Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate.

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US09876091B2
Опубликовано: 23-01-2018
Автор(ы): Hemanth Jagannathan, Sanjay Mehta
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Divot-free planarization dielectric layer for replacement gate

Номер патента: US20160276457A1. Автор: Sanjay Mehta,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Complementary mos fets vertically arranged and including multiple dielectric layers surrounding the mos fets

Номер патента: US20230335446A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Replacement gate methods that include treating spacers to widen gate

Номер патента: US11908695B2. Автор: Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Ta-Hsiang Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Replacement Gate Methods That Include Treating Spacers to Widen Gate

Номер патента: US20240145250A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Chi On Chui,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Ta-Hsiang Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Replacement Gate Process for FinFET

Номер патента: US20200013779A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Tsung-Yao Wen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Replacement Gate Process for FinFET

Номер патента: US20190109134A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Tsung-Yao Wen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Replacement Gate Process for FinFET

Номер патента: US20210082919A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Tsung-Yao Wen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Capping layer for gate electrodes

Номер патента: US12080779B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Lin Chao,Chin-Hsiang Lin,Akira Mineji. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Capping layer for gate electrodes

Номер патента: US20210057543A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Lin Chao,Chin-Hsiang Lin,Akira Mineji. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Capping layer for guide electrodes

Номер патента: US20240363726A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Lin Chao,Chin-Hsiang Lin,Akira Mineji. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming replacement gate structures on finfet devices and the resulting devices

Номер патента: US20160133719A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160163824A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Dielectric layer for electronic devices

Номер патента: US20070145453A1. Автор: Yiliang Wu,Beng Ong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

DIVOT-FREE PLANARIZATION DIELECTRIC LAYER FOR REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20150001598A1. Автор: Mehta Sanjay,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Dielectric Layer for Nanosheet Protection and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240170563A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi On Chui,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

DIVOT-FREE PLANARIZATION DIELECTRIC LAYER FOR REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20160276457A1. Автор: Mehta Sanjay,Jagannathan Hemanth. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Replacement gate FinFET process using a sit process to define source/drain regions, gate spacers and a gate cavity

Номер патента: US09768272B2. Автор: Hong He,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Etch stop layer for memory cell reliability improvement

Номер патента: US20130078795A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Minh Van Ngo,Hiroyuki Kinoshita,Kuo-Tung Chang,Angela Hui,Hsiao-Han Thio. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: WO2013012453A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

Replacement gate electrode with planar work function material layers

Номер патента: US20140042561A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Fringe capacitance reduction for replacement gate CMOS

Номер патента: US09780192B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Partially recessed channel core transistors in replacement gate flow

Номер патента: US20160284596A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Formation of the dielectric cap layer for a replacement gate structure

Номер патента: US20140299924A1. Автор: Balasubramanian Pranatharthi Haran,David V. Horak,Ruilong Xie,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: US09660030B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: WO2014149378A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger,Marc A. Bergendahl. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

Replacement gate electrode with a self-aligned dielectric spacer

Номер патента: US20140363941A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Replacement gate structure for enhancing conductivity

Номер патента: US09508826B2. Автор: Arvind Kumar,Anthony I. Chou,Sungjae Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Dielectric preservation in a replacement gate process

Номер патента: US09916982B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Composite dummy Gate With conformal Polysilicon layer For FinFet Device

Номер патента: US20160181398A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang,Tzu-Yen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Composite dummy gate with conformal polysilicon layer for FinFET device

Номер патента: US09923079B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang,Tzu-Yen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Fin Cut to Prevent Replacement Gate Collapse on STI

Номер патента: US20180211955A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure with dielectric layer

Номер патента: US12051746B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Single diffusion breaks including stacked dielectric layers

Номер патента: US20220052193A1. Автор: Haiting Wang,Yue Hu,Sipeng Gu,Rinus LEE. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method and Structure for FinFET Comprising Patterned Oxide and Dielectric Layer under Spacer Features

Номер патента: US20170365686A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yung Jung Chang,Shih-Hao Chen,Mu-Tsang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device having a dielectric layer with different thicknesses and method for forming

Номер патента: US20180261676A1. Автор: Jan Claes,Jan Sonsky,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-09-13.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of dielectric layers

Номер патента: US20210111180A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for Producing a Semiconductor Device with a Vertical Dielectric Layer

Номер патента: US20140220758A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Localized protection layer for laser annealing process

Номер патента: US11848385B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method forming silicon oxynitride gate dielectric layer with uniform nitrogen concentration

Номер патента: US20080032512A1. Автор: Myoung-Bum Lee,Dong-Chan Kim,Sang-Bom Kang,Jin-Hwa Heo,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Gate-all-around device with protective dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US11948989B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Localized protection layer for laser annealing process

Номер патента: US20210098632A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Localized protection layer for laser annealing process

Номер патента: US20220223744A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09972697B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09960252B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US9391164B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Replacement gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20130270656A1. Автор: HAO Zhang,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory device having multiple dielectric gate stacks with first and second dielectric layers and related methods

Номер патента: US20140291750A1. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Hemanth Jagannathan,Prasanna Khare,Lisa Edge. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Corner rounding in a replacement gate approach based on a sacrificial fill material applied prior to work function metal deposition

Номер патента: US20110104880A1. Автор: Thomas Werner,Frank Richter,Jens Heinrich,Frank Seliger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dielectric layer stack for wide gate cut structures

Номер патента: US20240203739A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Chun Chen Kuo,Cun Wen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20130092957A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Gap fill of metal stack in replacement gate process

Номер патента: US09935174B2. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN,Shangbin KO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Gap fill of metal stack in replacement gate process

Номер патента: US09748358B2. Автор: Victor Chan,Jin Ping HAN,Shangbin KO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US09741823B1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122708A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US20180122801A1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US11923424B2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Self-aligned contact structure for replacement metal gate

Номер патента: US20140377927A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Self-aligned contact for replacement gate devices

Номер патента: US20130175587A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Richard S. Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Inner L-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US09768078B2. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150069516A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150311304A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Inner l-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US20150279966A1. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Inner L-spacer for replacement gate flow

Номер патента: US9178037B2. Автор: Seung-Chul Song,Brian K. Kirkpatrick,Chet Vernon Lenox. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Replacement gate with tera cap

Номер патента: US20060128055A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Kenneth Settlemyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Cyclical physical vapor deposition of dielectric layers

Номер патента: US20140273425A1. Автор: Paul Jamison,Juntao Li,Vamsi Paruchuri,Takaaki Tsunoda,Tuan A. Vo,Sanjay Shinde. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structures using replacement gate and methods of manufacture

Номер патента: US20130228835A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Jed H. Rankin,John J. Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated chip including a tunnel dielectric layer which has different thicknesses over a protrusion region of a substrate

Номер патента: US12114503B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Seed layer for ferroelectric memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11869766B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Seed layer for ferroelectric memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013353A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Seed layer for ferroelectric memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240087887A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming semiconductor device having a multi-thickness gate trench dielectric layer

Номер патента: US20190312036A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09847420B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Active regions with compatible dielectric layers

Номер патента: US09646822B2. Автор: Pushkar Ranade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having interfacial layer and high κ dielectric layer

Номер патента: US11239328B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Replacement gate process for semiconductor devices

Номер патента: US09917017B2. Автор: Ying-Ho Chen,Yung-Cheng Lu,Yu-Jen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Replacement gate process for semiconductor devices

Номер патента: US20230386937A1. Автор: Ying-Ho Chen,Yung-Cheng Lu,Yu-Jen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Etch stop layer for use in forming contacts that extend to multiple depths

Номер патента: US20200105886A1. Автор: Wei Hong,Hui Zang,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Work Function Layers For Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20240363711A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US12132091B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Tapered dielectric layer for preventing electrical shorting between gate and back side via

Номер патента: US12062692B2. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure

Номер патента: US09984963B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Keerti Shukla,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for Reducing Loss of Dielectric Layer in IO Silicon Oxide Removal Process

Номер патента: US20240071760A1. Автор: Zhenquan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Verfahren zum Bilden von Replacement-Gate-Strukturen für vertikale Transistoren

Номер патента: DE102019208418A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20220254627A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US11935740B2. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Tapered Dielectric Layer for Preventing Electrical Shorting Between Gate and Back Side Via

Номер патента: US20230067804A1. Автор: Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng,Kuo-Yi Chao,Jiun-Ming Kuo,Shu-Wen Shen,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Self-protective layer formed on high-k dielectric layer

Номер патента: US20240203740A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanosheet device with dipole dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: US20230395691A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Nanosheet Device With Dipole Dielectric Layer And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220328652A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Nanosheet device with dipole dielectric layer and methods of forming the same

Номер патента: US11830924B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US20240186188A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nanosheet Device with Dipole Dielectric Layer and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210305400A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: US20110316085A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

An integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG175578A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Shu Jeff,Goh Luona. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-28.

Stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG155845A1. Автор: Lu Wei,Liu Huang,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11605563B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US20230084007A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US11848374B2. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Replacement-gate-compatible programmable electrical antifuse

Номер патента: US20110012629A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Byoung W. Min,Satya N. Chakravarti,Chuck T. Le,Rajeevakumar V. Thekkemadathil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor Device Comprising Metal Gates and Semiconductor Resistors Formed on the Basis of a Replacement Gate Approach

Номер патента: US20110266633A1. Автор: Klaus Hempel,Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow,Andy Wei,Andreas Kurz,Roland Stejskal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US12127411B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US11818896B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220254793A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220359544A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20230380177A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20240234579A1. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Nanosheet channel post replacement gate process

Номер патента: US20190229218A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods of stressing transistor channel with replaced gate and related structures

Номер патента: SG137804A1. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Brian Lee Tessier. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US11955560B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140377885A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Process flow for replacement metal gate transistors

Номер патента: WO2014204810A1. Автор: Ying Zhang,Steven Sherman. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-12-24.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having contact plug in two dielectric layers and two etch stop layers

Номер патента: US09673100B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of two-step annealing of ultra-thin silicon dioxide layers for uniform nitrogen profile

Номер патента: US20020197884A1. Автор: Douglas Grider,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Graphene layer for low resistance contacts and damascene interconnects

Номер патента: US20220285221A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Tzer-Min Shen,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Hsing H. Tseng,Voon-Yew Thean,Sriram S. Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-12.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: US20240014076A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: WO2024010660A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos. Владелец: Breil, Nicolas Louis. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device comprising cap layer over dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: US11908792B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor Devices Including Dehydrogenated Interlayer Dielectric Layers

Номер патента: US20110163386A1. Автор: Dong-Suk Shin,Yong-kuk Jeong,Andrew-tae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US9312138B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device with conformal dielectric layer and fabricating method thereof

Номер патента: US11990539B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical memory device with a channel layer in a stacked dielectric layer

Номер патента: US11737277B2. Автор: Jae Young Ahn,Jung Ho Kim,Ji Hoon Choi,Phil Ouk NAM,Hong Suk Kim,Sung Gil Kim,Seulye KIM,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Replacement gate pfet materials having improved nbti performance

Номер патента: WO2016094126A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan. Владелец: Globalfoundries U.S.2 Llc. Дата публикации: 2016-06-16.

Thin film transistor substrate comprising a photoresist layer formed between a first dielectric layer and an amorphous silicon layer

Номер патента: US09780221B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Layer structures including dielectric layer, methods of manufacturing dielectric layer, electronic device including dielectric layer, and electronic apparatus including electronic device

Номер патента: US20230163188A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Woochul LEE,Yong-hee Cho,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A2. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A4. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,Cyril Cabral Jr,Victor Ku,An L Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-05.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US09659828B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: WO2005024906A2. Автор: Ying Li,Yun-Yu Wang,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, CMOS integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US9337108B2. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Gate dielectric layer protection

Номер патента: US11769765B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

Locally-trap-characteristic-enhanced charge trap layer for three-dimensional memory structures

Номер патента: US09711530B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Yusuke Ikawa,Eisuke Takii. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

High quality dielectric for hi-k last replacement gate transistors

Номер патента: US20150187659A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated circuit and method for fabricating the same having a replacement gate structure

Номер патента: US09666690B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Process for fabricating a structure having a buried dielectric layer of uniform thickness

Номер патента: US09929040B2. Автор: Carole David,Anne-Sophie Cocchi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Dielectric layer and manufacturing method of dielectric layer, and solid-state electronic device and manufacturing method of solid-state electronic device

Номер патента: US09876067B2. Автор: Tatsuya Shimoda,Eisuke Tokumitsu,Takaaki Miyasako,Masatoshi Onoue. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2018-01-23.

Metal cut patterning and etching to minimize interlayer dielectric layer loss

Номер патента: US20220005698A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Andrew Greene,Kisup Chung,Indira Seshadri,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Metal cut patterning and etching to minimize interlayer dielectric layer loss

Номер патента: US11990342B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Andrew Greene,Kisup Chung,Indira Seshadri,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Interconnect structure with a low permittivity dielectric layer

Номер патента: EP1019959A1. Автор: Robin Cheung,Charles May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Method for forming a planarized dielectric layer

Номер патента: US5899751A. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Jane Mei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Electron blocking layers for gate stacks of nonvolatile memory devices

Номер патента: EP2357662A3. Автор: Chao Liu,Jian Chen,J. Wallace Parce,Xiangfeng Duan,Francisco Leon,Karen Cruden,Madhuri Nallobolu,Sri Ranganathan. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Etch stop layer for a metallization layer with enhanced etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070096108A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09728547B1. Автор: Takeshi Kawamura,Hiroshi Kariya,Takuro Maede,Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Electricoacoustic component with structured conductor and dielectric layer

Номер патента: US09941858B2. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of improving the planarizaton of an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US5913142A. Автор: Ming-lun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US20010019883A1. Автор: Water Lur,Wen-Yi Hsieh,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Capacitance dielectric layer, capacitor and forming method thereof

Номер патента: US20080113481A1. Автор: Chih-Chun Wang,Hsin-Hsing Chen,Yu-Ho Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods for manufacturing a soft error and defect resistant pre-metal dielectric layer

Номер патента: US20050287782A1. Автор: Mark Nelson,John Naughton. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG144066A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

An etch stop layer for a metallization layer with enhanced adhesion, etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070099010A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US6410106B2. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for fabricating dielectric layer with improved insulating properties

Номер патента: US20120190213A1. Автор: SHU QIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Crack inhibited composite dielectric layer

Номер патента: US20040102055A1. Автор: Shi-Wei Wang,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of forming an intermetal dielectric layer

Номер патента: US20010001678A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Integrated Circuit Having Ultralow-K Dielectric Layer

Номер патента: US20080153310A1. Автор: Huang Liu,Johnny Widodo,Sin Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG162775A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Globalfoundries Singapore Pte. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Planarizing dielectric

Номер патента: US5037876A. Автор: Siegfried Birkle,Rainer Leuschner,Albert Hammerschmidt,Johann Kammermaier,Rolf-W. Schulte. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-08-06.

Surface modification layer for conductive feature formation

Номер патента: US20240194522A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Neng-Jye Yang,Jian-Jou LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Dielectric layer for an electronic device

Номер патента: CA2704720C. Автор: Nan-Xing Hu,Ping Liu,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Hi-k dielectric layer deposition methods

Номер патента: US20060270247A1. Автор: Kenneth Stein,Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Integrated circuit capacitors having composite titanium oxide and tantalum pentoxide dielectric layers therein

Номер патента: US6433380B2. Автор: Dong-Won Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-13.

Capacitor of semiconductor memory device that has composite A12O3/HfO2 dielectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087791A1. Автор: Young-sun Kim,Jae-hyun Yeo,In-sung Park,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sung-Tao Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of fabricating dielectric layer

Номер патента: US6245617B1. Автор: Tang Yu,Yi-Chang Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Method for fabricating capacitor containing zirconium oxide dielectric layer

Номер патента: US20030003650A1. Автор: Chang-Rock Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor Structures Including Dielectric Layers and Capacitors Including Semiconductor Structures

Номер патента: US20110095397A1. Автор: Jae-soon Lim,Suk-Jin Chung,Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sang-Yeol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell

Номер патента: US6165834A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Vishnu K. Agarwal,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Method for Producing an Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer, and Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer

Номер патента: US20110037538A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for manufacturing semiconductor device having low-k carbon-containing dielectric layer

Номер патента: US11848198B2. Автор: Ting-Ya Lo,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming hardened porous dielectric layer and method of fabricating semiconductor device having hardened porous dielectric layer

Номер патента: US8524615B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Kyu-hee Han,Sang-hoon Ahn,Sang-don Nam,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Method of fabricating semiconductor device including porous dielectric layer and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20230069868A1. Автор: Ki-Jeong Kim,Hyunchul Lee,Donghwi SHIN,Jongcheon Kim,Hyun-Sil HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: US20240105509A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Middle of line dielectric layer engineering for via void prevention

Номер патента: WO2024064301A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit B. MALLICK,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for Improving Interlayer Dielectric Layer Topography

Номер патента: US20200294862A1. Автор: Chih-Hsun Lin,Ping-Pang Hsieh,Kuan-Wei SU,Chun Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming electrical interconnect structures using polymer residues to increase etching selectivity through dielectric layers

Номер патента: SG141316A1. Автор: Kim Jae Hak,Park Wan Jae,Chen Tong Qing,Lin Yi Hsiung. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Methods and systems for forming at least one dielectric layer

Номер патента: US7871926B2. Автор: Victor Nguyen,Li-Qun Xia,Mei Chang,Chien-Teh Kao,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Mihaela Balseanu,Xinliang Lu,Haichun Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-01-18.

Method for forming interlevel dielectric layer in semiconductor device using electron beams

Номер патента: US6057251A. Автор: Seong-Ho Kim,Ju-seon Goo,Hae-Jeong Lee,Byung-keun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-02.

Methods and Apparatus for MOS Capacitors in Replacement Gate Process

Номер патента: US20190341310A1. Автор: Chung-Hui Chen,Yimin Huang,Tung-Heng Hsieh,Pai-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods and Apparatus for MOS Capacitors in Replacement Gate Process

Номер патента: US20130126953A1. Автор: Chung-Hui Chen,Yimin Huang,Tung-Heng Hsieh,Pai-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: WO2022235364A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20230282730A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Interface layer for gate stack using O3 post treatment

Номер патента: US09698234B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Ztcr poly resistor in replacement gate flow

Номер патента: US20140167182A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Amitabh Jain,Deborah J. Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Gate stacks with multiple high-κ dielectric layers

Номер патента: US11961895B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Barry Linder,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Elnatan Mataev. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Forming windows in composite dielectric layers

Номер патента: US3808069A. Автор: R Caffrey,A Dumbri,R Tauber. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-04-30.

Replacement gate electrode with multi-thickness conductive metallic nitride layers

Номер патента: US09881797B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Replacement gate electrode with multi-thickness conductive metallic nitride layers

Номер патента: US20130224939A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods for fabricating CVD TiN barrier layers for capacitor structures

Номер патента: US6010940A. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-04.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20040097026A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20020100946A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Bottom recess process for an outer blocking dielectric layer inside a memory opening

Номер патента: WO2016064513A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Kensuke Yamaguchi,Seiji Shimabukuro. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-04-28.

Three-dimensional memory device including dipole-containing blocking dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240074170A1. Автор: Takashi Yuda,Ippei Yasuda,Noriyuki NAGAHATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure comprising a buried porous layer for RF applications

Номер патента: US12119258B2. Автор: Frederic Gaillard,Emmanuel Rolland,Emmanuel Augendre,Christelle Veytizou,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert,Thomas LORNE. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-15.

Structure for BEOL metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion

Номер патента: US09673091B2. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Buried etch stop layer for damascene bit line formation

Номер патента: US09847249B2. Автор: Yuji Takahashi,Katsuo Yamada,Tomoyasu Kakegawa,Takuya Futase,Noritaka Fukuo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of making integrated circuits having a planarized dielectric

Номер патента: US5026666A. Автор: Graham W. Hills,Robert D. Huttemann,Kolawole R. Olasupo. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Method for patterning a dielectric layer

Номер патента: US11756790B2. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for patterning a dielectric layer

Номер патента: WO2022192349A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Device of dielectric layer

Номер патента: US20240249947A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Removal of nitride bump in opening replacement gate structure

Номер патента: US8927356B1. Автор: Huey-Ming Wang,Tsung-Liang Chen,Puneet Khanna,Hsin-Neng Tai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

High breakdown voltage inter-metal dielectric layer

Номер патента: US11769692B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer

Номер патента: US09633948B2. Автор: Markus BRINK,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,Nicholas C. M. Fuller. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Fluorine Containing Low Loss Dielectric Layers for Superconducting Circuits

Номер патента: US20160133819A1. Автор: Ashish Bodke,Frank Greer. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Structure for beol metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion

Номер патента: US20170207121A1. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for improving the planarization of dielectric layer in the fabrication of metallic interconnects

Номер патента: US6010958A. Автор: Bing-Chang Wu,Tung-Po Chen,Hong-Tsz Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Ultra thin helmet dielectric layer for maskless air gap and replacement ILD processes

Номер патента: US10483160B2. Автор: Jeffery D. Bielefeld,Manish Chandhok,John D. Brooks,Asad Iqbal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190157320A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200127024A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160329364A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for producing a dielectric layer in an electroacoustic component, and electroacoustic component

Номер патента: US20110175487A1. Автор: Jürgen LEIB,Simon Maus,Ulli Hansen. Владелец: MSG LITHOGLAS AG. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming a reduced size contact in a dielectric layer by using bird's beak of oxidized polysilicon to create an etching mask

Номер патента: US5994216A. Автор: Chih-Hsiung Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method and structure for reducing cracks in a dielectric layer in contact with metal

Номер патента: EP2140481A1. Автор: Colin S. Whelan,Barry J. Liles. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-01-06.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11309180B2. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: US20210098565A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: WO2021062255A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer

Номер патента: WO2013063179A1. Автор: Markus BRINK,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Nakamura,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

Device of dielectric layer

Номер патента: US11935752B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Capacitor that includes dielectric layer structure having plural metal oxides doped with different impurities

Номер патента: US8698221B2. Автор: Hanjin Lim,Kiyeon Park,Insang JEON,Yeongcheol Lee,Jun-noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Integrated circuits having dielectric layers including an anti-reflective coating

Номер патента: US12002846B2. Автор: Stephen Arlon Meisner,Bhaskar Srinivasan,Shih Chang Chang,David Matthew Curran,Scott William Jessen,Poornika Fernandes,Guruvayurappan S. MATHUR,Russell Duane FIELDS,Thomas Terrance LYNCH. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

A method of forming a semiconductor or dielectric layer on a substrate

Номер патента: GB2624846A. Автор: Guiney Ivor,MORRIS Oliver,Dixon Sebastian. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

Dielectric layer and a semiconductor memory device including the dielectric layer as a capacitor dielectric layer

Номер патента: US11417516B2. Автор: Christopher W. Bielawski,Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Sang Tae Kim,Seong Keun Kim,Eric S. Larsen,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Woo Chui Lee,Jung Hwan YUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-08-16.

Device and method of dielectric layer

Номер патента: US20190103276A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Capacitor Structure With An Extended Dielectric Layer And Method Of Forming A Capacitor Structure

Номер патента: US20180226469A1. Автор: Randy Yach,Rohan BRAITHWAITE. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Capacitor structure with an extended dielectric layer and method of forming a capacitor structure

Номер патента: WO2018148241A1. Автор: Rohan BRAITHWAITE,Randy L. Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-16.

Ferroelectric Film with Buffer Layers for Improved Reliability of Metal-Insulator-Metal Capacitor

Номер патента: US20230420491A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando,Miaomiao Wang,Kisik Choi,Ernest Y. Wu,Paul Charles Jamison,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Ferroelectric film with buffer layers for improved reliability of metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: WO2024002681A1. Автор: Lawrence Clevenger,Takashi Ando,Miaomiao Wang,Kisik Choi,Paul Charles Jamison,Huimei Zhou,Ernest Wu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Capacitors having a horizontally folded dielectric layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20060141733A1. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating planar dielectric isolated integrated circuits

Номер патента: US3575740A. Автор: Paul P Castrucci,John W Mason. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-20.

Intermediate layer for copper structuring and methods of formation thereof

Номер патента: US09773736B2. Автор: Roman Roth,Ravi Keshav Joshi,Christian Fachmann,Petra Fischer,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Bandgap engineered charge storage layer for 3d tft

Номер патента: WO2008008171A3. Автор: Tanmay Kumar. Владелец: Tanmay Kumar. Дата публикации: 2008-11-13.

Polishing table replacement apparatus, polishing table replacement method, and apparatus for replacing a component of semiconductor-device manufacturing machine

Номер патента: US09908212B2. Автор: Yutaka Kobayashi,Hiroyuki Shinozaki,Shuichi SUEMASA. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09922884B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Mask free protection of work function material portions in wide replacement gate electrodes

Номер патента: US20130307086A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US10553498B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US20180102294A1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: US20240243056A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024155453A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects

Номер патента: US09941212B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US09911698B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Density-graded adhesion layer for conductors

Номер патента: US20200365533A1. Автор: Rahul N. Manepalli,Srinivas V. Pietambaram,Kemal Aygun,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for Forming a Protective Layer for Use In Packaging a Semiconductor Die

Номер патента: US20040183163A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin,Mike Connell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Capping layer for liner-free conductive structures

Номер патента: US12057397B2. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures

Номер патента: US09881871B2. Автор: Chen-Hua Yu,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for Producing a Dielectric Layer for an Electronic Component

Номер патента: US20080013249A1. Автор: Henrik Ewe,Karl Weidner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method and Process Using Dual Memorization Layer for Multi-Color Spacer Patterning

Номер патента: US20210343586A1. Автор: Akiteru Ko,Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Capping Layer For Liner-Free Conductive Structures

Номер патента: US20240355741A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects

Номер патента: US09941213B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09899322B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09984974B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Copper doped transition layer for improving copper interconnection reliability

Номер патента: EP1351291A3. Автор: Qing-Tang Jiang,Robert Tsu,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-12-15.

Etch stop layer for interconnect structures

Номер патента: US20240332070A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen Ju Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Reinforced wafer level package comprising a core layer for reducing stress in a solder joint and improving solder joint reliability

Номер патента: US09806063B2. Автор: Jie Fu,Chin-Kwan Kim,Rajneesh Kumar,Omar James Bchir,Vladimir Noveski,Milind Pravin Shah,Ahmer Raza Syed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20230335499A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Graphene Layer for Reduced Contact Resistance

Номер патента: US20200135655A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Amorphous layers for reducing copper diffusion and method forming same

Номер патента: US20240258160A1. Автор: Chia-Yu Wu,Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Kai-Shiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

System and assembly for replacing solder balls of an electronic package

Номер патента: US20230317473A1. Автор: Matthew Sean Read,Marco Antonio Carmona. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for replacing solder balls of an electronic package

Номер патента: US20230317659A1. Автор: Matthew Sean Read,Marco Antonio Carmona. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Preserving Underlying Dielectric Layer During MRAM Device Formation

Номер патента: US20210126051A1. Автор: Michael RIZZOLO,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Lead frame substrate having circuitry on dual dielectric layers and assembly using the same

Номер патента: US20240363499A1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US20240282693A1. Автор: Jaimal Mallory Williamson,Jim C. Lo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09997451B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method

Номер патента: US09691635B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Sukianto Rusli. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips

Номер патента: US09653508B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Dielectric layers for metal lines in semiconductor chips

Номер патента: US7598166B2. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Kendall Stamper,Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Reliable passivation layers for semiconductor devices

Номер патента: US20160181197A1. Автор: Chor Shu CHENG,Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Meng Meng Vanessa CHONG,Hendro MARIO,Aison JOHN GEORGE. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US20180061770A1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Controlling the Device Performance by Forming a Stressed Backside Dielectric Layer

Номер патента: US20140295582A1. Автор: Ming-Fa Chen,I-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Controlling the Device Performance by Forming a Stressed Backside Dielectric Layer

Номер патента: US20150125967A1. Автор: Ming-Fa Chen,I-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Dielectric etch stop layer for reactive ion etch (rie) lag reduction and chamfer corner protection

Номер патента: WO2021173421A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Michael Edley,Angelique RALEY. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods of patterning dielectric layers for metallization and related structures

Номер патента: US20190206795A1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Disposable carbon-based template layer for formation of borderless contact structures

Номер патента: US20140048884A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Sebastian U. Engelmann,Gregory Breyta,Adam M. Pyzyna,David P. Klaus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Density-graded adhesion layer for conductors

Номер патента: US11508676B2. Автор: Rahul N. Manepalli,Srinivas V. Pietambaram,Kemal Aygun,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Reinforced wafer level package comprising a core layer for reducing stress in a solder joint and improving solder joint reliability

Номер патента: EP3289609A1. Автор: Jie Fu,Chin-Kwan Kim,Rajneesh Kumar,Omar James Bchir,Vladimir Noveski,Milind Pravin Shah,Ahmer Raza Syed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Semiconductor packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150155262A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Embedded packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334682A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Electrostatic chuck that includes upper ceramic layer that includes a dielectric layer, and related methods and structures

Номер патента: EP4423804A1. Автор: Yan Liu,Jakub Rybczynski,Steven Donnell,Caleb MINSKY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Package structure with through-via in molding compound and dielectric layer

Номер патента: US12009322B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Package having an electronic component and an encapsulant encapsulating a dielectric layer and a semiconductor die of the electronic component

Номер патента: US12112992B2. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Reflector layer for the well surface of a photovoltaic generator

Номер патента: US5973257A. Автор: William F. Cantarini,Steven C. Lizotte. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1999-10-26.

Component With Dielectric Layer for Embedding in Component Carrier

Номер патента: US20230369235A1. Автор: Andreas Zluc,Gerald Weidinger. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing an interconnect structure having a passivation layer for preventing subsequent processing reactions

Номер патента: US20020064940A1. Автор: Kurt Steiner,Susan Vitkavage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Graphene layer for reduced contact resistance

Номер патента: US11721627B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Amorphous layers for reducing copper diffusion and method forming same

Номер патента: US11967522B2. Автор: Chia-Yu Wu,Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Kai-Shiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Graphene layer for reduced contact resistance

Номер патента: US20230387018A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Buffer Layer for Dielectric Protection in Physical Vapor Deposition Metal Liner Applications

Номер патента: US20240145300A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Buffer layer for dielectric protection in physical vapor deposition metal liner applications

Номер патента: WO2024097016A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Packaged electronic devices having die attach regions with selective thin dielectric layer

Номер патента: US20120252170A1. Автор: Bernardo Gallegos,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of forming contact vias and interconnect channels in a dielectric layer stack with a single mask

Номер патента: US5726100A. Автор: John H. Givens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US20230230915A1. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Metal filling in a dielectric layer under metal layer one (M1)and above an active device layer in semiconductor devices

Номер патента: US11195793B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Interconnect structure including charged dielectric layers

Номер патента: US20230387020A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US20230118218A1. Автор: Jaimal Mallory Williamson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing gate dielectric layer

Номер патента: US20060281251A1. Автор: Wen-Ji Chen,Tung-Po Chen,Kai-An Hsueh,Sheng-Hone Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Package comprising a substrate having dielectric layers of differing materials

Номер патента: WO2024064463A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Package substrate having porous dielectric layer

Номер патента: US11973017B2. Автор: Jaimal Mallory Williamson,Jim C Lo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US11742291B2. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Backside metal-insulator-metal (MIM) capacitors extending through backside interlayer dielectric (BILD) layer or semiconductor layer and partly through dielectric layer

Номер патента: US12002758B2. Автор: Chih-Chao Yang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Takeshi Nogami,Roy R. Yu,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180190585A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Structure and method for interlevel dielectric layer with regions of differing dielectric constant

Номер патента: US20240250018A1. Автор: Anhao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method to improve the adhesion of dielectric layers to copper

Номер патента: US20030027413A1. Автор: Ting Tsui. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer, method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer, and capacitor construction

Номер патента: US5814852A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of manufacturing an alignment mark with an etched back dielectric layer and a transparent dielectric layer and a device region on a higher plane with a wiring layer and an isolation region

Номер патента: US6100158A. Автор: Tzung-Han Lee,Horng-Nan Chern,Kun-Chi Lin,Alex Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method for forming a dielectric layer with an air gap, and a structure including the dielectric layer with the air gap

Номер патента: US7994046B2. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Dielectric Layers Having Nitrogen-Containing Crusted Surfaces

Номер патента: US20230290674A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Embedded routing layer for inline circuit edit

Номер патента: US20230369206A1. Автор: Robert L. Bristol,Kevin LAI LIN,Clifford J. ENGEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated device comprising interconnect structures having an inner interconnect, a dielectric layer and a conductive layer

Номер патента: EP4052287A1. Автор: Yue Li,Yangyang Sun,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

Integrated circuit device having dielectric layer, and method and apparatus for manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20190355804A1. Автор: Kyu-Ho Cho,Young-Geun Park,Young-Lim Park,Jong-bom Seo,Chang-Hwa Jung,Sun-min MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Integrated device comprising interconnect structures having an inner interconnect, a dielectric layer and a conductive layer

Номер патента: WO2021086491A1. Автор: Yue Li,Yangyang Sun,Li-Sheng WENG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for replacing or patching element of display device

Номер патента: US11784099B2. Автор: Li-Yi Chen. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: US20220416095A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11574864B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: WO2023278003A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-01-05.

Low-stress dielectric layer, planarization method, and low-temperature processing for 3d-integrated electrical device

Номер патента: EP4364207A1. Автор: Andrew Clarke,Sean P. Kilcoyne,Eric Miller,Chad Fulk,Stuart FARRELL. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20230361023A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180366408A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Benjamin David Briggs,Bartlef H. DEPROSPO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180005941A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20200388568A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US11955424B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor structures of anti-fuse devices and core devices with different dielectric layers and preparation method thereof

Номер патента: US12033938B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

CMOS integrated circuit having PMOS and NMOS devices with different gate dielectric layers

Номер патента: US6048769A. Автор: Robert S. Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Intergrated circuit element having a planar, solvent-free dielectric layer

Номер патента: US5034801A. Автор: Paul J. Fischer. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

METAL FILLER, SEPARATING p- AND n-TYPE LAYERS, FOR LIGHT-EMITTING DIODES MOUNTED BY FLIP-CHIP METHOD

Номер патента: RU2597071C2. Автор: Цзипу ЛЭЙ,Яцзюнь ВЭЙ,Александер Х. НИКЕЛ,Стефано СЧИАФФИНО,Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Reflective layers for light-emitting diodes

Номер патента: US20240194832A1. Автор: Kevin Haberern,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Sacrificial buffer layer for metal removal at a bevel edge of a substrate

Номер патента: US20210013400A1. Автор: Michael RIZZOLO,Daniel Charles Edelstein,Theodorus E. Standaert,Ashim Dutta,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US09711676B2. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

Integration equipment for replacing an evaporation material and use method for the same

Номер патента: US09647244B2. Автор: Jinchuan Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Planar dielectric line and integrated circuit using same

Номер патента: CA2172888C. Автор: Yohei Ishikawa,Sadao Yamashita,Toshiro Hiratsuka,Kenichi Iio. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Planar dielectric integrated circuit

Номер патента: CA2230420C. Автор: Yohei Ishikawa,Koichi Sakamoto,Sadao Yamashita,Takehisa Kajikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-11.

Planar dielectric integrated circuit

Номер патента: CA2230419A1. Автор: Yohei Ishikawa,Koichi Sakamoto,Sadao Yamashita,Kenichi Iio. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-27.

Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: WO2017041116A1. Автор: Gang He,Brendan M. Kayes,Thomas J. Gmitter,Melissa J. ARCHER. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Image sensor having dielectric layer which allows first impurity region of photodiode to be isolated from contact plug and second impurity region of the photodiode to contact the contact plug

Номер патента: US8258593B2. Автор: Ki-Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-09-04.

Power device embedded printed circuit board assemblies with thin film dielectric layers

Номер патента: US20240290687A1. Автор: FENG Zhou,Yanghe Liu,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor component with dielectric layer stack and voltage divider

Номер патента: US09786659B2. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method for reducing the thickness of a dielectric layer

Номер патента: US6156603A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Amorhpous seed layer for improved stability in perpendicular sttm stack

Номер патента: US20170345476A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: US20240230710A9. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device including dielectric layer and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20240170214A1. Автор: Jooho Lee,Cheheung KIM,Hojin Lee,Woochul LEE,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: WO2004092676A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method for manufacturing structural color filter by electrodeposition of metal/dielectric layer/metal

Номер патента: US11526049B2. Автор: Lingjie Jay Guo,Stephen Maldonado,Chengang Ji,Saurabh Acharya. Владелец: Ningbo Inlight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190157550A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Dielectric layer response-based field effect transistor photodetector

Номер патента: US20240304743A1. Автор: Hongwei HAN,Anyi MEI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Image sensor with varying thickness dielectric layer

Номер патента: US20240332329A1. Автор: Kazufumi Watanabe,Chih-Wei Hsiung,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure having dielectric layer and conductive strip

Номер патента: US09947665B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Reflective layers for light-emitting diodes

Номер патента: US11923481B2. Автор: Kevin Haberern,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Integral redistribution layer for WCSP

Номер патента: US12009272B2. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Component carrier with low-solvent fiber-free dielectric layer

Номер патента: US12041730B2. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Component Carrier With Low-Solvent Fiber-Free Dielectric Layer

Номер патента: US20220078923A1. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Optoelectronic semiconductor device having dielectric layers, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087878B2. Автор: Martin Rudolf Behringer,Laura KREINER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Ultra-low profile package shielding technique using magnetic and conductive layers for integrated switching voltage regulator

Номер патента: US10950555B2. Автор: Jaejin Lee,Kaladhar Radhakrishnan,Chung-Hao J. Chen,Hao-Han Hsu,Dong-Ho Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Stress modulating pattern containing bonding dielectric layer

Номер патента: US20240203904A1. Автор: Michael RIZZOLO,Hosadurga Shobha,Fee Li LIE,Christopher J. Waskiewicz,Sagarika Mukesh,Aakrati Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Device and method for replacing at least one chip

Номер патента: US20220140180A1. Автор: Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US8354350B2. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-15.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: US09966481B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Douglas Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US20160293791A1. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2016-10-06.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11758820B2. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20210293912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200035912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20230371395A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: EP3072164A1. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2016-09-28.

Magnetoresistive Structure having Two Dielectric Layers, and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20170148980A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Far infrared (FIR) sensor device and manufacturing method thereof and determination method of thickness of sensor dielectric layer thereof

Номер патента: US12123779B2. Автор: Ming-Han Tsai,Chih-Fan Hu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Capacitor including first electrode, dielectric layer, and second electrode, image sensor, and method for producing capacitor

Номер патента: US12094893B2. Автор: Takahiro Koyanagi,Yuuko Tomekawa,Takeyoshi Tokuhara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US09893275B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of improving photoresist adhesion on a dielectric layer

Номер патента: US6010959A. Автор: Alexander Kalnitsky,John C. Sardella,Charles R. Spinner, III,Robert Carlton Foulks, Sr.. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-04.

Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers

Номер патента: US20090085156A1. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Multilayer film including first and second dielectric layers

Номер патента: WO2014081917A3. Автор: Christopher S. Lyons,Robin E. Gorrell,Stephen P. Maki,Dipankar Ghosh. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-09-04.

Spatially variable hydrophobic layers for digital microfluidics

Номер патента: US11927740B2. Автор: David ZHITOMIRSKY. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Composite station and method of drilling and fixing for the continuous production of a conductive backsheet with an integrated encapsulating and dielectric layer, for photovoltaic panels of the back-contact type

Номер патента: WO2015075532A1. Автор: SPOTTI Davide,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2015-05-28.

Ic package with non-uniform dielectric layer thickness

Номер патента: EP2489068A2. Автор: Hui Liu,Hong Shi,Yuanlin Xie,Xiahong Jiang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Three-dimensional memory device including a drain contact etch-stop dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240038667A1. Автор: Ryo Nakamura,Naohiro Hosoda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Back side illuminated image sensor device with select dielectric layers on the backside and methods of forming the same

Номер патента: US20240006458A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,Wei-Li Hu,Chia-Yen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Composite station and method of drilling and fixing for the continuous production of a conductive backsheet with an integrated encapsulating and dielectric layer, for photovoltaic panels of the back-contact type

Номер патента: US10164132B2. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUDA SRL. Дата публикации: 2018-12-25.

Composite station and method of drilling and fixing for the continuous production of a conductive backsheet with an integrated encapsulating and dielectric layer, for photovoltaic panels of the back-contact type

Номер патента: EP3072163A1. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2016-09-28.

Semiconductor device with capacitors having different dielectric layer heights

Номер патента: US11984446B2. Автор: Kyu Jin Choi,Seong Min MA,Kyu Chan SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Bonding pads in dielectric layer

Номер патента: EP4331014A1. Автор: Stephan Lutgen,Shenghui LEI,Sharon Nannette Farrens. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with thin self-aligned dielectric layer

Номер патента: US20230413691A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film capacitor having a dielectric layer having a through hole whose inner surface has first and second tapered surfaces, circuit board incorporating the same, and thin film capacitor manufacturing method

Номер патента: US11676767B2. Автор: Kazuhiro Yoshikawa,Tatsuo Namikawa,Hitoshi Saita,Akiyasu Iioka,Yuuki Aburakawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: US20230405976A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: US11780210B2. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: EP1629252A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Dielectric layer response-based field effect transistor photodetector

Номер патента: EP4280289A1. Автор: Hongwei HAN,Anyi MEI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-22.

Glass dielectric layer with patterning

Номер патента: EP4032122A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Patrick QUACH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: US20240133918A1. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for obtaining the equivalent oxide thickness of a dielectric layer

Номер патента: EP4357791A1. Автор: Hsueh-Liang Chou,Mao-Nan Chang,Chi-Lun Liu,Yi-Shan Wu,Chiao-Jung Lin,Yu-Hsun Hsueh. Владелец: Msscorps Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure for measuring dielectric constant and clarifying polarization effect of interlevel dielectric layer

Номер патента: US20020100979A1. Автор: Mu-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of controlling the deposition of inter-level dielectric layers based upon electrical performance tests, and system for accomplishing same

Номер патента: US6582975B1. Автор: Matthew Ryskoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

External electrode comprising a sintered layer, a resin layer and a plating layer for a multilayered ceramic capacitor

Номер патента: EP4418292A2. Автор: Chaedong LEE,Seung Ah Kim,Gyuho YEON,Byungjun Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Molar ratio of ba ti and si in the dielectrics layers for multilayer ceramic component

Номер патента: EP4425513A1. Автор: Jae Sung Park,Ji Su Hong,Hyoung Uk Kim,Hyung Soon KWON,Han Seong Jung,Hye Won Ryoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for replacement of mercury switches in a switchgear with alternative switch types

Номер патента: CA3030348C. Автор: Finley Lee Ledbetter. Владелец: VACUUM INTERRUPTERS Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

System for replacing battery of mobility

Номер патента: US12083923B2. Автор: Jae Seung Lee,Jae Young Choi,Yong Hyun Nam,Dae Hee Lee,Sang Hyun Jung,Chung Sik Yim,Kyu Hoon Cho. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for replacing salts of a self-regenerating breather device of a power electrical apparatus

Номер патента: US20240249868A1. Автор: Gianmaria Ugolin,Francesca Nucci,Andrea Tonin. Владелец: Comem SpA. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for replacing gas mixture in a gas discharge chamber

Номер патента: WO2024201181A1. Автор: Siyu Chen,Spencer Ryan WILLIAMS. Владелец: CYMER, LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Solid electrolyte capacitor including multiple silane coupling layers provided on a dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653215B2. Автор: Keiko KOSUGE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for replacing battery pack of hybrid electric vehicle

Номер патента: US20240157840A1. Автор: Heung Woo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Display structure including dielectric layer and electronic device including same

Номер патента: US20230291092A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

High-frequency module including a laminated filter having alternating conductive and dielectric layers and a through hole extending through the filter for coupling to a transmission line

Номер патента: US12100880B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

System for replacing battery of mobility

Номер патента: US20220144125A1. Автор: Jae Seung Lee,Jae Young Choi,Yong Hyun Nam,Dae Hee Lee,Sang Hyun Jung,Chung Sik Yim,Kyu Hoon Cho. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Amorphous seed layer for improved stability in perpendicular sttm stack

Номер патента: EP3198601A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Methods of controlling oxygen partial pressure during annealing of a perovskite dielectric layer, and structures fabricated thereby

Номер патента: WO2003096402A3. Автор: Angus Ian Kingon,Jon-Paul Maria. Владелец: Univ North Carolina State. Дата публикации: 2004-03-25.

Structures including perovskite dielectric layers and variable oxygen concentration gradient layers

Номер патента: US20050227098A1. Автор: Jon-Paul Maria,Angus Kingon. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2005-10-13.

Methods of controlling oxygen partial pressure during annealing of a perovskite dielectric layer, and structures fabricated thereby

Номер патента: WO2003096402A2. Автор: Angus Ian Kingon,Jon-Paul Maria. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-11-20.

Sputtering device and method for replacing film roll in sputtering device

Номер патента: US20160293383A1. Автор: Akira Hamada,Tomotake Nashiki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for replacing salts of a self-regenerating breather device of a power electrical apparatus

Номер патента: EP4338178A1. Автор: Gianmaria Ugolin,Francesca Nucci,Andrea Tonin. Владелец: Comem SpA. Дата публикации: 2024-03-20.

Vacuum insulation switchgear and method for replacing mold switch

Номер патента: SG192031A1. Автор: Keiichi Takahashi,Ayumu Morita,Shuichi Kikukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-08-30.

System and method for replacing a battery in a vehicle

Номер патента: US20230242005A1. Автор: Amir Shapiro,Yoad GUETTA. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

System and method for replacing a battery in a vehicle

Номер патента: WO2022003680A1. Автор: Amir Shapiro,Yoad GUETTA. Владелец: B.G. NEGEV TECHNOLOGIES & APPLICATIONS LTD., AT BEN-GURION UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-06.

Coaxial cable with outer conductor adhered to dielectric layer and/or jacket

Номер патента: WO2017040474A1. Автор: Alan N. Moe. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Ceramic electronic component including dielectric layers having different dielectric compositions

Номер патента: US12051544B2. Автор: Jin Woo Kim,Tae Hyung Kim,Seok Hyun Yoon,Jeong Wook Seo,Hee Sun CHUN,Hyo Ju Lee,Hyeg Soon AN,Hui Sun PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Coaxial cable with outer conductor adhered to dielectric layer and/or jacket

Номер патента: EP3345195A1. Автор: Alan N. Moe. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-11.

Dielectric paste composition, method of forming transparent dielectric layer, transparent dielectric layer, and device including the transparent dielectric layer

Номер патента: US20120167799A1. Автор: Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Multilayer ceramic electronic device with dielectric layers and internal electrode layers

Номер патента: US20200035414A1. Автор: Toshihiko Kaneko,Shogo Murosawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Dielectric layer comprising organic material, method of forming the dielectric layer, and plasma display panel comprising the dielectric layer

Номер патента: US20080169999A1. Автор: Jin-Woo Lee,Woo-Suk Choi,Eun-Hee Kim. Владелец: Samsung Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Dielectric paste composition, method of forming dielectric layer, dielectric layer, and device including the dielectric layer

Номер патента: US20110251319A1. Автор: Jin-Young Kim,Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park,Sun-jin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Ceramic electronic component including dielectric layers having different dielectric compositions

Номер патента: US20240347273A1. Автор: Jin Woo Kim,Tae Hyung Kim,Seok Hyun Yoon,Jeong Wook Seo,Hee Sun CHUN,Hyo Ju Lee,Hyeg Soon AN,Hui Sun PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Antenna including at least one microstrip line phase shifting unit having a photo-dielectric layer and a light guiding structure configured to guide light into the photo-dielectric layer

Номер патента: US12119559B2. Автор: ZHENYU Jia,Jing Wang,Feng Qin,Zhen Liu,Liping Zhang,Baiquan LIN,Kerui XI,Dengming LEI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Resin composition and dielectric layer and capacitor produced therefrom

Номер патента: US09779880B2. Автор: Zhou Jin,Tao Cheng,Qilin CHEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-electrical device for replacing a current sensor in an arc-extinguishing chamber of a switch-disconnector, and a switch-disconnector comprising such a non-electrical device

Номер патента: CA3213477A1. Автор: David Loglisci,Frederic BRASME. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-03-20.

Ceramic electronic device including a rare earth element solid-solved in barium titanate of dielectric layers

Номер патента: US12080482B2. Автор: Yu SUGAWARA. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia, and manufacturing method of same

Номер патента: US12051545B2. Автор: Yasuyuki Inomata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for replacing pcb-containing askarels in electrical induction apparatus with pcb-free dielectric coolants

Номер патента: WO1985002937A1. Автор: Gilbert Richard Atwood. Владелец: Union Carbide Corporation. Дата публикации: 1985-07-04.

Forming a dielectric layer by thermal decomposition of a metallo-organic material

Номер патента: US20020151439A1. Автор: Dilip Chatterjee,Donn Carlton,Thomas Blanton. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-17.

The insulating gas mixture for replacing sf6, as well as its formulation method and application

Номер патента: US20240355538A1. Автор: Han Yang,Han Li,Xuzhu Dong,Shubo REN,Rui Qiu. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-10-24.

Multilayer ceramic capacitor comprising dielectrics layers based on core-shell grains containing yttrium

Номер патента: EP4451299A2. Автор: Kyung Ho Lee,Yong Jun Lim,Sang Eon Park,Sung Hyung Kang,Hye Jin Jin,Bae Soon Son,Se Na Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Ceramic electronic device including dielectric layer containing perovskite compound with yttria-stabilized zirconia

Номер патента: US20240347274A1. Автор: Yasuyuki Inomata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for replacing pcb-containing coolants in electrical induction apparatus with substantially pcb-free dielectric coolants

Номер патента: CA1259461A. Автор: Gilbert R. Atwood. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-09-19.

Reflection-preventing layer for a display device

Номер патента: US5784201A. Автор: Kyung Chan Park,Kyeong Won Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Method for replacing rechargeable battery

Номер патента: US20230044496A1. Автор: Tamotsu Fukuma,Juni Yasoshima. Владелец: Primearth EV Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Low loss and low cross talk transmission lines with stacked dielectric layers for forming stubs of different thickness or for forming a coaxial line

Номер патента: US11791528B2. Автор: Feras Eid,Henning Braunisch,Aleksandar Aleksov,Javier Soto,Zhichao Zhang,Adel A. Elsherbini,Yidnekachew S. MEKONNEN,Krishna Bharath,Mathew MANUSHAROW. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Multilayer capacitor including dielectric layer with grains having pores

Номер патента: US11776745B2. Автор: Ki Myoung Yun,Joon Yeob Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Fuel cell stacks including improved dielectric layers

Номер патента: CA3181053A1. Автор: Madhuri Nallabolu,Chockkalingam Karuppaiah,Emad El Batawi,Michael Gasda,Patrick Nikong,Allyson Ellegood,Thuy Thanh Muhl. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Plasma display panel having a dielectric layer of a reduced thickness in a sealing portion

Номер патента: US20020111102A1. Автор: Kenji Horio,Kazumi Ebihara,Yoshinori Osaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Coaxial cable with dielectric layer having sealed segments and method of making same

Номер патента: US09799429B2. Автор: Scott M. Adams. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: EP4276575A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: AU2022229622B2. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Display structure comprising dielectric layer and electronic apparatus comprising same

Номер патента: AU2022229622A1. Автор: Jungchul An,Seongjun Kim,Hoyeon Kim,Youngjae Kwon,Kwanghee RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Fuel cell manifold having an embedded dielectric layer and methods of making thereof

Номер патента: EP4181244A3. Автор: Siddharth Patel,Karanpal BHANGU. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Resin composition, copper foil with resin, dielectric layer, copper clad laminate sheet, capacitor element and printed wiring board with built-in capacitor

Номер патента: US20200008298A1. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshihiro Hosoi,Toshifumi Matsushima,Kenshiro FUKUDA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Fuel cell manifold having an embedded dielectric layer and methods of making thereof

Номер патента: US11764389B2. Автор: Siddharth Patel,Karanpal BHANGU. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Resin composition, copper foil with resin, dielectric layer, copper clad laminate sheet, capacitor element and printed wiring board with built-in capacitor

Номер патента: MY194474A. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshihiro Hosoi,Toshifumi Matsushima,Kenshiro FUKUDA. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Plasma display panel having electrodes covered by a dielectric layer

Номер патента: US20070228966A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Ki-Dong Kim,Jung-Suk Song,Seong-Hun Choo,Joon-Hyeong Kim,Bo-Won Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Plasma display panel or palc display panel and method of manufacturing such a panel comprising a dielectric layer

Номер патента: EP1157403A1. Автор: Siebe T. De Zwart,Henricus A. M. Van Hal,Abraham Rudolf Balkenende,Johannes M. M. Busio. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Cable end termination including cable dielectric layer hermetic seal and related methods

Номер патента: US09768543B2. Автор: Edward A. Taylor. Владелец: SRI Hermetics LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Antenna unit and a display device including a dielectric layer

Номер патента: US12142817B2. Автор: Han Sub Ryu,Won Hee Lee,Yun Seok Oh. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US4529621A. Автор: Delbert L. Ballard. Владелец: Utah Computer Industries Inc. Дата публикации: 1985-07-16.

Christmas light strings with bulb identification for replacement purposes

Номер патента: US20160091155A1. Автор: John L. Janning. Владелец: JLJ Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Retrofit LED Lighting System for Replacement of Fluorescent Lamp

Номер патента: US20180128427A1. Автор: Peter Shen,Donald Barnetson,Chris Miao. Владелец: Lunera Lighting Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: US20020190651A1. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,Kam Law,William Harshbarger,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Method and assembly for replacing fluorescent lights

Номер патента: WO2017019644A4. Автор: Curtis Roys,Sidney NORTON. Владелец: Norton Sidney. Дата публикации: 2017-06-15.

Battery modules, a battery pack, and a method for replacing the battery modules

Номер патента: US20210159554A1. Автор: Caleb M. Rogers. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Copper-mild steel-copper (cmc) metal material for electrical contact terminal for replacing brass

Номер патента: EP4331834A1. Автор: Jeongsuk ROH. Владелец: CS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: EP1415318A2. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R. Harshbarger,Kam S. Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Battery pack having fixing device using magnetic force, manufacturing method thereof, method for replacing battery cell of battery pack

Номер патента: US20240014500A1. Автор: Hyoung Kwon Kim,Ga Hee KANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Printed wiring board(s) having polyimidebenzoxazole dielectric layer(s) and the manufacture thereof

Номер патента: CA2219124C. Автор: David A. Dalman. Владелец: MICHIGAN MOLECULAR INSTITUTE. Дата публикации: 2007-04-17.

Method for forming a dielectric layer in a plasma display panel

Номер патента: US20070132393A1. Автор: Young Kim,Eun Lee,Woong Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-06-14.

Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays

Номер патента: EP1776437A4. Автор: Isao Yoshida,Hiroki Hamada,Joe Acchione,Yongbao Xin. Владелец: iFire IP Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays

Номер патента: EP1776437A1. Автор: Isao Yoshida,Hiroki Hamada,Joe Acchione,Yongbao Xin. Владелец: iFire Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-25.

Acoustic wave device with dielectric layer for transverse leakage suppression

Номер патента: US20230032325A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method and apparatus for replacing identity certificate in blockchain network, and storage medium and computer device

Номер патента: EP3923514A1. Автор: Hu Lan,Jinsong Zhang,Changqing Yang,Pan Liu,Maocai Li,Zongyou WANG,Li Kong,Kaiban Zhou,Gengliang Zhu,Yifang Shi,Qucheng Liu,Qiuping Chen. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect

Номер патента: RU2611580C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Шакирович Алиев,Дамир Ревинирович Исламов,Виталий Александрович Воронковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2017-02-28.

Method and system for replacing lost or delayed data in sonet/sdh emulation protocols

Номер патента: EP1461885A1. Автор: Ron Cohen. Владелец: Lycium Networks (bvi) Ltd. Дата публикации: 2004-09-29.

Method and system for replacing lost or delayed data in sonet/sdh emulation protocols

Номер патента: WO2003050986A1. Автор: Ron Cohen. Владелец: Lycium Networks (B.V.I.) Ltd.. Дата публикации: 2003-06-19.

Method and device for replacing an application interface of an electronic cigarette and electronic cigarette therewith

Номер патента: US10346153B2. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Joyetech Europe Holding GmbH. Дата публикации: 2019-07-09.

A method for replacing a lamp in a lighting system which is controlled by a central control unit

Номер патента: EP4426070A1. Автор: Gordan Rancic. Владелец: Lux Italia Srl. Дата публикации: 2024-09-04.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A3. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: Ritu Shrivastava. Дата публикации: 2008-06-19.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A2. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: ZettaCore, Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and apparatus for replacing a device in a network

Номер патента: US09872365B2. Автор: Bozena Erdmann,Oliver Schreyer,Armand Michel Marie Lelkens. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2018-01-16.

Portable battery-operated tool with an electrical buffer element and method for replacing the rechargeable battery

Номер патента: US09776309B2. Автор: Andreas Fluhrer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and system for replacing theme of a mobile terminal on the basis of a user's clothes color

Номер патента: US09666161B2. Автор: Yuanqing ZENG,Yuqing ZENG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and device for replacing an application interface of an electronic cigarette and electronic cigarette therewith

Номер патента: US20180011701A1. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Joyetech Europe Holding GmbH. Дата публикации: 2018-01-11.

Methods and control arrangements for replacing a compromised certificate authority asymmetric key pair used by vehicles

Номер патента: WO2023219543A1. Автор: Mohammad KHODAEI. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods and control arrangements for replacing a compromised certificate authority asymmetric key pair used by vehicles

Номер патента: SE2250569A1. Автор: Mohammad KHODAEI. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-11-12.

Method for replacing a telephone exchange by another telephone exchange

Номер патента: US20060165229A1. Автор: Johannes Petrus Wouters. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 2006-07-27.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a back-side dielectric layer and an etch-stop layer

Номер патента: US12081198B2. Автор: Patrick Turner. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for preparing a stack of dielectric layers on a substrate

Номер патента: EP4203084A1. Автор: Qiaoshuang ZHANG,Prof. Ulrich LEMMER,Qihao Jin. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for replacing a portion of a first digital signal with a second digital signal

Номер патента: EP1998570A2. Автор: Larry Westerman,Jeremy Cattone. Владелец: Ensequence Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Method for replacing a telephone exchange by another telephone exchange

Номер патента: EP1625756B1. Автор: Johannes Petrus Bernardus Maria Wouters. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 2008-04-23.

Method for replacing a telephone exchange by another telephone exchange

Номер патента: EP1625756A1. Автор: Johannes Petrus Bernardus Maria Wouters. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 2006-02-15.

Manufacturing method of a multi-layer for a probe card

Номер патента: US12019111B2. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI,Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-06-25.

Elongated led lamp for replacing a fluorescent lamp

Номер патента: WO2012027419A4. Автор: Laszlo A. Takacs,Roger F. Buelow,Chris H. Jenson,Keith Kazenski. Владелец: ENERGY FOCUS, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Wired communication system for replacing in-vehicle can/lin bus

Номер патента: US20240314014A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hk Oceancomm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Wired communication system for replacing in-vehicle can/lin bus

Номер патента: EP4443752A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hangzhou Lianxintong Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Printed circuit boards having a dielectric layer which includes a polymer and methods of manufacturing such printed circuit boards

Номер патента: US09986636B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for replacing a part of a first television image by a part of a second television image

Номер патента: US3764732A. Автор: G Macheboeuf. Владелец: Radiodiffusion Television Off. Дата публикации: 1973-10-09.

Method for replacing existing utility pole without disturbing hardware mounted thereon

Номер патента: CA1037727A. Автор: Achilles Perry. Владелец: Interpace Corp. Дата публикации: 1978-09-05.

Low firing temperature thick film dielectric layer for electroluminescent display

Номер патента: WO2003056879A1. Автор: WU LI,YE YUFENG,Maizhi Yang,Xingwei Wu,HUI Zhang,Seong-eui Lee,Sung-Il Ahn,William M. Smy,Daniel J. Seale. Владелец: Ifire Technology Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for replacing background in picture, device, storage medium and program product

Номер патента: US20240031518A1. Автор: SHAOHUI Jiao,Yingyi CHEN. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Stretchable polymer and dielectric layers for electronic displays

Номер патента: US11925073B2. Автор: Robert Jan Visser,Kyuil Cho,Byung Sung Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Field device and method for replacing a sensor in a field device

Номер патента: US20240011817A1. Автор: Michael Larsson,Lovisa Rogestedt,Morgan Mårdeland. Владелец: ROSEMOUNT TANK RADAR AB. Дата публикации: 2024-01-11.

Dielectric layer for component carrier with varying material properties

Номер патента: US11882648B2. Автор: Thomas KRISTL,Dominik Wilding. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-01-23.

Method, controller, and computer-readable medium for replacement of a cancelled repeating transfer data structure on a distributed transfer network

Номер патента: WO2023201360A3. Автор: Marc Meyer,Tomasz CZERNUSZENKO,Kevin Hopkins. Владелец: Agora Intelligence, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Computer-implemented method for replacing a data string

Номер патента: US20140150086A1. Автор: Michael Horst. Владелец: comForte 21 GmbH. Дата публикации: 2014-05-29.

Field device and method for replacing a sensor in a field device

Номер патента: EP4303542A1. Автор: Michael Larsson,Lovisa Rogestedt,Morgan Mårdeland. Владелец: ROSEMOUNT TANK RADAR AB. Дата публикации: 2024-01-10.

Transversely-excited film bulk acoustic resonator with thick dielectric layer for improved coupling

Номер патента: US20230327637A1. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Ventsislav Yantchev,Sean McHugh,John P. KOULAKIS. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method, controller, and computer-readable medium for replacement of a cancelled repeating transfer data structure on a distributed transfer network

Номер патента: WO2023201360A2. Автор: Marc Meyer,Tomasz CZERNUSZENKO,Kevin Hopkins. Владелец: Agora Intelligence, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and system for replacing pin element with gateway capability in personal iot network

Номер патента: WO2023234694A1. Автор: Arunprasath Ramamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-12-07.

Acoustic wave device with dielectric layer for reduced transverse leakage

Номер патента: US20230031753A1. Автор: Rei GOTO,Hironori Fukuhara. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays

Номер патента: CA2573347A1. Автор: Isao Yoshida,Hiroki Hamada,Joe Acchione,Yongbao Xin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Screen printed thick film metal heater with protective top dielectric layer

Номер патента: CA3170871A1. Автор: William Kevin O'KEEFE,Erika Natalia REMOLINA GALVIS,Robert Jakusik,Venancio PATNUBAY. Владелец: Datec Coating Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US11925122B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Screen printed thick film metal heater with protective top dielectric layer

Номер патента: US20230262846A1. Автор: William Kevin O'KEEFE,Erika Natalia REMOLINA GALVIS,Robert Jakusik,Venancio PATNUBAY. Владелец: Datec Coating Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes

Номер патента: US12101078B2. Автор: Bryant Garcia. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Insertion layer for thick film electroluminescent displays

Номер патента: CA2434335C. Автор: WU LI,Yonghao Xin,Michael R. Westcott. Владелец: iFire IP Corp. Дата публикации: 2012-01-03.

Production method for printed wiring board having dielectric layer

Номер патента: MY193835A. Автор: Yoshihiro Yoneda,Toshiyuki Shimizu,Toshifumi Matsushima. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus and method for replacement of a parallel, computer-to-peripheral wire link with a serial optical link

Номер патента: CA1142606A. Автор: Edward M. Petryk, Jr.. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1983-03-08.

Method for differentiating between background and foreground of scenery and also method for replacing a background in images of a scenery

Номер патента: CA2811222C. Автор: Wolfgang Vonolfen,Rainer Wollsiefen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for replacing a conductive bar of a stator winding

Номер патента: WO2019166172A1. Автор: Andrey Mashkin,Friedhelm Pohlmann,Christian Staubach. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-09-06.

Systems and methods for replacing items in a stencil printer

Номер патента: WO2024025650A1. Автор: James Lynch,Patsy A. Mattero,William A. Losiewicz,Kenneth J. King. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Array substrate with optical dielectric layer and display panel

Номер патента: US11871619B2. Автор: Ronggang Shangguan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Electromagnetic measuring probe device for measuring a thickness of a dielectric layer of a circuit board and method thereof

Номер патента: US11585648B2. Автор: Hung-Lin Chang,Cheng-Jui Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Devices and methods for replacing existing utility piping

Номер патента: US20210140563A1. Автор: Joseph L. Vulpis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-13.

A method and a system for replacing and commissioning of a field device

Номер патента: EP3072275A1. Автор: BHANGALE Milind,Stefan Bollmeyer,Roland Braun,Mallikarjun Kande,Deepaknath TANDUR,Neil Shah,Ravish Kumar,Shahishekar PANDHARKAR. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-09-28.

Organic light emitting display device including reflection electrode and first electrode with dielectric layer therebetween

Номер патента: US11839114B2. Автор: Hyoung-Su Kim,Jong-Hyeok Im,Hye-Seon Eom,Doo-Hyun Yoon,Gyung-Min Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Wireless earphone charging case convenient for replacing outer shells

Номер патента: US11758316B2. Автор: Yong Huang. Владелец: Zhuoye Chuangyi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Technique for replacing VNFMs in a VNF based environment

Номер патента: US11916744B2. Автор: Maria Toeroe. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and Apparatus for Replacing Old Underground Conduits

Номер патента: US20090261310A1. Автор: Manfred Schauerte. Владелец: Tracto Technik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-10-22.

Electromagnetic Measuring Probe Device for Measuring a Thickness of a Dielectric Layer of a Circuit Board and Method Thereof

Номер патента: US20220221263A1. Автор: Hung-Lin Chang,Cheng-Jui Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Articles having a dielectric layer on a metal substrate having improved adhesion

Номер патента: US5164547A. Автор: Allan J. Siuzdak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Straightening machine and method for replacing straightening roller elements

Номер патента: RU2689019C2. Автор: Маркус ВИЛЛЕМС,Себастиан ХАУСМАНН. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2019-05-23.

Barrier layers for anisotropic magneto-resistive sensors

Номер патента: US20240102830A1. Автор: Fuchao Wang,William French,Erika Mazotti,Ricky A. Jackson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and track-laying machine for replacing sleepers of railway, formed from rails and sleepers

Номер патента: RU2675982C1. Автор: Йерг ГАНЦ. Владелец: Матиса Материел Индустриел С.А.. Дата публикации: 2018-12-25.

Network device for replacing one advertisement with another advertisement

Номер патента: RU2416127C2. Автор: Майкл МАТТИЗ,Лебин ЧЕНГ,Айгуо ФЕИ. Владелец: Рэд Арил, Инк.. Дата публикации: 2011-04-10.

Mechanism of network replacement, granulator and method for replacing the net

Номер патента: RU2671331C1. Автор: Юнфу ВАН,Вэй ЦЗИНЬ,Вэйфэн ШИ,Кайю ВАНЬ,АНАЯ Эрик Курт ЛАРРЕА,Синсин ЧЖАН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-10-30.

Material comprising a stack of thin layers for thermal insulation and aesthetic properties

Номер патента: EP4251581A1. Автор: Veronique Rondeau,Soumyadeep Misra,Priyesh DHANDHARIA. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2023-10-04.

Material comprising a stack of thin layers for thermal insulation and aesthetic properties

Номер патента: US20240300854A1. Автор: Veronique Rondeau,Soumyadeep Misra,Priyesh DHANDHARIA. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for estimating a 3D vector angle from a 2D face image, method for creating face replacement database, and method for replacing face image

Номер патента: US09639738B2. Автор: Chaur-Heh Hsieh,Hsiu-Chien Hsu. Владелец: MING CHUAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-02.

Mobile unit for replacing wheelsets or undercarriage equipment and method for use thereof

Номер патента: RU2759034C1. Автор: Давид Дурмишханович Концелидзе. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РэилМатик" (ООО "РэилМатик"). Дата публикации: 2021-11-09.

Method for replacing cesium trap and cesium trap node

Номер патента: RU2763773C2. Автор: Роберт А. КОРБИН,Джон Э. ТРУА. Владелец: ТерраПауэр, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2022-01-11.

Device for replacing roller batteries

Номер патента: RU2628838C2. Автор: Йозеф ЗУТТЕР,Штефан ЛИНДЕР,Харальд ФИШЕР. Владелец: Иннова Патент Гмбх. Дата публикации: 2017-08-22.

Automatic creation of reference points for replacement of heart valve

Номер патента: RU2526567C2. Автор: Рауль ФЛОРАН,Николас Х. БАККЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-08-27.

Device for replacing pallet supporting a load

Номер патента: EP3911586A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2021-11-24.

Two-dimensional magnetic recording read head with TaOx layer for flat middle shield topography and method of forming thereof

Номер патента: US12131759B2. Автор: Guanxiong Li,Ming Mao,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for replacing wheel pairs of railway carriage (versions)

Номер патента: RU2626425C1. Автор: Сергей Николаевич Еремеев,Михаил Владимирович Сапетов,Вячеслав Сергеевич Еремеев. Владелец: Сергей Николаевич Еремеев. Дата публикации: 2017-07-27.

Augment for replacement of marginal bone defects in knee endoprosthesis replacement

Номер патента: RU2721651C2. Автор: Игорь Алексеевич Норкин,Михаил Владимирович Гиркало. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный медицинский университет имени В.И. Разумовского" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО Саратовский ГМУ им. В.И. Разумовского Минздрава России). Дата публикации: 2020-05-21.

Surface charge mitigation layer for mems sensors

Номер патента: WO2014070930A3. Автор: Ando Feyh,Gary O'brien,Andrew Graham. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-12-31.

Surface charge mitigation layer for mems sensors

Номер патента: EP2938570A2. Автор: Ando Feyh,Gary O'brien,Andrew Graham. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-11-04.

Surface charge mitigation layer for mems sensors

Номер патента: WO2014070930A2. Автор: Ando Feyh,Gary O'brien,Andrew Graham. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-05-08.

Treatment of a self-assembled monolayer on a dielectric layer for improved epoxy adhesion

Номер патента: WO2012125377A2. Автор: David Leslie Heald,Majorio Arafiles RAFANAN. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of making appliance for replacement of drill bit or nozzle

Номер патента: RU2498877C2. Автор: Дэвид А. РОРБЕЙКЕР. Владелец: Дестек Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-20.

Rough anti-stiction layer for mems device

Номер патента: US20180179047A1. Автор: I-Shi WANG,Jen-Hao Liu,Ren-Dou Lee,Yu-Jui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Tool for replacing filter cartridges of wind generating sets

Номер патента: NL2033638B1. Автор: Li Xiaodong,Zhou Qiang,ZHOU Jianwei,YANG Jiaxing,Dong Chenxi,Cheng Shilin,Lu Fengbin,Gai Yingde. Владелец: Dong Chenxi. Дата публикации: 2023-08-15.

A cutting knife, a method for replacing a knife tip of said cutting knife, and a knife tip replacement part for use in said method

Номер патента: WO2020245253A1. Автор: Tommy Langelund Jakobsen,Morten WICHMANN. Владелец: Metso Denmark A/S. Дата публикации: 2020-12-10.

Anisotropic conductive dielectric layer for electrophoretic display

Номер патента: US20200201133A1. Автор: Yu Li,LEI Liu,Hui Du,HongMei Zang,Craig Lin,Peter B. Laxton. Владелец: E Ink California LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Device for replacing powder spreading scraper of selective laser melting apparatus online and automatically

Номер патента: ZA202305686B. Автор: Meng Xiao,Rong Li,Yan Zhou,Ran Zhang,Dongsheng Wang,Xuesong GAO. Владелец: Anhui Zhongke Chungu Laser Industry Tech Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Rough anti-stiction layer for MEMS device

Номер патента: US09884755B2. Автор: I-Shi WANG,Jen-Hao Liu,Ren-Dou Lee,Yu-Jui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system for replacing a pattern in a layout

Номер патента: US20130091476A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yi-Kan Cheng,Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Huang-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: US12036623B2. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for replacing a sliding pad of a rotational sliding bearing, sliding bearing and wind turbine

Номер патента: EP4118352A1. Автор: Kim Thomsen,Niels Karl Frydendal,Morten Thorhauge,Alejandro Cerda Varela. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2023-01-18.

Dishwasher providing notification for replacing filter and method of providing a notification for replacing a filter

Номер патента: US20230277033A1. Автор: Sang Soo Lee,Hoseok KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Procedure for replacement of acoustic liner in integrated exhaust duct muffler for use with airborne auxiliary power units

Номер патента: US20060059674A1. Автор: Nicholas Williams. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Multi-functional layer for stop etch in laser coating removal

Номер патента: EP4416057A1. Автор: Jesse Tice,Mark W. Knight,Patrick W. Shindo,Connor Limburg. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Ground milling machine having a replaceable milling part and method for replacing a milling part of a ground milling machine

Номер патента: US09951483B2. Автор: Helmut Roetsch,Steffen Wachsmann,Maximilian Philippsen,Frank Rheinbay. Владелец: Bomag GmbH and Co oHG. Дата публикации: 2018-04-24.

Disassembly tool kit for replacing vehicular decorative plates

Номер патента: US09884418B2. Автор: Chia-Feng Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and device for obtaining spectral coefficients for replacement audio frame, audio decoder, audio receiver and audio system for audio transmission

Номер патента: RU2632585C2. Автор: Ральф ГАЙГЕР,Горан МАРКОВИЧ,Кристиан ХЕЛЬМРИХ,Вольфганг ЕГЕРС,Бернд ЭДЛЕР,Ральф ШПЕРШНАЙДЕР,Джанин СУКОВСКИ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2017-10-06.

Manipulator for replacing submersible bucket on slab machine for continuous casting of billets

Номер патента: RU2639089C2. Автор: Евгений Николаевич Смирнов,Александр Васильевич Сазонов,Сергей Петрович Еронько,Михаил Юрьевич Ткачев,Виталий Александрович Скляр. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-12-19.

Drospyrenon for replacement hormonotherapy

Номер патента: RU2275198C2. Автор: Вольфганг ХАЙЛЬ,Ральф ЛИПП,Юрген ХИЛЬМАНН,Рольф ШЮРМАНН. Владелец: Шеринг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2006-04-27.

Implants for replacement "load-bearing" bones having hierarchically organised architecture obtained through transformation of plant structures

Номер патента: RU2585958C2. Автор: Франк Мюллер,Петер ГРАЙЛЬ,Анна ТАМПИЕРИ,Симоне СПРИО,Андреа РУФФИНИ,Юлия ВИЛЛЬ,ФЕРНАНДЕС Хулиан МАРТИНЕС,РАЙА Кармен ТОРРЕС,ФЕРИЯ Франсиско Мануэль ВАРЕЛА,РИКО Хоакин РАМИРЕС,Мари-Франсуа АРМАН. Владелец: Консилио Национале Делле Ричерке. Дата публикации: 2016-06-10.

Development method of repair trench for replacement of defect section of pipeline

Номер патента: RU2720893C1. Автор: Валерий Иванович Паутов. Владелец: Валерий Иванович Паутов. Дата публикации: 2020-05-13.

Self-binding composition for producing a calcium phosphate matrix for replacing bone defects of the human musculoskeletal system and method for producing a calcium phosphate matrix based thereon

Номер патента: RU2756020C1. Автор: Владимир Валентинович Зайцев,Юлия Сергеевна Лукина,Дмитрий Петрович Крутько,Дмитрий Анатольевич Леменовский,Людмила Викторовна Эрхова,Николай Свиридович Гаврющенко. Владелец: Юлия Сергеевна Лукина. Дата публикации: 2021-09-24.

Reagent injection unit into main pipeline and method for replacing reagent injection nozzle into main pipeline using reagent injection unit

Номер патента: RU2748632C1. Автор: Андрей Юрьевич Беляев. Владелец: Андрей Юрьевич Беляев. Дата публикации: 2021-05-28.

Method for replacing upper stamp of bending press and upper stamp carriage

Номер патента: RU2630094C2. Автор: Тосихиро МИВА,Кодзи ХОРИГИВА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-09-05.

Procedure for replacement of cutting components

Номер патента: RU2387601C2. Автор: Доминик ФОН,Жерар ВЕЙЕН. Владелец: Сэн-Гобэн Ветротекс Франс Са. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of treatment of diskogenic stenoses of spinal canal in lumbar spine with device with expanding height for replacement of intervertebral disk from transpsoas access

Номер патента: RU2673955C1. Автор: Станислав Владимирович Басов. Владелец: Станислав Владимирович Басов. Дата публикации: 2018-12-03.

Isolating valve system, method for isolation of flow in isolating valve system and method for replacement of element of isolating valve system

Номер патента: RU2383805C2. Автор: Рубен Ф. ЛАХ,Гари ЛАРСЕН. Владелец: Кертисс-Райт Флоу Контрол Корпорейшн. Дата публикации: 2010-03-10.

Fastener for replaceable tool

Номер патента: RU2472929C1. Автор: Митчелл Брайан ЧАРЛТОН. Владелец: Брэдкен Ресорсиз Пти Лимитед. Дата публикации: 2013-01-20.

System of ventilation passages for replacement of at least some part of air in section of cubicles or in system of cubicles with sections of cubicles, and ventilation method of sections of cubicles or system of cubicles

Номер патента: RU2524240C2. Автор: ПЕДЕРСЕН Эрлинг ФРИИС,Карстен СЕРЕНСЕН. Владелец: АгриФарм АпС. Дата публикации: 2014-07-27.

Compact multi-functional autonomous uninhabited underwater vehicle -carrier vehicle for replaceable actual load

Номер патента: RU2681415C1. Автор: Александр Федорович Щербатюк,Андрей Александрович Кушнерик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем морских технологий Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИПМТ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-03-06.

Method of producing individual composite implant based on sodium alginate and calcium phosphates for replacement of osteochondral defects by three-dimensional gel printing

Номер патента: RU2723217C1. Автор: Владимир Сергеевич Комлев,Александр Юрьевич Федотов,Юрий Валерьевич Зобков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, ИМЕТ РАН. Дата публикации: 2020-06-09.

Method for estimating a 3d vector angle from a 2d face image, method for creating face replacement database, and method for replacing face image

Номер патента: US20160086304A1. Автор: Chaur-Heh Hsieh,Hsiu-Chien Hsu. Владелец: Ming Chuang University. Дата публикации: 2016-03-24.

Device for replacing a pallet

Номер патента: CA3214577A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2022-10-20.

Device for replacing a pallet

Номер патента: EP4323291A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2024-02-21.

Device for replacing a pallet carrying a load with a replacement pallet

Номер патента: US20240262639A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for replacing defective memory cells in data processing apparatus

Номер патента: US20030061532A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Self-darkening shield for replaceably attaching to a torch

Номер патента: US20070029296A1. Автор: Hilary Boehme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Dielectric layer for magneto-optic storage media structures

Номер патента: CA2032866A1. Автор: Christopher V. Jahnes,Fletcher Jones,Michael A. Russak,Joseph S. Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-08-01.

Method for replacing an outer annular ring of a fluid swivel and a fluid swivel

Номер патента: US09822911B2. Автор: Cyril Evrard,Christian Randrianarivony. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Device for replacing defects of proximal femur when performing revision hip replacement

Номер патента: RU2675049C1. Автор: Станислав Сергеевич Билык,Рашид Муртузалиевич Тихилов,Игорь Иванович Шубняков,Антон Николаевич Коваленко,Вадим Владимирович Близнюков,Андрей Васильевич Амбросенков,Максим Сосланович Гуацаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии имени Р.Р. Вредена" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "РНИИТО им. Р.Р. Вредена" Минздрава России). Дата публикации: 2018-12-14.

Device for replacement of knife in shears, in particular for rolled strip, and shears with at least one replaceable knife

Номер патента: RU2705842C2. Автор: Томас Рункель. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2019-11-12.

Device for replacement of tools in drill unit for drilling sea bottom

Номер патента: RU2412327C2. Автор: Пер Олав ХЕУГХОМ. Владелец: Сибед Риг Ас. Дата публикации: 2011-02-20.

Device for replacement of armoured full-thickness plates

Номер патента: RU2739309C1. Автор: Константин Юрьевич Пиксаев,Владимир Александрович Химолозко,Иван Валерьевич Убиенных,Сергей Александрович Карасев. Владелец: Акционерное общество "Полюс Красноярск". Дата публикации: 2020-12-22.

Device with wedge regulator for replacement of rolls

Номер патента: RU2438811C2. Автор: Гюнтер МИТТЕРМАИР. Владелец: СИМЕНС ФАИ МЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for replacement of defects of distal femur in performing knee joint replacement and device for its implementation

Номер патента: RU2724490C1. Автор: Станислав Сергеевич Билык,Антон Николаевич Коваленко,Алексей Олегович Денисов,Николай Николаевич Корнилов,Александр Викторович Каземирский,Тарас Андреевич Куляба,Александр Андреевич Черный. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Р.Р. Вредена" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Р.Р. Вредена" Минздрава России). Дата публикации: 2020-06-23.

Method for replacing a section of tubing

Номер патента: US4844322A. Автор: Gilbert E. Flowers,Earl L. Kelly, Jr.,Henry E. Lynch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-07-04.

Device and method for replacing stage roll unit

Номер патента: US20220105699A1. Автор: Hideki Mizutani,Takashi Nitta,Yukikazu Shoji. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Implant for replacement of bone trabecular defects

Номер патента: RU2726253C2. Автор: Артемий Александрович Попов,Сергей Владимирович Беликов,Юрий Николаевич Логинов,Елена Александровна Волокитина,Федор Николаевич Зверев,Степан Игоревич Степанов,Михаил Васильевич Гилев. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2020-07-10.

Method and device for replacement of roller sets in working stands of rolling mill

Номер патента: RU2363555C2. Автор: Харальд РАККЕЛЬ. Владелец: Смс Демаг Аг. Дата публикации: 2009-08-10.

Method and system for replacement of cargo units

Номер патента: RU2748932C2. Автор: Томми ЛЕППИАХО. Владелец: Лотус Демолишн Ой. Дата публикации: 2021-06-01.

Method for replacement of navicular bone of hand defects in experiment

Номер патента: RU2726597C1. Автор: Артем Владимирович Комаров,Дмитрий Анатольевич Шакун,Игорь Владимирович Хоминец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова" Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2020-07-14.

Method for replacement of conjunctival defects (variants)

Номер патента: RU2762768C1. Автор: Марина Борисовна Гущина,Александр Иванович Неробеев,Александр Владимирович Терещенко. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-12-22.

Method of making implant for replacing defects of skull bones with gross cosmetic defects in temporal region and implant for replacing defects of skull bones with coarse cosmetic defects in temporal region

Номер патента: RU2740567C1. Автор: Вячеслав Владимирович Ступак,Сергей Валерьевич Мишинов,Николай Александрович Копорушко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2021-01-15.

System for replacement of earth drill cutting member in field conditions

Номер патента: RU2108442C1. Автор: Гэвин Томас МакЛиод,Мэттью Вэнс Эган. Владелец: Даун Хоул Текнолоджиз Пти Лтд.. Дата публикации: 1998-04-10.

Method and apparatus for replacing buried pipe

Номер патента: CA1209356A. Автор: Alan E. Thompson. Владелец: EXPAND-A- LINE Inc. Дата публикации: 1986-08-12.

Process and device for replacing idler rollers of a belt conveyor

Номер патента: AU2014201119B2. Автор: Rainer Kahrger,Mario Dilefeld,Steffen Vollrath. Владелец: MAN Takraf Fordertechnik GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Arrangement for replacably mounting operating member on a radiation shielding box

Номер патента: US4156146A. Автор: Masahiko Kimura,Takeshi Natori,Kashio Imai,Koziro Yuki. Владелец: Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan. Дата публикации: 1979-05-22.

Systems, devices, and methods for replacing an eyedropper tip on an eyedropper bottle with a replacement eyedropper tip

Номер патента: US20230301828A1. Автор: Terry Bader,Gregg J. Berdy,Lanny Odin. Владелец: Objectives LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Web offset press, and method and apparatus for replacing printing plate in web offset press

Номер патента: US20080078298A1. Автор: Torao Iwamoto. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

A method for replacing seedbed culture substrate and a conveyor belt seedbed

Номер патента: US20230312252A1. Автор: WU LI,Xiaoping Chen,Wei Deng,Guobing WU,Guiyang PENG,Xiangming NING,Wanxing ZHANG,Haisong FU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for replacing a drive battery of an electric motor vehicle

Номер патента: US20230347783A1. Автор: Stefan Nordbruch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-02.

Context for replacement functions

Номер патента: US20130097621A1. Автор: Jared E. Henderson,Mark T. Schofield. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

System and method for replacing data in a cache

Номер патента: US20100274974A1. Автор: Johan Gerard Willem Maria Janssen,Jan-Willem Van De Waerdt,Maurice Penners. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-10-28.

Device for replacing a pallet

Номер патента: US20240190659A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for replacing at least one tooth of a gear

Номер патента: US20240217038A1. Автор: Martin E. Lohan,Drake J. Viscome,Nickolas A. Howe,Julia D. Batts. Владелец: Inventus Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Drop-in signal accumulator piston kit and method for replacing an original equipment signal accumulator piston

Номер патента: US20230135948A1. Автор: Maura J. Stafford,Andrew M. Deyo. Владелец: Sonnax Transmission Co. Дата публикации: 2023-05-04.

Prosthetic Cardiovascular Valves and Methods for Replacing Native Atrioventricular Valves with Same

Номер патента: US20200022808A1. Автор: Robert G. Matheny. Владелец: Cormatrix Cardiovascular Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Fragrance atomization and diffusion device convenient for replacing a fragrance liquid container

Номер патента: US20220219190A1. Автор: Qing Wang. Владелец: Hangzhou Chisong Optoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Apparatus For Replacing Rolls For Introduction Into A Quilter

Номер патента: US20200370219A1. Автор: Terrance L. Myers,Matthew C. SMALLWOOD,Robert D. EAGLE. Владелец: L&P Property Management Co. Дата публикации: 2020-11-26.

Method and electronic device for replacing application icon

Номер патента: US20170131868A1. Автор: Jingyu Hu. Владелец: Lemobile Information Technology (Beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Secure element; method for replacing an electronic token of the secure element and special secure element

Номер патента: EP4407545A1. Автор: Deepen Mantri,Lars HUPEL. Владелец: Giesecke and Devrient Advance52 GmbH. Дата публикации: 2024-07-31.

Procedure for replacement of acoustic liner in integrated exhaust duct muffler for use with airborne auxiliary power units

Номер патента: WO2006034460A1. Автор: Nicholas A. Williams. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-03-30.

Arrangement and method for replacement of program data of a control unit

Номер патента: US20060193463A1. Автор: Andreas Graf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Secure element; method for replacing an electronic token of the secure element and special secure element

Номер патента: US20240257130A1. Автор: Deepen Mantri,Lars HUPEL. Владелец: Giesecke and Devrient Advance52 GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Optical storage medium having an organic recording layer attached to a dielectric layer

Номер патента: MY136918A. Автор: Hidetoshi Watanabe,Sakuya Tamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-28.

Method for replacing partial usage salt in reactive dyeing & printing processes and lowering total dissolved solids (tds) in dyeing effluent

Номер патента: WO2024142103A1. Автор: Pulkit KANSAL. Владелец: Kansal Pulkit. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for replacing a heart valve

Номер патента: US09949830B2. Автор: Jan Otto Solem. Владелец: Edwards Lifesciences AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for replacing a swirler

Номер патента: US09772111B2. Автор: Peter Möllenbeck,Thomas Hauser,Karsten VON SCHWANDER. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: RU2670574C2. Автор: Лорн А. УАЙТХЕД,Марк ГОЛДИНГ,Роджер КЕМП,Нэйтан СМИТ,Брэм М. СЭДЛИК,Энтони И. ПУЛЛЕН. Владелец: Клеаринк Дисплейз, Инк.. Дата публикации: 2018-10-23.

Wind turbine comprising a main bearing and method for replacement of the main bearing

Номер патента: CA2729981C. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-06-14.

Device for replacing roller sets

Номер патента: CA2917619C. Автор: Josef Sutter,Stefan Linder,Harald Fischer. Владелец: INNOVA PATENT GMBH. Дата публикации: 2018-06-19.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Method for replacing a field device of automation technology

Номер патента: US7761698B2. Автор: Francois Ichtertz. Владелец: Endress and Hauser Process Solutions AG. Дата публикации: 2010-07-20.

Recommended method for replacing equipment and electronic device

Номер патента: US20240077864A1. Автор: Chun-Hsien Li,Chia-Chiung Liu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and apparatus for replacing the rollers of rolling mills having different sizes

Номер патента: US6167738B1. Автор: Christian Steglich,Gunter Horold. Владелец: SKET Walzwerkstechnik GmbH. Дата публикации: 2001-01-02.

Method and system for replacing player in sports game

Номер патента: US11491404B2. Автор: Dong Won Lee. Владелец: Gamevil Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Method for replacing a sliding pad of a rotational sliding bearing, sliding bearing and wind turbine

Номер патента: US20230341000A1. Автор: Kim Thomsen,Niels Karl Frydendal,Morten Thorhauge,Alejandro Cerda Varela. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2023-10-26.

Device for replacing a pallet supporting a load with the possibility of keeping this pallet raised

Номер патента: EP3938295A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for replacing pipes, and apparatus therefor

Номер патента: EP2100071A1. Автор: Kobus Jacobus Hendrik Cilliers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-16.

Techniques For Replacing Logic Circuits In Modules With Configurable Circuits

Номер патента: US20230222274A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method and system for replacing player in sports game

Номер патента: US20200376388A1. Автор: Dong Won Lee. Владелец: Gamevil Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Dishwasher providing notification for replacing filter and method of providing a notification for replacing a filter

Номер патента: EP4238472A1. Автор: Sang Soo Lee,Hoseok KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for replacing a process measurement instrument

Номер патента: EP3126793A1. Автор: Christian Miles Blatherwick,Richard Diaz. Владелец: Ashcroft Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Method for replacing a process measurement instrument

Номер патента: WO2015153842A1. Автор: Christian Miles Blatherwick,Richard Diaz. Владелец: ASHCROFT, INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

Automated marking systems and methods for replaceable automated machine component tracking

Номер патента: US20230033506A1. Автор: John D. Arthur,Terry A. Lee,James D. Womack. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Device for replacing a pallet supporting a load with the possibility of keeping this pallet raised

Номер патента: WO2020182888A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: TOPPY S.R.L.. Дата публикации: 2020-09-17.

Mems structure with an etch stop layer buried within inter-dielectric layer

Номер патента: US20170036905A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Hui-Min Wu,Kuan-Yu Wang,Te-Yuan Wu,Chia-Huei Lin,Li-Che Chen,Kun-Che Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: US11982918B2. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Wuxi Clearink Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for reflective image display with dielectric layer

Номер патента: EP3785063A1. Автор: Michiel Koen CALLENS,Thomas Johansson,Robert J. Fleming,Steven GOU,Graham Beales. Владелец: Concord HK International Education Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Stretch sensor with elastic dielectric layer

Номер патента: US10485453B2. Автор: Tzu-Hsuan Huang,Wei-Liang Liu. Владелец: Taiwan Alpha Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Capacitance touch panel with silver-inclusive transparent conductive layer(s) and dielectric layer(s)

Номер патента: US09904431B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Red omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers

Номер патента: US09739917B2. Автор: Debasish Banerjee,Masahiko Ishii,Minjuan Zhang,Li Qin Zhou,Yumi Kato. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Micro-electro mechanical system (MEMS) device having a blocking layer formed between closed chamber and a dielectric layer of a CMOS substrate

Номер патента: US09617150B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Carrier for transplantable cells for replacement of a defect obtained with a head injury

Номер патента: RU2659842C2. Автор: Владимир Исаакович Юсупов,Ирина Васильевна Мухина,Виктор Николаевич Баграташвили,Петр Сергеевич Тимашев,Ольга Павловна Тихобразова,Александр Владимирович Балябин,Анастасия Петровна Понятовская,Арсений Андреевич Гладков,Мария Валерьевна Ведунова,Елена Владимировна Митрошина,Татьяна Александровна Мищенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-07-04.

Method for replacing railway sleepers and equipment for replacing railway sleepers

Номер патента: RU2072016C1. Автор: Ниранен Якко. Владелец: Ниранен Якко. Дата публикации: 1997-01-20.

Device for wrapping stacks of items into tubular sheaths and method for replacing rolls of tubular film material in said device

Номер патента: RU2667078C1. Автор: Норберт ФРЕНЦЕЛЬ,Людгер ШВАРТЕ. Владелец: Машиненфабрик Мёллерс Гмбх. Дата публикации: 2018-09-14.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637390C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-12-04.

Method for replacing the acetabular bottom defect in hip joint arthroplasty in patients on chronic hemodialysis

Номер патента: RU2672370C1. Автор: Александр Николаевич Цед,Александр Кайсенович Дулаев,Никита Евгеньевич Муштин,Антон Владимирович Шмелев,Константин Георгиевич Ильющенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Первый Санкт-Петербургский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-11-14.

Device for fixing a heating device or air conditioner, a kit and a system with such a device and a method for replacing a heating device or air conditioner

Номер патента: RU2684454C1. Автор: Жиль Лабертони. Владелец: Термор. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for replacement of osteomyelitis cavity metaphyseal region of tibia

Номер патента: RU2582051C2. Автор: Александр Иванович Лапынин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО ОрГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2016-04-20.

Gas turbine module, gas turbine installation that includes such module, method for unloading gas turbine module and method for replacing gas turbine module

Номер патента: RU2753945C1. Автор: Ёсукэ ОБА,Синго НАКАСИМА. Владелец: Мицубиси Пауэр, Лтд.. Дата публикации: 2021-08-24.

Authentication packaging for replacement parts

Номер патента: US5524758A. Автор: Troy D. Lupul. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-06-11.

Process for replacing a length of buried pipe

Номер патента: CA2013658C. Автор: David Bruce Campbell,Donald Neil Campbell. Владелец: Neptune Coring (Western) Ltd.. Дата публикации: 1992-04-28.

Process for replacing bridge bearings

Номер патента: US4692981A. Автор: Helmut Homes. Владелец: Glacier GmbH Sollinger Huette GmbH. Дата публикации: 1987-09-15.

Method for replacing an outer annular ring of a fluid swivel and a fluid swivel

Номер патента: AU2011276073A1. Автор: Cyril Evrard,Christian Randrianarivony. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method, kit and insert for replacing damaged threads

Номер патента: US20030215296A1. Автор: William Giannakakos,John Botelle,Ron Phillips. Владелец: NEWFREY LLC. Дата публикации: 2003-11-20.

Method and device for replacing a used bearing, in particular for replacing a main bearing of a wind turbine, and bearing arrangement in particular of a wind turbine

Номер патента: US11933362B2. Автор: Michael PURUCKER. Владелец: Sivantos Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for Replacing a Component in an Automatic Machine

Номер патента: US20240109189A1. Автор: Giuliano Gamberini,Fausto Mengoli,Emilio Tirelli,Giancarlo Dattilo. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for improved dielectric layer metrology calibration

Номер патента: US20040004730A1. Автор: Han-Liang Tseng,Yi-Hung Chen,Wei-Ming You,Shean-Ren Horng,Pey-Yuan Lee,Chi-Shen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Systems and methods for replacing application methods at runtime

Номер патента: EP2989544A1. Автор: Vadim Nekhoroshev. Владелец: Symantec Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Device for replacing a pallet

Номер патента: AU2022258420A1. Автор: Daniele Piani. Владелец: Toppy Srl. Дата публикации: 2023-10-19.

Arrangement for replaceably holding a stripper of a tool holder of the tool, and a replacing tool for replacing the stripper

Номер патента: US4380182A. Автор: Gerhard Otto,Walter Bredow. Владелец: C Behrens AG. Дата публикации: 1983-04-19.

Method for replacing choke ring of vertical crusher and vertical crusher

Номер патента: EP4265334A1. Автор: Katsuya Shibata,Atsuhiko Shirai. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for replacing a component in an automatic machine

Номер патента: EP4291367A1. Автор: Giuliano Gamberini,Fausto Mengoli,Emilio Tirelli,Giancarlo Dattilo. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2023-12-20.

An arrangement for replacing elevator suspension ropes and a method

Номер патента: WO2023232248A1. Автор: Juha Helenius,Hannu ÄIKÄS,Aki LAAKKONEN. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Multiple band reflector with metal and dielectric layers

Номер патента: EP2030051A2. Автор: Jaime Li,Steven Barth. Владелец: CPFilms Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for detecting the interaction of at least one entity with a dielectric layer

Номер патента: US09746460B2. Автор: Volodymyr Lysenko,Mustapha Lemiti,Alain Geloen,Tetyana Nichiporuk,Tetiana Serdiuk,Yuriy Zakharko. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and apparatus for replacing power supply module in wireless valve positioner without interrupting power supply

Номер патента: RU2698630C2. Автор: Перри К. КАРТЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-08-28.

Knee joint endoprosthesis for replacement of at least parts of knee joint

Номер патента: RU2731424C2. Автор: Вильхельм БЛЁМЕР. Владелец: Керамтек Гмбх. Дата публикации: 2020-09-02.

Profiled spiral wound threads for replaceable parts of papermaking machine and for technical belts

Номер патента: RU2269612C2. Автор: Роберт А. ХАНСЕН. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2006-02-10.

Worm-screw differential mainly for replacement of standard differentials, mounted in standard reduction gears of vehicles

Номер патента: RU2730357C1. Автор: Владимир Федорович Бояркин,Александр Валериевич Филякин,Максим Владимирович Бояркин. Владелец: Максим Владимирович Бояркин. Дата публикации: 2020-08-21.

Method for obtaining bioimplant for replacement of segmental defects of trachea

Номер патента: RU2612528C1. Автор: Наталья Юрьевна Анисимова,Михаил Валентинович Киселевский,Михаил Иванович Давыдов,Евгений Александрович Корнюшенков,Борис Евсеевич Полоцкий,Алексей Дмитриевич Шепелев,Виссарион Георгиевич Мамагулашвили,Тимур Хасянович Тенчурин,Лев Валерьевич Голуб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский онкологический научный центр имени Н.Н. Блохина" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "РОНЦ им. Н.Н. Блохина" Минздрава России). Дата публикации: 2017-03-09.

Use of silage of corn with brown medium rib for beef cattle for replacement of corn

Номер патента: RU2567026C2. Автор: Карл Э. Мл. НЕСТОР. Владелец: Агридженетикс, Инк.. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of producing composite 3d frame for replacement of bone-cartilage defects

Номер патента: RU2606041C2. Автор: Владимир Сергеевич Комлев,Сергей Миронович Баринов,Юлия Борисовна Тютькова,Наталья Сергеевна Сергеева,Александр Юрьевич Федотов,Анастасия Юрьевна Тетерина,Ирина Константиновна Свиридова,Валентина Александровна Кирсанова,Юрий Валерьевич Зобков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2017-01-10.

Electrodes comprising conductive perovskite-seed layers for perovskite dielectrics

Номер патента: US5626906A. Автор: Howard R. Beratan,Scott R. Summerfelt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Material comprising a stack of thin layers for thermal insulation and aesthetic properties

Номер патента: EP4263457A1. Автор: Veronique Rondeau,Soumyadeep Misra,Priyesh DHANDHARIA. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2023-10-25.

Two-Dimensional Magnetic Recording Read Head with TaOx Layer for Flat Middle Shield Topography and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240153533A1. Автор: Guanxiong Li,Ming Mao,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for replacing a bathtub with a shower platform

Номер патента: EP2255707B1. Автор: Elio Ruggiero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-16.

Method and system for replacing air filter

Номер патента: US20160245545A1. Автор: Joseph W. Cole. Владелец: JPL Investments LLC. Дата публикации: 2016-08-25.

Liquid crystal display device having a patterned dielectric layer

Номер патента: US20070040967A1. Автор: Young-Nam Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Device for replacing pocket door track

Номер патента: US9399280B2. Автор: Patrick Grady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Method and device for replacing sleeves lining nuclear reactor pressure vessel tubes from the lower end

Номер патента: ZA202200963B. Автор: Ryan Stephen Melcher,Joseph Gallagher Baier,James Andrew Spencer. Владелец: Framatome Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for replacing a chemical injection valve connected to a well head via an injection line housing and injection line plugging tool

Номер патента: EP3807494A1. Автор: Espen Hiorth. Владелец: Interwell Norway AS. Дата публикации: 2021-04-21.

Liquid crystal display device having a patterned dielectric layer

Номер патента: WO2004055587A1. Автор: Young-Nam Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for replacing cocoa or peanuts in food

Номер патента: WO2021091378A1. Автор: Paul-Alexander Peter Marie MANS. Владелец: Mans Paul Alexander Peter Marie. Дата публикации: 2021-05-14.

Delivering device of liquids from water crocks equipped with a system or kit for replacing water crocks with vessels of the "bag-in-box" type for their delivery

Номер патента: US20180273371A1. Автор: Diego Nini. Владелец: Vitop Moulding SRL. Дата публикации: 2018-09-27.

Surgical grafts for replacing the nipple and areola or damaged epidermis

Номер патента: US20180015204A1. Автор: Nicholas C. PASHOS,Bruce A. Bunnell. Владелец: The Administrators of the Tulane Educational Fund. Дата публикации: 2018-01-18.

Surgical grafts for replacing the nipple and areola or damaged epidermis

Номер патента: EP3212247A1. Автор: Nicholas C. PASHOS,Bruce A. Bunnell. Владелец: Tulane University. Дата публикации: 2017-09-06.

Surgical grafts for replacing the nipple and areola or damaged epidermis

Номер патента: US20210015971A1. Автор: Nicholas C. PASHOS,Bruce A. Bunnell. Владелец: Tulane University. Дата публикации: 2021-01-21.

Blow mold unit, blow molding machine and method for replacing blow mold unit

Номер патента: US20140291877A1. Автор: Junji Takahashi. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Coupling device for replacement of gear box of electric torque wrench

Номер патента: US20240100665A1. Автор: Keum Joon PARK. Владелец: Bolting Master. Дата публикации: 2024-03-28.

Bulletproof window, casement therefor, and method for replacing and containing bulletproof glass

Номер патента: US20070018481A1. Автор: Joseph Schmucker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for replacing cocoa or peanuts in food

Номер патента: EP4054345A1. Автор: Paul-Alexander Peter Marie MANS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-14.

Apparatus for replacing welding tip of welder and apparatus for supplying same

Номер патента: US20200016681A1. Автор: Kwang-Sul CHOI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatus for replacing welding tip of welder and apparatus for supplying same

Номер патента: US20200038988A1. Автор: Kwang-Sul CHOI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for replacing welding tip of welder and apparatus for supplying same

Номер патента: US20200016682A1. Автор: Kwang-Sul CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Hydrogel-based prosthetic device for replacing at least a part of the nucleus of a spinal disc

Номер патента: EP1583490A1. Автор: Vladimir A. Stoy. Владелец: Replication Medical Inc. Дата публикации: 2005-10-12.

Environmentally friendly system for replacing fluid in fluid-sumps

Номер патента: WO2011045793A8. Автор: Nechemya Lotan. Владелец: Lotan, Shira. Дата публикации: 2011-06-30.

Aperture unit and exposure system including the same, and method for replacing apertures of the aperture unit

Номер патента: US20080068579A1. Автор: Dong-Kyeng HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Process for replacing a motor-vehicle convertible top

Номер патента: US20050204532A1. Автор: Rosendo Camacho,Mark Randolph Robbins. Владелец: Robbins Auto Top Co. Дата публикации: 2005-09-22.

Process for replacing a motor-vehicle convertible top

Номер патента: US20050204531A1. Автор: Mark Robbins,Rosendo Camacho. Владелец: Robbins Auto Top Co. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for replacing battery

Номер патента: US20240253516A1. Автор: Shintaro IWAASA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for replacing a watercraft battery

Номер патента: US12110087B1. Автор: George Broughton,James Macier. Владелец: Brp Marine Us Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

A method for replacement of forged automotive wheel with gfr sheet moulding compound material

Номер патента: AU2021106042A4. Автор: Sathish S.,Seralathan S.,Hariram V.. Владелец: Hindustan Institute of Technology and Science. Дата публикации: 2021-12-09.

Method and device for replacing the printing roller of a printing unit of a printing machine

Номер патента: US09840074B2. Автор: Massimo Bastici,Giacomo Maccalli,Federico D'Annunzio,Mauro MACCALLI. Владелец: Bobst Firenze SRL. Дата публикации: 2017-12-12.

MRT-compatible valve prosthesis for use in the human or animal body for replacement of an organ valve or a vessel valve

Номер патента: US09737402B2. Автор: Andreas Melzer,Erwin Immel. Владелец: Vueklar Cardiovascular Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Retrofit system and method for replacing linear fluorescent lamp with LED modules

Номер патента: US09702531B2. Автор: Aaron Gorman,Gray Lankford. Владелец: GENERAL LED Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Valve prosthesis for replacing an atrioventricular valve of the heart with anchoring element

Номер патента: US09687342B2. Автор: Hans Reiner Figulla,Alexander Lauten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

MRT-compatible valve prosthesis for use in the human or animal body for replacement of an organ valve or a vessel valve

Номер патента: US09668862B2. Автор: Andreas Melzer,Erwin Immel. Владелец: Vueklar Cardiovascular Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Implant for replacement of jaw defects after ablation of radicular cysts

Номер патента: RU2612123C1. Автор: Владимир Павлович Василюк,Галина Ивановна Штраубе,Виктор Алексеевич Четвертных,Полина Николаевна Килина,Светлана Андреевна Кочержук. Владелец: государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный медицинский университет имени академика Е.А. Вагнера" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-03-02.

Method and apparatus for replacing a damaged spinal disc

Номер патента: EP1703869A4. Автор: Edward C Benzel,Lee Strnad,Isador H Lieberman,James M Kuras,Raymond S Ross,Charles F Birchall Jr,Keith Duke,Kari Zimmers. Владелец: Axiomed Spine Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Grinding installation and method for replacing a grinding disk

Номер патента: CA2895291C. Автор: Hans-Jurgen Multhammer. Владелец: ASIS GMBH. Дата публикации: 2018-01-23.

Device and method for replacing rope carriers on dryer rolls of paper making machines

Номер патента: US4267631A. Автор: Verlin R. Chase. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-05-19.

System for replacing tools of a press brake

Номер патента: WO2022137153A1. Автор: Stefano Raimondi. Владелец: Exon S.R.L.. Дата публикации: 2022-06-30.

Apparatus and method for replacing a cardiac valve

Номер патента: WO2007006057A1. Автор: Kiyotaka Fukamachi. Владелец: THE CLEVELAND CLINIC FOUNDATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Dental prosthesis with multi-section infrastructure and method for replacement of teeth

Номер патента: CA2293655C. Автор: Howard B. Marshall. Владелец: ORO-HEALTH INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

Device for replacing front suspension components in a vehicle

Номер патента: US4490897A. Автор: Alf M. Forre. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-01-01.

Method for replacing keyboard data using single step process mode

Номер патента: US5121472A. Автор: Sherif Danish,John C. Doering,Kris Kimbrough. Владелец: Polytel Computer Products Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Fixture and method for replacing motor vehicle axle brake spiders

Номер патента: CA2534714C. Автор: James L. Ebert. Владелец: Precision Machining Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Process for replacing anions or organic cationic salts

Номер патента: US4524204A. Автор: Karl H. Drexhage. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1985-06-18.

System and method for replacing an inflamed or infected heart valve

Номер патента: CA2961837C. Автор: Hans Reiner Figulla,Alexander Lauten. Владелец: Devie Medical GmbH. Дата публикации: 2022-02-22.

System for replacing tools of a press brake

Номер патента: EP4267321A1. Автор: Stefano Raimondi. Владелец: Exon Srl. Дата публикации: 2023-11-01.

Method And Apparatus For Replacing A Tendon Flex Bearing On A Tension Leg Platform

Номер патента: US20160214686A1. Автор: Kent Davies,Robert Kipp. Владелец: SEAHORSE EQUIPMENT CORP. Дата публикации: 2016-07-28.

Steerable delivery system for replacement mitral valve and methods of use

Номер патента: CA3098226A1. Автор: Glen T. Rabito,Alexander H. Cooper,Arshad Quadri,Julio Cesar SANCHEZ,David Robert Landon,Brent J. Ratz,Kevin M. Stewart,Patrick Chow. Владелец: Edwards Lifesciences CardiAQ LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Drop-in signal accumulator piston kit and method for replacing an original equipment signal accumulator piston

Номер патента: US11933326B2. Автор: Maura J. Stafford. Владелец: Sonnax Transmission Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Prosthetic Tissue Valves and Methods for Replacing Native Atrioventricular Valves with Same

Номер патента: US20190083257A1. Автор: Robert G Matheny. Владелец: Cormatrix Cardiovascular Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method and equipment for replacing wind turbine components

Номер патента: US11808250B2. Автор: Emmanuel GARCÍA DE LA PEÑA. Владелец: Leunamme Engineering SLU. Дата публикации: 2023-11-07.

System and Method For Replacing a Return Air Filter

Номер патента: US20130199142A1. Автор: Jack R. Kerr, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-08.

Method and device for replacing damaged pipes buried in the ground

Номер патента: AU8155587A. Автор: Ronnie Persson,Bengt Mattsson,Krister Carlsson. Владелец: MALVA I MALMO UTVECKLINGS AB. Дата публикации: 1988-05-25.

Locking device for replacing a liner in a thermos

Номер патента: US20210206534A1. Автор: Chun-Ming Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-08.

System and method for replacing data in a cache

Номер патента: US8239631B2. Автор: Johan Gerard Willem Maria Janssen,Jan-Willem Van De Waerdt,Maurice Penners. Владелец: Entropic Communications LLC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method and apparatus for replacing a tendon flex bearing on a tension leg platform

Номер патента: EP3250449A1. Автор: Kent Davies,Robert Kipp. Владелец: Single Buoy Moorings Inc. Дата публикации: 2017-12-06.

Method and apparatus for replacing a tendon flex bearing on a tension leg platform

Номер патента: MY193622A. Автор: Kent Davies,Robert Kipp. Владелец: Single Buoy Moorings. Дата публикации: 2022-10-20.

Use of seaweed polysaccharides for replacing antibiotics in daily ration of weaned piglet

Номер патента: AU2020102736A4. Автор: Jin Yang,Xiaobo Guo,Zirui Wang,Jinming YOU. Владелец: Jiangxi Agricultural University. Дата публикации: 2020-12-03.

Tool and method for replacing escalator drive spindle

Номер патента: US20220048144A1. Автор: XIANG Gao,Tao Huang,Yongsheng Wang. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2022-02-17.

Tool and method for replacing escalator drive spindle

Номер патента: EP3912762A1. Автор: XIANG Gao,Tao Huang,Yongsheng Wang. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2021-11-24.

Fragrance atomization and diffusion device convenient for replacing a fragrance liquid container

Номер патента: US11633754B2. Автор: Qing Wang. Владелец: Hangzhou Chisong Optoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Fragrance atomization and diffusion device convenient for replacing a fragrance liquid container

Номер патента: EP4026570A1. Автор: Qing Wang. Владелец: Hangzhou Chisong Optoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Touch panel using a dielectric layer to adjust colors of an active area and a peripheral area

Номер патента: US09733773B2. Автор: I-An Yao,Bo-Yu Chen,jian-hua Luo,Cho-Hao YANG,Jia-Hsin LI. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Coated article with low-emissivity coating having barrier layer system(s) including multiple dielectric layers, and/or methods of making same

Номер патента: RU2609269C2. Автор: Херберт ЛАГЕ,Жозе ФЕРРЕЙРА,Пьер ПАЛЛОТТА. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик С.А. (С.Р.В.С.). Дата публикации: 2017-02-01.

Coding for quad-level memory cells having a replacement gate configuration

Номер патента: US20240045611A1. Автор: Curtis Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

A device and method for measuring thickness of a dielectric layers on a metal surface

Номер патента: WO2022079669A1. Автор: Tomasz Skotnicki,Wojciech Knap,Valeri MIKHNEV. Владелец: INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK. Дата публикации: 2022-04-21.

Optical modulator, imaging device and display apparatus including a dielectric layer and an electrode comprising graphene

Номер патента: US09846317B2. Автор: Keisuke Shimizu,Kyoko Izuha,Koji Kadono,Masashi Bando,Nozomi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Device for determining economically and technologically optimum time moments for replacing feeding regime for animals or birds with regine for metered limited feeding thereof

Номер патента: RU2605071C2. Автор: Александр Владимирович Дубровин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for ophthalmic devices including gradiently-ordered shaped liquid crystal layers and dielectric layers

Номер патента: RU2604571C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Фредерик А. ФЛИТШ,Рэндалл Брэкстон ПЬЮ,СИО Лучиано ДЕ,Правин ПАНДОДЖИРАО-С,Светлана СЕРАК,Нельсон В. ТЕБИРИАН,Олена УСКОВА. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-12-10.

Method for replacement of upper jaw defects

Номер патента: RU2750128C1. Автор: Игорь Александрович Задеренко,Ирина Владиславовна Орлова,Севил Багатуровна Алиева,Азер Алмрамиз Оглы Ахундов,Мирболот Бектемирович Бектимиров,Александр Эркинович Казимов,Мерген Тувакклычевич Бердыклычев,Бэла Газраиловна Пхешхова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр онкологии имени Н.Н. Блохина" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ онкологии им. Н.Н. Блохина" Минздрава России). Дата публикации: 2021-06-22.

Mrt-compatible valve prosthesis for use in the human or animal body for replacement of an organ valve or a vessel valve

Номер патента: CA2621938C. Автор: Andreas Melzer,Erwin Immel. Владелец: Vueklar Cardiovascular Ltd. Дата публикации: 2014-02-11.

Ink jet apparatus adapted to display state of use or time for replacement of cartridge and control method for same

Номер патента: US20040113974A1. Автор: Yoshiyuki Shimamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Apparatus and method for replacing a diseased cardiac valve

Номер патента: CA2760461C. Автор: Qun Zhou,Jose Luis Navia,Ji-Feng Chen. Владелец: CLEVELAND CLINIC FOUNDATION. Дата публикации: 2014-10-07.

Method and device for replacing a first, nearly empty reel of strip material with a second, new reel

Номер патента: US4415127A. Автор: Enzo Seragnoli. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 1983-11-15.

Method for replacing tubes in a header or drum

Номер патента: CA1242311A. Автор: Thomas Shilot,Ralph E. Spada. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1988-09-27.

Apparatus for replacing rotating mandrels on which a web is wound

Номер патента: CA1114348A. Автор: William R. Mengel. Владелец: Magnat Corp. Дата публикации: 1981-12-15.

Modular prosthesis and use thereof for replacing a radial head

Номер патента: US20110144759A1. Автор: Russell M. Parrott,Brian K. Berelsman,Thomas J. Graham,Christopher H. Martin,Donald H. Lee. Владелец: Biomet Manufacturing LLC. Дата публикации: 2011-06-16.

Apparatus for replacing existing light emitting device and method for installation without modification to existing equipment.

Номер патента: US20090180291A1. Автор: Fai Koi Tam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Device for replacing pouring tubes

Номер патента: US4220271A. Автор: Stanislav Szadkowski. Владелец: Vesuvius International Corp. Дата публикации: 1980-09-02.

An elastomeric mesh hinge primarily for replacement of the finger joints

Номер патента: US4313232A. Автор: Mutaz B. Habal,Donald L. Leake. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-02-02.

A work train for replacing old sleepers of a track with new sleepers

Номер патента: CA2128456C. Автор: Josef Theurer,Herbert Worgotter. Владелец: Franz Plasser Bahnbaumaschinen Industrie GmbH. Дата публикации: 1999-04-27.

Implant material for replacing hard tissue of living body

Номер патента: US5013323A. Автор: Masahiro Kobayashi,Mikiya Ono,Shigeo Niwa,Yoshikatsu Kuroki,Hideo Tagai. Владелец: Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-07.

Method and apparatus for replacing bop with gate valve

Номер патента: CA2450815C. Автор: Alagarsamy Sundararajan. Владелец: Worldwide Oilfield Machine Inc. Дата публикации: 2008-03-11.

Apparatus for replacing rotating mandrels on which a web is wound

Номер патента: US4204650A. Автор: William R. Mengel. Владелец: Magnat Corp. Дата публикации: 1980-05-27.

Apparatus for replacing a trunnion bracket spindle

Номер патента: US4704780A. Автор: Darcel R. Moffett. Владелец: JUDY S WALKING BEAM SERVICE Inc. Дата публикации: 1987-11-10.

Apparatus and method for replacing internal components in a nuclear reactor

Номер патента: US5864594A. Автор: Leonard J. Balog,Ronald J. Hopkins,Arthur W. Kramer,Donald G. Sherwood,Bruce W. Bevilacqua. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-26.

Method and apparatus for replacing bop with gate valve

Номер патента: WO2003014604A3. Автор: Alagarsamy Sundararajan. Владелец: Worldwide Oilfield Machine Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

System for replacing decorative furniture panels

Номер патента: US6658677B2. Автор: STEWART Paul. Владелец: P J Kids LLC. Дата публикации: 2003-12-09.

Apparatus for replacing or changing a shaving blade secured to a blade holder of an ice resurfacing machine

Номер патента: CA2785443C. Автор: Michael Hoffmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-12.

Method for replacing a generator frame of a wind turbine

Номер патента: EP3431756A1. Автор: Richard Jenkins,Jonathan Paul Signore,Michael Royce Johnson,Gregory Clarence Thomas,Hunter Ryan Anderson,Michael Frederick SANDER,Michael GARRY,Nicolas Joseph Cleveland,Arianna ABRAM. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-01-23.

Apparatus for replacing photosensitive belt, method of communicating information concerning photosensitive belt, and printer employing the same

Номер патента: US6623196B1. Автор: Beom-ro Lee,Kyu-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-23.

Process for replacing an initial outermost coating layer of a coated optical lens by or depositing thereon a different coating layer

Номер патента: CA2529321C. Автор: Gerald Fournand,Agnes Jallouli. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2009-08-18.

Optical element having dielectric layers formed by ion-assisted deposition and method for fabricating the same

Номер патента: US11231533B2. Автор: Chang-Wei Chen,Chen-Yi Wu,Chih-Yu Chen. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Apparatus and method for replacing a diseased cardiac valve

Номер патента: CA2767035C. Автор: Jose L. Navia,Ji-Feng Chen,Shengqiang Gao,Brian L. Davis,Samantha Stucke. Владелец: CLEVELAND CLINIC FOUNDATION. Дата публикации: 2015-07-21.

Apparatus for replacing rotating mandrels on which a web is wound

Номер патента: CA1109442A. Автор: William R. Mengel. Владелец: Magnat Corp. Дата публикации: 1981-09-22.

Method of and means for replacing corrugating rolls in a single facer

Номер патента: US4629526A. Автор: Kousaku Kanda. Владелец: Isowa Industry Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-16.

Method for replacing a currently operating data replication engine with a new data replication engine without application downtime and while preserving target database consistency

Номер патента: US10303699B1. Автор: Bruce D. Holenstein,Paul J. Holenstein,John R. Hoffmann,Wilbur H. Highleyman. Владелец: Gravic Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

System and methods for replacing software application classes using transparent object adapters

Номер патента: US20090210865A1. Автор: Petko Popov,Michael Sielian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Exchange device for replacing transport belts in a web producing machine

Номер патента: US5823462A. Автор: Anton Schmitt. Владелец: Voith Sulzer Papiermaschinen GmbH. Дата публикации: 1998-10-20.

Use of enzyme for replacing whiteness-maintaining agent in a cleaning composition

Номер патента: WO2024061317A1. Автор: Chaoyang YU,Iasminy Da Silva BRASIL,Mirko IUBATTI. Владелец: NOVOZYMES A/S. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for replacing a cesium trap and cesium trap assembly thereof

Номер патента: US11842819B2. Автор: Robert A. Corbin,John E. TRUAX. Владелец: TerraPower LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Assembly for replacing a heart valve or coronary angioplasty assembly including a delivery catheter with or without introducer

Номер патента: US11911271B2. Автор: Benjamin FAURIE. Владелец: Electroducer SAS. Дата публикации: 2024-02-27.

Water Pump For Marine Engine Having Tool For Replacing Impeller

Номер патента: US20190271308A1. Автор: Kevin J. Kimball,Jason C. Stimmel. Владелец: INDMAR PRODUCTS CO Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Apparatus for replacing welding tip of welder and apparatus for supplying same

Номер патента: US11883899B2. Автор: Kwang-Sul CHOI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-30.

Percutaneous prosthetic device for replacing a mitral valve

Номер патента: EP3937851A1. Автор: Keysun ALIZADEHRANJBAR. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for replacing an exhaust aftertreatment component

Номер патента: US11753982B2. Автор: Gert-Ove WAHLSTRÖM. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for replacement of underground pipe

Номер патента: EP1540219A2. Автор: Steven W. Wentworth,Robert F. Crane,Mark D. Randa. Владелец: Earth Tool Co LLC. Дата публикации: 2005-06-15.

Method and apparatus for replacement of underground pipe

Номер патента: EP1540219A4. Автор: Steven W Wentworth,Robert F Crane,Mark D Randa. Владелец: Earth Tool Co LLC. Дата публикации: 2006-04-26.

Spatially variable dielectric layers for digital microfluidics

Номер патента: US20210220830A1. Автор: David ZHITOMIRSKY,Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Arrangement in traffic sign for replacing plate part

Номер патента: CA3180065A1. Автор: Jouni Hanninen. Владелец: Innotrafik Oy. Дата публикации: 2021-10-21.

Omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers

Номер патента: US11796724B2. Автор: Debasish Banerjee,Masahiko Ishii,Minjuan Zhang. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for replacing a spent catalyst of a reactor train of an operating hydroprocessing system

Номер патента: US20230398533A1. Автор: Edmundo Steven Van Doesburg,Coen Bernhard HODES. Владелец: Shell USA Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Delivering device of liquids from water crocks equipped with a system or kit for replacing water crocks with vessels of the "bag-in-box" type for their delivery

Номер патента: EP3215455A1. Автор: Diego Nini. Владелец: Vitop Moulding SRL. Дата публикации: 2017-09-13.

Prosthesis for replacing joint in a human hand or foot

Номер патента: US20180250139A1. Автор: Avraham Shekalim,Shmuel Luboshitz. Владелец: Cmc Sert Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Prosthesis for replacing joint in a human hand or foot

Номер патента: EP3344193A1. Автор: Avraham Shekalim,Shmuel Luboshitz. Владелец: Cmc Sert Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

System and method for replacing resist filter to reduce resist filter-induced wafer defects

Номер патента: US20140054212A1. Автор: Yao-Hwan Kao,Po-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Apparatus for replacing printing sleeves

Номер патента: EP4316847A1. Автор: Alessandro Bicego,Claudio SEMPERBONI,Stefano MEZZALANA. Владелец: Uteco SpA Flexo and Converting Machinery. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and system for replacing an air filter

Номер патента: US20170151526A1. Автор: Joseph W. Cole. Владелец: JPL Investments LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Assembling structure for replaceable assembling lamp to image output device

Номер патента: US20050099816A1. Автор: Chang-Chien Li,Wen-Chung Ho,Chih-Kang Peng,Li-Kuan Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Method and system for replacing air filter

Номер патента: US20150096271A1. Автор: Joseph W. Cole. Владелец: JPL Investments LLC. Дата публикации: 2015-04-09.

Method and system for replacing air filter

Номер патента: US20160039058A1. Автор: Joseph W. Cole. Владелец: JPL Investments LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Arrangement in traffic sign for replacing plate part

Номер патента: EP4136292A1. Автор: Jouni Hanninen. Владелец: Innotrafik Oy. Дата публикации: 2023-02-22.

Arrangement in traffic sign for replacing plate part

Номер патента: US20230358001A1. Автор: Jouni Hanninen. Владелец: Innotrafik Oy. Дата публикации: 2023-11-09.

Arrangement in traffic sign for replacing plate part

Номер патента: WO2021209685A1. Автор: Jouni Hanninen. Владелец: Innotrafik Oy. Дата публикации: 2021-10-21.

Assembly for replacing a heart valve or coronary angioplasty assembly including a delivery catheter with or without introducer

Номер патента: US20240189102A1. Автор: Benjamin FAURIE. Владелец: Benjamin FAURIE. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for replacing a bathtub with a shower platform

Номер патента: EP2255707A3. Автор: Elio Ruggiero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-06.

Compositions for replacing chemical surfactants

Номер патента: EP3959329A1. Автор: Sean Farmer,Ken Alibek,Sergey KRAVTSOV. Владелец: Locus IP Co LLC. Дата публикации: 2022-03-02.

Compositions for replacing chemical surfactants

Номер патента: CA3136067A1. Автор: Sean Farmer,Ken Alibek,Sergey KRAVTSOV. Владелец: Locus IP Co LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Compositions for replacing chemical surfactants

Номер патента: AU2021236048A1. Автор: Sean Farmer,Ken Alibek,Sergey KRAVTSOV. Владелец: Locus IP Co LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for replacing the drilling segments of a drill bit, and cutting section for a drill bit

Номер патента: US20240051069A1. Автор: Jozsef Szabo,Quentin Furnemont,Matthaeus Hoop. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Test system and test method for replacing natural gas hydrate with carbon dioxide

Номер патента: US20230408482A1. Автор: XIAO Li,Zhaobin Zhang,Jianming He,Shouding Li. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatus for replacing printing sleeves

Номер патента: CA3207569A1. Автор: Alessandro Bicego,Claudio SEMPERBONI,Stefano MEZZALANA. Владелец: Uteco SpA Flexo and Converting Machinery. Дата публикации: 2024-02-04.

Apparatus for replacing full cloth roll on weaving machine with empty cloth roll

Номер патента: US5309948A. Автор: Hideki Banba. Владелец: Tsudakoma Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-10.

Methods for replacing dysfunctional heart valves

Номер патента: US12029645B2. Автор: Robert G Matheny. Владелец: Cormatrix Cardiovascular Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Electrostatic imaging sheet having a dielectric layer containing smectite clay

Номер патента: CA1128805A. Автор: Adrian N. Fellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-08-03.

Low emissivity glass comprising dielectric layer and method for producing the same

Номер патента: WO2011037365A2. Автор: Youn Ki Jun,Il Joon Bae. Владелец: LG HAUSYS, LTD.. Дата публикации: 2011-03-31.

DIVOT-FREE PLANARIZATION DIELECTRIC LAYER FOR REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20130292746A1. Автор: Mehta Sanjay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-07.

DIVOT-FREE PLANARIZATION DIELECTRIC LAYER FOR REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20130221413A1. Автор: Mehta Sanjay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.