Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 於高ｋ介電環境下電荷儲存材料之強化及所獲得之裝置

於高ｋ介電環境下電荷儲存材料之強化及所獲得之裝置

Номер патента: TWI479569B
Опубликовано: 01-04-2015
Автор(ы): D V Nirmal Ramaswamy, Matthew N Rocklein, Rhett Brewer
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TW201145389A. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: US09576805B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett T. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure having interfacial layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Devices comprising high-K dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US9673039B2. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Reliability caps for high-k dielectric anneals

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Shariq Siddiqui,Rohit Galatage,Chung-Ju Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US12034035B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180061645A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160149013A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20160181158A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180204923A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20170317182A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180315824A9. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20180337248A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Manufacture method, high k dielectric structure and its manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN107316809A. Автор: 黄晨,刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨,许如. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Method for manufacturing semiconductor device, high-K dielectric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112864009A. Автор: 刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

Method of fabricating the flash memory device using high-k dielectric as inter-poly dielectric

Номер патента: KR100771541B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,이은아,채수진,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-30.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Model for optical dispersion of high-K dielectrics including defects

Номер патента: US09405290B1. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20220003678A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A1. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-11.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US11808706B2. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-11-07.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20170229554A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,Yim Dong-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Electronic structures comprising multiple contiguous high-k dielectric materials and related electronic devices, systems, and methods

Номер патента: KR20230002973A. Автор: 리차드 제이. 힐,샤이암 수르티,크리스 엠. 칼슨,다비드 레스나티. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2023-01-05.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: KR100869448B1. Автор: 비디아 에스. 카우쉭,비치-옌 웬,스리니바스 브이. 피에탐바람,제임스 케니언 3세 쉐퍼. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2008-11-19.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: TWI240332B. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V Pietambaram,Vidya S Kaushik,James Kenyon Schaeffer Iii. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-09-21.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Lithographic process and resulting article

Номер патента: CA1135986A. Автор: Adam Heller,King L. Tai,Richard G. Vadimsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-11-23.

High-k dielectric materials with dipole layer

Номер патента: US20230386938A1. Автор: Huang-Lin Chao,I-Ming Chang,Huiching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for incorporating high k dielectric materials for enhanced SRAM operation and structures produced thereby

Номер патента: US20060103023A1. Автор: Sampath Purushothaman,Satyanarayana Nitta,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory using hole trapping in high-k dielectrics

Номер патента: WO2006138370A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US7602009B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

High-K dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US11894396B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240120349A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Forming high-K dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: US20080087985A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Hybrid high-K dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US12080725B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240347551A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20230369354A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitrogen profile engineering in high-k nitridation of a gate dielectric layer

Номер патента: WO2007024493A1. Автор: Yi Ma,Shankar Muthukrishnan,Rahul Sharangpani,Tejal Goyani,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Giuseppina R. Conti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Forming high-k dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: TWI325603B. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-03.

RELIABILITY CAPS FOR HIGH-K DIELECTRIC ANNEALS

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Siddiqui Shariq,Galatage Rohit,Yang Chung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Doped High-k Dielectrics and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150035085A1. Автор: AHMED Khaled,Greer Frank. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20180061646A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180076039A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER, FABRICATING METHOD THEREOF AND MULTI-FUNCTION EQUIPMENT IMPLEMENTING SUCH FABRICATING METHOD

Номер патента: US20190088467A1. Автор: Chen Miin-Jang,CHUNG Chen-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20170125542A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20190131435A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device having high-k dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180151356A1. Автор: Minghwei Hong,Juei-Nai Kwo,Chien-Hua FU,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuanhsiung Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-31.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS WITH DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220310457A1. Автор: Chang I-Ming,Chao Huang-Lin,Chang Huiching. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20200161452A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170178913A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260638A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20200258918A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-08-29.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190296120A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20200365702A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422A. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US10381452B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Nitridation of atomic layer deposited high-k dielectrics using trisilylamine

Номер патента: US9064694B2. Автор: Christian Dussarrat,Glenn KUCHENBEISER,Steven P Consiglio,Robert D Clark,Vincent Omarjee,Venkat Pallem. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin magnesia

Номер патента: CN105489486B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,孟优,姜桂霞. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

High-K dielectric stack and method of fabricating same

Номер патента: US8722484B2. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Michael Lisiansky,Alexey Heiman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: KR102455485B1. Автор: 샹신 루이,라이 자오,수 영 최,즈르쟌 제리 첸,유지아 자이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-14.

Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates

Номер патента: US20100301428A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Approach to high-k dielectric feature uniformity

Номер патента: US10600887B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

For the mixing high-k dielectric material membrane stack comprising zirconium oxide in display device

Номер патента: CN109075208A. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-21.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A4. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-11.

Tantalum aluminum oxynitride high-k dielectric

Номер патента: US20100283537A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mixed high-K dielectric material film stack comprising zirconium oxide for use in display devices

Номер патента: CN109075208B. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: WO2018017360A2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A2. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422B. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070007635A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Interfacial layer for use with high k dielectric materials

Номер патента: WO2006023027A1. Автор: Papu D. Maniar,Shawn G. Thomas,Vida Ilderem. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Tic mos devices on high-k-dielectric gate stacks

Номер патента: WO2006076086A3. Автор: Katherine L Saenger,Sufi Zafar,Alessandro C Callegari,Fenton R Mcfeely,Dianne L Lacey,Michael A Gribelyuk. Владелец: Michael A Gribelyuk. Дата публикации: 2009-04-16.

Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-k dielectric gate caps

Номер патента: US09824921B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Devices with Metal Gate, High-k Dielectric, and Butted Electrodes

Номер патента: US20080277726A1. Автор: Ying Zhang,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Michelle L. Steen,Mark Todhunter Robson,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect

Номер патента: US20020036336A1. Автор: Qi Xiang,WEI Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

High-K dielectric gate material uniquely formed

Номер патента: US20040089887A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Manufacturing method of charge store device

Номер патента: TWI284390B. Автор: Chieh-Shuo Liang,Lurng-Shehng Lee,Heng-Yuan Lee,Pei-Jer Tzeng. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-21.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

ENHANCED DEVICE RELIABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PROVIDING SUPERIOR PROCESS CONDITIONS IN HIGH-K FILM GROWTH

Номер патента: US20130280873A1. Автор: Carter Richard,Trentzsch Martin,Grass Carsten,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

FINE-GRAINED ANALOG MEMORY DEVICE BASED ON CHARGE-TRAPPING IN HIGH-K GATE DIELECTRICS OF TRANSISTORS

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Iyer Subramanian S.,Gu Xuefeng. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-11-16.

High k dielectric material and method of making a high k dielectric material

Номер патента: US20030224218A1. Автор: Martin Green,Lalita Manchanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material

Номер патента: WO2012021318A2. Автор: Tsai-Yu Huang,Ching-Kai Lin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3891810B1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: TW200703459A. Автор: Olubunmi O Adetutu,David C Gilmer,Hsing H Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Method and structure for a large-grain high-K dielectric

Номер патента: US09590063B2. Автор: Rama I. Hegde. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR INCLUDING HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130207171A1. Автор: Uno Tomohiro. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Methods for Forming High-K Dielectric Materials with Tunable Properties

Номер патента: US20170084680A1. Автор: Gaurav SARAF,Howard Lin,Kiet Vuong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layers with Different Materials

Номер патента: US20190131185A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160211183A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150263119A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

ELECTRONIC STRUCTURES COMPRISING MULTIPLE, ADJOINING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS AND RELATED ELECTRONIC DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210343736A1. Автор: Surthi Shyam,Hill Richard J.,Carlson Chris M.,Resnati Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200303399A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical Metal Insulator Metal Capacitor Having a High-K Dielectric Material

Номер патента: US20170373056A1. Автор: JOU Chewn-PU,BAO Tien-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2029790A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-03-04.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US8399056B2. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20090311879A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-17.

Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric

Номер патента: KR20060066126A. Автор: 요시히데 센자키,상-인 이,존 에스. 오양,오브리 엘. 헬름스,케렘 캅킨. Владелец: 에비자 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2006-06-15.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: CN110088906B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Analog capacitor having at least 3 layers of high-k dielectric layers and method of fabricating the same

Номер патента: KR100541551B1. Автор: 원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-10.

Method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR20050101626A. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-25.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layers with different materials

Номер патента: KR102058222B1. Автор: 잉-리앙 추앙,밍-시 예,쿠오-빈 후앙,주-리 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-12-20.

method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR100568448B1. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: CN1598981A. Автор: 元皙俊,郑镛国,权大振,金元洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-23.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US20050260347A1. Автор: Pravin Narwankar,Gregg Higashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US20050260357A1. Автор: Christopher Olsen,Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Philip Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US8119210B2. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US8323754B2. Автор: Christopher Olsen,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Philip A. Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: WO2005117087A1. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-12-08.

The self-insurance sheath formed on the high k dielectric layer of different materials

Номер патента: CN109216356A. Автор: 叶明熙,黄国彬,黄如立,庄英良. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

High-k dielectric for thermodynamically-stable substrate-type materials

Номер патента: WO2003096390A1. Автор: Chi On Chui,Krishna C. Saraswat,Baylor B. Triplett. Владелец: STANFORD UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-11-20.

Atomic layer deposition of high k dielectric films

Номер патента: WO2004008827A3. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Manufacturing method of high-K dielectric layer

Номер патента: CN111710602A. Автор: 郁赛华,董雅娟. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234466A1. Автор: Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-19.

Yttrium and titanium high-K dielectric film

Номер патента: US8900422B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process

Номер патента: CN101298663A. Автор: 施里亚斯·凯尔,德加尔·戈亚尼,巴拉志·卡南. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-K dielectric material

Номер патента: US9793264B1. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Bi-axial texturing of high-K dielectric films to reduce leakage currents

Номер патента: US7619272B2. Автор: Wilbur Catabay,Wai Lo,Sey-Shing Sun. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method of forming high-k dielectric films based on novel zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2540861A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-01-02.

High-k dielectric layer of three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: KR20210102980A. Автор: 리홍 샤오. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2021-08-20.

Yttrium and titanium high-k dielectric films

Номер патента: WO2009131902A2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-10-29.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A1. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S. Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: TW200422427A. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Eugene S Lopata,Iii Robert H Chatham. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A8. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Nitridation of high-k dielectric films

Номер патента: TW200525648A. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Multi-function equipment implementing fabrication of high-k dielectric layer

Номер патента: US20210134587A1. Автор: Miin-Jang Chen,Chen-Yang CHUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20150200101A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,Brewer Rhett T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based -diketonate precursors

Номер патента: EP2281073A1. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-02-09.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130071990A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

NITRIDATION OF ATOMIC LAYER DEPOSITED HIGH-K DIELECTRICS USING TRISILYLAMINE

Номер патента: US20140017907A1. Автор: Dussarrat Christian,Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Omarjee Vincent,Pallem Venkat,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

TRANSITION METAL ALUMINATE AND HIGH K DIELECTRIC SEMICONDUCTOR STACK

Номер патента: US20140175618A1. Автор: Mujumdar Salil. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

Ozone-enhanced oxidation for high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: US6573193B2. Автор: Mo-Chiun Yu,Yeou-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Method of improved high K dielectric-polysilicon interface for CMOS devices

Номер патента: US7129128B2. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-31.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based precursors

Номер патента: IL209379A0. Автор: . Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2011-01-31.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Microelectronic devices designed with ultra-high-k dielectric capacitors integrated with package substrates

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Johanna M. Swan,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20200006359A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

EMBEDDED FERROELECTRIC MEMORY IN HIGH-K FIRST TECHNOLOGY

Номер патента: US20210233919A1. Автор: Wu Wei Cheng,Chou Pai Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

PROTECTION OF HIGH-K DIELECTRIC DURING RELIABILITY ANNEAL ON NANOSHEET STRUCTURES

Номер патента: US20190189766A1. Автор: Narayanan Vijay,Mehta Sanjay C.,Sankarapandian Muthumanickam,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203985A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203986A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203987A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

High-k dielectrics with gold nano-particles

Номер патента: US8367506B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070045676A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Transmission line design and method, where high-k dielectric surrounds the transmission line for increased isolation

Номер патента: US09786976B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching high k dielectric films with reduced likelihood of delamination

Номер патента: US20130065023A1. Автор: ABBAS Ali,Hansley Regan Rampersad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for synthesis of material, in particular diamond, by chemical vapour deposition and device for thereof realisation

Номер патента: RU2572652C2. Автор: Орасио ТЕЛЛЕС ОЛИВА. Владелец: Диаротек. Дата публикации: 2016-01-20.

Visible/infrared radiation detector for e.g. monitoring field, has control circuit to control connection of units to control simultaneous integration of currents from pixels and maintenance of charges stored in units till end of integration

Номер патента: FR2941329A1. Автор: Patrick Robert,Arnaud Crastes. Владелец: Ulis SAS. Дата публикации: 2010-07-23.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer

Номер патента: US6642066B1. Автор: Arvind Halliyal,Farzad Arsania. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20170067830A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-03-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Xu Jeff J.,Lee Chen-Yi,YAO Liang-Gi,CHENG Chun-Hu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204214A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160268390A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Flash Cell with Integrated High-K Dielectric and Metal-Based Control Gate

Номер патента: US20100163952A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: WO2010078189A2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-08.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: CN102272929A. Автор: C-H·詹,W·M·哈弗兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin lithia

Номер патента: CN105552130B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱春丹. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A4. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-27.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Floating gate avalanche injection MOS transistors with high K dielectric control gates

Номер патента: TW507383B. Автор: Richard William Gregor,Isik C Kizilyalli,Pradip Kumar Oy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204209A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Silicide process using high K-dielectrics

Номер патента: US6784506B2. Автор: Qi Xiang,Eric N. Paton,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski,Paul L. King,John Clayton Foster. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Method for fabricating semiconductor with high-k dielectric layer thereof

Номер патента: TW200616083A. Автор: Kung-Ming Fan,Shian-Jyh Lin,Chao-Sung Lai,Jer-Chyi Wang,Woei-Cherng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having sequentially stacked high-k dielectric layers

Номер патента: US9048307B2. Автор: Jeong-hee Han,Jae-Yeol Song,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-02.

Low temperature polysilicon oxide process for high-k dielectric/metal gate stack

Номер патента: US20090170346A1. Автор: James J. Chambers,Ajith Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method to improve the quality of a high-k dielectric layer

Номер патента: EP3316289B1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for manufacturing an electronic device comprising a non-removable module, and resulting device

Номер патента: SG187783A1. Автор: Lucile Dossetto,Laurent Audouard,Jean-Luc Lesur. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2013-03-28.

Stacked cmos devices with two dielectric materials in a gate cut

Номер патента: WO2024125246A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensor component for a gas and/or liquid sensor, production method for a sensor component for a gas and/or liquid sensor, and method for detecting at least one material in a gaseous and/or liquid medium

Номер патента: US09418857B2. Автор: Richard Fix,Bernd Schumann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-08-16.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A3. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Manuel Quevedo Lopez. Дата публикации: 2009-05-14.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A2. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Connecting to back-plate contacts or diode junctions through a RMG electrode and resulting devices

Номер патента: US09548318B1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

MECHANISMS FOR MONITORING IMPURITY IN HIGH-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150099315A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,LEE Chang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: TW200939354A. Автор: Husam Alshareef,Manuel A Quevedo-Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

Eingebetteter ferroelektrischer speicher in high-k-first-technologie

Номер патента: DE102019115270B4. Автор: Wei Cheng Wu,Patrick Tzou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Cmos device comprising mos transistors with recessed drain and source areas and a si/ge material in the drain and source areas of the pmos transistor

Номер патента: US20090321843A1. Автор: Gunter Grasshoff,Andy Wei,Andrew Waite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layer

Номер патента: US20240203740A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

INTERFACIAL LAYER REGROWTH CONTROL IN HIGH-K GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130187241A1. Автор: Mueller Markus,Boccardi Guillaume,Petry Jasmine. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2013-07-25.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: KR102282224B1. Автор: 웨이 청 우,패트릭 추. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-28.

Structure and method to control oxidation in high-k gate structures

Номер патента: WO2009120567A1. Автор: Richard A. Conti,Renee T. Mo,Wesley Natzle,Rashmi Jha,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-01.

Process for formation of ultra-thin base oxide in high k/oxide stack gate dielectrics of mosfets

Номер патента: US6448127B1. Автор: Qi Xiang,Joong Jeon,Colman Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Self-protective layer formed on high-K dielectric layer

Номер патента: US11923201B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US11751400B2. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US20230371271A1. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IMPROVED HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FABRICATION OF SAME

Номер патента: US20150001643A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20220013547A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

METHOD AND APPARATUS FOR PLACING A GATE CONTACT INSIDE A SEMICONDUCTOR ACTIVE REGION HAVING HIGH-K DIELECTRIC GATE CAPS

Номер патента: US20180012798A1. Автор: Labonte Andre,Zhang Xunyuan,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026055A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor devices employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer

Номер патента: US20140124872A1. Автор: Weonhong Kim,Dae-Kwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20200075756A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20200090940A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20210193469A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20190164766A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Doping of High-K Dielectric Oxide by Wet Chemical Treatment

Номер патента: US20160181108A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,Oniki Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260618A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

HIGH-K DIELECTRICS WITH A LOW-K INTERFACE FOR SOLUTION PROCESSED DEVICES

Номер патента: US20150311307A1. Автор: Ng Tse Nga,Hsieh Bing R.,Whiting Gregory. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-29.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20150333076A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20160343846A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120054935A. Автор: 김원홍,주대권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-31.

Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof

Номер патента: TWI323034B. Автор: Wei Ling Lin,Jiing Fa Wen,Wen Hsi Lee,Tarng Shiang Hu,Jiun Jie Wang,Cheng Chung Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods to create high-k dielectric gate electrodes with backside cleaning

Номер патента: US6455330B1. Автор: Mong Song Liang,Liang Gi Yao,Ming Fang Wang,Shih Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

Circuit structure with metal gate and high-K dielectric

Номер патента: CN101772839B. Автор: 爱德华·A·卡迪尔,维贾·纳拉亚南,瓦姆希·帕鲁彻里,巴里·P·林德,布鲁斯·多丽丝. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: US6303940B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Marco Mastrapasqua. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

High-k dielectrics with a low-k interface for solution processed devices

Номер патента: US9219126B2. Автор: Bing R. Hsieh,Gregory Whiting,Tse Nga Ng. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high k dielectrics

Номер патента: US7105889B2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni P. Gousev,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Matthew W. Copel,Vamsi K. Paruchuri,Nestor A. Bojarczuk, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Methods for forming transistors with high-k dielectric layers and transistors formed therefrom

Номер патента: US20080254588A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai,M. Y. Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7723798B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THIS SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: DE60311016D1. Автор: Chan Lim,Kilho Lee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-15.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high-k dielectrics

Номер патента: US20050269635A1. Автор: Martin Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni Gousev,Rajarao Jammy,Cyril Cabral,Eduard Cartier,Matthew Copel,Vamsi Paruchuri,Nestor Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for fabricating transistor with high-K dielectric sidewall spacer

Номер патента: US8536041B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

N+ polysilicon on high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: WO2006104893A2. Автор: Christoph Wasshuber,Ramesh Venugopal,David Barry Scott. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures with improved threshold voltage and flat band voltage stability (barrier layer to achieve threshold voltage control in CMOS device formation with high-k dielectrics) Selective implementation)

Номер патента: JP4711444B2. Автор: ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア,カブラル、シリル、ジュニア,カルティエ、エデュアルト、エイ,コペル、マシュー、ダブリュ,フランク、マーティン、エム,グーセフ、エフゲニ、ピー,グーハ、スプラティク,ジャミー、ラジャラオ,ナラヤナン、ビジェイ,パルチューリ、ヴァムシ、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: KR100684480B1. Автор: 키질랴리아이식씨.,마스트라파스콰마르코. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 2007-02-22.

High-K dielectric structure for deep trench isolation

Номер патента: US9224740B1. Автор: Shahab Siddiqui,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US8580641B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Noval chemistry and method for the selective removal of high-k dielectrics

Номер патента: US20030109106A1. Автор: James Chambers,Antonio Pacheco Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

METHOD TO REDUCE THRESHOLD VOLTAGE (Vt) IN SILICON GERMANIUM (SIGE), HIGH-K DIELECTRIC-METAL GATE, P-TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20100013021A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Jong Ho Lee,Kenneth J. Stein,Voon-Yew Thean,Weipeng Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: WO2009019187A3. Автор: Vijay Narayanan,Bruce Doris,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: Barry Paul Linder. Дата публикации: 2009-04-02.

High k dielectric materials integrated into multi-gate transistor structures

Номер патента: US20080315310A1. Автор: Uday Shah,Jack Kavalieros,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7807525B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

SELECTIVE IMPLEMENTATION OF BARRIER LAYERS TO ACHIEVE THRESHOLD VOLTAGE CONTROL IN CMOS DEVICE FABRICATION WITH HIGH k DIELECTRICS

Номер патента: KR100951227B1. Автор: 네스터 에이. 주니어. 보자르크주쿠,사이릴 주니어. 캐브랠,에듀어드 에이. 카르테에,매튜 더블유. 코펠,마르틴 엠. 프랭크,이브게니 피. 고우세브,서프라틱 구하,라자라오 재이미,비제이 나라야낸,밤시 케이. 파루추리. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-04-05.

Semiconductor device with high-k dielectric and quasi-metal gate, and method of forming thereof

Номер патента: TW200625632A. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for creating metal gate resistor in FDSOL and resulting device

Номер патента: US09431424B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

OXYGEN VACANCY PASSIVATION IN HIGH-K DIELECTRICS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210249315A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US11804455B1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US20240014149A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of forming high-k dielectric material

Номер патента: US11837508B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor CMOS devices and methods with NMOS high-k dielectric present in core region that mitigate damage to dielectric materials

Номер патента: US7642146B2. Автор: Luigi Colombo,Mark Robert Visokay,James Joseph Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor CMOS Devices and Methods with NMOS High-K Dielectric Present in Core Region that Mitigate Damage to Dielectric Materials

Номер патента: US20070122962A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Mark Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Adjustment of work function in high-k gate stacks containing gate dielectrics of different thickness

Номер патента: DE102009039418B4. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-08-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: US20110049642A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Work function adjustment in high-k gates stacks including gate dielectrics of different thickness

Номер патента: SG178409A1. Автор: Thilo Scheiper,Andy Wei,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-04-27.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: SG118211A1. Автор: Tao Hun-Jan,PERNG Baw-Ching,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric

Номер патента: TWI374518B. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-K dielectric

Номер патента: TW200802733A. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US09570313B2. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

SUBSTRATE INTEGRATED THIN FILM CAPACITORS USING AMORPHOUS HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200006258A1. Автор: Braunisch Henning,BROWN Andrew J.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,SOUNART Thomas,CHATTERJEE Prithwish. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US20160020108A1. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

3D IC ANTENNA ARRAY WITH LAMINATED HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20190103680A1. Автор: KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20170154781A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20140256149A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-11.

3d ic antenna array with laminated high-k dielectric

Номер патента: US20210257745A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: US20200295453A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20190348451A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

METAL VERTICAL TRANSFER GATE WITH HIGH-K DIELECTRIC PASSIVATION LINING

Номер патента: US20200411585A1. Автор: Chen Gang,Sun Shiyu,HUANG Chiao-Ti. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

INTEGRATED PATCH ANTENNA HAVING AN INSULATING SUBSTRATE WITH AN ANTENNA CAVITY AND A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20220368012A1. Автор: Chen Ching-Hui,KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: KR101037308B1. Автор: 리 첸,히로미츠 감바라,노부히로 이와마,메이키 코,히로마사 모치키,마사아키 하기하라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-05-27.

Method and system for etching high-k dielectric materials

Номер патента: JP4723503B2. Автор: 明輝 高,正明 萩原,チェン、リー,弘光 神原,信浩 岩間,宏政 持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: US20050164511A1. Автор: Lee Chen,Akiteru Ko,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor device with metal gate and high―k dielectric and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101986144B1. Автор: 이승미,지연혁. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-05.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: WO2004109772A2. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for plasma etching of high-K dielectric materials

Номер патента: US20040007561A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Metal vertical transfer gate with high-k dielectric passivation lining

Номер патента: US11121169B2. Автор: Gang Chen,Shiyu Sun,Chiao-Ti HUANG. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

A method and system to enhance the removal of high-k-dielectric materials

Номер патента: WO2004021409A3. Автор: Lee Chen,Gordon Bease. Владелец: Gordon Bease. Дата публикации: 2004-07-01.

High-k dielectric liners in shallow trench isolations

Номер патента: US10510790B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: KR102224383B1. Автор: 칭-후이 첸,펭-웨이 구오,웬-쉬앙 리아오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of plasma etching of high-K dielectric materials with high selectivity to underlying layers

Номер патента: US20030170986A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Process for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics

Номер патента: US20020121697A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US20050181590A1. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US7037849B2. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-05-02.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: US20240363690A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate-controlled p-i-n switch with a charge trapping material in the gate dielectric and a self-depleted channel

Номер патента: US09438227B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-09-06.

STRUCTURE AND METHOD TO MINIMIZE REGROWTH AND WORK FUNCTION SHIFT IN HIGH-K GATE STACKS

Номер патента: US20130069196A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Kulkarni Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

HIGH-K DIELECTRICS WITH GOLD NANO-PARTICLES

Номер патента: US20130153986A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20140027843A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Cheng Chun-Fai,Chen Kuan--Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor Device Having SiGe Substrate, Interfacial Layer and High K Dielectric Layer

Номер патента: US20140151819A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140183649A1. Автор: JI Yun-Hyuck,LEE Seung-Mi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Transistors with high-k dielectric spacer liner to mitigate lateral oxide encroachment

Номер патента: US20090079014A1. Автор: Willy Rachmady,Justin S. Sandford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for controlled recessing of materials in cavities in IC devices

Номер патента: US09589850B1. Автор: Chanro Park,Kisup Chung,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high k dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: EP1101249A1. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Imran Hashim,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Device with pb-based high-k dielectric thin-film capacitor comprising pb-donating layers

Номер патента: WO2008028660A3. Автор: Mareike Klee,Ruediger Mauczok,Michael Joehren,Aarnoud Roest. Владелец: Aarnoud Roest. Дата публикации: 2008-04-17.

High k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias

Номер патента: US6430030B2. Автор: Mukta S. Farooq,Robert A. Rita,Herbert I. Stoller,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130069201A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobumichi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Chen Hanhong,Kumar Pragati. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20190008046A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026054A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

METHOD OF FABRICATING A MIM CAPACITOR WITH MINIMAL VOLTAGE COEFFICIENT AND A DECOUPLING MIM CAPACITOR AND ANALOG/RF MIM CAPACITOR ON THE SAME CHIP WITH HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20160104762A1. Автор: Yu Bo,Triyoso Dina,Chu Shao-Fu Sanford. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

High-K Dielectric Grid Structure for Semiconductor Device

Номер патента: US20140263956A1. Автор: Lin Yu-Ku,Lin Chun Che,Wu Chih-Nan,Jian Shiu-Ko Jang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Methods to Improve Electrical Performance of ZrO2 Based High-K Dielectric Materials for DRAM Applications

Номер патента: US20150228710A1. Автор: Koyanagi Kenichi,Rui Xiangxin,Fujiwara Naonori,Chen Hanhong,Hashim Imran. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20160233256A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20100330269A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Titanium-based high-K dielectric films

Номер патента: US7968452B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

A kind of enhanced MIS HEMT device in longitudinal direction with high K dielectric slot

Номер патента: CN106252404B. Автор: 张波,魏杰,杨超,吴俊峰,罗小蓉,李肇基,彭富,邓思宇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-08-23.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US6884475B2. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Pixel and imager device having high-k dielectrics in isolation structures

Номер патента: US20070096176A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Chandra Mouli. Дата публикации: 2007-05-03.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US20040228968A1. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

High k dielectric layer and forming method thereof, the capacitor arrangement using it

Номер патента: CN109346458A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-15.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Liner to form composite high-k dielectric

Номер патента: US20230307491A1. Автор: Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: TW434837B. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Multi-layer pt electrode for dram and fram with high k dielectric materials

Номер патента: WO2002054457A2. Автор: Chenting Lin,Michael Wise,Jingyu Lian,Nicolas Nagel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for making high voltage integrated circuit devices in a fin-type process and resulting devices

Номер патента: US20160111422A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for making high voltage integrated circuit devices in a fin-type process and resulting devices

Номер патента: US09520396B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of making an isolation trench and resulting isolation trench

Номер патента: US20070212848A1. Автор: Gurtej Sandhu,Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods of fabricating conductive traces and resulting structures

Номер патента: US20190189507A1. Автор: Christopher J. Gambee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods of Forming Packages and Resulting Structures

Номер патента: US20230402429A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chien-Fu Tseng,Cheng-Hsien Hsieh,Yu Chieh Yung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Device having reduced overall dimensions for identifying metal substrate in dusty and metallic environment and use thereof for identifying containers containing nuclear fuel elements at production plant thereof

Номер патента: RU2552164C2. Автор: Ноэль ЛАНТОМ,Жан-Жак МАРШАЛЬ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of operating liquid in the vacuum or low-pressure environment and observing the operation and device for the operation and observation

Номер патента: US20060261284A1. Автор: Chih-Yu Chao,Wen-Jiunn Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Colloidal dispersion of a material in a divided state and consisting of metal chalcogenide in an aqueous medium, material in a divided state, and uses thereof

Номер патента: US9525095B2. Автор: Jean-Yves Chane-Ching,Oana Zaberca,Azmach Tolesa,Andrea Balocchi. Владелец: ECOLE SUPERIEURE DES BEAUX-ARTS de la REUNION. Дата публикации: 2016-12-20.

Diamondoid-containing materials in microelectronics

Номер патента: WO2002058139A3. Автор: Shenggao Liu,Jeremy E Dahl,Robert M Carlson. Владелец: Robert M Carlson. Дата публикации: 2003-10-16.

Colloidal dispersion of a material in a divided state and consisting of metal chalcogenide in an aqueous medium, material in a divided state, and uses thereof

Номер патента: US09525095B2. Автор: Jean-Yves Chane-Ching,Oana Zaberca,Azmach Tolesa,Andrea Balocchi. Владелец: ECOLE SUPERIEURE DES BEAUX-ARTS de la REUNION. Дата публикации: 2016-12-20.

Nanotwin copper materials in semiconductor devices

Номер патента: WO2023027917A1. Автор: Eric J. Bergman,Jing Xu,Marvin L. Bernt,Kwan Wook Roh,John L Klocke. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications

Номер патента: WO2009134916A3. Автор: Seshadri Ganguli,Mei Chang,Sang-Ho Yu,See-Eng Phan,Amit Khandelwal,Hyoung-Chan Ha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for measuring dispersion degree of conductive material in electrode for electrochemical device

Номер патента: EP4443170A1. Автор: Kyun-Il Rah,Dong-Oh SHIN,Ki-Seok Lee,Hyun-Jin Yang,Byung-Hee Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

High K dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: US09685270B2. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-06-20.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: EP3167006A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-05-17.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: WO2016007268A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2016-01-14.

High k dielectric compositions with fine grain size

Номер патента: WO1993015031A1. Автор: Ian Burn,Salvatore A. Bruno. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1993-08-05.

HIGH K DIELECTRIC COMPOSITION FOR THERMOFORMABLE CAPACITIVE CIRCUITS

Номер патента: US20160005542A1. Автор: Dorfman Jay Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Low-temperature sintered high-k dielectric self-assembly, laminated ceramic capacitors manufactured using this composition, and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR960022390A. Автор: 김윤호,김효태. Владелец: 김은영. Дата публикации: 1996-07-18.

High k dielectric compound for ceramic capacitor with internal copper electrode

Номер патента: JPS63246810A. Автор: イアン・バーン. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1988-10-13.

Field device assembled with printed circuit board as screen for protection against effect of environment and against electromagnetic field/radio interference

Номер патента: RU2347333C2. Автор: Келли М. ОРТ,Чэд М. МАКГУАЙР. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2009-02-20.

Treatment method of emitting layer raw material in oled and application

Номер патента: US20180366686A1. Автор: Jie Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method and device for remelting and/or remelt-alloying metallic materials, in particular nitinol

Номер патента: US20160151178A1. Автор: Gerhard Sedlmayr. Владелец: G RAU GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Radiant system in accumulators and resultant product

Номер патента: CA2260083C. Автор: Paulo Emmanuel De Abreu. Владелец: Guacemmi Participacoes Soc Ltda. Дата публикации: 2005-11-01.

Portable lighting lamp equipped with printed circuit board placed into tightly sealed environment, and method for lamp assembly

Номер патента: RU2472063C2. Автор: Себастьен ЖАРЗАК,Стефан ЮГЕНЕН,Поль ПЕТЦЛЬ. Владелец: Зедель. Дата публикации: 2013-01-10.

Process and device for winding strip-like materials in the formation of electrical energy storage devices

Номер патента: WO2024157296A1. Автор: Mario Spatafora. Владелец: P.I.T. S.R.L.. Дата публикации: 2024-08-02.

New anode material in lithium and sodium batteries

Номер патента: EP4423822A1. Автор: Daniela Sordi,Rutger Alexander David Van Raalten,Jeroen TEN DAM. Владелец: Carbonx Ip 9 BV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for producing silicon particles for use as anode material in lithium ion rechargeable batteries, use of a rotating reactor for the method and particles produced by the method and a reactor for operating the method

Номер патента: WO2018052318A1. Автор: Werner O. Filtvedt. Владелец: Dynatec Engineering AS. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for extracting lithium from cathod active materials in spent lithium-ion batteries using neutral aqueous solution and method for selectively extracting lithium from cathod active materials in spent lithium-ion batteries using carbonated water

Номер патента: US20240240284A1. Автор: SeongRyeong Kim,Haesung Jung. Владелец: Industry Academy Cooperation Foundation of Changwon National University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of operating high-pressure chamber in vacuum or low-pressure environment and observing the operation and device therefor

Номер патента: EP1722396A3. Автор: Chih-Yu Chao,Wen-Jiunn Hsieh. Владелец: Lee Bing-Huan. Дата публикации: 2007-01-03.

Device for monitoring of high electric field in synthetic insulating material, in particular for current input through wall

Номер патента: RU2488183C2. Автор: Мердад ХАССАНЗАДЕ,Жан-Франсуа ТОРТОРИСИ. Владелец: АРЕВА Т энд Д СА. Дата публикации: 2013-07-20.

Process for Depositing and Prelithiating an Anode Active Material in Porous Conductive Particles for Lithium Batteries

Номер патента: US20240204163A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for depositing and prelithiating an anode active material in porous conductive particles for lithium batteries

Номер патента: WO2024129804A2. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Global Graphene Group, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for depositing and prelithiating an anode active material in porous conductive particles for lithium batteries

Номер патента: WO2024129804A3. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Global Graphene Group, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Rephrasing user requests and results by automated intelligent assistant

Номер патента: RU2541202C2. Автор: Томас Роберт ГРУБЕР,Адам Джон ЧЕЙЕР,Дидье Рене ГУДЗЗОНИ,Кристофер Дин БРИГЕМ,Гарри Джозеф СЭДДЛЕР,Даг КИТТЛОС,Ричард Дональд ДЖУЛИ,Марчелло БАСТЕА-ФОРТЕ. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2015-02-10.

System to monitor an amount of material in a container

Номер патента: US09916749B2. Автор: Manjit Chowdhary,Bobby HYATT,Walter White. Владелец: Economy Mud Product Co. Дата публикации: 2018-03-13.

System to monitor an amount of material in a container

Номер патента: US09799200B2. Автор: Manjit Chowdhary,Bobby HYATT,Walter White. Владелец: Economy Mud Products Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Secure Transfer and Use of Secret Material in a Shared Environment

Номер патента: US20170063811A1. Автор: Darren Ernest Canavor,Daniel W. Hitchcock,Tushaar Sethi. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Secure transfer and use of secret material in a shared environment

Номер патента: US9774573B2. Автор: Darren Ernest Canavor,Daniel W. Hitchcock,Tushaar Sethi. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Secure transfer and use of secret material in a shared environment

Номер патента: US20180007020A1. Автор: Darren Ernest Canavor,Daniel Wade Hitchcock,Tushaar Sethi. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Secure transfer and use of secret material in a shared environment

Номер патента: US09774573B2. Автор: Darren Ernest Canavor,Daniel W. Hitchcock,Tushaar Sethi. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Network user behavior analysis and result presenting system and method thereof

Номер патента: US20200160390A1. Автор: Wei-Yu Wang. Владелец: Adbert Tech Media Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for controlled sharing of wind farms and wind turbines data, data analysis algorithms, and results of data analysis

Номер патента: EP3676672A1. Автор: Francesco PARAGGIO,Andrea PARAGGIO,Giuseppe ACETO. Владелец: Windstack IVS. Дата публикации: 2020-07-08.

Data compression/decompression method, device and resulting data structure

Номер патента: US5123061A. Автор: Thomas B. Pritchard. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-06-16.

Disclosed are systems of devices, architectures and incentive-based methods for co-operatively building larger bodies of data that can be reliably used to discover new and faster correlations diagnosing disease (using AI techniques) and devising efficient responses to health issues (in order to prevent disease, prevent or minimise condition decline, improve performance of environments and/or prevent safety incidents).

Номер патента: AU2021103255A4. Автор: Julianne Mary Cripps Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-29.

Authentication protection system and method based on trusted environment, and storage medium

Номер патента: EP3651428A1. Автор: Zuolong WANG. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Method and apparatus for transmitting message in heterogeneous federated environment, and method and apparatus for providing service using the message

Номер патента: WO2007064169A1. Автор: Seung-Hyun Kim,Seung-Hun Jin,Sang-Rae Cho,Dae-Seon Choi,Jong-Hyouk Noh,Yeong-Sub Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2007-06-07.

System and method for supplying target material in an euv light source

Номер патента: US20230010810A1. Автор: Heng-Hsin Liu,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Cheng-Hsuan Wu,Cheng-Hao Lai,Yu-Huan Chen,Yu-Kuang SUN,Ming-Hsun Tsai,Wei-Shin CHENG,Hsin-Feng Chen,Chiao-Hua Cheng,Yu-Fa LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Protection of communications between trusted execution environment and hardware accelerator utilizing enhanced end-to-end encryption and inter-context security

Номер патента: US20230026602A1. Автор: Reshma Lal,Lawrence A. Booth, Jr.,Pradeep M. Pappachan,Brent D. Thomas,Salessawi Ferede Yitbarek,Akshay Kadam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Protection of communications between trusted execution environment and hardware accelerator utilizing enhanced end-to-end encryption and inter-context security

Номер патента: US20200167488A1. Автор: Reshma Lal,Brent Thomas,Pradeep M. Pappachan,Salessawi Ferede Yitbarek,Lawrence A. Booth Jr.,Akshay Kadam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

System and method for efficient replication of and access to application specific environments and data

Номер патента: WO2007087109A3. Автор: Imran Chaudhri. Владелец: Transip Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method and apparatus for transmitting message in heterogeneous federated environment, and method and apparatus for providing service using the message

Номер патента: WO2007064171A1. Автор: Seung-Hyun Kim,Seung-Hun Jin,Sang-Rae Cho,Dae-Seon Choi,Jong-Hyouk Noh,Yeong-Sub Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2007-06-07.

Container-based mobile code offloading support system in cloud environment and offloading method thereof

Номер патента: US20200358710A1. Автор: Hai Jin,Song Wu,Chao Niu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for deploying computer operating environment and deployment system

Номер патента: US11146631B1. Автор: Yu-Chin TSAI,Yu-Chiang Huang,Jr-Huang Shiau,Chen-Kai Sun,Ching-Hsuan Yen. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2021-10-12.

Creating secure channels between a protected execution environment and fixed-function endpoints

Номер патента: US09852301B2. Автор: Men Long,Uday Savagaonkar,Siddhartha Chhabra,Alpa NARENDRA TRIVEDI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Securely passing user authentication data between a pre-boot authentication environment and an operating system

Номер патента: US09740867B2. Автор: Amy Christine Nelson,Christohper D. Burchett. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-08-22.

Webcast and virtual environment content recommendation engine and method for recommendation using user history and affinity with other individuals to predict interesting current future webcasts and online virtual environments and content

Номер патента: US09720577B1. Автор: Jayesh Sahasi. Владелец: ON24 Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method for efficient replication of and access to application specific environments and data

Номер патента: US09686259B2. Автор: Imran Chaudhri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Headset communication method under a strong-noise environment and headset

Номер патента: US09467769B2. Автор: Song Liu,Jian Zhao. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for enabling public key infrastructure in the generic cloud environment and the network function

Номер патента: US20200097315A1. Автор: Igor Faynberg,Steven J. Goeringer. Владелец: Cable Television Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and system for transferring data between a discrete event environment and an external environment

Номер патента: US20060064292A1. Автор: Michael Clune. Владелец: MathWorks Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method and system for transferring data between a discrete event environment and an external environment

Номер патента: WO2006034353A2. Автор: Michael I. Clune. Владелец: THE MATHWORKS, INC.. Дата публикации: 2006-03-30.

Method and system for transferring data between a discrete event environment and an external environment

Номер патента: EP1817700A2. Автор: Michael I. Clune. Владелец: MathWorks Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

Method for automatically updating application installed in container environment and computing device therefor

Номер патента: US20240176884A1. Автор: Jihoon Cho,Sohee PARK,Kyu Young Choi. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Intelligent frequency reading method applicable to low-temperature environment and wireless vibrating wire acquisition instrument

Номер патента: US12061113B1. Автор: Weizhong Chen,Xianjun Tan,Hongming Tian,Wusheng Zhao,Jingqiang Yuan,Peichao Zheng,Hongdan Yu. Владелец: Wuhan Institute of Rock and Soil Mechanics of CAS. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for operating tool in working environment and machine using such method

Номер патента: US09934007B2. Автор: Wai-Tung Cheung,Chun-Hsiao Lin,Ho-Cheung Cheung,Shih-Cheng Lan. Владелец: Able World International Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Virtual entertainment environment and methods of creating the same

Номер патента: US09823738B2. Автор: Omar A. Khan,Nicholas B. Newell. Владелец: ECHOSTAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Material in form of fabric and method of its manufacturing

Номер патента: RU2553294C2. Автор: Марк Роберт СИВИК,Франк Уильям ДЕНОМЕ,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Алиссандрэа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПУР,Джон Герхард МАЙКЛ,Стивен Джозеф ХОДСОН,Брайан Патрик КРОЛЛ,Андреас Иосиф ДРЕХЕР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Method and device for producing powder particles by atomisation of raw material in form of elongated element

Номер патента: RU2693244C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ежи В. ЮРЕВИЧ,Александр ОЖЕ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2019-07-01.

Cover material, in particular seat cover material, and vehicle interior arrangement, in particular a seat assembly

Номер патента: US20170327016A1. Автор: Claudia Worlitz. Владелец: Faurecia Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-11-16.

Process and apparatus for producing powder particles by atomization of a feed material in the form of an elongated member

Номер патента: US09751129B2. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz,Alexandre AUGER. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Process and apparatus for producing powder particles by atomization of a feed material in the form of an elongated member

Номер патента: US09718131B2. Автор: Maher I. Boulos,Jerzy W. Jurewicz,Alexandre AUGER. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Determining relative amount of usage of data retaining device based on potential of charge storing device

Номер патента: US20070258305A1. Автор: Kerry Bernstein,Keith Williams,Sebastian Ventrone,Kenneth Goodnow,Clarence Ogilvie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-linear terahertz spectroscopy for defect density identification in high k dielectric films

Номер патента: US7459687B2. Автор: John Francis Federici,Haim Grebel,Hakan Altan. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-02.

Non-Linear Terahertz Spectroscopy for Defect Density Identification in High K Dielectric Films

Номер патента: US20070235650A1. Автор: Haim Grebel,Hakan Altan,John Federici. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-11.

RELIABLE NANOFET BIOSENSOR PROCESS WITH HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20140054651A1. Автор: Bashir Rashid,Reddy Bobby,Dorvel Brian Ross. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2014-02-27.

Reliable nanofet biosensor process with high-k dielectric

Номер патента: WO2012078340A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy,Brian Ross Dorvel. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of direct conversion of kinetic energy of dielectric environment flow to electric energy

Номер патента: RU2678999C9. Автор: Сергей Викторович Громов. Владелец: Сергей Викторович Громов. Дата публикации: 2019-03-21.

Wordline recess formation and resulting structures

Номер патента: US20240341079A1. Автор: Sanjeev Sapra,Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan,Purnima Narayanan,Don Koun Lee,Babak Tahmouresilerd. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Microwave device for electrothermal processing of raw materials in the process of disinfection

Номер патента: RU2758833C1. Автор: Олег Александрович Морозов,Валерий Петрович Требух,Александр Валерьевич Прокопенко,Алексей Васильевич Топчий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Магратеп". Дата публикации: 2021-11-02.

Methods and apparatuses for handling a cho execution condition in a ntn environment and a related mro mechanism

Номер патента: US20240187955A1. Автор: Min Xu,Jie Shi,Jing HAN,Lianhai WU,Ran YUE. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for inductive heating and agitation of a material in a channel

Номер патента: US20080041551A1. Автор: Wayne N. Collette,Stefan Von Buren,Kyle B. Clark,Valery Kagan. Владелец: iTherm Tech LP. Дата публикации: 2008-02-21.

System and method for efficient transmission of data during team game in CPNS environment, and CPNS server, mobile communication terminal, and end-point terminal for the same

Номер патента: US09888071B2. Автор: In Hwan Kim,Jeong Hoon Lee,Jeong Min You. Владелец: SK Planet Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for transmitting and receiving program configuration information for scalable ultra high definition video service in hybrid transmission environment, and method and apparatus for effectively transmitting scalar layer information

Номер патента: US09848217B2. Автор: Dong Il Park,Je Woo Kim,Jae-Gon Kim,Byeong Ho Choi,Hwa Seon Shin,Doo San Baek. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2017-12-19.

Spectrum sensing apparatus and method for cooperative cognitive radio network in non-gaussian noise environment, and fusion center apparatus and cooperative cognitive radio system using the same

Номер патента: US09628996B2. Автор: Seok Ho Yoon,Keun Hong CHAE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-04-18.

Asymmetric organic photovoltaic acceptor material in an a-d-d'-a type and use

Номер патента: US20240188439A1. Автор: Hua Tan,Mengbing ZHU,Weiguo Zhu,Jianing Zhu,Rulin HAO. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Device for the controlled and quick heating of fluid material, in particular food

Номер патента: EP1842397A1. Автор: Genesio Bravo,Alessandro Sonego. Владелец: Bravo SpA. Дата публикации: 2007-10-10.

Device for the controlled and quick heating of fluid material, in particular food

Номер патента: EP1842397B1. Автор: Genesio Bravo,Alessandro Sonego. Владелец: Bravo SpA. Дата публикации: 2009-05-27.

Control method of handover traffic service in multi-cell environment and control apparatus thereof

Номер патента: WO2006065019A3. Автор: Seung-Kwon Baek,Jae-Su Song,Sang-Woo Nam,Sung-gu Choi,Soon-Gi Park,Pyeong-Jung Song,Soo-Chang Kim. Владелец: Soo-Chang Kim. Дата публикации: 2006-11-02.

Lighting system for illuminating an environment and a method of starting an installation of a program on a programmable controller

Номер патента: US09497836B2. Автор: Jurgen Mario Vangeel,Wijnand Johannes Rietman,John André VAN BEURDEN,Markus Wilhelmus Maria Coopmans. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-15.

Hybrid vehicle having mode of increasing amount of charge stored in power storage device to target value and control method for hybrid vehicle

Номер патента: US09550432B2. Автор: Taishi Hisano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

HYBRID VEHICLE HAVING MODE OF INCREASING AMOUNT OF CHARGE STORED IN POWER STORAGE DEVICE TO TARGET VALUE AND CONTROL METHOD FOR HYBRID VEHICLE

Номер патента: US20150298570A1. Автор: HISANO Taishi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: WO2009016606A3. Автор: Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser,Beek Jozef Thomas Martinus Van,Marieke Klee. Владелец: Marieke Klee. Дата публикации: 2009-08-06.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: US20100202254A1. Автор: Mareike Klee,Jozef Thomas Martinus Van Beek,Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-08-12.

cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: CN101772383A. Автор: M·克莱,J·D·弗雷泽,K·赖曼,A·L·鲁斯特,J·T·M·范贝克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-07-07.

Systems and methods for concurrently exposing a test specimen to a first environment and a second environment

Номер патента: US12111330B2. Автор: Bruno Zamorano SENDEROS,Austin E. Mann,Michael F. Stoia,Ali Yousefiani. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing a body protection item and resulting body protection item

Номер патента: US20240009944A9. Автор: Xavier Mateu Codina,Javier Cadens Ballarin. Владелец: Mat Product and Technology SL. Дата публикации: 2024-01-11.

Self-centered inlay and core layer for information carrying card, process and resulting products

Номер патента: CA2995928A1. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

System and method for production of construction materials in form of dry mixtures with improved technical properties

Номер патента: RU2730186C1. Автор: Бинод Кумар БАВРИ. Владелец: Сародж Ваниджья Прайвет Лимитед. Дата публикации: 2020-08-19.

Self-centered inlay and core layer for information carrying card, process and resulting products

Номер патента: CA2995928C. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2021-07-06.

Multifunctional device for deep-sea monitoring of the underwater environment and underwater technical works

Номер патента: RU2760985C1. Автор: Андрей Владимирович Пультяков,Василий Геннадьевич Селезнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2021-12-02.

Device for sampling gypsum building materials in form of sheet objects and device for manufacturing gypsum building materials in form of sheet objects

Номер патента: RU2757288C2. Автор: Юити ХИРООКА,Такахиде ЯМАСАТО,Кенити ХАСИКУРА,Хироюки СОМЕНО. Владелец: Йосино Джипсум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-10-12.

System for depositing foodstuff material in the fluid state on a foodstuff product

Номер патента: EP4101308A2. Автор: Giovanni ARAGONE,Marco MOLLO,Romilbert GUASTALLI. Владелец: Soremartec SA. Дата публикации: 2022-12-14.

System for depositing foodstuff material in the fluid state on a foodstuff product

Номер патента: CA3161071A1. Автор: Giovanni ARAGONE,Marco MOLLO,Romilbert GUASTALLI. Владелец: Soremartec SA. Дата публикации: 2022-12-10.

Dynamic in-flight characterization of build material in a 3d printer and system and methods thereof

Номер патента: US20240173769A1. Автор: Varun Sambhy,Douglas K. Herrmann,Jason M. LeFevre,Seemit Praharaj. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Traversal based mixture of moist granular material in a bulk store

Номер патента: US20240286827A1. Автор: Chad E. Johnson,Benjamin H. Johnson,Zane ZENTS. Владелец: Grain Weevil Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Quality management by validating a bill of materials in event-based product manufacturing

Номер патента: EP1468379A1. Автор: Jeffrey Dean Lindsay,Charles Earl Markham,Douglas Gordon Barron Barber,John Harland Hise,Sheryl Annette Ihde,Kurt Sigurd Nygaard,Michael Roy Pokorny,Walter Caswell Reade,Gregory Duncan Shaffer,Roger Dale Yosten,Amy Hancock Boyd,Scott Jeffrey Park,Jamie Scott Mork,Gary Lee Goggans,Jolene Marie Meissner,John L. Reynders. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

Motion planning of a robot for various environments and tasks and improved operation of same

Номер патента: US12083682B2. Автор: Peter Howard,Sean Murray,Daniel Sorin,William FLOYD-JONES,George KONIDARIS,Xianchao Long. Владелец: Realtime Robotics Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System for depositing foodstuff material in the fluid state on a foodstuff product

Номер патента: US12035741B2. Автор: Giovanni ARAGONE,Marco MOLLO,Romilbert GUASTALLI. Владелец: Soremartec SA. Дата публикации: 2024-07-16.

Mapping piled granular material in a bulk store

Номер патента: US20230068940A1. Автор: Chad E. Johnson,Benjamin H. Johnson,Zane ZENTS. Владелец: Grain Weevil Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Safe and simple device for detecting height of canned materials in concrete mixing station by tapping with cord and hammer

Номер патента: AU2021102639A4. Автор: Xin Zhang,Ziran Guo,Xiangping Zhang. Владелец: Building Installation Engineering Co Ltd of China Railway 18th Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Suction holder for fastening an optical device, method of picking up and holding an optical device, and method of replacing an air-permeable material in a system for picking up and holding an optical device

Номер патента: WO2024165133A1. Автор: Davide Colla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

System for and method of determining mixing state of material in liquid, method of forming system

Номер патента: WO2024186269A1. Автор: Zhimin Yuan,Chun Lian Ong,Shiming Ang. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-09-12.

Weapon for cartridges with a plurality of charges stored in a row in the chamber

Номер патента: DE663754C. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-08-12.

High-k dielectric films and methods of producing high-k dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: TWI467045B. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for the treatment of polymeric materials, in particular cellulosic, protein or polyvinyl alcohol materials, products for processing and resulting products

Номер патента: FR1291579A. Автор: . Владелец: Tootal Broadhurst Lee Co Ltd. Дата публикации: 1962-04-27.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20080044569A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Steve Poppe,Paul Deaten,Kenric Cho,Nyi Myo,Craig Metzner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20050271813A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Rahul Sharangapani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: US8613975B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2013-12-24.

Electronic gaming having game state lock and result preview

Номер патента: CA3053598A1. Автор: William Edward Griffiths,Brett David Calapp,Kasey Shannon Thompson. Владелец: Gg Software As. Дата публикации: 2021-01-22.

Electronic gaming having game state lock and result preview

Номер патента: US20210027581A1. Автор: William Edward Griffiths,Brett David Calapp,Kasey Shannon Thompson. Владелец: Gg Software As. Дата публикации: 2021-01-28.

Reusable structures containing isotopes for simulating radioactive contamination environments, and methods of formation

Номер патента: US20230083647A1. Автор: Nicholas R. Mann,Kevin P. Carney. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2023-03-16.

Automatic context adaptive enterprise search and result generation on behalf of a user

Номер патента: US20200167431A1. Автор: Geetha Adinarayan,Abhishek Mitra,Suranjana Samanta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Systems and methods for determining an event and resulting damage using crowdsourced data

Номер патента: US20240303748A1. Автор: Erik Skyten,Jody A. Thoele,Rick Lovings,Joann C. Yant,Joshua Sutter,Miguel A. Garcia-Peguero,Shawn R. Harbaugh,Tishauna Wilson. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and device for accessing shared character patterns, and resulting stored decompressible font structure

Номер патента: US5347266A. Автор: Joseph H. Bauman,Claude W. Nichols, III. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-09-13.

Method of determination of pollution of liquid and gas-fuel environments and device for its implementation

Номер патента: RU2668323C1. Автор: Игорь Васильевич Сафронов,Алексей Михайлович Цыганов,Юрий Иванович Кучеров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Вектор". Дата публикации: 2018-09-28.

Method of determining super-high-frequency parameters of material in a frequency band and a device for realizing said method

Номер патента: RU2688588C1. Автор: Максим Олегович Забежайлов,Виталий Петрович Крылов,Роман Александрович Чирков. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2019-05-21.

Method for creating model for comprehensive study of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2754630C1. Автор: Сергей Михайлович Кутепов,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-09-06.

Method for reduction of intensity of effect of spreading of material in vacuum chamber in tests of electric jet engines and system for its implementation

Номер патента: RU2688870C1. Автор: Валерий Васильевич Двирный,Евгений Николаевич Якимов,Александр Владимирович Никипелов,Руслан Сергеевич Симанов. Владелец: Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2019-05-22.

Method and device to determine type of material in cavity between inner metal wall and outer metal wall

Номер патента: RU2548300C2. Автор: Сергей Иванович Кривошеев,Евгений Львович СВЕЧНИКОВ,Андрей Александрович Белов,Григорий Петрович ЖАБКО. Владелец: Фмс Конгсберг Сабси Ас. Дата публикации: 2015-04-20.

A prognosis and early diagnosis method and system and choosing the best treatment based on data fusion and information analysis by artificial intelligence, with the ability to modify and improve information and results according to machine learning

Номер патента: WO2022130006A1. Автор: Soroush SARABI,Ameneh SHADLO,Ali SOLTANMORADI,Hanieh TAVASSOLI,Raya MOHSENIAN,Mahsa ZAMANI. Владелец: Mohsenian Raya. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for scheduling a reload of supply material in a printing system

Номер патента: US09798506B2. Автор: William E. P. P. Hoeward,Roel W. A. Van Bakel. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for reducing content of radioactive material in object containing radioactive material, to environmentally safe level and device therefor

Номер патента: RU2595260C2. Автор: Сигэто ХАЯФУДЗИ,Такэси КАМАЯ,Хироси ХАЯКАВА,Ясухиро ДЗИНБО,Канамэ МОГАМИ,Кэндзи ТАКЭСИТА,Масанори АРИТОМИ,Кунио ЁСИКАВА,Сабуро КИКУТИ,Акио ИСИДО. Владелец: Рэдвейст Энд Дикоммишнинг Сентер. Дата публикации: 2016-08-27.

Device for infrared thermography of polymer composite materials in a constant magnetic field environment

Номер патента: RU2763987C1. Автор: Владимир Александрович Зорин,Наталья Ивановна Баурова,Екатерина Александровна КОСЕНКО. Владелец: Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ). Дата публикации: 2022-01-12.

Method of measuring specific resistance of materials in ultrahigh frequency band and device for its implementation

Номер патента: RU2688579C1. Автор: Максим Олегович Забежайлов,Виталий Петрович Крылов,Николай Сергеевич Титов,Роман Александрович Чирков,Роман Александрович Миронов,Игорь Евгеньевич Суханов. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2019-05-21.

Base fluids that are harmless to environment, and methods for their preparation and use

Номер патента: RU2503704C2. Автор: Фрэнк ЗАМОРА,Олусган Мэттью ФАЛАНА,Эдвард МАРШАЛЛ,Саркис Ранка КАКАДЖИАН. Владелец: КЛИАРВОТЕР ИНТЕРНЭШНЛ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-01-10.

Method to measure weight concentration of clay material in sample of porous material

Номер патента: RU2507501C1. Автор: Валерий Васильевич Шако,Евгений Михайлович Чувилин,Дмитрий Николаевич Михайлов,Виктория Валерьевна Крупская. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2014-02-20.

Control method for redundancy of on-board integrated computer environment and the device for its implementation

Номер патента: RU2647339C2. Автор: Александр Владимирович Воробьев,Владимир Александрович Шурман,Валентин Николаевич Буков,Юрий Евгеньевич Шейнин,Александр Владимирович Евгенов,Андрей Михайлович Бронников,Илья Васильевич Боблак. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Авиационного оборудования". Дата публикации: 2018-03-15.

Processing method for improving corrosion resistance of iron and steel materials in lead or lead-bismuth

Номер патента: US20230282377A1. Автор: WEI Yan,Di Yun,Jie Qiu,Wenbo Liu,Yanfen Li,Long Gu,Yuwen Xu,Shaoqiang Guo,Cunfeng Yao. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for handling and checking products in general or raw material in blocks or slabs

Номер патента: EP3803290A1. Автор: Bilance S.R.L. Antolini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for handling and checking products in general or raw material in blocks or slabs

Номер патента: WO2019234645A1. Автор: Mario Antolini. Владелец: Antolini Bilance S.R.L.. Дата публикации: 2019-12-12.

Systems for assessing germicidal risks for environments and generating protection plans for sanitization

Номер патента: WO2023141304A3. Автор: Omer Rosenbaum,Curtis BARBRE,Megan Groves. Владелец: Population Lights, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Simulation equipment for hot and humid marine environment and radiation intensity prediction method thereof

Номер патента: US20240219290A1. Автор: Jun Wang,Chuan Chen,Ganxin JIE,Tianyi Lu,Shouhe WANG. Владелец: China National Electric Apparatus Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for adjusting the amount of marking material in a printed image

Номер патента: WO2012045624A1. Автор: Jantinus Woering. Владелец: OCE-TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2012-04-12.

Virtual matter platform for use in large scale virtual environments and economic platform for use therewith

Номер патента: US20240202488A1. Автор: Frederick GERTZ,Warrick Buchanan. Владелец: Spacebrainz Private Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for improving the withstanding capability of the cladding material in the fast neutron irradiation environment

Номер патента: US20230335304A1. Автор: Di Yun,Wenbo Liu,Zhaohao Wang,Chunyang WEN,Jianqiang Shan,Tiantian Shi,Linna Feng. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for adjusting the amount of marking material in a printed image

Номер патента: EP2625650A1. Автор: Jantinus Woering. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-08-14.

System and method for enhanced training using a virtual reality environment and bio-signal data

Номер патента: US20190033914A1. Автор: Christopher Allen AIMONE,Ariel Stephanie GARTEN,Kapil Jay Mishra VIDYARTHI,Paul Harrison BARANOWSKI,Michael Apollo CHABIOR,Raul Rajiv RUPSINGH,Madeline ASHBY,Paul V. TADICH,Trevor CE COLEMAN,Locillo (Lou) Giuseppe Pino. Владелец: Interaxon Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of and device for the quantitative detection of material in a sample

Номер патента: US5861629A. Автор: Helmut Hackfort,Georg Hinzen. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 1999-01-19.

Method and apparatus for determining properties of hygroscopic material in real-time during modification

Номер патента: ZA202308715B. Автор: Timo Pasanen,Pekka Ritvanen,Jyrki LEHTINEN,Kari SÄYNEVIRTA,Kari Tervo. Владелец: Avant Wood Oy. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus for controlling the flow of developer material in a development station

Номер патента: US5319420A. Автор: Richard S. Fox,Frederick J. Case. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-06-07.

Computation of optimal inventory targets in bill-of-materials in a multi-echelon supply chain

Номер патента: US10853745B2. Автор: Chandrashekar Srikantiah Konanur,Ganesh Muthusamy,Probal Bardhan,Ardyanto Iskandar Alam. Владелец: Blue Yonder Group Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Computation of optimal inventory targets in bill-of-materials in a multi-echelon supply chain

Номер патента: US10579946B2. Автор: Chandrashekar Srikantiah Konanur,Ganesh Muthusamy,Probal Bardhan,Ardyanto Iskandar Alam. Владелец: JDA Software Group Inc. Дата публикации: 2020-03-03.

Device and method for determining a concentration of a material in a measurement volume

Номер патента: US20240295492A1. Автор: Andreas Pein,Gerald Steiner,Mario Schaller. Владелец: AVL List GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Use of cyclic azaboronates as sensitive materials in sensors for detecting the presence of peroxides in a gaseous environment

Номер патента: US9194853B2. Автор: Pierre Montmeat,Eric Pasquinet,Thomas Caron,Francoise Serein-Spirau,Myriam Bouhadid. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-11-24.

Systems, devices, and methods for assessing germicidal risks for environments and generating environmental protection plans for sanitizing the environments

Номер патента: WO2023141304A2. Автор: Omer Rosenbaum,Curtis BARBRE,Megan Groves. Владелец: Population Lights, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Integrated system of physical consumption environment and network consumption environment and control method thereof

Номер патента: US11756085B2. Автор: Yu-Hsin Lin,Chih-Chia Chang,Hsin-Yi Chen,Sen-Yih Chou,Yu-Ying Lan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of evaluating high fatigue strength material in high tensile strength steel and creation of high fatigue strength material

Номер патента: US20020033053A1. Автор: Takayuki Abe,Yuji Kimura,Kaneaki Tsuzaki,Saburo Matsuoka,Kensuke Miyahara,Etsuo Takeuchi,Hisashi Hirukawa,Tatsuaki Sawai. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2002-03-21.

Electronic device comprising plurality of execution environments and operating method thereof

Номер патента: US20240320666A1. Автор: Juyoung Kim,Sungjin Park,Youna LEE,Seongmin Je,Minkyung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for calculating the mass of material in an excavating machine bucket

Номер патента: AU2024201420A1. Автор: Charles CONSTANÇON,Ali Yaghini. Владелец: Hummingbird Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

System and technique for detecting foreign material in meat

Номер патента: WO2003046548B1. Автор: Timothy Stewart,Leonard J Bond,Albert Mendoza,Aaron A Diaz,Richard A Pappas. Владелец: Richard A Pappas. Дата публикации: 2004-03-18.

Method and system for calculating the mass of material in an excavating machine bucket

Номер патента: US20240302201A1. Автор: Charles CONSTANÇON,Ali Yaghini. Владелец: Hummingbird Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Molecular sensor exhibiting on-off triple-conversion response to alkaline environment and application thereof

Номер патента: LU503817B1. Автор: Yuting Chen,Chunhui Li,Xiaoqian WANG. Владелец: Univ Dezhou. Дата публикации: 2024-08-19.

Monitoring And Assessment Of Built Environment And Demographic Information By Quantifying Exposure Of Population, Assets, And Infrastructure To Hazards

Номер патента: US20210019675A1. Автор: Douglas B. Bausch,Juliana Lo. Владелец: UNIVERSITY OF HAWAII. Дата публикации: 2021-01-21.

System for monitoring environment and monitoring method based on system for monitoring environment

Номер патента: US12117376B2. Автор: Yunxiao DING,Xubao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Reliability test apparatus coupling electromagnetic environment and stress environment

Номер патента: EP4455692A1. Автор: Jie Liu,Bo Wu,Weiling LI,Hongtao Ning,Chenghuan PANG,Shuting Wang,Haibo SHAO. Владелец: National Industrial Innovation Center Of Polymer Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Computation of optimal inventory targets in bill-of-materials in a multi-echelon supply chain

Номер патента: US09978026B1. Автор: Chandrashekar Srikantiah Konanur,Ganesh Muthusamy,Probal Bardhan,Ardyanto Iskandar Alam. Владелец: JDA Software Group Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Systems, environment and methods for identification and analysis of recurring transitory physiological states and events using a portable data collection device

Номер патента: US09936916B2. Автор: Nedim T. SAHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Policy-based orchestration method in exascale class cloud storage environment and storage system using the same

Номер патента: US09864520B2. Автор: Chang Won Park,Young Hwan Kim,Jae Hoon An. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2018-01-09.

Systems and methods for processing data involving aspects of brain computer interface (bci), virtual environment and/or other features associated with activity and/or state of a user's mind, brain and/or other interactions with the environment

Номер патента: WO2024192445A1. Автор: Alam Ekram,Jack BABER,Francesca Bianco,Suyi Zhang,Lisa KIRCHBERGER,Lucia LOPEZ,Nikola LAZAROV. Владелец: Mindportal Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Workflow authoring environment and runtime

Номер патента: US09589253B2. Автор: Douglas A. Eby,Steve Andrew De George. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and system for sorting data in a cloud-computing environment and other distributed computing environments

Номер патента: US09582529B2. Автор: Jeremy Bruestle. Владелец: Spiral Genetics Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Detecting hazardous materials in containers utilizing nuclear magnetic resonance based measurements

Номер патента: US09575019B2. Автор: Pablo J. Prado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and apparatus for analyzing the concentration of materials in suspension

Номер патента: US09574993B2. Автор: Mikio Sugioka. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of analyzing crystal structure, crystal morphology, or crystal distribution of rubber material in stretching

Номер патента: EP4455651A1. Автор: Daisuke Watanabe,Hiroshi Jinnai,Takehiro Kitaura,Tomohiro Miyata,Wakana Ito. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-30.

Method and arrangement for identifying a difference between a first 3D model of an environment and a second 3D model of the environment

Номер патента: US09489563B2. Автор: Leif Haglund,Johan Borg,Ingmar Andersson,Folke Isaksson. Владелец: Vricon Systems AB. Дата публикации: 2016-11-08.

Image forming apparatus changing target temperature of heating member or interval between preceding and subsequent recording material in accordance with ratio of toner image area in predetermined region to predetermined region area

Номер патента: US09442437B2. Автор: Masaki Hirose,Satoru Taniguchi,Hirohiko Aiba,Jun Asami,Takashi Honke. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

System of monitoring of fatigue of material in bending for steel ropes with action of corrosion and variable load on them

Номер патента: RU2649036C2. Автор: Чжэньцай ЧЖУ,Юйсин ПЭН,Даган ВАН,Хунтао Лю,Шижун ГЭ,Сяову ЛИ,Линьлинь ВАН,Декунь ЧЖАН,Сяньбяо МАО,Цинлян ВАН,Юн ЛО. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method to measure weight concentration of clay material in sample of porous material

Номер патента: RU2507500C1. Автор: Валерий Васильевич Шако,Евгений Михайлович Чувилин,Дмитрий Николаевич Михайлов,Татьяна Александровна Буйда. Владелец: Шлюмберже Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2014-02-20.

Electronic apparatus capable of applying the design of a UI component based on the device's usage environment and the operating method thereof

Номер патента: US12001820B2. Автор: Jeongbeom PARK,Woo Cheol LEE,Songi PARK,Jea Il KIM. Владелец: TOBESOFT CO Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for the identification of materials in a container

Номер патента: EP2435819A1. Автор: Gary Gibson,Ian Radley,David Edward Joyce,Martin Senior. Владелец: Kromek Ltd. Дата публикации: 2012-04-04.

Detecting untraversable environment and preventing damage by a vehicle

Номер патента: WO2023014905A3. Автор: Lee Kamp Redden,James Patrick Ostrowski,Kent Michael Anderson,Divya SHARMA,Benjamin Ray Chostner,Bryon William Majusiak,Tyler Calvin NIDAY. Владелец: Blue River Technology Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

Systems and methods for managing material balance between incoming and outgoing streams of a material in an industrial system

Номер патента: US11829123B2. Автор: Vyacheslav Libman,Boris Eliosov,Alexander Kondratov. Владелец: Ftd Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Systems and methods for managing material balance between incoming and outgoing streams of a material in an industrial system

Номер патента: US20230205188A1. Автор: Vyacheslav Libman,Boris Eliosov,Alexander Kondratov. Владелец: Ftd Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Vorrichtung zum Sammeln von ferromagnetischem Material in der Werkstatt für das Kathodenmaterial von Lithiumbatterien

Номер патента: DE112023000127T5. Автор: Lei Chen,Mingge Zhang,Zhihao Liang,Chang Dong Li. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Apparatus for acoustically improving an environment and related method

Номер патента: WO2001037256A1. Автор: Michael Kieslinger,Andreas Raptopoulos. Владелец: Royal College of Art. Дата публикации: 2001-05-25.

Method of determining soy material in foods

Номер патента: US4026666A. Автор: Leo G. Holmes. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1977-05-31.

Electronic apparatus capable of applying the design of a ui component based on the device's usage environment and the operating method thereof

Номер патента: US20240118874A1. Автор: Jeongbeom PARK,Woo Cheol LEE,Songi PARK,Jea Il KIM. Владелец: TOBESOFT CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for managing material balance between incoming and outgoing streams of a material in an industrial system

Номер патента: WO2023129808A3. Автор: Vyacheslav Libman,Boris Eliosov,Alexander Kondratov. Владелец: FTD Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Optical sensor device for detecting foreign material in an elongate textile body

Номер патента: EP3748343A1. Автор: Stefan Knechtle,Amir Khiar. Владелец: Loepfe AG Gebrueder. Дата публикации: 2020-12-09.

An apparatus for adapting virtual environments, and a method thereof

Номер патента: GB2626319A. Автор: Cerrato Maurizio,Armstrong Calum,Green Lawrence,Maw Ross,Barcias Jesus. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Reducing file transfer between cloud environment and infusion pumps

Номер патента: US12040068B2. Автор: Ben Xavier,Dennis Krabbe,Larry Enger,Chaitanya Deosthale,Anthony Isensee. Владелец: ICU Medical Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System, method, and computer program product for simulating at least one of a virtual environment and a debugging environment to prevent unwanted code from executing

Номер патента: US20130275945A1. Автор: Lokesh Kumar,Kevin Andrew Gudgion,Dirk Kollberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Computing device for attention-based joint training with noise suppression model for sound event detection technology robust against noise environment and method of thereof

Номер патента: US20230186940A1. Автор: Jin Young Son,Joon-Hyuk Chang. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems and methods for managing material balance between incoming and outgoing streams of a material in an industrial system

Номер патента: WO2023129808A2. Автор: Vyacheslav Libman,Boris Eliosov,Alexander Kondratov. Владелец: FTD Solutions Inc.. Дата публикации: 2023-07-06.

System for providing software development environment, method for providing software development environment, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220004368A1. Автор: Koh ABE. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for Selecting a Field Device for Ascertaining at Least One Process Parameter of a Measured Material in Process and Automation Technology

Номер патента: US20160025527A1. Автор: Ulrich Kaiser,Roland Müller,Joachim Neuhaus,Harald Freimark,Juerg Wyss. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2016-01-28.

Mapping piled granular material in a bulk store

Номер патента: CA3237884A1. Автор: Chad E. Johnson,Benjamin H. Johnson,Zane ZENTS. Владелец: Grain Weevil Corp. Дата публикации: 2023-05-19.

Spectroscopic solution for non-destructive quantification of one or more chemical substances in a matrix comprising coating and bulk material in a sample, such as coated seeds, using multivariate data analysis

Номер патента: CA3242421A1. Автор: Marcus Brand,Andreas IDE,Danila Monte CONCEICAO. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and apparatus for evaluation of a status of a material in metallurgical vessels

Номер патента: US12061155B2. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and apparatus for adaptive coordinated distribution of materials in railway maintenance and other applications

Номер патента: US20070010907A1. Автор: Trevor Crozier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for obtaining the velocity field when restarting the flow of complex materials in a transient regime

Номер патента: US20240127461A1. Автор: Marcia Cristina Khalil De Oliveira,Guilherme Dos Santos Vieira Lima,Angel De Jesus Rivera Jimenez,Cezar Otaviano RIBEIRO NEGRAO,Admilson Teixeira Franco,Yamid José García Blanco,Eduardo Matos Germer. Владелец: Universidade Tecnológica Federal Do Paraná. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method for evaluating a status of a material in metallurgical vessels

Номер патента: US12085384B2. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Mapping piled granular material in a bulk store

Номер патента: EP4430458A1. Автор: Chad E. Johnson,Benjamin H. Johnson,Zane ZENTS. Владелец: Grain Weevil Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

System for measuring dry bulk material in container

Номер патента: EP4225651A1. Автор: George R. Eakin. Владелец: Osborne Industries Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Transitioning into a vr environment and warning hmd users of real-world physical obstacles

Номер патента: US20200225495A1. Автор: Michael Thomas,Thomas SALTER,Kenneth Liam KIEMELE,Christian Michael Sadak,Charles W. LAPP, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and apparatus for measuring an amount of superparamagnetic material in an object

Номер патента: EP2923216A1. Автор: Hendrikus Johannes Gradus Krooshoop,Sebastiaan Waanders,Martijn Visscher,Tasio Olmo Borendissi Oderkerk,Bernard Haken. Владелец: Twente Universiteit. Дата публикации: 2015-09-30.

System for measuring dry bulk material in container

Номер патента: CA3194459A1. Автор: George R. Eakin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Transitioning into a vr environment and warning hmd users of real-world physical obstacles

Номер патента: EP3662350A1. Автор: Michael Thomas,Thomas SALTER,Kenneth Liam KIEMELE,Christian Michael Sadak,Charles W. LAPP, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-06-10.

System for testing fatigue performance of material in low-temperature liquid hydrogen environment

Номер патента: US20240295477A1. Автор: Ji Wang,Liqiang Liu,Jianping Tan,Runzi Wang,Xiancheng Zhang,Shantung Tu,Junmiao SHI,Binhan SUN. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for verifying a temperature measurement in a micro-environment and system for verifying a temperature measurement in a micro-environment

Номер патента: US09976917B2. Автор: Hansueli MEYER,Dirk LEBER,Stephan Baehler. Владелец: Qiagen Instruments AG. Дата публикации: 2018-05-22.

System and method for integrating a simulated reality training environment and an augmented reality environment

Номер патента: US20240371292A1. Автор: Robert E. De Mers,Ramesh Babu Koniki,Justin Schassler,Luke ROBERTSON,Robert Pickell,Raj POOJARA,Christian SALAZAR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Devices, systems, and methods for targeted plating of materials in high-throughput culture plates

Номер патента: US09885012B2. Автор: Swaminathan Rajaraman,Robert Dixon Grier, JR.,Anthony Michael Nicolini,Colin Michael Arrowood. Владелец: Axion Biosystems Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for non-invasively measuring physical properties of materials in a conduit

Номер патента: US09816848B2. Автор: Alexander M. Raykhman,Francis M. Lubrano. Владелец: Ultimo Measurement LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

System, method, and computer program product for simulating at least one of a virtual environment and a debugging environment to prevent unwanted code from executing

Номер патента: US09804948B2. Автор: Kevin Andrew Gudgion,Dirk Kolberg,LUKESH Kumar. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for haptics in vibrating environments and devices

Номер патента: US09625991B2. Автор: Vincent Levesque,Amaya Weddle. Владелец: Immersion Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Controlling the temperature of uranium material in a uranium enrichment facility

Номер патента: US09589687B2. Автор: Ferdinand Rose,Sebastian Olma. Владелец: URENCO Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of use of particulate materials in conjunction with braze alloys and resulting structures

Номер патента: EP2430280A2. Автор: Redd H. Smith. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for processing fibers, installation for processing fibers and resulting tape formed from processed fibers

Номер патента: RU2747940C2. Автор: Мануэль ТОРРЕС МАРТИНЕС. Владелец: Мануэль ТОРРЕС МАРТИНЕС. Дата публикации: 2021-05-17.

Methods for fastening of thread ends and resulting devices

Номер патента: RU2454205C2. Автор: Джеффри ШЕЛДОН,Ричард БУТ,Кен БЬЮК. Владелец: Айдев Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for manufacturing filtering membranes by additive technique and resulting membranes

Номер патента: RU2663768C2. Автор: Жером АНКЕТИЙ,Филип ЛЕКОШ. Владелец: Текноложи Авансе Э Мембран Эндюстриэль. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for providing laminate with hook and loop fastening volume and resulting laminate

Номер патента: RU2684092C2. Автор: Натали МУАНАР,Тьерри МАРШ. Владелец: Апликс. Дата публикации: 2019-04-03.

Polyolefin-based formulations, adhesives and resulting multilayer structures

Номер патента: RU2667448C1. Автор: Магед Дж. БОТРОС. Владелец: Эквистар Кемикалз, Лп. Дата публикации: 2018-09-19.

Method of face mill generation of spiral bevel gears with integral central structure and resulting product

Номер патента: CA1199208A. Автор: Robert B. Bossler, Jr.. Владелец: Western Gear Corp. Дата публикации: 1986-01-14.

Materials for and method for manufacturing packaging and resulting packaging

Номер патента: CA2665989C. Автор: Troy Little. Владелец: York Container Co. Дата публикации: 2013-07-09.

Materials for and method for manufacturing container and resulting container

Номер патента: CA2667162C. Автор: Troy Little. Владелец: York Container Co. Дата публикации: 2013-07-16.

Materials for and method for manufacturing container with end supports and resulting container

Номер патента: US20100120594A1. Автор: Troy Little. Владелец: York Container Co. Дата публикации: 2010-05-13.

Compositions and methods for providing coatings; materials; application techniques; and, resulting coated substrates

Номер патента: US09975132B2. Автор: Frank Wickert,Ted Edward Dezurik. Владелец: Factor2 LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing a nut by the progressive press forging of a laminar metal sheet and resulting nut

Номер патента: US09689420B2. Автор: Raúl ORTEGA DOÑA. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Compositions and methods for providing coatings; materials; application techniques; and, resulting coated substrates

Номер патента: US09480998B2. Автор: Frank Wickert,Ted Edward Dezurik. Владелец: Nuton LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Process for preparing polycrystalline cbn ceramic masses and resulting product

Номер патента: CA1326949C. Автор: Francis Raymond Corrigan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-02-15.

Method of applying non-slip coating to tools and resulting product

Номер патента: CA1298978C. Автор: Jerry Zucker. Владелец: Remgrit Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Method of forming a flexible mold and resulting article

Номер патента: CA2310837C. Автор: Arthur A. Corry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-14.

Method of separation of bulk mixture in a flow environment and device for its implementation

Номер патента: RU2676789C1. Автор: Владимир Степанович Сухин,Ирина Владимировна Чернобай,Геннадий Тамазиевич Каличава. Владелец: Геннадий Тамазиевич Каличава. Дата публикации: 2019-01-11.

Cover of furnace for intake of melt material, in particular, metal, and furnace for intake of melt material

Номер патента: RU2438083C2. Автор: Вольфганг ВАССЕРБАУЭР,Хансйорг ХУБЕР,Карло ХАЙНЕМАНН,Йоханнес РОСНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-12-27.

Method for reducing content of fine material in fgd plaster

Номер патента: RU2592593C2. Автор: Михаэль КРАМЕР,Андреас ГРУБЕР-ВАЛТЛЬ. Владелец: Андриц Аг. Дата публикации: 2016-07-27.

Method and device for processing material in pneumatic system for processing and transportation of materials

Номер патента: RU2587044C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Method and device for treatment of material in pneumatic system of treatment and transportation of materials

Номер патента: RU2549285C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2015-04-27.

Method for grinding materials in a centrifugal planetary mill

Номер патента: RU2760394C1. Автор: Владимир Зиновьевич Зверовщиков,Александр Евгеньевич Зверовщиков,Максим Игоревич Артемьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Пензенский государственный университет» (ФГБОУ ВО «Пензенский государственный университет»). Дата публикации: 2021-11-24.

Method of laser processing materials in liquid medium

Номер патента: RU2692153C1. Автор: Андрей Анатольевич Перцев,Константин Александрович Щербаков,Михаил Владимирович Конюхов. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2019-06-21.

Method of producing material in form of particles based on urea, containing elemental sulfur

Номер патента: RU2735097C2. Автор: Франсуа ЛЕДУ,Филип КОЛПАЭР. Владелец: Яра Интернейшенл Аса. Дата публикации: 2020-10-28.

Device for dispensing forming material in generative manufacturing method

Номер патента: RU2717802C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ,Андреас БАУМАНН,Андре ДАНЦИГ,Райнер ЗАЛЬЦБЕРГЕР,Герд КАНТЦЛЕР,Роберт ЙЕЛИН. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2020-03-25.

Method for controlling process of grinding material in ball reel mill

Номер патента: RU2770689C1. Автор: Сергей Иванович Ханин,Ольга Сергеевна Мордовская,Алексей Станиславович Ханзаров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2022-04-21.

Materials for and method for manufacturing container and resulting container

Номер патента: CA2667162A1. Автор: Troy Little. Владелец: York Container Co. Дата публикации: 2009-12-06.

Method for air classification of powder, granular, lump materials in a fluidized bed and device for its implementation

Номер патента: RU2737946C1. Автор: Александр Борисович Липилин. Владелец: Александр Борисович Липилин. Дата публикации: 2020-12-07.

Method and device for manipulation of material in the pneumatic system of manipulation with materials

Номер патента: RU2628495C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2017-08-17.

Process of reducing blowing cycle for blow molded containers and resultant container

Номер патента: CA1139685A. Автор: Wayne N. Collette,Suppayan M. Krishnakumar,Gautam K. Mahajan. Владелец: Continental Group Inc. Дата публикации: 1983-01-18.

Systems and methods of applying materials in conjugation area

Номер патента: RU2710185C2. Автор: Мартин Ханна ГИРГИС,Джейк Б. ВЕЙНМАНН,Рауль ТОМУТА,IV Джон В. ПРИНГЛ,Анжелика ДАВАНЧЕНС,Фредерик Брайан ФРОНТЬЕРА. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-12-24.

Method and device for treatment of material in pneumatic system of treatment and transportation of materials

Номер патента: RU2643039C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of and device for fixing rates of power material in transport main line

Номер патента: RU2245832C2. Автор: Ю.В. Дикун. Владелец: ОАО "Инвестиционная компания социальной защиты и развития малочисленных народов Севера "Титул". Дата публикации: 2005-02-10.

Method and apparatus for handling material in a pneumatic materials handling system

Номер патента: US09434542B2. Автор: Goran Sundholm. Владелец: MARICAP OY. Дата публикации: 2016-09-06.

Container intended for receiving and storage of biological material, in particular, dna

Номер патента: RU2507003C2. Автор: Софи ТЮФФЕ,СУЗА Давид Жорж ДЕ. Владелец: Имажен. Дата публикации: 2014-02-20.

Method and device for processing of material in pneumatic transfer pipeline system

Номер патента: RU2560855C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2015-08-20.

Method and device for processing material in pneumatic system for processing and transportation of materials

Номер патента: RU2585047C2. Автор: Геран СУНДХОЛЬМ. Владелец: Марикап Ой. Дата публикации: 2016-05-27.

Method of making articles from liquid current-conducting material in a 3d printer

Номер патента: RU2706270C1. Автор: Александр Александрович Шарц,Аркадий Михайлович Мандель,Вадим Борисович Ошурко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2019-11-15.

Method and device for specific action on technological properties of separate areas of sheet material, pre-compacted material in form of non-woven fabric or material in form of fibrous mass

Номер патента: RU2586145C2. Автор: Норберт КАЛЬВА,Герхард ШТАЛЬ. Владелец: Чефла Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2016-06-10.

Method and device for sealing material in packing container

Номер патента: RU2456219C2. Автор: Зигфрид ШМИДТ,Йоханнес П. ШЛЕБУШ. Владелец: МАРС ИНКОРПОРЕЙТЕД. Дата публикации: 2012-07-20.

Device for contacting solid material in form of loose particles

Номер патента: RU2153929C2. Автор: Герт АЛЬБЕРТ. Владелец: Рве-Деа Акциенгезельшафт фюр Минеральель унд Хеми. Дата публикации: 2000-08-10.

Package for loose materials, in particular, bag of synthetic film

Номер патента: RU2409506C2. Автор: Михель КРЕЙМБОРГ,Улла ХЕКМАНН. Владелец: Нордфолиен Гмбх. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for liquid-phase synthesis of a nanostructured ceramic material in a ceo2 - sm2o3 system for producing an electrolyte of a solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2741920C1. Автор: Марина Владимировна Калинина,Ольга Алексеевна Шилова,Надежда Юрьевна Федоренко,Дарья Андреевна Дюскина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2021-01-29.

Method of creating on sheet material in thin layer of image disappearing and shimmering with rainbow colours and sheet material for implementation thereof

Номер патента: RU2718730C1. Автор: Сергей Николаевич Максимовский. Владелец: Сергей Николаевич Максимовский. Дата публикации: 2020-04-14.

Screw press for compacting fibrous material, in particular, sugar beet pulp

Номер патента: RU2351475C2. Автор: Лионелло Морандо БАББИНИ. Владелец: Нью Прессинг Текнолоджи Ди Баббини Мариа Тереза И Си. С.Р.Л.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method and device for continuous preparation of colourful materials in form of powder for manufacturing ceramic products

Номер патента: RU2375329C2. Автор: Паоло ГОННИ,Джан Пьеро ГРАЦИАНИ. Владелец: Сакми Кооператива Мекканичи Имола Сосиета `Кооператива. Дата публикации: 2009-12-10.

Hydroconversion method of heavy raw material in fluidised bed with addition of raw material above reactor

Номер патента: RU2469071C2. Автор: Тьерри ГОТЬЕ,Ян ВЕРСТРАТЕ,Симон МАЖЕ. Владелец: Ифп. Дата публикации: 2012-12-10.

Thio-containing compounds for removing elements from contaminated environment and methods for use thereof

Номер патента: RU2528396C2. Автор: Бойд Е. ХЭЙЛИ,Дэвид А. ЭТВУД. Владелец: Юниверсити Оф Кентукки Рисёч Фаундейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of producing wood laminar materials in using fast-curing glues at ambient temperature

Номер патента: RU2413614C2. Автор: Кристофер Рид,Грегори Ф. НИЕКАРЦ,Цзун ЧЖЕНГ,Эрл ПЕЙТОН. Владелец: Хексион Спешелти Кемикалс, Инк.. Дата публикации: 2011-03-10.

Isolation device for use with penetrating device in high pressure environment, system for dielectric isolation between penetrating device and pressure vessels in high pressure environment and installation method for isolation device between penetrating device and pressure vessels

Номер патента: RU2684698C2. Автор: Томас Стивен ФОРД. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-04-11.

Compact cnc production center equipped with heated cutting blades for processing foamed and pressure molding materials, in particular for processing panels for insulating concrete formwork icf

Номер патента: RU2670823C2. Автор: Микеле КАБОНИ. Владелец: Микеле КАБОНИ. Дата публикации: 2018-10-25.

Device to transfer material in form of film applied to tape onto backing

Номер патента: RU2204524C2. Автор: Христоф МАНУШ,Вульф ХЕРМАНСЕН,Вольфганг БАУЭРЗАХС,Хартмут РУДОЛЬФ. Владелец: Притт Продукционсгезельшафт МБХ. Дата публикации: 2003-05-20.

Method and a device for manufacturing a part starting from a cushion made of deformable material, in particular for an edge of an element of an aircraft

Номер патента: US12011754B2. Автор: Cesar GARNIER. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2024-06-18.

Tuft matter as construction material, in particular for building industry, the manner of producing thereof and the machine for production thereof

Номер патента: EP2941337A2. Автор: Juraj PLESNÍK,Jozef ZLÁMALA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-11.

Preheating of material in an additive manufacturing apparatus

Номер патента: EP3554794A2. Автор: Marius VERMEULEN,Dieter Rainer PREUSSLER. Владелец: Aerosud Innovation Centre Pty Ltd. Дата публикации: 2019-10-23.

Method and device for crushing and discharging granular clump material in flexible container

Номер патента: US20160167819A1. Автор: Yuuki Nakai. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Decarbonation process of carbonated materials in a multi-shaft vertical kiln

Номер патента: US20240254043A1. Автор: Etienne Thibeaumont,Alex AUBERT,Pierre-Olivier CAMBIER,Charles ROBIN. Владелец: Tecforlime. Дата публикации: 2024-08-01.

Continuous cutting apparatus for cutting a material, in particular a paper material, which is fed in form of sheet or roll

Номер патента: EP2928651A1. Автор: Giorgio Ghelfi. Владелец: GHELFI 1905 Srl. Дата публикации: 2015-10-14.

Die for deforming material in a joining tool, joining tool and method for identifying and/or detecting the condition of a die

Номер патента: US20230256501A1. Автор: Dirk MÜLLER,David HISSERICH,Andreas Tripp,Michael Blöcher. Владелец: NEWFREY LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for preparing reactive layered material in graphite form

Номер патента: US20060049033A1. Автор: Yoshiyuki Miyamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of obtaining liquid agent and method for biodegradation of thermoplastic polymeric materials in compost

Номер патента: WO2024167426A1. Автор: Krzysztof Bajer,Katarzyn JANCZAK,Alicja MAZURYK,Daria LISEWSKA,Sebastian KOSSAKOWSKI,Adam UPTAS. Владелец: Green Tree Group Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2024-08-15.

Feeder apparatus for feeding a sheet of material in a sheet processing apparatus, and sheet processing apparatus incorporating such feeder apparatus

Номер патента: WO2014114568A1. Автор: James Anthony Graham. Владелец: Crabtree Of Gateshead Limited. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of making articles from material in a plastic state

Номер патента: US3594462A. Автор: Berend Vrijma. Владелец: FABRIEK VAN BOUWMATERIALEN LOE. Дата публикации: 1971-07-20.

Device for automatically changing threadlike materials in a thread processing machine

Номер патента: EP1322539A1. Автор: Francois T'sas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-02.

Method for preparing reactive layered material in graphite form

Номер патента: US7632551B2. Автор: Yoshiyuki Miyamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for the additive manufacture of components, in which a component is produced by depositing at least one material in the form of droplets

Номер патента: US20240262032A1. Автор: Uwe Scheithauer,Steven Weingarten,Hajo Wiemer,Valentin Lang,Felix Glausch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for handling material in a pneumatic material conveying system

Номер патента: EP4429981A1. Автор: Goran Sundholm. Владелец: MARICAP OY. Дата публикации: 2024-09-18.

Storage of organic material in bogs to reduce CO2 in the atmosphere

Номер патента: FI20245947A1. Автор: Tom Jacobsen. Владелец: Jarala As. Дата публикации: 2024-08-02.

Apparatus exposable in byproduct carbonaceous material formation environment and associated method

Номер патента: WO2015088671A1. Автор: Hong Zhou,Nan Hao,Wenqing Peng,Zhaohui Yang,Lawrence Bernard Kool,Shizhong Wang,Yanfei Gu,Minghu Guo,Wusheng Xu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-06-18.

Use of carbonaceous carrier material in bed reactors

Номер патента: EP4412949A1. Автор: Andreas Bode,Grigorios Kolios,Frederik SCHEIFF,Laila Raquel PASIN E MATOS,David Schlereth,Johannes BODE,Michael Reitz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus exposable in byproduct carbonaceous material formation environment and associated method

Номер патента: EP3080210A1. Автор: Hong Zhou,Nan Hao,Wenqing Peng,Zhaohui Yang,Lawrence Bernard Kool,Shizhong Wang,Yanfei Gu,Minghu Guo,Wusheng Xu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-19.

Application of metal sulfide piezoelectric material in piezoelectric catalytic reduction of co2

Номер патента: US20240343669A1. Автор: Jianmei Lu,Najun Li. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-17.

A gas-liquid isolation system for a negative pressure suction cup in a liquid environment and its operational method

Номер патента: ZA202308203B. Автор: Li Yi,LI Hongwei,Liu Youyu,Hu Guodong,TAO Wanbao. Владелец: Univ Anhui Polytechnic. Дата публикации: 2024-03-27.

Techniques for integrated preheating and coating of powder material in additive fabrication and related systems and methods

Номер патента: US20240286355A1. Автор: Steven Thomas,Christopher Auld,Eduardo Torrealba. Владелец: Formlabs Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Roller device for treating flat material, in particular for smoothing foils or plates, smoothing device, and method for producing flat material, in particular foils or plates

Номер патента: US09878478B2. Автор: Jörg NICKEL,Jurgen Flecke,Alexander Paulus,Andreas WEISTROFFER. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Nozzle for the supply of biological material, in particular cells, medical device with such a nozzle, use of a nozzle, method for mixing fluids and apparatus

Номер патента: US09878126B2. Автор: Klaus Fischer,Mara Szyrach,Andreas Fech,Markus Enderle. Владелец: Erbe Elecktromedizin GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Device for metering bulk material, in particular plastics granulate

Номер патента: US09650162B2. Автор: Joseph Corturillo,Erhardt Fux,Robbie J. Miller. Владелец: WITTMANN KUNSTSTOFFGERAETE GMBH. Дата публикации: 2017-05-16.

Process and tubular device for the controlled feeding of incoherent solid materials in differentiated pressure systems

Номер патента: US09617086B2. Автор: Otto Rusterholz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems and methods for interleaving material in printed rolled substrate materials to prevent offset

Номер патента: US20170341291A1. Автор: XIN YANG,Alexander J. Fioravanti,Steven Robert Moore. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of providing a chemical or biological material in quantised form and system therefor

Номер патента: US09422067B2. Автор: Chris Abell,Wilhelm T. S. Huck,Frank F. Craig. Владелец: SPHERE FLUIDICS Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Hydrothermal oxidation device for treating a material in a supercritical medium and implementation method

Номер патента: US09370677B2. Автор: Hubert-Alexandre Turc,Jean Christophe Ruiz,Frederic Charton. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-06-21.

Method and device for welding profiled elements made of a plastic material, in particular PVC

Номер патента: US09364994B2. Автор: Andrea Vaccari. Владелец: Graf Synergy SRL. Дата публикации: 2016-06-14.

Device for controlling flow of sprayed material in vehicles

Номер патента: RU2351479C2. Автор: Вернер БАРТЛИНГ. Владелец: Фэвеле Транспорт. Дата публикации: 2009-04-10.

Material in strip form with excellent corrosion resistance after high temperature soldering

Номер патента: RU2635052C2. Автор: Андерс ОСКАРССОН,Скотт ХАЛЛЕР,Бевис ХАТЧИНСОН. Владелец: Гренгес Свиден Аб. Дата публикации: 2017-11-08.

Facility for distributing material in furnace

Номер патента: RU2396358C2. Автор: Йоханн ВУРМ,Курт ВИДЕР,Харальд ШПРЕНГЕР,Джереми ФЛЕТЧЕР,Брайан КИББЛ,Йоханн ВУРМ (AT),Курт ВИДЕР (AT),Джереми ФЛЕТЧЕР (GB),Брайан КИББЛ (GB),Харальд ШПРЕНГЕР (AT). Владелец: Сименс Фаи Металз Текнолоджиз Лтд.. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of continuous receiving foam materials in pipes

Номер патента: RU2632689C9. Автор: Карстен ЭЛЛЕРЗИК,Кристоф Гризер-Шмитц. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of producing nanodispersed oxide materials in form of spherical aggregates

Номер патента: RU2610762C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Евгений Александрович Паукштис,Антон Сергеевич Бричков,Татьяна Викторовна Ларина,Владимир Васильевич Козик,Анастасия Нафисовна Шамсутдинова,Светлана Витальевна Черепанова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2017-02-15.

Apparatus for handling bulk material in tobacco processing industry, scraper for such apparatus and method of handling bulk material

Номер патента: RU2598997C2. Автор: Лешек СИКОРА,Бартош ЦЕСЛИКОВСКИ,Радослав ФИГАРСКИ,Томаш РЫБА. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2016-10-10.

Reactor for the hydrothermal oxidation treatment of an organic material in a reaction medium

Номер патента: US11986870B2. Автор: Jean-Christophe Ruiz,Hubert-Alexandre Turc,Antoine Leybros. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-21.

Saddle made of composite material, in particular for a bicycle, and method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2002012056A9. Автор: Riccardo Bigolin. Владелец: Riccardo Bigolin. Дата публикации: 2002-03-21.

Saddle made of composite material, in particular for a bicycle, and method for the manufacture thereof

Номер патента: AU2001272703A1. Автор: Riccardo Bigolin. Владелец: Selle Royal SpA. Дата публикации: 2002-02-18.

Device and method for pneumatically conveying bulk materials in a dense flow method

Номер патента: CA2738719A1. Автор: Patrik Ernst. Владелец: Rio Tinto Alcan International Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Device and method for pneumatically conveying bulk materials in a dense flow method

Номер патента: CA2575566A1. Автор: Patrik Ernst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Behandeln eines Behälters aus Faser umfassendem Material in einer Form

Номер патента: DE102022121467A1. Автор: Frank Winzinger,Matthias Wahl. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for the pyrolysis of raw materials, in particular raw materials deriving from tires or bitumen and pyrolysis equipment operating according to said method

Номер патента: EP3752581A1. Автор: Paolo Peri,Davide Russo,Christian SPREAFICO,Riccardo DELL' INNOCENTI. Владелец: Universita Degli Studi di Bergamo. Дата публикации: 2020-12-23.

Method for the pyrolysis of raw materials, in particular raw materials deriving from tires or bitumen and pyrolysis equipment operating according to said method

Номер патента: US20210102123A1. Автор: Paolo Peri,Davide Russo,Christian SPREAFICO,Riccardo Dell'Innocenti. Владелец: Universita Degli Studi di Bergamo. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for the pyrolysis of raw materials, in particular raw materials deriving from tires or bitumen and pyrolysis equipment operating according to said method

Номер патента: CA3091092A1. Автор: Paolo Peri,Davide Russo,Christian SPREAFICO,Riccardo DELL' INNOCENTI. Владелец: Universita Degli Studi di Bergamo. Дата публикации: 2019-08-22.

Vorrichtung und verfahren zum herstellen und behandeln eines behälters aus faser umfassendem material in einer form

Номер патента: EP4332299A2. Автор: Frank Winzinger,Matthias Wahl,Joerg Zacharias,Yvette Freese,Andreas HIPPEL. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for the preparation of lignocellulose materials in the presence of caprolactam and its oligomers

Номер патента: MY202501A. Автор: Christian Mueller,Stephan Weinkoetz,Jean-Pierre Berkan LINDNER,Sabrina KRONIG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-05-01.

Stability of refractory materials in high temperature steam

Номер патента: US11753717B2. Автор: Alan W. Weimer,Amanda HOSKINS,Charles Musgrove. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for Producing a Plastic Film from a Total Quantity of Raw Materials in a Film Extrusion Machine, and Computer Program Product for Carrying Out the Method

Номер патента: US20240246281A1. Автор: Torsten Schmitz,Martin Backmann,Markus Bussmann,Melanie Schuh,Wolfgang Hoffmann. Владелец: Windmoeller and Hoelscher KG. Дата публикации: 2024-07-25.

Levelling device for materials in powder or granule form

Номер патента: US11534938B2. Автор: Franco Gozzi,Franco Stefani,Ivan Ghirelli. Владелец: System Ceramics SpA. Дата публикации: 2022-12-27.

Levelling device for materials in powder or granule form

Номер патента: WO2019211696A1. Автор: Franco Gozzi,Franco Stefani,Ivan Ghirelli. Владелец: System Ceramics S.P.A.. Дата публикации: 2019-11-07.

Process of entrapping genetic materials in ultra-low size nanoparticles of inorganic compounds to form non-viral carriers

Номер патента: US20030027336A1. Автор: Amarnath Maitra,Indrajit Roy,Susmita Mitra,Subho Mozumdar. Владелец: University of Delhi. Дата публикации: 2003-02-06.

Detecting materials in a mixture using oligonucleotides

Номер патента: EP4240871A1. Автор: Shaun Hunter. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Detecting materials in a mixture using oligonucleotides

Номер патента: US20220145384A1. Автор: Shaun Hunter. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Vorrichtung und verfahren zum herstellen und behandeln eines behälters aus faser umfassendem material in einer form

Номер патента: EP4332299A3. Автор: Frank Winzinger,Matthias Wahl,Joerg Zacharias,Yvette Freese,Andreas HIPPEL. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of embedding material in a glass substrate

Номер патента: EP2491587A2. Автор: Kensall Wise,Razi-Ul Haque. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of embedding material in a glass substrate

Номер патента: WO2011049963A2. Автор: Kensall Wise,Razi-Ul Haque. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2011-04-28.

Stability of refractory materials in high temperature steam

Номер патента: US20240043996A1. Автор: Alan W. Weimer,Amanda HOSKINS,Charles Musgrave. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-02-08.

Poylmeric composition for use as a temporary support material in extrusion based additive manufacturing

Номер патента: US11760033B2. Автор: Xiaofan Luo,Zhaokun PEI,Haiqing Yin. Владелец: Jf Polymers (suzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of determining active catalyst material in suspensions

Номер патента: US20050103646A1. Автор: Matthias Boll. Владелец: BAYER TECHNOLOGY SERVICES GMBH. Дата публикации: 2005-05-19.

Application for the delivery of solutions and materials in a pressurized fluid system

Номер патента: WO2010059494A3. Автор: Michael S. Beaulieu. Владелец: Beaulieu Michael S. Дата публикации: 2010-08-19.

Store web material in a multi-folded state

Номер патента: US09776416B2. Автор: SCOTT MARTIN,Steve A. O'Hara. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for discontinuous applications, at a constant pitch, of controlled quantities of absorbent material in granules

Номер патента: US09750644B2. Автор: Diego Gualtieri,Albert Prous. Владелец: Fameccanica Data SpA. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and device for reshaping a workpiece by displacing material in the workpiece

Номер патента: US09669445B2. Автор: Benedikt Nillies. Владелец: Leifeld Metal Spinning GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Store web material in a multi-folded state

Номер патента: US09505217B2. Автор: SCOTT MARTIN,Steve A. O'Hara. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of handling a web-like labelling material in an automated labelling process, labelling machine vacuum drum and labelling machine

Номер патента: US09499364B2. Автор: James Carmichael,Gabriele Giuliani. Владелец: Sidel SpA. Дата публикации: 2016-11-22.

Layer applying device for 3d-printer and a method for applying two layers of the structural material in the form of particles

Номер патента: RU2641115C1. Автор: Райнер Хёхсманн,Александер Мюллер,Свен КЛАУА. Владелец: Эксуан Гмбх. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for crushing of materials in rotary drum with ferromagnetic grinding bodies

Номер патента: RU2536886C1. Автор: Андрей Владимирович Смотрицкий,Александр Андреевич Смотрицкий,Сергей Алексеевич Червяков,Фёдор Фёдорович Борисков,Дмитрий Андреевич Овчинник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Бюро современных технологий". Дата публикации: 2014-12-27.

Method for crushing of materials in mill rotary drum with soft magnetic crushing bodies

Номер патента: RU2347618C2. Автор: Сергей Алексеевич Червяков,Фёдор Фёдорович Борисков,Дмитрий Федорович Борисков,ков Сергей Алексеевич Черв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенные машиностроительные заводы Дробильно-размольное оборудование (группа Уралмаш-Ижора"). Дата публикации: 2009-02-27.

Fortification of foodstuffs with n-acyl derivatives of sulfur-containing l-amino acid esters

Номер патента: CA1064316A. Автор: Ralph A. Damico,Robert W. Boggs. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1979-10-16.

Calcium complexes for fortification of foods and process of making

Номер патента: MY114490A. Автор: Alexander Sher,Elaine Regina Wedral,Chandrasekhara Reddy Mallangi,Dharam Vir Vadehra,Mark Randolph Jacobson. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2002-10-31.

Encapsulated micronutrient granules for fortification of edible salt compositions

Номер патента: CA3096239C. Автор: M. N. Shashikala,Satyanarayana Reddy Jaggavarapu,Pritam Jadav,Nisha SINGH. Владелец: Tata Consumer Products Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Method for protein fortification of extra pumped meats

Номер патента: CA1068541A. Автор: Robert L. Hawley,William B. Tuley (Ii). Владелец: Ralston Purina Co. Дата публикации: 1979-12-25.

Process for the fortification of a fruit based food product with calcium

Номер патента: EP1429630A1. Автор: Elize Willem Bontenbal,Simone Johanna Bouwman. Владелец: Purac Biochem BV. Дата публикации: 2004-06-23.

Methods for applying wear-resistant material to exterior surfaces of earth-boring tools and resulting structures

Номер патента: CA2662966C. Автор: Michael L. Doster,Kenneth E. Gilmore,James L. Overstreet,Danielle V. Roberts,Mark E. Morris,Robert M. Welch. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Double nuclear transfer method and results thereof

Номер патента: AU1994600A. Автор: Keith H.S. Campbell. Владелец: Revivicor Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of producing fiber reinforced dental post and resulting dental post

Номер патента: US5816816A. Автор: Jonathan Scharf. Владелец: Scharf; Jonathan. Дата публикации: 1998-10-06.

Carbonylated Compounds Preparation Process From A Vegetable Product And Resulting Carbonylated Compounds

Номер патента: US20080114163A1. Автор: Renato Augusto Konrath,Francisco Jose Fava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Carbonylated compounds preparation process from a vegetable product and resulting carbonylated compounds

Номер патента: EP1846427A2. Автор: Renato Augusto Konrath,Francisco Jose Fava. Владелец: Acquaquimica Ltda. Дата публикации: 2007-10-24.

Carbonylated compounds preparation process from a vegetable product and resulting carbonylated compounds

Номер патента: WO2006084343A2. Автор: Renato Augusto Konrath,Francisco Jose Fava. Владелец: Acquaquímica Ltda.. Дата публикации: 2006-08-17.

Formulation of wood waste and recycled thermoplastic composite with nanometric additives and resulting product

Номер патента: US09475941B1. Автор: Guilherme Hoffmann Bampi. Владелец: Madeplast Industria e Comercio de Madeira Plastica Ltda. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for preparing carbon materials with diazonium salts and resultant carbon products

Номер патента: US5554739A. Автор: James A. Belmont. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Pipe component for drilling and operation of hydrocarbon wells and resulting threaded joint

Номер патента: RU2516775C2. Автор: Эрик ВЕРЖЕ,Оливье Карон,Скотт Гранже. Владелец: Сумитомо Метал Индастрис, Лтд.. Дата публикации: 2014-05-20.

Capsule comprising a vitamin e ester for preventing the onset of vaginal dysbiosis and resulting vaginal pathologies

Номер патента: EP4106745A1. Автор: Giorgio Panin. Владелец: Hulka SRL. Дата публикации: 2022-12-28.

Method for manufacture of periodic cellular structure and resulting periodic cellular structure

Номер патента: EP1534504A1. Автор: Douglas T. Queheillalt,Haydn N.G. Wadley. Владелец: University of Virginia UVA. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for application of a thermal barrier coating and resultant structure thereof

Номер патента: WO2005047202A3. Автор: Haydn N G Wadley,Derek D Hass. Владелец: Derek D Hass. Дата публикации: 2005-08-25.

Sugarcane bacilliform viral enhancer-based activation tagging platform for maize, and resultant tagged populations and plants

Номер патента: US09896692B2. Автор: John P. Davies,Vaka S. Reddy,D. Ry Wagner,William Michael Ainley,Xing Liang Liu. Владелец: DOW AGROSCIENCES LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Site-specific conjugation of linker drugs to antibodies and resulting adcs

Номер патента: RU2670157C2. Автор: Руди Герардус Элизабет КАУМАНС,Герардус Йозеф Андреас АРИАНС. Владелец: Синтон Байофармасьютикалс Б. В.. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of preparing thermoplastic compositions based on plasticised starch and resulting compositions

Номер патента: RU2524382C2. Автор: Леон МАНТЕНК,Дидье ЛАНЬО,Жером ЖИМЕНЕС. Владелец: Рокетт Фрер. Дата публикации: 2014-07-27.

Hydrocarbon soluble catalyst supports and resultant polymerization catalysts

Номер патента: CA1207784A. Автор: Donald Earl Gessell. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1986-07-15.

Assembly for producing threaded joint for drilling and operation of hydrocarbon wells and resulting threaded joint

Номер патента: RU2596707C2. Автор: Жан-Гийом БЕСС. Владелец: Валлурек Ойл Энд Гес Франс. Дата публикации: 2016-09-10.

Low temperature synthesis, growth and doping methods and resulting materials

Номер патента: US20230249976A1. Автор: Jerome Cuomo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-10.

Rapid molecular diagnostics with unified-one-pot sample processing, nucleic acid amplification, and result readout

Номер патента: WO2024064136A1. Автор: John H. Reif,Xin Song,Jacquelyn M. Walejko. Владелец: Domus Diagnostics, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Bis(2-haloacetamido)-compounds for use as linking agents and resultant products which comprise antibodies, half-antibodies and antibody fragments

Номер патента: CA3143572A1. Автор: Andrew Watts,Bayan ALKHAWAJA. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2020-12-30.

Bis(2-haloacetamido)-compounds for use as linking agents and resultant products which comprise antibodies, half-antibodies and antibody fragments

Номер патента: EP3990023A1. Автор: Andrew Watts,Bayan ALKHAWAJA. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-05-04.

Bis(2-haloacetamido)-compounds for use as linking agents and resultant products which comprise antibodies, half-antibodies and antibody fragments

Номер патента: US20220249687A1. Автор: Andrew Watts,Bayan ALKHAWAJA. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-11.

Bis(2-haloacetamido)-compounds for use as linking agents and resultant products which comprise antibodies, half-antibodies and antibody fragments

Номер патента: WO2020260514A1. Автор: Andrew Watts,Bayan ALKHAWAJA. Владелец: The University of Bath. Дата публикации: 2020-12-30.

Low temperature synthesis, growth and doping methods and resulting materials

Номер патента: WO2023122130A2. Автор: Jerome Cuomo. Владелец: Jerome Cuomo. Дата публикации: 2023-06-29.

The manufacturing process of shoe last and resulted last

Номер патента: WO2005084098A3. Автор: Roberto Schilling. Владелец: Oscar Kunz S A Ind E Com. Дата публикации: 2005-10-20.

The manufacturing process of shoe last and resulted last

Номер патента: WO2005084098A2. Автор: Roberto Schilling,Roberto Shilling. Владелец: Oscar Kunz S/A Indústria E Comércio. Дата публикации: 2005-09-15.

Low temperature synthesis, growth and doping methods and resulting materials

Номер патента: CA3241680A1. Автор: Jerome Cuomo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Butadiene/isoprene copolymer production process and resulting copolymers

Номер патента: RU2301236C2. Автор: Филипп ЛОБРИ. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2007-06-20.

Grain in capacity storage method in the controlled gas environment and device for its implementation

Номер патента: RU2679053C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко,Виктор Алексеевич Биленко,Евгений Николаевич Рудомин,Алексей Викторович Ивашкин,Михаил Борисович Латышенок. Владелец: Михаил Борисович Латышенок. Дата публикации: 2019-02-05.

Method of melting of the glass-forming material in the glass melting furnace and the oxyfuel burner

Номер патента: RU2288193C2. Автор: Нейл Джордж СИМПСОН,Грег Флойд ПРУСИА,Томас Дж. КЛЭЙТОН,Эндрю Питер РИЧАРДСОН,Джон Р. ЛеБЛАНК. Владелец: Дзе Бок Груп, Инк.. Дата публикации: 2006-11-27.

Method and device for production of material in underground conditions

Номер патента: RU2482275C2. Автор: Мэтью ЛУМБ. Владелец: МОРГАН Джеймс Эдвард. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of application of material in agricultural field

Номер патента: RU2550077C2. Автор: Патрик ЧИНКИВСКИЙ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-05-10.

Method for processing of carbon-containing raw material in reactor with metal melt

Номер патента: RU2630118C1. Автор: Сергей Владимирович Коробцев,Михаил Федорович Кротов,Александр Иванович Бабарицкий,Святослав Александрович Демкин,Борис Васильевич Потапкин,Роман Викторович Смирнов,Фёдор Николаевич Чебаньков,Максим Борисович Бибиков,Максим Александрович Деминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-09-05.

Instantaneous drier for material in the form of particles

Номер патента: RU2280220C2. Автор: Нобу су ЭНДО,Нобуясу ЭНДО,Сусуму УТИДА,Акихиро СУГИЯМА,Ясухиро ОХДАКА,Тихиро ХАНАОКА,Кацухиде ЙОКОТА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2006-07-20.

Device and method for producing tobacco material in the form of sheets

Номер патента: RU2757892C2. Автор: Стефано ЦАППОЛИ,Иларио ЛОДИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-10-22.

Environment and use monitoring system for advanced life support devices

Номер патента: RU2667614C2. Автор: Джордж Пол ГЮМБРЕЛЛ. Владелец: Конинклеке Филипс Н.В.. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for producing products from carbon-carbon composite material in shell form

Номер патента: RU2747635C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-05-11.

Method of adding finely dispersed materials in a liquid

Номер патента: RU2690193C1. Автор: Аркадий Анатольевич Симдянкин,Иван Алексеевич Успенский,Михаил Николаевич Слюсарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный агротехнологический университет имени П.А. Костычева". Дата публикации: 2019-05-31.

Method for obtaining collagen material in the form of particles and collagen material obtained by this method

Номер патента: RU2756795C2. Автор: Томас МАЙСНЕР,Аренд Виллем СЛОТ. Владелец: Гелита Аг. Дата публикации: 2021-10-05.

Impregnating chamber with relief narrowing (versions) and method for heating of cellulose material in it

Номер патента: RU2469142C2. Автор: Бертил СТРОМБЕРГ. Владелец: Андритц Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Microwave plant for disinfecting loose raw materials in continuous mode

Номер патента: RU2641705C1. Автор: Галина Владимировна Новикова,Алексей Николаевич Коробков,Александр Анатольевич Белов,Ольга Валентиновна Михайлова,Владимир Леонидович Осокин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НГИЭИ-ЭНЕРГО" (ООО "НГИЭИ-ЭНЕРГО"). Дата публикации: 2018-01-22.

Method for stacking and stabilising granular osteoplastic materials in the recipient bed when eliminating complex defects of the jaw bones

Номер патента: RU2766977C1. Автор: Иван Михайлович Байриков,Михаил Александрович Постников,Вячеслав Алексеевич Купряхин,Олег Валентинович Слесарев,Дарья Вячеславовна Мальчикова,Максим Борисович Хайкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Медлайн Компани". Дата публикации: 2022-03-16.

Device for testing materials in nuclear reactor

Номер патента: RU2510537C1. Автор: Анатолий Васильевич Захаров,Сергей Григорьевич Еремин,Андрей Иванович Плотников,Юрий Леонидович Ревякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2014-03-27.

Rapid molecular diagnostics with unified-one-pot sample processing, nucleic acid amplification, and result readout

Номер патента: US20240093278A1. Автор: John H. Reif,Xin Song,Jacquelyn M. Walejko. Владелец: Domus Diagnostics Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Low temperature synthesis, growth and doping methods and resulting materials

Номер патента: WO2023122130A3. Автор: Jerome Cuomo. Владелец: Jerome Cuomo. Дата публикации: 2023-09-07.

Nano-dispersions of carbonaceous material in water as the basis of fuel related technologies and methods of making same

Номер патента: SG194121A1. Автор: Maria Briceno,Takeshi Asa,Gustavo A Nunez,Cebers Gómez. Владелец: Nano Dispersions Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-29.

Nano-dispersions of carbonaceous material in water as the basis of fuel related technologies and methods of making same

Номер патента: US09701920B2. Автор: Maria Briceno,Takeshi Asa,Gustavo A. Nunez,Cebers Gómez. Владелец: Nano Dispersions Tech Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of preparing biodegradable polyester polymer material in the form of filament and sheet using compressed gas

Номер патента: US20070299236A1. Автор: Soo Hyun Kim,Sang Heon Kim,Cheol Soo Yoon,Se Yoon Kim,Hang Soo Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of preparing ceramic glass material in form of sheets, sheets made using said method and use thereof

Номер патента: RU2487841C2. Автор: Джованни БАЛДИ,Алессио АНТОНИНИ,Марко БИТОССИ,Гауденцио БОРЕЛЛИ. Владелец: Колороббия Италия С.П.А.. Дата публикации: 2013-07-20.

Device and method of production of fabric based on patterned material in papermaking machine

Номер патента: RU2355839C2. Автор: Томас Торе ШЕРБ,Джеффри ХЕРМАН. Владелец: Фойт Пэйпер Патент Гмбх. Дата публикации: 2009-05-20.

Method and versions of the device for increasing the weight of milled vegetal materials in the body of a vehicle

Номер патента: RU2745962C2. Автор: Алексей Васильевич Шевцов,Сергей Алексеевич Отрошко,Владимир Михайлович Косолапов,Николай Дмитриевич Шариков,Александр Дмитриевич Милев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр кормопроизводства и агроэкологии имени В.Р. Вильямса". Дата публикации: 2021-04-05.

Carbonization of cellulose fibrous materials in presence of organosilicon compound

Номер патента: RU2256013C2. Автор: Пьер ОЛРИ,Сильви ЛУАЗОН,Эрве ПЛЕЗАНТЭН,Ренэ ПЭЙЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2005-07-10.

Use of composition for treatment of surfaces of livestock buildings and materials in them

Номер патента: RU2481770C2. Автор: Ришар АЛАЗРИ,Коэн БРУТСЕРТ. Владелец: Сид Лайнз Н.В.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method and device for determination of presence and/or quantity of cellular material in gas medium

Номер патента: RU2142016C1. Автор: Джеймс Сквиррелл Дэвид. Владелец: Министр обороны Объединенного королевства Великобритании и Северной Ирландии. Дата публикации: 1999-11-27.

Device for microwave drying of various materials in thin layer

Номер патента: RU2737381C1. Автор: Юрий Михайлович Егоров. Владелец: Юрий Михайлович Егоров. Дата публикации: 2020-11-27.

Vgc2 dna of salmonella typhimurium, mutant bacterium with reduced adaptability to environment, and method of its obtainment

Номер патента: RU2370541C2. Автор: Дэвид Уильям ХОЛДЕН,Жаклин Элизабет ШИА,Михаэль ХЕНЗЕЛЬ. Владелец: Имерджент Продакт Дивелопмент Юк Лимитед. Дата публикации: 2009-10-20.

Pyrazole compounds and their application in method of fighting invertebrate pests, in method of protection of plant reproduction material, in method of treatment or protection of animals against invasion or infection, in material of plant reproduction and agricultural compositions containing thereof

Номер патента: RU2516290C2. Автор: ГРОСС Штеффен,БРОЙНИНГЕР Дельфина,БАСТИАНС Хенрикус-Мария-Мартинус,ФОН-ДЕЙН Вольфганг,ПУЛЬ Михаэль,КЁРБЕР Карстен,Д. АНСПО Дуглас,Л. КАЛБЕРТСОН Дебора,ОЛОУМИ-САДЕГХИ Хассан. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2014-05-20.

Method and device for introducing a fine-dispersed material in a fluidized layer of a restorable unit with a fluidized layer

Номер патента: RU2630136C2. Автор: Роберт МИЛЛЬНЕР,Норберт РАЙН,Ян-Фридеманн ПЛАУЛЬ,Франц ХАУЦЕНБЕРГЕР. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of multitiered automated growing plants in protected volume with regulated environment and multitiered automated device of conveyor type for growing plants in protected volume with regulated environment

Номер патента: RU2504950C1. Автор: Дахир Курманбиевич Семенов. Владелец: Дахир Курманбиевич Семенов. Дата публикации: 2014-01-27.

Method of determining specific rate of processes on surface of material in reaction photostimulated electrolysis of water and cell for implementing method

Номер патента: RU2717315C1. Автор: Борис Тимофеевич Таразанов,Ольга Ивановна Гырдасова,Сергей Николаевич Шкерин,Елизавета Викторовна Шалаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-03-20.

Method of melting materials in molten-metal bath and furnace for realization of this method

Номер патента: RU2152436C2. Автор: М.Г. Васильев,Н.Н. Егоров,С.Г. Бахвалов,А.С. Васильев,В.М. Васильев,Б.М. Лапшин. Владелец: Бахвалов Сергей Григорьевич. Дата публикации: 2000-07-10.

Test method of materials in nuclear reactor

Номер патента: RU2494480C1. Автор: Виктор Степанович Неустроев,Сергей Витальевич Белозеров,Евгений Игоревич Макаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2013-09-27.

Apparatus for feeding into cutting machine working zone of organic plant materials, in particular tobacco

Номер патента: RU2288621C2. Автор: Ежи Войцех ХОЙНАЦКИЙ,Роман КАЦЗОР. Владелец: Интернейшенел Тобакко Машинери Поланд Лтд.. Дата публикации: 2006-12-10.

A method of preventing blockage of circulating bed material in a circulating fluidized bed reactor arrangement

Номер патента: AU2020458418A1. Автор: Teri Hiltunen,Ari Kettunen. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2023-02-23.

A method of preventing blockage of circulating bed material in a circulating fluidized bed reactor arrangement

Номер патента: EP4182606A1. Автор: Teri Hiltunen,Ari Kettunen. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2023-05-24.

Device and method for grinding plant material in grains

Номер патента: EP4044886A1. Автор: Llopis DANILO. Владелец: Sanremo Coffee Machines Srl. Дата публикации: 2022-08-24.

Device and method for grinding plant material in grains

Номер патента: AU2020367053A1. Автор: Llopis DANILO. Владелец: Sanremo Coffee Machines Srl. Дата публикации: 2022-05-19.

Device and method for grinding plant material in grains

Номер патента: US20240115077A1. Автор: Danilo Llopis. Владелец: Sanremo Coffee Machines Srl. Дата публикации: 2024-04-11.

A Smart System to Control and Monitor Cultivation in a Hydroponic Environment and a Method Thereof

Номер патента: AU2021100169A4. Автор: Mandeep Singh,Venkatesh C,Sophia Jasmine G,Maheswari K T,Chitra K,Ponmurugan P,Ramya P,Srimathi R,Jaanaa Rubavathy S,Kamatchi Kannan V. Владелец: V Kamatchi Kannan Dr. Дата публикации: 2021-04-15.

Decarbonation process of carbonated materials in a multi-shaft vertical kiln

Номер патента: US20240239706A1. Автор: Etienne Thibeaumont,Alex AUBERT,Pierre-Olivier CAMBIER,Charles ROBIN. Владелец: Tecforlime. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system of processing soil containing roots of invasive plant species to inactivate the plant material in the soil

Номер патента: WO2022086325A1. Автор: Marcus Lambertus Josephus VAN DEN BRAND,Jacques Arnoldus Wilhelmus Maria ROSSUM,Theodorus Johannus VENDRIG. Владелец: Hannover Milieu- En Veiligheidstechniek B.V.. Дата публикации: 2022-04-28.

Fabric belt for producing web material, in particular for producing spunbonded fabric

Номер патента: US20170260664A1. Автор: Antony Morton,Uwe Koeckritz,Juergen Abraham. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2017-09-14.

Decarbonation process of carbonated materials in a multi-shaft vertical kiln

Номер патента: EP4337619A1. Автор: Etienne Thibeaumont,Alex AUBERT,Pierre-Olivier CAMBIER,Charles ROBIN. Владелец: Tecforlime. Дата публикации: 2024-03-20.

Smart container for performing a bioprocess and containing biological material, in particular liquid immune cell cultures

Номер патента: EP4403622A1. Автор: John Betts,Adrian STACEY,Fanny Prouté,James Pilgrim. Владелец: Automation Partnership Cambridge Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

System and process for preheating raw material in the production of ferrochrome products

Номер патента: WO2023170622A1. Автор: Benjamin Thomas DU PLESSIS,Donald Bruce GRANT. Владелец: Samancor Chrome Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Occlusive guidewire system having an ergonomic handheld control mechanism prepackaged in a pressurized gaseous environment and a compatible prepackaged torqueable kink-resistant guidewire with distal occlusive balloon

Номер патента: WO2008048568A3. Автор: Eric Joel Thor,Michael John Bonnette,Laszlo Trent Farago,Richard Russell Prather,Leif Erik Leirfallom,Robert Alan Lambert. Владелец: Robert Alan Lambert. Дата публикации: 2008-09-04.

Decarbonation process of carbonated materials in a multi-shaft vertical kiln

Номер патента: US20240228373A1. Автор: Etienne Thibeaumont,Alex AUBERT,Pierre-Olivier CAMBIER,Charles ROBIN. Владелец: Tecforlime. Дата публикации: 2024-07-11.

Transportvorrichtung für Personen und Material in einem Mikrotunnel

Номер патента: DE102006011570B4. Автор: Ralf Diez. Владелец: Rohrvortrieb Diez & Co KG GmbH. Дата публикации: 2007-12-27.

Zuführeinrichtung zum Einführen von folienartigem Material in eine Bandmesser-Spaltmaschine

Номер патента: DE3313508C2. Автор: Paolo Mailand/Milano Mascetti. Владелец: CAMOGA SpA MAILAND/MILANO IT. Дата публикации: 1986-06-05.

Smart container for performing a bioprocess and containing biological material, in particular liquid immune cell cultures

Номер патента: WO2024153569A1. Автор: John Betts,Adrian STACEY,Fanny Prouté,James Pilgrim. Владелец: The Automation Partnership (Cambridge) Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System, apparatus, and method for raking and baling material in a single pass

Номер патента: US20130298517A1. Автор: Loren Steenhoek,Marc Harris,David C. Rankin,Teddy W. Bellamy,Michael L. Yearout. Владелец: Rankin Equipment Co. Дата публикации: 2013-11-14.

System, apparatus, and method for raking and baling material in a single pass

Номер патента: US20130104513A1. Автор: Loren Steenhoek,Marc Harris,David C. Rankin,Teddy W. Bellamy,Michael L. Yearout. Владелец: PIONEER HI BRED INTERNATIONAL INC. Дата публикации: 2013-05-02.

A method and a device for destructing organic material in injection water and use of injection water for generation of destructive hydroxyl radicals

Номер патента: EP1963620A1. Автор: Helge Lunde,David Pinchin. Владелец: Well Processing AS. Дата публикации: 2008-09-03.

Hollow container molded from glass or other transparent material in various shapes and sizes to be used as a fishbowl, designed with indented hollow cavity hangers shaped in its back which will allow the fishbowl to be slipped on and removed from fasteners attached in a vertical wall, without removing the fasteners

Номер патента: US20040007190A1. Автор: Rebecca Covell,Joel Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Device for the collection of biological material, in particular bone marrow and especially the stem cells present in the bone marrow

Номер патента: US20240215962A1. Автор: Marcello Dell'oca,Riccardo Dell'Oca. Владелец: Mdl Srl. Дата публикации: 2024-07-04.

Device for the collection of biological material, in particular bone marrow and especially the stem cells present in the bone marrow

Номер патента: EP4333716A1. Автор: Marcello DELL' OCA,Riccardo DELL' OCA. Владелец: Mdl Srl. Дата публикации: 2024-03-13.

Method and system for calculating the mass of material in an excavating machine bucket

Номер патента: US20240301660A1. Автор: Charles CONSTANÇON,Ali Yaghini. Владелец: Hummingbird Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Granule and/or powder solid materials injection lance for injecting solid materials in the form of granules and/or powders into a metallurgical furnace

Номер патента: WO2024134527A1. Автор: Enrico Malfa,Mattia BISSOLI,Mauro GIZZI. Владелец: TENOVA S.p.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods and systems for using elastocaloric materials in subterranean formations

Номер патента: US20200024498A1. Автор: Li Gao,Michael T. Pelletier,David L. Perkins. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Molecular sensor with double fluorescence detection signals for acid environment and application thereof

Номер патента: NL2030169A. Автор: Wu Ping,Wang Fang,Feng Jun,Jia Chunxiao,ZHOU Lianwen,Gao Yanyan,Shen Qingjun,Mao Shufei,Hua Xiaoying. Владелец: Univ Dezhou. Дата публикации: 2023-03-31.

Preservation of biological materials in non-aqueous fluid media

Номер патента: US09840731B2. Автор: Michael Hogan. Владелец: GENTEGRA LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Removing hydrogen sulfide from subterranean geological formation with a copper magnesium iron layered triple hydroxide material in a water-based drilling fluid

Номер патента: US12146100B1. Автор: Sagheer A. ONAIZI,Mustapha Iddrisu. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-11-19.

System and method for providing a replenishable receptacle for tagger and/or tracer material in a wellbore

Номер патента: US09359886B2. Автор: John Alasdair Cameron. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Method and probe for determining distribution of material in blast furnace

Номер патента: RU2663015C2. Автор: Жан-Франсуа ШТУМПЕР. Владелец: Тмт - Тэпинг Межеринг Текнолоджи Сарл. Дата публикации: 2018-08-01.

Composition of a hydroalcoholic balsam based on plant raw materials in production of raw smoked meat products

Номер патента: RU2764896C1. Автор: Ольга Сергеевна Киреева,Оксана Анатольевна Ковалева,Екатерина Михайловна Здрабова,Наталия Николаевна Поповичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2022-01-24.

System of automatic supply of raw materials in aluminum electrolizer with baked anodes

Номер патента: RU2685615C1. Автор: Михаил Александрович Пак,Дмитрий Александрович Требух,Александр Михайлович Пак,Алексей Иванович Толкачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-04-22.

Conveyor device for layer-by-layer production of material in open mines, and method of coordination of conveyor device with methods of progressive development

Номер патента: RU2570850C1. Автор: Руслан Борисович Юн,Уве ЛАБУДЕ,Франк КРИГЕЛ,Дитер Хоффманн. Владелец: Такраф Гмбх. Дата публикации: 2015-12-10.

Device for retaining biopsy material in biopsy hollow needle-cannula

Номер патента: RU2303402C2. Автор: Томас ДУНКЕР,Дирк ХОРНШАЙДТ,Франк КНИП,Сухаил РИШМАВИ,Томас ДУНКЕР (DE),Дирк ХОРНШАЙДТ (DE),Франк КНИП (DE),Сухаил РИШМАВИ (DE). Владелец: Зоматекс Медикал Текнолоджис Гмбх. Дата публикации: 2007-07-27.

Method of terminating roasting of bulk materials in real time on basis of objectively determined color of materials

Номер патента: US6106877A. Автор: Edward M. Granger,Roger A. Allington,Philip A. Torbet. Владелец: Fresh Roast Systems Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Long-term storage medium for culturing obligate anaerobic bacteria or microaerobic bacteria under aerobic environment, and method of detecting obligate anaerobic bacteria or microaerobic bacteria using said medium

Номер патента: US20170175074A1. Автор: Akihiko Yokoyama,Norikuni Uchida. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for defibring recycled fibre material in a drum pulper, and a drum pulper

Номер патента: AU2003216945A1. Автор: Veikko KANKAANPÄÄ. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2003-10-08.

Methods and formulations for enhancing the dissolution of a solid material in liquid

Номер патента: WO2002099026A8. Автор: Scott William Capeci,Michael Stanford Showell,Ayrookaran J Poulose,Landon Steele,Edward M Concar,Giselle Janssen,Nathaniel Todd Becker,Edgar Manuel Marin-Carillo,Alisha Jarnagin,Eric Lippay,Suzanne Stoner,Genevieve Cagalawan Kipte,Doreen C Victoria. Владелец: Doreen C Victoria. Дата публикации: 2003-01-09.

Decorative covering for walls of humid environments and/or subject to water jets and process of application thereof

Номер патента: EP4031723A1. Автор: Nicola BOTTEGAL. Владелец: Londonart Srl. Дата публикации: 2022-07-27.

A medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel, the medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel for use as implantable material in a body and a method for manufacturing the medical grade nanofibrillar cellulose hydrogel

Номер патента: CA3207164A1. Автор: Lauri Paasonen,Kari Luukko,Tony KIURU,Johana Kuncova-Kallio,Henri Siltanen,Mika V. Kosonen. Владелец: UPM Kymmene Oy. Дата публикации: 2024-03-09.

Optimized process and installation for melting vitrifiable material in a flame-fired furnace

Номер патента: WO2016102621A1. Автор: Marc Wagner,Rémi Tsiava,Bertrand Leroux,Gregoire BEASSE,Luc Jarry,Youssef Joumani. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for printing textile fibre materials in accordance with the ink-jet printing process

Номер патента: EP3574055A1. Автор: Olivier Brack,Veronique Hall-Goulle,Marc Burglin,Damien Schoehn,Sandra DA SILVA SARAIVA,Luc Nueffer,Willem Van Daal,Safeta FAZLIC,Sergio Vito PRENNA. Владелец: Huntsman Advanced Materials Switzerland GmbH. Дата публикации: 2019-12-04.

Device for grinding plant material in grains

Номер патента: WO2020144717A1. Автор: Giorgio Torchio,Silvio Bellinvia. Владелец: Trc S.R.L.. Дата публикации: 2020-07-16.

Device for thermal separation between a conditioned environment and at least one external environment

Номер патента: US20160003562A1. Автор: Franco Venturini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Preparation method of high-performance resin asphalt material in cold areas

Номер патента: NL2034184A. Автор: Zhang Yong,Wang Xing,Yuan Ming,Zhang Long,Yi Junyan,CHEN Yuheng,LIU Jiwei,Cai Hancheng,XIONG Yali,Zhu Liming,Liu Heye,Abdukadir Abduhaibir. Владелец: China Railway Northwest Science Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-28.

Impermeable plate for uniformly dispersing paper raw material in a twin wire paper former

Номер патента: US4708773A. Автор: Hiroshi Iwata,Tetsuo Makino,Haruyoshi Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1987-11-24.

Optimized process and installation for melting vitrifiable material in a flame-fired furnace

Номер патента: EP3237343A1. Автор: Marc Wagner,Rémi Tsiava,Bertrand Leroux,Gregoire BEASSE,Luc Jarry,Youssef Joumani. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-11-01.

Targeting the renin-angiotensin system for treatment of environment-and pathogen-induced lung injury

Номер патента: US20210236583A1. Автор: Yuntao Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

Filling tube for producing a column of filling material in the ground as well as device and method related thereto

Номер патента: CA2931914C. Автор: Jens REINHARDT. Владелец: BAUER SPEZIALTIEFBAU GMBH. Дата публикации: 2023-10-31.

Device and method for safely removing blocking materials in an incinerator ash quench drain pipe

Номер патента: WO2020221720A1. Автор: Stuart STORIE. Владелец: SUEZ GROUPE. Дата публикации: 2020-11-05.

Device and method for safely removing blocking materials in an incinerator ash quench drain pipe

Номер патента: EP3734157A1. Автор: Stuart STORIE. Владелец: Suez Groupe SAS. Дата публикации: 2020-11-04.

Method for the production of ultrapure phosphorus by zone melting in a non-flammable environment, and the apparatus used in such method

Номер патента: US20110212405A1. Автор: Zhen Zhang,Xiaoping Wang,Xiaojin He,Yongli Mi. Владелец: DONGYING JIEDA CHEMICAL TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for introduction of filling materials in liquid form into porous bodies

Номер патента: US20110274911A1. Автор: Jurgen Joos,Gregor Stühler,Adam Drozny. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Implantable composite device and corresponding method for deflecting embolic material in blood flowing at an arterial bifurcation

Номер патента: EP1399214A2. Автор: Ygael Grad,Boaz Nishri,Avraham Rapaport,Nitzan Zafrir-Pachter. Владелец: MindGuard Ltd. Дата публикации: 2004-03-24.

dual-compartment pouch packaging system for a bentonite clay face mask product with a frangible division separating a liquid material and a dry powder material in two individual but connected compartments.

Номер патента: US20240000674A1. Автор: Dan Uhm,Thomas Siewhon Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for processing of heat energy absorbed from the environment and a unit for processing of heat energy absorbed from the environment

Номер патента: US20130255905A1. Автор: Ryszard Pakulski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-03.

A method for heating or refining a liquid material in a furnace

Номер патента: EP4414647A1. Автор: Bradley Damstedt,Eric Frank,Bryan Bielec,Ola Ritzen,William J. Mahoney,Joseph A. Maiolo,Lawrence E. Bool,David Muren,Robert CHURPITA,Arya Ayaskanta,Adrian Deneys,Kristofer Bölke. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

A method for heating or refining a liquid material in a furnace

Номер патента: WO2024165238A1. Автор: Bool Lawrence,Frank Eric,Ayaskanta Arya,Bielec Bryan,Churpita Robert,Ritzén Ola,Muren David,DAMSTEDT BRADLEY,DENEYS Adrian,MAIOLO Joseph,BÖLKE Kristofer,MAHONEY Willam. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for processing heat-sensitive materials in a vortex chamber

Номер патента: US20240302097A1. Автор: Fyodor Nikolaevich STOROZHEV,Sergei Yurievich VILCHEK. Владелец: Empyrio. Дата публикации: 2024-09-12.

Removing hydrogen sulfide from subterranean geological formation with a copper magnesium iron layered triple hydroxide zeolite material in a water-based drilling fluid

Номер патента: US12129431B1. Автор: Sagheer A. ONAIZI,Mustapha Iddrisu. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-29.

Storage of harvested material in a silo

Номер патента: US12041887B2. Автор: Georg A. Kormann. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-07-23.

Device for thermal separation between a conditioned environment and at least one external environment

Номер патента: US09823029B2. Автор: Franco Venturini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Filling tube for producing a column of filling material in the ground as well as device and method related thereto

Номер патента: US09816245B2. Автор: Jens REINHARDT. Владелец: BAUER SPEZIALTIEFBAU GMBH. Дата публикации: 2017-11-14.

Double-sided fabric stacked with continuous linear material in predetermined knitting section

Номер патента: US09637846B1. Автор: Ming-Sheng Kuo,Yu-Lin Li,Chien-Hui Yang. Владелец: Aknit International Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatus and method for separating and storing human reproductive material in a cryotank

Номер патента: US09591846B2. Автор: Scott Ferguson,Michael Drummond,Jack A. Walker, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and plant for the treatment of materials, in particular waste materials and refuse

Номер патента: US09557052B2. Автор: Massimo Malavasi,Edoardo Rossetti. Владелец: Itea SpA. Дата публикации: 2017-01-31.

Machine for producing fiber-containing web material, in particular tissue paper

Номер патента: US09359723B2. Автор: Hubert Walkenhaus,Ademar Lippi Alves Fernandes,Johan Einarsson. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2016-06-07.

Filter for collecting biological material in endovitral operations

Номер патента: RU2669859C1. Автор: Андрей Александрович Яровой,Егор Николаевич Коробов,Илья Михайлович Горшков,Вера Андреевна Яровая. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of dissolving coal, biomass and other solid organic materials in superheated water

Номер патента: RU2526254C2. Автор: Кеннет Б. АНДЕРСОН,Джон С. КРЕЛЛИНГ,Уилльям В. ХАДЖЕТТ. Владелец: Саутерн Иллинойс Юниверсити. Дата публикации: 2014-08-20.

Device for inoculation of seed material in the seeding zone

Номер патента: RU2684599C1. Автор: Николай Степанович Яковлев,Николай Михайлович Иванов,Николай Николаевич Назаров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2019-04-09.

Plant for drying of paste-like materials in the swirled suspended layer of inert bodies

Номер патента: RU2679994C1. Автор: Дмитрий Вячеславович Никитин,Юрий Викторович Родионов,Вячеслав Михайлович Дмитриев,Юрий Тимофеевич Селиванов,Галина Владимировна Мозгова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ"). Дата публикации: 2019-02-14.

FORTIFICATION OF CHARGE STORING MATERIAL IN HIGH K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20130001673A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS OF FORMING THE HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120040162A1. Автор: Huang Tsai-Yu,Lin Ching-Kai. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120280288A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

HIGH-K DIELECTRIC GATE STRUCTURES RESISTANT TO OXIDE GROWTH AT THE DIELECTRIC/SILICON SUBSTRATE INTERFACE AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120286374A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,HE Wei,Bu Huiming,HENSON William K.,Moumen Naim,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

INVERSION THICKNESS REDUCTION IN HIGH-K GATE STACKS FORMED BY REPLACEMENT GATE PROCESSES

Номер патента: US20120326245A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

PASSIVATING POINT DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYERS DURING GATE STACK FORMATION

Номер патента: US20130267086A1. Автор: Trentzsch Martin,Carter Richard J.,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

A kind of built-in high-k flexible resin composite and its preparation method and application

Номер патента: CN107573645A. Автор: 李峰,杨文虎,陶玉红,卢星华. Владелец: Shenzhen Peak Swimming Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-12.

High k dielectric film

Номер патента: TWI362073B. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-11.

High-k dielectric films and methods ofproducing using cerium-based precursors

Номер патента: TW200949005A. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2009-12-01.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES EMPLOYING HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AS A GATE INSULATING LAYER AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120129330A1. Автор: Joo Dae-Kwon,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

STRUCTURE AND METHOD TO IMPROVE THRESHOLD VOLTAGE OF MOSFETS INCLUDING A HIGH K DIELECTRIC

Номер патента: US20120168874A1. Автор: Liang Qingqing,Greene Brian J.,Maciejewski Edward P.,Leobandung Effendi,Wang Yanfeng,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

TANTALUM SILICON OXYNITRIDE HIGH-K DIELECTRICS AND METAL GATES

Номер патента: US20120205720A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.,Bhattacharyya Arup. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR PRODUCING MIM CAPACITORS WITH HIGH K DIELECTRIC MATERIALS AND NON-NOBLE ELECTRODES

Номер патента: US20120214288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

REDUCING EQUIVALENT THICKNESS OF HIGH-K DIELECTRICS IN FIELD EFFECT TRANSISTORS BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ANNEAL

Номер патента: US20120238086A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of Removing High-K Dielectric Layer on Sidewalls of Gate Structure

Номер патента: US20120256278A1. Автор: ZHANG YING,Yan Hongwen,Yang Qingyun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR FABRICATING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120282783A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD FOR FABRICATING TRANSISTOR WITH HIGH-K DIELECTRIC SIDEWALL SPACER

Номер патента: US20120289014A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

POLYSILICON GATE WITH NITROGEN DOPED HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON DIOXIDE

Номер патента: US20120313186A1. Автор: Wang Ling-Sung,HUANG Ching-Chien,CHIOU Ying-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20130026579A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-31.

Non-volatile Memory Cell Having A High K Dielectric And Metal Gate

Номер патента: US20130032872A1. Автор: KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20130032912A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130044404A1. Автор: Chen Hanhong,Phatak Prashant B.,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi,Mathur Monica Sawkar,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20130052833A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130062677A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

ETCHING HIGH K DIELECTRIC FILMS WITH REDUCED LIKELIHOOD OF DELAMINATION

Номер патента: US20130065023A1. Автор: Ali Abbas,Rampersad Hansley Regan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR PROCESSING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130072030A1. Автор: Wang Yu-Ren,Chen Chih-Chung,Wang Shao-Wei,Lu Tsuo-Wen,Lin Chien-Liang,Yen Ying-Wei,Teng Wen-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON NITRIDE BOX REGION

Номер патента: US20130093039A1. Автор: Leobandung Effendi,Shahidi Ghavam G.,Ren Zhibin,Park Dae-Gyu,Ponoth Shom S.,Shi Leathen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105901A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105905A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

(110) SURFACE ORIENTATION FOR REDUCING FERMI-LEVEL-PINNING BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130126985A1. Автор: KO Chih-Hsin,Wann Hsingjen,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-23.

SELF-LIMITING OXYGEN SEAL FOR HIGH-K DIELECTRIC, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130134545A1. Автор: Narayanan Vijay,Shah Jay M.,Hook Terence B.,Sherony Melanie J.,Stein Kenneth J.,Wang Helen H.,Zhu Chendong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

ELECTRICAL TEST STRUCTURE FOR DETERMINING LOSS OF HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND/OR METAL GATE MATERIAL

Номер патента: US20130234138A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION PROCESS THEREOF

Номер патента: US20130313658A1. Автор: LI AILEEN,NI JINGHUA. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

INTEGRATING FORMATION OF A REPLACEMENT GATE TRANSISTOR AND A NON-VOLATILE MEMORY CELL USING A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Shroff Mehul D.,HALL MARK D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Method for growing high k dielectric on graphene by adopting rhodamine as buffering layer

Номер патента: CN102709177B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,周鹏,沈于兰. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-04.

Polishing method for high-K-dielectric silicon wafer

Номер патента: CN105990097A. Автор: 王坚,王晖,杨贵璞. Владелец: ACM (SHANGHAI) Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Method for preparing high-k dielectric layer

Номер патента: CN104701240A. Автор: 肖天金. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-10.

High K dielectric compositions with fine crystal particle size

Номер патента: CN1076302A. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1993-09-15.

High k dielectric composition with fine crystal particle size

Номер патента: CN1230833C. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2005-12-07.

High K dielectric film

Номер патента: TW200527540A. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-08-16.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: TW200426941A. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

Method for isolating beds during fortification of well borehole

Номер патента: RU2288346C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Александр Сергеевич Жиркеев,Рамзис Рахимович Кадыров,Альберт Габидуллович Зайнуллин,Габдрашид Султанович Абдрахманов,Фанис Нурмехаметович Маннанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им.В.Д.Шашина. Дата публикации: 2006-11-27.

Forage for prevention of metabolic disorders, immunity and hepatoprotection function fortification of agricultural, domestic animals, birds and fish

Номер патента: RU2386342C1. Автор: Марк Абович Малков,Татьяна Васильевна Данькова. Владелец: Татьяна Васильевна Данькова. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of producing corrosion inhibitor for oil-field environments and corrosion inhibitor

Номер патента: RU2583562C1. Автор: Владимир Александрович Иванов,Николай Алексеевич Лебедев,Ольга Анатольевна Варнавская,Василий Валерьевич Брусько,Олег Николаевич Угрюмов,Сергей Иванович Васюков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт по нефтепромысловой химии" (ОАО "НИИнефтепромхим"). Дата публикации: 2016-05-10.

Method of producing corrosion inhibitor for oil-field environments and corrosion inhibitor

Номер патента: RU2583562C9. Автор: Владимир Александрович Иванов,Николай Алексеевич Лебедев,Олег Викторович Угрюмов,Ольга Анатольевна Варнавская,Василий Валерьевич Брусько,Сергей Иванович Васюков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт по нефтепромысловой химии" (ОАО "НИИнефтепромхим"). Дата публикации: 2017-02-13.

Method of carbonisation of viscose fibrous materials in process of obtaining carbon fibres

Номер патента: RU2520982C1. Автор: Дмитрий Николаевич Черненко,Николай Михайлович Черненко,Наталья Юрьевна Бейлина,Павел Геннадиевич Елизаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2014-06-27.

Hot gas generator and device for drying bulk materials in fluidized bed, which uses such generator

Номер патента: RU2532060C2. Автор: Александр Николаевич Крутин,Александр Андреевич Зурначев,Андрей Владимирович Буцык. Владелец: Андрей Владимирович Буцык. Дата публикации: 2014-10-27.

Methods for bonding dissimilar synthetic polymeric materials and the products involved in and resulting from such products

Номер патента: CA1127022A. Автор: Seevaram N. Varadhachary. Владелец: Congoleum Corp. Дата публикации: 1982-07-06.

Process for making microcapsules and resulting product

Номер патента: CA1158105A. Автор: John C.H. Chang. Владелец: Wallace Computer Services Inc. Дата публикации: 1983-12-06.

Breaking down and loosening apparatus for caked loose materials in hoppers

Номер патента: RU2295400C1. Автор: Владимир Георгиевич Ордин,Леонид Николаевич Канаплин,Сергей Борисович Ерошкин,Наил Якубович Булатов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2007-03-20.

Chemical heat treatment method of lump materials in counterflow shaft furnace

Номер патента: RU2373162C1. Автор: Виктор Тихонович Рязанов,Вячеслав Викторович Мадисон,Сергей Серафимович Шульгин,Андрей Сергеевич Дорохин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Урализвесть-М". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of regulating process of classification of solid material in vertical flow with pulsating agitation

Номер патента: RU2530941C1. Автор: Владислав Александрович Толкачев,Дмитрий Вячеславович Майников,Дмитрий Викторович Кириченко. Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2014-10-20.

Unit for sowing seed material in tape

Номер патента: RU2547716C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Андрей Юрьевич Измайлов,Марсель Каюмович Шайхов,Вадим Петрович Елизаров,Татьяна Викторовна Царькова,Марсель Марселевич Шайхов,Виктор Кириллович Пышкин. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИМ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-04-10.

Unit for transporting granular material in fluidised state (versions)

Номер патента: RU2332347C1. Автор: В чеслав Васильевич Веселков,Вячеслав Васильевич Веселков,Сергей Викторович Тепикин,Елена Леонидовна Петрушева. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский научно-исследовательский, конструкторский и проектный институт алюминиевой и электродной промышленности" (ОАО "СибВАМИ"). Дата публикации: 2008-08-27.

Method for production of essential oil from grain essential oil materials in distilling devices of periodic action

Номер патента: RU2361906C1. Автор: Елизавета Юрьевна Бондаренко,Анатолий Павлович Усов,Анна Владимировна Карпова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2009-07-20.

Device for drying of dispersed materials in boiling layer of inertial bodies

Номер патента: RU2334184C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мари Олеговна Кочетова,Мария Олеговна Кочетова,Сергей Савельевич Кочетов,Сергей Сергеевич Кочетов,Анастаси Витальевна Костылева,Анастасия Витальевна Костылева,Екатерина Олеговна Боброва. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of automatic control of melting process of copper-nick sulphide raw material in vanyukov's furnace during sulphide charge processing to regulus

Номер патента: RU2571968C2. Автор: Александр Васильевич Спесивцев,Владимир Ильич Лазарев,Сергей Аркадьевич Орешкин,Вениамин Геннадьевич Козловский,Александр Петрович Кащук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сумма технологий". Дата публикации: 2015-12-27.

Method of arc welding of thick-sheet material in "transverse hill" welding, welding apparatus and video sensor unit to embody proposed method

Номер патента: RU2372176C2. Автор: Наталия Алексеевна Стешенкова,Александр Николаевич Воробьев,Владимир Дмитриевич Горбач,Рудольф Федорович Поникаровский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Центр технологии судостроения и судоремонта". Дата публикации: 2009-11-10.

Method for processing fat-containing raw material in sea mammalians

Номер патента: RU2277580C2. Автор: Николай Николаевич Сидоров,Алла Максимовна Макарова,Нэля Петровна Боева,Нэл Петровна Боева. Владелец: ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт рыбного хозяйства и океанографии (ВНИРО). Дата публикации: 2006-06-10.

Device to test materials in nuclear reactor

Номер патента: RU2525678C2. Автор: Сергей Григорьевич Еремин,Андрей Иванович Плотников. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2014-08-20.

Method for preparing cell transplantation material in myelosuppression

Номер патента: RU2392947C1. Автор: Александр Михайлович Дыгай,Вадим Вадимович Жданов,Глеб Николаевич Зюзьков,Лариса Александровна Ставрова,Елена Владиславна Симанина,Мария Юрьевна Минакова,Александр Михайлович Дыгай (RU),Вадим Вадимович Жданов (RU),Глеб Николаевич Зюзьков (RU),Елена Владиславна Симанина (RU),Лариса Александровна Ставрова (RU),Мария Юрьевна Минакова (RU). Владелец: Государственное учреждение Научно-исследовательский институт фармакологии Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии медицинских наук ГУ НИИ фармакологии ТНЦ СО РАМН. Дата публикации: 2010-06-27.

Device for testing materials in nuclear reactor

Номер патента: RU2244284C1. Автор: А.И. Плотников,С.Г. Еремин,А.С. Покровский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2005-01-10.

Method for plant metabolism stimulation through gas exchange with environment and plant protection from fungal and bacterial pathogens in protected grounds and pyrotechnic composition

Номер патента: RU2548177C2. Автор: Валерий Борисович Голубчиков,Борис Валерьевич Голубчиков. Владелец: ООО "Научно-производственная фирма "Норд". Дата публикации: 2015-04-20.

Production of article from carbon-silicon-carbide material in form of shells

Номер патента: RU2513497C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-04-20.

Method to dry paste-like materials in roll-and-tape dryer with variation of plate conveyor movement speed

Номер патента: RU2427774C1. Автор: Александр Сергеевич Назаров,Алексей Николаевич Грибков,Константин Вячеславович Брянкин,Светлана Валерьевна Артемова,Алексей Евгеньевич Ерышов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2011-08-27.

Process for electrodepositing mica on coil or bar connections and resulting products

Номер патента: CA1288726C. Автор: Richard K. Elton. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-09-10.

Improvements in Apparatus for Dyeing and otherwise Treating Fibrous Material in a Spun or other State.

Номер патента: GB190109720A. Автор: John Thomas Mazey,George Naylor,Rochester Illingworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-06-10.

Method of identifying and classifying pollution of freshwater environment and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2453833C2. Автор: Юрий Германович Подкин,Михаил Юрьевич Мишков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ижевский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-06-20.

Loading device for feeding loose material in suction system material feed duct

Номер патента: RU2326799C2. Автор: Владимир Филиппович Паринов,Екатерина Владимировна Савельева,Владимир Филиппович Паринов (RU),Екатерина Владимировна Савельева (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Приморская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО "Приморская ГСХА"). Дата публикации: 2008-06-20.

Device for thermal oxidation and carbonization of carbon-containing materials in production of activated carbon

Номер патента: RU2593239C1. Автор: Евгения Ивановна Зорина,Елена Абрамовна Фарберова. Владелец: Открытое акционерное общество "Сорбент". Дата публикации: 2016-08-10.

Device to examine materials in deformed state by atomic-force microscope method

Номер патента: RU2521267C1. Автор: Николай Викторович Шадринов. Владелец: Николай Викторович Шадринов. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of compressibility test of porous material environment and device for its implementation

Номер патента: RU2555529C2. Автор: Евгений Николаевич Хрусталев. Владелец: Евгений Николаевич Хрусталев. Дата публикации: 2015-07-10.

Centrifugal device for heat treatment of fat-containing raw materials in electromagnetic field of ultrahigh frequency

Номер патента: RU2581224C1. Автор: Галина Владимировна Новикова,Марьяна Валентиновна Белова,Александр Анатольевич Белов,Ольга Валентиновна Михайлова,Ирина Георгиевна Ершова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ)". Дата публикации: 2016-04-20.

Method for processing copper-nickel sulfide materials in suspended state

Номер патента: RU2118385C1. Автор: Ю.А. Филиппов,В.Т. Дьяченко,В.А. Резников,А.А. Давыдов,А.А. Кручинин,С.В. Селяндин,Ю.Н. Кисленко,А.А. Горлов,В.Л. Сергеев,В.Н. Галанцев. Владелец: Акционерное общество "Норильский горно-металлургический комбинат". Дата публикации: 1998-08-27.

Method and device for final drying fibrous materials in rolls

Номер патента: RU2464770C1. Автор: Владислав Константинович Углин,Владислав Евгеньевич Никифоров,Евгений Александрович Тяпугин,Сергей Евгеньевич Тяпугин. Владелец: Государственное научное учреждение "Северо-Западный научно-исследовательский институт молочного и лугопастбищного хозяйства. Дата публикации: 2012-10-27.

METHOD FOR SPECIFIC DETECTION OF Trichophyton mentagrophytes IN CLINICAL MATERIAL IN VARIOUS CLINICAL FORMS OF DISEASES

Номер патента: RU2563619C1. Автор: Зарема Римовна Хисматуллина,Айрат Радикович Мавзютов,Георгий Емельянович Ефимов,Юрий Михайлович Никаноров,Булат Разяпович Кулуев,Татьяна Николаевна Титова,Дилара Раулевна Попова,Анастасия Аркадьевна Титова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-09-20.

Coating used for severe environments and sensors with such coating

Номер патента: RU2359266C2. Автор: Джеффри Си АНДЛЕ,Рейчл Б. ХАСКЕЛ,Джохн Х. БРАДСХАВ. Владелец: Делавер Капитал Форматион, Инк.. Дата публикации: 2009-06-20.

Method of wear resistance test at rigid type of wear (100% slipping) of sample material in dry friction conditions

Номер патента: RU2566375C1. Автор: Виталий Брониславович Мордынский,Нина Ойзеровна Спектор,Александр Семенович Тюфтяев,Нелли Ривовна Галеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2015-10-27.

Melting method of highly purity materials in two-layered container

Номер патента: RU2395334C2. Автор: Алексей Васильевич Беляков,Людмила Алексеевна Белякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2010-07-27.

Automated system to test and control production process, environment and positions of miners in underground workings

Номер патента: RU2180941C2. Автор: А.М. Баранов,А.Н. Калиновский. Владелец: Калиновский Александр Николаевич. Дата публикации: 2002-03-27.

Method of charge de-concentration of exlosive material in borehole

Номер патента: RU2362114C2. Автор: Владимир Алексеевич Гонцул,Виктор Федорович Кузик,Владимир Алексеевич Гонцул (UA),Виктор Федорович Кузик (UA). Владелец: Владимир Алексеевич Гонцул. Дата публикации: 2009-07-20.

Method to determine geometric sizes of particles of pellet and/or granulate material in loose layer

Номер патента: RU2557330C2. Автор: Василий Николаевич Круглов. Владелец: Василий Николаевич Круглов. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of grinding loose materials in centrifugal mill

Номер патента: RU2411082C2. Автор: Александр Борисович Липилин. Владелец: Александр Борисович Липилин. Дата публикации: 2011-02-10.

Method and apparatus for soil recultivation in the process of extraction of raw lacrice material in tidal or plain ecotype natural lacrice undergrowth

Номер патента: RU2156556C1. Автор: А.М. Салдаев,А.В. Галда. Владелец: Галда Александр Васильевич. Дата публикации: 2000-09-27.

CELL OF HOMOGENEOUS COMPUTING ENVIRONMENT, HOMOGENEOUS COMPUTING ENVIRONMENT AND APPARATUS FOR PIPELINE COMPUTATION OF SUM OF m n-BIT NUMBERS

Номер патента: RU2475815C1. Автор: Владимир Сергеевич Князьков,Илья Петрович Осинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВЯТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО "ВятГУ"). Дата публикации: 2013-02-20.

Isostath for processing materials in fluid

Номер патента: RU2433889C1. Автор: Александр Павлович Шляхин,Николай Васильевич Пасечник,Виктор Григорьевич Тришкин,Владимир Иванович Головкин,Сергей Николаевич Шушурин,Александр Николаевич Шляхин,Николай Павлович Черваков,Михаил Хаимович Горфинкель,Станислав Георгиевич Титов. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2011-11-20.

Functionally-simulating stand to create conditions of interactive support-free environment and lowered gravity

Номер патента: RU2518478C2. Автор: Валентин Ефимович Шукшунов,Игорь Валентинович Шукшунов,Владимир Алексеевич Васильев,Валерий Васильевич Фоменко,Николай Николаевич Конюхов,Рупен Карапетович Харагозян,Владимир Владимирович Варченко,Владимир Анатольевич Груздев,Константин Владимирович Щербаков,Александр Фёдорович Полещук,Валерий Александрович Калюжный,Андрей Васильевич Гвоздик,Владимир Сергеевич Ульянов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр тренажеростроения и подготовки персонала". Дата публикации: 2014-06-10.

Method of check of qualitative and quantitative parameters of iron ore material in body of vehicle

Номер патента: RU2064664C1. Автор: А.В. Гальянов,Н.А. Леликова,Л.А. Лазарев,М.Г. Хаснулин,В.А. Шиколев. Владелец: Институт горного дела. Дата публикации: 1996-07-27.

Device and method for producing columns of materials in the ground of bodies of water

Номер патента: MY135384A. Автор: Degen Alexander,Degen Wilhelm. Владелец: Vibroflotation B V. Дата публикации: 2008-04-30.

Heating device for heating an aroma material in a removable aroma material container

Номер патента: PH22013000472Y1. Автор: Jen Hsiao Ming. Владелец: Jen Hsiao Ming. Дата публикации: 2016-01-29.

Improvements in Means or Apparatus for Surface Coating Materials in Web Form for Printing Upon and for other uses.

Номер патента: GB189700213A. Автор: Alfred George Brookes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-04-03.

Metal coating complex of iron-containing raw material in form of pellets or briquettes

Номер патента: RU2489495C2. Автор: Анатолий Васильевич Петров,Александр Васильевич Рева,Сергей Борисович Новак. Владелец: Александр Васильевич Рева. Дата публикации: 2013-08-10.

Arrangement for low-temperature dewatering materials in vacuum

Номер патента: RU2300718C1. Автор: Наталья Львовна Ковалева,Лев Кузьмич Ковалев,Сергей Львович Демин,Наталь Львовна Ковалева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-экспертное общество "Эльтрон"" ООО "НЭО "Эльтрон"". Дата публикации: 2007-06-10.

Process of deposition of antifriction material in friction couples

Номер патента: RU2080223C1. Автор: Геннадий Николаевич Журавлев,Юрий Геннадиевич Ватлин. Владелец: Юрий Геннадиевич Ватлин. Дата публикации: 1997-05-27.

Homogeneous computing environment cell, homogeneous computing environment and apparatus for pipeline arithmetic calculations on given modulo

Номер патента: RU2477513C1. Автор: Владимир Сергеевич Князьков,Илья Петрович Осинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Вятский государственный университет ФГБОУ ВПО "ВятГУ". Дата публикации: 2013-03-10.

Device to apply coats on dielectric material in discharge

Номер патента: RU2066703C1. Автор: А.А. Фёдоров. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 1996-09-20.

Manufacture of Strips or Strings from Paper Pulp, Cellulose, Silk, Asbestos, or other Fibrous Material or Materials in the form of Pulp, and Means or Apparatus for use therein.

Номер патента: GB190213112A. Автор: Rudolf Kron. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-06-04.

A New or Improved Device for Retaining Bands or Belts of Silk or other Limp or Non-stiff Material in Shape when in use.

Номер патента: GB190527047A. Автор: Emily Cohn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-09-27.

An Improved Partition or Bulkhead for Separating Material in Warehouses, Ships, or other Situations.

Номер патента: GB189703388A. Автор: Marjory Hunter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-06-12.

Unit for drying disperse plant materials in polydisperse layer of inert bodies

Номер патента: RU2571877C1. Автор: Дмитрий Вячеславович Никитин,Юрий Викторович Родионов,Станислав Олегович Гришин,Вячеслав Михайлович Дмитриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые агрегаты вакуумной сушки" ООО "Навакс". Дата публикации: 2015-12-27.

Procedure determining physical and mechanical characteristics and composition of polymer composite materials in structures by ultrasonic method

Номер патента: RU2196982C2. Автор: Е.Н. Каблов,В.В. Мурашов,А.Ф. Румянцев,Г.М. Гуняев,А.П. Тищенко,М.П. Уральский. Владелец: Государственное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов". Дата публикации: 2003-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.