Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Robust gate spacer for semiconductor devices

Номер патента: US09570554B2
Опубликовано: 14-02-2017
Автор(ы): Effendi Leobandung, Tenko Yamashita
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having a corner spacer

Номер патента: US11769821B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor devices with air gate spacer and air gate cap

Номер патента: US20240347625A1. Автор: Chia-Hao Chang,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices with air gate spacer and air gate cap

Номер патента: US12027606B2. Автор: Chia-Hao Chang,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240379682A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230253480A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11631749B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220181216A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Densified gate spacers and formation thereof

Номер патента: US12107145B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240055525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tze-Liang Lee,Chi-Hao Chang,Pei-Yu Chou,Hao-Yu Chang,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230275153A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Tzu-Hsiang HSU,Jyun-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Utilizing multilayer gate spacer to reduce erosion of semiconductor fin during spacer patterning

Номер патента: US20190006506A1. Автор: Hong He,Andrew M. Greene,Eric R. Miller,Sivananda K. Kanakasabapathy,Pietro Montanini,Gauri Karve. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Gate spacer structures and methods for forming the same

Номер патента: US12119390B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having spacer protection pattern

Номер патента: US09859432B2. Автор: Yongsun Ko,Sangjine Park,Hagju CHO,Jeongnam Han,ByungJae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices including raised source/drain stressors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09502413B2. Автор: Sang-pil Sim,Dong-Kyun Sohn,Se-Chan Lim,Su-Youn Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and methods of forming

Номер патента: US12119401B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Hung-Tai Chang,Han-Yu Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and methods of forming

Номер патента: US20240371996A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Hung-Tai Chang,Han-Yu Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125750B2. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09876013B1. Автор: Jeong Yun Lee,Bo Ra Lim,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Kyung Seok Min,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US20240203738A1. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Stacked gate spacers

Номер патента: US20230369459A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: US20240266414A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Multi-vt integration scheme for semiconductor devices

Номер патента: WO2024167637A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Geetika Bajaj,Tianyi Huang,Tengzhou Ma,Hsin-Jung Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including a gate structure

Номер патента: US11955523B2. Автор: Minwoo Song,Wandon Kim,Namgyu Cho,Ohseong Kwon,HyeokJun Son,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Gate Spacer Patterning

Номер патента: US20220084822A1. Автор: Pierre Morin,Boon Teik CHAN,Antony Premkumar Peter. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-17.

Gate spacer patterning

Номер патента: US11854803B2. Автор: Pierre Morin,Boon Teik CHAN,Antony Premkumar Peter. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Methods of Forming

Номер патента: US20230282746A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Hung-Tai Chang,Han-Yu Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20220278239A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11784252B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238283A1. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US20230064376A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190326180A1. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11923358B2. Автор: Hou-Yu Chen,Yao-Ling Huang,Chih-Kuan YU,Chung-Pin Huang,Chuan-Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for fabricating finfet devices having gate spacers on field insulating layers

Номер патента: US20200243398A1. Автор: Jae Mun Kim,Tae Ho Cha,Gun Ho JO,Dae Joung Kim,Moon Han PARK,Jae Jong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: EP4241309A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: WO2022098421A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having work function metal stack

Номер патента: US11948800B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Pin TSAO,Shih-Hsun Chang,Yu-Chi LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240021617A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Post gate dielectric processing for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230411220A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Cheng Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11862638B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220384267A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12002714B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI,Kuan-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09548250B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09425105B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140027857A1. Автор: Jiang Yan,Huaxiang Yin,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11996466B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices having a spacer on an isolation region

Номер патента: US09728643B2. Автор: Heonjong Shin,Hagju CHO,ByungJae Park,Kyounghwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210226033A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Field-effect transistor device with gate spacer structure

Номер патента: US20230282731A1. Автор: Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating spacers in a strained semiconductor device

Номер патента: US8143131B2. Автор: Harry Chuang,Chen-Pin Hsu,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Dielectric constant reduction of gate spacer

Номер патента: US20210359105A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Hui-Ling SHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Field-effect transistor device with gate spacer structure

Номер патента: US20220336628A1. Автор: Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12142668B2. Автор: Yen-Ting Chen,Shih-Hao Lin,Chien-Chih Lin,Tsung-Hung Lee,Wen-Kai Lin,Szu-Chi Yang,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100626B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method fabricating the same

Номер патента: US12009410B2. Автор: Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Dielectric constant reduction of gate spacer

Номер патента: US20200135887A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Hui-Ling SHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12034054B2. Автор: Chun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321984A1. Автор: Chun-Ting Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US11631747B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US20220254899A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240096986A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chung-Ting LI,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11848363B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chung-Ting LI,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230352482A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Sram gate spacer structure

Номер патента: WO2023212439A1. Автор: Xiaochen Zhang,Fadoua CHAFIK. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate spacer structure

Номер патента: US20230345692A1. Автор: Xiaochen Zhang,Fadoua CHAFIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11990524B2. Автор: Hsiao-Chien Lin,Cheng-Hung Tsai,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230065056A1. Автор: Hsiao-Chien Lin,Cheng-Hung Tsai,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Airgap gate spacer

Номер патента: US11876114B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Gate spacer and formation method thereof

Номер патента: US20230299175A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Fan Chen,Yi-Rui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Novel select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20210098586A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Select gate spacer formation to facilitate embedding of split gate flash memory

Номер патента: US20220320304A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Asymmetric gate spacer formation using multiple ion implants

Номер патента: US20200388541A1. Автор: Andrew M. Waite. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Gate profile modulation for semiconductor device

Номер патента: US20230387251A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Sih-Jie Liu,wei-fu Wang,Tien-Shun Chang,Yi-Chao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282834A1. Автор: Juyoun Kim,Hyung Jong Lee,Seki HONG,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282835A1. Автор: Juyoun Kim,Hyung Jong Lee,Seki HONG,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793406B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12068242B2. Автор: Jongchul Park,Jinwook Lee,Dong Kwon Kim,Hongsik SHIN,Wonhyuk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device for manufacturing

Номер патента: US09960241B2. Автор: Jae-Jik Baek,Boun Yoon,Sangjine Park,Kee Sang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Self-aligned spacers for multi-gate devices and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240154043A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Channel structures including doped 2D materials for semiconductor devices

Номер патента: US12100755B2. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Gate structure for semiconductor device

Номер патента: US20240379810A1. Автор: Chi On Chui,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Jo-Chun Hung,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12057344B2. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379674A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11978779B2. Автор: Juyoun Kim,Hyung Jong Lee,Seki HONG,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Devices With Reduced Leakage Current And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230395669A1. Автор: Jian-Hao Chen,Yu-Hsuan Lin,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chun Po Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144105A1. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080850A1. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US12094941B2. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072147A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230387024A1. Автор: Yu-Chang Lin,Chih-Pin TSAO,Hung-Ming Chen,Hou-Ju Li,Chung-Ting LI,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11776911B2. Автор: Yu-Chang Lin,Chih-Pin TSAO,Hung-Ming Chen,Hou-Ju Li,Chung-Ting LI,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769822B2. Автор: Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450093B2. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices including trench walls having multiple slopes

Номер патента: US09443979B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Byung-kwon CHO,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices including field effect transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160343819A1. Автор: Yongsun Ko,Jae-Hwan Lee,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Air gap spacer with wrap-around etch stop layer under gate spacer

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20190206867A1. Автор: Jung Han Lee,Jae Hyun Park,Yunil Lee,Sungchul Park,Daewon HA,Woocheol SHIN,Byoung-Gi Kim,Inchan HWANG,Yeongmin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220293459A1. Автор: Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230275143A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device structure with gate spacer

Номер патента: US11854796B2. Автор: Yu-Yun Peng,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11942367B2. Автор: Li-Te Lin,Chan Syun David Yang,Chun-Jui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402529A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Jinha Kim,Wangjoo Lee,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device including blocking layer and source/drain structure

Номер патента: US20240128321A1. Автор: Jungtaek Kim,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09461144B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including gas spacers and method of manufacture

Номер патента: US12068389B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device blocking leakage current and method of forming the same

Номер патента: US09865698B2. Автор: DongSuk Shin,Chanjin Park,Hyun-Kwan Yu,Sahwan Hong,Kooktae Kim,Youngdal Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with gate structures having low-K spacers on sidewalls and electrical contacts therebetween

Номер патента: US09966374B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09831119B2. Автор: Dong-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having nanowire

Номер патента: US09755034B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150364573A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Hsin-Yan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20240266209A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chun-Hung Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang,Min Chiao LIN,Guan Kai HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176814A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113116B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780209B1. Автор: CHIH-FEN Chen,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09419109B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258100A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chunyao Wang,Te-En CHENG,Ming-Han Chung,Shu-Ling Liao,Nai-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US20240379817A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor to Metal Transition for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160372539A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor to metal transition for semiconductor devices

Номер патента: US09685504B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Christoph Weiss,Frank Hille,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate spacer structures and methods for forming the same

Номер патента: US20200251571A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Manufacturing method for semiconductor device, annealing device, and annealing method

Номер патента: US09449848B2. Автор: Kiyotaka Miyano,Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices having air-gap

Номер патента: US11855178B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200350435A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Shahaji B. More,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09653572B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Il-Ryong Kim,Kwang-Yong Jang,Kwang-You Seo,Seon-ah NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178300A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US10886407B2. Автор: Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device and Methods of Forming Same

Номер патента: US20210257496A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Shahaji B. More,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09825135B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Gate Spacer Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20230307525A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Air gap formation between gate spacer and epitaxy structure

Номер патента: US11855097B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

False collectors and guard rings for semiconductor devices

Номер патента: US20230317775A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Guruvayurappan S. MATHUR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371988A1. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with dielectric liners on gate refill metal

Номер патента: US20230402512A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yuan-Hsiang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Air gap formation between gate spacer and epitaxy structure

Номер патента: US20210118749A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US09799747B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Doped zinc oxide as n+ layer for semiconductor devices

Номер патента: US09722033B2. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Ko-Tao Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373405A1. Автор: Chun-Hsiung Lin,Yi-Lun Chen,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220037505A1. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170047257A1. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Anisotropic dielectric material gate spacer for a field effect transistor

Номер патента: US9337041B2. Автор: Emre Alptekin,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of manufacturing gate spacers with stepped sidewalls by removing vertical portions of a helmet layer

Номер патента: US12087841B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Yi-Lun Chen,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity

Номер патента: US09768272B2. Автор: Hong He,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Contact for semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: US12046677B2. Автор: Yi-Lii Huang,Huei-Shan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (finfet)

Номер патента: US20170148796A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240282634A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Contact for Semiconductor Device and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240339539A1. Автор: Yi-Lii Huang,Huei-Shan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Source/drain epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363437A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09929163B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09685534B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Selective epitaxy growth for semiconductor devices with fin field-effect transistors (FinFET)

Номер патента: US09659942B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dummy gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US09627475B2. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Gate spacers and methods of forming

Номер патента: US09577070B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9761697B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Source/Drains In Semiconductor Devices and Methods of Forming Thereof

Номер патента: US20230378297A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11823958B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Li-Wei Yin,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Devices with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210020757A1. Автор: Yen-Ming Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Source/drains in semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US11824099B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210249271A1. Автор: Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220351975A1. Автор: Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09431537B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230377990A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Li-Wei Yin,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220157965A1. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021698A1. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749738B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4276913A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same

Номер патента: US09917178B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09893186B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09865686B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Xiaolong Ma. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-09.

Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same

Номер патента: US09559184B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US11978739B2. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Air gap formation between gate spacer and epitaxy structure

Номер патента: US20240088155A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device with gate dielectric formed using selective deposition

Номер патента: US20230317820A1. Автор: Miin-Jang Chen,Tzu-Chung Wang,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Yu-tung Yin,Meng-Chien YANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and methods of forming same

Номер патента: US11935955B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Shahaji B. More,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having gate isolation layer

Номер патента: US11929367B2. Автор: Hyo Jin Kim,Seung Seok HA,Kyoung Mi Park,Hyun Seung Song,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301558A1. Автор: I-Sheng Chen,Chi-On CHUI,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190287849A1. Автор: Suraj K. Patil,Joseph W. Wiseman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200381564A1. Автор: Seung Mo Kang,Moon Seung Yang,Sunguk JANG,Sihyung Lee,Eunhye Choi,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor devices including gate spacer

Номер патента: US11810964B2. Автор: Daewon Kim,Sungil Park,Junggun YOU,Jaehoon Shin,Beomjin PARK,Bongseok Suh,Sukhyung PARK,Bongseob YANG,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20230386921A1. Автор: Li-Te Lin,Chan Syun David Yang,Chun-Jui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dielectric structures for semiconductor devices

Номер патента: US11935921B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having gate isolation layer

Номер патента: US20240186321A1. Автор: Hyo Jin Kim,Seung Seok HA,Kyoung Mi Park,Hyun Seung Song,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Device and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240186415A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Shahaji B. More,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12009346B2. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices including gate spacer

Номер патента: US20240038873A1. Автор: Daewon Kim,Sungil Park,Junggun YOU,Jaehoon Shin,Beomjin PARK,Bongseok Suh,Sukhyung PARK,Bongseob YANG,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Dielectric structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220328624A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11894426B2. Автор: Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230230884A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods for fabricating cross-pillar superjunction structures for semiconductor power conversion devices

Номер патента: US20240038836A1. Автор: Reza Ghandi,Collin William Hitchcock. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Anchored stress-generating active semiconductor regions for semiconductor-on-insulator FinFET

Номер патента: US09991366B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Krishna Iyengar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Anchored stress-generating active semiconductor regions for semiconductor-on-insulator finfet

Номер патента: US09349863B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Krishna Iyengar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Epitaxial regions extending between inner gate spacers

Номер патента: US20240088265A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor devices having tapered active regions

Номер патента: US09634092B2. Автор: Zhenhua Wu,Krishna Kumar Bhuwalka,Uihui KWON,Keunho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US20240304689A1. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363732A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194752A1. Автор: Woo Jin Lee,Woo Kyung YOU,Koung Min RYU,Sang Koo Kang,Jun Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258396A1. Автор: Jin Young Park,Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Seon-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US12107139B2. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200350429A1. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sang Jin HYUN,Koung Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20180254338A1. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sang Jin HYUN,Koung Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US10727349B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sang Jin HYUN,Koung Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US10347763B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sang Jin HYUN,Koung Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20190280116A1. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sang Jin HYUN,Koung Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240072114A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate Isolation Wall for Semiconductor Device

Номер патента: US20240014265A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12027521B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11842929B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Gate spacer and inner spacer formation for nanosheet transistors having relatively small space between gates

Номер патента: US20190305106A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Nicolas J. Loubet,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096705A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate spacer and inner spacer formation for nanosheet transistors having relatively small space between gates

Номер патента: US20200152764A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Nicolas J. Loubet,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US12040401B2. Автор: Junggun YOU,Joohee JUNG,Jaehyeoung Ma,Namhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-Gate Semiconductor Device With Inner Spacer And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230010657A1. Автор: Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Bone-Fong Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20240038866A1. Автор: Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Chung-I Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor device having a gate all around structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09679965B1. Автор: Kang-ill Seo,Sung Dae Suk,Bom-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411479A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230335606A1. Автор: Jinwook Lee,Hongsik SHIN,Dongsoo Seo,Wonhyuk LEE,Sangduk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Gate spacer and inner spacer formation for nanosheet transistors having relatively small space between gates

Номер патента: US20190341465A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Nicolas J. Loubet,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US12046599B2. Автор: Jongchul Park,Cheol Kim,Hyunho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230326985A1. Автор: Yong Seung Kim,Dongwoo Kim,Seung Hun Lee,Gyeom KIM,Pankwi Park,Ryong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240170336A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11908746B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11901439B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030304A1. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240136428A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804530B2. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP3979329A3. Автор: Wandon Kim,Munhyeon Kim,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240072149A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Inu Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014288A1. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20180069125A1. Автор: Jeong Yun Lee,Bo Ra Lim,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Kyung Seok Min,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210028281A1. Автор: Yang Xu,Seokhoon Kim,Sanggil Lee,Seunghun LEE,Choeun LEE,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu,Edward Namkyu CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11735632B2. Автор: Yang Xu,Seokhoon Kim,Sanggil Lee,Seunghun LEE,Choeun LEE,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu,Edward Namkyu CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11799013B2. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230387205A1. Автор: Kyungho Kim,Ki Hwan Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Yonguk JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Passivation layers for semiconductor devices

Номер патента: US11929422B2. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US12107135B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955516B2. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204047A1. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230143543A1. Автор: Shigenobu Maeda,Choongsun Kim,Myoungkyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178229A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Mingyu Kim,Daewon HA,Munhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11908861B2. Автор: DOYOUNG CHOI,Mingyu Kim,Daewon HA,Munhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Extension region for a semiconductor device

Номер патента: US20200098897A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Gate spacer in stacked gate-all-around (gaa) device architecture

Номер патента: US20240006499A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Susmita Ghose,David Kohen,Marko Radosavljevic,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Kai Loon CHEONG,Thoe MICHAELOS,Rambert Nahm,Natalie BRIGGS,Munzarin F. Qayyum,Pooja Nath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor apparatus having side wall interconnection structure and manufacturing method for semiconductor apparatus, and electronic device

Номер патента: EP4261883A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399108A1. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11139382B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US11824089B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20220149155A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Core-shell nanostructures for semiconductor devices

Номер патента: US20210273050A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Core-Shell Nanostructures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230411455A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321989A1. Автор: Gunho JO,Seunghyun Lim,Bomi KIM,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240379767A1. Автор: Sadanori ARAE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Localized tunneling enhancement for semiconductor devices

Номер патента: EP3888132A1. Автор: Youngmin Kim,Hui Ma,Thomas R. Young,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Jansen J. Uyeda. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Contact process and contact structure for semiconductor device

Номер патента: US09870943B2. Автор: Zong-Jie Ko,Hsiao-Leng Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220115522A1. Автор: Katsumi Nakamura,Koji Tanaka,Koichi Nishi,Kakeru Otsuka,Hayato Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100059800A1. Автор: Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Borderless Contacts For Semiconductor Devices

Номер патента: US20120322251A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09935119B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

A method for forming rectangular-shape spacers for semiconductor devices

Номер патента: WO2005069362A1. Автор: Huicai Zhong,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09614050B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Hybrid Power Rail Formation in Dielectric Isolation for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234317A9. Автор: Nikhil Jain,Ruilong Xie,Kisik Choi,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Quasi field-plate structure for semiconductor devices

Номер патента: US20240363697A1. Автор: Chan-Hong Chern,Cheng-Hsiang Hsieh,Yi-An Lai,Pen Chieh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

CMOS transistors including gate spacers of the same thickness

Номер патента: US09793274B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210217867A1. Автор: Yongchul Oh,Woo-Song Ahn,Sang-Don Yi. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332381A1. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Chung Hwan Shin,Seong Heum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Implanted Regions for Semiconductor Structures with Deep Buried Layers

Номер патента: US20240120202A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Michael Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Cmos transistors including gate spacers of the same thickness

Номер патента: US20160181248A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Implanted regions for semiconductor structures with deep buried layers

Номер патента: WO2024076890A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Michael Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Cmos transistors including gate spacers of the same thickness

Номер патента: US20150236020A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240379409A1. Автор: Kyungho Kim,Jaeho JEON,Myungil KANG,Wooseok Park,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Thin Dummy Sidewall Spacers for Transistors With Reduced Pitches

Номер патента: US20230223304A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US12119389B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US11757015B2. Автор: Ilyoung Yoon,Seunghoon Choi,Boun Yoon,Kiho BAE,Ilsu Park,Yooyong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming a gate spacer

Номер патента: US09876098B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20240371974A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with metal cap on gate

Номер патента: US12021148B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014294A1. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: CA3053962C. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-08-01.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09947646B2. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20190123167A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Heat dissipation for semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240266285A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electropositive metal containing layers for semiconductor applications

Номер патента: US09390932B2. Автор: Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220376080A1. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11908750B2. Автор: Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200357899A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods of forming a semiconductor device with a gate structure having a dielectric protection layer

Номер патента: US11749753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240153828A1. Автор: Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices having equal thickness gate spacers

Номер патента: US20180240889A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210057538A1. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20220359302A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US11901237B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20240213097A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US11869765B2. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Epitaxial Source/Drain Proximity Control

Номер патента: US20190165138A1. Автор: I-Chih Chen,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Tong Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Butted Contacts And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359686A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20230369454A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420543A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Ying-Liang Chuang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20210151319A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240282593A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363751A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Replacement gate process for semiconductor devices

Номер патента: US09917017B2. Автор: Ying-Ho Chen,Yung-Cheng Lu,Yu-Jen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Dual control gate spacer structure for embedded flash memory

Номер патента: US09472645B1. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09455200B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device including epitaxial region

Номер патента: US20240087884A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Jihye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220199803A1. Автор: FENG HAN,Jian Huang,Zhong-Hao CHEN,Lin-Chun Gui. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20210020761A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor devices having gate isolation layers

Номер патента: US20230290818A1. Автор: Woojin Lee,Seunghoon Choi,Seonbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor devices having gate isolation layers

Номер патента: US12034041B2. Автор: Woojin Lee,Seunghoon Choi,Seonbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of reducing gate spacer loss during semiconductor manufacturing

Номер патента: US11908685B2. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20220013649A1. Автор: Jin-Wook Kim,Myung Yoon UM,Deok Han Bae,In Yeal Lee,Yoon Young Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11705497B2. Автор: Jin-Wook Kim,Myung Yoon UM,Deok Han Bae,In Yeal Lee,Yoon Young Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220045050A1. Автор: Mingyu Kim,Yeonho Park,Seon-Bae Kim,Munhyeon Kim,Youngchai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device structures

Номер патента: US12027415B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20240249976A1. Автор: Jeng-Ya David Yeh,Hsin-Che Chiang,Ju-Li Huang,Chung-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabrication of nickel free silicide for semiconductor contact metallization

Номер патента: US20150061032A1. Автор: Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09633999B1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US11764284B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11756991B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210305360A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11915981B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device, electronic apparatus, and preparation method for semiconductor device

Номер патента: EP4283667A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210167184A1. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204908A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305409A1. Автор: Chan-Lon Yang,Pinyen Lin,Chung-Cheng Wu,Li-Te Lin,Kuo-An Liu,Gwan-Sin Chang,zhi-qiang Wu,Bharath Kumar Pulicherla. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200013871A1. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190165132A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20200395215A1. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Contact structure with air spacer for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220328622A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chien-yuan Chen,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Yen-Jun Huang,Chun-Po CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Electrically-conductive metal oxide film, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20220310798A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Conductive metal oxide film, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4089728A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105773A1. Автор: Soon Wook Jung,Hae Jun Yu,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: WO2022125495A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: EP4260362A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE, pH SENSOR, BIOSENSOR, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240201125A1. Автор: Makoto NAKAZUMI. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming semiconductor devices having recessed channels

Номер патента: US8268690B2. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor Devices Having Recessed Channels

Номер патента: US20120305997A1. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer

Номер патента: US10096619B2. Автор: Shosuke Fujii,Seiji Inumiya,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20210091177A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Da Teng. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having step gates and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170059A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220069140A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of Forming Semiconductor Devices Having Recessed Channels

Номер патента: US20100285644A1. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170053828A1. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411217A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Multilevel poly-si tiling for semiconductor circuit manufacture

Номер патента: EP1440468A2. Автор: Guido J. M. Dormans,Robertus D. J. Verhaar,Antonius M. P. J. Hendriks. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-28.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US09608060B2. Автор: Shen-Ping Wang,Yu-Chieh Chou,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chun-Yi Yang,Tsai-Feng YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Self-aligned gate-first VFETs using a gate spacer recess

Номер патента: US09536793B1. Автор: John H. Zhang,Chanro Park,Kwan-Yong Lim,Steven John Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Isolation bonding film for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12087732B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20080308875A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-18.

Robust gate cap for protecting a gate from downstream metallization etch operations

Номер патента: US20200335345A1. Автор: Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Vimal Kamineni,Raghuveer Reddy PATLOLLA,Viraj Yashawant Sardesai,Sugirtha KRISHNAMURTHY. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Ground shields for semiconductors

Номер патента: WO2007120322A2. Автор: Robert A. Pryor,Daniel J. Lamey,Xiaowei Ren. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20180175017A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US20190348493A1. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout

Номер патента: US09929135B2. Автор: Takashi Ishihara,Yasuhiko Tanuma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09437455B2. Автор: Norihiro Togawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Metal nitride alloy contact for semiconductor

Номер патента: US09991354B2. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,David Shahin,Virginia D. Wheeler,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US10971415B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20200321258A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Seperation methods for semiconductor charge accumulation layers and structures thereof

Номер патента: US20090206388A1. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue,Haruki SOUMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Adhesive for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing said device

Номер патента: TW201726863A. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Keishi Ono,Kouichi CHABANA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011058998A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,崇司 川守,一行 満倉,増子　崇. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-05-19.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITE SHEET

Номер патента: US20180138141A1. Автор: OKAMOTO Naoya,Horigome Katsuhiko,Ikeda Ryohei. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201130942A. Автор: Shigeki Katogi,Takashi Masuko,Takashi Kawamori,Shinjiro Fujii,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484355B2. Автор: Seungwoo Paek,Changseok Kang,Won-Seok Jung,Inseok Yang,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Spacers for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240063166A1. Автор: Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Data processing apparatus for semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20030168171A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Shoji Ikuhara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Plasma dicing for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2024228887A1. Автор: Yichen WANG,Tsung Che Tsai,Raj K. Bansal,Vibhav GUPTA,Wie Chang WONG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US09947570B2. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

PECVD protective layers for semiconductor devices

Номер патента: US09761439B2. Автор: Zoltan Ring,Daniel Namishia,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Method for dividing semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US20090197393A1. Автор: Kazuhiro Noda,Akira Nakagawa,Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: WO2015033209A9. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Organic solvents having ozone dissolved therein for semiconductor processing utilizing sacrificial materials

Номер патента: WO2006025969A2. Автор: Steven Verhaverbeke. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-03-09.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010027028A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Nano through substrate vias for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20230386970A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Hybrid mold chase surface for semiconductor bonding and related systems and methods

Номер патента: US20230268198A1. Автор: Byung Hoon Moon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US8017440B2. Автор: Yuichi Machida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100136716A1. Автор: Hisashi Okuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Gripper for semiconductor devices

Номер патента: WO2017172646A1. Автор: Emmanuel Chua Abas,Vergil Rodriguez Sandoval. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: WO2024177811A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid bonding for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240282731A1. Автор: Bharat Bhushan,Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Akshay N. Singh,Debjit Datta,Chaiyanan Kulchaisit. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US20220181525A1. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Patterning methods for semiconductor devices

Номер патента: US12074058B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Shing-Chyang Pan,Wei-Ren Wang,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Etching apparatus and method for semiconductor device

Номер патента: US20080248650A1. Автор: Tae-yong Kwon,Kyung Hyun Han,Kyung Chun Lim,Sang Min Jeong,Dong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Header for semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US12087886B2. Автор: Wataru KATAYAMA. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Intelligent uniform masks for semiconductor fabrication

Номер патента: US20160161843A1. Автор: Tammy DongLei ZHENG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US20220068666A1. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US11682563B2. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

EMI/RFI shielding for semiconductor device packages

Номер патента: US09673150B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device metallization systems and methods

Номер патента: US09548241B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Tung-Ching Tseng,Hsiang-Huan Lee,Wen-Cheng Yang,Hai-Ching Chen,Chung-En Kao,Hsin-Yen Huang,Keith Kuang-Kuo Koai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Packaging process tools and systems, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09543185B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3817034A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Substrates for semiconductor device assemblies and systems with improved thermal performance and methods for making the same

Номер патента: US20230154823A1. Автор: Chan H. Yoo,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210193523A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Trench structure for semiconductor device

Номер патента: US20240112965A1. Автор: Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Marc A. Bergendahl,Chinami MARUSHIMA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Ball bonding for semiconductor devices

Номер патента: US20240290746A1. Автор: Tingting Yu,Ye Zhuang,Xiao Lin Kang,Xiaoling Kang,Zi Qi Wang,Jiafeng LIAO. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and device using silicide contacts for semiconductor processing

Номер патента: US20030235984A1. Автор: David Brown,Simon Chan,Eric Paton,Paul Besser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Protective barrier layer for semiconductor device electrodes

Номер патента: EP1925028A2. Автор: Martin Standing,David P. Jones,Andrew N. Sawle,Martin Carroll. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-28.

Surface treatment method for semiconductor device

Номер патента: US20160172433A1. Автор: Kwon Hong,Hyung-Soon Park,Hyung-Hwan Kim,Sung-Ki Park,Ji-Hye Han,Sung-Hyuk Cho,Hyo-Sang KANG,Young-Bang Lee,Tae-Yeon JUNG,Hyeong-Jin NOR. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method using silicide contacts for semiconductor processing

Номер патента: WO2004001826A1. Автор: Eric N. Paton,Simon S. Chan,Paul R. Besser,David E. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-12-31.

Self-aligned patterning technique for semiconductor device features

Номер патента: US20150004800A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for producing silicic coating, silicic coating and semiconductor device

Номер патента: US20100133692A1. Автор: Yasushi Kobayashi,Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Shirou Ozaki,Kouta Yoshikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Microwave excursion detection for semiconductor processing

Номер патента: WO2014003893A1. Автор: Juan Carlos Rocha-Alvarez,Sanjeev Baluja,Scott A. Hendrickson,Liliya Krivulina. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230148306A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Back-plane for semiconductor device

Номер патента: US6281551B1. Автор: Sandip Tiwari,Kevin Kok Chan,Paul Michael Solomon,Erin Catherine Jones,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Interconnection architecture for semiconductor device

Номер патента: US20080017997A1. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Youngwoong Son,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Interconnection architecture for semiconductor device

Номер патента: US20120013015A1. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Youngwoong Son,Jaeman Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Interconnection architecture for semiconductor device

Номер патента: US8558385B2. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Youngwoong Son,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-15.

Interconnection architecture for semiconductor device

Номер патента: US8058169B2. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Youngwoong Son,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220238345A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yuya Nagata,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for removing molding residues in the fabrication of plastic packages for semiconductor devices

Номер патента: US20010008139A1. Автор: Paolo Crema,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Plasma based film modification for semiconductor devices

Номер патента: US20240352575A1. Автор: Timothy J. Miller,Vikram M. Bhosle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method for semiconductor device having hole penetrating stack structure

Номер патента: US09911751B2. Автор: Chan Sun Hyun,Jong Hoon Kim,Woo June KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Test circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US09702931B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US20240379344A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method for semiconductor device using resist patterns and impurity injections

Номер патента: US09583347B2. Автор: Mikio Arakawa,Satoshi Yoshizaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09552983B2. Автор: Hironobu Hirata,Yoshikazu Moriyama,Masayoshi Yajima. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Surface treatment method for semiconductor device

Номер патента: US09520459B2. Автор: Kwon Hong,Hyung-Soon Park,Hyung-Hwan Kim,Sung-Ki Park,Ji-Hye Han,Sung-Hyuk Cho,Hyo-Sang KANG,Young-Bang Lee,Tae-Yeon JUNG,Hyeong-Jin NOR. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Chemical dielectric formation for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09466495B2. Автор: Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: WO2016049647A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2016-03-31.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: EP3198632A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Substrate for semiconductor elements and semiconductor device

Номер патента: US20190088578A1. Автор: Junichi Nakamura,Koji Watanabe,Kentaro Kaneko,Tsukasa NAKANISHI,Harunobu Sato. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, lead frame with temporary protective film, encapsulation molded body with temporary protective film, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220319873A1. Автор: Tomohiro Nagoya. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US09679864B2. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Printed interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US09496171B2. Автор: Benjamin Stassen Cook,Juan Alejandro Herbsommer,Wei-Yan Shih,Matthew David Romig,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Device for contact photolithography for semiconductor plates with a base cut

Номер патента: RU2691159C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-06-11.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170330813A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US20220139780A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20200303317A1. Автор: Shinichi Arakawa,Teruyuki Sato,Takayuki Enomoto,Yohei Chiba. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Partial implantation method for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060211226A1. Автор: Min Lee,Kyoung Rouh,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for depositing titanium nitride films for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20080274616A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Self-assembly pattern for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8497201B2. Автор: Ching-Yu Chang,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Methods for etching a metal layer to form an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09960052B2. Автор: Sumit Agarwal,Bradley J. Howard,Mark Hoinkis,Chiu-Pien KUO,Ann Chien. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for etching a hardmask layer for an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09653320B2. Автор: Sumit Agarwal,Chiu-Pien KUO,Shang-Ting HSIEH,Guochuan HONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Metallization method for semiconductor structures

Номер патента: US09437488B2. Автор: Silvia Armini,Boon Teik CHAN,Frederic LAZZARINO. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-09-06.

Sensor for semiconductor device manufacturing process control

Номер патента: US5293216A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Ground connection for semiconductor device assembly

Номер патента: US11764161B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US20230352373A1. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure, electronic device, and manufacture method for semiconductor structure

Номер патента: US20230163043A1. Автор: Ran He,Huifang JIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Pad structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220068882A1. Автор: LIANG XIAO,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20180254231A1. Автор: Hiroyuki Hata,Masataka Shiramizu,Yazhe WANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1591465A1. Автор: Takuji Okeyui,Kazuhiro Ikemura,Kazuhito Hosokawa,Keisuke Yoshikawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Pad structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4289001A1. Автор: Yihuan WANG,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Tray for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: MY125134A. Автор: ISHIKAWA MANABU,Sembonmatsu Shigeru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-31.

Adhesive sheet for producing semiconductor device and production method for semiconductor device using the same

Номер патента: MY193145A. Автор: Yuuki Matsunaga,Takamasa Ichikawa,Yasufumi Kondou,Shouji IWASAKI,Wenfeng Fu. Владелец: Tomoegawa Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-26.

Substantially hermetic packages for semiconductor devices and substantially hermetically packaged, semiconductor devices

Номер патента: US20050040505A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Outline forming method for semiconductor device and semiconductor manufacturing device used in this method

Номер патента: US5883440A. Автор: Toshiki Koyama,Toru Terasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Impact sound stressing for semiconductor devices

Номер патента: US4018626A. Автор: Guenter H. Schwuttke,Kuei-Hsiung Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Temperature regulating apparatus for semiconductor-device manufacturing equipment, and semiconductor-device manufacturing system

Номер патента: US20230317482A1. Автор: Shinichi Nitta,Yukihiro Fukusumi,Norio KOKUBO. Владелец: Ebara Refrigeration Equipment and Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Flexible interposer for semiconductor dies

Номер патента: US20240063135A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Improved uniformity for semiconductor patterning operations

Номер патента: WO2009091664A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: CADENCE DESIGN SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2009-07-23.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US20160252571A1. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Component for semiconductor device fabrication apparatus, semiconductor device fabrication apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240170266A1. Автор: Hyun Soo Lee,Ju Young Song,Jong Kyu Lee,Hae Mi KANG,Do Hyun Choi,Il Gu YONG,Ho Geun HAN. Владелец: Solmics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Wiring material for semiconductor device, wiring for semiconductor device including the same, and semiconductor device including the wiring

Номер патента: US20220068824A1. Автор: Joungeun YOO,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Wiring material for semiconductor device, wiring for semiconductor device including the same, and semiconductor device including the wiring

Номер патента: US20240038664A1. Автор: Joungeun YOO,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Wiring material for semiconductor device, wiring for semiconductor device including the same, and semiconductor device including the wiring

Номер патента: EP3961685A1. Автор: Joungeun YOO,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-02.

Wiring material for semiconductor device, wiring for semiconductor device including the same, and semiconductor device including the wiring

Номер патента: US11830814B2. Автор: Joungeun YOO,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Extended bond pad for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240071990A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210287961A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Junya Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Uniformity for semiconductor patterning operations

Номер патента: US20100299646A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Test apparatus for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240345156A1. Автор: Takuya Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for semiconductor testing at low temperature

Номер патента: US09385053B2. Автор: Manuschai Manuschai,Prasit Prasit,Santi BUTSOONGNOEN,Yutthana JITTABUT,Phisanu SOMBATKLUNG. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Номер патента: US20180012821A1. Автор: Toyohide TAKAHASHI,Takuji YAMASHIRO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Radiation protection for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2023033950A1. Автор: Lu Fu Lin,Yung Sheng Zou,Chong Leong Gan,Li Jao,Min Hua Chung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US12062634B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, and life prediction circuit and life prediction method for semiconductor device

Номер патента: US20070296040A1. Автор: Takashi Igarashi,Fumitaka Tametani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device

Номер патента: US20240203849A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device

Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Packaging substrate for semiconductor devices, corresponding device and method

Номер патента: US20190172782A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-06.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Edge seals for semiconductor devices

Номер патента: US20230361139A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and control method for semiconductor device

Номер патента: US10354715B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device, display device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180097019A1. Автор: Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Solder pad for semiconductor device package

Номер патента: US09548280B2. Автор: Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Vijay Sarihan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Capacitor structures for semiconductor device

Номер патента: US09793338B2. Автор: Peng Yang,Tsui Ping Chu,Evie Siaw Hei Kho,Yong Kheng Ang,Swee Hua Tia. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-17.

Lead frame routed chip pads for semiconductor packages

Номер патента: WO2005004200A3. Автор: Shafidul Islam,Anang Subagio,San Antonio Romarico Santos. Владелец: San Antonio Romarico Santos. Дата публикации: 2006-02-16.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: PH12020551276A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-31.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP3745450A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210043599A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Dizo ODA. Владелец: Nippon Street Chemical & Matertial Corp Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240274506A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Evaluation method for semiconductor devices

Номер патента: US5850149A. Автор: Yukari Imai,Toshiharu Katayama,Naoko Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US10985130B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US10818610B2. Автор: Young Kook Kim,Kwang Joo Lee,Hee Jung Kim,Nu Ri Na. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Jet impingement heatsink for high power semiconductor devices

Номер патента: WO2024172878A1. Автор: Oseob Jeon,Changsun YUN. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Lateral high-Q inductor for semiconductor devices

Номер патента: US20010043136A1. Автор: Jerome Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Alignment mark for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20070257288A1. Автор: Hiroshi Fukuda,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Bonding member for semiconductor device

Номер патента: US12119322B2. Автор: Akira Fukui,Toshie FUKUI. Владелец: SUPERUFO291 TEC. Дата публикации: 2024-10-15.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: US09768327B2. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device

Номер патента: US09738763B2. Автор: Kazuyuki Matsumura,Toshihisa Nonaka,Yoichi Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Lead frame for semiconductor device

Номер патента: US09472494B2. Автор: Jung Soo Park,Gi Jeong Kim,Joon Su Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Power supply arrangement for semiconductor device

Номер патента: US09406648B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Sen-Kuei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Micro Heat Transfer Arrays, Micro Cold Plates, and Thermal Management Systems for Semiconductor Devices, and Methods for Using and Making Such Arrays, Plates, and Systems

Номер патента: US20230207426A1. Автор: JIA Li,Dennis R. Smalley,Richard T. Chen,Uri Frodis,Onnik Yaglioglu,Will J. Tan,Nina C. Levy. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Spot-Solderable Leads for Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20190318983A1. Автор: Ken Pham,Manu A. Prakuzhy,Siva P. Gurrum,Daryl R. Heussner,Stefan W. Wiktor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Vertical slow-wave symmetric inductor structure for semiconductor devices

Номер патента: US09508480B2. Автор: Hsiu-Ying Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Pad structure layout for semiconductor device

Номер патента: US09768221B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Yi-Sheng Liu,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Seal ring structure with rounded corners for semiconductor devices

Номер патента: US09530813B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,I-l Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Jet impingement cooling with bypass fluid portion for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240047304A1. Автор: John MOOKKEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Package for semiconductor device

Номер патента: US20060131711A1. Автор: Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4361301A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers

Номер патента: WO2022225549A1. Автор: Yoram Uziel,Ohad Bachar,Amnon Manassen,Daria Negri,Liran Yerushalmi,Yossi Simon,Etay Lavert,Nir BEN DAVID. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-10-27.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190164927A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cu ALLOY CORE BONDING WIRE WITH Pd COATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013747A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: PH12015502710A1. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo,OISHI Ryo. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-14.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290745A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Substrate for semiconductor device

Номер патента: EP3855484A1. Автор: Yuji Umeda. Владелец: NGK Electronics Devices Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290743A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290744A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Terminal connection structure for semiconductor device

Номер патента: US7633166B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Jun Ishikawa,Toshiaki Nagase. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US20230245934A1. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Inductor for semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070152300A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240297142A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US12094790B2. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Systems and methods for improved metrology for semiconductor device wafers

Номер патента: US12131959B2. Автор: Yoram Uziel,Ohad Bachar,Amnon Manassen,Daria Negri,Liran Yerushalmi,Yossi Simon,Etay Lavert,Nir BEN DAVID. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US09887172B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Kazuyuki Saito,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Mounting jig for semiconductor device

Номер патента: US09877397B2. Автор: Mitsutoshi Sawano,Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI,Nobuyuki KANZAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Power line layout structure for semiconductor device

Номер патента: US09870992B1. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Unit for semiconductor device

Номер патента: US09854708B2. Автор: Takafumi Yamada,Yoshikazu Takahashi,Tetsuya Inaba,Katsuhiko Yanagawa,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: US09773748B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Alignment monitoring structure and alignment monitoring method for semiconductor devices

Номер патента: US09589854B2. Автор: Dominik Olligs. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Jet impingement cooling for high power semiconductor devices

Номер патента: US20240312873A1. Автор: Jesse Emmett GALLOWAY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Guard ring design structure for semiconductor devices

Номер патента: US09478505B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Presumably defective portion decision apparatus, presumably defective portion decision method, fabrication method for semiconductor device and program

Номер патента: US09435643B2. Автор: Shunichi Shibuki,Kyoko Izuha,Tatsushiro Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma treatment for semiconductor devices

Номер патента: US09418955B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Fa Lu,Chung-Shi Liu,Wei-Yu Chen,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20130062790A1. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20090281225A1. Автор: Toshimichi Suzuki,Mitsuaki Fusumada,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20110272828A1. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US8421249B2. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Adhesive composition for semiconductor and adhesive film including the same

Номер патента: US09957425B2. Автор: Jun Woo Lee,Sung Min Kim,Jae Won Choi,In Hwan Kim,Su Mi Lim,Baek Soung Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US09340700B2. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Housing for semiconductor microwave device

Номер патента: RU2579544C1. Автор: Леонид Викторович Ляпин,Михаил Владимирович Лебедев,Светлана Сергеевна Белышева,Ирина Куртовна Немогай,Сергей Степанович Семенюк,Татьяна Семеновна Суслова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-04-10.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Nickel-iron expansion contact for semiconductor die

Номер патента: WO2001082373A1. Автор: Peter R. Ewer. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-01.

Gold bond wire for a semiconductor device

Номер патента: EP1168439A3. Автор: Itabashi c/o Mitaka Factory Ichimitsu,Takaura c/o Mitaka Factory Shin. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2002-04-10.

Liquid impingement cooling module for semiconductor devices

Номер патента: US5270572A. Автор: Kenichi Kasai,Noriyuki Ashiwake,Toshio Hatsuda,Toshio Hatada,Motohiro Sato,Tadakatsu Nakajima,Shigeo Ohashi,Shigeyuki Sasaki,Atsuo Nishihara,Takahiro Daikoku,Heikichi Kuwahara,Hiroshi Inouye. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-12-14.

Conductive clip for semiconductor device package

Номер патента: US20090294934A1. Автор: Lei Shi,Ming Sun,Kai Liu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP3730567A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Conductive organic module for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20230069208A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device interconnects formed through volumetric expansion

Номер патента: US20240071968A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Terrence B. Mcdaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Simulation method for semiconductor fabrication process and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11982980B2. Автор: Jinwoo Kim,Sanghoon MYUNG,Wonik JANG,Changwook Jeong,Jisu Ryu,Yongwoo JEON,Kanghyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2611712A. Автор: TUCKER John,Melanson John,KHENKIN Aleksey,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2610151A. Автор: Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240136318A1. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: EP4285128A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, electronic component, circuit substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US20110266690A1. Автор: Nobuaki Hashimoto,Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11830843B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device circuitry formed from remote reservoirs

Номер патента: US20240071989A1. Автор: Kyle K. Kirby,Terrence B. Mcdaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112759A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240047405A1. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: US20220221505A1. Автор: Aleksey S. Khenkin,John L. Melanson,John C. Tucker,Jeffrey A. Weintraub. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

System and method for semiconductor device random telegraph sequence noise testing

Номер патента: GB2603855A. Автор: L Melanson John,S Khenkin Aleksey,C Tucker John,A Weintraub Jeffrey. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: WO2001011680A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US20220146571A1. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Test apparatuses for semiconductor devices

Номер патента: US11604220B2. Автор: Jae Hong Kim,Hyung Il Kim,Se-Hyun Seo,Byeong Min YU,Sang Jae Rhee,Young Chyel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Passivation equipment and passivation method for semiconductor device

Номер патента: US20240162003A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li,Chun-Hung Hung. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Non-destructive interconnect system for semiconductor devices and a carrier assembly for use therewith

Номер патента: US5741141A. Автор: Austin S. O'Malley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240381636A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Impedance calibration device for semiconductor device

Номер патента: US09998123B2. Автор: Hae Kang Jung,Yong Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240341086A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251549A1. Автор: Suhyun KIM,Chul Lee,Sang-Il Han,Sanggyu KO,Jungjin PARK,Sungho Jang,Hyuckchai Jung,Hyeongwon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Cooling device for semiconductor device

Номер патента: US20240188253A1. Автор: Hideko Mukaida,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Yusuke Higashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and System to Reduce Electromagnetic Radiation for Semiconductor Devices

Номер патента: US20100244928A1. Автор: Jim D. Childers,Kevin P. LAVERY,Praven P. Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US20020046881A1. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Module circuit board for semiconductor device having barriers to isolate I/O terminals from solder

Номер патента: US6498306B2. Автор: Norio Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Driving method and driving device for semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20240235542A1. Автор: Yukihiko Wada,Takayoshi Miki,Yasutaka Imamura,Yohei MITSUI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: US20240306391A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Contact construction for semiconductor devices with low-dimensional materials

Номер патента: WO2024186870A1. Автор: Mahendra Pakala,Yi-Hsuan Hsiao,Minrui Yu,Arvind Kumar,Mark Conrad,Dongqing Yang,Keith Tatseun WONG,Rio Soedibyo,Hao-Ling Tang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Automatic test equipment for semiconductor device

Номер патента: EP1260822B1. Автор: Ronald A. Sartschev,Gerald F. Muething, Jr.. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Leakage-free dummy cell for semiconductor devices

Номер патента: US12074603B1. Автор: Shang-Chih Hsieh,Wei-Hsiang Ma,Chi-Lin Liu,Kai-Chi HUANG,Yu-Jheng Ou-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Voltage-driven intelligent characterization bench for semiconductor

Номер патента: US09772371B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Charles J. Montrose. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device, control method for semiconductor device and control program

Номер патента: US20240296901A1. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Design of photomasks for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2001042996A2. Автор: Henning Haffner,Scott M. Mansfield,Lars W. Liebmann,Shahid Butt. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Coordinate transformation system for semiconductor device, coordinate transformation method and coordinate transformation program

Номер патента: US6721935B2. Автор: Hiroyuki Morinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method, system and computer program product for generating layout for semiconductor device

Номер патента: US09659133B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-Hsing Wang,Yen-Hung Lin,Yuan-Te Hou,Chi Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Socket for semiconductor device

Номер патента: MY144692A. Автор: Hideki Sato,Kazumi Uratsuji. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-31.

Mode control circuit for semiconductor device and semiconductor memory device having the mode control circuit

Номер патента: US20020186603A1. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Electrical characteristic inspection device for semiconductor device and electrical characteristic inspection method for semiconductor device

Номер патента: US11828786B2. Автор: Takaya Noguchi,Yasushi Hisaoka,Sumito Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: JP5040252B2. Автор: 敏央 野中. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5040247B2. Автор: 敏央 野中,浩一 藤丸. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2003261834A. Автор: 範行 大東,Noriyuki Daito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Constant temperature chamber in a handler for semiconductor device testing apparatus

Номер патента: MY112337A. Автор: Fukumoto Keiichi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Gold alloy thin wire for semiconductor devices

Номер патента: MY119289A. Автор: Kohei Tatsumi,Tomohiro Uno. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2005-04-30.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Epoxy resin composition and semiconductor devices

Номер патента: MY119545A. Автор: Ken Ota. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2005-06-30.

Fluid cooling system for semiconductor devices

Номер патента: RU2548239C1. Автор: Алексей Павлович Левцев,Андрей Николаевич Макеев,Сергей Николаевич Макеев,Сергей Иванович Храмов,Ярослав Александрович Нарватов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственынй университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.