Wordline recess formation and resulting structures
Номер патента: US20240341079A1
Опубликовано: 10-10-2024
Автор(ы): Babak Tahmouresilerd, Don Koun Lee, Purnima Narayanan, Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan, Sanjeev Sapra
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-10-2024
Автор(ы): Babak Tahmouresilerd, Don Koun Lee, Purnima Narayanan, Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan, Sanjeev Sapra
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Process for building borderless bitline, wordline and dram structure and resulting structure
Номер патента: KR100333209B1. Автор: 마윌리엄에이치,해키마크씨,호랙데이비드브이,노블웬델피2세. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2002-04-18.