System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric
Номер патента: US09892927B2
Опубликовано: 13-02-2018
Автор(ы): Haowen Bu, Hiroaki Niimi, Husam N. Alshareef, Malcolm J. Bevan
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-02-2018
Автор(ы): Haowen Bu, Hiroaki Niimi, Husam N. Alshareef, Malcolm J. Bevan
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.