Semiconductor chip including low-k dielectric layer.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US20230230915A1
Опубликовано: 20-07-2023
Автор(ы): Junghoon Han, Junyong NOH, Minjung Choi, Yeonjin Lee, Yunrae Cho
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Composite manganese nitride/low-K dielectric cap

Номер патента: US09711456B2. Автор: Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by ild posts

Номер патента: EP1405337A2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-07.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US20170309513A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Curing Low-k Dielectrics for Improving Mechanical Strength

Номер патента: US20090250792A1. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Interconnect with high quality ultra-low-k dielectric

Номер патента: US20200258776A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Mechanically robust interconnect for low-k dielectric material using post treatment

Номер патента: US20060073416A1. Автор: Jun He,Jihperng Leu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Etching-damage-free intermetal dielectric layer with thermal dissipation feature

Номер патента: US20240087980A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Ming-Hsien Lin,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen-Ju Wu,Yen-Pin HSU,Li-Ling SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Anisotropic material damage process for etching low-K dielectric materials

Номер патента: US09583380B2. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Anisotropic material damage process for etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20170125288A1. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180308801A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200335449A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359412A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

A method of forming a contactless opening and a trench in a low-k dielectric layer

Номер патента: DE102008016424B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg,Michael Grillberger. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

Method of forming chip type low-k dielectric layer

Номер патента: TW200631129A. Автор: Kuan-Jui Huang,Shu-Hua Hu,Shih-Min Huang,Chin-Chang Pan. Владелец: Touch Micro System Tech. Дата публикации: 2006-09-01.

Structure and Method for a Low-K Dielectric With Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20230369228A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Low-k dielectric pore sealant and metal-diffusion barrier formed by doping and method for forming the same

Номер патента: US20160148870A1. Автор: Mark Rodder,Jorge Kittl,Ganesh Hegde,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Interconnect with high quality ultra-low-k dielectric

Номер патента: US20200258776A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

COMPOSITE MANGANESE NITRIDE / LOW-K DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20170317032A1. Автор: Nogami Takeshi,Nguyen Son V.,Canaperi Donald F.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Low-k dielectric process for multilevel interconnection using microcavity engineering during electric circuit manufacture

Номер патента: US20060084262A1. Автор: SHU QIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Porous low-k dielectric interconnect structures

Номер патента: AU2002361679A8. Автор: Kelly Malone,Jeffrey C Hedrick,Kang-Wook Lee,Christy S Tyberg,Ann R Fornof. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-09.

METHOD FOR IMPROVING ADHESION BETWEEN POROUS LOW K DIELECTRIC AND BARRIER LAYER

Номер патента: US20160049328A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

PORE SEALING TECHNIQUES FOR POROUS LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT

Номер патента: US20150091172A1. Автор: Lee Tze-Liang,Ko Chung-Chi,Hsu Kuang-Yuan,Lee Chun-Yi,HUANG Pei-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

Anisotropic material damage process for etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20170125288A1. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Structure and Method for a Low-K Dielectric with Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20140264896A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

COMPOSITE MANGANESE NITRIDE / LOW-K DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20170179034A1. Автор: Nogami Takeshi,Nguyen Son V.,Canaperi Donald F.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Structure and Method for a Low-K Dielectric with Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20160225716A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Dual damascene arrangements for metal interconnection with low k dielectric constant materials and nitride middle etch stop layer

Номер патента: US6291887B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

LOW k DIELECTRIC CVD FILM FORMATION PROCESS WITH IN-SITU IMBEDDED NANOLAYERS TO IMPROVE MECHANICAL PROPERTIES

Номер патента: US20060202311A1. Автор: Son Nguyen,Sarah Lane,Darryl Restaino,Eric Liniger,Kensaku Ida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Low k dielectric CVD film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties

Номер патента: US7998880B2. Автор: Son V. Nguyen,Darryl D. Restaino,Kensaku Ida,Sarah L. Lane,Eric G. Liniger. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Curing low-k dielectrics for improving mechanical strength

Номер патента: US8853858B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Method of making a semiconductor device having a low k dielectric

Номер патента: US20050130405A1. Автор: Michael Turner,Gregory Spencer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-06-16.

Low k dielectric cvd film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties

Номер патента: CN101138085A. Автор: 宋·V.·恩古彦,萨拉赫·L.·雷恩,埃里克·G.·里尼格尔,井田健作,达里尔·D.·雷斯塔诺. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-03-05.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Interconnect system with improved low-K dielectrics

Номер патента: US12080547B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect system with improved low-k dielectrics

Номер патента: US20240363336A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self Forming Metal Fluoride Barriers for Fluorinated Low-K Dielectrics

Номер патента: US20100244252A1. Автор: Florian Gstrein,Christopher J. Jezewski,Daniel J. Zierath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20180261563A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor chip having a through electrode and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US20240321794A1. Автор: Jeonggi Jin,Unbyoung Kang,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Heewon Kim,Gyuho KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: EP3953964A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US11742289B2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US20200328155A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Stabilization of fluorine-containing low-k dielectrics in a metal/insulator wiring structure by ultraviolet irradiation

Номер патента: US20020185741A1. Автор: Sampath Purushothaman,Alfred Grill,Katherine Saenger,Stephen Cohen,Katherina Babich,Vishnubhai Patel,Alessandro Calleqari,Christophr Jahnes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips

Номер патента: US09653508B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices including low-k metal gate isolation and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12009259B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and materials for integration of fluorine-containing low-k dielectrics

Номер патента: TW426962B. Автор: Alfred Grill,Vishnubhai Vitthalbhai Patel,Christopher Vincent Jahnes,Katherine Lynn Saenger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-03-21.

Interconnection structures for semiconductor devices and fabrication methods of forming interconnection structures for semiconductor devices utilizing to-be-etched layer made of porous low-K dielectric material and a first hard mask layer made of nitrogen-doped silicon oxycarbide (SiOC(N))

Номер патента: US20150035152A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International ( Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2015-02-05.

Power semiconductor device with low-k dielectric gap between adjacent metal contacts

Номер патента: CN115579350A. Автор: R·哈斯,A·布拉扎乐,H·奈克,S·利奥曼. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-01-06.

Porous low-k dielectric interconnect structures

Номер патента: KR100581815B1. Автор: 이강욱,포르노프앤알,헤드릭제프리씨,말론켈리,티버그크리스티에스. Владелец: 인터내셔널 비지니스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2006-05-23.

Mechanically robust interconnect for low-k dielectric material using post treatment

Номер патента: US20040058277A1. Автор: Jun He,Jihperng Leu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Porous low-k dielectric interconnects with improved adhesion produced by partial burnout of surface porogens

Номер патента: US20030111263A1. Автор: Christy Tyberg,Jeffrey Hedrick,Kang-Wook Lee,Ann Fornof. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Porous low-K dielectric interconnect structures

Номер патента: CN100483698C. Автор: 李康旭,安·R·福尔诺夫,杰弗里·C·海德里克,凯利·马罗尼,克里斯蒂·S·迪伯格. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: KR20220169927A. Автор: 로버트 하스,아니타 브래잘,하쉬 네익,실베인 레오만트. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 오스트리아 아게. Дата публикации: 2022-12-28.

Toughness, adhesion and smooth metal lines of porous low k dielectric interconnect structures

Номер патента: US20030114013A1. Автор: Kelly Malone,Christy Tyberg,Jeffrey Hedrick,Kang-Wook Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Die edge seal employing low-K dielectric material

Номер патента: US9406625B2. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Die edge seal employing low-k dielectric material

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating a wiring plane on a semiconductor chip with an antifuse

Номер патента: US6455435B1. Автор: Matthias Lehr,Wolfgang Leiberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20220352128A1. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor chip and method for producing semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096714A1. Автор: Kyungsoo Lee,Junho Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US11784168B2. Автор: Yongwon Choi,Inyoung LEE,Wonkeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Chip including a scribe lane

Номер патента: US20200126932A1. Автор: Jung Ho Choi,Jun Ho Yoon,Yun Hee Kim,Yoon Sung Kim,Byung Moon BAE,Hyun Su SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor chips and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978756B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203833A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234255A1. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor chip including through electrodes, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240297121A1. Автор: Ho Young SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Power distribution networks for semiconductor chip

Номер патента: US20230326854A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Nicholas Anthony Lanzillo,John W. Golz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200312792A1. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor chip

Номер патента: US20220328430A1. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor chip

Номер патента: US11610853B2. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4386834A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Multi component dielectric layer

Номер патента: US20130087923A1. Автор: Alfred Grill,Satyanarayana V. Nitta,Son V. Nguyen,Stephen M. Gates. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

METHODS OF FORMING AN ULTRA-LOW-K DIELECTRIC LAYER AND DIELECTRIC LAYERS FORMED THEREBY

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Han Kyu-hee,KIM Jiyoung,Baek Jongmin,AHN SANGHOON,KANG Yoonhee,Yim Taejin,Oh Hyeoksang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming low-k dielectric layer and structure thereof

Номер патента: KR100796506B1. Автор: 황종택. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-21.

Structure to improve adhesion between top CVD low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: US7402532B2. Автор: Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Yun-Yu Wang,Lawrence A. Clevenger,Derren N. Dunn,Stefanie R. Chiras,Michael W. Lane,Thomas M. Shaw,Philip L. Flaitz,Darryl D. Restaino,James J. Demarest,Chester T. Dziobkowski,James R. Lloyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Structure to improve adhesion between top cvd low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: TW200605300A. Автор: Timothy Dalton,Yun-Yu Wang,Chih Chao Yang,Lawrence A Clevenger,James R Lloyd,Thomas M Shaw,Stefanie R Chiras,James J Demarest,Derren N Dunn,Chester T Dziobkowski,Philip L Flaitz,Michael W Lane,Darryl D Restaino. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-02-01.

Structure to improve adhesion between top CVD low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: US7102232B2. Автор: Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Yun-Yu Wang,Lawrence A. Clevenger,Derren N. Dunn,Stefanie R. Chiras,Michael W. Lane,Thomas M. Shaw,Philip L. Flaitz,Darryl D. Restaino,James J. Demarest,Chester T. Dziobkowski,James R. Lloyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Structure and method for isolating porous low-k dielectric films

Номер патента: TW200305221A. Автор: Steve Lytle,Kurt G Steiner,Scott Jessen,Gerald Gibson,Susan Vitkavage. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2003-10-16.

Dual damascene structure formed of low-k dielectric materials

Номер патента: TWI253713B. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-04-21.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201110228A. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Dong-Kyun Sohn,Lu-Ying Du. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120168203A1. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

LOW-K DIELECTRIC DAMAGE PREVENTION

Номер патента: US20210233809A1. Автор: Hsu Chia-Lin,Lee Chen-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-29.

INTERCONNECT STRUCTURES CONTAINING PATTERNABLE LOW-K DIELECTRICS AND ANTI-REFLECTIVE COATINGS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200219765A1. Автор: Chen Shyng-Tsong,Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-09.

Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low K dielectrics

Номер патента: US20040266183A1. Автор: Charles Poutasse,Anne Miller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Plasma induced depletion of fluorine from surfaces of fluorinated low-k dielectric materials

Номер патента: US20020063312A1. Автор: Ebrahim Andideh,Steven Towle,Lawrence Wong. Владелец: Steven Towle. Дата публикации: 2002-05-30.

Dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials

Номер патента: EP1080495A1. Автор: Bin Zhao,Maureen R. Brongo. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2001-03-07.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: TWI458044B. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Technique for forming copper-containing lines embedded in a low-k dielectric by providing a stiffening layer

Номер патента: WO2006130250A1. Автор: Frank Feustel,Peter Huebler,Frank Koschinsky. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Interconnect structures with patternable low-k dielectrics and method of fabricating same

Номер патента: TW200926292A. Автор: Shyng-Tsong Chen,qing-huang Lin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-16.

Dual damascene structure formed of low-k dielectric materials

Номер патента: TW200534429A. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-10-16.

Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics

Номер патента: US7201784B2. Автор: Charles Poutasse,Anne E. Miller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-04-10.

Technique for forming copper-containing lines embedded in a low-k dielectric by providing a stiffening layer

Номер патента: TW200707641A. Автор: Frank Feustel,Peter Huebler,Frank Koschinsky. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-02-16.

Method of forming dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials

Номер патента: US6627539B1. Автор: Bin Zhao,Maureen R. Brongo. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2003-09-30.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: KR101333306B1. Автор: 라비 프라카쉬 스리바스타바. Владелец: 글로벌파운드리즈 싱가포르 피티이. 엘티디.. Дата публикации: 2013-11-27.

Integrated circuit system with ultra-low K dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: CN102569174B. Автор: R·P·斯里瓦斯塔瓦. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-10.

Hybrid copper/low k dielectric interconnect integration method and device

Номер патента: US20040251549A1. Автор: Kang-Cheng Lin,Tai-Chun Huang,Chih-Hsiang Yao,Chin Hsia,Mong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Interconnect System with Improved Low-K Dielectrics

Номер патента: US20210313174A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Low-k dielectric pore sealant and metal-diffusion barrier formed by doping and method for forming the same

Номер патента: US10510665B2. Автор: Mark Rodder,Jorge Kittl,Ganesh Hegde,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US09768061B1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Damascene process having retained capping layer through metallization for protecting low-k dielectrics

Номер патента: US20080299718A1. Автор: Ping Jiang,Deepak A. Ramappa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014120576A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Chia-Ling Kao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: US20140004717A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: WO2014007924A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-09.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US20180005882A1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor processing system with ultra low-k dielectric

Номер патента: SG144033A1. Автор: HSIA Liang Choo,ZHANG Bei Chao,Yasri Yudhistira,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US09589856B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for tunably repairing low-k dielectric damage

Номер патента: US20110097821A1. Автор: James DeYoung,Stephen M. Sirard,Odette Turmel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Recleaning process for metal plug that minimizes damage to low K dielectric

Номер патента: EP1081750A3. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Barney M. Cohen,Suraj Rengarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Methods for repairing low-k dielectrics using carbon plasma immersion

Номер патента: US09478437B2. Автор: Peter I. Porshnev,Daping Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Low-k dielectric damage prevention

Номер патента: US20220367259A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Chen-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material

Номер патента: US09941151B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-10.

Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material

Номер патента: US6537896B1. Автор: Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: US20110020955A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubres and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: WO2006041793A1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for fabricating low-k dielectric and Cu interconnect

Номер патента: US8354346B2. Автор: Keng-Chu Lin,Tzu-Li Lee,Chih-hao Chen,Ming-Chung Liang,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Compositions of low-K dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US09589789B2. Автор: Travis Savage,Mark L. F. Phillips. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy

Номер патента: US7135402B2. Автор: Tien-I Bao,Keng-Chu Lin,Shwang-Ming Cheng,Ming Ling Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-14.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: SG173321A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-08-29.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: EP2915185A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US20160111275A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11871580B2. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11856765B2. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150155262A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Embedded packages including a multi-layered dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334682A1. Автор: Seung Jee KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: US20180082776A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: EP3513430A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: WO2018052579A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: WO2006100632A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-09-28.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322B1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-01.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322A1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-12-12.

Low damage photoresist strip method for low-k dielectrics

Номер патента: WO2011072042A2. Автор: David Cheung,Ted Li,Kirk Ostrowski,Anirban Guha. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

Low-k dielectric functional imprinting materials

Номер патента: EP1805559A2. Автор: JUN Sung Chun,Frank Y. Xu,Michael P. C. Watts. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2007-07-11.

Semiconductor chip package and method for fabricating the same

Номер патента: US20050253279A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Bi-layer capping of low-k dielectric films

Номер патента: WO2008036810A2. Автор: Christopher Dennis Bencher,Ping Xu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-03-27.

Crackstop and oxygen barrier for low-k dielectric integrated circuits

Номер патента: TW506052B. Автор: I I I Henry A Nye,Vincent J Mcgahay,Kurt A Tallman. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-10-11.

Crackstop and oxygen barrier for low-k dielectric integrated circuits

Номер патента: KR100368088B1. Автор: 나이에헨리에이.3세,맥거헤이빈센트제이.,텔먼커트에이.. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for forming low-k dielectric protection spacer for patterning through substrate vias through a low-k wiring layer and semiconductor die comprising the spacer

Номер патента: KR101610323B1. Автор: 쉬쿤 구,비디야 라마찬드라. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-08.

Semiconductor wafer and its manufacture method, and semiconductor chip

Номер патента: US09685416B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Bond pad for low k dielectric materials and method for manufacture for semiconductor devices

Номер патента: US20120034771A1. Автор: Xian J. Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Extreme low-K dielectric film scheme for advanced interconnects

Номер патента: USRE42514E1. Автор: Chih-Lung Lin,Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Fang-Wen Tsai,Kuan-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor chip fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20200098704A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor chip package device

Номер патента: US20210391239A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Han Kyu-hee,Ahn Sang-hoon,CHOI Seung-hyuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-18.

Self-aligned dual damascene arrangement for metal interconnection with oxide dielectric layer and low k dielectric constant layer

Номер патента: US6207577B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Darrell M. Erb. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with oxide dielectric layer and low K dielectric constant layer

Номер патента: US6380091B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Darrell M. Erb. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-30.

Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion

Номер патента: TW521304B. Автор: Ping Xu,Kegang Huang,Judy L Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-21.

Low-k dielectric layer with overlying adhesion layer

Номер патента: US6939792B1. Автор: Mira Ben-Tzur,Maryam Jahangiri. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization

Номер патента: US09916977B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Jonathan D. Mohn,Nicholas Muga Ndiege. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Method for forming a hydrophilic surface on low-k dielectric insulating layers for improved adhesion

Номер патента: US20040018748A1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Jin-Yiing Song,Hsin-Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Low-K Dielectric Layer and Porogen

Номер патента: US20170148676A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Method for post-CMP conversion of a hydrophobic surface of a low-k dielectric layer to a hydrophilic surface

Номер патента: US20030190816A1. Автор: Mark Buehler,Larry Fredrickson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of fabricating barrier adhesion to low-k dielectric layers in a copper damascene process

Номер патента: US6342448B1. Автор: Chen-Hua Yu,Shau-Lin Shue,Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-01-29.

Method of forming a low-k dielectric layer with improved damage resistance and chemical integrity

Номер патента: US8043959B2. Автор: Keng-Chu Iin,Chia Cheng Chou,Ming-Ling Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Method for forming openings in low-k dielectric layers

Номер патента: US20040063308A1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Lih-Ping Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Low-K dielectric layer and porogen

Номер патента: US9564383B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Use of ta/tan for preventing copper contamination of low-k dielectric layers

Номер патента: US6663787B1. Автор: LU You,Christy Woo,Pin Chin Connie Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-16.

UV treatment for low-k dielectric layer in damascene structure

Номер патента: US7429542B2. Автор: Tien-I Bao,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Method of etching a low-k dielectric layer

Номер патента: US20040121604A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Ching-Fan Wang,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-06-24.

Low-k dielectric layer formed from aluminosilicate precursors

Номер патента: TW200629414A. Автор: Michael Goodner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

SELECTIVE DEPOSITION OF DIELECTRICS ON ULTRA-LOW K DIELECTRICS

Номер патента: US20200135544A1. Автор: Shobha Hosadurga,Wojtecki Rudy J.,De Silva Ekmini A.,Arellano Noel. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of manufacturing a low k dielectric film and manufacturing air-gap using the low k dielectric film

Номер патента: KR101015534B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2011-02-16.

Zeolite—sol gel nano-composite low k dielectric

Номер патента: US7674390B2. Автор: Hai Deng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-09.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubes and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: TW200627546A. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven John Holmes,Koburger, Iii. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-08-01.

Barrier film integrity on porous low k dielectrics by application of a hydrocarbon plasma treatment

Номер патента: US7242098B2. Автор: Thomas Joseph Abell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-07-10.

Low damage photoresist strip method for low-k dielectrics

Номер патента: TWI562225B. Автор: David Cheung,Ted Li,Kirk Ostrowski,Anirban Guha. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-K dielectric

Номер патента: TW473846B. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Suraj Rengarajan,Barney M Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

Dual damascene trench formation to avoid low-k dielectric damage

Номер патента: TW200601450A. Автор: Chao-Cheng Chen,Tsiao-Chen Wu,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

A trench etch process for low-k dielectrics

Номер патента: TW569380B. Автор: S M Reza Sadjadi,Stephan Lassig,David R Pirkle,Sean Kang,SiYi Li. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Dual in-laid integrated circuit structure with selectively positioned low-k dielectric isolation and method of formation

Номер патента: TW386292B. Автор: Thomas Wezel Jeffrey. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Thermal low k dielectrics

Номер патента: US20030170973A1. Автор: Charles May,Derryl Allman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US20120252204A1. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20200006059A1. Автор: Li Chun Te,Tien-I Bao,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

ANISOTROPIC MATERIAL DAMAGE PROCESS FOR ETCHING LOW-K DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20160020140A1. Автор: RYAN Errol Todd. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Magnetic random access memory with permanent photo-patternable low-k dielectric

Номер патента: US20200066792A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Automatically Adjusting Baking Process for Low-k Dielectric Material

Номер патента: US20160086865A1. Автор: Lin Keng-Chu,Chou Chia-Cheng,Ko Chung-Chi,Jeng Shwang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US20160111275A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

LOW DAMAGE LOW-K DIELECTRIC ETCH

Номер патента: US20170178955A1. Автор: Jiang Ping,Farber David Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: US20150287664A1. Автор: Chen Ming-Fa. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Method and product for improved use of low k dielectric material among integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US6444564B1. Автор: Christopher H. Raeder. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-03.

Process and an integrated tool for low k dielectric deposition including a pecvd capping module

Номер патента: US20040020601A1. Автор: Jun Zhao,Sasson Somekh,Farhad Moghadam,Tim Weidman,Rick Roberts,Hari Ponnekanti,Chau Nguyen,Satish Sundar,David Quach. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Self-aligned dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials and nitride middle etch stop layer

Номер патента: US6153514A. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents

Номер патента: WO2005034194A3. Автор: Anil S Bhanap,Teresa A Ramos,Nancy Iwamoto,Roger Y Leung. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Versatile copper-wiring layout design with low-k dielectric integration

Номер патента: US6355563B1. Автор: Lap Chan,Randall Cher Liang Cha,Yeow Kheng Lim,Alex See,Tae Jong Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-03-12.

Method of depositing a low k dielectric with organo silane

Номер патента: US6054379A. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: KR101031682B1. Автор: 후이 왕. Владелец: 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-04-29.

Method of plasma etching low-k dielectric materials

Номер патента: CN1860595A. Автор: S·Y·李,H·H·朱,S·M·R·萨德加蒂,J·V·泰茨,B·A·赫尔莫. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: WO2002050894A2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for removing carbon-rich particles adhered on the exposed copper surface of a copper/low k dielectric dual damascene structure

Номер патента: US20020068435A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Low-k dielectric and processes for forming same

Номер патента: KR102263321B1. Автор: 티엔-아이 바오,치아 쳉 쵸우,포-쳉 시흐,춘 테 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-06-15.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: CN1276499C. Автор: L·D·王. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

An improved barrier layer for a copper metallization layer including a low k dielectric

Номер патента: WO2004040623A2. Автор: Thomas Werner,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage,Massud Aminpur. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-05-13.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: TW201030897A. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-08-16.

Repair of damaged surface areas of sensitive low-K dielectrics of microstructure devices after plasma processing by in situ treatment

Номер патента: US8575041B2. Автор: Daniel Fischer,Matthias Schaller,Thomas Oszinda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of protecting a low-K dielectric material

Номер патента: US6268294B1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Shwangming Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Method of forming a cap layer having anti-reflective characteristics on top of a low-k dielectric

Номер патента: TWI349307B. Автор: Thomas Werner,Frank Mauersberger,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-09-21.

Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition(pecvd)

Номер патента: KR101221582B1. Автор: 강 섭 임,리후아 리 후앙,프란시말 슈미트,리-콴 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-01-14.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: EP1356509B1. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Methods of low-k dielectric and metal process integration

Номер патента: TWI451493B. Автор: Yezdi Dordi,Arthur M Howald. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-09-01.

Methods of low-K dielectric and metal process integration

Номер патента: CN101809716A. Автор: 耶迪·N·道尔迪,阿瑟霍·M·霍瓦德. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-08-18.

Magnetic random access memory with permanent photo-patternable low-K dielectric

Номер патента: US10665636B2. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor devices having low-k dielectric

Номер патента: KR20050030330A. Автор: 김희석,이성해,김진균,안재영,임주완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-30.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: US7807219B2. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Method for forming a hydrophilic surface on low-k dielectric insulating layers for improved adhesion

Номер патента: US6677251B1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Hsin-Hsien Lu,Aaron Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of plasma etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20030024902A1. Автор: SI Li,James Tietz,Helen Zhu,Bryan Helmer,S. Sadjadi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Process for producing a cover layer with antireflective properties on a low-k dielectric

Номер патента: DE10260619B4. Автор: Thomas Werner,Frank Mauersberger,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectrics

Номер патента: JP5449189B2. Автор: デヨン・ジェイムズ. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: CN102549736A. Автор: 林庆煌,D.A.诺伊迈耶. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Chemical treatment of low-k dielectric films

Номер патента: EP1445797B1. Автор: Andrew J. McKerrow,Changming Jin,Patricia B. Smith,Heungsoo Park,Phillip D. Matz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

Vapor treatment for repairing damage of low-k dielectric

Номер патента: US6713382B1. Автор: Suzette K. Pangrle,Lynne A. Okada,Calvin Gabriel,Ecran Adem. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Replacement contact cuts with an encapsulated low-K dielectric

Номер патента: US10256089B2. Автор: Huy Cao,Haigou Huang,Jinsheng Gao,Tai Fong Chao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

Номер патента: US7183195B2. Автор: Kyoung-Woo Lee,Soo-Geun Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Wan-Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-27.

Improve the structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices using a crack-inhibiting material layer

Номер патента: DE102008045035B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2017-11-16.

Dual damascene trench formation to avoid low-k dielectric damage

Номер патента: TWI257129B. Автор: Chao-Cheng Chen,Tsiao-Chen Wu,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-21.

Dual-Layer Integrated Circuit Structure and Formation with Optionally Placed Low-K Dielectric Isolation

Номер патента: KR100564064B1. Автор: 제프리 타머스 윗첼. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2006-07-25.

Plasma treatment to improve adhesion of low k dielectrics

Номер патента: CN1930669A. Автор: 海澈姆·穆萨德,皮特·韦曼·李,利华·李·黄,祖方·黄,迪安·苏格阿托,立群·夏,振江·崔,索云·帕克. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

Номер патента: US20040132291A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Soo-Geun Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Wan-Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-08.

Apparatus and method for low-k dielectric repair

Номер патента: US20110151590A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Kenneth S. Collins,Ellie Y. Yieh,Ajit Balakrishna,Michael D. Armacost,Ezra R. Gold,Hui Sun,Chunlei Zhang,James D. Carducci,Thorsten B. Lill,Hairong Tang,Igor Markovsky,Iwalani S. Kaya. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for protecting porous low-k dielectric post chemical mechanical planarization

Номер патента: US20090142885A1. Автор: Shom Ponoth,Terry A. Spooner,Hosadurga Shobha,Ya Ou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Ultraviolet assisted porogen removal and/or curing processes for forming porous low k dielectrics

Номер патента: US20060024976A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Technique for reducing resist poisoning in forming a metallization layer including a low-k dielectric

Номер патента: US20040121265A1. Автор: Thomas Werner,Christof Streck,Hartmut Ruelke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Low-k dielectric functional imprinting materials

Номер патента: WO2006044690A3. Автор: JUN Sung Chun,Michael P C Watts,Frank Y Xu. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US20110074044A1. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for repairing low-k dielectric damage

Номер патента: TW201123315A. Автор: Kenji Takeshita,Andrew D Bailey Iii,Stephen M Sirard. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-07-01.

A microelectronic structure including a low k dielectric and a method of controlling carbon distribution in the structure

Номер патента: TW201203360A. Автор: Daemian Raj,Bo Xie,Sure Ngo,Alexandros T Demos,Kang-Sub Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Methods of processing low k dielectric films

Номер патента: TW201232660A. Автор: Mehul Naik,Annamalai Lakshmanan,See-Eng Phan,Paul F Ma,Jennifer Shan,zhen-jiang Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US20130052755A1. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

ENHANCEMENT IN UV CURING EFFICIENCY USING OXYGEN-DOPED PURGE FOR ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20130344704A1. Автор: Demos Alexandros T.,Rocha-Alvarez Juan Carlos,Hendrickson Scott A.,Baluja Sanjeev,CHHABRA Mahendra,KIYOHARA Tsutomu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of fabricating an ultra low-k dielectric self-aligned via

Номер патента: US20140024220A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Sean S. Kang,Chih-Yang Chang,Chia-Ling Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT SYSTEMS

Номер патента: US20180005882A1. Автор: Ko Chung-Chi,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

INTERCONNECT SYSTEM WITH IMPROVED LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200043721A1. Автор: Liou Joung-Wei,Chiu Yi-Wei,Ke Yu Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH PERMANENT PHOTO-PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20200066793A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT

Номер патента: US20160093488A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Kamath Sanjay,Thadani Kiran V.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-31.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: US20150111396A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

ADHESION LAYER AND MULTIPHASE ULTRA-LOW k DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20140203336A1. Автор: Son Van Nguyen,Kelly Malone,Alfred Grill,Vishnubhai Vitthalbhai Patel,Hosadurga Shobha,Thomas Jasper Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH PERMANENT PHOTO-PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20190131346A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20210183646A1. Автор: BAO Tien-I,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20190164748A1. Автор: BAO Tien-I,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Embedded memory in back-end-of-line low-k dielectric

Номер патента: US20180286694A1. Автор: Lei Wang,Chim Seng Seet,Kai Hung Alex See. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A METALLIZATION LAYER COMPRISING LOW K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20170301583A1. Автор: Zhang Liping,Baklanov Mikhail. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: US20200335428A1. Автор: Chen Ming-Fa. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

REPLACEMENT CONTACT CUTS WITH AN ENCAPSULATED LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180366324A1. Автор: Huang Haigou,CAO Huy,Gao Jinsheng,Chao Tai Fong. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Low-K Dielectric With Self-Forming Barrier Layer

Номер патента: US20200388532A1. Автор: Yi Ding,Deenesh Padhi,Kang Sub Yim,Bo Xie,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Underlayer liner for copper damascene in low k dielectric

Номер патента: US6417106B1. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-09.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by Cu diffusion barrier structures

Номер патента: US7115995B2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: US20100055903A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: US8030209B2. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-10-04.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A2. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A4. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Silica zeolite low-k dielectric thin films

Номер патента: WO2002007191A2. Автор: Yushan Yan,Huanting Wang,Zhengbao Wang. Владелец: The Regents Of The Universty Of California. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of depositing a low K dielectric with organo silane

Номер патента: US6511909B1. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-28.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: KR100974839B1. Автор: 예히엘고트키스,로드니키스틀러,레오니드롬,테후아린. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2010-08-11.

Methods for fabricating interconnect structures having low K dielectric properties

Номер патента: CN100530571C. Автор: Y·戈特基斯,R·基斯特勒,L·罗姆,林得华. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Carbon containing low-k dielectric constant recovery using uv treatment

Номер патента: KR101425332B1. Автор: 바드리 엔 바라다라잔,케빈 엠 맥러플린,슈라벤디크 바르트 판. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-08-01.

Repair of carbon depletion in low-k dielectric films

Номер патента: CN1741254A. Автор: F·韦伯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-01.

Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films

Номер патента: CN100530564C. Автор: I·贝里,C·沃尔弗里德,O·埃斯科尔恰. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films

Номер патента: KR20070086070A. Автор: 카를로 왈드프라이드,올란도 에스코르시아,이반 베리. Владелец: 액셀리스 테크놀로지스, 인크.. Дата публикации: 2007-08-27.

Method of low-k dielectric film repair

Номер патента: KR101461175B1. Автор: 라리오스 존 엠 데,석민 윤,마크 윌콕슨. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2014-11-18.

Plasma treatment method to increase the adhesion of low-k dielectrics

Номер патента: KR101046467B1. Автор: 리-쿤 시아,첸지앙 쿠이,소현 박,리후아 리 후앙,츠우-팡 후앙,디안 수기아르토,피터 와이-맨 리,히쳄 마사아드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-07-04.

Method of passivating and/or removing contaminants on a low-k dielectric/copper surface

Номер патента: US20030224585A1. Автор: Ting Tsui,Robert Kraft,David Farber,William Dostalik,Andrew McKerrow,Kenneth Newton. Владелец: Newton Kenneth Joseph. Дата публикации: 2003-12-04.

Restoration of a hydrophobic surface of sensitive low-k dielectric materials in microstructure devices

Номер патента: DE102009023378B4. Автор: Daniel Fischer,Matthias Schaller,Thomas Oszinda,Susanne Leppack. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for forming a low-k dielectric structure on a substrate

Номер патента: US6967158B2. Автор: Yuri Solomentsev,Errol Todd Ryan,Matthew S. Angyal,Susan Gee-Young Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-22.

Application of a supercritical CO2 system for curing low k dielectric materials

Номер патента: US6875709B2. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Chun-Hsien Lin,Anthony Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-05.

Method to improve cracking thresholds and mechanical properties of low-k dielectric material

Номер патента: CN1698189A. Автор: 夏立群,李丽华,黄子芳,胡安·C·罗奇阿尔瓦雷斯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Method of degassing low k dielectric for metal deposition

Номер патента: US6436850B1. Автор: Guarionex Morales. Владелец: Guarionex Morales. Дата публикации: 2002-08-20.

Structure and method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics

Номер патента: WO2010079157A1. Автор: Birendra Agarwala,Du Binh Nguygen,Hazara Singh Rathore. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-15.

Surface modification of low-k dielectric materials

Номер патента: WO2009012184A1. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang,Zachary M. Fresco,Anh Duong,Anna Tsimelzon. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Preparation of low-K dielectric interlayer films using Si-containing resists

Номер патента: DE10314152B4. Автор: Zhijian Lu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Method for low-k dielectric etch with reduced damage

Номер патента: CN102365718B. Автор: 程宇,竹下健二,安德鲁·D·贝利三世,兵·纪,埃里克·A·赫德森,里亚姆·莫拉维茨,史蒂芬·M·施瑞德,高贞民,丹尼尔·乐,罗伯特·C·赫夫提,赫拉尔多·A·德尔加迪尼奥,毕-明·殷. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Treatment of low-k dielectric films to enable patterning of deep submicron features

Номер патента: US20020064951A1. Автор: Mona Eissa,Kenneth Brennan,Guoqiang Xing,Hyesook Hong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Providing superior electromigration performance and reducing deterioration of sensitive low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: US8153524B2. Автор: Axel Preusse,Frank Feustel,Oliver Aubel,Joerg Hohage. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US9196551B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: WO2009085098A1. Автор: James DeYoung. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-09.

Improved adhesion between low-k dielectrics and conductive materials

Номер патента: JP2007533171A. Автор: ナガラジャンラジャゴパラン，,メイイーシェク，,アルバートリー，,アンナマライラクシュマナン，,リ‐クンシャ，,ツェンジアンクイ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Improved adhesion between low-k dielectrics and conductive materials

Номер патента: JP4801662B2. Автор: ナガラジャンラジャゴパラン，,メイイーシェク，,アルバートリー，,アンナマライラクシュマナン，,リ‐クンシャ，,ツェンジアンクイ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Method of depositing a low K dielectric with organo silane

Номер патента: US6730593B2. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: KR101074762B1. Автор: 밍-파 첸. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2011-10-19.

Method of forming a low k dielectric in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2005045914A1. Автор: James N. Dougan,Lesley A. Smith. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for low-k dielectric etch with reduced damage

Номер патента: WO2010117964A2. Автор: YU Cheng,Andrew D. Bailey, III,Bing Ji,Bi-Ming Yen,Eric A. Hudson,Gerardo A. Delgadino,Kenji Takeshita,Jungmin Ko,Daniel Le,Stephen M. Sirard,Maryam Moravej,Robert C. Hefty. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-14.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: EP1459373A1. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,Leonid Romm,Te Hua Lin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Low-k dielectric with self-forming barrier layer

Номер патента: WO2020251880A1. Автор: Yi Ding,Deenesh Padhi,Kang Sub Yim,Bo Xie,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-17.

Silica zeolite low-k dielectric thin films and methods for their production

Номер патента: US6573131B2. Автор: Yushan Yan,Huanting Wang,Zhengbao Wang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-06-03.

Dual damascene manufacturing method of porous low-k dielectric material

Номер патента: TW471107B. Автор: Shing-Chuan Tsai,Jr-Hau Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Methods Of Forming Electrically Insulative Materials, Methods Of Forming Low k Dielectric Regions, And Methods Of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20110159685A1. Автор: Alex J. Schrinsky. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: CA2421799A1. Автор: HUI Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Patternable low-K dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US8461039B2. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Ultrasonic spray coating of liquid precursor for low K dielectric coatings

Номер патента: US6583071B1. Автор: Farhad Moghadam,Timothy Weidman,Yunfeng Lu,Michael Barnes,Michael P Nault. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: AU2002360756A1. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,Leonid Romm,Te Hua Lin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Method to improve cracking thresholds and mechanical properties of low-k dielectric material

Номер патента: EP1599898A2. Автор: Li-Qun Xia,Lihua Li,Tzu-Fang Huang,Juan C. Rocha-Alvarez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-K dielectric material and copper

Номер патента: TW201522574A. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Method for low-k dielectric etch with reduced damage

Номер патента: CN102365718A. Автор: 程宇,竹下健二,安德鲁·D·贝利三世,兵·纪,埃里克·A·赫德森,里亚姆·莫拉维茨,史蒂芬·M·施瑞德,高贞民,丹尼尔·乐,罗伯特·C·赫夫提,赫拉尔多·A·德尔加迪尼奥,毕-明·殷. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Adhesion improvement for low k dielectrics

Номер патента: US20060189162A1. Автор: Li-Qun Xia,Hichem M'Saad,Peter Lee,Lihua Huang,Dian Sugiarto,Sohyun Park,Tzu-Fang Huang,Zhenjiang Cui,Jerry Sugiarto. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Method for tunably repairing low-k dielectric damage

Номер патента: TW201133616A. Автор: James DeYoung,Odette Turmel,Stephen M Sirard. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-10-01.

Low-K dielectric with self-forming barrier layer

Номер патента: CN113939896A. Автор: 丁祎,K·S·伊姆,S·慕克吉,B·谢,D·帕德希. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-14.

Low-K dielectric functional imprinting materials

Номер патента: US8889332B2. Автор: JUN Sung Chun,Frank Y. Xu,Michael P. C. Watts. Владелец: Canon Nanotechnologies Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Low-k dielectric and processes of its production

Номер патента: DE102018108893A1. Автор: Li Chun Te,Tien-I Bao,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Nitrogen-free hard mask over low K dielectric

Номер патента: US20040185674A1. Автор: Hichem M'Saad,Sang Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Repairing Damage To Low-K-Dielectric Materials Using Silylating Agents

Номер патента: KR101064336B1. Автор: 아난스 나만,아닐 에스. 바냅,테레사 에이. 라모스,낸씨 이와모토,로저 와이. 레웅. Владелец: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-09-16.

Method for depositing a low k dielectric film (k<3.5) for hard mask application

Номер патента: US20030113995A1. Автор: Wen Zhu,Li-Qun Xia,Ping Xu,Tzu-Fang Huang,Louis Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Interconnect structures incorporating low-k dielectric barrier films

Номер патента: TWI265577B. Автор: Stephen M Gates,Jeffrey C Hedrick,Dirk Pfeiffer,Elbert E Huang,Stephan A Cohen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-11-01.

Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents

Номер патента: TW200531183A. Автор: Ananth Naman,Anil S Bhanap,Teresa A Ramos,Nancy Iwamoto,Roger Y Leung. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2005-09-16.

Method for repairing low-k dielectric damage

Номер патента: SG10201406202TA. Автор: Kenji Takeshita,Iii Andrew D Bailey,Stephen M Sirard. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240071942A1. Автор: Chungsun Lee,Jihwan HWANG,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-chip package having a stacked plurality of different sized semiconductor chips, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761563B2. Автор: Hyung-Lae Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09666551B1. Автор: Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Cha-Jea JO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor chip structures, semiconductor carrier and semiconductor chip structure

Номер патента: US20220359213A1. Автор: Tang-Chin HUNG. Владелец: Panelsemi Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: EP2095419A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: WO2008079662A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor chips and methods of forming the same

Номер патента: US20120119376A1. Автор: Byung-lyul Park,Kwangjin Moon,Dosun Lee,Deok-Young Jung,Gilheyun CHOI,Dong-Chan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Post treatment for dielectric constant reduction with pore generation on low K dielectric films

Номер патента: US09324571B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Sure Ngo,Pendar ARDALAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: WO2015126775A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Forming a low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: US09850574B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11309180B2. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Multi-chip package having a stacked plurality of different sized semiconductor chips, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080036082A1. Автор: Hyung-Lae Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor chip including align mark protection pattern and semiconductor package including semiconductor chip including the align mark protection pattern

Номер патента: US20230154860A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Wafer treatment method for protecting fuse box of semiconductor chip

Номер патента: US20030080360A1. Автор: Jae-Il Lee,Jeong-Ho Bang,Hyo-geun Chae,Young-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014011382A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: Christopher Cole,Angelique D. Raley,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Low-K dielectric gapfill by flowable deposition

Номер патента: US09412581B2. Автор: Jingmei Liang,Mukund Srinivasan,Young S. Lee,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Low dielectric constant (low-k) dielectric and method of forming the same

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Xiangyu GUO,Weiyi Li,Huifeng Zheng,Dongfei Pei,J. Leon Shohet,Joshua Blatz. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Enhancement of modulus and hardness for UV-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US09659765B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Low-k dielectric films

Номер патента: WO2021030309A1. Автор: Kang Sub Yim,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Shaunak Mukherjee,William J. Durand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Enhancement of modulus and hardness for uv-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US20160020090A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Process for producing low-k dielectric films

Номер патента: EP1642329B1. Автор: Adolf KÜHNLE,Carsten Jost,Hartwig Rauleder,Hartmut Fischer,Klaas Timmer,Corne Rentrop,Roelant Van Dam. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US09972485B2. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for etching low k dielectrics

Номер патента: WO1999052135A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Xiaobing Ma,Gary C. Hsueh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-14.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A1. Автор: Brian W. Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Non-volatile memory devices including low-K dielectric gaps in substrates

Номер патента: US8536652B2. Автор: Myoung-Bum Lee,Bo-Young Lee,Jong-Wan Choi,Jin-gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-17.

AIR-GAP STRUCTURE FORMATION WITH ULTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER ON PECVD LOW-K CHAMBER

Номер патента: US20160099167A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,KIM Taewan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140291817A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2014-10-02.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: US9070632B2. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-06-30.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: MY158489A. Автор: Chiu Wei Lan William,Raman Vijay Dr Immanuel,Rittig Dr Rer Nat Frank,Li Prof Dr Yuzhuo. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-10-14.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: WO2012046179A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-04-12.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236B1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-12-13.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: KR101907860B1. Автор: 유주오 리,웨이 란 윌리엄 츄,비자이 임마누엘 라만,프랑크 리티크. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2018-10-15.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744B. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-01-31.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: SG189327A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-05-31.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744D0. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-06-27.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236A4. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-05-14.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of forming a crack stop void in a low-k dielectric layer between adjacent fusees

Номер патента: US20060223242A1. Автор: Paul Mclaughlin,Jean Wynne,Timothy Daubenspeck,Christopher Muzzy,Judith Wright,Dae Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Protective metal structure and method to protect low -K dielectric layer during fuse blow process

Номер патента: US20050239273A1. Автор: Chao-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Low-k dielectric layer, semiconductor device, and method for fabricating the same

Номер патента: US20070205516A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Yu-Ku Lin,Shih-Ho Lin,Sheng-Wen Chen,Shiu-Ko Jangjian,Hung-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744A0. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-06-27.

Low-k dielectric layer, semiconductor device, and method for fabricating the same

Номер патента: TW200735184A. Автор: Kei-Wei Chen,Ying Lang Wang,Shih-Ho Lin,Sheng-Wen Chen,Yu Ku Lin,Shiu-Ko Jangjian,Hung-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Zeolite - carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: EP1685589A1. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

Heterogeneous low k dielectric

Номер патента: TW200522257A. Автор: Syun-Ming Jang,Yung-Cheng Lu,Pi-Tsung Chen,Lih-Ping Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Low k dielectric materials with inherent copper ion migration barrier

Номер патента: US6730618B2. Автор: Claudius Feger,Stephan Alan Cohen,Jane Margaret Shaw,Jeffrey Curtis Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Low k dielectric materials with inherent copper ion migration barrier

Номер патента: TW493261B. Автор: Claudius Feger,Stephan Alan Cohen,Jane Margaret Shaw,Jeffrey Curtis Hedrick. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-07-01.

Zeolite-carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: US20050107242A1. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Zeolite-carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: US7303985B2. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Carbon-graded layer for improved adhesion of low-k dielectrics to silicon substrates

Номер патента: AU2002241147A1. Автор: Peter Wrschka,David Mark Dobuzinsky,Alexander Simpson,Kia-Seng Low,Daniel Charles Edelstein,Richard Conti,Gill Lee,Padraic Shafer,Prakash Dev. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-03.

Semiconductor chips with crack stop regions for reducing crack propagation from chip edges/corners

Номер патента: WO2009020911A1. Автор: Peter J. Brofman,Wolfgang Sauter,Thomas A. Wassick,Jon A. Casey,David L. Questad,Ian D. Melville. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor chip

Номер патента: US20240015985A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor chip and a semiconductor package having a package on package (POP) structure including the semiconductor chip

Номер патента: US09472539B2. Автор: Yong-Hoon Kim,Hee-Seok Lee,Jang-Ho Cho,Hyo-soon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor chip including region having integrated circuit transistor gate electrodes formed by various conductive structures of specified shape and position and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443947B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor chip including integrated circuit including at least five gate level conductive structures having particular spatial and electrical relationship and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425273B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor chip including integrated circuit including four transistors of first transistor type and four transistors of second transistor type with electrical connections between various transistors and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09425272B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Interconnection structure of a semiconductor chip and semiconductor package including the interconnection structure

Номер патента: US20220093521A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor package including a semiconductor chip having a redistribution layer

Номер патента: US20210366853A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Young Kim,Seung Hwan Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20210057328A1. Автор: HAN Junghoon,Lee Yeonjin,Noh Junyong,Choi Minjung,Cho Yunrae. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device having bonding pad above low-k dielectric film and manufacturing method therefor

Номер патента: TWI315090B. Автор: MATSUBARA Yoshihisa. Владелец: Nec Electronics Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor chip

Номер патента: US20190189568A1. Автор: Tsong-lin Shen,Sheng-Wei Hung,Chin-Tsai Chang,Hui-Lung Chou,Chen-Hsiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186294A1. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220223566A1. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US11935868B2. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package including semiconductor chips

Номер патента: US20220130793A1. Автор: Hyungu Kang,Jaekyu SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929022B2. Автор: Jin-woo Park,Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Encapsulated semiconductor chip with external contact pads and manufacturing method thereof

Номер патента: US8338231B2. Автор: Georg Meyer-Berg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip with structured sidewalls

Номер патента: US09496193B1. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Martin Zgaga,Tobias Schmidt,Martin Sporn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Workpiece with semiconductor chips, semiconductor device and method for producing a workpiece with semiconductor chips

Номер патента: US09601475B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Stephan Bradl,Recai Sezi,Klaus Pressel,Ralf Plieninger. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-21.

Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics

Номер патента: WO2002065530B1. Автор: Chok W Ho. Владелец: Chok W Ho. Дата публикации: 2003-07-24.

Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics

Номер патента: WO2002065530A2. Автор: Chok W. Ho. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2002-08-22.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US20230098015A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: US20240332227A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: WO2024206337A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US12054585B2. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor package including semiconductor chip having point symmetric chip pads

Номер патента: US11469196B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor package including semiconductor chip having point symmetric chip pads

Номер патента: US20210257323A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20230253360A1. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210013180A1. Автор: Hyun-Chul Seo,Jun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220013499A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor chip with power gating through silicon vias

Номер патента: US20150162266A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200321289A1. Автор: Yusuke Tanaka,Fumio Harima,Masayuki AOIKE,Koshi HIMEDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips and a redistribution layer

Номер патента: US09496216B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US11837527B2. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US20220028757A1. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Packaged semiconductor chips having heat dissipation layers and ground contacts therein

Номер патента: US09978661B2. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including stacked semiconductor chips

Номер патента: US09640243B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kayoko Shibata. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-02.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials in dielectric layers

Номер патента: US6255735B1. Автор: Fei Wang,Simon S. Chan,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-03.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials in dielectric layers

Номер патента: US6472317B1. Автор: Fei Wang,Simon S. Chan,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20150041964A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURE USING LOW-k DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20150145106A1. Автор: Dong Wenting,Rhine Wendell E.,Begag Redouane,Gould George L.,Nahass Paul,Trifu Roxana,Naiman Alaric,Sinta Roger,Zafiropoulos Nicholas Anthony,White Shannon Olga. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Semiconductor chip and semiconductor package

Номер патента: US20150262964A1. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: US20240258275A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: EP4411813A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor packages usable with semiconductor chips having different pad arrangements and electronic devices having the same

Номер патента: US09653132B2. Автор: Hyun-Jin Kim,Jeong-Don IHM,Dae-Hoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Protection structures in semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US11791229B2. Автор: Jialan He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor chip and multi-chip package

Номер патента: US7786601B2. Автор: Young-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-31.

Design Structure for a Metal Fill Region of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20080082300A1. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

metal fill region of a semiconductor chip

Номер патента: US20080079158A1. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Metal fill region of a semiconductor chip

Номер патента: US7489039B2. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor chip for suppressing electromagnetic wave

Номер патента: US20110133305A1. Автор: Young-Ho Kim,Je-Hoon Yun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4333032A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Sehyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240069093A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Sehyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor chip, fabrication method, and device for fabricating a semiconductor chip

Номер патента: US20030122161A1. Автор: Michael Wagner,Manfred Selz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-03.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US12027481B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor chip with chip outline of various shapes at wafer level

Номер патента: US20240266181A1. Автор: Taehyun Kim,Kwangyeul Choi. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for dicing semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system

Номер патента: US20050087843A1. Автор: Hubert Benzel,Julian Gonska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Curable resin compositions useful as underfill sealants for low-k dielectric-containing semiconductor devices

Номер патента: WO2011071726A3. Автор: Puwei Liu,My Nhu Nguyen. Владелец: Henkel Corporation. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor chip carrier package with a heat sink

Номер патента: US4630172A. Автор: Thomas J. Miller,Gary L. Stenerson. Владелец: Printed Circuits International Inc. Дата публикации: 1986-12-16.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US9941229B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor chip, semiconductor package, and wafer dicing method

Номер патента: US20240203946A1. Автор: Sera Lee,Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Jihoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US09728459B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Chip Package Having Internal I/O Structures With Modulated Thickness To Compensate For Die/Substrate Warpage

Номер патента: US20230086649A1. Автор: Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas S. HAEHN,Jacob VEHONSKY,Onur Ozkan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US09673351B2. Автор: Kenji Yamazaki,Michiaki Murata,Tsutomu Otsuka,Takeshi MINAMIRU. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor chip fabrication method

Номер патента: US20090209088A1. Автор: Tadato Nagasawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

FINGERED CAPACITOR WITH LOW-K AND ULTRA-LOW-K DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20200098850A1. Автор: Chen Yu,HONG CHEONG Min,Yin Chunshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US7871920B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US20100203685A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device having a plurality of circuits arranged on a side of a semiconductor chip

Номер патента: US09564388B2. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US8035212B2. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate

Номер патента: US09799611B2. Автор: Koji Hosokawa,Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device including filling material provided in space defined by three semiconductor chips

Номер патента: US09443823B2. Автор: Norio Hatakeyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor chip stack structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240105680A1. Автор: Dongjoon Oh,Jumyong Park,Junyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20170309586A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: WO2014078138A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20140131855A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20160093585A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US20100244224A1. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US09735125B2. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Chip package and semiconductor arrangement having thermally conductive material in contact with a semiconductor chip and methods of forming thereof

Номер патента: US12068213B2. Автор: Ralf Otremba,Sanjay Kumar Murugan,Thai Kee Gan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor component of semiconductor chip size with flip-chip-like external contacts

Номер патента: US09385008B2. Автор: Michael Weber,Horst Theuss,Helmut Kiendl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for fabricating a semiconductor chip panel

Номер патента: US09953846B2. Автор: Edward Fuergut,Daniel Porwol. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a semiconductor device including removing a relief layer from back surface of semiconductor chip

Номер патента: US09646856B2. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Reingruber,David O'Sullivan. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

DIE EDGE SEAL EMPLOYING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Bai Zhigang,Wang Zhijie,Ye Dehong,Zhang Huchang,NIU JIYONG. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US09589945B2. Автор: Yun-Hyeok Im,Tae-Je Cho,Cha-Jea JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: US20020190651A1. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,Kam Law,William Harshbarger,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: EP1415318A2. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R. Harshbarger,Kam S. Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source

Номер патента: WO2015105673A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Bradley J. Howard,Mang Mang Ling,Jeremiah T P Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Microelectronics package with ultra-low-K dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US11502400B2. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Microelectronics package with ultra-low-k dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US20210273323A1. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor chips with seal rings and electronic test structures, semiconductor wafers including the semiconductor chips, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09728474B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor chip, method for producing a semiconductor chip and method for soldering a semiconductor chip to a carrier

Номер патента: US09741639B2. Автор: Kirill Trunov,Frank Umbach,Niels Oeschler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor chip with varying thickness profile

Номер патента: US20240249950A1. Автор: BO Yang,Ning Ye,Yangming Liu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Номер патента: US20180219096A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Номер патента: US20190148557A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

In situ deposition of a low K dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application

Номер патента: US7470611B2. Автор: Judy H. Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Low k dielectric

Номер патента: EP2164648A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis P.S. Thoms. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Methods for forming low-k dielectric materials

Номер патента: US20240363337A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES HAVING PATTERNED OR UNPATTERNED LOW-K DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20130273739A1. Автор: Li Yuzhuo,Raman Vijay Immanuel,Rittig Frank,Chiu Wei Lan William. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-10-17.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS THAT INCLUDE A SEALED SIDEWALL IN A POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140273463A1. Автор: Shamiryan Denis,Urbanowicz Adam Michal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Removing a low-k dielectric layer from a wafer

Номер патента: US20070190798A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Refurbishing a wafer having a low-k dielectric layer

Номер патента: US7695982B2. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V. Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Removing a low-k dielectric layer from a wafer by chemical mechanical polishing

Номер патента: US20070190791A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Fine grinding a low-k dielectric layer off a wafer

Номер патента: US20070190790A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for etching low k dielectric layers

Номер патента: WO1999056310A2. Автор: Min Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-11-04.

Method for recycling semiconductor wafers having carbon doped low-k dielectric layers

Номер патента: US6693047B1. Автор: Chih-Cheng Lu,Wen Chang,Syun-Ming Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-17.

Refurbishing a wafer having a low-k dielectric layer

Номер патента: US20070190799A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for forming ultra-low K dielectric layer

Номер патента: CN108389782B. Автор: 崔金益. Владелец: JIANGSU OUTE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

A method of forming ultra low k dielectric layer

Номер патента: CN108389782A. Автор: 崔金益. Владелец: 崔金益. Дата публикации: 2018-08-10.

Method to improve mechanical strength of low-K dielectric film using modulated UV exposure

Номер патента: US8715788B1. Автор: Easwar Srinivasan,David Mordo,Haiying Fu,Seon-Mee Cho,Ananda K. Bandyopadhyay. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240290611A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Номер патента: US20180090327A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING LOW-K SPACER MATERIAL

Номер патента: US20190148557A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Low-k dielectric films

Номер патента: US11393678B2. Автор: Kang Sub Yim,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Shaunak Mukherjee,William J. Durand. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) DIELECTRIC AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Li Weiyi,Shohet J. Leon,Zheng Huifeng,Guo Xiangyu,Blatz Joshua,Pei Dongfei. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

POST TREATMENT FOR DIELECTRIC CONSTANT REDUCTION WITH PORE GENERATION ON LOW K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20150380265A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,NGO Sure,ARDALAN Pendar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-12-31.

Method to reduce dishing, erosion and low-k dielectric peeling for copper in low-k dielectric CMP process

Номер патента: US20040137740A1. Автор: Tsu Shih,Chi-Wei Chung,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087881A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US11967498B2. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087880A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A4. Автор: Brian W Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Process for lowering adhesion layer thickness and improving damage resistance for thin ultra low-k dielectric film

Номер патента: TW201230192A. Автор: Alexandros T Demos,Mahendra Chhabra,Kang-Sub Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Composition and chemical vapor deposition method for forming organic low k dielectric films

Номер патента: AU2003275278A1. Автор: Neil H. Hendricks. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-23.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20130157472A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

LOW-K DIELECTRIC DAMAGE REPAIR BY VAPOR-PHASE CHEMICAL EXPOSURE

Номер патента: US20140004717A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

ENHANCEMENT OF MODULUS AND HARDNESS FOR UV-CURED ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20160020090A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,CHHABRA Mahendra,DASH Priyanka. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

LOW DAMAGE PHOTORESIST STRIP METHOD FOR LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20140120733A1. Автор: Ostrowski Kirk,Cheung David,Li Ted,Guha Anirban. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

LOW-K DIELECTRIC FILM FORMATION

Номер патента: US20160042943A1. Автор: ANTONELLI George Andrew,Ribaudo Troy Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOSITING LOW-K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20220084815A1. Автор: Xia Li-Qun,Yim Kang Sub,Xie Bo,LIU Yijun,NGO Sure,Xiong Ruitong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

SELF-ALIGNED PLANARIZATION OF LOW-K DIELECTRICS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Jiang Yi,TAN Juan Boon,YI Wanbing,Hsieh Curtis Chun-I,WANG Zhehui. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: METZ Andrew W.,Raley Angelique D.,COLE Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: US7208325B2. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V. Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Barrier slurry for low-k dielectrics.

Номер патента: MY150487A. Автор: Shoutian Li,SINGH,Grumbine,Jeffrey Dysard. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials

Номер патента: US20080111101A1. Автор: Francesco De Rege Thesauro,Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: US20060160364A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Composition and Method for Recycling Semiconductor Wafers Having Low-K Dielectric Materials Thereon

Номер патента: US20080261847A1. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of reworking structures incorporating low-k dielectric materials

Номер патента: US7008803B2. Автор: Terence Lawrence Kane,Chung-Ping Eng,Brett H. Engel,Barry Jack Ginsberg,Dermott A. Macpherson,John Charles Petrus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-07.

Chemical mechanical polishing composition, chemical mechanical polishing method for a low-k dielectric film and method of preparing semiconductor device

Номер патента: KR102426915B1. Автор: 김석주,한덕수. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-08-02.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: WO2010033156A2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2010-03-25.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: KR101247890B1. Автор: 제프리 디사드,스티븐 그럼빈,샤우티안 리,판카즈 싱. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2013-03-26.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: EP2092035A4. Автор: Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio,Rege Thesauro Francis De. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Self-siphoning CMP tool design for applications such as copper CMP and low-k dielectric CMP

Номер патента: US6572731B1. Автор: Sudipto R. Roy. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Adamantyl monomers and polymers for low-k-dielectric applications

Номер патента: KR101219548B1. Автор: 주하 란타라,지리 파울라사아리. Владелец: 질렉스 오와이. Дата публикации: 2013-01-21.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: EP1946358A2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Systems and methods for forming uv-cured low-k dielectric films

Номер патента: US20220108884A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Kang Sub Yim,Bo Xie,Ruitong Xiong,Sure Ngo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics

Номер патента: EP1503405A2. Автор: Fang Tian,YAN Ye,Yunsang Kim,Xiaoye Zhao,Heeyeop Chae,Neungho Shin,Joey Chiu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: US8252687B2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter

Номер патента: KR100899726B1. Автор: 알렉산드로스 티. 데모스,비스웨스워렌 시바라마크리쉬난,더스틴 더블유. 호,주안 칼로스 로샤-알바레즈,켈빈 챈,나가라쟌 라자고파란. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-05-27.

Low-K dielectric spacer for a gate cut

Номер патента: US9972495B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-k dielectric etch applications

Номер патента: TW574603B. Автор: Rao V Annapragada,Ian J Morey,Chok W Ho. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2004-02-01.

Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch

Номер патента: US6383931B1. Автор: John Lang,Janet M. Flanner,Susan Ellingboe,Christine Janowiak,Ian J. Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

The formation of low K dielectrics film

Номер патента: CN105374676B. Автор: 乔治·安德鲁·安东内利,特洛伊·丹尼尔·里包多. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-01-18.

Post treatment for constant reduction with pore generation on low-k dielectric films

Номер патента: WO2014158351A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Sure Ngo,Pendar ARDALAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-K dielectric using TRI methylsilane-ozone based processes

Номер патента: US20030066482A1. Автор: Li-Qun Xia,Tian Lim,Himansu Pokharna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: US11302519B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Method and apparatus for cleaning low k dielectric and metal wafer surfaces

Номер патента: AU5588599A. Автор: Linda Jiang,Diane J. Hymes. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-04-17.

Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices

Номер патента: WO2002004134A8. Автор: Sokol Ibrani,Devendra Kumar,Vuong P Nguyen,Jeffrey D Womack,Jack S Kasahara,Ketan Itchhaporia. Владелец: Fsi Int Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-K dielectric material

Номер патента: TW201813100A. Автор: 廖思雅,普拉提克 A. 帕特爾. Владелец: 英特爾公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: AU2002323040A8. Автор: Thomas H Baum,Chongying Xu,Ravi K Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

High uv curing efficiency for low-k dielectrics

Номер патента: US20150104953A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for integrating low-k dielectrics

Номер патента: TW201203362A. Автор: Jacques Faguet,Dorel I Toma,Jun-Jun Liu,Hong-Yu Yue. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-16.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: US20130023124A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Yifeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

ADHESION IMPROVEMENT FOR LOW K DIELECTRICS TO CONDUCTIVE MATERIALS

Номер патента: US20130230986A1. Автор: Rajagopalan Nagarajan,Xia Li-Qun,Lakshmanan Annamalai,LEE Albert,Shek Mei-yee,Cui Zhenjiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140017898A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

LOW-K DIELECTRIC GAPFILL BY FLOWABLE DEPOSITION

Номер патента: US20160020089A1. Автор: Lee Young S.,Liang Jingmei,SRINIVASAN Mukund,Thadani Kiran V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140120726A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

COMPOSITIONS OF LOW-K DIELECTRIC SOLS CONTAINING NONMETALLIC CATALYSTS

Номер патента: US20140120739A1. Автор: Phillips Mark L.F.,Savage Travis. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

Low-K Dielectric Films

Номер патента: US20210050212A1. Автор: Yim Kang Sub,Durand William J.,Saly Mark,Kalutarage Lakmal C.,MUKHERJEE Shaunak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL LAYER

Номер патента: US20210050520A1. Автор: JUNG Jaeho,KO Youngmin,KIM Jonguk,CHOI Dongsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Method of Low-K Dielectric Film Repair

Номер патента: US20140170780A1. Автор: Yun Seokmin,Wilcoxson Mark,deLarios John M.. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20170092479A9. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

HIGH UV CURING EFFICIENCY FOR LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20150104953A1. Автор: Yang Hui-Chun,Ko Chung-Chi,Hsu Kuang-Yuan,SHIH Po-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140213060A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Kang Sean S.,Kao Chia-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Low-k dielectric sidewall spacer treatment

Номер патента: US20150145073A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Chun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

LOW K DIELECTRIC DEPOSITION VIA UV DRIVEN PHOTOPOLYMERIZATION

Номер патента: US20170140931A1. Автор: van Cleemput Patrick A.,Ndiege Nicholas Muga. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

SELF-ALIGNED PLANARIZATION OF LOW-K DIELECTRICS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190198343A1. Автор: Jiang Yi,TAN Juan Boon,YI Wanbing,Hsieh Curtis Chun-I,WANG Zhehui. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD AND COMPOSITION FOR SELECTIVELY REMOVING METAL HARDMASK AND OTHER RESIDUES FROM SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATES COMPRISING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL AND COPPER

Номер патента: US20160240368A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

POROUS LOW-K DIELECTRIC ETCH

Номер патента: US20180350618A1. Автор: Hudson Eric,GOPALADASU Prabhakara,Wang Chia-Chun,Ouyang Zihao,DESHMUKH Shashank,LI Sonny. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: TW200703488A. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Selective etching of low-k dielectrics

Номер патента: US20040137748A1. Автор: Alok Jain,Phui Chong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials

Номер патента: US7456107B2. Автор: Francesco De Rege Thesauro,Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: US7960328B2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: US8642526B2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192A4. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192A2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: WO2007111694A2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: US20060258148A1. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: EP2092035A2. Автор: Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio,Francis De Rege Thesauro. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-26.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192B1. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material

Номер патента: US20060199749A1. Автор: Tomoko Suzuki,Toshitaka Hiraga,Chris Reid,Yasuo Katsuya. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-07.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: KR101194901B1. Автор: 제이슨 켈레허,제이슨 아지오,다니엘 우드랜드,프랑세 드 레게 테사우로,로버트 메드스컬. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: KR101299661B1. Автор: 헬렌 주,레자 사드자디. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2013-09-03.

Methods to obtain low k dielectric barrier with superior etch resistivity

Номер патента: KR20090036533A. Автор: 드렉 알. 위티,히켐 엠'사드,후이웬 쑤,이준 리우 (존),리-쿤 씨아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-04-14.

Low-K dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: US20030064154A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu,Ravi Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material

Номер патента: KR101238471B1. Автор: 도모꼬 스즈끼,도시따까 히라가,야스오 가쯔야,크리스 리드. Владелец: 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-03-04.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications

Номер патента: CN1633701A. Автор: R·V·安娜普拉加达,I·J·莫里,C·W·何. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes

Номер патента: EP1077274A1. Автор: Li-Qun Xia,Tian-Hoe Lim,Himansu Pokhama. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-21.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: KR20080014773A. Автор: 헬렌 주,레자 사드자디. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2008-02-14.

Photoresist process for stripping when having conventional low k and/or porous low k dielectric material

Номер патента: CN100568472C. Автор: 海伦·朱,R·萨亚迪. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics

Номер патента: KR100849707B1. Автор: 채희엽,김윤상,얀 예,신능호,조에이 치우,팡 티안,치아오예 자오. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-01.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-K dielectric materials thereon

Номер патента: CN101356629A. Автор: 江平,迈克尔·B·克赞斯基,帕梅拉·M·维辛廷,麦肯齐·金. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

Low-k dielectric etch

Номер патента: WO2006019849A1. Автор: Sean S. Kang,Zhisong Huang,S. M. Reza Sadjadi. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-23.

Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric

Номер патента: US20030194495A1. Автор: Li Xia,Wen Zhu,Ellie Yieh,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: US7288488B2. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications

Номер патента: US20020111041A1. Автор: Rao Annapragada,Ian Morey,Chok Ho. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for covalently grafting fluorine-free nano-pore low-k dielectric film on surface of semiconductor

Номер патента: CN112201565A. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-08.

Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate

Номер патента: US20040206621A1. Автор: Lee Luo,Hongwen Li,Ilias Iliopoulos,Michael Armacost. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: US20020108929A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chok Ho,Kuo-Lung Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods to obtain low k dielectric barrier with superior etch resistivity

Номер патента: CN101419915B. Автор: 夏立群,许惠雯,德里克·R·维迪,伊沙姆·迈’萨德,刘宜君. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Post-etch photoresist strip with 02 and nh3 for organosilicate glass low-k dielectric etch applications

Номер патента: KR100880134B1. Автор: 라오브이. 안나프라가다,이안제이. 모리,척더블유. 호. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2009-01-23.

Spacer-less low-k dielectric processes

Номер патента: SG158104A1. Автор: TEH Young Way,LIM Khee Yong,HSIA Liang Choo,Lee Yong Meng,LIN WENHE,Lai Chung Woh,TAN WEE LENG,Koh Hui Peng,John Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter

Номер патента: TW200845202A. Автор: Sivaramakrishnan Visweswaren,Kelvin Chan,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Nagarajan Rajagopalan,Dustin W Ho,Alexandros T Demos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-16.

Drying process for low-k dielectric films

Номер патента: WO2004049073A3. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry,John Hallock,Ari Margolis. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: CN102159662A. Автор: 杰弗里·戴萨德,李守田,史蒂文·格伦比恩,潘卡杰·辛格. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Systems and methods for forming UV cured low-K dielectric films

Номер патента: KR20230079273A. Автор: 보 시에,강 섭 임,루이통 시옹,수레 응오,이준 리우,리-춘 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-06-05.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: TWI297179B. Автор: Chok W Ho,Kuo Lung Tang,Chung Ju Lee. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-05-21.

Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: WO2003015129A2. Автор: Thomas H. Baum,Chongying Xu,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Material, Inc.. Дата публикации: 2003-02-20.

Spacer-less low-k dielectric processes

Номер патента: SG191638A1. Автор: Sudijono John,Liang Choo Hsia,Yong Meng Lee,Khee Yong Lim,Wenhe Lin,Young Way Teh,Chung Woh Lai,Wee Leng Tan,Hui Peng Koh. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Adamantyl monomers and polymers for low-k-dielectric applications

Номер патента: WO2005061587A1. Автор: Juha Rantala,Jyri Paulasaari. Владелец: SILECS OY. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: IL186729A. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Reza Sadjadi. Дата публикации: 2012-06-28.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: US6893969B2. Автор: Chung-Ju Lee,Kuo-Lung Tang,Chok W. Ho. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric

Номер патента: CN101228481B. Автор: T·铃木,C·里德,T·平贺,Y·卡茨亚. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Low-k dielectric etch

Номер патента: TW200616063A. Автор: S M Reza Sadjadi,Sean S Kang,Zhi-Song Huang. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Process for low k dielectric plasma etching with high selectivity to deep uv photoresist

Номер патента: US7112534B2. Автор: Qiang Fu,James Jeong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Bonding a metal component to a low-K dielectric material

Номер патента: US20050095743A1. Автор: Jihperng Leu,Grant Kloster. Владелец: Jihperng Leu. Дата публикации: 2005-05-05.

Organo-silsesquioxane polymers for forming low-k dielectrics

Номер патента: WO2004090019A1. Автор: Juha Rantala,Janne KYLMÄ,Jyri Paulasaari. Владелец: SILECS OY. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: KR102164568B1. Автор: 스리니바스 디. 네마니,드미트리 루보미르스키,제레미아 티. 펜더,퀴니귄 조,세르게이 쥐. 베로스토치이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-10-12.

Self-siphoning cmp tool design for application such as copper cmp and low-k dielectric cmp

Номер патента: SG104983A1. Автор: Roy Sudipto. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-07-30.

Methods for producing low stress porous and cdo low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups

Номер патента: US20090239390A1. Автор: Qingguo Wu,Haiying Fu. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: WO2006122119A2. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

A gas mixture for removing photoresist and post etch residue from low-k dielectric material and method of use thereof

Номер патента: TW200729313A. Автор: Robert Charatan,David Schaefer,Tom Choi,Cristian Paduraru,Alan Jensen. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Deposition apparatus for providing uniform low-k dielectric

Номер патента: US20050284371A1. Автор: Mandyam Sriram,Robert Mcfadden,Shurong Liang,Vitaly Kasperovich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces

Номер патента: US6319330B1. Автор: Diane J. Hymes,Linda (Tong) Jiang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190198343A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Surface roughening method for embedded semiconductor chip structure

Номер патента: US20060263936A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US11721673B2. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220130801A1. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US11244927B2. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210028152A1. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US20200151294A1. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US10796050B2. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor chip package having optical interface

Номер патента: US20180100977A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Giparang Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor Chip Having a Dense Arrangement of Contact Terminals

Номер патента: US20170025357A1. Автор: Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Peter Ossimitz,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-26.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09589939B2. Автор: Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of encapsulating a semiconductor chip using a settable encapsulant

Номер патента: US6218215B1. Автор: Thomas H. DiStefano,Craig S. Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2001-04-17.

Semiconductor package including a first semiconductor chip with a plurality of first chip pads directly bonded to a plurality of second chip pads of an upper semiconductor chip

Номер патента: US11817443B2. Автор: YoungLyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240282756A1. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Circuit board structure embedded with semiconductor chips

Номер патента: US20090200658A1. Автор: Shih Ping Hsu,Chung Cheng Lien,Shang Wei Chen. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Tape carrier package (TCP) on which semiconductor chips are mounted and method of manufacuturing the same

Номер патента: US20020171140A1. Автор: Bum-Yeul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor chip and semiconductor package having the same

Номер патента: US9184137B2. Автор: Seung Yeop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Multirow semiconductor chip connections

Номер патента: US20220189879A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Multi-device semiconductor chip with electrical access to devices at either side

Номер патента: US12136623B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Edward Fuergut,Peter Friedrichs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap

Номер патента: US09502367B2. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Packaging substrate having embedded semiconductor chip

Номер патента: US20110031606A1. Автор: Che-Wei Hsu,Yen-Ju Chen,Kan-Jung Chia. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor chip package comprising side wall marking

Номер патента: US09972576B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Amirul Afiq HUD,Felix GRAWERT,Uwe Kirchner,Bernd SCHMOELZER,Franz Stueckler,Fabian Schnoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support and method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support

Номер патента: US09780269B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor chip with thermal interface tape

Номер патента: US09627281B2. Автор: Bryan Black,Joseph Siegel,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Dales Kent,Seth Prejean,Ronnie Brandon,Michael Bienek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Article and panel comprising semiconductor chips, casting mold and methods of producing the same

Номер патента: US09362144B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-06-07.

Low-K Dielectric Layer and Porogen

Номер патента: US20150270189A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

High k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias

Номер патента: US6430030B2. Автор: Mukta S. Farooq,Robert A. Rita,Herbert I. Stoller,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

METHOD OF FORMING THROUGH SILICON VIA OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20130228936A1. Автор: Han Kyu-hee,Ahn Sang-hoon,Lee Jang-hee,Kim Kyoung-hee,Park Byung-lyul,Kim Byung-hee,Beak Jong-min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for connecting a semiconductor chip metal surface of a substrate by means of two contact metallization layers and method for producing an electronic module

Номер патента: US09978711B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Christian Stahlhut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor chip and power module, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190157412A1. Автор: Toshiaki Morita,Kan Yasui,Takahiro Morikawa,Masakazu Sagawa,Motoyuki Miyata. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: IL208534A. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-09-30.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20170229412A1. Автор: Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Cha-Jea JO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, and semiconductor chip properties

Номер патента: US20170213795A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Apparatuses for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09704732B2. Автор: Jaehong Kim,Jungchul Lee,Taegyeong Chung,Yisung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09431365B2. Автор: Sang-Yoon Kim,Hui-Jae KIM,Seung-dae SEOK,Jae-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor packages including a metal layer between first and second semiconductor chips

Номер патента: US09390992B2. Автор: Heungkyu Kwon,Sangho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor package on which semiconductor chip is mounted on substrate with window

Номер патента: US09490187B2. Автор: Cheol Ho JOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240063345A1. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Ban Loong Chris Ng,Hong Pin Loh. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor chip with contoured solder structure opening

Номер патента: US7994044B2. Автор: Roden R. Topacio,Neil McLellan. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2011-08-09.

Method of forming semiconductor device including low-k dielectric material layer

Номер патента: KR20210021420A. Автор: 김종욱,정재호,고영민,최동성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-26.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: EP4440275A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: US20240334669A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Tsai Shuang-Ji,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Wang Wen-De,Lin Yueh-Chiou. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING LOW-K DIELECTRIC LAYER ON SIDEWALL OF CONTROL GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200274001A1. Автор: JUNG Hyun Soo,Kim Tae Whan,LEE Jun Gyu. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2020-08-27.

Apparatuses including low-k spacers and methods for forming same

Номер патента: US20230317823A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Kehan Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and method for forming a shielded gate trench fet with an inter-electrode dielectric having a low-k dielectric therein

Номер патента: CN101626033A. Автор: 詹姆斯·J·墨菲,潘南西. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Device with low-k dielectric material in close proximity thereto and its method of fabrication

Номер патента: TWI323036B. Автор: Hu Chenming,Denny Tang,Horng Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Mask reduction of LTPS-TFT array by use of photo-sensitive low-k dielectrics

Номер патента: TW200606487A. Автор: Chih-Chiang Chen,Yung-Fu Wu,Chen-Ming Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-02-16.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A HYBRID GATE SPACER INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20220077311A1. Автор: LIAO Szuya S.,PATEL PRATIK A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

METHOD AND COMPOSITION FOR SELECTIVELY REMOVING METAL HARDMASK AND OTHER RESIDUES FROM SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATES COMPRISING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL AND COPPER

Номер патента: US20150104952A1. Автор: Cui Hua. Владелец: EKC Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

CMP compositions for low-k dielectric materials

Номер патента: US20030228762A1. Автор: Kevin Moeggenborg,Homer Chou,Jeffrey Chamberlain,Joseph Hawkins. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for chemical mechanical polishing (cmp) of low-k dielectric materials

Номер патента: EP1534795A2. Автор: K.J. Cabot Microelectronics Corp. MOEGGENBORG,H. Cabot Microelectronics Corporation CHOU,J.D. Cabot Microelectronics Corporation HAWKINS,J.P. Cabot Microelectronics Corp. CHAMBERLAIN. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

CMP compositions for low-k dielectric materials

Номер патента: US6974777B2. Автор: Jeffrey P. Chamberlain,Kevin J. Moeggenborg,Homer Chou,Joseph D. Hawkins. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-13.

Method for chemical mechanical polishing (cmp) of low-k dielectric materials

Номер патента: EP1534795B1. Автор: K.J. Cabot Microelectronics Corp. MOEGGENBORG,H. Cabot Microelectronics Corporation CHOU,J.D. Cabot Microelectronics Corporation HAWKINS,J.P. Cabot Microelectronics Corp. CHAMBERLAIN. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Compositions for dissolution of low-k dielectric films, and methods of use

Номер патента: US20020139387A1. Автор: Donald Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use

Номер патента: US6762132B1. Автор: Donald L. Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Chemical Mechanical Polishing Composition for polishing substrates containing a low-k dielectric material and Methods Relating Thereto

Номер патента: EP2196509B1. Автор: Zhendong Liu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods for forming low-K dielectric films

Номер патента: EP1271634A2. Автор: Ce Ma,Richard Allen Hogle,Patrick Joseph Helly,Laura Joy Miller. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Low-K dielectric composition for frequency applications

Номер патента: CN109928617A. Автор: 叶·纱因·赫尔,奥维尔·W·布朗,约翰·J·马洛尼,科迪·J·格利森,斯里尼瓦桑·斯里哈兰,乔治·E·萨科斯科,彼得·马利,穆罕默德·H·麦格赫希,杰基·D·戴维斯,托马斯·约瑟夫·科菲,埃伦·S·陶梅,王志丞,大卫·L·维德莱夫斯基. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Low K dielectric inorganic/organic hybrid films and method of making

Номер патента: CN1142059C. Автор: ,P,P·罗斯,E·洛帕塔,J·费尔茨. Владелец: SILICON VALLY GROUP HEAT SYSTEM Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing

Номер патента: WO2007005197A2. Автор: Gunilla Jacobsen,Subramanyam A. Iyer. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2007-01-11.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: KR20220145895A. Автор: 강 섭 임,샤우낙 무케르지,디네쉬 패디,아비지트 에이. 캉구데,라훌 라지브,슈브함 쵸우두리. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-10-31.

Anti-reflective coating compositions for use with low k dielectric materials

Номер патента: TW200419304A. Автор: Rama Puligadda,Tony D Flaim,James E Lamb Iii. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-10-01.

ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITIONS FOR USE WITH LOW k DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: EP1567288A2. Автор: Tony D. Flaim,Rama Puligadda,James E. Lamb. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURE HAVING LOW-K DIELECTRIC HEAT-INSULATING MATERIAL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Song Zhitang,Feng Songlin,Wu Liangcai. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A HYBRID GATE SPACER INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20210036143A1. Автор: PATEL PRATIK A.,LIAO Sauya S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-04.

Low-k dielectric inner spacer for gate all around transistors

Номер патента: US20190267463A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW-K DIELECTRIC GAPS BETWEEN ADJACENT METAL CONTACTS

Номер патента: US20220406930A1. Автор: Haase Robert,Leomant Sylvain,Naik Harsh,Brazzale Anita. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Semi-aqueous polymer removal compositions with enhanced compatibility to copper, tungsten, and porous low-k dielectrics

Номер патента: KR101983202B1. Автор: 윌리엄 알. 제밀,글렌 웨스트우드. Владелец: 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-05-28.

Multiple patterning using improved patternable low-k dielectric materials

Номер патента: US8163658B2. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Ultraviolet curing process for low k dielectric films

Номер патента: US20060274405A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Francesca Iacopi,Gerald Beyer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-07.

Compositions for dissolution of low-k dielectric film, and methods of use

Номер патента: US7432214B2. Автор: Donald L Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Ultraviolet curing process for low k dielectric films

Номер патента: WO2006132655A1. Автор: Orlando Escorcia,Francesca Iacopi,Gerald Beyer,Carlo Waldrfied. Владелец: Interuniversitair Micro-Electronic Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-14.

The semi-aqueous polymer to copper, tungsten and porous low-k dielectrics with enhanced compatibility removes composition

Номер патента: CN103782368B. Автор: W·R·格米尔,G·韦斯特伍德. Владелец: Anwantuo Materials LLC. Дата публикации: 2017-06-09.

Low K dielectric compositions for high frequency applications

Номер патента: US10562809B2. Автор: Yie-Shein Her,Srinivasan Sridharan,Stanley Wang,Jackie D. Davis,John J. Maloney,George E. Sakoske,Peter Marley,Mohammed H. Megherhi,Orville W. Brown,Ellen S. Tormey,Cody J. Gleason,Thomas J. Coffey,David L. Widlewski. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a layer of low-k dielectric material

Номер патента: CN112397440A. Автор: 金钟旭,高永珉,郑载琥,崔铜成. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Test patterns for measurement of low-k dielectric cracking thresholds

Номер патента: US6787803B1. Автор: Tai-Chun Huang,Chih-Hsiang Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing

Номер патента: WO2007005197A3. Автор: Gunilla Jacobsen,Subramanyam A Iyer. Владелец: Subramanyam A Iyer. Дата публикации: 2007-04-12.

Anti-reflective coating compositions for use with low k dielectric materials

Номер патента: AU2003294563A8. Автор: Rama Puligadda,Tony D Flaim,James E Lamb. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITIONS FOR USE WITH LOW k DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: EP1567288A4. Автор: Rama Puligadda,Tony D Flaim,James E Lamb. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4425568A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for making cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189655A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Номер патента: US11764095B2. Автор: Junsik Hwang,Kyungwook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Номер патента: US12080585B2. Автор: Junsik Hwang,Kyungwook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Identification codes on semiconductor chips

Номер патента: US20230350309A1. Автор: Detlef Hofmann,Heiko Assmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Adhesive transfer stamp and method for transferring a semiconductor chip using an adhesive transfer stamp

Номер патента: US12106980B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hubert Halbritter,Mikko Peraelae. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and System for Wafer Level Testing of Semiconductor Chips

Номер патента: US20120013359A1. Автор: Zhaojun SHAO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: EP3278363A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: WO2016161223A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of transferring semiconductor chips

Номер патента: US20040077125A1. Автор: Uwe Waeckerle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: US09870927B2. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Optoelectronic semiconductor chip, manufacturing method and semiconductor component

Номер патента: US20240170611A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Andreas Leber. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip for an ink jet printhead and method for making same

Номер патента: US20020118252A1. Автор: Carl Sullivan,James Mrvos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of splitting semiconductor chip using mechanical machining and semiconductor chip split by the same

Номер патента: US20240312823A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Jihun JUNG,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing a material-bonding connection between a semiconductor chip and a metal layer

Номер патента: US09659793B2. Автор: Frederik Otto,Christian Steininger,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09647174B2. Автор: Andreas Weimar,Berthold Hahn,Karl Engl,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09633888B2. Автор: Kenji Yamazaki,Eitoku Sonoda,Hirokazu Matsuzaki,Tomoki Umezawa,Takeshi MINAMIRU,Saori NISHIZAKI,Tatsumi INOMOTO. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for Producing a Plurality of Semiconductor Chips and Semiconductor Chip

Номер патента: US20170309481A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of manufacturing semiconductor chips for display

Номер патента: MY114876A. Автор: Hisao Hayashi,Masumitsu Ino,Masahiro Minegishi,Takenobu Urazono,Shizuo Nishihara,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-02-28.

Optoelectronic semiconductor chip and method for the production thereof

Номер патента: US09806223B2. Автор: Uwe Strauss,Lutz Höppel,Matthias Sabathil,Magnus Ahlstedt,Martin Strassburg,Matthias Peter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: EP4336555A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: US20240079395A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Joonyong Park,Hyungwook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Pick and placement of semiconductor chips based on nozzleless self-focusing acoustic droplet ejector

Номер патента: US20210366744A1. Автор: Eun Sok Kim,Yongkui TANG. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2021-11-25.

Wiper for transferring micro semiconductor chip and apparatus for collecting micro semiconductor chip

Номер патента: US20240234180A1. Автор: Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor chip pickup device

Номер патента: US20040091342A1. Автор: Kuniaki Tsurushima,Kouichi Yajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Chip-on-film package having redistribution pattern between semiconductor chip and connection terminal

Номер патента: US20240079312A1. Автор: Sang-uk Han,Jae-Min Jung,Jeong-kyu Ha,KwanJai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor chip for sensing temperature and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190043839A1. Автор: Tae Young Oh,Nam Jong KIM,Chul Sung Park,Ki Hun YU,Kwang II Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor chip including a bump structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200013740A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,In-Young Lee,Jin-kuk BAE,Han-Sung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor chip and electronic system including the same

Номер патента: US20150170992A1. Автор: Jun-Hyeok Yang,Hyung-Jong Ko,Se-Ki Kim,Se-Ra An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Dissipation of heat from a semiconductor chip

Номер патента: US20230089958A1. Автор: Chih-Meng Wu. Владелец: Innostar Service Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor package including semiconductor chip having through-electrode

Номер патента: US20240194575A1. Автор: Chajea JO,Seungryong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor module having multiple semiconductor chips

Номер патента: EP1435113A2. Автор: Ton Mobers,Satyen Mukherjee. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-07.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabrication of a semiconductor chip package

Номер патента: US20080014680A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor package including semiconductor chips stacked in staggered manner

Номер патента: US20240021580A1. Автор: Hyeon Seok JU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070018314A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor Chip Package

Номер патента: US20110012244A1. Автор: Nan-Jang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Electronic component having stacked semiconductor chips in parallel, and a method for producing the component

Номер патента: US20040108585A1. Автор: Jochen Thomas,Wolfgang Hetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device including semiconductor chip mounted on lead frame

Номер патента: US20140084437A1. Автор: Tetsuo Fujii,Masao Yamada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor package including planar stacked semiconductor chips

Номер патента: US09875990B2. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor module including semiconductor chips in a plastic housing in separate regions

Номер патента: US20090057874A1. Автор: Volker Strutz,Juergen Hoegerl,Thomas Killer,Erich Syri,Gerold Gruendler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor chip including chip pads of different surface areas, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US12021515B2. Автор: Woo Jin Lee,Hyung Ho CHO,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip mounting board with multiple ports

Номер патента: US20080296050A1. Автор: Hisanori Uda,Tetsuya Katayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor chip stacking assemblies

Номер патента: US09633983B2. Автор: Qing Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked via relay substrate

Номер патента: US09508670B2. Автор: Koji Hara,Yoshihiro Ihara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor chip with expansive underbump metallization structures

Номер патента: WO2013192054A1. Автор: Lei Fu,Lihong Cao,Xuefeng Zhang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-12-27.

Chip-on-film package having redistribution pattern between semiconductor chip and connection terminal

Номер патента: US11830803B2. Автор: Sang-uk Han,Jae-Min Jung,Jeong-kyu Ha,KwanJai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for fixing semiconductor chip on circuit board and structure thereof

Номер патента: US20130277814A1. Автор: Chi-chao Liu,Chih-Jui WANG,Long-Chi CHEN. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor chip with multilayer solenoid coil and multi-chip module comprising the same

Номер патента: US09847305B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor chip with offset pads

Номер патента: US20120038061A1. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Rafai-Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Bonding pad on a semiconductor chip

Номер патента: US20010009297A1. Автор: Yimin Huang,Hermen Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070090540A1. Автор: Hiroshi Kawano,Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US20240055376A1. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US12132017B2. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US09853018B2. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn,Karl Engl,Christian Leirer,Roland Zeisel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09705058B2. Автор: Norwin von Malm,Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240258278A1. Автор: Won Il Lee,Hyuekjae Lee,Enbin Jo,Hyungchul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice and related methods

Номер патента: EP3724919A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09825198B2. Автор: Patrick Rode,Stefan Illek,Siegfried Herrmann,Norwin von Malm,Lutz Hoeppel,Albrecht Kieslich. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US10079329B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Fabian Kopp,Christian Eichinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-18.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US12100782B2. Автор: Asako Hirai,Alvaro Gomez-Iglesias. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Testing of semiconductor chips with microbumps

Номер патента: US09618572B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Chao-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips, and Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20220384680A1. Автор: Petrus Sundgren,Ines Pietzonka,Felix FEIX. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09711699B2. Автор: Wolfgang Schmid,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system including semiconductor chips

Номер патента: US20240379621A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips

Номер патента: US20220393062A1. Автор: Philipp Drechsel,Alvaro Gomez-Iglesias,Heng Wang,Xiaojun Chen,Jürgen Off,Thomas Lehnhardt,Jong Ho Na. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09917230B2. Автор: Norwin von Malm,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of producing an optoelectronic semiconductor chip and an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09806225B2. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor chip, stack chip including the same, and testing method thereof

Номер патента: US09459318B2. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200411063A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor chip

Номер патента: US11749757B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor chip

Номер патента: US12080805B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sensor module and semiconductor chip

Номер патента: US09533874B2. Автор: Marc Fueldner,Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor chip having different conductive pad widths and method of making layout for same

Номер патента: US09406631B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor chip, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240213290A1. Автор: Atsushi Yamamoto,Tomiyuki Yukawa,Ryosuke Kamatani. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20230231093A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: Ams Osram Intemational GmbH. Дата публикации: 2023-07-20.

Optoelectronic semiconductor chip and headlamp having such a semiconductor chip

Номер патента: US09799805B2. Автор: Michael Brandl,Ulrich Frei. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US9172014B2. Автор: Markus Bröll,Christoph Klemp,Martin R. Behringer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor chip having memory and logic cells

Номер патента: US11769533B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producting an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240274753A1. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing same

Номер патента: US8884311B2. Автор: Patrick Rode,Lutz Höppel,Werner Bergbauer,Philipp Drechsel,Martin Straβburg,Christopher KÖLPER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-11-11.

Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer

Номер патента: US09722140B2. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US12142592B2. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Edge-Mountable Semiconductor Chip Package

Номер патента: US20200274020A1. Автор: Tongbi T. Jiang,Miaolei YAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US11177233B2. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Method of producing at least one optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US9076941B2. Автор: Stefan Illek,Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-07-07.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US20210057369A1. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-25.

Method and apparatus for determining quality of semiconductor chip

Номер патента: US20240337607A1. Автор: Kenichi Ikeda. Владелец: OPTO SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Multiple path configuration for power supply power of semiconductor chip modules

Номер патента: US09892764B2. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09496462B2. Автор: Britta Göötz,Martin Straβburg,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-15.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240204139A1. Автор: Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240204138A1. Автор: Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US20210083156A1. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09799797B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09530931B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of separating surface layer of semiconductor chip (versions)

Номер патента: RU2459691C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2012-08-27.

Semiconductor package with curing layer between semiconductor chips

Номер патента: US11842982B2. Автор: Seon Ho Lee,Hwail Jin,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor chip including a reference element having reference coordinates

Номер патента: US20020088973A1. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor chip and radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240313148A1. Автор: Laura KREINER,Jelena Ristic. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic semiconductor component, and a method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09882097B2. Автор: Dominik Eisert,Torsten Baade,Michael Zitzlsperger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Removal apparatuses for semiconductor chips

Номер патента: US09768141B2. Автор: Jaeyong Park,Junyoung Ko,Whasu Sin,Kyhyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US20100151598A1. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Enhanced i/o semiconductor chip package and cooling assembly having side i/os

Номер патента: EP4449495A1. Автор: Chen Zhang,Kai Wang,Jun Lu,Yi Zeng,Xinjun Zhang,Mark A. Schmisseur,Mingli Zhou,Zhichao Zhang,Jeffory L. Smalley,Eric W. Buddrius,Guoliang Ying,Lianchang Du,Yuehong Fan,Srikant Nekkanty,Maoxin YIN,Yinglei REN,Chong J. ZHAO,Timothy Glen Hanna,Vijaya K. Boddu,Lijuan Feng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor chip that emits polarized radiation

Номер патента: US09837589B2. Автор: Hans Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Electronic circuit board with semiconductor chip mounted thereon, and manufacturing method therefor

Номер патента: US5854740A. Автор: Gi-Bon Cha. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Radiation-emitting semiconductor chip, rear light for a motor vehicle, motor vehicle, and optical distance measurement device

Номер патента: US11867375B2. Автор: Laura KREINER,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Optoelectronic semiconductor chip and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20200243728A1. Автор: David O'Brien,Michael Schumann,Britta Goeoetz,David Racz,Desiree Queren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of manufacturing semiconductor chip and semiconductor module

Номер патента: US20100075444A1. Автор: Majumdar Gourab,Kiyoshi Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US7960190B2. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Peter Brick,Frank Singer,Hubert Halbritter,Mikko Perala. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Optoelectronic semiconductor chip encapsulated with an ALD layer and corresponding method for production

Номер патента: US09761770B2. Автор: Rainer Hartmann,Johann Eibl,Georg Hartung,Lutz Höppel,Michael Huber,Karl Engl,Markus Maute,Sebastian Taeger,Stefanie Rammelsberger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189669A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150380367A1. Автор: Fucheng CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US20160204075A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for manufacturing a plurality of electronic semiconductor chips, electronic semiconductor chip and display

Номер патента: WO2024115056A1. Автор: Jörg Siegert,Rainer Minixhofer,Bernhard Stering. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US10134697B2. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-20.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for Producing an Electronic Component, Wherein a Semiconductor Chip is Positioned and Placed on a Connection Carrier, Corresponding Electronic Component, and Corresponding Semiconductor Chip and Method for Producing a Semiconductor Chip

Номер патента: US20210351156A1. Автор: Simeon Katz,Mathias Wendt,Pascal Porten. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device having semiconductor chip on base through solder layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060087043A1. Автор: Naoki Hirasawa,Sadahisa Onimaru,Hirohito Matsui,Naohiko Hirano,Kuniaki Mamitsu. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor chip having stepped conductive pillars

Номер патента: US20240250051A1. Автор: Suming Hu,Farshad Ghahghahi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Device and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20240332245A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Radiation emitting or receiving optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09735319B2. Автор: Patrick Rode,Martin Strassburg,Alexander F. Pfeuffer,Martin Mandl,Christopher KÖLPER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09680049B2. Автор: Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Transition between a plastic waveguide and a semiconductor chip, where the semiconductor chip is embedded and encapsulated within a mold compound

Номер патента: US09583811B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production

Номер патента: US20070034888A1. Автор: Dominik Eisert,Berthold Hahn,Stefan Bader,Stephan Kaiser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Solid state drive or other storage apparatus that includes a plurality of encapsulated semiconductor chips

Номер патента: EP2347442A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Back-end active device, semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US11963365B2. Автор: Yun-Feng KAO,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Back-end active device, semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269948A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Method for manufacturing a semiconductor chip stack device

Номер патента: US8957457B2. Автор: Richard Fournel,Pierre Dautriche. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-02-17.

Tape wiring substrate and semiconductor chip package

Номер патента: US20090231823A1. Автор: Takehiro Takayanagi,Daisuke Kunimatsu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor chip

Номер патента: US20110298096A1. Автор: Keiji Miki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Optoelectronic Semiconductor Chip, Display Comprising a Semiconductor Chip of this Type, and Use of a Semiconductor Chip of this Type or of a Display

Номер патента: US20140210348A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Oliver Guenther. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: EP3238274A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-11-01.

Semiconductor Chip Assembly And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20080150133A1. Автор: Kojiro Nakamura,Hidenobu Nishikawa,Kentaro Kumazawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: WO2016105658A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: TWI277118B. Автор: Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R Harshbarger,Kam S Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Ceramic Low-k dielectric composition with Nucleation Agent for low-temperature firing and ceramic Low-k dielectric

Номер патента: KR101038772B1. Автор: 박정현,김동완,최경진,박재관,이항원. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2011-06-03.

MULTI-FREQUENCY INDUCTORS WITH LOW-K DIELECTRIC AREA

Номер патента: US20170140865A1. Автор: Stamper Anthony K.,Vanukuru Venkata Narayana Rao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Apparatus and method for depositing low K dielectric materials

Номер патента: US6176198B1. Автор: John Parks,Yeh-Jen Kao,Fong M. Chang,Robert B. Majewski,David Wanamaker,Yen-Kun Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

PARTIAL METAL FILL FOR PREVENTING EXTREME-LOW-K DIELECTRIC DELAMINATION

Номер патента: US20180082776A1. Автор: Wang Zhongze,CHEN Guoqing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

RECESSING ULTRA-LOW K DIELECTRIC USING REMOTE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150200042A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Kang Sean S.,HOWARD Bradley J.,Ling Mang Mang,Pender Jeremiah T P. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150380215A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: EP2272068B1. Автор: Andreas Klipp,Hans-Joachim HÄHNLE,Arno Lange. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-07-04.

Low-K dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: CN102017015A. Автор: A·克里普,A·郎格,H-J·黑内尔. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-04-13.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: WO2009133082A1. Автор: Andreas Klipp,Hans-Joachim HÄHNLE,Arno Lange. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2009-11-05.

Antenna impedance matching apparatus, semiconductor chip, and method

Номер патента: US09647630B2. Автор: Tao Liu,JIAN Liang,Weinan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor Chip and Optical Module

Номер патента: US20230283046A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240162681A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Hubert Halbritter,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-16.

Optoelectronic semiconductor chip and component

Номер патента: US20240275125A1. Автор: Christoph Walter,Sven GERHARD,Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

High-power semiconductor chip and preparation method therefor

Номер патента: US20220166190A1. Автор: HONG XU,Jun Wang,Shaoyang TAN,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for loop-back test and associated loop-back test method

Номер патента: US12028099B2. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for loop-back test and associated loop-back test method

Номер патента: US20230179240A1. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and component

Номер патента: US20240275127A1. Автор: Jörg Erich SORG,Erik Heinemann,Thomas Kippes,Matthias Heidemann,Sebastian SCHLEGL,Andre SOMERS. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240064985A1. Автор: Peng Zhang,Masanori Tsutsumi,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Low-k dielectric aerogel/polymer composite film preparation method

Номер патента: US20240301150A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen,Sheng-Hong PONG,Yang-Duan LI. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and apparatus for optimizing thermal management system performance using full-chip thermal analysis of semiconductor chip designs

Номер патента: EP1920645A2. Автор: Rajit Chandra. Владелец: Gradient Design Automation Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

Image capturing apparatus, image capturing system, moving object, and semiconductor chip having signal processing circuits in two-dimensional form

Номер патента: US10652499B2. Автор: Daisuke Yoshida,Hirofumi Totsuka,Naoki Isoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US20160269320A1. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US9900266B2. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US09900266B2. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor chip and test method of the same

Номер патента: US20230176112A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Hwang Ho Choi,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES

Номер патента: US20150232992A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,KIM Taewan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same

Номер патента: TWI262557B. Автор: Chang-Weon Lee. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Low thermal conductivity and low-k dielectric aerogel material and preparation method therefor

Номер патента: US20230348284A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

HYBRID POLYMER NETWORKS AS ULTRA LOW 'K' DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20130317183A1. Автор: WORSLEY Marcus A.,Lewicki James. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2013-11-28.

Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same

Номер патента: SG122873A1. Автор: Chang-Weon Lee. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

CUREABLE FORMULATIONS FOR FORMING LOW-k DIELECTRIC SILICON-CONTAINING FILMS USING POLYCARBOSILAZANE

Номер патента: US20210198429A1. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J. LARRABEE. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Low K Dielectric Compositions For High Frequency Applications

Номер патента: US20190135683A1. Автор: Sridharan Srinivasan,Maloney John J.,Widlewski David L.,Sakoske George E.,Marley Peter,Tormey Ellen S.,WANG Stanley,Davis Jackie D.,Brown Orville W.,Her Yie-Shein,Gleason Cody J.,Megherhi Mohammed H.,Coffey Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Номер патента: EP4085091A4. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J Larrabee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-01-24.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor chip testing apparatus for picking up and testing a semiconductor chip

Номер патента: US09664706B2. Автор: Woo-Yoel Jeong,Duk-Soon Choi,Dong-Shin Kim,In-Seol HWANG,Seong-Han PARK,In-Seob KWON. Владелец: SEMICORE Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor chip, device and system comprising the semiconductor chip, and method for manufacturing the semiconductor chip or the system

Номер патента: EP4290411A1. Автор: Heiko Zimmermann,Günter R. FUHR. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-13.

Improved mounting apparatus and method for accurately positioning and aligning a leadless semiconductor chip on an associated header

Номер патента: WO2010048061A3. Автор: Anthony D. Kurtz,Alexander Ned,Scott Goodman. Владелец: Kulite Semiconductor Products, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Electronic device using external memory device to store hardware setting of semiconductor chip for fast boot and power saving of semiconductor chip

Номер патента: US20230280913A1. Автор: Chung-hsin Huang,Yu-Hua Huang,Wei-Yu MA,Po-Chao Fang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for removing carbon-rich particles adhered on exposed copper surface of copper/low k dielectric dual damascene structure

Номер патента: TW497213B. Автор: Ming-Sheng Yang,Teng-Chiun Tsai,Jia-Lin Shiu,Yung-Tzung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Re-Establishing Surface Characteristics of Sensitive Low-K Dielectrics in Microstructure Devices by Using an In Situ Surface Modification

Номер патента: US20120049383A1. Автор: Fischer Daniel,Schaller Matthias,Oszinda Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Номер патента: US20120189782A1. Автор: Dong Wenting,Begag Redouane,Rhine Wendell E,Zafiropoulos Nicholas A,Nahass Paul,Trifu Roxana,White Shannon,Gould George L,Naiman Alaric,Sinta Roger. Владелец: ASPEN AEROGELS, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20130045908A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Repair of Damaged Surface Areas of Sensitive Low-K Dielectrics of Microstructure Devices After Plasma Processing by In Situ Treatment

Номер патента: US20130072018A1. Автор: Fischer Daniel,Schaller Matthias,Oszinda Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты