Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Номер патента: US7659157B2
Опубликовано: 09-02-2010
Автор(ы): Brian J. Greene, Mahender Kumar
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dual metal gate finfets with single or dual high-k gate dielectric

Номер патента: US20090078997A1. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20230253263A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US20210249313A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structures having neutral zones to minimize metal gate boundary effects and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11908866B2. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20200176447A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Triple gate and double gate finFETs with different vertical dimension fins

Номер патента: US8207027B2. Автор: Huilong Zhu,Yue Tan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Ultra-scaled fin pitch processes having dual gate dielectrics and the resulting structures

Номер патента: WO2018063366A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

MULTILAYER HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR A HIGH PERFORMANCE LOGIC TRANSISTOR

Номер патента: US20210167182A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Metz Matthew V.,SUNG Seung Hoon,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram,Avci Uygar E.,Young Ian A.,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,TUNG I-Cheng,CHANG Sou-Chi,MERRILL Devin,LOH Owen,MATTSON Eric Charles. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252492A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170221898A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20180240799A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

High-k gate dielectric and metal gate conductor stack for fin-type field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US9859279B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20210305258A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory structure employing high-k gate dielectric and metal gate

Номер патента: US9318336B2. Автор: Michael P. Chudzik,Nicolas Breil,Rishikesh Krishnan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2016-04-19.

Dual high-k oxides with sige channel

Номер патента: CN102292800B. Автор: 罗天英,戈里·V·卡尔韦,丹尼尔·G·特克莱亚布. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-20.

Strained spacer design for protecting high-K gate dielectric

Номер патента: US7763945B2. Автор: Chih-Hao Wang,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US7683432B2. Автор: Hiroshi Oji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Greater integrity of a high-k gate metal electrode structure by employing a sacrificial spacer for overcoat removal

Номер патента: DE102009055438A1. Автор: Uwe 04416 Griebenow,Jan 01309 Hoentschel,Thilo 01099 Scheiper,Andy 01097 Wei. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB201010321D0. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-08-04.

High-K gate electrode structure formed after transistor fabrication by using a spacer

Номер патента: US8470661B2. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Uwe Griebenow,Heike Berthold. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Thermal Treatment for Gate Dielectrics

Номер патента: US20190378913A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Che-Hao Chang,Hung-Yao Chen,Terry Huang,Yi-Yun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Metal-gate CMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US8592271B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Cheng-Tzung Tsai,Chen-Hua Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of forming a semiconductor structure with a metal gate

Номер патента: US20210035865A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming a semiconductor structure including laterally etching semiconductor material in fin recess region and depositing metal gate therein

Номер патента: US11355396B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum

Номер патента: DE102005016925B4. Автор: Harald Seidl,Martin Ulrich Dr. Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Germanium FinFETs with metal gates and stressors

Номер патента: US09698060B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Reducing pattern loading in the etch-back of metal gate

Номер патента: US12034059B2. Автор: Po-Chin Chang,Wei-Hao Wu,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Reducing pattern loading in the etch-back of metal gate

Номер патента: US20240322010A1. Автор: Po-Chin Chang,Wei-Hao Wu,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Bottom-up metal gate formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248041A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Independent gate finfet with backside gate contact

Номер патента: US20180248042A1. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and structure for metal gate boundary isolation

Номер патента: US20230299153A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: WO2014110005A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-17.

Strained finfet with an electrically isolated channel

Номер патента: US20140377924A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kern Rim,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Metall-gate-strukturen und verfahren zum herstellen derselben in feldeffekttransistoren

Номер патента: DE102020122120A1. Автор: Ying Lu,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Pin Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182T5. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Composite gate dielectric for high-voltage device

Номер патента: US20240113187A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Ying-Chou Chen,Fei-Yun Chen,Jhu-Min Song,Chi-Te Lin,Yi-Kai Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20180331199A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200152757A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Replacement metal gate with reduced shorting and uniform chamfering

Номер патента: US20200066879A1. Автор: Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US20240096643A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182B4. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US11854828B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11152250B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Method for selective removal of gate dielectric from dummy fin

Номер патента: US11837649B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11876013B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Verfahren und Struktur zum Abgleichen der Austrittsarbeit in Transistoren, die einen Gate-Elektroden-Isolator mit hoher Dielektrizitätskonstante und eine Metall-Gate-Elektrode (HKMG) enthalten

Номер патента: DE112011101277T5. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High-K gate dielectric

Номер патента: US11862706B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High-k gate dielectric

Номер патента: US20240154019A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Structure of metal gate structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09653300B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Chi-Yuan Sun,Nien-Ting Ho,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Large dimension metal gate field-effect transistor (fet) with metal gate dummy structures

Номер патента: US20240186397A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Yu-chen Chang,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060160342A1. Автор: Mark Doczy,Valery Dubin,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Lawrence Wong,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150004780A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tsun-Min Cheng,Jen-Chieh Lin,Ching-Ling Lin,Shao-Wei Wang,Min-Chuan Tsai,Pei-Ying Li,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device with metal gate

Номер патента: US09685444B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Strained metal gate structure for cmos devices with improved channel mobility and methods of forming the same

Номер патента: WO2008106244A2. Автор: Wei He,Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-04.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20190259853A1. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20200098883A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

CMOS Devices with Metal Gates and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130154022A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Bao-Ru Young,Chia Ming Liang,Sheng-Chen Chung,Sin-Hua WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Replacement Metal Gate Integration for Gate All Around Transistors

Номер патента: US20240186401A1. Автор: Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

FinFET with dual workfunction gate structure

Номер патента: US09698270B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: US20240243131A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: WO2024155358A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: US20240290788A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: EP4425540A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming metal gate

Номер патента: US20120244675A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chin-Cheng Chien,Chiu-Hsien Yeh,Yeng-Peng Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Planarizing a semiconductor structure to form replacement metal gates

Номер патента: WO2006020158A3. Автор: Mark Doczy,Chris Barns,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Matthew Metz. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of forming a semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US9230864B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shi-Xiong Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

System and method for integrating multiple metal gates for CMOS applications

Номер патента: US20040171222A1. Автор: Wei Gao,Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die Metall-Gate-Elektroden aufweist

Номер патента: DE102011054757B9. Автор: Byung-kwon CHO,Jae-Jik Baek,Boun Yoon,Sukhun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Metal gate and manufuacturing process thereof

Номер патента: US09577067B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: US9991375B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Dual metal gates for mugfet device

Номер патента: US20080272433A1. Автор: Weize Xiong,Husam Niman Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09698061B2. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09514998B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336238A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336348A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Annealing oxide gate dielectric layers for replacement metal gate field effect transistors

Номер патента: US20150279744A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20220102532A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

High-K gate dielectric with work function adjustment metal layer

Номер патента: US8860143B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-14.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

HYBRID GATE LAST INTEGRATION SCHEME FOR MULTI-LAYER HIGH-k GATE STACKS

Номер патента: US20140110791A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks

Номер патента: WO2014062377A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Lateral undercut of metal gate in SOI device

Номер патента: US20070040223A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240304449A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20230360918A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020941B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Dual metal and dual dielectric integration for metal high-k fets

Номер патента: EP2419925A1. Автор: Yue Liang,Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Rashmi Jha,Richard S. Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Dual metal and dual dielectric integration for metal high-k fets

Номер патента: WO2010120842A1. Автор: Yue Liang,Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Rashmi Jha,Richard S. Wise. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-21.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: US09698232B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US11901426B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: WO2016148927A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

High-K metal gate

Номер патента: US09431509B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

High-k metal gate

Номер патента: US20140183653A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN101916771B. Автор: 休曼·达塔,贾斯廷·布拉斯克,杰克·卡瓦莱厄斯,马克·多克茨,尤黛·沙赫,克里斯·巴恩斯,马修·梅茨,安娜丽莎·卡佩尔拉尼,罗伯特·赵. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN100524660C. Автор: S·达塔,A·米勒,C·巴恩斯,M·梅茨,J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,R·曹,M·多茨,U·夏. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

CMOS Circuits with High-K Gate Dielectric

Номер патента: US20080272438A1. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Charlotte DeWan Adams,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

High-K gate dielectric stack plasma treatment to adjust threshold voltage characteristics

Номер патента: SG120170A1. Автор: CHEN SHIH-CHANG,Hou Tuo-Hung,YAO Liang-Gi,Wang Ming-Fang,Mai Kai-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-28.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

(110)-oriented p-channel trench MOSFET having high-k gate dielectric

Номер патента: TW201017886A. Автор: Qi Wang,Tat Ngai. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-05-01.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: US20130126986A1. Автор: Michael P. Chudzik,Min Dai,Murshed M. Chowdhury,Shahab Siddiqui,Siddarth A. Krishnan,Shreesh Narasimha,MaryJane Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: US7989902B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Sealing spacer to reduce or eliminate lateral oxidation of a high-k gate dielectric

Номер патента: US20070262399A1. Автор: Gilbert Dewey,Suman Datta,Jack Kavalieros,Justin Sandford,Nancy Zelick. Владелец: Kavalieros Jack T. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric layer

Номер патента: US8912611B2. Автор: Hajin LIM,Jinho Do,Weonhong Kim,Moonkyun Song,Dae-Kwon Joo,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: KR101606210B1. Автор: 타카시 안도,창환 최,비제이 나라야난,마틴 엠. 프랭크. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2016-03-24.

Preparation of SiC MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field Effect transistor) based on high-k gate dielectric and low-temperature ohmic contact process

Номер патента: CN111739937A. Автор: 程新红,郑理,俞跃辉,刘少煜. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-10-02.

High-k gate dielectric and method of manufacture

Номер патента: US8294201B2. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-23.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: CN103946963A. Автор: 戴敏,M·M·乔德哈里,M-J·布罗德斯基,M·P·储德泽克,S·A·克里什南,S·纳拉丝穆哈,S·斯蒂奎. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Threshold adjustment for high-K gate dielectric CMOS

Номер патента: JP4917171B2. Автор: カルティエ、エドワード、アルバート,ドリス、ブルース、ベネット,ナラヤナン、ビジャ,パルチューリ、バムシ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

High-k gate dielectric and method of manufacture

Номер патента: CN101364540A. Автор: 余振华,姚亮吉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

(110)-oriented p-channel trench mosfet having high-K gate dielectric

Номер патента: CN101673766A. Автор: 王�琦,塔特·恩盖. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Nitrogen treatment to improve high-k gate dielectrics

Номер патента: TW200623316A. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen,Ta-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-01.

High-K Gate Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20090042381A1. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Nitrogen treatment to improve high-k gate dielectrics

Номер патента: TWI278060B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen,Ta-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20160204247A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Maintaining integrity of a high-k gate stack by passivations using an oxygen plasma

Номер патента: WO2011025800A3. Автор: Sven Beyer,Rick Carter,Andreas Hellmich,Berthold Reimer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

A method of encapsulating a high-k gate stack by forming a coating at two different process temperatures

Номер патента: DE102008016437B3. Автор: Fabian Koehler,Katy Schabernack,Falk Graetsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming metal/high-k gate stacks with high mobility

Номер патента: US7115959B2. Автор: Vijay Narayanan,Christopher P. D'Emic,Sufi Zafar,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Alessandro C. Callegari,Paul C. Jamison,Dianne L. Lacey,Fenton R. McFeely,Michael A. Gribelyuk,Wanda Andreoni,Alessandro Curioni,Evengi Gousev,Carlo A. Pignedoli,Joseph P. Shepard, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

A dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: SG135914A1. Автор: Mei Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-29.

Dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: US6475908B1. Автор: Mei-Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Hybrid integrated semiconductor tri-gate and split dual-gate FinFET devices and method for manufacturing

Номер патента: US09922878B2. Автор: Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for forming metal gate

Номер патента: US8679923B2. Автор: Lily Jiang,Junzhu Cao,Cindy Li,Creek Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

FinFET with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US8552477B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US20170309722A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Triple layer high-k gate dielectric stack for workfunction engineering

Номер патента: US20230378294A1. Автор: Chia-Yuan Chang,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Triple layer high-k gate dielectric stack for workfunction engineering

Номер патента: US12015066B2. Автор: Chia-Yuan Chang,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US20160197157A1. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US09905665B2. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12074111B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240371773A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09502313B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a dual-gate FinFET

Номер патента: US09680023B1. Автор: YU Bao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Seam-filling of metal gates with Si-containing layers

Номер патента: US11948981B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336239A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Seam-Filling of Metal Gates with Si-Containing Layers

Номер патента: US20240021680A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Block layer in the metal gate of mos devices

Номер патента: US20150279838A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Metal gate with silicon sidewall spacers

Номер патента: US09496402B2. Автор: Po-Chi WU,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing a replacement metal gate device structure

Номер патента: US20220384195A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220270971A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11769669B2. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230268277A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: EP3933933A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Self-aligned dual-metal silicide and germanide formation

Номер патента: US9559182B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Self-Aligned Dual-Metal Silicide and Germanide Formation

Номер патента: US20170140942A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20200090938A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

In-situ formation of metal gate modulators

Номер патента: US20240063061A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Chi On Chui,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

In-situ formation of metal gate modulators

Номер патента: US11842928B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Chi On Chui,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Self-Aligned Dual-Metal Silicide and Germanide Formation

Номер патента: US20160099331A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Meng-Chun Chang,Gin-Chen Huang,Chun Hsiung Tsai,Ling-Yen Yeh,Yen-Chun Huang,Chi-Yuan Shih,Li-Chi Yu,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Metal gates and methods of forming thereby

Номер патента: US12046519B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Metal Gates and Methods of Forming Thereby

Номер патента: US20240347392A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

FinFETs with multiple threshold voltages

Номер патента: US09472638B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Po-Chin Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Metal gates and methods of forming thereby

Номер патента: US20210398861A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Passivator for Gate Dielectric

Номер патента: US20200066535A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US09608086B2. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Quadruple gate dielectric for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12113115B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240363716A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

High-K layer chamfering to prevent oxygen ingress in replacement metal gate (RMG) process

Номер патента: US09865703B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Conductive spline for metal gates

Номер патента: US09548384B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Steve Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US09508791B2. Автор: Tsung-Chieh Tsai,Juing-Yi Wu,Jyh-Kang Ting,Liang-Yao Lee,Yung-Che Albert SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Stacked transistor structures with different gate dielectric materials

Номер патента: EP4199061A1. Автор: Matthew Metz,Charles Kuo,Christopher Jezewski,Nicole K. Thomas,I-Cheng Tung,Sarah ATANASOV,Sudarat Lee,Thoe MICHAELOS,Scott Clendenning,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Cutting Metal Gates in Fin Field Effect Transistors

Номер патента: US20200279854A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Li-Wei Yin,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Self-Aligned Metal Gate for Multigate Device

Номер патента: US20240347391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

FinFET structure having a gate contact above a metal gate and straddling the boundary of an active region

Номер патента: US12148834B2. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Forming two portion spacer after metal gate and contact formation, and related ic structure

Номер патента: US20200303261A1. Автор: Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Cutting Metal Gates in Fin Field Effect Transistors

Номер патента: US20200020701A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Li-Wei Yin,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrating standard-gate transistors and extended-gate transistors on the same substrate using low-temperature gate dielectric treatments

Номер патента: WO2023072792A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US20170162688A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US20240186188A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Metal Gates and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20200266282A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11605563B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Metal gate structure and method of making the same

Номер патента: US9324620B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Shi-Xiong Lin,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Fin to fin trench contact through a metal gate cut

Номер патента: EP4109555A1. Автор: Guillaume Bouche,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US20230238450A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20230369439A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for Fabricating Metal Gate Devices and Resulting Structures

Номер патента: US20230395689A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20190326282A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200373298A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Self-aligned metal gate for multigate device

Номер патента: US12033899B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Metal-gate high-k reference structure

Номер патента: WO2010018070A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Plug and recess process for dual metal gate on stacked nanoribbon devices

Номер патента: US12046652B2. Автор: Marko Radosavljevic,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Plug and recess process for dual metal gate on stacked nanoribbon devices

Номер патента: US20240332389A1. Автор: Marko Radosavljevic,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Dual metal gate corner

Номер патента: WO2010020546A4. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-04-15.

Dual metal gate corner

Номер патента: US20120267726A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US20240250139A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for doping high-k metal gates for tuning threshold voltages

Номер патента: US20240379365A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self-Aligned Metal Gate Etch Back Process and Device

Номер патента: US20190259849A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Metal gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11881518B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Jie-Ning Yang,Wen-Tsung Chang,Po-Wen Su,Kuan-Ying LAI,Bo-Yu Su,Yao-Jhan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Metal gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11929418B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Jie-Ning Yang,Wen-Tsung Chang,Po-Wen Su,Kuan-Ying LAI,Bo-Yu Su,Yao-Jhan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20070040227A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for manufacturing metal gate

Номер патента: US20240154005A1. Автор: ZHOU Yao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Block layer in the metal gate of MOS devices

Номер патента: US09735231B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Conformity control for metal gate stack

Номер патента: US09396953B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Low undercut n-p work function metal patterning in nanosheet replacement metal gate process

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Sivananda Kanakasabapathy,Romain J. Lallement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20050245036A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Block Layer in the Metal Gate of MOS Devices

Номер патента: US20170323940A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for fabricating metal gate structures

Номер патента: US20050202644A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Mark Liu,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Transistor device having a gate setback from a gate dielectric

Номер патента: US20240258373A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices comprising nitrogen-doped gate dielectric

Номер патента: US09922885B1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity

Номер патента: US09768272B2. Автор: Hong He,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Preventing over-polishing of poly gate in metal-gate CMP

Номер патента: US09543212B2. Автор: LI Jiang,Pulei Zhu,Xiantao Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US9985104B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Field effect transistor with electroplated metal gate

Номер патента: US20060081885A1. Автор: Emanuel Cooper,Hariklia Deligianni,Panayotis Andricacos,Caliopi Andricacos,Katherine Saenger,Philippe Vereecken,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US09496362B1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

MOS transistor having a gate dielectric with multiple thicknesses

Номер патента: US09466715B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: WO2005067033A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: EP1700338A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US11764282B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Metal gate process for FinFET device improvement

Номер патента: US09837505B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated circuit metal gate structure having tapered profile

Номер патента: US09455344B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Select gates with select gate dielectric first

Номер патента: US09443862B1. Автор: Yusuke Yoshida,Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Low threshold voltage transistor with non-uniform thickness gate dielectric

Номер патента: GB2451122A. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X Fab UK Ltd. Дата публикации: 2009-01-21.

Variable length multi-channel replacement metal gate including silicon hard mask

Номер патента: US20150349076A1. Автор: Michael P. Chudzik,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: WO2016187387A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20180269302A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: WO2015050615A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20160343823A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3826073A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a trench FET having a merged gate dielectric

Номер патента: US09853142B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09691877B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09685532B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods and apparatus of metal gate transistors

Номер патента: US09508590B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

DRAM device having a gate dielectric layer with multiple thicknesses

Номер патента: US7948028B2. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US20170033105A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20210119012A1. Автор: Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US20170194452A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

A method of manufacturing finfet devices using narrow and wide gate cut openings in conjuction with a replacement metal gate process

Номер патента: US20190341475A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,TAO Han,Hui Zhan,Laertis Economikos,John Zhang,Xusheng Wu,Jinping Liu,Jiehui SHU,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US20200273962A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019139612A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Metal gate process for finfet device improvement

Номер патента: US20170141203A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Metal gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US20140246735A1. Автор: Richard Carter,Thilo Scheiper,Martin Trentzsch,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Metal Gate Process for FinFET Device Improvement

Номер патента: US20200006513A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US20160240382A1. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-18.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Replacement metal gate transistor

Номер патента: US09728623B2. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having modified profile metal gate

Номер патента: US09673292B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

Integrated short channel omega gate FinFET and long channel FinFET

Номер патента: US12100766B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20210183858A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Damascene tri-gate finfet

Номер патента: WO2005071726A1. Автор: Bin Yu,HaiHong Wang,Shibly S. Ahmed. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-08-04.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US11923367B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Techniques for Forming Replacement Metal Gate for VFET

Номер патента: US20210098602A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20220384439A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (finfet) process

Номер патента: US20230299087A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya David Yeh,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Single metal gate with dual effective work function gate metal scheme

Номер патента: US20240312993A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Metal gate finFET device

Номер патента: US09461041B2. Автор: Yu-Lin Yang,Chih Chieh Yeh,Li-Shyue Lai,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210193828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220190153A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US9293581B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

FinFET with bottom SiGe layer in source/drain

Номер патента: US09911829B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Gate Dielectric Having A Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20230102368A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate Dielectric Having a Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20220157812A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Poly resistor for metal gate integrated circuits

Номер патента: US09508708B2. Автор: Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Single-gate FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: EP2393118A1. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Metal gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220246762A1. Автор: Yingju Chen,Liyao Liu,Chanyuan Hu,Jhencyuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20150137180A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

FinFET with Bottom SiGe Layer in Source/Drain

Номер патента: US20160163836A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrierte-schaltung-strukturen mit einem metall-gate- stopfen, der auf einer dielektrischen dummy-finne aufsitzt

Номер патента: DE112022002055T5. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Method for forming replacement metal gate and related structures

Номер патента: US20190378761A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Daniel Chanemougame,Steven R. Soss,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Schottky diodes for replacement metal gate integrated circuits

Номер патента: US09564427B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

High k gate insulator removal

Номер патента: US20040203246A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Arvind Kamath,Wai Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming a gate structure in high-κ metal gate technology

Номер патента: US12009402B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Metal gate double diffusion MOSFET with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: US20020084486A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Metal gate double diffusion mosfet with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: WO2000039858A8. Автор: Brian S Mo,Duc Q Chau. Владелец: Duc Q Chau. Дата публикации: 2001-11-01.

Rf sic mosfet with recessed gate dielectric

Номер патента: EP4378005A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-06-05.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20230022394A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Gate Dielectric for Bonded Stacked Transistors

Номер патента: US20240186394A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Lattice matched and strain compensated single-crystal compound for gate dielectric

Номер патента: US09876090B1. Автор: Martin M. Frank,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US12127411B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US09685550B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Manufacturing method for metal gate

Номер патента: US20130023098A1. Автор: Yen-Liang Lu,Hsin-Chih Yu,Yu-Wen Wang,Po-Cheng Huang,Ching-I Li,Yu-Shu Lin,Ya-Jyuan Hung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

RF SiC MOSFET with recessed gate dielectric

Номер патента: US11830943B2. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: WO2023009325A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: EP4273905A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170053915A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170358579A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CRYSTALLINE HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200273700A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-27.

Third type of metal gate stack for CMOS devices

Номер патента: US09634006B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Ramachandra Divakaruni,Sameer H. Jain,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal gate for robust ESD protection

Номер патента: US9343456B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Metal gate for robust esd protection

Номер патента: US20160071835A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US9761500B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20160211375A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Finfet with multilayer fins for multi-value logic (mvl) applications and method of forming

Номер патента: US20190326436A1. Автор: Min-Hwa Chi,Abhijeet Paul,Ajey Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US11784052B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20220293767A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20210391439A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20150255294A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20160111512A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20140315362A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-23.

CMOS Transistor with dual high-k gate dielectric

Номер патента: US9269635B2. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-23.

CMOS transistors with dual high-k gate dielectric and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW200707651A. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-16.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TWI310588B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Semiconductor device having a metal gate electrode formed on an annealed high-k gate dielectric layer

Номер патента: US7531404B2. Автор: Gilbert Dewey,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TW200639947A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sang-Woo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device with high-k gate dielectric and quasi-metal gate, and method of forming thereof

Номер патента: US20060017112A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chenming Hu,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Improving the reliability of high-k gate dielectric layers

Номер патента: TW200849412A. Автор: Ashutosh Ashutosh,Adrien Lavoie,Huicheng Chang,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Two Step Deposition of High-k Gate Dielectric Materials

Номер патента: US20150140838A1. Автор: Amol Joshi,Kevin Kashefi,Salil Mujumdar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of Forming High-K Gates Dielectrics

Номер патента: US20150332926A1. Автор: YANG Chih-Wei,Hsu Chia-Fu,Ke Jian-Cun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-11-19.

Preparation method of high-k gate dielectric layer and silicon carbide MOS power device

Номер патента: CN108257855B. Автор: 田亮,郑柳,李永平,张文婷,夏经华,杨霏,查祎英,李嘉琳,焦倩倩. Владелец: Global Energy Interconnection Research Institute. Дата публикации: 2021-09-10.

CMOS transistor with double high-k gate dielectric and associated manufacturing method

Номер патента: DE102005024417A1. Автор: Hong-Jyh Austin Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device for high-k gate dielectrics and fabrication method thereof

Номер патента: TWI278039B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

Semiconductor device with high-K gate dielectric layer and fabrication method thereof

Номер патента: US10431501B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

High-K gate dielectric defect gettering using dopants

Номер патента: US20040127000A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Antonio Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Reducing oxidation under a high K gate dielectric

Номер патента: US20080211033A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Robert B. Turkot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of patterning gate electrodes with high k gate dielectrics

Номер патента: TW533484B. Автор: Xia Li,James Yong Meng Lee,Yun-Qiang Zhang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TW200425392A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Improving the reliability of high-k gate dielectric layers

Номер патента: TWI370494B. Автор: Ashutosh Ashutosh,Adrien Lavoie,Huicheng Chang,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-08-11.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177B1. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Method of pattening gate electrodes with high k gate dielectrics

Номер патента: SG98448A1. Автор: Xia Li,Lee Yong Meng James,Qiang Zhang Yun. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-19.

HIGH-K GATE INSULATOR FOR A THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200083052A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,Yim Dong-Kil,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

HIGH-K GATE INSULATOR FOR A THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190206691A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,Yim Dong-Kil,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20140357033A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

LATERAL OXIDATION OF NFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20150318177A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

A method for increasing the integrity of a high-k gate stack by creating a controlled sub-cavity based on wet chemistry and transistor produced by the methods

Номер патента: DE102010042229B4. Автор: Sven Beyer,Berthold Reimer,Falk Graetsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-10-25.

High-k gate insulator for a thin-film transistor

Номер патента: WO2019135832A1. Автор: Soo Young Choi,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

High-k gate oxides with buffer layers of titanium for MFOS single transistor memory applications

Номер патента: TW564502B. Автор: Sheng Teng Hsu,Bruce Dale Ulrich,Ting Kai Li,Lisa Horn Stecker. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: TW200713456A. Автор: Dureseti Chidambarrao,Oleg Gluschenkov,Omer H Dokumaci,Michael P Belyansky. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-04-01.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

High-K gate oxides with buffer layers of titanium for mfos single transistor memory applications

Номер патента: EP1308993A3. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Bruce Dale Ulrich,Lisa Horn Stecker. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-07.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: EP1927128A4. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Multi-layered or graded gate dielectric in thin film transistor (tft) structures

Номер патента: US20230369444A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Christopher Ryder,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

Номер патента: WO2004095572A1. Автор: Byung Jin Cho,Chang Seo Park,Balasubramanian Narayanan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2004-11-04.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US7390709B2. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Ramune Nagisetty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-24.

High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240297084A1. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

High-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020991B2. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Metal gate transistors

Номер патента: SG161181A1. Автор: Han Jin-Ping,James Lee Yong Meng,Thean Voon-Yew. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252493A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264639A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Fabrication of fully depleted field effect transistor with high-K gate dielectric in SOI technology

Номер патента: US6395589B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Adjustment of work function in high-k gate stacks containing gate dielectrics of different thickness

Номер патента: DE102009039418B4. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-08-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: US20110049642A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Work function adjustment in high-k gates stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: SG178409A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-04-27.

HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE FORMED AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING A SPACER

Номер патента: US20130252409A1. Автор: Frohberg Kai,Griebenow Uwe,Reiche Katrin,Berthold Heike. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10192747B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Metal gate structure of a CMOS semiconductor device

Номер патента: US09508721B2. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US9530778B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US09406679B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

In-situ formation of metal gate modulators

Номер патента: US20240379448A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Chi On Chui,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US20150333065A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Dual-metall-gate-strukturen für die herstellung einer fortschrittlichen integrierten schaltungsstruktur

Номер патента: DE102018127138A1. Автор: Anindya Dasgupta,Christopher Auth,Michael Hattendorf,Jenny Hu,Jeffrey Leib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230261070A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US09412860B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20220254627A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US11935740B2. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Finfet with merged fins and vertical silicide

Номер патента: US20130161744A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Chung-Hsun Lin,Andres Bryant,Huiming Bu,Tenko Yamashita,Wilfried Haensch,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20220359302A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US11901237B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20240213097A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming an ultrathin gate dielectric

Номер патента: US6074919A. Автор: Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Multi-Layer Gate Dielectric

Номер патента: US20100052078A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8581353B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20110089502A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20140042560A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20160343824A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8193593B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US9312138B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Transistor arrangements with metal gate cuts and recessed power rails

Номер патента: US11508847B2. Автор: Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Metal gate structure cutting process

Номер патента: US11810909B2. Автор: MING-CHING Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Metal Gate Structure Cutting Process

Номер патента: US20190109126A1. Автор: MING-CHING Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention

Номер патента: US20240304679A1. Автор: Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for a semiconductor device with a high-k gate

Номер патента: SG118387A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Etch Stop Layer Formation In Metal Gate Process

Номер патента: US20130277764A1. Автор: Michael P. Chudzik,Zhengwen Li,Ramachandra Divakaruni,Unoh Kwon,Richard S. Wise,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11923251B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11545400B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Metal gate cut with hybrid material fill

Номер патента: US20240213100A1. Автор: Matthew J. Prince,Anupama Bowonder,Chiao-Ti HUANG,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Bishwajit Debnath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and structure for metal gate boundary isolation

Номер патента: US20240379773A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160293731A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Metal Contacts on Metal Gates and Methods Thereof

Номер патента: US20200020541A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Sheng Chang,Sheng-Liang Pan,Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Fu-Kai Yang,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao,Shao-Jyun Wu,Pang-Sheng Chang,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Metal gates of transistors having reduced resistivity

Номер патента: US11810819B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chia-Ching Tsai,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Metal Gates of Transistors Having Reduced Resistivity

Номер патента: US20240021473A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chia-Ching Tsai,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160155641A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20180130662A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013061A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013082A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170133228A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013083A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170170022A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09892927B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09576804B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Replacement metal gate with borderless contact

Номер патента: WO2012066019A1. Автор: David Vaclav Horak,Theodorus Eduardus Standaert,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20160300722A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09997695B2. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09779946B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09673376B1. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming variable-K gate dielectric

Номер патента: US20020100947A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20220069091A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Transistor with doped gate dielectric

Номер патента: EP1711959A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-18.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having high-k film and metal gate

Номер патента: US09640534B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Oxidation and Etching Post Metal Gate CMP

Номер патента: US20170125549A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09917173B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Metal gate of gate-all-around transistor

Номер патента: US09786774B2. Автор: Chi-Wen Liu,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09564511B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Devices with different electrical gate dielectric thicknesses but with substantially similar physical configurations

Номер патента: US20060006440A1. Автор: Jhon Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Electroless plating method for metal gate fill

Номер патента: US12107150B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of removing dummy gate dielectric layer

Номер патента: US09570582B1. Автор: Bin Zhong,YU Bao,Jun Zhou,Haifeng Zhou,Xiaoqiang Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Metal gate transistor

Номер патента: US20180315711A1. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20170186692A1. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Metal gate process and related structure

Номер патента: US20230386920A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Chih-Lun Lu,Jih-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US11862453B2. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Gate Dielectric Having a Flat Nitrogen Profile and Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080116542A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Gate dielectric having a flat nitrogen profile and method of manufacture therefor

Номер патента: US20050285211A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20240088235A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making MOS VLSI semiconductor device with metal gate and clad source/drain

Номер патента: US4661374A. Автор: Robert R. DOERING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-28.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Electroless Plating Method for Metal Gate Fill

Номер патента: US20230299177A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US20170148665A1. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Metal gate structure

Номер патента: US09941373B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor process for treating metal gate

Номер патента: US09613826B2. Автор: Cheng-Chi Tai,Chung-Che Huang,Chun-Ju Tao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory

Номер патента: US09576801B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US8349682B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US20120214284A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: EP1611612A2. Автор: Srikanth B. Samavedam,David C. Gilmer,Philip J. Tobin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-01-04.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: WO2004095527A3. Автор: Philip J Tobin,Srikanth B Samavedam,David C Gilmer. Владелец: David C Gilmer. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20050282326A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: WO2004095527A2. Автор: Srikanth B. Samavedam,David C. Gilmer,Philip J. Tobin. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-11-04.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Dual metal gate electrode semiconductor fabrication process and structure thereof

Номер патента: WO2006104549A1. Автор: Robert E. Jones,Olubunmi O. Adetutu,Ted R. White. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Replacement metal gate structures for effective work function control

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

CMOS integrated circuit having PMOS and NMOS devices with different gate dielectric layers

Номер патента: US6048769A. Автор: Robert S. Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and apparatus for suppressing metal-gate cross-diffusion in semiconductor technology

Номер патента: US20150054085A1. Автор: QI Lin,Yun Wu,Hong-Tsz Pan,Bang-Thu Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal-gate field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010038136A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Dual gate dielectric thickness devices and circuits using dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US7615827B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of fabricating CMOS with different gate dielectric layers

Номер патента: US20020072168A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Gate dielectric antifuse circuit to protect a high-voltage transistor

Номер патента: US20050029598A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating a semiconductor device including metal gate electrode and electronic fuse

Номер патента: US20090163016A1. Автор: Jin-woo Kim,Min-chul Sun,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11915980B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240194534A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of Patterning a Metal Gate of Semiconductor Device

Номер патента: US20130130488A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of patterning a metal gate of semiconductor device

Номер патента: US20150206755A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Gate structure including modified high-k gate dielectric and metal gate interface

Номер патента: CN101740372A. Автор: 陈其贤,林进祥,杨棋铭,林思宏. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: EP1535316A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004021424A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003270452A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-19.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

High-k gate dielectric oxide

Номер патента: US20120015488A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190378766A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for making ultrathin high-k gate dielectric for use in a field effect transistor and ultrathin high-k gate dielectric2003

Номер патента: CN1638051A. Автор: 凯瑟琳·L·萨恩格尔,拉加拉奥·加米,维加伊·纳拉扬南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Ultrathin high-K gate dielectric with favorable interface properties for improved semiconductor device performance

Номер патента: US6911707B2. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-28.

MOS transistor with high k gate dielectric

Номер патента: US20040135218A1. Автор: Zhizhang Chen,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Preparation of stack high-K gate dielectrics with nitrided layer

Номер патента: US6790755B2. Автор: Joong Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-14.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for forming high-k gate dielectric by annealing in high-pressure hydrogen ambient

Номер патента: KR100520433B1. Автор: 황현상. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2005-10-11.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6806146B1. Автор: YING Zhou,Justin K. Brask,Mark L. Doczy,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Method of manufacturing high-k gate dielectric by use of annealing in high-pressure hydrogen atmosphere

Номер патента: US6913961B2. Автор: Hyun Sang Hwang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-07-05.

Bilayer deposition to avoid unwanted interfacial reactions during high K gate dielectric processing

Номер патента: US20030116804A1. Автор: Luigi Colombo,Mark Visokay,Antonio Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Interfacial barrier layer in semiconductor devices with high-K gate dielectric material

Номер патента: US6693004B1. Автор: Minh Van Ngo,William G. En,Arvind Halliyal,Effiong Ibok,Joong S. Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-17.

Method for making a semiconductor device having an ultra-thin high-k gate dielectric

Номер патента: US20040110361A1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Suman Datta,Scott Hareland,Robert Chau,Christopher Parker,Sunit Tyagi,Matthew Metz,Nick Lindert,Timothy Glassman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US7575991B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz,Robert L. Norman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20040180523A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Matthew Metz,Timothy Glassman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: TWI324827B. Автор: Wieczorek Karsten,Radehaus Christian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: TW200405574A. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TW200407994A. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TWI240315B. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003231821A1. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

INTERFACIAL LAYER REGROWTH CONTROL IN HIGH-K GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130187241A1. Автор: Mueller Markus,Boccardi Guillaume,Petry Jasmine. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2013-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE INSULATION FILMS AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Kim Young-Hun,Kim Ju-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: KR101639464B1. Автор: 로버트 디 클라크. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-13.

Formation of high-K gate stacks in semiconductor devices

Номер патента: CN101752237A. Автор: A·库利奥尼,C·A·皮涅多利,W·安得烈奥尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Fluorine plasma treatment for high-K gate stacks for defect passivation

Номер патента: JP5590886B2. Автор: フィリップ， エー． クラウス，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Highly reliable amorphous high-k gate oxide ZrO2

Номер патента: US7259434B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-21.

Structure and method to control oxidation in high-k gate structures

Номер патента: WO2009120567A1. Автор: Richard A. Conti,Renee T. Mo,Wesley Natzle,Rashmi Jha,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-01.

METHOD FOR FORMING A HIGH-k GATE STACK WITH REDUCED EFFECTIVE OXIDE THICKNESS

Номер патента: US20100248464A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Laser thermal annealing of high-k gate oxide layers

Номер патента: US6632729B1. Автор: Eric N. Paton. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-14.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: WO2010111453A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2010-09-30.

Advanced high-k gate stack patterning and structure containing a patterned high-k gate stack

Номер патента: WO2008112263A1. Автор: Ying Zhang,Hongwen Yan,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Siva Kanakasabapathy,Edmund M. Sikorski. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-18.

Advanced high-k gate stack patterning and structure containing a patterned high-k gate stack

Номер патента: TW200901475A. Автор: Ying Zhang,Vijay Narayanan,Bruce B Doris,Siva Kanakasabapathy,Wendy Yan,Vamsi K Paruchuri,Edmund M Sikorski. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-01-01.

Ozone oxidation of silicon substrates for formation of an interfacial layer for high-k gate stacks

Номер патента: TW200414356A. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert B Herring. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2004-08-01.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: AU2003265324A8. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: AU2003265324A1. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

Integrated circuit with multiple gate dielectric structures

Номер патента: US6087236A. Автор: Robert S. Chau,Reza Arghavani,Bruce Beattie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for manufacturing gate dielectric layer

Номер патента: US20060281251A1. Автор: Wen-Ji Chen,Tung-Po Chen,Kai-An Hsueh,Sheng-Hone Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Integrated circuit having thinner gate dielectric and method of making

Номер патента: US09666483B2. Автор: Chih-Hung Lu,Ching-Chen Hao,Song-Bor Lee,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATES FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20150021705A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20140061819A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,DAI Min,Chowdhury Murshed M.,Narasimha Shreesh,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140175569A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

STRUCTURE AND METHOD TO MINIMIZE REGROWTH AND WORK FUNCTION SHIFT IN HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20130069196A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Kulkarni Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

SUPERIOR INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY FORMING A CONTROLLED UNDERCUT ON THE BASIS OF A WET CHEMISTRY

Номер патента: US20150137270A1. Автор: Beyer Sven,Reimer Berthold,Graetsch Falk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for self-aligned removal of a high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20090057813A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE INSULATION FILMS AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130299912A1. Автор: Kim Young-Hun,Kim Ju-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20140057426A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

Method of predicting lifetimes of MISFET having a high-k gate dielectric and integrated circuit

Номер патента: TW200625537A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

HIGH-K GATE DIELECTRICS ON 2D SUBSTRATES, INERT SURFACES, AND 3D MATERIALS

Номер патента: US20180158670A1. Автор: Kwak Iljo,Sardashti Kasra,Kummel Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ZrXHfYSn1-X-YO2 FILMS AS HIGH K GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20110121378A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY

Номер патента: US6767795B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-27.

High temperature interface layer growth for high-k gate dielectric

Номер патента: US6852645B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay,James J. Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

METHODS FOR HIGH TEMPERATURE ETCHING A HIGH-K GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130344701A1. Автор: Liu Wei,SHEN MEIHUA,Willwerth Michael D.,Palagashvili David,MATSUSUE Eiichi,DESHMUKH Shashank C.,PHAN Anh-Kiet Quang,SHIN Jong I.,FINCH Barrett,KAWASE Yohei. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: TW200300966A. Автор: Ting-Kai Li,Sheng-Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-06-16.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: TW567541B. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-21.

Seed layer processes for mocvd of ferroelectric thin films on high-K gate oxides

Номер патента: EP1320125B1. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN A HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING LANTHANUM

Номер патента: US20140015058A1. Автор: Beyer Sven,Carter Richard,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal gate structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009142982A3. Автор: Willy Rachmady,Jason Klaus,Soley Ozer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-03-04.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Номер патента: US6040233A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-21.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Metal gate stack with etch stop layer having implanted metal species

Номер патента: US20020132415A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A3. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul R Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: EP1371088A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-17.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Germanate gate dielectrics for semiconductor devices

Номер патента: US20050082624A1. Автор: Evgeni Gousev,Huiling Shang,Alessandro Callegari,Deborah Neumayer,Dianne Lacey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20130285154A1. Автор: Li Hong-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264638A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

FINE-GRAINED ANALOG MEMORY DEVICE BASED ON CHARGE-TRAPPING IN HIGH-K GATE DIELECTRICS OF TRANSISTORS

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Iyer Subramanian S.,Gu Xuefeng. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-11-16.

Integration of high k gate dielectric

Номер патента: US7790556B2. Автор: Michael E. Givens,Michael A. Todd,Eric J. Shero,Christophe F. Pomarede. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Integration of High K Gate Dielectric

Номер патента: US20020173130A1. Автор: Eric Shero,Michael Givens,Michael Todd,Christophe Pomerede. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile storage with gap in inter-gate dielectric

Номер патента: WO2016186910A1. Автор: Takashi Kashimura,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Capacitors Integrated with Metal Gate Formation

Номер патента: US20110309420A1. Автор: Chung-Long Chang,Chia-Yi Chen,David Ding-Chung Lu,I-Lu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09412781B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09812477B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensing device with gate dielectric portion varying thickness that increases along migration path of photocharges

Номер патента: US12046606B2. Автор: Kyoung In LEE,Ho Ryeong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20120235216A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20130175651A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for designing antenna cell that prevents plasma induced gate dielectric damage in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Pin-Dai Sue,Jen-Hang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods and apparatus for forming dual metal interconnects

Номер патента: US11948885B2. Автор: RONG Tao,Jianshe Tang,Roey Shaviv,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Shirish Pethe,David Gage,Michael A Stolfi,Suketu A. Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Номер патента: WO2007047369A3. Автор: Christopher Sean Olsen,Cory Czarnik,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Khaled Z Ahmed. Владелец: Khaled Z Ahmed. Дата публикации: 2007-11-29.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Einrichtung und verfahren zur herstellung von metall-gate-strukturen

Номер патента: DE102021105579A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Sidewall metal spacers for forming metal gates in quantum devices

Номер патента: US20190044048A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Stable SRAM bitcell design utilizing independent gate FinFET

Номер патента: US09865330B2. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized gate

Номер патента: LU101404B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Metamaterial based metal gate mosfet detector with gate rasterized

Номер патента: US20200203550A1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-25.

Uv crosslinking of pvdf-based polymers for gate dielectric insulators of organic thin-film transistors

Номер патента: US20210226142A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He,Hongxiang Wang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Photo-patternable gate dielectrics for OFET

Номер патента: US09761817B2. Автор: Timothy Edward Myers,Robert Alan Bellman,David Neal Schissel,Mingqian He,Weijun Niu,Arthur Lawrence Wallace,Kristi Lynn SIMONTON. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized drain

Номер патента: LU101401B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

uLED LIGHT-EMITTING AND DISPLAY DEVICE WITH SINGLE-ENDED ELECTRICAL CONTACT AND SINGLE-ENDED CARRIER INJECTION, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240297281A1. Автор: Kun Wang,Tailiang Guo,Yongai Zhang,Chaoxing WU,Dianlun LI,Xiongtu Zhou,.Ye LIU. Владелец: Mindu Innovation Laboratory. Дата публикации: 2024-09-05.

System of radar level gauge with single-wire probe and reservoir structure

Номер патента: RU2676395C2. Автор: Микаэль ЭРИКССОН,Олов ЭДВАРДССОН,Ларс Ове ЛАРССОН,Кристер Джошуа ФРЁВИК. Владелец: Роузмаунт Танк Радар Аб. Дата публикации: 2018-12-28.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Impregnable absorbent module based on polymer composite with single-wall carbon nanotubes (versions)

Номер патента: RU2485562C1. Автор: Сергей Каренович Вартапетов,Дмитрий Владимирович Худяков,Андрей Александрович Бородкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосистемы". Дата публикации: 2013-06-20.

Electricity storing/discharging device with single-layer folding covering and packaging single input/output electric conductive interface having electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals

Номер патента: US10014117B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-03.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

Automatic switch for single- or split-phase AC electrical power

Номер патента: US20210066922A1. Автор: Mitchell J. Boyer. Владелец: A M Solar Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Modular bus with single or double parallel termination

Номер патента: US5578940A. Автор: Alfredo Moncayo,John B. Dillon,Srinivas Nimmagadda. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 1996-11-26.

Converter of unary signal into paraphase signal with single spacer

Номер патента: RU2664013C1. Автор: Юрий Афанасьевич Степченков,Юрий Георгиевич Дьяченко,Леонид Петрович Плеханов,Андрей Николаевич Денисов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Информатика и управление" Российской академии наук (ФИЦ ИУ РАН). Дата публикации: 2018-08-14.

Stable sram bitcell design utilizing independent gate finfet

Номер патента: WO2012061666A1. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahama. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-10.

Stable sram bitcell design utilizing independent gate finfet

Номер патента: EP2636039A1. Автор: Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,MinGu Kang,Seung-Chul Song,Beom-Mo Han,Lixin Ge,Hyunkook Park,Mohamed Abu-Rahama. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

Pmma gate dielectric based patterned bottom-gate bottom contact type organic thin film transistor

Номер патента: WO2023223337A1. Автор: Soumya Dutta,Anuj RAJPOOT. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-23.

Aerosol delivery device with single component and liquid transporting element containing porous monolith and related method

Номер патента: RU2749067C2. Автор: Майкл Ф. ДЭВИС,Перси Д. ФИЛЛИПС,Джеймс В. РОДЖЕРС,Фредерик Ф. ЭМПОЛИНИ,Дэвид А. КЛЕМЕНС,Уильям К. КАРПЕНТЕР,Оуэн Л. ДЖОЙС,Майкл Л. Кинг,Шон М. АР. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-06-03.

Multiphase synchronous generator with single half-wave rectifier

Номер патента: RU2672562C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Айбулат Халяфович Минияров,Данис Рамилевич Фаррахов,Алексей Михайлович Веселов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-11-16.

Self-synchronizing dynamic single-cycle d-flip-flop with single spacer

Номер патента: RU2693318C1. Автор: Виктор Николаевич Захаров,Юрий Афанасьевич Степченков,Юрий Георгиевич Дьяченко,Игорь Анатольевич Соколов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Информатика и управление" Российской академии наук" (ФИЦ ИУ РАН). Дата публикации: 2019-07-02.

One-time sintering preparation process for metal injection molding of golf head with dual metal components

Номер патента: US20240299815A1. Автор: FEI Xiao,Xiaohua Tian,Liqun Yi,Guangxing Deng. Владелец: Matrix Guangzhou Metamaterials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for dynamic configuration of a PCIE slot device for single or multi root ability

Номер патента: US09792240B2. Автор: Cyril Jose,Darrell D. Rosser. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-10-17.

Dual metal adapter

Номер патента: EP4072770A1. Автор: Matthew Honickman,Ryan LOAR. Владелец: Koch Engineered Solutions LLC. Дата публикации: 2022-10-19.

Dual metal adapter

Номер патента: WO2021118765A1. Автор: Matthew Honickman,Ryan LOAR. Владелец: LCDRIVES CORP.. Дата публикации: 2021-06-17.

System and method for avoiding leakage in endotracheal tube with single or double cuff

Номер патента: EP4452376A1. Автор: Kristof Braem. Владелец: Medical Technology For Life. Дата публикации: 2024-10-30.

Dual metal optical discs

Номер патента: US20100183895A1. Автор: Holger Hofmann,Justin John Cunningham,Ibsen Lourenco. Владелец: Ibsen Lourenco. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for non-contact stress evaluation of wafer gate dielectric reliability

Номер патента: US20020070675A1. Автор: Eduard Cartier,Wagdi Abadeer,James Stathis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Magnetic induction tomography imaging with single coil

Номер патента: RU2647150C1. Автор: Джозеф Р. ФЕЛЬДКАМП,Шон Джеффери САЛЛИВАН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2018-03-14.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of processing package with single medication dose

Номер патента: RU2517140C2. Автор: СЕШАДРИ Сангита,ФОНГ Барри,ПЕЙЛАКОДЕЙТИ Сринивас,Кандуг АНАКЛЕТО II Конкордио,РАЙХ Патрик,Джон БЁКЛЬ Эндрью,Дж.ПАРКС Деррик,СТАУТ Гордон. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2014-05-27.

System and method for avoiding leakage in endotracheal tube with single or double cuff

Номер патента: WO2023118494A1. Автор: Kristof Braem. Владелец: Medical Technology For Life. Дата публикации: 2023-06-29.

6T bitcell for dual port SRAM memories with single-ended read and single-ended write and optimized bitcells for multiport memories

Номер патента: US09496029B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Water-soluble product with single dose

Номер патента: RU2692234C1. Автор: Робби Ренильде Франсуа КЁЛЕРС,БЕК Реджин ЛА,Стефан СХИТТКО. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2019-06-24.

Kuretovs' clasp system for partial dentures with single tooth

Номер патента: RU2693448C2. Автор: Владимир Александрович Зеленский,Илья Владимирович Зеленский,Павел Борисович Куретов,Андрей Павлович Куретов,Мария Андреевна Куретова. Владелец: Мария Андреевна Куретова. Дата публикации: 2019-07-02.

Radio frequency identification device implemented with a metal-gate semiconductor fabrication process

Номер патента: US20050263603A1. Автор: Ying Wu,Wen Lee,Che Wu. Владелец: G-Time Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Smoking article with single radially separated heat conducting element

Номер патента: RU2671756C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2018-11-06.

9T, 8T, and 7T bitcells for 1R1W and single port static random access memories (SRAM) with single-ended read and single-ended write

Номер патента: US09697888B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

9T, 8T, and 7T bitcells for 1R1W and single port static random access memories (SRAM) with single-ended read and single-ended write

Номер патента: US09627043B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

9T, 8T, and 7T Bitcells for 1R1W and single port static random access memories (SRAM) with single-ended read and single-ended write

Номер патента: US09490008B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Self-elevating drilling offshore unit of ice class with single conic pile-supported leg and adjusting seats

Номер патента: RU2564711C2. Автор: Рэндалл С. ШЕЙФЕР,Питер Дж. НОУБЛ,Рави П. АУРОРА,Томас И. РЭМСИ,Тед Х. ВЕСТЕРМАН,Доминик П. БЕРТА. Владелец: Конокофиллипс Компани. Дата публикации: 2015-10-10.

Aerosol can of disposable action with single spray opening

Номер патента: RU2678687C2. Автор: Ёке Эн Он. Владелец: Ориентус Индастри Эсдиэн. Биэйчди.. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for providing possibility of riding on roller skates with single roller

Номер патента: RU2667224C2. Автор: Игорь Михайлович Рулев. Владелец: Игорь Михайлович Рулев. Дата публикации: 2018-09-17.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Circuitry And Methodology To Establish Correlation Between Gate Dielectric Test Site Reliability and Product Gate Reliability

Номер патента: US20040145384A1. Автор: Kerry Bernstein,Edward Nowak,Jody Van Horn,Ernest Wu,Alvin Strong,Ronald Bolam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US12125530B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Sintering method in discharge plasma for making composite with metal matrix reinforced with single-wall carbon nanotubes, and composite material obtained by such method

Номер патента: RU2718723C1. Автор: Хан Сан КВОН. Владелец: Пхукхён Нэшнл Юниверсити Индастри-Юниверсити Кооперейшн Фаундейшн. Дата публикации: 2020-04-14.

Small underground metro station complex with single central entrance hall

Номер патента: RU2734753C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Бойцов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский, проектно-изыскательский институт "Ленметрогипротранс". Дата публикации: 2020-10-23.

Ship elevator with single-screw drive

Номер патента: RU2691561C1. Автор: Сергей Евгеньевич Томин,Игорь Анатольевич Варламов,Артем Валентинович Матвеев. Владелец: Публичное акционерное общество "Невское проектно-конструкторское бюро" (ПАО "Невское ПКБ"). Дата публикации: 2019-06-14.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-04-19.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR REMOVING POLYMER AFTER ETCHING GATE STACK STRUCTURE OF HIGH-K GATE DIELECTRIC/METAL GATE

Номер патента: US20120115321A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120193725A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-02.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20120199914A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-09.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATE FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20120086085A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

SELF-ALIGNED CONTACT COMBINED WITH A REPLACEMENT METAL GATE/HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20120139062A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

ENGINEERED OXYGEN PROFILE IN METAL GATE ELECTRODE AND NITRIDED HIGH-K GATE DIELECTRICS STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE PMOS DEVICES

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Wen Huang-Chun,NIIMI Hiroaki. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20130105879A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

HIGH-K GATE DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120261803A1. Автор: Zhao Chao,Chen Dapeng,Wang Wenwu,Han Kai. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Reliability of high-K gate dielectric layers

Номер патента: US20120286372A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130043545A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

DIFFUSED CAP LAYERS FOR MODIFYING HIGH-K GATE DIELECTRICS AND INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20130052814A1. Автор: Clark Robert D.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

PASSIVATING POINT DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYERS DURING GATE STACK FORMATION

Номер патента: US20130267086A1. Автор: Trentzsch Martin,Carter Richard J.,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

MODIFIED HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK

Номер патента: US20130328137A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

COMPOSITE HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK FOR REDUCING GATE LEAKAGE

Номер патента: US20140001570A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140001573A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140004695A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for improving performance of high-k gate dielectric on high-resistance SOI substrate

Номер патента: CN101924030B. Автор: 徐大伟,程新红,俞跃辉,何大伟,王中健,宋朝瑞. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for depositing high k gate dielectrics on atomic layer on graphene surface by adopting electric field induction

Номер патента: CN102097297B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,江婷婷. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-04.

The formation method of the formation method of high-K gate dielectric layer and forming apparatus, transistor

Номер патента: CN103137461B. Автор: 三重野文健. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Method for improving HCI (Hot Carrier Injection) effect of high-K gate dielectric NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor) by adopting gate-last process

Номер патента: CN102420143A. Автор: 陈玉文,谢欣云. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Hafnium-based high-k gate dielectric stack structure and MOSFET device thereof

Номер патента: CN105762179A. Автор: 魏峰,陈小强,杜军,熊玉华. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2016-07-13.

Monocrystal high K gate dielectric material and preparation method thereof

Номер патента: CN102456725A. Автор: 杜军,张心强,屠海令. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2012-05-16.

Superior Integrity of a High-K Gate Stack by Forming a Controlled Undercut on the Basis of a Wet Chemistry

Номер патента: US20120086056A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120280288A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kiewra Edward W.,Koester Steven J.,Fompeyrine Jean,Webb David J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120326245A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

ENHANCING INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY PROTECTING A LINER AT THE GATE BOTTOM DURING GATE HEAD EXPOSURE

Номер патента: US20130157432A1. Автор: Beyer Sven,Seliger Frank,GRASSHOFF Gunter. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

REPLACEMENT GATE STRUCTURE FOR TRANSISTOR WITH A HIGH-K GATE STACK

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Method and Apparatus for High-K Gate Performance Improvement and Combinatorial Processing

Номер патента: US20140127422A1. Автор: Shao ShouQian,Lang Chi-I,Niyogi Sandip,Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for preparing high-k gate medium on surface of multi-layer graphene

Номер патента: CN102856184A. Автор: 王浩敏,谢晓明,张有为,杨喜超. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-01-02.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for avoiding leakage in endotracheal tube with single or double cuff

Номер патента: AU2022422318A1. Автор: Kristof Braem. Владелец: Medical Technology For Life. Дата публикации: 2024-07-25.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Combined g-trigger with single spacer

Номер патента: RU2434318C1. Автор: Юрий Афанасьевич Степченков,Юрий Георгиевич Дьяченко,Дмитрий Юрьевич Степченков,Леонид Петрович Плеханов,Владимир Сергеевич Петрухин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем информатики РАН (ИПИ РАН). Дата публикации: 2011-11-20.

ALLOY BASED ON INTERMETALLIDE Ni3Al WITH SINGLE-CRYSTAL STRUCTURE AND PRODUCT MADE FROM IT

Номер патента: RU2516215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Юрий Александрович Бондаренко,Ольга Анатольевна Базылева,Александр Валерьевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2014-05-20.

Method of selecting multimode optical fibres of fibre-optic transmission line for operation with single-mode optical radiation source

Номер патента: RU2548383C2. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Антон Владимирович Бурдин,Денис Евгеньевич Прапорщиков. Владелец: Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГОБУ ВПО ПГУТИ). Дата публикации: 2015-04-20.

Method of selecting multimode optical fibre with single-mode optical transmitter for multimode fibre-optic transmission line

Номер патента: RU2496236C2. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Антон Владимирович Бурдин. Владелец: Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГОБУ ВПО ПГУТИ). Дата публикации: 2013-10-20.

Method for identification of feeder with single-phase earth fault and automatic load transfer in distribution networks

Номер патента: RU2372701C1. Автор: Олег Борисович Шонин,Павел Альбертович Рогов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2009-11-10.

Method of producing anisotropic nanostructures via filtration of colloidal solutions through porous membranes with single-size channels

Номер патента: RU2424043C1. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Павел Евгеньевич Казин,Лев Артемович Трусов,Мария Романовна Лукацкая. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Факультет Наук о Материалах Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for lengthwise rolling of articles with single-side die rolled profile and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2288802C1. Автор: Александр Федорович Мишин,Эдуард Борисович Кригман,В чеслав Владимирович Викулин,Вячеслав Владимирович Викулин,Павел Борисович Турутин,Владимир Валентинович Фарафонов,Александр Николаевич Сулин. Владелец: Открытое акционерное общество "ГАЗ" (ОАО "ГАЗ"). Дата публикации: 2006-12-10.

Method of joining of integral-optical circuit for fiber-optic gyroscope with single-mode lightguides (versions)

Номер патента: RU2280882C2. Автор: Алексей Гурьевич Андреев,Владимир Сергеевич Ермаков,Александр Михайлович Курбатов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания". Дата публикации: 2006-07-27.

Improvements in Metal Gates for use on Railway Cars, Boats, Elevators, Railway Stations and other Places.

Номер патента: GB190108884A. Автор: Achille Francois Bataille. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-06-15.

Method of measuring parameters of t-shaped equivalent circuit of multi-current single-phase transformer with single unloaded winding in working mode

Номер патента: RU2296339C1. Автор: Ефрем Иосифович Гольдштейн,Алексей Владимирович Панкратов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-03-27.

Cantilever with single-electrode transistor for probing microscopy

Номер патента: RU2505823C1. Автор: Владимир Александрович Крупенин,Олег Васильевич Снигирев,Денис Евгеньевич Преснов,Артем Сергеевич Трифонов,Сергей Владимирович Амитонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова". Дата публикации: 2014-01-27.

Method for fin forming of articles with single-side periodicity of its contour

Номер патента: RU2111823C1. Автор: М.А. Бабурин,Е.С. Сизов,В.И. Спирин,А.Б. Ковалев. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Регул". Дата публикации: 1998-05-27.

Hot metal gate

Номер патента: CA1203979A. Автор: Micheal D. Labate. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-05-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.