MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH
Номер патента: US20230175168A1
Опубликовано: 08-06-2023
Автор(ы): Dae-Woo JEON, Ji-Hyeon PARK
Принадлежит: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-06-2023
Автор(ы): Dae-Woo JEON, Ji-Hyeon PARK
Принадлежит: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.