Semiconductor devices having air-gap.

Semiconductor devices having air-gap

Номер патента: US11855178B2
Опубликовано: 26-12-2023
Автор(ы): Chia-Hao Chang, Chih-Chao CHOU, Chih-Hao Wang, Chun-Hsiung Lin, Pei-Hsun Wang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of fabricating semiconductor devices having air-gap spacers

Номер патента: US10811515B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS

Номер патента: US20210050429A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-18.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS

Номер патента: US20200091309A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-19.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210119053A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US20240258158A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US11984350B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Middle-Of-Line Interconnect Structure Having Air Gap And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230360966A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Middle-of-line interconnect structure having air gap and method of fabrication thereof

Номер патента: KR20220043825A. Автор: 이-니엔 수,쥬-호릉 시에. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor wafer with devices having different top layer thicknesses

Номер патента: US20220285403A1. Автор: Wang Po-Jen,Hsin-Chi Chen,Kuan-Liang Liu,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device having self-isolating bulk substrate and method therefor

Номер патента: US10084039B2. Автор: Johan Camiel Julia Janssens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device having self-isolating bulk substrate and method therefor

Номер патента: US20170338304A1. Автор: Johan Camiel Julia Janssens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor devices having air gaps

Номер патента: US09577115B2. Автор: Young-woo Park,Chang-Hyun Lee,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Chia-Lin,Chuang Cheng-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-26.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH BACKSIDE INTERCONNECTION STRUCTURE HAVING AIR GAP

Номер патента: US20220093448A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-24.

Fin field effect transistor(FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: KR102443833B1. Автор: 김진균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US10109634B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FinFET) HAVING AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170317212A1. Автор: KIM Jin Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit devices having air-gap spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150214220A1. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit devices having air-gap spacers defined by conductive patterns and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9331072B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a cavity

Номер патента: US09991347B2. Автор: Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having parallel contact holes between adjacent trenches

Номер патента: US09966372B2. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Tadashi Misumi,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Horizontal gate-all-around device having wrapped-around source and drain

Номер патента: US09754840B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094979B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Ishikawa,Yasuhiro Jinbo,Sachiaki TEZUKA,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices having enhanced key patterns therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20240313049A1. Автор: Byounghoon Kim,Myoungki JUNG,Hyunwoong KIM,Sungsik Park,Jonghwa Baek,Hyunju Song,KyungMin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US9589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240274667A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Chun-An Lin,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having gate in trenches

Номер патента: US09978861B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220320071A1. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US11715734B2. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor Device Having Improved Oxide Thickness at a Shallow Trench Isolation Edge and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20100001364A1. Автор: Binghua Hu,Mindricelu P. Eugen,Damien T. Gilmore,Bill A. Wofford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09972679B2. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values

Номер патента: EP4302335A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411209A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266212A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Interconnect structure having air gap and method of forming the same

Номер патента: US09754882B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A2. Автор: Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device including dam structure having air gap and electronic system including the same

Номер патента: US20220384479A1. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG,Byoungtaek KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US11972975B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Structure of two-dimensional material-based device having air-gap and method for preparing same

Номер патента: US20240105821A1. Автор: Yi Shi,Weisheng Li,Xinran Wang,Hao Qiu,Dongxu Fan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-28.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor memory device having air gap

Номер патента: US10319734B2. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US09824726B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including spacer structure having air gap

Номер патента: US20240215225A1. Автор: Teawon Kim,Seohee PARK,Yongsuk Tak,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US9379002B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160380060A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238433A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device having SOI substrate

Номер патента: US09899448B2. Автор: Yasuo Arai,Masao Okihara,Hiroki Kasai. Владелец: Inter University Research Institute Corp High Energy Accelerator Research Organization. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and associated method for manufacturing

Номер патента: US20140183627A1. Автор: Rongyao Ma,Tieshing Li. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170338317A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area and fabrication method thereof

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Integrated circuit structure having air-gap trench isolation and related design structure

Номер патента: US20130256758A1. Автор: Anthony K. Stamper,Renata A. Camillo-Castillo,David L. Harame,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Integrated circuit structure having air-gap trench isolation and related design structure

Номер патента: US20140061727A1. Автор: Anthony K. Stamper,Renata A. Camillo-Castillo,David L. Harame,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING AIR GAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND DISTAL END PORTION OF ACTIVE AREA AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Chang Feng-Yi,Lee Fu-Che. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit structure having air-gap trench isolation and related design structure

Номер патента: US8872305B2. Автор: Anthony K. Stamper,Renata A. Camillo-Castillo,David L. Harame,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388708A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US9397160B2. Автор: Hirokazu Kato,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi,Keisuke Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device having a planarized structure and the method for producing the same

Номер патента: US20040048464A1. Автор: Yoo-Jeong Park. Владелец: Auk Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20190304896A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20210202374A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP SPACERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180158718A1. Автор: LEE Dong Jun,Cho Chang Hyun,Kim Ji Young,LEE Dong Ryul,Yoon Chan Sic,Choi Ji Min,Lee Ho Ouk,SHIN Joong Chan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Non-volatile memory devices having air gaps on common source lines and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120020550A. Автор: 신현철,송준의,유환배,유다훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-03-08.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20230207446A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210118722A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

MICROELECTRONIC DEVICES HAVING AIR GAP STRUCTURES INTEGRATED WITH INTERCONNECT FOR REDUCED PARASITIC CAPACITANCES

Номер патента: US20210202374A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

MICROELECTRONIC DEVICES HAVING AIR GAP STRUCTURES INTEGRATED WITH INTERCONNECT FOR REDUCED PARASITIC CAPACITANCES

Номер патента: US20190304896A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING AIR GAP DIELECTRIC AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: US20210050413A1. Автор: KUO CHIN-TE. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

INTERCONNECTS HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Yang Chih-Chao,van der Straten Oscar,Motoyama Koichi,Cheng Kenneth Chun Kuen,Maniscalco Joseph F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US10957760B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US20210134946A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: TWI726592B. Автор: 郭錦德. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-01.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378255A1. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830910B2. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor MOS device having a dense oxide film on a spacer

Номер патента: US09627534B1. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Finfet devices having a material formed on reduced source/drain region

Номер патента: US20170229559A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having electro-static discharge protection structure

Номер патента: US20180277532A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20190057960A1. Автор: Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393333A1. Автор: Fumio Wada,Jun Fujita,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: US20140084246A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Номер патента: US09608055B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR-GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160351501A1. Автор: CHUN Jae Houb. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor devices having air gaps

Номер патента: KR20220145574A. Автор: 한성희,김희중,김인우,이명동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008261A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device having a power cutoff transistor

Номер патента: US20090309170A1. Автор: Masakatsu Nakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor devices having staggered air gaps

Номер патента: US09748170B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230049039A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

BiMOS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220319927A1. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

BiMOS semiconductor device

Номер патента: US11776953B2. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device having contact plugs

Номер патента: US09859387B2. Автор: Yang Xu,Kang Hun MOON,Bon Young Koo,Chul Sung Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP4394864A3. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Mark Gajda,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A4. Автор: Anthony K Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having air gap structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US9496224B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having air gap, a method for manufacturing the same, a memory cell having the same and an electronic device having the same

Номер патента: US9799659B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120273962A1. Автор: FAN LI,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20170154847A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20150332954A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20150333011A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device having air gap structures and method of fabricating thereof

Номер патента: KR101735912B1. Автор: 치위안 팅,쥬호릉 쉬. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-05-15.

Semiconductor device having air gap and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102222037B1. Автор: 최영준. Владелец: 주식회사 필옵틱스. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device having air gap structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US9929094B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: US20060166486A1. Автор: Anthony Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: TW200539382A. Автор: Anthony K Stamper. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for manufacturing structure having air gap

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Hsin Tai,Chan-Tsun Wu,Ming-Hsin Yeh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230061501A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20240055296A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20230369101A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11823951B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

INTERCONNECT HAVING AIR GAPS AND POLYMER WRAPPED CONDUCTIVE LINES

Номер патента: US20160020176A1. Автор: Lee Ming-Han,SHUE Shau-Lin,Lee Hsiang-Huan,TIEN Hsi-Wen,YANG Shin-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

INVERSE T-SHAPED CONTACT STRUCTURES HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20200058759A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Middle-Of-Line Interconnect Structure Having Air Gap And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20220102192A1. Автор: Su Yi-Nien,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnect Having Air Gaps and Polymer Wrapped Conductive Lines

Номер патента: US20160172232A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hsiang-Huan Lee,Hsi-Wen Tien,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2016-06-16.

Interconnect Structure Having Air Gap and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160260665A1. Автор: SU Hung-Wen,CHI Chih-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US20210366761A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Interconnect Structure Having Air Gap and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150311151A1. Автор: SU Hung-Wen,CHI Chih-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

INVERSE T-SHAPED CONTACT STRUCTURES HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Method of producing an electric connection using nanotubes and having air gaps

Номер патента: EP2017885A2. Автор: Frederic-Xavier Gaillard,Jean-Christophe Coiffic. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2009-01-21.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US20210366761A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US11798839B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory structure having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230320084A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having via hole coated in side surfaces with heat treated nitride metal and method to form the same

Номер патента: US09673094B2. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having an air gap between a contact pad and a sidewall of contact hole

Номер патента: US12057396B2. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US20160267949A1. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods of fabricating semiconductor devices having air gaps in dielectric layers

Номер патента: US8883611B2. Автор: Jongwan Choi,Bo-Young Lee,Myoungbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-11.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11877435B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing STI structure having air gap

Номер патента: JP4235379B2. Автор: ヴィクター・セン・ケオン・リム,ヤング−ウェイ・テー,ティン−チェオン・アン,アレックス・シー,ヨン・コン・シュー. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09799775B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a field-effect structure and a nitrogen concentration profile

Номер патента: US09748374B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Super junction semiconductor device for RF applications, linear region operation and related manufacturing process

Номер патента: US09899508B1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Maria Ponzio,Alessandro Angelo Alfio Palazzo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device and memory device

Номер патента: US12051726B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device and Memory Device

Номер патента: US20200212185A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor device having a junction portion contacting a Schottky metal

Номер патента: US12057479B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US09728598B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US8134206B2. Автор: Xingbi Chen. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-03-13.

Semiconductor Device Having a Source Electrode Contact Trench

Номер патента: US20190157447A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266444A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09837552B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor Device Having a Charge Compensation Region

Номер патента: US20150263165A1. Автор: Andrew Wood,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor devices having pad isolation pattern

Номер патента: US20200350354A1. Автор: Byungjun Park,Younghwan CHOI,Jinju Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09831259B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09748407B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09679938B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170221931A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices, methods, and systems

Номер патента: WO2005074578A3. Автор: Savas Kaya. Владелец: Savas Kaya. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180040641A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kenichi SHIOHAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device, imaging unit, and electronic apparatus

Номер патента: US12112996B2. Автор: Takahiro Kamei,Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURE HAVING AIR GAP

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Tai Hsin,Yeh Ming-Hsin,Wu Chan-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865613B2. Автор: Jong-Min Lee,Ho-Jun SEONG,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204262A1. Автор: Lee Jin-Wook,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130221434A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing

Номер патента: US20110309423A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Raker,Christian Foerster,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US7342422B2. Автор: Tomoatsu Makino,Yoshiyuki Hattori,Shoichi Yamauchi,Makoto Kuwahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device having a backside metallization layer and a protection layer

Номер патента: US20240371793A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09711656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having through-substrate vias

Номер патента: US09646930B2. Автор: Eric Beyne,Bart Swinnen,Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Yann Civale. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-09.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having a bipolar transistor

Номер патента: US5726486A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09847276B2. Автор: Taeseong Kim,Pil-Kyu Kang,Ho-Jin Lee,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jin Ho An,Jae-hwa Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,Taeyeong Kim,Seongmin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Trench semiconductor device having multiple trench depths and method

Номер патента: US09716187B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having a positive temperature coefficient structure

Номер патента: US09660029B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US10763125B2. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US20190385863A1. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Hybrid metallic structures in stacked semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US12068282B2. Автор: Tzu Ching Hung,Chien Wen Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device, power diode, and rectifier

Номер патента: US09685562B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640550B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor devices and method of testing same

Номер патента: WO2007032456A1. Автор: Toru Kaga,Kenji Terao,Yoshihiko Naito,Nobuharu Noji,Ryo Tajima,Masatoshi Tsuneoka. Владелец: EBARA CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020019134A1. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6503836B2. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20080315286A1. Автор: Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor Device Having a Thin Semiconductor Die

Номер патента: US20210143108A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having a thin semiconductor die

Номер патента: US11605599B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-14.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor devices having upper conductive patterns and semiconductor packages having the same

Номер патента: US20240332228A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Yeonjin Lee,Jimin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Semiconductor device having interconnection structure

Номер патента: US09875931B2. Автор: Youngwoo Park,Dohyun LEE,Junghoon Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160307900A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, A MEMORY CELL HAVING THE SAME AND AN ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160322365A1. Автор: Kim Seung-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING AIR GAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND DISTAL END PORTION OF ACTIVE AREA

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Chang Feng-Yi,Lee Fu-Che. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Packaged semiconductor device having stacked attached chips overhanging the assembly pad

Номер патента: US09768098B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

FinFET semiconductor device having integrated SiGe fin

Номер патента: US09985030B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367082A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227569A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194795A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having a carrier trapping region including crystal defects

Номер патента: US12027579B2. Автор: Seigo Mori,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Device having dual etch stop liner and protective layer

Номер патента: US7446395B2. Автор: Ying Li,Dureseti Chidambarrao,Rajeev Malik,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device having principal surface of polar plane and side surface at specific angle to nonpolar plane and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090283760A1. Автор: Tetsuo Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device composed of AlGaInN layers with inactive regions

Номер патента: US09761670B2. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203491A1. Автор: Kentaro Yamada,Yuji Takahashi,Masaki Watanabe,Yoshiaki Yamada,Shinichi Maeda,Masashi Sahara,Masaki Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068417B2. Автор: Masahiro Takahashi,Daisuke Matsubayashi,Yuichi Yanagisawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers

Номер патента: US09917099B2. Автор: Takaya Yamanaka,Shinya Naito,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Tatsufumi Hamada,Takayuki KAKEGAWA,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES HAVING AIR GAPS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140021524A1. Автор: SIM Jae-hwang,Shin Jinhyun,Seong HoJun. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES HAVING AIR GAPS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140332894A1. Автор: SIM Jae-hwang,Shin Jinhyun,Seong HoJun. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09917116B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09659977B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20050136587A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Lateral high voltage semiconductor device having a sense terminal and method for sensing a drain voltage of the same

Номер патента: US20030107086A1. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865604B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09917115B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having control conductors

Номер патента: US09762226B2. Автор: Radu Surdeanu,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-09-12.

Liquid crystal display device having a low reflecting layer made of the same material as the source electrode and the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09715145B2. Автор: Hiroshi Matsukizono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347644A1. Автор: Yuichi Sato,Shun Ohta,Rena WAKASA,Jesper EKLIND. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09865746B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR-GAP

Номер патента: US20150262625A1. Автор: KIM Dong-Wan,HAN Jung-Hoon,LE JU-IK. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008252A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated device having air-gap trench in substrate and method for forming the same

Номер патента: KR100304360B1. Автор: 김천수,유현규,김대용,김충환,박민. Владелец: 오길록. Дата публикации: 2001-11-02.

GRAPHENE TRANSISTOR HAVING AIR GAP, HYBRID TRANSISTOR HAVING THE SAME, AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130119349A1. Автор: Chung U-in,Chung Hyun-jong,KIM Ki-nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-16.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics

Номер патента: US09613881B2. Автор: Yong Woon Lee,Sang Wook Ahn,Heui Gyun Ahn,Huy Chan JUNG,Sung Chun Jun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20090230559A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254174A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Packaged semiconductor devices having solderable lead surfaces exposed by grooves in package compound

Номер патента: US20150262903A1. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09711500B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having wires that vary in wiring pitch

Номер патента: US7402904B2. Автор: Toshifumi Minami,Satoshi Oonuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure

Номер патента: US09768284B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20020139991A1. Автор: Eisuke Suekawa,Kouichi Mochizuki,Kazushige Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device having first and second layers with opposite conductivity types

Номер патента: US09786796B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20020050604A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor Device and Its Driving Method

Номер патента: US20090032839A1. Автор: Hideaki Kawahara,Toshiyuki Tani,Toshimi Satoh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device having overload current carrying capability

Номер патента: US11410989B2. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20170062348A1. Автор: SHIEH JYU-HORNG,Ting Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of making cBN semiconductor device having an ohmic electrode

Номер патента: US5444017A. Автор: Yoshiyuki Suda,Osamu Mishima,Satoshi Agawa,Koh Era. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1995-08-22.

cBN semiconductor device having an ohmic electrode and a method of making the same

Номер патента: US5414279A. Автор: Yoshiyuki Suda,Osamu Mishima,Satoshi Agawa,Koh Era. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1995-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor devices having hollow filler materials

Номер патента: US20230089928A1. Автор: Dingying Xu,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Hongxia Feng,Yiqun Bai,Ziyin LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device having a protective material with a first pH formed around cooper wire bonds and aluminum pads for neutralizes a second pH of an outer encapsulant material

Номер патента: US10037965B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having a transparent window for passing radiation

Номер патента: US09620656B2. Автор: Jian Chen,Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device having heat dissipation structure of curved profile and a manufacturing method thereof

Номер патента: US12094836B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Hsuan-Ning Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having multiple contact clips

Номер патента: US09837380B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method

Номер патента: US09659985B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US09797945B2. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09660159B2. Автор: Keiji Sato,Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US20220262634A1. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium-based compound semiconductor layer

Номер патента: US11791156B2. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having surface protective films on bond pad

Номер патента: US8390134B2. Автор: Yoshifumi Takata,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having a guard ring

Номер патента: US09659879B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having a fuse element

Номер патента: US09818691B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Sensor device having inductors, analog and logic circuits for detecting power flowing through a powerline

Номер патента: US09875962B2. Автор: Hiroshi Oe,Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Kazunori Go,Takasuke Hashimoto,Noriko Yoshikawa,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader

Номер патента: WO2010088124A2. Автор: Dave Rice,Jeffrey Dale Crowder. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2010-08-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and gas concentration measuring device

Номер патента: US12034101B2. Автор: Kengo SASAYAMA. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having switching elements to prevent overcurrent damage

Номер патента: US10366964B2. Автор: Masayuki Ando,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Optoelectronic semiconductor apparatus including an optoelectronic semiconductor device having a carrier with a roughened first main surface and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12087893B2. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having fuse element

Номер патента: US09917055B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and lead frame member

Номер патента: NL2025196B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-10-30.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Curable Organopolysiloxane Composition, Use Of The Cured Product Of The Composition, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070273051A1. Автор: Tomoko Kato,Minoru Isshiki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US20160133545A1. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including a sealing region

Номер патента: US09852968B2. Автор: Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09691737B2. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: US09648747B2. Автор: Jeong-Sik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Sensor device having inductors for detecting power flowing through a power line

Номер патента: US09632119B2. Автор: Hiroshi Oe,Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Kazunori Go,Takasuke Hashimoto,Noriko Yoshikawa,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210287992A1. Автор: Hitoshi Ishii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having external electrodes exposed from encapsulation material

Номер патента: US20120319283A1. Автор: Toru Kanno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device having reinforcement member and method of manufacturing the same

Номер патента: US7692312B2. Автор: Kazumi Tanaka,Masato Sumikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device packages with angled pillars for decreasing stress

Номер патента: US11721658B2. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: US20030214033A1. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Tetsu Toda,Shigeki Tsubaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: EP1353377A3. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Shigeki Tsubaki,Tetsu Tode. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor device having non-circular connectors

Номер патента: US20150371963A1. Автор: Mark A. Gerber,Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device having pads for bonding and probing

Номер патента: US20080012046A1. Автор: Tsukasa Ojiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Optoelectronic semiconductor device having dielectric layers, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087878B2. Автор: Martin Rudolf Behringer,Laura KREINER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021752A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Packaged semiconductor device having an encapsulated semiconductor chip

Номер патента: US09852961B2. Автор: Chong Yee Tong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US09673133B2. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20140374876A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Cold fluid semiconductor device release during pick and place operations, and associated systems and methods

Номер патента: US20190326142A1. Автор: Benjamin L. McClain,Jeremy E. Minnich,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Cold fluid semiconductor device release during pick and place operations, and associated systems and methods

Номер патента: US20190067053A1. Автор: Benjamin L. McClain,Jeremy E. Minnich,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Cold fluid semiconductor device release during pick and place operations, and associated systems and methods

Номер патента: US10998208B2. Автор: Benjamin L. McClain,Jeremy E. Minnich,Travis M. Jensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Hybrid bonding structures, semiconductor devices having the same, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20220093549A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu,Byonggwon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150162288A1. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20020008318A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US20140183730A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US8937390B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-01-20.

Test system of semiconductor device having a handler remote control and method of operating the same

Номер патента: US20060158211A1. Автор: Eun-Seok Lee,Sung-Ok Kim,Jeong-Ho Bang,Kyeong-Seon Shin,Dae-Gab Chi,Ae-Yong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09953966B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming electric field relaxation layer having air gap therein

Номер патента: JPS5279257A. Автор: Yoshikazu Yokose,Kazuo Yamashita,Masatake Akao,Takashi Shibano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-07-04.

Rotor of permanent magnet motor having air gaps at permanent magnet end portions

Номер патента: US09692264B2. Автор: Koji Yabe,Naohiro Oketani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Film bulk acoustic resonator having air gap floating from substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100485703B1. Автор: 서오권,전찬봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-28.

Electromagnetic machines having air gap windings formed of laminated conductors

Номер патента: GB2456837A8. Автор: Phillip Raymond Michael Denne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09835499B2. Автор: Masataka Minami,Takahiro Miki,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device having channel isolation structure

Номер патента: US20240260264A1. Автор: Moon Soo Sung,Sung Lae OH,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20050199941A1. Автор: Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having subthreshold operating circuits including a back body bias potential based on temperature range

Номер патента: US09939330B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Explosive tube having air gap and method of blasting bedrock using same

Номер патента: US09829287B2. Автор: Jin Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Cylinder liner assembly having air gap insulation

Номер патента: WO2016054173A1. Автор: Michael James Pollard,Bradley L. Morgan,James A. Subatch, Jr.. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

Light Guide Plate having air gap

Номер патента: KR20100011137U. Автор: 김우진,김진태,김선태,신정림,권건영. Владелец: 주식회사 삼진엘앤디. Дата публикации: 2010-11-16.

CYLINDER LINER ASSEMBLY HAVING AIR GAP INSULATION

Номер патента: US20160097340A1. Автор: JR. James A.,Subatch,POLLARD Michael James,Morgan Bradley L.. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

EXPLOSIVE TUBE HAVING AIR GAP AND METHOD OF BLASTING BEDROCK USING SAME

Номер патента: US20160377392A1. Автор: Lee Jin Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Oven for making plate having air gap and the plate making method

Номер патента: KR102073141B1. Автор: 이장원,김영신. Владелец: (주)대한콜크. Дата публикации: 2020-02-04.

Solids type roll blinds having air gap and manufacture method thereof

Номер патента: KR101411404B1. Автор: 백종덕. Владелец: 지엘테크텍 주식회사. Дата публикации: 2014-06-25.

Mold for injection molding of cutting tool inserts having air gap of controlled width and method of making such inserts

Номер патента: CN102026751A. Автор: 约翰尼·布鲁恩,米卡埃尔·格伦奎斯特. Владелец: SECO TOOLS AB. Дата публикации: 2011-04-20.

Golf club head having air gap

Номер патента: JP6203200B2. Автор: ジョンティー．スタイツ,ジョンティー．スタイツ,ロバートボイド,エリックエイ．ラーソン,エリックエイ．ラーソン,ケニスダブリュー．ブラウン,ケニスダブリュー．ブラウン,シェリーエル．ジョーンズ,シェリーエル．ジョーンズ,芳正藤田. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2017-09-27.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US8638593B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Takumi Takagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Multi channel semiconductor device having multi dies and operation method thereof

Номер патента: US09899075B2. Автор: Won Young Lee,Joon-Young Park,Junghwan Choi,Yongcheol Bae,Yoon-Joo EOM,Seongjin Jang,Joosun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130032871A1. Автор: LEE Joon-Hee,SHIN Yoo-cheol. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Manufacturing method of dual damascene having air gap

Номер патента: TW546759B. Автор: Jr-Ming Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor devices having air-gap

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты