Replacement metal gate stack for diffusion prevention.

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US20160197157A1
Опубликовано: 07-07-2016
Автор(ы): Injo OK, Johnathan E. Faltermeier, Sivananda K. Kanakasabapathy, Su Chen Fan, Takashi Ando, Tenko Yamashita
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Replacement metal gate stack for diffusion prevention

Номер патента: US09905665B2. Автор: Takashi Ando,Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Johnathan E. Faltermeier,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

REPLACEMENT METAL GATE STACK FOR DIFFUSION PREVENTION

Номер патента: US20180083117A1. Автор: Ando Takashi,Yamashita Tenko,Kanakasabapathy Sivananda K.,Faltermeier Johnathan E.,OK Injo,Fan Su Chen. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Metal gate structure and method of making the same

Номер патента: US9324620B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Shi-Xiong Lin,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Verfahren und Struktur zum Abgleichen der Austrittsarbeit in Transistoren, die einen Gate-Elektroden-Isolator mit hoher Dielektrizitätskonstante und eine Metall-Gate-Elektrode (HKMG) enthalten

Номер патента: DE112011101277T5. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Variable length multi-channel replacement metal gate including silicon hard mask

Номер патента: US20150349076A1. Автор: Michael P. Chudzik,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Cutting Metal Gates in Fin Field Effect Transistors

Номер патента: US20200279854A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Li-Wei Yin,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Cutting Metal Gates in Fin Field Effect Transistors

Номер патента: US20200020701A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Li-Wei Yin,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US12068393B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US20240371973A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Seam-filling of metal gates with Si-containing layers

Номер патента: US11948981B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Seam-Filling of Metal Gates with Si-Containing Layers

Номер патента: US20240021680A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US09406679B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US20150333065A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Metal gate structures for field effect transistors

Номер патента: US11552178B2. Автор: Chih-Wei Wang,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Metal gate structures for field effect transistors

Номер патента: US20230163187A1. Автор: Chih-Wei Wang,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Large dimension metal gate field-effect transistor (fet) with metal gate dummy structures

Номер патента: US20240186397A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Yu-chen Chang,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Replacement metal gate with reduced shorting and uniform chamfering

Номер патента: US20200066879A1. Автор: Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing gate stack

Номер патента: GB2484639A. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-18.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20070040227A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20050245036A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Pmos transistor including low thermal-budget gate stack

Номер патента: US20200176446A1. Автор: Jacopo Franco,Benjamin Kaczer,Hiroaki Arimura. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-04.

PMOS transistor including low thermal-budget gate stack

Номер патента: US11282837B2. Автор: Jacopo Franco,Benjamin Kaczer,Hiroaki Arimura. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-22.

Integrated metal gate CMOS devices

Номер патента: US09899264B2. Автор: Dechao Guo,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

High-K layer chamfering to prevent oxygen ingress in replacement metal gate (RMG) process

Номер патента: US09865703B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20200090938A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20190006183A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Block layer in the metal gate of mos devices

Номер патента: US20150279838A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Metal Gate Stack Having TaAlCN Layer

Номер патента: US20160254157A1. Автор: Ting-Chun Wang,Chi-Wen Liu,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate stack treatment for ferroelectric transistors

Номер патента: US20240322000A1. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate stack treatment for ferroelectric transistors

Номер патента: US12034058B2. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Gate stack treatment for ferroelectric transistors

Номер патента: US20210083068A1. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Gate stack treatment for ferroelectric transistors

Номер патента: US20210351278A1. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Gate Stack Treatment For Ferroelectric Transistors

Номер патента: US20230238443A1. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Gate stack treatment for ferroelectric transistors

Номер патента: US11621338B2. Автор: Huang-Lin Chao,Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Metal gate for robust ESD protection

Номер патента: US9343456B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Metal gate for robust esd protection

Номер патента: US20160071835A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Self-Aligned Metal Gate for Multigate Device

Номер патента: US20240347391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

FinFET structure having a gate contact above a metal gate and straddling the boundary of an active region

Номер патента: US12148834B2. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US11854828B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US20240096643A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Fin to fin trench contact through a metal gate cut

Номер патента: EP4109555A1. Автор: Guillaume Bouche,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming a semiconductor structure with a metal gate

Номер патента: US20210035865A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming a semiconductor structure including laterally etching semiconductor material in fin recess region and depositing metal gate therein

Номер патента: US11355396B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Self-aligned metal gate for multigate device

Номер патента: US12033899B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated Circuit with Sidewall Spacers for Gate Stacks

Номер патента: US20200075420A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit with sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US20230352554A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Group iiia-n hemt with a tunnel diode in the gate stack

Номер патента: US20190319111A1. Автор: Naveen Tipirneni,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Sameer Prakash Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device replacement metal gate with gate cut last in RMG

Номер патента: US10381458B2. Автор: Andrew M. Greene,Injo OK,Charan V. Surisetty,Balasubramanian P. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Metal gate isolation structure and method forming same

Номер патента: US09917085B2. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20170345820A1. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Metal Gate Isolation Structure and Method Forming Same

Номер патента: US20180204836A1. Автор: Chih-Han Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Ming-Jie Huang,Wen-Shuo Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20220359695A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US11721695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Metal gate stacks and methods of fabricating the same in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US20230369323A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal Gate Stacks and Methods of Fabricating the Same in Multi-Gate Field-Effect Transistors

Номер патента: US20230017100A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20180358448A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US10186594B2. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Device and methods for high-k and metal gate slacks

Номер патента: US20160190018A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: CA3176383A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: US20210359103A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: AU2021276898B2. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: EP4154323A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: AU2021276898A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: WO2021234482A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate stack with tunable work function

Номер патента: US09583400B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US11923367B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrierte-schaltung-strukturen mit einem metall-gate- stopfen, der auf einer dielektrischen dummy-finne aufsitzt

Номер патента: DE112022002055T5. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20220384439A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09997361B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Field effect transistor gate stack

Номер патента: US20180330996A1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09997610B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09613870B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US09613866B2. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device gate stack

Номер патента: GB2560866A. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Bao Ruqiang,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-26.

Semiconductor device incorporating a multi-function layer into gate stacks

Номер патента: US20140061812A1. Автор: Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US10468493B2. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170005003A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170133477A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170140940A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Gate stack formed with interrupted deposition processes and laser annealing

Номер патента: US20170005006A1. Автор: Balaji Kannan,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Unoh Kwon,Aritra Dasgupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for manufacturing gate stack structure

Номер патента: US20190109202A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09728462B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20220102532A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device with metal gate

Номер патента: US11063058B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Backside via and metal gate separation

Номер патента: US20240355708A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device

Номер патента: US10658373B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having high-k film and metal gate

Номер патента: US09640534B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: US20240290788A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: EP4425540A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09496144B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150004780A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tsun-Min Cheng,Jen-Chieh Lin,Ching-Ling Lin,Shao-Wei Wang,Min-Chuan Tsai,Pei-Ying Li,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Memory device, gate stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US09537016B1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Chun-Heng Liao,Hau-yan Lu,Chun-Yao Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20180331199A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200152757A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Gate structures having neutral zones to minimize metal gate boundary effects and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11908866B2. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20200176447A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal gate structure

Номер патента: US09941373B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Lateral undercut of metal gate in SOI device

Номер патента: US20070040223A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Non-shared metal gate integration for scaled gate all around (gaa) transistors

Номер патента: US20240079276A1. Автор: Cornelius Brown Peethala,Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao,Charlotte DeWan Adams,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Gate stack of forksheet structure

Номер патента: US20240222377A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Shih-Hsun Chang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190259862A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Li-Shyue Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and structure for transistors using gate stack dopants with minimal nitrogen penetration

Номер патента: US09418995B2. Автор: Balaji Kannan,Rekha Rajaram,Unoh Kwon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Gate Stack Designs for Analog and Logic Devices in Dual Channel Si/SiGe CMOS

Номер патента: US20200144057A1. Автор: Dechao Guo,ChoongHyun Lee,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Gate Stack Designs for Analog and Logic Devices in Dual Channel Si/SiGe CMOS

Номер патента: US20190295844A1. Автор: Dechao Guo,ChoongHyun Lee,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

A dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: SG135914A1. Автор: Mei Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-29.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Structure of metal gate structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09653300B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Chi-Yuan Sun,Nien-Ting Ho,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: US6475908B1. Автор: Mei-Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-k gate stacks

Номер патента: US09941128B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks

Номер патента: US09466492B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming a semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US9230864B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shi-Xiong Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US9530778B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US10403553B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method for dual work-function metal gates

Номер патента: US20180211886A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US20160240382A1. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20160365252A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20180174847A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of lateral oxidation of nfet and pfet high-k gate stacks

Номер патента: US20190267243A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Wall that includes a gas between metal gates of a semiconductor device

Номер патента: US20240113108A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Sukru Yemenicioglu,Shengsi LIU,Hongqian Sun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Low Leakage Replacement Metal Gate FET

Номер патента: US20240313081A1. Автор: Simon Edward Willard,Jagar Singh. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Low leakage replacement metal gate fet

Номер патента: WO2024190843A1. Автор: Simon Edward Willard,Jagar Singh. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-09-19.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Conductive spline for metal gates

Номер патента: US09548384B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Steve Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US09508791B2. Автор: Tsung-Chieh Tsai,Juing-Yi Wu,Jyh-Kang Ting,Liang-Yao Lee,Yung-Che Albert SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Gate stack treatment

Номер патента: US20200098640A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Gate stack treatment

Номер патента: US20210366778A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Forming two portion spacer after metal gate and contact formation, and related ic structure

Номер патента: US20200303261A1. Автор: Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Metal gate structure cutting process

Номер патента: US11810909B2. Автор: MING-CHING Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240014041A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Metal Gate Structure Cutting Process

Номер патента: US20190109126A1. Автор: MING-CHING Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20190326282A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200373298A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Gate stack treatment

Номер патента: US20230268231A1. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Zack Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Dual-metall-gate-strukturen für die herstellung einer fortschrittlichen integrierten schaltungsstruktur

Номер патента: DE102018127138A1. Автор: Anindya Dasgupta,Christopher Auth,Michael Hattendorf,Jenny Hu,Jeffrey Leib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: US20090085097A1. Автор: Keith E. Zawadzki,Lucian Shifren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: WO2009042495A3. Автор: Lucian Shifren,Keith E Zawadzki. Владелец: Keith E Zawadzki. Дата публикации: 2009-05-14.

Methods of forming nitride stressing layer for replacement metal gate and structures formed thereby

Номер патента: WO2009042495A2. Автор: Keith E. Zawadzki,Lucian Shifren. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods for making robust replacement metal gates and multi-threshold devices in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160086860A1. Автор: Balaji Kannan,Rekha Rajaram,Unoh Kwon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Strained metal gate structure for cmos devices with improved channel mobility and methods of forming the same

Номер патента: WO2008106244A2. Автор: Wei He,Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-04.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

Номер патента: WO2004095572A1. Автор: Byung Jin Cho,Chang Seo Park,Balasubramanian Narayanan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2004-11-04.

Preventing over-polishing of poly gate in metal-gate CMP

Номер патента: US09543212B2. Автор: LI Jiang,Pulei Zhu,Xiantao Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for forming metal gate

Номер патента: US20120244675A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chin-Cheng Chien,Chiu-Hsien Yeh,Yeng-Peng Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing metal gate

Номер патента: US20240154005A1. Автор: ZHOU Yao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die Metall-Gate-Elektroden aufweist

Номер патента: DE102011054757B9. Автор: Byung-kwon CHO,Jae-Jik Baek,Boun Yoon,Sukhun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Metal gate and manufuacturing process thereof

Номер патента: US09577067B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for integrating multiple metal gates for CMOS applications

Номер патента: US20040171222A1. Автор: Wei Gao,Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Metal gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: US9991375B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Poly-silicon-germanium gate stack and method for forming the same

Номер патента: US7354848B2. Автор: Ajit Paranjpe,Kangzhan Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-04-08.

Method for manufacturing high dielectric constant metal gate for nmos and pmos

Номер патента: US20230420304A1. Автор: Wei Zhou,Weiwei Ma,Ran Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die Metall-Gate-Elektroden aufweist

Номер патента: DE102011054757A1. Автор: Byung-kwon CHO,Jae-Jik Baek,Boun Yoon,Sukhun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for making very low Vt metal-gate/high-k CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US20090280630A1. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for making very low Vt metal-gate/high-κ CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US7754551B2. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-13.

Reduced threshold voltage-width dependency in transistors comprising high-K metal gate electrode structures

Номер патента: US9425052B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20160293493A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US9985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20170077098A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09536791B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09761692B1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09847402B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Replacement metal gate transistor

Номер патента: US09728623B2. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US09608086B2. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Techniques for Forming Replacement Metal Gate for VFET

Номер патента: US20210098602A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Replacement Metal Gate Integration for Gate All Around Transistors

Номер патента: US20240186401A1. Автор: Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for etching gate stack

Номер патента: US20120295431A1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for etching gate stack

Номер патента: US20130285159A1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for etching gate stack

Номер патента: US8575016B1. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for etching gate stack

Номер патента: WO2012162185A2. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming replacement metal gate and related structures

Номер патента: US20190378761A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Daniel Chanemougame,Steven R. Soss,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Replacement metal gate transistor

Номер патента: US20140374843A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-12-25.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US20170162688A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Vertical field effect transistor replacement metal gate fabrication

Номер патента: US20210013106A1. Автор: Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Wenyu Xu,Brent Alan Anderson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for etching gate stack

Номер патента: EP2710627A2. Автор: John Foster,Kim Van Berkel. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20170207337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US11901426B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Metal gate structure with multi-layer composition

Номер патента: US09679984B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsien-Ming Lee,Hung-Chin Chung,Hsiao-Kuan Wei,Shiang-Rung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J Jaeger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20100317184A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Metall-gate-strukturen und verfahren zum herstellen derselben in feldeffekttransistoren

Номер патента: DE102020122120A1. Автор: Ying Lu,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Pin Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US20240250139A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Metal gate process for FinFET device improvement

Номер патента: US09837505B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit metal gate structure having tapered profile

Номер патента: US09455344B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Metal gate process for finfet device improvement

Номер патента: US20170141203A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Metal Gate Process for FinFET Device Improvement

Номер патента: US20200006513A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Metal Gates and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20200266282A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Metal gate finFET device

Номер патента: US09461041B2. Автор: Yu-Lin Yang,Chih Chieh Yeh,Li-Shyue Lai,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20210036157A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US20170309722A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for manufacturing a metal gate

Номер патента: US10373834B2. Автор: Qiuming Huang. Владелец: Shaghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20180358466A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor structure with metal gate, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190189451A1. Автор: Qiuming Huang. Владелец: Shaghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US20140045310A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Si-Passivated GE Gate Stack

Номер патента: US20200203168A1. Автор: Hendrik F.W. Dekkers,Antony Premkumar Peter,Hiroaki Arimura. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Metal gate forming process

Номер патента: US09478628B1. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Min-Chuan Tsai,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US10297594B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Structure and method to form a thermally stable silicide in narrow dimension gate stacks

Номер патента: US20110101472A1. Автор: Christian Lavoie,Anthony G. Domenicucci,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Struktur und Verfahren, um ein thermisch stabiles Silizid in schmal dimensionierten Gate-Stacks zu bilden

Номер патента: DE112010003344T5. Автор: Christian Lavoie,Anthony G. Domenicucci,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Structure and method to form a thermally stale silicide in narrow dimension gate stacks

Номер патента: WO2011056313A3. Автор: Christian Lavoie,Anthony G. Domenicucci,Ahmet S. Ozcan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Structure and method to form a thermally stale silicide in narrow dimension gate stacks

Номер патента: WO2011056313A2. Автор: Christian Lavoie,Anthony G. Domenicucci,Ahmet S. Ozcan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-05-12.

Third type of metal gate stack for CMOS devices

Номер патента: US09634006B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Ramachandra Divakaruni,Sameer H. Jain,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Planarizing a semiconductor structure to form replacement metal gates

Номер патента: WO2006020158A3. Автор: Mark Doczy,Chris Barns,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Matthew Metz. Дата публикации: 2006-10-12.

Bottom-up metal gate formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: US20240243131A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: WO2024155358A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09698061B2. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09514998B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: WO2005067033A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: EP1700338A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Surface oxidation control of metal gates using capping layer

Номер патента: US12046475B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Replacement metal gate including dielectric gate material

Номер патента: US09653573B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Soon-Cheon Seo,Sivananda K. Kanakasabapathy,Sanjay C. Mehta,Linus Jang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336238A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336348A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Surface oxidation control of metal gates using capping layer

Номер патента: US20230386848A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Replacement metal gate including dielectric gate material

Номер патента: US20160172467A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Soon-Cheon Seo,Sivananda K. Kanakasabapathy,Sanjay C. Mehta,Linus Jang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182T5. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Poly resistor for metal gate integrated circuits

Номер патента: US09508708B2. Автор: Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11915980B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Residue-free metal gate cutting for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240194534A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate-stack structure with a diffusion barrier material

Номер патента: US09953839B2. Автор: Chiara Marchiori,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20230253263A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US20230238450A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182B4. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US20210249313A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Dual metal gates for mugfet device

Номер патента: US20080272433A1. Автор: Weize Xiong,Husam Niman Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Metal gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US20140246735A1. Автор: Richard Carter,Thilo Scheiper,Martin Trentzsch,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Tic mos devices on high-k-dielectric gate stacks

Номер патента: WO2006076086A3. Автор: Katherine L Saenger,Sufi Zafar,Alessandro C Callegari,Fenton R Mcfeely,Dianne L Lacey,Michael A Gribelyuk. Владелец: Michael A Gribelyuk. Дата публикации: 2009-04-16.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for fabricating a metal gate electrode

Номер патента: US09419100B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for manufacturing metal gates

Номер патента: EP2842159A1. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Wei Tang,Maitreyee Mahajani,Shih Chung CHEN,Xinyu Fu,Xinliang Lu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Transistor arrangements with metal gate cuts and recessed power rails

Номер патента: US11508847B2. Автор: Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention

Номер патента: US20240304679A1. Автор: Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

REPLACEMENT METAL GATE STACK FOR DIFFUSION PREVENTION

Номер патента: US20160197157A1. Автор: Ando Takashi,Yamashita Tenko,Kanakasabapathy Sivananda K.,Faltermeier Johnathan E.,OK Injo,Fan Su Chen. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Method of forming polysilicon resistor during replacement metal gate process and semiconductor device having same

Номер патента: US8685827B2. Автор: Ju Youn Kim,Jedon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of manufacturing a replacement metal gate device structure

Номер патента: US20220384195A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11769669B2. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Replacement metal gate device structure and method of manufacturing same

Номер патента: EP3933933A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09502313B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finfet processes

Номер патента: US20160336239A1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Conformity control for metal gate stack

Номер патента: US09396953B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

High performance hkmg stack for gate first integration

Номер патента: US20130020656A1. Автор: Frank Jakubowski,Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Block layer in the metal gate of MOS devices

Номер патента: US09735231B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Metal gate transistors

Номер патента: SG161181A1. Автор: Han Jin-Ping,James Lee Yong Meng,Thean Voon-Yew. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Radical treatment for metal gate stack

Номер патента: US20240087899A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tianyi Huang,Keyur Karandikar,Elizabeth Mao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Radical treatment for metal gate stack

Номер патента: WO2024054463A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tianyi Huang,Keyur Karandikar,Elizabeth Mao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Block Layer in the Metal Gate of MOS Devices

Номер патента: US20170323940A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Jung-Chih Tsao,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Wen-Hsi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Field effect transistor with electroplated metal gate

Номер патента: US20060081885A1. Автор: Emanuel Cooper,Hariklia Deligianni,Panayotis Andricacos,Caliopi Andricacos,Katherine Saenger,Philippe Vereecken,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a CMOS flow

Номер патента: US9196496B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20190067313A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20140235046A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating a gate stack in very large scale integrated semiconductor memories

Номер патента: US20030036278A1. Автор: ARKALGUD Sitaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Metal gate structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009142982A3. Автор: Willy Rachmady,Jason Klaus,Soley Ozer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-03-04.

Metal-gate high-k reference structure

Номер патента: WO2010018070A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US8349682B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US20120214284A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for Fabricating Metal Gate Devices and Resulting Structures

Номер патента: US20230395689A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Differential work function between gate stack metals to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20180315827A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for Manufacturing Metal Gate of PMOS

Номер патента: US20230132408A1. Автор: Yu Zhang,YU Bao,Jianhua Xu,Jingxun FANG,Zhaoqin Zeng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Integrated circuits having improved metal gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US20130270646A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

CMOS gate stack structures and processes

Номер патента: US09508728B2. Автор: Thomas Hoffmann,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Metal gate process

Номер патента: US20130102145A1. Автор: Po-Jui Liao,Jie-Ning Yang,Yao-Chang Wang,Chi-Sheng Tseng,Kuang-Hung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US09508816B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Replacement metal gate

Номер патента: US09515070B2. Автор: Stefan Schmitz,Effendi Leobandung,David V. Horak,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20150255294A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20160111512A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US20160163809A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Stacked transistors having self aligned backside contact with backside replacement metal gate

Номер патента: US20240213248A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabricating a dual gate stack of a CMOS structure

Номер патента: US09881921B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Vidyadhar Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Fabricating a dual gate stack of a CMOS structure

Номер патента: US09786664B2. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Vidyadhar Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20210119012A1. Автор: Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Fabricating a Dual Gate Stack of a CMOS Structure

Номер патента: US20170229460A1. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Vidyadhar Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

FinFET having a multi-portioned gate stack

Номер патента: US09748394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having modified profile metal gate

Номер патента: US09673292B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film transistor array substrate and a thin film transistor which comprise a conductive structure comprising a blocking layer and a diffusion prevention layer

Номер патента: US09553158B2. Автор: Qiuping Huang,Dongseob Kim,Zhengwei Chen,Chao-Huan Hsu,Jaemoon CHUNG,Jianshe XUE,Huawei Xu,Seong Sil Im. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Salicide formation on replacement metal gate finFET devices

Номер патента: US09985130B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Salicide formation on replacement metal gate finFet devices

Номер патента: US09577096B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Replacement metal gate FinFET

Номер патента: US09472407B2. Автор: Stefan Schmitz,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Sanjay C. Mehta,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Replacement metal gate finFET

Номер патента: US09530651B2. Автор: Stefan Schmitz,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Sanjay C. Mehta,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Replacement metal gate FinFET

Номер патента: US09437436B2. Автор: Stefan Schmitz,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Sanjay C. Mehta,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Salicide formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20170047250A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Replacement metal gate FinFET

Номер патента: US9093376B2. Автор: Stefan Schmitz,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Sanjay C. Mehta,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Salicide formation on replacement metal gate finfet devices

Номер патента: US20160343856A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Germanium condensation for replacement metal gate devices with silicon germanium channel

Номер патента: US20190198657A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Germanium condensation for replacement metal gate devices with silicon germanium channel

Номер патента: US10686076B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US09496362B1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140377885A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: WO2014204810A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-12-24.

Schottky diodes for replacement metal gate integrated circuits

Номер патента: US09564427B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Annealing oxide gate dielectric layers for replacement metal gate field effect transistors

Номер патента: US20150279744A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Cut inside replacement metal gate trench to mitigate n-p proximity effect

Номер патента: US20190393221A1. Автор: Balaji Kannan,Vishal Chhabra,Katsunori Onishi,Guowei Xu,Bala Haran,Tao Chu,Ayse M. Ozbek. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Cut Metal Gate Processes

Номер патента: US20200350172A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Cut metal gate processes

Номер патента: US11990341B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230411492A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US20170148665A1. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US20160118471A1. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: US09698232B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Oxidation and Etching Post Metal Gate CMP

Номер патента: US20170125549A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09917173B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09564511B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240079277A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods and apparatus of metal gate transistors

Номер патента: US09508590B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Manufacturing method for metal gate

Номер патента: US20130023098A1. Автор: Yen-Liang Lu,Hsin-Chih Yu,Yu-Wen Wang,Po-Cheng Huang,Ching-I Li,Yu-Shu Lin,Ya-Jyuan Hung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Metal gate structure of a CMOS semiconductor device

Номер патента: US09508721B2. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Metal-gate CMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US8592271B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Cheng-Tzung Tsai,Chen-Hua Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: WO2016148927A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Interface layer for gate stack using O3 post treatment

Номер патента: US09698234B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for forming metal gate

Номер патента: US8679923B2. Автор: Lily Jiang,Junzhu Cao,Cindy Li,Creek Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US20170033105A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of making MOS VLSI semiconductor device with metal gate and clad source/drain

Номер патента: US4661374A. Автор: Robert R. DOERING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-28.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20210210596A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190259831A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20230299134A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Metal gate electrode stabilization by alloying

Номер патента: US20090179279A1. Автор: Hariklia Deligianni,Lubomyr T. Romankiw,Rajarao Jammy,Veeraraghavan S. Basker,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20210119010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method For Metal Gate Surface Clean

Номер патента: US20150200089A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

High κ gate stack on III-V compound semiconductors

Номер патента: US09805949B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for metal gate surface clean

Номер патента: US09633832B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148874A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

HIGH k GATE STACK ON III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120326212A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jean Fompeyrine,Steven J. Koester,David J. Webb,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for forming silicon dioxide film and method for forming metal gate

Номер патента: US11990331B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for metal gate surface clean

Номер патента: US11996283B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Buffer stack for group IIIA-N devices

Номер патента: US09847223B2. Автор: Qhalid Fareed,Asad Mahmood Haider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Buffer stack for group IIIA-N devices

Номер патента: US09590086B2. Автор: Qhalid Fareed,Asad Mahmood Haider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Buffer stack for group iiia-n devices

Номер патента: US20160218202A1. Автор: Qhalid Fareed,Asad Mahmood Haider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Channel-last replacement metal-gate vertical field effect transistor

Номер патента: US09525064B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Channel-last replacement metal-gate vertical field effect transistor

Номер патента: US09806173B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-channel replacement metal gate device

Номер патента: US20230395715A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Multi-kanal-replacement-metal-gate-vorrichtung

Номер патента: DE102023111183A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Ferroelectric gate stack for band-to-band tunneling reduction

Номер патента: US11929435B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Harold Kennel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Gate stack with electrical shunt in end portion of gate stack

Номер патента: WO2013173036A1. Автор: Date Jan Willem Noorlag. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-11-21.

Metal gate of gate-all-around transistor

Номер патента: US09786774B2. Автор: Chi-Wen Liu,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Metal gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220246762A1. Автор: Yingju Chen,Liyao Liu,Chanyuan Hu,Jhencyuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Gate stack with electrical shunt in end portion of gate stack

Номер патента: US20130307081A1. Автор: Date Jan Willem Noorlag. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230307523A1. Автор: Chih-Hao Chang,Pin-Chun SHEN,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu,Li-Ying WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Transistor gate stacks with dipole layers

Номер патента: US20230261107A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device including optimized gate stack profile

Номер патента: US09929250B1. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US09831235B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of fabricating a semiconductor device including metal gate electrode and electronic fuse

Номер патента: US20090163016A1. Автор: Jin-woo Kim,Min-chul Sun,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Non-planar semiconductor device having active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US9018680B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Device having a gate stack

Номер патента: US20120280323A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US20150118809A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Transistor gate stacks with thick hysteretic elements

Номер патента: US20230307541A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device having multiple dielectric gate stacks with first and second dielectric layers and related methods

Номер патента: US20140291750A1. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Hemanth Jagannathan,Prasanna Khare,Lisa Edge. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-10-02.

Electron blocking layers for gate stacks of nonvolatile memory devices

Номер патента: EP2357662A3. Автор: Chao Liu,Jian Chen,J. Wallace Parce,Xiangfeng Duan,Francisco Leon,Karen Cruden,Madhuri Nallobolu,Sri Ranganathan. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Semiconductor device including optimized gate stack profile

Номер патента: US20180090596A1. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method, apparatus and system for providing nitride cap layer in replacement metal gate structure

Номер патента: US20170338325A1. Автор: Katsunori Onishi,Chih-Chiang Chang,Huy Cao,Songkram Srivathanakul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Multi-vt solution for replacement metal gate bonded stacked fet

Номер патента: US20240096887A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Buried power rail after replacement metal gate

Номер патента: WO2023088668A1. Автор: Somnath Ghosh,Ruilong Xie,Kisik Choi,Sagarika Mukesh,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US9985104B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US20170194452A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20220069091A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Metal gate process and related structure

Номер патента: US20230386920A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Chih-Lun Lu,Jih-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Metal gate stack with etch stop layer having implanted metal species

Номер патента: US20020132415A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A3. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul R Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: EP1371088A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-17.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US11862453B2. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20240088235A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate stacks

Номер патента: WO2006039632A2. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-13.

Gate stacks

Номер патента: WO2006039632A3. Автор: Dale W Martin,Steven M Shank,Michael C Triplett,Deborah A Tucker. Владелец: Deborah A Tucker. Дата публикации: 2006-08-10.

Gate stacks

Номер патента: US20060073688A1. Автор: DALE Martin,Steven Shank,Michael Triplett,Deborah Tucker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Gate stacks

Номер патента: US7378712B2. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-27.

Gate stacks

Номер патента: US20070194385A1. Автор: Steven M. Shank,Dale W. Martin,Michael C. Triplett,Deborah A. Tucker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20160099253A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

An Asymmetric IPD Control Gate Stack Device for Improved Retention Performance in Discretely Trapped Non-Volatile Memories

Номер патента: AU2021105513A4. Автор: Rajendra Patrikar,Ashutosh Mahajan,Ravi Solanki. Владелец: Patrikar Rajendra Prof. Дата публикации: 2021-11-18.

Method to protect gate stack material during source/drain reoxidation

Номер патента: US5998290A. Автор: Pai-Hung Pan,Zhiqiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

REPLACEMENT METAL GATE STACK FOR DIFFUSION PREVENTION

Номер патента: US20150255458A1. Автор: Ando Takashi,Yamashita Tenko,Kanakasabapathy Sivananda K.,Faltermeier Johnathan E.,OK Injo,Fan Su Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Inter-level dielectric layer in replacement metal gates and resistor fabrication

Номер патента: US09685434B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Replacement metal gate stack with oxygen and nitrogen scavenging layers

Номер патента: US20180301540A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Lateral bicmos replacement metal gate

Номер патента: US20170005085A1. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Replacement metal gate structures for effective work function control

Номер патента: US20130175635A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: EP1611612A2. Автор: Srikanth B. Samavedam,David C. Gilmer,Philip J. Tobin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-01-04.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: WO2004095527A3. Автор: Philip J Tobin,Srikanth B Samavedam,David C Gilmer. Владелец: David C Gilmer. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20050282326A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: WO2004095527A2. Автор: Srikanth B. Samavedam,David C. Gilmer,Philip J. Tobin. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-11-04.

Method and apparatus for suppressing metal-gate cross-diffusion in semiconductor technology

Номер патента: US20150054085A1. Автор: QI Lin,Yun Wu,Hong-Tsz Pan,Bang-Thu Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD TO ETCH POLY Si GATE STACKS ON RAISED STI STRUCTURE

Номер патента: WO2001099174A2. Автор: Heon Lee,Young-Jin Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-12-27.

Method to etch poly si gate stacks on raised sti structure

Номер патента: EP1292980A2. Автор: Heon Lee,Young-Jin Sibumdanji Hanshin Apt. 127-1301 PARK. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09922884B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US10553498B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US20180102294A1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Process of passivating a metal-gated complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20030186518A1. Автор: Hyungjun Kim,Fenton McFeely,Vijay Narayanan,Alessandro Callegari,Christopher D'Emic,John Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area

Номер патента: EP2423952A3. Автор: Mehul D. Shroff. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-02.

Self aligned replacement metal source/drain finFET

Номер патента: US09466693B1. Автор: Emre Alptekin,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Split Replacement Metal Gate Integration

Номер патента: US20210118747A1. Автор: Boon Teik CHAN,Steven Demuynck,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-22.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09691877B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09685532B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Replacement metal gate with borderless contact

Номер патента: WO2012066019A1. Автор: David Vaclav Horak,Theodorus Eduardus Standaert,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160293731A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

A method of manufacturing finfet devices using narrow and wide gate cut openings in conjuction with a replacement metal gate process

Номер патента: US20190341475A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,TAO Han,Hui Zhan,Laertis Economikos,John Zhang,Xusheng Wu,Jinping Liu,Jiehui SHU,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Self aligned replacement metal source/drain FINFET

Номер патента: US12062703B2. Автор: Emre Alptekin,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11545400B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11923251B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Self aligned replacement metal source/drain finfet

Номер патента: US20190326406A1. Автор: Emre Alptekin,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Self aligned replacement metal source/drain finfet

Номер патента: US20210028287A1. Автор: Emre Alptekin,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US20160293721A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Etch Stop Layer Formation In Metal Gate Process

Номер патента: US20130277764A1. Автор: Michael P. Chudzik,Zhengwen Li,Ramachandra Divakaruni,Unoh Kwon,Richard S. Wise,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Fin-based antifuse structure having gate stacks biased at different gate voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094818B2. Автор: Xiong Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Metal gate double diffusion MOSFET with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: US20020084486A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Metal gate double diffusion mosfet with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: WO2000039858A8. Автор: Brian S Mo,Duc Q Chau. Владелец: Duc Q Chau. Дата публикации: 2001-11-01.

Metal Contacts on Metal Gates and Methods Thereof

Номер патента: US20200020541A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Sheng Chang,Sheng-Liang Pan,Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Fu-Kai Yang,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao,Shao-Jyun Wu,Pang-Sheng Chang,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Gate stack integrated metal resistors

Номер патента: US09570571B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming tunnel MOSFET with ferroelectric gate stack

Номер патента: US09768030B2. Автор: Min-Hung Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-19.

Tunnel MOSFET with ferroelectric gate stack

Номер патента: US09391162B2. Автор: Min-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20170186692A1. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Metal gate transistor

Номер патента: US20180315711A1. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor process for treating metal gate

Номер патента: US09613826B2. Автор: Cheng-Chi Tai,Chung-Che Huang,Chun-Ju Tao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory

Номер патента: US09576801B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal-gate field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010038136A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991124B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US10755938B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Gate stack, capacitorless dynamic random access memory including the gate stack and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20090021979A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of fabricating gate stack having a reduced height

Номер патента: US5438006A. Автор: Chun-Ting Liu,Kuo-Hua Lee,Chorng-Ping Chang,Ruichen Liu. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: TWI249206B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Scott Hareland,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-11.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: TW200525646A. Автор: Mark Doczy,Chris Barns,Justin Brask,Scott Hareland,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Gate stack for normally-off compound semiconductor transistor

Номер патента: US09553183B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Protection of three dimensional transistor structures during gate stack etch

Номер патента: US7521775B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Brian S. Doyle,Uday Shah,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Memory cells with ferroelectric capacitors separate from transistor gate stacks

Номер патента: US11980037B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,I-Cheng Tung,Devin R. Merrill. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Modifiable gate stack memory element

Номер патента: US8097872B2. Автор: Franz Kreupl. Владелец: Rising Silicon Inc. Дата публикации: 2012-01-17.

JFET Devices with PIN Gate Stacks and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100019291A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Methods of making jfet devices with pin gate stacks

Номер патента: US20120302015A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of Making JFET Devices with Pin Gate Stacks

Номер патента: US20140110753A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Self-aligned replacement metal gate spacerless vertical field effect transistor

Номер патента: US09882047B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Device for high-K and metal gate stacks

Номер патента: US09711415B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device including gate stack formed on inclined surface and method of fabricating the same

Номер патента: US20100112763A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Xiaoxin Zhang,Hans S. Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Einrichtung und verfahren zur herstellung von metall-gate-strukturen

Номер патента: DE102021105579A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Gate Stacks and Semiconductor Constructions

Номер патента: US20110042754A1. Автор: D.V. Nirmal Ramaswamy,Venkatesan Ananthan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Stephan Kronholz,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for creating metal gate resistor in FDSOL and resulting device

Номер патента: US09431424B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Process Method for Improving Reliability of Metal Gate High-Voltage Device

Номер патента: US20230274931A1. Автор: Zhigang Zhang,Qiwei Wang,Yaoyu Zhan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks

Номер патента: WO2000014781A1. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Highly pure lanthanum, sputtering target comprising highly pure lanthanum, and metal gate film mainly composed of highly pure lanthanum

Номер патента: AU2008344685B2. Автор: Masahiro Takahata,Yuichiro Shindo,Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component

Номер патента: CA2825301C. Автор: Masahiro Takahata,Kazuyuki Satoh,Satoyasu Narita,Takeshi Gohara. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Barrier stacks for printed and/or thin film electronics methods of manufacturing the same, and method of controlling a threshold voltage of a thin film transistor

Номер патента: WO2020086532A1. Автор: Aditi Chandra,Yoocharn Jeon,Raghav SREENIVASAN. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2020-04-30.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US09735246B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20170330951A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical FETs

Номер патента: US09941378B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20180350939A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US10090411B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20170330965A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Electroless plating method for metal gate fill

Номер патента: US12107150B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Hybrid gate stack integration for stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20200365469A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Koji Watanabe,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Hybrid gate stack integration for stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2020212778A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Takashi Ando,Koji Watanabe,Tenko Yamashita. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-10-22.

Electroless Plating Method for Metal Gate Fill

Номер патента: US20230299177A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system with protection layer to cover the memory gate stack and methods for forming same

Номер патента: US20080121981A1. Автор: Satoshi Torii,Hidehiko Shiraiwa,YouSeok Suh,Harpreet Sachar. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-29.

E-fuse design for high-K metal-gate technology

Номер патента: US09515155B2. Автор: Roman Boschke,Maciej Wiatr,Stefan Flachowsky,Christian Schippel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Embedded DRAM in replacement metal gate technology

Номер патента: US09640538B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Embedded dram in replacement metal gate technology

Номер патента: US20160126245A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for diffusing an n type impurity from a solid phase source into a iii-v compound semiconductor

Номер патента: US5182229A. Автор: Satoshi Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Method for diffusing as into silicon from a solid phase

Номер патента: US3798081A. Автор: K Beyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-03-19.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor stack for hall effect device

Номер патента: US11522125B2. Автор: Lucian Barbut,Kuan-Ting HO. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor stack for hall effect device

Номер патента: US20210257544A1. Автор: Lucian Barbut,Kuan-Ting HO. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2021-08-19.

Low undercut n-p work function metal patterning in nanosheet replacement metal gate process

Номер патента: US20190214311A1. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Zhenxing Bi,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Sivananda Kanakasabapathy,Romain J. Lallement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Devices and methods to optimize materials and properties for replacement metal gate structures

Номер патента: US20120326216A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Devices and methods to optimize materials and properties for replacement metal gate structures

Номер патента: US8796784B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Self-aligned contacts for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140327058A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Self-aligned Contacts For Replacement Metal Gate Transistors

Номер патента: US20140252427A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

BOTTOM-UP METAL GATE FORMATION ON REPLACEMENT METAL GATE FINFET DEVICES

Номер патента: US20160204221A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: US20110241119A1. Автор: George Liu,Kuei Shun Chen,Chia-Ching Lin,Jiann Yuan Huang,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Material supply device for diffusion furnaces

Номер патента: US20080173599A1. Автор: Cheng-Yi Lin,Hsun-Min Lee,Ying-Chieh Chan. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20120235216A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Damascene metal gate and shield structure, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US20130175651A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,John J. Ellis-Monaghan,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Dual layer dielectric stack for microelectronics having thick metal lines

Номер патента: US20080081459A1. Автор: Kevin J. Lee,Subhash Joshi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Light emitting diode (LED) stack for a display

Номер патента: US12009384B2. Автор: Chung Hoon Lee,Chang Yeon Kim,Jong Hyeon Chae,Ho Joon Lee,Seong Gyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming e-fuse in replacement metal gate manufacturing process

Номер патента: WO2012071091A1. Автор: Ying Li,Henry K. Utomo,Gerald L. Leake. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

Gate cut method for replacement metal gate integration

Номер патента: US09818836B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Dong-Ick Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Forming borderless contact for transistors in a replacement metal gate process

Номер патента: WO2012134619A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Charles W. Koburger Iii,David V. Horak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Metamaterial based metal gate mosfet detector with gate rasterized

Номер патента: US20200203550A1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-25.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized gate

Номер патента: LU101404B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Lead-free solder foil for diffusion soldering and its manufacturing method

Номер патента: RU2765104C2. Автор: Ханин ДАУД,Ангела ЛОЙДОЛЬТ,Штефан РАЙХЕЛЬТ. Владелец: Пфарр Штанцтехник Гмбх. Дата публикации: 2022-01-25.

Device for diffusion of texture cleaning liquid

Номер патента: US20190054506A1. Автор: ZHENG GUO,Xudong Wang,Tongyang HUANG,Cen CAI,Huibin Fan. Владелец: Beijing Juntai Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on aperiodically rasterized drain

Номер патента: LU101401B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Apparatus and method for diffusion sensing

Номер патента: US20110298444A1. Автор: David K. Homol,Karl J. Couglar,Ryan M. Pratt. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Metal gate memory device and method

Номер патента: US20230328966A1. Автор: Hyucksoo Yang,Byung Yoon KIM,Jongpyo Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device including capacitor with conductive hydrogen diffusion prevention wiring film

Номер патента: US7291879B2. Автор: Toshio Ito. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Compound semiconductor device including diffusion preventing layer to suppress current collapse phenomenon, method of manufacturing compound semiconductor device, power supply unit, and amplifier

Номер патента: US10217829B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: EP4248488A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2022109513A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Stack for fabricating an integrated circuit intended to perform an electromagnetic-lens function for a reconfigurable transmitarray antenna

Номер патента: US11990678B2. Автор: Antonio Clemente,Bruno Reig,Gabriel Pares. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-21.

Backsheet stack for a photovoltaic module, and a method for the production thereof

Номер патента: US20240162360A1. Автор: Marcel Kühne. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Layer stack for thin-film photovoltaic modules and preparation method thereof

Номер патента: US20240258448A1. Автор: Yilei SHEN,Torben KLINKERT. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High performance multi-layer back contact stack for silicon solar cells

Номер патента: WO2012006130A3. Автор: Mohd Fadzli Anwar Hassan,Hien-Minh Huu Le. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: US20220165707A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Systems and methods for fabricating silicon die stacks for electron emitter array chips

Номер патента: EP4309203A1. Автор: Ukyo Jeong,Ghiyuun KANG. Владелец: Nano X Imaging Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Systems and methods for fabricating silicon die stacks for electron emitter array chips

Номер патента: US20240047415A1. Автор: Ukyo Jeong,Ghiyuun KANG. Владелец: Nano-X Imaging Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for fabricating silicon die stacks for electron emitter array chips

Номер патента: US12027489B2. Автор: Ukyo Jeong,Ghiyuun KANG. Владелец: Nano-X Imaging Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Tri-layer semiconductor stacks for patterning features on solar cells

Номер патента: US11935972B2. Автор: Venkatasubramani Balu,David D. Smith,Ann Waldhauer,Kieran Mark TRACY,Asnat MASAD. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Layer stack for thin-film photovoltaic modules and preparation method thereof

Номер патента: WO2023220911A1. Автор: Yilei SHEN,Torben KLINKERT. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Tri-layer semiconductor stacks for patterning features on solar cells

Номер патента: US20240186430A1. Автор: Venkatasubramani Balu,David D. Smith,Ann Waldhauer,Kieran Mark TRACY,Asnat MASAD. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083120A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083121A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Self-aligned contact structure for replacement metal gate

Номер патента: US20140377927A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: US09722046B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: EP3218937A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-09-20.

Paste for diffusion layer formation and production method thereof and production method of gas diffusion layer

Номер патента: US09916915B2. Автор: Tohru Oda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Paste for diffusion layer formation and production method thereof and production method of gas diffusion layer

Номер патента: EP3050144A1. Автор: Tohru Oda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Battery pack comprising heat diffusion preventing member

Номер патента: US20220294045A1. Автор: Sang Yoon Jeong,Chang Keun Son. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Battery pack comprising heat diffusion preventing member

Номер патента: EP4002562A1. Автор: Sang Yoon Jeong,Chang Keun Son. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Battery module housing for accommodating at least one cell stack for use in a motor vehicle

Номер патента: US20230147509A1. Автор: Philipp Kellner,Christopher Volkmer. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-05-11.

Huge stack for flat-tubular solid oxide fuel cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379400B2. Автор: Jong Shik Chung. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-06-28.

Stack for an energy storage device

Номер патента: US12040452B2. Автор: Michael Edward RENDALL. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Filter stack for a thomson parabola spectrometer

Номер патента: US20230077828A1. Автор: Marius Schollmeier,Vahe Shirvanyan. Владелец: Marvel Fusion GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Stack for simulating cell voltage reversal behavior in fuel cell

Номер патента: US09819034B2. Автор: Se Joon Im,Ji Yeon Park,Kook Il Han,Bo Ki Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-11-14.

Stack for simulating cell voltage reversal behavior in fuel cell

Номер патента: US09496566B2. Автор: Se Joon Im,Ji Yeon Park,Kook Il Han,Bo Ki Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-15.

Stack for an energy storage device

Номер патента: GB2575786A. Автор: Edward Rendall Michael. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2020-01-29.

Stack for an energy storage device

Номер патента: GB2575785A. Автор: Edward Rendall Michael. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2020-01-29.

Huge stack for flat-tubular solid oxide fuel cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130130137A1. Автор: Jong Shik Chung. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-05-23.

Apparatus For Manufacturing Cell Stack for Secondary Battery

Номер патента: US20210265650A1. Автор: Tae Wan Kim. Владелец: Woowon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Solid oxide fuel cell stack for an aircraft engine

Номер патента: EP4366002A1. Автор: Pedro Nehter,Helge Ingolf Geisler,Ahilan Vignesh. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-05-08.

Solid oxide fuel cell stack for an aircraft engine

Номер патента: US20240154144A1. Автор: Pedro Nehter,Helge GEISLER,Vignesh AHILAN. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-05-09.

Analog stack for debugging sofc system

Номер патента: WO2022101662A1. Автор: Changming Hu,Youpeng Chen,Zuofeng WANG,Tianqin KANG. Владелец: Ceres Intellectual Property Company Limited. Дата публикации: 2022-05-19.

Stack for an energy storage device

Номер патента: US11990587B2. Автор: Michael Edward RENDALL. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrode Stack For Lithium Secondary Battery And Lithium Secondary Battery Including The Same

Номер патента: US20240063442A1. Автор: Xing Jin,Eun Seok Choi,Jin Woo Choi,Min Jun Choi,Ga Young Baek,Sang Deuk KIM,Byeong Uk Kim,Hae Song Jeon. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrode stack for lithium secondary battery and lithium secondary battery comprising same

Номер патента: EP4261978A1. Автор: Xing Jin,Eun Seok Choi,Jin Woo Choi,Min Jun Choi,Ga Young Baek,Sang Deuk KIM,Byeong Uk Kim,Hae Song Jeon. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Metal gate stacks for cmos scaling

Номер патента: US20240040790A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrochemically rechargeable metal-air cell with a replaceable metal anode

Номер патента: US09711830B2. Автор: Iakov Kogan,Anna Khomenko. Владелец: Panisolar Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Wireless terminal and control method for diffusing smell thereof

Номер патента: WO2010008172A9. Автор: Changseok BAE,Jiyeon Son,Jintae Kim,Junseok Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2011-03-10.

Wireless terminal and control method for diffusing smell thereof

Номер патента: WO2010008172A2. Автор: Changseok BAE,Jiyeon Son,Jintae Kim,Junseok Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-01-21.

Wireless terminal and control method for diffusing smell thereof

Номер патента: WO2010008172A3. Автор: Changseok BAE,Jiyeon Son,Jintae Kim,Junseok Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-12-09.

Wireless terminal and control method for diffusing smell thereof

Номер патента: US20110111704A1. Автор: Changseok BAE,Jiyeon Son,Jintae Kim,Junseok Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-05-12.

Device and method for diffusing volatile substances

Номер патента: US20170001789A1. Автор: Ruben Garcia Fabrega,Sergio LUQUE VERA. Владелец: Zobele Espana SA. Дата публикации: 2017-01-05.

Device for diffusing an occupancy rate of a real or virtual site

Номер патента: US20010023437A1. Автор: Patrick Raymond,Aurel Aebi,Armand Louis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Method and equipment for diffusing pseudowire route

Номер патента: CA2815402C. Автор: Weiping Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Logic high-k/metal gate 1t-1c rram mtp/otp devices

Номер патента: WO2016048681A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Daniel Wayne PERRY JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for producing a lamination stack for a rotor and/or a stator of an electric machine

Номер патента: US20230140860A1. Автор: Jürgen Bischopink,Tobias Heutger,Jan GASTREICH. Владелец: Fischer and Kaufmann GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-11.

Protocol stack for a multi-waveform AD hoc network

Номер патента: US09980317B2. Автор: Beatrice Martin. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Layer stack for a touch panel and method for forming a layer stack

Номер патента: US09652055B2. Автор: NEIL Morrison,Hans-Georg Lotz,Thomas Deppisch. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Material stack for microelectronic device, a microelectronic device that integrates such stack and method for manufacturing such stack

Номер патента: US20240215466A1. Автор: Michel Ranjit Frei,Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Magali TESSAIRE,Lavinia-Elena NISTOR. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Hybrid rohc-rtp stack for small packet applications

Номер патента: WO2023195986A1. Автор: Na Chen,Su-Lin Low,Hausting Hong,Chun-I Lee,Sheethal KOVOOR,Sangwon Ki. Владелец: Zeku, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and apparatus for compression of lamination stack for a dynamoelectric machine

Номер патента: US20120118178A1. Автор: Brock Matthew Lape,Steven Charles Walko,Nihan Basaran,Gary Robert Pink,Stuart Alan Oliver. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-05-17.

Rotor stack for a squirrel-cage, sliding rotor type motor

Номер патента: US3936685A. Автор: Ehard Glockner,Bodo Ulrich. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-02-03.

Light fixture with internally-loaded multilayer stack for pressure transfer

Номер патента: US10995937B1. Автор: Mark S. Olsson,Jon E. Simmons,Aaron J. Steiner,John R. Sanderson, IV. Владелец: Seescan Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Symmetrically foldable display stack for electronic device

Номер патента: US11793016B2. Автор: Jari Romo,Saku HELLE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3190018A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-02-24.

Diffuser assembly for diffusing a liquid in irrigation plants, and irrigation plant comprising a plurality of diffuser assemblies

Номер патента: US20190255543A1. Автор: Arno Drechsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-22.

Diffuser assembly for diffusing a liquid in irrigation plants, and irrigation plant comprising a plurality of diffuser assemblies

Номер патента: EP3538283A1. Автор: Arno Drechsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-18.

Diffuser assembly for diffusing a liquid in irrigation plants, and irrigation plant comprising a plurality of diffuser assemblies

Номер патента: WO2018087669A1. Автор: Arno Drechsel. Владелец: Arno Drechsel. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for diffusion of molecules insoluble in water medium, and composition for implementing method

Номер патента: RU2388468C2. Автор: Филипп ПЕРОВИЧ,Марк МОРИ. Владелец: Марк МОРИ. Дата публикации: 2010-05-10.

Portable optical device for diffuse reflection spectroscopy

Номер патента: RU2686868C1. Автор: Юнус КАРАМАВУШ,Хасан Басри ЧЕЛЕБИ,Йилдиз УЛУДАГ,Гёкхан БЕКТАШ,Вейси ДЖАНСУ,Дадаш РИЗА. Владелец: Тюбитак. Дата публикации: 2019-05-06.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2024149900A1. Автор: Roberto Camarero Diez,Alberto Jose Sancho Marzo,José María GARCÍA JIMÉNEZ. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-07-18.

Installation for diffusion welding

Номер патента: RU2646517C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Федорович Мещанинов,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Элитрон". Дата публикации: 2018-03-05.

Method for diffusion welding of metals with metal ceramics

Номер патента: RU2758655C2. Автор: Александр Сергеевич Грибанов,Олег Георгиевич Кудашов,Сергей Николаевич Подгорнов,Александр Андреевич Извеков. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро химавтоматики" (АО КБХА). Дата публикации: 2021-11-01.

Method for diffusion welding of ceramic workpieces

Номер патента: RU2752820C1. Автор: Сергей Александрович Филин,Юрий Александрович Вашуков,Тарас Владимирович МАЛИНСКИЙ,Сергей Иванович МИКОЛУЦКИЙ,Владимир Ефимович Рогалин,Юрий Владиславович Хомич,Владимир Александрович Ямщиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук (ИЭЭ РАН). Дата публикации: 2021-08-06.

Apparatus for diffusion dialysis

Номер патента: US5217612A. Автор: Edwin P. Ondrick. Владелец: Poly-Plating Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Nickel-based superalloy for diffusion bonding and method for diffusion bonding using the same

Номер патента: US20230002862A1. Автор: Min Hwan Kim,In Jin Sah,Jong Bae Hwang,Eung Seon Kim. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2023-01-05.

Nickel-based superalloy for diffusion bonding and method for diffusion bonding using the same

Номер патента: US20210156004A1. Автор: Min Hwan Kim,In Jin Sah,Jong Bae Hwang,Eung Seon Kim. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2021-05-27.

Device and method for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2024194475A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Jesús Orlando RAMÍREZ ALVARADO,Marc Malgosa Broto. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for diffusion combustion of hydrogen microstructure in inert medium and device for implementation thereof

Номер патента: RU2727259C1. Автор: Юрий Алексеевич Литвиненко,Александр Сергеевич Тамбовцев,Виктор Владимирович Козлов,Генрих Рувимович Грек,Андрей Геннадьевич Шмаков,Мария Викторовна Литвиненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича Сибирского отделения Российской академии наук (ИТПМ СО РАН). Дата публикации: 2020-07-21.

Device for diffusion metallisation in medium of low-melting liquid metal solutions

Номер патента: RU2692142C1. Автор: Александр Григорьевич Соколов,Роман Леонидович Пломодьяло. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2019-06-21.

Re ALLOY COATING FOR DIFFUSION BARRIER

Номер патента: EP1449937A1. Автор: Toshio Narita,Takayuki Yoshioka,Shigenari Hayashi,Hiroshi Yakuwa. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-08-25.

Color screens for diffusion transfer processes containing color formers

Номер патента: US3899330A. Автор: Burton Harvey Waxman,Robert Thomas Shannahan,Felix Viro. Владелец: GAF Corp. Дата публикации: 1975-08-12.

Phantom for diffusion tensor imaging

Номер патента: EP1956978A1. Автор: Young-Jun Kim,Seunghwan Kim,Yongmin Chang,Done-Sik Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-08-20.

Techniques for diffusion imaging

Номер патента: US20210349168A1. Автор: Thorsten Feiweier. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2021-11-11.

Phantom for diffusion tensor imaging

Номер патента: WO2007066998A1. Автор: Young-Jun Kim,Seunghwan Kim,Yongmin Chang,Done-Sik Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2007-06-14.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20230355822A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods and process flows for diffusion bonding and forming metallic sheets

Номер патента: US20170216958A1. Автор: Ravi Verma. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-03.

Stopper and wick assembly for devices for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2024149769A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: Zobele Holding, S.P.A.. Дата публикации: 2024-07-18.

Stopper and wick assembly for devices for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4400123A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods, systems, devices, and storage media for diffusion tensor imaging

Номер патента: US20240337716A1. Автор: Meiling Ji,Renkuan Zhai. Владелец: Wuhan United Imaging Life Science Instrument Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for diffusing a chemical substance

Номер патента: US09795702B2. Автор: Valery Huynh. Владелец: DC & BV France Holding SAS. Дата публикации: 2017-10-24.

Supporting member for diffusion plate and backlight module

Номер патента: US20170010506A1. Автор: Xiaoxu DONG,Yuangui HUANG. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Device for diffusion metallization in medium of low-melting liquid metal solutions

Номер патента: RU2767108C1. Автор: Александр Григорьевич Соколов,Эдуард Эдуардович Бобылев,Роман Анатольевич Попов,Иван Дмитриевич Стороженко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2022-03-16.

Method for diffusion welding of steel and aluminum products

Номер патента: RU2754134C1. Автор: Виктор Никонорович Семенов,Андрей Владимирович Иванов,Николай Николаевич Ситников,Владимир Владимирович Кошлаков,Жанна Александровна Карпова,Ражудин Насрединович Ризаханов,Владимир Николаевич Гореликов,Сергей Константинович Сигалаев,Игорь Борисович Капралов. Владелец: Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации "Исследовательский центр имени М.В. Келдыша". Дата публикации: 2021-08-27.

Apparatus for diffusion molding

Номер патента: US3743455A. Автор: E Green. Владелец: General Dynamics Corp. Дата публикации: 1973-07-03.

Method and device for diffusing a protective flux with regard to a surrounding environment

Номер патента: US20040198215A1. Автор: Pierre Bridenne,Pascale Coffinier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Optical guide for diffusing light radiation, module and device for transcutaneous irradiation, in particular transcranial irradiation

Номер патента: AU2019220503A1. Автор: Guillaume Moreau,Etienne Cochard,Guillaume Blivet. Владелец: REGENLIFE. Дата публикации: 2020-09-03.

Process for diffusing a substrate into a base material

Номер патента: US20150140226A1. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Diffusing device for diffusing light, and safety-glass panel, light source and greenhouse comprising diffusing device

Номер патента: EP2389603A1. Автор: Van Petrus Antonius Nijnatten. Владелец: G Van Der Drift Beheer BV. Дата публикации: 2011-11-30.

Improved process for diffusing a substrate into a base material

Номер патента: WO2014081466A3. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Bongsub Samuel Ko. Дата публикации: 2014-07-17.

Improved process for diffusing a substrate into a base material

Номер патента: EP2844465A2. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Improved process for diffusing a substrate into a base material

Номер патента: WO2014081466A2. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Bongsub Samuel Ko. Дата публикации: 2014-05-30.

Systems and methods for suppressing nyquist ghost for diffusion weighted magnetic resonance imaging

Номер патента: US20210208230A1. Автор: Lei Gao,Xuan Liu,Richard S Hinks,Yongchuan Lai,Juan Gao,Jiabin Yao. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Systems and methods for diffusing essential oils

Номер патента: US20190125915A1. Автор: Cortney Jo Roszell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-02.

Container for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3202238A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-06-23.

Device for diffusing a compound

Номер патента: US09795703B2. Автор: Valery Huynh. Владелец: DC & BV France Holding SAS. Дата публикации: 2017-10-24.

Systems for diffusing volatile compounds utilizing moveable pods

Номер патента: US09585982B1. Автор: Kevin Hafer,Keith Cardinal. Владелец: Dial Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Device for diffusing a fluid into atmosphere with secured removable reservoir

Номер патента: US20040050951A1. Автор: Jean-Jacques Almero. Владелец: EURO DIGITAL SYSTEMES. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for diffusion bonding of alloys having low solubility oxides

Номер патента: US4732312A. Автор: Edmund Y. Ting,James R. Kennedy. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1988-03-22.

Cobalt-base composition and method for diffusion braze repair of superalloy articles

Номер патента: CA2286257C. Автор: Richard P. Chesnes. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Radio frequency identification device implemented with a metal-gate semiconductor fabrication process

Номер патента: US20050263603A1. Автор: Ying Wu,Wen Lee,Che Wu. Владелец: G-Time Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for diffusion welding of metal-ceramic units

Номер патента: RU2696800C1. Автор: Александр Яковлевич Зоркин,Александр Александрович Скрипкин,Надежда Александровна Вавилина,Григорий Андреевич Суслин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-08-06.

Method for diffusion welding of heat-resistant nickel alloy

Номер патента: RU2689837C1. Автор: Анатолий Владимирович Люшинский,Елена Степановна Федорова. Владелец: АО "Раменское приборостроительное конструкторское бюро". Дата публикации: 2019-05-29.

System and method for diffusing gas bubbles into a body of water

Номер патента: US6017020A. Автор: Michael L. Baughman,administrator Brenton L. Horner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-25.

Cooling apparatus for diffusers

Номер патента: CA1146746A. Автор: Robert L. Corbett, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-05-24.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2021130387A1. Автор: Dominic DOYLE,Sergio LUQUE VERA,Fernando ALFONSO GALLEGO. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-07-01.

A device for diffusing gas into a liquid

Номер патента: GB2479528A. Автор: David Charles Colin Lewis,Christopher Leonard Smith,John Richard Lister. Владелец: Advanced Fuel Technologies UK Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Chromium(vi)-free slip for diffusion coating

Номер патента: US20230416899A1. Автор: Alexander Rühl,Max MORDANT. Владелец: M M Morant GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

b-Value Optimization for Diffusion Weighted Magnetic Resonance Imaging

Номер патента: US20090096448A1. Автор: Li Pan,Glenn A. Meredith,Christine H. Lorenz. Владелец: Siemens Corporate Research Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Composition and method for diffusion alloying of ferrocarbon workpiece

Номер патента: WO2014081463A3. Автор: Lidiya Omovna CHUNYAYEVA,Oleg Nikolayevich CHUNYAYEV,Leonid Leonidovich TOVAZHNYANSKYY. Владелец: Jamar International Corporation. Дата публикации: 2014-07-31.

Rotary pulp catcher for diffusion juice cleaning

Номер патента: RU2688472C1. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Николай Сергеевич Кобелев,Игорь Васильевич Павлов,Владимир Николаевич Кобелев,Евгений Васильевич Павлов,Светлана Викторовна Чепель,Павел Андреевич Афанасьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Rotary pulp catcher for diffusion juice cleaning

Номер патента: RU2710728C1. Автор: Николай Сергеевич Кобелев,Светлана Андреевна Рябцева,Владимир Николаевич Кобелев,Виталий Анатольевич Жмакин,Алексей Сергеевич Емельянов,Татьяна Владимировна Поливанова,Надежда Петровна Аникеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-01-10.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3153753A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-04-15.

Systems for diffusing volatile compounds utilizing moveable pods

Номер патента: WO2017116890A1. Автор: Kevin Hafer,Keith Cardinal. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2017-07-06.

Method and apparatus for diffusion bonding, brazing and joining

Номер патента: US20070040008A1. Автор: John Somerville,Jonathan Ferrin,Gregory Kayser,Daniel Wisner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-02-22.

Apparatus for diffusion-gap thermal desalination

Номер патента: US09770673B2. Автор: Andrew Lowenstein. Владелец: AIL Research Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Aerator assembly for diffusing a gas in a liquid

Номер патента: US09579611B2. Автор: Anders BERFNER. Владелец: Xylem IP Management SARL. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for diffusing metals into substrates

Номер патента: US4206251A. Автор: Bor-Uei Chen. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1980-06-03.

Device for diffusing volatile liquids

Номер патента: US4621768A. Автор: Jean-Francois Lhoste,Thierry Delage. Владелец: Reckitt and Colman SA. Дата публикации: 1986-11-11.

Composite article having a surface prepared for diffusion bonding

Номер патента: US5373983A. Автор: Steven C. Stenard,Mohsen Sohi,Donald R. Schuyler,Mani Janakiram. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1994-12-20.

High strength steel for diffusion chromizing

Номер патента: CA1082951A. Автор: Harri Nevalainen. Владелец: Ovako Oy. Дата публикации: 1980-08-05.

Device for diffusing volatile liquids

Номер патента: CA1240920A. Автор: Jean-Francois Lhoste,Thierry Delage. Владелец: Rb Holding France. Дата публикации: 1988-08-23.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20220072179A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Alba GRAUS FERRER,Roberto Camarero Diez. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-03-10.

External medicine for diffuse plexiform neurofibroma

Номер патента: US20180110759A1. Автор: Ichiro Katayama,Mari KANEDA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2018-04-26.

Container for diffusing volatile substances

Номер патента: US20240009632A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-01-11.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2022144290A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-07-07.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2022144294A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-07-07.

Systems for diffusing volatile compounds utilizing moveable pods

Номер патента: EP3397292A1. Автор: Kevin Hafer,Keith Cardinal. Владелец: Henkel IP and Holding GmbH. Дата публикации: 2018-11-07.

Bonding element for diffusion bonding, comprising a heating element and a bonding structure with an outer metal surface

Номер патента: WO2024068530A1. Автор: Simon Hanks. Владелец: Tokamak Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Device for diffusion of volatile substances

Номер патента: US20200397938A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian,Livio Sordo. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for diffusion joining and device therefor with pressure variation

Номер патента: US20220097167A1. Автор: Nils HANEKLAUS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-31.

Device for diffusion of volatile substances

Номер патента: WO2019122163A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian,Livio Sordo. Владелец: Zobele Holding, S.P.A.. Дата публикации: 2019-06-27.

A device for diffusing a compound

Номер патента: WO2015106842A1. Автор: Valery Huynh. Владелец: DC & BV France Holding SAS. Дата публикации: 2015-07-23.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2024100263A1. Автор: LI Zhiheng,Sergio LUQUE VERA,José María GARCÍA JIMÉNEZ. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-05-16.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3124487A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Alba GRAUS FERRER,Roberto Camarero Diez. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2020-06-25.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP3897122A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Alba GRAUS FERRER,Roberto Camarero Diez. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-10-27.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2020127793A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Alba GRAUS FERRER,Roberto Camarero Diez. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2020-06-25.

Device for diffusion of volatile substances

Номер патента: US11992584B2. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian,Livio Sordo. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-05-28.

Container for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4263034A1. Автор: Cedric Morhain,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-10-25.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4267207A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-11-01.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3202918A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-07-07.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: US20240115751A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-04-11.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3202839A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-07.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: US20240084142A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrate for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4267295A1. Автор: Sergio LUQUE VERA,Maria Garcia Subirats,Alberto Jose Sancho Marzo,David Alonso Canadas. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-11-01.

Prognostic gene signature and method for diffuse large b-cell lymphoma prognosis and treatment

Номер патента: EP4237576A1. Автор: Todd Christopher BRADLEY,Santosh KHANAL. Владелец: Childrens Mercy Hospital. Дата публикации: 2023-09-06.

Prognostic gene signature and method for diffuse large b-cell lymphoma prognosis and treatment

Номер патента: US20230399701A1. Автор: Todd Christopher BRADLEY,Santosh KHANAL. Владелец: Childrens Mercy Hospital. Дата публикации: 2023-12-14.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3199718A1. Автор: Walter Sordo,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-05-27.

Standard light source having restriction portion for diffuse reflection and measurement method

Номер патента: US09377352B2. Автор: Kazuaki Ohkubo. Владелец: Otsuka Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Film barrier for diffusion of isocianate monomer

Номер патента: RU2640073C2. Автор: Сюймин ЧЭНЬ,Роберт Л. МАКГИ,Дэвид Е. ВИЕТТИ,Кевин МИЯКЕ,Ларри Ф. БРИНКМАН. Владелец: Ром Энд Хаас Компани. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods and devices for diffusion rate testing of intraocular drug delivery systems

Номер патента: RU2431468C2. Автор: Шивкумар МАХАДЕВАН,Стефен С. ПЕГРАМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2011-10-20.

Apparatus for diffusing light and directing air circulation

Номер патента: US5171084A. Автор: Jack Burkarth. Владелец: Gulton Industries Inc. Дата публикации: 1992-12-15.

Device for diffusing matter between two fluids via semi-permeable diaphragms

Номер патента: CA1061725A. Автор: Gerhard Riede. Владелец: Gambro Ag. Дата публикации: 1979-09-04.

Aerator assembly for diffusing a gas in a liquid

Номер патента: EP2976149A1. Автор: Anders BERFNER. Владелец: Xylem IP Management SARL. Дата публикации: 2016-01-27.

Aerator assembly for diffusing a gas in a liquid

Номер патента: CA2907542C. Автор: Anders BERFNER. Владелец: Xylem IP Management SARL. Дата публикации: 2021-05-04.

Survival predictor for diffuse large b cell lymphoma

Номер патента: CA2726811C. Автор: George Wright,Lisa Rimsza,Andreas Rosenwald,German Ott,Jan Delabie,Dennis Weisenburger,Louis M. Staudt,Joseph M. Connors,Randy D. Gascoyne,Elias Campo Guerri,Elaine S. Jaffe,Rita M. Braziel,Erlend B. Smeland,Wing C. Chan,Andrew T. Lister,Harald Holte,Stein Kvaloy,Richard I. Fisher,Pedro Jares,Armando Lopez-Guillermo,Wyndham H. Wilson,Sandeep S. Dave,Hans-Konrad Muller-Hermelink,George Lenz. Владелец: British Columbia Cancer Agency BCCA. Дата публикации: 2019-11-26.

Color photographic light-sensitive materials for diffusion transfer process

Номер патента: US3793031A. Автор: Y Yoshida,Y Oishi,K Shiba,M Hinata. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1974-02-19.

Control and sensing system for diffusion optical tomography and method for operating the same

Номер патента: US20130155389A1. Автор: Wai-Chi Fang,Tien-Ho CHEN,Shih Kang,Shih-Yang Wu,Ching-Ju Cheng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-06-20.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2021069577A1. Автор: Joaquim LLORENTE ALONSO,Roberto Camarero Diez,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-04-15.

Method and system for optimizing Monte Carlo simulations for diffuse reflectance spectroscopy

Номер патента: US11815454B2. Автор: Ka Ram Choi,Sang Kyu Kim,Sujit JOS,Ibrahim A,Sreejith KALLUMMIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Improved process for diffusing titanium and nitride into a steel or steel alloy by altering the content of such

Номер патента: EP2069140A1. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-17.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20230355824A1. Автор: Walter Sordo,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-11-09.

Diffusor and diffusor unit for diffusing a gas into a liquid

Номер патента: US20140048961A1. Автор: Stefan Nordemo,Per PORATH,Johan Tegle. Владелец: XYLEM IP HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2014-02-20.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20230011344A1. Автор: Alba GRAUS FERRER,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-01-12.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4041324A1. Автор: Ruben Garcia Fabrega,Alba GRAUS FERRER,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-08-17.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20220395601A1. Автор: Ruben Garcia Fabrega,Alba GRAUS FERRER,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-12-15.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: WO2021069579A1. Автор: Ruben Garcia Fabrega,Alba GRAUS FERRER,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-04-15.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20240082452A1. Автор: Joaquim LLORENTE ALONSO,Roberto Camarero Diez,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of producing a test body for diffusion tensor imaging

Номер патента: US11931954B2. Автор: Peter Gruber,Zoltan Nagy,Christian Windischberger,Aleksandr Ovsianikov. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN. Дата публикации: 2024-03-19.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: US20240082451A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2024-03-14.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4041323A1. Автор: Joaquim LLORENTE ALONSO,Roberto Camarero Diez,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-08-17.

Method and Apparatus for Diffusing Gas into a Liquid

Номер патента: US20240082796A1. Автор: Luke Stephen Timmons,Matthew Richard Rece. Владелец: Hhydrenesis Delta Systems LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4247443A1. Автор: Walter Sordo,Stefano Deflorian. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2023-09-27.

Method and system for diffusing data derived from a database

Номер патента: AU7670900A. Автор: Patrice Noailles,Bernard Prost. Владелец: MemoPage com. Дата публикации: 2001-05-10.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: CA3162105A1. Автор: Alba GRAUS FERRER,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2021-06-24.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4076545A1. Автор: Alba GRAUS FERRER,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-10-26.

Device for diffusing volatile substances

Номер патента: EP4041325A1. Автор: Moisés Caballero Tapia,Fernando ALFONSO GALLEGO,Marina Trias Lafuente. Владелец: ZOBELE HOLDING SPA. Дата публикации: 2022-08-17.

Systems for diffusing volatile compounds utilizing moveable pods

Номер патента: EP3397293A1. Автор: Kevin Hafer,Keith Cardinal. Владелец: Henkel IP and Holding GmbH. Дата публикации: 2018-11-07.

Method of preparing an alkali metal diffusion preventive layer

Номер патента: CA2014758A1. Автор: Shuhei Tanaka,Takashi Tagami,Keiji Oyoshi. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 1990-10-19.

Valve gated stack injection molding apparatus

Номер патента: CA2137178C. Автор: Jobst Ulrich Gellert. Владелец: 4437667 Canada Inc.. Дата публикации: 2004-10-26.

Device, system and method for transporting and installing a BOP stack for an onshore drilling rig

Номер патента: AU2018349180B2. Автор: Raphael Lucas Ribeiro VALADARES. Владелец: Petroleo Brasileiro SA Petrobras. Дата публикации: 2024-09-05.

Emission control flare stack for reducing volatile organic compounds from gases including well gases

Номер патента: US09568192B1. Автор: Lary D. Archer,Kenneth Archer. Владелец: Archer Company Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Swivel stack for transfer of fluid across a rotary interface and method for manufacturing such a swivel stack

Номер патента: CA3137366A1. Автор: Sebastien Jean-Francois Truchi,Liva Christian Randrianarivony. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Mold stack for forming 3d glass-based articles

Номер патента: EP3440023A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Rohit Rai,Andrew Peter Kittleson,Jacob Immerman. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-02-13.

COMMUNICATION STACK FOR SOFTWARE-HARDWARE CO-EXECUTION ON HETEROGENEOUS COMPUTING SYSTEMS WITH PROCESSORS AND RECONFIGURABLE LOGIC (FPGAs)

Номер патента: US20140208300A1. Автор: Rodric Rabbah,Perry S. CHENG,Sunil K. Shukla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Heterogeneous memory die stacking for energy efficient computing

Номер патента: US09841920B2. Автор: Pete D. Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Sheet material stack for hygienic products

Номер патента: RU2626938C2. Автор: Ингер АНДЕРССОН,Бьерн ЛАРССОН,Гуннель ЭЛЬГЛУНД. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2017-08-02.

Mold stack for injection molding machine

Номер патента: CA2989902C. Автор: Arnold Heinz MAI. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-08-17.

Ribbed fan airflow stack for water cooling tower

Номер патента: US3780999A. Автор: H Fordyce. Владелец: Marley Co LLC. Дата публикации: 1973-12-25.

Exhaust stack for outdoor heaters

Номер патента: US3636853A. Автор: Chester A Sable. Владелец: Anthony Industries Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Process and apparatus for manufacturing a flue made of fiber-reinforced plastic, particularly of a stack for discharging chemically aggressive fumes

Номер патента: CA2082029C. Автор: Mario Cargnelutti. Владелец: Gruppo Sarplast SpA. Дата публикации: 2002-01-01.

Swivel stack for transfer of fluid across a rotary interface and method for manufacturing such a swivel stack

Номер патента: US11953138B2. Автор: Sebastien Jean-Francois Truchi,Liva Christian Randrianarivony. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Submersible light fixture with multilayer stack for pressure transfer

Номер патента: US11946633B1. Автор: Mark S. Olsson,Jon E. Simmons,John R. Sanderson, IV,Brian P. Lakin,Steven B. Weston. Владелец: Seescan Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and software stack for identifying a feature using active vision

Номер патента: US20230360386A1. Автор: Pasihapaori CHIDZIVA,Aparajit NARAYAN. Владелец: Academy Of Robotics. Дата публикации: 2023-11-09.

Layered imaging stack for minimizing interference fringes in an imaging device

Номер патента: US5311033A. Автор: Bimsara Disanayaka. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1994-05-10.

Heterogeneous memory die stacking for energy efficient computing

Номер патента: WO2013101038A1. Автор: Pete D. Vogt. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-07-04.

COMMUNICATION STACK FOR SOFTWARE-HARDWARE CO-EXECUTION ON HETEROGENEOUS COMPUTING SYSTEMS WITH PROCESSORS AND RECONFIGURABLE LOGIC (FPGAs)

Номер патента: US20140208299A1. Автор: Rodric Rabbah,Perry S. CHENG,Sunil K. Shukla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Communication stack for software-hardware co-execution on heterogeneous computing systems with processors and reconfigurable logic (FPGAs)

Номер патента: US9323506B2. Автор: Rodric Rabbah,Perry S. CHENG,Sunil K. Shukla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Mold stack for forming 3d glass-based articles

Номер патента: WO2017176878A1. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Rohit Rai,Andrew Peter Kittleson,Jacob Immerman. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-12.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

Replaceable metal-cutting tool

Номер патента: RU2509630C1. Автор: Владимир Андреевич Гречишников,Петр Михайлович Пивкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2014-03-20.

Quartz ampoule design for diffusion of dopants into silicon (arsenic diffusion) with built-in tool for controlling rate of post-diffusion cooling of silicon p-n structures

Номер патента: RU2522786C2. Автор: Виктор Михайлович Масловский,Александр Викторович Глухов,Станислав Петрович Скорняков,Геннадий Васильевич Перов,Ахмад Зайнидинович Рахматов,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Оао"Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2014-07-20.

Rotary pulp catcher for diffusion juice purification

Номер патента: RU2579218C1. Автор: Николай Сергеевич Кобелев,Наталья Павловна Григорова,Владимир Николаевич Кобелев,Галина Геннадьевна Щедрина,Дмитрий Геннадьевич Щедрин,Артем Александрович Телегин,Виталий Сергеевич Свеженцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2016-04-10.

Method for diffusion of boron in silicon

Номер патента: RU2475883C1. Автор: Владлен Исакович Диковский. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-02-20.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Clearing method for diffusion juice

Номер патента: RU2327740C2. Автор: Раиса Степановна Решетова,Елена Александровна Рощенко,Михаил Анатольевич Гаманченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУ ВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2008-06-27.

Diagnostic technique for diffuse axonal injury in children with craniocerebral injury

Номер патента: RU2440025C1. Автор: Наталья Ювенальевна Семенова,Талиб Абдулаевич Ахадов. Владелец: Государственное учреждение здравоохранения города Москвы Научно-исследовательский институт неотложной детской хирургии и травматологии Департамента здравоохранения города Москвы. Дата публикации: 2012-01-20.

Method and apparatus for diffusion model

Номер патента: WO2024212160A1. Автор: Cheng Lu,Jun Zhu,Ze Cheng,Jianfei Chen,Kaiwen ZHENG. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.