Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

하프늄-기재의 높은-ｋ의 원자층 증착

Номер патента: KR20060066126A
Опубликовано: 15-06-2006
Автор(ы): 상-인 이, 오브리 엘. 헬름스, 요시히데 센자키, 존 에스. 오양, 케렘 캅킨
Принадлежит: 에비자 테크놀로지, 인크.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865A1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2002-10-16.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865B1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-05.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: AU2374301A. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2001-06-12.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

High-K dielectric gate material uniquely formed

Номер патента: US20040089887A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films

Номер патента: US20050070079A1. Автор: Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-03-31.

Atomic layer deposition of high k dielectric films

Номер патента: WO2004008827A3. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Nitridation of atomic layer deposited high-k dielectrics using trisilylamine

Номер патента: US9064694B2. Автор: Christian Dussarrat,Glenn KUCHENBEISER,Steven P Consiglio,Robert D Clark,Vincent Omarjee,Venkat Pallem. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process

Номер патента: US6884685B2. Автор: Ricardo Garcia,Hsing H. Tseng,Tien Ying Luo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-26.

Method and structure for a large-grain high-K dielectric

Номер патента: US09590063B2. Автор: Rama I. Hegde. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER, FABRICATING METHOD THEREOF AND MULTI-FUNCTION EQUIPMENT IMPLEMENTING SUCH FABRICATING METHOD

Номер патента: US20190088467A1. Автор: Chen Miin-Jang,CHUNG Chen-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2029790A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-03-04.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US8399056B2. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20090311879A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR20050101626A. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-25.

method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR100568448B1. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US20050260347A1. Автор: Pravin Narwankar,Gregg Higashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US20050260357A1. Автор: Christopher Olsen,Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Philip Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US8119210B2. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US8323754B2. Автор: Christopher Olsen,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Philip A. Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: WO2005117087A1. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-12-08.

Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates

Номер патента: US20100301428A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Yttrium and titanium high-K dielectric film

Номер патента: US8900422B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process

Номер патента: CN101298663A. Автор: 施里亚斯·凯尔,德加尔·戈亚尼,巴拉志·卡南. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Tantalum aluminum oxynitride high-k dielectric

Номер патента: US20100283537A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bi-axial texturing of high-K dielectric films to reduce leakage currents

Номер патента: US7619272B2. Автор: Wilbur Catabay,Wai Lo,Sey-Shing Sun. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method of forming high-k dielectric films based on novel zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2540861A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-01-02.

Yttrium and titanium high-k dielectric films

Номер патента: WO2009131902A2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-10-29.

Nitridation of high-k dielectric films

Номер патента: TW200525648A. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Multi-function equipment implementing fabrication of high-k dielectric layer

Номер патента: US20210134587A1. Автор: Miin-Jang Chen,Chen-Yang CHUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based -diketonate precursors

Номер патента: EP2281073A1. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-02-09.

High k dielectric material and method of making a high k dielectric material

Номер патента: US20030224218A1. Автор: Martin Green,Lalita Manchanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based precursors

Номер патента: IL209379A0. Автор: . Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2011-01-31.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Номер патента: US09850573B1. Автор: Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Deposition of SiN

Номер патента: US09576792B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti Juhani Niskanen,Ryoko Yamada. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Selective deposition of SiOC thin films

Номер патента: US12068156B2. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Deposition of flowable sicn films by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20230335392A1. Автор: Hideaki Fukuda,Timothee Blanquart,Aurélie Kuroda,Makoto Igarashi,Shinya Yoshimoto,Takahiro Onuma,Jhoelle Roche Guhit. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Selective deposition of sioc thin films

Номер патента: US20210134586A1. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021050368A1. Автор: XINJIAN LEI,Tingmin Wang,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Deposition of silicon-based dielectric films

Номер патента: EP4292122A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Robert Jan Visser,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia,Suraj Rengarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Pulsed-plasma deposition of thin film layers

Номер патента: US12131903B2. Автор: Khokan Chandra Paul. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method to improve precursor utilization in pulsed atomic layer processes

Номер патента: US20180023195A1. Автор: Triratna P. Muneshwar,Ken Cadien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-25.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices

Номер патента: US09455143B2. Автор: Matthias BAUER,Aaron Muir Hunter,Swaminathan T. Srinivasan,Amikam Sade. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Devices comprising high-K dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US9673039B2. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Tic mos devices on high-k-dielectric gate stacks

Номер патента: WO2006076086A3. Автор: Katherine L Saenger,Sufi Zafar,Alessandro C Callegari,Fenton R Mcfeely,Dianne L Lacey,Michael A Gribelyuk. Владелец: Michael A Gribelyuk. Дата публикации: 2009-04-16.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Reliability caps for high-k dielectric anneals

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Shariq Siddiqui,Rohit Galatage,Chung-Ju Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US12034035B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure having interfacial layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: US6303940B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Marco Mastrapasqua. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: KR100684480B1. Автор: 키질랴리아이식씨.,마스트라파스콰마르코. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 2007-02-22.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20100330269A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Titanium-based high-K dielectric films

Номер патента: US7968452B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US6884475B2. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US20040228968A1. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Systems and methods for improving planarity using selective atomic layer etching (ale)

Номер патента: US20240047218A1. Автор: Masanobu Igeta,Anthony Dip,David O'Meara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for improving planarity using selective atomic layer etching (ALE)

Номер патента: US11823910B2. Автор: Masanobu Igeta,Anthony Dip,David O'Meara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods for non-isothermal wet atomic layer etching

Номер патента: WO2023239495A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill

Номер патента: US09837312B1. Автор: Praveen Nalla,Samantha Tan,Artur Kolics,Jengyi Yu,Keren Jacobs Kanarik,Novy Tjokro,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Rf sputtering apparatus for controlling atomic layer of thin film

Номер патента: EP4230763A1. Автор: Se Young Jeong,Sang Eon Park,You Sil LEE,Su Jae Kim,Mi Yeon CHEON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-08-23.

Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer

Номер патента: US6642066B1. Автор: Arvind Halliyal,Farzad Arsania. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: EP4225964A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: US20230416911A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer etching

Номер патента: US20230268187A1. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic layer etching

Номер патента: US12040195B2. Автор: Varun Sharma,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of depositing atomic layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420248A1. Автор: Hongtaek LIM,Hyunjun AHN,Kyoungwoo Hong,Hanhim Kang,Yeongyeop Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Selective thermal atomic layer etching

Номер патента: EP4419732A1. Автор: Ravindra Kanjolia,Jean-Sébastien LEHN,Martin E. McBRIARTY,Ronald PEARLSTEIN,Jared Leith McWILLIAMS,Nguyen Minh VU. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Atomic layer etching processes

Номер патента: US12094686B2. Автор: Chiyu Zhu,Tom E. Blomberg,Varun Sharma,Suvi P. Haukka,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer etching using a combination of plasma and vapor treatments

Номер патента: US20190198345A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek,John Boniface. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US9786801B2. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-10.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Overlay shift correction for the deposition of epitaxial silicon layer and post-epitaxial silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20030032256A1. Автор: Hung-Chih Chen,Tai-Yuan Wu,Ren-Jyh Leu,Kun-I Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US20170033246A1. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-02-02.

High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect

Номер патента: US20020036336A1. Автор: Qi Xiang,WEI Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-k dielectric gate caps

Номер патента: US09824921B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Devices with Metal Gate, High-k Dielectric, and Butted Electrodes

Номер патента: US20080277726A1. Автор: Ying Zhang,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Michelle L. Steen,Mark Todhunter Robson,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: US20190057863A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: WO2019036709A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: US09576805B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett T. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Forming high-K dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: US20080087985A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Hybrid high-K dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US12080725B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240347551A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

High-K dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US11894396B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240120349A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20230369354A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material

Номер патента: WO2012021318A2. Автор: Tsai-Yu Huang,Ching-Kai Lin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

Forming high-k dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: TWI325603B. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3891810B1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TW201145389A. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR INCLUDING HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130207171A1. Автор: Uno Tomohiro. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-03.

RELIABILITY CAPS FOR HIGH-K DIELECTRIC ANNEALS

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Siddiqui Shariq,Galatage Rohit,Yang Chung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Doped High-k Dielectrics and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150035085A1. Автор: AHMED Khaled,Greer Frank. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180061645A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20180061646A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180076039A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for Forming High-K Dielectric Materials with Tunable Properties

Номер патента: US20170084680A1. Автор: Gaurav SARAF,Howard Lin,Kiet Vuong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20170125542A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20190131435A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160149013A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device having high-k dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180151356A1. Автор: Minghwei Hong,Juei-Nai Kwo,Chien-Hua FU,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuanhsiung Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-31.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS WITH DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220310457A1. Автор: Chang I-Ming,Chao Huang-Lin,Chang Huiching. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20200161452A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20160181158A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170178913A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180204923A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20170229554A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,Yim Dong-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260638A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20200258918A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-08-29.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190296120A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200303399A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20170317182A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180315824A9. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20180337248A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical Metal Insulator Metal Capacitor Having a High-K Dielectric Material

Номер патента: US20170373056A1. Автор: JOU Chewn-PU,BAO Tien-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20200365702A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: CN110088906B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Analog capacitor having at least 3 layers of high-k dielectric layers and method of fabricating the same

Номер патента: KR100541551B1. Автор: 원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-10.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: CN1598981A. Автор: 元皙俊,郑镛国,权大振,金元洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-23.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422A. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US10381452B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin magnesia

Номер патента: CN105489486B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,孟优,姜桂霞. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

High-K dielectric stack and method of fabricating same

Номер патента: US8722484B2. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Michael Lisiansky,Alexey Heiman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: KR102455485B1. Автор: 샹신 루이,라이 자오,수 영 최,즈르쟌 제리 첸,유지아 자이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-14.

Manufacturing method of high-K dielectric layer

Номер патента: CN111710602A. Автор: 郁赛华,董雅娟. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234466A1. Автор: Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-19.

Approach to high-k dielectric feature uniformity

Номер патента: US10600887B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

For the mixing high-k dielectric material membrane stack comprising zirconium oxide in display device

Номер патента: CN109075208A. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-21.

Manufacture method, high k dielectric structure and its manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN107316809A. Автор: 黄晨,刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨,许如. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A4. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-11.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-K dielectric material

Номер патента: US9793264B1. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device, high-K dielectric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112864009A. Автор: 刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

Mixed high-K dielectric material film stack comprising zirconium oxide for use in display devices

Номер патента: CN109075208B. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: WO2018017360A2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TWI479569B. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A2. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422B. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

High-k dielectric layer of three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: KR20210102980A. Автор: 리홍 샤오. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2021-08-20.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070007635A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A1. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S. Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: KR100869448B1. Автор: 비디아 에스. 카우쉭,비치-옌 웬,스리니바스 브이. 피에탐바람,제임스 케니언 3세 쉐퍼. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2008-11-19.

Interfacial layer for use with high k dielectric materials

Номер патента: WO2006023027A1. Автор: Papu D. Maniar,Shawn G. Thomas,Vida Ilderem. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: TWI240332B. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V Pietambaram,Vidya S Kaushik,James Kenyon Schaeffer Iii. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-09-21.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: TW200422427A. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Eugene S Lopata,Iii Robert H Chatham. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A8. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

NITRIDATION OF ATOMIC LAYER DEPOSITED HIGH-K DIELECTRICS USING TRISILYLAMINE

Номер патента: US20140017907A1. Автор: Dussarrat Christian,Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Omarjee Vincent,Pallem Venkat,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

High-k dielectric materials with dipole layer

Номер патента: US20230386938A1. Автор: Huang-Lin Chao,I-Ming Chang,Huiching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating the flash memory device using high-k dielectric as inter-poly dielectric

Номер патента: KR100771541B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,이은아,채수진,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-30.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: TW200703459A. Автор: Olubunmi O Adetutu,David C Gilmer,Hsing H Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130071990A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

TRANSITION METAL ALUMINATE AND HIGH K DIELECTRIC SEMICONDUCTOR STACK

Номер патента: US20140175618A1. Автор: Mujumdar Salil. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layers with Different Materials

Номер патента: US20190131185A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20150200101A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,Brewer Rhett T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160211183A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150263119A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layers with different materials

Номер патента: KR102058222B1. Автор: 잉-리앙 추앙,밍-시 예,쿠오-빈 후앙,주-리 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-12-20.

Ozone-enhanced oxidation for high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: US6573193B2. Автор: Mo-Chiun Yu,Yeou-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

The self-insurance sheath formed on the high k dielectric layer of different materials

Номер патента: CN109216356A. Автор: 叶明熙,黄国彬,黄如立,庄英良. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of improved high K dielectric-polysilicon interface for CMOS devices

Номер патента: US7129128B2. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-31.

High-k dielectric for thermodynamically-stable substrate-type materials

Номер патента: WO2003096390A1. Автор: Chi On Chui,Krishna C. Saraswat,Baylor B. Triplett. Владелец: STANFORD UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20220003678A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A1. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-11.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US11808706B2. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-11-07.

Model for optical dispersion of high-K dielectrics including defects

Номер патента: US09405290B1. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Microelectronic devices designed with ultra-high-k dielectric capacitors integrated with package substrates

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Johanna M. Swan,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: US11046585B2. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2021-06-29.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: EP3484818A1. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-05-22.

Multi-atomic layered materials

Номер патента: US20190292061A1. Автор: Ihab N. Odeh,Nitin Chopra. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-09-26.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09564309B2. Автор: SHANG Chen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

3D atomic layer gate or junction extender

Номер патента: US09318318B1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Pouya Hashemi,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Transmission line design and method, where high-k dielectric surrounds the transmission line for increased isolation

Номер патента: US09786976B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching high k dielectric films with reduced likelihood of delamination

Номер патента: US20130065023A1. Автор: ABBAS Ali,Hansley Regan Rampersad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation

Номер патента: US09425041B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Fabrication of field-effect transistors with atomic layer doping

Номер патента: US20150236118A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,MIN Yang,Isaac Lauer,Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon

Номер патента: US09735024B2. Автор: Masaru Zaitsu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for performing in-situ deposition of sidewall image transfer spacers

Номер патента: US09972502B2. Автор: Stefan Schmitz,Jae Ho Lee,Changwoo Lee,Michael Goss,Noel Sun,Phil Friddle,Naveed Ansari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Self limiting lateral atomic layer etch

Номер патента: US09620376B2. Автор: Tom Kamp,Neema Rastgar,Michael Carl Drymon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Designer atomic layer etching

Номер патента: WO2018118655A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

High K dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: US09685270B2. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-06-20.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: EP3167006A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-05-17.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: WO2016007268A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2016-01-14.

High k dielectric compositions with fine grain size

Номер патента: WO1993015031A1. Автор: Ian Burn,Salvatore A. Bruno. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1993-08-05.

Low-temperature sintered high-k dielectric self-assembly, laminated ceramic capacitors manufactured using this composition, and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR960022390A. Автор: 김윤호,김효태. Владелец: 김은영. Дата публикации: 1996-07-18.

High k dielectric compound for ceramic capacitor with internal copper electrode

Номер патента: JPS63246810A. Автор: イアン・バーン. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1988-10-13.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly

Номер патента: US09927706B2. Автор: Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Michael Scott Arnold,Paul Franklin Nealey,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-03-27.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Forming a semiconductor feature using atomic layer etch

Номер патента: US20210265164A1. Автор: Subhadeep Kal,Shan Hu,Akiteru Ko,Angelique RALEY,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Forming a semiconductor feature using atomic layer etch

Номер патента: WO2021173400A1. Автор: Subhadeep Kal,Shan Hu,Akiteru Ko,Angelique RALEY,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: SG11201907625UA. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Selective Deposition of Barrier Layer

Номер патента: US20240266211A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: WO2018157090A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-30.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20190157105A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: EP3586357A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20180366343A9. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Methods of annealing after deposition of gate layers

Номер патента: US09620386B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun Hsiung Tsai,Da-Wen Lin,Xiong-Fei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US11804455B1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US20240014149A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A3. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Manuel Quevedo Lopez. Дата публикации: 2009-05-14.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A2. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of forming high-k dielectric material

Номер патента: US11837508B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layer

Номер патента: US20240203740A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor CMOS devices and methods with NMOS high-k dielectric present in core region that mitigate damage to dielectric materials

Номер патента: US7642146B2. Автор: Luigi Colombo,Mark Robert Visokay,James Joseph Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor CMOS Devices and Methods with NMOS High-K Dielectric Present in Core Region that Mitigate Damage to Dielectric Materials

Номер патента: US20070122962A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Mark Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Self-protective layer formed on high-K dielectric layer

Номер патента: US11923201B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Floating gate avalanche injection MOS transistors with high K dielectric control gates

Номер патента: TW507383B. Автор: Richard William Gregor,Isik C Kizilyalli,Pradip Kumar Oy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: SG118211A1. Автор: Tao Hun-Jan,PERNG Baw-Ching,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric

Номер патента: TWI374518B. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-K dielectric

Номер патента: TW200802733A. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US09570313B2. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IMPROVED HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FABRICATION OF SAME

Номер патента: US20150001643A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SUBSTRATE INTEGRATED THIN FILM CAPACITORS USING AMORPHOUS HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200006258A1. Автор: Braunisch Henning,BROWN Andrew J.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,SOUNART Thomas,CHATTERJEE Prithwish. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHOD AND APPARATUS FOR PLACING A GATE CONTACT INSIDE A SEMICONDUCTOR ACTIVE REGION HAVING HIGH-K DIELECTRIC GATE CAPS

Номер патента: US20180012798A1. Автор: Labonte Andre,Zhang Xunyuan,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US20160020108A1. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer

Номер патента: US20140124872A1. Автор: Weonhong Kim,Dae-Kwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20200075756A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20200090940A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

3D IC ANTENNA ARRAY WITH LAMINATED HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20190103680A1. Автор: KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20170154781A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20210193469A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20140256149A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-11.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20190164766A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Doping of High-K Dielectric Oxide by Wet Chemical Treatment

Номер патента: US20160181108A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,Oniki Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

PROTECTION OF HIGH-K DIELECTRIC DURING RELIABILITY ANNEAL ON NANOSHEET STRUCTURES

Номер патента: US20190189766A1. Автор: Narayanan Vijay,Mehta Sanjay C.,Sankarapandian Muthumanickam,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203985A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203986A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203987A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204209A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

OXYGEN VACANCY PASSIVATION IN HIGH-K DIELECTRICS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210249315A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

3d ic antenna array with laminated high-k dielectric

Номер патента: US20210257745A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260618A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

HIGH-K DIELECTRICS WITH A LOW-K INTERFACE FOR SOLUTION PROCESSED DEVICES

Номер патента: US20150311307A1. Автор: Ng Tse Nga,Hsieh Bing R.,Whiting Gregory. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-29.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: US20200295453A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20160343846A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20190348451A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

METAL VERTICAL TRANSFER GATE WITH HIGH-K DIELECTRIC PASSIVATION LINING

Номер патента: US20200411585A1. Автор: Chen Gang,Sun Shiyu,HUANG Chiao-Ti. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

INTEGRATED PATCH ANTENNA HAVING AN INSULATING SUBSTRATE WITH AN ANTENNA CAVITY AND A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20220368012A1. Автор: Chen Ching-Hui,KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: KR101037308B1. Автор: 리 첸,히로미츠 감바라,노부히로 이와마,메이키 코,히로마사 모치키,마사아키 하기하라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-05-27.

Semiconductor device employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120054935A. Автор: 김원홍,주대권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-31.

Methods to create high-k dielectric gate electrodes with backside cleaning

Номер патента: US6455330B1. Автор: Mong Song Liang,Liang Gi Yao,Ming Fang Wang,Shih Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Method and system for etching high-k dielectric materials

Номер патента: JP4723503B2. Автор: 明輝 高,正明 萩原,チェン、リー,弘光 神原,信浩 岩間,宏政 持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: US20050164511A1. Автор: Lee Chen,Akiteru Ko,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor device with metal gate and high―k dielectric and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101986144B1. Автор: 이승미,지연혁. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-05.

High-k dielectrics with gold nano-particles

Номер патента: US8367506B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Circuit structure with metal gate and high-K dielectric

Номер патента: CN101772839B. Автор: 爱德华·A·卡迪尔,维贾·纳拉亚南,瓦姆希·帕鲁彻里,巴里·P·林德,布鲁斯·多丽丝. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: WO2004109772A2. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for plasma etching of high-K dielectric materials

Номер патента: US20040007561A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

High-k dielectrics with a low-k interface for solution processed devices

Номер патента: US9219126B2. Автор: Bing R. Hsieh,Gregory Whiting,Tse Nga Ng. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Silicide process using high K-dielectrics

Номер патента: US6784506B2. Автор: Qi Xiang,Eric N. Paton,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski,Paul L. King,John Clayton Foster. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Metal vertical transfer gate with high-k dielectric passivation lining

Номер патента: US11121169B2. Автор: Gang Chen,Shiyu Sun,Chiao-Ti HUANG. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Methods for incorporating high k dielectric materials for enhanced SRAM operation and structures produced thereby

Номер патента: US20060103023A1. Автор: Sampath Purushothaman,Satyanarayana Nitta,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for fabricating semiconductor with high-k dielectric layer thereof

Номер патента: TW200616083A. Автор: Kung-Ming Fan,Shian-Jyh Lin,Chao-Sung Lai,Jer-Chyi Wang,Woei-Cherng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high k dielectrics

Номер патента: US7105889B2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni P. Gousev,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Matthew W. Copel,Vamsi K. Paruchuri,Nestor A. Bojarczuk, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Methods for forming transistors with high-k dielectric layers and transistors formed therefrom

Номер патента: US20080254588A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai,M. Y. Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7723798B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having sequentially stacked high-k dielectric layers

Номер патента: US9048307B2. Автор: Jeong-hee Han,Jae-Yeol Song,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-02.

A method and system to enhance the removal of high-k-dielectric materials

Номер патента: WO2004021409A3. Автор: Lee Chen,Gordon Bease. Владелец: Gordon Bease. Дата публикации: 2004-07-01.

Low temperature polysilicon oxide process for high-k dielectric/metal gate stack

Номер патента: US20090170346A1. Автор: James J. Chambers,Ajith Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THIS SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: DE60311016D1. Автор: Chan Lim,Kilho Lee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-15.

High-k dielectric liners in shallow trench isolations

Номер патента: US10510790B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high-k dielectrics

Номер патента: US20050269635A1. Автор: Martin Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni Gousev,Rajarao Jammy,Cyril Cabral,Eduard Cartier,Matthew Copel,Vamsi Paruchuri,Nestor Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: KR102224383B1. Автор: 칭-후이 첸,펭-웨이 구오,웬-쉬앙 리아오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for fabricating transistor with high-K dielectric sidewall spacer

Номер патента: US8536041B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of plasma etching of high-K dielectric materials with high selectivity to underlying layers

Номер патента: US20030170986A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Process for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics

Номер патента: US20020121697A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

N+ polysilicon on high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: WO2006104893A2. Автор: Christoph Wasshuber,Ramesh Venugopal,David Barry Scott. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures with improved threshold voltage and flat band voltage stability (barrier layer to achieve threshold voltage control in CMOS device formation with high-k dielectrics) Selective implementation)

Номер патента: JP4711444B2. Автор: ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア,カブラル、シリル、ジュニア,カルティエ、エデュアルト、エイ,コペル、マシュー、ダブリュ,フランク、マーティン、エム,グーセフ、エフゲニ、ピー,グーハ、スプラティク,ジャミー、ラジャラオ,ナラヤナン、ビジェイ,パルチューリ、ヴァムシ、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

High-K dielectric structure for deep trench isolation

Номер патента: US9224740B1. Автор: Shahab Siddiqui,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US20050181590A1. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US8580641B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Noval chemistry and method for the selective removal of high-k dielectrics

Номер патента: US20030109106A1. Автор: James Chambers,Antonio Pacheco Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

METHOD TO REDUCE THRESHOLD VOLTAGE (Vt) IN SILICON GERMANIUM (SIGE), HIGH-K DIELECTRIC-METAL GATE, P-TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20100013021A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Jong Ho Lee,Kenneth J. Stein,Voon-Yew Thean,Weipeng Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070045676A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: WO2009019187A3. Автор: Vijay Narayanan,Bruce Doris,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: Barry Paul Linder. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US7037849B2. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-05-02.

High k dielectric materials integrated into multi-gate transistor structures

Номер патента: US20080315310A1. Автор: Uday Shah,Jack Kavalieros,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7807525B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

SELECTIVE IMPLEMENTATION OF BARRIER LAYERS TO ACHIEVE THRESHOLD VOLTAGE CONTROL IN CMOS DEVICE FABRICATION WITH HIGH k DIELECTRICS

Номер патента: KR100951227B1. Автор: 네스터 에이. 주니어. 보자르크주쿠,사이릴 주니어. 캐브랠,에듀어드 에이. 카르테에,매튜 더블유. 코펠,마르틴 엠. 프랭크,이브게니 피. 고우세브,서프라틱 구하,라자라오 재이미,비제이 나라야낸,밤시 케이. 파루추리. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-04-05.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: TW200939354A. Автор: Husam Alshareef,Manuel A Quevedo-Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Method to improve the quality of a high-k dielectric layer

Номер патента: EP3316289B1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device with high-k dielectric and quasi-metal gate, and method of forming thereof

Номер патента: TW200625632A. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Memory using hole trapping in high-k dielectrics

Номер патента: WO2006138370A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high k dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: EP1101249A1. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Imran Hashim,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Device with pb-based high-k dielectric thin-film capacitor comprising pb-donating layers

Номер патента: WO2008028660A3. Автор: Mareike Klee,Ruediger Mauczok,Michael Joehren,Aarnoud Roest. Владелец: Aarnoud Roest. Дата публикации: 2008-04-17.

High k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias

Номер патента: US6430030B2. Автор: Mukta S. Farooq,Robert A. Rita,Herbert I. Stoller,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130069201A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobumichi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K DIELECTRICS WITH GOLD NANO-PARTICLES

Номер патента: US20130153986A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Chen Hanhong,Kumar Pragati. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20140027843A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Cheng Chun-Fai,Chen Kuan--Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-30.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20220013547A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20190008046A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026054A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026055A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20170067830A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor Device Having SiGe Substrate, Interfacial Layer and High K Dielectric Layer

Номер патента: US20140151819A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

MECHANISMS FOR MONITORING IMPURITY IN HIGH-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150099315A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,LEE Chang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD OF FABRICATING A MIM CAPACITOR WITH MINIMAL VOLTAGE COEFFICIENT AND A DECOUPLING MIM CAPACITOR AND ANALOG/RF MIM CAPACITOR ON THE SAME CHIP WITH HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20160104762A1. Автор: Yu Bo,Triyoso Dina,Chu Shao-Fu Sanford. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140183649A1. Автор: JI Yun-Hyuck,LEE Seung-Mi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

High-K Dielectric Grid Structure for Semiconductor Device

Номер патента: US20140263956A1. Автор: Lin Yu-Ku,Lin Chun Che,Wu Chih-Nan,Jian Shiu-Ko Jang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Xu Jeff J.,Lee Chen-Yi,YAO Liang-Gi,CHENG Chun-Hu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204214A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Methods to Improve Electrical Performance of ZrO2 Based High-K Dielectric Materials for DRAM Applications

Номер патента: US20150228710A1. Автор: Koyanagi Kenichi,Rui Xiangxin,Fujiwara Naonori,Chen Hanhong,Hashim Imran. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20160233256A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160268390A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

ELECTRONIC STRUCTURES COMPRISING MULTIPLE, ADJOINING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS AND RELATED ELECTRONIC DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210343736A1. Автор: Surthi Shyam,Hill Richard J.,Carlson Chris M.,Resnati Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20150333076A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

A kind of enhanced MIS HEMT device in longitudinal direction with high K dielectric slot

Номер патента: CN106252404B. Автор: 张波,魏杰,杨超,吴俊峰,罗小蓉,李肇基,彭富,邓思宇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-08-23.

Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof

Номер патента: TWI323034B. Автор: Wei Ling Lin,Jiing Fa Wen,Wen Hsi Lee,Tarng Shiang Hu,Jiun Jie Wang,Cheng Chung Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2010-04-01.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

Flash Cell with Integrated High-K Dielectric and Metal-Based Control Gate

Номер патента: US20100163952A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: WO2010078189A2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-08.

Pixel and imager device having high-k dielectrics in isolation structures

Номер патента: US20070096176A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Chandra Mouli. Дата публикации: 2007-05-03.

Electronic structures comprising multiple contiguous high-k dielectric materials and related electronic devices, systems, and methods

Номер патента: KR20230002973A. Автор: 리차드 제이. 힐,샤이암 수르티,크리스 엠. 칼슨,다비드 레스나티. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2023-01-05.

High k dielectric layer and forming method thereof, the capacitor arrangement using it

Номер патента: CN109346458A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-15.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US7602009B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

Transistors with high-k dielectric spacer liner to mitigate lateral oxide encroachment

Номер патента: US20090079014A1. Автор: Willy Rachmady,Justin S. Sandford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: CN102272929A. Автор: C-H·詹,W·M·哈弗兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin lithia

Номер патента: CN105552130B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱春丹. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A4. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-27.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Liner to form composite high-k dielectric

Номер патента: US20230307491A1. Автор: Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: TW434837B. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Multi-layer pt electrode for dram and fram with high k dielectric materials

Номер патента: WO2002054457A2. Автор: Chenting Lin,Michael Wise,Jingyu Lian,Nicolas Nagel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-07-11.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: WO2024147802A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US20240249913A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Hydrogen activated atomic layer etching

Номер патента: US09779956B1. Автор: Xin Zhang,Gerardo Delgadino,Daniel Le,Alan Jensen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US11942306B1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US11869747B1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

High energy atomic layer etching

Номер патента: US20240274408A1. Автор: YANG Pan,Samantha Tan,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer etch process using an electron beam

Номер патента: US09520294B2. Автор: Shahid Rauf,Rajinder Dhindsa,Ankur Agarwal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US20170140937A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: WO2020223152A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US11935758B2. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: EP4032118A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Atomic layer etching of metals

Номер патента: WO2021055166A1. Автор: Prerna Sonthalia Goradia,Nitin Deepak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Atomic layer etching using an inhibitor

Номер патента: WO2023164367A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Aaron Lynn ROUTZAHN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US20240186150A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

HIGH K DIELECTRIC COMPOSITION FOR THERMOFORMABLE CAPACITIVE CIRCUITS

Номер патента: US20160005542A1. Автор: Dorfman Jay Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Nanogenerator comprising boron nitride atomic layer

Номер патента: US9406864B2. Автор: Sang Woo Kim,Jin Yeong Lee,Wan Chul SEUNG,Keun Young LEE,Kang Hyuck LEE,Ju Hyuck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-02.

Atomic layer etch systems for selectively etching with halogen-based compounds

Номер патента: WO2020101997A1. Автор: He Zhang,Yunsang Kim,Dong Woo Paeng. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-22.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Deposition of beta-gallium oxide thin films

Номер патента: US20220325409A1. Автор: Elham RAFIE BORUJENY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20080044569A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Steve Poppe,Paul Deaten,Kenric Cho,Nyi Myo,Craig Metzner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20050271813A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Rahul Sharangapani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

High-k dielectric films and methods of producing high-k dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: TWI467045B. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: US8613975B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2013-12-24.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of forming a catalyst with an atomic layer of platinum atoms

Номер патента: US09610566B2. Автор: Keiichi Kaneko,Minhua Shao,Michael Paul HUMBERT. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: US20200142327A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: TNO SCIENCE & INDUSTRY. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for etching atomic layer

Номер патента: US20240177972A1. Автор: Chin Wook Chung,Jun Young Park,Ji Won JUNG,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,Hong Seong GIL,Hae In KWON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: CA3239134A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: EP4437159A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Номер патента: WO2012112795A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220325412A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Process for deposition of an outer layer, reflective optical element for the euv wavelength range and euv lithography system

Номер патента: US20240111216A1. Автор: Stefan Schmidt,Dirk Ehm,Fred Roozeboom,Alfredo Mameli. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Deposition of low-k films

Номер патента: US11970777B2. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220154337A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces

Номер патента: US20050039686A1. Автор: Er-Xuan Ping,Trung Doan,Cem Basceri,Kevin Beaman,Lyle Breiner,Ronald Weimer,David Kubista,Lingyi Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

Prototyping station for atomic force microscope-assisted deposition of nanostructures

Номер патента: US20090241232A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Wonyoung Lee,James F. Mack,Andrei Iancu,Neil Dasgupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer process printer

Номер патента: US12049700B2. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Atlant 3d Nanosystems Aps. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Boron atomic layer sheet and laminated sheet, method for manufacturing the same, and liquid crystals

Номер патента: US11795059B2. Автор: Kimihisa Yamamoto,Aiko Watanabe,Tetsuya Kambe,Shotaro IMAOKA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-10-24.

Atomic layer process printer

Номер патента: EP3980573A1. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Centre Of Experimental Medicine Slovak Academy Of Sciences Institute Of Experimental Pharmacology. Дата публикации: 2022-04-13.

Atomic layer process printer

Номер патента: WO2020245230A1. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: SLOVAK ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2020-12-10.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US09567671B2. Автор: Freddy Roozeboom,Raymond Jacobus Wilhelmus Knaapen,Jacques Cor Johan Van der Donck,Ruud Olieslagers,Diederik Jan Maas,Dennis Van Den Berg,Matijs C. Van Den Boer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-02-14.

Atomic layer film-forming device

Номер патента: EP2267183A1. Автор: Kazutoshi Murata. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: WO2009016606A3. Автор: Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser,Beek Jozef Thomas Martinus Van,Marieke Klee. Владелец: Marieke Klee. Дата публикации: 2009-08-06.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

RELIABLE NANOFET BIOSENSOR PROCESS WITH HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20140054651A1. Автор: Bashir Rashid,Reddy Bobby,Dorvel Brian Ross. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2014-02-27.

Non-linear terahertz spectroscopy for defect density identification in high k dielectric films

Номер патента: US7459687B2. Автор: John Francis Federici,Haim Grebel,Hakan Altan. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-02.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: US20100202254A1. Автор: Mareike Klee,Jozef Thomas Martinus Van Beek,Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-08-12.

cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: CN101772383A. Автор: M·克莱,J·D·弗雷泽,K·赖曼,A·L·鲁斯特,J·T·M·范贝克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-07-07.

Reliable nanofet biosensor process with high-k dielectric

Номер патента: WO2012078340A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy,Brian Ross Dorvel. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2012-06-14.

Non-Linear Terahertz Spectroscopy for Defect Density Identification in High K Dielectric Films

Номер патента: US20070235650A1. Автор: Haim Grebel,Hakan Altan,John Federici. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-11.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy

Номер патента: US5458084A. Автор: Raymond T. Perkins,James M. Thorne,David D. Allred,James K. Shurtleff. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Hafnium-based high-k gate dielectric stack structure and MOSFET device thereof

Номер патента: CN105762179A. Автор: 魏峰,陈小强,杜军,熊玉华. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2016-07-13.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS OF FORMING THE HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120040162A1. Автор: Huang Tsai-Yu,Lin Ching-Kai. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

HIGH-K DIELECTRIC GATE STRUCTURES RESISTANT TO OXIDE GROWTH AT THE DIELECTRIC/SILICON SUBSTRATE INTERFACE AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120286374A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,HE Wei,Bu Huiming,HENSON William K.,Moumen Naim,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

High k dielectric film

Номер патента: TWI362073B. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-11.

High-k dielectric films and methods ofproducing using cerium-based precursors

Номер патента: TW200949005A. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2009-12-01.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICES EMPLOYING HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AS A GATE INSULATING LAYER AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120129330A1. Автор: Joo Dae-Kwon,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

STRUCTURE AND METHOD TO IMPROVE THRESHOLD VOLTAGE OF MOSFETS INCLUDING A HIGH K DIELECTRIC

Номер патента: US20120168874A1. Автор: Liang Qingqing,Greene Brian J.,Maciejewski Edward P.,Leobandung Effendi,Wang Yanfeng,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

TANTALUM SILICON OXYNITRIDE HIGH-K DIELECTRICS AND METAL GATES

Номер патента: US20120205720A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.,Bhattacharyya Arup. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR PRODUCING MIM CAPACITORS WITH HIGH K DIELECTRIC MATERIALS AND NON-NOBLE ELECTRODES

Номер патента: US20120214288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

REDUCING EQUIVALENT THICKNESS OF HIGH-K DIELECTRICS IN FIELD EFFECT TRANSISTORS BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ANNEAL

Номер патента: US20120238086A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of Removing High-K Dielectric Layer on Sidewalls of Gate Structure

Номер патента: US20120256278A1. Автор: ZHANG YING,Yan Hongwen,Yang Qingyun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR FABRICATING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120282783A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD FOR FABRICATING TRANSISTOR WITH HIGH-K DIELECTRIC SIDEWALL SPACER

Номер патента: US20120289014A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

POLYSILICON GATE WITH NITROGEN DOPED HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON DIOXIDE

Номер патента: US20120313186A1. Автор: Wang Ling-Sung,HUANG Ching-Chien,CHIOU Ying-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

FORTIFICATION OF CHARGE STORING MATERIAL IN HIGH K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20130001673A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20130026579A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-31.

Non-volatile Memory Cell Having A High K Dielectric And Metal Gate

Номер патента: US20130032872A1. Автор: KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20130032912A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130044404A1. Автор: Chen Hanhong,Phatak Prashant B.,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi,Mathur Monica Sawkar,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20130052833A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130062677A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

ETCHING HIGH K DIELECTRIC FILMS WITH REDUCED LIKELIHOOD OF DELAMINATION

Номер патента: US20130065023A1. Автор: Ali Abbas,Rampersad Hansley Regan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR PROCESSING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130072030A1. Автор: Wang Yu-Ren,Chen Chih-Chung,Wang Shao-Wei,Lu Tsuo-Wen,Lin Chien-Liang,Yen Ying-Wei,Teng Wen-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON NITRIDE BOX REGION

Номер патента: US20130093039A1. Автор: Leobandung Effendi,Shahidi Ghavam G.,Ren Zhibin,Park Dae-Gyu,Ponoth Shom S.,Shi Leathen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105901A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105905A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

(110) SURFACE ORIENTATION FOR REDUCING FERMI-LEVEL-PINNING BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130126985A1. Автор: KO Chih-Hsin,Wann Hsingjen,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-23.

SELF-LIMITING OXYGEN SEAL FOR HIGH-K DIELECTRIC, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130134545A1. Автор: Narayanan Vijay,Shah Jay M.,Hook Terence B.,Sherony Melanie J.,Stein Kenneth J.,Wang Helen H.,Zhu Chendong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

ELECTRICAL TEST STRUCTURE FOR DETERMINING LOSS OF HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND/OR METAL GATE MATERIAL

Номер патента: US20130234138A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION PROCESS THEREOF

Номер патента: US20130313658A1. Автор: LI AILEEN,NI JINGHUA. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

INTEGRATING FORMATION OF A REPLACEMENT GATE TRANSISTOR AND A NON-VOLATILE MEMORY CELL USING A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Shroff Mehul D.,HALL MARK D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Method for growing high k dielectric on graphene by adopting rhodamine as buffering layer

Номер патента: CN102709177B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,周鹏,沈于兰. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-04.

Polishing method for high-K-dielectric silicon wafer

Номер патента: CN105990097A. Автор: 王坚,王晖,杨贵璞. Владелец: ACM (SHANGHAI) Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Method for preparing high-k dielectric layer

Номер патента: CN104701240A. Автор: 肖天金. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-10.

High K dielectric compositions with fine crystal particle size

Номер патента: CN1076302A. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1993-09-15.

High k dielectric composition with fine crystal particle size

Номер патента: CN1230833C. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2005-12-07.

High K dielectric film

Номер патента: TW200527540A. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-08-16.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: TW200426941A. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy

Номер патента: CA1333426C. Автор: David D. Allred,James Meyers Thorne,James Kevin Shurtleff,Raymond Theodore Perkins. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-12-06.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2013-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.