Removal of work function metal wing to improve device yield in vertical fets
Номер патента: US20200235238A1
Опубликовано: 23-07-2020
Автор(ы): Alexander Reznicek, ChoongHyun Lee, Injo OK, Soon-Cheon Seo
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-07-2020
Автор(ы): Alexander Reznicek, ChoongHyun Lee, Injo OK, Soon-Cheon Seo
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain
Номер патента: US09716170B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.