Finfet with crystalline insulator.

Finfet with crystalline insulator

Номер патента: US20140312425A1
Опубликовано: 23-10-2014
Автор(ы): Alexander Reznicek, Ali Khakifirooz, Kangguo Cheng, Raghavasimhan Sreenivasan, Thomas N. Adam
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Triple gate and double gate finFETs with different vertical dimension fins

Номер патента: US8207027B2. Автор: Huilong Zhu,Yue Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: EP2253013A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-24.

High mobility plane finfets with equal drive strength

Номер патента: US20070111410A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

FINFET WITH CRYSTALLINE INSULATOR

Номер патента: US20140312425A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: Interantional Business Machines Corporation. Дата публикации: 2014-10-23.

Finfet with undoped body bulk

Номер патента: US20150340502A1. Автор: Shom Ponoth,Hemant Vinayak Deshpande. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Finfet With Channel Backside Passivation Layer Device And Method

Номер патента: CN104037227A. Автор: 马丁·克里斯多夫·霍兰德,马提亚斯·帕斯拉克,戈本·多恩伯斯,乔治斯·威廉提斯,克里希纳·库马尔·布瓦尔卡,布兰丁·迪里耶,马克范·达尔,查理德·肯尼斯·奥克斯兰德,施奕强. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

FinFET with undoped body bulk

Номер патента: CN105097935A. Автор: 肖姆·波诺斯,赫曼特·维纳亚克·德什潘德. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Finfet with top body contact

Номер патента: US20090001464A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack A. Mandelman,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: WO2009101564A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-20.

Always-on finfet with camouflaged punch stop implants for protecting integrated circuits from reverse engineering

Номер патента: US20210249364A1. Автор: Ronald P. Cocchi,James P. Baukus,Bryan J. WANG,Lap Wai Chow. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-08-12.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: TW200633076A. Автор: Kerry Bernstein,Brent A Anderson,Edward J Nowak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-09-16.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: US09997629B2. Автор: Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20180090608A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

FinFET with novel body contact for multiple Vt applications

Номер патента: US20120007180A1. Автор: Jae Gon Lee,Chunshan YIN,Kian Ming Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

FINFET WITH MULTIPLE CONCENTRATION PERCENTAGES

Номер патента: US20150001595A1. Автор: Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

FINFET WITH CONFINED EPITAXY

Номер патента: US20160005868A1. Автор: CHOI Dae-Han,WAN Jing,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

FINFET WITH ELECTRICALLY ISOLATED ACTIVE REGION ON BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20150021691A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Finfet with Heterojunction and Improved Channel Control

Номер патента: US20190043987A1. Автор: Moroz Victor,Smith Stephen,Lu Qiang. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2019-02-07.

FINFETS WITH STRAINED WELL REGIONS

Номер патента: US20150054040A1. Автор: LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FinFET with Buried Insulator Layer and Method for Forming

Номер патента: US20150102411A1. Автор: LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20170154982A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

FINFET WITH ISOLATION

Номер патента: US20150162436A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,QUEK Elgin Kiok Boone. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140239402A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

FINFET WITH WIDE UNMERGED SOURCE DRAIN EPI

Номер патента: US20160163826A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FINFET WITH ISOLATED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150221726A1. Автор: Kim Tae-Hoon,Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ALWAYS-ON FINFET WITH CAMOUFLAGED PUNCH STOP IMPLANTS FOR PROTECTING INTEGRATED CIRCUITS FROM REVERSE ENGINEERING

Номер патента: US20210249364A1. Автор: Cocchi Ronald P.,Chow Lap Wai,Wang Bryan J.,Baukus James P.. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

MULTI-HEIGHT FINFETS WITH COPLANAR TOPOGRAPHY BACKGROUND

Номер патента: US20140353752A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

FORMING INDEPENDENT-GATE FINFET WITH TILTED PRE-AMORPHIZATION IMPLANTATION AND RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150340501A1. Автор: Eller Manfred,Wu Xusheng,Vakada Vara Govindeswara Reddy,VAN MEER Johannes Marinus. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

FINFET WITH UNDOPED BODY BULK

Номер патента: US20150340502A1. Автор: Ponoth Shom,Deshpande Hemant Vinayak. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Digital alloy vertical lamellae finfet with current flow in alloy layer direction

Номер патента: US20170338308A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20180337263A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

FINFET WITH IMPROVED GATE PLANNITY

Номер патента: DE102012220822A1. Автор: Shom Ponoth,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Номер патента: US7659157B2. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Digital alloy vertical lamellae FinFET with current flow in alloy layer direction

Номер патента: US10644109B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Integrated circuits having finFETs with improved doped channel regions and methods for fabricating same

Номер патента: US9287180B2. Автор: Weihua Tong,Bharat Krishnan,Seung Kim,Jinping Liu,Bongki Lee,Vidmantas Sargunas. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Finfet with sublithographic fin width

Номер патента: US20090026543A1. Автор: Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Dual metal gate finfets with single or dual high-k gate dielectric

Номер патента: US20090078997A1. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Bulk finfet with uniform height and bottom isolation

Номер патента: WO2013006612A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: US7183142B2. Автор: Kerry Bernstein,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for manufacturing finfet with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140011330A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2014-01-09.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING FINFETS WITH IMPROVED DOPED CHANNEL REGIONS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150035062A1. Автор: Liu Jinping,KIM Seung,LEE Bongki,KRISHNAN Bharat,TONG Weihua,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

BULK FINFET WITH SUPER STEEP RETROGRADE WELL

Номер патента: US20140159162A1. Автор: Doris Bruce B.,Shahidi Ghavam G.,Cai Jin,Dennard Robert H.,Chan Kevin K.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN,Linder Barry P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180138307A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA MURALI V R M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

FinFET with Channel Backside Passivation Layer Device and Method

Номер патента: US20140252478A1. Автор: Bhuwalka Krishna Kumar,Doornbos Gerben,Passlack Matthias,VELLIANITIS Georgios,OXLAND Richard Kenneth,Van Dal Mark,Duriez Blandine,Holland Martin Christopher,See Yee-Chaung. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

FINFET WITH SILICON GERMANIUM STRESSOR AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20150214338A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Loubet Nicolas,Yeh Chun-chen,SREENIVASAN Raghavasimhan,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20160293762A1. Автор: Ting Kuo-Chiang,LAI Kao-Ting,WU Chi-Hsi,Li Hou-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20150318377A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20150349093A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-03.

Finfet with channel backside passivation layer device and method

Номер патента: KR101575407B1. Автор: 달 마크 반,게르벤 둔보스,블랑딘 뒤리에즈,게오르기오스 벨리아니티스,크리슈나 쿠마르 부왈카,리차드 케네쓰 옥스랜드,마틴 크리스토퍼 홀랜드,예창 시,매티아스 파스락. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-12-07.

FinFET with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US8552477B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-10-08.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20160293762A1. Автор: Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Finfet with self-aligned punchthrough stopper

Номер патента: WO2014035556A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

FinFET with rounded source/drain profile

Номер патента: US09831345B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Multiple fin finfet with low-resistance gate structure

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SOI FinFET with recessed merged Fins and liner for enhanced stress coupling

Номер патента: US8445334B1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

SOI-FinFET with recessed fused ribs and layer for improved voltage coupling

Номер патента: DE112012004932T5. Автор: do IBM Corp. Bu Huiming,c/o IBM Corp. Leobandung Effendi,c/o IBM Corp. Standaert Theodorus E.,c/o IBM Corp. Yeh Chun-chen,c/o IBM Corp. Basker Veeraraghavan S.,c/o IBM Corp. Yamashita Tenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Bulk finFET with partial dielectric isolation featuring a punch-through stopping layer under the oxide

Номер патента: US09842897B2. Автор: Ajey P. Jacob,Murat K. Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

FinFET with silicon germanium stressor and method of forming

Номер патента: US9105663B1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Wafer with crystalline silicon and trap rich polysilicon layer

Номер патента: US20210217850A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Bulk finfet with fin channel height uniformity and isolation

Номер патента: US20200328289A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Germanium FinFETs with metal gates and stressors

Номер патента: US09698060B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US12132080B2. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Common fabrication of multiple FinFETs with different channel heights

Номер патента: US09960257B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09985109B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

FinFET with buried insulator layer and method for forming

Номер патента: US09978870B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: EP3105796A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: WO2015123305A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Finfet with reduced series total resistance

Номер патента: EP3513436A1. Автор: Ukjin Roh,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US9293581B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US09911829B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US9620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US09620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Finfet with reduced parasitic capacitence

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: WO2014110005A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-17.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: US20140377924A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

FinFET with trench field plate

Номер патента: US09698227B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Finfet with long channel length structure

Номер патента: US20240072158A1. Автор: Kuo-Min Lin,Chun-Jung Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Yu KUO,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang,Z.X. Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

FinFET with a semiconductor strip as a base

Номер патента: US09847425B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET with isolation

Номер патента: US09620642B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with source/drain coating

Номер патента: CN106158958B. Автор: 吴志强,江国诚,冯家馨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: CN103515422A. Автор: 蔡国强,丁国强,沈俊良,吴集锡,李后儒,梁春升,赖高廷. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

FinFET with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US9312367B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

Номер патента: US20160064511A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10615279B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10243077B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US9917190B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Finfet with stressors

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Finfets with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US20240363420A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US09653541B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Номер патента: US09595611B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Byeong-Chan Lee,Bon-young Koo,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and apparatus for source-drain junction formation in a FinFET with in-situ doping

Номер патента: US09564518B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

FinFETs with reduced parasitic capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US09564353B2. Автор: Yu-Lien Huang,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

FinFET with merge-free fins

Номер патента: US09947791B2. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeg Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFETs with source/drain cladding

Номер патента: US09941406B2. Автор: Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US10707332B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Finfets with reduced parasitics

Номер патента: US20240055524A1. Автор: Wenjun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Finfet with sigma cavity with multiple epitaxial material regions

Номер патента: US20150097197A1. Автор: Michael Ganz,Johannes M. van Meer,Bharat V. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20190140075A1. Автор: Chih-Hao Wang,Carlos H Diaz,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: US20150228795A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,Chidi Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20170278970A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20180097114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for forming fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11735649B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20190140075A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Leung Ying-Keung,Diaz Carlos H. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20140264590A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

SUPERLATTICE FINFET WITH TUNABLE DRIVE CURRENT CAPABILITY

Номер патента: US20200203484A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Rode Johann C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

FinFETs with Nitride Liners and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160329329A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Jiang Ching-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

FINFETs with high quality source/drain structures

Номер патента: US9799730B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Finfet with reduced gate to fin overlay sensitivity

Номер патента: US20120146112A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman,Ii John Edward Sheets. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20180012989A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2018-01-11.

FINFET WITH BACK-GATE

Номер патента: US20160020326A1. Автор: Mazure Carlos,HOFMANN Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Finfet with insulator under channel

Номер патента: US20150021663A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

FINFET WITH DOPED ISOLATION INSULATING LAYER

Номер патента: US20170025535A1. Автор: Wu Cheng-Ta,You Wei-Ming,Wang Ting-Chun,WU J.W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20180033857A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

FINFET WITH SHORTER FIN HEIGHT IN DRAIN REGION THAN SOURCE REGION AND RELATED METHOD

Номер патента: US20220052158A1. Автор: Li Wenjun,Gu Man. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FINFET WITH REDUCED SERIES TOTAL RESISTANCE

Номер патента: US20180076326A1. Автор: Roh Ukjin,Ekbote Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Method and apparatis for source-drain junction formation finfet with quantum barrier and ground plane doping

Номер патента: US20160087070A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

METHOD AND APPARATUS FOR SOURCE-DRAIN JUNCTION FORMATION IN A FINFET WITH IN-SITU DOPING

Номер патента: US20170104088A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

STRAINED FINFET WITH AN ELECTRICALLY ISOLATED CHANNEL

Номер патента: US20140191297A1. Автор: Cheng Kangguo,Guo Dechao,Shang Huiling,Divakaruni Ramachandra,Utomo Henry K.,Ramachandran Ravikumar,RIM Kern,Na Myung-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180114846A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITENCE

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20160126343A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) WITH A LINER LAYER

Номер патента: US20220293774A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,PAN Kuan-Ting,JU Shi-Ning. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

FinFET with an Asymmetric Source/Drain Structure and Method of Making Same

Номер патента: US20140252477A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,Chen Wei-yu,YANG KUO-NAN,GUO Ta-Pen,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20140252489A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20140284667A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170207126A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160233246A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20190237572A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING HETEROSTRUCTURE FINFET WITH TUNABLE DEVICE PARAMETERS AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20150263097A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-17.

FINFET WITH DUAL WORK FUNCTION METAL

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FINFETS) WITH REPLACEMENT METAL GATES AND METHODS

Номер патента: US20180261514A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-13.

FINFET WITH ENHANCED EMBEDDED STRESSOR

Номер патента: US20140357037A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

FINFET WITH HIGH-K SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190259619A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Tabakman Keith. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20190259852A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20150287810A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

FINFET WITH ISOLATED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20170288016A1. Автор: Kim Tae-Hoon,Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

FINFETs WITH STRAINED CHANNELS AND REDUCED ON STATE RESISTANCE

Номер патента: US20180286982A1. Автор: Sehgal Akshey,McArdle Timothy J.,Krishnan Bharat V.,Lee Rinus Tek Po,Ray Shishir K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20170301762A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

MULTIPLE FIN FINFET WITH LOW-RESISTANCE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20200321461A1. Автор: Wu Zhiqiang,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20160351662A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

FINFET WITH OXIDATION-INDUCED STRESS

Номер патента: US20150357470A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Miao Xin,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

FINFET WITH CURVED STI

Номер патента: US20190378752A1. Автор: Chen Chih-Jung,CHEN Chien-Hung,Lu Shih-Min,Li Chih-Yueh,Chiu Cheng-Pu,Hsieh Chi-Ying,Lin Yung-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

FinFET with fin having different Ge doped region

Номер патента: US9806194B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Finfets with multiple fin heights

Номер патента: KR101229186B1. Автор: 펭 유안,충린 리,창윤 창,치 치예 예. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-02-01.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: KR101382846B1. Автор: 춘 량 센,궈 치앙 차이,호우 주 리,춘 셍 량,카오 팅 라이,궈 치앙 팅,치 시 우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-08.

FinFETs with necking in the fins

Номер патента: US9559206B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: US8729634B2. Автор: Chun-Liang Shen,Kuo-Ching Tsai,Chun-Sheng Liang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Methods of forming FinFET with wide unmerged source drain EPI

Номер патента: US9472470B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Finfet with two independent gates and method for fabricating the same

Номер патента: CN101711426A. Автор: 马库斯杰勒德安德烈亚斯·穆勒,菲利普·克罗内尔. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-05-19.

Structure and method of fabricating finfet with buried channel

Номер патента: US20070099350A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Structure and method of fabricating finfet with buried channel

Номер патента: CN100517619C. Автор: 朱慧珑. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

FinFET with multiple concentration percentages

Номер патента: US9000498B2. Автор: Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-07.

Method and structure for forming finfets with various doping on the same chip

Номер патента: TWI493630B. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B Doris. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2015-07-21.

SOI finfet with reduced fin width dependence

Номер патента: US9640664B2. Автор: Franz Hofmann. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and structure for forming finfets with multiple doping regions on a same chip

Номер патента: CN102640273A. Автор: Y·张,程慷果,B·多里斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20140170825A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeg Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

FinFET with reduced gate to fin overlay sensitivity

Номер патента: TW200901467A. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Jack Allan Mandelman,John Edward Ii Sheets,Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-01-01.

Bulk finfet with super steep retrograde well

Номер патента: US20140159162A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Bruce B. Doris,Ghavam G. Shahidi,Jin Cai,Kevin K. Chan,Robert H. Dennard,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11349016B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20180033857A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Finfet with stressors

Номер патента: US20130307038A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

FINFET WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY CHANNEL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

MULTI-FIN FINFETS WITH MERGED-FIN SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20150084101A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

FinFET with Buried Insulator Layer and Method for Forming

Номер патента: US20160087103A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20140167162A1. Автор: Wang Junli,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun,Yin Yunpeg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Finfet with epitaxial layer having octagonal cross-section

Номер патента: US20180166574A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chih-Chun Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

ASYMMETRIC CHANNEL FINFETS WITH WRAP AROUND CHANNEL

Номер патента: US20210328017A1. Автор: Reznicek Alexander,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20170278970A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,DIAZ Carlos H.,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Strained finfet with an electrically isolated channel

FINFET WITH ESD PROTECTION

Номер патента: US20150311342A1. Автор: CHU Li-Wei,Chen Bo-Ting,SU YU-TI,Lin Wun-Jie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-10-29.

Bulk finFET with punchthrough stopper region and method of fabrication

Номер патента: US9082853B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ragvahasimhan Sreenivasan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US11211453B1. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-28.

Finfet with low gate capacitance and low extrinsic resistance

Номер патента: US20060043616A1. Автор: Brent Anderson,Andres Bryant,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Finfet with dual silicon gate layer for chemical mechanical polishing planarization

Номер патента: CN1806340A. Автор: 俞斌,汪海宏,K·阿楚坦,S·S·艾哈迈德. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-07-19.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: WO2014092846A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES. Дата публикации: 2014-06-19.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

FIELD EFFECT TRANSISTORS EMPLOYING A THIN CHANNEL REGION ON A CRYSTALLINE INSULATOR STRUCTURE

Номер патента: US20150228783A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-13.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

FinFET with improved SEU performance

Номер патента: US09543382B1. Автор: Wen Wu,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US20210391460A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

finFET with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US11916142B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

FinFET with merged, epitaxial source/drain regions

Номер патента: US09882054B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFETs with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US09741717B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing finfet with reduced parasitic capacitance and finfet structure formed thereby

Номер патента: US20200119001A1. Автор: Hui Zang,Jian Gao,Guowei Xu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Epitaxial growth of silicon for finfets with non-rectangular cross-sections

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Hans-Jürgen Thees,Ran Ruby YAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Vertical fin-based field effect transistor (finfet) with neutralized fin tips

Номер патента: US20230246027A1. Автор: Andrew Walker,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Francis Chai. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

A finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: WO2021257311A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-12-23.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Multiwidth finFET with channel cladding

Номер патента: US09954104B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

SiGe FinFET with improved junction doping control

Номер патента: US09443963B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Wei-Hsiung Tseng,Andrew Joseph Kelly,Pei-Shan Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US09917194B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

FinFET with dielectric isolated channel

Номер патента: US09825174B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

SOI based FINFET with strained source-drain regions

Номер патента: US09601624B2. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Dominic J. Schepis,Joel P. de Souza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Devices and methods of forming finfets with self aligned fin formation

Номер патента: US20150333067A1. Автор: LUN Zhao,Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Guillaume Bouche,Andy Wei,Jin Ping Liu,Dae Geun Yang,Tien-Ying Luo,Churamani GAIRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20180102362A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

FINFETs with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: US09991388B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

METHOD OF MANUFACTURING FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND FINFET STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20200119001A1. Автор: GAO JIAN,Xu Guowei,Shu Jiehui,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160358775A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20150287810A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

FINFET with insulating layer between gate and source/drain contacts

Номер патента: CN110993602A. Автор: 谢瑞龙,臧辉,拉尔特斯·柯洛米克斯,席史·马尼·潘迪,朴灿柔. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-10.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09947763B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Bulk finfet with self-aligned bottom isolation

Номер патента: WO2019099143A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Periannan Chidambaram,Cimang Lu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-23.

FinFETs with contact-all-around

Номер патента: US09911830B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Mechanisms for forming FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09842761B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Chung-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and structure for improving finFET with epitaxy source/drain

Номер патента: US09831241B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748143B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748142B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09711412B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical finfet with strained channel

Номер патента: US09614077B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

FinFET with stacked faceted S/D epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US09496400B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

FinFETs with multiple threshold voltages

Номер патента: US09472638B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Po-Chin Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

FinFET with ESD protection

Номер патента: US09461170B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09425102B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09385218B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US09941385B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

FinFETs with nitride liners and methods of forming the same

Номер патента: US09870956B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Ching-Hong Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09786737B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

FinFETs with different fin height and EPI height setting

Номер патента: US09721829B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field-effect transistor (FinFET) with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09716042B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

FinFET with dual workfunction gate structure

Номер патента: US09698270B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFET with source/drain structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09666581B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09536979B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09455320B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

FinFET with reduced source and drain resistance

Номер патента: US09443977B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8809860B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Dummy dielectric fins for finfets with silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20170338322A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Devices and methods of forming bulk finfets with lateral seg for source and drain on dielectrics

Номер патента: US20150357332A1. Автор: Min-Hwa Chi,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US9040363B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US10032773B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20170025312A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20180040738A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

EPITAXIAL GROWTH OF SILICON FOR FINFETS WITH NON-RECTANGULAR CROSS-SECTIONS

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Hoentschel Jan,Richter Ralf,Thees Hans-Jürgen,YAN Ran Ruby. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

System and Method of Fabricating ESD FinFET With Improved Metal landing in the Drain

Номер патента: US20200051972A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH P/N STACKED FINS

Номер патента: US20180076314A1. Автор: JENG Chi-Cherng,HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,CHEN Hung-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-15.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20180083103A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Multi-Fin FinFETs with Epitaxially-Grown Merged Source/Drains

Номер патента: US20140167163A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING BULK FINFET WITH UNIFORM CHANNEL HEIGHT

Номер патента: US20180097091A1. Автор: Cheng Kangguo,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20180102278A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-04-12.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

FinFETs with Different Fin Heights

Номер патента: US20150111355A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

FINFET WITH DUAL WORKFUNCTION GATE STRUCTURE

Номер патента: US20140217479A1. Автор: Hsieh Wen-Hsing,Colinge Jean-Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

FinFET with Two Fins on STI

Номер патента: US20190131413A1. Автор: VELLIANITIS Georgios,OXLAND Richard Kenneth,Van Dal Mark,Duriez Blandine. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

FINFET WITH REDUCED EXTENSION RESISTANCE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200127123A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,RODDER Mark Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

INTEGRATION METHOD FOR FINFET WITH TIGHTLY CONTROLLED MULTIPLE FIN HEIGHTS

Номер патента: US20180158737A1. Автор: Kim Seiyon,Kavalieros Jack T.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170162650A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

FINFET WITH SIGMA RECESSED SOURCE/DRAIN AND UN-DOPED BUFFER LAYER EPITAXY FOR UNIFORM JUNCTION FORMATION

Номер патента: US20190157457A1. Автор: Guo Dechao,Jagannathan Hemanth,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140252469A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190165095A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20170179301A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US20150187816A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Method and structure for improving finfet with epitaxy source/drain

Номер патента: US20160204194A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

MULTIWIDTH FINFET WITH CHANNEL CLADDING

Номер патента: US20150214365A1. Автор: Xie Ruilong,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-30.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20160240652A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FinFET) WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170236933A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

STRUCTURE AND METHOD TO MAKE STRAINED FINFET WITH IMPROVED JUNCTION CAPACITANCE AND LOW LEAKAGE

Номер патента: US20150255606A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

FORMING FINFET WITH REDUCED VARIABILITY

Номер патента: US20200235204A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150263093A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180254340A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA Murali V R M. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,CHEN Wan-Te,Kang Po-Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING ESD FINFET WITH IMPROVED METAL LANDING IN THE DRAIN

Номер патента: US20190252370A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

BULK FINFET WITH PARTIAL DIELECTRIC ISOLATION FEATURING A PUNCH-THROUGH STOPPING LAYER UNDER THE OXIDE

Номер патента: US20160284802A1. Автор: Jacob Ajey P.,Akarvardar Murat K.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-29.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160284848A1. Автор: Chi-Wen Liu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Finfets with contact-all-around

Номер патента: US20150295089A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

FINFET WITH CUT GATE STRESSOR

Номер патента: US20160300948A1. Автор: Liu Yanxiang,Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Finfets With Contact-All-Around

Номер патента: US20160329416A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160329428A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

DUMMY DIELECTRIC FINS FOR FINFETS WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM CHANNELS

Номер патента: US20170338322A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

BULK FINFET WITH FIN CHANNEL HEIGHT UNIFORMITY AND ISOLATION

Номер патента: US20200328289A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

FINFET WITH P/N STACKED FINS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170345923A1. Автор: JENG Chi-Cherng,HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,CHEN Hung-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-30.

FinFETs with Different Fin Heights

Номер патента: US20160358926A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170352596A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170358643A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160372579A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2016-12-22.

FINFET WITH SIGMA RECESSED SOURCE/DRAIN AND UN-DOPED BUFFER LAYER EPITAXY FOR UNIFORM JUNCTION FORMATION

Номер патента: US20180358465A1. Автор: Guo Dechao,Jagannathan Hemanth,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365659A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150380528A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20190355850A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Chiang Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

FinFETs with contact-all-around

Номер патента: US9406804B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Finfets with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: KR101709400B1. Автор: 치하오 왕,궈 쳉 칭,칭웨이 차이,치웬 리우,잉쿵 렁. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-02-22.

Finfets with multiple threshold voltages

Номер патента: KR101312747B1. Автор: 포 친 쿠오,시엔 밍 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-27.

FinFET with source/drain structure

Номер патента: US9935199B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

FINFETs with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: US9608116B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

FinFET with reduced extension resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10957786B2. Автор: Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-23.

FinFET with cut gate stressor

Номер патента: US9537007B2. Автор: Haining Yang,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFET with sigma recessed source/drain and un-doped buffer layer epitaxy for uniform junction formation

Номер патента: US10249758B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui,Hemanth Jagannathan,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US10256341B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-04-09.

Strained channel FinFET with uniform channel thickness and isolation gate

Номер патента: JP4453967B2. Автор: ギュイ・モシェ・コーエン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-21.

Integration method for finfet with tightly controlled multiple fin heights

Номер патента: WO2017003410A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-05.

Devices and methods of forming bulk FinFETS with lateral seg for source and drain on dielectrics

Номер патента: US9142673B2. Автор: Min-Hwa Chi,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Mechanisms for forming FinFETs with different fin heights

Номер патента: US9559011B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Chung-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

FinFET with an asymmetric source/drain structure and method of making same

Номер патента: US9882002B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Wei-Yu Chen,Ming-Hsiang Song,Ta-Pen Guo,Ting-Wei Chiang,Hsiang-Jen TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Mechanisms for forming finfets with different fin heights

Номер патента: KR20150077366A. Автор: 쑹-유 치앙,충-웨이 린,쾅-신 첸,보-젠 티엔. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-07-07.

FinFET with multiple dislocation planes and method for forming the same

Номер патента: US9590101B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

FinFET with sloped surface at interface between isolation structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US10998235B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

FinFETs with Strained Well Regions

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Systems and methods for fabricating finfets with different threshold voltages

Номер патента: US20220310593A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Finfet with improved nitride to fin spacing

Номер патента: US20200135927A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Finfet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US20240021466A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and device for finfet with graphene nanoribbon

Номер патента: US20180006031A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US10243042B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Superlattice FINFET with tunable drive current capability

Номер патента: US11881511B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann C. Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

FinFet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US11823949B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Finfet With Dummy Fins And Methods Of Making The Same

Номер патента: US20230327005A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Finfet with dummy fins and methods of making the same

Номер патента: US20210320188A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20150303116A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

III-V Compound Semiconductor Material Passivation With Crystalline Interlayer

Номер патента: US20120132913A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Method and device for finfet with graphene nanoribbon

Номер патента: EP3264472B1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170053912A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FinFET with an Asymmetric Source/Drain Structure and Method of Making Same

Номер патента: US20160118462A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,Chen Wei-yu,YANG KUO-NAN,GUO Ta-Pen,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING ESD FINFET WITH IMPROVED METAL LANDING IN THE DRAIN

Номер патента: US20180130792A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Finfet with improved nitride to fin spacing

SELF-ALIGNED SILICON GERMANIUM FINFET WITH RELAXED CHANNEL REGION

Номер патента: US20180158945A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FINFET WITH ETCH-SELECTIVE SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190164898A1. Автор: Xie Ruilong,Xu Guowei,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-05-30.

SOI BASED FINFET WITH STRAINED SOURCE-DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160190302A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Schepis Dominic J.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20150295046A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160358775A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Finfet with esd protection

Номер патента: US20160379971A1. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2016-12-29.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170373190A1. Автор: LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing a static random access memory (SRAM) using FinFETs with varying widths of fin structures

Номер патента: US20180374858A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

FinFETs With Contact-all-around

Номер патента: CN104979396A. Автор: 黄玉莲,李东颖. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-14.

FinFET with ESD protection

Номер патента: US10032764B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US9276113B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Integration method for finfet with tightly controlled multiple fin heights

Номер патента: EP3314637A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,AnandS. MURTHY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US9536879B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20160141205A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160372579A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Multi-fin finfets with merged-fin source/drains and replacement gates

Номер патента: US20150187815A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-02.

III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US8524614B2. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Finfet with gate extension

Номер патента: US20240014324A1. Автор: Asanga H. Perera,Viet Thanh Dinh,Arjan Mels. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20160351662A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Finfet with oxidation-induced stress

Номер патента: US20150357470A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Iii-v compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer

Номер патента: US20130168834A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Masaharu Kobayashi,Kuen-Ting Shiu,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Nanofin transistors with crystalline semiconductor fins

Номер патента: US8823006B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20140170825A1. Автор: Wang Junli,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun,Yin Yunpeg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods for Forming FinFETs with Self-Aligned Source/Drain

Номер патента: US20140187011A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

FinFETs with Regrown Source/Drain and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140273380A1. Автор: Chen Chao-Cheng,CHEN Ryan Chia-Jen,KAO Tzu-Wei,Liu Eric Chih-Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

OVERLAPPED III-V FINFET WITH DOPED SEMICONDUCTOR EXTENSIONS

Номер патента: US20140377918A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20140377944A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Methods for forming FinFETs with self-aligned source/drain

Номер патента: US8927377B2. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Methods for forming finfets with self-aligned source/drain

Номер патента: KR101454998B1. Автор: 잉 장,제프 제이 수,지웨이 팡. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-10-27.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: GB201408705D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: GB2511445B. Автор: Effendi Leobandung,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S Basker,Theordorus E Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160204225A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Fluctuation resistant FinFET

Номер патента: US09847404B2. Автор: Robert J. Strain,Asen ASENOV. Владелец: Semiwise Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: EP1935020A2. Автор: Edward J. Nowak,Thomas Ludwig,Jochen Beintner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-25.

DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: WO2007035788A2. Автор: Edward J. Nowak,Thomas Ludwig,Jochen Beintner. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-29.

DENSE CHEVRON finFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: EP1935020A4. Автор: Thomas Ludwig,Jochen Beintner,Edward J Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP2041780A2. Автор: Jan Sonsky,Gerben Doornbos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

Finfet

Номер патента: GB2497185B. Автор: Shom Ponoth,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20140035043A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

BULK FINFET WITH PARTIAL DIELECTRIC ISOLATION FEATURING A PUNCH-THROUGH STOPPING LAYER UNDER THE OXIDE

Номер патента: US20150001591A1. Автор: Jacob Ajey P.,Akarvardar Murat K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Step Fin Field-Effect-Transistor (FinFET) with Slim Top of Fin and Thick Bottom of Fin for Electro-Static-Discharge (ESD) or Electrical Over-Stress (EOS) Protection

Номер патента: US20190027470A1. Автор: HUO Xiao,HAN Xiaoyong,PAN Shuli. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FINFET WITH STRESSORS

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Toh Eng Huat,Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150102428A1. Автор: Reznicek Alexander,Adam Thomas N.,Fogel Keith E.,Li Jinghong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

FINFET WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY CHANNEL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

FINFET WITH ACTIVE REGION SHAPED STRUCTURES AND CHANNEL SEPARATION

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150236160A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

BULK FINFET WITH CONTROLLED FIN HEIGHT AND HIGH-K LINER

Номер патента: US20140353721A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

OVERLAPPED III-V FINFET WITH DOPED SEMICONDUCTOR EXTENSIONS

Номер патента: US20140374800A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

DEVICES AND METHODS OF FORMING BULK FINFETS WITH LATERAL SEG FOR SOURCE AND DRAIN ON DIELECTRICS

Номер патента: US20150035018A1. Автор: Chi Min-Hwa,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

FINFET WITH SELF-ALIGNED PUNCHTHROUGH STOPPER

Номер патента: US20150054033A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160093727A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20180226504A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20150349080A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Integrated circuit having FinFETS with different fin profiles

Номер патента: US09583398B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Multiple channel length finFETs with same physical gate length

Номер патента: US09466669B2. Автор: RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming FINFETs with locally thinned channels from fins having in-situ doped epitaxial cladding

Номер патента: US09627378B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit having FINFETs with different fin profiles

Номер патента: CN103515390A. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Finfets with various fin height

Номер патента: US20190035816A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

System and method of fabricating ESD FinFET with improved metal landing in the drain

Номер патента: US09865589B1. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for quadruple frequency FinFETs with single-fin removal

Номер патента: US09673055B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365B. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor structures including an integrated finFET with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US9576096B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for manufacturing ESD FINFET with improved metal landing in drain

Номер патента: CN108010967B. Автор: 张永丰,谢东衡,杨宝如,李宗吉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365A. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-03.

Silicon germanium finfet with low gate induced drain leakage current

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

FinFETs with non-merged epitaxial S/D extensions having a SiGe seed layer on insulator

Номер патента: US09991258B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US12094779B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFETs with non-merged epitaxial S/D extensions on a seed layer and having flat top surfaces

Номер патента: US09991255B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09859380B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09559018B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-31.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09496185B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20130149826A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-13.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20140001562A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD AND DEVICE FOR FINFET WITH GRAPHENE NANORIBBON

Номер патента: US20180006031A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Finfets with various fin height

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20170047327A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160064530A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

FINFET WITH HETEROJUNCTION AND IMPROVED CHANNEL CONTROL

Номер патента: US20160087099A1. Автор: Moroz Victor,Lu Qiang,Smith Stephen L.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20160093614A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

SILICON GERMANIUM FINFET WITH LOW GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20160141205A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170179291A1. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ando Takashi,Lauer Isaac,Shahidi Ghavam G.,Dennard Robert H.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FINFETS WITH VARIOUS FIN HEIGHT

Номер патента: US20180197886A1. Автор: Cheng Kangguo,Hook Terence B.,Miao Xin,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH SEPARATED DOUBLE GATES ON BULK SILICON

Номер патента: US20150236130A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Xu Xiaoyan,Li Jia. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-20.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

DUAL CHANNEL FINFET WITH RELAXED PFET REGION

Номер патента: US20160284607A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20170317191A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finfet) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US20180374933A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US9601342B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Dual channel finfet with relaxed pfet region

Номер патента: US20160284607A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Forming finfet with reduced variability

Номер патента: US20200235204A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US11830772B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220208613A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20230386924A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Germanium FinFETs with Metal Gates and Stressors

Номер патента: US20160155668A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,YEH Chih Chieh,CHANG Chih-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET) WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170194436A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD FOR QUADRUPLE FREQUENCY FINFETS WITH SINGLE-FIN REMOVAL

Номер патента: US20160225634A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

DUMMY DIELECTRIC FINS FOR FINFETS WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM CHANNELS

Номер патента: US20170338323A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

FABRICATION OF A VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (VERTICAL FINFET) WITH A SELF-ALIGNED GATE AND FIN EDGES

Номер патента: US20170358660A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Dual channel finfet with relaxed pfet region

Номер патента: US20160372493A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-22.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finFET) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US10103246B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: EP3642867A1. Автор: Pekka Laukkanen,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN,Jaakko M KEL,Juha-Pekka LEHTI. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2020-04-29.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: WO2018234620A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-27.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US20200105576A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: US11923236B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2024-03-05.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US09502562B2. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US20160079421A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Fin field effect transistor including self-aligned raised active regions

Номер патента: US20150255570A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Vertical fin-based field effect transistor (finfet) with connected fin tips

Номер патента: US20230361126A1. Автор: Andrew J. Walker,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

FINFET WITH RELAXED SILICON-GERMANIUM FINS

Номер патента: US20150097270A1. Автор: Bedell Stephen W.,Schepis Dominic J.,Stoker Matthew W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-09.

FinFETs with Reduced Parasitic Capacitance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140225219A1. Автор: HUANG Yu-Lien,Lu Kun-Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

FINFET WITH POST-RMG GATE CUT

Номер патента: US20170148682A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

EPITAXIALLY GROWN SILICON GERMANIUM CHANNEL FINFET WITH SILICON UNDERLAYER

Номер патента: US20160163707A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,McArdle Timothy J.,Harley Eric C.T.,Holt Judson R.,Mochizuki Shogo,Karve Gauri V.,Liu Derrick,KE YUE,Smith Melissa Alyson. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

MULTI-FIN FINFETS WITH MERGED-FIN SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20150187815A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20150194426A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20170194323A1. Автор: Liaw Jhon-Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHT AND EPI HEIGHT SETTING

Номер патента: US20140284723A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-25.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160204132A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20150228648A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

FINFET WITH VERTICAL SILICIDE STRUCTURE

Номер патента: US20140339640A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Yeh Chun-chen. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

FinFETs with Nitride Liners and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140374838A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Jiang Ching-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

MULTIPLE FIN FINFET WITH LOW-RESISTANCE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150311199A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150333067A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140070360A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20170140980A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-18.

BULK FINFET WITH SELF-ALIGNED BOTTOM ISOLATION

Номер патента: US20190157160A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,Chidambaram Periannan,LU Cimang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20150187634A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL PASSIVATION WITH CRYSTALLINE INTERLAYER

Номер патента: US20130168834A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Kiewra Edward W.,Kobayashi Masaharu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

WAFER WITH CRYSTALLINE SILICON AND TRAP RICH POLYSILICON LAYER

Номер патента: US20210217850A1. Автор: Stamper Anthony K.,PEKARIK JOHN J.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

IC INCLUDING BACK-END-OF-LINE (BEOL) TRANSISTORS WITH CRYSTALLINE CHANNEL MATERIAL

Номер патента: US20200312839A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,Sharma Abhishek. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor heterostructures with crystalline silicon carbide alloyed with germanium

Номер патента: AU5866100A. Автор: Cyril Guedj,Gary Katulka,James Kolodzey. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2000-11-14.

Digital alloy FinFET co-integrated with passive resistor with good temperature coefficient

Номер патента: US09793263B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Variable gate width FinFET

Номер патента: US09698252B1. Автор: Peter Smeys,Mayank Kumar Gupta. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Gate oxide formation for fin field-effect transistor

Номер патента: US20230352566A1. Автор: Bingwu Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method for a MOS transistor comprising layered relaxed and strained SiGe layers as a channel region

Номер патента: US7361559B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Optimized Proximity Profile for Strained Source/Drain Feature and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20230387259A1. Автор: Chun-An Lin,Kuo-Pi Tseng,Tzu-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Optimized proximity profile for strained source/drain feature and method of fabricating thereof

Номер патента: US11824102B2. Автор: Chun-An Lin,Kuo-Pi Tseng,Tzu-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230005960A1. Автор: Sungmin Kim,Yeonsook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Hybrid channel region for gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: WO2023114583A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi,Glenn Glass. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Field effect transistors including contoured channels and planar channels

Номер патента: US9263464B2. Автор: Pouya Hashemi,Anirban Basu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Field effect transistor including a regrown contoured channel

Номер патента: US20150123205A1. Автор: Pouya Hashemi,Anirban Basu,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Field effect transistors including contoured channels and planar channels

Номер патента: US20150318303A1. Автор: Pouya Hashemi,Anirban Basu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20220059671A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11817489B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296464A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20230378310A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411454A1. Автор: Seok Jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

FinFET with dielectric isolation by silicon-on-nothing and method of fabrication

Номер патента: US09478549B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US09747930B2. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150091094A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-04-02.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20160043003A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-02-11.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150064855A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

BULK FINFET WITH SUPER STEEP RETROGRADE WELL

Номер патента: US20140159163A1. Автор: Doris Bruce B.,Shahidi Ghavam G.,Cai Jin,Dennard Robert H.,Chan Kevin K.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN,Linder Barry P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

FinFETs with Gradient Germanium-Containing Channels

Номер патента: US20150091099A1. Автор: Wu Zhiqiang,Huang Jiun-Jia,LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20140167172A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,CHEN Wan-Te,Kang Po-Zeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140191321A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDERIES Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20220310593A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

FINFET WITH UNIFORM SHALLOW TRENCH ISOLATION RECESS

Номер патента: US20180254273A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

MULTI-HEIGHT FINFETS WITH COPLANAR TOPOGRAPHY

Номер патента: US20140357034A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20150303116A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Multiple Channel Length Finfets with Same Physical Gate Length

Номер патента: US20150318282A1. Автор: Sengupta Rwik,Rodder Mark S.,Obradovic Borna. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20180350807A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

FINFET WITH SLOPED SURFACE AT INTERFACE BETWEEN ISOLATION STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200343141A1. Автор: LIU Chi-Wen,Huang Hsin-Chieh,Li Chih-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

FinFET with dielectric isolation by silicon-on-nothing and method of fabrication

Номер патента: US9219068B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Method and structure for finFET with finely controlled device width

Номер патента: US9082873B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING FINFETS WITH IMPROVED DOPED CHANNEL REGIONS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150294915A1. Автор: Liu Jinping,KIM Seung,LEE Bongki,KRISHNAN Bharat,TONG Weihua,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150340288A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Finfet with bowl-shaped gate isolation and method

Номер патента: US20230011218A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wan-Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US20170162217A1. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for manufacturing crystalline semiconductor film, substrate provided with crystalline semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: WO2011141949A1. Автор: 加藤智也,尾田智彦,大高盛. Владелец: パナソニック液晶ディスプレイ株式会社. Дата публикации: 2011-11-17.

Tunnel valve read sensor with crystalline alumina tunnel barrier deposited using room temperature techniques

Номер патента: US20170372731A1. Автор: Robert G. Biskeborn,Calvin S. Lo,Teya Topuria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: FI20175587A1. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2018-12-22.

SILICON-ON-INSULATOR WITH CRYSTALLINE SILICON OXIDE

Номер патента: US20200105576A1. Автор: KUZMIN Mikhail,LAUKKANEN Pekka,TUOMINEN Marjukka,MAKELA Jaakko,PUNKKINEN Marko,KOKKO Kalevi,LAHTI Antti,LEHTIÖ Juha-Pekka. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2020-04-02.

OPTOELECTRONIC DEVICES WITH THIN BARRIER FILMS WITH CRYSTALLINE CHARACTERISTICS THAT ARE CONFORMALLY COATED ONTO COMPLEX SURFACES TO PROVIDE PROTECTION AGAINST MOISTURE

Номер патента: US20140224317A1. Автор: Feist Rebekah K.,Campbell Stephen A.,Tosun Banu,Aydill Eray. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

TUNNEL VALVE READ SENSOR WITH CRYSTALLINE ALUMINA TUNNEL BARRIER DEPOSITED USING ROOM TEMPERATURE TECHNIQUES

Номер патента: US20170162217A1. Автор: Biskeborn Robert G.,Lo Calvin S.,Topuria Teya. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS WITH CRYSTALLINE SILICON

Номер патента: US20150380581A1. Автор: Johnson Michael C.,Smith David D.,Rim Seung Bum,Jaffrennou Périne,Tracy Kieran Mark,Tomada Princess Carmi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

TUNNEL VALVE READ SENSOR WITH CRYSTALLINE ALUMINA TUNNEL BARRIER DEPOSITED USING ROOM TEMPERATURE TECHNIQUES

Номер патента: US20170372731A1. Автор: Biskeborn Robert G.,Lo Calvin S.,Topuria Teya. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Composite substrate with crystalline seed layer and carrier layer with a coincident cleavage plane

Номер патента: WO2011004211A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for producing single crystal substrate with crystalline film, and device production method

Номер патента: JP6060348B2. Автор: 英雄会田,奈津子青田. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Integration of buried oxide layers with crystalline layers

Номер патента: US8008215B2. Автор: Sheila Tandon,Gale Petrich,Leslie Kolodziejski. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-08-30.

LED reflection plate, surface-mount light-emitting device and the lighting device and image display device that possess the light-emitting device that LED reflection plate is formed with crystallinity unsaturated polyester resin compositions, the shot-like particle comprising foregoing, the foregoing shot-like particle of shaping

Номер патента: CN104471732B. Автор: 小山智仁. Владелец: Japan U-Pica Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Device equipped with crystalline silicon type photovoltaic cells with surfaces of various geometries

Номер патента: FR3092215B1. Автор: Jeremy Sauvage,Baptiste Sinagra. Владелец: Groupe Adeo SA. Дата публикации: 2021-09-17.

Device equipped with crystalline silicon photovoltaic cells having surfaces with varied geometries

Номер патента: ES1278832U. Автор: Jeremy Sauvage,Baptiste Sinagra. Владелец: Groupe Adeo SA. Дата публикации: 2021-10-08.

Photovoltaic device with crystalline layer

Номер патента: WO2011116097A3. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Douglas Dauson. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2012-11-22.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: AU2018287109B2. Автор: Pekka Laukkanen,Jaakko Makela,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Antti Lahti,Kalevi Kokko,Marjukka Tuominen,Mikhail KUZMIN. Владелец: Turku University of. Дата публикации: 2023-02-16.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: RU2019136331A. Автор: Пекка ЛАУККАНЕН,Марко ПУНККИНЕН,Марьюкка ТУОМИНЕН,Михаил КУЗЬМИН,Яакко МЯКЕЛЯ,Антти ЛАХТИ,Калеви КОККО,Юха-Пекк ЛЕХТИЁ. Владелец: Турун Илиописто. Дата публикации: 2021-07-21.

Photovoltaic device with crystalline layer

Номер патента: US20110227131A1. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Douglas Dauson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B1. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide

Номер патента: IL270638B2. Автор: . Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-03-01.

Process for producing a semiconductor device using a crystalline insulating substrate

Номер патента: DE3065512D1. Автор: Nobuo Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-12-15.

Electron tube having internal glass member coated with crystalline ceramic material

Номер патента: US3787780A. Автор: J Powell. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-01-22.

Method of filling apertures with crystalline material

Номер патента: GB1557039A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-05.

Hollow resonator packed with crystalline alumina

Номер патента: JPS61112402A. Автор: デビツド　ジエラルド　ブレイアー. Владелец: University of Western Australia. Дата публикации: 1986-05-30.

Cryogenerator in transformer form - has amorphous core with crystalline structure and coil winding of zero resistance at temp. near absolute zero

Номер патента: FR2391542A1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-12-15.

COMPOSITIONS WITH CRYSTALLINE TRANS - (+/-) - DELTA-9-TETRAHYDROCANNABINOL

Номер патента: DE602006018466D1. Автор: Robert J Kupper. Владелец: Euro Celtique SA. Дата публикации: 2011-01-05.

Thin films with ppo base with crystalline nanoporous phases or active co-crystalline phases with chain orientation perpendicular to the film plane and procedure for the obtainment thereof

Номер патента: EP4247883A1. Автор: Gaetano Guerra,Christophe Daniel,Paola Rizzo,Nagendra Baku. Владелец: Materias SRL. Дата публикации: 2023-09-27.

Thin films with ppo base with crystalline nanoporous phases or active co-crystalline phases with chain orientation perpendicular to the film plane and procedure for the obtainment thereof

Номер патента: WO2022107021A1. Автор: Gaetano Guerra,Christophe Daniel,Paola Rizzo,Nagendra Baku. Владелец: MATERIAS S.r.l.. Дата публикации: 2022-05-27.

Purification of hydrolysed protein with crystalline zeolite

Номер патента: US4944953A. Автор: Guy J. Hartman,Gary G. Spyres. Владелец: TATE AND LYLE INGREDIENTS AMERICAS LLC. Дата публикации: 1990-07-31.

Thermoplastic polymer blends of ep or epdm polymer with crystalline polypropylene

Номер патента: CA1068039A. Автор: Paul T. Stricharczuk. Владелец: BF Goodrich Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Porous organic-inorganic hybrid materials with crystallinity and method for preparing thereof

Номер патента: US8507399B2. Автор: Jong-San Chang,Young Kyu HWANG,Dong Won Hwang,You-Kyong Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2013-08-13.

Porous organic-inorganic hybrid materials with crystallinity and method for preparing thereof

Номер патента: US20120289399A1. Автор: Jong-San Chang,Young Kyu HWANG,Dong Won Hwang,You-Kyong Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-15.

Piezoelectric ceramic materials based on lead zirconate titanate (PZT) with crystalline perovskite structure

Номер патента: ES2540898T3. Автор: Günter HELKE. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20210351273A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: EP4404908A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: US09546242B2. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US09834481B2. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,John Forrest Wight, Jr.,Thomas Richard Chapman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: CA3233098A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Catalytic conversion with crystalline zeolite product constituting ZSM-5/ZSM-11 intermediates

Номер патента: US4289607A. Автор: George T. Kokotailo. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Activated carbon composite with crystalline tin silicate

Номер патента: US6129846A. Автор: Kishor P. Gadkaree. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Selectively cracking gas oil with crystalline alumnosilicate

Номер патента: GB1059464A. Автор: . Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1967-02-22.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: EP2817274A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Thomas Richard Chapman,John Forrest Wight, Jr. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: EP2914640A1. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Multilayer reflective polarizer with crystalline low index layers

Номер патента: US12019258B2. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-06-25.

결정성 혼합 금속 수산화물 입자가 분산되어 있는 중합체성 복합재(Polymeric composites with crystalline mixed metal hydroxide particles dispersed therein)

Номер патента: KR980700367A. Автор: 클리브 피. 보스냑. Владелец: 더 다우 케미칼 캄파니. Дата публикации: 1998-03-30.

Reticle with crystalline substrate

Номер патента: TW538305B. Автор: Karl-Heinz Schuster,Christian Dr Wagner. Владелец: Zeiss Stiftung. Дата публикации: 2003-06-21.

Multilayer optical film with crystalline low index layers

Номер патента: US20240302583A1. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-09-12.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US20130224430A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Thomas Richard Chapman,John Forrest Wright, JR.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Honeycomb structure comprising a cement skin composition with crystalline inorganic fibrous material

Номер патента: US20170044066A1. Автор: Huthavahana Kuchibhotla Sarma,Mark Alan Lewis,Robert John Locker,Keith Norman Bubb,Thomas Richard Chapman,Kenneth Joseph Drury,Christopher Lane Kerr,Todd Parrish St Clair. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

CLEANING PRODUCT EXHIBITING INCREASED STABILITY WITH CRYSTALLINE PARTICLES

Номер патента: US20150060322A1. Автор: Bergstrom Joan M.,Konishi Gregory A.. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2015-03-05.

ARTICLES MADE FROM THERMOPLASTIC POLYURETHANES WITH CRYSTALLINE CHAIN ENDS

Номер патента: US20160083540A1. Автор: Lu Qiwei,Makal Umit G.,Day Roger W.,Steinmetz Bryce W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SHORTENING WITH CRYSTALLINE FAT

Номер патента: US20220174973A1. Автор: Metin Serpil,Smith Paul Raymond,DAVOLI ZACCARELLI Fernanda. Владелец: Cargill, Incorporated. Дата публикации: 2022-06-09.

Medical Device with Crystalline Drug Coating

Номер патента: US20150250772A1. Автор: Feng James Q.,KANGAS STEVEN L.,CHEN YEN-LANE,Zeng Hongxia. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2015-09-10.

MULTILAYER REFLECTIVE POLARIZER WITH CRYSTALLINE LOW INDEX LAYERS

Номер патента: US20210325587A1. Автор: Johnson Matthew B.,Johnson Stephen A.,Haag Adam D.,Edmonds William F.,Nevitt Timothy J.,Stover Carl A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

THERMOPLASTIC POLYURETHANES WITH CRYSTALLINE CHAIN ENDS

Номер патента: US20150299377A1. Автор: Lu Qiwei,Makal Umit G.,Day Roger W.,Steinmetz Bryce W.. Владелец: LUBRIZOL ADVANCED MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2015-10-22.

Acoustic Frequency Based System with Crystalline Transducer Module for Non-invasive Detection of Explosives, Contraband, and other Elements

Номер патента: US20190310230A1. Автор: Picolli Richard,Tortoriello Vincent. Владелец: GTBM, Inc.. Дата публикации: 2019-10-10.

HONEYCOMB STRUCTURE COMPRISING A CEMENT SKIN COMPOSITION WITH CRYSTALLINE INORGANIC FIBROUS MATERIAL

Номер патента: US20150344375A1. Автор: Wight,JR. John Forrest,Chapman Thomas Richard,Sarma Huthavahana Kuchibhotla. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Acoustic frequency based system with crystalline transducer module and mass comparator for non-invasive detection of explosives and contraband

Номер патента: US20180364198A1. Автор: Picolli Richard,Totoriello Vincent. Владелец: GTBM, Inc.. Дата публикации: 2018-12-20.

Multilayer Reflective Polarizer with Crystalline Low Index Layers

Номер патента: US20200355859A1. Автор: Stephen A. Johnson,Timothy J. Nevitt,Matthew B. Johnson,William F. Edmonds,Carl A. Stover,Adam D. Haag. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-11-12.

Polyolefin blend with crystalline block composite for PVC-free wear layers

Номер патента: KR102444017B1. Автор: 시아오송 우,로날드 제이. 윅스,레니샤 위크함. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2022-09-19.

Blends of sulfonated elastomers with crystalline polyolefins

Номер патента: US3974241A. Автор: Robert D. Lundberg,Robert R. Phillips,Jan Bock,Lowell Westerman. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1976-08-10.

Isoparaffin-olefin alkylation with crystalline zeolite catalysts at low isoparaffin to olefin ratios

Номер патента: US3647916A. Автор: Philip D Caesar,Werner O Haag,John J Wise. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Highly rut-resistant asphalt concrete with crystalline whiskers and steel-making slag and method for preparing the same

Номер патента: KR100796669B1. Автор: 나인태,안동춘. Владелец: 주식회사 효석. Дата публикации: 2008-01-22.

Composition with α-crystalline phase

Номер патента: JP6840850B2. Автор: ジ・ソン,シャオミン・ウェン,ハイクァン・ル. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2021-03-10.

Process for producing a silica glass crucible with crystalline areas from a porous silica glass green body

Номер патента: DE10156137B4. Автор: Fritz Dipl.-Chem. Dr. Schwertfeger,Holger Dipl.-Chem. Dr. Szillat,Christoph Dipl.-Phys. Dr. Frey,Ulrich Dipl.-Min. Dr. Lambert,Axel Dipl.-Ing. Frauenknecht. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2004-08-19.

Mesoporous silica materials with crystalline pore walls and Manufacturing method of the same

Номер патента: KR101251057B1. Автор: 박성수,하창식,조동원,추상욱. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-04-05.

PROCESS FOR PELLETIZING SUBSTANCES WITH CRYSTALLINE OR CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: DD207537A5. Автор: Franz J Gattys. Владелец: Gattys Ing Buero F J. Дата публикации: 1984-03-07.

Determining authenticity and geographic provenance of gems with crystalline structure comprises comparing ratios between values determined by shining light beam onto gem with homologous ratios from authentic gems

Номер патента: FR2796463A1. Автор: Bruno Sabot,Odile Barres,Alain Cheilletz,De Philippe Donato. Владелец: Mauboussin Successeur de Noury SA. Дата публикации: 2001-01-19.

Plastic granules contg. additives, partic. for melt spinning - with additives incorporated by fritting with crystalline plastics

Номер патента: FR2310851A1. Автор: . Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1976-12-10.

Process for manufacturing anisotropic permanent magnets with crystalline texture

Номер патента: FR1189958A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-10-08.

Fuel saving storage bricks - sun heat stored in glass bricks filled with crystalline soda

Номер патента: DE2360305A1. Автор: Joachim Marcus. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-07-17.

Hydrocarbon conversion with crystalline silicates

Номер патента: GB2075045B. Автор: . Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1984-02-15.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: US8404992B2. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Process for the preparation of amines from olefins with crystalline oxides based on aluminophophates having the structure of faujasite

Номер патента: SK281692B6. Автор: Peter Stops,Karsten Eller,Rudolf Kummer. Владелец: BASF AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2001-06-11.

THERMOPLASTIC POLYMERIC COMPOSITIONS OF EP OR EPDM POLYMER WITH CRYSTALLINE POLYPROPYLENE

Номер патента: FR2327278A1. Автор: . Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 1977-05-06.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SODIUM AND ALUMINUM SILICATES WITH CRYSTALLINE PREDOMINANCE AS WELL AS THE PRODUCTS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2379479A1. Автор: Helmut Derleth,Ludwig Walter,Karl-Heinrich Bretz,Artur Kurs. Владелец: Kali Chemie Ag. Дата публикации: 1978-09-01.

Components with crystalline coatings of the aluminum oxide / silicon oxide system and process for their production

Номер патента: DE10219812A1. Автор: Dirk Meyer,Alexandr Levin,Peter Paufler. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: EP2174743B1. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-21.

OXIDATION OF ACRYLIC ACID PROPANE BY USING CATALYSTS MIXED WITH CRYSTALLINE PHASES

Номер патента: FR2855516A1. Автор: Jean Luc Dubois,Manuel Baca,Jean Marc Millet. Владелец: Atofina SA. Дата публикации: 2004-12-03.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: KR101491585B1. Автор: 요시히토 가와무라,종현 김,히로노리 구로키,유지 야나기다,나오히사 사와이. Владелец: 가부시키가이샤 구로키고교쇼. Дата публикации: 2015-02-09.

Powder coating compositions with crystalline constituents that are stable in storage

Номер патента: US20100179273A1. Автор: Emmanouil Spyrou,Lars Hellkuhl. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of welding metallic glass with crystalline metal by high-energy beam

Номер патента: HK1145665A1. Автор: Jonghyun Kim,Hironori Kuroki,Yuji Yanagida,Yoshihito Kawamura,Naohisa Sawai. Владелец: Kuroki Kogyosho Kk. Дата публикации: 2011-04-29.

Macromolecular PTC composite material with crystalline polymer as matrix

Номер патента: CN103554588A. Автор: 黄长乐. Владелец: Anhui Huayin Mechanical and Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Aluminum oxides enriched with crystalline silicon.

Номер патента: DE69105196D1. Автор: Susan L Lambert. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1994-12-22.

Support base for the preparation of dehydroxylated catalysts with crystalline network, and process for preparing said catalysts

Номер патента: WO2000035582A3. Автор: Real Rafael Alfredo Diaz. Владелец: Real Rafael Alfredo Diaz. Дата публикации: 2000-10-26.

PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS WITH CRYSTALLINE MACITENTANE

Номер патента: DE14721256T1. Автор: Marijan STEFINOVIC,Johannes Raneburger,Ludwig ENGLMEIER. Владелец: SANDOZ AG. Дата публикации: 2017-03-16.

Lithium ferrous silicate anode material coated with crystalline carbon and preparation method thereof

Номер патента: CN102208647A. Автор: 蔡舒,周幸,燕子鹏,余其凯. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-10-05.

Shortening with crystalline fat

Номер патента: EP3945837A1. Автор: Paul Raymond Smith,Serpil Metin,Fernanda Zaccarelli Davoli. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for enhancing conductivity of grid line with crystalline silicon solar energy

Номер патента: CN102437235A. Автор: 李华,李文,崔鹏超,钱应五. Владелец: ZHEJIANG KINGO SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Posterior chamber type eye with crystalline lens ametropia correct glasses

Номер патента: CN101021622A. Автор: 王宁利,董喆,陈宇艺. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-22.

Magnesium omeprazole with crystallinity higher than 70% process for its preparation and its use in the manufacture of medicaments for inhibiting gastric acid secretion and for obtaining gastric mucosa protective activity

Номер патента: IL110190A. Автор: . Владелец: Astra AB. Дата публикации: 2000-07-26.

Purification of hydrolysed protein with crystalline zeolite

Номер патента: CA2014247A1. Автор: Guy J. Hartman,Gary G. Spyres. Владелец: TATE AND LYLE INGREDIENTS AMERICAS LLC. Дата публикации: 1990-11-19.

PROCEDURES FOR PELLETIZATION OF SUBSTANCES WITH CRYSTALLINES OR CRYSTLARIC STRUCTURE

Номер патента: DK44983D0. Автор: Franz Josef Gattys. Владелец: Gattys Ing Buero F J. Дата публикации: 1983-02-03.

Faraday insulator with crystalline magnetooptical rotator for high power lasers

Номер патента: RU2637363C2. Автор: Олег Валентинович Палашов,Евгений Александрович Миронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2017-12-04.

A method of white carbon black is prepared with crystalline silicon diamond wire cutting waste material

Номер патента: CN110342529A. Автор: 闫姝,李大纲,邢鹏飞,孙钰杰,都兴红,冯忠宝,庄艳歆. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2019-10-18.

Method and device for catalytic oxidation and reduction of gases and vapours with crystalline compounds of heavy metals and rare earths.

Номер патента: MX2007000657A. Автор: Christian Koch. Владелец: Christian Koch. Дата публикации: 2009-02-11.

Cracking with crystalline zeolite catalyst

Номер патента: CA923061A. Автор: B. Jones Henry,E. Nagle Richard,Dorrance P. Bunn, Jr.. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1973-03-20.

Method and device for producing cast ingot from aluminum alloy with crystalline structure with equal grain using technologies of layer-layer additive building and fast curing

Номер патента: RU2764250C1. Автор: Цин Дун,Цзяо ЧЖАН,Баодэ СУНЬ. Владелец: Шанхай Цзяотун Юниверсити. Дата публикации: 2022-01-14.

Powder coating compositions with crystalline constituents that are stable in storage

Номер патента: CN1952024A. Автор: E·斯皮罗,L·赫尔库尔. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2007-04-25.

DeNOx CATALYST LOADED WITH CRYSTALLINE ZEOLITES AND METHOD FOR PREPARATION OF THE SAME

Номер патента: KR20230073794A. Автор: 김대성,김종만,최지훈,전명표,김정유,울라 마흐붑,서민채. Владелец: 한국남동발전 주식회사. Дата публикации: 2023-05-26.

Shortening with crystalline fat.

Номер патента: MX2021011835A. Автор: Paul Raymond Smith,Serpil Metin,Davoli Fernanda Zaccarelli. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2021-11-12.

Acrylic polymer compositions with crystalline side chains and processes for their preparation

Номер патента: US20030055189A1. Автор: Zhenwen Fu,Hsing-Yeh Parker,Robert Gore,Richard Merritt,Scott Ibbitson,Martha Wolfersberger. Владелец: Wolfersberger Martha Alice Harbaugh. Дата публикации: 2003-03-20.

Process for the preparation of amines from olefins with crystalline oxides based on aluminophosphates having the structure of faujasite

Номер патента: EP0785185A1. Автор: Peter Stops,Rudolf Dr. Kummer,Karsten Dr. Eller. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1997-07-23.

Calcium carbonate hydroxodialuminates with crystalline phase in the form of hexagonal inserts

Номер патента: ES2394860T3. Автор: Wolfgang Wehner,Reiner Sauerwein,Manfred Sorgalla,Ludwig Edenharter,Alfred Reimer. Владелец: Nabaltec AG. Дата публикации: 2013-02-06.

Sintered body made of silicon nitride with crystalline grain boundary phases

Номер патента: DE69306271D1. Автор: Roger Lee Ken Matsumoto. Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1997-01-16.

Shaped body with crystalline like peripheral surfaces and its use

Номер патента: EP0808802A1. Автор: Josef A. Huber. Владелец: Josef A. Huber. Дата публикации: 1997-11-26.

COMPOSITION BASED ON AMORPHOUS BONE POLYMERS WITH CRYSTALLINE LATERAL CHAINS THAT CAN BE USED AS A TONER FOR ELECTROSTATOGRAPHIC DEVELOPMENT

Номер патента: IT973330B. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1974-06-10.

Metallic glasses with crystalline dispersions formed by electric currents

Номер патента: US20060137778A1. Автор: Jörg LÖFFLER,Troy Holland,Zuhair Munir. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2006-06-29.

Acoustic frequency based system with crystalline transducer module and mass comparator for non-invasive detection of explosives and contraband

Номер патента: US10317369B2. Автор: Richard Picolli,Vincent Totoriello. Владелец: GTBM Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Pure streptomycin concentrates prodn - from crude product with crystalline pyrosulphite,boracic acid and citrate

Номер патента: DE2237841B1. Автор: Ion; Almasanu Dumitru; Iaschi Pop (Rumänien). Владелец: Fabrica de Antibiotice Iaschi, Iaschi (Rumänien). Дата публикации: 1973-07-26.

Method for the production of a silica glass crucible with crystalline regions from a porous silica glass green body

Номер патента: KR100512802B1. Автор: 슈베르트페거 프리츠,스질라트 홀거,프레이 크리스토프,람베르트 울리흐,프라우엔크네흐트 악셀. Владелец: 와커-헤미 게엠베하. Дата публикации: 2005-09-07.

Toner with crystalline wax

Номер патента: DE602006007528D1. Автор: Raj D Patel,Stephan V Drappel,Sandra J Gardner,Louis V Isganitis,Tie Hwee Ng,Sonja Hadzidedic,Kevin F Marcell,David J Sanders,Timothy L Lincoln. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

8-cyano-1-cyclopropyl-7-(1s,6s)-2,8-diazabicyclo- [4.3.0]-nonane-8-yl)-6- fl uoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid with crystalline modification a and drug eliciting effect against pathogenic microorganisms

Номер патента: RU2247122C2. Автор: Томас Химмлер,Хуберт РАСТ,Вернер ХАЛЕНБАХ. Владелец: Байер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2005-02-27.

PIEZOACOUNIC THIN FILM RECESSOR WITH CRYSTALLINE ZINC OXIDE LAYER

Номер патента: DE502005008923D1. Автор: Matthias Schreiter,Reinhard Gabl,Mathias Link. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for the production of a silica glass crucible with crystalline regions from a porous silica glass green body

Номер патента: US20030159648A1. Автор: Axel Frauenknecht,Fritz Schwertfeger,Holger Szillat,Ulrich Lambert,Christoph Frey. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2003-08-28.

OXIDATION OF ACRYLIC ACID PROPANE BY USING CATALYSTS MIXED WITH CRYSTALLINE PHASES

Номер патента: FR2855516B1. Автор: Jean Luc Dubois,Manuel Baca,Jean Marc Millet. Владелец: Atofina SA. Дата публикации: 2005-07-08.

Thermoplastic polyurethanes with crystalline chain ends

Номер патента: ES2678168T3. Автор: Qiwei Lu,Umit G. Makal,Bryce W. Steinmetz,Roger W. Day. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Aluminum oxides enriched with crystalline silicon.

Номер патента: DE69105196T2. Автор: Susan L Lambert. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1995-03-23.

Sunscreen composition with crystalline organic sunscreen filters

Номер патента: AU2022348925A1. Автор: James Grant,David Gee,Cassandra WAGERS. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Low-drive current FinFET structure for improving circuit density of ratioed logic in SRAM devices

Номер патента: US09859286B2. Автор: Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Front-side conductive paste for crystalline silicon solar cell, preparation method therefor, and solar cell

Номер патента: US10868201B1. Автор: Yu Li,Xiaoli Liu,Delin Li,Fengzhen Sun. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Forming optical components using selective area epitaxy

Номер патента: US20240255698A1. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Front-side conductive paste for crystalline silicon solar cell, preparation method therefor, and solar cell

Номер патента: US20200388714A1. Автор: Yu Li,Xiaoli Liu,Delin Li,Fengzhen Sun. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Suzhou. Дата публикации: 2020-12-10.

Forming optical components using selective area epitaxy

Номер патента: US11988868B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Forming optical components using selective area epitaxy

Номер патента: US20220236485A1. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing monocrystalline thin-film

Номер патента: US4801351A. Автор: Masayoshi Koba,Toshiaki Miyajima,Katunobu Awane,Masashi Maekawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-01-31.

Optical device and method of manufacture

Номер патента: US20240280752A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Shih Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Catalytic active coating of ceramic cellular bodies, metal surfaces and other catalyst-carriers for systems for purification of spent air and combustion systems

Номер патента: RU2546115C2. Автор: Христиан КОХ,Людвиг-Христиан КОХ. Владелец: Христиан КОХ. Дата публикации: 2015-04-10.

Electron-optical plate

Номер патента: EP4439622A1. Автор: Johannes Cornelis Jacobus DE LANGEN,Bram Albertus LOOMAN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for manufacturing lithium metal phosphate

Номер патента: US09796589B2. Автор: Jong Min Kim,Dong Gyu Chang,Jae Seung Shin,Hyun A Song. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Microstructured crystalline device in confined space, a dye-sensitized solar cell, and method of preparation thereof

Номер патента: US20140124021A1. Автор: ASHOK KUMAR,Jing Wang,Arash Takshi,Manoj Kumar Ram,Sylvia W. Thomas,Mikhail Ladanov,Paula C. Algarin Amaris,Garrett Matthews. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-05-08.

Microstructured crystalline device in confined space, a dye-sensitized solar cell, and method of preparation thereof

Номер патента: US09691554B2. Автор: ASHOK KUMAR,Jing Wang,Arash Takshi,Manoj Kumar Ram,Sylvia W. Thomas,Mikhail Ladanov,Paula C. Algarin Amaris,Garrett Matthews. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-06-27.

Microstructured crystalline device in confined space, a dye-sensitized solar cell, and method of preparation thereof

Номер патента: US09443662B2. Автор: ASHOK KUMAR,Jing Wang,Arash Takshi,Manoj Kumar Ram,Sylvia W. Thomas,Mikhail Ladanov,Paula C. Algarin Amaris,Garrett Matthews. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-09-13.

Microstructured Crystalline Device In Confined Space, A Dye-Sensitized Solar Cell, and Method of Preparation Thereof

Номер патента: US20160351341A1. Автор: ASHOK KUMAR,Jing Wang,Arash Takshi,Manoj Kumar Ram,Sylvia W. Thomas,Mikhail Ladanov,Paula C. Algarin Amaris,Garrett Matthews. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-12-01.

SILICON COMPOSITE ANODE MATERIALS FOR Li-ION BATTERIES

Номер патента: US20230317935A1. Автор: Zheng Chen,Ying Zhang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-10-05.

Improvements in or relating to electron discharge devices

Номер патента: GB792507A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric International Co. Дата публикации: 1958-03-26.

Method of forming a piezo-electric transducing device

Номер патента: US11758816B2. Автор: Gwenael Le Rhun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-12.

Sheet of nonwoven fabric and extracting filter and packet made from it

Номер патента: RU2654183C2. Автор: Наоко ЯМАГУЧИ,Митсунори САИТОН,Масахиро НАКАМУРО. Владелец: Оки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-16.

Model of stationary plasma engine

Номер патента: RU2509228C2. Автор: Валерий Георгиевич Островский,Сергей Александрович Кропотин,Александр Алексеевич Смоленцев,Александр Викторович Бутрин,Денис Валериевич Черашев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2014-03-10.

Method of obtaining fine-crystalline bemite and its application as antipyrene in plastics

Номер патента: RU2353583C2. Автор: Альфред РАЙМЕР,Манфред ЗОРГАЛЛА,Райнер З АУЕРВАЙН,Людвиг ЭДЕНХАРТЕР. Владелец: Набальтек Аг. Дата публикации: 2009-04-27.

New crystalline forms of perindopril erbumine

Номер патента: CA2530550A1. Автор: Roger Faessler,Vit Lellek,Christoph Straessler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-08.

Molded article of crystalline thermoplastic resin with high gas barrier property and production thereof

Номер патента: CA2064862C. Автор: Tomonori Takahashi,Takashi Ishida,Masato Kimura. Владелец: Nippon Petrochemicals Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Reinforced Polypropylene

Номер патента: GB1174943A. Автор: . Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1969-12-17.

Extreme creep resistant nano-crystalline metallic materials

Номер патента: US20180229308A1. Автор: Rajiv S. Mishra,Kristopher A. Darling,Mansa Rajagopalan,Laszlo J. Kecskes,Yuri Mishin,Kiran N. Solanki. Владелец: UNIVERSITY NORTH TEXAS. Дата публикации: 2018-08-16.

Nanocrystalline high temperature machine parts

Номер патента: US20190119788A1. Автор: Kristopher Allen Darling,Scott Martin Grendahl,Billy Chad Hornbuckle,Anthony James Roberts,Kiran N. Solanki,Laszlo John Kecskes,Heather Ann Murdoch,Thomas Lee Luckenbaugh. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2019-04-25.

Polymorphic form of tg02 for treating cancer

Номер патента: US20240254141A1. Автор: Robert K. Mansfield,Tracy PARROTT. Владелец: Cothera Bioscience Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Polymorphic form of tg02 for treating cancer

Номер патента: US20240254142A1. Автор: Robert K. Mansfield,Tracy PARROTT. Владелец: Cothera Bioscience Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of producing crystalline glycerophosphatidylcholine

Номер патента: RU2685238C1. Автор: Евгений Юрьевич Белов,Евгений Александрович Черторижский,Ильсур Наэлович Гайнеев,Ариф Мурсали Оглы Азизов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФАРМАЦЕЛЬ". Дата публикации: 2019-04-17.

Polymorphic form of tg02

Номер патента: EP4364741A3. Автор: Robert K. Mansfield,Tracy PARROTT. Владелец: Cothera Bioscience Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Olefin isomerization with small crystallite zeolite catalyst

Номер патента: EP4240712A1. Автор: David W. Leyshon,Rick B. WATSON. Владелец: Lyondell Chemical Technology LP. Дата публикации: 2023-09-13.

Polymorphic form of TG02 for treating cancer

Номер патента: US12043630B2. Автор: Robert K. Mansfield,Tracy PARROTT. Владелец: Cothera Bioscience Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Crystal form of tafamidis and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US11795152B2. Автор: Jing Zhang,Minhua Chen,Siming ZOU. Владелец: Crystal Pharmaceutical Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Crystal form of tafamidis and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20210363116A1. Автор: Jing Zhang,Minhua Chen,Siming ZOU. Владелец: Crystal Pharmaceutical Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Polyolefin composition with improved impact strength

Номер патента: RU2699996C1. Автор: Георг Грестенбергер,Даниэла Милева,Сусанна КАХЛЕН,Михаэль ДЖЕРАБЕК. Владелец: Бореалис Аг. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for producing crystalline glucose isomerase

Номер патента: US5120650A. Автор: Kalevi Visuri. Владелец: Stabra AG. Дата публикации: 1992-06-09.

Method of producing xenon 128 54xe from pure iodine 127 53j

Номер патента: RU2741315C1. Автор: Сергей Сергеевич Безотосный,Павел Афиногенович Пономаренко,Олег Павлович Синицин,Виталий Федорович Тишков,Мария Александровна Фролова. Владелец: Виталий Федорович Тишков. Дата публикации: 2021-01-25.

Method of substituting heteroatom of crystalline lattice on borosilicate zeolites with large and very large pores

Номер патента: RU2283277C2. Автор: Сонг-Ян ЧЕН,Стейси И. ЗОУНС. Владелец: Шеврон Ю.Эс.Эй. Инк.. Дата публикации: 2006-09-10.

Lithium silicate glass-ceramic and lithium silicate glass comprising pentavalent metal oxide

Номер патента: RU2648447C2. Автор: Кристиан РИТЦБЕРГЕР,Эльке АПЕЛЬ,Вольфрам ХЕЛАНД,Фолькер РАЙНБЕРГЕР. Владелец: Ивоклар Вивадент Аг. Дата публикации: 2018-03-26.

Method of producing iodine-doped carbon nanotubes

Номер патента: RU2687447C1. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Марина Владимировна Богдановская. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЦЕНТРА "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ" (НИЦ "Курчатовский институт - ИРЕА"). Дата публикации: 2019-05-13.

Wall fireplace on solid fuel, installed near wall or built-in to wall

Номер патента: RU2365823C2. Автор: Габи-Ив БАЛД,Фредерик ХААС. Владелец: Фондис. Дата публикации: 2009-08-27.

Iodine storage and supply system (versions) and method of determining flow rate and remaining weight of iodine therein

Номер патента: RU2696832C1. Автор: Павел Александрович Щербина,Иван Борисович Сишко,Александр Викторович Шиповский. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2019-08-06.

Casting pattern and method its application

Номер патента: RU2432223C2. Автор: Детлеф КУБЕ,Маркус ШПАЙХЕР. Владелец: Немак Диллинген Гмбх. Дата публикации: 2011-10-27.

Determination of laminar article authentication

Номер патента: RU2567068C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Алексей Витальевич САЛУНИН,Юрий Алексеевич Портнягин,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Игоревич Мочалов,Игорь Васильевич Павлов,Галина Сергеевна Баранова,Ошир Яизгилович Манаширов,Виктор Андреевич Воробьев,Георгий Валентинович Корнилов,Александр Михайлович Ширимов,Александра Александровна Торгашова,Николай Андреевич Шавард. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2015-10-27.

Method of producing copper dispersed particles by electrochemical method

Номер патента: RU2708719C1. Автор: Ирина Вячеславовна Одинокова,Галина Юрьевна Остаева,Ирина Юрьевна Исаева,Екатерина Александровна Елисеева,Владимир Иосифович Бусько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ)". Дата публикации: 2019-12-11.

Iodine storage and supply system

Номер патента: RU2650450C2. Автор: Павел Александрович Щербина,Валерий Георгиевич Островский. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2018-04-13.

Long-acting limus formulation on balloon catheters

Номер патента: US09539369B2. Автор: Daniel Peters. Владелец: InnoRa GmbH. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of utilizing regenerative cartridges and briquettes of additional oxygen supply with expired service life

Номер патента: RU2631078C1. Автор: Борис Васильевич Серебренников,Валерий Владимирович Красильников,Евгений Борисович Поторопин,Татьяна Викторовна Соловьева,Сергей Вячеславович Солошин,Илона Георгиевна Медвецкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2017-09-18.

Method of processing salt solution wastes containing a mixture of sulphates and nitrates of ammonium and sodium

Номер патента: RU2716048C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Храпов,Константин Владимирович Федотов,Владимир Зотович Пойлов,Сергей Николаевич Новиков,Андрей Георгиевич Старостин,Андрей Александрович Мелехин. Владелец: Акционерное общество "Газпромнефть - Омский НПЗ" (АО "Газпромнефть-ОНПЗ"). Дата публикации: 2020-03-05.

Process for manufacturing friction material, inorganic liqud binder, use of liquid binder for manufacturing friction material, and friction material

Номер патента: US20240018401A1. Автор: Carlos Henrique Selle PEREIRA,Alexandre CASARIL,Robinson Carlos Dudley CRUZ. Владелец: FRAS-LE SA. Дата публикации: 2024-01-18.

Номер патента: CA2685761A1. Автор: WOLFGANG Haap,Pascal Dott,Olaf Grassmann,Roland Meier,Jean-Michel Adam,Alexander Glomme,Andre Bubendorf,Annette Deynet-Vucenovic,Martin Kuentz. Владелец: F. Hoffmann-La Roche. Дата публикации: 2008-11-20.

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH MERGED FINS AND VERTICAL SILICIDE

Номер патента: US20130164890A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

High modulus of elasticity synthetic yarns mfr. - by stretching filaments with crystallinity more than 30 per cent and rapidly cooling at nozzle outlet (NL 3.10.78)

Номер патента: IT1075370B. Автор: Giancarlo Locati. Владелец: Snam Progetti. Дата публикации: 1985-04-22.

Номер патента: RU2444800C1. Автор: Валерия Алексеевна Суворова,Андрей Михайлович Ковальский,Алексей Рэдович Котельников,Галина Мамаджановна Ахмеджанова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт экспериментальной минералогии РАН. Дата публикации: 2012-03-10.

Method of surgical management of cataract

Номер патента: RU2411023C2. Автор: Игорь Глебович Сметанкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородская государственная медицинская академия "Нижегородская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО НижГМА Росздрава). Дата публикации: 2011-02-10.

Номер патента: RU2343950C1. Автор: Яков Израильевич Коренман,Павел Тихонович Суханов,Наталья Юрьевна Санникова,Наталь Юрьевна Санникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2009-01-20.

Method of producing powdered trisulphides of europium, lanthanide and copper

Номер патента: RU2434809C1. Автор: Олег Валерьевич Андреев,Анна Валерьевна Русейкина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2011-11-27.

Direct-current machine

Номер патента: RU2187191C2. Автор: О.В. Морозов,О.В. Мартынов,С.С. Атюнин,В.А. Деканов. Владелец: Морозов Олег Витальевич. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of optimising of thermoelectric battery operating conditions with due allowance for geometrical and thermophysical parametres in pulsed supply

Номер патента: RU2417356C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2011-04-27.

Training stand for shooting learning

Номер патента: RU2337302C1. Автор: ков Сергей Александрович Пол,Сергей Александрович Поляков,Виталий Федорович Кочетов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "73 Центральный завод полигонного и учебного оборудования" Министерства обороны Российской Федерации (ФГУП "73 ЦЗПУО" МО РФ). Дата публикации: 2008-10-27.

Partially amorphicized polyvinyl alcohol

Номер патента: RU2234518C1. Автор: А.А. Кузнецов,В.В. Бойко,Г.К. Семенова. Владелец: Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН. Дата публикации: 2004-08-20.

Small-sized phase shifter of microwave range

Номер патента: RU2510551C1. Автор: Юрий Васильевич Гуляев,Александр Степанович Бугаев,Александр Юрьевич Митягин,Галина Викторовна Чучева,Михаил Сергеевич Афанасьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of cataract phacoemulsification in case of cristalline lens subluxation resulting from weakness of zinn's ligaments or their disruption

Номер патента: RU2376962C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Борис Эдуардович Малюгин (RU),Андрей Владимирович Головин (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2009-12-27.

Improvements in the Manufacture and Production of Felted, or Matted, Goods, or Fabrics, from Fibres, or Fibrous Material.

Номер патента: GB190402680A. Автор: James Yate Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-06-02.

Sacharose determination method

Номер патента: RU2023257C1. Автор: В.К. Шорманов,М.Д. Ванина,М.В. Питерская. Владелец: Шорманов Владимир Камбулатович. Дата публикации: 1994-11-15.

Method for pupil dilatation

Номер патента: RU2054916C1. Автор: Х.П. Тахчиди. Владелец: Акционерное общество закрытого типа - Екатеринбургский центр Межотраслевого научно-технического комплекса "Микрохирургия глаза". Дата публикации: 1996-02-27.

Finfet with crystalline insulator

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты