Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09859380B2
Опубликовано: 02-01-2018
Автор(ы): Cheng-Hsien Wu, Chi-Wen Liu, Chih-Hsin Ko, Clement Hsingjen Wann, Yi-Jing Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170179291A1. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US9601342B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Finfets with various fin height

Номер патента: US20190035816A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Finfets with various fin height

Номер патента: US20190035816A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20210104620A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20180315841A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Vertical FET with strained channel

Номер патента: US09704990B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Forming finfet with reduced variability

Номер патента: US20200235204A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Vertical fet with strained channel

Номер патента: US20180083139A1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Bulk finfet with fin channel height uniformity and isolation

Номер патента: US20200328289A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

FinFETs with non-merged epitaxial S/D extensions having a SiGe seed layer on insulator

Номер патента: US09991258B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFETs with non-merged epitaxial S/D extensions on a seed layer and having flat top surfaces

Номер патента: US09991255B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFETs with different fin height and EPI height setting

Номер патента: US09721829B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

FinFET with sigma recessed source/drain and un-doped buffer layer epitaxy for uniform junction formation

Номер патента: US10249758B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui,Hemanth Jagannathan,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20150303116A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20160141205A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Wei-Jen Lai,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH STRAINED SOURCE AND DRAIN STRUCTURES AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,CHENG Tung-Wen,LIN MU-TSANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Bulk finFET with partial dielectric isolation featuring a punch-through stopping layer under the oxide

Номер патента: US09842897B2. Автор: Ajey P. Jacob,Murat K. Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

FinFET with ESD protection

Номер патента: US09461170B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device comprising separate different well regions with doping types

Номер патента: US11967644B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Yicheng DU. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Methods of forming FINFETs with locally thinned channels from fins having in-situ doped epitaxial cladding

Номер патента: US09627378B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Bulk finfet with self-aligned bottom isolation

Номер патента: WO2019099143A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Periannan Chidambaram,Cimang Lu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-23.

FINFET with U-Shaped Channel

Номер патента: US20170194325A1. Автор: Ando Takashi,Lauer Isaac,Shahidi Ghavam G.,Dennard Robert H.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20150228648A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Mechanisms for forming FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09842761B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Chung-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

FinFETs with multiple threshold voltages

Номер патента: US09472638B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Po-Chin Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09385218B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US12094779B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFET with source/drain structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09666581B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160043082A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20180102278A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

BULK FINFET WITH FIN CHANNEL HEIGHT UNIFORMITY AND ISOLATION

Номер патента: US20200328289A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Finfets with multiple threshold voltages

Номер патента: KR101312747B1. Автор: 포 친 쿠오,시엔 밍 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-27.

FinFET with source/drain structure

Номер патента: US9935199B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Mechanisms for forming FinFETs with different fin heights

Номер патента: US9559011B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Chung-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

FinFET with an asymmetric source/drain structure and method of making same

Номер патента: US9882002B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Wei-Yu Chen,Ming-Hsiang Song,Ta-Pen Guo,Ting-Wei Chiang,Hsiang-Jen TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Mechanisms for forming finfets with different fin heights

Номер патента: KR20150077366A. Автор: 쑹-유 치앙,충-웨이 린,쾅-신 첸,보-젠 티엔. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-07-07.

Finfet with improved nitride to fin spacing

Номер патента: US20200135927A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

FinFETs with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US11830772B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method and structure for forming dielectric isolated finfet with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US20160315149A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Finfet With Dummy Fins And Methods Of Making The Same

Номер патента: US20230327005A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Finfet with dummy fins and methods of making the same

Номер патента: US20210320188A1. Автор: Yu-Chun Ko,Chun-Hao Hsu,Kao-Ting Lai,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220208613A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20230386924A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170053912A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FinFET with an Asymmetric Source/Drain Structure and Method of Making Same

Номер патента: US20160118462A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,Chen Wei-yu,YANG KUO-NAN,GUO Ta-Pen,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Finfet with improved nitride to fin spacing

Номер патента: US20200135927A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Nanosheet transistors with strained channel regions

Номер патента: US20210151601A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

FinFET with reduced source and drain resistance

Номер патента: US09443977B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET with merged, epitaxial source/drain regions

Номер патента: US09882054B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Epitaxial growth of silicon for finfets with non-rectangular cross-sections

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Hans-Jürgen Thees,Ran Ruby YAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

EPITAXIAL GROWTH OF SILICON FOR FINFETS WITH NON-RECTANGULAR CROSS-SECTIONS

Номер патента: US20160056294A1. Автор: Hoentschel Jan,Richter Ralf,Thees Hans-Jürgen,YAN Ran Ruby. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213730A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

BULK FINFET WITH SELF-ALIGNED BOTTOM ISOLATION

Номер патента: US20190157160A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,Chidambaram Periannan,LU Cimang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Multiple channel length finFETs with same physical gate length

Номер патента: US09466669B2. Автор: RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

FinFETs with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US09741717B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing finfet with reduced parasitic capacitance and finfet structure formed thereby

Номер патента: US20200119001A1. Автор: Hui Zang,Jian Gao,Guowei Xu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

FinFET with silicon germanium stressor and method of forming

Номер патента: US9105663B1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

FinFET with dielectric isolated channel

Номер патента: US09825174B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20180102362A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09673197B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US09443854B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit devices with well regions and methods for forming the same

Номер патента: US11735485B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated circuit devices with well regions

Номер патента: US11043431B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

METHOD OF MANUFACTURING FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND FINFET STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20200119001A1. Автор: GAO JIAN,Xu Guowei,Shu Jiehui,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

FINFET with insulating layer between gate and source/drain contacts

Номер патента: CN110993602A. Автор: 谢瑞龙,臧辉,拉尔特斯·柯洛米克斯,席史·马尼·潘迪,朴灿柔. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-10.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Method and structure for improving finFET with epitaxy source/drain

Номер патента: US09831241B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09711412B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

FinFETs with different fin heights

Номер патента: US09425102B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated Circuit Devices with Well Regions and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140001518A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

FinFETs with nitride liners and methods of forming the same

Номер патента: US09870956B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Ching-Hong Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin field-effect transistor (FinFET) with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09716042B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Finfet with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

MOSFET having source region formed in a double wells region

Номер патента: US09653459B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Finfets with controllable and adjustable channel doping

Номер патента: US20180102362A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

FinFETs with Different Fin Heights

Номер патента: US20150111355A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

FinFET with Two Fins on STI

Номер патента: US20190131413A1. Автор: VELLIANITIS Georgios,OXLAND Richard Kenneth,Van Dal Mark,Duriez Blandine. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method and structure for improving finfet with epitaxy source/drain

Номер патента: US20160204194A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

FinFETs with Nitride Liners and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160329329A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Jiang Ching-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

FinFETs with Different Fin Heights

Номер патента: US20160358926A1. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170358643A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Finfets with multiple fin heights

Номер патента: KR101229186B1. Автор: 펭 유안,충린 리,창윤 창,치 치예 예. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-02-01.

FinFET with multiple dislocation planes and method for forming the same

Номер патента: US9590101B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

FinFET with sloped surface at interface between isolation structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US10998235B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Method and device for finfet with graphene nanoribbon

Номер патента: US20180006031A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method and device for finfet with graphene nanoribbon

Номер патента: EP3264472B1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160013185A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Finfet with dielectric isolated channel

Номер патента: US20150295046A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Finfet with esd protection

Номер патента: US20160379971A1. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2016-12-29.

FinFET with ESD protection

Номер патента: US10032764B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

FinFET with constrained source-drain epitaxial region

Номер патента: US9536879B2. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

MOSFET Having Drain Region Formed Between Two Gate Electrodes with Body Contact Region and Source Region Formed in a Double Well Region

Номер патента: US20200006489A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

A method of fabricating a wafer with strained channel layers for increased electron and hole mobility for improving device performance

Номер патента: SG145557A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Kuo-Nan Yang,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-29.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150380528A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Silicon germanium finfet with low gate induced drain leakage current

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING BULK FINFET WITH UNIFORM CHANNEL HEIGHT

Номер патента: US20180097091A1. Автор: Cheng Kangguo,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SILICON GERMANIUM FINFET WITH LOW GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FINFETS WITH VARIOUS FIN HEIGHT

Номер патента: US20180197886A1. Автор: Cheng Kangguo,Hook Terence B.,Miao Xin,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finfet) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US20180374933A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

FABRICATION OF A VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (VERTICAL FINFET) WITH A SELF-ALIGNED GATE AND FIN EDGES

Номер патента: US20170358660A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finFET) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US10103246B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20180083103A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SiGe FinFET with improved junction doping control

Номер патента: US09443963B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160358775A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20150287810A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with stacked faceted S/D epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US09496400B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

FINFET WITH SIGMA RECESSED SOURCE/DRAIN AND UN-DOPED BUFFER LAYER EPITAXY FOR UNIFORM JUNCTION FORMATION

Номер патента: US20190157457A1. Автор: Guo Dechao,Jagannathan Hemanth,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160172469A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

STRUCTURE AND METHOD TO MAKE STRAINED FINFET WITH IMPROVED JUNCTION CAPACITANCE AND LOW LEAKAGE

Номер патента: US20150255606A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,RIM Kern,Lu Darsen D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20150287810A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

BULK FINFET WITH PARTIAL DIELECTRIC ISOLATION FEATURING A PUNCH-THROUGH STOPPING LAYER UNDER THE OXIDE

Номер патента: US20160284802A1. Автор: Jacob Ajey P.,Akarvardar Murat K.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-29.

Finfets with contact-all-around

Номер патента: US20150295089A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

FINFET WITH SIGMA RECESSED SOURCE/DRAIN AND UN-DOPED BUFFER LAYER EPITAXY FOR UNIFORM JUNCTION FORMATION

Номер патента: US20180358465A1. Автор: Guo Dechao,Jagannathan Hemanth,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US9276113B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor structure including sectioned well region

Номер патента: US20240282776A1. Автор: Mahbub Rashed,Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure including sectioned well region

Номер патента: US12046603B2. Автор: Mahbub Rashed,Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon Carbide Semiconductor Device with a Contact region having Edges Recessed from Edges of the Well Region

Номер патента: US20220093397A1. Автор: Bruce Odekirk,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAINED SILICON LAYERS ON POROUS SILICON

Номер патента: US20190131454A1. Автор: Hammond Richard,GOKTEPELI Sinan,FANELLI Stephen Alan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

NANOSHEET TRANSISTORS WITH STRAINED CHANNEL REGIONS

Номер патента: US20200251593A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device including well region

Номер патента: US11908807B2. Автор: Jinhong Park,Hyungjin Lee,Hiroki Fujii,Mingeun SONG,Huichul SHIN,Euiyoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device including well region

Номер патента: US20220399284A1. Автор: Jinhong Park,Hyungjin Lee,Hiroki Fujii,Mingeun SONG,Huichul SHIN,Euiyoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

FinFET with improved SEU performance

Номер патента: US09543382B1. Автор: Wen Wu,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Wei-Hsiung Tseng,Andrew Joseph Kelly,Pei-Shan Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Finfet with long channel length structure

Номер патента: US20240072158A1. Автор: Kuo-Min Lin,Chun-Jung Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Yu KUO,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang,Z.X. Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09947763B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

FinFET with a single contact to multiple fins bridged together to form a source/drain region of the transistor

Номер патента: US09595611B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Byeong-Chan Lee,Bon-young Koo,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US09941385B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US09536979B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Finfets with reduced parasitics

Номер патента: US20240055524A1. Автор: Wenjun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

METHOD AND DEVICE FOR FINFET WITH GRAPHENE NANORIBBON

Номер патента: US20180006031A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20170025312A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20200052097A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20160093614A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

FINFET WITH POST-RMG GATE CUT

Номер патента: US20170148682A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190157267A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Finfet with reduced capacitance

Номер патента: US20150187816A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160190129A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20150194426A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170207126A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FinFET) WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170236933A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,CHEN Wan-Te,Kang Po-Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

FINFETS WITH CONTROLLABLE AND ADJUSTABLE CHANNEL DOPING

Номер патента: US20190259752A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

FinFETs with Nitride Liners and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140374838A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Jiang Ching-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

FINFET WITH CUT GATE STRESSOR

Номер патента: US20160300948A1. Автор: Liu Yanxiang,Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

FinFET with cut gate stressor

Номер патента: US9537007B2. Автор: Haining Yang,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US9040363B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-26.

FinFET with reduced capacitance

Номер патента: US10032773B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Systems and methods for fabricating finfets with different threshold voltages

Номер патента: US20220310593A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Bulk finfet with super steep retrograde well

Номер патента: US20140159162A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Bruce B. Doris,Ghavam G. Shahidi,Jin Cai,Kevin K. Chan,Robert H. Dennard,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20170140980A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-18.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20150187634A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET) WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170194436A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Multi-fin finfets with merged-fin source/drains and replacement gates

Номер патента: US20150187815A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising an isolation region and a well region

Номер патента: EP0399066B1. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-08-12.

Triple gate and double gate finFETs with different vertical dimension fins

Номер патента: US8207027B2. Автор: Huilong Zhu,Yue Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Silicon carbide device with transistor cell and clamp regions in a well region

Номер патента: US12057473B2. Автор: Ralf Siemieniec,Dethard Peters,Joachim Weyers,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

A vertical oriented semiconductor device comprising well regions having two lateral doping gradients at different depths and a corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4310920A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Vertical oriented semiconductor device in which well regions are created in a semiconductor body, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047515A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Multiple Channel Length Finfets with Same Physical Gate Length

Номер патента: US20150318282A1. Автор: Sengupta Rwik,Rodder Mark S.,Obradovic Borna. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

FINFET WITH SLOPED SURFACE AT INTERFACE BETWEEN ISOLATION STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200343141A1. Автор: LIU Chi-Wen,Huang Hsin-Chieh,Li Chih-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

High-voltage switch with integrated well region

Номер патента: US20210265352A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device comprising a plurality of cell arrays including a well potential supply region and adjacent dummy gates provided on a well region of a cell array

Номер патента: US09362264B2. Автор: Hidetoshi Nishimura,Masaki Tamaru,Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

FINFET WITH BACK-GATE

Номер патента: US20160020326A1. Автор: Mazure Carlos,HOFMANN Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160064530A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

FORMING FINFET WITH REDUCED VARIABILITY

Номер патента: US20200235204A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20170317191A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD FOR QUADRUPLE FREQUENCY FINFETS WITH SINGLE-FIN REMOVAL

Номер патента: US20160225634A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

P-FET WITH STRAINED SILICON-GERMANIUM CHANNEL

Номер патента: US20170125303A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device with a doped well region

Номер патента: US11894363B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748143B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09455320B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150263093A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160372579A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20150263093A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170352596A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160372579A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2016-12-22.

SOI based FINFET with strained source-drain regions

Номер патента: US09601624B2. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Dominic J. Schepis,Joel P. de Souza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Germanium FinFETs with metal gates and stressors

Номер патента: US09698060B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Cmos well regions with high dopant activation level and reduced extended defects

Номер патента: US20240006246A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

SOI BASED FINFET WITH STRAINED SOURCE-DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160190302A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,Schepis Dominic J.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Devices and methods of forming finfets with self aligned fin formation

Номер патента: US20150333067A1. Автор: LUN Zhao,Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Guillaume Bouche,Andy Wei,Jin Ping Liu,Dae Geun Yang,Tien-Ying Luo,Churamani GAIRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Substrate with strained and relaxed silicon regions

Номер патента: US20170040417A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Substrate with strained and relaxed silicon regions

Номер патента: US09608068B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Finfets with epitaxy regions having mixed wavy and non-wavy portions

Номер патента: US20240363420A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

FinFETs with contact-all-around

Номер патента: US09911830B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with strained layer

Номер патента: US09831321B2. Автор: Tomonari Yamamoto,Lun-Wei Chang,Yun-Ju Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with strained layer

Номер патента: US09368626B2. Автор: Tomonari Yamamoto,Lun-Wei Chang,Yun-Ju Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Dummy dielectric fins for finfets with silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20170338322A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

FINFET WITH CONFINED EPITAXY

Номер патента: US20160005868A1. Автор: CHOI Dae-Han,WAN Jing,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH P/N STACKED FINS

Номер патента: US20180076314A1. Автор: JENG Chi-Cherng,HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,CHEN Hung-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-15.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20140167172A1. Автор: CHEN Chung-Hui,HORNG Jaw-Juinn,CHEN Wan-Te,Kang Po-Zeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200091311A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

FINFET WITH REDUCED EXTENSION RESISTANCE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200127123A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,RODDER Mark Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20160141205A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH SEPARATED DOUBLE GATES ON BULK SILICON

Номер патента: US20150236130A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Xu Xiaoyan,Li Jia. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-20.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20160240652A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

FinFET with Multiple Dislocation Planes and Method for Forming the Same

Номер патента: US20160268429A1. Автор: Lin Da-Wen,Huang Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FINFETS) WITH REPLACEMENT METAL GATES AND METHODS

Номер патента: US20180261514A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-13.

Finfets With Contact-All-Around

Номер патента: US20160329416A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

DUMMY DIELECTRIC FINS FOR FINFETS WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM CHANNELS

Номер патента: US20170338322A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

FINFET WITH P/N STACKED FINS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170345923A1. Автор: JENG Chi-Cherng,HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,CHEN Hung-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-30.

FinFET with Dummy Fins and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200403084A1. Автор: LAI Kao-Ting,Liang Yu-Chang,Hsu Chun-Hao,Ko Yu-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

FinFETs with contact-all-around

Номер патента: US9406804B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Finfet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US20240021466A1. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

FinFet with source/drain regions comprising an insulator layer

Номер патента: US11823949B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Finfet with stacked faceted s/d epitaxy for improved contact resistance

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

DEVICES AND METHODS OF FORMING BULK FINFETS WITH LATERAL SEG FOR SOURCE AND DRAIN ON DIELECTRICS

Номер патента: US20150035018A1. Автор: Chi Min-Hwa,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Germanium FinFETs with Metal Gates and Stressors

Номер патента: US20160155668A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,YEH Chih Chieh,CHANG Chih-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

FINFET WITH ETCH-SELECTIVE SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190164898A1. Автор: Xie Ruilong,Xu Guowei,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-05-30.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150340288A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

FinFETs With Contact-all-around

Номер патента: CN104979396A. Автор: 黄玉莲,李东颖. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-14.

Finfet with dual silicon gate layer for chemical mechanical polishing planarization

Номер патента: CN1806340A. Автор: 俞斌,汪海宏,K·阿楚坦,S·S·艾哈迈德. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-07-19.

Finfet with oxidation-induced stress

Номер патента: US20150357470A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Devices with strained isolation features

Номер патента: US11837662B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor Device with Strained Layer

Номер патента: US20160293735A1. Автор: Sun Yun-Ju,Yamamoto Tomonari,Chang Lun-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Transistor Structure and Method With Strain Effect

Номер патента: US20210083112A1. Автор: Wu Xusheng,LIN Youbo. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Devices with Strained Isolation Features

Номер патента: US20210104631A1. Автор: Shang Huiling,Wu Xusheng,Liu Chang-Miao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor Device with Strained Layer

Номер патента: US20150155383A1. Автор: Tomonari Yamamoto,Lun-Wei Chang,Yun-Ju Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAINED SILICON STRUCTURE

Номер патента: US20190157455A1. Автор: Wang Yu-Ren,Chang Chung-Fu,Ting Hsu,Chen Kuang-Hsiu,Yu Chun-Wei,Liu Shi-You. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

FinFETs with strained well regions

Номер патента: US09748142B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140252469A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20160284848A1. Автор: Chi-Wen Liu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20170373190A1. Автор: LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Integrated circuit having FinFETS with different fin profiles

Номер патента: US09583398B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US20210391460A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

finFET with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: US11916142B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit having FINFETs with different fin profiles

Номер патента: CN103515390A. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Vertical fin-based field effect transistor (finfet) with neutralized fin tips

Номер патента: US20230246027A1. Автор: Andrew Walker,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Francis Chai. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

A finfet with lateral charge balance at the drain drift region

Номер патента: WO2021257311A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-12-23.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US09917194B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-13.

System and method of fabricating ESD FinFET with improved metal landing in the drain

Номер патента: US09865589B1. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for quadruple frequency FinFETs with single-fin removal

Номер патента: US09673055B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365B. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Vertical transfer FinFET with different channel lengths

Номер патента: CN110651365A. Автор: 杨振荣,李忠贤,望月省吾,鲍如强. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-03.

System and method for manufacturing ESD FINFET with improved metal landing in drain

Номер патента: CN108010967B. Автор: 张永丰,谢东衡,杨宝如,李宗吉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20140001562A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20170047327A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

INTEGRATION METHOD FOR FINFET WITH TIGHTLY CONTROLLED MULTIPLE FIN HEIGHTS

Номер патента: US20180158737A1. Автор: Kim Seiyon,Kavalieros Jack T.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated Circuit Having FinFETS with Different Fin Profiles

Номер патента: US20170194323A1. Автор: Liaw Jhon-Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

MULTIWIDTH FINFET WITH CHANNEL CLADDING

Номер патента: US20150214365A1. Автор: Xie Ruilong,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-30.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170213772A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150236160A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

FinFETs with Different Fin Height and EPI Height Setting

Номер патента: US20150303116A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Devices and methods of forming bulk finfets with lateral seg for source and drain on dielectrics

Номер патента: US20150357332A1. Автор: Min-Hwa Chi,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

SOI FinFET with recessed merged Fins and liner for enhanced stress coupling

Номер патента: US8445334B1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

SOI-FinFET with recessed fused ribs and layer for improved voltage coupling

Номер патента: DE112012004932T5. Автор: do IBM Corp. Bu Huiming,c/o IBM Corp. Leobandung Effendi,c/o IBM Corp. Standaert Theodorus E.,c/o IBM Corp. Yeh Chun-chen,c/o IBM Corp. Basker Veeraraghavan S.,c/o IBM Corp. Yamashita Tenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Self-aligned silicon germanium FinFET with relaxed channel region

Номер патента: US10256341B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-04-09.

Integration method for finfet with tightly controlled multiple fin heights

Номер патента: WO2017003410A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-05.

Devices and methods of forming bulk FinFETS with lateral seg for source and drain on dielectrics

Номер патента: US9142673B2. Автор: Min-Hwa Chi,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

SOI finfet with reduced fin width dependence

Номер патента: US9640664B2. Автор: Franz Hofmann. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-02.

SELF-ALIGNED SILICON GERMANIUM FINFET WITH RELAXED CHANNEL REGION

Номер патента: US20180158945A1. Автор: Loubet Nicolas,Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL

Номер патента: US20160211377A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-07-21.

FINFET WITH ESD PROTECTION

Номер патента: US20150311342A1. Автор: CHU Li-Wei,Chen Bo-Ting,SU YU-TI,Lin Wun-Jie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing a static random access memory (SRAM) using FinFETs with varying widths of fin structures

Номер патента: US20180374858A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Integration method for finfet with tightly controlled multiple fin heights

Номер патента: EP3314637A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,AnandS. MURTHY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Finfet with gate extension

Номер патента: US20240014324A1. Автор: Asanga H. Perera,Viet Thanh Dinh,Arjan Mels. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR FORMING TRANSISTOR WITH STRAINED CHANNEL

Номер патента: US20210143067A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20190172929A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

TRANSISTOR WITH STRAINED CHANNEL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200227324A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor structure with strain reduction

Номер патента: US20190131175A1. Автор: William Snodgrass,Thomas Edward Dungan,Forest Dixon,Jonathan Kwadwo Abrokwah. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Step Fin Field-Effect-Transistor (FinFET) with Slim Top of Fin and Thick Bottom of Fin for Electro-Static-Discharge (ESD) or Electrical Over-Stress (EOS) Protection

Номер патента: US20190027470A1. Автор: HUO Xiao,HAN Xiaoyong,PAN Shuli. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FinFETs with Gradient Germanium-Containing Channels

Номер патента: US20150091099A1. Автор: Wu Zhiqiang,Huang Jiun-Jia,LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20220310593A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING FINFETS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20180350807A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method and structure for finFET with finely controlled device width

Номер патента: US9082873B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Finfet with bowl-shaped gate isolation and method

Номер патента: US20230011218A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wan-Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

A silicon-on-insulator device with strain film and method for forming strain film

Номер патента: CN1333454C. Автор: W·P·毛斯萨拉. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-08-22.

Finfet with self-aligned punchthrough stopper

Номер патента: WO2014035556A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: EP2253013A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-24.

FinFET with rounded source/drain profile

Номер патента: US09831345B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH STRAIN REDUCTION

Номер патента: US20190131175A1. Автор: Dixon Forest,Dungan Thomas Edward,Abrokwah Jonathan Kwadwo,Snodgrass William. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Multiple fin finfet with low-resistance gate structure

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US9147759B1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Memory cell with isolated well region and associated non-volatile memory

Номер патента: US20210183998A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device having an enhanced well region

Номер патента: US8283722B2. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-10-09.

A vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4310919A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient with monotonic decreasing doping concentration, as well as a corresponding method of manufacturing such a vertical oriented semiconductor device

Номер патента: US20240030315A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

A semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US20150255587A1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor structure having a high voltage well region

Номер патента: US20190229206A1. Автор: Manoj Kumar,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chung-Te Chou,Ya-Han Liang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Transistor with a-face conductive channel and trench protecting well region

Номер патента: US20110250737A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Transistor with a-face conductive channel and trench protecting well region

Номер патента: US20120235164A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Silicon carbide semiconductor device having a conductive layer formed above a bottom surface of a well region so as not to be in ohmic connection with the well region and power converter including the same

Номер патента: US20210226052A1. Автор: Shiro Hino,Hideyuki HATTA,Koji Sadamatsu,Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Single stack dual channel gate-all-around nanosheet with strained pfet and bottom dielectric isolation nfet

Номер патента: US20230420457A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Heng Wu,Gen Tsutsui,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device comprising insulated gate bipolar transistor (IGBT), diode, and well region

Номер патента: US11973132B2. Автор: Kota Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for forming a self-aligned twin well region with simplified processing

Номер патента: US20070212840A1. Автор: Gayle Miller,Bryan Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Vertical finfet with strained channel

Номер патента: US09614077B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09985109B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

FinFET with buried insulator layer and method for forming

Номер патента: US09978870B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

FINFETs WITH STRAINED CHANNELS AND REDUCED ON STATE RESISTANCE

Номер патента: US20180286982A1. Автор: Sehgal Akshey,McArdle Timothy J.,Krishnan Bharat V.,Lee Rinus Tek Po,Ray Shishir K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Finfet with reduced series total resistance

Номер патента: EP3513436A1. Автор: Ukjin Roh,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Multiwidth finFET with channel cladding

Номер патента: US09954104B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Finfet with reduced parasitic capacitence

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Always-on finfet with camouflaged punch stop implants for protecting integrated circuits from reverse engineering

Номер патента: US20210249364A1. Автор: Ronald P. Cocchi,James P. Baukus,Bryan J. WANG,Lap Wai Chow. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-08-12.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

FinFET with isolation

Номер патента: US09620642B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with source/drain coating

Номер патента: CN106158958B. Автор: 吴志强,江国诚,冯家馨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

FinFET with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US9312367B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

Номер патента: US20160064511A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10615279B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US10243077B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

FinFET with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US9917190B2. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US09653541B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

FinFETs with reduced parasitic capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US09564353B2. Автор: Yu-Lien Huang,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

FinFETs with source/drain cladding

Номер патента: US09941406B2. Автор: Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for forming fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11735649B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

FINFET WITH MULTIPLE CONCENTRATION PERCENTAGES

Номер патента: US20150001595A1. Автор: Morin Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Finfet with insulator under channel

Номер патента: US20150021663A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

FINFET WITH DOPED ISOLATION INSULATING LAYER

Номер патента: US20170025535A1. Автор: Wu Cheng-Ta,You Wei-Ming,Wang Ting-Chun,WU J.W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

System and Method of Fabricating ESD FinFET With Improved Metal landing in the Drain

Номер патента: US20200051972A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

Номер патента: US20160064511A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20200066908A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FINFET WITH REDUCED SERIES TOTAL RESISTANCE

Номер патента: US20180076326A1. Автор: Roh Ukjin,Ekbote Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

FinFET with Buried Insulator Layer and Method for Forming

Номер патента: US20150102411A1. Автор: LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180114846A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Emre Alptekin,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITENCE

Номер патента: US20180114847A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) WITH A LINER LAYER

Номер патента: US20220293774A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,PAN Kuan-Ting,JU Shi-Ning. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20180151686A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20170186775A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160197186A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

ALWAYS-ON FINFET WITH CAMOUFLAGED PUNCH STOP IMPLANTS FOR PROTECTING INTEGRATED CIRCUITS FROM REVERSE ENGINEERING

Номер патента: US20210249364A1. Автор: Cocchi Ronald P.,Chow Lap Wai,Wang Bryan J.,Baukus James P.. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20180226497A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING DIELECTRIC ISOLATED FINFET WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170243959A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING HETEROSTRUCTURE FINFET WITH TUNABLE DEVICE PARAMETERS AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20150263097A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-17.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180254340A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA Murali V R M. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING ESD FINFET WITH IMPROVED METAL LANDING IN THE DRAIN

Номер патента: US20190252370A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

FINFET WITH STACKED FACETED S/D EPITAXY FOR IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20180261630A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FINFET WITH HIGH-K SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190259619A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Tabakman Keith. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20190259852A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Alptekin Emre. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20140377944A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

FINFET WITH CONSTRAINED SOURCE-DRAIN EPITAXIAL REGION

Номер патента: US20160329428A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

FINFET WITH OXIDATION-INDUCED STRESS

Номер патента: US20150357470A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

FINFET WITH CURVED STI

Номер патента: US20190378752A1. Автор: Chen Chih-Jung,CHEN Chien-Hung,Lu Shih-Min,Li Chih-Yueh,Chiu Cheng-Pu,Hsieh Chi-Ying,Lin Yung-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

FinFET with fin having different Ge doped region

Номер патента: US9806194B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

FinFET with reduced extension resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US10957786B2. Автор: Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-23.

FinFETs with necking in the fins

Номер патента: US9559206B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Strained channel FinFET with uniform channel thickness and isolation gate

Номер патента: JP4453967B2. Автор: ギュイ・モシェ・コーエン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-21.

FinFET with multiple concentration percentages

Номер патента: US9000498B2. Автор: Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-07.

Method and structure for forming finfets with various doping on the same chip

Номер патента: TWI493630B. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B Doris. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2015-07-21.

Method and structure for forming finfets with multiple doping regions on a same chip

Номер патента: CN102640273A. Автор: Y·张,程慷果,B·多里斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11349016B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

FinFETs With Epitaxy Regions Having Mixed Wavy and Non-Wavy Portions

Номер патента: US20220052183A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

FinFET with Buried Insulator Layer and Method for Forming

Номер патента: US20160087103A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20180097113A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING ESD FINFET WITH IMPROVED METAL LANDING IN THE DRAIN

Номер патента: US20180130792A1. Автор: Young Bao-Ru,Hsieh Tung-Heng,LEE Tzung-Chi,Chang Yung Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180138307A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA MURALI V R M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

ASYMMETRIC CHANNEL FINFETS WITH WRAP AROUND CHANNEL

Номер патента: US20210328017A1. Автор: Reznicek Alexander,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

DUMMY DIELECTRIC FINS FOR FINFETS WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM CHANNELS

Номер патента: US20170338323A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

SiGe FINFET WITH IMPROVED JUNCTION DOPING CONTROL

Номер патента: US20160358775A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Dual channel finfet with relaxed pfet region

Номер патента: US20160372493A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-22.

Bulk finFET with punchthrough stopper region and method of fabrication

Номер патента: US9082853B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ragvahasimhan Sreenivasan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Finfet with dielectric isolation after gate module for improved source and drain region epitaxial growth

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Judson R. Holt,Henry K. Utomo,Rishikesh Krishnan,Yue Ke,Keith H. Tabakman,Eric C. Harley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit with strained and non-strained transistors, and method of forming thereof

Номер патента: SG117518A1. Автор: Jang Syun-Ming,Chen Yun-Hsiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit with strained and non-strained transistors, and method of forming thereof

Номер патента: TWI256129B. Автор: Syun-Ming Jang,Yun-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-01.

Field effect transistors with strained channel features

Номер патента: US09627536B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

SUBSTRATE WITH STRAINED AND RELAXED SILICON REGIONS

Номер патента: US20170040417A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,He Hong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

TRANSISTOR WITH STRAINED SUPERLATTICE AS SOURCE/DRAIN REGION

Номер патента: US20210057579A1. Автор: Chen Chun-Jen,Huang Jhong-Yi,Tang Chi-Hsuan,Chen Bo-Shiun,Huang Chung-Ting,Wu Guan-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SOURCE/DRAIN REGIONS WITH STRAIN-INDUCING LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170092766A1. Автор: Lee Byeong-Chan,Kim Seok-Hoon,Lee Kwan-heum,Kim Jin-Bum,JUNG Su-Jin,Lee Cho-eun. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SOURCE/DRAIN REGIONS WITH STRAIN-INDUCING LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Lee Byeong-Chan,Kim Seok-Hoon,Lee Kwan-heum,Kim Jin-Bum,JUNG Su-Jin,Lee Cho-eun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP WITH STRAINED NMOS AND PMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20180331221A1. Автор: ANDRIEU Francois,Berthelon Remy. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Image sensor with deep well region and method of fabricating the image sensor

Номер патента: WO2005046207A2. Автор: James Robert Janesick,Eugene L Dines,Mark S Muzilla,Maryn G Stapelbroek. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2005-05-19.

Optoelectronic device arranged as a multi-spectral light sensor having a photodiode array with aligned light blocking layers and n-well regions

Номер патента: US11862648B2. Автор: Koon-Wing Tsang,Yuh-Min Lin. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Image sensors including well regions of different concentrations and methods of fabricating the same

Номер патента: US09466636B2. Автор: Jungchak Ahn,Yitae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical fin-based field effect transistor (finfet) with connected fin tips

Номер патента: US20230361126A1. Автор: Andrew J. Walker,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

FINFET WITH UNIFORM SHALLOW TRENCH ISOLATION RECESS

Номер патента: US20180254273A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

MULTIPLE FIN FINFET WITH LOW-RESISTANCE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150311199A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon Carbide Semiconductor Device with a Contact region having Edges Recessed from Edges of the Well Region

Номер патента: US20220093397A1. Автор: Odekirk Bruce,GENDRON-HANSEN Amaury. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including well regions with different impurity densities

Номер патента: US09496344B2. Автор: Yuji Abe,Akihiko Furukawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09559018B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-31.

Dual channel finFET with relaxed pFET region

Номер патента: US09496185B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Finfet with Heterojunction and Improved Channel Control

Номер патента: US20190043987A1. Автор: Moroz Victor,Smith Stephen,Lu Qiang. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2019-02-07.

BULK FINFET WITH SUPER STEEP RETROGRADE WELL

Номер патента: US20140159163A1. Автор: Doris Bruce B.,Shahidi Ghavam G.,Cai Jin,Dennard Robert H.,Chan Kevin K.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN,Linder Barry P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

FINFET WITH HETEROJUNCTION AND IMPROVED CHANNEL CONTROL

Номер патента: US20160087099A1. Автор: Moroz Victor,Lu Qiang,Smith Stephen L.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

DUAL CHANNEL FINFET WITH RELAXED PFET REGION

Номер патента: US20160284607A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Номер патента: US7659157B2. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Dual metal gate finfets with single or dual high-k gate dielectric

Номер патента: US20090078997A1. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Dual channel finfet with relaxed pfet region

Номер патента: US20160284607A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Vertically stacked fet with strained channel

Номер патента: US20230260971A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

SOI FinFET transistor with strained channel

Номер патента: US09947772B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-17.

SOI FINFET TRANSISTOR WITH STRAINED CHANNEL

Номер патента: US20180204933A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Selective uniaxial stress modification for use with strained silicon on insulator integrated circuit

Номер патента: US8039341B2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-18.

FinFET with dielectric isolation by silicon-on-nothing and method of fabrication

Номер патента: US09478549B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150091094A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-04-02.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140191321A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

FinFET with dielectric isolation by silicon-on-nothing and method of fabrication

Номер патента: US9219068B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Efuse inside and gate structure on triple-well region

Номер патента: US11848324B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Ephrem G. Gebreselasie,Steven M. Shank,Alain F. Loiseau,Michel J. Abou-Khalil,Ahmed Y. Ginawi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

E-sicherung innerhalb und gate-struktur an dreifach-well-region

Номер патента: DE102022118471A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Ephrem G. Gebreselasie,Alain F. Loiseau,Michel J. Abou-Khalil,Ahmed Y. Ginawi,Steven M . Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Nelson Scott,Hughes Brett,Birkhahn Ronald H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Silicon-on-insulator finfet with bulk source and drain

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: WO2014110005A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-17.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: US20140377924A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Group III-V semiconductor device with strain-relieving layers

Номер патента: US09741841B2. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

FinFET with trench field plate

Номер патента: US09698227B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

FINFETs with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: US09991388B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

UV-assisted dielectric formation for devices with strained germanium-containing layers

Номер патента: US20080078987A1. Автор: Gert Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and apparatus for source-drain junction formation in a FinFET with in-situ doping

Номер патента: US09564518B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with strain-inducing regions and method thereof

Номер патента: US20130313572A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09786737B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

FinFET with dual workfunction gate structure

Номер патента: US09698270B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US12046640B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US12046639B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Finfet with sigma cavity with multiple epitaxial material regions

Номер патента: US20150097197A1. Автор: Michael Ganz,Johannes M. van Meer,Bharat V. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with strain-inducing regions and method thereof

Номер патента: US20130175545A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20130149826A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-13.

BULK FINFET WITH PARTIAL DIELECTRIC ISOLATION FEATURING A PUNCH-THROUGH STOPPING LAYER UNDER THE OXIDE

Номер патента: US20150001591A1. Автор: Jacob Ajey P.,Akarvardar Murat K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20180033857A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20180040738A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method and apparatis for source-drain junction formation finfet with quantum barrier and ground plane doping

Номер патента: US20160087070A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

FINFET WITH RELAXED SILICON-GERMANIUM FINS

Номер патента: US20150097270A1. Автор: Bedell Stephen W.,Schepis Dominic J.,Stoker Matthew W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD AND APPARATUS FOR SOURCE-DRAIN JUNCTION FORMATION IN A FINFET WITH IN-SITU DOPING

Номер патента: US20170104088A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

FinFETs with Reduced Parasitic Capacitance and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20140225219A1. Автор: HUANG Yu-Lien,Lu Kun-Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170162650A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190165095A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20170179301A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHT AND EPI HEIGHT SETTING

Номер патента: US20140284723A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,CHIANG Hung-Li,Lai Wei-Jen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-25.

FINFET WITH MULTILAYER FINS FOR MULTI-VALUE LOGIC (MVL) APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Chi Min-Hwa,Paul Abhijeet,Jacob Ajey. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

INDEPENDENT GATE FINFET WITH BACKSIDE GATE CONTACT

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

FINFET WITH DUAL WORK FUNCTION METAL

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

FINFET WITH ENHANCED EMBEDDED STRESSOR

Номер патента: US20140357037A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150287727A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

FORMING INDEPENDENT-GATE FINFET WITH TILTED PRE-AMORPHIZATION IMPLANTATION AND RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150340501A1. Автор: Eller Manfred,Wu Xusheng,Vakada Vara Govindeswara Reddy,VAN MEER Johannes Marinus. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20160351662A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Miao Xin,Lu Darsen D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365659A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FINFETS with Wrap-Around Silicide and Method Forming the Same

Номер патента: US20190355850A1. Автор: Wang Chih-hao,LIU Chi-Wen,Tsai Ching-Wei,Chiang Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Finfets with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: KR101709400B1. Автор: 치하오 왕,궈 쳉 칭,칭웨이 차이,치웬 리우,잉쿵 렁. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-02-22.

FINFETs with wrap-around silicide and method forming the same

Номер патента: US9608116B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuits having finFETs with improved doped channel regions and methods for fabricating same

Номер патента: US9287180B2. Автор: Weihua Tong,Bharat Krishnan,Seung Kim,Jinping Liu,Bongki Lee,Vidmantas Sargunas. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Methods of forming FinFET with wide unmerged source drain EPI

Номер патента: US9472470B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Structure and method of fabricating finfet with buried channel

Номер патента: US20070099350A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Structure and method of fabricating finfet with buried channel

Номер патента: CN100517619C. Автор: 朱慧珑. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365658A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FinFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US10243042B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

FINFETs with high quality source/drain structures

Номер патента: US9799730B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20180033857A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING FINFETS WITH IMPROVED DOPED CHANNEL REGIONS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150035062A1. Автор: Liu Jinping,KIM Seung,LEE Bongki,KRISHNAN Bharat,TONG Weihua,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

FINFET WITH SILICON GERMANIUM STRESSOR AND METHOD OF FORMING

Номер патента: US20150214338A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Loubet Nicolas,Yeh Chun-chen,SREENIVASAN Raghavasimhan,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: US20140377924A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Finfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20170365659A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

FINFETs WITH HIGH QUALITY SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20160351662A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

High performance semiconductor devices fabricated with strain-induced processes and methods for making same

Номер патента: US20050079677A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US11955519B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US20230268397A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US20230253457A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Implantation processes for straining transistor channels of semiconductor device structures and semiconductor devices with strained transistor channels

Номер патента: US20080277734A1. Автор: Leonard Forbes,Paul A. Farrar,Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

High performance semiconductor devices fabrication with strain-induced process and methods for making same

Номер патента: TWI245427B. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-11.

UV-assisted dielectric formation for devices with strained germanium-containing layers

Номер патента: TW200816315A. Автор: Gerrit J Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

Diagonal deep well region for routing body-bias voltage for mosfets in surface well regions

Номер патента: US20040124475A1. Автор: James Burr,Mike Pelham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device with strained channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240120381A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Group III-V Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20140054607A1. Автор: Nelson Scott,Birkhahn Ronald,Hughes Brett. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

QUANTUM DOT DEVICES WITH STRAIN CONTROL

Номер патента: US20190043951A1. Автор: Kotlyar Roza,Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Lampert Lester,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit,KEYS Patrick H.,Amin Payam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

INTEGRATED CIRCUITS WITH STRAINED SILICON AND METHODS FOR FABRICATING SUCH CIRCUITS

Номер патента: US20150076559A1. Автор: Huisinga Torsten,Frohberg Kai,Pfuetzner Egon Ronny. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

VERTICAL FET WITH STRAINED CHANNEL

Номер патента: US20180083139A1. Автор: Wang Junli,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with strain relaxed layer

Номер патента: US20220310794A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

P-FET WITH STRAINED SILICON-GERMANIUM CHANNEL

Номер патента: US20150270349A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN TECHNIQUE

Номер патента: US20140367800A1. Автор: Lee Tung Ying,LIU Chi-Wen,HUANG Yu-Lien,Chen Chung-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

MECHANISMS FOR FORMING FINFETS WITH DIFFERENT FIN HEIGHTS

Номер патента: US20160043003A1. Автор: Tien Bor-Zen,Lin Chung-Wei,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-02-11.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION BY SILICON-ON-NOTHING AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20150064855A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

Methods of fabricating semiconductor structures and devices with strained semiconductor material

Номер патента: US20120100692A1. Автор: Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-26.

High mobility plane finfets with equal drive strength

Номер патента: US20070111410A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor structures including an integrated finFET with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US9576096B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: TW200633076A. Автор: Kerry Bernstein,Brent A Anderson,Edward J Nowak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-09-16.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160233246A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

FinFETs with Deposited Fin Bodies

Номер патента: US20180337263A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Finfet with sublithographic fin width

Номер патента: US20090026543A1. Автор: Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

FinFETs with long gate length at high density

Номер патента: US7183142B2. Автор: Kerry Bernstein,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

SILICON-ON-INSULATOR FINFET WITH BULK SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150137236A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDERIES Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

FINFETS WITH STRAINED WELL REGIONS

Номер патента: US20150054040A1. Автор: LIU Chi-Wen,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FinFETs with Strained Well Regions

Номер патента: US20140239402A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US12132080B2. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Finfet with undoped body bulk

Номер патента: US20150340502A1. Автор: Shom Ponoth,Hemant Vinayak Deshpande. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Common fabrication of multiple FinFETs with different channel heights

Номер патента: US09960257B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: EP3105796A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: WO2015123305A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US9293581B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US09911829B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Finfet With Channel Backside Passivation Layer Device And Method

Номер патента: CN104037227A. Автор: 马丁·克里斯多夫·霍兰德,马提亚斯·帕斯拉克,戈本·多恩伯斯,乔治斯·威廉提斯,克里希纳·库马尔·布瓦尔卡,布兰丁·迪里耶,马克范·达尔,查理德·肯尼斯·奥克斯兰德,施奕强. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

FinFET with undoped body bulk

Номер патента: CN105097935A. Автор: 肖姆·波诺斯,赫曼特·维纳亚克·德什潘德. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US9620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US09620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with top body contact

Номер патента: US20090001464A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack A. Mandelman,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Finfet with separate gates and method for fabricating a finfet with separate gates

Номер патента: WO2009101564A1. Автор: Radu Surdeanu,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-20.

Finfet with crystalline insulator

Номер патента: US20140312425A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

FinFET with a semiconductor strip as a base

Номер патента: US09847425B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: CN103515422A. Автор: 蔡国强,丁国强,沈俊良,吴集锡,李后儒,梁春升,赖高廷. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Finfet with stressors

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: US09997629B2. Автор: Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

FinFET with merge-free fins

Номер патента: US09947791B2. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeg Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US10707332B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: US20150228795A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,Chidi Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20170278970A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20190140075A1. Автор: Chih-Hao Wang,Carlos H Diaz,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20180097114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

FinFET with novel body contact for multiple Vt applications

Номер патента: US20120007180A1. Автор: Jae Gon Lee,Chunshan YIN,Kian Ming Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Finfet with reduced gate to fin overlay sensitivity

Номер патента: US20120146112A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman,Ii John Edward Sheets. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

FinFETs with Multiple Fin Heights

Номер патента: US20140035043A1. Автор: LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,Chang Chang-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20180012989A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2018-01-11.

FINFET WITH ELECTRICALLY ISOLATED ACTIVE REGION ON BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20150021691A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

FINFET WITH STRESSORS

Номер патента: US20160035873A1. Автор: Toh Eng Huat,Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20160035878A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FINFET WITH SHORTER FIN HEIGHT IN DRAIN REGION THAN SOURCE REGION AND RELATED METHOD

Номер патента: US20220052158A1. Автор: Li Wenjun,Gu Man. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Multi-Fin FinFETs with Epitaxially-Grown Merged Source/Drains

Номер патента: US20140167163A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20180090608A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150102428A1. Автор: Reznicek Alexander,Adam Thomas N.,Fogel Keith E.,Li Jinghong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20180097114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

STRAINED FINFET WITH AN ELECTRICALLY ISOLATED CHANNEL

Номер патента: US20140191297A1. Автор: Cheng Kangguo,Guo Dechao,Shang Huiling,Divakaruni Ramachandra,Utomo Henry K.,Ramachandran Ravikumar,RIM Kern,Na Myung-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20150118814A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20160126343A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

FINFET WITH DUAL WORKFUNCTION GATE STRUCTURE

Номер патента: US20140217479A1. Автор: Hsieh Wen-Hsing,Colinge Jean-Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150144886A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20190140075A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Leung Ying-Keung,Diaz Carlos H. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20170154982A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

FINFET WITH ISOLATION

Номер патента: US20150162436A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,QUEK Elgin Kiok Boone. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

EPITAXIALLY GROWN SILICON GERMANIUM CHANNEL FINFET WITH SILICON UNDERLAYER

Номер патента: US20160163707A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,McArdle Timothy J.,Harley Eric C.T.,Holt Judson R.,Mochizuki Shogo,Karve Gauri V.,Liu Derrick,KE YUE,Smith Melissa Alyson. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

FINFET WITH WIDE UNMERGED SOURCE DRAIN EPI

Номер патента: US20160163826A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Schepis Dominic J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SLOPED FINFET WITH METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FINFET WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY CHANNEL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with an Asymmetric Source/Drain Structure and Method of Making Same

Номер патента: US20140252477A1. Автор: SONG Ming-Hsiang,Chen Wei-yu,YANG KUO-NAN,GUO Ta-Pen,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20140252489A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20140264590A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

FINFET WITH ACTIVE REGION SHAPED STRUCTURES AND CHANNEL SEPARATION

Номер патента: US20150187947A1. Автор: Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20140284667A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20180197980A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FINFET WITH ISOLATED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20150221726A1. Автор: Kim Tae-Hoon,Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

SUPERLATTICE FINFET WITH TUNABLE DRIVE CURRENT CAPABILITY

Номер патента: US20200203484A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Rode Johann C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

FINFET WITH CRYSTALLINE INSULATOR

Номер патента: US20140312425A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: Interantional Business Machines Corporation. Дата публикации: 2014-10-23.

Finfet with active region shaped structures and channel separation

Номер патента: US20140319615A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20190237572A1. Автор: Wu Zhiqiang,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

BULK FINFET WITH CONTROLLED FIN HEIGHT AND HIGH-K LINER

Номер патента: US20140353721A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

MULTI-HEIGHT FINFETS WITH COPLANAR TOPOGRAPHY BACKGROUND

Номер патента: US20140353752A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

OVERLAPPED III-V FINFET WITH DOPED SEMICONDUCTOR EXTENSIONS

Номер патента: US20140374800A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

FINFET WITH ISOLATED SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20170288016A1. Автор: Kim Tae-Hoon,Chi Min-Hwa,WONG Hoong Shing. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20170301762A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

MULTIPLE FIN FINFET WITH LOW-RESISTANCE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20200286998A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

DEVICES AND METHODS OF FORMING FINFETS WITH SELF ALIGNED FIN FORMATION

Номер патента: US20150333067A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Liu Jin Ping,GAIRE Churamani,ZHAO Lun,YANG Dae Geun,LUO Tien-Ying,HARIHARAPUTHIRAN Mariappan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

FINFET WITH UNDOPED BODY BULK

Номер патента: US20150340502A1. Автор: Ponoth Shom,Deshpande Hemant Vinayak. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

FinFETs with Source/Drain Cladding

Номер патента: US20200321461A1. Автор: Wu Zhiqiang,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Digital alloy vertical lamellae finfet with current flow in alloy layer direction

Номер патента: US20170338308A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua,TSAO Chih-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

FINFET WITH IMPROVED GATE PLANNITY

Номер патента: DE102012220822A1. Автор: Shom Ponoth,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Theodorus Eduardus Standaert,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: KR101382846B1. Автор: 춘 량 센,궈 치앙 차이,호우 주 리,춘 셍 량,카오 팅 라이,궈 치앙 팅,치 시 우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-04-08.

Digital alloy vertical lamellae FinFET with current flow in alloy layer direction

Номер патента: US10644109B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

FinFET with high mobility and strain channel

Номер патента: US8729634B2. Автор: Chun-Liang Shen,Kuo-Ching Tsai,Chun-Sheng Liang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Finfet with two independent gates and method for fabricating the same

Номер патента: CN101711426A. Автор: 马库斯杰勒德安德烈亚斯·穆勒,菲利普·克罗内尔. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-05-19.

Bulk finfet with uniform height and bottom isolation

Номер патента: WO2013006612A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: US20140170825A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeg Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Superlattice FINFET with tunable drive current capability

Номер патента: US11881511B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann C. Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

FinFET with reduced gate to fin overlay sensitivity

Номер патента: TW200901467A. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Jack Allan Mandelman,John Edward Ii Sheets,Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for manufacturing finfet with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20140011330A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2014-01-09.

Finfet with stressors

Номер патента: US20130307038A1. Автор: Eng Huat Toh,Jae Gon Lee,Elgin Quek,Chung Foong Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

FINFET WITH SELF-ALIGNED PUNCHTHROUGH STOPPER

Номер патента: US20150054033A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FINFET WITH A SILICON GERMANIUM ALLOY CHANNEL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

MULTI-FIN FINFETS WITH MERGED-FIN SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20150084101A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

BULK FINFET WITH SUPER STEEP RETROGRADE WELL

Номер патента: US20140159162A1. Автор: Doris Bruce B.,Shahidi Ghavam G.,Cai Jin,Dennard Robert H.,Chan Kevin K.,MURALIDHAR RAMACHANDRAN,Linder Barry P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20140167162A1. Автор: Wang Junli,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun,Yin Yunpeg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160093727A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Lee Tze-Liang,Yu Ming-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

FinFET with Channel Backside Passivation Layer Device and Method

Номер патента: US20140252478A1. Автор: Bhuwalka Krishna Kumar,Doornbos Gerben,Passlack Matthias,VELLIANITIS Georgios,OXLAND Richard Kenneth,Van Dal Mark,Duriez Blandine,Holland Martin Christopher,See Yee-Chaung. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Finfet with epitaxial layer having octagonal cross-section

Номер патента: US20180166574A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chih-Chun Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

FINFET WITH SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20180226504A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

FinFET With a Semiconductor Strip as a Base

Номер патента: US20170278970A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,DIAZ Carlos H.,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20160293762A1. Автор: Ting Kuo-Chiang,LAI Kao-Ting,WU Chi-Hsi,Li Hou-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

FINFET WITH EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN REGIONS AND DIELECTRIC ISOLATED CHANNEL REGION

Номер патента: US20150318377A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Divakaruni Ramachandra,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20150349080A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

FINFET WITH DIELECTRIC ISOLATION AFTER GATE MODULE FOR IMPROVED SOURCE AND DRAIN REGION EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20150349093A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Utomo Henry K.,Holt Judson R.,Tabakman Keith H.,Harley Eric C.,KE YUE. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-03.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US11211453B1. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-28.

Finfet with low gate capacitance and low extrinsic resistance

Номер патента: US20060043616A1. Автор: Brent Anderson,Andres Bryant,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Finfet with channel backside passivation layer device and method

Номер патента: KR101575407B1. Автор: 달 마크 반,게르벤 둔보스,블랑딘 뒤리에즈,게오르기오스 벨리아니티스,크리슈나 쿠마르 부왈카,리차드 케네쓰 옥스랜드,마틴 크리스토퍼 홀랜드,예창 시,매티아스 파스락. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-12-07.

Finfet with merge-free fins

Номер патента: WO2014092846A1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES. Дата публикации: 2014-06-19.

FinFET with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US8552477B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-10-08.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20160293762A1. Автор: Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Hou-Ju Li,Kao-Ting Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Vertical field effect transistor with strained channel

Номер патента: US20230411523A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

NANOSHEET TRANSISTOR HAVING A STRAINED CHANNEL WITH STRAIN-PRESERVING MULTI-SEGMENTED SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210234020A1. Автор: Loubet Nicolas,Mochizuki Shogo,Bi Zhenxing,Conti Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Nanosheet transistor having a strained channel with strain-preserving multi-segmented source/drain regions

Номер патента: US20210234020A1. Автор: Shogo Mochizuki,Richard A. Conti,Nicolas Loubet,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Electric cable with strain-gage and control system and method for strain detection in at least one electric cable

Номер патента: RU2510904C2. Автор: Давиде САРКИ,Бернд КНЮПФЕР,Карстен КЕМНИЦ,Арнд-Гюнтер КАРЛ,Томас КИТТЕЛЬ,Райнер ЭВАЛЬД,Джакомо КОЛЕТТА. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2014-04-10.

Field effect transistor with strained channels and method

Номер патента: US20240234530A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Kuo-Feng Yu,Ming-Te Chen,Yi-Hsiu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electric cable with strain-gage and control system and method for strain detection in at least one electric cable

Номер патента: RU2510865C2. Автор: Энрико КОНСОННИ,Давиде САРКИ,Бернд КНЮПФЕР,Карстен КЕМНИЦ,Роберто ГАСПАРИ,Арнд-Гюнтер КАРЛ,Томас КИТТЕЛЬ,Райнер ЭВАЛЬД. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2014-04-10.

Multiple gate MOSFET structure with strained Si fin body

Номер патента: TW200501419A. Автор: Kern Rim. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-01-01.

Devices with strained source/drain structures

Номер патента: US09911826B2. Автор: Kuan-Yu Chen,Hsueh-Chang Sung,Tsz-Mei Kwok,Hsien-Hsin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

III-V MOSFET with strained channel and semi-insulating bottom barrier

Номер патента: US09748357B2. Автор: Guy Cohen,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

III-V MOSFET with strained channel and semi-insulating bottom barrier

Номер патента: US09472667B2. Автор: Guy Cohen,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

SILICON CARBIDE DEVICE WITH TRANSISTOR CELL AND CLAMP REGIONS IN A WELL REGION

Номер патента: US20220102487A1. Автор: Weyers Joachim,Siemieniec Ralf,Peters Dethard,Jantscher Wolfgang,Kammerlander David. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A CONDUCTIVE LAYER FORMED ABOVE A BOTTOM SURFACE OF A WELL REGION SO AS NOT TO BE IN OHMIC CONNECTION WITH THE WELL REGION AND POWER CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210226052A1. Автор: Hino Shiro,Sadamatsu Koji,HATTA Hideyuki,KAWAHARA Kotaro,NAGAHISA Yuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2021-07-22.

MOSFET Having Source Region Formed in a Double Wells Region

Номер патента: US20170250252A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor MOSFET device, has n-type tape-like surface regions as up-to-surface extensions of drift layer surrounded by p-type wells region, and determined limits

Номер патента: FR2817658A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hitoshi Abe,Tatsuhiko Fujihira,Masanori Inoue,Yasushi Niimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-07.

III-V MOSFET WITH STRAINED CHANNEL AND SEMI-INSULATING BOTTOM BARRIER

Номер патента: US20160343826A1. Автор: Majumdar Amlan,Cohen Guy,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN-INDUCING REGIONS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130313572A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

DEVICE WITH STRAINED LAYER FOR QUANTUM WELL CONFINEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140054547A1. Автор: Hellings Geert,Eneman Geert,Brunco David. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor Devices Having Source/Drain Regions with Strain-Inducing Layers and Methods of Manufacturing Such Semiconductor Devices

Номер патента: US20160027875A1. Автор: Lee Byeong-Chan,Kim Seok-Hoon,Lee Kwan-heum,Kim Jin-Bum,JUNG Su-Jin,Lee Cho-eun. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

FIN-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH STRAINED CHANNELS

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Utomo Henry K.,Wang Yun Y.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH STRAINED CHANNELS

Номер патента: US20200052079A1. Автор: Cheng Kangguo,ANDERSON Brent A.,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

DEVICES WITH STRAINED SOURCE/DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20140209978A1. Автор: Chen Kuan-Yu,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,LIN Hsien-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

TRANSISTOR DEVICE WITH STRAINED LAYER

Номер патента: US20150179740A1. Автор: Boschke Roman,Trentzsch Martin,Erben Elke,Triyoso Dina H.,MOLL Peter. Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

DEVICES WITH STRAINED SOURCE/DRAIN STRUCTURES AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180190788A1. Автор: Chen Kuan-Yu,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,LIN Hsien-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

III-V MOSFET WITH STRAINED CHANNEL AND SEMI-INSULATING BOTTOM BARRIER

Номер патента: US20160204253A1. Автор: Majumdar Amlan,Cohen Guy,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SOI FINFET TRANSISTOR WITH STRAINED CHANNEL

Номер патента: US20150279970A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: STMicroelctronics, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

SINGLE TRANSISTOR WITH STRAINED AND DE-POLARIZING ANTI-FERROELECTRIC AND FERROELECTRIC OXIDE

Номер патента: US20200287017A1. Автор: Kavalieros Jack,SUNG Seung Hoon,Young Ian,AVCI Uygar,Lin Chia-Chang,Penumatcha Ashish Verma,CHANG Sou-Chi,LOH Owen,HARATIPOURA Nazila. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330957A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Inline quick disconnect system with strain relief

Номер патента: CA2625396C. Автор: Alex Oksengendler,Joseph F. Mccormick. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Plug assembly with strain relief

Номер патента: US20090221176A1. Автор: Wolfgang Beckmann,Stefan Gattwinkel. Владелец: Amad Mennekes Holding GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-09-03.

MULTI-HEIGHT FINFETS WITH COPLANAR TOPOGRAPHY

Номер патента: US20140357034A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING FINFETS WITH IMPROVED DOPED CHANNEL REGIONS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150294915A1. Автор: Liu Jinping,KIM Seung,LEE Bongki,KRISHNAN Bharat,TONG Weihua,SARGUNAS Vidmantas. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Apparatus with strain release feature for high temperature processes

Номер патента: US20100059500A1. Автор: Michael Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

STRETCHABLE ELECTRONICS FABRICATION METHOD WITH STRAIN REDISTRIBUTION LAYER

Номер патента: US20180019213A1. Автор: Aleksov Aleksandar,KOBRINSKY Mauro J.,Dias Rajendra C.,Andryushchenko Tatyana N.,Staines David W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

MULTI-FIN FINFETS WITH MERGED-FIN SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT GATES

Номер патента: US20150187815A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160204132A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

FINFET WITH VERTICAL SILICIDE STRUCTURE

Номер патента: US20140339640A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Yeh Chun-chen. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A MAIN REGION, A CURRENT SENSE REGION, AND A WELL REGION

Номер патента: US20150255587A1. Автор: NAGAOKA Tatsuji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-09-10.

Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers

Номер патента: US12002836B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers

Номер патента: US09461079B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers

Номер патента: US7872284B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-18.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09761757B2. Автор: Sungsoo Yi,Nathan Gardner,Linda Romano,Patrik Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers

Номер патента: KR100797278B1. Автор: 찬드라 모울리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2008-01-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN RELAXED LAYER

Номер патента: US20220045173A1. Автор: Wang Yu-Ren,WANG Yu-Chi,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-02-10.

PIXEL WITH STRAINED SILICON LAYER FOR IMPROVING CARRIER MOBILITY AND BLUE RESPONSE IN IMAGERS

Номер патента: US20190058000A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

PIXEL WITH STRAINED SILICON LAYER FOR IMPROVING CARRIER MOBILITY AND BLUE RESPONSE IN IMAGERS

Номер патента: US20170117319A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

III-Nitride Semiconductor Structures with Strain Absorbing Interlayers

Номер патента: US20150155357A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20150207028A1. Автор: Romano Linda,Svensson Patrik,Yi Sungsoo,Gardner Nathan. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

PIXEL WITH STRAINED SILICON LAYER FOR IMPROVING CARRIER MOBILITY AND BLUE RESPONSE IN IMAGERS

Номер патента: US20210242272A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20160260866A1. Автор: Romano Linda,Svensson Patrik,Yi Sungsoo,Gardner Nathan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20140170825A1. Автор: Wang Junli,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun,Yin Yunpeg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods for Forming FinFETs with Self-Aligned Source/Drain

Номер патента: US20140187011A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

FINFET WITH MERGE-FREE FINS

Номер патента: US20150140762A1. Автор: Wang Junli,Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

FinFETs with Regrown Source/Drain and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140273380A1. Автор: Chen Chao-Cheng,CHEN Ryan Chia-Jen,KAO Tzu-Wei,Liu Eric Chih-Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

COMMON FABRICATION OF MULTIPLE FINFETs WITH DIFFERENT CHANNEL HEIGHTS

Номер патента: US20160268400A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

OVERLAPPED III-V FINFET WITH DOPED SEMICONDUCTOR EXTENSIONS

Номер патента: US20140377918A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Methods for forming FinFETs with self-aligned source/drain

Номер патента: US8927377B2. Автор: Ying Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Methods for forming finfets with self-aligned source/drain

Номер патента: KR101454998B1. Автор: 잉 장,제프 제이 수,지웨이 팡. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-10-27.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: GB201408705D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: GB2511445B. Автор: Effendi Leobandung,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S Basker,Theordorus E Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140070360A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

FINFET WITH REDUCED CAPACITANCE

Номер патента: US20160204225A1. Автор: Koburger,III Charles W.,Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor structure with strained nanosheet channel

Номер патента: US20240170538A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor Structure Including Buffer With Strain Compensation Layers

Номер патента: US20140252366A1. Автор: Gao Xiang. Владелец: IQE RF, LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor Body with Strained Monocrystalline Region

Номер патента: US20150221719A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Niedernostheide Franz Josef,Job Reinhart. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Infrared light emitting diode with strain compensation layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180331257A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2018-11-15.

TOUCH INPUT DEVICE INCLUDING DISPLAY PANEL FORMED WITH STRAIN GAUGE AND DISPLAY PANEL FORMED WITH STRAIN GAUGE FORMING METHOD

Номер патента: US20180059839A1. Автор: KIM Yunjoung,KIM Bonkee,CHO Youngho,KIM Seyeob. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit package with strain relief grooves

Номер патента: US5195023A. Автор: Louis T. Manzione,C. Kumar Patel. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers

Номер патента: US5362974A. Автор: Michinori Irikawa,Kenichi Iga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor device with strain relieving bump design

Номер патента: TW200518308A. Автор: James Jen-Ho Wang,Alfredo Mendoza,Jin-Wook Jang,Rajashi Runton,Russell Shumway. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-06-01.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09882086B2. Автор: PING Wang,Linda Romano. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2018-01-30.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003A. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-09.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003B. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-23.

III-Nitride Nanowire LED with Strain Modified Surface Active Region and Method of Making Thereof

Номер патента: US20180145218A1. Автор: Romano Linda,Wang Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

VIBRATION-BASED ENERGY HARVESTER WITH STRAIN OPTIMISED TOPOLOGY

Номер патента: US20180198384A1. Автор: JIA Yu,Du Sijun,SESHIA Ashwin Arunkumar. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

FILTERING DEFECTS WITH STRAIN-COMPENSATED MULTI-LAYER QUANTUM DOTS

Номер патента: US20150236179A1. Автор: YANG Jun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

III-Nitride Nanowire LED with Strain Modified Surface Active Region and Method of Making Thereof

Номер патента: US20170236975A1. Автор: Romano Linda,Wang Ping. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INFRARED LIGHT EMITTING DIODE WITH STRAIN COMPENSATION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180331257A1. Автор: Lee Hyung Joo. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

High power electrical connector with strain relief

Номер патента: US20180006396A1. Автор: Graeme R. Sandwith. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

High power electrical connector with strain relief

Номер патента: US09948027B2. Автор: Graeme R. Sandwith. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Strain relief element for a cable and plug with strain relief element

Номер патента: US09698522B2. Автор: Klaus Markefka. Владелец: Erich Jaeger GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Electric cable with strain sensor and monitoring system and method for detecting strain in at least one electric cable

Номер патента: AU2009346811B2. Автор: Enrico Consonni,Roberto Gaspari,Thomas Kittel,Davide Sarchi,Bernd Knuepfer,Carsten Kemnitz,Arnd-Guenther Carl,Reiner Ewald. Владелец: Prysmian SpA. Дата публикации: 2015-09-10.

Strain Relief Element for a Cable and Plug with Strain Relief Element

Номер патента: US20160336682A1. Автор: Klaus Markefka. Владелец: Erich Jaeger GmbH. Дата публикации: 2016-11-17.

Inductors with strain relief leads and methods of making the same

Номер патента: US3713066A. Автор: J Fisher,A Wilks. Владелец: Kuhlman Electric Co. Дата публикации: 1973-01-23.

Flat cable connector with strain relief attached thereto by pins

Номер патента: US6123570A. Автор: Jeng-Yih Hwang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Connections of tubular electric cables with strain relief

Номер патента: RU2625916C2. Автор: Эйвинд ГОДАГЕР. Владелец: Сенсор Дивелопментс АС. Дата публикации: 2017-07-19.

Electrical connector assembly with strain relief

Номер патента: US4925401A. Автор: Brian A. Wolfe,Michael W. Fogg,Michael J. Scully. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1990-05-15.

Plug connector with strain relief clamp

Номер патента: US20020115336A1. Автор: Vincent Regnier,Michael Gunreben,Bernhardt Kuhnel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Tubular electric cable fittings with strain relief

Номер патента: US09899129B2. Автор: Oivind Godager. Владелец: Sensor Development AS. Дата публикации: 2018-02-20.

Medical device feedthrough assemblies with strain relief

Номер патента: US09742178B2. Автор: Andrew J. Thom. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Flat cable connector with strain relief and two-position latch

Номер патента: US4188083A. Автор: Robert G. Knowles. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

Flexible circuits with strain relief

Номер патента: CA2350088C. Автор: Drew A. Demangone. Владелец: FCI AMERICAS TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-08-09.

Plug coupling with strain relief for a connecting cable

Номер патента: US20190356088A1. Автор: Johann Lucas,Ingo Jovers,Thomas Stellmacher,Ingo Brinkmeier. Владелец: WABCO Europe BVBA. Дата публикации: 2019-11-21.

Strain Relief Element for a Cable and Plug with Strain Relief Element

Номер патента: US20160336682A1. Автор: Markefka Klaus. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Electric cable with strain sensor and monitoring system and method for detecting strain in at least one electric cable

Номер патента: CN102460606A. Автор: B·克尼普费尔,D·萨尔基,C·克姆尼茨,R·盖斯帕里,A-G·卡尔,E·孔松尼,T·基特尔,R·埃瓦尔德. Владелец: Prysmian SpA. Дата публикации: 2012-05-16.

Electric cable with strain sensor and monitoring system and method for detecting strain in at least one electric cable

Номер патента: CN102460606B. Автор: B·克尼普费尔,D·萨尔基,C·克姆尼茨,R·盖斯帕里,A-G·卡尔,E·孔松尼,T·基特尔,R·埃瓦尔德. Владелец: Prysmian SpA. Дата публикации: 2014-04-16.

Strain relief and end fastening part with strain relief

Номер патента: DE202017101483U1. Автор: . Владелец: IGUS GMBH. Дата публикации: 2017-03-31.

Strain relief and catheter provided with strain relief

Номер патента: CN103157168B. Автор: 羽室皓太,伊濑宽好. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Integrated microwave-to-optical single-photon transducer with strain-induced electro-optic material

Номер патента: US09885888B2. Автор: Hanhee Paik,Jay M. Gambetta,Jason S. Orcutt,Lev S. Bishop,Stefan FILIPP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

High-speed connector with strain relief

Номер патента: US20230299538A1. Автор: Akinori Mizumura. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Terminal with strain relief

Номер патента: CA2869845C. Автор: Michael Williams,Adam Kevelos,Michael KAMOR,Walter Ancipiuk,R. David Alderson. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2021-07-27.

Tunable vcsel with strain compensated semiconductor dbr

Номер патента: EP4229725B1. Автор: Mark E. Kuznetsov. Владелец: Excelitas Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Connector assembly with strain relief device in two parts

Номер патента: EP3989371B1. Автор: Jean Fabre,Pascal Menard. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated microwave-to-optical single-photon transducer with strain-induced electro-optic material

Номер патента: US09927636B2. Автор: Hanhee Paik,Jay M. Gambetta,Jason S. Orcutt,Lev S. Bishop,Stefan FILIPP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated microwave-to-optical single-photon transducer with strain-induced electro-optic material

Номер патента: US09857609B2. Автор: Hanhee Paik,Jay M. Gambetta,Jason S. Orcutt,Lev S. Bishop,Stefan FILIPP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Terminal with strain relief

Номер патента: US09543667B2. Автор: Michael Williams,Adam Kevelos,Michael KAMOR,Walter Ancipiuk,R. David Alderson. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2017-01-10.

1,9,10-SUBSTITUTED PHENATHIAZINE DERIVATIVES WITH STRAINED RADICAL CATIONS AND USE THEREOF

Номер патента: US20180026297A1. Автор: Odom Susan A.,Elliott Corrine F.,Casselman Matthew D.,Attanayake N. Harsha,Risko Chad,Modekrutti Subrahmanyam. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

HIGH POWER ELECTRICAL CONNECTOR WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20170085026A1. Автор: Sandwith Graeme R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

PLUG COUPLING WITH STRAIN RELIEF FOR A CONNECTING CABLE

Номер патента: US20190356088A1. Автор: LUCAS Johann,Stellmacher Thomas,Brinkmeier Ingo,Jovers Ingo. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Connector with strain relief equipment

Номер патента: CN110137744A. Автор: W·W·小韦伯,R·A·普勒. Владелец: Delphi Automotive Systems LLC. Дата публикации: 2019-08-16.

Electrical connector with strain relief

Номер патента: JP3016117U. Автор: シ− ボウエン デビッド,エイ ロング ジェリ−. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1995-09-26.

Electrical outlet with strain relief

Номер патента: DK201400096Y3. Автор: Per Jensen. Владелец: Schneider Electric Danmark AS. Дата публикации: 2014-11-14.

Miniature, shielded electrical connector with strain relief

Номер патента: US7044795B2. Автор: Chuong H. Diep. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Flexible Circuits With Strain Relief

Номер патента: KR100714333B1. Автор: 데망곤드루우에이.. Владелец: 커넥터 시스템즈 테크놀로지 엔.브이.. Дата публикации: 2007-05-04.

High-speed connector with strain relief

Номер патента: WO2022035654A1. Автор: Akinori Mizumura. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Ground Spring with Strain Relief

Номер патента: US20130171868A1. Автор: Marc A. Gessford,Jerry R. Shane,Lawrence M. LeMON. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Coaxial Cable Connector with Strain Relief Clamp

Номер патента: US20130267109A1. Автор: Chawgo Shawn M.,Hanson Brian K.,Natoli Christopher Philip. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

HIGH POWER ELECTRICAL CONNECTOR WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20180006396A1. Автор: Sandwith Graeme R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

CABLE ASSEMBLY WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20190044277A1. Автор: Mellott Michael L.,Robison Glenn E.,Renfordt Jannik. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

CONNECTOR-ASSEMBLY WITH STRAIN-RELIEF-DEVICE

Номер патента: US20200052436A1. Автор: MORALES JESUS R.,HERNANDEZ MARCELINO,Sifuentes Jose F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Tubular Electric Cable Fittings With Strain Relief

Номер патента: US20140151088A1. Автор: Godager Oivind. Владелец: SENSOR DEVELOPMENTS AS. Дата публикации: 2014-06-05.

Terminal with Strain Relief

Номер патента: US20150111440A1. Автор: KAMOR Michael,KEVELOS Adam,Williams Michael,Ancipiuk Walter,Alderson R. David. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO., INC.. Дата публикации: 2015-04-23.

CABLE ASSEMBLY WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20200119480A1. Автор: Mellott Michael L.,Robison Glenn E.,Renfordt Jannik. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

FLEXIBLE STRUCTURE WITH STRAIN GAUGE, APPLICATION TO ELECTROCHEMICAL LITHIUM-ION BATTERIES IN A FLEXIBLE PACKAGING

Номер патента: US20170141360A1. Автор: Brun-Buisson David,Genies Sylvie. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

SWITCH CONTROL MODULE WITH STRAIN GAGE AND ELECTRIC DEVICE EMPLOYING SAME

Номер патента: US20140232204A1. Автор: LIN I-SHEN. Владелец: DELTA ELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2014-08-21.

MEDICAL DEVICE FEEDTHROUGH ASSEMBLIES WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20160233656A1. Автор: Thom Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Plug connector part with strain relief

Номер патента: US20190221965A1. Автор: Marco Seelig,Dirk MOSEKE. Владелец: Phoenix Contact eMobility GmbH. Дата публикации: 2019-07-18.

SHAPE MEMORY ALLOY ACTUATOR WITH STRAIN GAUGE SENSOR AND POSITION ESTIMATION AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20190264664A1. Автор: ZAMANI Nima,KHAN Mohammad Ibrahem,KUNTZ Michael. Владелец: Smarter Alloys Inc.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device including non-volatile memory cell array having MOS structure in well region formed on semiconductor substrate

Номер патента: US20020057623A1. Автор: Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Bacillus subtilis STRAIN, PRODUCING PEPTIDE WITH ANTIMICROBIAL ACTIVITY, AND METHOD OF INHIBITING UNDESIRABLE MICROORGANISMS IN MATERIAL WITH STRAIN APPLICATION

Номер патента: RU2553547C2. Автор: Мануэль Дж. РУБИО,Фелипе А. РУБИО,Роберто КОНТРЕРАС,Дж. Фернандо РАМИРЕЗ. Владелец: Инвестигасьон Де Текнология Аванзада, С.А. Де К.В.. Дата публикации: 2015-06-20.

Step with strain gauge

Номер патента: RU2679794C2. Автор: Уве КНОТЕ. Владелец: Гебр. Боде Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-02-12.

Cutter with strain reduction device

Номер патента: RU2412025C2. Автор: Томас Дж. ЛОНГ,Джеффри Ф. КОВАЧ,ДЕ СОУСА Руй ФРОТА. Владелец: Кеннаметал Инк.. Дата публикации: 2011-02-20.

Matrix of granulator with strain state meter in draw plate

Номер патента: RU2696915C1. Автор: Владимир Юрьевич Полищук,Евгений Игоревич Панов,Светлана Петровна Василевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-07.

Rapid quantitative evaluations of heart function with strain measurements from mri

Номер патента: EP3448253A1. Автор: Nael F. Osman. Владелец: Myocardial Solutions Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Rapid quantitative evaluations of heart function with strain measurements from mri

Номер патента: US20200077920A1. Автор: Nael F. Osman. Владелец: Myocardial Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor integrated circuit device including static random access memory having diffusion layers for supplying potential to well region

Номер патента: US20090091964A1. Автор: Hiroshi Furuta,Junji Monden,Ichiro Mizuguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Eyewear with strain gauge estimation

Номер патента: US11917120B2. Автор: Jason Heger,Russell Patton. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Eyewear with strain gauge estimation

Номер патента: US20240171722A1. Автор: Jason Heger,Russell Patton. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Electronic Devices with Strain Gauges and Light Sources

Номер патента: US20240094881A1. Автор: Ming Gao,Wenhao Wang,Zhengyu Li,Yuanzhen Fan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic devices with strain gauges and light sources

Номер патента: WO2024064500A1. Автор: Ming Gao,Wenhao Wang,Zhengyu Li,Yuanzhen Fan. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Terahertz oscillator with strain induced frequency control

Номер патента: WO2011078064A4. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-09-01.

Terahertz oscillator with strain induced frequency control

Номер патента: WO2011078064A1. Автор: Yasushi Koyama. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-06-30.

Perovskite solar cells with strain-release layers

Номер патента: WO2024072553A2. Автор: Yueh-Lin Loo,Xiaoming Zhao,Tianran Liu. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-04.

Perovskite solar cells with strain-release layers

Номер патента: WO2024072553A3. Автор: Yueh-Lin Loo,Xiaoming Zhao,Tianran Liu. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-30.

This semiconductor device comprises: a semiconductor layer having a main surface; a first conductive-type well region formed on a surface layer portion of the main surface of the semiconductor layer; a first conductive-type first impurity region formed on a surface layer portion of the well region and having an inner wall portion; and a second conductive-type annular second impurity region formed on the surface layer portion of the well region inside the inner wall part so as to form a pn junction with the well region.

Номер патента: WO2022137862A1. Автор: 哲也 須藤,暁史 高橋,誠 伊藤. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2022-06-30.

Flexible circuit board interconnect with strain relief

Номер патента: US5917149A. Автор: Tina Barcley,Norman J. Roth,Vasil Germanski,Edward T. Pokriefka,Robert A. Isola. Владелец: DaimlerChrysler Co LLC. Дата публикации: 1999-06-29.

Substrate and method of forming substrate for MEMS device with strain gage

Номер патента: TW200417503A. Автор: Eric Lee Nikkel. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2004-09-16.

Piezoelectric array with strain dependent conducting elements and method therefor

Номер патента: TW200418212A. Автор: Phaedon Avouris,Alejandro Gabriel Schrott,Joerg Appenzeller,Richaed Martel,James Anthony Misewich. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-16.

Vibration-based energy harvester with strain optimised topology

Номер патента: GB201512456D0. Автор: . Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2015-08-19.

Oled structures with strain relief, antireflection and barrier layers

Номер патента: WO2005045948A2. Автор: Michael X. Ouyang. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-05-19.

Piezoelectric actuator with strain gauge

Номер патента: DE69308512T2. Автор: Takayuki Inoi,Kazumasa Ohya,Kiyotaka Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-07.

EYEWEAR WITH STRAIN GAUGE ESTIMATION

Номер патента: US20220103802A1. Автор: Heger Jason,Patton Russell. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

ROTARY ACTUATOR PROVIDED WITH STRAIN WAVE REDUCTION GEARS

Номер патента: US20190113106A1. Автор: Nakagawa Hiroshi,YAGUCHI Daisuke. Владелец: Harmonic Drive Systems Inc.. Дата публикации: 2019-04-18.

HEADSET WITH STRAIN GAUGE EXPRESSION RECOGNITION SYSTEM

Номер патента: US20160216760A1. Автор: Trutna Tristan Thomas,Nicholls William Aaron,Trutoiu Laura Cristina. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Electronic Device with Strain-Based Force Sensor

Номер патента: US20190213377A1. Автор: HOTELLING Steven P.,Miller Thayne M.,Bussat Jean-Marie,Cohen Sawyer I.,Cater Tyler B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

MEMS sensor offset compensation with strain gauge

Номер патента: US09625329B2. Автор: Ilya GURIN,Joe SEEGER. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-balancing skateboard with strain-based controls and suspensions

Номер патента: US09999827B2. Автор: Daniel J. Wood. Владелец: Future Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Self-balancing electric vehicle with strain-based controls

Номер патента: US09745013B2. Автор: Daniel J. Wood. Владелец: Focus Designs Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Intraluminal medical device with strain concentrating bridge

Номер патента: CA2566021C. Автор: William Shaw,Craig Bonsignore,John E. Carlson. Владелец: Nitinol Development Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Image forming system with strain detection

Номер патента: US10768563B2. Автор: Kenichi Yamamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-09-08.

Module base unit with strain relief means

Номер патента: EP1776661A1. Автор: Gerald Schaffler,Reinhard Fritz,Joachim Schober. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-25.

Torque wrench with strain gauges

Номер патента: CA3176871A1. Автор: Cheng Yang,Henglian LUO,Minglin Shi. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Streptococcus agalactiae antigens associated with strains virulent in fish

Номер патента: WO2016034879A1. Автор: Michael Fontaine,Ruth Nicolet ZADOKS,Christian Marie Joseph DELANNOY. Владелец: MOREDUN RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2016-03-10.

Hepatoprotection food composition and pharmaceutical composition with strains of lactic acid bacteria

Номер патента: US20210268048A1. Автор: Hsieh-Hsun HO,Ching-Wei Chen,Yi Wei Kuo,Jui- Fen CHEN. Владелец: Glac Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Module base unit with strain relief means

Номер патента: WO2006013535A1. Автор: Gerald Schaffler,Reinhard Fritz,Joachim Schober. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-02-09.

Streptococcus agalactiae antigens associated with strains virulent in fish

Номер патента: EP3189068A1. Автор: Michael Fontaine,Ruth Nicolet ZADOKS,Christian Marie Joseph DELANNOY. Владелец: MOREDUN RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2017-07-12.

Torque wrench with strain gauges

Номер патента: AU2024219879A1. Автор: Cheng Yang,Henglian LUO,Minglin Shi. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Torque wrench with strain gauges

Номер патента: AU2020438391B2. Автор: Cheng Yang,Henglian LUO,Minglin Shi. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Panel with strain gauges for measuring deformation information

Номер патента: US09541486B2. Автор: Franz Dirauf,Kerstin Farmbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Welding torch with strain relief clasp coupling a strain relief to a connector and clamping a sleeve again the connector

Номер патента: CA3091919C. Автор: Craig Matthew BONDY,Jeffrey Gerald WELLS. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2023-01-24.

System for deploying a shape memory catheterization device with strain feedback and methods for use therewith

Номер патента: US11058565B2. Автор: Bruce Stuckman,Christine Laramy. Владелец: Memory Effect Medical LLC. Дата публикации: 2021-07-13.

Straining mechanism and screw extruder equipped with straining mechanism

Номер патента: EP3323589A1. Автор: Hiroyuki Fukuda,Makoto Irie,Akio Koro. Владелец: Nihon Spindle Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-23.

Input device provided with strain gages

Номер патента: US20020011122A1. Автор: Ryoichi Maeda,Kazuo Kaneo,Takeshi Akahama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Weighing device with strain gages

Номер патента: CA1221390A. Автор: Michel Sarrazin. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 1987-05-05.

Eyewear with strain gauge wear detection

Номер патента: WO2024058870A1. Автор: Jason Heger,Matthias Kalkgruber,Erick Mendez Mendez. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Capsule with strain gauge sensors to sense events in the gastrointestinal tract

Номер патента: EP2892415A1. Автор: Yoav Kimchy,Shai Brenner. Владелец: Check Cap Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

Eyewear with strain gauge wear detection

Номер патента: US20240085166A1. Автор: Jason Heger,Matthias Kalkgruber,Erick Mendez Mendez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for enhancing oxidation of methyl bromide with strain IMB-1 (ATCC 202197) during agricultural fumigations

Номер патента: US6013254A. Автор: Ronald S. Oremland,Tracey L. Connell,Laurence G. Miller. Владелец: US Department of the Interior. Дата публикации: 2000-01-11.

Drive-by-wire assembly with strain gauge

Номер патента: WO2005104001A3. Автор: Jeffrey G Gibson. Владелец: Dura Automotive Syst Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Lift systems with strain gauges incorporated in load beams and methods for operating the same

Номер патента: US11752054B2. Автор: Jonathan D. Turner,Aziz Bhai,James WALKE,Gavin Monson. Владелец: Liko R&D AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Step plate with strain gauge element

Номер патента: US09821718B2. Автор: Uwe Knothe. Владелец: Gebrueder Bode GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-21.

Springs with strain feedback

Номер патента: US11877937B2. Автор: Lavinia Andreea Danielescu,Mark Benjamin Greenspan. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Hepatoprotection food composition and pharmaceutical composition with strains of lactic acid bacteria

Номер патента: US11963987B2. Автор: Hsieh-Hsun HO,Ching-Wei Chen,Jui-fen CHEN,Yi Wei Kuo. Владелец: Glac Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Display systems with strain gauge circuitry

Номер патента: EP4377738A1. Автор: Christopher Patton,Michael J Oudenhoven,Rick Y HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Springs with strain feedback

Номер патента: EP3995112A2. Автор: Mark Benjamin Greenspan,Andreea DANIELESCU. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Springs with strain feedback

Номер патента: EP3995112A3. Автор: Mark Benjamin Greenspan,Andreea DANIELESCU. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Display Systems With Strain Gauge Circuitry

Номер патента: US20240192507A1. Автор: Christopher Patton,Michael J Oudenhoven,Rick Y HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

STRAIN RELIEF AND CATHETER WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20130150807A1. Автор: HAMURO Kota,ISE Hiroyoshi. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-06-13.

Welding Torch With Strain Relief Clasp Coupling A Strain Relief To A Connector And Clamping A Sleeve Again The Connector

Номер патента: US20210060689A1. Автор: Bondy Craig Matthew,Wells Jeffrey Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

STRAIN GENERATION BODY AND FORCE SENSOR EQUIPPED WITH STRAIN GENERATION BODY

Номер патента: US20190226929A1. Автор: Suzuki Takashi,SHINGYOCHI Shigeaki,SHUN Subei,AKATA Toyohiko. Владелец: NIDEC COPAL ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2019-07-25.

Process for making an absorbent core with strain resistant core cover

Номер патента: EP2119420A1. Автор: Mattias Schmidt,Jochen Schäfer,Nicole Graf. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2009-11-18.

Coiled tubing injector with strain relief

Номер патента: CA2818611C. Автор: David W. Mcculloch. Владелец: National Oilwell Varco LP. Дата публикации: 2019-11-26.

Structural load monitoring using collars and connecting elements with strain sensors

Номер патента: US20110259115A1. Автор: Lars Mangal,Damon Roberts,Rogerio Ramos. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Straining mechanism and screw extruder equipped with straining mechanism

Номер патента: EP3323589A4. Автор: Hiroyuki Fukuda,Makoto Irie,Akio Koro. Владелец: Nihon Spindle Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-08.

Screw extruder with straining mechanism and its straining mechanism

Номер патента: KR102062359B1. Автор: 히로유키 후쿠다,마코토 이리에,아키오 고로. Владелец: 니혼 스핀들 세이조 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-01-03.

Non-linear single axis navigation sensor with strain relief

Номер патента: EP4082432A1. Автор: Hamid Massoud,William James AGNEW V,Corey M. ROUSU. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Single point mooring with strain relief anchoring

Номер патента: US4065822A. Автор: James P. Wilbourn. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1978-01-03.

Damper groove with strain derivative amplifying pockets

Номер патента: CA2975686A1. Автор: Daniel Coutu,Ignatius Theratil,Tony Chang,Maksim Pankratov,Nicola Houle,Vincent Savaria. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2018-03-28.

Information handling system mouse with strain sensor for click and continuous analog input

Номер патента: US20240143093A1. Автор: Deeder M. Aurongzeb,Peng Lip Goh. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-02.

Information handling system mouse with strain sensor for click and continuous analog input

Номер патента: US11983337B1. Автор: Deeder M. Aurongzeb,Peng Lip Goh. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-14.

Absorbent garment with strain resistant core cover

Номер патента: CA2722534C. Автор: Mattias Schmidt,Jochen Schaefer,Nicole Graf. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-02-24.

Measurement system with disposable fiber with strain coupling in lateral wells

Номер патента: GB2623251A. Автор: J Leblanc Michel,K Jaaskelainen Mikko. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Dispenser with strain gauge for fluid level detection

Номер патента: WO2007138248A1. Автор: WU Jin,Simon Pugh,Paul Newton. Владелец: Reckitt Benckiser (UK) Limited. Дата публикации: 2007-12-06.

Variable ram packer with strain reduction features

Номер патента: US09580988B2. Автор: Wayne Harvey,Deepak Trivedi,Aaron John Mashue,Joseph Alan Incavo,Julia Anne Bleck. Владелец: Hydril USA Distribution LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Systems and methods associated with straining a pipeline

Номер патента: TW201138929A. Автор: Jin Yan,Eric Rankin Gardner,Daniel C Pappone,Heh-Lin Hwang. Владелец: Ge Hitachi Nucl Energy America. Дата публикации: 2011-11-16.

Torque wrench with strain gauges

Номер патента: EP4121252A4. Автор: Cheng Yang,Henglian LUO,Minglin Shi. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Optical fiber mechanical splice with strain relief mechanism

Номер патента: TW200411236A. Автор: Akihiko Yazaki,Takaya Yamauchi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-07-01.

Optical fiber mechanical splice with strain relief mechanism

Номер патента: EP1540401A1. Автор: Akihiko Yazaki,Takaya Yamauchi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2005-06-15.

Optical fiber mechanical splice with strain relief mechanism

Номер патента: TWI278672B. Автор: Akihiko Yazaki,Takaya Yamauchi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Optical fiber mechanical splice with strain relief mechanism

Номер патента: AU2003251894A1. Автор: Akihiko Yazaki,Takaya Yamauchi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-03-11.

Prosthetic valve delivery apparatus with strain relief nosecone

Номер патента: US20240299164A1. Автор: Brad Buzea,Jose Luis Lopez,Salomon Xavier VALENCIA. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Prosthetic valve delivery apparatus with strain relief nosecone

Номер патента: EP4433127A1. Автор: Brad Buzea,Jose Luis Lopez,Salomon Xavier VALENCIA. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Optical sub-assembly with strain relief feature

Номер патента: WO2012071663A1. Автор: Richard Mainardi,David R. Rolston. Владелец: Reflex Photonics inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Non-linear single axis navigation sensor with strain relief

Номер патента: EP4082432B1. Автор: Hamid Massoud,William James AGNEW V,Corey M. ROUSU. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Non-linear single axis navigation sensor with strain relief

Номер патента: EP4082432C0. Автор: Hamid Massoud,V William James AGNEW,Corey M Rousu. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Panel with Strain Gauges for Measuring Deformation Information

Номер патента: US20150007664A1. Автор: DIRAUF Franz,Farmbauer Kerstin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

FIBER OPTIC CONNECTOR WITH STRAIN RELIEF ASSEMBLY

Номер патента: US20160209602A1. Автор: Theuerkorn Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Steel sheet with strain induced transformation type composite structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20180216206A1. Автор: Natsuko Sugiura,Tatsuo Yokoi,Hiroshi Shuto,Yuuki KANZAWA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

NON-PNEUMATIC TIRES WITH STRAIN LIMITING FEATURES

Номер патента: US20200324573A1. Автор: Wirth Adam,Morris Wesley Grant,Tardiff Janice Lisa,Barrera-Martinez Cindy Sofia. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

DOUBLE WALL COMBUSTORS WITH STRAIN ISOLATED INSERTS

Номер патента: US20190368736A1. Автор: Rudrapatna Nagaraja S.,Smalley Philip,Critchley Ian,Spencer Jeffrey. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2019-12-05.

Torque sensor with strain gauge arrangement

Номер патента: DE4430503C1. Автор: Dieter Doerrie,Paul Schwerdt. Владелец: Mercedes Benz AG. Дата публикации: 1996-02-29.

Surgical operating clamp forceps with strain type force measurement and tissue clamp injury alarm functions

Номер патента: CN104095670B. Автор: 徐西鹏,胡中伟,林旺源. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-18.

Pallet deck with strain reliefs

Номер патента: CA2174166A1. Автор: David W. Badger, Jr.. Владелец: PACKING MATERIALS CORP. Дата публикации: 1996-10-25.

Annular speed sensor with strain relief

Номер патента: US5336995A. Автор: LaVerne A. Caron. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1994-08-09.

Use of food composition and pharmaceutical composition with strains of lactic acid bacteria for modulating blood glucose

Номер патента: TW202045036A. Автор: 謝佩珊,蔡宜鈞,郭仲偉,何協勳,郭易緯. Владелец: 豐華生物科技股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-16.

Measuring element with strain gauge measurement bridge for volumetric flow measurement in homogeneous liquids and gases

Номер патента: DE19901543A1. Автор: Herbert Bartuch,Helmut Wurmus,Rugen Keoschkerjan,Knut Kaschlik. Владелец: INST FUEGETECHNIK und WERKSTOF. Дата публикации: 1999-09-30.

Apparatus measuring force or moment, includes plate accepting force and resting against beams of force-sensing components instrumented with strain gauges

Номер патента: DE102005033527A1. Автор: Manfred Rettig. Владелец: Schenck Process GmbH. Дата публикации: 2007-01-18.

Casserole or stewpot lid with straining function and large viewing window

Номер патента: CN101322620A. Автор: 奥列佛·柯杜利尔,吕多维克·帕基尼. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2008-12-17.

Bridge circuit with strain gauges

Номер патента: DE2116432A1. Автор: Harald 7501 Etzenrot; Trilling Uwe Dipl.-Ing. 7500 Karlsruhe. GOIl 1-04 Fritz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-10-12.

Sealed sensor with strain gauges

Номер патента: EP2409122A1. Автор: Jean-Pierre Aumard,Vincent Bourdarel. Владелец: S C A I M E SA. Дата публикации: 2012-01-25.

INTRALUMINAL MEDICAL DEVICE WITH STRAIN CONCENTRATING BRIDGE

Номер патента: US20130211499A1. Автор: Jr. William D.,Bonsignore Craig,Shaw,Carlson John E.. Владелец: NITINOL DEVELOPMENT CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

COILED TUBING INJECTOR WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20130333900A1. Автор: McCulloch David W.. Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2013-12-19.

Catheter with strain gauge sensor

Номер патента: US20140024970A1. Автор: Assaf Govari. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

NANOSTRUCTURES WITH STRAIN-INDUCED RESISTANCE

Номер патента: US20140109695A1. Автор: Bao Zhenan,Hellstrom Sondra,Vosgueritchian Michael,Lipomi Darren,Tee Chee-Keong. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

ROTATION TRANSMISSION MECHANISM PROVIDED WITH STRAIN WAVE GEARING

Номер патента: US20210033177A1. Автор: KIMURA Hiroaki,MIYAKE Sotaro,HANDA Jun. Владелец: Harmonic Drive Systems Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

ROTATION TRANSMISSION MECHANISM PROVIDED WITH STRAIN WAVE GEARING

Номер патента: US20210033178A1. Автор: KIMURA Hiroaki,MIYAKE Sotaro,HANDA Jun. Владелец: Harmonic Drive Systems Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Cooking Pot with Straining Lid and Spoon Support

Номер патента: US20160066743A1. Автор: Prommel Mark,"OLeary Kevin",Perry Marco,Kalish Matthew,Chung Pil Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

ABLATION CATHETER WITH STRAIN GAUGES

Номер патента: US20180071009A1. Автор: Bar-Tal Meir,Reuveni Avi,Hirszowicz Eran Yona,Hirszowicz Stav Abi. Владелец: Biosense Webster (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2018-03-15.

Damper groove with strain derivative amplifying pockets

Номер патента: US20200072056A1. Автор: Daniel Coutu,Ignatius Theratil,Tony Chang,Maksim Pankratov,Nicola Houle,Vincent Savaria. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Rapid quantitative evaluations of heart function with strain measurements from mri

Номер патента: US20200077920A1. Автор: Nael F. Osman. Владелец: Myocardial Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

DAMPER GROOVE WITH STRAIN DERIVATIVE AMPLIFYING POCKETS

Номер патента: US20180087384A1. Автор: Chang Tony,PANKRATOV Maksim,COUTU Daniel,THERATIL Ignatius,SAVARIA Vincent,HOULE NICOLA. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

LIFT SYSTEMS WITH STRAIN GAUGES INCORPORATED IN LOAD BEAMS AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20220133566A1. Автор: Turner Jonathan D.,Bhai Aziz,Walke James,Monson Gavin. Владелец: LIKO RESEARCH & DEVELOPMENT AB. Дата публикации: 2022-05-05.

DEVICE AND METHOD FOR EVALUATING SIGNALS OF LOAD CELLS WITH STRAIN GAUGES

Номер патента: US20140182387A1. Автор: Zeiske Karsten. Владелец: Panasonic Industrial Devices Europe GmbH. Дата публикации: 2014-07-03.

SELF-BALANCING ELECTRIC VEHICLE WITH STRAIN-BASED CONTROLS

Номер патента: US20170106931A1. Автор: WOOD Daniel J.. Владелец: Focus Designs Inc.. Дата публикации: 2017-04-20.

EFFECTIVE CONTROL OF VIRAL PLANT DISEASE WITH STRAINS OF PSEUDOMONAS OLEOVORANS

Номер патента: US20150118205A1. Автор: Lee Yong Jin,JANG Cheol,KIM Hyeong Min,Hwang In Cheon,KIM Nam Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SELF-BALANCING SKATEBOARD WITH STRAIN-BASED CONTROLS AND SUSPENSIONS

Номер патента: US20180111039A1. Автор: WOOD Daniel J.. Владелец: Future Motion, Inc.. Дата публикации: 2018-04-26.

ACCELEROMETER WITH STRAIN COMPENSATION

Номер патента: US20160139170A1. Автор: Dwyer Paul W.,Becka Stephen F.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

ELECTRIC SKATEBOARD WITH STRAIN-BASED CONTROLS AND METHODS

Номер патента: US20180147478A1. Автор: Wood Daniel James. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Variable Ram Packer with Strain Reduction Features

Номер патента: US20160160599A1. Автор: Mashue Aaron John,Trivedi Deepak,Harvey Wayne,Bleck Julia Anne,lncavo Joseph Alan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

IMPLANTABLE MEDICAL LEAD WITH STRAIN RELIEF DEVICE

Номер патента: US20200155856A1. Автор: Shan Nicolas,Julien Etienne,Rault Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

ROTATION TRANSMISSION MECHANISM PROVIDED WITH STRAIN WAVE GEARING

Номер патента: US20180180146A1. Автор: KIMURA Hiroaki,MIYAKE Sotaro,HANDA Jun. Владелец: Harmonic Drive Systems Inc.. Дата публикации: 2018-06-28.

METAL GARDEN HOSE WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20180195648A1. Автор: Yeiser John O.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

COMPONENTS WITH STRAIN SENSORS AND THERMALLY REACTIVE FEATURES AND METHODS FOR MONITORING THE SAME

Номер патента: US20170199087A1. Автор: Burnside Jason Lee,Bojappa Parvangada Ganapathy. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

CAPSULE WITH STRAIN GAUGE SENSORS TO SENSE EVENTS IN THE GASTROINTESTINAL TRACT

Номер патента: US20150223727A1. Автор: Brenner Shai,Kimchy Yoav. Владелец: CHECK-CAP LTD.. Дата публикации: 2015-08-13.

HIGH TEMPERATURE FIBER OPTIC CABLE WITH STRAIN RELIEF AND PROTECTION FOR HARSH ENVIRONMENTS

Номер патента: US20190212211A1. Автор: Spiegelberg Christine P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

FOOD COMPOSITION AND PHARMACEUTICAL COMPOSITION WITH STRAINS OF LACTIC ACID BACTERIA FOR REDUCING BLOOD URIC ACID CONCENTRATION

Номер патента: US20200214328A1. Автор: Tsai Yi-Chun,HSIEH PEI-SHAN,KUO CHUNG-WEI,HO HSIEH-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

INTEGRATED MICROWAVE-TO-OPTICAL SINGLE-PHOTON TRANSDUCER WITH STRAIN-INDUCED ELECTRO-OPTIC MATERIAL

Номер патента: US20170227795A1. Автор: Gambetta Jay M.,Bishop Lev S.,Orcutt Jason S.,Paik Hanhee,Filipp Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

SYSTEM FOR DEPLOYING A SHAPE MEMORY CATHETERIZATION DEVICE WITH STRAIN FEEDBACK AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20180228629A1. Автор: Laramy Christine,Stuckman Bruce. Владелец: Memory Effect Medical, LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

TRANSPARENT FORCE SENSOR WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20150242037A1. Автор: Smith John Stephen,Pedder James E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

STEERABLE MEDICAL DEVICE WITH STRAIN RELIEF ELEMENTS

Номер патента: US20210259790A1. Автор: KAISER Christopher Charles. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

FERRULE WITH STRAIN RELIEF SPACER FOR IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE

Номер патента: US20210260385A1. Автор: HOLMBERG Harold. Владелец: Heraeus Medical Components LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Positioning control device of actuator provided with strain wave gearing using h-infinity control

Номер патента: US20180239327A1. Автор: Masafumi Yamamoto,Makoto Iwasaki,Yoshifumi OKITSU. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2018-08-23.

Conduit connection with strain sensor on a threaded nut

Номер патента: US20150252922A1. Автор: III William H.,Williams Peter C.,Glime,Marshall Andrew P.,Bennett Mark A.,Collins Sunniva R.,Schiroky Gerhard H.,Gausman Theodore J.,Karkosiak John D.,Rubinski Jeffrey Michael,Ales Richard A.,Arstein Dale C.,Anton Arthur Frank,Butkovic Michael Ray,Goemans Johan Jan,Dacek Franziska H.,Vandendriessche Larry Dean,Mracek Kevin,"OConnor David Bryan","OConnor David E.",Lubar Nicholas Raney,Bon Sylvia Antoinette,Mohlenkamp Michael Jerome,Moore Steven W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

POSITIONING CONTROL DEVICE FOR ACTUATOR PROVIDED WITH STRAIN WAVE GEARING USING FULL-CLOSED CONTROL WITH STATE OBSERVER

Номер патента: US20180246489A1. Автор: YAMAMOTO Masafumi,Iwasaki Makoto,OKITSU Yoshifumi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

MEMS SENSOR OFFSET COMPENSATION WITH STRAIN GAUGE

Номер патента: US20160258825A1. Автор: Seeger Joe,GURIN Ilya. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

INTEGRATED MICROWAVE-TO-OPTICAL SINGLE-PHOTON TRANSDUCER WITH STRAIN-INDUCED ELECTRO-OPTIC MATERIAL

Номер патента: US20170261770A1. Автор: Gambetta Jay M.,Bishop Lev S.,Orcutt Jason S.,Paik Hanhee,Filipp Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

INTEGRATED MICROWAVE-TO-OPTICAL SINGLE-PHOTON TRANSDUCER WITH STRAIN-INDUCED ELECTRO-OPTIC MATERIAL

Номер патента: US20170261771A1. Автор: Gambetta Jay M.,Bishop Lev S.,Orcutt Jason S.,Paik Hanhee,Filipp Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Force Sensor with Strain Relief

Номер патента: US20170268942A1. Автор: Smith John Stephen,Pedder James E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

SET SCREW WITH STRAIN GAUGES

Номер патента: US20210361377A1. Автор: Benson Nicholas,Johnson Chris E.,Siby Kurian Arjun,Metcalf Newton H. Владелец: Warsaw Orthopedic, Inc.. Дата публикации: 2021-11-25.

Step Plate with Strain Gauge Element

Номер патента: US20170291552A1. Автор: Knothe Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

RAPID QUANTITATIVE EVALUATIONS OF HEART FUNCTION WITH STRAIN MEASUREMENTS FROM MRI

Номер патента: US20170311839A1. Автор: Osman Nael F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

OVERMOULDED ASSEMBLY WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20170322380A1. Автор: LEVY MOISE. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

METAL GARDEN HOSE WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20190316710A1. Автор: Yeiser,IV John O.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Adjustable foot rest with strain element and centering element

Номер патента: RU2584642C1. Автор: Аббас РАЗЕКХИ,Уве КНОТЕ. Владелец: Гебр.Боде Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2016-05-20.

Method for closed reduction of fractures of surgical neck of humerus with osteosynthesis with strained nail bundle

Номер патента: RU2524777C2. Автор: Владимир Евгеньевич Цуканов,Владимир Викторович Маловичко,Антон Александрович Третьяков. Владелец: Антон Александрович Третьяков. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of surgical treatment of fracture-dislocations of proximal part of humeral bone with strained pins

Номер патента: RU2483688C1. Автор: Анатолий Федорович Лазарев,Эдуард Иванович Солод,Александр Анатольевич Лазарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Н.Н. Приорова Минздравсоцразвития России". Дата публикации: 2013-06-10.

Bobbin with strain relief

Номер патента: CA1257669A. Автор: Raymond H. Van Wagener,Elmer J. Nabstedt. Владелец: Universal Manufacturing Corp. Дата публикации: 1989-07-18.

Method of surgical treatment of comminuted fractures of proximal part of upper arm bone with strained pins

Номер патента: RU2357692C1. Автор: Анатолий Федорович Лазарев,Эдуард Иванович Солод,Владислав Николаевич Харьков. Владелец: Федеральное государственное учреждение Центральный научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова Росмедтехнологий. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of estimation of strain and angles of orientation of ship with strain taken into account

Номер патента: RU2261417C1. Автор: И.И. Адамов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2005-09-27.

CABLE ASSEMBLY WITH STRAIN RELIEF MEANS

Номер патента: US20120002930A1. Автор: LIN HSIEN-CHU,CHENG KUN-TE. Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FINFET WITH STRESSORS

Номер патента: US20120171832A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-07-05.

BULK FINFET WITH UNIFORM HEIGHT AND BOTTOM ISOLATION

Номер патента: US20130009246A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

FINFET WITH IMPROVED GATE PLANARITY

Номер патента: US20130134513A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Seo Soon-Cheon,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

FinFETs with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20130154002A1. Автор: Lee Hsien-Ming,Kuo Po-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

SOI FINFET WITH RECESSED MERGED FINS AND LINER FOR ENHANCED STRESS COUPLING

Номер патента: US20130154005A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

FINFET WITH MERGED FINS AND VERTICAL SILICIDE

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATING FINFET WITH MERGED FINS AND VERTICAL SILICIDE

Номер патента: US20130164890A1. Автор: Bryant Andres,Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Yeh Chun-chen,HAENSCH Wilfried,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

FINFET WITH FULLY SILICIDED GATE

Номер патента: US20130175620A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

FinFETs with Vertical Fins and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130175659A1. Автор: LIU MING-CHYI. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY. LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20130249019A1. Автор: OKUNO Yasutoshi,Kelly Andrew Joseph,Chien Pei-Shan,Tseng Wei-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20130334606A1. Автор: Ting Kuo-Chiang,LAI Kao-Ting,WU Chi-Hsi,Liang Chun-Sheng,Shen Chun-Liang,Tsai Kuo-Ching,Li Hou-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

FinFET with Body Contact

Номер патента: US20130341724A1. Автор: Erickson Karl R.,Paone Phil C.,Paulsen David P.,Uhlmann Gregory J.,Williams Kelly L.,Sheets John E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-26.

FinFET with High Mobility and Strain Channel

Номер патента: US20140008736A1. Автор: Ting Kuo-Chiang,LAI Kao-Ting,WU Chi-Hsi,Li Hou-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-09.

FinFET with Trench Field Plate

Номер патента: US20140015048A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Ng Chun-Wai,Chou Hsueh-Liang,Su Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

MERGED FIN FINFET WITH (100) SIDEWALL SURFACES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140027863A1. Автор: Reznicek Alexander,Adam Thomas N.,Fogel Keith E.,Li Jinghong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

FINFET WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20140061734A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

FINFET WITH SELF-ALIGNED PUNCHTHROUGH STOPPER

Номер патента: US20140061794A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

BULK FINFET WITH CONTROLLED FIN HEIGHT AND HIGH-K LINER

Номер патента: US20140061820A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR FINFET WITH FINELY CONTROLLED DEVICE WIDTH

Номер патента: US20140077296A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Multigate FinFETs with Epitaxially-Grown Merged Source/Drains

Номер патента: US20140080275A1. Автор: Reznicek Alexander,Adam Thomas N.,Harley Eric C.,HOLT Judson Robert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20140117454A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

BULK FINFET WITH PUNCHTHROUGH STOPPER REGION AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140117462A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Sreenivasan Ragvahasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

FINFET WITH VERTICAL SILICIDE STRUCTURE

Номер патента: US20130154006A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Lin Chung-Hsun,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

FINFET WITH FULLY SILICIDED GATE

Номер патента: US20130178020A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

FINFET WITH ENHANCED EMBEDDED STRESSOR

Номер патента: US20130285152A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

ELECTRIC CABLE WITH STRAIN SENSOR AND MONITORING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING STRAIN IN AT LEAST ONE ELECTRIC CABLE

Номер патента: US20120082422A1. Автор: Sarchi Davide,Kittel Thomas,Consonni Enrico,Knuepfer Bernd,GASPARI Roberto,Kemnitz Carsten,Carl Arnd-Guenther,Ewald Reiner. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

Battery powered grease gun with strain gauge based pressure transducer

Номер патента: CA2605218A1. Автор: Don R. Linkletter,R. Mark Weems,James Lipsey,Philip Michael Anthony, Iii. Владелец: WEEMS INDUSTRIES, INC., D/B/A/ LEGACY MANUFACTURING COMPANY. Дата публикации: 2008-04-05.

Catheter with strain gauge sensor

Номер патента: AU2015202549A1. Автор: Assaf Govari. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Measuring flat spring provided with strain gauges

Номер патента: PL245366A1. Автор: Krzysztof Tomaszewski,Janusz Szewczyk. Владелец: PRZEMYSLOWY INSTYTUT AUTOMATYK. Дата публикации: 1985-07-02.

An underlap induced nano system with strained-si channel based double gate nano-field effect transistor (dg-fet)

Номер патента: ZA202302597B. Автор: Sankar Dhar Rudra,Kumar Kuleen,Yugender Potaraju,Barik Rasmita,Nanda Swagat. Владелец: Nanda Swagat. Дата публикации: 2023-05-31.

Food and pharmaceutical composition with strains of lactic acid bacteria for treatment of gastric ulcer

Номер патента: TW201124146A. Автор: Yi-Chun Chen,Pei-Shan Hsieh,Yi-Chun Tsai,Albert Kuo. Владелец: Glact Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-16.

Semiconductor Device Having A Modified Shallow Trench Isolation (STI) Region And A Modified Well Region

Номер патента: US20120313166A1. Автор: ITO Akira. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN

Номер патента: US20120091534A1. Автор: Satoh Shigeo. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-04-19.

Line Receptacle Device with Strain Relief

Номер патента: US20120264324A1. Автор: STEIN Ulf. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of producing specimen with strain concentrator

Номер патента: SU1527553A1. Автор: Юрий Нестерович Ленец,Александр Наумович Ткач,Илья Богданович Полутранко,Николай Дмитриевич Дмитрах. Владелец: Львовский политехнический институт им.Ленинского комсомола. Дата публикации: 1989-12-07.

Bolt with strain measurement function

Номер патента: JP4329477B2. Автор: 裕之 太田,貴志 澄川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Waste gas treatment is with straining a section of thick bamboo with be convenient for installation dismantlement

Номер патента: CN212663120U. Автор: 吴学军. Владелец: Kunshan Wanyuan Environmental Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

MAGNETIC MEMORY WITH STRAIN-ASSISTED EXCHANGE COUPLING SWITCH

Номер патента: US20120025339A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor body with strained region

Номер патента: US20120112242A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Niedernostheide Franz Josef,Job Reinhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-05-10.

OPTICAL SUB-ASSEMBLY WITH STRAIN RELIEF FEATURE

Номер патента: US20120141073A1. Автор: . Владелец: Reflex Photonics inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

III-Nitride Semiconductor Structures with Strain Absorbing Interlayer Transition Modules

Номер патента: US20120223365A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

Y-SHAPED EAR SENSOR WITH STRAIN RELIEF

Номер патента: US20120253152A1. Автор: . Владелец: Nellcor Puritan Bennett LLC. Дата публикации: 2012-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAINED CHANNEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120302024A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

LIGHT-EMITTING DIODE WITH STRAIN-RELAXED LAYER

Номер патента: US20120305888A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAINED CHANNELS INDUCED BY HIGH-K CAPPING METAL LAYERS

Номер патента: US20130075826A1. Автор: Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STRAIN-INDUCING REGIONS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130175545A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-11.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.