FinFET with Two Fins on STI
Номер патента: US20190131413A1
Опубликовано: 02-05-2019
Автор(ы): Duriez Blandine, OXLAND Richard Kenneth, Van Dal Mark, VELLIANITIS Georgios
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-05-2019
Автор(ы): Duriez Blandine, OXLAND Richard Kenneth, Van Dal Mark, VELLIANITIS Georgios
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
FinFET with source/drain structure and method of fabrication thereof
Номер патента: US09666581B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.