Laser annealing apparatus, and fabrication methods of polycrystalline silicon thin film and thin film transistor
Номер патента: US10872767B2
Опубликовано: 22-12-2020
Автор(ы): Jingshuai WANG
Принадлежит: BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-12-2020
Автор(ы): Jingshuai WANG
Принадлежит: BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Thin-film electronic device e.g. LCD screen, fabricating method for e.g. computer, involves fabricating set of thin-film components on upper borosilicate glass plate, and separating upper plate from lower plate by disassembling interface
Номер патента: FR2893750A1. Автор: Cioccio Lea Di,Hubert Moriceau,Bruno Mourey,Francois Templier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-25.