Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing
Номер патента: US20170005003A1
Опубликовано: 05-01-2017
Автор(ы): Aritra Dasgupta, Balaji Kannan, Oleg Gluschenkov, Takashi Ando, Unoh Kwon
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-01-2017
Автор(ы): Aritra Dasgupta, Balaji Kannan, Oleg Gluschenkov, Takashi Ando, Unoh Kwon
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing
Номер патента: US09613866B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.