Infrared light emitting diode with strain compensation layer and manufacturing method thereof
Номер патента: US20180331257A1
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): Hyung Joo Lee
Принадлежит: AUK CORP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): Hyung Joo Lee
Принадлежит: AUK CORP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light-emitting epitaxial structure, method for manufacturing the same and infrared light-emitting diode
Номер патента: US20230076489A1. Автор: Qian Liang,Yu-Ren Peng,Chaoyu Wu,Wenhao GAO,Yanbin FENG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.