Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors .

Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: US8613975B2
Опубликовано: 24-12-2013
Автор(ы): Paul Raymond Chalker, Peter Nicholas Heys
Принадлежит: Sigma Aldrich Co LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High-k dielectric films and methods of producing high-k dielectric films using cerium-based precursors

Номер патента: TWI467045B. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US6884475B2. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US20040228968A1. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20080044569A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Steve Poppe,Paul Deaten,Kenric Cho,Nyi Myo,Craig Metzner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-k dielectric materials

Номер патента: US20050271813A1. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Rahul Sharangapani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based -diketonate precursors

Номер патента: EP2281073A1. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-02-09.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based precursors

Номер патента: IL209379A0. Автор: . Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2011-01-31.

Method of producing flexible organo-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2695997C2. Автор: Мён Мо СОН,Йюрген ФРАНК,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ,Феликс АЙКЕМАЙЕР,Даниель ЛЁФФЛЕР,Кван Хёк ЮН. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-30.

Atomic layer deposition of high k dielectric films

Номер патента: WO2004008827A3. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process

Номер патента: CN101298663A. Автор: 施里亚斯·凯尔,德加尔·戈亚尼,巴拉志·卡南. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Tic mos devices on high-k-dielectric gate stacks

Номер патента: WO2006076086A3. Автор: Katherine L Saenger,Sufi Zafar,Alessandro C Callegari,Fenton R Mcfeely,Dianne L Lacey,Michael A Gribelyuk. Владелец: Michael A Gribelyuk. Дата публикации: 2009-04-16.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Devices comprising high-K dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US9673039B2. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Method and structure for a large-grain high-K dielectric

Номер патента: US09590063B2. Автор: Rama I. Hegde. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Multi-function equipment implementing fabrication of high-k dielectric layer

Номер патента: US20210134587A1. Автор: Miin-Jang Chen,Chen-Yang CHUNG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2029790A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-03-04.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US8399056B2. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20090311879A1. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of forming high-k dielectric films based on novel zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP2540861A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-01-02.

Method of forming dielectric films, new precursors and their use in the semi-conductor manufacturing

Номер патента: EP2029791A2. Автор: Christian Dussarrat,Nicolas Blasco,Audrey Pinchart,Christophe Lachaud. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-03-04.

High-K dielectric gate material uniquely formed

Номер патента: US20040089887A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

High k dielectric material and method of making a high k dielectric material

Номер патента: US20030224218A1. Автор: Martin Green,Lalita Manchanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20100330269A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Titanium-based high-K dielectric films

Номер патента: US7968452B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Prashant Phatak,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Monica Mathur. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Yttrium and titanium high-K dielectric film

Номер патента: US8900422B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Bi-axial texturing of high-K dielectric films to reduce leakage currents

Номер патента: US7619272B2. Автор: Wilbur Catabay,Wai Lo,Sey-Shing Sun. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Yttrium and titanium high-k dielectric films

Номер патента: WO2009131902A2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-10-29.

Integrated circuit capacitor and method of manufacturing same

Номер патента: WO2006091512A3. Автор: Robert W Grant. Владелец: Robert W Grant. Дата публикации: 2007-12-06.

Nitridation of high-k dielectric films

Номер патента: TW200525648A. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2005-08-01.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR20050101626A. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-25.

method of fabricating high-k dielectric layer having reduced impurity

Номер патента: KR100568448B1. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진,박재언,양종호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER, FABRICATING METHOD THEREOF AND MULTI-FUNCTION EQUIPMENT IMPLEMENTING SUCH FABRICATING METHOD

Номер патента: US20190088467A1. Автор: Chen Miin-Jang,CHUNG Chen-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric

Номер патента: KR20060066126A. Автор: 요시히데 센자키,상-인 이,존 에스. 오양,오브리 엘. 헬름스,케렘 캅킨. Владелец: 에비자 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2006-06-15.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US20050260347A1. Автор: Pravin Narwankar,Gregg Higashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US20050260357A1. Автор: Christopher Olsen,Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Philip Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US8119210B2. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Stabilization of high-k dielectric materials

Номер патента: US8323754B2. Автор: Christopher Olsen,Shankar Muthukrishnan,Randhir Thakur,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Philip A. Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: WO2005117087A1. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-12-08.

Nitridation of atomic layer deposited high-k dielectrics using trisilylamine

Номер патента: US9064694B2. Автор: Christian Dussarrat,Glenn KUCHENBEISER,Steven P Consiglio,Robert D Clark,Vincent Omarjee,Venkat Pallem. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: US6303940B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Marco Mastrapasqua. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates

Номер патента: US20100301428A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Tantalum aluminum oxynitride high-k dielectric

Номер патента: US20100283537A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Arup Bhattacharyya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Charge injection transistor using high-k dielectric barrier layer

Номер патента: KR100684480B1. Автор: 키질랴리아이식씨.,마스트라파스콰마르코. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of producing porous metal oxide films using template assisted electrostatic spray deposition

Номер патента: EP2491162A1. Автор: Sergey Sokolov,Benjamin Paul,Ralph Kraehnert. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of producing high-strength sheet steel, characterized by high plasticity, deformability and weldability, and produced sheet steel

Номер патента: RU2732261C1. Автор: Анирбан ЧАКРАБОРТИ,Хассан ГАССЕМИ-АРМАКИ,Паван К ВЕНКАТАСУРИЯ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2020-09-14.

Method of producing high-strength steel sheet with coating, having high strength, ductility and moldability

Номер патента: RU2686729C2. Автор: Хюнь Цзо ЦЗУНЬ,Донвей ФАН,Рашми Ранджан МОХАНТИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of producing thin nanocrystalline intermetallic film on glass substrate

Номер патента: RU2601365C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing metal-polymer nanocomposite materials with metal nanoparticles

Номер патента: RU2711427C1. Автор: Ольга Владимировна Аржакова,Алла Анатольевна Долгова,Екатерина Геннадьевна Рухля,Елена Анатольевна Зезина,Петр Александрович Кечекьян,Алексей Александрович Зезин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-01-17.

Method of producing high-strength steel sheet with coating, having improved strength and ductility, and obtained sheet

Номер патента: RU2687284C2. Автор: Хюнь Цзо ЦЗУНЬ,Донвей ФАН,Рашми Ранджан МОХАНТИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-05-13.

Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer

Номер патента: US6642066B1. Автор: Arvind Halliyal,Farzad Arsania. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Corrosion inhibitor to protect equipment for production of crude oil, pipelines and reservoirs for crude oil and method of its production

Номер патента: RU2641148C2. Автор: Барбара ГАЗДЗИК,Михал ПАЙДА,Войцех МАЗЕЛЯ,Лешек ЗЕМЯНСКИЙ,Ивона СКРЕТ,Стефан ПТАК,Эва ЗЕГАРМИСТШ,Мечислав СОХА. Владелец: Институт Нефти И Газа - Панствови Институт Бадавчи. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of producing complex oil-soluble corrosion inhibitor of ferrous metals preferably for gun oils

Номер патента: RU2735018C1. Автор: Вячеслав Михайлович Сычев,Михаил Григорьевич Иванов,Денис Михайлович Иванов. Владелец: Михаил Григорьевич Иванов. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Model for optical dispersion of high-K dielectrics including defects

Номер патента: US09405290B1. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20220003678A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A1. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-11.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US11808706B2. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching high k dielectric films with reduced likelihood of delamination

Номер патента: US20130065023A1. Автор: ABBAS Ali,Hansley Regan Rampersad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect

Номер патента: US20020036336A1. Автор: Qi Xiang,WEI Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Transmission line design and method, where high-k dielectric surrounds the transmission line for increased isolation

Номер патента: US09786976B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Reliability caps for high-k dielectric anneals

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Shariq Siddiqui,Rohit Galatage,Chung-Ju Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Microelectronic devices designed with ultra-high-k dielectric capacitors integrated with package substrates

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Johanna M. Swan,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-k dielectric gate caps

Номер патента: US09824921B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

Devices with Metal Gate, High-k Dielectric, and Butted Electrodes

Номер патента: US20080277726A1. Автор: Ying Zhang,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Michelle L. Steen,Mark Todhunter Robson,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure having interfacial layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US12034035B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of producing methyl 2-(1,5,3-dithiazepan-3-yl)alkanoates

Номер патента: RU2605448C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Елена Борисовна Рахимова,Ринат Арфикович Исмагилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нефтехимии и катализа Российской академии наук. Дата публикации: 2016-12-20.

Substrate coated with composite film, method of manufacture of such substrates and their application

Номер патента: RU2288167C2. Автор: Катрин ЖАКИО,Жан-Марк БЕРКЬЕ,Софи БЕССОН,Жан-Пьер БУАЛО,Кристиан РИКОЛЛО,Тьерри ГАКУАН. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2006-11-27.

Method of forming a substrate comprising a titanium layer or foil covered with a titanium oxide layer covered with a high k ceramic, electrode, capacitor, mutilayer capacitor and medical device using it

Номер патента: WO2024120850A3. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-08-02.

High K dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: US09685270B2. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-06-20.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: WO2016007268A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2016-01-14.

High k dielectric composition for thermoformable capacitive circuits

Номер патента: EP3167006A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-05-17.

High k dielectric compositions with fine grain size

Номер патента: WO1993015031A1. Автор: Ian Burn,Salvatore A. Bruno. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1993-08-05.

Low-temperature sintered high-k dielectric self-assembly, laminated ceramic capacitors manufactured using this composition, and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR960022390A. Автор: 김윤호,김효태. Владелец: 김은영. Дата публикации: 1996-07-18.

High k dielectric compound for ceramic capacitor with internal copper electrode

Номер патента: JPS63246810A. Автор: イアン・バーン. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1988-10-13.

Method of manufacturing fireproofing treated transparent film and the fireproofing treated transparent film using the same

Номер патента: KR101405638B1. Автор: 유상원,이민희,이응기,신창학,이태화. Владелец: (주)엘지하우시스. Дата публикации: 2014-06-13.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Oxygen vacancy passivation in high-k dielectrics for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20220130732A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Hybrid high-K dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US12080725B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240347551A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for etching high-K dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US09570313B2. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

High-k dielectric materials with dipole layer

Номер патента: US20230386938A1. Автор: Huang-Lin Chao,I-Ming Chang,Huiching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High-K dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US11894396B2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20240120349A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20230369354A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-layer pt electrode for dram and fram with high k dielectric materials

Номер патента: WO2002054457A2. Автор: Chenting Lin,Michael Wise,Jingyu Lian,Nicolas Nagel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of producing reinforced thermoplastic vibration-absorbing films and films obtained using said method

Номер патента: RU2707995C1. Автор: Сергей Анатольевич Иванов,Александр Иорданович Сятковский,Татьяна Борисовна Скуратова,Дмитрий Николаевич Трофимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пластполимер". Дата публикации: 2019-12-03.

Inorganic polarizing plate and method of producing the same

Номер патента: US20180067246A1. Автор: Masahiro Oowada. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of treating produced or flowback water with nucleophilic agent to deactivate breaker

Номер патента: RU2681326C1. Автор: Брэндон Марк ВИТТУР,Чарлз Дейвид АРМСТРОНГ,Маршалл Г. ОЛТ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-03-06.

Distillation processing of acetone cyanohydrin and method of producing alkyl esters of methacrylic acid and derivatives

Номер патента: RU2495868C2. Автор: Удо ГРОПП,Роберт ВЕБЕР,Томас ШЭФЕР,Андреас ПЕРЛ,Рудольф ЗИНГ,Томас МЕРТЦ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2013-10-20.

Anthracycline derivatives, method of producing 13-benzenidesulphonylhydrazine derivatives of anthracyclines, method of producing 13-deoxyanthracyclines, method of producing 5-imino-13-deoxyanthracyclines

Номер патента: RU2404188C2. Автор: Ричард Д. ОЛСОН,Джералд М. УОЛШ. Владелец: ДжиИэМ Фамэсьютикэлс, эЛэЛСи. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of producing lipids

Номер патента: RU2656996C2. Автор: Суриндер Пал СИНГХ,Томас ВАНЕРКЕ,Джеймс Робертсон Петри,ТАХЧИ Анна ЭЛЬ,Цин ЛЮ. Владелец: Коммонвелт Сайнтифик Энд Индастриэл Рисерч Организэйшн. Дата публикации: 2018-06-07.

Bacterium which produces monophosphoryl lipid a, and a method of producing monophosphoryl lipid using a bacterium

Номер патента: RU2727014C2. Автор: Хак Сок ЧОН,Ын Гён ЯН,Дохён ХВАН. Владелец: Корея Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2020-07-17.

Microorganism for producing diamine and a method of producing diamine using it

Номер патента: RU2696504C2. Автор: Юнг Леол ЯНГ,Хье Вон УМ,Кьоунг Мин ЛИ,Хи Кьюн ДЖУН,Хон Сян ЛИ,Су Джин ПАРК. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2019-08-02.

Method of producing stable high-concentrated organosols based on silver nanoparticles to produce conductive films

Номер патента: RU2644176C1. Автор: Александр Иванович Булавченко,Аида Турусбековна Арымбаева,Марина Геннадьевна Демидова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for producing chinese hamster ovary cell strain, producer of sars-cov-2 virus recombinant rbd protein, chinese hamster ovary cell strain, producer of recombinant rbd protein of sars-cov-2 virus, method of producing recombinant rbd protein of sars-cov-2 virus, a test system for enzyme-linked immunosorbent assay of human blood serum or plasma and its use

Номер патента: RU2723008C9. Автор: Александр Леонидович Гинцбург,Денис Юрьевич Логунов,Амир Ильдарович Тухватулин,Ольга Вадимовна Зубкова,Алина Шахмировна Джаруллаева,Инна Вадимовна Должикова,Борис Савельевич Народицкий,Татьяна Андреевна Ожаровская,Дмитрий Викторович Щебляков,Наталья Михайловна Тухватулина,Ильяс Булатович Есмагамбетов,Ирина Алексеевна Фаворская,Артем Алексеевич Деркаев,Фатима Магометовна Ижаева,Павел Вячеславович Симакин. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи» Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-09.

Solution-free method of producing phthalonitrile prepreg and polymer composite material based thereon

Номер патента: RU2740286C1. Автор: Алексей Валерьевич Кепман,Борис Анатольевич Булгаков,Александр Владимирович БАБКИН,Владислав Владимирович Алешкевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2021-01-12.

Method of producing n-substituted carbamic acid ester and method of producing isocyanate using n-substituted carbamic acid ester

Номер патента: RU2528423C2. Автор: Масааки СИНОХАТА,Нобухиса МИЯКЕ,Ацуси ОКУБО. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of producing carbonated bonded press-moulded article

Номер патента: RU2705667C2. Автор: Ник МАЙЕЛЛЕ,Фредерик БУИЙО,МЕХЕЛЕН Дирк ВАН. Владелец: Орбикс Солюшнз. Дата публикации: 2019-11-11.

Method of producing thrombocytes by means of device for back-and-forth stirring

Номер патента: RU2741871C2. Автор: Томохиро СИГЕМОРИ,Харуки ОКАМОТО,Есикадзу КАТО. Владелец: Сатаке Кемикал Иквипмент Мфг., Лтд.. Дата публикации: 2021-01-29.

Method of producing aqueous suspension of noble metal colloid

Номер патента: RU2491988C2. Автор: Петер Теодорус ВИТТЕ. Владелец: Басф Кэталистс Ллк. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of producing chiral hydrazides

Номер патента: RU2588570C2. Автор: Доминик ДЕ-СУЗА,Мартин Альберт,Михаэль ОБЕРХУБЕР,Йорг ЗАЛЬХЕНЕГГЕР. Владелец: Сандоз АГ. Дата публикации: 2016-07-10.

Compositions and methods of producing (r)-reticulin and its precursors

Номер патента: RU2729065C2. Автор: Питер Джеймс ФАЧЧИНИ,Скотт Кэмерон ФЭРРОУ,Гийом Артур Уэлш БОДУЭН. Владелец: Эпимерон Инк.. Дата публикации: 2020-08-04.

Method for indirect heat drying of disperse material, method of producing cleaned coal, device for indirect heat drying, and device for producing cleaned coal

Номер патента: RU2603209C1. Автор: Сигеру КИНОСИТА,Еити ТАКАХАСИ,Хироки ВАТАНАБЕ,Синити КАЦУСИМА. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се (Кобе Стил, Лтд.). Дата публикации: 2016-11-27.

Composition for colouring by cationic electrodeposition, suitable for colouring even parts of narrow gaps and electrodeposited coating film using same

Номер патента: RU2561080C2. Автор: Масатоси ТАНАКА,Масахиро ТАКЕГАВА,Такеси АИБА,Такеси НОМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-08-20.

Monomer Composition for Preparing Super Absorbent Polymer Film, Preparation Method for Super Absorbent Polymer Film Using the Same, and Super Absorbent Polymer Film Prepared from the Same

Номер патента: US20240228679A9. Автор: Yu Jin Kim,Gicheul KIM,Kiyoul YOON,Seongkyun Kang,Kookhyun CHOI,Seung Wook Cho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of producing a cyclic oligomer, a cyclic oligomer obtained by this method, as well as a method for polymerisation thereof

Номер патента: RU2767861C2. Автор: Либорио Ивано КОСТА,Петер Йоахим ФЛЕКЕНШТАЙН,Ян-Георг РОЗЕНБОМ,Джузеппе СТОРТИ,Массимо Морбиделли. Владелец: Зульцер Менеджмент Аг. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of producing astaxanthin by fermentation

Номер патента: RU2593951C2. Автор: Хироси САТОХ,Казуаки ХИРАСАВА,Тецухиса ЯТА,Хисаси ЙОНЕДА,Мицутоси АДЗУМА. Владелец: ДжейЭкс НИППОН ОЙЛ ЭНД ЭНЕРДЖИ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of producing 3-iodo-1-perfluoroalkyladamantanes

Номер патента: RU2700771C1. Автор: Владимир Михайлович Мохов,Геннадий Михайлович Бутов,Борис Павлович Гладких. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-09-20.

Compound containing multimetal complex, metal complex and method of their production, method of producing catalyst for exgaust gas purification that uses said complexes

Номер патента: RU2403086C2. Автор: Кадзуси МАСИМА,Масато ОХАСИ,Акихиро ЯГИУ,Хирохито ХИРАТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of producing catalytic composition

Номер патента: RU2417124C2. Автор: АНТОНИО Хосе Антонио ТОЛЕДО,ЛУНА Мигель ПЕРЕС,ДЖАКОМЕ Мария Антониа КОРТЕС,АГУИЛАР Хосе ЭСКОБАР,МОНДРАГОН Мария Де Лурдес Арачели МОСКУЭЙРА,ЧАВЕС Карлос АНГЕЛЕС,САЛИНАС Эстебан ЛОПЕС,МОРЕНО Виктор ПЕРЕС,ТОРРЕС Жерардо ФЕРРАТ,ВАЛЛЕЙО Родолфо Ювентино МОРА,И КАССУ Марсело ЛОЗАДА. Владелец: Институто Мексикано Дел Петролео. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of producing salt solution of dibasic acids and diamines

Номер патента: RU2488603C2. Автор: Жан-Франсуа ТЬЕРРИ,Себастьен ЛОМЕЛЬ,Вероник БОССЕННЕК. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2013-07-27.

Method of producing iron-containing pigments

Номер патента: RU2700071C1. Автор: Виктор Владимирович Медведев,Евгений Вячеславович Горбачев,Сергей Норматович Ахмедов,Александр Юрьевич Афанасьев,Дмитрий Михайлович Шапот,Вадим Александрович Козлов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Гидрогранатовые пигменты". Дата публикации: 2019-09-12.

Methods of producing flavouring catalyst

Номер патента: RU2736760C1. Автор: Ан-Хсианг ВУ. Владелец: ШЕВРОН ФИЛЛИПС КЕМИКАЛ КОМПАНИ ЭлПи. Дата публикации: 2020-11-19.

Catalyst, preparation method thereof and photocatalytic method of producing hydrogen

Номер патента: RU2603190C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Екатерина Александровна Козлова,Дина Валерьевна Марковская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-11-27.

Resins based on copolyethers for production of package produced without solid-phase polymerisation, method of processing said resins with variation of reduced viscosity, and containers and other articles thus produced

Номер патента: RU2440894C2. Автор: Питер С. КЕЗИОС,Хелен КОДД,Кевин Ричард ХАРРИСОН. Владелец: ДАК АМЕРИКАС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-01-27.

Method of preparing catalyst and method of producing isopropyl alcohol using said catalyst

Номер патента: RU2738656C1. Автор: Любовь Александровна Исупова,Галина Александровна Бухтиярова,Светлана Николаевна Павлова,Евгения Николаевна Власова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук" (ИК СО РАН, Институт катализа СО РАН). Дата публикации: 2020-12-15.

Method of producing 3-trifluoromethyl chalcones

Номер патента: RU2502720C2. Автор: Гари Дэвид АННИС. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of producing furo[3,2-c]isoquinoline-5(4h)-one derivatives

Номер патента: RU2713199C1. Автор: Валерий Викторович Коншин,Ида Александровна Лупанова,Джамиля Наибовна Коншина,Екатерина Сергеевна Спесивая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2020-02-04.

Method of producing polyols and use thereof in producing polyurethanes

Номер патента: RU2492190C2. Автор: Клаус ЛОРЕНЦ,Маркус АЙХМАНН,Арнульф ВЕРНЕР. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2013-09-10.

Apparatus and method of producing catalyst and method of producing unsaturated acid or unsaturated nitrile

Номер патента: RU2556208C2. Автор: Минору КАДОВАКИ,Такааки Като,Сатоси ЭНДО. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of using titanium catalyst for producing materials containing carbamate functional groups

Номер патента: RU2690164C2. Автор: Абхийит ЯДХАВ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2019-05-31.

Bacterium constitutively producing monophosphoryllipid a and method of producing monophosphoryllipid a using the bacterium

Номер патента: RU2751357C1. Автор: Хак Сок ЧОН,Ын Гён ЯН,Юхён ЧЖИ,Чжинсу АН,Ик Чан КВОН. Владелец: Корея Инститьют Оф Сайенс Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2021-07-13.

Method of producing tobacco flavoring liquid, tobacco flavoring liquid, method of producing an ester compound and a smoking article

Номер патента: RU2770830C1. Автор: Сун ЯМАУТИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-04-22.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

Complex method of converting coal containing raw material into liquid products

Номер патента: RU2360944C2. Автор: Ромоло МОНТАНАРИ,Николетта ПАНАРИТИ,Альберто ДЕЛЬБЬЯНКО,Серджо РОЗИ. Владелец: СНАМПРОДЖЕТТИ С.п.А.. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of producing cenicriviroc and related analogues

Номер патента: RU2725888C2. Автор: Николас МОРРА. Владелец: Тобира Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2020-07-07.

METHOD OF PRODUCING ANTIGEN-BINDING Vh DOMAIN, APPLICATION THEREOF

Номер патента: RU2398882C2. Автор: Роджер Кингдон КРЭЙГ,Франклин Герардус ГРОСВЕЛД,Дубравка ДРАБЕК,Ричард Вилхелм ЯНССЕНС. Владелец: Эрасмус Юниверсити Медикал Сентр Роттердам. Дата публикации: 2010-09-10.

Method of producing protein

Номер патента: RU2563514C2. Автор: Кеина ЯМАГУТИ,Риса ОГАВА,Масаеси ЦУКАХАРА,Коити АВАКАМИ. Владелец: Интер-Юниверсити Рисерч Инститьют Корпорейшн Рисерч Организейшн Оф Информейшн Энд Системз. Дата публикации: 2015-09-20.

Method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated nitrile

Номер патента: RU2720967C1. Автор: Эри ТАТЕНО,Минору КАДОВАКИ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Method of cultivation in system of inoculating fermentors (embodiments)

Номер патента: RU2694327C2. Автор: Константин Константинов,Майкл БРУНИНГОС,Бенджамин Райт,Вэйчан ЧЖОУ. Владелец: Джензим Корпорейшн. Дата публикации: 2019-07-11.

Industrial method of producing compactin

Номер патента: RU2585233C2. Автор: Валентина Степановна Холявка,Светлана Георгиевна Варфоломеева,Юрий Иванович Цыганов. Владелец: Открытое акционерное общество "Красфарма". Дата публикации: 2016-05-27.

Material with composite particles on substrate, method of producing said material and method of producing compounds using material with composite particles on substrate as chemical synthesis catalyst

Номер патента: RU2437715C1. Автор: Кен СУЗУКИ,Тацуо ЯМАГУТИ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of producing gypsum binder, modified composite gypsum binder and method for production thereof

Номер патента: RU2601962C1. Автор: Виктор Викторович Куликов,Александр Владимирович Коблов,Тамара Викторовна Казанцева. Владелец: Тамара Викторовна Казанцева. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing master batch of mixture of diene elastomer and silicon dioxide

Номер патента: RU2605253C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of preparing nonvolatile solid microbial metabolism products

Номер патента: RU2422531C2. Автор: Оскар ЦЕЛЬДЕР,Маттиас БОЙ,Маркус ПОМПЕЙУС,Штефан Фрайер,Маркус ЛОШАЙДТ,Эдцард ШОЛТЕН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of producing 1-palmitoyl-3-acetylglycerine and method of producing 1-palmitoyl-2-linoleoyl-3-acetylglycerine using said compound

Номер патента: RU2566826C1. Автор: Тхэ-Сук ЛИ,Чин-Су ЮК,Чан-Хён Ю,Чол-Мин ЛИ,Ын-Кён КИМ,Чу-Чол ЛИ. Владелец: Энзикем Лайфсайенсиз Корпорейшн. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of producing hydrogen from biomass

Номер патента: RU2602150C2. Автор: Анатолий Яковлевич Столяревский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing recombinant spider-web protein, fused protein, recombinant dna, expression vector, host cell and producer strain

Номер патента: RU2451023C1. Автор: Игорь Арсеньевич Залунин,Владимир Георгиевич Дебабов,Дмитрий Георгиевич Козлов,Сергей Эдуардович Чеперегин,Ирек Ильясович Губайдуллин,Михаил Юрьевич Бебуров,Любовь Ивановна Давыдова,Владимир Григорьевич Богуш,Константин Васильевич Сидорук. Владелец: Владимир Григорьевич Богуш. Дата публикации: 2012-05-20.

Method of producing phenylalanine derivatives with quinazolinedione skeleton and intermediate compounds used to produce said compounds

Номер патента: RU2469028C2. Автор: Тамоцу СУЗУКИ,Масаюки СУГИКИ,Тацухиро ЯМАДА,Нориясу КАТАОКА,Котаро ОКАДО,Коити ФУДЗИТА,Тацуя ОКУЗУМИ,Акинори ТАТАРА. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Nitrile rubber, method for production thereof, vulcanised mixture containing said nitrile rubber, method for production thereof, vulcanisate based on said vulcanised mixture and method of producing said vulcanisate

Номер патента: RU2674446C2. Автор: Андреас КАЙЗЕР,Свен БРАНДАУ,Ханс МАГГ,Уве ВЕСТЕППЕ. Владелец: Арланксео Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2018-12-10.

Method of producing composite material

Номер патента: RU2587171C9. Автор: Тобиас БЬОРНХОВ,Якоб ЛЬЮНГ,Расмус ОЛССОН. Владелец: Р-Идеа Аб. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of producing a2a-adenosine receptor agonist and polymorphs thereof

Номер патента: RU2447081C2. Автор: Элфатих ЭЛЗЕИН,Джефф ЗАБЛОЦКИ. Владелец: Си Ви Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of producing high-index components of base oils

Номер патента: RU2604070C1. Автор: Сергей Николаевич Волобоев,Роман Евгеньевич Пашкин,Марина Евгеньевна Цаплина,Александр Петрович Иванов,Елена Федоровна Дьяченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Волгограднефтепереработка" (ООО "ЛУКОЙЛ-Волгограднефтепереработка"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of producing 2,2-dibromomalonamide

Номер патента: RU2565075C2. Автор: Чарльз Д. ГАРТНЕР,Дон КАРСТЕН. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи.. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of producing furfurol acetals, which are an antiknock additive of automotive fuels, and a fuel composition containing an additive

Номер патента: RU2704035C1. Автор: Павел Анатольевич Никульшин,Михаил Александрович Ершов,Екатерина Викторовна Григорьева,Марина Андреевна Титаренко,Никита Александрович Климов,Дмитрий Алексеевич Потанин,Сергей Вячеславович Таразанов. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (АО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2019-10-23.

Method of producing vulcanization activator (versions)

Номер патента: RU2732569C1. Автор: Сергей Борисович Врублевский. Владелец: Сергей Борисович Врублевский. Дата публикации: 2020-09-21.

Method of producing [(3-hydroxypyridine-2-carbonyl)amino]alkanoic acids, esters and amides

Номер патента: RU2602083C2. Автор: Джеймс Денсмор Копп,Кристофер М. ЛЭНТИР,Борис ГОРИН,Ян АУДЕНЕС,Крейг Эдвард ДИКСОН,Алан Кигбо ЛЮ,Джон Майкл ЯНУШ. Владелец: Экебиа Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing a thiazole derivative

Номер патента: RU2738937C2. Автор: Такамаса СУГИТА,Арата ЯНАГИСАВА,Ивао ТУДЗО,Масаси ТАГА,Акихиро МИМУРА,Ацуси ТАДА,Масаси АОКИ. Владелец: Киова Кирин Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-18.

Method of producing urea

Номер патента: RU2724901C2. Автор: Рашид МАБРУК,Кристиан ФОСС,Йозеф ШВАРЦХУБЕР,Бенедикт ШЮРЕР,ДУАРТЕ Габриэль САЛАСАР,Клеменс ВАВРЦИНЕК,Андреас ЗЕЛИГЕР. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2020-06-26.

Combined method of producing methyl acetate and methanol from syntheses gas and dimethyl ether

Номер патента: RU2686734C2. Автор: Тимоти Криспин БРИСТОУ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of producing duloxetine and intermediates used therefor

Номер патента: RU2351594C2. Автор: Раджендра Нараянрао КАНКАН,Дхармарадж Рамачандра РАО. Владелец: Сипла Лтд. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of producing alkoxy-polyoxyalkylene(meth)acrylates

Номер патента: RU2440970C2. Автор: Йоахим КНЕБЕЛЬ,Уве-Мартин ВИСЛЕР,Бригитте МЕСС. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2012-01-27.

METHOD OF PRODUCING (S)-(-)-2-(N-PROPYLAMINO)-5-METHOXYTETRALINE AND (S)-(-)-2-(N-PROPYLAMINO)-5-HYDROXYTETRALINE, SALTS THEREOF WITH N-3,5-(DINITROBENZOYL)-α-PHENYLGLYCINE, METHOD OF PRODUCING (6S)-(-)-5,6,7,8-TETRAHYDRO-6-[PROPYL(2-THIENYL)ETHYL]AMINO-1-NAPHTHOL(ROTIGOTINE) (VERSIONS)

Номер патента: RU2473538C2. Автор: ОЛОНДРИС Франсиско МАРКИЛЬЯС,МАРКО Марта ПОМАРЕС. Владелец: Интерким, С.А.. Дата публикации: 2013-01-27.

METHOD OF PRODUCING AND CONCENTRATING microRNA-CONTAINING EXOSOMES OF MULTIPOTENT MESENCHYMAL STROMAL CELLS FOR USE IN COSMETIC AND MEDICINAL AGENTS FOR STIMULATING REGENERATIVE PROCESSES AND SLOWING DOWN AGING PROCESSES

Номер патента: RU2710368C2. Автор: Станислав Евгеньевич Волчков,Ольга Владимировна Тюмина. Владелец: Ольга Владимировна Тюмина. Дата публикации: 2019-12-26.

Mutant nitrile hydratase, nucleic acid which encodes said mutant nitrile hydratase, expression vector and transformant containing said nucleic acid, method of producing said mutant nitrile hydratase and method of producing amide compound

Номер патента: RU2736086C1. Автор: Тосихиро ТАТЕНО,Дзюнко ТОКУДА,Кейитиро КАЙ. Владелец: Мицуи Кемикалс, Инк.. Дата публикации: 2020-11-11.

Methods of producing influenza virus replication inhibitors

Номер патента: RU2680800C1. Автор: Джеральд Дж. ТЭНОУРИ,Питер Джеймисон РОУЗ,Уилльям Алоисиус НАДЖЕНТ,Вадимс ДВОРНИКОВС. Владелец: Вертекс Фармасьютикалз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-02-27.

METHOD OF PRODUCING RECOMBINANT ANTIMICROBIAL PEPTIDE UBI18-35, RECOMBINANT PLASMID DNA pET31b-2xUBI18-35 AND PRODUCER-PRODUCER OF ESCHERICHIA COLI BL21 ROSETTA DE3 pLusS/pET31b-2HUBI18-35 ANTIMICROBIAL PEPTIDE UBI18-35

Номер патента: RU2698037C1. Автор: Лина Викторовна Ефимова,Александра Геннадьевна Першина,Дарья Олеговна Ащеулова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-21.

Method of producing alkylene oxide by olefin epoxidation

Номер патента: RU2567749C2. Автор: Синтянь ШУ,Вэй Ван,Бинь ЧЖУ,Минь Линь,Хуа ЛИ,Цзицзао ГАО,Чицзянь ХЭ,Сяоцзюй У.,Шуанхуа ВАНЬ. Владелец: Хунань Чанлин Петрокемикал Сайенс Энд Текнолоджи Дивелопмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of producing a (met)acrylic acid ester and the method of production of an aromatic carboxylic acid ester

Номер патента: RU2661899C2. Автор: Такеси МАЦУО,Наоси МУРАТА,Хироюки МОРИ. Владелец: Мицубиси Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-07-23.

New method of producing 3-fluorine-containing quinolines

Номер патента: RU2351591C2. Автор: Мишель ТАБАР,Юсеф ЭЛЬ-АХМАД,Жан-Пьер ЛЕКОНТ,Жоель МАЛЬПАР,Серж МИНЬАНИ,Стефан МУТТИ. Владелец: Новоксель. Дата публикации: 2009-04-10.

Methods of producing heterocyclic compounds

Номер патента: RU2437878C2. Автор: Эрик ХАРВУД,Дейвид РИКМАН,Гейбриел КАЛВИН,Шугуан ЧЖУ. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2011-12-27.

Combined method of producing methyl acetate and methanol from syntheses gas and dimethyl ether

Номер патента: RU2687234C2. Автор: Тимоти Криспин БРИСТОУ,Эдо Йоханн БЕККЕР. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2019-05-08.

LACTOSE-NEGATIVE STRAINS Lactobacillus helveticus CAPABLE TO PRODUCE HYPOTENSIVE TRIPEPTIDE IPP AND VPP AND METHOD OF PRODUCING THEREOF, APPLYING STRAINS FOR PRODUCING FERMENTED MILK PRODUCT, FERMENTED MILK PRODUCT AND METHOD OF PRODUCING THEREOF

Номер патента: RU2422509C2. Автор: Тамара Смоквина,Пегги ГАНО,Анна ДРЮЭСН,Жан-Мишель ФОРЬЕ,Клэр КИГЮИНЕР,ДЕНИ Тьерри САН. Владелец: Компани Жервэ Данон. Дата публикации: 2011-06-27.

Novel method of producing triazine, pyrimidine and pyridine derivatives

Номер патента: RU2688665C2. Автор: Флоран БОФИС,Пауль ХЕБАЙСЕН,Жан-Батист ЛАНГЛУА. Владелец: Пикур Терапьютикс Аг. Дата публикации: 2019-05-22.

Method of producing modified magnetite crystals

Номер патента: RU2689392C1. Автор: Александр Георгиевич Мажуга,Максим Артемович Абакумов,Тимур Радикович Низамов,Виктория Игоревна Уварова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-05-28.

Catalyst for catalytic cracking and method of increasing catalyst selectivity (versions)

Номер патента: RU2548362C2. Автор: Шоуе КУИ,Джианхонг ГОНГ,Джун ЛОНГ,Юхао КСУ,Джинлиан ТАНГ,Йибин ЛУО,Джиушун ЖАНГ,Жиджиан ДА,Юксиа ЖУ. Владелец: Ресерч Инститьют Оф Петролеум Процессинг, Синопек. Дата публикации: 2015-04-20.

Method of producing diamine/dicarboxylic acid salt

Номер патента: RU2730455C2. Автор: Руди Рулкенс,Эрик Гролман. Владелец: ДСМ АйПи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of producing sulphur-bitumen binder

Номер патента: RU2585618C1. Автор: Ирина Григорьевна Накипова,Михаил Владимирович Железнов,Раушан Гумерович Теляшев,Анна Николаевна Обрывалина,Марина Павловна Павлуткина,Олег Александрович Шерстнев,Владимир Александрович Спусков. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт по переработке нефти" (ОАО "ВНИИ НП"). Дата публикации: 2016-05-27.

Method of producing foamed glass

Номер патента: RU2745544C1. Автор: Евгений Витальевич Лазарев. Владелец: Акционерное Общество "Компания "СТЭС-ВЛАДИМИР". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of producing gypsum solution for forming gypsum articles and method of making gypsum article

Номер патента: RU2738561C1. Автор: Тун ЛЮ,Мартин ХАЛЬБАХ. Владелец: Кнауф Гипс КГ. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of producing ethylene glycol

Номер патента: RU2599828C2. Автор: Хендрик СТИХТЕР,Абрахам Адриан СМАРДЕЙК,ОГТРОП Ян ВАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of producing acrylic monomer having one or more quaternary ammonium groups and polymers thereof

Номер патента: RU2471773C2. Автор: Лео Чжаоцин ЛЮ,Джон Д. КИПЛИНГЕР,Дуглас РАДТКЕ. Владелец: Родиа Инк.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of producing amino acids of asparate family with application of microorganisms

Номер патента: RU2535973C2. Автор: Кристоф ВИТТМАНН,Юдит БЕККЕР. Владелец: Пайк Кванг Индастриал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-12-20.

Method of producing memantine and intermediate product

Номер патента: RU2478611C2. Автор: Флориан Антон Мартин Хубер,Джорджо ГАЛЛО,Фавери Карла Де. Владелец: Мерц Фарма Гмбх Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2013-04-10.

Method of producing (4s)-4-(4-cyano-2-methoxyphenyl)-5-ethoxy-2,8-dimethyl-1,4-dihydro-1,6-naphthyridine-3-carboxamide and purification thereof for use as pharmaceutical biologically active substance

Номер патента: RU2743429C2. Автор: Йоханнес Платцек. Владелец: Байер Фарма Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of producing biodegradable polymers

Номер патента: RU2718924C1. Автор: ЛОПЕС Мигель Анхель КАБАЛЬЕРО,АЛЕГРЕ Мария Хосе АЛЬФОНСО,ЛАСЬЕРРА Патрисия САГАЛАС. Владелец: Сосьедад Анонима Минера Каталано Арагонеса. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of producing formylhydrazines

Номер патента: RU2637122C2. Автор: Алексей Дмитриевич Кирилин,Лия Олеговна Белова,Мария Владимировна Плетнева,Наталья Александровна Голуб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2017-11-30.

Method of producing isoprene-rich c5-fraction "fcc" and selective polymerising isoprene from this fraction

Номер патента: RU2351612C2. Автор: Сильви ГАНДОН-ПЭН. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of producing latex paints containing biocides, ground dispersion phase for latex paints

Номер патента: RU2482147C2. Автор: Иоана АННИС,Марк А. ХЕННИНГ,Джон В. КУИНН. Владелец: Ангус Кемикал Компани. Дата публикации: 2013-05-20.

Integrated method of producing jatropha methyl ester and byproducts

Номер патента: RU2528387C2. Автор: Пушпито Кумар ГХОШ,Сандхиа Чандрика Прасад МИШРА,Махеш Рамниклал ГАНДХИ,Сумеш Чандра УПАДХИАИ,Паримал ПАУЛ,Притпал Сингх АНАНД,Кириткумар Мангалдас ПОПАТ,Анупама Виджайкумар ШРИВАСТАВ,Санджив Кумар МИШРА,Неелам ОНДХИЯ,Рамеш Дудабхай МАРУ,Гангадхаран ДИАЛ,Харшад БРАХМБХАТТ,Винод БОРИЧА,Доонгар Рам ЧАУНДХАРИ,Крушнадевсингх Сукхдевсинх ЗАЛА,Бабулал РЕБАРИ. Владелец: Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of producing an aromatic nitrile compound and a method of producing carbonate ester

Номер патента: RU2739444C2. Автор: Хидефуми ХАРАДА,Кимихито СУЗУКИ,Юсукэ СИНКАЙ,Хонгю ЛИУ,Ёсинори ИСАХАЯ,Кеити ТОМИСИГЭ,Ёсинао НАКАГАВА,Масазуми ТАМУРА,Ясуки НАМИКИ. Владелец: Ниппон Стил Инджиниэринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of nylon salt production and its polymerisation

Номер патента: RU2693456C2. Автор: ВАН Бас ЛАРХОВЕН,Эрик Гролман,Михил МЁЙРИС. Владелец: ДСМ АйПи АССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of producing tall oil esters for making rigid foamed polyurethanes (embodiments)

Номер патента: RU2687070C1. Автор: Олег Евгеньевич Насакин,Светлана Юрьевна Васильева,Дарья Константиновна Насакина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Старт-Инновация". Дата публикации: 2019-05-07.

Method of producing pine tar

Номер патента: RU2578695C2. Автор: Василий Павлович Короткий,Елена Семеновна Рыжова,Виктор Анатольевич Рыжов,Анатолий Иванович Турубанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Технический Центр "Химинвест". Дата публикации: 2016-03-27.

Method of producing high-purity 2-pyrone-4,6-dicarboxylic acid and method of producing intermediate for same

Номер патента: EP3909947A2. Автор: Dong Yeop Oh,Min Woo Lee,Hee Taek Kim,Jeyoung Park,Sung Yeon Hwang,Hyun Gil Cha,Jeong Chan Joo,Kyung An Kim,Myung Jong Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2021-11-17.

Method of producing hydrogen-containing gas for methanol production and device for its implementation

Номер патента: RU2632846C1. Автор: Юлия Владимировна Анискевич,Юрий Владимирович Загашвили,Алексей Михайлович Кузьмин,Наталья Анатольевна Левтринская,Артем Алексеевич Левихин,Василий Николаевич Ефремов,Владислав Васильевич Ефремов,Роман Николаевич Ефремов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВТР". Дата публикации: 2017-10-10.

Method of producing functionalised polymers and functionalised polymer

Номер патента: RU2486209C2. Автор: Стивен ЛУО,Тимоти Л. ТАРТАМЕЛЛА,Марк У. СМЕЙЛ,Кевин М. МакКОЛИ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2013-06-27.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Catalyst for ammoxidation reaction in fluidised catalyst bed and method of producing acrylonitrile

Номер патента: RU2702111C1. Автор: Акиёси ФУКУДЗАВА,Масатоси КАНЕТА. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-10-04.

Method of producing base for plasters and gels (embodiments)

Номер патента: RU2717086C1. Автор: Сергей Олегович Ильин,Виктория Яковлевна Игнатенко,Анна Владимировна Костюк,Сергей Вячеславович Антонов,Вероника Викторовна Макарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-03-18.

Semisynthetic method of producing 10-deacetyl-n-debenzoylpaclitaxel

Номер патента: RU2384578C2. Автор: Эцио БОМБАРДЕЛЛИ,Габриеле ФОНТАНА,Бруно ГАБЕТТА,Андреа ГАМБИНИ. Владелец: Индена С.П.А.. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of producing urea and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2446152C2. Автор: Федерико ЗАРДИ,Паоло БРУНЕНГО,Паоло СТИККИ,Федерико ЗАРДИ (CH),Паоло БРУНЕНГО (CH),Паоло СТИККИ (CH). Владелец: Уреа Касале С.А.. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of producing tryptase inhibitors

Номер патента: RU2378271C2. Автор: Клаус-Дитер Граф,Адам В. Следески,Кристоф ТАППЕРТЦХОФЕН. Владелец: Авентис Фармасьютикалз Инк.. Дата публикации: 2010-01-10.

METHOD OF PRODUCING BENZO[b]THIOPHENE COMPOUND

Номер патента: RU2601420C2. Автор: Сигео ФУДЗИЕДА,Коити Синхама,Наото Уцуми,Масахиро СОТА,Син Огасавара. Владелец: Оцука Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing high-condensed ammonium polyphosphate

Номер патента: RU2718837C1. Автор: Михаил Григорьевич Макаренко. Владелец: Михаил Григорьевич Макаренко. Дата публикации: 2020-04-14.

Method of producing n-allylimidazo[4,5-e]benzo[1,2-c;3,4-c']difuroxane

Номер патента: RU2718905C1. Автор: Владимир Алексеевич Максимов,Вячеслав Леонидович Королев,Дмитрий Сергеевич Лоторев,Наталья Леонидовна Меркулова,Татьяна Николаевна Кудрявцева,Павел Евгеньевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-15.

Method of producing adamantyl-containing isothiocyanates

Номер патента: RU2599993C1. Автор: Геннадий Михайлович Бутов,Владимир Владимирович Бурмистров,Дмитрий Андреевич Питушкин,Карим Рамез Саад. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Method of producing polymer beads of uniform size

Номер патента: RU2494110C2. Автор: Джон Дейвид ФИНЧ,Эндрью М. САВО,Биван ЦЗЯН,Аарон СЭРАФАЙНАС. Владелец: Ром Энд Хаас Компани. Дата публикации: 2013-09-27.

Method of producing fatty oil and wax from grape kernels by supercritical fluid extraction with carbon dioxide (versions)

Номер патента: RU2732920C2. Автор: Арсен Шамсудинович Рамазанов,Курбан Шахбанович Шахбанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2020-09-24.

Method of producing polystyrene, having high melt flow index

Номер патента: RU2605093C2. Автор: Жильбер БУКЕ,Ульрих РАЙФЕРТ,Николас М.А. ХЕРМАНС. Владелец: ТРИНСЕО ЮРОП ГмбХ. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of producing liquid glass

Номер патента: RU2660040C1. Автор: Евгений Андреевич Мамченков,Светлана Игоревна Мамченкова,Андрей Владимирович Мамченков. Владелец: Евгений Андреевич Мамченков. Дата публикации: 2018-07-04.

Method of producing hydrocarbon by reducing carbon monoxide

Номер патента: RU2449002C2. Автор: Хироюки СЕКИ,Хирофуми КОННО. Владелец: Ниппон Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing betulin

Номер патента: RU2668976C1. Автор: Николай Валерьевич Ульяновский,Дмитрий Сергеевич Косяков,Артем Дмитриевич Ивахнов,Александр Юрьевич Кожевников,Татьяна Эдуардовна Скребец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова". Дата публикации: 2018-10-05.

Recombinant plasmid dna coding fusion protein l-hep, escherichia coli strain producer of said protein and method of producing recombinant protein

Номер патента: RU2716975C1. Автор: Татьяна Владимировна Воробьева,Анатолий Иванович Мирошников,Дмитрий Александрович Долгих,Михаил Петрович Кирпичников,Ирина Владимировна Соколова,Дмитрий Александрович Макаров,Алексей Алексеевич Зинченко,Татьяна Дмитриевна Мелихова,Даниил Михайлович Павленко,Николай Михайлович Новожилов,Василий Николаевич Степаненко,Елена Васильевна Свешникова,Игорь Валентинович Мягких,Кристина Георгиевна Левандовская,Елена Адамовна Нокель,Марине Эдуардовна Гаспарян,Иван Романович Королев,Данил Сергеевич Калинин,Илья Александрович Пучков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии наук (ИБХ РАН). Дата публикации: 2020-03-17.

Method of producing block articles from polytetrafluoroethylene and based composites

Номер патента: RU2734608C2. Автор: Сергей Амерзянович Хатипов,Юлия Радиомировна Жутаева,Елена Михайловна Конова,Руслан Сергеевич Хатипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Арфлон". Дата публикации: 2020-10-21.

Method of producing lakosamide

Номер патента: RU2585762C2. Автор: Альберто Болонья,Патрициа КАСТОЛЬДИ,Доменико ВЕРГАНИ,Джорджо БЕРТОЛИНИ. Владелец: Эутикальс Спа. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing surface-active substance

Номер патента: RU2581830C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Игорь Вячеславович Поляков,Вячеслав Сергеевич Поляков,Марина Владимировна Акулова. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2016-04-20.

Method of producing recombinant human proinsulin c-peptide

Номер патента: RU2451750C2. Автор: Петр Петрович Родионов,Петр Иванович Родионов,Алексей Вячеславович Степанов,Вадим Васильевич Шматченко,Александр Николаевич Байдусь,Николай Викторович Борисов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Герофарм". Дата публикации: 2012-05-27.

METHOD OF PRODUCING NON-METHIONINE RECEPTOR ANTAGONIST INTERLEUKIN-36 STRAIN BACTERIA ESCHERICHIA COLI BL21 [DE3] - PRODUCER NON-METHIONINE RECEPTOR ANTAGONIST INTERLEUKIN-36 (VARIANTS), METHOD OF THEIR PREPARATION, AND PLASMID VECTOR pBAD15A pET15A AND DNA SEQUENCE FOR THEIR PREPARATION

Номер патента: RU2672816C2. Автор: Александр Владимирович Петров,Максим Михайлович Карасев,Татьяна Викторовна Кудлинг,Алексей Александрович Колобов,Петр Петрович Нимирицкий,Екатерина Владимировна Кондратьева,Дарья Сергеевна Сергеева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт особо чистых биопрепаратов" Федерального медико-биологического агентства. Дата публикации: 2018-11-19.

Method of producing lactoferrin

Номер патента: RU2717340C1. Автор: Галина Владимировна Шехватова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПК "Альтернативные технологии". Дата публикации: 2020-03-23.

Method of producing polyurethane foam

Номер патента: RU2536823C2. Автор: Михил Баренд ЭЛЕВЕЛД,ЭТВЕЛДЕ Элс ВАН,Вальтерус Петрус Каспарус МИНЕР,Кристоф Мартин СВОН,Тиев Имм ТАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of producing super-hard ceramic powdered material almgb14

Номер патента: RU2697146C1. Автор: Николай Иванович Афанасьев,Ольга Клавдиевна Лепакова,Николай Николаевич Голобоков,Борис Шулевич Браверман. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2019-08-12.

Composition of kvass compound fermentation, method of its preparation and its use in preparation of beverages

Номер патента: RU2697385C2. Автор: Паоло БАЦЦОЛИ,Владимир БОБКОВ,Мари-Жан ФАЛЛУР. Владелец: Мальтэроп Груп. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of producing a stabilizer composition and a stabilizer composition obtained using said method

Номер патента: RU2743502C1. Автор: Гюнтер ШМИД,Михаэль ГЕХЕР,Губерт МЁДРИТШЕР. Владелец: Хемсон Полимер-Аддитив Аг. Дата публикации: 2021-02-19.

Method of producing silyloxyamines

Номер патента: RU2702118C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Екатерина Анатольевна Варзиева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2019-10-04.

Method for oxidative halogenation and method of producing halogenated c1 product

Номер патента: RU2409547C2. Автор: Саймон Г. ПОДКОЛЗИН,Эрик Э. СТЕНГЛЭНД,Альберт Э. Мл. ШВЕЙЗЕР,Марк Э. ДЖОУНС. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of producing aqua-complex of titanium glycerol-solvate - tisolum

Номер патента: RU2720459C1. Автор: Александр Андреевич Емельянов,Инга Владимировна Емельянова,Мария Вячеславовна Махотина,Антон Андреевич Емельянов,Зульфия Авалевна Хидирова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Общество лабораторных исследований медицинских препаратов". Дата публикации: 2020-04-30.

Method of producing alkylene glycol

Номер патента: RU2467995C2. Автор: КРЮХТЕН Эгене Марие Годфрид Андре ВАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-11-27.

METHOD OF PRODUCING δ*-Bi2O3 COMPOUND IN SYSTEM Bi2O3-SiO2

Номер патента: RU2707598C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-11-28.

Microorganism of corynebacterium genus which produces xanthosine-5'-monophosphate, and method of producing xanthosine-5'-monophosphate using said microorganism

Номер патента: RU2720520C1. Автор: Джи Хе Ли,Мин Чжи БЭК,Бён Хун ЮН,Борам ЛИМ,Чон Ын ЛИ,Су-бин ЛИМ,Джехо ЧОН. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of producing microspheres for retroreflective coatings

Номер патента: RU2692712C1. Автор: Александр Дмитриевич Ишков,Александр Викторович Косяков,Сергей Владимирович Кулигин,Евгений Павлович Сальников,Вадим Витальевич Рововой,Сергей Владимирович Никулин,Владимир Викторович Будов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сферастек". Дата публикации: 2019-06-26.

Method of producing 5-hydroxyisophthalic acid

Номер патента: RU2692798C1. Автор: Георгий Николаевич Кошель,Сергей Георгиевич Кошель,Нина Валентиновна Лебедева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Модификатор" (ООО "Модификатор"). Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing pump discharge part and pump discharge part made by this method

Номер патента: RU2736478C2. Автор: Бабасахеб Неелкантх КАЛЯНИ,Мадан Умакант ТАКАЛЕ,Вияыкумар Ханумантрао КХАСНИС,Амол Рагхунатхрао ДЕШМУКХ. Владелец: Бхарат Форге Лимитед. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of producing sheet steel with pre-applied coating and corresponding sheet

Номер патента: RU2739892C1. Автор: Франсис ШМИТ,Кентен БЕРНАРДИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of producing sodium hypochlorite solution

Номер патента: RU2586887C1. Автор: Ирина Германовна Климова. Владелец: Ирина Германовна Климова. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing vulcanised rubber mixture, vulcanised rubber mixture and studless tire made using said rubber mixture

Номер патента: RU2706665C2. Автор: Микако ТАКЕНАКА,Рёдзи КОДЗИМА. Владелец: Сумитомо Раббер Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2019-11-19.

METHOD OF PRODUCING ESCHERICHIA COLI BL21 STAR™(DE3) pET302/NT-HIS TCPA - A PRODUCER OF RECOMBINANT PROTEIN TCPA CHOLERA VIBRIO BIOVAR ELR TOR

Номер патента: RU2707129C2. Автор: Игорь Витальевич Тучков,Елена Владимировна Хопрова. Владелец: Федеральное казенное учреждение здравоохранения "Российский научно-исследовательский противочумный институт "Микроб" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФКУЗ "РосНИПЧИ "Микроб" Роспотребнадзора). Дата публикации: 2019-11-22.

Method of producing cyclopropane fullerene derivatives

Номер патента: RU2711566C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Валерьевич Мумятов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ" (ООО "ФОМ"). Дата публикации: 2020-01-17.

Method of producing highly pure terephthalic acid

Номер патента: RU2394017C2. Автор: Мотоки НУМАТА,Исао ТАКАХАСИ. Владелец: Мицубиси Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2010-07-10.

Method of producing human recombinant follicle-stimulating hormone, producing cell line and plasmid expression vectors

Номер патента: RU2697273C1. Автор: Наталья Васильевна Пигарева,Николай Анатольевич Климов,Андрей Семенович Симбирцев,Максим Михайлович Карасев,Татьяна Викторовна Кудлинг,Арам Арутюнович Шалджян,Варвара Сергеевна Монахова. Владелец: Шаталин Дмитрий Александрович. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of producing a functional product from mytilus galloprovincialis mussels

Номер патента: RU2743060C1. Автор: Виталий Иванович Рябушко,Михаил Валентинович Нехорошев,Лариса Леонидовна Капранова,Сергей Викторович Капранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт биологии южных морей имени А.О. Ковалевского РАН" (ФИЦ ИнБЮМ). Дата публикации: 2021-02-15.

Method of producing foam concrete

Номер патента: RU2710061C1. Автор: Алексей Витальевич Фоминых,Петр Александрович Жигульский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пеносилит". Дата публикации: 2019-12-24.

Method of producing dispersions of particles of a certain size

Номер патента: RU2729489C2. Автор: Борис Юрьев. Владелец: Арколор Аг. Дата публикации: 2020-08-07.

Method of producing aramid by polymerisation using carbon dioxide as a solvent

Номер патента: RU2721724C1. Автор: Нунюэ ВАН,Цюаньчжун ЧЖАО,Цзяньмин ШАО,Гоцян ВЭНЬ. Владелец: Файнингс Ко. Лтд. Дата публикации: 2020-05-21.

System and method of producing high purity electrolyte for vanadium battery

Номер патента: RU2690012C1. Автор: Куингшан ЖУ,Чаунлин ФАН,Венхенг МУ,Джибин ЛИУ,Кунху ВАНГ,Кайксун БАН,Хайтао ЯНГ. Владелец: Бейджин Жонгкайхонгдэ Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-05-30.

Lubricant additives and method of producing lubricant additives

Номер патента: RU2410414C2. Автор: Скотт Д. ШВАБ. Владелец: Афтон Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of producing recombinant vp3 virus of infectious bursal disease

Номер патента: RU2694717C2. Автор: Василий Николаевич Лазарев,Александр Сергеевич Дубовой,Галина Николаевна Самусева,Валентин Александрович Манувера,Маргарита Евгеньевна Дмитриева,Дмитрий Алексеевич Широков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Федеральный научный центр "Всероссийский научно-исследовательский и технологический институт птицеводства" Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of producing fibrinogen using strong anion exchange resin and fibrinogen-containing product

Номер патента: RU2603103C2. Автор: Петра Шульц,Вернер ГЕРИНГЕР,Райнер ПАПЕ. Владелец: Октафарма Аг. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of producing precipitated calcium carbonate, method of increasing content of dry substance of precipitated calcium carbonate product and reactor system for producing precipitated calcium carbonate

Номер патента: RU2436734C2. Автор: Коре Вид ХАНСЕН,Могенс ПЕДЕРСЕН. Владелец: Омйа Девелопмент Аг. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of producing metal and method of producing refractory metal

Номер патента: RU2687113C2. Автор: Юити Оно,Такахиро ЯМАБЕ,Кодзи АКИЯМА,Мотосиге САТО,Бундзи АКИМОТО. Владелец: Тохо Титаниум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of producing fuel compositions based on uranium dioxide with the addition of a burnable neutron absorber

Номер патента: RU2734692C1. Автор: Валентин Иванович Сергиенко,Евгений Константинович Папынов,Олег Олегович Шичалин,Игорь Юрьевич Буравлев,Иван Гундаревич Тананаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2020-10-22.

Continuous method of producing muconic acid from aldaric acid

Номер патента: RU2715245C1. Автор: Дэвид ТОМАС,Юха ЛИННЕКОСКИ,Мартта АСИКАЙНЕН,Олли ЯУХИАЙНЕН,Миика МАРТИСКАЙНЕН. Владелец: Текнологиан Туткимускескус Втт Ои. Дата публикации: 2020-02-26.

Method of producing carrier for hydrotreating catalyst

Номер патента: RU2633967C1. Автор: Олег Владимирович Климов,Елена Александровна Столярова,Александр Степанович Носков,Юлия Витальевна Ватутина,Галина Ивановна Корякина,Владимир Владимирович Данилевич,Евгений Юрьевич Герасимов. Владелец: Акционерное общество "Газпромнефть - Омский НПЗ" (АО "Газпромнефть - ОНПЗ"). Дата публикации: 2017-10-20.

Microorganisms of corynebacterium sp., capable of producing l-lysine, and a method for producing l-lysine using said microorganisms

Номер патента: RU2687206C1. Автор: Хиунг Дзоон КИМ,Сонг Ги РИУ,Сеунг Бин ЛИ,Йоон Хи ЧУНГ,Доо Дзин КАНГ,Сеонг Еун БАНГ. Владелец: СиДжей ЧЕИЛДЗЕДАНГ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-07.

High-stability catalyst of heavy hydrocarbon wet desulfurisation and methods of its production

Номер патента: RU2443472C2. Автор: Опиндер Кишан БХАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-02-27.

Combined method of producing methanol and methyl lanette

Номер патента: RU2686701C2. Автор: Тимоти Криспин БРИСТОУ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of producing dithiine-tetracarboximides

Номер патента: RU2559626C9. Автор: Томас Химмлер,Франк ФОЛЬЦ,Винфрид ЭТЦЕЛЬ. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2016-05-27.

Method of producing acrolein through heterogeneously catalysed oxidation of propene in gaseous phase

Номер патента: RU2373993C2. Автор: Йохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing polyether-ester polyols and use thereof to produce hard or foamed polyurethane materials

Номер патента: RU2517702C2. Автор: Клаус ЛОРЕНЦ,Райнхард АЛЬБЕРС,Франк ОТТО. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-05-27.

METHOD OF PRODUCING COMPOUND USED AS TAFIa INHIBITOR

Номер патента: RU2538506C2. Автор: Фолькер Крафт,Кай Россен,Антони БИГО,Хермут ВЕЛАН,Вероник КРОК-СТЮЭРГА. Владелец: Санофи. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing fluoropolymer using fluorocarboxylic acid derivative

Номер патента: RU2448982C2. Автор: Ясухико МАЦУОКА,Хироки КАМИЯ,Кунио ВАТАНАБЕ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing chitosan with low endotoxin content

Номер патента: RU2747702C2. Автор: Эндрю ХОГГАРТ,Крейг ХАРДИ,Джун ГЛАДМАН. Владелец: Медтрейд Продактс Лимитед. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of producing 2,2,4-trialkyl-2,3-dihydro-1h-1,5-benzodiazepines

Номер патента: RU2702358C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Борис Иванович Кутепов,Нелля Геннадьевна Григорьева,Сергей Владимирович Бубеннов,Альфира Наилевна Хазипова,Светлана Алексеевна Костылева,Вера Рафаэлевна Бикбаева,Альбина Наиловна Хасанова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Уфимский федеральный исследовательский центр Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of producing thiophosgen

Номер патента: RU2694905C1. Автор: Алексей Александрович Цветков,Евгений Юрьевич Лапко,Александр Владимирович ЗЛОБИН,Сергей Вадимович Третьяков,Игорь Викторович Медвецкий,Александр Владимирович Дьячков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации России. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of producing material in form of particles based on urea, containing elemental sulfur

Номер патента: RU2735097C2. Автор: Франсуа ЛЕДУ,Филип КОЛПАЭР. Владелец: Яра Интернейшенл Аса. Дата публикации: 2020-10-28.

Low-salt method of producing polysulphide

Номер патента: RU2692777C2. Автор: Олаф КЛОБЕС,Манфред МЕНЦЕЛЬ,Фолькер БУРКХАРДТ. Владелец: Акцо Нобель Кемикалз Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2019-06-27.

Urethane acrylates based on phenylisocyanate, method for production thereof, use thereof to produce holographic media or photopolymer films, method of coating holographic media and photopolymer films and moulded components based on said urethane acrylates

Номер патента: RU2515896C2. Автор: Деннис ХЕНЕЛЬ,Марк-Штефан ВАЙЗЕР,Фридрих-Карл БРУДЕР,Томас РЕЛЛЕ,Томас ФЭККЕ. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of producing monoglycerides of fatty acids

Номер патента: RU2717106C1. Автор: Денис Николаевич Ксенафонтов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Зеленые линии". Дата публикации: 2020-03-18.

Method of producing antagonists of adenosine receptors a2b and intermediate products

Номер патента: RU2374247C2. Автор: Элфатих ЭЛЗЕИН,Джефф ЗАБЛОЦКИ,Сяофэнь Ли,Рао КАЛЛА,Тим МАРКУОРТ. Владелец: Си Ви Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing a pigmented aminophenol curing accelerator - modifier of epoxy composite materials

Номер патента: RU2704010C1. Автор: Павел Вячеславович Николаев,Евгения Павловна Константинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2019-10-23.

Method of producing water-soluble salt form of echinochrome a, suitable for use in pharmacological and food industry

Номер патента: RU2697197C1. Автор: Эмма Павловна Козловская,Александр Алексеевич Артюков,Елена Владимировна Купера,Татьяна Анатольевна Руцкова,Вячеслав Валентинович Маханьков,Татьяна Юрьевна Кочергина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Тихоокеанский институт биоорганической химии им. Г.Б. Елякова Дальневосточного отделения Российской академии наук (ТИБОХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-08-13.

Method of producing liquid-phase aromatic amines

Номер патента: RU2561128C2. Автор: Бернд ПЕННЕМАНН,Вольфганг ЛОРЕНЦ. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing tertiary butyl alcohol

Номер патента: RU2455277C2. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение ЕВРОХИМ". Дата публикации: 2012-07-10.

Method of producing 1,2-alkylene carbonate

Номер патента: RU2464267C2. Автор: Тимоти Майкл НИСБЕТ,Гаро Гарбис ВАПОРСИЙАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-10-20.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of producing mixture of iron-cobalt carboxylates

Номер патента: RU2682522C1. Автор: Любовь Николаевна Студеникина,Артем Викторович Протасов,Наталья Николаевна Протасова,Владимир Иванович Корчагин,Алена Михайловна Суркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2019-03-19.

METHOD OF PRODUCING 3,8-DIARYL-2,3,4,7,8,9-HEXAHYDROBENZO[1,3]OXAZINO[5,6-h][1,3]BENZOXAZINES

Номер патента: RU2640202C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Наталия Наильевна Махмудиярова,Гузелия Магавиевна Хатмуллина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нефтехимии и катализа Российской академии наук. Дата публикации: 2017-12-27.

Method of producing compactin

Номер патента: RU2585234C2. Автор: Валентина Степановна Холявка,Светлана Георгиевна Варфоломеева,Юрий Иванович Цыганов. Владелец: Открытое акционерное общество "Красфарма". Дата публикации: 2016-05-27.

Method of producing mineral melt

Номер патента: RU2712997C2. Автор: Ларс Эльмекилле Хансен. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2020-02-03.

Method of producing hyaluronan in recombinant host cell

Номер патента: RU2346049C2. Автор: Стивен Браун,Алан СЛОМА,Реджин БЕР,Уиль м УИДНЕР,Уильям УИДНЕР,Мари ТАНГ,Мария ТАНГ,Дэвид СТЕРНБЕРГ (умер). Владелец: Новозимс Биополимер А/С. Дата публикации: 2009-02-10.

Method of producing covalent conjugates of antibody-oligonucleotide on basis of reaction promoted by cyclooctin cycle intensity

Номер патента: RU2699705C2. Автор: Дарья Владимировна Воронина,Илья Викторович Сергеев,Артем Владимирович Маерле,Дмитрий Юрьевич Рязанцев,Лариса Вадимовна Самохвалова,Леонид Петрович Алексеев,Сергей Кириакович Завриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма ДНК-Технология" (ООО "НПФ ДНК-Технология"). Дата публикации: 2019-09-09.

Method of producing graft copolymers based on sodium poly(aspartate) and obtained graft copolymers

Номер патента: RU2485141C2. Автор: Дамодар Р. ПАТИЛ,Лайдуйэнь Г. ФЭН,Джозеф С. ФЭН,Цзянпин ЮЙ. Владелец: Нанокем Солюшнс, Инк.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of producing a composition containing multistage polymer (versions), and use of said composition as modifier of impact strength of thermoplastic polymers

Номер патента: RU2692244C2. Автор: Розанжела Пирри,Фредерик МАЛЕ,Алин КУФФЭН,Кристоф НАВАРРО. Владелец: Аркема Франс. Дата публикации: 2019-06-24.

Method of producing ion conductor

Номер патента: RU2714498C1. Автор: Синити ОРИМО,Аки КАТОРИ,Томохиро ИТО,Масахиро СИМАДА,Ацуси УНЭМОТО. Владелец: Тохоку Текно Арк Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-18.

Fine-grained alkali-earth titanates and method of producing said titanates using titanium oxide particles

Номер патента: RU2373154C2. Автор: Герхард АУЭР,Вернер ШУИ,Анна РЕТТГЕР,Дитер ФЕЛЬТЦКЕ,Харальд ШВАРЦ,Ханс-Петер АБИХТ. Владелец: Тронокс Пигментс Гмбх. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of producing dialkyl carbonate

Номер патента: RU2769081C1. Автор: Кэйсукэ СИМОКАВА,Хидэфуми ХАРАДА,Такэхико ИСОБЭ,Хунъю ЛЮ. Владелец: Мицубиси Газ Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2022-03-28.

Microorganism of escherichia genus producing o-phosphoserine and method of producing o-phosphoserine or l-cysteine using said microorganism

Номер патента: RU2732227C1. Автор: Соль КИМ,Инхва Ю,Хе Вон КИМ,Се Хун СИМ,Со-Юн КИМ. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-14.

Recombinant microorganism with increased ability to produce putrescine, and method of producing putrescine using said microorganism

Номер патента: RU2604806C2. Автор: Су Джин ЧОЙ,Юнг Леол ЯНГ,Хье Вон УМ,Сун Ху ДЖОН,Кьоунг Мин ЛИ,Мин Сун КАНГ,Хьянг ЧОЙ. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2016-12-10.

Method of producing polyurethane foam using blowing agent in supercritical or near-critical state

Номер патента: RU2541573C2. Автор: Штефан ЛИНДНЕР,Райнхард ШТРЕЙ,Томас ЗОТТМАНН,Лоренц КРАМЕР,Вольфганг ФРИДЕРИХС,Елена Александровна ХАЗОВА,Агнес ХАЛБИ,Вверена ДАЛЬ. Владелец: Байер Матириальсаейнс Аг. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of producing capsulated polyhydroxy esters and copolyhydroxy esters

Номер патента: RU2712182C1. Автор: Светлана Юрьевна Хаширова,Ауес Ахмедович Беев,Джульетта Анатольевна Беева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-01-24.

Method of producing (meth)acrylates of tetra- or more polybasic alcohols

Номер патента: RU2446144C2. Автор: Йоахим КНЕБЕЛЬ,Гюнтер ГРЭФФ,Бардо ШМИТТ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2012-03-27.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09728463B2. Автор: Ha-Jin Lim,Gi-gwan PARK,Sang-yub IE,Jong-Han Lee,Jeong-hyuk YIM,Hye-ri HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090216A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11864381B2. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200027890A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chin Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123002A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09899391B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09583497B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12033853B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240332010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Complimentary metal-insulator-metal (MIM) capacitors and method of manufacture

Номер патента: US09424992B2. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240304667A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor mos, cmos devices and capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004082005B1. Автор: Ronald A Weimer,Denise M Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor mos, cmos devices and capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1604392A1. Автор: Denise M. Eppich,Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190393080A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190206724A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

An electronic device and method of forming an electronic device

Номер патента: AU2022328264A1. Автор: Ji Zhang,Sean Suixiang LI,Junjie Shi,Jing-Kai HUANG. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4398308A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Backside illuminated cmos image sensor and method of making the same

Номер патента: US20230091032A1. Автор: Feng Ji,Xiang Peng,Haoyu Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Buffer layer and method of forming buffer layer

Номер патента: US20130032900A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods of annealing after deposition of gate layers

Номер патента: US09620386B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun Hsiung Tsai,Da-Wen Lin,Xiong-Fei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09660033B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a non volatile memory device using wet etching

Номер патента: US09418864B2. Автор: John Power,Danny Pak-Chum Shum,Ulrike Bewersdorff-Sarlette,Wolfram Langheinrich,Alfred Vater. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250144A1. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09847402B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110198709A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240379734A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12041779B2. Автор: Kunal Shrotri,Shyam Surthi,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4447120A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347596A1. Автор: Jinseok Lee,Yeonho Park,Sujin Lee,Hyungjin PARK,Deokhwan Kim,Junmo Park,Junsu KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistors with reduced defect and methods of forming same

Номер патента: US12125892B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structures including molybdenum nitride, molybdenum oxynitride or molybdenum-based alloy material, and method of making such structures

Номер патента: US09466660B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Vishwanath Bhat,Vassil Antonov,Kotha Sai Madhukar Reddy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell

Номер патента: US6165834A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Vishnu K. Agarwal,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4250369A2. Автор: Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4250369A3. Автор: Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230307534A1. Автор: Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including transmission lines and method of forming the same

Номер патента: US20230307813A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240147685A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Metal-Insulator-Metal Capacitors And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20240088204A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Cheng-Hao Hou,Chen-Chiu Huang,Shin-Hung Tsai,Li Chung Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells

Номер патента: WO2010080318A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Noel Rocklein,Kyu S. Min. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory cells, methods of forming dielectric materials, and methods of forming memory cells

Номер патента: WO2010080318A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Noel Rocklein,Kyu S. Min. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Backside gate contact, backside gate etch stop layer, and methods of forming same

Номер патента: US20240290864A1. Автор: Wei-De Ho,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Dual-gate structure and method of fabricating integrated circuits having dual-gate structures

Номер патента: US20040038538A1. Автор: Chi-Chun Chen,Chih-Wei Yang,Ming-Fang Wang,Chih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Tuo-Hung Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20230386827A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11823894B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of forming a memory structure

Номер патента: US20190165263A1. Автор: James A. Cultra,Andrew J. Hansen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Metal gate structure for midgap semiconductor device and method of making same

Номер патента: US09496143B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US8846470B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor device including transmission lines and method of forming the same

Номер патента: US20220158319A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230420552A1. Автор: Sungkeun Lim,Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Yuyeong Jo. Владелец: Samsung Ro Yeongtong Gu. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Embedded Memory and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160268284A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of fabricating a gate dielectric layer

Номер патента: US20150140765A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057435A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US09887314B2. Автор: Hyungjin Kwon,Youngsung Yang,Junghoon Choi,Chungyi Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240105644A1. Автор: Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsien Jung CHEN,Hsin Heng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated assemblies having continuous high-dielectric films extending across channel regions of adjacent transistors

Номер патента: US10763265B2. Автор: Takeshi Nagai,Yoichi Fukushima,Takuya Imamoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device including transmission lines and method of forming the same

Номер патента: US20200153073A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of forming high-k dielectric material

Номер патента: US11837508B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210335817A1. Автор: Akira Goda,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057434A1. Автор: Akira Goda,Byeung Chul Kim,Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11871572B2. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2021034432A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11855080B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200083220A1. Автор: Jaehyun Lee,Jonghan LEE,Hongbae PARK,Seonghwa Park,Dabok Jeong,Minseok Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210057437A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill,Davide Resnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220367451A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device including transmission lines and method of forming the same

Номер патента: US20170365906A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Tunable poly resistors for hybrid replacement gate technology and methods of manufacturing

Номер патента: US20150228708A1. Автор: Peter Baars,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Transmission line design and method of forming the same

Номер патента: US20160380324A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030304A1. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US20230238450A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of fabricating gate structure

Номер патента: US7709316B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Shu-Yen Chan,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804530B2. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming semiconductor fins

Номер патента: US20160043081A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Dae-Han Choi,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Dae Geun Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200211839A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP3979329A3. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: TW200703459A. Автор: Olubunmi O Adetutu,David C Gilmer,Hsing H Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of fabricating a deep trench (DT) metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US8241981B1. Автор: Michael P. Chudzik,Christian Lavoie,Oh-Jung Kwon,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Dong-Ick Lee,Unoh Kwon,Youngjin Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Structure and formation method of semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US10991811B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THIS SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: DE60311016D1. Автор: Chan Lim,Kilho Lee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of forming memory cell with high-k charge trapping layer

Номер патента: EP3262689A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

A method of forming a tantalum-containing gate electrode structure

Номер патента: WO2005104197A1. Автор: Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Vijay Narayanan,Kazuhito Nakamura,Gert Leusink,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Resonant lc tank package and method of manufacture

Номер патента: US20210104359A1. Автор: Andreas Wolter,Andreas Augustin,Saravana Maruthamuthu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230395701A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Yu-Ming Chen,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yen-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Resonant lc tank package and method of manufacture

Номер патента: US20190272950A1. Автор: Andreas Wolter,Andreas Augustin,Saravana Maruthamuthu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of Patterning a Metal Gate of Semiconductor Device

Номер патента: US20130130488A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of patterning a metal gate of semiconductor device

Номер патента: US20150206755A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Memory using hole trapping in high-k dielectrics

Номер патента: WO2006138370A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A3. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: WO2011119424A2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: US09576805B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Rhett T. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11948994B2. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US11804455B1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US11855151B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110241211A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120326315A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Densely stacked metal-insulator-metal capacitor and method of forming the same

Номер патента: US10103218B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Multi-Gate Device And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20240105778A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate integrated thin film capacitors using amorphous high-k dielectrics

Номер патента: US20240014149A1. Автор: Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Prithwish Chatterjee,Andrew J. Brown,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitrogen Profile in High-K Dielectrics Using Ultrathin Disposable Capping Layers

Номер патента: US20090104743A1. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A3. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: Manuel Quevedo Lopez. Дата публикации: 2009-05-14.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: WO2009042490A2. Автор: Husam Alshareef,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high k dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: EP1101249A1. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-23.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Imran Hashim,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of fabricating the flash memory device using high-k dielectric as inter-poly dielectric

Номер патента: KR100771541B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,이은아,채수진,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-30.

A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material

Номер патента: WO2012021318A2. Автор: Tsai-Yu Huang,Ching-Kai Lin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US8294196B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Multi-gate selector switches for memory cells and methods of forming the same

Номер патента: US20230380186A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Forming high-K dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: US20080087985A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130069201A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobumichi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130071990A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

MECHANISMS FOR MONITORING IMPURITY IN HIGH-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150099315A1. Автор: ZHANG Wei,Chen Yen-Yu,Chen Wei-Jen,LEE Chang-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

Non-linear terahertz spectroscopy for defect density identification in high k dielectric films

Номер патента: US7459687B2. Автор: John Francis Federici,Haim Grebel,Hakan Altan. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-12-02.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A4. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-11.

High k dielectric film

Номер патента: EP1714324A2. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing gate stack

Номер патента: GB2484639A. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-18.

Non-Linear Terahertz Spectroscopy for Defect Density Identification in High K Dielectric Films

Номер патента: US20070235650A1. Автор: Haim Grebel,Hakan Altan,John Federici. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-10-11.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: KR100869448B1. Автор: 비디아 에스. 카우쉭,비치-옌 웬,스리니바스 브이. 피에탐바람,제임스 케니언 3세 쉐퍼. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2008-11-19.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

High K dielectric film and method for making

Номер патента: TWI240332B. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V Pietambaram,Vidya S Kaushik,James Kenyon Schaeffer Iii. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-09-21.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210343728A1. Автор: Kunal Shrotri,Shyam Surthi,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: WO2019018231A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Schotiky barrier tunnel transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070034951A1. Автор: Seong Lee,Chel Choi,Moon Jang,Yark Kim,Myung Jun,Byoung Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-02-15.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20220359565A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2021034465A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230395677A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Integrated Assemblies Having Vertically-Spaced Channel Material Segments, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210233933A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US20210057438A1. Автор: John D. Hopkins,Shyam Surthi,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Device with pb-based high-k dielectric thin-film capacitor comprising pb-donating layers

Номер патента: WO2008028660A3. Автор: Mareike Klee,Ruediger Mauczok,Michael Joehren,Aarnoud Roest. Владелец: Aarnoud Roest. Дата публикации: 2008-04-17.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layer

Номер патента: US20240203740A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Analog capacitor having at least 3 layers of high-k dielectric layers and method of fabricating the same

Номер патента: KR100541551B1. Автор: 원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-10.

Manufacture method, high k dielectric structure and its manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN107316809A. Автор: 黄晨,刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨,许如. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Method of plasma etching of high-K dielectric materials with high selectivity to underlying layers

Номер патента: US20030170986A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: WO2009016606A3. Автор: Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser,Beek Jozef Thomas Martinus Van,Marieke Klee. Владелец: Marieke Klee. Дата публикации: 2009-08-06.

High-k dielectric layer of three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: KR20210102980A. Автор: 리홍 샤오. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2021-08-20.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240063074A1. Автор: YU HSIANG CHEN,Ming-Fa Chen,Po-Yu Chen,Wei-Pin Changchien,Cheng Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160027664A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20170067830A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-03-09.

METHOD OF FABRICATING A MIM CAPACITOR WITH MINIMAL VOLTAGE COEFFICIENT AND A DECOUPLING MIM CAPACITOR AND ANALOG/RF MIM CAPACITOR ON THE SAME CHIP WITH HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20160104762A1. Автор: Yu Bo,Triyoso Dina,Chu Shao-Fu Sanford. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20170317182A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD OF PATTERNING DOPANT FILMS IN HIGH-K DIELECTRICS IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Ando Takashi,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Jagannathan Hemanth,Rajaram Rekha,Kannan Balaji. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

High-K Dielectric and Method of Manufacture

Номер патента: US20180337248A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Wen Liu,Chin-Yu Chen,Yung-Hsien Wu,Yi-Ju Hsu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: CN110088906B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120054935A. Автор: 김원홍,주대권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-05-31.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: CN1598981A. Автор: 元皙俊,郑镛国,权大振,金元洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-23.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

Method of improved high K dielectric-polysilicon interface for CMOS devices

Номер патента: US7129128B2. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device with metal gate and high―k dielectric and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101986144B1. Автор: 이승미,지연혁. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-05.

High-K dielectric stack and method of fabricating same

Номер патента: US8722484B2. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Michael Lisiansky,Alexey Heiman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Manufacturing method of high-K dielectric layer

Номер патента: CN111710602A. Автор: 郁赛华,董雅娟. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Analog capacitor having at least three high-k dielectric layers, and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234466A1. Автор: Seok-jun Won,Yong-kuk Jeong,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-19.

High k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias

Номер патента: US6430030B2. Автор: Mukta S. Farooq,Robert A. Rita,Herbert I. Stoller,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having sequentially stacked high-k dielectric layers

Номер патента: US9048307B2. Автор: Jeong-hee Han,Jae-Yeol Song,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor CMOS devices and methods with NMOS high-k dielectric present in core region that mitigate damage to dielectric materials

Номер патента: US7642146B2. Автор: Luigi Colombo,Mark Robert Visokay,James Joseph Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Dielectric film, method of manufacturing the same, and semiconductor capacitor having the dielectric film

Номер патента: US7575940B2. Автор: Hyun-Ju Lee,Cheol-Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2009-08-18.

Semiconductor CMOS Devices and Methods with NMOS High-K Dielectric Present in Core Region that Mitigate Damage to Dielectric Materials

Номер патента: US20070122962A1. Автор: Luigi Colombo,James Chambers,Mark Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Self-protective layer formed on high-K dielectric layer

Номер патента: US11923201B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor arrangement and method of making

Номер патента: US20200135840A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A4. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-03-27.

Semiconductor device with high-k dielectric and quasi-metal gate, and method of forming thereof

Номер патента: TW200625632A. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Semiconductor arrangement and method of making

Номер патента: US20210118979A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device having tantalum oxide dielectric film

Номер патента: KR100331569B1. Автор: 박흥수,박영욱,박기연. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-04-06.

Metal containing photoresist developer composition, and method of forming patterns including step of developing using the composition

Номер патента: US20240019784A1. Автор: Jin-Hee Bae,Taeksoo Kwak,Gyeong Ryeong Bak,Hyungrang MOON,Ryunmin HEO,Chungheon LEE,Byeonggyu Hwang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

METHODS OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURES USING VIA HOLES FILLED WITH DIELECTRIC FILM FIRST AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Floating gate avalanche injection MOS transistors with high K dielectric control gates

Номер патента: TW507383B. Автор: Richard William Gregor,Isik C Kizilyalli,Pradip Kumar Oy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

Forming high-k dielectric layers on smooth substrates

Номер патента: TWI325603B. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

High-k dielectric layer in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3891810B1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: SG118211A1. Автор: Tao Hun-Jan,PERNG Baw-Ching,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-k dielectric

Номер патента: TWI374518B. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TW201145389A. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

Device and method for etching flash memory gate stacks comprising high-K dielectric

Номер патента: TW200802733A. Автор: WEI Liu,Xikun Wang,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Yan Du. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

HIGH-K DIELECTRICS WITH GOLD NANO-PARTICLES

Номер патента: US20130153986A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR INCLUDING HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130207171A1. Автор: Uno Tomohiro. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Chen Hanhong,Kumar Pragati. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

NITRIDATION OF ATOMIC LAYER DEPOSITED HIGH-K DIELECTRICS USING TRISILYLAMINE

Номер патента: US20140017907A1. Автор: Dussarrat Christian,Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Omarjee Vincent,Pallem Venkat,Kuchenbeiser Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20140027843A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Cheng Chun-Fai,Chen Kuan--Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-30.

RELIABLE NANOFET BIOSENSOR PROCESS WITH HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20140054651A1. Автор: Bashir Rashid,Reddy Bobby,Dorvel Brian Ross. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2014-02-27.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IMPROVED HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FABRICATION OF SAME

Номер патента: US20150001643A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

HIGH K DIELECTRIC COMPOSITION FOR THERMOFORMABLE CAPACITIVE CIRCUITS

Номер патента: US20160005542A1. Автор: Dorfman Jay Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20220013547A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

SUBSTRATE INTEGRATED THIN FILM CAPACITORS USING AMORPHOUS HIGH-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200006258A1. Автор: Braunisch Henning,BROWN Andrew J.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,SOUNART Thomas,CHATTERJEE Prithwish. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-03.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20190008046A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

METHOD AND APPARATUS FOR PLACING A GATE CONTACT INSIDE A SEMICONDUCTOR ACTIVE REGION HAVING HIGH-K DIELECTRIC GATE CAPS

Номер патента: US20180012798A1. Автор: Labonte Andre,Zhang Xunyuan,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power

Номер патента: US20160020108A1. Автор: Akiteru Ko,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

RELIABILITY CAPS FOR HIGH-K DIELECTRIC ANNEALS

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Siddiqui Shariq,Galatage Rohit,Yang Chung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026054A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

HYBRID HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL FILM STACKS COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20180026055A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,ZHAI Yujia,ZHAO Lai. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Doped High-k Dielectrics and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150035085A1. Автор: AHMED Khaled,Greer Frank. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor devices employing high-k dielectric layers as a gate insulating layer

Номер патента: US20140124872A1. Автор: Weonhong Kim,Dae-Kwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH ULTRA-HIGH-K DIELECTRIC CAPACITORS INTEGRATED WITH PACKAGE SUBSTRATES

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Swan Johanna M.,Aleksov Aleksandar,DARMAWIKARTA Kristof,EID Feras,SOUNART Thomas L.,DOGIAMIS Georgios C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180061645A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20180061646A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor Device Having SiGe Substrate, Interfacial Layer and High K Dielectric Layer

Номер патента: US20140151819A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180076039A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20200075756A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Methods for Forming High-K Dielectric Materials with Tunable Properties

Номер патента: US20170084680A1. Автор: Gaurav SARAF,Howard Lin,Kiet Vuong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

TRANSITION METAL ALUMINATE AND HIGH K DIELECTRIC SEMICONDUCTOR STACK

Номер патента: US20140175618A1. Автор: Mujumdar Salil. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20200090940A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140183649A1. Автор: JI Yun-Hyuck,LEE Seung-Mi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

3D IC ANTENNA ARRAY WITH LAMINATED HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20190103680A1. Автор: KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20170125542A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layers with Different Materials

Номер патента: US20190131185A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20190131435A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160149013A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device having high-k dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180151356A1. Автор: Minghwei Hong,Juei-Nai Kwo,Chien-Hua FU,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuanhsiung Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20170154781A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20210193469A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Huang Kuo-Bin,Chuang Ying-Liang,Huang Ju-Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20140256149A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-11.

Self-Protective Layer Formed on High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20190164766A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS WITH DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220310457A1. Автор: Chang I-Ming,Chao Huang-Lin,Chang Huiching. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

ZrO-Based High K Dielectric Stack for Logic Decoupling Capacitor or Embedded DRAM

Номер патента: US20150179730A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

APPROACH TO HIGH-K DIELECTRIC FEATURE UNIFORMITY

Номер патента: US20200161452A1. Автор: Yamashita Tenko,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

High-K Dielectric Grid Structure for Semiconductor Device

Номер патента: US20140263956A1. Автор: Lin Yu-Ku,Lin Chun Che,Wu Chih-Nan,Jian Shiu-Ko Jang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Doping of High-K Dielectric Oxide by Wet Chemical Treatment

Номер патента: US20160181108A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,Oniki Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20160181158A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170178913A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Xu Jeff J.,Lee Chen-Yi,YAO Liang-Gi,CHENG Chun-Hu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20150200101A1. Автор: Ramaswamy D.V. Nirmal,Rocklein Matthew N.,Brewer Rhett T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

PROTECTION OF HIGH-K DIELECTRIC DURING RELIABILITY ANNEAL ON NANOSHEET STRUCTURES

Номер патента: US20190189766A1. Автор: Narayanan Vijay,Mehta Sanjay C.,Sankarapandian Muthumanickam,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203985A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203986A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203987A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204209A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204214A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160211183A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180204923A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Methods to Improve Electrical Performance of ZrO2 Based High-K Dielectric Materials for DRAM Applications

Номер патента: US20150228710A1. Автор: Koyanagi Kenichi,Rui Xiangxin,Fujiwara Naonori,Chen Hanhong,Hashim Imran. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

OXYGEN VACANCY PASSIVATION IN HIGH-K DIELECTRICS FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210249315A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20160233256A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS UTILIZED IN DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20170229554A1. Автор: CHOI Soo Young,Rui Xiangxin,CHEN Jrjyan Jerry,Yim Dong-Kil. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

3d ic antenna array with laminated high-k dielectric

Номер патента: US20210257745A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150263119A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260618A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260638A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160268390A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

ELECTRONIC STRUCTURES COMPRISING MULTIPLE, ADJOINING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS AND RELATED ELECTRONIC DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210343736A1. Автор: Surthi Shyam,Hill Richard J.,Carlson Chris M.,Resnati Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: US20200258918A1. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-08-29.

HIGH-K DIELECTRICS WITH A LOW-K INTERFACE FOR SOLUTION PROCESSED DEVICES

Номер патента: US20150311307A1. Автор: Ng Tse Nga,Hsieh Bing R.,Whiting Gregory. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-29.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190296120A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: US20200295453A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO,Ching-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200303399A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20150333076A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR A LARGE-GRAIN HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180315824A9. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

(110) Surface Orientation for Reducing Fermi-Level-Pinning Between High-K Dielectric and Group Iii-V Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20160343846A1. Автор: KO Chih-Hsin,CHENG Chao-Ching,Wann Hsingien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20190348451A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND HIGH K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng,Huang Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical Metal Insulator Metal Capacitor Having a High-K Dielectric Material

Номер патента: US20170373056A1. Автор: JOU Chewn-PU,BAO Tien-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20200365702A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

METAL VERTICAL TRANSFER GATE WITH HIGH-K DIELECTRIC PASSIVATION LINING

Номер патента: US20200411585A1. Автор: Chen Gang,Sun Shiyu,HUANG Chiao-Ti. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

INTEGRATED PATCH ANTENNA HAVING AN INSULATING SUBSTRATE WITH AN ANTENNA CAVITY AND A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20220368012A1. Автор: Chen Ching-Hui,KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: KR101037308B1. Автор: 리 첸,히로미츠 감바라,노부히로 이와마,메이키 코,히로마사 모치키,마사아키 하기하라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-05-27.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layers with different materials

Номер патента: KR102058222B1. Автор: 잉-리앙 추앙,밍-시 예,쿠오-빈 후앙,주-리 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-12-20.

A kind of enhanced MIS HEMT device in longitudinal direction with high K dielectric slot

Номер патента: CN106252404B. Автор: 张波,魏杰,杨超,吴俊峰,罗小蓉,李肇基,彭富,邓思宇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-08-23.

Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof

Номер патента: TWI323034B. Автор: Wei Ling Lin,Jiing Fa Wen,Wen Hsi Lee,Tarng Shiang Hu,Jiun Jie Wang,Cheng Chung Lee. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2010-04-01.

Ozone-enhanced oxidation for high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: US6573193B2. Автор: Mo-Chiun Yu,Yeou-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422A. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-19.

Methods to create high-k dielectric gate electrodes with backside cleaning

Номер патента: US6455330B1. Автор: Mong Song Liang,Liang Gi Yao,Ming Fang Wang,Shih Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: US20100202254A1. Автор: Mareike Klee,Jozef Thomas Martinus Van Beek,Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-08-12.

The self-insurance sheath formed on the high k dielectric layer of different materials

Номер патента: CN109216356A. Автор: 叶明熙,黄国彬,黄如立,庄英良. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Method and system for etching high-k dielectric materials

Номер патента: JP4723503B2. Автор: 明輝高,正明萩原,チェン、リー,弘光神原,信浩岩間,宏政持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US10381452B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Capacitor, method of making the same, filter using the same, and dielectric thin film used for the same

Номер патента: EP1691383A1. Автор: Masahiro Miyazaki,Makoto Shibata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Flash Cell with Integrated High-K Dielectric and Metal-Based Control Gate

Номер патента: US20100163952A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: US20050164511A1. Автор: Lee Chen,Akiteru Ko,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin magnesia

Номер патента: CN105489486B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,孟优,姜桂霞. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

High-k dielectric for thermodynamically-stable substrate-type materials

Номер патента: WO2003096390A1. Автор: Chi On Chui,Krishna C. Saraswat,Baylor B. Triplett. Владелец: STANFORD UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-11-20.

High-k dielectrics with gold nano-particles

Номер патента: US8367506B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Circuit structure with metal gate and high-K dielectric

Номер патента: CN101772839B. Автор: 爱德华·A·卡迪尔,维贾·纳拉亚南,瓦姆希·帕鲁彻里,巴里·P·林德,布鲁斯·多丽丝. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: WO2010078189A2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-08.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: WO2004109772A2. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-12-16.

Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: KR102455485B1. Автор: 샹신 루이,라이 자오,수 영 최,즈르쟌 제리 첸,유지아 자이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-14.

cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: CN101772383A. Автор: M·克莱,J·D·弗雷泽,K·赖曼,A·L·鲁斯特,J·T·M·范贝克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for plasma etching of high-K dielectric materials

Номер патента: US20040007561A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Guangxiang Jin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Reliable nanofet biosensor process with high-k dielectric

Номер патента: WO2012078340A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy,Brian Ross Dorvel. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2012-06-14.

Pixel and imager device having high-k dielectrics in isolation structures

Номер патента: US20070096176A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Chandra Mouli. Дата публикации: 2007-05-03.

High-k dielectrics with a low-k interface for solution processed devices

Номер патента: US9219126B2. Автор: Bing R. Hsieh,Gregory Whiting,Tse Nga Ng. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Silicide process using high K-dielectrics

Номер патента: US6784506B2. Автор: Qi Xiang,Eric N. Paton,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski,Paul L. King,John Clayton Foster. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Electronic structures comprising multiple contiguous high-k dielectric materials and related electronic devices, systems, and methods

Номер патента: KR20230002973A. Автор: 리차드 제이. 힐,샤이암 수르티,크리스 엠. 칼슨,다비드 레스나티. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2023-01-05.

Metal vertical transfer gate with high-k dielectric passivation lining

Номер патента: US11121169B2. Автор: Gang Chen,Shiyu Sun,Chiao-Ti HUANG. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Methods for incorporating high k dielectric materials for enhanced SRAM operation and structures produced thereby

Номер патента: US20060103023A1. Автор: Sampath Purushothaman,Satyanarayana Nitta,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Approach to high-k dielectric feature uniformity

Номер патента: US10600887B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

For the mixing high-k dielectric material membrane stack comprising zirconium oxide in display device

Номер патента: CN109075208A. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-21.

Method for fabricating semiconductor with high-k dielectric layer thereof

Номер патента: TW200616083A. Автор: Kung-Ming Fan,Shian-Jyh Lin,Chao-Sung Lai,Jer-Chyi Wang,Woei-Cherng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high k dielectrics

Номер патента: US7105889B2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni P. Gousev,Rajarao Jammy,Eduard A. Cartier,Matthew W. Copel,Vamsi K. Paruchuri,Nestor A. Bojarczuk, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Methods for forming transistors with high-k dielectric layers and transistors formed therefrom

Номер патента: US20080254588A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai,M. Y. Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-K dielectric material

Номер патента: US9793264B1. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7723798B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Method for manufacturing semiconductor device, high-K dielectric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112864009A. Автор: 刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-28.

A method and system to enhance the removal of high-k-dielectric materials

Номер патента: WO2004021409A3. Автор: Lee Chen,Gordon Bease. Владелец: Gordon Bease. Дата публикации: 2004-07-01.

Low temperature polysilicon oxide process for high-k dielectric/metal gate stack

Номер патента: US20090170346A1. Автор: James J. Chambers,Ajith Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

High k dielectric layer and forming method thereof, the capacitor arrangement using it

Номер патента: CN109346458A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-15.

Mixed high-K dielectric material film stack comprising zirconium oxide for use in display devices

Номер патента: CN109075208B. Автор: 崔寿永,芮祥新,赵莱,伊恩·杰里·陈,宇佳·翟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

High-k dielectric liners in shallow trench isolations

Номер патента: US10510790B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Selective implementation of barrier layers to achieve threshold voltage control in CMOS device fabrication with high-k dielectrics

Номер патента: US20050269635A1. Автор: Martin Frank,Vijay Narayanan,Supratik Guha,Evgeni Gousev,Rajarao Jammy,Cyril Cabral,Eduard Cartier,Matthew Copel,Vamsi Paruchuri,Nestor Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated patch antenna having insulating substrate with antenna cavity and high-k dielectric

Номер патента: KR102224383B1. Автор: 칭-후이 첸,펭-웨이 구오,웬-쉬앙 리아오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for fabricating transistor with high-K dielectric sidewall spacer

Номер патента: US8536041B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

High-k dielectric materials comprising zirconium oxide utilized in display devices

Номер патента: WO2018017360A2. Автор: Soo Young Choi,Jrjyan Jerry Chen,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

Process for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics

Номер патента: US20020121697A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Fortification of charge-storing material in high-k dielectric environments and resulting apparatuses

Номер патента: TWI479569B. Автор: D V Nirmal Ramaswamy,Matthew N Rocklein,Rhett Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

N+ polysilicon on high-k dielectric semiconductor devices

Номер патента: WO2006104893A2. Автор: Christoph Wasshuber,Ramesh Venugopal,David Barry Scott. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures with improved threshold voltage and flat band voltage stability (barrier layer to achieve threshold voltage control in CMOS device formation with high-k dielectrics) Selective implementation)

Номер патента: JP4711444B2. Автор: ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア,カブラル、シリル、ジュニア,カルティエ、エデュアルト、エイ,コペル、マシュー、ダブリュ,フランク、マーティン、エム,グーセフ、エフゲニ、ピー,グーハ、スプラティク,ジャミー、ラジャラオ,ナラヤナン、ビジェイ,パルチューリ、ヴァムシ、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

High-K dielectric structure for deep trench isolation

Номер патента: US9224740B1. Автор: Shahab Siddiqui,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for high-K dielectric feature uniformity

Номер патента: CN111316422B. Автор: 杨振荣,张辰,山下典洪. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US20050181590A1. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US8580641B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Erasable non-volatile memory device using hole trapping in high-K dielectrics

Номер патента: US7602009B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

Noval chemistry and method for the selective removal of high-k dielectrics

Номер патента: US20030109106A1. Автор: James Chambers,Antonio Pacheco Rotondaro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

METHOD TO REDUCE THRESHOLD VOLTAGE (Vt) IN SILICON GERMANIUM (SIGE), HIGH-K DIELECTRIC-METAL GATE, P-TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20100013021A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Jong Ho Lee,Kenneth J. Stein,Voon-Yew Thean,Weipeng Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070007635A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Self aligned metal gates on high-k dielectrics

Номер патента: US20070045676A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: WO2009019187A3. Автор: Vijay Narayanan,Bruce Doris,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: Barry Paul Linder. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for patterning high-k dielectric material

Номер патента: US7037849B2. Автор: Hun-Jan Tao,Baw-Ching Perng,Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-05-02.

High k dielectric materials integrated into multi-gate transistor structures

Номер патента: US20080315310A1. Автор: Uday Shah,Jack Kavalieros,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Transistors with high-k dielectric spacer liner to mitigate lateral oxide encroachment

Номер патента: US20090079014A1. Автор: Willy Rachmady,Justin S. Sandford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Low power circuit structure with metal gate and high-k dielectric

Номер патента: US7807525B2. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Flash cell with integrated high-k dielectric and metal-based control gate

Номер патента: CN102272929A. Автор: C-H·詹,W·M·哈弗兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

SELECTIVE IMPLEMENTATION OF BARRIER LAYERS TO ACHIEVE THRESHOLD VOLTAGE CONTROL IN CMOS DEVICE FABRICATION WITH HIGH k DIELECTRICS

Номер патента: KR100951227B1. Автор: 네스터 에이. 주니어. 보자르크주쿠,사이릴 주니어. 캐브랠,에듀어드 에이. 카르테에,매튜 더블유. 코펠,마르틴 엠. 프랭크,이브게니 피. 고우세브,서프라틱 구하,라자라오 재이미,비제이 나라야낸,밤시 케이. 파루추리. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-04-05.

A kind of preparation method based on the high k dielectric layer thin film transistor (TFT) of ultra-thin lithia

Номер патента: CN105552130B. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱春丹. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A1. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S. Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Interfacial layer for use with high k dielectric materials

Номер патента: WO2006023027A1. Автор: Papu D. Maniar,Shawn G. Thomas,Vida Ilderem. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Improved nitrogen profile in high-k dielectrics using ultrathin disposable capping layers

Номер патента: TW200939354A. Автор: Husam Alshareef,Manuel A Quevedo-Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Method to improve the quality of a high-k dielectric layer

Номер патента: EP3316289B1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Liner to form composite high-k dielectric

Номер патента: US20230307491A1. Автор: Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: TW200422427A. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Eugene S Lopata,Iii Robert H Chatham. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Nitridation of high-k dielectrics

Номер патента: AU2003291319A8. Автор: Randall Higuchi,Craig Bercaw,Yoshihide Senzaki,Robert Hood Chatham Iii,Eugene S Lopata. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Method and apparatus for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes

Номер патента: TW434837B. Автор: Charles Dornfest,John Egermeier,Nitin Khurana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Patterning method of thin film for organic light emission diode and organic thin film using thereof

Номер патента: KR102178401B1. Автор: 노은경,이소현,김민회. Владелец: 한밭대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-13.

The fabrication method of thermoelectric thin film dispersed nano particles and the thermoelectric thin film using the same

Номер патента: KR101944160B1. Автор: 김병근,김나경,최순목. Владелец: 한국기술교육대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing strong and current-conducting fiber by drawing films from carbon nanotubes

Номер патента: RU2690821C1. Автор: Альберт Галийевич Насибулин,Мария Алексеевна Жиляева,Евгений Шульга. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования Сколковский институт науки и технологий. Дата публикации: 2019-06-05.

Method of producing an impregnated electrical capacttor

Номер патента: US3555642A. Автор: Horst Hagedorn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-01-19.

Film capacitor element, film capacitor, and method of producing the film capacitor element

Номер патента: US20130314839A1. Автор: Kaoru Ito,Munetaka Hayakawa,Akito Terashima. Владелец: Kojima Press Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of producing photosensitive kesterite films

Номер патента: RU2744157C1. Автор: Михаил Вячеславович Гапанович,Геннадий Федорович Новиков,Михаил Денисович Агапкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2021-03-03.

Method of preparing catalyst and method of producing diesel fuel using said catalyst

Номер патента: RU2376062C1. Автор: Геннадий Викторович Ечевский,Олег Владимирович Кихтянин,Александр Викторович Токтарев,Антон Евгеньевич Рубанов. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Catalyst for trimerisation of ethylene to 1-hexene, ligand for producing catalyst, method of producing catalyst and method of producing ligand

Номер патента: RU2470707C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Дмитрий Николаевич Чередилин,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Галина Алексеевна Козлова,Антон Владимирович Дудин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок". Дата публикации: 2012-12-27.

Method of depositing thin films on surface of substrates for making solar cells

Номер патента: RU2586265C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Тажидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрудинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Glass diffraction grating and method of producing the same

Номер патента: US20240004111A1. Автор: Takayuki Okamoto,Makoto Okada,Kazuya Yamamoto,Minoru Sasaki,Makio Nishimaki,Yutaka Yamagata,Noboru Ebizuka,Kazuto SAIKI,Yusuke NAKAUCHI. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of producing catalyst support for conversion of hydrocarbon raw material based on mesoporous material

Номер патента: RU2584951C1. Автор: Анна Николаевна Логинова,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Васильевич Лысенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок" (ООО "РН-ЦИР"). Дата публикации: 2016-05-20.

Method of producing nanocapsules of metal salts in gellan gum

Номер патента: RU2695668C1. Автор: Александр Александрович Кролевец,Вячеслав Сергеевич Андреенков,Александр Андреевич Сиротин,Никита Сергеевич Ляховченко,Виолетта Владимировна Клюева. Владелец: Частное образовательное учреждение высшего образования "Региональный открытый социальный институт" ЧОУ ВО "РОСИ". Дата публикации: 2019-07-25.

Method of continuous butt-welding with plasma and laser, and method of producing pipes by proposed welding method

Номер патента: RU2356713C2. Автор: Санг-Хун ЛИ,Йонг-Хи ВОН,Тае-Сеонг КИМ,Тае-Джунг ЛИ,Юнг-Хун БЫУН,Сук-Джо НА,Сук-Хван ЙУН,Джае-Рыун ХВАНГ. Владелец: Корея Адванст Инститъют оф Сайенс энд Текнолоджи. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of producing a food product

Номер патента: RU2723094C1. Автор: Александр Викторович Климов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Распак". Дата публикации: 2020-06-08.

Method of producing catalyst

Номер патента: RU2768118C1. Автор: Владимир Владиславович Имшенецкий,Иосиф Израилевич Лищинер,Ольга Васильевна Малова,Денис Васильевич Пчелинцев,Дмитрий Валерьевич Иванов,Елена Николаевна Лобиченко,Надежда Юрьевна Уварова,Марина Владимировна Белова. Владелец: Акционерное общество "Газромнефть-Омский НПЗ" (АО "Газпромнефть-ОНПЗ"). Дата публикации: 2022-03-23.

Method of producing nanocapsules of vitamin pp (nicotinamide)

Номер патента: RU2697841C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2019-08-21.

Catalyst, method for preparation thereof and method of producing synthesis gas

Номер патента: RU2568644C1. Автор: Андрей Викторович Порсин,Марианна Михайловна Данилова,Залия Амировна Федорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of aluminum foil rolling and aluminum foils produced by said method

Номер патента: RU2736992C2. Автор: Джованни БОРИНЕЛЛИ. Владелец: ГУАСТА Фабрицио. Дата публикации: 2020-11-23.

Method of producing concrete mixture with utilization of previously produced residues thereof

Номер патента: RU2667367C1. Автор: Артем Сергеевич Коган. Владелец: Артем Сергеевич Коган. Дата публикации: 2018-09-19.

Method of producing liquid stable whey

Номер патента: RU2584595C1. Автор: Виктор Павлович Трухин,Анатолий Эдуардович Аваков,Станислав Викторович Петровский. Владелец: Станислав Викторович Петровский. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of producing cement-chip blocks

Номер патента: RU2578077C1. Автор: Александр Иванович Николаенко. Владелец: Индивидуальный предприниматель Николаенко Александр Иванович. Дата публикации: 2016-03-20.

Method of producing popcorn product from corn

Номер патента: RU2673740C1. Автор: ЗАДЕХ Саеид ЙОУСЕФ. Владелец: Лина Ник Компани. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of worn tires processing

Номер патента: RU2248880C1. Автор: В.И. Ефремов,В.Б. Виноградов,Г.К. Малтызов,сов В.И. Кул,В.И. Кулясов. Владелец: Кулясов Виталий Иванович. Дата публикации: 2005-03-27.

Method of producing a pharmaceutical erythromycin composition

Номер патента: RU2600924C1. Автор: Наталья Юрьевна Ремизова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "Полимерные соединения". Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing catalyst for purifying exhaust gas

Номер патента: RU2627763C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Петр Максимович Недозоров,Михаил Азарьевич Медков,Маргарита Витальевна Белобелецкая,Надежда Ивановна Стеблевская,Лариса Михайловна Тырина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2017-08-11.

Method of producing a dry powder composition containing an anticholinergic, corticosteroid and beta-adrenergic agent

Номер патента: RU2742376C1. Автор: Фаусто Пиветти,Франческа Скьяретти,Алессандро КАВЕККИ,Кристина МЕРУЗИ. Владелец: Кьези Фармачеутичи С.п.А.. Дата публикации: 2021-02-05.

Method of producing spinning mixed solutions of cellulose and copolymer pan in n-methylmorpholine-n-oxide (versions)

Номер патента: RU2707600C1. Автор: Валерий Григорьевич КУЛИЧИХИН,Игорь Сергеевич Макаров,Людмила Константиновна Голова,Людмила Кузминична Кузнецова,Маркел Игоревич Виноградов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2019-11-28.

Polycondensation catalyst for producing polyester and method of producing polyester using polycondensation catalyst

Номер патента: RU2418817C2. Автор: Кендзи МОРИ,Тосикацу УМАБА,Хиромицу СИМИЗУ,Кейити ТАБАТА. Владелец: Сакай Кемикал Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-05-20.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US7955880B2. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US20090317929A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Repair method of production casing of producing well

Номер патента: RU2730158C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-19.

Method of producing thymol nanocapsules

Номер патента: RU2725614C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2020-07-03.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

Method of producing actinium-225

Номер патента: RU2725414C1. Автор: Александр Николаевич Васильев,Борис Леонидович Жуйков,Елена Владимировна Лапшина,Станислав Викторович Ермолаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерных исследований Российской академии наук (ИЯИ РАН). Дата публикации: 2020-07-02.

Method of producing isotopes (versions), system for producing isotopes and nuclear fuel assembly

Номер патента: RU2543964C2. Автор: Дэвид Грей СМИТ,Уильям Эрл Второй РАССЕЛЛ. Владелец: ДжиИ-Хитачи Ньюклеар Энерджи Америкас ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of producing nanocapsules of medicinal plants having sedative action in carrageenan

Номер патента: RU2605273C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of producing proton-conducting polymer membranes

Номер патента: RU2336604C1. Автор: Андрей Борисович Ярославцев,Анна Александровна Ильина,Илья Юрьевич Пинус,Иль Юрьевич Пинус. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты". Дата публикации: 2008-10-20.

Method of producing colloidal solution of silver nanoparticles with plant leaves extracts

Номер патента: RU2711559C1. Автор: Александр Сергеевич Смолянский,Эльдар Парпачевич Магомедбеков,Ирина Геннадьевна Антропова,Ольга Александровна Кошкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-01-17.

Method of producing gamma amides of glutamic acid

Номер патента: RU2395490C2. Автор: Лучано ЛАТТУАДА,Массимо ВИЗИГАЛЛИ,Пьер Лучио АНЕЛЛИ,Марино БРОККЕТТА,ХАЕН Кристоф ДЕ,Орнелла ГАЦЦОТТИ,Джованна ЛУКС,Джузеппе МАНФРЕДИ,Пьерфранческо МОРОЗИНИ,Даниела ПАЛАНО,Микеле СЕРЛЕТИ,Фульвио УГГЕРИ. Владелец: Бракко Имэджинг С.П.А.. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of producing antiviral drug

Номер патента: RU2739186C1. Автор: Элли Николаевна Каплина,Валерий Юрьевич Каплин,Александр Евгеньевич Ладыгин. Владелец: Александр Евгеньевич Ладыгин. Дата публикации: 2020-12-21.

Catalyst for neutralisation of exhaust gases and method of producing said catalyst

Номер патента: RU2477176C1. Автор: Масанори НАКАМУРА,Кадзуюки СИРАТОРИ,Кацуо СУГА,Хиронори ВАКАМАЦУ,Хирото КИКУТИ,Тецуро НАИТО,Дзун ИКЕДЗАВА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-03-10.

Method of producing catalyst for liquid-phase hydrogenation of mixtures containing carbonyl and hydroxyl derivatives of aromatic hydrocarbons

Номер патента: RU2705589C1. Автор: Харлампий Эвклидович Харлампиди,Галина Геннадьевна Елиманова,Николай Петрович Мирошкин,Алексей Владимирович Опаркин,Эрнест Александрович Каралин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВО "КНИТУ"). Дата публикации: 2019-11-11.

Method of producing continuous composite pipe, device for producing continuous composite pipe

Номер патента: RU2592595C2. Автор: Маркус Антониус Ивонн КРЕМЕРС. Владелец: Ао Унд Г Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2016-07-27.

Method of producing powder containing protein which is human blood coagulation factor and lactic acid-based polymer

Номер патента: RU2702740C2. Автор: Маттиас ГЕРМЕР,Мелани ЛИФКЕ,АЛЬКАЛЬДЕ Хуан ТОМЕ,Норберт ВИНДАБ,Анне БЕНЕДИКТ,Джессика МЮЛЛЕР-АЛЬБЕРС,Том ТИС,Зузанне УЛЛЬРИХ,Андреа ЭНГЕЛЬ,Стеффен КИСТНЕР,Дженс ДАУФЕНБАХ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of bimetallic palladium-rhodium catalysts preparation (versions)

Номер патента: RU2744920C1. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Алексей Анатольевич Ведягин,Максим Алексеевич Машковцев,Юрий Викторович Шубин,Полина Анатольевна Берескина,Павел Евгеньевич Плюснин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2021-03-17.

Method of producing high-molecular weight aromatic hydrocarbons

Номер патента: RU2454388C1. Автор: Валентин Филиппович Третьяков,Рашид Мусаевич Талышинский,Наталья Алексеевна Французова,Кирилл Валентинович Третьяков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В.Ломоносова). Дата публикации: 2012-06-27.

Catalyst, preparation method thereof and method of producing synthetic gas

Номер патента: RU2429072C1. Автор: Валерий Александрович Кириллов,Валерий Александрович Кузьмин,Николай Алексеевич Кузин,Юрий Иванович Амосов,Марианна Михайловна Данилова,Залия Амировна Федорова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Катализа Им. Г.К.Борескова Сибирского Отделения Ран. Дата публикации: 2011-09-20.

Method of producing nanocapsules of dry extract of propolis

Номер патента: RU2713422C2. Автор: Александр Александрович Кролевец,Вячеслав Сергеевич Андреенков,Анастасия Николаевна Уколова,Оксана Викторовна Левченко. Владелец: Частное образовательное учреждение высшего образования "Региональный открытый социальный институт" ЧОУ ВО "РОСИ". Дата публикации: 2020-02-05.

Method of producing upper sheet or lower sheet of disposable absorbing product

Номер патента: RU2477111C1. Автор: Лукас БЕКК,Ульрика КАРЛСОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2013-03-10.

Method of producing articles from fiber composite material and shaped component from said material with cross varying over its length

Номер патента: RU2434749C2. Автор: Ханс МАРКВАРДТ,Кристиан НИЧ,Хауке ЛЕНГСФЕЛЬД,Петер ЗАНДЕР,Михаэль БЕХТОЛЬД. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-11-27.

Method of production of block cellular glass from crushed glass

Номер патента: RU2528755C1. Автор: Игорь Станиславович Пузанов,Алексей Игоревич Пузанов,Дмитрий Владимирович Саулин,Иван Филатович Волков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УралИнвест". Дата публикации: 2014-09-20.

Method of producing baking for animals and baking for animals

Номер патента: RU2654785C1. Автор: Ханс-Юрген ДОЙЕРЕР. Владелец: Ханс-Юрген ДОЙЕРЕР. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of producing extract based on whole cereal grains

Номер патента: RU2586152C2. Автор: Стефан ХААС,БИСЕБЕКЕ Роб ТЕ,Майкл ВОЛТЕРС,Никола МАРЬЯНОВИЧ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing radiation targets intended for producing radioactive isotopes, and a target for irradiation

Номер патента: RU2685422C2. Автор: Беатрис ШУСТЕР,Роберт БАТЕЛЬТ,Карл ГЁССВАЙН. Владелец: Фраматом Гмбх. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of producing dyer's madder syrup

Номер патента: RU2730463C1. Автор: Владимир Александрович Куркин,Анна Анатольевна Шмыгарева,Майя Викторовна Рыбалко,Анатолий Николаевич Саньков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of producing products containing stabilised active substances and compositions containing same

Номер патента: RU2563685C2. Автор: Сай Ин КО. Владелец: Сай Ин КО. Дата публикации: 2015-09-20.

Nanoparticle (versions), composition containing said nanoparticle, food product including said composition and method of producing said nanoparticle (versions)

Номер патента: RU2552957C2. Автор: НАВАРРО Карлос Хавье ГОНСАЛЕС,ФЕРРЕРО Каролина ГОНСАЛЕС,ГАРРЕТА Хуан Мануэль ИРАЧЕ,УАЛЬДЕ Ана РОМО,КАТАЛАН Ирене ЭСПАРСА,БАСО Маите АГУЭРОС. Владелец: Универсидад Де Наварра. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of producing ferrites and chromites with a spinel structure

Номер патента: RU2703251C1. Автор: Елена Альфредовна Яценко,Валерий Михайлович Таланов,Нина Петровна Шабельская,Василий Васильевич Демьян,Анна Сергеевна Деева,Владимир Владимирович Семченко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2019-10-15.

Method of producing heat-insulating material

Номер патента: RU2580745C1. Автор: Сергей Павлович Бочкарев,Михаил Григорьевич Мансуров,Олег Александрович Дятленко,Александр Анатольевич Галкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Тизол". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of producing actinium-225 and radium isotopes and target for realising said method (versions)

Номер патента: RU2373589C1. Автор: Борис Федорович Мясоедов,Борис Леонидович Жуйков,Николай Александрович Коняхин,Владимир Михайлович Коханюк,Степан Николаевич Калмыков,Станислав Викторович Ермолаев,Иван Гундарович Тананаев,Рамиз Автандилович Алиев. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Химический факультет МГУ им.Ломоносова. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of producing porous membranes based on zirconium dioxide for filtering liquids and gases

Номер патента: RU2640546C1. Автор: Людмила Викторовна Морозова,Марина Владимировна Калинина,Ольга Алексеевна Шилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2018-01-09.

Saccharomyces cerevisiae YEAST STRAIN, HAVING AMYLASE ACTIVITY, FOR PRODUCING FEED PROTEIN PRODUCT AND METHOD OF PRODUCING FEED PROTEIN PRODUCT

Номер патента: RU2478701C2. Автор: Галина Ивановна Воробьева,Анатолий Егорович Сычев,Александра Ивановна Заикина,Руфина Александровна Рогачева, Чалков Геннадий Владимирович. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский институт биосинтеза белковых веществ" (ОАО "ГосНИИсинтезбелок"). Дата публикации: 2013-04-10.

Method of producing aqueous-alcohol extract of medicinal plants having sedative and hypotensive action

Номер патента: RU2683643C1. Автор: Марина Аркадьевна Джавахян,Николай Иванович Сидельников,Прасковья Георгиевна Мизина,Ольга Леонидовна Сайбель,Мария Григорьевна Токарева,Олеся Юрьевна Куляк,Марина Ивановна Панина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт лекарственных и ароматических растений (ФГБНУ ВИЛАР). Дата публикации: 2019-04-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-k dielectric films and methods ofproducing using cerium-based precursors

Номер патента: TW200949005A. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co. Дата публикации: 2009-12-01.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING 1'(2')a-HOMO(C60-Ih)[5,6]FULLERENE

Номер патента: RU2417208C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Забир Сабирович Муслимов,Айрат Рамилевич Туктаров,Вячеслав Владимирович Королев. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of forming coatings of tantalum pentoxide on substrate

Номер патента: RU2518257C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Михаил Азарьевич Медков,Кирилл Николаевич Килин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

High k dielectric film

Номер патента: TWI362073B. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-11.

Super-hydrophobic coating composition and method of producing super-hydrophobic coating therefrom

Номер патента: RU2572974C1. Автор: Сергей Валентинович Колосов,Игорь Леонидович Радченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-технический центр "Электросети". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of producing 5-hetarylmethylenepyrimidine-2,4,6-triones

Номер патента: RU2598607C1. Автор: Алексей Георгиевич Тырков,Екатерина Алексеевна Юртаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Астраханский государственный университет" (Астраханский государственный университет). Дата публикации: 2016-09-27.

HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS OF FORMING THE HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120040162A1. Автор: Huang Tsai-Yu,Lin Ching-Kai. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

HIGH-K DIELECTRIC GATE STRUCTURES RESISTANT TO OXIDE GROWTH AT THE DIELECTRIC/SILICON SUBSTRATE INTERFACE AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120286374A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,HE Wei,Bu Huiming,HENSON William K.,Moumen Naim,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Chen Hanhong,Malhotra Sandra,Chiang Tony,Hashim Imran,Shanker Sunil,Kumar Pragati,De Indranil,Haywood Edward,Fuchigami Nobi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Titanium-Based High-K Dielectric Films

Номер патента: US20130044404A1. Автор: Chen Hanhong,Phatak Prashant B.,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi,Mathur Monica Sawkar,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

ETCHING HIGH K DIELECTRIC FILMS WITH REDUCED LIKELIHOOD OF DELAMINATION

Номер патента: US20130065023A1. Автор: Ali Abbas,Rampersad Hansley Regan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

High K dielectric film

Номер патента: TW200527540A. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-08-16.

Method of Removing High-K Dielectric Layer on Sidewalls of Gate Structure

Номер патента: US20120256278A1. Автор: ZHANG YING,Yan Hongwen,Yang Qingyun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES EMPLOYING HIGH-K DIELECTRIC LAYERS AS A GATE INSULATING LAYER AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120129330A1. Автор: Joo Dae-Kwon,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Preparation method of fluorinated conductive particle/PVDF (polyvinylidene fluoride) -based composite dielectric film

Номер патента: CN109762275B. Автор: 韩晓,任宁,李超群,朱廷春,赵红生,胡俊平,赵小佳. Владелец: Handan College. Дата публикации: 2022-02-01.

METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-04-19.

STRUCTURE AND METHOD TO IMPROVE THRESHOLD VOLTAGE OF MOSFETS INCLUDING A HIGH K DIELECTRIC

Номер патента: US20120168874A1. Автор: Liang Qingqing,Greene Brian J.,Maciejewski Edward P.,Leobandung Effendi,Wang Yanfeng,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

TANTALUM SILICON OXYNITRIDE HIGH-K DIELECTRICS AND METAL GATES

Номер патента: US20120205720A1. Автор: Forbes Leonard,Ahn Kie Y.,Bhattacharyya Arup. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR PRODUCING MIM CAPACITORS WITH HIGH K DIELECTRIC MATERIALS AND NON-NOBLE ELECTRODES

Номер патента: US20120214288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

REDUCING EQUIVALENT THICKNESS OF HIGH-K DIELECTRICS IN FIELD EFFECT TRANSISTORS BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ANNEAL

Номер патента: US20120238086A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR FABRICATING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120282783A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD FOR FABRICATING TRANSISTOR WITH HIGH-K DIELECTRIC SIDEWALL SPACER

Номер патента: US20120289014A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

POLYSILICON GATE WITH NITROGEN DOPED HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON DIOXIDE

Номер патента: US20120313186A1. Автор: Wang Ling-Sung,HUANG Ching-Chien,CHIOU Ying-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

FORTIFICATION OF CHARGE STORING MATERIAL IN HIGH K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPARATUSES

Номер патента: US20130001673A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Techniques Providing High-K Dielectric Metal Gate CMOS

Номер патента: US20130026579A1. Автор: Lu Wei-Yuan,Chen Kuan-Chung,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-31.

Non-volatile Memory Cell Having A High K Dielectric And Metal Gate

Номер патента: US20130032872A1. Автор: KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

High-k Dielectric Liners in Shallow Trench Isolations

Номер патента: US20130032912A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Tzu-Jui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC USING PULSED BIAS POWER

Номер патента: US20130052833A1. Автор: RANJAN ALOK,KO Akiteru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Rui Xiangxin,Hashim Imran,Malhotra Sandra G.,Shanker Sunil,Haywood Edward L.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM PLATE FOR METAL HIGH-K DIELECTRIC METAL INSULATOR METAL (MIM) EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130062677A1. Автор: Chudzik Michael P.,Wong Keith Kwong Hon,Yu Jian,Pei Chengwen,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Farmer Damon B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR PROCESSING HIGH-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130072030A1. Автор: Wang Yu-Ren,Chen Chih-Chung,Wang Shao-Wei,Lu Tsuo-Wen,Lin Chien-Liang,Yen Ying-Wei,Teng Wen-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K DIELECTRIC AND SILICON NITRIDE BOX REGION

Номер патента: US20130093039A1. Автор: Leobandung Effendi,Shahidi Ghavam G.,Ren Zhibin,Park Dae-Gyu,Ponoth Shom S.,Shi Leathen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105901A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Lee Kee-Jeung,Park Woo-Young,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC LAYER, CMOS INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130105905A1. Автор: JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

(110) SURFACE ORIENTATION FOR REDUCING FERMI-LEVEL-PINNING BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130126985A1. Автор: KO Chih-Hsin,Wann Hsingjen,CHENG Chao-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-23.

SELF-LIMITING OXYGEN SEAL FOR HIGH-K DIELECTRIC, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130134545A1. Автор: Narayanan Vijay,Shah Jay M.,Hook Terence B.,Sherony Melanie J.,Stein Kenneth J.,Wang Helen H.,Zhu Chendong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

ELECTRICAL TEST STRUCTURE FOR DETERMINING LOSS OF HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL AND/OR METAL GATE MATERIAL

Номер патента: US20130234138A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

HIGH-K DIELECTRIC LAYER BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION PROCESS THEREOF

Номер патента: US20130313658A1. Автор: LI AILEEN,NI JINGHUA. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

INTEGRATING FORMATION OF A REPLACEMENT GATE TRANSISTOR AND A NON-VOLATILE MEMORY CELL USING A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Shroff Mehul D.,HALL MARK D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Method for growing high k dielectric on graphene by adopting rhodamine as buffering layer

Номер патента: CN102709177B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,周鹏,沈于兰. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-04.

Polishing method for high-K-dielectric silicon wafer

Номер патента: CN105990097A. Автор: 王坚,王晖,杨贵璞. Владелец: ACM (SHANGHAI) Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Method for preparing high-k dielectric layer

Номер патента: CN104701240A. Автор: 肖天金. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-10.

High K dielectric compositions with fine crystal particle size

Номер патента: CN1076302A. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1993-09-15.

High k dielectric composition with fine crystal particle size

Номер патента: CN1230833C. Автор: S·A·布鲁诺,I·伯恩. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2005-12-07.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: TW200426941A. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanosized titanium dioxide

Номер патента: RU2565193C1. Автор: Елена Владимировна Савинкина,Галина Михайловна Кузьмичева,Любовь Николаевна Оболенская,Елена Васильевна Копылова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова). Дата публикации: 2015-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing magnetic and electromagnetic screen

Номер патента: RU2636269C1. Автор: Борис Владимирович Фармаковский,Павел Алексеевич Кузнецов,Антон Сергеевич Жуков,Ольга Вячеславовна Васильева,Алина Константиновна Мазеева,Тимофей Владимирович Песков,Сергей Анатольевич Маннинен. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2017-11-21.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRODUCE WEIGHING SCALE WITH A CAMERA AND METHODS OF OPERATING A PRODUCE WEIGHING SCALE HAVING A CAMERA

Номер патента: US20120000976A1. Автор: Rollyson Stephen,Ehrhardt Dale. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-SERVICE CHECKOUT PAY STATION LOCATED REMOTE FROM A PRODUCE WEIGHING SCALE AND METHODS OF OPERATING SUCH A SELF-SERVICE CHECKOUT PAY STATION

Номер патента: US20120000978A1. Автор: Rollyson Stephen,Ehrhardt Dale. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING LIPASE, TRANSFORMED YARROWIA LIPOLYTICA CELL CAPABLE OF PRODUCING SAID LIPASE AND THEIR USES

Номер патента: US20120003716A1. Автор: Leblond Yves,Mouz Nicolas,Marty Alain,Uribelarrea Jean-Louis. Владелец: LABORATOIRES MAYOLY SPINDLER. Дата публикации: 2012-01-05.

POPULATIONS OF EXPANDED AND RE-DIFFERENTIATED ADULT ISLET BETA CELLS CAPABLE OF PRODUCING INSULIN AND METHODS OF GENERATING SAME

Номер патента: US20120003739A1. Автор: . Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2534389C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева,Таджедин Экберович Саркаров. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2372688C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-11-10.

Absorbing cellulose web of regenerated cellulose microfibres and method of its production

Номер патента: RU2425918C2. Автор: Дэниел У. ЗУМНИХТ,Брюс Дж. Кокко. Владелец: ДЖОРДЖИЯ-ПАСИФИК КОНЗЬЮМЕР ПРОДАКТС ЭлПи. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of production of heavy and high viscous hydrocarbons from underground deposit

Номер патента: RU2338061C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Равиль Рустамович Ибатуллин,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Владимир Васильевич Кунеевский. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-11-10.

Method of producing cellulose from non-wood plant material with native cellulose content of not more than 50% and method of producing carboxymethyl cellulose therefrom

Номер патента: RU2448118C1. Автор: Геннадий Викторович Сакович,Вера Владимировна Будаева,Сергей Викторович Сысолятин,Владимир Николаевич Золотухин,Марина Викторовна Обрезкова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химико-энергетических технологий Сибирского отделения РАН (ИПХЭТ СО РАН). Дата публикации: 2012-04-20.

METHOD FOR PREPARING CONCENTRATED BRUCELLA CELL CULTURE FROM Brucella abortus 19 STRAIN TO PREPARE BRUCELLOUS ANTIGENS, BRUCELLOUS ANTIGENS (THREE VERSIONS), METHOD OF MAKING BRUCELLOSIS DIAGNOSTIC SERUM AND TEST SYSTEM FOR DIAGNOSING BRUCELLOSIS IN ANIMALS (THREE VERSIONS)

Номер патента: RU2593712C2. Автор: Николай Васильевич Мельник,Николай Иванович Зенов,Анатолий Серафимович Тройнин,Аркадий Иванович Климанов,Ирина Юрьевна Литенкова,Елена Николаевна Крюкова,Василий Викторович Ельников,Олег Дмитриевич Скляров,Татьяна Сергеевна Галкина,Дмитрий Сергеевич Сурнев,Вера Федоровна Голдина. Владелец: Федеральное Казенное Предприятие "Щелковский Биокомбинат". Дата публикации: 2016-08-10.

Номер патента: RU2547845C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Ильяс Магомедович Герзелиев,Александр Юрьевич Попов,Николай Яковлевич Усачев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Электрогорский Институт Нефтепереработки" (Оао "Элинп"). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing 2-(n, n-dialkylaminomethyl)styrenes

Номер патента: RU2579116C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Кирилл Борисович Полянский,Наталья Андреевна Ларионова. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2016-03-27.

Method of producing nanostructured target for producing molybdenum-99 radioisotopes

Номер патента: RU2588594C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Чувилин,Алексей Николаевич Семенов,Леонид Иеронимович Меньшиков,Яков Максимович Кравец,Александр Алексеевич Артюхов,Александр Васильевич Рыжков,Татьяна Андреевна Удалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-07-10.

Method of hydrocarbon deposit development with physical effect onto geological medium

Номер патента: RU2349741C2. Автор: Валерий Петрович Дыбленко,Виктор Семенович Евченко. Владелец: Валерий Петрович Дыбленко. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of producing melanin and dry extract of biologically active substances of shelf fungus

Номер патента: RU2597160C1. Автор: Александр Борисович Голованчиков,Наталья Владимировна Грачева,Владимир Федорович Желтобрюхов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Method of producing zinc oxide microcapsules

Номер патента: RU2544166C2. Автор: Александр Александрович Кролевец,Илья Александрович Богачев. Владелец: Илья Александрович Богачев. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of producing catalyst for synthesis of oligo- and polyethylene terephthalates and method of producing oligo- and polyethylene terephthalates

Номер патента: RU2523800C1. Автор: Сергей Владимирович Кудашев,Владимир Федорович Желтобрюхов,Кристина Романовна Шевченко,Валерия Максимовна Дронова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of producing norbornene-substituted cyclopropane fullerene derivatives and polymers based thereon

Номер патента: RU2579148C1. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Раиса Зигандаровна Биглова,Юлия Николаевна Биглова,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Владимир Владимирович Михеев,Седа Арамовна Торосян,Вадим Венерович Загитов,Фануза Арслановна Гималова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of production of semichemical pulp

Номер патента: RU2343240C1. Автор: Надежда Петровна Григорьева,Николай Алексеевич Лебедев,Валерий Николаевич Хлебников,Олег Кагарманович Нугманов,Рашит Низамович Яруллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Нефтепромхим" (ООО "НПО "Нефтепромхим"). Дата публикации: 2009-01-10.

Method of producing alkoxysilanes

Номер патента: RU2417228C1. Автор: Борис Григорьевич Завин,Татьяна Алексеевна Пряхина,Валерий Михайлович Котов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН. Дата публикации: 2011-04-27.

Номер патента: RU2386795C1. Автор: Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Надежда Васильевна Музалевская,Рамзия Ринатовна Тимергалеева,Ольга Александровна Яхина. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of development of oil reservoir

Номер патента: RU2335627C1. Автор: Родион Иванович Медведский,Александр Денисович Митрофанов,гин Александр Владимирович Бодр,Александр Владимирович Бодрягин,Даниил Александрович Кубасов,Дмитрий Илиев Илиев. Владелец: Открытое акционерное общество "Сервисная компания "Черногорнефтеотдача". Дата публикации: 2008-10-10.

CATALYST, METHOD FOR PRODUCTION THEREOF AND METHOD OF PRODUCING β-PICOLINE

Номер патента: RU2474473C1. Автор: Александра Степановна Иванова,Евгения Владимировна Корнеева,Наталья Васильевна Карасюк,Валентина Михайловна Бондарева,Любовь Алексеевна Шадрина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-02-10.

Method of producing dihaploid barley plants from cultured mycospors in vitro

Номер патента: RU2557389C2. Автор: Константин Георгиевич Скрябин,Яна Владимировна Мишуткина,Алишер Тураев,Ярослав Борисович Нескородов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-20.

Apparatus for producing fine powders and method of producing fine powders

Номер патента: RU2590561C1. Автор: Сергей Александрович Сошин,Федор Дмитриевич Лепешекин,Олег Игоревич Покровский. Владелец: Олег Игоревич Покровский. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of producing sugar kvass with forest oregano

Номер патента: RU2596674C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-09-10.

Aqueous polysiloxane composition, preparation method thereof, use of said composition and method of producing paper or cardboard

Номер патента: RU2426693C2. Автор: Сакари СААСТАМОИНЕН,Теро СЕППАЛА,Дейвид Роберт КОРДИР,Кристиан Брюс ЭДМОНДС. Владелец: Циба Холдинг Инк.. Дата публикации: 2011-08-20.

Method of producing suspension of nuclear cells of umbilical blood with standard concentration

Номер патента: RU2590688C2. Автор: Артур Александрович Исаев,Александр Викторович Приходько,Иван Викторович Потапов. Владелец: Публичное акционерное общество "Институт Стволовых Клеток Человека". Дата публикации: 2016-07-10.

Method of recovery of heat of exhaust gases of gas-turbine engine and heat power-generating plant for implementing the method

Номер патента: RU2266414C2. Автор: Владимир Михайлович Татаринов,Владимир Петрович Парафейник,Юрий Сергеевич Бухолдин,Евгений Дмитриевич Роговой,Владимир Николаевич Довженко,Сергей Викторович Сухоставец,Владимир Петрович Ена,Владимир Михайлович Олефиренко. Владелец: ОАО "Сумское НПО им. М.В. Фрунзе". Дата публикации: 2005-12-20.

Heat-resistant foamed polymer composite material, method of producing base therefor and method of producing material

Номер патента: RU2545287C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов. Владелец: Сергей Константинович Есаулов. Дата публикации: 2015-03-27.

Method of producing zirconium oxide having tetragonal modification for producing catalysts

Номер патента: RU2400429C2. Автор: Геннадий Леонидович Пашков,Светлана Васильевна Сайкова,Марина Васильевна Пантелеева. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2010-09-27.

Method of recovery of yield and bringing to operation of temporarily shut-in wells with complicated structure of collectors under conditions of abnormally low bed pressure and heavy watering

Номер патента: RU2370636C1. Автор: Алексей Викторович Кононов,Александр Васильевич Кустышев,Дмитрий Александрович Кряквин,Сергей Геннадьевич Крекнин,Александр Александрович Сингуров,Владимир Николаевич Дубровский. Владелец: Владимир Николаевич Дубровский. Дата публикации: 2009-10-20.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of operation of well jet plant at horizontal well logging

Номер патента: RU2253761C1. Автор: Зиновий Дмитриевич Хоминец,В.П. Стенин. Владелец: Стенин Владимир Петрович. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of producing straight-chain alkanes

Номер патента: RU2479562C1. Автор: Юрий Васильевич Попов,Владимир Михайлович Мохов,Денис Николаевич Небыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВогГТУ). Дата публикации: 2013-04-20.

Номер патента: RU2459834C1. Автор: Инесса Александровна Грицкова,Виктор Михайлович Копылов,Денис Игоревич Шрагин,Инна Юрьевна Маркузе,Любовь Андреевна Злыднева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пента-91". Дата публикации: 2012-08-27.

Method of producing white okroshka kvass

Номер патента: RU2596419C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of producing powdered trisulphides of europium, lanthanide and copper

Номер патента: RU2434809C1. Автор: Олег Валерьевич Андреев,Анна Валерьевна Русейкина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2011-11-27.

Method to produce log article (versions), log article (versions) and method of its drying (versions)

Номер патента: RU2389602C1. Автор: Равиль Харисович Курбанов,Даниль Миннеязович Вильданов,Иван Георгиевич Шипов,Котдус Мубаракшович Бикмухаметов. Владелец: Даниль Миннеязович Вильданов. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of producing nanostructured target for production of molybdenum-99 radioisotope

Номер патента: RU2578039C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Чувилин,Алексей Николаевич Семенов,Леонид Иеронимович Меньшиков,Яков Максимович Кравец,Александр Алексеевич Артюхов,Александр Васильевич Рыжков,Татьяна Андреевна Удалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-03-20.

Method of producing granular ammophos

Номер патента: RU2370477C1. Автор: Игорь Григорьевич Гришаев,Андрей Михайлович Норов,Владимир Иванович Голоус,Магди Муратович Ахметшин,Алексей Борисович Грибков,Владимир Васильевич Давыденко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по удобрениям и инсектофунгицидам им. профессора Я.В. Самойлова". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of producing n-substituted bis[dialkoxyphosphoryl]acetamidines

Номер патента: RU2415861C1. Автор: Юрий Васильевич Попов,Вениамин Евгеньевич Шишкин,Евгений Викторович Медников,Оксана Витальевна Анищенко,Мария Александровна Шевченко,Евгения Викторовна Гурба. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2011-04-10.

Method of producing higher fatty chlorinated acids

Номер патента: RU2586071C1. Автор: Юрий Васильевич Попов,Юрий Львович Зотов,Александр Олегович Панов,Клавдия Федоровна Красильникова,Александр Алексеевич Бурцев,Анастасия Андреевна Коннова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-06-10.

Номер патента: RU2456236C1. Автор: Николай Илларионович Жежера,Николай Геннадьевич Самойлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2012-07-20.

Method of producing 2,7-bis[2-(diethyamino)ethoxy]-fluorenone-9 dihydrochloride

Номер патента: RU2444512C1. Автор: Геннадий Викторович Сакович,Сергей Викторович Сысолятин,Юрий Андреевич Крюков. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химико-энергетических технологий Сибирского отделения РАН (ИПХЭТ СО РАН). Дата публикации: 2012-03-10.

Method of producing ethers of substituted 5,6-dicyanobenzofuran-2-carboxylic acids

Номер патента: RU2446143C2. Автор: Сергей Иванович Филимонов,Жанна Вячеславовна Чиркова,Игорь Геннадьевич Абрамов,Людмила Владимировна Евстифеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный технический университет" (ЯГТУ). Дата публикации: 2012-03-27.

Method of producing methyl formate

Номер патента: RU2377232C2. Автор: Олег Николаевич Новиков. Владелец: Олег Николаевич Новиков. Дата публикации: 2009-12-27.

Plasmachemical method of producing modified superdispersed powder

Номер патента: RU2492027C1. Автор: Ильдар Шаукатович Абдуллин,Илдар Гарифович Гафаров,Виталий Александрович Усенко,Павел Анатольевич Андреев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КНИТУ"). Дата публикации: 2013-09-10.

Номер патента: RU2565789C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Татьяна Викторовна Тюмкина,Лейла Османовна Хафизова,Мария Геннадьевна Шайбакова,Нури Мамедеевич Чобанов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Нефтехимиии И Катализа Российской Академии Наук. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of manufacture of the ballistite solid propellant charge(versions)

Номер патента: RU2300513C2. Автор: Энсар Халиуллович Афиатуллов,Геннадий Васильевич Куценко,Наиль Гумерович Ибрагимов,Эмиль Наилевич Ибрагимов,Владимир Федорович Молчанов,Алексей Васильевич Козьяков,Василий Тихонович Никитин,ков Алексей Васильевич Козь,Лиди Алексеевна Журавлева,Лидия Алексеевна Журавлева,Мария Александровна Печенкина,Мари Александровна Печенкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2007-06-10.

Method of conservation of gas and gas condensate wells with high penetrability of producing bed under conditions of abnormally low bed pressure

Номер патента: RU2353756C2. Автор: Игорь Александрович Кустышев,Александр Васильевич Кустышев,Михаил Григорьевич Гейхман,Алексей Владимирович Немков,Валерий Иванович Маринин. Владелец: Валерий Иванович Маринин. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of canned "fish with vegetable ragout in sour cream sauce"

Номер патента: RU2576185C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-02-27.

Method of producing 3-alkylidene-4-magnesabicyclo[7.3.01,5]dodec-5-enes

Номер патента: RU2375365C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Алексей Александрович Макаров. Владелец: ИНСТИТУТ НЕФТЕХИМИИ И КАТАЛИЗА Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-12-10.

Catalyst of oil fractions hydrofining and method of its production

Номер патента: RU2445163C1. Автор: Александр Владимирович Восмериков,Анатолий Егорович Ермаков,Михаил Александрович Уймин,Яков Евгеньевич Барбашин,Таисия Александровна Федущак,Татьяна Васильевна Петренко,Дмитрий Александрович Канашевич. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии нефти Сибирского отделения РАН (ИХН СО РАН). Дата публикации: 2012-03-20.

Expression plasmid vector for heterological expression of recombinant proteins, high-frequency integration and amplified amplification of expression cassette in cells of mammals, bicistronic messenger riziform, method of production of stable lines of producents of recombinant proteins using specified vector, method for production of recombinant proteins

Номер патента: RU2488633C1. Автор: Надежда Александровна Орлова,Сергей Владимирович Ковнир,Иван Иванович Воробьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория медицинской биотехнологии" (ООО "ЛМБТ"). Дата публикации: 2013-07-27.

Method of producing 5-amino-3-aminomethyl-1,2,4-triazole dihydrochloride

Номер патента: RU2476428C1. Автор: Анна Владимировна Чернышева,Елена Викторовна Тарасова,Виктор Михайлович Чернышев,Раиса Сергеевна Абагян. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-02-27.

Method of repeated producing formation exposing and device for its implementation

Номер патента: RU2365743C1. Автор: Сергей Сергеевич Яковлев,Максим Павлович Копотилов. Владелец: Максим Павлович Копотилов. Дата публикации: 2009-08-27.

METHOD OF PRODUCING INDOLO[2,3-a]PYRROLO[3,4-c]CARBAZOLE-5,7-DIONES N-GLYCOSIDES EXHIBITING CYTOTOXIC AND ANTICANCER ACTIVITY

Номер патента: RU2427585C1. Автор: Вера Александровна Еремина,Татьяна Давидовна Миникер,Надежда Ивановна Тихонова,Лидия Владимировна Эктова,Сталина Яковлевна Мельник,Наталья Кирилловна Власенкова,Людмила Давидовна Гараева,Ирина Сергеевна Голубева,Ольга Васильевна Горюнова,Надя Петкова Маркова,Ирина Леонидовна Плихтяк,Ирина Вячеславовна Ярцева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Российский онкологический научный центр имени Н.Н. Блохина РАМН. Дата публикации: 2011-08-27.

Method of producing finely dispersed liquid form of phthalocyanine catalyst for demercaptanisation of oil and gas condensate

Номер патента: RU2529492C1. Автор: Александр Евгеньевич Воронин,Ахмет Мазгарович Мазгаров,Азат Фаридович Вильданов,Ильдар Равилевич Аслямов,Олег Павлович Шеляпин,Александр Григорьевич Боровков,Евгений Константинович Воронин,Оскар Зуфарович Ахтямов,Евгений Юрьевич Щелыванов,Александр Валентинович Култаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Москаз-Ойл". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of producing sorbent for removal of oil and oil products from water surface

Номер патента: RU2595654C1. Автор: Ильдар Шаукатович Абдуллин,Анна Александровна Алексеева,Алсу Шамилевна Шаймарданова,Светлана Владимировна Степанова,Ильдар Гильманович Шайхиев,Ильдар Гарифович Гафаров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВО "КНИТУ"). Дата публикации: 2016-08-27.

Method of producing 11-magnesatricyclo[10.7.01,12.02,10]nonadeca-9,12-diene

Номер патента: RU2375364C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Владимир Анатольевич Дьяконов,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Галина Аркадьевна Джемилева,Алексей Александрович Макаров. Владелец: ИНСТИТУТ НЕФТЕХИМИИ И КАТАЛИЗА Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of producing triethoxysilane

Номер патента: RU2476435C1. Автор: Павел Аркадьевич Стороженко,Евгений Алексеевич Монин,Ирина Александровна Быкова,Сергей Леонардович Русаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2013-02-27.

Method of producing di-(2-ethylhexyl) phosphoric acid and neodymium salt thereof

Номер патента: RU2421460C2. Автор: Федор Павлович Соколов,Юрий Викторович Соколов,Ольга Александровна Куликова,Флорий Васильевич Мудрый,Владимир Васильевич Пешков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Институт по проектированию производств органического синтеза". Дата публикации: 2011-06-20.

Method of producing flexible composite elastomer polyurethane skin

Номер патента: RU2422285C2. Автор: Кристоф БЕНУА,ВИЛДЕ Петер ДЕ,ХАУКЕ Герт ВАН,Кун ВАНЛАНДСХОТ,Иван ВАНЛУХЕНЕ,ВИНТЕР Хуго ДЕ. Владелец: Ректисел Аутомобилзюстем Гмбх. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of producing 3-aryl-1,5,3-dioxazepanes

Номер патента: RU2529507C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Кирилл Игоревич Прокофьев,Наталия Наильевна Махмудиярова,Лилия Вазилевна Мударисова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of producing supported catalyst for hydrotreatment of heavy oil fractions

Номер патента: RU2495717C1. Автор: Владимир Александрович Лихолобов,Александр Валентинович Лавренов,Евгений Анатольевич Булучевский,Ольга Николаевна Бакланова,Ольга Алексеевна Княжева,Анастасия Витальевна Василевич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2013-10-20.

Method of producing dimethyl sulphide

Номер патента: RU2457029C1. Автор: Анна Васильевна Машкина,Людмила Николаевна Хайрулина. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-07-27.

Method of determining values of parameters of a discharge circuit with a capacitive energy accumulator loaded on a gas-discharge interelectrode gap, which provide maximum energy efficiency of producing nanoparticles in a pulsed gas discharge

Номер патента: RU2704566C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Алексей Анатольевич Ефимов,Владислав Игоревич Борисов,Дмитрий Александрович Мыльников. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2019-10-29.

Method of producing heat-resistant oligoorganosiloxane resins

Номер патента: RU2464286C1. Автор: Олег Леонидович Ершов,Григорий Яковлевич Жигалин,Андрей Михайлович Конторов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС). Дата публикации: 2012-10-20.

Method of producing polyester ketones

Номер патента: RU2505557C2. Автор: Рима Чамаловна Бажева,Арсен Мухамедович Хараев,Рубен Владимирович Лукожев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-01-27.

RECOMBINANT PLASMID DNA pET32M/mTrx-rhIL-11 CODING HUMAN INTERLEUKIN-11, METHOD OF PRODUCING AND Escherichia coli BL21 (DE3)/pET32M/mTrx-rhIL-11 STRAIN - PRODUCER OF RECOMBINANT INTERLEUKIN-11

Номер патента: RU2426787C2. Автор: Анатолий Иванович Мирошников,Иван Иванович Воробьев,Иван Витальевич Смирнов,Наталья Александровна Пономаренко. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Гематологический научный центр РАМН. Дата публикации: 2011-08-20.

Method of producing a2a-adenosine receptor agonist and polymorphic modifications thereof

Номер патента: RU2443708C2. Автор: Элфатих ЭЛЗЕИН,Джефф ЗАБЛОЦКИ. Владелец: Си Ви Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2012-02-27.

Method of producing water-resistant ammonium nitrate granules (versions)

Номер патента: RU2564812C1. Автор: Игорь Анатольевич Филиппов,Валентин Александрович Горбачёв,Александр Алексеевич Гордюхин,Вячеслав Геннадьевич Курилович. Владелец: Закрытое акционерное общество "Петровский научный центр "Фугас". Дата публикации: 2015-10-10.

Method of developing nonuniform oil formation

Номер патента: RU2194849C1. Автор: Р.С. Хисамов,Р.Р. Ибатуллин,С.Г. Уваров,И.Ф. Глумов,М.В. Иванов,И.А. Борзенков,С.С. Беляев,Т.Н. Назина. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2002-12-20.

Method of producing (1e)-1-tri-n-butylstannyl-4-methyl-4-trimethylsiloxyoct-1-ene

Номер патента: RU2560555C1. Автор: Николай Сергеевич Востриков,Мансур Сагарьярович Мифтахов,Надежда Александровна Иванова,Зулейха Рахимьяновна Валиуллина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органической химии Уфимского научного центра Российской академии наук (ИОХ УНЦ РАН). Дата публикации: 2015-08-20.

Номер патента: RU2527432C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Марс Талгатович Ханнанов,Ильшат Мухаметович Бакирв. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-08-27.

Methods of producing high-K dielectric films using cerium-based precursors

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты