Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1
Опубликовано: 11-08-2005
Автор(ы): Se-Young Cho
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing a thin-film electronic device with a laminated conductor

Номер патента: US6025218A. Автор: Stanley D. Brotherton. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240234142A9. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240136182A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for crystallizing silicon film and thin film transistor and fabricating method using the same

Номер патента: US6710411B2. Автор: Dae-Gyu Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification

Номер патента: EP1181715A1. Автор: James S. Im. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2002-02-27.

Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification

Номер патента: WO2001071786A1. Автор: James S. Im. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2001-09-27.

Manufacturing method of composite wafer with oxide single crystal thin film

Номер патента: KR102554057B1. Автор: 쇼지 아키야마,마코토 카와이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-07-10.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for manufacturing a semiconductor thin film

Номер патента: US20020061634A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160013278A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US9117676B2. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20140134780A1. Автор: Takeshi Kadono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110039389A1. Автор: Koji Yamashita,Yasushi Akasaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Mask for sequential lateral solidification and sequential lateral solidification apparatus having the same

Номер патента: US20110220904A1. Автор: Cheol-Ho Park,Jae-Beom Choi,In-do Chung,Kwon-Hyung Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of producing self-supporting crystallised silicon thin film

Номер патента: RU2460167C1. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Дени КАМЕЛЬ,Беатрис ДРЕВЕ. Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2012-08-27.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of forming defect-free single crystal thin layer of semiconductor material

Номер патента: JPS6466929A. Автор: Pandoya Ranjiyana,Maruchinetsu Andore. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-03-13.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of forming thin film for minimizing increase in defects at interface during high-temperature oxidation process

Номер патента: EP4404241A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of forming thin film for minimizing increase in defects at interface during high-temperature oxidation process

Номер патента: US20240249935A1. Автор: Dong Hwa SHIN,Yong Weon Kim. Владелец: Eq Tech Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal selenide and metal telluride thin films for semiconductor device applications

Номер патента: US20160372543A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

System and method of low temperature thin film deposition and in-situ annealing

Номер патента: US12018374B2. Автор: Jeffrey Edward Kowalski. Владелец: Dsgi Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Ga2o3-based single crystal substrate and method of manufacturing ga2o3-based single crystal substrate

Номер патента: US20240011192A1. Автор: Toshiro Kotaki,Kengo Nishiguchi. Владелец: Orbray Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Base material with single-crystal silicon carbide film, method of producing single-crystal silicon carbide film, and method of producing base material with single-crystal silicon carbide film

Номер патента: US8906487B2. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Stress control of thin films by mechanical deformation of wafer substrate

Номер патента: US6156623A. Автор: Jeffrey F. Roeder,Steven M. Bilodeau,Bryan C. Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Method of growing a beta-Ga2O3 single crystal thin film

Номер патента: EP2267194B1. Автор: Kazuo Aoki,Noboru Ichinose,Kiyoshi Shimamura,Encarnacion Antonia Garcia Villora. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-17.

Hetero-epitaxially grown compound semiconductor substrate and a method of growing the same

Номер патента: US5130269A. Автор: Nobuyuki Ohtsuka,Kuninori Kitahara,Masashi Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-14.

Production method of group iii nitride semiconductor single crystal and production method of group iii nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: JP2010208899A. Автор: 祐一 大島,Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-24.

Resistance heating sapphire single crystal ingot growth apparatus and method of manufacturing resistance heating sapphire single crystal ingot

Номер патента: JP5789676B2. Автор: ソン、ド−ウォン,ムン、ヨン−ヒ,イ、サン−フン,ジョン、ソン−オ,イ、チャン−ヨン. Владелец: エルジー シルトロン インコーポレイテッド. Дата публикации: 2015-10-07.

Silicon carbide single crystal wafer and method of manufacturing a silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: KR20160055102A. Автор: 마사시 나카바야시,고타 시모무라,유키오 나가하타,기요시 고지마. Владелец: 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-05-17.

Epitaxial SiC single crystal substrate and method of manufacture of epitaxial SiC single crystal substrate

Номер патента: US8716718B2. Автор: Hajime Okumura,Kenji Momose,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Keiichi Matsuzawa,Michiya Odawara,Kazutoshi Kojima,Yuuki Ishida. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-05-06.

Memory cell device with thin-film transistor selector and methods for forming the same

Номер патента: US20210399046A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of producing a silicon carbide single-crystal substrate by epitaxial growth of a SiC epitaxial film on a SiC substrate

Номер патента: US10096470B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

A method of polishing a non-oxide single crystal substrate

Номер патента: DE112012001891B4. Автор: Iori Yoshida,Satoshi Takemiya,Hiroyuki Tomonaga. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

A method of manufacturing p-type gallium oxide by intrinsic doping, the resulting thin film of gallium oxide and its use

Номер патента: FR3085535B1. Автор: Teherani Ferechteh Hosseini-,Philippe Henri Bove,David Rogers,Vinod Eric Sandana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-12.

Method of growing non-polar a-plane or m-plane gallium nitride thin films by metalorganic chemical vapor deposition and structure obtained thereby

Номер патента: EP1495168B1. Автор: Michael D. Craven,James S. Speck. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-06-11.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization

Номер патента: WO2008084974A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures

Номер патента: CA2382662C. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2010-10-26.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination

Номер патента: WO2005029546A3. Автор: James S Im. Владелец: James S Im. Дата публикации: 2009-06-18.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US20210043516A1. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: WO2021025795A1. Автор: Jeffrey Smith,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Limited ('tel'). Дата публикации: 2021-02-11.

Multi-dimensional planes of logic and memory formation using single crystal silicon orientations

Номер патента: US11107733B2. Автор: Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Manufacturing method of single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230381894A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming a thin film using a surface protection material

Номер патента: US20210130954A1. Автор: Dong Hyun Lee,Ha Na Kim,Geun Su Lee,Jae Min Kim,Ji Won Moon,Myung Soo Lee,Eun Ae JUNG,Woong Jin CHOI,Hyun Sik Noh,Dong Hak JANG. Владелец: Eugenetech Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming a thin film using a surface protection material

Номер патента: US11591691B2. Автор: Dong Hyun Lee,Ha Na Kim,Geun Su Lee,Jae Min Kim,Ji Won Moon,Myung Soo Lee,Eun Ae JUNG,Woong Jin CHOI,Hyun Sik Noh,Dong Hak JANG. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for forming thin film and apparatus for processing substrate therefor

Номер патента: US20240290586A1. Автор: Jae Hun Lee,Jeong Jun Lee,Kyoung Pil NA,Yu Deuk Kim,Jae Gab LIM,Gun Hee CHO. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

METHOD OF CREATING HIGH-QUALITY RELAXED SiGe-ON-INSULATOR FOR STRAINED Si CMOS APPLICATIONS

Номер патента: WO2003063229A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Jack O. Chu,John Albrecht Ott,Stephen J. Koester. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-07-31.

Methods of forming thin films and methods of fabricating integrated circuit devices using the same

Номер патента: US09960032B2. Автор: Youn Soo Kim,Tsubasa Shiratori,Jae wan Chang. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications

Номер патента: EP2206156A1. Автор: Soo Young Choi,Shuran Sheng,Yong Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-14.

Methods of filling a set of interstitial spaces of a nanoparticle thin film with a dielectric material

Номер патента: WO2008073767A2. Автор: Maxim Kelman,Pingrong Yu,David Jurbergs,Francesco Lemmi,Homer Antoniadis,Elena V. Rogojina. Владелец: Innovalight, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for depositing thin film

Номер патента: US09891521B2. Автор: Dongseok Kang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Ink composition for manufacturing light absorption layer of solar cells and method of manufacturing thin film using the same

Номер патента: US20160133768A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Ink composition for manufacturing light absorption layer of solar cells and method of manufacturing thin film using the same

Номер патента: US09876131B2. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US11763989B2. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Laminate, etching mask, method of producing laminate, method of producing etching mask, and method of producing thin film transistor

Номер патента: US20190088501A1. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for crystallizing silicon layer

Номер патента: US6692996B2. Автор: Seok Woon Lee,Seung Ki Joo. Владелец: PT Plus Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-17.

Method of manufacturing electronic device using cyclic doping process, and electronic device manufactured by the same

Номер патента: US20240136187A1. Автор: Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Seong Jae Yu,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing electronic device using cyclic doping process, and electronic device manufactured by the same

Номер патента: US20240234146A9. Автор: Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Seong Jae Yu,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal oxide thin film, method of producing same, and coating solution for forming metal oxide thin film used in said method

Номер патента: US09779938B2. Автор: Makoto Kikuchi,Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and system for monitoring crystallization of amorphous silicon thin film, and method of manufacturing thin film transistor by using the method and system

Номер патента: US20140329343A1. Автор: Maidanchuk Ivan,Dong-Hyun Lee,Byung-Soo So,Won-Pil Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20140318948A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US20120138453A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yokio INAZUKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin film of monocrystalline sic on a carrier substrate of polycrystalline sic

Номер патента: US20240271321A1. Автор: Eric Guiot,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a thin film that eliminates air bubbles

Номер патента: US09960034B2. Автор: Sandra Zheng,Mark James Smiley,Douglas Jay Levack,Ronald Dean Powell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Growing epitaxial 3C-SiC on single-crystal silicon

Номер патента: GB2540608A. Автор: Myronov Maksym,Colston Gerard,Rhead Stephen. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2017-01-25.

Method of polishing silicon wafer and method of producing silicon wafer

Номер патента: US20240025008A1. Автор: Masahiro Murakami,Ryoya Terakawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20230420254A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing silicon single crystal and method of manufacturing wafer using the same

Номер патента: US20240191389A1. Автор: Hyeyun Park,Inji LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of cleaning thin film forming apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus and non-transitory recording medium

Номер патента: US09920424B2. Автор: Ryota Goto,Rintaro TAKAO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

D/A converter circuit, semiconductor device incorporating the D/A converter circuit, and manufacturing method of these

Номер патента: EP1469507A3. Автор: Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun c/o Koyama,Kazuhiko c/o Sharp Kabushiki Kaisha Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Method of forming silicon-on-insulator wafer having reentrant shape dielectric trenches

Номер патента: US20070249144A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Forming a thin film electric cooler and structures formed thereby

Номер патента: US20080230106A1. Автор: Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Damascene patterning for thin-film transistor fabrication

Номер патента: WO2019009873A1. Автор: Kevin Lin,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-10.

Display panel and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210327984A1. Автор: Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing display unit

Номер патента: US20130089940A1. Автор: Toshiaki Arai,Takashige Fujimori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320136A1. Автор: Seulki Kim,Seungrae Kim,Yeeun KANG,Shoyeon KIM,Donghyun WON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Organic light emitting display and method of fabricating the same

Номер патента: US20110297949A1. Автор: Won-Kyu Lee,Joon-hoo Choi,Sang-ho Moon,Yong-Hwan Park,Kyu-Sik Cho,Tae-Hoon Yang,Yun-Gyu Lee,Bo-Kyung Choi,Min-Chul Shin,Byoung-Kwon Choo. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting device having the Thin film transistor substrate

Номер патента: KR101137391B1. Автор: 박승규,이동현,서진욱,정윤모,정민재,이기용,이탁영,박병건,이길원,박종력,소병수,손용덕,정재완. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2012-04-20.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting device having the thin film transistor substrate

Номер патента: KR20110107189A. Автор: 박승규,이동현,서진욱,정윤모,정민재,이기용,이탁영,박병건,이길원,박종력,소병수,손용덕,정재완. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-09-30.

Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device with color filter layer on thin film transistor

Номер патента: US7612373B2. Автор: Jong-Jin Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-03.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: US20230357956A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of preparing single crystal perovskite and method of manufacturing solar cell using single crystal perovskite

Номер патента: EP4277453A1. Автор: Do Hyung Kim,Yu Jin Kang,Hyun Shil KIM,Jae Seob Yoo. Владелец: Korea Electric Power Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon

Номер патента: US20090189164A1. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: US20020045299A1. Автор: Nigel Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-18.

A method of forming a bottom-gate thin film transistor

Номер патента: EP1316109A1. Автор: Nigel D. Young. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-04.

Method of cleaning group iii nitride single crystal substrate, and method of producing the same

Номер патента: US20230313413A1. Автор: Masayuki Fukuda,Reo Yamamoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of fabricating an implantable medical device that includes one or more thin film polymer support layers

Номер патента: US20140091054A1. Автор: Robert Brindley,John Janik,Edward Chia-Ning Tang. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of producing p-doped silicon single crystal and p-doped n-type silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1591566B8. Автор: Masahiro c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd SAKURADA,Izumi c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method of forming electrode and device for forming electrode for organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, and organic thin film transistor

Номер патента: WO2019208241A1. Автор: 弥生 芝藤,毅 関谷,隆文 植村,知玄 木村,武史 陶山. Владелец: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス. Дата публикации: 2019-10-31.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Growth method of aluminum-containing nitride semiconductor single crystal

Номер патента: KR100506739B1. Автор: 김동준,오정탁. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2005-08-08.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Wafer level packaging process for thin film inductors

Номер патента: US20240072023A1. Автор: Peng Zou,Anshih TSENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US20080036987A1. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20230230983A1. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of selective etching and silicon single crystal substrate

Номер патента: EP1852905A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film

Номер патента: US20050005850A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film

Номер патента: US6776880B1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US7655510B2. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2010-02-02.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Mask for forming a thin-film transistor, thin-film transistor substrate manufactured using the same and method of manufacturing a thin-film transistor substrate using the same

Номер патента: US20080073718A1. Автор: Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Youn-Hee Cha,Jung-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Display substrate, method of forming the same, display panel and display device including sub-channel portions

Номер патента: US12021087B2. Автор: Chenyu CHEN,Yongfu DIAO,Wenkang WANG,Zhongliu Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Complementary thin film transistor circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US7012302B2. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020004264A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020005518A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming thin-film transistor devices with electro-static discharge protection

Номер патента: US20050151194A1. Автор: Chen-Ming Chen,Jiun-Jye Chang,Fang-Tsun Chu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Structure of thin film transistors and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US20100110322A1. Автор: Masaki Kado,Mikio Murata,Arichika Ishida,Toshiya Kiyota,Masato Hiramatsu,Yoshiaki Nakazaki,Hajime Watakabe. Владелец: Toshiba Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Structure of thin film transistors and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US8085355B2. Автор: Masaki Kado,Mikio Murata,Arichika Ishida,Toshiya Kiyota,Masato Hiramatsu,Yoshiaki Nakazaki,Hajime Watakabe. Владелец: Toshiba Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Growth inhibitor for forming thin film, method of forming thin film using growth inhibitor, and semiconductor substrate fabricated by method

Номер патента: US20230257881A1. Автор: Jin Hee Kim,Seung Hyun Lee,Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seok Jong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20110027976A1. Автор: Jung-Wook Lee,Dong-Ho You,Ki-hoon Lee. Владелец: IPS Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of manufacturing soi substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110097872A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Method of forming a conformal oxide film

Номер патента: US20020106907A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of forming thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929252B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Taek-Soo Jeon,Sun-Gyu Choi,Young-suk CHAI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method to improve copper thin film adhesion to metal nitride substrates by the addition of water

Номер патента: US20020176938A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Methods of forming low resistivity titanium nitride thin film in horizontal vias and related devices

Номер патента: US20230175118A1. Автор: Mansour Moinpour,Daniel Moser,Ravindra Kanjolia,Andrew Kummel,Cheng-Hsuan Kuo,SeongUk Yun. Владелец: CALIFORNIA A CALIFORNIA, University of, Regents of. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing aluminum gate electrode

Номер патента: US6110768A. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Sheng Shih,Du-Zen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150179460A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Auxiliary precursor, thin-film precursor composition, method of forming thin film, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240136175A1. Автор: Seung Hyun Lee,Sung Woo Cho,Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming copper wiring and method and system for forming copper film

Номер патента: US20120196052A1. Автор: Kenzi Suzuki,Osamu Yokoyama,Tadahiro Ishizaka,Atsushi Gomi,Takashi Sakuma,Masamichi Hara,Tatsuo Hatano,Yasushi Mizusawa,Hiroyuki Toshima,Chiaki Yasumuro,Takara KATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of forming an atomic layer thin film out of the liquid phase

Номер патента: WO2007117909A1. Автор: Michael Goldstein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Ruthenium compound, raw material for forming thin film, and method for producing thin film

Номер патента: US11760771B2. Автор: Masaki Enzu,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123215A1. Автор: Mina Kim,Yongjun JO,Seulbee Lee,Kwangchul Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon

Номер патента: US8278659B2. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2012-10-02.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films

Номер патента: US5385862A. Автор: Theodore D. Moustakas. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1995-01-31.

Wafer level packaging process for thin film inductors

Номер патента: WO2024044438A1. Автор: Peng Zou,Anshih TSENG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-29.

Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US7842598B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of making a current collecting grid for solar cells and organic thin film solar cell made thereby

Номер патента: EP3238285B1. Автор: Johan Bosman,Tristram Budel. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-08-28.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8920563B2. Автор: Mu-gyeom Kim,Chang-Mo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

A method of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device

Номер патента: DE102012104616A1. Автор: Robert Dwayne Gossman,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device

Номер патента: US8241930B2. Автор: Robert Dwayne Gossman,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-08-14.

Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device

Номер патента: CN102810597B. Автор: S.D.费尔德曼-皮博迪,R.D.戈斯曼. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Temperature-assisted device with integrated thin-film heater

Номер патента: US11942388B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Temperature-assisted device with integrated thin-film heater

Номер патента: US20220336312A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20160215414A1. Автор: NAKABAYASHI Masashi,KOJIMA Kiyoshi,SHIMOMURA Kota,NAGAHATA Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED USING THE METHODS

Номер патента: US20140312320A1. Автор: Yang Hui-Won,Choi Chaun-Gi. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-23.

A method for crystallizing silicon and a thin film transistor manufactured by the crystallizing method and a method for manufacturing the same

Номер патента: KR100659581B1. Автор: 이성재,백인복,양종헌,안창근,임기주,조원주. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of preventing abnormal large grains from being included into thin nano-crystalline diamond film

Номер патента: US8034411B2. Автор: Wook Seong LEE,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park,Heqing Li. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20150047702A1. Автор: Harris,Gu Anjia,Huo Yijie,JR. James S.,Liang Dong,Kang Yangsen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING THE SUBSTRATE, AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT SUBSTRATE

Номер патента: US20190123300A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING THE SUBSTRATE, AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT SUBSTRATE

Номер патента: US20150263312A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR100915231B1. Автор: 정관욱,양성훈,홍완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-09-02.

Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030213966A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Thin film transistor element substrate, method of producing the substrate, and organic EL display device including the thin film transistor element substrate

Номер патента: US10811631B2. Автор: Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Method of measuring defect density of single crystal

Номер патента: CN102362171A. Автор: 北川克一,新谷良智. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Method of manufacturing of CZTS-based absorber layer using metal and compound thin film

Номер патента: KR101908472B1. Автор: 김대환,김영일,양기정,심준형. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2018-10-17.

Preparation method of AZO/Ag/AZO composite membrane for front electrode of solar thin-film cell

Номер патента: CN105489699A. Автор: 金晶,史伟民,刘灿,瞿兴灵,姜超超. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-04-13.

Manufacturing method of composite substrate with piezoelectric single crystal film

Номер патента: KR20230007356A. Автор: 카즈토시 나가타. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-01-12.

Preparation method of PERC micro-pattern printed single crystal solar cell

Номер патента: CN109427929B. Автор: 常青,扈静,谢耀辉. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

Method of using a switchable resistive perovskite microelectronic device with multi-layer thin film structure

Номер патента: US7955871B2. Автор: Xin Chen,NaiJuan Wu,Alex Ignatiev. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of using a switchable resistive perovskite microelectronic device with multi-Layer thin film structure

Номер патента: US20100134239A1. Автор: Xin Chen,NaiJuan Wu,Alex Ignatiev. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2010-06-03.

Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices

Номер патента: CN102453863A. Автор: R·D·戈斯曼,S·D·费尔德曼-皮博迪. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2012-05-16.

Preparation method of sulphur and silver co-doped p type zinc oxide optoelectronic thin film

Номер патента: CN104409337A. Автор: 卢静,何丹农,李争,葛美英,尹桂林. Владелец: Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Method of making a coated article, coating including an alloyed carbon nanotube thin film

Номер патента: WO2011109121A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2011-09-09.

Chemical vapor deposition method of raw material compound for CVD and iridium or iridium compound thin film

Номер патента: JP4054215B2. Автор: 昌幸 齋藤,威元 寒江. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2008-02-27.

Method of making a coated article, coating including an alloyed carbon nanotube thin film

Номер патента: KR101736527B1. Автор: 비자옌 에스. 비라사미. Владелец: 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션.. Дата публикации: 2017-05-29.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Method of Manufacturing SOI Substrate

Номер патента: US20090203187A1. Автор: Takashi Yamada,Takeshi Hamamoto,Tetsuya Nakai,Bong-Gyun Ko. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of manufacturing SOI substrate

Номер патента: US7811878B2. Автор: Takashi Yamada,Takeshi Hamamoto,Tetsuya Nakai,Bong-Gyun Ko. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Metal alkoxide compound, thin film forming raw material, and thin film production method

Номер патента: US20240352044A1. Автор: Atsushi Sakurai,Akihiro Nishida,Masako HATASE,Nana OKADA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming electrode on ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic component

Номер патента: US5865920A. Автор: Masahiro Sakuratani,Isao Kaizaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-02.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods of forming thin film resistor structures utilizing interconnect liner materials

Номер патента: US20190326214A1. Автор: Kevin Lin,Christopher J. Jezewski,Tristan A. TRONIC,Richard F. Vreeland. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2022-04-14.

Method of forming buried oxide layers in silicon

Номер патента: US6090689A. Автор: Devendra Kumar Sadana,Orin Wayne Holland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming thin film and apparatus therefor

Номер патента: US4926793A. Автор: Noburu Arima,Nobuyosi Ogino,Hirosi Kimura. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-22.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of forming an isolated semiconductor structure

Номер патента: US4627883A. Автор: Roger P. Holmstrom,Jim-Yong Chi. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-12-09.

Thin-film crystalline structure with surfaces having selected plane orientations

Номер патента: US12057147B2. Автор: TONG Zhao,LI Wan,Michael Christopher Kautzky. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Surface planarization method of thin film and preparing method of array substrate

Номер патента: US20150064927A1. Автор: Lei Chen,Lei Zhang,Jiapeng Li,Wukun Dai,Miao Qiu,Fengguo WANG,Ziqi Xia,Xiuhong Jin. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: SG191518A1. Автор: Nakai Katsuhiko,Ohkubo Masamichi,Sakamoto Hikaru. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Device and method of strengthening the training board when thin film depositing

Номер патента: RU2656328C1. Автор: Евгений Михайлович Федоров,Надежда Геннадьевна Цыбырнэ. Владелец: Акционерное общество "Ижевский радиозавод". Дата публикации: 2018-06-04.

Method of forming channel in thin film transistor using non-ionic excited species

Номер патента: MY134102A. Автор: Sakai Masahiro,TERAUCHI Masaharu. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Electro-optical apparatus, driving substrate for an electro-optical apparatus and method of manufacturing them

Номер патента: US6825070B2. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hajime Yagi,Hideo Yamanaka,Yuichi Satou. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxially grown semiconductor single crystal film

Номер патента: US5759878A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-06-02.

Method of manufacturing layer-stacked wiring

Номер патента: US20110053354A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing display panel substrate

Номер патента: US09853070B2. Автор: Hidefumi Yoshida,Shinya Kadowaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

A method of crystallizing silicon

Номер патента: KR100997275B1. Автор: 유재성. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-11-29.

Electro-optical apparatus, driving substrate for an electro-optical apparatus and method of manufacturing them

Номер патента: US20030071309A1. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hajime Yagi,Hideo Yamanaka,Yuichi Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of forming perovskite-like material film

Номер патента: RU2692110C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Алексей Борисович Тарасов,Алексей Юрьевич Гришко,Яша Михайлович Финкельберг. Владелец: АО "Красноярская ГЭС". Дата публикации: 2019-06-21.

Deep trench capacitor and method of making same

Номер патента: US20080315274A1. Автор: Steven M. Shank,Robert Mark Rassel,Timothy Wayne Kemerer,Francis Roger White. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

MOTHERBOARD, PRODUCTION METHOD OF MOTHERBOARD, AND DEVICE SUBSTRATE (amended

Номер патента: US20110140110A1. Автор: Yohsuke Fujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Globally planarized backend compatible thin film resistor contact/interconnect process

Номер патента: US20030030107A1. Автор: Khanh Tran,Viktor Zekeriya. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

LaNiO3 THIN FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD OF FORMING LaNiO3 THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140287136A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Method of producing photosensitive kesterite films

Номер патента: RU2744157C1. Автор: Михаил Вячеславович Гапанович,Геннадий Федорович Новиков,Михаил Денисович Агапкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2021-03-03.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Methods of forming a thin film resistor

Номер патента: US09963777B2. Автор: Bernard Patrick Stenson,Michael Noel Morrissey. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor

Номер патента: US6331208B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Shoji Nishida,Masaaki Iwane. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-12-18.

Mask for four-shot sequential lateral solidification

Номер патента: GB2410125A. Автор: Jaesung You. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of transferring thin film, method of manufacturing thin film transistor, method of forming pixel electrode of liquid crystal display device

Номер патента: US20150318306A1. Автор: Yasutaka Nishi,Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Polycrystalline silicon thin film forming method

Номер патента: US6447850B1. Автор: Eiji Takahashi,Naoto Kuratani,Akinori Ebe. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US20160329153A1. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030094658A1. Автор: Yoichi Takahara,Yoshinobu Kimura,Kiyoshi Ogata,Kazuhiko Horikoshi,Toshihiko Itoga,Hironobu Abe,Makoto Ohkura,Takuo Tamura,Hironaru Yamaguchi,Masakazu Saitou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-22.

Multiple-gate MOS transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070190709A1. Автор: Jong Kim,Dae Lee,Young Cho,Sung Kwon,Tae Roh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-08-16.

Encapsulation structure of display unit and method of forming the same

Номер патента: US20160322604A1. Автор: Huan JIANG,ChienLin Wu,Hsinju HO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09941054B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

CIGS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09859450B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a thin film transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096743A. Автор: 이가원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of forming thin film transistor array substrate

Номер патента: US20170012092A1. Автор: Ki Soub Yang,Seung Ryul Choi,Kyoung Jin PARK,Kang Hyun KIM,Sam Jong LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Thin film solar cell

Номер патента: WO2008140627A8. Автор: Petar B Atanackovic. Владелец: Petar B Atanackovic. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of forming a thin film

Номер патента: EP4256114A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Keita OTANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Single crystal material and method of forming the same and stacked structure and ceramic electronic component and device

Номер патента: US10937857B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Daejin YANG,Chang Soo Lee,Ki Hong Kim,Doh Won JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-02.

Production method of display substrate, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US20200185465A1. Автор: Wenjun HOU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Low voltage drive ferroelectric capacitor and method of manufacturing same

Номер патента: US20040110309A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Tai-Bor Wu,Yuan-Chieh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Amorphous silicon/crystalline silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US20170005209A1. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20010018240A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Thin film transistor assembly, particularly suitable for liquid crystal display device, and process for fabricating the same

Номер патента: US20020110960A1. Автор: Woong-Kwon Kim,Joo-Young Kim,Young-Jin Oh. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Light transmission type-solar cell module, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213387A1. Автор: Soon Yong Lim,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Tae Woo Eom,Chan Seon LEE. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Light transmission type-solar cell module and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4391085A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09978782B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method and apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: EP2304779A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon photoelectric conversion device, method of manufacturing the same and method of processing the same

Номер патента: US20020185172A1. Автор: Hikaru Kobayashi,Hideomi Koinuma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing an epitaxial film of a multilayer silicen intercalated by europium

Номер патента: RU2663041C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Анастасия Федоровна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-08-01.

Apparatus for achieving low resistance contact to a metal based thin film solar cell

Номер патента: US20120279855A1. Автор: Bulent M. Basol,Mustafa Pinarbasi. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for Making Ferroelectric Material Thin Films

Номер патента: US20170236955A1. Автор: Peter K. Davies,Jonathan E. Spanier,Andrew M. Rappe,Ilya Grinberg,Liyan Wu,Andrei R. Akbasheu. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-08-17.

Thin film transistor and method of forming thin film transistor

Номер патента: US20060081855A1. Автор: Meng-Chi Liou,Hung-Jen Chu,Nei-Jen Hsiao,Hui-Chung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Thin film transistor and method of forming thin film transistor

Номер патента: US7348609B2. Автор: Meng-Chi Liou,Hung-Jen Chu,Nei-Jen Hsiao,Hui-Chung Shen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Thin film resistors and methods of manufacture

Номер патента: US20120126370A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Dustin K. Slisher,Robert R. Robison,David L. Harmon,Kimball M. Watson,Jeffrey H. Sloan,Joseph M. Lukaitis,Stewart E. Rauch, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of forming a thin film transistor liquid crystal display

Номер патента: US20040131976A1. Автор: Chu-Wei Hsu. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US09818765B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C2. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-07-09.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US20010026965A1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US6281055B1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

High-resistivity single crystal zinc oxide wafer based radiation detector and preparation method and use thereof

Номер патента: US20190115489A1. Автор: Xu Ji,Feng Huang,Kun YAN,Mei DONG. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-04-18.

Thin film solar cell and method of forming same

Номер патента: US20150236187A1. Автор: Shih-Wei Chen. Владелец: TSMC SOLAR LTD. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Selective dissolution of thin film layers in series interconnection of thin film photovoltaic modules

Номер патента: WO2024151518A1. Автор: John Devin Mackenzie,William Heins,Tanka RANA. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of analyzing strain of thin film by using stc method

Номер патента: US20210372869A1. Автор: Wonjae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Ink-jet printing method and manufacturing method of OLED display device

Номер патента: US09929342B2. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming a high density planar core memory

Номер патента: US3823033A. Автор: C Leonard,E Stone. Владелец: Ncr. Дата публикации: 1974-07-09.

Method of manufacturing a thin film resistor

Номер патента: RU2700592C1. Автор: Валерий Николаевич Новожилов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-09-18.

Metal-non-containing thin-film photocatalyst for molecular oxygen reduction and a method for production thereof

Номер патента: RU2708398C1. Автор: Виктор Андреевич Броцман,Алексей Анатольевич Горюнков,Алексей Владимирович Рыбальченко,Наталья Сергеевна Луконина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-12-06.

Method of producing negative electrode for lithium secondary cell

Номер патента: CA2350455C. Автор: Shosaku Yamanaka,Hirokazu Kugai,Nobuhiro Ota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of manufacturing multiwire lead assemblies

Номер патента: US4819329A. Автор: Vladimir Drits,Thomas W. Haley,Dale R. Johnson. Владелец: Innovex Inc. Дата публикации: 1989-04-11.

Manufacturing method of carbon fiber sheet current collector for all solid state rechargeable thin film lithium secondary battery, and all solid state rechargeable thin film lithium secondary battery comprising carbon fiber sheet current collector

Номер патента: KR101586536B1. Автор: 김정훈,신동욱,최선호. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-01-19.

A kind of preparation method of lithium ion battery large single crystal layered cathode material

Номер патента: CN106910882B. Автор: 李凤,侯配玉,邓小龙,徐锡金. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2019-04-23.

Asymmetric porous materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: WO2021101704A3. Автор: Ulrich B. Wiesner,Sarah A. HESSE,Kevin E. FRITZ,Peter A. BEAUCAGE,Jin SUNTIVICH. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of Generating Novel Air Gap Layouts for Laminated Magnetic Core Miniature Thin Film Inductors and Transformers with a Continuous Function

Номер патента: US20230274879A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-08-31.

Preparation method of distributed Bragg reflection laser based on erbium-doped lithium niobate thin film

Номер патента: CN111129920B. Автор: 陈建平,吴侃,蔡明璐. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-10-08.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of the multi-pin auto emission cathode matrix manufacturing on a mono-crystalline silicon

Номер патента: RU2652651C2. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2018-04-28.

Double-sided mounting board, method of manufacturing double-sided mounting board, and semiconductor laser

Номер патента: MY197093A. Автор: Aoki Hisashi,KIKUCHI Naoto,TAKEMORI Hideaki. Владелец: Hitachi Power Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

LaNiO3 thin film-forming composition and method of forming LaNiO3 thin film using the same

Номер патента: EP2767613A3. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-06-17.

Conductive copper paste composition and method of forming metal thin film using the same

Номер патента: US20140023779A1. Автор: Dong Hoon Kim,Kwi Jong Lee,Sung Il Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Carbon nanotube films and methods of forming films of carbon nanotubes by dispersing in a superacid

Номер патента: EP2219995A1. Автор: Amy M. Heintz,Steven M. Risser,Joel D. Elhard,Bryon P. Moore,Chad M. Cucksey. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Carbon nanotube films and methods of forming films of carbon nanotubes by dispersing in a superacid

Номер патента: WO2009055831A9. Автор: Steven M Risser,Joel D Elhard,Chad M Cucksey,Amy M Heintz,Bryon P Moore. Владелец: Bryon P Moore. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of forming bubble domain system

Номер патента: US3728153A. Автор: D Heinz. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-04-17.

Method of producing a thin film cathode

Номер патента: RU2623104C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-22.

High capacity compact lithium thin film battery

Номер патента: GB2602607A. Автор: Andry Paul,Peter Lewandowski Eric,Alexa Totir Dana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

High capacity compact lithium thin film battery

Номер патента: WO2021059045A1. Автор: Paul Andry,Dana Alexa Totir,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of forming a thin film from a lead halide precursor ink for perovskite material devices

Номер патента: EP4422379A2. Автор: Michael D. Irwin,Jerred A. CHUTE,Valvek V Dhas. Владелец: CubicPV Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

Method of forming thin-film electrodes

Номер патента: WO2005045968A2. Автор: Peter Mardilovich,David Champion,James O'Neil,Gregory S. Herman. Владелец: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for protecting reactive materials with atomically thin film

Номер патента: US20240242913A1. Автор: Melissa A. HINES,William J.I. De Benedetti. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2722687C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Лолита Сергеевна Самохина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20080072409A1. Автор: Osamu Shinoura,Tomohiko Kato,Yuko Saya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Conductive thin film, preparation method for conductive thin film and lithium ion battery

Номер патента: EP4053857A1. Автор: Wenqing Liu,Shiwei ZANG. Владелец: Chongqing Jimat New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Crimp terminal and manufacturing method of the same, wire assembly, and wire harness

Номер патента: US20170040713A1. Автор: Koichi Kumai,Daisuke Miyakawa. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD IMPROVING CHARACTERISTICS OF Si THIN-FILM ANODE OF LITHIUM ACCUMULATOR BATTERY

Номер патента: RU2327254C1. Автор: Сунг-Ман ЛИ,Сео-Дзае ЛИ. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of increasing the density and stability of a matrix current of a multiple auto-emission cathode

Номер патента: RU2653843C2. Автор: Николай Александрович Бушуев,Павел Данилович Шалаев,Равиль Кяшшафович Яфаров,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз"). Дата публикации: 2018-05-15.

High-temperature superconducting film on crystalline quartz substrate and method of its production

Номер патента: RU2641099C2. Автор: Николай Викторович Кленов,Олег Васильевич Снигирев,Николай Владимирович Порохов,Дмитрий Александрович Хрыкин,Александр Геннадьевич Маресов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-01-16.

Crystalline body, optical device having crystalline body and method of manufacturing crystalline body

Номер патента: RU2630123C2. Автор: Такеси КИДЗАКИ. Владелец: Фуджикура Лтд.. Дата публикации: 2017-09-05.

Ferrite thin film-forming composition material, method of forming ferrite thin film, and ferrite thin film formed using the same

Номер патента: US20130256582A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai,Kenzo Nakamura,Kazunori Igarashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Siox:si composite material compositions and methods of making same

Номер патента: EP1925003A2. Автор: David E. Stevenson,Li Q. Zhou. Владелец: Wintek Electro Optics Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Siox:si composite material compositions and methods of making same

Номер патента: WO2007022276A2. Автор: David E. Stevenson,Li Q. Zhou. Владелец: Wintek Electro-Optics Corporation. Дата публикации: 2007-02-22.

Lithium protection coatings for lithium-sulfur batteries and methods of forming the same

Номер патента: US20230282808A1. Автор: Mei Cai,Fang DAI,Shuru Chen,Sanaz Ketabi. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of single crystal terminal for electric connector and the single crystal terminal

Номер патента: WO2009072746A2. Автор: Se Young Jung,Sang Eon Park. Владелец: Pusan National University Industrial-University Cooperation Foundation. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of manufacturing shaped body made of ferrite crystals of garnet polycrystal structure

Номер патента: CA2015606A1. Автор: Minoru Imaeda,Emi Asai,Katsunori Okamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-28.

Method of forming a substrate comprising a titanium layer or foil covered with a titanium oxide layer covered with a high k ceramic, electrode, capacitor, mutilayer capacitor and medical device using it

Номер патента: WO2024120850A3. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-08-02.

Single crystal shape memory alloy devices and methods

Номер патента: WO2005108635A3. Автор: . Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2007-01-18.

Siox:si composite material compositions and methods of making same

Номер патента: WO2007022276A3. Автор: David E Stevenson,Li Q Zhou. Владелец: Li Q Zhou. Дата публикации: 2008-10-16.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Composite film and method of forming the same

Номер патента: US09975776B2. Автор: Pooi See Lee,Afriyanti Sumboja,Ce Yao Foo. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-22.

Catalyst interlayer for the fuel electrode of thin electrolyte solid oxide cell and method of forming the same

Номер патента: US09893367B1. Автор: Jong Ho Lee,Byung Kook Kim,Hae-Weon Lee,Ji-Won Son,Kyung Joong YOON,Hyoungchul Kim,Jongsup Hong,Thieu Cam Anh. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of manufacturing thin-film food elements for biocompatible devices containing multilayer composites and precipitated separators

Номер патента: RU2631333C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-09-21.

Conducting thin films with high thermal stability

Номер патента: RU2562239C2. Автор: Рене ФАХБЕРГЕР,Йохен БАРДОНГ,Гудрун БРИКНЕР,Берт ВАЛЛЬ. Владелец: Вектрон Интернэшнл Гмбх. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US7955880B2. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US20090317929A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of making a two-layer anode substrate with a thin-film electrolyte for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2735327C1. Автор: Сергей Иванович Бредихин,Ольга Васильевна Тиунова,Ольга Юрьевна Задорожная,Юрий Кондратьевич Непочатов,Илья Николаевич Бурмистров,Дмитрий Александрович Агарков,Екатерина Алексеевна Агаркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-10-30.

Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element

Номер патента: WO2004030047A1. Автор: Yoon-Seong Kim,Soo-Byong Chea,Jin-Ki Kang,Han-Gyun Kim. Владелец: ILJIN DIAMOND CO., LTD.. Дата публикации: 2004-04-08.

FEMTOSECOND LASER BASED METHOD FOR FABRICATION OF MICRO- AND NANO-CONSTRICTION TYPE STRUCTURES ON A YBA2-CU3O7-xSUPERCONDUCTING THIN FILM

Номер патента: EP3485507A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Patrice UMENNE. Владелец: Unisa. Дата публикации: 2019-05-22.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Thin film aluminium nitride ultrasound transducers integrated on the test components

Номер патента: WO2006003398A1. Автор: Alexander Cochran,Katherine Kirk,Chee Kin Lee,Francis Placido. Владелец: The University Of Paisley. Дата публикации: 2006-01-12.

Thin film aluminium nitride ultrasound transducers integrated on the test components

Номер патента: EP1766383A1. Автор: Alexander c/o The University of Paisley COCHRAN,Katherine c/o The University of Paisley KIRK,Chee Kin c/o The University of Paisley LEE,Francis c/o The University of Paisley PLACIDO. Владелец: University of Paisley. Дата публикации: 2007-03-28.

Microelectronic module, matrix modules and method of influencing flow

Номер патента: RU2713576C2. Автор: Ральф КАСПАРИ,Роберт ВАЙХВАЛЬД,Эмануэль ЭРМАНН,Карин БАУЭР. Владелец: Эйрбас Дефенс Энд Спэйс Гмбх. Дата публикации: 2020-02-05.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US11889744B2. Автор: Mina Kim,Yongjun JO,Seulbee Lee,Kwangchul Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming a single crystal material

Номер патента: CA2061504C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche,Rosa Young. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-02.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110186820A1. Автор: Un-Cheol Sung,Jung-Yeon Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Organic-inorganic-hybrid thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190010340A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Sang Min Kim,Chong Kwang Yoon,Dong Shin YUN. Владелец: UNID CO Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of growing a ZnS:Mn phosphor layer for use in thin-film electroluminescent components

Номер патента: US6113977A. Автор: Runar Törnqvist,Erkki Lauri Soininen,Gitte Harkonen,Marja Lahonen,Juha Viljanen. Владелец: Planar International Oy. Дата публикации: 2000-09-05.

Method of production of langatate-based single crystal and langatate-based single crystal

Номер патента: US10793968B2. Автор: Takayuki Aoki,Yoshitaka Kinoshita,Ikuo Takahashi,Youichi NONOGAKI. Владелец: Citizen Fine Device Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Thin film transistor, method of preparing the same, and flat panel display device including the thin film transistor

Номер патента: US20080012014A1. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Nonlinearly optical crystal of strontium berillatoborate, method of growing of nonlinarly optical single crystals of strontium berillatoborate and nonlinearly optical device

Номер патента: RU2112089C1. Автор: Cn],Чен Чуангтиан,Ву Байчанг,Ванг Ебин,Зенг Венронг,Ю. Линхуа,Зоу Кун. Владелец: Фуджиан Инститьют оф Рисерч он те Стракчер оф Мэтер, Чайниз Акэдеми оф Сайенсиз. Дата публикации: 1998-05-27.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of making a Ni—based single crystal superalloy and turbine blade incorporating same

Номер патента: US09932657B2. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: US09856578B2. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of making large-volume CaF2 single crystals for optical elements with an optic axis parallel to the (100)-or (110)-crystal axis and CaF2 single crystal made thereby

Номер патента: US7837969B2. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Hellma Materials GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-11-23.

Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method

Номер патента: US7361220B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Mamoru Imade,Yasunori Kai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

METHOD OF MAKING LARGE-VOLUME CaF2 SINGLE CRYSTALS FOR OPTICAL ELEMENTS WITH AN OPTIC AXIS PARALLEL TO THE (100)-OR (110)-CRYSTAL AXIS AND CaF2 SINGLE CRYSTAL MADE THEREBY

Номер патента: US20090180948A1. Автор: Lutz Parthier,Joerg Staeblein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of producing small semi-conductor single crystals

Номер патента: GB797205A. Автор: . Владелец: CLEVEITE CORP. Дата публикации: 1958-06-25.

Method of repairing directionally solidified and single crystal alloy parts

Номер патента: US5732467A. Автор: Yuk-Chiu Lau,Raymond Alan White. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1998-03-31.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: WO2015050630A3. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing carbon nanotube functionalised by fullerenes, composite material, thick or thin film, wire and device made with use of obtained nanotubes

Номер патента: RU2483022C2. Автор: Эско КАУППИНЕН,Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Хуа ДЖИАНГ. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2013-05-27.

Method of producing sodium beta-alumina single crystals

Номер патента: US3917462A. Автор: Paul J Yancey. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1975-11-04.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of producing biosensor structure

Номер патента: RU2644979C2. Автор: Светлана Викторовна Стецюра,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-02-15.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Vibrating plate of dynamic microphone and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050135652A1. Автор: Hiroshi Akino. Владелец: Audio Technica KK. Дата публикации: 2005-06-23.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US20140355184A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Thin film magnetic head comprising metal layer and method of producing the same

Номер патента: US20080291583A1. Автор: Kazuki Sato,Kosuke Tanaka,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Single Crystal Silicon Membrane with a Suspension Layer, Method for Fabricating the Same, and a Micro-Heater

Номер патента: US20130062738A1. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Single crystal silicon membrane with a suspension layer, method for fabricating the same, and a micro-heater

Номер патента: US8895448B2. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2014-11-25.

Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties

Номер патента: EP1369501A3. Автор: Wei Pan,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang,Masayuki Tajiri. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Method of manufacturing organic electroluminescent device

Номер патента: US20030087464A1. Автор: Hiroyuki Okada,Shigeki Naka,Hiroyoshi Onnagawa,Tadahiro Echigo. Владелец: Toyama University. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Low-temperature thermoelectric material and method of its production

Номер патента: RU2644913C2. Автор: Олег Иванович Марков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный университет" (ОГУ). Дата публикации: 2018-02-14.

Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US11832521B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming group iii-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US20240088860A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20100194245A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20110072900A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of making piezoelectric microphone with deflection control

Номер патента: US11963452B2. Автор: NAGARAJAN Ranganathan,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia,Minu Prabhachandran NAIR. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming single-crystalline thin film

Номер патента: US5372089A. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1994-12-13.

Method of forming crystallite-oriented superconducting ceramics by electrodeposition and thin film superconducting ceramic made thereby

Номер патента: WO1989011458A1. Автор: Helmut Eckhardt,Ray H. Baughman,Macrae Maxfield,Zafar Iqbal. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-11-30.

System and fabrication method of piezoelectric stack that reduces driving voltage and clamping effect

Номер патента: WO2015171726A3. Автор: Pengdi Han,Jian Tian,Stephen Dynan,Brandon Stone. Владелец: CTG ADVANCED MATERIALS, LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Thin-film filter, thin-film filter substrate, method of manufacturing the thin-film filter, method of manufacturing the thin-film filter substrate, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone

Номер патента: US11425508B2. Автор: Makoto Yoshida,Masashi Shiraishi,Hiroshi Take,Toyotaka Kobayashi,Anthony Reymund Melad Binarao,Cheng Bu Heng. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of pulling up silicon single crystal and method of manufacturing epitaxial wafer

Номер патента: US20020000189A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US10649246B2. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: US20040239953A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical method for measuring thin film growth

Номер патента: US20070141734A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: EP1425551A2. Автор: Colin James Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Methods of growing large crystals of all-inorganic and hybrid organic-inorganic cesium lead bromide perovskites from solution

Номер патента: US20240083765A1. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Lei Pan,Yucheng Liu. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Manufacturing method of hydrogen-doped silicon single crystal

Номер патента: US20070028832A1. Автор: Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for fabrication of halide perovskite single crystal comprising low-temperature solvation process

Номер патента: US20230203703A1. Автор: Hye Ri Jung,William Jo,Yun Ae CHO. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of producing array substrate including alignment film and method of producing liquid crystal panel

Номер патента: US20200019023A1. Автор: Kohshiroh Taniike. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

A kind of preparation method of the gas of based single crystal silicon nano thin-film photoelectric device and chemical substance sensor-based system

Номер патента: CN109580553A. Автор: 黄高山,梅永丰,李恭谨. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-05.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US20190293972A1. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20110114011A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US20230364714A1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US11865641B1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of surface modification of articles from titanium

Номер патента: RU2718028C1. Автор: Александр Сергеевич Гренадёров,Константин Владимирович Оскомов,Андрей Александрович Соловьев,Сергей Александрович Онищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2020-03-30.

Indium doped gallium arsenide crystals and method of preparation

Номер патента: US4594173A. Автор: Richard N. Thomas,Donovan L. Barrett,Hudson M. Hobgood. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1986-06-10.

Silicon carbide single crystal and production thereof

Номер патента: US20060254507A1. Автор: Daisuke Kondo,Takayuki Maruyama,Shigeki Endo,Masashi Otsuki,Takuya Monbara. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Methods of forming stable conductive surface

Номер патента: WO2023249990A1. Автор: Vinayak P. Dravid,Chad A. Mirkin,Carolin B. WAHL. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-12-28.

Synthesis of thick single crystal diamond material via chemical vapour deposition

Номер патента: US20200087782A1. Автор: Andrew Michael Bennett,Timothy Peter Mollart,Ben Llewelyn Green,Stefan Ian Olsson Robbie. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US9856583B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Embedded single crystal diamond(s) in a polycrystalline diamond structure and a method of growing it

Номер патента: US20230294994A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: IIA Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160138187A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Methods of producing large grain or single crystal films

Номер патента: EP3047054A4. Автор: Ratnakar D. Vispute,Andrew SEISER. Владелец: Blue Wave Semiconductors Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: EP2036856B1. Автор: Kazuhiro Sakai,Yukiyasu Miyata. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-09-12.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: KR20090024632A. Автор: 가즈히로 사까이,유끼야스 미야따. Владелец: 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-03-09.

Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon

Номер патента: TWI422717B. Автор: Kazuhiro Sakai,Yukiyasu Miyata. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-11.

Method of manufacturing a clad textured metal substrate for forming an epitaxial thin film thereon

Номер патента: EP1982831B1. Автор: Shigeo Nagaya,Hirofumi Hoshino,Kunihiro Shima,Naoji Kashima. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for production of zinc oxide single crystals

Номер патента: US20120086001A1. Автор: Shaoping Wang. Владелец: Fairfield Crystal Technology LLC. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for treating single crystal cvd diamond and product obtained

Номер патента: CA2765898C. Автор: Daniel James Twitchen,Sarah Louise Geoghegan,Rizwan Uddin Ahmad Khan,Neil Perkins. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Apparatus and method of forming sheet of single crystal semiconductor material

Номер патента: EP0066657A1. Автор: Allen L. Kerlin. Владелец: Allen L. Kerlin. Дата публикации: 1982-12-15.

SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, METHOD OF PRODUCING SAME, TOOL INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, AND COMPONENT INCLUDING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20170158514A1. Автор: Nishibayashi Yoshiki,Tatsumi Natsuo,Sumiya Hitoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-06-08.

A method of quality evaluation of a SiC single crystal body and a method of producing a silicon carbide single crystal ingot using the same

Номер патента: DE112018000035T5. Автор: Masashi Nakabayashi,Shoji Ushio. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-02-28.

Single-crystal diamond, method of producing same, tool including single-crystal diamond, and component including single-crystal diamond

Номер патента: US10697058B2. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

METHOD OF PRODUCTION OF LANGATATE-BASED SINGLE CRYSTAL AND LANGATATE-BASED SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180245237A1. Автор: Aoki Takayuki,NONOGAKI Youichi,KINOSHITA Yoshitaka,TAKAHASHI Ikuo. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Growth method of large-diameter semiconductor silicon single crystal and single crystal furnace

Номер патента: CN114318499B. Автор: 冯帆,代冰,胡碧波. Владелец: Wanhua Chemical Group Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Method of growing poly crystal and single crystal of volatile compound

Номер патента: JPS5983915A. Автор: ビ−・ジエ−・フイツツパトリツク,テイ−・エフ・マツクギ−. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-05-15.

METHOD OF FABRICATING A PLURALITY OF SINGLE CRYSTAL CVD SYNTHETIC DIAMONDS

Номер патента: US20180266013A1. Автор: Wort Christopher John Howard,Twitchen Daniel James,COLLINS John Lloyd. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

METHOD OF DETERMINING SURFACE ORIENTATION OF SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20150330918A1. Автор: Kim Chang Soo,Bin Seok Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Method of detecting defects, a silicon single crystal wafer using the same, method thereof and a semiconductor device

Номер патента: KR101383949B1. Автор: 박정길,황돈하. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-04-10.

Preparation method of ceramic mould shell of single crystal high-temperature alloy turbine blade

Номер патента: CN110788279A. Автор: 朱鑫涛,朱玉棠,王富,徐文梁,顾国楼,赵保解. Владелец: Taizhou Jinying Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

A kind of preparation method of cutting magnesium alloy diamond single crystal cutter

Номер патента: CN108515350A. Автор: 栗正新,窦志强,肖长江,朱玲艳. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of single domain formation of single crystal of lithium tantalate

Номер патента: JPS61168600A. Автор: Masaaki Iguchi,Masataka Watanabe,政孝 渡辺,雅章 井口. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1986-07-30.

A method of enhancing thermal field of single crystal furnace material mechanical performance

Номер патента: CN105695954B. Автор: 王洋,刘汝强,王彩华,周清波. Владелец: SHANDONG GUOJING NEW MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: WO2017050620A1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of fabricating a plurality of single crystal cvd synthetic diamonds

Номер патента: EP3353340B1. Автор: Daniel James Twitchen,Christopher John Howard Wort,John Lloyd Collins. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

METHOD OF MAKING A Ni-BASED SINGLE CRYSTAL SUPERALLOY AND TURBINE BLADE INCORPORATING SAME

Номер патента: US20160010183A1. Автор: Akihiro Sato,Yasuhiro Aoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

METHODS OF PRODUCING LARGE GRAIN OR SINGLE CRYSTAL FILMS

Номер патента: US20140245947A1. Автор: Vispute Ratnakar D.,Seiser Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF PRODUCING PARTICLE-SHAPED DIAMOND SINGLE-CRYSTAL USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20200354854A1. Автор: JEE Kwang Koo,LEE Jae Kap. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-12.

Preparation method of ultrathin strip-shaped perovskite single crystal

Номер патента: CN111926387A. Автор: 张青,李美丽,尚秋宇. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-13.

Growth method of high-purity silicon carbide single crystal

Номер патента: CN109234805B. Автор: 宗艳民,李霞,高超,梁晓亮,宁秀秀. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

A formation method of buffer layer for gan single crystal

Номер патента: KR100893360B1. Автор: 김형준,한경섭,허정. Владелец: (주)그랜드 텍. Дата публикации: 2009-04-15.

Method of manufacturing a silicon carbide single crystal

Номер патента: US8118933B2. Автор: Hidemitsu Sakamoto,Yukio Terashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Preparation method of light-weight lattice structure single crystal high-temperature alloy casting

Номер патента: CN113463187A. Автор: 董琳,张珊珊,姜卫国,王瑞春,李延昭,任玉艳,黄宗经,程艳辉. Владелец: Weifang University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-10-01.

A method of controlling oxygen concentration in single crystal

Номер патента: EP0432914A1. Автор: Atsushi Ozaki,Tetsuhiro Oda,Susumu Sonokawa,Toshio Hisaichi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1991-06-19.

Method of producing high-quality silicon single crystals

Номер патента: KR100364555B1. Автор: 이토마코토,무라카미히로키,하야카와히로시,오쿠이마사히코,에가시라가즈유키,가렛켈리,시라카와요시노리. Владелец: 미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사. Дата публикации: 2002-12-12.

Preparation method of long-circulation type 523 single-crystal ternary material

Номер патента: CN111945224B. Автор: 孙杰,何中林,何雅. Владелец: Hubei Rt Advanced Materials Co ltd. Дата публикации: 2022-06-10.

Preparation method of ultrathin strip-shaped perovskite single crystal

Номер патента: CN111926387B. Автор: 张青,李美丽,尚秋宇. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-17.

Method of manufacturing crucible for pulling single crystal

Номер патента: JP2007314422A. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Tomoji Ishikawa,Katsuhide Nagaoka,勝秀 長岡,強資 松本,Masatoshi Yamaji,Toshiji Hiraoka,利治 平岡,雅俊 山地,智士 石川. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

SPS diffusion welding method of DD98 same nickel-based single crystal superalloy

Номер патента: CN113182660A. Автор: 石磊,杨建国,徐海涛,孙元,周正强,刘玉章,陈刚强,李华鑫,贺艳明,郑文健,闾川阳,马英鹤,郑思路. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2021-07-30.

Liquid phase growth structure and growth method of high-yield aluminum nitride single crystal

Номер патента: CN114150374B. Автор: 何丽娟,张云伟,程章勇,杨丽雯. Владелец: Beijing Century Goldray Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of exhausting impurities in a single-crystal ingot growth apparatus

Номер патента: KR101818355B1. Автор: 정진원,김흥수,공정현. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2018-02-21.

Method of manufacturing a silicon carbide single crystal

Номер патента: WO2007116315A1. Автор: Hidemitsu Sakamoto,Yukio Terashima. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2007-10-18.

Thermally isolated assembly and method of making a SiC bulk single crystal

Номер патента: DE102009004751A1. Автор: Thomas Dr. Straubinger. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-07-22.

Method Of Manufacturing A Calcium Fluoride Single Crystal

Номер патента: US20080229999A1. Автор: Keita Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Preparation method of lanthanum-doped bismuth ferrite single crystal film

Номер патента: CN112176394A. Автор: 韩高荣,任召辉,曹海文,林宸,傅钢杰. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of producing a heat-treated single crystal article

Номер патента: IL67244A. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-02-28.

Method of and apparatus for sensing the direction of magnetization of ferromagnetic thin film devices

Номер патента: MY6900187A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-12-31.

Method of Storing Metal Lanthanum Target, Vacuum-sealed Metal Lanthanum Target, and Thin Film Formed by Sputtering the Metal Lanthanum Target

Номер патента: US20130277214A1. Автор: Satoh Kazuyuki,Narita Satoyasu,Koido Yoshimasa. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

METHOD OF FABRICATING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE THAT INCLUDES ONE OR MORE THIN FILM POLYMER SUPPORT LAYERS

Номер патента: US20140091054A1. Автор: Janik John,Tang Edward Chia-Ning,Brindley Robert. Владелец: STRYKER CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-03.

Preperation method of resin pellet for mulching film of controlling biodegradation rate and biodegradable mulching film using the same

Номер патента: KR102198513B1. Автор: 박승준,한정구. Владелец: 주식회사 에이유. Дата публикации: 2021-01-05.

METHOD OF HOT PRINTING ON A MEDIUM OF A MULTICOLORED GRAPHIC REPRESENTATION AND PRINTING FILM USED IN THIS PROCESS.

Номер патента: FR2678550B1. Автор: Gerard Roure,Patrick Roure. Владелец: ROURE DORURE. Дата публикации: 1993-11-12.

Method of growing filamentous nanocrystals of silicon dioxide

Номер патента: RU2681037C2. Автор: Алевтина Сергеевна Самофалова,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Monocrystalline nickel-titanium films on single crystal silicon substrates using seed layers

Номер патента: US20230052052A1. Автор: Jagannathan Rajagopalan,Rohit Berlia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Methods of growing single crystal ingots using susceptor assembly with sacrifice ring

Номер патента: US20240309543A1. Автор: Chen-Yi Lin,Chun-Sheng Wu,Wei-Chen Chou,Benjamin Michael Meyer,Feng-Chien TSAI,Hong-Huei Huang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230054939A1. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US12129570B2. Автор: Kazuya Hirata,Shin Tabata,Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Mechanical oscillator and method of its manufacturing

Номер патента: RU2352002C1. Автор: Даи КОБАЯСИ,Хидеки КАВАКАЦУ,Хироси ТОСИЕСИ. Владелец: Джапан Сайенс Энд Текнолоджи Эйдженси. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of increasing yield of spring cereals

Номер патента: RU2678126C1. Автор: Наталья Николаевна Терещенко,Александра Владимировна Кравец,Оксана Модестовна Минаева,Борис Игоревич Макаров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2019-01-23.

Silicon member for semiconductor apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09878915B2. Автор: Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of local controlled reduction of graphene oxide for sensor applications

Номер патента: RU2697471C1. Автор: Николай Сергеевич Стручков,Иван Александрович Комаров,Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Ольга Михайловна Антипова,Эдуард Ервандович Данелян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2019-08-14.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20110031390A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Electronic device, liquid ejecting head, and manufacturing method of liquid ejecting head

Номер патента: US20200307208A1. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7932097B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A3. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20100171034A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7846741B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US9657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of single-crystal silicon substrate

Номер патента: US20230234169A1. Автор: Hayato Iga. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Thin film magnetic head having recording coil and method of forming recording coil

Номер патента: US20070121245A1. Автор: Kiyoshi Kobayashi,Sumihito Morita. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US8098462B2. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20100321822A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Thin film magnetic head and method of producing the same

Номер патента: US20080002307A1. Автор: Masanori Akie. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming single-layer photonic crystal structure

Номер патента: US8574415B2. Автор: Yi-Jui Huang,Pu-Wei Wu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of forming single-layer photonic crystal structure

Номер патента: US20120138466A1. Автор: Yi-Jui Huang,Pu-Wei Wu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-06-07.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Single crystal silicon ingot and method of growing the same

Номер патента: US20240263344A1. Автор: Jong Min Kang,Byoung Woo Park. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Seamless hexagonal boron nitride atomic monolayer thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US09963346B2. Автор: Minwoo Kim,Hwansoo Suh,Sangwoo Park,Sungjoo Lee,Youngjae Song,Qinke WU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing polishing carrier and silicon substrate for magnetic recording medium, and silicon substrate for magnetic recording medium

Номер патента: WO2006013996A8. Автор: Katsuaki Aida. Владелец: Katsuaki Aida. Дата публикации: 2007-05-10.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040068861A1. Автор: Makoto Yoshida,Taro Oike,Atsushi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of forming single-mode polymer waveguide array connector

Номер патента: US20140061979A1. Автор: Hidetoshi Numata,Masao Tokunari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010040762A1. Автор: Makoto Yoshida,Taro Oike,Atsushi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Reduction of carbon inclusions in sublimation grown SiC single crystals

Номер патента: US20080115719A1. Автор: Avinash K. Gupta,Edward Semenas,Ilya Zwieback. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of forming a MOCVD-TiN thin film

Номер патента: US20020022089A1. Автор: Hyung-Seok Kim,Byoung-Youp Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming single-mode polymer waveguide array connector

Номер патента: US20150202802A1. Автор: Hidetoshi Numata,Masao Tokunari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

METHOD OF GROWING Cd1-xZnxTe, WHERE 0≤х≤1

Номер патента: RU2330126C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А". Дата публикации: 2008-07-27.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Colouring composition and method of forming coating film using same

Номер патента: RU2566145C2. Автор: Такеси АИБА,Такеси НОМОТО,Фумиаки НАКАО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-20.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: EP4209625A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Sample rod resistivity measurement during single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4317546A3. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Robert Standley,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,YoungJung Lee. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: WO2020139584A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-02.

Process for the preparation of photo luminescent nanostructured silicon thin films

Номер патента: US20100285235A1. Автор: Sushil Kumar,Chandra Mohan Singh Rauthan,Prakash Narain Dixit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US20180179660A1. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US20110318545A1. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of Forming a Repair Patch for Repairing Inflatable Objects

Номер патента: US20140158283A1. Автор: Alfiero F. Balzano. Владелец: Basic Electronics Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US8728577B2. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US09845535B2. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: US20240035198A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: WO2024025821A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US12024789B2. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming organic thin film and exposure method

Номер патента: US20110189617A1. Автор: Yoshihiro Naka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20090265917A1. Автор: Masanori Tachibana,Koichi Sugimoto,Yoshiyuki Ikeda,Kazuaki Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Forward osmosis membrane and method of forming a forward osmosis membrane

Номер патента: US12048897B2. Автор: JING Wei,Rong Wang,Chuyang TANG,Changquan QIU,Anthony G. Fane. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Thin film adhesive labels and methods of making thereof

Номер патента: US09911367B2. Автор: Nikolai A. VOICECHOVSKI,Benjamin D. Lux,Derek J. Hellested. Владелец: Actega North America Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of local crystallization of glasses

Номер патента: RU2640604C2. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2018-01-10.

Method of forming a pinhole-free alloy layer on the surface of a base made of aluminum or an aluminum alloy

Номер патента: US3619232A. Автор: Tadashi Nakano,Keiichi Henmi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-11-09.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: WO2011028060A9. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: EP2473329A2. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-07-11.

Crystal Puller and Method for Pulling Single-Crystal Silicon Ingot, and Single-Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240271317A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: US20110132872A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-06-09.

Method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20010052509A1. Автор: Toru Katakura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of forming highly adhesive copper thin films on metal nitride substrates via CVD

Номер патента: US20030031790A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of Growing Personalized Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240240354A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: EP2300235A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-03-30.

Double layer mems devices and method of manufacture

Номер патента: EP4446281A1. Автор: Altti Torkkeli,Antti Iihola,Petteri Kilpinen,Marko Peussa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of producing thin nanocrystalline intermetallic film on glass substrate

Номер патента: RU2601365C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-11-10.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Sapphire monocrystal, method of making said monocrystal (versions) and melting device used therein

Номер патента: RU2388852C2. Автор: Джон Уолтер ЛОЧЕР,Стивен Энтони ЗАНЕЛЛА,Ральф Лэмпсон Мл. МАКЛИН,Херберт Илсуорт БЭТС. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of substrate treatment

Номер патента: RU2410341C2. Автор: Николя НАДО,Маркус ЛЕРГЕН,Стефани РОШ,Уве ШМИДТ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of producing a niobium oxide monocrystal

Номер патента: RU2734936C1. Автор: Андрей Андреевич Ремпель,Альбина Ахметовна Валеева,Владимир Сергеевич Наумов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-10-26.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of Preparing Nanostructured Single Crystal Silver

Номер патента: US20150128848A1. Автор: Lei Wang,Fei Wang,Jie Zhou,Hong Zhao,Binyuan Zhao,Yijian Lai,Yuesheng Ning. Владелец: SHANGHAI SWITCHDIY DIGITAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of producing an epitaxially coated semiconductor wafer of monocrystalline silicon

Номер патента: US20240352620A1. Автор: Walter Heuwieser,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Optical protective device (versions), method of manufacturing of the specified device and method of verification of the protected object containing the specified optical protective device

Номер патента: RU2725667C1. Автор: Антон Станиславович Сазонов,Владимир Маркович Козенков,Данила Александрович Кожевников,Андрей Валентинович Смирнов,Леонид Игоревич Смирнов,Александр Михайлович Сергиенко,Борис Рудольфович Шаталов,Тимур Октаевич ПАШАЕВ,Валерий Васильевич БАБЮК. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение "Криптен". Дата публикации: 2020-07-03.

DOPING METHOD OF MgO-nAl2O3 CERAMICS WITH IRON IONS

Номер патента: RU2684540C1. Автор: Владимир Васильевич Осипов,Вячеслав Владимирович Платонов,Владислав Александрович Шитов,Константин Егорович Лукьяшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2019-04-09.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2603159C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"). Дата публикации: 2016-11-20.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF PERMALLOY FILMS Ni81Fe19 FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2710749C1. Автор: Роберт Дмитриевич Тихонов. Владелец: Роберт Дмитриевич Тихонов. Дата публикации: 2020-01-13.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2020-04-08.

Catalytic method of organic compound processing

Номер патента: RU2342997C2. Автор: Дэвид А. ПУРТА,Марк А. ПОРТНОФФ,Фаиц ПУРАРИАН,Маргарет А. НАСТА,Цзинфэн ЧЖАН. Владелец: Карнеги Меллон Юниверсити. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of growing a single-crystal silicon

Номер патента: US20230323561A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Yinfeng LI. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of forming coating layer of which composition can be controlled

Номер патента: US20220349055A1. Автор: Soon Young Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of producing sic single crystal

Номер патента: US20110315073A1. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of producing SiC single crystal

Номер патента: US9080254B2. Автор: Yasuyuki Fujiwara,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Porous tools and methods of making the same

Номер патента: EP4446045A2. Автор: Nolan COUSINEAU,Nathan Sizemore. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of making thin film humidity sensors

Номер патента: US09976975B2. Автор: Muhammad Tariq Saeed Chani,Abdullah Mohamed Asiri,Sher Bahadar Khan. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of identifying diethylamine and isopropyl alcohol in gas mixtures

Номер патента: RU2601216C1. Автор: Татьяна Анатольевна Кучменко,Евгения Викторовна Дроздова,Михаил Александрович Чернышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО ВГУИТ).. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing heterogeneous catalysts for low-temperature oxidation of carbon monoxide

Номер патента: RU2739564C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Георгий Эмзарович Туаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2020-12-25.

Coating for photovoltaic cell and method of making same

Номер патента: RU2577174C1. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли,Дмитрий Юрьевич Графов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Энергоэкотех". Дата публикации: 2016-03-10.

Indium tris n, n-diethylcarbamate, method of its production and obtaining of films of indium oxide on its basis

Номер патента: RU2649147C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-03-30.

Method of manufacture of nickel-based high-temperature alloys (options)

Номер патента: RU2682266C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Павел Георгиевич Мин,Виталий Евгеньевич Вадеев,Дмитрий Евгеньевич Каблов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2019-03-18.

Applicator for rotary sprayer and method of its operation

Номер патента: RU2430790C2. Автор: Ханс-Юрген НОЛЬТЕ,Харальд ГУММЛИХ. Владелец: Дюрр Системз Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2736814C1. Автор: Наталья Владимировна Андреева,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-11-20.

Method of producing lead tungsten from water solutions

Номер патента: RU2643546C2. Автор: Жамал Ахматович Кочкаров,Залина Аслановна Сокурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-02.

Method of obtaining sensitive element of thermal receiver matrix

Номер патента: RU2554304C2. Автор: Вадим Вячеславович Путролайнен,Андрей Александрович Величко,Николай Александрович Кулдин,Кирилл Сергеевич Прохоров,Игорь Сергеевич Падорин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-27.

Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Номер патента: RU2732800C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Антон Алексеевич Бобков,Илья Анатольевич Плугин,Вячеслав Алексеевич Мощников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2020-09-22.

Method of depositing thin films on surface of substrates for making solar cells

Номер патента: RU2586265C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Тажидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрудинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Polyaninine membranes, uses thereof and methods of increasing hydrophilicity of membranes

Номер патента: RU2673883C2. Автор: Томас П. ФАРРЕЛЛ,Ричард Б. КАНЕР,Эрик М.В. ХОЕК,Грегори Р. ГИЛЛЕН. Владелец: Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния. Дата публикации: 2018-12-03.

Substrate for manufacturing single crystal thin films

Номер патента: US4758399A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hideyuki Takakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-07-19.

Interpretable tabular data learning using sequential sparse attention

Номер патента: US12026614B2. Автор: Tomas Jon Pfister,Sercan Omer Arik. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of Fixing Polarization-Reversed Region Formed in Ferroelectric Single Crystal and Optical Element Using the Same

Номер патента: US20090231703A1. Автор: Kenji Kitamura,Xiaoyan Liu,Kazuya Terabe,Shunji Takekawa,Shunichi Hishita. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-09-17.

Method and apparatus for making a highly uniform low-stress single crystal by drawing from a melt and uses of said crystal

Номер патента: US20110130266A1. Автор: Lutz Parthier,Lothar Ackermann,Gunther Wehrhan,Daniel Rytz,Klaus Dupré. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Heat shield structure for single crystal production furnace and single crystal production furnace

Номер патента: US20220002898A1. Автор: ZHAN Li,Tao Wei,XING Wei,Yun Liu,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Barium titanate single crystal and preparation method thereof

Номер патента: US20080200327A1. Автор: Wei-Hsing Tuan,Yung-Ching Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

High quality single crystal and method of growing the same

Номер патента: US20060096526A1. Автор: Hyon-Jong Cho. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Double layer mems devices and method of manufacture

Номер патента: US20240343558A1. Автор: Altti Torkkeli,Antti Iihola,Petteri Kilpinen,Marko Peussa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of growing crystals by shifting the equilibrium of chemical complexes

Номер патента: US3671200A. Автор: John J O'connor,Alton F Armington. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1972-06-20.

Thermochromic substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130150238A1. Автор: Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Donggun Moon,Jeeyun CHA. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of producing silicon single crystal

Номер патента: US09938634B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus for producing SiC single crystals and method of producing SiC single crystals using said production apparatus

Номер патента: US09896778B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of producing coating with high reproducibility of optical properties

Номер патента: RU2608412C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Антон Сергеевич Бричков,Владимир Васильевич Козик,Анастасия Нафисовна Шамсутдинова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2017-01-18.

Method of welding of thin-sheet materials

Номер патента: RU2638090C1. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Алексей Пантелеевич Коржавый,Геннадий Владимирович Орлик,Антон Геннадьевич Орлик. Владелец: Антон Геннадьевич Орлик. Дата публикации: 2017-12-11.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Method of controlling thin film forming speed at various distance from material source

Номер патента: RU2633687C1. Автор: Сергей Александрович Степанов,Николай Иванович Сушенцов,Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2017-10-16.

Liquid crystal display panel, liquid crystal display, photodetector and method of regulating illumination

Номер патента: RU2444771C2. Автор: Чих-Чианг ЧЕН. Владелец: Асер Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-10.

Thin-film material and method of thin-film material production

Номер патента: RU2571900C2. Автор: Ханна ЛЕЙОН,Бенгт АНДЕРССОН,Йохан ЭЛГЕБРАНТ,Карстен СЕРЕНСЕН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2015-12-27.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of coating application in vacuum

Номер патента: RU2654991C1. Автор: Валерий Иосифович Скоморовский,Владимир Александрович Прошин,Галина Ивановна Кушталь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт солнечно-земной физики Сибирского отделения Российской академии наук(ИСЗФ СО РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Method of manufacturing sensitive element of cryogenic gyroscope

Номер патента: RU2678707C1. Автор: Сергей Львович Левин,Василий Васильевич Святый,Александр Григорьевич Щербак,Ольга Сергеевна Юльметова,Маргарита Алексеевна Туманова,Людмила Петровна Рябова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of producing thin-film coat on razor blade

Номер патента: RU2446042C2. Автор: Невилл СОННЕНБЕРГ,Джон МАДЕЙРА,Арутюн Папкен ЕХИАЗАРЯН,Папкен Ехиазар ХОВСЕПЯН,Каззимир Григоров МАРЧЕВ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of producing styrene by liquid-phase dehydration of methylphenylcarbinol-containing raw material

Номер патента: RU2767422C1. Автор: Александр Александрович Петухов,Раиса Ахтямовна Ахмедьянова,Тулкинбек Сабирбаевич Ситмуратов,Алексей Сергеевич Елпашев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский национальный исследовательский технологический университет» (ФГБОУ ВО «КНИТУ»). Дата публикации: 2022-03-17.

Radiation heat shield for silicon melt-in manufacturing of single crystal silicon

Номер патента: US5004519A. Автор: Farouk A. Hariri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-04-02.

Glass diffraction grating and method of producing the same

Номер патента: US20240004111A1. Автор: Takayuki Okamoto,Makoto Okada,Kazuya Yamamoto,Minoru Sasaki,Makio Nishimaki,Yutaka Yamagata,Noboru Ebizuka,Kazuto SAIKI,Yusuke NAKAUCHI. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components

Номер патента: US20220234959A1. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,Xiao Ming He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Large lateral scale two-dimensional materials and other thin films, and associated systems and methods

Номер патента: US12030081B2. Автор: Yu Zhong,Jiwoong Park,Baorui Cheng. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of single crystal growth by controlling the heating of a source material and the cooling of a backside of a lid

Номер патента: US11718926B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US7554770B2. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Method for measuring thin films

Номер патента: WO2004092714A1. Автор: Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of accurate thickness measurement of boron carbide coating on copper foil

Номер патента: US20160161416A1. Автор: Jeffrey L. Lacy,Murari Regmi. Владелец: Proportional Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US20230272551A1. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of generating uniform pores in thin polymer films

Номер патента: WO2002081097A1. Автор: Sudarsan Srinivasan. Владелец: Aradigm Corporation. Дата публикации: 2002-10-17.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040B1. Автор: Ryuichi NIKKO MATERIALS CO. LTD. HIRANO,Hiroshi Nikko Materials Co. Ltd. MAEDA,Tetsuya Nikko Materials Co. Ltd. YAMAMOTO,Akira Nikko Materials Co. Ltd. HICHIWA,Yoshiaki Hirohata Furnace Co. Ltd. KUBOTA. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Thin film magnetic head integrated structure, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20070044297A1. Автор: Tatsuya Harada,Naoto Matono,Yoshihiko Koyama. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

High-purity vitreous silica crucible used for pulling large-diameter single-crystal silicon ingot

Номер патента: US8888915B2. Автор: Tadahiro Sato. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

Exposure system, method of forming alignment film, method of manufacturing optical element, and optical element

Номер патента: US20240319542A1. Автор: Masao Mori,Yu Kitahara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Crystal pulling process for single-crystal silicon

Номер патента: AU2022205729A9. Автор: Qian Jin,Hao Deng,Zhiyan XIE. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material

Номер патента: US12065756B2. Автор: Daniel James Twitchen,Ian Friel,Katharine Louise Atkinson. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

Complex plating film formed using multi-layer graphene-coated metal particles through electric explosion and method of manufacturing the complex plating film

Номер патента: US09850592B2. Автор: Jung-Ho Park,Mi-Ri Lee,Jungwoo Lee,Byung-Wook Ahn,Young-il SONG,Su-jeong SUH,Jung-kab PARK,Tae-yoo KIM,Jin-ha SHIN,Hwa-jin SON,Changhyoung LEE,Younglae CHO,Seung-Bin BAEG,Sook-Young YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of producing macroporous form-stable polymer hydrogels using microwave radiation (embodiments)

Номер патента: RU2715198C1. Автор: Галина Михайловна Кузьмичева,Игорь Иванович Пашкин,Олеся Иршатовна Тимаева,Ирина Петровна Чихачева,Ирина Витальевна Кубракова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет". Дата публикации: 2020-02-25.

METHOD OF OBTAINING Cu2Mn3+ 1-XGaXBO5 OXYBORATES

Номер патента: RU2646429C1. Автор: Евгений Владимирович Еремин,Леонард Николаевич Безматерных,Евгения Михайловна Мошкина,Ася Федоровна Бовина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2018-03-05.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of producing monophase salts of actinides and a device for producing same

Номер патента: RU2702095C1. Автор: Альберт Семенович Алой,Владимир Сергеевич Щукин,Василий Иванович Безносюк,Дмитрий Викторович Рябков,Михаил Михайлович Металиди,Андрей Юрьевич Абашкин,Сергей Евгеньевич Самойлов,Татьяна Ивановна Кольцова. Владелец: Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2019-10-04.

Method of production of silicon-carbide singe crystals

Номер патента: RU2157864C2. Автор: Рупп Роланд,ШТАЙН Рене,ФЕЛЬКЛ Йоханнес. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-10-20.

MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Номер патента: RU2162902C1. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-02-10.

Method of producing a wax-based or paraffin-based coating for forming regions with different hydrophilicity and protecting the surface

Номер патента: RU2726180C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Александрович Петухов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-07-09.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of preparation of optically transparent single crystals of terbium-gallium garnet

Номер патента: RU2328561C1. Автор: Игорь Анатольевич Иванов,Алексей Михайлович Бульканов. Владелец: Закрытое акционерное общество "НИИ материаловедения". Дата публикации: 2008-07-10.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

UNIFORM LARGE-GRAINED AND GRAIN BOUNDARY LOCATION MANIPULATED POLYCRYSTALLINE THIN FILM SEMICONDUCTORS FORMED USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION AND DEVICES FORMED THEREON

Номер патента: US20130009074A1. Автор: Im James S.,Sposili Robert S.,Crowder Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Method of forming nanoscale structures

Номер патента: RU2529458C1. Автор: Антон Евгеньевич Ефимов,Дмитрий Юрьевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СНОТРА". Дата публикации: 2014-09-27.

BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, METHOD OF PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM, AND METHOD OF PRODUCING BASE MATERIAL WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM

Номер патента: US20120021173A1. Автор: Shimada Hiroyuki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL137182B1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1986-05-31.

Method for production of thin silicon carbide films by method of vacuum laser ablation

Номер патента: RU2350686C2. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Сергей Михайлович Рындя,Леонид Васильевич Михнев,Сергей Михайлович Рынд,Евгений Алексеевич Бондаренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of growing a hexagonal ferrite single crystal

Номер патента: CA825123A. Автор: Tauber Arthur,Robert O. Savage, Jr.,R. Aucoin Thomas. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1969-10-14.

Method of yttrium-aluminium garnets' laser single crystals preparation,doped by neodymium iones,if need be,also by cerium or chromium iones

Номер патента: CS154788A1. Автор: Josef Ing Csc Kvapil,Jiri Ing Drsc Kvapil,Bohumil Ing Csc Perner. Владелец: Perner Bohumil. Дата публикации: 1989-07-12.

Method of making pre-formed single turn magnetic cores

Номер патента: CA801865A. Автор: G. Somerville Gareth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1968-12-17.

METHODS OF FORMING A WINDOW LAYER IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120052621A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

A kind of Seed crystal substrate original position method of attachment of isoepitaxial growth single-crystal diamond

Номер патента: CN104878447B. Автор: 王强,杨磊,朱嘉琦,代兵,王杨,刘康,舒国阳,陈亚男,赵继文,孙明琪,韩杰才. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2017-03-01.

EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE OF EPITAXIAL SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130009170A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

METHOD OF MEASURING DEFECT DENSITY OF SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20120016630A1. Автор: . Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-19.

SEALED THIN-FILM DEVICE, METHOD OF AND SYSTEM FOR REPAIRING A SEALING LAYER APPLIED TO A THIN-FILM DEVICE

Номер патента: US20120098027A1. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of design and growth of single-crystal 3D nanostructured solar cell or detector

Номер патента: US20120286389A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrite-garnet films

Номер патента: SU1444887A1. Автор: Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1988-12-15.

Method of pressure welding of metal single crystals

Номер патента: SU1237352A1. Автор: Виталий Николаевич Голубев,Валерий Кузьмич Бердин,Алексей Анатольевич КРУГЛОВ. Владелец: Уфимский Ордена Ленина Авиационный Институт Им.Серго Орджоникидзе. Дата публикации: 1986-06-15.

Method of treatment of alkali-halide single crystals

Номер патента: SU1730222A1. Автор: Александр Владимирович Шапурко. Владелец: Центр Научно-Технического Творчества Молодежи "Антарес". Дата публикации: 1992-04-30.

Test method of residual stress of silicon single crystal piece

Номер патента: CN102435361B. Автор: 刘剑,徐永平. Владелец: YANGZHOU JIANGXIN ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Sorption-spectrophotometric method of determining lead (ii)

Номер патента: RU2529660C1. Автор: Зауаль Ахлоович Темердашев,Татьяна Борисовна Починок,Полина Владимировна Тарасова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "КубГУ"). Дата публикации: 2014-09-27.

Method of correcting plane-azimuth of single crystal and device therefor

Номер патента: JPH01140962A. Автор: Kenichi Furukawa,賢一 古川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-02.

Method of revealing structural defects in single crystals of germanium

Номер патента: SU1710605A1. Автор: Игорь Николаевич Воронов,Наталия Викторовна Ганина,Джаханкир Аждарович Зейналов. Владелец: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 1992-02-07.

Method of determining coercive force of single-crystal ferrit-garnet films

Номер патента: SU1539839A1. Автор: Александр Михайлович Гришин,Федор Григорьевич Барьяхтар,Юрий Алексеевич Кузин,Александр Михайлович Редченко,Юрий Викторович Мелихов. Владелец: Донецкий физико-технический институт АН УССР. Дата публикации: 1990-01-30.

Test method of residual stress of silicon single crystal piece

Номер патента: CN102435361A. Автор: 刘剑,徐永平. Владелец: YANGZHOU JIANGXIN ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Method of diffusion welding of corundum single crystals

Номер патента: SU1328118A1. Автор: Леонид Аркадьевич Литвинов,Валерьян Владимирович Пищик. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1987-08-07.

Method of treatment of alkali-halide single crystals

Номер патента: SU1730221A1. Автор: Александр Владимирович Шапурко. Владелец: Центр Научно-Технического Творчества Молодежи "Антарес". Дата публикации: 1992-04-30.

A kind of growth method of large size gallium oxide single crystal and growing apparatus

Номер патента: CN103541008B. Автор: 罗平,徐军,唐飞,吴锋,姜大朋,唐慧丽,钱小波,王静雅. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2016-01-06.

Method of selective ethcing of paratellurite single crystals

Номер патента: SU983154A1. Автор: Станислав Степанович Коляго,Ольга Васильевна Дроздова,Татьяна Петровна Аксенова. Владелец: Институт геологии и геофизики СО АН СССР. Дата публикации: 1982-12-23.

Method of diffusion welding of corundum single crystals

Номер патента: SU1315199A1. Автор: Елена Рувимовна Добровинская,Леонид Аркадьевич Литвинов,Валерьян Владимирович Пищик. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1987-06-07.

METHOD OF CULTIVATION OF CHLOROUS POTASSIUM SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU1589688A1. Автор: Ю.М. Карпов,Л.П. Смольская,И.О. Вааг,А.С. Самбуева,В.В. Лызганов,Т.Г. Юрьева. Владелец: Иркутский государственный университет. Дата публикации: 1999-03-27.

METHOD OF CULTIVATION OF LITHIUM IODATE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: SU1290762A1. Автор: А.И. Белов,Л.И. Исаенко,В.Г. Якушев,Л.С. Денькина. Владелец: Специальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССР. Дата публикации: 2000-03-27.

Method of production of atomic-thin single-crystal films

Номер патента: RU2511073C1. Автор: Евгений Германович Шустин,Юрий Ильич Латышев,Вадим Вячеславович Песков,Илья Леонидович Клыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-04-10.

Growth method of scorched yttrium silicate scintillation single crystal by means of floating zone

Номер патента: CN101665982B. Автор: 张卫东,冯鹤,陆晟,任国浩,丁栋舟,潘尚可. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of reducing lattice defects of single crystal

Номер патента: JPS5333569A. Автор: Takanori Hayafuji,Seiji Kawato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-03-29.

Method of mechanical treatment of anisotropic single crystals, in particular, monoclinic syngony

Номер патента: UA71836C2. Автор: Yevhen Mykolaiovych Pyrohov,Volodymyr Diomydovych Ryzhykov,Vadym Ivanovych Kryvoshein,Serhii Mykolaiovych Kozlov,Inna Petrivna Babiichuk,Valerii Hryhoriiovych Bondar,Liudmyla Lavrentiievna Nahorna. Владелец: Inst Scintillation Materials O. Дата публикации: 2006-07-17.

Method of changing of micromosaic of single crystals of metals

Номер патента: PL237181A1. Автор: Mariusz Wieczorkowski,Antoni Modrzejewski,Kazimierz Mikka. Владелец: Inst Energii Atomowej. Дата публикации: 1984-01-02.

Method of growing colorless lead molybdate single crystals

Номер патента: SU953018A1. Автор: Вальтер Боллманн. Владелец: Феб Карл-Цейссйена (Фирма). Дата публикации: 1982-08-23.

The recrystallization tendentiousness evaluation method of nickel-base high-temperature single crystal alloy hot investment casting process

Номер патента: CN109724556A. Автор: 王亮,李金国,金涛,孙晓峰,孟杰,荀淑玲,黄举,邹明科. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of polishing and etching tungsten single crystals

Номер патента: SU473513A1. Автор: Луиза Евгеньевна Макарова,Юрий Иванович Рагозин. Владелец: Пермский политехнический институт. Дата публикации: 1975-06-14.

Substrate holder for silicon carbide epitaxial growth and method of manufacturing epitaxial silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: JP6671161B2. Автор: 伊藤　　渉,泰三 星野,崇 藍郷,伊藤　渉,昭義 立川,昌芳 清水. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-03-25.

Preparation method of perovskite structure lead titanate single crystal nanoparticles

Номер патента: CN102677145A. Автор: 沈鸽,韩高荣,任召辉,尹思敏,钞春英. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of making profiled openings in single-crystal specimens

Номер патента: SU618291A1. Автор: Николай Петрович Катрич,Наталья Степановна Сидельникова. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1978-08-05.

Manufacturing method of optical fiber for manufacturing single crystal fiber optical waveguide structure

Номер патента: JP2913006B2. Автор: 紀男 大西. Владелец: KOGYO GIJUTSU INCHO. Дата публикации: 1999-06-28.

Method of studying dilatometric irregularities in single crystals using x-ray interferometry

Номер патента: SU1679313A1. Автор: Петрос Акопович Безирганян,Арсен Оганесович Абоян,Андраник Александрович Хзарджян,Сирануш Еноковна Безирганян. Владелец: Ереванский государственный университет. Дата публикации: 1991-09-23.

Processing method of charge rod for pulling single crystal

Номер патента: JP3631425B2. Автор: 三二 落合,健志 山本. Владелец: 住友チタニウム株式会社. Дата публикации: 2005-03-23.

The preparation method of network branched silicon nitride single crystal nanostructure with high purity and high yield

Номер патента: CN101603207A. Автор: 刘宝林,于翔,朱娜,岳�文,王成彪,付志强,彭志坚,杨甘生. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2009-12-16.

Evaluation and management method of sandblast condition in silicon single crystal wafer

Номер патента: JP2762193B2. Автор: 浩 山本,庄司 中村,幹男 平原,盛明 鳥越,直之 高松. Владелец: Naoetsu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-04.

Simple measurement method of Si concentration in GaP single crystal

Номер патента: JP3003508B2. Автор: 宗久 柳沢,秀利 松本,進 有坂. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-31.

Smelting method of low silicon high calcium single crystal electric melting magnesite clinker

Номер патента: CN100420646C. Автор: 崔凤海. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-24.

Method of making magnesium titanate *mgtio3* single crystal

Номер патента: JPS5343099A. Автор: Shigeyuki Kimura,Isamu Shindou. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1978-04-18.

Method of manufacturing flat display device, and thermocompression bonding device for sticking anisotropic conductive film used for the same

Номер патента: JP2004029576A. Автор: Hiromichi Mishima,三島　浩道. Владелец: Toshiba Electronic Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of micro-profiling of silicon structures

Номер патента: RU2559336C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Сергей Геннадьевич Миронов,Алексей Сергеевич Тимошенков,Михаил Ольгердович Рапидов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ). Дата публикации: 2015-08-10.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of manufacturing silicon structure with dielectric insulation

Номер патента: RU2018194C1. Автор: С.П. Тимошенков,Н.А. Брюхно,В.В. Огнев,Н.И. Кошелев,А.И. Ермолаева,С.И. Долгих,А.Р. Дунин-Барковский,Р.Н. Полинская. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1994-08-15.

Method of treatment of grown ingots of silicon single- crystals

Номер патента: RU2186887C2. Автор: Сергей Борисович Берингов,Юрий Григорьевич Шульга,Юрий Владимирович Ушанкин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Пиллар". Дата публикации: 2002-08-10.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2011-02-10.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MATERIALS FOR LITHOGRAPHIC PLATES COATINGS, LITHOGRAPHIC PLATES AND COATINGS CONTAINING SAME, METHODS OF PREPARATION AND USE

Номер патента: US20120003584A1. Автор: . Владелец: AMERICAN DYE SOURCE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

Method of forming single information pattern from interlinked fragments for display thereof in viewing window of demonstration stand

Номер патента: RU2530854C2. Автор: Сергей Евгеньевич Маркин. Владелец: Сергей Евгеньевич Маркин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming nanosized conducting element

Номер патента: RU2478239C1. Автор: Дмитрий Борисович Омороков,Владимир Александрович Русецкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2013-03-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of precipitating thin cerium oxide films

Номер патента: RU2539891C1. Автор: Валерий Александрович Вольпяс,Андрей Борисович Козырев,Николай Иванович Каргин,Анатолий Константинович Михайлов,Роман Валериевич Рыжук. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of forming optical waveguide immersed in glass

Номер патента: RU2453511C1. Автор: Александр Иванович Сидоров,Николай Валентинович Никоноров,Александр Иванович Игнатьев,Олег Алексеевич Подсвиров,Андрей Александрович Жигалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (НИУ ИТМО). Дата публикации: 2012-06-20.

Method of preparing thin-film nanocomposite coating on solid-state body

Номер патента: RU2324643C1. Автор: Владимир Владимирович Кислов,Евгений Сергеевич Солдатов,Сергей Павлович Губин,Артем Сергеевич Трифонов,Геннадий Борисович Хомутов,Анна Александровна Рахнянская,Андрей Николаевич Сергеев-Черенков,Дмитрий Иванович Черничко,Сергей Павлович Губин (RU),Евгений Сергеевич Солдатов (RU),Владимир Владимирович Кислов (RU),Геннадий Борисович Хомутов (RU),нска Анна Александровна Рахн (RU),Андрей Николаевич Сергеев-Черенков (RU),Артем Сергеевич Трифонов (RU),Дмитрий Иванович Черничко (RU). Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского Государственного университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-05-20.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming ultrathin film

Номер патента: RU2486279C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-27.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Electron Diffraction Tomography

Номер патента: US20120001068A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of germanium single crystals growing by otf method

Номер патента: RU2330127C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: ООО Научно-Производственное Предприятие "ОТФ-Техно". Дата публикации: 2008-07-27.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming frameless centrifugal structure (versions) and device for realization of this method

Номер патента: RU2309875C1. Автор: Виталий Михайлович Мельников,Владимир Александрович Комков,Виталий Михайлович Мельников (RU),Владимир Александрович Комков (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ТехКом". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

Facility for single crystals growing by method of axial heat current nearby solid-melt interface

Номер патента: RU2357021C1. Автор: Михаил Александрович Гоник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр теплофизических исследований "ТЕРМО". Дата публикации: 2009-05-27.

METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC

Номер патента: RU2454491C2. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Сергей Иванович Дорожкин,Андрей Олегович Лебедев,Олеся Валерьевна Посредник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛАДЛТИ-рост". Дата публикации: 2012-06-27.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanosized titanium dioxide

Номер патента: RU2565193C1. Автор: Елена Владимировна Савинкина,Галина Михайловна Кузьмичева,Любовь Николаевна Оболенская,Елена Васильевна Копылова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова). Дата публикации: 2015-10-20.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF SELF-ORGANISING ENDOTAXY OF MONO 3C-SiC ON Si SUBSTRATE

Номер патента: RU2370851C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор". Дата публикации: 2009-10-20.

METHOD OF SINGLE CRYSTALS LiNbO3 PRODUCTION AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2330903C1. Автор: Александр Александрович Гамазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of producing indium phosphide monocrystals

Номер патента: RU2462541C2. Автор: Валерий Геннадьевич Елсаков,Юрий Лукьянович Бабокин,Владимир Иванович Макалкин,Ярослав Сергеевич Мельников,Игорь Николаевич Цыпленков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин". Дата публикации: 2012-09-27.

Method of obtaining big-volume monocrystals of gallium antimonide with low dislocation density

Номер патента: RU2534106C1. Автор: Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО "Гиредмет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of single-crystalline aluminium nitride growing

Номер патента: RU2330905C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Юрий Иванович Савченко,Сергей Александрович Смирнов,Татьяна Юрьевна Чемекова,Александр Соломонович Сегаль,Тать на Юрьевна Чемекова,Олег Валерьевич Авдеев,Денис Станиславович Базаревский. Владелец: Ооо "Нитридные Кристаллы". Дата публикации: 2008-08-10.

Method of growing star-shaped single crystals of refractory oxides by verneuil method

Номер патента: RU2124077C1. Автор: В.П. Герасимов,Фахраддин Халыгверди оглы Гусейнов,Д.М. Левин. Владелец: Левин Даниил Михайлович. Дата публикации: 1998-12-27.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation method of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line and formation device of multi-layer nanocrystalline films with heterogeneous boundary line

Номер патента: RU2436876C1. Автор: Владимир Владимирович Томаев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of making thin-film resistor

Номер патента: RU2374710C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of production of carbon-free castable high-temperature alloys on nickel base

Номер патента: RU2278902C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Виктор Васильевич Сидоров,В чеслав Петрович Бунтушкин,Вячеслав Петрович Бунтушкин,Алексей Иванович Трегубов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2006-06-27.

Thin-film material that contains functional components and method of preparation of thin-film material that contains functional components

Номер патента: RU2326898C1. Автор: Александр Николаевич Тихонов,Алексей Юрьевич Семенов,Геннадий Борисович Хомутов,Андрей Анатольевич Дементьев. Владелец: Андрей Анатольевич Дементьев. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of producing large-size gallium antimonide monocrystals

Номер патента: RU2528995C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Вадим Сергеевич Ежлов,Алла Георгиевна Мильвидская,Елена Владимировна Молодцова. Владелец: Открытое акционерное общество " Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ОАО " Гиредмет". Дата публикации: 2014-09-20.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of production of high purity crystal silicon (versions)

Номер патента: RU2385291C1. Автор: Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,Василий Васильевич Стенин. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2010-03-27.

Method of fuel burning

Номер патента: RU2380613C1. Автор: Анатолий Алексеевич Черный,Вадим Анатольевич Черный,Светлана Ивановна Соломонидина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2010-01-27.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Sol-gel method of forming ferroelectric strontium-bismuth-tantalum oxide film

Номер патента: RU2511636C2. Автор: Аркадий Степанович Турцевич,Алина Валентиновна Семченко,Виталий Валерьевич Сидский,Владимир Евгеньевич Гайшун,Владимир Владимирович Колос,Сергей Александрович Сорока,Андрей Николаевич Асадчий. Владелец: Открытое акционерное общество "Интеграл". Дата публикации: 2014-04-10.

Method of growing bulk monocrystals of alexandrite

Номер патента: RU2471896C1. Автор: Денис Александрович Винник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)). Дата публикации: 2013-01-10.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of determining optical absorption losses in thin films

Номер патента: RU2377543C1. Автор: Олег Дмитриевич Вольпян,Владимир Николаевич Курятов,Юрий Александрович Обод,Петр Петрович Яковлев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха). Дата публикации: 2009-12-27.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

Formation method of ultrathin film

Номер патента: RU2485209C1. Автор: Николай Иннокентьевич Плюснин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of producing high-porous coating on basis of double silicon and nickel oxides

Номер патента: RU2490074C1. Автор: Владимир Константинович Иванов,Людмила Павловна Борило,Анастасия Владимировна Заболотская,Антон Сергеевич Бричков,Владимир Васильевич Козик,Виктория Юрьевна Бричкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2013-08-20.

Method of growing crystals of silver and thallium halides

Номер патента: RU2487202C1. Автор: Галина Васильевна Полякова,Михаил Сергеевич Кузнецов,Валерий Филиппович Голованов,Игорь Серафимович Лисицкий. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2013-07-10.

Method of producing thin tin dioxide films

Номер патента: RU2446233C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Алексей Алексеевич Андреев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО КубГУ). Дата публикации: 2012-03-27.

Thin-film coating of pole tips of endocardial electrodes of cardiostimulators and method of its obtaining

Номер патента: RU2538880C1. Автор: Юрий Сергеевич Василенко,Олег Иосифович Обрезков,Борис Аронович Вершок,Евгений Степанович Андреев,Александр Александрович Зверев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАТЕХПРОМ" ООО "ИННОВАТЕХПРОМ". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of separating hollow microspheres

Номер патента: RU2558045C2. Автор: Юрий Юрьевич Стойлов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. Дата публикации: 2015-07-27.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nano- and micro-electromechanical pressure sensor system and pressure sensor based on said system

Номер патента: RU2398195C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Павел Сергеевич Чернов. Владелец: Павел Сергеевич Чернов. Дата публикации: 2010-08-27.

Method to manufacture thin-film nano and microelectromechanical system of high temperature sensor of mechanical values

Номер патента: RU2547291C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Александр Вячеславович Хошев. Владелец: Александр Вячеславович Хошев. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing thin films of chemical compounds

Номер патента: RU2469124C1. Автор: Валентина Владимировна Уточникова,Наталия Петровна Кузьмина,Алена Сергеевна Калякина. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Факультет наук о материалах Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (ФНМ МГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2126064C1. Автор: О.А. Бузанов,В.В. Аленков,А.Б. Гриценко. Владелец: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед. Дата публикации: 1999-02-10.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

ALLOY BASED ON INTERMETALLIDE Ni3Al WITH SINGLE-CRYSTAL STRUCTURE AND PRODUCT MADE FROM IT

Номер патента: RU2516215C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Юрий Александрович Бондаренко,Ольга Анатольевна Базылева,Александр Валерьевич Горюнов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2014-05-20.

Method of producing films of parylen and its derivatives

Номер патента: RU2461429C2. Автор: Сергей Николаевич Чвалун,Евгений Иванович Григорьев,Андрей Владимирович Пебалк,Ирина Витальевна Быкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова". Дата публикации: 2012-09-20.

Method of making a tensoresistor pressure sensor with high time and temperature stability based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2594677C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-08-20.

Method of one-layer-at-a-time analysis of thin films

Номер патента: RU2229115C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of formation of nano-sized clusters and of creation of ordered structures

Номер патента: RU2279400C2. Автор: Григорий Аврамович Радуцкий,Сергей Николаевич Максимовский. Владелец: Сергей Николаевич Максимовский. Дата публикации: 2006-07-10.

Method of producing metal high-porosity nano-sized coating

Номер патента: RU2464106C1. Автор: Владимир Константинович Иванов,Людмила Павловна Борило,Анастасия Владимировна Заболотская,Антон Сергеевич Бричков,Владимир Васильевич Козик,Виктория Юрьевна Бричкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2012-10-20.

Method of synthesising monocrystalline iron selenides

Номер патента: RU2522591C2. Автор: Дмитрий Александрович Чареев,Ольга Сергеевна Волкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method of making thin-film pressure sensor

Номер патента: RU2423678C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2011-07-10.

Method of making antireflection coating based on mesoporous silica using sol-gel method in presence of certain polymers, static copolymers

Номер патента: RU2371399C2. Автор: Борис Борисович Троицкий,Мария Александровна Новикова,Валентина Николаевна Денисова,Михаил Александрович Лопатин,Людмила Васильевна Хохлова. Владелец: Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of obtaining metal nanoparticles on base surface

Номер патента: RU2373303C1. Автор: Татьяна Викторовна Панова,Владимир Степанович Ковивчак,Рудиарий Борисович Бурлаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2009-11-20.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIXTURE FOR EVALUATING A METAL-TO-METAL SEAL BETWEEN TUBULAR COMPONENTS AND METHOD OF USE OF SAME

Номер патента: US20120000273A1. Автор: Slack Maurice. Владелец: NOETIC ENGINEERING 2008 INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring electromechanical coupling constants of piezoelectric material

Номер патента: RU2421743C1. Автор: Георгий Дмитриевич Мансфельд,Сергей Георгиевич Алексеев,Наталья Ивановна Ползикова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова. Дата публикации: 2011-06-20.

Method of producing nanosized thin-film standard sample of chemical composition

Номер патента: RU2483388C1. Автор: Юрий Александрович Карпов,Ольга Александровна Дальнова,Герман Григорьевич Главин. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of victim evacuation from vehicles, and "rescuer emercom-2" rescue device

Номер патента: RU2357718C2. Автор: Александр Иванович Филиппов,Виктор Михайлович Коршунов. Владелец: Виктор Михайлович Коршунов. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of local liquid epitaxy

Номер патента: RU2072584C1. Автор: Владимир Юрьевич Гершанов,Сергей Иванович Гармашов,Юрий Владимирович Гершанов. Владелец: Юрий Владимирович Гершанов. Дата публикации: 1997-01-27.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of cutting silicon single crystals

Номер патента: RU2155131C2. Автор: Л.В. Худобин,О.Г. Крупенников. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2000-08-27.

Method of electrospark formation of thin-film high temperature superconducting film of scheme

Номер патента: RU2508576C1. Автор: Андрей Романович Буев,Владимир Николаевич Игумнов,Александр Викторович Леухин,Игорь Леонидович Сабанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Поволжский государственный технологический университет. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-03.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2571456C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-12-20.

Method of homogeneous fluids distillation and fluid mixes separation, and device to this end

Номер патента: RU2408539C2. Автор: Евгений Анатольевич Чиннов,Олег Александрович Кабов,Ирина Алексеевна Шарина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2011-01-10.

Method of production of antifrictional thin films

Номер патента: RU2365672C1. Автор: Владимир Николаевич Неволин,Вячеслав Юрьевич Фоминский,Роман Иванович Романов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-08-27.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method producing single crystal fibers made of refractory materials

Номер патента: RU2577260C1. Автор: Владимир Павлович Бирюков,Элгуджа Георгиевич Гудушаури,Денис Юрьевич Татаркин,Алексей Анатольевич Фишков,Ольга Николаевна Чурляева. Владелец: Ольга Николаевна Чурляева. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of making resistance strain gauges for measuring surface deformations

Номер патента: RU2389973C2. Автор: Леонид Александрович Борыняк,Юрий Кондратьевич Непочатов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-05-20.

Composite target for spraying and method of its production

Номер патента: RU2392686C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of making vacuum sensor with preset-sensitivity nanostructure and vacuum sensor built there around

Номер патента: RU2505885C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Игорь Александрович Аверин,Андрей Андреевич Карманов,Римма Михайловна Печерская,Игорь Александрович Пронин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2014-01-27.

Method of making thin films containing nanostructured tin dioxide

Номер патента: RU2379784C1. Автор: Вадим Викторович Чернышов,Вячеслав Иванович Кукуев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2010-01-20.

Method of determination of strength properties of film materials

Номер патента: RU2184361C1. Автор: Н.М. Якупов,Р.Г. Нуруллин,виев Ш.Ш. Гал,Ш.Ш. Галявиев,Н.К. Галимов. Владелец: ООО "Издательство "SOS". Дата публикации: 2002-06-27.

Method of determining plastic characteristics of films of multicomponent amorphous-nanocrystalline metal alloys

Номер патента: RU2494039C1. Автор: Иван Владимирович Ушаков,Иван Сергеевич Сафронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный горный университет (МГГУ). Дата публикации: 2013-09-27.

Conductive ink and method of making said ink

Номер патента: RU2388774C2. Автор: Кванг-Чоон ЧУНГ,Хиун-Нам ЧО,Миоунг-Сеон ГОНГ,Йи-Суп ХАН,Дзеонг-Бин ПАРК,Сеонг-Йонг УХМ,Йоунг-Кван СЕО,Донг-Хун НАМ,Нам-Боо ЧО. Владелец: Инктек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.