Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Adjustment of work function in high-k gate stacks containing gate dielectrics of different thickness

Adjustment of work function in high-k gate stacks containing gate dielectrics of different thickness

Номер патента: DE102009039418B4
Опубликовано: 22-08-2013
Автор(ы): Andy Wei, Martin Trentzsch, Thilo Scheiper
Принадлежит: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG, Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Work function adjustment in high-k gate stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: US20110049642A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Work function adjustment in high-k gates stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: SG178409A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240297084A1. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

High-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020991B2. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170053915A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170358579A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

OXYGEN VACANCY PASSIVATION IN HIGH-K DIELECTRICS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210249315A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit einem high-k-Gate-Dielektrikum

Номер патента: DE102005016925B4. Автор: Harald Seidl,Martin Ulrich Dr. Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising mos-transistors having gate oxides of different thicknesses

Номер патента: EP1459377A2. Автор: Hendrik H. Van Der Meer,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252492A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Hybrid gate last integration scheme for multi-layer high-k gate stacks

Номер патента: WO2014062377A2. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

High-K gate dielectric with work function adjustment metal layer

Номер патента: US8860143B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-14.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Номер патента: US7659157B2. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US7390709B2. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Ramune Nagisetty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-24.

Dual metal gate finfets with single or dual high-k gate dielectric

Номер патента: US20090078997A1. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

HYBRID GATE LAST INTEGRATION SCHEME FOR MULTI-LAYER HIGH-k GATE STACKS

Номер патента: US20140110791A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method and apparatus for a semiconductor device with a high-k gate

Номер патента: SG118387A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A2. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A3. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Manuel Quevedo Lopez. Дата публикации: 2009-05-14.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

High-K gate electrode structure formed after transistor fabrication by using a spacer

Номер патента: US8470661B2. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Uwe Griebenow,Heike Berthold. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN101916771B. Автор: 休曼·达塔,贾斯廷·布拉斯克,杰克·卡瓦莱厄斯,马克·多克茨,尤黛·沙赫,克里斯·巴恩斯,马修·梅茨,安娜丽莎·卡佩尔拉尼,罗伯特·赵. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN100524660C. Автор: S·达塔,A·米勒,C·巴恩斯,M·梅茨,J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,R·曹,M·多茨,U·夏. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric layer

Номер патента: US8912611B2. Автор: Hajin LIM,Jinho Do,Weonhong Kim,Moonkyun Song,Dae-Kwon Joo,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

Reducing oxidation under a high K gate dielectric

Номер патента: US20080211033A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Robert B. Turkot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

CMOS transistors with dual high-k gate dielectric and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW200707651A. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-16.

LATERAL OXIDATION OF NFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20150318177A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB201010321D0. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-08-04.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Replacement metal gate structures for effective work function control

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

SPLIT POLY-SiGe/POLY-Si ALLOY GATE STACK

Номер патента: WO2005041252A3. Автор: Jia Chen,Kevin K Chan,Edward J Nowak,Shih-Fen Huang. Владелец: Shih-Fen Huang. Дата публикации: 2005-07-14.

SPLIT POLY-SiGe/POLY-Si ALLOY GATE STACK

Номер патента: WO2005041252B1. Автор: Jia Chen,Kevin K Chan,Edward J Nowak,Shih-Fen Huang. Владелец: Shih-Fen Huang. Дата публикации: 2005-09-09.

A method to fabricate variable work function gatesfor fusi devices

Номер патента: SG124343A1. Автор: CHONG Yung Fu,VERMA Purakh Raj,HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

SPLIT POLY-SiGe/POLY-Si ALLOY GATE STACK

Номер патента: EP1671376A4. Автор: Jia Chen,Kevin K Chan,Edward J Nowak,Shih-Fen Huang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-03.

SPLIT POLY-SiGe/POLY-Si ALLOY GATE STACK

Номер патента: WO2005041252A2. Автор: Jia Chen,Edward J. Nowak,Kevin K. Chan,Shih-Fen Huang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-05-06.

SPLIT POLY-SiGe/POLY-Si ALLOY GATE STACK

Номер патента: EP1671376A2. Автор: Jia Chen,Edward J. Nowak,Kevin K. Chan,Shih-Fen Huang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for selective removal of gate dielectric from dummy fin

Номер патента: US11837649B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for the formation of different gate metal regions of MOS transistors

Номер патента: US09437498B2. Автор: Vincent Joseph,Philippe Garnier,Stephane Zoll,Olivier Gourhant. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Field effect transistors having multiple effective work functions

Номер патента: US09484427B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Min Dai,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190259862A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Li-Shyue Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177B1. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

CMOS Circuits with High-K Gate Dielectric

Номер патента: US20080272438A1. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Charlotte DeWan Adams,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Process for formation of ultra-thin base oxide in high k/oxide stack gate dielectrics of mosfets

Номер патента: US6448127B1. Автор: Qi Xiang,Joong Jeon,Colman Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170221898A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20180240799A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

High-k gate dielectric and metal gate conductor stack for fin-type field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US9859279B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory structure employing high-k gate dielectric and metal gate

Номер патента: US9318336B2. Автор: Michael P. Chudzik,Nicolas Breil,Rishikesh Krishnan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2016-04-19.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

MULTILAYER HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR A HIGH PERFORMANCE LOGIC TRANSISTOR

Номер патента: US20210167182A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Metz Matthew V.,SUNG Seung Hoon,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram,Avci Uygar E.,Young Ian A.,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,TUNG I-Cheng,CHANG Sou-Chi,MERRILL Devin,LOH Owen,MATTSON Eric Charles. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20220293767A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20140315362A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-23.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20210305258A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20210391439A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

CMOS transistor with double high-k gate dielectric and associated manufacturing method

Номер патента: DE102005024417A1. Автор: Hong-Jyh Austin Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Strained spacer design for protecting high-K gate dielectric

Номер патента: US7763945B2. Автор: Chih-Hao Wang,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US7683432B2. Автор: Hiroshi Oji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Threshold adjustment for high-K gate dielectric CMOS

Номер патента: JP4917171B2. Автор: カルティエ、エドワード、アルバート,ドリス、ブルース、ベネット,ナラヤナン、ビジャ,パルチューリ、バムシ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

CMOS Transistor with dual high-k gate dielectric

Номер патента: US9269635B2. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-23.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TW200425392A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METHOD OF LATERAL OXIDATION OF NFET AND PFET HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Ando Takashi,Frank Martin M.,Dennard Robert H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: TW200939354A. Автор: Husam Alshareef,Manuel A Quevedo-Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Greater integrity of a high-k gate metal electrode structure by employing a sacrificial spacer for overcoat removal

Номер патента: DE102009055438A1. Автор: Uwe 04416 Griebenow,Jan 01309 Hoentschel,Thilo 01099 Scheiper,Andy 01097 Wei. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-07-07.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same

Номер патента: US11961768B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Yu-Sheng Wang,Da-Yuan Lee,Ya-Wen Chiu,Kai-Cyuan Yang,Chih-Hsiang Fan,Kun-Wa Kuok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Gate stacks for semiconductor devices of different conductivity types

Номер патента: US12015030B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Gate stack of forksheet structure

Номер патента: US20240222377A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Shih-Hsun Chang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US11791338B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20220149041A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having doped work function metal layer

Номер патента: US20230369331A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Chung-En TSAI,Kun-Wa Kuok,Yi-Hsiu Hsiao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133372A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12051753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09685441B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US09548372B2. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240313114A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US20160197157A1. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20110223757A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Work function adjustment with the implant of lanthanides

Номер патента: US20130224940A1. Автор: Manfred Ramin,Michael F. Pas,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Thermal Treatment for Gate Dielectrics

Номер патента: US20190378913A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Che-Hao Chang,Hung-Yao Chen,Terry Huang,Yi-Yun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US09905665B2. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Forming MOSFET structures with work function modification

Номер патента: US10147725B2. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Forming mosfet structures with work function modification

Номер патента: US20170133272A1. Автор: Koji Watanabe,Gen Tsutsui,Robert R. Robison,Gauri Karve,Ruqiang Bao,Reinaldo A. Vega,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Poly-silicon-germanium gate stack and method for forming the same

Номер патента: US7354848B2. Автор: Ajit Paranjpe,Kangzhan Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-04-08.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US09437499B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US20240021729A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with tunable work function

Номер патента: US20170092644A1. Автор: Wei Zhang,Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Fin field-effect transistor device having hybrid work function layer stack

Номер патента: US12021145B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Hung-Chin Chung,Hsin-Yun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices having work function metal films and tuning materials

Номер патента: US09780183B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US11823908B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

Номер патента: US20110104880A1. Автор: Thomas Werner,Frank Richter,Jens Heinrich,Frank Seliger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device having different thickness gate oxides

Номер патента: US20040061158A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Gate stack with tunable work function

Номер патента: US09583400B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

CMOS gate stack structures and processes

Номер патента: US09508728B2. Автор: Thomas Hoffmann,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device incorporating a multi-function layer into gate stacks

Номер патента: US20140061812A1. Автор: Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming high quality oxide layers of different thickness in one processing step

Номер патента: WO2003065437A3. Автор: Youri Ponomarev,Josine J G P Loo,Robertus T F Schaijk. Владелец: Robertus T F Schaijk. Дата публикации: 2003-11-13.

Pmos transistor including low thermal-budget gate stack

Номер патента: US20200176446A1. Автор: Jacopo Franco,Benjamin Kaczer,Hiroaki Arimura. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-04.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US10468493B2. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US20190109202A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Uniform work function metal recess for vertical transistor complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

High k gate insulator removal

Номер патента: US20040203246A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Arvind Kamath,Wai Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: US09576805B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett T. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

High-K gate dielectric

Номер патента: US11862706B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High-k gate dielectric

Номер патента: US20240154019A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory using hole trapping in high-k dielectrics

Номер патента: WO2006138370A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Multiple gate field-effect transistors having oxygen-scavenged gate stack

Номер патента: US09659780B2. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chan-Lon Yang,Chih Chieh Yeh,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20210233817A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Adjusting Work Function Through Adjusting Deposition Temperature

Номер патента: US20240297080A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240304449A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Adjusting work function through adjusting deposition temperature

Номер патента: US12009264B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: EP1535316A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004021424A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-11.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20230360918A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US11784052B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020941B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Gate-stack structure with a diffusion barrier material

Номер патента: US09953839B2. Автор: Chiara Marchiori,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09997610B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09997361B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

High κ gate stack on III-V compound semiconductors

Номер патента: US09805949B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09613870B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09613866B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Advanced high-k gate stack patterning and structure containing a patterned high-k gate stack

Номер патента: WO2008112263A1. Автор: Ying Zhang,Hongwen Yan,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Siva Kanakasabapathy,Edmund M. Sikorski. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-18.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170005003A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170133477A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170140940A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170005006A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Advanced high-k gate stack patterning and structure containing a patterned high-k gate stack

Номер патента: TW200901475A. Автор: Ying Zhang,Vijay Narayanan,Bruce B Doris,Siva Kanakasabapathy,Wendy Yan,Vamsi K Paruchuri,Edmund M Sikorski. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-01-01.

INTERFACIAL LAYER REGROWTH CONTROL IN HIGH-K GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130187241A1. Автор: Mueller Markus,Boccardi Guillaume,Petry Jasmine. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2013-07-25.

Structure and method to control oxidation in high-k gate structures

Номер патента: WO2009120567A1. Автор: Richard A. Conti,Renee T. Mo,Wesley Natzle,Rashmi Jha,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitrogen profile engineering in high-k nitridation of a gate dielectric layer

Номер патента: WO2007024493A1. Автор: Yi Ma,Shankar Muthukrishnan,Rahul Sharangpani,Tejal Goyani,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Giuseppina R. Conti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Gate structure including modified high-k gate dielectric and metal gate interface

Номер патента: CN101740372A. Автор: 陈其贤,林进祥,杨棋铭,林思宏. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20140057426A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for making ultrathin high-k gate dielectric for use in a field effect transistor and ultrathin high-k gate dielectric2003

Номер патента: CN1638051A. Автор: 凯瑟琳·L·萨恩格尔,拉加拉奥·加米,维加伊·纳拉扬南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TWI310588B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20020190302A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Christopher D'Emic,Alexander Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device having a metal gate electrode formed on an annealed high-k gate dielectric layer

Номер патента: US7531404B2. Автор: Gilbert Dewey,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TW200639947A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sang-Woo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device with high-k gate dielectric and quasi-metal gate, and method of forming thereof

Номер патента: US20060017112A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chenming Hu,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20050156257A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Nestor Bojarczuk,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of patterning gate electrodes with high k gate dielectrics

Номер патента: TW533484B. Автор: Xia Li,James Yong Meng Lee,Yun-Qiang Zhang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Method of pattening gate electrodes with high k gate dielectrics

Номер патента: SG98448A1. Автор: Xia Li,Lee Yong Meng James,Qiang Zhang Yun. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-19.

High-K gate dielectric stack plasma treatment to adjust threshold voltage characteristics

Номер патента: SG120170A1. Автор: CHEN SHIH-CHANG,Hou Tuo-Hung,YAO Liang-Gi,Wang Ming-Fang,Mai Kai-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-28.

Improving the reliability of high-k gate dielectric layers

Номер патента: TW200849412A. Автор: Ashutosh Ashutosh,Adrien Lavoie,Huicheng Chang,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of predicting lifetimes of MISFET having a high-k gate dielectric and integrated circuit

Номер патента: TW200625537A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

(110)-oriented p-channel trench MOSFET having high-k gate dielectric

Номер патента: TW201017886A. Автор: Qi Wang,Tat Ngai. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-05-01.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003270452A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-19.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: EP1927128A4. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

Ozone oxidation of silicon substrates for formation of an interfacial layer for high-k gate stacks

Номер патента: TW200414356A. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert B Herring. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2004-08-01.

High-k gate dielectric oxide

Номер патента: US20120015488A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: US20130126986A1. Автор: Michael P. Chudzik,Min Dai,Murshed M. Chowdhury,Shahab Siddiqui,Siddarth A. Krishnan,Shreesh Narasimha,MaryJane Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Two Step Deposition of High-k Gate Dielectric Materials

Номер патента: US20150140838A1. Автор: Amol Joshi,Kevin Kashefi,Salil Mujumdar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

HIGH-K GATE DIELECTRICS ON 2D SUBSTRATES, INERT SURFACES, AND 3D MATERIALS

Номер патента: US20180158670A1. Автор: Kwak Iljo,Sardashti Kasra,Kummel Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20160204247A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20140357033A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CRYSTALLINE HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200273700A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of Forming High-K Gates Dielectrics

Номер патента: US20150332926A1. Автор: YANG Chih-Wei,Hsu Chia-Fu,Ke Jian-Cun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190378766A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: US7989902B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

ZrXHfYSn1-X-YO2 FILMS AS HIGH K GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20110121378A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Preparation method of high-k gate dielectric layer and silicon carbide MOS power device

Номер патента: CN108257855B. Автор: 田亮,郑柳,李永平,张文婷,夏经华,杨霏,查祎英,李嘉琳,焦倩倩. Владелец: Global Energy Interconnection Research Institute. Дата публикации: 2021-09-10.

Sealing spacer to reduce or eliminate lateral oxidation of a high-k gate dielectric

Номер патента: US20070262399A1. Автор: Gilbert Dewey,Suman Datta,Jack Kavalieros,Justin Sandford,Nancy Zelick. Владелец: Kavalieros Jack T. Дата публикации: 2007-11-15.

Ultrathin high-K gate dielectric with favorable interface properties for improved semiconductor device performance

Номер патента: US6911707B2. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-28.

MOS transistor with high k gate dielectric

Номер патента: US20040135218A1. Автор: Zhizhang Chen,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Preparation of stack high-K gate dielectrics with nitrided layer

Номер патента: US6790755B2. Автор: Joong Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-14.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY

Номер патента: US6767795B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-27.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

High temperature interface layer growth for high-k gate dielectric

Номер патента: US6852645B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay,James J. Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: KR101606210B1. Автор: 타카시 안도,창환 최,비제이 나라야난,마틴 엠. 프랭크. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device for high-k gate dielectrics and fabrication method thereof

Номер патента: TWI278039B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

Method for forming high-k gate dielectric by annealing in high-pressure hydrogen ambient

Номер патента: KR100520433B1. Автор: 황현상. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2005-10-11.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6806146B1. Автор: YING Zhou,Justin K. Brask,Mark L. Doczy,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Method of manufacturing high-k gate dielectric by use of annealing in high-pressure hydrogen atmosphere

Номер патента: US6913961B2. Автор: Hyun Sang Hwang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-07-05.

Bilayer deposition to avoid unwanted interfacial reactions during high K gate dielectric processing

Номер патента: US20030116804A1. Автор: Luigi Colombo,Mark Visokay,Antonio Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device with high-K gate dielectric layer and fabrication method thereof

Номер патента: US10431501B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Preparation of SiC MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field Effect transistor) based on high-k gate dielectric and low-temperature ohmic contact process

Номер патента: CN111739937A. Автор: 程新红,郑理,俞跃辉,刘少煜. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-10-02.

High-k gate dielectric and method of manufacture

Номер патента: US8294201B2. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-23.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: CN103946963A. Автор: 戴敏,M·M·乔德哈里,M-J·布罗德斯基,M·P·储德泽克,S·A·克里什南,S·纳拉丝穆哈,S·斯蒂奎. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Interfacial barrier layer in semiconductor devices with high-K gate dielectric material

Номер патента: US6693004B1. Автор: Minh Van Ngo,William G. En,Arvind Halliyal,Effiong Ibok,Joong S. Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-17.

Method for making a semiconductor device having an ultra-thin high-k gate dielectric

Номер патента: US20040110361A1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Suman Datta,Scott Hareland,Robert Chau,Christopher Parker,Sunit Tyagi,Matthew Metz,Nick Lindert,Timothy Glassman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

High-k gate dielectric and method of manufacture

Номер патента: CN101364540A. Автор: 余振华,姚亮吉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Method for self-aligned removal of a high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20090057813A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US7575991B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz,Robert L. Norman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

(110)-oriented p-channel trench mosfet having high-K gate dielectric

Номер патента: CN101673766A. Автор: 王�琦,塔特·恩盖. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

High-K gate dielectric defect gettering using dopants

Номер патента: US20040127000A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Antonio Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20040180523A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Matthew Metz,Timothy Glassman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Nitrogen treatment to improve high-k gate dielectrics

Номер патента: TW200623316A. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen,Ta-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-01.

High-K Gate Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20090042381A1. Автор: Chen-Hua Yu,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: TWI324827B. Автор: Wieczorek Karsten,Radehaus Christian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Nitrogen treatment to improve high-k gate dielectrics

Номер патента: TWI278060B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen,Ta-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

Improving the reliability of high-k gate dielectric layers

Номер патента: TWI370494B. Автор: Ashutosh Ashutosh,Adrien Lavoie,Huicheng Chang,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-08-11.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: TW200405574A. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TW200407994A. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TWI240315B. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003231821A1. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

METHOD FOR FABRICATING A METAL HIGH-K GATE STACK FOR A BURIED RECESSED ACCESS DEVICE

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Fischer Mark,MAYUZUMI Satoru,Violette Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: KR101639464B1. Автор: 로버트 디 클라크. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-13.

Formation of high-K gate stacks in semiconductor devices

Номер патента: CN101752237A. Автор: A·库利奥尼,C·A·皮涅多利,W·安得烈奥尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Fluorine plasma treatment for high-K gate stacks for defect passivation

Номер патента: JP5590886B2. Автор: フィリップ， エー． クラウス，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Maintaining integrity of a high-k gate stack by passivations using an oxygen plasma

Номер патента: WO2011025800A3. Автор: Sven Beyer,Rick Carter,Andreas Hellmich,Berthold Reimer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

A method of encapsulating a high-k gate stack by forming a coating at two different process temperatures

Номер патента: DE102008016437B3. Автор: Fabian Koehler,Katy Schabernack,Falk Graetsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming metal/high-k gate stacks with high mobility

Номер патента: US7115959B2. Автор: Vijay Narayanan,Christopher P. D'Emic,Sufi Zafar,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Alessandro C. Callegari,Paul C. Jamison,Dianne L. Lacey,Fenton R. McFeely,Michael A. Gribelyuk,Wanda Andreoni,Alessandro Curioni,Evengi Gousev,Carlo A. Pignedoli,Joseph P. Shepard, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

METHOD FOR FORMING A HIGH-k GATE STACK WITH REDUCED EFFECTIVE OXIDE THICKNESS

Номер патента: US20100248464A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: WO2010111453A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2010-09-30.

A method for increasing the integrity of a high-k gate stack by creating a controlled sub-cavity based on wet chemistry and transistor produced by the methods

Номер патента: DE102010042229B4. Автор: Sven Beyer,Berthold Reimer,Falk Graetsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-10-25.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

High-k gate insulator for a thin-film transistor

Номер патента: WO2019135832A1. Автор: Soo Young Choi,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TW201145389A. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

Eingebetteter ferroelektrischer speicher in high-k-first-technologie

Номер патента: DE102019115270B4. Автор: Wei Cheng Wu,Patrick Tzou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

ENHANCED DEVICE RELIABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PROVIDING SUPERIOR PROCESS CONDITIONS IN HIGH-K FILM GROWTH

Номер патента: US20130280873A1. Автор: Carter Richard,Trentzsch Martin,Grass Carsten,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20200006359A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20150200101A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,Brewer Rhett T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20210233919A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: KR102282224B1. Автор: 웨이 청 우,패트릭 추. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-28.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TWI479569B. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US11751400B2. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US20230371271A1. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: TW200713456A. Автор: Dureseti Chidambarrao,Oleg Gluschenkov,Omer H Dokumaci,Michael P Belyansky. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-04-01.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: TW567541B. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-21.

Seed layer processes for mocvd of ferroelectric thin films on high-K gate oxides

Номер патента: EP1320125B1. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

High-K gate oxides with buffer layers of titanium for mfos single transistor memory applications

Номер патента: EP1308993A3. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Bruce Dale Ulrich,Lisa Horn Stecker. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-07.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: AU2003265324A8. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: AU2003265324A1. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE INSULATION FILMS AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130299912A1. Автор: Kim Young-Hun,Kim Ju-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

METHODS FOR HIGH TEMPERATURE ETCHING A HIGH-K GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130344701A1. Автор: Liu Wei,SHEN MEIHUA,Willwerth Michael D.,Palagashvili David,MATSUSUE Eiichi,DESHMUKH Shashank C.,PHAN Anh-Kiet Quang,SHIN Jong I.,FINCH Barrett,KAWASE Yohei. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

HIGH-K GATE INSULATOR FOR A THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200083052A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,Yim Dong-Kil,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

HIGH-K GATE INSULATOR FOR A THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190206691A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,Yim Dong-Kil,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE INSULATION FILMS AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Kim Young-Hun,Kim Ju-Youn. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Highly reliable amorphous high-k gate oxide ZrO2

Номер патента: US7259434B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-21.

Laser thermal annealing of high-k gate oxide layers

Номер патента: US6632729B1. Автор: Eric N. Paton. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-14.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: TW200300966A. Автор: Ting-Kai Li,Sheng-Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-06-16.

High-k gate oxides with buffer layers of titanium for MFOS single transistor memory applications

Номер патента: TW564502B. Автор: Sheng Teng Hsu,Bruce Dale Ulrich,Ting Kai Li,Lisa Horn Stecker. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

Work-Function Metal in Transistors and Method Forming Same

Номер патента: US20230282729A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Cheng-Lung Hung,Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Yan-Ming Tsai,Harry CHIEN,Chun-Da Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

NFET with Aluminum-Free Work-Function Layer and Method Forming Same

Номер патента: US20240379777A1. Автор: Weng Chang,Huang-Lin Chao,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Work-Function Layers in the Gates of pFETs

Номер патента: US20230282712A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

N-Work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20170301768A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US10269918B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

N-work Function Metal with Crystal Structure

Номер патента: US20190252512A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

N-work function metal with crystal structure

Номер патента: US09698019B2. Автор: Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20200090938A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate electrode having a work-function layer including materials with different average grain sizes

Номер патента: US12113120B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Gate stacks

Номер патента: WO2006039632A2. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-13.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Gate stacks

Номер патента: WO2006039632A3. Автор: Dale W Martin,Steven M Shank,Michael C Triplett,Deborah A Tucker. Владелец: Deborah A Tucker. Дата публикации: 2006-08-10.

Gate stacks

Номер патента: US20060073688A1. Автор: DALE Martin,Steven Shank,Michael Triplett,Deborah Tucker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Process for producing, from an soi and in particular an fdsoi type substrate, transistors having gate oxides of different thicknesses, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20160276451A1. Автор: Simon Jeannot,Gregory Bidal,Dominique Golanski. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-22.

Process for producing, from an SOI and in particular an FDSOI type substrate, transistors having gate oxides of different thicknesses, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09786755B2. Автор: Simon Jeannot,Gregory Bidal,Dominique Golanski. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate stacks

Номер патента: US7378712B2. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-27.

Gate stacks

Номер патента: US20070194385A1. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Work Function Layers For Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20240363711A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US12132091B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming tunnel MOSFET with ferroelectric gate stack

Номер патента: US09768030B2. Автор: Min-Hung Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10192747B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US12080777B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Composite work function layer formation using same work function material

Номер патента: US20240363718A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for pre-deposition treatment of a work-function metal layer

Номер патента: US09978601B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Tunnel MOSFET with ferroelectric gate stack

Номер патента: US09391162B2. Автор: Min-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of forming a semiconductor device with a dual gate dielectric layer having middle portion thinner than the edge portions

Номер патента: US11968828B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Finfet with dual work function metal

Номер патента: US20210296463A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Conformity control for metal gate stack

Номер патента: US09396953B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Multi-dielectric gate stack for crystalline thin film transistors

Номер патента: US12009433B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Miriam Reshotko,Sean Ma,Inanc Meric,Kent MILLARD,Wilhelm MELITZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Gate stack treatment

Номер патента: US20200098640A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Gate stack treatment

Номер патента: US20210366778A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nanosheet devices with different types of work function metals

Номер патента: US20190304848A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20190006183A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20210036157A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Hybrid gate stack integration for stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20200365469A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Koji Watanabe,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Differential work function between gate stack metals to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20180315827A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Work function tuning in semiconductor devices

Номер патента: US20230317446A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Sheng-Yung Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Hybrid gate stack integration for stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2020212778A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Koji Watanabe,Tenko Yamashita. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-10-22.

Control of O-ingress into gate stack dielectric layer using oxygen permeable layer

Номер патента: US09620384B2. Автор: Takashi Ando,Kai Zhao,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US9761500B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate Stacks for Stack-Fin Channel I/O Devices and Nanowire Channel Core Devices

Номер патента: US20190109204A1. Автор: Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20160254157A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Multi voltage threshold transistors through process and design-induced multiple work functions

Номер патента: US20190304840A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Neville L. DIAS,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US20140045310A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Implantations for Forming Source/Drain Regions of Different Transistors

Номер патента: US20240251537A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Gate stack for heterostructure device

Номер патента: US20190115443A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US12119386B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Conductive capping for work function layer and method forming same

Номер патента: US20240371956A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Vertical stacked nanosheet cmos transistors with different work function metals

Номер патента: US20200294866A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Composite Work Function Layer Formation Using Same Work Function Material

Номер патента: US20220020861A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device including work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240079229A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chia Chan Fan,Chin-Chia Yeh,Chieh Chiang,Cheng Yu Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Low undercut n-p work function metal patterning in nanosheet replacement metal gate process

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Sivananda Kanakasabapathy,Romain J. Lallement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20220069091A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US09721796B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating semiconductor device having dual work function gate structure

Номер патента: US9577052B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor devices having a gate stack

Номер патента: US09806169B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-10-31.

Formation of work-function layers for gate electrode using a gas cluster ion beam

Номер патента: US09748392B1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Jidong Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09570579B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Fabrication of interconnects with two different thicknesses

Номер патента: US6136686A. Автор: Jeffrey P. Gambino,Mark Jaso,Hing Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Gate stack treatment

Номер патента: US20230268231A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Dummy contacts to mitigate plasma charging damage to gate dielectrics

Номер патента: US20180175023A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Gregory B. Shinn,Tae S. Kim,Mark Robert Visokay,Eric D. Rullan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Implantations for forming source/drain regions of different transistors

Номер патента: US11895819B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Device and method for real-time offset adjustment of a semiconductor die placement

Номер патента: US20240312819A1. Автор: Yi Li,Gang Duan,Yosuke Kanaoka,Robin MCREE,Minglu LIU,Hong Seung Yeon,Mariano Phielipp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Transistors with an extension region having strips of differing conductivity type

Номер патента: US09337333B2. Автор: Puneet Sharma,Michael Smith,Vladimir Mikhalev,Zia Alan Shafi,Henry Jim Fulford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US11862453B2. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods to enhance effective work function of mid-gap metal by incorporating oxygen and hydrogen at a low thermal budget

Номер патента: US20170301774A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of fabricating gate oxide layer with different thickness

Номер патента: US6207516B1. Автор: Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

STRUCTURE AND METHOD TO MINIMIZE REGROWTH AND WORK FUNCTION SHIFT IN HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20130069196A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Kulkarni Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

FINE-GRAINED ANALOG MEMORY DEVICE BASED ON CHARGE-TRAPPING IN HIGH-K GATE DIELECTRICS OF TRANSISTORS

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Iyer Subramanian S.,Gu Xuefeng. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-11-16.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252493A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264638A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264639A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20130285154A1. Автор: Li Hong-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20140061819A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,DAI Min,Chowdhury Murshed M.,Narasimha Shreesh,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140175569A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Fabrication of fully depleted field effect transistor with high-K gate dielectric in SOI technology

Номер патента: US6395589B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Integration of high k gate dielectric

Номер патента: US7790556B2. Автор: Michael E. Givens,Michael A. Todd,Eric J. Shero,Christophe F. Pomarede. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Integration of High K Gate Dielectric

Номер патента: US20020173130A1. Автор: Eric Shero,Michael Givens,Michael Todd,Christophe Pomerede. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Triple layer high-k gate dielectric stack for workfunction engineering

Номер патента: US20230378294A1. Автор: Chia-Yuan Chang,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Triple layer high-k gate dielectric stack for workfunction engineering

Номер патента: US12015066B2. Автор: Chia-Yuan Chang,Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

SUPERIOR INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY FORMING A CONTROLLED UNDERCUT ON THE BASIS OF A WET CHEMISTRY

Номер патента: US20150137270A1. Автор: Beyer Sven,Reimer Berthold,Graetsch Falk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN A HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING LANTHANUM

Номер патента: US20140015058A1. Автор: Beyer Sven,Carter Richard,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

MECHANISMS FOR MONITORING IMPURITY IN HIGH-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150099315A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,LEE Chang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US7602009B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE FORMED AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING A SPACER

Номер патента: US20130252409A1. Автор: Frohberg Kai,Griebenow Uwe,Reiche Katrin,Berthold Heike. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: WO2018203162A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-11-08.

Vertical transistor having dual work function materials and method for fabricating thereof

Номер патента: US20180294351A1. Автор: DUOHUI Bei,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Gate Dielectric for Gate Leakage Reduction

Номер патента: US20240266415A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09627270B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual work function integration for stacked FinFET

Номер патента: US09576858B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: US20180315755A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Removal of work function metal wing to improve device yield in vertical fets

Номер патента: US20200235238A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Vertical transport transistors with equal gate stack thicknesses

Номер патента: US20180315756A1. Автор: ZHENG Xu,ChoongHyun Lee,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20210119010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US09831235B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US20240313068A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US11996453B2. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (finfet) process

Номер патента: US20230299087A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya David Yeh,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Dual work function integration for stacked finfet

Номер патента: US20160336421A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Multilayer work function metal in nanosheet stacks using a sacrificial oxide material

Номер патента: WO2023104455A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Koji Watanabe,Jingyun Zhang,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Device having a gate stack

Номер патента: US20120280323A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Organic light emitting diode with a plurality composite electrode having different thicknesses

Номер патента: US09954035B2. Автор: Yifan Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor substrate and display panel having film layer with different thicknesses

Номер патента: US09741804B2. Автор: I-Ho Shen,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US20150118809A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US11791383B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Gate Dielectric for Bonded Stacked Transistors

Номер патента: US20240186394A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing semiconductor structure having multi-work function gate electrode

Номер патента: US11943913B2. Автор: Kai Jen,Te-Hsuan Peng,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for wafer-level adjustment of protection circuits of electronic devices and a wafer for facilitating the same

Номер патента: US12046895B2. Автор: Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Introducing Fluorine To Gate After Work Function Metal Deposition

Номер патента: US20230068458A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Recessed STI as the Gate Dielectric of HV Device

Номер патента: US20180350801A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Yi-Sheng Chen,Ker-Hsiao Huo,Li-Hsuan Yeh,Kau-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US11721695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US20230369323A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal Gate Stacks and Methods of Fabricating the Same in Multi-Gate Field-Effect Transistors

Номер патента: US20230017100A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Single metal gate with dual effective work function gate metal scheme

Номер патента: US20240312993A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate stack optimization for wide and narrow nanosheet transistor devices

Номер патента: US20200035563A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

A gate all around device with a work function mismatch between inner and outer gates

Номер патента: WO2024056186A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka,Geert Hellings,Philippe Matagne,Gautam GADDEMANE. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US20230411460A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Lead frame having contacting pins of different thickness

Номер патента: US20060249819A1. Автор: Hsin-Chen Yang. Владелец: Lingsen Precision Industries Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Multiple trimmer capacitor, particularly for adjustment of crystal oscillators

Номер патента: US3953771A. Автор: Manfred Bremstahler. Владелец: Stettner and Co. Дата публикации: 1976-04-27.

Adjustment of coverage area for adaptation of satellite communication

Номер патента: RU2741489C1. Автор: Аарон МЕНДЕЛЬСОН,Дональд РАНЬОН. Владелец: Виасат, Инк.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of adjustment of a liquid crystalline display and device for its implementation

Номер патента: RU2627930C2. Автор: Лэй ЮЙ,Аньюй ЛЮ,Гошэн ЛИ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-08-14.

Adjustment of states of charge of battery cells

Номер патента: US20180034290A1. Автор: Michael Hinterberger,Berthold Hellenthal. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Device for adjustment of fiber laser generation wavelength

Номер патента: RU2730879C1. Автор: Сергей Алексеевич Бабин,Алексей Анатольевич Вольф,Александр Владимирович Достовалов,Кирилл Сергеевич Распопин,Михаил Игоревич Скворцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2020-08-26.

Focused ion beam system and method of making focal adjustment of ion beam

Номер патента: US09646805B2. Автор: Tomohiro Mihira. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Battery pack with cells of different capacities electrically coupled in parallel

Номер патента: US09608242B2. Автор: Richard M. Mank,Ramesh C. Bhardwaj,Taisup Hwang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Device and method for adjustment of hybrid electric vehicle storage battery temperature

Номер патента: RU2546354C2. Автор: АКСЕЛЬССОН Тобиас,Муден Ги,ЛАРССОН Юхан,ЛЕННЕВИ Йеркер. Владелец: Вольво Ластвагнар Аб. Дата публикации: 2015-04-10.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Method and Arrangement for the Adjustment of Characteristics of a Beam Bundle of High-Energy Radiation Emitted from a Plasma

Номер патента: US20120248327A1. Автор: Juergen Kleinschmidt,Imtiaz Ahmad,Max Christian Schuermann,Guido Schriever,Denis Bolshukhin,Alexander Christian Keller. Владелец: XTREME technologies GmbH. Дата публикации: 2012-10-04.

Conduit or cable entry with layers of different thickness

Номер патента: RU2537459C2. Автор: Стефан МИЛТОН,Йенс АНДЕРССОН,Матс ЭРИКСОН,Йенни ФИЛИПСЕН,Ульф ХИЛЬДИНГССОН,Кристер ЛУНДБОРГ,Ронни ПЕТТЕРССОН,Йорген ЭКЕССОН. Владелец: Рокстек АБ. Дата публикации: 2015-01-10.

Electric box embedded into partitions of different thicknesses

Номер патента: RU2717572C2. Автор: Симон ДЕЛМА,Лоран ЖАНИКО,Филипп БЮИССОН,Стефан КАЗИЛЛАК,Давид НОАИЛЬАК. Владелец: Легран Снс. Дата публикации: 2020-03-24.

Dynamic adjustment of connection setup request parameters

Номер патента: WO2010122486A2. Автор: Diamantis Kourkouzelis,George Apostolopoulos. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2010-10-28.

Semi-static adjustment of cell dtx/drx alignment for xr traffic

Номер патента: US20240349390A1. Автор: Ahmed Attia ABOTABL,Diana MAAMARI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Band-pass filter of the second order with independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2718830C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Евгеньевич Титов,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-04-14.

Method of encoding/decoding multi-view video sequence based on local adjustment of brightness and contract of reference frames without transmitting additional service data

Номер патента: RU2493668C1. Автор: Алексей Михайлович Фартуков,Михаил Наумович Мишуровский,Игорь Миронович Ковлига. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2013-09-20.

Display panel and display device including transparent regions with different thicknesses

Номер патента: US12120924B2. Автор: Shaorong YU,Jujian Fu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Band-pass filter with independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2718709C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Евгеньевич Титов,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-04-14.

Systems and methods to reduce resources of downlink for provision of feedback by efficiency of channel for adjustment of speeds of data transfer of mimo channel of downlink

Номер патента: RU2541193C2. Автор: Биоунг-Хоон КИМ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-02-10.

Device for adjustment of electrodes of coaxial vacuum transmission line

Номер патента: RU2719550C1. Автор: Роман Викторович Протас,Реваль Рашадович Хафизов,Никита Николаевич Хавронин,Валентина Алексеевна Твердохлеб. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-04-21.

Method and apparatus for dynamic adjustment of parameters of predistortion and alignment of microcircuits

Номер патента: RU2506700C2. Автор: Цзюаньцзюань МА. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2014-02-10.

Method for transmitting discrete signals in the mode of program adjustment of the operating frequency with variable modulation parameters

Номер патента: RU2770417C1. Автор: Сергей Викторович Дворников,Сергей Сергеевич Дворников,Александр Викторович Пшеничников,Сергей Сергеевич Манаенко,Дмитрий Игоревич Кирик,Евгений Вячеславович Марков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича". Дата публикации: 2022-04-18.

Method of automatic adjustment of exposition for infrared camera and user computer device using this method

Номер патента: RU2667790C1. Автор: Алексей Брониславович Данилевич,Сергей Станиславович Завалишин,Алексей Михайлович Фартуков,Ксения Юрьевна Петрова,Глеб Андреевич ОДИНОКИХ,Виталий Сергеевич ГНАТЮК,Владимир Алексеевич ЕРЕМЕЕВ,Джувоан Ю,Кванхён ЛИ,Хиджун ЛИ,Декю ШИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-09-24.

Adjustment of code signal power

Номер патента: RU2739585C2. Автор: Энтони ХО,Роберт А. КЭРИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-12-28.

Focal adjustment of an automotive camera

Номер патента: US20240205540A1. Автор: Patrick McDaid. Владелец: Connaught Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Dynamic adjustment of master and individual volume controls

Номер патента: US20140079247A1. Автор: Christopher Sanders. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Apparatus and method for providing timing adjustment of input signal

Номер патента: US20130335130A1. Автор: Valentin Abramzon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-12-19.

Dynamic adjustment of master and individual volume controls

Номер патента: EP2612439A1. Автор: Christopher J. Sanders. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

An apparatus for use in the adjustment of the secondary adjustment means of a hearing aid

Номер патента: WO1984001876A1. Автор: Christian Toepholm. Владелец: Toepholm & Westermann. Дата публикации: 1984-05-10.

Methods and systems facilitating adjustment of multiple variables via a content guidance application

Номер патента: CA3144486A1. Автор: Susanto Sen,Riya JOMON. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Adjustment of an encoding timing or a decoding timing

Номер патента: US20240214929A1. Автор: Min Wang,Vikram Singh,Manjunatha Kantharaju,Shankar Ganesh Lakshmanaswamy,Sanjeev Mittal,Carlos Marcelo Dias Pazos,Pravjyot Singh DEOGUN,Sumanth Kumar Kota,Pradeep Ganapathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Drive arrangement for the motorized adjustment of an adjustment element of a motor vehicle

Номер патента: US09935566B2. Автор: Toni Nagler. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2018-04-03.

Drive arrangement for the motorized adjustment of an adjustment element of a motor vehicle

Номер патента: US09461566B2. Автор: Toni Nagler. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Dynamic adjustment of master and individual volume controls

Номер патента: US09431985B2. Автор: Christopher Sanders. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Band-pass arc filter on two operational amplifiers with frequency reduction of pole and independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2688237C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Евгений Андреевич Жебрун. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Device and method of control and adjustment of electrically driven devices

Номер патента: RU2400919C2. Автор: МАЙЕР Лука ДОЛЬОНИ. Владелец: Рэ Вендорс С.П.А.. Дата публикации: 2010-09-27.

Method and arrangement for the adjustment of characteristics of a beam bundle of high-energy radiation emitted from a plasma.

Номер патента: NL2008529A. Автор: Alexander Keller,Juergen Kleinschmidt,Imtiaz Ahmad,Max Christian Schuermann,Guido Schriever,Denis Bolshukhin. Владелец: Xtreme Tech Gmbh. Дата публикации: 2012-10-02.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for electronic adjustment of the geometry in a videoprojector used in back projection and a videoprojector utilizing the method thereof

Номер патента: WO2004054251A1. Автор: Domenico Toffoli. Владелец: Sim2 Multimedia S.P.A.. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for electronic adjustment of the geometry in a videoprojector used in back projection and a videoprojector utilizing the method thereof

Номер патента: EP1568216A1. Автор: Domenico Toffoli. Владелец: SIM2 Multimedia SpA. Дата публикации: 2005-08-31.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US20170359788A1. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Focal adjustment of an automotive camera

Номер патента: EP4387255A1. Автор: H54 Y276 McDaid. Владелец: Connaught Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Aggregation of different analytics for multi-layer network functions

Номер патента: WO2024149469A1. Автор: Ulf Mattsson,Abdulrahman Alabbasi,Antonio INIESTA GONZALEZ,Hossein SHOKRI GHADIKOLAEI,Sabrine AROUA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for adjustment of the rotor angle of an elevator motor

Номер патента: EP1597818A2. Автор: Pekka Jahkonen,Antti Kallioniemi. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2005-11-23.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US20140148212A1. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US20180270769A1. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Decentralized and coordinated adjustment of handover parameter values based on a network operator policy

Номер патента: WO2010034665A1. Автор: Martin Döttling,Richard Waldhauser. Владелец: NOKIA SIEMENS NETWORKS OY. Дата публикации: 2010-04-01.

Device and method for phase adjustment of receiver for pam signaling

Номер патента: US20240235920A1. Автор: Taeho Kim,Jinho PARK,Jake EU,Kyoohyun Lim,Hyosup WON,Jungi JO,Hail SONG. Владелец: Point2 Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Adjustment of downlink radio-frame timing for coordinated multi-point reception by user equipment in advanced communication networks

Номер патента: US20240244556A1. Автор: Eran Goldstein,Ilya Portnik,Jayaram Venguduswamy Srinivasan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for phase adjustment of receiver for pam signaling

Номер патента: EP4429181A1. Автор: Taeho Kim,Jinho PARK,Jake EU,Kyoohyun Lim,Hyosup WON,Jungi JO,Hail SONG. Владелец: Point2 Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

System for real time, remote access and adjustment of patient hearing aid with patient in normal life environment

Номер патента: EP4436211A1. Автор: Deborah M. Manchester. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Network device and method for dynamic adjustment of video resolution

Номер патента: US20170064248A1. Автор: Ming-Chieh Cheng. Владелец: Nanning Fugui Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Adjustment of downlink radio-frame timing for coordinated multi-point reception by user equipment in advanced communication networks

Номер патента: WO2024155303A1. Автор: Eran Goldstein,Ilya Portnik,Jayaram Venguduswamy Srinivasan. Владелец: Dell Products, L.P.. Дата публикации: 2024-07-25.

Device and method for adjustment of a work place illumination

Номер патента: EP1590728A1. Автор: Carl-Eric Ohlson. Владелец: AO Medical Products Sweden AB. Дата публикации: 2005-11-02.

Adjustment of planned movement based on radio network conditions

Номер патента: US09927808B2. Автор: Tomas Jonsson,Peter Ökvist,Stefan Wanstedt,Tommy Arngren. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Personalized adjustment of an audio device

Номер патента: US09871496B2. Автор: Hui Siew Kok,TAN Eng Sui. Владелец: BITWAVE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Dynamic adjustment of video frame sampling rate

Номер патента: US09807336B2. Автор: Chiung-Fu Chen,Yi-lun LIN,Chun-Chuan Yang,Chia-Mao Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Camera calibration and automatic adjustment of images

Номер патента: US09729787B2. Автор: Jue Wang,Seungyong Lee,Hyunjoon Lee,Elya Shechtman. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Network device and method for dynamic adjustment of video resolution

Номер патента: US09621843B2. Автор: Ming-Chieh Cheng. Владелец: Nanning Fugui Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Adaptive adjustment of the operating bias of an imaging system

Номер патента: US09584750B2. Автор: Jason Wolfe,Willliam J. Parrish. Владелец: Seek Thermal Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Automatic adjustment of images using a homography

Номер патента: US09582855B2. Автор: Jue Wang,Seungyong Lee,Hyunjoon Lee,Elya Shechtman. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Camera calibration and automatic adjustment of images

Номер патента: US09519954B2. Автор: Jue Wang,Seungyong Lee,Hyunjoon Lee,Elya Shechtman. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Systems and methods for iterative adjustment of video-capture settings based on identified persona

Номер патента: US09485433B2. Автор: Sanjay Patel,Simion Venshtain,Dennis J. Lin. Владелец: Personify Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Band-pass filter with independent adjustment of pole frequency, pole attenuation and transmission coefficient

Номер патента: RU2722752C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Евгеньевич Титов,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-03.

Method of encoding video with adjustment of bit depth for conversion with fixed point and device for it, as well as method of decoding video and device for it

Номер патента: RU2689196C1. Автор: Елена АЛШИНА,Александр АЛШИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-05-24.

A pipe or cable lead-through having layers of different thickness

Номер патента: SG173123A1. Автор: Stefan Milton,Jens Andersson,Mats Ericson,Jenny Filipsen,Ulf Hildingsson,Christer Lundborg,Ronnie Pettersson,Joergen Aakesson. Владелец: Roxtec AB. Дата публикации: 2011-08-29.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Adjustment of Control Parameters of Section of Optical Fiber Network

Номер патента: US20180343058A1. Автор: James Harley,Kim B. Roberts,David Boertjes. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US20150072722A1. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for parameter adjustment of liquefied natural gas (lng) distributed terminal based on internet of things (iot) and system

Номер патента: US20240040286A1. Автор: Lin Fu. Владелец: Chengdu Puhuidao Smart Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US9999008B2. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US9763206B2. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US9210669B2. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2015-12-08.

Adjustment of transmit power parameter

Номер патента: US9474033B2. Автор: Vladimir Gusavac,Manish Vaishnav. Владелец: AT&T MOBILITY II LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

System for real time, remote access and adjustment of patient hearing aid with patient in normal environment

Номер патента: WO2017200654A1. Автор: Deborah M. Manchester. Владелец: Manchester Deborah M. Дата публикации: 2017-11-23.

Automated assessment and adjustment of tinnitus-masker impact on speech intelligibility during use

Номер патента: US20180279922A1. Автор: Sridhar Kalluri,Christophe D. Micheyl. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Power Adjustment Of A Radio Head Of An Indoor Radio System

Номер патента: US20180242258A1. Автор: Arne Simonsson,Tomas Jonsson,Johan SÖDER,Kjell Larsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-08-23.

Power adjustment of a radio head of an indoor radio system

Номер патента: EP3369273A1. Автор: Arne Simonsson,Tomas Jonsson,Johan SÖDER,Kjell Larsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-09-05.

Dynamic adjustment of web product-based performance factors in database systems

Номер патента: US20210240599A1. Автор: Billy Ma,Jiten Oswal. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

System for real time, remote access to and adjustment of patient hearing aid with patient in normal life environment

Номер патента: US20240283866A1. Автор: Deborah M. Manchester. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Automatic Zeroing System and Electronic Level Adjustment of Pressure Transducer Applied to Vital Signs Monitors

Номер патента: US20200022596A1. Автор: Luiz Henrique VARGAS FONSECA. Владелец: ZAMMI INSTRUMENTAL LTDA. Дата публикации: 2020-01-23.

Automatic zeroing system and electronic level adjustment of pressure transducer applied to vital signs monitors

Номер патента: US11253161B2. Автор: Luiz Henrique VARGAS FONSECA. Владелец: ZAMMI INSTRUMENTAL LTDA. Дата публикации: 2022-02-22.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Voltage controlled oscillator with microstrip line suitable for coarse adjustment of oscillation frequency band

Номер патента: US20110018643A1. Автор: Yoshiaki Yamaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Adjustment of contention window size for communication in an unlicensed band

Номер патента: EP4442071A1. Автор: Tao Tao,Ling Yu,Yong Liu,Vinh Van Phan,Naizheng ZHENG,Nuno Manuel KIILERICH PRATAS,Torsten WILDSCHEK. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-09.

Automatic adjustment of the maximum token holding time in bacnet ms/tp bus systems at runtime

Номер патента: US20170288900A1. Автор: Lars Friedrich,Georg Westerkamp. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2017-10-05.

Method and apparatus for adjustment of ss/pbch block based measurement timing configuration

Номер патента: EP4449768A1. Автор: Kyeongin Jeong,Shiyang Leng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of automatic adjustment of a tunable impedance matching circuit, and automatic tuning system using this method

Номер патента: US09966924B2. Автор: Frederic Broyde,Evelyne Clavelier. Владелец: Tekcem SAS. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of automatic adjustment of a tunable matching circuit, and automatic tuning system using this method

Номер патента: US09935607B2. Автор: Frederic Broyde,Evelyne Clavelier. Владелец: Tekcem SAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Automatic adjustment of video orientation

Номер патента: US09762848B2. Автор: Maciek S. NOWAKOWSKI,Balazs SZABO. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Automated color adjustment of media files

Номер патента: US09736446B1. Автор: Ying Li,Valentina Salapura,Clifford A. Pickover,Minkyong Kim,Rogerio S. Feris,Matous Havlena. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for continuous adjustment of reference signal to control chip

Номер патента: US09578703B2. Автор: Charles Valois. Владелец: Integrated Illumination Systems Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Implementing dynamic adjustment of I/O bandwidth for virtual machines using a single root I/O virtualization (SRIOV) adapter

Номер патента: US09569244B2. Автор: Narsimha R. Challa,Adam T. Stallman,Charles S. Graham,Swaroop Jayanthi,Sailaja R. Keshireddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Implementing dynamic adjustment of I/O bandwidth for virtual machines using a single root I/O virtualization (SRIOV) adapter

Номер патента: US09569242B2. Автор: Narsimha R. Challa,Adam T. Stallman,Charles S. Graham,Swaroop Jayanthi,Sailaja R. Keshireddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Automatic adjustment of application launch endpoints

Номер патента: US09537742B2. Автор: Jingyuan Li,Sriram Sampath,Ido Miles Ben-Shachar,Amjad Hussain,Munindra Nath Das,Sergey A. Kuzin,Nihar Namjoshi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Digital device of a two-cameras television system with adjustment of the direction of the viewing axis and with high sensitivity to the same level for each of the light-signal channels

Номер патента: RU2733415C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2020-10-01.

Contextually-adaptive adjustment of throughput capacity at speed control of video signal transmission

Номер патента: RU2349054C1. Автор: Тао ТЯНЬ,Виджаялакшми Р. РАВИИНДРАН,Виджа лакшми Р. РАВИИНДРАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-03-10.

Multichannel audio decoder, multichannel audio encoder, methods and computer program using residual-signal-based adjustment of contribution of decorrelated signal

Номер патента: RU2676233C2. Автор: Андреас ХЕЛЬЦЕР,Кристиан ХЕЛЬМРИХ,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ,Саша ДИК. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-12-26.

Methods and devices for facilitation of creation, selection and/or adjustment of lighting effects or light shows

Номер патента: RU2498540C2. Автор: Игорь ЛИЗ,Фредерик МОРГАН,ДЕН УТЕЛАР Рональд ВАН,ХАРТСКЕМП Майкл ВАН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2013-11-10.

Device and circuit of calibration or adjustment of regulators built-in into a microchip without use of input-output contacts

Номер патента: RU2696233C1. Автор: Вэй Чэнь,Тунцзэн ЯН,Чуквучебем Чинемелум ОРАКВЮ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-31.

Automatic adjustment of pallet workpiece support members

Номер патента: US5115901A. Автор: Massimo Lombardi,Luciano Santandrea. Владелец: Axis USA Inc. Дата публикации: 1992-05-26.

Method for objective screening for detection of hearing disorders (method for accelerated assessment of auditory function in infants)

Номер патента: RU2722108C1. Автор: Олег Александрович Белов,Георгий Абелович Таварткиладзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение «Российский научно-клинический центр аудиологии и слухопротезирования Федерального медико-биологического агентства». Дата публикации: 2020-05-26.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-linear terahertz spectroscopy for defect density identification in high k dielectric films

Номер патента: US7459687B2. Автор: John Francis Federici,Haim Grebel,Hakan Altan. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-02.

Non-Linear Terahertz Spectroscopy for Defect Density Identification in High K Dielectric Films

Номер патента: US20070235650A1. Автор: Haim Grebel,Hakan Altan,John Federici. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-11.

Device for remote monitoring of working conditions parameters, taking into account heart rate

Номер патента: RU2711763C1. Автор: Кирилл Владимирович Гришаков,Дарья Владимировна Панарина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Интеллектуальные системы мониторинга" (ИСМ). Дата публикации: 2020-01-22.

An Improved Arrangement of and Method of Working Internal Combustion Engines.

Номер патента: GB190808526A. Автор: John William Mackenzie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-05-17.

Suspension of working members of cultivator

Номер патента: RU2584613C1. Автор: Юрий Михайлович Черемисин,Андрей Юрьевич Несмиян,Владимир Иванович Хижняк,Валерий Викторович Должиков,Сергей Александрович Гладкий,Михаил Геннадьевич Кобец,Сергей Вартанович Асатурян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального лбразования Донской государственный аграрный университет. Дата публикации: 2016-05-20.

Procedure and devices for adjustment of working characteristics of downhole tool

Номер патента: RU2370645C2. Автор: Козей ЭЛЬ-РАЙЕС,Назих МЕЛХЕМ,Питер ШВЕТС. Владелец: НЭШНЛ-ОЙЛУЭЛЛ ДиЭйчТи, Эл.Пи.. Дата публикации: 2009-10-20.

Adjustment of radial clearances between working blade tops and channel walls

Номер патента: RU2569784C2. Автор: Тобиас БУХАЛЬ,Мирко МИЛАЗАР,Томас ХИЛЛЕ,Бьерн БУХХОЛЬЦ,Анна КАПУСТИНА,Эрик ШВЕРИН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-11-27.

System and method for the automatic adjustment of vehicle seats of different types

Номер патента: US11524641B2. Автор: Samuel Baudu,Laurent Chabert. Владелец: Faurecia Sieges dAutomobile SAS. Дата публикации: 2022-12-13.

Method and device for automatic adjustment of mirror telescopes

Номер патента: RU2690723C1. Автор: Олег Александрович Ивлев,Евгений Алексеевич Гришин,Вячеслав Валерьевич Полунадеждин,Александра Дмитриевна Сергеева,Роман Александрович Фенин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-05.

Procedure, installation and valve for adjustment of rock drilling

Номер патента: RU2370646C2. Автор: Веса ПЕЛТОНЕН,Веса ПЕЛТОНЕН (FI). Владелец: Сандвик Майнинг Энд Констракшн Ой. Дата публикации: 2009-10-20.

Device for adjustment of working conditions in catalyst cracker with two raising systems

Номер патента: RU2500790C2. Автор: Тьерри ГОТЬЕ,Фредерик ФЕНЬЕ. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2013-12-10.

Wind-powered engine mockup for adjustment of wind-powered engine for specified wind conditions

Номер патента: RU2488020C2. Автор: Сергей Викторович Лопатинский,Юрий Ахметович Ян-Борисов,Николай Виссарионович Ершов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2013-07-20.

Cutting stroke adjustment of a rotary microtome

Номер патента: US09606026B2. Автор: Hans Ludwid Heid. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Printing system that enables adjustment of positional misalignment of dot creation, equivalent method of adjustment, and recording medium

Номер патента: US20030016260A1. Автор: Yukimitsu Fujimori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of adjustment of work vehicle harvest agricultural machinery

Номер патента: RU2406288C2. Автор: Вилли БЕНКЕ. Владелец: КЛААС Зельбстфаренде Эрнтемашинен ГмбХ. Дата публикации: 2010-12-20.

Adaptive field adjustment of transducer power levels

Номер патента: US09679599B1. Автор: Jason M. Feist. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Automatic device for thermomechanical control over radial gap between end of working blades of rotor and stator of compressor or turbine of double-flow gas turbine engine

Номер патента: RU2684073C1. Автор: Сергей Викторинович Фалалеев,Изольд Давидович Эскин,Николай Иванович Старцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2019-04-03.

Glass-based articles with sections of different thicknesses

Номер патента: US20230271880A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Rohit Rai. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Optical head having two semiconductor lasers of different wavelength, an objective lens focusing laser beams on different thickness substrates, and an annular phase shifter decreasing focused laser beam spot aberration

Номер патента: US20010005351A1. Автор: Akira Arimoto,Takeshi Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Optical head having two semiconductor lasers of different wavelength, an objective lens focusing laser beams on different thickness substrates, and an annular phase shifter decreasing focused laser beam spot aberration

Номер патента: US20020114259A1. Автор: Akira Arimoto,Takeshi Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Three-dimensional workspace interactive display having browsing viewpoints for navigation and work viewpoints for user-object interactive non-navigational work functions with automatic switching to browsing viewpoints upon completion of work functions

Номер патента: US5900879A. Автор: Richard Edmond Berry,John Martin Mullaly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Device for supply of working fluid medium

Номер патента: RU2674818C1. Автор: Павел Васильевич Гаин,Кирилл Александрович Мольков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-12-13.

Method and device for program-controlled production of cover of some books and small editions of different sizes format

Номер патента: RU2450937C2. Автор: Питер ШМИДКОНЦ,Питер ШМИДКОНЦ (DE). Владелец: Питер ШМИДКОНЦ. Дата публикации: 2012-05-20.

Method for laser welding of materials having different thicknesses

Номер патента: CA2962720A1. Автор: Kenji Ogawa,Keiji Yamamoto,Kazuaki Hosomi,Takefumi Nakako. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Soft material separator with fill-level-dependent adjustment of speed, and method for operating such a soft material separator

Номер патента: US11998021B2. Автор: Günther Hoppe. Владелец: MODERNPACK HOPPE GMBH. Дата публикации: 2024-06-04.

Simulation experimental system and method for real-time optimization and adjustment of smart oilfield injection production

Номер патента: US12031412B2. Автор: Wei Wang,Kai Zhang,Shujing LIU,Jun Yao,Junrong Liu,Qingqing JIAO. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and device for friction stir welding materials of different thicknesses and having fillet welds

Номер патента: US09937586B2. Автор: Alexander Feineis,Markus Weigl,Matthias Kunz,Sascha CHRISTOPH. Владелец: Grenzebach Maschinenbau GmbH. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of hidden arc welding of parts of different thickness

Номер патента: RU2763952C1. Автор: Иван Владимирович Мамаев,Георгий Александрович Татарченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2022-01-11.

Plant for simultaneously manufacturing of different type tires

Номер патента: RU2258608C2. Автор: Ренато КАРЕТТА,Марко КАНТУ. Владелец: Пирелли Пнеуматичи С.П.А.. Дата публикации: 2005-08-20.

Method and device for control of wear of brake pads and air gap of working brake of vehicles

Номер патента: RU2592753C2. Автор: Томас Виттманн,Штефан ВЕЛЛЬНЕР. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-07-27.

Apparatus for adjustement of a rotary knife of side trimmer shears

Номер патента: GB1380491A. Автор: . Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1975-01-15.

Method and apparatus for adjusting in-tank pressure of working medium storage tank

Номер патента: US11801083B2. Автор: Fei Xiong,Jian Xiao,Shi Wang,Qianfu Huang. Владелец: Hygea Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

System and method for the automatic adjustment of vehicle seats of different types

Номер патента: US20200276949A1. Автор: Samuel Baudu,Laurent Chabert. Владелец: Faurecia Sieges dAutomobile SAS. Дата публикации: 2020-09-03.

Methods of fabricating fit firing chambers of different drop weights on a single printhead

Номер патента: EP1566274A3. Автор: Naoto Kawamura. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2008-05-28.

Assessment and adjustment of time-varying pulse patterns in a spinal cord stimulator system

Номер патента: EP4378521A3. Автор: Rosana Esteller,Changfang Zhu,Jessica Block. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Soft material separator with fill-level-dependent adjustment of speed and method for operating such a soft material separator

Номер патента: CA3089532A1. Автор: Hoppe GÜNTHER. Владелец: MODERNPACK HOPPE GMBH. Дата публикации: 2019-08-08.

Soft material separator with fill-level-dependent adjustment of speed and method for operating such a soft material separator

Номер патента: CA3089532C. Автор: Hoppe GÜNTHER. Владелец: MODERNPACK HOPPE GMBH. Дата публикации: 2024-04-16.

Tool for electromechanical hardening of working faces of key slots of inner cylindrical surfaces

Номер патента: RU2717127C1. Автор: Александр Викторович Морозов,Владимир Александрович Фрилинг,Иван Дмитриевич Федотов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2020-03-18.

Sports car suspension with wheels and body inclination towards turning side with adjustment of suspension kinematics parameters

Номер патента: RU2733013C1. Автор: Вадим Дмитриевич Зеленов,Дмитрий Александрович Зеленов. Владелец: Дмитрий Александрович Зеленов. Дата публикации: 2020-09-28.

Surgical suturing instrument with discrete adjustment of staple height and tactile feedback

Номер патента: RU2557694C2. Автор: Арон О. ЗИНГМЕН. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2015-07-27.

Method of adjustment of axial clearance between rolling bearings and device for its implementation

Номер патента: RU2728499C1. Автор: Олег Юрьевич Федотов,Раис Султангалиевич Музафаров,Ильдар Алмасович Каримов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-07-29.

Method of determining electronic work function in vacuum (versions)

Номер патента: RU2346267C1. Автор: Роберт Рихардович Салем. Владелец: Инновационный технический центр Общество с ограниченной ответственностью "СИТИС". Дата публикации: 2009-02-10.

Device for control and adjustment of single-grain seeder

Номер патента: RU2381641C2. Автор: Йюрген ВАГНЕР,Йенс ВУЛЬШНЕР,Маттиас ПАЛЬМЕР. Владелец: Втк-Электроник Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Conveyor device and method for adjustment of conveyor device

Номер патента: RU2679744C2. Автор: Йосихико ФУДЗИО. Владелец: Дайфуку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-02-12.

Device for checking of start-up circuits and adjustment of blocks of unguided aircraft rockets

Номер патента: RU2716375C1. Автор: Василий Николаевич Гордеев,Алексей Владимирович Емельянов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-11.

Nozzle for coaxial powder feeding with the possibility of pneumatic adjustment of the powder focus

Номер патента: RU2760490C1. Автор: Цзянь ЛЮ,Хао Лю,Шифэн СУНЬ,Тун Чжан,Сяотун ДУ,Сяоцзя ЛИ,Вэньпэн ГАО. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and apparatus for machining a plurality of work-pieces in identical manner

Номер патента: GB766547A. Автор: . Владелец: Herbert Lindner GmbH. Дата публикации: 1957-01-23.

Device for individual adjustment of vehicle seat for passenger or driver

Номер патента: RU2701890C2. Автор: Эмбер ЛаВерн ХОЛЛ,Майкл КОЛИЧ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-10-02.

Gasket having multiple regions of different densities and thicknesses and method of manufacturing same

Номер патента: CA1337911C. Автор: Jerome G. Belter. Владелец: Dana Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

System and method of adjustment of data display on video wall

Номер патента: RU2748176C1. Автор: Роман Валерьевич Калинин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ай Ти Ви групп". Дата публикации: 2021-05-20.

Cellular structure member consisting of layer-by-layer arranged metal sheets made of different semifinished items

Номер патента: RU2136909C1. Автор: Вирес Людвиг. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 1999-09-10.

Method for adjustment of integral-optical interferometer of max-zender

Номер патента: RU2754205C1. Автор: Александр Викторович Тронев,Михаил Владимирович Парфенов,Игорь Владимирович Ильичев,Петр Михайлович Агрузов,Александр Валерьевич Шамрай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-08-30.

3-methyl-1,2,4-triazole-5-thioacetate (s) -2,6-diaminohexane acid application as active drug base for prevention and treatment of cns vital functions in case of severe forms of acute ethanol poisoning

Номер патента: RU2613875C1. Автор: Иван Антонович Мазур,Игорь Федорович Беленичев,Людмила Ивановна Кучеренко,Иван Владимирович Павлюк,Александр Сергеевич Бидненко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Объединение "Фарматрон". Дата публикации: 2017-03-21.

Method and device for check, control and(or) adjustment of centrifuge

Номер патента: RU2264621C2. Автор: Карл Хейнц ЦЕТТИР. Владелец: Вестфалия Сепаратор Аг. Дата публикации: 2005-11-20.

Method for determining intensity of structural adjustment of melts of high-temperature alloys

Номер патента: RU2583343C1. Автор: Аркадий Моисеевич Поводатор,Владимир Викторович Вьюхин,Владимир Степанович Цепелев,Геннадий Васильевич Тягунов,Андрей Геннадьевич Тягунов,Евгений Евгеньевич Барышев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-10.

Method for operational individual adjustment of the frequency of maintenance of a motor vehicle

Номер патента: RU2748781C1. Автор: Игорь Олегович Черняев. Владелец: Игорь Олегович Черняев. Дата публикации: 2021-05-31.

Device for adjustment of clamping force of stitcher roller to mandrel

Номер патента: RU2735286C1. Автор: Сергей Николаевич Богомягков,Сергей Александрович Пивоваров. Владелец: Акционерное общество "Пермский завод "Машиностроитель". Дата публикации: 2020-10-29.

Method of checking and adjustment of twin machine gun in tank and device for its realization

Номер патента: RU2124174C1. Автор: И.Н. Алешин,В.П. Близгарев,Г.В. Иванов,С.В. Передков,В.В. Лыков. Владелец: Иванов Геннадий Васильевич. Дата публикации: 1998-12-27.

Method of precision adjustment of the device for radial shape forming for shafts

Номер патента: RU2651843C2. Автор: Сергей Михайлович Сидоренко,Леонид Александрович Исаевич,Всеволод Алексеевич Хлебцевич,Михаил Иванович Сидоренко,Александр Александрович Гранковский,Денис Михайлович Иваницкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Минский автомобильный завод"-управляющая компания холдинга "БЕЛАВТОМАЗ" (ОАО "МАЗ"-управляющая компания холдинга "БЕЛАВТОМАЗ"). Дата публикации: 2018-04-24.

Method for adjustment of magnetocaloric refrigerator operation parametres in laboratory conditions and device for its realisation

Номер патента: RU2354898C2. Автор: Андрей Николаевич Денисовский,Виктор Владимирович Николенко,Иван Анатольевич Чернец. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Государственный Ракетный Центр Имени Академика В.П. Макеева". Дата публикации: 2009-05-10.

Adjustment of torque moment of vehicle power transmission on basis of time derivative of dynamic torque

Номер патента: RU2679600C2. Автор: Карл РЕДБРАНДТ,Мартин ЭВАЛЬДССОН. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2019-02-12.

Method and device for adjustment of angle of rotation of main shaft of crank gear and press system

Номер патента: RU2446950C2. Автор: Такеси ТАКАХАСИ,Даи ОНИСИ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-04-10.

Method and apparatus for adjustment of sensor unit on farm machine

Номер патента: RU2244399C2. Автор: Йохен ХУСТЕР,Гельмут Хомбург. Владелец: КЛААС Зельбстфаренде Эрнтемашинен ГмбХ. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for active adjustment of movement pattern

Номер патента: RU2643946C1. Автор: Владимир Евгеньевич Афоньшин. Владелец: Владимир Евгеньевич Афоньшин. Дата публикации: 2018-02-06.

Device for adjustment of passenger car front fender and front door relative positions

Номер патента: RU2520863C2. Автор: РЕЙНОСО Хосе ГАРСИЯ. Владелец: Пежо Ситроен Отомобиль Са. Дата публикации: 2014-06-27.

Latch assembly with keyed rose plate for adjustment to doors of differing thickness

Номер патента: CA2246973C. Автор: J. Steven Gray,Barclay H. Hurst,Kerry D. Heubner. Владелец: Yale Security Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Latch assembly with keyed rose plate for adjustment to doors of differing thickness

Номер патента: CA2246973A1. Автор: J. Steven Gray,Barclay H. Hurst,Kerry D. Heubner. Владелец: Yale Security Inc. Дата публикации: 1999-03-25.

Glass-based articles with sections of different thicknesses

Номер патента: EP3694817A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Rohit Rai. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-08-19.

Micro-adjustment of cushions

Номер патента: US20210298498A1. Автор: W. Preston Willingham. Владелец: Sleep Power Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Outside diameter adjuster of folding cylinder

Номер патента: EP1053964B1. Автор: Seiji Suzuki,Kazuaki Shibuya. Владелец: Tokyo Kikai Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Color image forming apparatus with adjustment of a speed mismatch between image carrier, intermediate transfer member and print medium

Номер патента: EP1434107A9. Автор: Atsushi Takehara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

System for modification of floppy diskettes of different sizes consisting of a template and a hole-punching tool

Номер патента: WO1986003876A1. Автор: Pascal CHARMOLU,Ulrika Nixon. Владелец: Ulrika Nixon. Дата публикации: 1986-07-03.

Knife strip, cutting bar and adjusting device for the simplified adjustment of the knife height

Номер патента: US20200246997A1. Автор: Theo Keilhau,Thomas Eisensteger,Erich Stockle. Владелец: manroland Goss web systems GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Image forming apparatus and image quality adjustment method capable of suppressing user's perception of change in image quality caused by adjustment of image quality of output image

Номер патента: US20240330633A1. Автор: Masaru Watanabe,Yasuaki Sakamoto,Ayato Morikami. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

View through panel with adjustment of transparency

Номер патента: RU2692402C2. Автор: Дэниел Джеймс АЛТОН,Натан АКЕРМАН. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-06-24.

Fuel element simulator for adjustment of devices measuring boundaries of various media in fuel column

Номер патента: RU2594566C1. Автор: Виктор Михайлович Черевик,Юрий Альбертович Николаев,Владимир Владимирович Лемехов. Владелец: Публичное акционерное общество "Машиностроительный завод". Дата публикации: 2016-08-20.

Adjustment of sensory stimulation intensity to enhance sleep slow wave activity

Номер патента: RU2677008C2. Автор: МОЛИНА Гари Нельсон ГАРСИЯ,Бреди Александер РИДНЕР,Мишель БЕЛЛЕСИ,Джулио ТОНОНИ. Владелец: Висконсин Алюмни Рисерч Фаундейшн. Дата публикации: 2019-01-14.

Observation and adjustment of exhaust gas afterpurification

Номер патента: RU2549389C2. Автор: Микаэль ЭДСТАМ. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2015-04-27.

Method for remote adjustment of flight mission of unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2755411C1. Автор: Евгений Вячеславович Кошкин,Сергей Евгеньевич Шевчук. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-09-15.

Slab foundation on non-uniform compressible base with possibility of adjusting of heeling

Номер патента: RU2731969C1. Автор: Максим Борисович Мариничев,Игорь Геннадьевич Ткачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-09-09.

Eddy current separator, separating module, separation process and adjustment of eddy current separator

Номер патента: RU2576415C2. Автор: Петер Карло Рем,Мартинус Корнелис Мария БАККЕР,Симон Петер Мария Беркхаут,Мохаммед Абдур РАХМАН. Владелец: Адр Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2016-03-10.

Method (versions) and system for adjustment of air-fuel ratio

Номер патента: RU2602025C2. Автор: Деннис Крейг РИД,Брюс Колби АНДЕРСОН. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2016-11-10.

Mechanism for securing spacer of balance spring to balance bridge and device for adjustment of spring-mounted balance, including such mechanism

Номер патента: RU2665774C2. Автор: Эдмон КАПТ. Владелец: Бланпэн Са. Дата публикации: 2018-09-04.

System and method for automatic adjustment of the technical vision complex

Номер патента: RU2743886C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Станислав Юрьевич Миллер,Анатолий Владимирович Хамухин. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-03-01.

Visual adjustment of mobile x-ray imaging system with camera

Номер патента: RU2641833C2. Автор: Петер БЕЛЕЙ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-01-22.

Device for adjustment of suck-in flow rate and vacuum cleaner equipped with such device

Номер патента: RU2506878C2. Автор: Ил-ду ДЗУНГ,Хиун-соо КИМ. Владелец: Самсунг Гвангджу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-02-20.

Adjustment of transceiver unit frequency without interruption of fluid medium flow through flow meter

Номер патента: RU2530482C2. Автор: Генри С. СТРАУБ. Владелец: ДЭНИЭЛ МЕЖЕМЕНТ энд КОНТРОЛ, ИНК.. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of adjustment of relative humidity in air path of internal combustion engine fitted with low pressure exhaust gas recirculation system

Номер патента: RU2558005C2. Автор: Паоло ПАСЕРО,Альберто ВАССАЛО,Федерико Луиджи ГАГЛИЛМОУН. Владелец: ДЖИЭМ Глобал Текнолоджи Оперейшн ЛЛЦ. Дата публикации: 2015-07-27.

Device and method of adjustment of gap between blades at drum shears for transverse cutting of metal strip

Номер патента: RU2691008C2. Автор: Вольфганг ПАЙТЛ,Кристиан ШЁДЛЬ. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2019-06-07.

Insert for adjustment of through-hole in steam turbine rotor wheel and method of its mounting

Номер патента: RU2527804C2. Автор: Фредерик Джордж БЭЙЛИ,Николас ТИСЕНЧЕК,Джон Мэттью САССАТЕЛЛИ,Джеймс Ройс ХОУЗ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2014-09-10.

Device for chamfering surface for weld joint that allows adjustment of amount of chamfering in one touch

Номер патента: RU2497634C1. Автор: Биунг-воо ДЗЕОН,Биунг-квон ДЗЕОН. Владелец: Даесунг Голден Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2013-11-10.

Adjustment of spring tension

Номер патента: RU2532028C2. Автор: Патрик ХОЛЬМБОМ. Владелец: Асса Аблой Энтранс Системс АБ. Дата публикации: 2014-10-27.

Process for the production of a shaped member from pieces of sheet metal of different thicknesses

Номер патента: CA1276506C. Автор: Wilfried Prange,Adam Frings. Владелец: Thyssen Stahl AG. Дата публикации: 1990-11-20.

Procedure for adjustment of grate cooling facility for cooling loose material

Номер патента: RU2389959C2. Автор: Карл ШИНКЕ,Маттиас МЕРСМАНН,Томас БИННИНГЕР. Владелец: Кхд Хумбольдт Ведаг Гмбх. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of adjustment of air conditioner blinds

Номер патента: RU2640707C2. Автор: Чэн Ван,Вэйсюэ ЛИНЬ,Цзэбо ЧЭНЬ,Вэньци КУАН,Яобяо ЮЭ. Владелец: Гри Электрик Эпплайенсиз, Инк. оф Чжухай. Дата публикации: 2018-01-11.

Process for the production of a shaped parts from pieces of sheet metal of different thicknesses

Номер патента: US4827100A. Автор: Wilfried Prange,Adam Frings. Владелец: Thyssen Stahl AG. Дата публикации: 1989-05-02.

System and method for automatic adjustment of guide ropes of suspended platform with flexible cable

Номер патента: RU2585947C2. Автор: Ли ЧЖАН,Гохуа ЦАО,Цзиньцзи ВАН,Яндон ВАН,Ган ШЭНЬ,Шанзен ЛЮ,Чженьцай ЧЖУ,Чжи Лю,Вэйхон ПЭН,Цзишань СЯ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2016-06-10.

Optical pickup system for reading optical disks of different thicknesses

Номер патента: US5809000A. Автор: Yang-Oh Choi. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Apparatus for automatic horizontal adjustment of a seat

Номер патента: WO1994007707A1. Автор: Klas Carlgren. Владелец: Klas Carlgren. Дата публикации: 1994-04-14.

Micro-adjustment of cushions

Номер патента: US20210378424A1. Автор: W Preston Willingham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-09.

Micro-adjustment of cushions

Номер патента: US11583115B2. Автор: W Preston Willingham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-21.

Micro-adjustment of cushions

Номер патента: US11291319B2. Автор: W. Preston Willingham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-05.

Dynamic adjustment of text input system components

Номер патента: WO2014022169A3. Автор: Bryan Russell Yeung. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

Device for the personalised adjustment of face-masks

Номер патента: EP4133960A1. Автор: Thais Cristina Pereira,Joan Ernest De Pedro Gomez,Diego Jesús GONZÁLEZ CARRASCO,Nora LÓPEZ SAFONT,Pere Riutord Sbert,Angel Arturo LÓPEZ GONZÁLEZ. Владелец: Academia Dental de Mallorca SL. Дата публикации: 2023-02-15.

Beam structure for water layer variation adjustment of antarctic krill trawl

Номер патента: EP4159034A1. Автор: Lumin Wang,Wenwen Yu,Yongjin Wang,Guangrui QI. Владелец: East China Sea Fishery Research Institute Chinese Academy of Fishery Sciences. Дата публикации: 2023-04-05.

Automated accuracy adjustment of voltage divider

Номер патента: US20170153276A1. Автор: Francesco Piccardo,Marino Piuma. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Automated accuracy adjustment of voltage divider

Номер патента: WO2015185332A1. Автор: Francesco Piccardo,Marino Piuma. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2015-12-10.

Method and system for performing intelligent sorting based on dynamic adjustment of threshold

Номер патента: CA3225081A1. Автор: JIN Guo,Xiaolei Tong. Владелец: Huzhou Honest Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Articles, kits and methods adapted for facilitating adjustability of operative apparatuses

Номер патента: US11766309B2. Автор: Mitchell Ross Gilkey,Alexander Ross Cohen. Владелец: ClearCam Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for controlling the height adjustment of a height adjustable running gear of a self-propelled ground milling machine, in particular a road miller, and ground milling machine

Номер патента: US11725350B2. Автор: Jonathan STAHL. Владелец: Bomag GmbH and Co oHG. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and system for performing intelligent sorting based on dynamic adjustment of threshold

Номер патента: ZA202311708B. Автор: JIN Guo,Xiaolei Tong. Владелец: Huzhou Honest Intelligent Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Systems and methods for improving the adjustment of a vehicle headrest

Номер патента: US11760246B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Jaime Camhi,Daniel J. Brooks,Manuel Ludwig Kuehner. Владелец: Toyota Research Institute Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Adjustment of feeder trays to correct alignment error of print media in a registration subsystem

Номер патента: US20190308832A1. Автор: James L. Giacobbi,Donald R. Fess,Matthew Ryan McLaughlin,Victoria Lynn Warner. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

System and apparatus suitable for adjustment of one or more seats, and a processing method in association thereto

Номер патента: WO2023094054A1. Автор: Chieh Cheng LAI (Kendra). Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and apparatus for optical axis adjustment of optical driver

Номер патента: US6671241B1. Автор: Yi-Chang Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2003-12-30.

Assembly of a vehicle, comprising a longitudinal adjustment of a vehicle seat

Номер патента: US20240300385A1. Автор: Gregor Kröner,Sandra KIESER-NEUMEYER. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2024-09-12.

Automated fine adjustment of an ophthalmic surgery support

Номер патента: US12070421B2. Автор: Mario Abraham,Michael Wittnebel. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Valve device capable of fast switching and fine adjustment of flow

Номер патента: US09874283B1. Автор: Ren-You Shih. Владелец: Transworld Steel Enterprise Co ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Spindle drive for the height adjustment of an electrically adjustable steering column

Номер патента: US09610968B2. Автор: Karsten Braeuer,Christian Born,Torsten Harms,Wjatscheslaw Malyschew. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for automatic adjustment of spaced-apart camera system for forming panoramic image

Номер патента: RU2716896C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Елена Сергеевна Янакова,Владимир Валентинович Гусев,Виталий Юрьевич Лоторев,Антон Викторович Леонтьев,Никита Валерьевич Овчинников. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы". Дата публикации: 2020-03-17.

Device for automatic adjustment of continuous supplying flow of variable fractional composition objects of to a separation line

Номер патента: RU2608815C2. Автор: Юрий Иванович Кириенко,Алексей Михайлович Башилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2017-01-24.

Rotary tablet press with rotary drum and method of improving adjustment of parts of rotary tablet press

Номер патента: RU2655419C2. Автор: Ян ВОЕЛЕЕР,Фредди Жерар Люк ВАНДЕНБРУКЕ,Джорис ВАНДЕРПУТТЕН,Николя РОБЕН,Фредерик ДЕТОБЕЛЬ,Иво ВАН ДЕН МУТЕР. Владелец: Джеа Просесс Инжинириг Нв. Дата публикации: 2018-05-28.

Method and apparatus for automatic adjustment of feedforward component for suppressing redundant response to step action during stepped tracking

Номер патента: RU2522032C1. Автор: Акира КОБАЯСИ,Такеси ТАКАХАСИ,Ютака ФУДЗИТА,Сунтаро СУЗУКИ. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-07-10.

Device for adjustment of the toe-in of controlled wheels of the motor vehicle in the course of movement

Номер патента: RU2654658C1. Автор: Владимир Тимофеевич Исайчев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-21.

Device for automatic adjustment of clearance between drum and brake pads (versions)

Номер патента: RU2699319C1. Автор: Геннадий Николаевич Манулик,Геннадий Имполитович Лось,Александр Валерьевич Садченко. Владелец: Открытое акционерное общество "БЕЛАЗ" - управляющая компания холдинга "БЕЛАЗ-ХОЛДИНГ". Дата публикации: 2019-09-04.

Method of working an adjustable sprinkler head

Номер патента: US4184239A. Автор: Roger B. Clawson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-01-22.

Solar receiver with a plurality of working fluid inlets

Номер патента: AU2003238663A1. Автор: Jacob Karni,Rudi Bertocchi. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-23.

Adjustment of a voltage corresponding to an erase distribution of a memory sub-system

Номер патента: US20210043258A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Solar receiver with a plurality of working fluid inlets

Номер патента: EP1521936A1. Автор: Jacob Karni,Rudi Bertocchi. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-13.

Solar receiver with a plurality of working fluid inlets

Номер патента: EP1521936B1. Автор: Jacob Karni,Rudi Bertocchi. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Solar receiver with a plurality of working fluid inlets

Номер патента: WO2004005806A1. Автор: Jacob Karni,Rudi Bertocchi. Владелец: Yeda Research and Development Co. Ltd.. Дата публикации: 2004-01-15.

Solar receiver with a plurality of working fluid inlets

Номер патента: AU2003238663B2. Автор: Jacob Karni,Rudi Bertocchi. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Gaming machine with current theoretical return-to-player display and dynamic adjustment of same

Номер патента: US20210390826A1. Автор: Steven M. Santisi. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Gaming machine with current theoretical return-to-player display and dynamic adjustment of same

Номер патента: US20230298433A1. Автор: Steven M. Santisi. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Gaming machine with current theoretical return-to-player display and dynamic adjustment of same

Номер патента: US11704967B2. Автор: Steven M. Santisi. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2023-07-18.

Adjustment of card configurations for flight interruptions

Номер патента: US20240242275A1. Автор: Daniel Miller,Xiaoguang Zhu,Alexander Lin,Lisa GUO,Vyjayanthi Vadrevu,Jennifer KWOK,Cameron Noah. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Machine for adjustment of turbine compressor variable geometry (vg) components

Номер патента: EP3270135A3. Автор: Krzysztof Waszak. Владелец: Cimat Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia. Дата публикации: 2018-02-28.

Adjustment of user input parameters

Номер патента: GB2496955B. Автор: Anthony Cappa Spielberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Method and system for performing intelligent sorting based on dynamic adjustment of threshold

Номер патента: US20240132990A1. Автор: JIN Guo,Xiaolei Tong. Владелец: Huzhou Honest Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Improvements in or relating to adjusting of a light source

Номер патента: WO2010044718A1. Автор: Michael Engstrand. Владелец: Michael Engstrand. Дата публикации: 2010-04-22.

Wheelchair with thread-based adjustment of the wheelbase and/or height

Номер патента: WO2012073222A1. Автор: Rainer Kuschall,Simon Brenner. Владелец: Invacare International Sàrl. Дата публикации: 2012-06-07.

Arrangement for adjustment of the vertical tracking force on a phonograph stylus

Номер патента: US4514838A. Автор: Karel Hrdlicka,Jiri Janda. Владелец: Tesla Koncernovy Podnik. Дата публикации: 1985-04-30.

Device and method of shim adjusting of die-cushion device

Номер патента: US10675668B2. Автор: Yasuyuki Kohno. Владелец: Aida Engineering Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Partial pressure tool for real-time measurement and adjustment of pressure and viscosity and measurement method thereof

Номер патента: US11262283B2. Автор: Cheng Fu,Bin Huang,Xiaohui Li,Xinyu Hu,Weiwen Zhang,Chunjing Lu,Xiangdong Qi,Fajun ZHAO. Владелец: Chongqing University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-03-01.

Adjustment of card configurations for flight interruptions

Номер патента: US20230055897A1. Автор: Daniel Miller,Xiaoguang Zhu,Alexander Lin,Lisa GUO,Vyjayanthi Vadrevu,Jennifer KWOK,Cameron Noah. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for automatic adjustment of printer

Номер патента: US20020114008A1. Автор: Jerry Chen. Владелец: Silitek Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Systems and Methods for Gas Valve Adjustment of a Water Heater

Номер патента: US20240263839A1. Автор: Ryan Ludwig,Matthew A. Jackson,Jeremy Allen Peters. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Adjustment of tooth position in a virtual dental model

Номер патента: US20230355351A1. Автор: Vadim Matov,Fuming Wu,Anton Spiridonov,Artem Borovinskih,Rene M. Sterental,Anatoliy Boltunov,Pavel Agapov. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Partial pressure tool for real-time measurement and adjustment of pressure and viscosity and measurement method thereof

Номер патента: US20210025799A1. Автор: Cheng Fu,Bin Huang,Xiaohui Li,Xinyu Hu,Weiwen Zhang,Chunjing Lu,Xiangdong Qi,Fajun ZHAO. Владелец: Northeast Petroleum University. Дата публикации: 2021-01-28.

Upright piano mechanism allowing for adjustment of the response of a particular key and/or keys

Номер патента: WO2002075717A2. Автор: Antun Merkoci. Владелец: Antun Merkoci. Дата публикации: 2002-09-26.

Dynamic adjustments of backup policies

Номер патента: US20240296098A1. Автор: Smitha Jayaram,Anand Satish Phatak. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-09-05.

System for automated adjustment of a pressure set by a respiration device

Номер патента: US09987446B2. Автор: Dominik Novotni,Thomas Laubscher. Владелец: HAMILTON MEDICAL AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Supersonic air intake passage capable of achieving synchronous adjustment of capturing area and throat area

Номер патента: US20200309030A1. Автор: Yue Zhang,Ziyun Wang,Yazhou Liu,Hexia HUANG,Huijun Tan,Fajia SHENG. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and system for controllable adjustment of the removal rate of cutting edges of effectors of manually-guided material- and tissue-sectioning tools and a corresponding effector

Номер патента: US09974557B2. Автор: Thomas Maier,Tim Lueth,Sebastian Heininger,Erik LOEWE. Владелец: All-Of-Innovation Gmbh. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatus for rotational adjustment of optics

Номер патента: US09803810B2. Автор: Gabor VAMBERI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for fine adjustment of a percutaneous valve structure

Номер патента: US09554896B2. Автор: Jacob Richter,Yoram Richter,Ety Weisz. Владелец: Valve Medical Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Adjustment of tooth position in a virtual dental model

Номер патента: US09414897B2. Автор: Vadim Matov,Fuming Wu,Anton Spiridonov,Artem Borovinskih,Rene M. Sterental,Anatoliy Boltunov,Pavel Agapov. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

System for generation and infusion introduction of radio pharmaceutical preparations (options), method of working with system and air blowing method of system piping layout

Номер патента: RU2671939C2. Автор: Джанет Л. ГЕЛБАХ,Джулиус П. ЗОДДА,Катрин М. ХАНТЕР,Рольф Э. СВЕНСОН,Аарон М. ФОНТЭН,Стефен Э. ХАЙДЕМ,Патрик М. МАКДОНАЛД. Владелец: Бракко Дайэгностикс Инк.. Дата публикации: 2018-11-07.

Steam generator of working fluid for thermionic converter reactor of space nuclear power plant

Номер патента: RU2755795C1. Автор: Андрей Равильевич Абитов,Илья Владимирович Ефимов,Елена Леонардовна Ромадова,Александр Борисович Савинов. Владелец: Акционерное Общество "Ордена Ленина Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Энерготехники Имени Н.А. Доллежаля". Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus for tempering glass sheets of different sizes and shapes

Номер патента: CA1206336A. Автор: Samuel L. Seymour,Robert E. Dunn. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1986-06-24.

A reverse osmosis system having an adjustable flow restrictor for in-situ adjustment of concentrate water to a drain, and method of performing the same

Номер патента: WO2023116192A1. Автор: MIN Feng,Fei Xue. Владелец: Kunshan Eco Water Systems Company Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

A bottom bar for a window blind with at least two slots of different widths to receive different thickness fabric

Номер патента: NZ585437A. Автор: Reginald Charles Allsopp,Antony Barnes. Владелец: Louver Lite Ltd. Дата публикации: 2011-10-28.

Method for the manufacture of pastes for automatic adjustment of the curing properties of unsaturated polyester based gel coats and the use of such pastes

Номер патента: EP1274774A1. Автор: Tuomo Sjöberg,Heikki Ratia,Tuula Blomqvist,Outi FÄRM,Aki JÄRVENTAUSTA. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for the manufacture of pastes for automatic adjustment of the curing properties of unsaturated polyester based gel coats and the use of such pastes

Номер патента: AU2001254852A1. Автор: Tuomo Sjöberg,Heikki Ratia,Tuula Blomqvist,Outi FÄRM,Aki JÄRVENTAUSTA. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 2001-10-30.

Method for the manufacture of pastes for automatic adjustment of the curing properties of unsaturated polyester based gel coats and the use of such pastes

Номер патента: EP1274774B1. Автор: Tuomo Sjöberg,Heikki Ratia,Tuula Blomqvist,Outi FÄRM,Aki JÄRVENTAUSTA. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Needle block for easy adjustment of tip length of needle unit

Номер патента: US20240077518A1. Автор: Song Yeon WI. Владелец: WILLTECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Device for adjustment of pressure in tires

Номер патента: US20240217281A1. Автор: Frantisek Hrabal. Владелец: CODA INNOVATIONS SRO. Дата публикации: 2024-07-04.

Lifting desk control system with imperceptible intelligent adjustment function and control method for imperceptible intelligent adjustment of lifting desk

Номер патента: US20240197070A1. Автор: Xiaoming Wang,Tao MA,Fa ZHAO,Keting Wang. Владелец: UE Furniture Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Automatic Adjustment of Head Mounted Display Straps

Номер патента: US20200150597A1. Автор: Ramesh Pendakur,Sean J. Lawrence,Sanjay R. Aghara,Aditya K. RAUT,Nishant Kamat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Automatic adjustment of head mounted display straps

Номер патента: WO2018031209A2. Автор: Ramesh Pendakur,Sean J. Lawrence,Sanjay R. Aghara,Aditya K. RAUT,Nishant Kamat. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-02-15.

Adjustment of program verify targets corresponding to a last programming distribution and a programming distribution adjacent to an initial programming distribution

Номер патента: US12040026B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Device and method for providing a suggestion for the optimal adjustment of a sheet metal working machine

Номер патента: US20230108679A1. Автор: Jacques BURTSCHER. Владелец: ARKU Maschinenbau GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Process for the adjustment of backlash between a pinon and a rack in a rack-pinion drive

Номер патента: EP4022200A1. Автор: Stefan Baumann,Walter Zulauf,Christof ACKERMANN. Владелец: Guedel AG. Дата публикации: 2022-07-06.

Device for adjustment of points of measuring

Номер патента: WO2009128778A1. Автор: Bertil Olsson,Christian Olsson,Markus Olsson. Владелец: Tetrafix Ab. Дата публикации: 2009-10-22.

Apparatus for the automatic adjustment of a yarn cleaner

Номер патента: US3631354A. Автор: Hermann Werffeli. Владелец: Machinenfabrik Schweiter AG. Дата публикации: 1971-12-28.

Auxiliary reminding apparatus for gear adjustment of child safety seat

Номер патента: EP4147905A1. Автор: Yanan Li,Youping WANG. Владелец: Ningbo Baby First Baby Products Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Device for adjustment of the anti-scattering grid to the focal length for radiological equipment

Номер патента: US7206382B2. Автор: Luigi Besana. Владелец: Mecal Srl. Дата публикации: 2007-04-17.

Nonwoven fabric having a single layer with a plurality of different fiber types, and an apparatus, system, and method for producing same

Номер патента: US20240295054A1. Автор: Yu Xin,Marc NEWMAN,Rene RUSCHEL,Fabio BALDISSERA. Владелец: Fitesa Simpsonville Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for the manufacture of pastes for automatic adjustment of the curing properties of unsaturated polyester based gel coats and the use of such pastes

Номер патента: WO2001079333A1. Автор: Tuomo Sjöberg,Heikki Ratia,Tuula Blomqvist,Outi FÄRM,Aki JÄRVENTAUSTA. Владелец: Ashland Inc.. Дата публикации: 2001-10-25.

A system and method for adjustment of a milking location

Номер патента: EP2091321A1. Автор: Anders Hallstrom. Владелец: DELAVAL HOLDING AB. Дата публикации: 2009-08-26.

Methods for dynamic real-time adjustment of a data acquisition parameter in a flow cytometer

Номер патента: EP4433802A1. Автор: Christopher J. Wolf,Keegan Owsley. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-09-25.

Device for adjustment of the anti-scattering grid to the focal length for radiological equipment

Номер патента: WO2004013866A3. Автор: Luigi Besana. Владелец: Luigi Besana. Дата публикации: 2004-07-15.

Device for adjustment of the anti-scattering grid to the focal length for radiological equipment

Номер патента: EP1525592A2. Автор: Luigi Besana. Владелец: Mecall Srl. Дата публикации: 2005-04-27.

Device for adjustment of the anti-scattering grid to the focal length for radiological equipment

Номер патента: AU2003237635A1. Автор: Luigi Besana. Владелец: Mecall Srl. Дата публикации: 2004-02-23.

DEVICE FOR ADJUSTMENT OF THE ANTI-SCATTERING GRID TO THE FOCAL LENGTH of a RADIOLOGICAL EQUIPMENT

Номер патента: EP1525592B1. Автор: Luigi Besana. Владелец: Mecall Srl. Дата публикации: 2009-05-13.

Device for adjustment of the anti-scattering grid to the focal length for radiological equipment

Номер патента: WO2004013866A2. Автор: Luigi Besana. Владелец: Mecall S.R.L.. Дата публикации: 2004-02-12.

All-fiber laser beam tuning by adjustment of angular intensity distribution

Номер патента: EP4437375A1. Автор: Dahv A.V. Kliner,Roger L. Farrow,Juan Carlos Lugo,Brendan G. O'DEA. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Spindle drive for the motorized adjustment of an adjusting element of a motor vehicle

Номер патента: US09791026B2. Автор: Alwin Macht,Christian Saxstetter,Andreas DIEMAR. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2017-10-17.

Automatic adjustment of metric alert trigger thresholds

Номер патента: US09767669B2. Автор: Benjamin I. Rubinger,Jennifer G. Becker Antley,Venkatramanan Jeyaraman,Mark D. Reinhardt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Automatic adjustment of metric alert trigger thresholds

Номер патента: US09767668B2. Автор: Benjamin I. Rubinger,Jennifer G. Becker Antley,Venkatramanan Jeyaraman,Mark D. Reinhardt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Arrangement for a surface area adjustment of a reciprocating wing system in a wave energy recovery system

Номер патента: US09752551B2. Автор: Arvo Jarvinen,Rauno Koivusaari. Владелец: AW Energy Oy. Дата публикации: 2017-09-05.

Device for adjusting the light source of an electronic alignment device, operation being simplified by motorized adjustment of the light source, and a method in which this device is used

Номер патента: US09746320B2. Автор: Rudolf Barth. Владелец: PRUEFTECHNIK DIETER BUSCH AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Seat for a driver of a construction machine, construction machine, as well as method for adjustment of a seat

Номер патента: US09550437B2. Автор: Axel Roemer,Gerhard Mahler. Владелец: HAMM AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of resonant adjustment of rotary vibration gyroscope

Номер патента: RU2676061C1. Автор: Владимир Петрович Губко,Андрей Александрович Щусь. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение Электромеханики". Дата публикации: 2018-12-25.

Hydraulic lift with hydraulic accumulator and method of control and adjustment of such lift

Номер патента: RU2288883C2. Автор: ХОЛЬЦЕН Рихард ФОН,Гюго БИРБАУМЕР. Владелец: Бухер Гидрауликс Аг. Дата публикации: 2006-12-10.

Method for automatic adjustment of time-varying parameter warning

Номер патента: RU2557887C2. Автор: Брайан Д. ГРОСС,Фолькер Манфред ХУБЕРТ,Бенедикт ЛАТЦ,Герхард ТИВИГ,Дзюх-Юн Дз. ВАНГ,Маркус ХОЛЛАНД-МОРИТЦ,Бернд ВИЛЬМ,Аксель ЛАНГЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-07-27.

Method and end product for adjustment of device placed in mouth for teeth cleaning to geometry of user's oral cavity

Номер патента: RU2589621C2. Автор: Кевин А. МИЛЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-07-10.

Separate adjustment of the contour and flatness of the metal strip

Номер патента: RU2771287C1. Автор: Клаус ЛЁЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Джермани Гмбх. Дата публикации: 2022-04-29.

Locking component of liner for adjustment of engineering communication passes through open end hole in protective construction and liner (options)

Номер патента: RU2679999C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Артем Петрович Малахо,Сергей Викторович Макеев,Андрей Сергеевич Макеев,Александра Сергеевна Илюхина,Игорь Германович Коротин,Константин Леонидович Бабыкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УНИТЭК" (ООО "УНИТЭК"). Дата публикации: 2019-02-14.

Fish protecting aggregate and method of adjustment of filtering fish protecting aggregates filtering features

Номер патента: RU2023804C1. Автор: Виктор Николаевич Шкура,Павел Александрович Михеев,Александр Анатольевич Чистяков,Виктор Николаевич Корябкин. Владелец: Виктор Николаевич Корябкин. Дата публикации: 1994-11-30.

Chain weight adjuster of wheel power device

Номер патента: RU2673174C2. Автор: Сергей Васильевич Щитов,Евгений Евгеньевич Кузнецов,Олеся Павловна Митрохина,Алексей Борисович Спириданчук. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дальневосточный Государственный Аграрный Университет". Дата публикации: 2018-11-22.

Method of adjustment of wheels of regulated axle of railway rolling stock and its recovery

Номер патента: RU2725019C2. Автор: Роберто ТИОНЕ. Владелец: ФАИВЕЛЕЙ ТРАНСПОРТ ИТАЛИЯ С.п.А.. Дата публикации: 2020-06-29.

Method for adjustment of radiator grille gate opening, control method of air flow control device in engine front part (embodiments)

Номер патента: RU2710637C2. Автор: Гопичандра СУРНИЛЛА,Моханнад ХАКИМ,Шуя Шарк Дэн ЯМАДА,Джозеф Патрик УАЙТХЕД,Эрик КРЕНГЕЛЬ,Патрик ШИРЕР. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-12-30.

Coiled heat exchanger with set of inlets and method of adjustment of heat exchanger's heating surfaces

Номер патента: RU2636287C2. Автор: Кристиане КЕРБЕР,Маркус ХАММЕРДИНГЕР,Манфред ШТАЙНБАУЭР,Юрген ШПРЕЕМАНН. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of simultaneous adjustment of guided missiles with laser semi-active homing heads and device for its implementation

Номер патента: RU2657356C1. Автор: Андрей Викторович Гусев,Владимир Иванович Образумов,Сергей Сергеевич Овсенев,Владислав Владимирович Селькин,Раиса Михайловна Семашкина,Максим Олегович Мизеров. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения им. академика А.Г. Шипунова". Дата публикации: 2018-06-13.

Equipment for indication of the electrically measurable positions or adjustments of individual units required for the printing process

Номер патента: US4491833A. Автор: Edgar F. Schoneberger. Владелец: MAN Roland Druckmaschinen AG. Дата публикации: 1985-01-01.

Method of management and/or adjustment of metallurgical installation

Номер патента: RU2677402C2. Автор: Инго ШУСТЕР,Штефан Шульце,Тамара ГУЗАРОВА. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2019-01-16.

Improvements in or relating to a method of working cylinder wall surfaces and tool for performing the same

Номер патента: GB663554A. Автор: . Владелец: Perfect Circle Corp. Дата публикации: 1951-12-27.

Simulation experimental system and method for real-time optimization and adjustment of smart oilfield injection production

Номер патента: US20220010657A1. Автор: Wei Wang,Kai Zhang,Shujing LIU,Jun Yao,Junrong Liu,Qingqing JIAO. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2022-01-13.

Electronic device with touch gesture adjustment of a graphical representation

Номер патента: EP2951665A1. Автор: Cyrille De Bebrisson,Gregory Thorn Springer,TimothyJames WESSMAN. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-12-09.

System for prevention of work injuries

Номер патента: EP1589869A1. Автор: Hans Robertsson. Владелец: Saab Xperientia AB. Дата публикации: 2005-11-02.

System for prevention of work injuries

Номер патента: WO2004069050A1. Автор: Hans Robertsson. Владелец: Saab Xperientia AB. Дата публикации: 2004-08-19.

System for prevention of work injuries

Номер патента: EP1589869B1. Автор: Hans Robertsson. Владелец: Xperientia Ab. Дата публикации: 2007-12-26.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PASSIVATING POINT DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYERS DURING GATE STACK FORMATION

Номер патента: US20130267086A1. Автор: Trentzsch Martin,Carter Richard J.,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120280288A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120326245A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

METHOD FOR REMOVING POLYMER AFTER ETCHING GATE STACK STRUCTURE OF HIGH-K GATE DIELECTRIC/METAL GATE

Номер патента: US20120115321A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

ENHANCING INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY PROTECTING A LINER AT THE GATE BOTTOM DURING GATE HEAD EXPOSURE

Номер патента: US20130157432A1. Автор: Beyer Sven,Seliger Frank,GRASSHOFF Gunter. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

SELF-ALIGNED CONTACT COMBINED WITH A REPLACEMENT METAL GATE/HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20120139062A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

ENGINEERED OXYGEN PROFILE IN METAL GATE ELECTRODE AND NITRIDED HIGH-K GATE DIELECTRICS STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE PMOS DEVICES

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Wen Huang-Chun,NIIMI Hiroaki. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20130105879A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

COMPOSITE HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK FOR REDUCING GATE LEAKAGE

Номер патента: US20140001570A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for improving HCI (Hot Carrier Injection) effect of high-K gate dielectric NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor) by adopting gate-last process

Номер патента: CN102420143A. Автор: 陈玉文,谢欣云. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

REPLACEMENT GATE STRUCTURE FOR TRANSISTOR WITH A HIGH-K GATE STACK

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120193725A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-02.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20120199914A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-09.

HIGH-K GATE DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120261803A1. Автор: Zhao Chao,Chen Dapeng,Wang Wenwu,Han Kai. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Reliability of high-K gate dielectric layers

Номер патента: US20120286372A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130043545A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

DIFFUSED CAP LAYERS FOR MODIFYING HIGH-K GATE DIELECTRICS AND INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20130052814A1. Автор: Clark Robert D.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

MODIFIED HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK

Номер патента: US20130328137A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140001573A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140004695A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for improving performance of high-k gate dielectric on high-resistance SOI substrate

Номер патента: CN101924030B. Автор: 徐大伟,程新红,俞跃辉,何大伟,王中健,宋朝瑞. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for depositing high k gate dielectrics on atomic layer on graphene surface by adopting electric field induction

Номер патента: CN102097297B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,江婷婷. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-04.

The formation method of the formation method of high-K gate dielectric layer and forming apparatus, transistor

Номер патента: CN103137461B. Автор: 三重野文健. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Hafnium-based high-k gate dielectric stack structure and MOSFET device thereof

Номер патента: CN105762179A. Автор: 魏峰,陈小强,杜军,熊玉华. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2016-07-13.

Monocrystal high K gate dielectric material and preparation method thereof

Номер патента: CN102456725A. Автор: 杜军,张心强,屠海令. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2012-05-16.

Superior Integrity of a High-K Gate Stack by Forming a Controlled Undercut on the Basis of a Wet Chemistry

Номер патента: US20120086056A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kiewra Edward W.,Koester Steven J.,Fompeyrine Jean,Webb David J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

FORTIFICATION OF CHARGE STORING MATERIAL IN HIGH K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20130001673A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

A kind of built-in high-k flexible resin composite and its preparation method and application

Номер патента: CN107573645A. Автор: 李峰,杨文虎,陶玉红,卢星华. Владелец: Shenzhen Peak Swimming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-12.

Method and Apparatus for High-K Gate Performance Improvement and Combinatorial Processing

Номер патента: US20140127422A1. Автор: Shao ShouQian,Lang Chi-I,Niyogi Sandip,Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for preparing high-k gate medium on surface of multi-layer graphene

Номер патента: CN102856184A. Автор: 王浩敏,谢晓明,张有为,杨喜超. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-01-02.

Local Charge and Work Function Engineering on MOSFET

Номер патента: US20120003804A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Drilling perforator with electric hydraulic system and adjustment of drill inclination angle

Номер патента: RU2466269C1. Автор: Арсен Владимирович Месропян,Мария Олеговна Митягина,Лилия Ураловна Давлетова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2012-11-10.

Pulse-phase meter for measurement of thickness of layers of different liquids and their relative change at enhanced accuracy

Номер патента: RU2188399C2. Автор: В.И. Вербицкий,Н.Н. Калмыков,В.Ф. Семухин,И.И. Бобков,В.Ю. Шкурихин. Владелец: Уральское проектно-конструкторское бюро "Деталь". Дата публикации: 2002-08-27.

Mode of adjustment of the consumption of warmth in a thermal circuit and an arrangement (an electrical heater) for its realization

Номер патента: RU2317489C2. Автор: Геннадий Павлович Сергеев. Владелец: Костюхина Марина Михайловна. Дата публикации: 2008-02-20.

Method and line for radio communications with pseudo-random adjustment of working frequency

Номер патента: RU2279760C1. Автор: Владимир Александрович Маковий,Олег Федорович Бокк,Василий Иванович Борисов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2006-07-10.

Multi-channel transmitter of signals with pseudo-random adjustment of working frequency

Номер патента: RU2320093C1. Автор: Виктор Андреевич Сивов,Василий Федорович Моисеев,Марина Викторовна Савельева. Владелец: Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for transferring discontinuous information in radio line with pseudo-random adjustment of working frequency

Номер патента: RU2273954C1. Автор: Владимир Иванович Попов,Александр Алексеевич Медведев,Дмитрий Владимирович Кузьмин,Виктор Михайлович Щекотихин,Евгений Николаевич Деркач,Юрий Викторович Тихалев,Олег Леонидович Федотов. Владелец: Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации. Дата публикации: 2006-04-10.

Method for stabilization and adjustment of electric energy parameters in electric plants direct current power systems and device implementing said method

Номер патента: RU2253890C1. Автор: И.М. Туманов,К.Ю. Субботин,В.В. Бочкарев,М.Н. Слепченков,Д.А. Купреенко. Владелец: Купреенко Дмитрий Александрович. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of safety devices adjustment of climbing cranes of jib type with equal crane equipment

Номер патента: RU2381173C1. Автор: Игорь Германович Федоров,Михаил Иванович Затравкин,Леонид Станиславович Каминский,Алексей Викторович Курбаков,Александр Васильевич Ерзутов,Михаил Иванович Затравкин (RU),Леонид Станиславович Каминский (RU),Игорь Германович Федоров (RU),Александр Васильевич Ерзутов (RU),Алексей Викторович Курбаков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "ЭГО". Дата публикации: 2010-02-10.

Electric insulating structure with hydrophobic coating of different thickness

Номер патента: RU2499315C2. Автор: Владимир Николаевич Таран. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инвест-Энерго". Дата публикации: 2013-11-20.

Device for automatic selection of working frequencies

Номер патента: RU2295761C1. Автор: Сергей Иванович Кузнецов,Сергей Владимирович Касибин,Владимир Феликсович Комарович,Валерий Алексеевич Липатников,Алексей Владимирович Жилин,Алексей Николаевич Битков. Владелец: Военная академия связи. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of temperature adjustment of circuit heating pipe

Номер патента: RU2554680C1. Автор: Анатолий Александрович Абышев,Михаил Леонидович Соколовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2015-06-27.

Device for controlling operation of radio stations with pseudo-random adjustment of working frequency

Номер патента: RU2292121C1. Автор: Игорь Юрьевич Еремеев,Борис Викторович Болецкий,Михаил Николаевич Быканов,Игорь Алексеевич Ключиков,Сергей Анатольевич Кононыхин,Тахир Ахмедович Мирталибов,Борис Викторович Болецкий (RU),Михаил Николаевич Быканов (RU),Игорь Юрьевич Еремеев (RU),Игорь Алексеевич Ключиков (RU),Сергей Анатольевич Кононыхин (RU),Тахир Ахмедович Мирталибов (RU). Владелец: Российская Федерация в лице МО РФ. Дата публикации: 2007-01-20.

SYSTEM AND METHOD FOR USING PARTIAL INTERPOLATION TO UNDERTAKE 3D GAMMA ADJUSTMENT OF MICRODISPLAY HAVING DYNAMIC IRIS CONTROL

Номер патента: US20120002114A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of temperature adjustment of resistive-strain pressure sensor with measuring bridge circuit

Номер патента: RU2259537C1. Автор: В.А. Тихоненков,Е.В. Тихоненков,В.А. Тихоненков (RU),Е.В. Тихоненков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2005-08-27.

Method for initial azimuthal adjustment of bore-hole instrument of hygroscopic inclinometre, and azimuthal module

Номер патента: RU2501946C2. Автор: Сергей Валентинович Кривошеев,Александр Юрьевич Стрелков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ". Дата публикации: 2013-12-20.

Method for determining fumes of butyric acid in presence of palmitic acid and stearic acid in the air of work zone

Номер патента: RU2281483C1. Автор: Елена Ивановна Мельникова,Яков Израильевич Коренман,Сабухи Ильич Нифталиев,Светлана Евгеньевна Светолунова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2006-08-10.

Automatic system monitoring and controlling settings of working members of threshing-separating device

Номер патента: RU2591133C1. Автор: Алексей Иванович Ряднов,Сергей Викторович Тронев,Игорь Петрович Скворцов,Александра Викторовна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный аграрный университет (ФГБОУ ВПО Волгоградский ГАУ). Дата публикации: 2016-07-10.

Method for control of ionisation plasma flow during adjustment of thrust in low-thrust electrojet engine

Номер патента: RU2403440C1. Автор: Андрей Алексеевич Поскачей,Михаил Феликсович Ганзбург,Сергей Иванович Яблочкин,Борис Михайлович Пашов. Владелец: Открытое акционерное общество "АВИАЦИОННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И КОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ ОАО "АВЭКС". Дата публикации: 2010-11-10.

Set for initial adjustment of inertial system

Номер патента: RU2238522C1. Автор: К.А. Бахонин,В.Л. Будкин,Г.И. Джанджгава,А.В. Бабиченко,В.В. Негриков,В.И. Манохин,В.П. Полосенко,В.М. Шерман,В.С. Магнусов,С.М. Габбасов,С.В. Ларионов,В.П. Голиков. Владелец: Открытое акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро". Дата публикации: 2004-10-20.

Method of adjustment of threshing gap in threshing-separating device of rotary type with rotating deck and device for its implementation

Номер патента: RU2486743C2. Автор: Сергей Олегович Корсунов,Александр Викторович Евсеев,Вадим Викторович Большаков,Сергей Александрович Покотило,Игорь Николаевич Грабко,Александр Юрьевич Перетокин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Комбайновый завод "Ростсельмаш". Дата публикации: 2013-07-10.

Method of adjustment of track lubricator nozzle position and device for its implementation

Номер патента: RU2537365C1. Автор: Виктор Викторович Степанов,Виктор Михайлович Теплых,Владимир Викторович Козеев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2015-01-10.

Second order one-contour astatic system for automated adjustment of rotation frequency of executing tool of mechanism, flexibly connected to electric engine

Номер патента: RU2249242C1. Автор: Ю.П. Добробаба,А.И. Сафронович. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2005-03-27.

Test bench for adjustment of breathers of reservoirs

Номер патента: RU2363934C1. Автор: Андрей Анатольевич Андреев,Анатолий Анатольевич Андреев,Сергей Иванович Зарецкий. Владелец: Сергей Иванович Зарецкий. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for dynamic adjustment of dynamically adjustable gyroscope

Номер патента: RU2288450C1. Автор: Яков Исаакович Биндер,Виктор Владимирович Сумароков,Моисей Иосифович Малтинский,Олег Леонидович Мумин,Сергей Михайлович Алимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2006-11-27.

Method of butt locking of different-thickness parts

Номер патента: RU2510316C1. Автор: Виктор Карпович Драгунов,Андрей Петрович Слива,Анна Михайловна Мясникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВПО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2014-03-27.

System of "fine" adjustment of band thickness on rolling mill of continuous cold rolling

Номер патента: RU2065790C1. Автор: А.А. Корытин,В.Н. Санников,П.Н. Голованов,В.Н. Ботов. Владелец: Акционерное общество "Северсталь". Дата публикации: 1996-08-27.

Method for automated adjustment of optical system

Номер патента: RU2545070C9. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Федор Алексеевич Стариков,Роман Анатольевич Шнягин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-08-10.

Device for fixation and adjustment of optical sight

Номер патента: RU2399855C1. Автор: Михаил Николаевич Давыдов,Лев Александрович Хрипунов,Владимир Маркович Кузнецов,Александр Валентинович Рассказов. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2010-09-20.

System for automatic adjustment of building heating with consideration of its fronts (variants)

Номер патента: RU2287174C1. Автор: Александр Владимирович Белоусов,Анатолий Николаевич Потапенко,Анатолий Иванович Мельман,Сергей Викторович Костриков,Евгений Анатольевич Потапенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Предприятие "ГРАТ АМ". Дата публикации: 2006-11-10.

System for adjustment of perimeter of zeeman laser gyroscope

Номер патента: RU2589756C1. Автор: Юрий Юрьевич Колбас,Константин Анатольевич Толстенко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2016-07-10.

Gear for electric adjustment of antenna of airborne radar

Номер патента: RU2179321C2. Автор: В.А. Дойников. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Нижегородский авиастроительный завод "Сокол". Дата публикации: 2002-02-10.

Method for adjustment of vehicle wheel alignment angle

Номер патента: RU2368883C2. Автор: Сергей Васильевич Архангельский,Валерий Александрович Гуськов. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственный центр информационных и транспортных систем (НПЦ ИНФОТРАНС). Дата публикации: 2009-09-27.

Method of thermostating of internal space of working chamber of domestic refrigerating-heating installation (variants) and installation for its realization

Номер патента: RU2112909C1. Автор: М.В. Корчагин,А.В. Вагин,В.П. Зверков,В.Е. Руссо,Ю.М. Шатров,Ю.А. Эдельман,А.В. Колков. Владелец: Открытое акционерное общество Производственно-коммерческая фирма "Магри". Дата публикации: 1998-06-10.

System for automatic adjustment of frequency of scattered lasers

Номер патента: RU2490788C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2013-08-20.

Device for adjustment of flow and treatment of waste water

Номер патента: RU2568702C1. Автор: Владимир Васильевич Болдырев. Владелец: Владимир Васильевич Болдырев. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for automated adjustment of optical system

Номер патента: RU2545070C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Федор Алексеевич Стариков,Роман Анатольевич Шнягин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-03-27.

Specimen for calibration and adjustment of magnetic control devices and method for its thermal treatment

Номер патента: RU2328730C2. Автор: Владимир Леонидович Корнилов,Владимир Тимофеевич Журавлев,Виктор Михайлович Сергиенко,Валерий Анатольевич Свойкин,Игорь Владиславович Фиронов. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2008-07-10.

Device for fastening and adjustment of sighting device on weapon

Номер патента: RU2289085C1. Автор: Валерий Иванович Жирёхин,Андрей Владимирович Махнин,Александр Александрович Сидоров,Юрий Владимирович Дегтярев,Денис Михайлович Большаков,рев Юрий Владимирович Дегт. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2006-12-10.

Control system and method for automatic adjustment of lathe components in response to temperature of log

Номер патента: CA2014339A1. Автор: Gary W. Ely. Владелец: Coe Manufacturing Co. Дата публикации: 1990-10-14.

Method of automatic balancing adjustment of rotors

Номер патента: RU2234068C1. Автор: В.М. Козин. Владелец: Институт машиноведения и металлургии ДВО РАН. Дата публикации: 2004-08-10.

Vortex adjuster of gas pressure

Номер патента: RU2282885C1. Автор: Юрий Мавлютович Ахметов,Сергей Владимирович Гурин,Владимир Александрович Целищев,Владимир Александрович Целищев (RU),Юрий Мавлютович Ахметов (RU),Сергей Владимирович Гурин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Изотерма". Дата публикации: 2006-08-27.

Device of noise self-acting adjustment of amplification

Номер патента: RU2349031C1. Автор: Владимир Дмитриевич Анохин,Евгений Владимирович Анохин,Виктор Николаевич Захаров,Виктор Владимирович Матушкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт) Министерства Обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2009-03-10.

Circuit for phase automatic adjustment of frequency of radioelectronic equipment

Номер патента: RU2310983C2. Автор: Бак Сон Ри. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Морской государственный университет имени адмирала Г.И. Невельского". Дата публикации: 2007-11-20.

Broadband band-pass filter with independent adjustment of pole frequency, pole attenuation and transmission coefficient

Номер патента: RU2704530C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Евгений Андреевич Жебрун. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-10-29.

Method of combined development of contiguous formation of different thicknesses

Номер патента: RU2532945C1. Автор: Вячеслав Алексеевич Соловьев,Дмитрий Сергеевич Чернопазов,Андрей Игоревич Секунцов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Галургии" (Оао "Галургия"). Дата публикации: 2014-11-20.

Method for adjustment of barrel position during small arms firing

Номер патента: RU2507465C2. Автор: Виктор Федорович Карбушев. Владелец: Виктор Федорович Карбушев. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for adjustment of shock-absorbing properties of gymnastic bridge

Номер патента: RU2050880C1. Автор: Б.С. Савельев,В.С. Савельев,Л.Б. Сирант,А.Е. Пландовский. Владелец: Савельев Владимир Сергеевич. Дата публикации: 1995-12-27.

Improvements in and relating to the Chain Adjustment of Cycles.

Номер патента: GB189918239A. Автор: John Boyd Dunlop. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-09-01.

Radio receiving device with continuous automatic adjustment of susceptibility

Номер патента: RU2562796C1. Автор: Владимир Александрович Маковий,Сергей Александрович Шкуров,Сергей Александрович Ермаков. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2015-09-10.

Automatic adjustment of optical system with help of markers

Номер патента: RU2566367C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Федор Алексеевич Стариков,Роман Анатольевич Шнягин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2015-10-27.

Process of adjustment of cylindrical cavity resonator with oscillation e010

Номер патента: RU2231178C1. Автор: Д.А. Дмитриев. Владелец: Тамбовский военный авиационный инженерный институт. Дата публикации: 2004-06-20.

High-speed solid particle accelerator with adjustment of particle velocity vector

Номер патента: RU2593594C2. Автор: Николай Данилович Семкин,Алексей Владимирович Пияков,Алексей Михайлович Телегин,Александр Сергеевич Дорофеев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2016-08-10.

Control system for automatic adjustment of lathe knife pitch

Номер патента: CA2014146C. Автор: Gary W. Ely. Владелец: Coe Manufacturing Co. Дата публикации: 2001-10-16.

Luminophore excitation method with adjustment of brightness in direct current plasma panel

Номер патента: RU2294021C2. Автор: Юрий Борисович Соколов,Роберт Павлович Баранов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС". Дата публикации: 2007-02-20.

Mechanism wear adjuster of internal combustion engine valve mechanism

Номер патента: RU2293189C2. Автор: Дмитрий Александрович Исаев,н Артур Михайлович Абел,Артур Михайлович Абелян,н Армен Армикович Карапет,Армен Армикович Карапетян. Владелец: Военный автомобильный институт. Дата публикации: 2007-02-10.

Method for automatic adjustment of voltage at electric substation

Номер патента: RU2527479C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Игорь Олегович Голиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2014-09-10.

An Adjustable Footpiece to Facilitate the Levelling and Adjustment of Billiard Tables and the like.

Номер патента: GB189803126A. Автор: Arthur Henry Craven. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-02-08.

Method for adjustment of section perimetres of trachea and left primary bronchus when creating tracheobronchial anastomosis

Номер патента: RU2467701C2. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Илья Иосифович Каган,Анатолий Андреевич Третьяков,Михаил Николаевич Васюков,Петр Владимирович Самойлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ОрГМА Росздрава). Дата публикации: 2012-11-27.

Device for adjustment of tension of warp filaments on loom

Номер патента: RU2009286C1. Автор: М.Х. Бакаев,Э.Ш. Алимбаев. Владелец: Ташкентский Институт Текстильной И Легкой Промышленности. Дата публикации: 1994-03-15.

Method of adjustment of volume level

Номер патента: RU2562371C1. Автор: Леонид Анатольевич Бурцев. Владелец: Леонид Анатольевич Бурцев. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of adjustment of gyroscope tuned dynamically

Номер патента: RU2036433C1. Автор: Ю.В. Комаров,Т.В. Маханек,И.Л. Шарапова. Владелец: Научно-исследовательский институт прикладной механики им.акад.В.И.Кузнецова. Дата публикации: 1995-05-27.

Method for automatic adjustment of security means

Номер патента: RU2514137C1. Автор: Олег Владимирович Зайцев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2014-04-27.

Device for automatic adjustment of toe-in in during driving

Номер патента: RU2353912C2. Автор: Владимир Тимофеевич Исайчев,Александр Степанович Килов,Владимир Иванович Рассоха,Елена Викторовна Бондаренко,Виктор Анатольевич Бондаренко,Елена Викторовна Бондаренко (RU),Владимир Иванович Рассоха (RU),Владимир Тимофеевич Исайчев (RU),Виктор Анатольевич Бондаренко (RU),Александр Степанович Килов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2009-04-27.

Mode of adjusting of a gyroscope

Номер патента: RU2253840C1. Автор: Е.И. Верзунов,М.Ю. Болячинов,Д.А. Буров,чинов М.Ю. Бол (RU),Д.А. Буров (RU),Е.И. Верзунов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт "Сигнал" (ФГУП "ВНИИ "Сигнал"). Дата публикации: 2005-06-10.

Device for automatic balancing adjustment of rotors

Номер патента: RU2234067C1. Автор: В.М. Козин. Владелец: Институт машиноведения и металлургии ДВО РАН. Дата публикации: 2004-08-10.

An Improved Device for the Adjustment of Photographic Camera Fronts and Backs.

Номер патента: GB190811746A. Автор: John Arthur Harrison. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-02-11.

Compound for adjustment of bed permeability

Номер патента: RU2133338C1. Автор: В.Н. Хлебников,О.Г. Гафуров,Н.Н. Истомин,А.И. Лиштаков,Р.Х. Алмаев,Г.Х. Якименко,Ю.Н. Ягафаров,В.А. Илюков. Владелец: Акционерная нефтяная компания "Башнефть". Дата публикации: 1999-07-20.

Indirect method of adjustment of strain sensors with bridge measuring circuit as per multiplicative temperature error considering negative non-linearity of temperature characteristic of output sensor signal

Номер патента: RU2539818C1. Автор: Владимир Андреевич Тихоненков,Денис Александрович Солуянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-01-27.

Irrigation network for adjustment of field phytoclimate

Номер патента: RU2567521C1. Автор: Виктор Владимирович Бородычев,Андрей Валерьевич Матвеев,Эдуард Георгиевич Аристов,Владимир Константинович Губин,Лидия Владимировна Кудрявцева,Владимир Пантелеевич Максименко,Михаил Юрьевич Храбров,Александр Владимирович Майер,Наталия Георгиевна Колесова,Станислав Игоревич Харитонов,Максим Васильевич Силков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации имени А.Н. Костякова" (ФГБНУ "ВНИИГиМ им. А.Н. Костякова"). Дата публикации: 2015-11-10.

Method of estimating cognitive functions in children

Номер патента: RU2502475C1. Автор: Лейла Сеймуровна Намазова-Баранова,Георгий Арчилович Каркашадзе,Ольга Исламовна Мурадова,Рукият Магомедовна Торшхоева,Ольга Ивановна Маслова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научный центр здоровья детей" Российской академии медицинских наук (ФГБУ "НЦЗД" РАМН). Дата публикации: 2013-12-27.

Composition for adjustment of bed penetrability

Номер патента: RU2250369C1. Автор: А.В. Шувалов,Ф.Ф. Хасанов,В.Г. Уметбаев,Л.Д. Емалетдинова,Р.М. Камалетдинова,Р.Р. Садыков,В.С. Пашенков,нчиков И.И. Лукь,И.И. Лукьянчиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нефтегазодобывающее управление Уфанефть". Дата публикации: 2005-04-20.

Method of adjustment of percussion machine impact frequency and power

Номер патента: RU2508979C2. Автор: Василий Николаевич Белобородов,Анатолий Антонович Репин,Андрей Константинович Ткачук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А. Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-03-10.

Device for automatic adjustment of incoming data rate of asynchronous data stream

Номер патента: RU2446592C1. Автор: Александр Иосифович Иванов. Владелец: Александр Иосифович Иванов. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of arrangement and adjustment of phase differential relay protection

Номер патента: RU2597243C1. Автор: Анатолий Васильевич Шмойлов,Владимир Леонидович Матюшев,Ольга Владимировна Матюшева,Василий Александрович Корнев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Device for automatic adjustment of technological processes of agricultural machine

Номер патента: RU2573765C1. Автор: Андрей Юрьевич Измайлов,Вячеслав Кузьмич Хорошенков,Николай Тимофеевич Гончаров,Ирина Ивановна Афонина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИМ). Дата публикации: 2016-01-27.

Apparats for adjustment of plates cutting edges butt wobbling in multiblade knock-up cutting tool

Номер патента: RU2066601C1. Автор: Сурен Феликсович Аслибекян,Владимир Константинович Прокофьев. Владелец: Владимир Константинович Прокофьев. Дата публикации: 1996-09-20.

Control over spatial adjustment of optoelectronic systems with matrix photo receivers (mphr)

Номер патента: RU2587531C2. Автор: Альберт Леонидович Логутко,Евгений Николаевич Федонов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-06-20.

High-speed solid particle accelerator with automatic adjustment of particle distribution function on target radius

Номер патента: RU2451434C1. Автор: Николай Данилович Семкин,Алексей Владимирович Пияков,Алексей Михайлович Телегин,Михаил Павлович Калаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2012-05-20.

Method for construction and adjustment of current cut-off

Номер патента: RU2314618C1. Автор: Анатолий Васильевич Шмойлов,чкина Наталь Сергеевна Мор,Наталья Сергеевна Морячкина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.