FinFET with Two Fins on STI

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method and device for finfet with graphene nanoribbon

Номер патента: US20180006031A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Bulk finfet with fin channel height uniformity and isolation

Номер патента: US20200328289A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD OF MANUFACTURING FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND FINFET STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20200119001A1. Автор: GAO JIAN,Xu Guowei,Shu Jiehui,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09711412B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09425102B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

FinFET with ESD protection

Номер патента: US09461170B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFETs with Different Fin Heights

Номер патента: US20150111355A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Multiple channel length finFETs with same physical gate length

Номер патента: US09466669B2. Автор: RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

High mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20190259672A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

FinFETs with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US09741717B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20180102362A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

FinFETs with multiple threshold voltages

Номер патента: US09472638B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Po-Chin Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

METHOD AND DEVICE FOR FINFET WITH GRAPHENE NANORIBBON

Номер патента: US20180006031A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20160093614A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Finfet with oxidation-induced stress

Номер патента: US20150357470A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Finfets with various fin height

Номер патента: US20190035816A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US12094779B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09859380B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Finfets with various fin height

Номер патента: US20190035816A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170179291A1. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Dielectric isolated SiGe fin on bulk substrate

Номер патента: US09947748B2. Автор: Shogo Mochizuki,Huiming Bu,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US20210391460A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

finFET with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US11916142B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

A finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: WO2021257311A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-12-23.

Short gate on active and longer gate on sti for nanosheets

Номер патента: WO2023083601A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Wenyu Xu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Short gate on active and longer gate on sti for nanosheets

Номер патента: US20230154982A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Short gate on active and longer gate on STI for nanosheets

Номер патента: US11843031B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

INTEGRATION METHOD FOR FINFET WITH TIGHTLY CONTROLLED MULTIPLE FIN HEIGHTS

Номер патента: US20180158737A1. Автор: Kim Seiyon,Kavalieros Jack T.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Fet one-device memory cells with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1079866A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

FINFET WITH POST-RMG GATE CUT

Номер патента: US20170148682A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Dielectric isolated SiGe fin on bulk substrate

Номер патента: US09595599B1. Автор: Shogo Mochizuki,Huiming Bu,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

FinFET with improved SEU performance

Номер патента: US09543382B1. Автор: Wen Wu,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Wei-Hsiung Tseng,Andrew Joseph Kelly,Pei-Shan Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

FinFET with dielectric isolated channel

Номер патента: US09825174B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09947763B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Bulk finfet with self-aligned bottom isolation

Номер патента: WO2019099143A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Periannan Chidambaram,Cimang Lu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-23.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US09941385B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09536979B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Finfets with reduced parasitics

Номер патента: US20240055524A1. Автор: Wenjun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20170025312A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20180102362A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US20150187816A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170207126A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FinFET) WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170236933A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,CHEN Wan-Te,Kang Po-Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Multiple fin finfet with low-resistance gate structure

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Triple gate and double gate finFETs with different vertical dimension fins

Номер патента: US8207027B2. Автор: Huilong Zhu,Yue Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Germanium FinFETs with metal gates and stressors

Номер патента: US09698060B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Epitaxial growth of silicon for finfets with non-rectangular cross-sections

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Hans-Jürgen Thees,Ran Ruby YAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US09917194B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

FinFET with isolation

Номер патента: US09620642B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748142B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFETs with reduced parasitic capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US09564353B2. Автор: Yu-Lien Huang,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Finfet with insulator under channel

Номер патента: US20150021663A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

EPITAXIAL GROWTH OF SILICON FOR FINFETS WITH NON-RECTANGULAR CROSS-SECTIONS

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Hoentschel Jan,Richter Ralf,Thees Hans-Jürgen,YAN Ran Ruby. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20180083103A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140252469A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

MULTIWIDTH FINFET WITH CHANNEL CLADDING

Номер патента: US20150214365A1. Автор: Xie Ruilong,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-30.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

FinFET with rounded source/drain profile

Номер патента: US09831345B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09786737B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US10243042B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365659A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09985109B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

FinFET with merged, epitaxial source/drain regions

Номер патента: US09882054B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Preserving the seed layer on sti edge and improving the epitaxial growth

Номер патента: US20160343607A1. Автор: Jing Wan,Cuiqin XU,Padmaja NAGAIAH,Jer-Hueih(James) CHEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Finfet with reduced parasitic capacitence

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

FinFET with reduced source and drain resistance

Номер патента: US09443977B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180114846A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITENCE

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

FINFET WITH HIGH-K SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190259619A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Tabakman Keith. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20190259852A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit having FinFETS with different fin profiles

Номер патента: US09583398B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit having FINFETs with different fin profiles

Номер патента: CN103515390A. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365B. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365A. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-03.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20140001562A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20170047327A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ando Takashi,Lauer Isaac,Shahidi Ghavam G.,Dennard Robert H.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09559018B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-31.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09496185B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: EP2253013A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-24.

Dual channel finfet with relaxed pfet region

Номер патента: US20160284607A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US09418900B1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming iv fins and iii-v fins on insulator

Номер патента: US20160093695A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-19.

FinFET with trench field plate

Номер патента: US09698227B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: TW200633076A. Автор: Kerry Bernstein,Brent A Anderson,Edward J Nowak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-09-16.

FinFET with dual workfunction gate structure

Номер патента: US09698270B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20180040738A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH P/N STACKED FINS

Номер патента: US20180076314A1. Автор: JENG Chi-Cherng,HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,CHEN Hung-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-15.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20160141205A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20170179301A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150236160A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20160240652A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Multiwidth finFET with channel cladding

Номер патента: US09954104B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

FinFET with source/drain coating

Номер патента: CN106158958B. Автор: 吴志强,江国诚,冯家馨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

Finfets with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US20240363420A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

FinFETs with source/drain cladding

Номер патента: US09941406B2. Автор: Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20130149826A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-13.

Finfet with Heterojunction and Improved Channel Control

Номер патента: US20190043987A1. Автор: Moroz Victor,Smith Stephen,Lu Qiang. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2019-02-07.

SILICON GERMANIUM FINFET WITH LOW GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FINFET WITH REDUCED EXTENSION RESISTANCE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200127123A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,RODDER Mark Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

FINFETS WITH VARIOUS FIN HEIGHT

Номер патента: US20180197886A1. Автор: Cheng Kangguo,Hook Terence B.,Miao Xin,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

FinFET with merge-free fins

Номер патента: US09947791B2. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeg Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20170194323A1. Автор: Liaw Jhon-Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20150228648A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160233246A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

FINFET WITH DUAL WORK FUNCTION METAL

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

FinFETs with Reduced Parasitic Capacitance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140225219A1. Автор: HUANG Yu-Lien,Lu Kun-Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

High mobility plane finfets with equal drive strength

Номер патента: US20070111410A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US12132080B2. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Finfet with reduced series total resistance

Номер патента: EP3513436A1. Автор: Ukjin Roh,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

SiGe FinFET with improved junction doping control

Номер патента: US09443963B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160358775A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20150287810A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748143B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Finfet with stressors

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

FinFETs with contact-all-around

Номер патента: US09911830B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical finfet with strained channel

Номер патента: US09614077B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09455320B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Finfet with sigma cavity with multiple epitaxial material regions

Номер патента: US20150097197A1. Автор: Michael Ganz,Johannes M. van Meer,Bharat V. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

FINFET WITH MULTIPLE CONCENTRATION PERCENTAGES

Номер патента: US20150001595A1. Автор: Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

FINFET WITH CONFINED EPITAXY

Номер патента: US20160005868A1. Автор: CHOI Dae-Han,WAN Jing,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

FINFET WITH BACK-GATE

Номер патента: US20160020326A1. Автор: Mazure Carlos,HOFMANN Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

FINFET WITH DOPED ISOLATION INSULATING LAYER

Номер патента: US20170025535A1. Автор: Wu Cheng-Ta,You Wei-Ming,Wang Ting-Chun,WU J.W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20180033857A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

FINFET WITH SHORTER FIN HEIGHT IN DRAIN REGION THAN SOURCE REGION AND RELATED METHOD

Номер патента: US20220052158A1. Автор: Li Wenjun,Gu Man. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

System and Method of Fabricating ESD FinFET With Improved Metal landing in the Drain

Номер патента: US20200051972A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

FINFET WITH REDUCED SERIES TOTAL RESISTANCE

Номер патента: US20180076326A1. Автор: Roh Ukjin,Ekbote Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

FINFET WITH HETEROJUNCTION AND IMPROVED CHANNEL CONTROL

Номер патента: US20160087099A1. Автор: Moroz Victor,Lu Qiang,Smith Stephen L.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING BULK FINFET WITH UNIFORM CHANNEL HEIGHT

Номер патента: US20180097091A1. Автор: Cheng Kangguo,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

FINFET WITH ISOLATION

Номер патента: US20150162436A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,QUEK Elgin Kiok Boone. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170162650A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190165095A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20220310593A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

FORMING FINFET WITH REDUCED VARIABILITY

Номер патента: US20200235204A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150263093A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180254340A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA Murali V R M. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING ESD FINFET WITH IMPROVED METAL LANDING IN THE DRAIN

Номер патента: US20190252370A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

FINFET WITH ENHANCED EMBEDDED STRESSOR

Номер патента: US20140357037A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

Enhancement-mode fets and depletion-mode fets with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1088676A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Dual Die Integrated Circuit System in an Integrated Circuit Package with two Separate Supply Domains

Номер патента: US20240088112A1. Автор: Ingo Freund,Paolo Marozzi. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Opto-Electronic Device With Two-Dimensional Injection Layers

Номер патента: US20180062040A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Opto-Electronic Device With Two-Dimensional Injection Layers

Номер патента: US20190027650A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Integrated circuit card with two connection modes

Номер патента: AU3944597A. Автор: Christophe Fletout,Benoit Thevenot,Pascal Billebaud,Thierry Bitschnau. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1998-02-25.

Finfet with undoped body bulk

Номер патента: US20150340502A1. Автор: Shom Ponoth,Hemant Vinayak Deshpande. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: EP3105796A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: WO2015123305A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US9293581B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US09911829B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Finfet with top body contact

Номер патента: US20090001464A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack A. Mandelman,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

FinFET with undoped body bulk

Номер патента: CN105097935A. Автор: 肖姆·波诺斯,赫曼特·维纳亚克·德什潘德. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: WO2009101564A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for quadruple frequency FinFETs with single-fin removal

Номер патента: US09673055B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: CN103515422A. Автор: 蔡国强,丁国强,沈俊良,吴集锡,李后儒,梁春升,赖高廷. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: US09997629B2. Автор: Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: US20150228795A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,Chidi Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

FinFET with novel body contact for multiple Vt applications

Номер патента: US20120007180A1. Автор: Jae Gon Lee,Chunshan YIN,Kian Ming Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20180012989A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2018-01-11.

FINFETS WITH STRAINED WELL REGIONS

Номер патента: US20150054040A1. Автор: LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20180090608A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20160126343A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

FINFET WITH DUAL WORKFUNCTION GATE STRUCTURE

Номер патента: US20140217479A1. Автор: Hsieh Wen-Hsing,Colinge Jean-Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20190140075A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Leung Ying-Keung,Diaz Carlos H. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140239402A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

FINFET WITH WIDE UNMERGED SOURCE DRAIN EPI

Номер патента: US20160163826A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FinFET with an Asymmetric Source/Drain Structure and Method of Making Same

Номер патента: US20140252477A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,Chen Wei-yu,YANG KUO-NAN,GUO Ta-Pen,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20140252489A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20140264590A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20140284667A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

FINFET WITH ISOLATED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150221726A1. Автор: Kim Tae-Hoon,Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20190237572A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

MULTI-HEIGHT FINFETS WITH COPLANAR TOPOGRAPHY BACKGROUND

Номер патента: US20140353752A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

BULK FINFET WITH PARTIAL DIELECTRIC ISOLATION FEATURING A PUNCH-THROUGH STOPPING LAYER UNDER THE OXIDE

Номер патента: US20150001591A1. Автор: Jacob Ajey P.,Akarvardar Murat K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

FINFET WITH STRESSORS

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Toh Eng Huat,Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160064530A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

FINFET WITH RELAXED SILICON-GERMANIUM FINS

Номер патента: US20150097270A1. Автор: Bedell Stephen W.,Schepis Dominic J.,Stoker Matthew W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-09.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

FINFET WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY CHANNEL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH SEPARATED DOUBLE GATES ON BULK SILICON

Номер патента: US20150236130A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Xu Xiaoyan,Li Jia. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-20.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20140035043A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20140170825A1. Автор: Wang Junli,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun,Yin Yunpeg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150102428A1. Автор: Reznicek Alexander,Adam Thomas N.,Fogel Keith E.,Li Jinghong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Methods for Forming FinFETs with Self-Aligned Source/Drain

Номер патента: US20140187011A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

FINFET WITH ACTIVE REGION SHAPED STRUCTURES AND CHANNEL SEPARATION

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH VERTICAL SILICIDE STRUCTURE

Номер патента: US20140339640A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Yeh Chun-chen. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

BULK FINFET WITH CONTROLLED FIN HEIGHT AND HIGH-K LINER

Номер патента: US20140353721A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

FINFET WITH UNIFORM SHALLOW TRENCH ISOLATION RECESS

Номер патента: US20180254273A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Socket equipped with two plugs

Номер патента: RU2598536C2. Автор: Мартен ОМЭТР. Владелец: Легран Снс. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrical connector with two guiding posts

Номер патента: US09425551B2. Автор: Hsin Chih Chen. Владелец: Oupiin Electronic Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Plug assembly and receptacle assembly with two rows

Номер патента: US12088050B2. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

PCB with two rows of solder pads including both SMT-based and DIP-based structures

Номер патента: US09907187B1. Автор: Te-Chih Tseng. Владелец: Simula Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Electromagnetic drive with two steady states for medium voltage automatic switch

Номер патента: RU2540114C2. Автор: Христиан РОЙБЕР. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-02-10.

Electromagnetic relay with two steady positions

Номер патента: RU2548904C2. Автор: Филипп ГРУНЕР. Владелец: Клоди, Л.Л.С.. Дата публикации: 2015-04-20.

Plug assembly and receptacle assembly with two rows

Номер патента: US20230253743A1. Автор: Kent E. Regnier. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Board-to-board connector and arrangement with two circuit boards

Номер патента: EP2115818A1. Автор: Pauli Havukainen,Tarmo Karhapaa. Владелец: Lite On Mobile Oyj. Дата публикации: 2009-11-11.

Board-to-board connector and arrangement with two circuit boards

Номер патента: WO2008046968A1. Автор: Pauli Havukainen,Tarmo Karhapaa. Владелец: Perlos Oyj. Дата публикации: 2008-04-24.

Three-dimensional (3d) inductor with two-side bonding wires

Номер патента: US20240321507A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Jui-Yi Chiu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional (3d) inductor with two-side bonding wires

Номер патента: WO2024205889A1. Автор: Kai Liu,Jonghae Kim,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Mechanism with two fixed positions and electric control device comprising this mechanism

Номер патента: RU2444079C2. Автор: Ги КОТТОН. Владелец: Легран Снс. Дата публикации: 2012-02-27.

Tool with two shanks and two handles

Номер патента: US5520040A. Автор: Lennart Pettersson. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 1996-05-28.

Phased array antenna system with two dimensional scanning

Номер патента: EP2027625A1. Автор: Philip Edward Haskell. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Phased array antenna system with two dimensional scanning

Номер патента: EP2027625B1. Автор: Philip Edward Haskell. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-01-06.

Phased array antenna system with two dimensional scanning

Номер патента: WO2007141484A1. Автор: Philip Edward Haskell. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2007-12-13.

Puffer interrupter with two-piece interrupter contact

Номер патента: CA1137531A. Автор: Guido Huser. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1982-12-14.

Cables having buffer elements formed with two-dimensional fillers

Номер патента: US11953746B1. Автор: Bo Xu,Christopher W. McNutt. Владелец: Superior Essex International LP. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrical connector having deep drawn sleeve with two parts of different dimensions

Номер патента: US20200136299A1. Автор: Jun Zhao,Cai-Yun Zhang. Владелец: Fuyu Electronic Technology Huaian Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Magnetic actuation mechanism with two-element lateral plates for automatic switch

Номер патента: RU2547445C2. Автор: Христиан РОЙБЕР. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-04-10.

Multiple beam glide slope radio navigation method with two classes of beams

Номер патента: CA1054699A. Автор: Donald J. Toman. Владелец: Tull Aviation Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Magnetoresistive material with two metallic magnetic phases

Номер патента: CA2341857A1. Автор: Richard J. Gambino,Taewan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-09.

High power rechargeable flashlight with two way universal serial bus

Номер патента: CA2858623C. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Vector Products Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

MULTI-FIN FINFETS WITH MERGED-FIN SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20150187815A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160204132A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDERIES Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

Driver circuit with two cascading half-bridge drivers for actuating three transistors

Номер патента: US20240291474A1. Автор: Veit Wagenseil. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Capacitive microphone with two signal outputs that are additive inverse of each other

Номер патента: US11765534B2. Автор: Guanghua Wu,Xingshuo Lan,Zhixiong Xiao. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Capacitive microphone with two signal outputs that are additive inverse of each other

Номер патента: US11765533B2. Автор: Guanghua Wu,Xingshuo Lan,Zhixiong Xiao. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Electromagnetic brake with two independent front disks

Номер патента: EP1001508A3. Автор: Giancarlo Bonfiglioli. Владелец: Gibierre Srl. Дата публикации: 2001-08-22.

Synchronous electric machine with two rotors

Номер патента: US09780632B2. Автор: Antonio Fricasse. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2017-10-03.

Server rack with two-phase loop recirculation

Номер патента: US11825637B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Device with two coaxial rotors

Номер патента: RU2645725C2. Автор: Йохан Нико СТАНДЕР. Владелец: Стелленбосский Университет. Дата публикации: 2018-02-28.

Recording/reproducing apparatus with two systems

Номер патента: US20040013410A1. Автор: Hiroyuki Miyazaki,Eiichirou Takinami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

A concept for a device with two communication devices

Номер патента: WO2022053186A1. Автор: Guilherme Pereira,Alaa Mourad,Walter Bronzi. Владелец: Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2022-03-17.

Workpiece clamp with two alternately applicable compression rings

Номер патента: EP1476273A1. Автор: Beat Ammann. Владелец: Ballado Investments Inc. Дата публикации: 2004-11-17.

A defibrillator with two or more independently selectable, and independently operable, power sources

Номер патента: WO2024095282A1. Автор: Aniruddha ATRE,Ashish Gawade. Владелец: Atre Aniruddha. Дата публикации: 2024-05-10.

Unipolar or bipolar decoupling converter with two magnetically connected windings

Номер патента: RU2451387C2. Автор: Бертран ЛАКОМБ. Владелец: Испано Сюиза. Дата публикации: 2012-05-20.

Triple-poly 4T static ram cell with two independent transistor gates

Номер патента: US4951112A. Автор: Craig S. Sander,Richard K. Klein,Tat C. Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Codebook design for 8tx ue with two coherent antenna groups

Номер патента: WO2024073999A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-11.

Omindirectional imaging apparatus with two imaging systems

Номер патента: GB2365143A. Автор: Lee Scott Friend. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-13.

Winding of an electric machine made of multistrand conductors with two or more twisting levels

Номер патента: WO2023277694A1. Автор: ZhaoQiang Zhang. Владелец: Alva Industries As. Дата публикации: 2023-01-05.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US20180166890A1. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-14.

Method and system with two curves for guiding a cable tie

Номер патента: US12088070B2. Автор: Hervé TRESSOL,Sébastien Forasacco. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-09-10.

High power rechargeable flashlight with two way universal serial bus

Номер патента: US09843208B2. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Multipolar motor with two rotors

Номер патента: MY114922A. Автор: Daho Taghezout. Владелец: Ebauchesfabrik ETA AG. Дата публикации: 2003-02-28.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US20200256524A1. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Vector Products Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Electrical machines with two rotating magnetic fields

Номер патента: WO2003019755A1. Автор: Ivica Samardžić. Владелец: Samardžić Ivica. Дата публикации: 2003-03-06.

High power rechargeable spotlight with two way universal serial bus

Номер патента: US11054092B2. Автор: Mathew Inskeep. Владелец: Vector Products Inc. Дата публикации: 2021-07-06.

Radio receiver with two receiving systems

Номер патента: US5239697A. Автор: Tadashi Kosuga. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Communicating with two or more slaves

Номер патента: US11956206B2. Автор: LI Sun,Jingxian SONG. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Electric motor with two opposite independent shafts

Номер патента: WO2005101617A1. Автор: Flavio Passuello. Владелец: Pedrazzini Bertolazzi Marino. Дата публикации: 2005-10-27.

Listening device with two or more microphones

Номер патента: EP1730993A1. Автор: Christian C. c/o Oticon A/S BÜRGER. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2006-12-13.

Listening device with two or more microphones

Номер патента: AU2005223798A1. Автор: Christian C. BÜRGER. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2005-09-29.

Listening device with two or more microphones

Номер патента: AU2005223798B2. Автор: Christian C. BÜRGER. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of and an apparatus for protecting a ship from missiles with two-colour infra-red target seeking heads

Номер патента: CA2078504A1. Автор: Heinz Bannasch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-19.

Automatic gain control with two power detectors

Номер патента: EP1604457A1. Автор: Yifeng Zhang,Hendrik A. Visser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Programmable power distribution switches with two-level current sensing

Номер патента: US8040652B2. Автор: H. Pooya Forghani-zadeh,Thomas A. Schmidt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Uci multiplexing in pusch with two codewords

Номер патента: WO2024031656A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Low power wake-up signal with two parts in time domain

Номер патента: US20230422172A1. Автор: Yi Wang,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Yingyang Li,Toufiqul Islam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

System with two-stage output voltage

Номер патента: US20140361616A1. Автор: Chen-En LEE. Владелец: Asian Power Devices Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Single filter with two passbands

Номер патента: US20230421126A1. Автор: Satoru Ikeuchi,Patrick Marcus Naraine. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Pusch transmission with two codewords

Номер патента: WO2024073997A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo (Beijing) Ltd.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method, remote device, and system for transmission compatible with two types of tdd switch signals

Номер патента: US20230353335A1. Автор: WEI YANG,Jing Liu,Hang Zhang. Владелец: Prose Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Device with Two Communication Devices

Номер патента: US20230319907A1. Автор: Guilherme Pereira,Alaa Mourad,Walter Bronzi. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Winding of an electric machine made of multistrand conductors with two or more twisting levels

Номер патента: EP4364174A1. Автор: ZhaoQiang Zhang. Владелец: Alva Industries As. Дата публикации: 2024-05-08.

Virtual carrier sensing with two network allocation vectors

Номер патента: US20200196352A1. Автор: Qinghua Li,Po-Kai Huang,Robert J. Stacey. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Electric vehicle charging system with two stage dc charging

Номер патента: US20240208348A1. Автор: Gregg Kromrey,Steven Dicke. Владелец: Evjam LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Geared spherical electromagnetic machine with two-axis rotation

Номер патента: US10951105B2. Автор: Chao Wang,Zhijun Dai. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Single phase asynchronous motor with two magnetic poles

Номер патента: US4982129A. Автор: Valmor Eggert. Владелец: Empresa Brasileira de Compressores SA. Дата публикации: 1991-01-01.

Pull-out box with two sides and one front panel

Номер патента: RU2386377C2. Автор: Маркус ВИЛЛЕ,Биргит КРЕФТ. Владелец: Пауль Хеттих Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2010-04-20.

Smoking product with two or more filter segments

Номер патента: RU2602357C2. Автор: Ив Жордий. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2016-11-20.

Drawer with two side bars and panel

Номер патента: RU2371071C2. Автор: Маркус ВИЛЛЕ. Владелец: Пауль Хеттих Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-10-27.

Coannular gearbox with two clutches

Номер патента: RU2626775C1. Автор: Юрий Леонидович Евтодеев. Владелец: Юрий Леонидович Евтодеев. Дата публикации: 2017-08-01.

Writing device with two writing tips

Номер патента: RU2715780C1. Автор: Патрик ВИНТЕРМАНТЕЛЬ,Клаус КОПП. Владелец: Шнайдер Шрайбгерэте ГмбХ. Дата публикации: 2020-03-03.

Exoskeleton comprising mechanical ankle joint with two rotary axes

Номер патента: RU2721543C2. Автор: Тибо ГЕРАЛЬ,Александр БУЛАНЖЕ. Владелец: Вандеркрафт. Дата публикации: 2020-05-19.

Engine with two annular cylinders and two crankshafts

Номер патента: NL2018451A. Автор: Liu Lili,Tang Xiaoyu. Владелец: Xuzhou Univ Of Tech. Дата публикации: 2017-06-12.

Drum brake system with two tension springs

Номер патента: US20230141474A1. Автор: Lothar Wagner,Hatem Shahin,Kai Braun. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Mobile fire-extinguishing apparatus with two-phase sprayer

Номер патента: RU2645501C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-02-21.

Aircraft main landing gear with two bobs articulated with aircraft airframe

Номер патента: RU2520266C1. Автор: Доминик ДЮКО. Владелец: Мессье - Бюгатти - Довти. Дата публикации: 2014-06-20.

Hydrodynamic machine with two or more impellers with controlled blades

Номер патента: RU2604474C2. Автор: Пьерджорджо ПАСЕТО. Владелец: БАРОНИ Карло. Дата публикации: 2016-12-10.

Cutting insert with two peripheral thrust ridges and cutting tool

Номер патента: RU2750391C2. Автор: Олег КЕРТСМАН. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2021-06-28.

Cutting machine with two heated wires

Номер патента: RU2694302C2. Автор: Дэвид АННЕКИН. Владелец: Прокарв. Дата публикации: 2019-07-11.

Lock for zipper fastener with two tongues and one lock releasing fork

Номер патента: RU2283606C2. Автор: Серджо БЕРНАСКОНИ. Владелец: РИРИ С.А.. Дата публикации: 2006-09-20.

External gear pump integrated with two independently driven prime movers

Номер патента: RU2683005C2. Автор: Томас АФШАРИ. Владелец: Проджект Феникс, Ллк. Дата публикации: 2019-03-25.

Container with two opposing lids

Номер патента: RU2524897C2. Автор: Якоб РАСМУССЕН,Лукас АВАЛЛ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Elevator with two cabins

Номер патента: RU2495814C2. Автор: Ханс КОХЕР. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2013-10-20.

Marking tabs with two-dimensional code

Номер патента: RU2699839C2. Автор: Кристофер Пол РЭМСИ. Владелец: Краун Пэкэджинг Текнолоджи, Инк.. Дата публикации: 2019-09-11.

Cable tie with two tooth shaped sides having enhanced tension

Номер патента: US20240239576A1. Автор: Lilong Duan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Fire damper with two closing rings

Номер патента: EP4010087A1. Автор: Karlo Vranješ. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-15.

Serviette provided with two separable fastenable neck bands and openings for buttons or a tie

Номер патента: EP2624727A1. Автор: Peter Florjancic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-14.

Baffle with two datum features

Номер патента: US20210033027A1. Автор: Tracy A. Propheter-Hinckley,Scott A. Kovach. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Device for preparing beverage from capsule with two-stage closure system

Номер патента: RU2647612C2. Автор: Штефан Кезер,Рудольф ШЕНК. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-03-16.

Cultivator with two rows of discs arranged in moving direction

Номер патента: RU2549092C2. Автор: Кристер СТАРК. Владелец: Вэдерстад-Веркен Актиеболаг. Дата публикации: 2015-04-20.

Wind power-generating plant with two injection diffuser

Номер патента: RU2261363C2. Автор: Р.А. Янсон,А.В. Гасилов. Владелец: Гасилов Алексей Владимирович. Дата публикации: 2005-09-27.

Panoramic tripod head for camera with two-terminal fixing connector

Номер патента: RU2391688C2. Автор: Йонгцзиан ЙАНГ. Владелец: Йонгцзиан ЙАНГ. Дата публикации: 2010-06-10.

A method for producing glued reels with two or more plies and related machinery

Номер патента: EP3601124A1. Автор: Gianpaolo STECCA. Владелец: Wepa Italia Srl. Дата публикации: 2020-02-05.

Ball valve with two working positions

Номер патента: EP4302001A1. Автор: Gian Matteo SABEDDU. Владелец: AVV Added Value For Valves Srl. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of forming a synthetic resin structure integral with two-dimensional steel fabric

Номер патента: US09873962B2. Автор: Noriyuki Kanoh. Владелец: Snp Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Faucet with two outlets

Номер патента: US09772040B2. Автор: FENG Lin,Hui-Ming Liu. Владелец: Xiamen Runner Industrial Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and user interfaces for dynamic interaction with two- and three-dimensional medical image data using hand gestures

Номер патента: US09606584B1. Автор: Evan K. Fram. Владелец: DR Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Luggage case with two zipper pockets

Номер патента: US09603424B2. Автор: Wei-Hung Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Connection system for tube with two lumens

Номер патента: RU2601682C2. Автор: Льонель ШЕВЕРО,Реми КОЛЛЕН. Владелец: Б. Браун Медикаль С.А.С.. Дата публикации: 2016-11-10.

Ring blanks with two coaxial different-orientation cone openings working method and apparatus for boring

Номер патента: RU2323066C2. Автор: . Владелец: Коротков Борис Иванович. Дата публикации: 2008-04-27.

Drilling ship with two drilling centres

Номер патента: RU2549301C2. Автор: Гэвин ХАМФРИС. Владелец: Стена Дриллинг Лтд.. Дата публикации: 2015-04-27.

Ram with two-part piston rod

Номер патента: US4218960A. Автор: Bernard M. Bourges. Владелец: Poclain SA. Дата публикации: 1980-08-26.

Plant leaves-derived carbon material doped with two metals and preparation and use thereof

Номер патента: US12023649B2. Автор: Dong LV,Haimin SHEN. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2024-07-02.

A writing utensil with two handles for writing with both hands simultaneously

Номер патента: WO2011055357A1. Автор: Dorin Kalif. Владелец: Dorin Kalif. Дата публикации: 2011-05-12.

Filtering unit with two or more stages with engaging portions

Номер патента: WO2023139541A1. Автор: Franco UVA,Enrico BARBERO. Владелец: LAICA S.P.A.. Дата публикации: 2023-07-27.

Apparatus for temperature-controlling a space with two pumps, and truck or container

Номер патента: WO2024200602A1. Автор: Jürgen Süss. Владелец: Ecooltec Grosskopf GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Heatable media line having at least one media line with two connector ends

Номер патента: US09927056B2. Автор: Otfried Schwarzkopf,Tobias Etscheid. Владелец: VOSS Automotive GmbH. Дата публикации: 2018-03-27.

Heat-insulating panel assembly with two hot water passages

Номер патента: RU2499196C2. Автор: Хи Гон ЛЕЕ,Ха Рим КИМ. Владелец: Хи Гон ЛЕЕ. Дата публикации: 2013-11-20.

Pneumatic nozzle with two-phase flow of spray

Номер патента: RU2670323C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-10-22.

Aircraft with two opposite-rotation propellers fitted on vertical shaft

Номер патента: RU2520263C2. Автор: Джайлз КАРДОЗО. Владелец: Джило Индастриз Лимитед. Дата публикации: 2014-06-20.

Pneumatic nozzle with two-phase flow of spray

Номер патента: RU2652002C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for transmission of isochronous data with two cycle look ahead

Номер патента: US5845152A. Автор: Eric Werner Anderson,Michael K. Eneboe,Rahoul Puri,Erik P. Staats. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

One-way wrench having a catching device with two catches and a catch holder and having differential teeth

Номер патента: US9757844B2. Автор: Ander Chen. Владелец: Infar Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Self-unloading ship with two tunnel belts and a central reclaimer

Номер патента: CA1064423A. Автор: Warren R. Vaughan. Владелец: UPPER LAKES SHIPPING Ltd. Дата публикации: 1979-10-16.

Folding dip net fixed with two fulcrums

Номер патента: US20230404048A1. Автор: Hongjian XU. Владелец: Hangzhou Fufan Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Folding dip net fixed with two fulcrums

Номер патента: US11937588B2. Автор: Hongjian XU. Владелец: Hangzhou Fufan Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Tourbillon with two oscillators in one single cage

Номер патента: US11822290B2. Автор: Vianney Halter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-21.

Color-changing container with two-dimensional and/or three-dimensional pattern

Номер патента: US20190055064A1. Автор: Jung-Chih Chen,Kun-Che Li. Владелец: SKY 2000 INT'L CO Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Pneumatic injector with two-phase flow of spray liquid

Номер патента: RU2636914C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-11-28.

Drawer with two side panels and one front panel

Номер патента: RU2381731C2. Автор: Маркус ВИЛЛЕ,Маркус ВИЛЛЕ (DE). Владелец: Пауль Хеттих Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2010-02-20.

Counterweight with two oil chambers

Номер патента: RU2671483C2. Автор: Дэвид Фрэнсис БИГГИН. Владелец: Метсо Минералз Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2018-10-31.

Vibration detector with two channels activated in series

Номер патента: RU2491506C1. Автор: Лионель РОЗЕЛЛИНИ. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2013-08-27.

Fuel meter with two conbined outlets

Номер патента: RU2290522C2. Автор: Клод МЭЙАР,Давид МЭЙАР,Лоран ОДИНО,Анри ЛЕКЛЕРК. Владелец: Испано-Суиза. Дата публикации: 2006-12-27.

Packaging / capping system with two covers to maintain the sterility of the dosing tip during storage

Номер патента: RU2644257C2. Автор: Сай ШАНКАР. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-02-08.

Plowing unit with two cutting elements

Номер патента: RU2753249C2. Автор: Франц-Фердинанд ХУБЕР. Владелец: Хубер Сойл Солюшн ГмбХ. Дата публикации: 2021-08-12.

Vacuum cleaner with two bodies made of foam polypropylene

Номер патента: RU2414843C2. Автор: Франсуа ПЫЩЕК. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2011-03-27.

Dive knife with two elastic buckles at two lateral sides.

Номер патента: US20150052759A1. Автор: Hsiang-Li Yeh,Ching-chang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Translation device with two-way projection and voice functions

Номер патента: US20200057812A1. Автор: Hui Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Pneumatic rod with two-chamber structure

Номер патента: LU100568B1. Автор: Yulan Chen. Владелец: Xiamen Xiang Xin De Trading Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-21.

Ultrasonic dog repeller with two ultrasonic emitters

Номер патента: US20220167608A1. Автор: Xin Huang,Xiaona Liu,Zhifeng Liu,Qingyong Chen. Владелец: Shenzhen Dogcare Innovation and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Detecting segments for aerosol-generating articles with two consecutive sensors

Номер патента: WO2023227348A1. Автор: Luca NATALI,Nicola MICHELI,Michele CICIONI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2023-11-30.

Planetary air motor with two internal gearings

Номер патента: US4076470A. Автор: Daniil Andreevich Dudko,Mikhail Danilovich Sur. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-02-28.

Rotating electric shaver with two heads

Номер патента: WO1994002291A1. Автор: Franciscus Gerardus Godefridus Visser. Владелец: Visser Franciscus Gerardus God. Дата публикации: 1994-02-03.

Hydraulic drive axle with two-way clutch control

Номер патента: US20240247709A1. Автор: Xiaowei Sun,Haoyu YING,Yisheng LU. Владелец: Zhejiang Kc Mechanical & Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fastening structure with two different threads

Номер патента: US20220356897A1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for playing a hold 'em card game with two hands

Номер патента: US20210362036A1. Автор: Wayne Chiang,Jarom Severson. Владелец: 2 Hh LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Device provided with two transport devices movable substantially transversely of each other

Номер патента: WO2014175739A1. Автор: Roel Nicolai. Владелец: R.N. Machinebouw B.V.. Дата публикации: 2014-10-30.

Forecarriage for tilting motorvehicles with two front wheels and related tilting vehicle

Номер патента: EP3762277A1. Автор: Stefano Bartolozzi,Onorino Di Tanna. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2021-01-13.

Conveyor assembly with two conveyor elements connected in parallel

Номер патента: US12050478B2. Автор: Bernd-Markus Pfeiffer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-07-30.

Hydraulic device for controlling braking in vehicles with two braking pedals

Номер патента: EP2616296A2. Автор: Leonardo Cadeddu. Владелец: VHIT SpA. Дата публикации: 2013-07-24.

Electronic timepiece with two analogue type hands

Номер патента: US20180081323A1. Автор: Pascal Lagorgette,Vittorio ZANESCO. Владелец: ETA SA Manufacture Horlogere Suisse. Дата публикации: 2018-03-22.

Air conditioner front panel with two-layer structure

Номер патента: US20190226714A1. Автор: Li-Chin Lu,Zhao-Guo Fu,Zhan-Sheng Lu. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Embroidery stitch data producing device with two-way transmission function

Номер патента: US20010041946A1. Автор: KONGO Takeshi,KAWASATO Takayuki,Orii Akira,Tanaka Haruhiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Device provided with two transport devices movable substantially transversely of each other

Номер патента: EP2989255A1. Автор: Roel Nicolai. Владелец: RN Machinebouw BV. Дата публикации: 2016-03-02.

Indirect thermal desorption device with two-section screw conveyors

Номер патента: US09718105B2. Автор: FENG Yao,Hua Guo,Xiaojiang Shen,Jianping Weng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and system for controlling torque of hybrid vehicle provided with two motors

Номер патента: US09714022B2. Автор: Joonyoung Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Loom for weaving fabric with two types of tissue, shoe upper woven using the same, and shoe

Номер патента: US09609916B2. Автор: Soo Bok Song,Jae Woo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Motion simulator with two degrees of freedom of angular motion

Номер патента: US09586152B1. Автор: Jong Chan Lee. Владелец: MOTION DEVICE Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Supercharger assembly with two rotor sets

Номер патента: US09534532B2. Автор: William Nicholas Eybergen,Robert Philip Benjey. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic therapeutic apparatus with two axes of rotation

Номер патента: RU2290223C2. Автор: Ардиззоне ВИНСЕНТ,Томас А. БОУВ. Владелец: Нью-Магнетикс, Инк.. Дата публикации: 2006-12-27.

Spindle head with two rotating halves for machine tools

Номер патента: RU2267392C2. Автор: Габриеле ПИККОЛО. Владелец: Фпт Индастри С.П.А.. Дата публикации: 2006-01-10.

Coking plant with two parallel rows of furnace chambers

Номер патента: RU2488623C2. Автор: Франц-Йозеф ШУКЕР. Владелец: Тиссенкрупп Уде Гмбх. Дата публикации: 2013-07-27.

Multi-speed gearbox with two clutches

Номер патента: RU2613202C1. Автор: Юрий Леонидович Евтодеев. Владелец: Юрий Леонидович Евтодеев. Дата публикации: 2017-03-15.

Electromagnetic clutch with two stage torque buildup

Номер патента: CA1106784A. Автор: Donald L. Miller. Владелец: Purolator Products Co LLC. Дата публикации: 1981-08-11.

Gamma camera with two opposite detectors having independent radial movements

Номер патента: US5367169A. Автор: Michel Pierfitte. Владелец: Sopha Medical. Дата публикации: 1994-11-22.

Enhanced cross-flow with two jet drilling

Номер патента: CA1095502A. Автор: William Baker, III,James H. Allen. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Modulator with two-stage orificed master cylinder bypass valve

Номер патента: CA1310040C. Автор: Donald M. Flory,David F. Reuter,Dewey F. Mort. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-11-10.

Text processing apparatus with two-stage formatting of text

Номер патента: CA1173968A. Автор: Robert F. Maddock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-04.

Method for playing a hold 'em card game with two hands

Номер патента: WO2016182603A1. Автор: Wayne Chiang,Jarom Severson. Владелец: Chiang Wayne. Дата публикации: 2016-11-17.

Clamp with two long-stroke jaws

Номер патента: US20140138972A1. Автор: Giuseppe Maffeis. Владелец: Gimatic SpA. Дата публикации: 2014-05-22.

Luggage case with two zipper pockets

Номер патента: US20160029756A1. Автор: Wei-Hung Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-04.

A flat protective cover with two degrees of freedom for tool machines

Номер патента: EP2483033A1. Автор: Riccardo Viola,Tommaso Viola. Владелец: Protec SRL. Дата публикации: 2012-08-08.

A portioner for food products, particularly ice cream with two flavours

Номер патента: WO2023211296A1. Автор: Mikołaj WNĘTRZAK. Владелец: Wnętrzak Mikołaj. Дата публикации: 2023-11-02.

Climbing machine with two slide bases

Номер патента: US20240115902A1. Автор: Chih-Yung Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

A method for producing glued reels with two or more plies and related machinery

Номер патента: WO2018173079A1. Автор: Gianpaolo STECCA. Владелец: Wepa Italia S.R.L.. Дата публикации: 2018-09-27.

Apparatus and a process for the injecto-compression moulding of articles made of plastic material with two components

Номер патента: US20060076713A1. Автор: Afro Rossanese. Владелец: INCOS SpA. Дата публикации: 2006-04-13.

Furnace with two combustion chambers and horizontal tube

Номер патента: RU2224783C2. Автор: Дональд Д. УОРМАН. Владелец: Фостер Уилер Ллс. Дата публикации: 2004-02-27.

Gearbox with two clutches

Номер патента: RU2631165C1. Автор: Юрий Леонидович Евтодеев. Владелец: Юрий Леонидович Евтодеев. Дата публикации: 2017-09-19.

Rotary shaft seal with two sealing lips

Номер патента: AU2002234490A1. Автор: Siegmar Kreutzer. Владелец: VR Dichtungen GmbH. Дата публикации: 2002-07-08.

Prefabricated heat-insulation panel with two hot water flow paths

Номер патента: CA2737743C. Автор: Hi Gon Lee,Ha Rim Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-18.

Transmission for a double screw extruder with two tapering helical shafts

Номер патента: US6234661B1. Автор: Helmut Thewes. Владелец: A Friedrich Flender AG. Дата публикации: 2001-05-22.

Vertical shaft system for gyroscopic theodolites with two degrees of freedom

Номер патента: US4635375A. Автор: Andras Tarcsafalvi. Владелец: Magyar Optikai Muvek. Дата публикации: 1987-01-13.

Linear drive device with two motors

Номер патента: US4614128A. Автор: Hans Fickler. Владелец: Lars International SA. Дата публикации: 1986-09-30.

Coupled window with two casings and three panes

Номер патента: CA1036427A. Автор: Arvo Mursula. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-15.

Sealing gasket with two deformation spaces

Номер патента: US20200288903A1. Автор: Ming-Tung Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-17.

Wide-area illumination systems employing waveguides with two-sided segmented light emission

Номер патента: US11860396B2. Автор: Sergiy Vasylyev,Mykola Masalitin. Владелец: S V V Tech Innovations Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Folding handle ratchet binder with two piece knob

Номер патента: CA3207848A1. Автор: Thomas Durbin. Владелец: Durabilt Dyvex Inc. Дата публикации: 2024-02-02.

Improved arm with two or more hooks

Номер патента: AU2020207786A1. Автор: Marco IOTTI. Владелец: Manitou Italia SRL. Дата публикации: 2021-02-11.

Agricultural device for processing soil with two sets of working rollers

Номер патента: US11963470B2. Автор: Jan Bednar,Pavel SYROVATKA,Jakub SIGUT. Владелец: Bednar Fmt sro. Дата публикации: 2024-04-23.

Folding Handle Ratchet Binder with Two Piece Knob

Номер патента: US20240042918A1. Автор: Thomas Durbin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Snaffle bit with two side members and a shackle and method of manufacturing same

Номер патента: US20090223182A1. Автор: Heinz Baumann,Valentin Völlmecke. Владелец: Herm Sprenger GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports

Номер патента: CA3161537A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports.

Номер патента: WO2021118370A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Millar Russell John. Дата публикации: 2021-06-17.

Mechanised portable electric tool with two handles

Номер патента: RU2502254C2. Автор: Роже ПЕЛЛЕНК. Владелец: Пелленк (Сосьете Аноним). Дата публикации: 2013-12-27.

Continuous process for mass transfer of a liquid reagent with two different gases

Номер патента: US5139753A. Автор: Leslie C. Hardison. Владелец: Ari Technologies Inc. Дата публикации: 1992-08-18.

Improved container with two sidewalls

Номер патента: RU2752436C2. Автор: Питер КОУЛМЕН. Владелец: Хухтамяки Оюй. Дата публикации: 2021-07-28.

Device for producing beverage with two-position water container

Номер патента: RU2642332C2. Автор: Джузеппе ФИН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-01-24.

Gearbox with two clutches

Номер патента: RU2626776C2. Автор: Юрий Леонидович Евтодеев. Владелец: Юрий Леонидович Евтодеев. Дата публикации: 2017-08-01.

Heat exchanger with two-side pattern of cavities

Номер патента: RU2561356C1. Автор: Ларс Перссон. Владелец: Данфосс А/С. Дата публикации: 2015-08-27.

Combustion chamber with two-stage combustion

Номер патента: US5687571A. Автор: Rolf Althaus,Jakob J. Keller. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 1997-11-18.

Connector including a body with two windows and a swivel hook

Номер патента: US20220202142A1. Автор: Sandra Martinez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Ladder with two side legs and an extension leg to bepressed against ground

Номер патента: WO2008088268A1. Автор: Jan Wallenius. Владелец: Jan Wallenius. Дата публикации: 2008-07-24.

Concentric bifocal contact lens with two distance power regions

Номер патента: CA1273513A. Автор: J. Warren Blaker. Владелец: Unilens Corp USA. Дата публикации: 1990-09-04.

A faucet with two outlets having a depression inverter device

Номер патента: GB2230079A. Автор: Alfons Knapp. Владелец: Masco Corp. Дата публикации: 1990-10-10.

Case structure with two openable sides

Номер патента: US5878878A. Автор: Hsien-Chang Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-03-09.

Applicator with two liquids

Номер патента: CA2543228C. Автор: Garry Tsaur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-25.

Vehicle with two parallel wheels

Номер патента: EP2062808A1. Автор: Takekazu Kakinuma,Ikuo Yamano,Yoshihiro Kawarasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

A reinforced concrete slab for bridge floors with two bearing beams and relevant floor fabrication method.

Номер патента: EP2484833A1. Автор: Stefano Niccolini. Владелец: Dsd-Dezi Steel Design Srl. Дата публикации: 2012-08-08.

Slider with two pull tabs

Номер патента: EP1522231B1. Автор: Sergio Bernasconi. Владелец: Crelux Holding SA. Дата публикации: 2006-12-06.

Planar board with two-way line release

Номер патента: US5826365A. Автор: Marvin J. Stroobants. Владелец: Brothertown Harbor Inc. Дата публикации: 1998-10-27.

Continuous process for mass transfer of a liquid reagent with two different gases

Номер патента: CA2065547C. Автор: Leslie C. Hardison. Владелец: Wheelabrator Clean Air Systems Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Drug delivery system with two-step targeting

Номер патента: CA2312767C. Автор: Jörgen Carlsson,Katarina Edwards,Stefan Sjoberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-07.

Indirect thermal desorption device with two-section screw conveyors

Номер патента: US20170136510A1. Автор: FENG Yao,Hua Guo,Xiaojiang Shen,Jianping Weng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-18.

Improved arm with two or more hooks

Номер патента: CA3086980A1. Автор: Marco IOTTI. Владелец: Manitou Italia SRL. Дата публикации: 2021-01-25.

Jetting valve with two stage calibrating structures

Номер патента: US20230356241A1. Автор: Tsung-Lin Tsai,Lu-Min CHEN. Владелец: Kulicke and Soffa Hi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

A thermos with two chambers

Номер патента: WO2015065302A2. Автор: Talip Murat Kolbasi. Владелец: Arzum Elektrikli Ev Aletleri San. Ve Tic. A.S.. Дата публикации: 2015-05-07.

Reversible pneumatic group with two stages

Номер патента: EP1433953A3. Автор: Cesare Dott. Ing. Dolcetta Capuzzo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-31.

Axial turbine with two supply levels

Номер патента: EP3902981A1. Автор: Mario Gaia,Roberto Bini. Владелец: TURBODEN SPA. Дата публикации: 2021-11-03.

Axial turbine with two supply levels

Номер патента: CA3123514A1. Автор: Mario Gaia,Roberto Bini. Владелец: TURBODEN SPA. Дата публикации: 2020-07-02.

Axial turbine with two supply levels

Номер патента: US11473428B2. Автор: Mario Gaia,Roberto Bini. Владелец: TURBODEN SPA. Дата публикации: 2022-10-18.

Multi-folded umbrella with two layers of covers

Номер патента: US20030029486A1. Автор: Chin Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Vector compress2 and expand2 instructions with two memory locations

Номер патента: US20190347101A1. Автор: Igor Ermolaev,Mikhail Plotnikov,Alexander BOBYR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for playing a hold 'em card game with two hands

Номер патента: US12005342B2. Автор: Wayne Chiang,Jarom Severson. Владелец: 2 Hh LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Oscillating structure with two sides fixed and middle capable of making reciprocating rotation

Номер патента: US20240003355A1. Автор: Yuan Xu,Weirun Feng. Владелец: Shenzhen Aisi Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Oven with two optional ranges of temperature

Номер патента: US20070246454A1. Автор: Ching-Hsiang Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Heat exchanger with two opposite airflows

Номер патента: US20230408211A1. Автор: Min Xie,Huiquan LIN. Владелец: Shenzhen Luxci Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Double roller with two running wheels and roller with one running wheel

Номер патента: AU2007316759A1. Автор: Wolfgang Block,Uwe Harksen. Владелец: Tente GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-05-15.

Transmission system with two coaxial shafts

Номер патента: WO2015033367A1. Автор: Marino Pedrazzini Bertolazzi. Владелец: ITAL RESEARCH & INNOVATION Srl. Дата публикации: 2015-03-12.

Combustion chamber with two-stage combustion

Номер патента: US5829967A. Автор: Yau-Pin Chyou. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Vector compress2 and expand2 instructions with two memory locations

Номер патента: EP3607434A1. Автор: Igor Ermolaev,Alexander BOBYR,Mikhail PLOTKINOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-12.

Trimming apparatus for removing casting fins on a pneumatic tyre

Номер патента: GB1495209A. Автор: . Владелец: ALPHA GIKEN KOGYO KK. Дата публикации: 1977-12-14.

Control group for directional fins on missiles and/or shells

Номер патента: CA2378411C. Автор: Mauro Pellegri,Angelo Schino. Владелец: OTO MELARA SPA. Дата публикации: 2009-05-26.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports

Номер патента: EP4072936A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Futures Fins Llc. Дата публикации: 2022-10-19.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports.

Номер патента: CA3218797A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Futures Fins Llc. Дата публикации: 2022-11-17.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports.

Номер патента: AU2022274122A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Futures Fins Llc. Дата публикации: 2023-11-30.

Means for removably installing fins on a board for use in water sports

Номер патента: EP4337524A1. Автор: Russell John MILLAR. Владелец: Futures Fins Llc. Дата публикации: 2024-03-20.

Improvements relating to the formation of external fins on metal tube stock

Номер патента: GB838984A. Автор: George Thomas Maughan. Владелец: Fairey Co Ltd. Дата публикации: 1960-06-22.

Method for Operating a Motor-Drive Device for a Home Automation Installation Comprising a Shutter Provided with Two Leaves

Номер патента: US20120000133A1. Автор: Rohee Clément. Владелец: Somfy SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Worm roller gear with two-roller teeth (versions)

Номер патента: RU2493457C2. Автор: Марк Андреевич Полтавец. Владелец: Марк Андреевич Полтавец. Дата публикации: 2013-09-20.

Hollow rotor with two teeth

Номер патента: RU2030072C1. Автор: Александр Иванович Краснопевцев. Владелец: Александр Иванович Краснопевцев. Дата публикации: 1995-02-27.

Quantifiable hair coloring comb with two tubes

Номер патента: SG151215A1. Автор: Fang Ping,Yoshinaga. Владелец: Sim Boon Heng. Дата публикации: 2009-04-30.

Machine for continuous casting of slab billets with two-side drawing

Номер патента: RU2252107C2. Автор: С.П. Бакуменко. Владелец: Бакуменко Сергей Пантелеевич. Дата публикации: 2005-05-20.

Kochetov mobile unit with two-phase fire spray

Номер патента: RU2581379C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-04-20.

Lock with two keys

Номер патента: RU2109119C1. Автор: Андрей Леонидович Иванов. Владелец: Андрей Леонидович Иванов. Дата публикации: 1998-04-20.

Aircraft with two-position flaps

Номер патента: RU2429989C1. Автор: Эдуард Дмитриевич Житников. Владелец: Эдуард Дмитриевич Житников. Дата публикации: 2011-09-27.

Gas turbine engine with two combustion chambers

Номер патента: RU2474708C1. Автор: Михаил Аркадьевич Верткин. Владелец: Михаил Аркадьевич Верткин. Дата публикации: 2013-02-10.

Manifold with two sided ports

Номер патента: CA145550S. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-15.

Clamping device with two chucks

Номер патента: RU2564186C1. Автор: Хсуань-Лун У.. Владелец: Хсуань-Лун У.. Дата публикации: 2015-09-27.

Spinning parachute with two-stage braking

Номер патента: RU2569991C1. Автор: Виктор Степанович Ермоленко. Владелец: Виктор Степанович Ермоленко. Дата публикации: 2015-12-10.

Single power point with two extra switches

Номер патента: AU320245S. Автор: . Владелец: Hager Electro Pty Ltd. Дата публикации: 2008-07-14.

Pumping unit with two walking beams

Номер патента: RU2191924C2. Автор: П.И. Богатырев,М.М. Герцеков. Владелец: Герцеков Михаил Михайлович. Дата публикации: 2002-10-27.

Single power point with two extra switches

Номер патента: AU320247S. Автор: . Владелец: Hager Electro Pty Ltd. Дата публикации: 2008-07-14.

Mower with two sickle bars

Номер патента: CA1244248A. Автор: Herbert W. Molzahn,Rheal Remillard. Владелец: MacDon Industries Ltd. Дата публикации: 1988-11-08.

Linear driving arrangement with two motors

Номер патента: CA1214050A. Автор: Hans Fickler. Владелец: Lars International SA. Дата публикации: 1986-11-18.

Self-adhesive tape with two-sided contact adhesive coating and method of producing the same

Номер патента: CA1219176A. Автор: Paul Sieber-Gadient. Владелец: SIEBER GADIENT PAUL. Дата публикации: 1987-03-17.

Bed base with two mattresses

Номер патента: RS1269U. Автор: Uroš PREKIĆ. Владелец: Uroš PREKIĆ. Дата публикации: 2012-08-31.

Thermos with two chambers

Номер патента: SG187280A1. Автор: Murat Kolbasi TALIP. Владелец: Arzum Elek Kli Ev Aletleri Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2013-02-28.

Recloseable dispenser packet with two part resealable closure

Номер патента: CA1113433A. Автор: Robert P. Julius. Владелец: Nice Pak Products Inc. Дата публикации: 1981-12-01.

Bottle with Two Capacities

Номер патента: GEU20041125Y. Автор: Gocha Pipia. Владелец: . Дата публикации: 2004-09-10.

Pretzel cracker with two holes

Номер патента: CA112104S. Автор: . Владелец: Sara Wilson. Дата публикации: 2006-11-15.

FINFET WITH STRESSORS

Номер патента: US20120171832A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-07-05.

BULK FINFET WITH UNIFORM HEIGHT AND BOTTOM ISOLATION

Номер патента: US20130009246A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20130154002A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

FINFET WITH FULLY SILICIDED GATE

Номер патента: US20130175620A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130175659A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY. LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20130249019A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20140008736A1. Автор: Ting Kuo-Chiang,LAI Kao-Ting,WU Chi-Hsi,Li Hou-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-09.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20140015048A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20140061734A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20140117454A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.