Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation
Номер патента: US9577068B2
Опубликовано: 21-02-2017
Автор(ы): Gregory Costrini, Ravikumar Ramachandran, Reinaldo A. Vega, Richard S. Wise
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-02-2017
Автор(ы): Gregory Costrini, Ravikumar Ramachandran, Reinaldo A. Vega, Richard S. Wise
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation
Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.