Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors
Номер патента: US20230420254A1
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Ramesh kumar Harjivan Kakkad
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Ramesh kumar Harjivan Kakkad
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating thin, crystalline silicon film and thin film transistors
Номер патента: US11791159B2. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.