junichi Okada, Shigeyoshi Netsu, Shuichi Miyao
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-03-2017
Автор(ы): Junichi Okada, Shigeyoshi Netsu, Shuichi Miyao
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Polycrystalline silicon, FZ single crystal silicon, and method for producing the same
Номер патента: US10066320B2. Автор: Shigeyoshi Netsu,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.