Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing
Номер патента: US20170140940A1
Опубликовано: 18-05-2017
Автор(ы): Aritra Dasgupta, Balaji Kannan, Oleg Gluschenkov, Takashi Ando, Unoh Kwon
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-05-2017
Автор(ы): Aritra Dasgupta, Balaji Kannan, Oleg Gluschenkov, Takashi Ando, Unoh Kwon
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing
Номер патента: US09997610B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.