Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity
Номер патента: US09768272B2
Опубликовано: 19-09-2017
Автор(ы): Alexander Reznicek, Hong He, Pouya Hashemi, Tenko Yamashita
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-09-2017
Автор(ы): Alexander Reznicek, Hong He, Pouya Hashemi, Tenko Yamashita
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Replacement gate finfet process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity
Номер патента: US20170092735A1. Автор: Hong He,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.