SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER AND FABRICATION METHOD.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140291817A1
Опубликовано: 02-10-2014
Автор(ы): ZHOU MING
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US20170309513A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Interconnect system with improved low-K dielectrics

Номер патента: US12080547B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect system with improved low-k dielectrics

Номер патента: US20240363336A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Curing Low-k Dielectrics for Improving Mechanical Strength

Номер патента: US20090250792A1. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Low-k dielectric layer, semiconductor device, and method for fabricating the same

Номер патента: US20070205516A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Yu-Ku Lin,Shih-Ho Lin,Sheng-Wen Chen,Shiu-Ko Jangjian,Hung-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Low-k dielectric layer, semiconductor device, and method for fabricating the same

Номер патента: TW200735184A. Автор: Kei-Wei Chen,Ying Lang Wang,Shih-Ho Lin,Sheng-Wen Chen,Yu Ku Lin,Shiu-Ko Jangjian,Hung-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

LOW-K DIELECTRIC DAMAGE PREVENTION

Номер патента: US20210233809A1. Автор: Hsu Chia-Lin,Lee Chen-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including a porous low-k material layer stack with reduced uv sensitivity

Номер патента: US20080099918A1. Автор: Christof Streck,Volker Kahlert. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Multi component dielectric layer

Номер патента: US20130087923A1. Автор: Alfred Grill,Satyanarayana V. Nitta,Son V. Nguyen,Stephen M. Gates. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Structure and method for isolating porous low-k dielectric films

Номер патента: TW200305221A. Автор: Steve Lytle,Kurt G Steiner,Scott Jessen,Gerald Gibson,Susan Vitkavage. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2003-10-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180308801A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200335449A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN EXTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359412A1. Автор: SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Semiconductor device having a porous low-k structure

Номер патента: US10008382B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Porous low-k dielectric interconnect structures

Номер патента: AU2002361679A8. Автор: Kelly Malone,Jeffrey C Hedrick,Kang-Wook Lee,Christy S Tyberg,Ann R Fornof. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-09.

METHODS OF FORMING AN ULTRA-LOW-K DIELECTRIC LAYER AND DIELECTRIC LAYERS FORMED THEREBY

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Han Kyu-hee,KIM Jiyoung,Baek Jongmin,AHN SANGHOON,KANG Yoonhee,Yim Taejin,Oh Hyeoksang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Method of making a semiconductor device having a low k dielectric

Номер патента: US20050130405A1. Автор: Michael Turner,Gregory Spencer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-06-16.

Stabilization of fluorine-containing low-k dielectrics in a metal/insulator wiring structure by ultraviolet irradiation

Номер патента: US20020185741A1. Автор: Sampath Purushothaman,Alfred Grill,Katherine Saenger,Stephen Cohen,Katherina Babich,Vishnubhai Patel,Alessandro Calleqari,Christophr Jahnes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

System and Method of Forming a Porous Low-K Structure

Номер патента: US20200303184A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,Lin Bo-Jiun. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

System and method of forming a porous low-k structure

Номер патента: TWI585971B. Автор: 包天一,陳海清,林伯俊. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-01.

System and method of forming a porous low-K structure

Номер патента: US10679846B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Structure to improve adhesion between top CVD low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: US7402532B2. Автор: Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Yun-Yu Wang,Lawrence A. Clevenger,Derren N. Dunn,Stefanie R. Chiras,Michael W. Lane,Thomas M. Shaw,Philip L. Flaitz,Darryl D. Restaino,James J. Demarest,Chester T. Dziobkowski,James R. Lloyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Structure to improve adhesion between top cvd low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: TW200605300A. Автор: Timothy Dalton,Yun-Yu Wang,Chih Chao Yang,Lawrence A Clevenger,James R Lloyd,Thomas M Shaw,Stefanie R Chiras,James J Demarest,Derren N Dunn,Chester T Dziobkowski,Philip L Flaitz,Michael W Lane,Darryl D Restaino. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-02-01.

Structure to improve adhesion between top CVD low-k dielectric and dielectric capping layer

Номер патента: US7102232B2. Автор: Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Yun-Yu Wang,Lawrence A. Clevenger,Derren N. Dunn,Stefanie R. Chiras,Michael W. Lane,Thomas M. Shaw,Philip L. Flaitz,Darryl D. Restaino,James J. Demarest,Chester T. Dziobkowski,James R. Lloyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

INTERCONNECT STRUCTURES CONTAINING PATTERNABLE LOW-K DIELECTRICS AND ANTI-REFLECTIVE COATINGS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200219765A1. Автор: Chen Shyng-Tsong,Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-09.

Zeolite-carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: US20050107242A1. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

LOW k DIELECTRIC CVD FILM FORMATION PROCESS WITH IN-SITU IMBEDDED NANOLAYERS TO IMPROVE MECHANICAL PROPERTIES

Номер патента: US20060202311A1. Автор: Son Nguyen,Sarah Lane,Darryl Restaino,Eric Liniger,Kensaku Ida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Zeolite - carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: EP1685589A1. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-08-02.

Low k dielectric CVD film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties

Номер патента: US7998880B2. Автор: Son V. Nguyen,Darryl D. Restaino,Kensaku Ida,Sarah L. Lane,Eric G. Liniger. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Heterogeneous low k dielectric

Номер патента: TW200522257A. Автор: Syun-Ming Jang,Yung-Cheng Lu,Pi-Tsung Chen,Lih-Ping Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Low k dielectric cvd film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties

Номер патента: CN101138085A. Автор: 宋·V.·恩古彦,萨拉赫·L.·雷恩,埃里克·G.·里尼格尔,井田健作,达里尔·D.·雷斯塔诺. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-03-05.

Zeolite-carbon doped oxide composite low k dielectric

Номер патента: US7303985B2. Автор: Hai Deng,Huey-Chiang Liou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Interconnect System with Improved Low-K Dielectrics

Номер патента: US20210313174A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Low k dielectric materials with inherent copper ion migration barrier

Номер патента: US6730618B2. Автор: Claudius Feger,Stephan Alan Cohen,Jane Margaret Shaw,Jeffrey Curtis Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Enhancement of modulus and hardness for uv-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US20160020090A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11309180B2. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Low dielectric constant (low-k) dielectric and method of forming the same

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Xiangyu GUO,Weiyi Li,Huifeng Zheng,Dongfei Pei,J. Leon Shohet,Joshua Blatz. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Etching-damage-free intermetal dielectric layer with thermal dissipation feature

Номер патента: US20240087980A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Ming-Hsien Lin,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen-Ju Wu,Yen-Pin HSU,Li-Ling SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having a multi-layer diffusion barrier and method of making the same

Номер патента: US11742393B2. Автор: Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming chip type low-k dielectric layer

Номер патента: TW200631129A. Автор: Kuan-Jui Huang,Shu-Hua Hu,Shih-Min Huang,Chin-Chang Pan. Владелец: Touch Micro System Tech. Дата публикации: 2006-09-01.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120168203A1. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: KR101333306B1. Автор: 라비 프라카쉬 스리바스타바. Владелец: 글로벌파운드리즈 싱가포르 피티이. 엘티디.. Дата публикации: 2013-11-27.

Integrated circuit system with ultra-low K dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: CN102569174B. Автор: R·P·斯里瓦斯塔瓦. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-10.

Plasma induced depletion of fluorine from surfaces of fluorinated low-k dielectric materials

Номер патента: US20020063312A1. Автор: Ebrahim Andideh,Steven Towle,Lawrence Wong. Владелец: Steven Towle. Дата публикации: 2002-05-30.

Curing low-k dielectrics for improving mechanical strength

Номер патента: US8853858B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: TWI458044B. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material

Номер патента: US6537896B1. Автор: Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: WO2015126775A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Forming a low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: US09850574B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Enhancement of modulus and hardness for UV-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US09659765B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: US20110020955A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: US20140004717A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: WO2014007924A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubres and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: WO2006041793A1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-20.

Structure of porous low-k layer and interconnect structure

Номер патента: US8350246B2. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Forming method and structure of porous low-k layer, interconnect process and interconnect structure

Номер патента: US20110147948A1. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Low-k dielectric damage prevention

Номер патента: US20220367259A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Chen-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Low-k dielectric films

Номер патента: WO2021030309A1. Автор: Kang Sub Yim,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Shaunak Mukherjee,William J. Durand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Process for producing low-k dielectric films

Номер патента: EP1642329B1. Автор: Adolf KÜHNLE,Carsten Jost,Hartwig Rauleder,Hartmut Fischer,Klaas Timmer,Corne Rentrop,Roelant Van Dam. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same

Номер патента: AU2002303576A1. Автор: Sampath Purushothaman,Stephen McConnell Gates,Satyanarayana V. Nitta,Christopher B. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-18.

Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same

Номер патента: EP1384256A2. Автор: Sampath Purushothaman,Stephen McConnell Gates,Satyanarayana V. Nitta,Christopher B. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor Device Having a Porous Low-K Structure

Номер патента: US20170033043A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,Lin Bo-Jiun. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: Christopher Cole,Angelique D. Raley,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Selective deposition on metals using porous low-k materials

Номер патента: WO2023083540A1. Автор: Son Nguyen,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hosadurga Shobha,Rudy Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Recleaning process for metal plug that minimizes damage to low K dielectric

Номер патента: EP1081750A3. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Barney M. Cohen,Suraj Rengarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Method for fabricating low-k dielectric and Cu interconnect

Номер патента: US8354346B2. Автор: Keng-Chu Lin,Tzu-Li Lee,Chih-hao Chen,Ming-Chung Liang,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US09972485B2. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation

Номер патента: US7208389B1. Автор: Feng Wang,Qingguo Wu,Patrick A. Van Cleemput,Adrianne K. Tipton,Brian G. Lu,Michelle T. Schulberg,Haiying Fu. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

ENHANCEMENT OF MODULUS AND HARDNESS FOR UV-CURED ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20160020090A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,CHHABRA Mahendra,DASH Priyanka. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

LOW K DIELECTRIC DEPOSITION VIA UV DRIVEN PHOTOPOLYMERIZATION

Номер патента: US20170140931A1. Автор: van Cleemput Patrick A.,Ndiege Nicholas Muga. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Methods for producing low stress porous and cdo low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups

Номер патента: US20090239390A1. Автор: Qingguo Wu,Haiying Fu. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Conductive element for semiconductor devices

Номер патента: US11955380B2. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US20230386821A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Porous low-K dielectric interconnect structures

Номер патента: CN100483698C. Автор: 李康旭,安·R·福尔诺夫,杰弗里·C·海德里克,凯利·马罗尼,克里斯蒂·S·迪伯格. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

Porous low-k dielectric interconnect structures

Номер патента: KR100581815B1. Автор: 이강욱,포르노프앤알,헤드릭제프리씨,말론켈리,티버그크리스티에스. Владелец: 인터내셔널 비지니스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2006-05-23.

Porous low-k dielectric interconnects with improved adhesion produced by partial burnout of surface porogens

Номер патента: US20030111263A1. Автор: Christy Tyberg,Jeffrey Hedrick,Kang-Wook Lee,Ann Fornof. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Toughness, adhesion and smooth metal lines of porous low k dielectric interconnect structures

Номер патента: US20030114013A1. Автор: Kelly Malone,Christy Tyberg,Jeffrey Hedrick,Kang-Wook Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Interconnect Structure with Porous Low K Film

Номер патента: US20200227272A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Method for fluorocarbon film used as middle stop layer for porous low k film

Номер патента: EP3301705A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-04.

Method and materials for integration of fluorine-containing low-k dielectrics

Номер патента: TW426962B. Автор: Alfred Grill,Vishnubhai Vitthalbhai Patel,Christopher Vincent Jahnes,Katherine Lynn Saenger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-03-21.

Low damage photoresist strip method for low-k dielectrics

Номер патента: WO2011072042A2. Автор: David Cheung,Ted Li,Kirk Ostrowski,Anirban Guha. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: CN1276499C. Автор: L·D·王. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by Cu diffusion barrier structures

Номер патента: US7115995B2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: WO2002050894A2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-06-27.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by cu diffusion barrier structures

Номер патента: EP1356509B1. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Ultraviolet assisted porogen removal and/or curing processes for forming porous low k dielectrics

Номер патента: US20060024976A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Sealed porous materials, methods for making them, and semiconductor devices comprising them

Номер патента: EP2573802A2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Pascal van der Voort,Frederik Goethals,Isabel Van Driessche. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-03-27.

Plasma curing of msq-based porous low-k film materials

Номер патента: EP1410431A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan L. Berry, III,Ralph Albano,Ian Ball,Jeff Jang. Владелец: Chemat Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Low k dielectric

Номер патента: EP2164648A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis P.S. Thoms. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Method for forming ultra-low K dielectric layer

Номер патента: CN108389782B. Автор: 崔金益. Владелец: JIANGSU OUTE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

A method of forming ultra low k dielectric layer

Номер патента: CN108389782A. Автор: 崔金益. Владелец: 崔金益. Дата публикации: 2018-08-10.

Dielectric layer on substrate and fabrication method thereof

Номер патента: JP5014567B2. Автор: エダンカッツハワード,バオゼナン. Владелец: アルカテル−ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of forming a low-k dielectric layer with improved damage resistance and chemical integrity

Номер патента: US8043959B2. Автор: Keng-Chu Iin,Chia Cheng Chou,Ming-Ling Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Method to improve mechanical strength of low-K dielectric film using modulated UV exposure

Номер патента: US8715788B1. Автор: Easwar Srinivasan,David Mordo,Haiying Fu,Seon-Mee Cho,Ananda K. Bandyopadhyay. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Dual damascene process flow for porous low-k materials

Номер патента: US20050106856A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Chen-Nan Yeh,Chien-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

System and Method of Forming a Porous Low-K Structure

Номер патента: US20180308689A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,Lin Bo-Jiun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

POST TREATMENT FOR DIELECTRIC CONSTANT REDUCTION WITH PORE GENERATION ON LOW K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20150380265A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,NGO Sure,ARDALAN Pendar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-12-31.

Zeolite—sol gel nano-composite low k dielectric

Номер патента: US7674390B2. Автор: Hai Deng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-09.

Thermal low k dielectrics

Номер патента: US20030170973A1. Автор: Charles May,Derryl Allman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: US20130023124A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Yifeng Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

LOW-K DIELECTRIC FILM FORMATION

Номер патента: US20160042943A1. Автор: ANTONELLI George Andrew,Ribaudo Troy Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for forming uv-cured low-k dielectric films

Номер патента: US20220108884A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Kang Sub Yim,Bo Xie,Ruitong Xiong,Sure Ngo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Application of a supercritical CO2 system for curing low k dielectric materials

Номер патента: US6875709B2. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Chun-Hsien Lin,Anthony Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-05.

Method for covalently grafting fluorine-free nano-pore low-k dielectric film on surface of semiconductor

Номер патента: CN112201565A. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-08.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: WO2009085098A1. Автор: James DeYoung. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter

Номер патента: TW200845202A. Автор: Sivaramakrishnan Visweswaren,Kelvin Chan,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Nagarajan Rajagopalan,Dustin W Ho,Alexandros T Demos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-16.

The formation of low K dielectrics film

Номер патента: CN105374676B. Автор: 乔治·安德鲁·安东内利,特洛伊·丹尼尔·里包多. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-01-18.

Systems and methods for forming UV cured low-K dielectric films

Номер патента: KR20230079273A. Автор: 보 시에,강 섭 임,루이통 시옹,수레 응오,이준 리우,리-춘 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-06-05.

Post treatment for constant reduction with pore generation on low-k dielectric films

Номер патента: WO2014158351A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Sure Ngo,Pendar ARDALAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectrics

Номер патента: JP5449189B2. Автор: デヨン・ジェイムズ. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Bonding a metal component to a low-K dielectric material

Номер патента: US20050095743A1. Автор: Jihperng Leu,Grant Kloster. Владелец: Jihperng Leu. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20220416055A1. Автор: Se Hun Kang,Ki Vin Im,Kyoung Ryul Yoon,Wan Joo MAENG,Hyun Soo JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US12131973B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20210359100A1. Автор: Se Hun Kang,Ki Vin Im,Kyoung Ryul Yoon,Wan Joo MAENG,Hyun Soo JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11469310B2. Автор: Se Hun Kang,Ki Vin Im,Kyoung Ryul Yoon,Wan Joo MAENG,Hyun Soo JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: GB2597430A. Автор: LI Tao,Seshadri Indira,Joseph Praveen,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: WO2020222116A1. Автор: Tao Li,Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: US20210296438A1. Автор: Tao Li,Praveen Joseph,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Vertically stacked fin semiconductor devices

Номер патента: US20200343338A1. Автор: Tao Li,Praveen Joseph,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Han Kyu-hee,Ahn Sang-hoon,CHOI Seung-hyuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11799034B2. Автор: Yukinori Shima,Masakatsu Ohno,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420571A1. Автор: Yukinori Shima,Masakatsu Ohno,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Memory devices including dielectric thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070126045A1. Автор: Ansoon Kim,Han Young Yu,Sung-Yool Choi,Chil Seong Ah,Min Ki Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11837515B2. Автор: Yu-Yun Peng,Yin-Jie Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230386947A1. Автор: Yu-Yun Peng,Yin-Jie Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dielectric layer in capacitor and fabricating using the same and capacitor in semiconductor device and fabricating using the same

Номер патента: KR101152390B1. Автор: 박종범. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220293763A1. Автор: Tomohiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US20230420328A1. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Devices Including Polar Insulation Layer Capped by Non-Polar Insulation Layer

Номер патента: US20150318358A1. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Tamara F. Isaacs-Smith,Yogesh K. Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

POROUS LOW-K DIELECTRIC ETCH

Номер патента: US20180350618A1. Автор: Hudson Eric,GOPALADASU Prabhakara,Wang Chia-Chun,Ouyang Zihao,DESHMUKH Shashank,LI Sonny. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Techniques promoting adhesion of porous low k film to underlying barrier layer and interconnection structure

Номер патента: CN1938833B. Автор: 亚历山德罗斯·T·迪莫斯,崔振江,海澈姆·穆萨德,福兰斯马尔·斯楚弥特,德里克·R·维蒂,安相和,莱斯特·A·德库兹,卡勒德·A·埃彻尔. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180097013A1. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10050056B2. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: US20100055903A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: US8030209B2. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-10-04.

Enhancing structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices by using a crack suppressing material layer

Номер патента: TW201030897A. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-08-16.

Improve the structural integrity of low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices using a crack-inhibiting material layer

Номер патента: DE102008045035B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2017-11-16.

Low-k dielectric layer with overlying adhesion layer

Номер патента: US6939792B1. Автор: Mira Ben-Tzur,Maryam Jahangiri. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7642203B2. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-01-05.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070148987A1. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Low-K Dielectric Layer and Porogen

Номер патента: US20170148676A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Low-K dielectric layer and porogen

Номер патента: US9564383B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040029397A1. Автор: Dong-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Methods for forming low-k dielectric materials

Номер патента: US20240363337A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Chi-I Lang,Shankar Venkataraman,Bo Xie,Michael Haverty,Shanshan Yao,Rui Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

AIR-GAP STRUCTURE FORMATION WITH ULTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER ON PECVD LOW-K CHAMBER

Номер патента: US20160099167A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,KIM Taewan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method for forming openings in low-k dielectric layers

Номер патента: US20040063308A1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Lih-Ping Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Low-k dielectric layer formed from aluminosilicate precursors

Номер патента: TW200629414A. Автор: Michael Goodner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Techniques promoting adhesion of porous low k film to underlying barrier layer

Номер патента: KR101141459B1. Автор: 드렉 알. 위티,알렉산드로스 티. 데모스,프란시마 슈미트,하이쳄 엠'사드,상 에이치. 안,레스터 에이. 디'크루즈. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for forming a multi-layer protective coating over porous low-k material

Номер патента: US6500770B1. Автор: Chen-Hua Yu,Yu-Huei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-31.

Damascene interconnection having porous low K layer with improved mechanical properties

Номер патента: US20070232046A1. Автор: Takeshi Nogami,Koji Miyata. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180053779A1. Автор: Hae Chan PARK,Jang Won Kim,Gong Hyun SA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240290611A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Techniques promoting adhesion of porous low K film to underlying barrier layer

Номер патента: US7547643B2. Автор: Alexandros T. Demos,Francimar Schmitt,Derek R. Witty,Zhenjiang Cui,Hichem M'Sadd,Sang H. Ahn,Lester A. D'Cruz,Khaled A. Elsheref. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-16.

Damascene interconnection having porous low k layer with improved mechanical properties

Номер патента: TW200741971A. Автор: Takeshi Nogami,Koji Miyata. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Low-k dielectric films

Номер патента: US11393678B2. Автор: Kang Sub Yim,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Shaunak Mukherjee,William J. Durand. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Method of manufacturing a low k dielectric film and manufacturing air-gap using the low k dielectric film

Номер патента: KR101015534B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2011-02-16.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087881A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US11967498B2. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Bo Xie,Ruitong Xiong,Kang S. Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087880A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubes and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: TW200627546A. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven John Holmes,Koburger, Iii. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-08-01.

ADHESION LAYER AND MULTIPHASE ULTRA-LOW k DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20140203336A1. Автор: Son Van Nguyen,Kelly Malone,Alfred Grill,Vishnubhai Vitthalbhai Patel,Hosadurga Shobha,Thomas Jasper Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Process for lowering adhesion layer thickness and improving damage resistance for thin ultra low-k dielectric film

Номер патента: TW201230192A. Автор: Alexandros T Demos,Mahendra Chhabra,Kang-Sub Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Composition and chemical vapor deposition method for forming organic low k dielectric films

Номер патента: AU2003275278A1. Автор: Neil H. Hendricks. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-23.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20200006059A1. Автор: Li Chun Te,Tien-I Bao,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

LOW-K DIELECTRIC GAPFILL BY FLOWABLE DEPOSITION

Номер патента: US20160020089A1. Автор: Lee Young S.,Liang Jingmei,SRINIVASAN Mukund,Thadani Kiran V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

COMPOSITIONS OF LOW-K DIELECTRIC SOLS CONTAINING NONMETALLIC CATALYSTS

Номер патента: US20140120739A1. Автор: Phillips Mark L.F.,Savage Travis. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

INTERCONNECT SYSTEM WITH IMPROVED LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20200043721A1. Автор: Liou Joung-Wei,Chiu Yi-Wei,Ke Yu Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Low-K Dielectric Films

Номер патента: US20210050212A1. Автор: Yim Kang Sub,Durand William J.,Saly Mark,Kalutarage Lakmal C.,MUKHERJEE Shaunak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOSITING LOW-K DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20220084815A1. Автор: Xia Li-Qun,Yim Kang Sub,Xie Bo,LIU Yijun,NGO Sure,Xiong Ruitong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Magnetic random access memory with permanent photo-patternable low-k dielectric

Номер патента: US20200066792A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT

Номер патента: US20160093488A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Kamath Sanjay,Thadani Kiran V.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-31.

HIGH UV CURING EFFICIENCY FOR LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20150104953A1. Автор: Yang Hui-Chun,Ko Chung-Chi,Hsu Kuang-Yuan,SHIH Po-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: US20150111396A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20210183646A1. Автор: BAO Tien-I,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Low-k Dielectric and Processes for Forming Same

Номер патента: US20190164748A1. Автор: BAO Tien-I,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng,Te Li Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Low-K Dielectric With Self-Forming Barrier Layer

Номер патента: US20200388532A1. Автор: Yi Ding,Deenesh Padhi,Kang Sub Yim,Bo Xie,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Process and an integrated tool for low k dielectric deposition including a pecvd capping module

Номер патента: US20040020601A1. Автор: Jun Zhao,Sasson Somekh,Farhad Moghadam,Tim Weidman,Rick Roberts,Hari Ponnekanti,Chau Nguyen,Satish Sundar,David Quach. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Self-aligned dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials and nitride middle etch stop layer

Номер патента: US6153514A. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Silica zeolite low-k dielectric thin films

Номер патента: WO2002007191A2. Автор: Yushan Yan,Huanting Wang,Zhengbao Wang. Владелец: The Regents Of The Universty Of California. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of depositing a low K dielectric with organo silane

Номер патента: US6511909B1. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-28.

Method of depositing a low k dielectric with organo silane

Номер патента: US6054379A. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Methods to obtain low k dielectric barrier with superior etch resistivity

Номер патента: KR20090036533A. Автор: 드렉 알. 위티,히켐 엠'사드,후이웬 쑤,이준 리우 (존),리-쿤 씨아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-04-14.

Low-K dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: US20030064154A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu,Ravi Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

Repair of carbon depletion in low-k dielectric films

Номер патента: CN1741254A. Автор: F·韦伯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-01.

Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes

Номер патента: EP1077274A1. Автор: Li-Qun Xia,Tian-Hoe Lim,Himansu Pokhama. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-21.

Method of low-k dielectric film repair

Номер патента: KR101461175B1. Автор: 라리오스 존 엠 데,석민 윤,마크 윌콕슨. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2014-11-18.

Low-k dielectric and processes for forming same

Номер патента: KR102263321B1. Автор: 티엔-아이 바오,치아 쳉 쵸우,포-쳉 시흐,춘 테 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-06-15.

Method to improve cracking thresholds and mechanical properties of low-k dielectric material

Номер патента: CN1698189A. Автор: 夏立群,李丽华,黄子芳,胡安·C·罗奇阿尔瓦雷斯. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric

Номер патента: US20030194495A1. Автор: Li Xia,Wen Zhu,Ellie Yieh,Lihua Li,Tzu-Fang Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Repair of damaged surface areas of sensitive low-K dielectrics of microstructure devices after plasma processing by in situ treatment

Номер патента: US8575041B2. Автор: Daniel Fischer,Matthias Schaller,Thomas Oszinda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of protecting a low-K dielectric material

Номер патента: US6268294B1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Shwangming Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Preparation of low-K dielectric interlayer films using Si-containing resists

Номер патента: DE10314152B4. Автор: Zhijian Lu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter

Номер патента: KR100899726B1. Автор: 알렉산드로스 티. 데모스,비스웨스워렌 시바라마크리쉬난,더스틴 더블유. 호,주안 칼로스 로샤-알바레즈,켈빈 챈,나가라쟌 라자고파란. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of forming a cap layer having anti-reflective characteristics on top of a low-k dielectric

Номер патента: TWI349307B. Автор: Thomas Werner,Frank Mauersberger,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-09-21.

Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition(pecvd)

Номер патента: KR101221582B1. Автор: 강 섭 임,리후아 리 후앙,프란시말 슈미트,리-콴 시아. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-01-14.

Improved adhesion between low-k dielectrics and conductive materials

Номер патента: JP2007533171A. Автор: ナガラジャンラジャゴパラン，,メイイーシェク，,アルバートリー，,アンナマライラクシュマナン，,リ‐クンシャ，,ツェンジアンクイ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Methods to obtain low k dielectric barrier with superior etch resistivity

Номер патента: CN101419915B. Автор: 夏立群,许惠雯,德里克·R·维迪,伊沙姆·迈’萨德,刘宜君. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Method of depositing a low K dielectric with organo silane

Номер патента: US6730593B2. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Shin-puu Jeng,Kuowei Liu,Yung-Cheng Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Magnetic random access memory with permanent photo-patternable low-K dielectric

Номер патента: US10665636B2. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: WO2003015129A2. Автор: Thomas H. Baum,Chongying Xu,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Material, Inc.. Дата публикации: 2003-02-20.

Low-k dielectric with self-forming barrier layer

Номер патента: WO2020251880A1. Автор: Yi Ding,Deenesh Padhi,Kang Sub Yim,Bo Xie,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-17.

Process for producing a cover layer with antireflective properties on a low-k dielectric

Номер патента: DE10260619B4. Автор: Thomas Werner,Frank Mauersberger,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Silica zeolite low-k dielectric thin films and methods for their production

Номер патента: US6573131B2. Автор: Yushan Yan,Huanting Wang,Zhengbao Wang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-06-03.

Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-K dielectric using TRI methylsilane-ozone based processes

Номер патента: US20030066482A1. Автор: Li-Qun Xia,Tian Lim,Himansu Pokharna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Replacement contact cuts with an encapsulated low-K dielectric

Номер патента: US10256089B2. Автор: Huy Cao,Haigou Huang,Jinsheng Gao,Tai Fong Chao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices

Номер патента: WO2002004134A8. Автор: Sokol Ibrani,Devendra Kumar,Vuong P Nguyen,Jeffrey D Womack,Jack S Kasahara,Ketan Itchhaporia. Владелец: Fsi Int Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Ultrasonic spray coating of liquid precursor for low K dielectric coatings

Номер патента: US6583071B1. Автор: Farhad Moghadam,Timothy Weidman,Yunfeng Lu,Michael Barnes,Michael P Nault. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same

Номер патента: AU2002323040A8. Автор: Thomas H Baum,Chongying Xu,Ravi K Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Method to improve cracking thresholds and mechanical properties of low-k dielectric material

Номер патента: EP1599898A2. Автор: Li-Qun Xia,Lihua Li,Tzu-Fang Huang,Juan C. Rocha-Alvarez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Low-K dielectric with self-forming barrier layer

Номер патента: CN113939896A. Автор: 丁祎,K·S·伊姆,S·慕克吉,B·谢,D·帕德希. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-14.

Low-k dielectric and processes of its production

Номер патента: DE102018108893A1. Автор: Li Chun Te,Tien-I Bao,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Nitrogen-free hard mask over low K dielectric

Номер патента: US20040185674A1. Автор: Hichem M'Saad,Sang Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for depositing a low k dielectric film (k<3.5) for hard mask application

Номер патента: US20030113995A1. Автор: Wen Zhu,Li-Qun Xia,Ping Xu,Tzu-Fang Huang,Louis Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) DIELECTRIC AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Li Weiyi,Shohet J. Leon,Zheng Huifeng,Guo Xiangyu,Blatz Joshua,Pei Dongfei. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140120726A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

Repairing Damage To Low-K-Dielectric Materials Using Silylating Agents

Номер патента: KR101064336B1. Автор: 아난스 나만,아닐 에스. 바냅,테레사 에이. 라모스,낸씨 이와모토,로저 와이. 레웅. Владелец: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-09-16.

Composite manganese nitride/low-K dielectric cap

Номер патента: US09711456B2. Автор: Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by ild posts

Номер патента: EP1405337A2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-07.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

Self Forming Metal Fluoride Barriers for Fluorinated Low-K Dielectrics

Номер патента: US20100244252A1. Автор: Florian Gstrein,Christopher J. Jezewski,Daniel J. Zierath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09761483B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180190656A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Yu-Chieh Lin,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210328028A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device including surface-treated semiconductor layer

Номер патента: US12046656B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Wet etching chemistry and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US12046476B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming semiconductor device using wet etching chemistry

Номер патента: US20240339327A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US12087840B2. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US20240379344A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190115352A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Yu-Chieh Lin,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact

Номер патента: US12040360B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Minhyun LEE,Haeryong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258379A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10236294B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Yu-Chieh Lin,Shih-Fang Tzou,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Photoresist process for stripping when having conventional low k and/or porous low k dielectric material

Номер патента: CN100568472C. Автор: 海伦·朱,R·萨亚迪. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of forming a semiconductor device comprising titanium silicon oxynitride

Номер патента: US10032625B2. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Reduced current leakage semiconductor device

Номер патента: US09722031B2. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Yanning Sun,Pranita Kerber,Young-Hee Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Reduced current leakage semiconductor device

Номер патента: US09627482B2. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Yanning Sun,Pranita Kerber,Young-Hee Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Wet etching chemistry and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20230307240A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: US20060258148A1. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: KR101299661B1. Автор: 헬렌 주,레자 사드자디. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2013-09-03.

Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films

Номер патента: KR20070086070A. Автор: 카를로 왈드프라이드,올란도 에스코르시아,이반 베리. Владелец: 액셀리스 테크놀로지스, 인크.. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: KR20080014773A. Автор: 헬렌 주,레자 사드자디. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: US7288488B2. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: IL186729A. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: Reza Sadjadi. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for resist strip in presence of regular low k and/or porous low k dielectric materials

Номер патента: WO2006122119A2. Автор: Helen Zhu,Reza Sadjadi. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Ultraviolet assisted pore sealing of porous low k dielectric films

Номер патента: CN100530564C. Автор: I·贝里,C·沃尔弗里德,O·埃斯科尔恰. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Method for fabricating semiconductor devices including wiring forming with a porous low-k film and copper

Номер патента: US6784109B2. Автор: Masaru Izawa,Naoyuki Kofuji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20090163004A1. Автор: Yeong Sil Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP4333075A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055471A1. Автор: Yasushi Higuchi,Shinpei Matsuda,Masahiro Sugimoto,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US20210296465A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL LAYER

Номер патента: US20210050520A1. Автор: JUNG Jaeho,KO Youngmin,KIM Jonguk,CHOI Dongsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US7393761B2. Автор: Gert Leusink,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Type III-V and type IV semiconductor device formation

Номер патента: US9520328B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180323211A1. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

METHOD AND COMPOSITION FOR SELECTIVELY REMOVING METAL HARDMASK AND OTHER RESIDUES FROM SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATES COMPRISING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL AND COPPER

Номер патента: US20160240368A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255592A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Providing superior electromigration performance and reducing deterioration of sensitive low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: US8153524B2. Автор: Axel Preusse,Frank Feustel,Oliver Aubel,Joerg Hohage. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9343564B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Bi-layer capping of low-k dielectric films

Номер патента: WO2008036810A2. Автор: Christopher Dennis Bencher,Ping Xu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11848211B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Removing a low-k dielectric layer from a wafer

Номер патента: US20070190798A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Refurbishing a wafer having a low-k dielectric layer

Номер патента: US7695982B2. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V. Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Removing a low-k dielectric layer from a wafer by chemical mechanical polishing

Номер патента: US20070190791A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Fine grinding a low-k dielectric layer off a wafer

Номер патента: US20070190790A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for recycling semiconductor wafers having carbon doped low-k dielectric layers

Номер патента: US6693047B1. Автор: Chih-Cheng Lu,Wen Chang,Syun-Ming Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-17.

Refurbishing a wafer having a low-k dielectric layer

Номер патента: US20070190799A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Method for post-CMP conversion of a hydrophobic surface of a low-k dielectric layer to a hydrophilic surface

Номер патента: US20030190816A1. Автор: Mark Buehler,Larry Fredrickson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Formation method of semiconductor device structure using multilayer resist layer

Номер патента: US20180269102A1. Автор: Wen-Yen Chen,Yi-Wei Chiu,Chih-hao Chen,Po-Ju Chen,Fang-Yi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402529A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Jinha Kim,Wangjoo Lee,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-14.

Method to reduce dielectric constant of a porous low-k film

Номер патента: KR102109482B1. Автор: 켈빈 찬,알렉산드로스 티. 데모스,진 수,강섭 임. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-05-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190312057A1. Автор: Hae Chan PARK,Jang Won Kim,Gong Hyun SA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10373971B2. Автор: Hae Chan PARK,Jang Won Kim,Gong Hyun SA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Method to reduce dielectric constant of a porous low-k film

Номер патента: TWI581331B. Автор: 徐瑾,陳勁文,任康樹,狄摩斯亞歷山卓Ｔ. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

SELECTIVE DEPOSITION OF DIELECTRICS ON ULTRA-LOW K DIELECTRICS

Номер патента: US20200135544A1. Автор: Shobha Hosadurga,Wojtecki Rudy J.,De Silva Ekmini A.,Arellano Noel. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Low damage photoresist strip method for low-k dielectrics

Номер патента: TWI562225B. Автор: David Cheung,Ted Li,Kirk Ostrowski,Anirban Guha. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-K dielectric

Номер патента: TW473846B. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Suraj Rengarajan,Barney M Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

A trench etch process for low-k dielectrics

Номер патента: TW569380B. Автор: S M Reza Sadjadi,Stephan Lassig,David R Pirkle,Sean Kang,SiYi Li. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Dual in-laid integrated circuit structure with selectively positioned low-k dielectric isolation and method of formation

Номер патента: TW386292B. Автор: Thomas Wezel Jeffrey. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20130157472A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of Low-K Dielectric Film Repair

Номер патента: US20140170780A1. Автор: Yun Seokmin,Wilcoxson Mark,deLarios John M.. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20170092479A9. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

LOW DAMAGE LOW-K DIELECTRIC ETCH

Номер патента: US20170178955A1. Автор: Jiang Ping,Farber David Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: METZ Andrew W.,Raley Angelique D.,COLE Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

REPLACEMENT CONTACT CUTS WITH AN ENCAPSULATED LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20180366324A1. Автор: Huang Haigou,CAO Huy,Gao Jinsheng,Chao Tai Fong. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: US7208325B2. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V. Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: US20060160364A1. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Refreshing wafers having low-k dielectric materials

Номер патента: TW200703488A. Автор: Hong Wang,Krishna Vepa,Paul V Miller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Composition and Method for Recycling Semiconductor Wafers Having Low-K Dielectric Materials Thereon

Номер патента: US20080261847A1. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: US7960328B2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: US8642526B2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: WO2007111694A2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material

Номер патента: US20060199749A1. Автор: Tomoko Suzuki,Toshitaka Hiraga,Chris Reid,Yasuo Katsuya. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-07.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material

Номер патента: KR101238471B1. Автор: 도모꼬 스즈끼,도시따까 히라가,야스오 가쯔야,크리스 리드. Владелец: 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-03-04.

Adamantyl monomers and polymers for low-k-dielectric applications

Номер патента: KR101219548B1. Автор: 주하 란타라,지리 파울라사아리. Владелец: 질렉스 오와이. Дата публикации: 2013-01-21.

Plasma treatment method to increase the adhesion of low-k dielectrics

Номер патента: KR101046467B1. Автор: 리-쿤 시아,첸지앙 쿠이,소현 박,리후아 리 후앙,츠우-팡 후앙,디안 수기아르토,피터 와이-맨 리,히쳄 마사아드. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-07-04.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-K dielectric materials thereon

Номер патента: CN101356629A. Автор: 江平,迈克尔·B·克赞斯基,帕梅拉·M·维辛廷,麦肯齐·金. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon

Номер патента: EP1946358A2. Автор: Mackenzie King,Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Method for removing carbon-rich particles adhered on the exposed copper surface of a copper/low k dielectric dual damascene structure

Номер патента: US20020068435A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Surface modification of low-k dielectric materials

Номер патента: WO2009012184A1. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang,Zachary M. Fresco,Anh Duong,Anna Tsimelzon. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for low-k dielectric etch with reduced damage

Номер патента: CN102365718B. Автор: 程宇,竹下健二,安德鲁·D·贝利三世,兵·纪,埃里克·A·赫德森,里亚姆·莫拉维茨,史蒂芬·M·施瑞德,高贞民,丹尼尔·乐,罗伯特·C·赫夫提,赫拉尔多·A·德尔加迪尼奥,毕-明·殷. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Improved adhesion between low-k dielectrics and conductive materials

Номер патента: JP4801662B2. Автор: ナガラジャンラジャゴパラン，,メイイーシェク，,アルバートリー，,アンナマライラクシュマナン，,リ‐クンシャ，,ツェンジアンクイ，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Method of forming a low k dielectric in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2005045914A1. Автор: James N. Dougan,Lesley A. Smith. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for low-k dielectric etch with reduced damage

Номер патента: WO2010117964A2. Автор: YU Cheng,Andrew D. Bailey, III,Bing Ji,Bi-Ming Yen,Eric A. Hudson,Gerardo A. Delgadino,Kenji Takeshita,Jungmin Ko,Daniel Le,Stephen M. Sirard,Maryam Moravej,Robert C. Hefty. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-14.

Chemical treatment of low-k dielectric films

Номер патента: EP1445797B1. Автор: Andrew J. McKerrow,Changming Jin,Patricia B. Smith,Heungsoo Park,Phillip D. Matz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: US11302519B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Method and apparatus for cleaning low k dielectric and metal wafer surfaces

Номер патента: AU5588599A. Автор: Linda Jiang,Diane J. Hymes. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-04-17.

Adamantyl monomers and polymers for low-k-dielectric applications

Номер патента: WO2005061587A1. Автор: Juha Rantala,Jyri Paulasaari. Владелец: SILECS OY. Дата публикации: 2005-07-07.

Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric

Номер патента: CN101228481B. Автор: T·铃木,C·里德,T·平贺,Y·卡茨亚. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Organo-silsesquioxane polymers for forming low-k dielectrics

Номер патента: WO2004090019A1. Автор: Juha Rantala,Janne KYLMÄ,Jyri Paulasaari. Владелец: SILECS OY. Дата публикации: 2004-10-21.

Dual-Layer Integrated Circuit Structure and Formation with Optionally Placed Low-K Dielectric Isolation

Номер патента: KR100564064B1. Автор: 제프리 타머스 윗첼. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2006-07-25.

Adhesion improvement for low k dielectrics

Номер патента: US20060189162A1. Автор: Li-Qun Xia,Hichem M'Saad,Peter Lee,Lihua Huang,Dian Sugiarto,Sohyun Park,Tzu-Fang Huang,Zhenjiang Cui,Jerry Sugiarto. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces

Номер патента: US6319330B1. Автор: Diane J. Hymes,Linda (Tong) Jiang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US20230230915A1. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Interconnect with high quality ultra-low-k dielectric

Номер патента: US20200258776A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Anisotropic material damage process for etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20170125288A1. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Electrode for semiconductor device including an alloy wiring layer for reducing defects in an aluminum layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US6066891A. Автор: Hiroyuki Yamane,Yoshihiko Isobe,Takeshi Yamauchi,Atsushi Komura,Tooru Yamaoka. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Die edge seal employing low-K dielectric material

Номер патента: US9406625B2. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Die edge seal employing low-k dielectric material

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Extreme low-K dielectric film scheme for advanced interconnects

Номер патента: USRE42514E1. Автор: Chih-Lung Lin,Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Fang-Wen Tsai,Kuan-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Bond pad for low k dielectric materials and method for manufacture for semiconductor devices

Номер патента: US20120034771A1. Автор: Xian J. Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: US20180082776A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: EP3513430A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination

Номер патента: WO2018052579A1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-22.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Mechanically robust interconnect for low-k dielectric material using post treatment

Номер патента: US20060073416A1. Автор: Jun He,Jihperng Leu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213161A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou,Ming-Tsung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming low-k dielectric layer and structure thereof

Номер патента: KR100796506B1. Автор: 황종택. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-21.

Dual damascene structure formed of low-k dielectric materials

Номер патента: TWI253713B. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-04-21.

Dual damascene arrangements for metal interconnection with low k dielectric constant materials and nitride middle etch stop layer

Номер патента: US6291887B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of forming dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials

Номер патента: US6627539B1. Автор: Bin Zhao,Maureen R. Brongo. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2003-09-30.

Dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials

Номер патента: EP1080495A1. Автор: Bin Zhao,Maureen R. Brongo. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2001-03-07.

Hybrid copper/low k dielectric interconnect integration method and device

Номер патента: US20040251549A1. Автор: Kang-Cheng Lin,Tai-Chun Huang,Chih-Hsiang Yao,Chin Hsia,Mong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Low-k dielectric process for multilevel interconnection using microcavity engineering during electric circuit manufacture

Номер патента: US20060084262A1. Автор: SHU QIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material

Номер патента: US09941151B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-10.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US09768061B1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials

Номер патента: US7244683B2. Автор: Ling Chen,Nikolaos Bekiaris,Hua Chung,Christophe Marcadal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-07-17.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US20180005882A1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods of pore sealing and metal encapsulation in porous low k interconnect

Номер патента: WO2004105124A1. Автор: Dung-Ching Perng. Владелец: Jsr Micro, Inc.. Дата публикации: 2004-12-02.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: EP2915185A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US20160111275A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Damascene process having retained capping layer through metallization for protecting low-k dielectrics

Номер патента: US20080299718A1. Автор: Ping Jiang,Deepak A. Ramappa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014011382A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy

Номер патента: US7135402B2. Автор: Tien-I Bao,Keng-Chu Lin,Shwang-Ming Cheng,Ming Ling Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-14.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014120576A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Chia-Ling Kao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor processing system with ultra low-k dielectric

Номер патента: SG144033A1. Автор: HSIA Liang Choo,ZHANG Bei Chao,Yasri Yudhistira,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US09589856B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for tunably repairing low-k dielectric damage

Номер патента: US20110097821A1. Автор: James DeYoung,Stephen M. Sirard,Odette Turmel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: SG173321A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-08-29.

Method for etching low k dielectrics

Номер патента: WO1999052135A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Xiaobing Ma,Gary C. Hsueh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-14.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A1. Автор: Brian W. Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09978681B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Shih-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369201A1. Автор: Tze-Liang Lee,Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device interconnect structures formed by metal reflow process

Номер патента: US09735051B2. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for fabricating semiconductor device with EMI protection structure

Номер патента: US11587885B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for fabricating semiconductor device with emi protection structure

Номер патента: US20220084956A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09892957B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Interconnection wires of semiconductor devices

Номер патента: US20140175650A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09614025B2. Автор: Chung-Yen Chou,Kuo-Chi Tu,Chih-Yang Pai,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321750A1. Автор: Ryuji Ueno,Keisuke Miyoshi,Yuki Maekawa,Mikihito Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: EP4145497A2. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: EP4145497A3. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor Devices Including Backside Power Via and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387012A1. Автор: Tze-Liang Lee,Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20230075754A1. Автор: Wei Zeng,Hui Sun,Chengxin YANG,Gangyi Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043538A1. Автор: Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Jhih-Yang Yan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11551992B2. Автор: Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Jhih-Yang Yan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor devices having vias on a scribe lane region

Номер патента: US11876043B2. Автор: Jooncheol Kim,Sangwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20230031274A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with decoupling unit

Номер патента: US20230282568A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186244A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20150235943A1. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Interconnect structure having nanocrystalline graphene cap layer and electronic device including the interconnect structure

Номер патента: US20200294928A1. Автор: Yonghoon Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Yeonchoo CHO,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

METHOD FOR IMPROVING ADHESION BETWEEN POROUS LOW K DIELECTRIC AND BARRIER LAYER

Номер патента: US20160049328A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

PORE SEALING TECHNIQUES FOR POROUS LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT

Номер патента: US20150091172A1. Автор: Lee Tze-Liang,Ko Chung-Chi,Hsu Kuang-Yuan,Lee Chun-Yi,HUANG Pei-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

A method of forming a contactless opening and a trench in a low-k dielectric layer

Номер патента: DE102008016424B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg,Michael Grillberger. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9412683B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9018764B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US20150206828A1. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

METHOD FOR FLUOROCARBON FILM USED AS MIDDLE STOP LAYER FOR POROUS LOW K FILM

Номер патента: US20180096857A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Structure and Method for a Low-K Dielectric With Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20230369228A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure with conductive plugs of different aspect ratios and manganese-containing linling layer and method for preparing the same

Номер патента: US20220157734A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

A Semiconductor Device and Interconnection Structure Thereof Including a Copper Pad and a Pad Barrier Layer and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: KR101483273B1. Автор: 정현수,신창우,안은철,김점곤,천진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-01-16.

Semiconductor device structure with conductive plugs of different aspect ratios and manganese-containing linling layer and method for preparing the same

Номер патента: TWI786722B. Автор: 郭錦德. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-12-11.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201110228A. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Dong-Kyun Sohn,Lu-Ying Du. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Anisotropic material damage process for etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20170125288A1. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Low-k dielectric pore sealant and metal-diffusion barrier formed by doping and method for forming the same

Номер патента: US20160148870A1. Автор: Mark Rodder,Jorge Kittl,Ganesh Hegde,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Structure and Method for a Low-K Dielectric with Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20140264896A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

COMPOSITE MANGANESE NITRIDE / LOW-K DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20170179034A1. Автор: Nogami Takeshi,Nguyen Son V.,Canaperi Donald F.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Structure and Method for a Low-K Dielectric with Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20160225716A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Interconnect with high quality ultra-low-k dielectric

Номер патента: US20200258776A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

COMPOSITE MANGANESE NITRIDE / LOW-K DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20170317032A1. Автор: Nogami Takeshi,Nguyen Son V.,Canaperi Donald F.,Priyadarshini Deepika. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low K dielectrics

Номер патента: US20040266183A1. Автор: Charles Poutasse,Anne Miller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics

Номер патента: US7201784B2. Автор: Charles Poutasse,Anne E. Miller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-04-10.

Technique for forming copper-containing lines embedded in a low-k dielectric by providing a stiffening layer

Номер патента: TW200707641A. Автор: Frank Feustel,Peter Huebler,Frank Koschinsky. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-02-16.

Technique for forming copper-containing lines embedded in a low-k dielectric by providing a stiffening layer

Номер патента: WO2006130250A1. Автор: Frank Feustel,Peter Huebler,Frank Koschinsky. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Low-k dielectric pore sealant and metal-diffusion barrier formed by doping and method for forming the same

Номер патента: US10510665B2. Автор: Mark Rodder,Jorge Kittl,Ganesh Hegde,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a junction portion contacting a Schottky metal

Номер патента: US12057479B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4044213A2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230197791A1. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

In situ deposition of a low K dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application

Номер патента: US7470611B2. Автор: Judy H. Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US20210234006A1. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device having a juntion portion contacting a schottky metal

Номер патента: US20200176572A1. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US20190088746A1. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20180374918A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200258978A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device having regions of different concentraton of lifetime killer impurity provided in a silicon carbide layer

Номер патента: US10680058B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: WO2006100632A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-09-28.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322B1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-01.

Method for forming a hydrophilic surface on low-k dielectric insulating layers for improved adhesion

Номер патента: US20040018748A1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Jin-Yiing Song,Hsin-Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics

Номер патента: WO2002065530B1. Автор: Chok W Ho. Владелец: Chok W Ho. Дата публикации: 2003-07-24.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322A1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-12-12.

Low-k dielectric functional imprinting materials

Номер патента: EP1805559A2. Автор: JUN Sung Chun,Frank Y. Xu,Michael P. C. Watts. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2007-07-11.

Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics

Номер патента: WO2002065530A2. Автор: Chok W. Ho. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2002-08-22.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190198343A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US20230098015A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US12054585B2. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: WO2024206337A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: US20240332227A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11545437B2. Автор: Takashi Watanabe,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20170154858A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20200312791A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20180350756A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20200144202A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406676A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Pu Wang,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210351198A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230200064A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11610913B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160218076A1. Автор: Hiroshi Yamada,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials in dielectric layers

Номер патента: US6255735B1. Автор: Fei Wang,Simon S. Chan,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-03.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with low k dielectric constant materials in dielectric layers

Номер патента: US6472317B1. Автор: Fei Wang,Simon S. Chan,Jerry Cheng,Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20150041964A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURE USING LOW-k DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20150145106A1. Автор: Dong Wenting,Rhine Wendell E.,Begag Redouane,Gould George L.,Nahass Paul,Trifu Roxana,Naiman Alaric,Sinta Roger,Zafiropoulos Nicholas Anthony,White Shannon Olga. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor Device Including Bonding Pad Metal Layer Structure

Номер патента: US20230395539A1. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Metallisation for semiconductor device

Номер патента: US20160104676A1. Автор: Godfried Henricus Josephus Notermans,Paul Huiskamp. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-04-14.

Metallisation for semiconductor device

Номер патента: US10748847B2. Автор: Godfried Henricus Josephus Notermans,Paul Huiskamp. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230420534A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Ying-Liang Chuang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153915A1. Автор: Hee Sun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Interconnection structures for semiconductor devices and fabrication methods of forming interconnection structures for semiconductor devices utilizing to-be-etched layer made of porous low-K dielectric material and a first hard mask layer made of nitrogen-doped silicon oxycarbide (SiOC(N))

Номер патента: US20150035152A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International ( Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2015-02-05.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US12027518B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240222368A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Pad structure exposed in an opening through multiple dielectric layers in BSI image sensor chips

Номер патента: US09653508B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09972570B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12080638B2. Автор: Shang-Yun Hou,Chia-Hao Hsu,Chia-Hsin Chen,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Pin-Tso Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabricating method of a barrier layer

Номер патента: US6025264A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Interconnect level with high resistance layer and method of forming the same

Номер патента: US11923295B2. Автор: Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Contact plug structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11894435B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Contact plug structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20230387228A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20180301409A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device including metal interconnect structures that contain selectively-grown dielectric spacers and methods for forming the same

Номер патента: US20230352401A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Interconnect level with high resistance layer and method of forming the same

Номер патента: US20240170397A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yu-Hsiang Cheng,Hong-Wei Chan,Yung-Shih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160118336A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US11984445B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240120332A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Power semiconductor device with low-k dielectric gap between adjacent metal contacts

Номер патента: CN115579350A. Автор: R·哈斯,A·布拉扎乐,H·奈克,S·利奥曼. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-01-06.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: KR20220169927A. Автор: 로버트 하스,아니타 브래잘,하쉬 네익,실베인 레오만트. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 오스트리아 아게. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device having no cracks in one or more layers underlying a metal line layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040245646A1. Автор: Young Kim,Sang Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

Crackstop and oxygen barrier for low-k dielectric integrated circuits

Номер патента: TW506052B. Автор: I I I Henry A Nye,Vincent J Mcgahay,Kurt A Tallman. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-10-11.

Crackstop and oxygen barrier for low-k dielectric integrated circuits

Номер патента: KR100368088B1. Автор: 나이에헨리에이.3세,맥거헤이빈센트제이.,텔먼커트에이.. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2003-01-15.

Mechanically robust interconnect for low-k dielectric material using post treatment

Номер патента: US20040058277A1. Автор: Jun He,Jihperng Leu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

METHOD AND COMPOSITION FOR SELECTIVELY REMOVING METAL HARDMASK AND OTHER RESIDUES FROM SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATES COMPRISING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL AND COPPER

Номер патента: US20150104952A1. Автор: Cui Hua. Владелец: EKC Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128083A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128084A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of etching a low-k dielectric layer

Номер патента: US20040121604A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Ching-Fan Wang,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor Device with a Super Junction Structure Based On a Compensation Structure with Compensation Layers and Having a Compensation Rate Gradient

Номер патента: US20140327069A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device packages and method of making the same

Номер патента: US09653415B2. Автор: Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device packages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183787A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with integrated decoupling and alignment features

Номер патента: US12113028B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: US20020190651A1. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,Kam Law,William Harshbarger,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: EP1415318A2. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R. Harshbarger,Kam S. Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source

Номер патента: WO2015105673A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Bradley J. Howard,Mang Mang Ling,Jeremiah T P Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Microelectronics package with ultra-low-K dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US11502400B2. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Microelectronics package with ultra-low-k dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US20210273323A1. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US12068363B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US20240371921A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312947A1. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432333A2. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Package device including an opening in a flexible substrate and methods of forming the same

Номер патента: US20140264803A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sao-Ling Chiu,Tsung-Shu Lin,Cheng-chieh Hsieh,Hung-An Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8421234B2. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110006435A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150097275A1. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Yoshiaki Kominami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301957A1. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US11887920B2. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20200066625A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20210074623A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of producing a through-substrate via in a semiconductor device and semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2014166842A1. Автор: Jochen Kraft,Bernhard LÖFFLER,Günther Koppitsch,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Mcsp power semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20160035653A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Hongtao Gao,Zhiqiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via and method for prepriang the same

Номер патента: US20230352433A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device structure with composite bottle-shaped through silicon via

Номер патента: US20230352434A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021044B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

FINGERED CAPACITOR WITH LOW-K AND ULTRA-LOW-K DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20200098850A1. Автор: Chen Yu,HONG CHEONG Min,Yin Chunshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Method for forming low-k dielectric protection spacer for patterning through substrate vias through a low-k wiring layer and semiconductor die comprising the spacer

Номер патента: KR101610323B1. Автор: 쉬쿤 구,비디야 라마찬드라. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-08.

Crack stop for low K dielectrics

Номер патента: CN1830079A. Автор: J·P·甘比诺,T·H·道本斯佩克,S·E·卢斯,T·J·麦克德维特,W·T·莫特西夫,M·J·波略特,J·C·罗宾斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-06.

Crack stop for low K dielectrics

Номер патента: CN100405585C. Автор: J·P·甘比诺,T·H·道本斯佩克,S·E·卢斯,T·J·麦克德维特,W·T·莫特西夫,M·J·波略特,J·C·罗宾斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Crack stop for low k dielectrics

Номер патента: US20080064189A1. Автор: Jeffrey Gambino,William Motsiff,Timothy Daubenspeck,Thomas McDevitt,Stephen Luce,Mark Pouliot,Jennifer Robbins. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US20230130975A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162505A1. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09847294B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device including variable resistance pattern and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: US20240105603A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including variable resistance pattern and electronic system including the semiconductor device

Номер патента: EP4344384A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240179923A1. Автор: Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device having bonding pad above low-k dielectric film and manufacturing method therefor

Номер патента: TWI315090B. Автор: MATSUBARA Yoshihisa. Владелец: Nec Electronics Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20210057328A1. Автор: HAN Junghoon,Lee Yeonjin,Noh Junyong,Choi Minjung,Cho Yunrae. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Method of forming a crack stop void in a low-k dielectric layer between adjacent fusees

Номер патента: US20060223242A1. Автор: Paul Mclaughlin,Jean Wynne,Timothy Daubenspeck,Christopher Muzzy,Judith Wright,Dae Jung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Protective metal structure and method to protect low -K dielectric layer during fuse blow process

Номер патента: US20050239273A1. Автор: Chao-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device using etchant composition having high etching selectivity

Номер патента: US20230260797A1. Автор: Fang-Wei Lee,Huan-Chieh Su,Meng-Huan Jao,Chia-Chien Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210050425A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180233565A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Contact process and contact structure for semiconductor device

Номер патента: US09870943B2. Автор: Zong-Jie Ko,Hsiao-Leng Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US09660051B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057506B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09960183B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with tunable threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021709A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Yao-Sheng Huang,Yu-Chia LIANG,Tzer-Min Shen,Hsiang-Pi Chang,Chansyun David Yang,Yen-Tien Tung,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160079067A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09653303B2. Автор: Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method in which contact hole is filled with silicon having low impurity concentration

Номер патента: US20020102789A1. Автор: Shohi Yo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290848A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Slot via filled dual damascene structure without middle stop layer and method for making the same

Номер патента: US20020106889A1. Автор: Fei Wang,Calvin Gabriel,Ramkumar Subramanian,Lynne Okada. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11810919B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device having a closed cavity structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397116B2. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150187793A1. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device structure with conductive via structure

Номер патента: US20240079409A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of forming a device including an interfacial dipole layer

Номер патента: US20170179261A1. Автор: Xia Li,Jeffrey Junhao XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS THAT INCLUDE A SEALED SIDEWALL IN A POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140273463A1. Автор: Shamiryan Denis,Urbanowicz Adam Michal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device replacement metal gate with gate cut last in RMG

Номер патента: US10381458B2. Автор: Andrew M. Greene,Injo OK,Charan V. Surisetty,Balasubramanian P. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230378316A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200312857A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11973124B2. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20160276215A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chi-Mao Hsu,Pei-Ting Lee,Huei-Ru Tsai,Ching-Wei Hsu,Guo-Wei Chen,Jia-Rong Li,Shang Nan Chou,Po Chih Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20180040705A1. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170200800A1. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20160027682A1. Автор: Satoshi Kato,Hiroyuki Fukumizu,Kenichi Yoshino,Shintaro Okujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Contact process and contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20160211139A1. Автор: Zong-Jie Ko,Hsiao-Leng Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Barrier film integrity on porous low k dielectrics by application of a hydrocarbon plasma treatment

Номер патента: US7242098B2. Автор: Thomas Joseph Abell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-07-10.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387286A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Manabu Yanagihara. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060220A1. Автор: Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device comprising a metallization layer stack with a porous low-k material having an enhanced integrity

Номер патента: US20070178690A1. Автор: Markus Nopper,Udo Nothelfer,Axel Preusse. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

A semiconductor device comprising a metallization layer stack with a porous low-k material having an enhanced integrity

Номер патента: TW200739728A. Автор: Markus Nopper,Udo Nothelfer,Axel Preusse. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

A semiconductor device comprising a metallization layer stack with a porous low-k material having an enhanced integrity

Номер патента: WO2007089495A1. Автор: Markus Nopper,Udo Nothelfer,Axel Preusse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2007-08-09.

A Semiconductor device comprising a metallization layer stack with a porous low-k material having an enhanced integrity

Номер патента: GB0813520D0. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device having porous low-k material

Номер патента: KR100976792B1. Автор: 홍지호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-08-19.

Dual damascene manufacturing method of porous low-k dielectric material

Номер патента: TW471107B. Автор: Shing-Chuan Tsai,Jr-Hau Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method for protecting porous low-k dielectric post chemical mechanical planarization

Номер патента: US20090142885A1. Автор: Shom Ponoth,Terry A. Spooner,Hosadurga Shobha,Ya Ou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170352687A1. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224294A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Self-aligned dual damascene arrangement for metal interconnection with oxide dielectric layer and low k dielectric constant layer

Номер патента: US6207577B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Darrell M. Erb. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Dual damascene arrangement for metal interconnection with oxide dielectric layer and low K dielectric constant layer

Номер патента: US6380091B1. Автор: Fei Wang,Jerry Cheng,Darrell M. Erb. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-30.

Method of preventing damage to porous low-K materials during resist stripping

Номер патента: CN100524668C. Автор: R·安纳普拉加达,K·塔克施塔. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping

Номер патента: KR20060114347A. Автор: 라오 아나프라가다,겐지 다케시타. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2006-11-06.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US11784240B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Chemical mechanical polishing composition, chemical mechanical polishing method for a low-k dielectric film and method of preparing semiconductor device

Номер патента: KR102426915B1. Автор: 김석주,한덕수. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device having bit line interconnection with enlarged width and lowered level on bit line contact and fabricating methods of the same

Номер патента: KR101610831B1. Автор: 김대익. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor devices having low-k dielectric

Номер патента: KR20050030330A. Автор: 김희석,이성해,김진균,안재영,임주완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-30.

Curable resin compositions useful as underfill sealants for low-k dielectric-containing semiconductor devices

Номер патента: WO2011071726A3. Автор: Puwei Liu,My Nhu Nguyen. Владелец: Henkel Corporation. Дата публикации: 2011-11-10.

Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-K dielectric material and copper

Номер патента: TW201522574A. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Methods of forming devices including air gaps, and related devices, and electronic systems

Номер патента: WO2020040834A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion

Номер патента: TW521304B. Автор: Ping Xu,Kegang Huang,Judy L Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-21.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11871580B2. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11856765B2. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220262644A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391182A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170223A1. Автор: Yang Wu,FAN YANG,Sheng Hu,Daohong YANG,Liliang GU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization

Номер патента: US09916977B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Jonathan D. Mohn,Nicholas Muga Ndiege. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES HAVING PATTERNED OR UNPATTERNED LOW-K DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20130273739A1. Автор: Li Yuzhuo,Raman Vijay Immanuel,Rittig Frank,Chiu Wei Lan William. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-10-17.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: US9070632B2. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2015-06-30.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: MY158489A. Автор: Chiu Wei Lan William,Raman Vijay Dr Immanuel,Rittig Dr Rer Nat Frank,Li Prof Dr Yuzhuo. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-10-14.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: WO2012046179A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: Basf (China) Company Limited. Дата публикации: 2012-04-12.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236B1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-12-13.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: KR101907860B1. Автор: 유주오 리,웨이 란 윌리엄 츄,비자이 임마누엘 라만,프랑크 리티크. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2018-10-15.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744B. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-01-31.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: SG189327A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-05-31.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744D0. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-06-27.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236A4. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-05-14.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: EP2625236A1. Автор: Yuzhuo Li,Vijay Immanuel Raman,Wei Lan William Chiu,Frank Rittig. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-08-14.

Method for etching low k dielectric layers

Номер патента: WO1999056310A2. Автор: Min Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-11-04.

Method of fabricating barrier adhesion to low-k dielectric layers in a copper damascene process

Номер патента: US6342448B1. Автор: Chen-Hua Yu,Shau-Lin Shue,Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-01-29.

Use of ta/tan for preventing copper contamination of low-k dielectric layers

Номер патента: US6663787B1. Автор: LU You,Christy Woo,Pin Chin Connie Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-16.

UV treatment for low-k dielectric layer in damascene structure

Номер патента: US7429542B2. Автор: Tien-I Bao,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor device having gate electrode of stacked structure including polysilicon layer and metal layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040041213A1. Автор: Atsushi Azuma,Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Номер патента: IL225744A0. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220102538A1. Автор: Tomohiro Imai,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping

Номер патента: IL176101A0. Автор: . Владелец: Rao Annapragada. Дата публикации: 2006-10-05.

UV assisted silylation for porous low-k film sealing

Номер патента: US10113234B2. Автор: Mehul B. Naik,Alexandros T. Demos,He REN,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Bo Xie,Vu Ngoc Tran Nguyen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-10-30.

Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping

Номер патента: WO2005060548A3. Автор: Kenji Takeshita,Rao Annapragada. Владелец: Rao Annapragada. Дата публикации: 2006-02-23.

METHOD TO REDUCE DIELECTRIC CONSTANT OF A POROUS LOW-K FILM

Номер патента: US20140017895A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,Xu Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Non-volatile memory devices including low-K dielectric gaps in substrates

Номер патента: US8536652B2. Автор: Myoung-Bum Lee,Bo-Young Lee,Jong-Wan Choi,Jin-gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of preventing damage to porous low-k materi

Номер патента: TWI353019B. Автор: Kenji Takeshita,Rao V Annapragada. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-21.

Method to reduce dishing, erosion and low-k dielectric peeling for copper in low-k dielectric CMP process

Номер патента: US20040137740A1. Автор: Tsu Shih,Chi-Wei Chung,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US20120252204A1. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: CN102549736A. Автор: 林庆煌,D.A.诺伊迈耶. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Patternable low-K dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US8461039B2. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication

Номер патента: US20110074044A1. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A4. Автор: Brian W Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Dual damascene trench formation to avoid low-k dielectric damage

Номер патента: TW200601450A. Автор: Chao-Cheng Chen,Tsiao-Chen Wu,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US20130052755A1. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

ADHESION IMPROVEMENT FOR LOW K DIELECTRICS TO CONDUCTIVE MATERIALS

Номер патента: US20130230986A1. Автор: Rajagopalan Nagarajan,Xia Li-Qun,Lakshmanan Annamalai,LEE Albert,Shek Mei-yee,Cui Zhenjiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-09-05.

ENHANCEMENT IN UV CURING EFFICIENCY USING OXYGEN-DOPED PURGE FOR ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20130344704A1. Автор: Demos Alexandros T.,Rocha-Alvarez Juan Carlos,Hendrickson Scott A.,Baluja Sanjeev,CHHABRA Mahendra,KIYOHARA Tsutomu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-12-26.

LOW-K DIELECTRIC DAMAGE REPAIR BY VAPOR-PHASE CHEMICAL EXPOSURE

Номер патента: US20140004717A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140017898A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Method of fabricating an ultra low-k dielectric self-aligned via

Номер патента: US20140024220A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Sean S. Kang,Chih-Yang Chang,Chia-Ling Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT SYSTEMS

Номер патента: US20180005882A1. Автор: Ko Chung-Chi,SHIH Po-Cheng,CHOU Chia Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

ANISOTROPIC MATERIAL DAMAGE PROCESS FOR ETCHING LOW-K DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20160020140A1. Автор: RYAN Errol Todd. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

LOW DAMAGE PHOTORESIST STRIP METHOD FOR LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20140120733A1. Автор: Ostrowski Kirk,Cheung David,Li Ted,Guha Anirban. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH PERMANENT PHOTO-PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20200066793A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Automatically Adjusting Baking Process for Low-k Dielectric Material

Номер патента: US20160086865A1. Автор: Lin Keng-Chu,Chou Chia-Cheng,Ko Chung-Chi,Jeng Shwang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US20160111275A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

SELF-ALIGNED PLANARIZATION OF LOW-K DIELECTRICS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Jiang Yi,TAN Juan Boon,YI Wanbing,Hsieh Curtis Chun-I,WANG Zhehui. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20140213060A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Kang Sean S.,Kao Chia-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH PERMANENT PHOTO-PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC

Номер патента: US20190131346A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Low-k dielectric sidewall spacer treatment

Номер патента: US20150145073A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Chun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

SELF-ALIGNED PLANARIZATION OF LOW-K DIELECTRICS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190198343A1. Автор: Jiang Yi,TAN Juan Boon,YI Wanbing,Hsieh Curtis Chun-I,WANG Zhehui. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: US20150287664A1. Автор: Chen Ming-Fa. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Embedded memory in back-end-of-line low-k dielectric

Номер патента: US20180286694A1. Автор: Lei Wang,Chim Seng Seet,Kai Hung Alex See. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-10-04.

METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A METALLIZATION LAYER COMPRISING LOW K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20170301583A1. Автор: Zhang Liping,Baklanov Mikhail. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: US20200335428A1. Автор: Chen Ming-Fa. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Barrier slurry for low-k dielectrics.

Номер патента: MY150487A. Автор: Shoutian Li,SINGH,Grumbine,Jeffrey Dysard. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials

Номер патента: US20080111101A1. Автор: Francesco De Rege Thesauro,Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Selective etching of low-k dielectrics

Номер патента: US20040137748A1. Автор: Alok Jain,Phui Chong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of reworking structures incorporating low-k dielectric materials

Номер патента: US7008803B2. Автор: Terence Lawrence Kane,Chung-Ping Eng,Brett H. Engel,Barry Jack Ginsberg,Dermott A. Macpherson,John Charles Petrus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-07.

Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials

Номер патента: US7456107B2. Автор: Francesco De Rege Thesauro,Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Underlayer liner for copper damascene in low k dielectric

Номер патента: US6417106B1. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-09.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: WO2010033156A2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corporation. Дата публикации: 2010-03-25.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192A4. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192A2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Method and product for improved use of low k dielectric material among integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US6444564B1. Автор: Christopher H. Raeder. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-03.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: KR101247890B1. Автор: 제프리 디사드,스티븐 그럼빈,샤우티안 리,판카즈 싱. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2013-03-26.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A2. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A4. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents

Номер патента: WO2005034194A3. Автор: Anil S Bhanap,Teresa A Ramos,Nancy Iwamoto,Roger Y Leung. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: EP2092035A2. Автор: Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio,Francis De Rege Thesauro. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-26.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: EP2092035A4. Автор: Jason Keleher,Daniel Woodland,Robert Medsker,Jason Aggio,Rege Thesauro Francis De. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: EP2356192B1. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Self-siphoning CMP tool design for applications such as copper CMP and low-k dielectric CMP

Номер патента: US6572731B1. Автор: Sudipto R. Roy. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Versatile copper-wiring layout design with low-k dielectric integration

Номер патента: US6355563B1. Автор: Lap Chan,Randall Cher Liang Cha,Yeow Kheng Lim,Alex See,Tae Jong Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-03-12.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: KR100974839B1. Автор: 예히엘고트키스,로드니키스틀러,레오니드롬,테후아린. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2010-08-11.

Compositions and methods for cmp of low-k dielectric materials

Номер патента: KR101194901B1. Автор: 제이슨 켈레허,제이슨 아지오,다니엘 우드랜드,프랑세 드 레게 테사우로,로버트 메드스컬. Владелец: 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods for fabricating interconnect structures having low K dielectric properties

Номер патента: CN100530571C. Автор: Y·戈特基斯,R·基斯特勒,L·罗姆,林得华. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: KR101031682B1. Автор: 후이 왕. Владелец: 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-04-29.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications

Номер патента: CN1633701A. Автор: R·V·安娜普拉加达,I·J·莫里,C·W·何. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of plasma etching low-k dielectric materials

Номер патента: CN1860595A. Автор: S·Y·李,H·H·朱,S·M·R·萨德加蒂,J·V·泰茨,B·A·赫尔莫. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Carbon containing low-k dielectric constant recovery using uv treatment

Номер патента: KR101425332B1. Автор: 바드리 엔 바라다라잔,케빈 엠 맥러플린,슈라벤디크 바르트 판. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-08-01.

Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics

Номер патента: KR100849707B1. Автор: 채희엽,김윤상,얀 예,신능호,조에이 치우,팡 티안,치아오예 자오. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-08-01.

Method of passivating and/or removing contaminants on a low-k dielectric/copper surface

Номер патента: US20030224585A1. Автор: Ting Tsui,Robert Kraft,David Farber,William Dostalik,Andrew McKerrow,Kenneth Newton. Владелец: Newton Kenneth Joseph. Дата публикации: 2003-12-04.

Restoration of a hydrophobic surface of sensitive low-k dielectric materials in microstructure devices

Номер патента: DE102009023378B4. Автор: Daniel Fischer,Matthias Schaller,Thomas Oszinda,Susanne Leppack. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for forming a low-k dielectric structure on a substrate

Номер патента: US6967158B2. Автор: Yuri Solomentsev,Errol Todd Ryan,Matthew S. Angyal,Susan Gee-Young Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-22.

Low-k dielectric etch

Номер патента: WO2006019849A1. Автор: Sean S. Kang,Zhisong Huang,S. M. Reza Sadjadi. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-23.

Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics

Номер патента: EP1503405A2. Автор: Fang Tian,YAN Ye,Yunsang Kim,Xiaoye Zhao,Heeyeop Chae,Neungho Shin,Joey Chiu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Method of degassing low k dielectric for metal deposition

Номер патента: US6436850B1. Автор: Guarionex Morales. Владелец: Guarionex Morales. Дата публикации: 2002-08-20.

An improved barrier layer for a copper metallization layer including a low k dielectric

Номер патента: WO2004040623A2. Автор: Thomas Werner,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage,Massud Aminpur. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-05-13.

Structure and method of forming metal interconnect structures in ultra low-k dielectrics

Номер патента: WO2010079157A1. Автор: Birendra Agarwala,Du Binh Nguygen,Hazara Singh Rathore. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-15.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: US8252687B2. Автор: Shoutian Li,Steven Grumbine,Jeffrey Dysard,Pankaj Singh. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications

Номер патента: US20020111041A1. Автор: Rao Annapragada,Ian Morey,Chok Ho. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Treatment of low-k dielectric films to enable patterning of deep submicron features

Номер патента: US20020064951A1. Автор: Mona Eissa,Kenneth Brennan,Guoqiang Xing,Hyesook Hong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Low-K dielectric spacer for a gate cut

Номер патента: US9972495B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US9196551B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-k dielectric etch applications

Номер патента: TW574603B. Автор: Rao V Annapragada,Ian J Morey,Chok W Ho. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2004-02-01.

Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate

Номер патента: US20040206621A1. Автор: Lee Luo,Hongwen Li,Ilias Iliopoulos,Michael Armacost. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: US20020108929A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chok Ho,Kuo-Lung Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods of low-k dielectric and metal process integration

Номер патента: TWI451493B. Автор: Yezdi Dordi,Arthur M Howald. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-09-01.

Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch

Номер патента: US6383931B1. Автор: John Lang,Janet M. Flanner,Susan Ellingboe,Christine Janowiak,Ian J. Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Methods of low-K dielectric and metal process integration

Номер патента: CN101809716A. Автор: 耶迪·N·道尔迪,阿瑟霍·M·霍瓦德. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-08-18.

Post-etch photoresist strip with 02 and nh3 for organosilicate glass low-k dielectric etch applications

Номер патента: KR100880134B1. Автор: 라오브이. 안나프라가다,이안제이. 모리,척더블유. 호. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2009-01-23.

Spacer-less low-k dielectric processes

Номер патента: SG158104A1. Автор: TEH Young Way,LIM Khee Yong,HSIA Liang Choo,Lee Yong Meng,LIN WENHE,Lai Chung Woh,TAN WEE LENG,Koh Hui Peng,John Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Through-Silicon Via With Low-K Dielectric Liner

Номер патента: KR101074762B1. Автор: 밍-파 첸. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2011-10-19.

Drying process for low-k dielectric films

Номер патента: WO2004049073A3. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry,John Hallock,Ari Margolis. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: US7807219B2. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Barrier slurry for low-k dielectrics

Номер патента: CN102159662A. Автор: 杰弗里·戴萨德,李守田,史蒂文·格伦比恩,潘卡杰·辛格. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for forming a hydrophilic surface on low-k dielectric insulating layers for improved adhesion

Номер патента: US6677251B1. Автор: Syun-Ming Jang,Tien-I Bao,Hsin-Hsien Lu,Aaron Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of plasma etching low-k dielectric materials

Номер патента: US20030024902A1. Автор: SI Li,James Tietz,Helen Zhu,Bryan Helmer,S. Sadjadi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: EP1459373A1. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,Leonid Romm,Te Hua Lin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: TWI297179B. Автор: Chok W Ho,Kuo Lung Tang,Chung Ju Lee. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-05-21.

Vapor treatment for repairing damage of low-k dielectric

Номер патента: US6713382B1. Автор: Suzette K. Pangrle,Lynne A. Okada,Calvin Gabriel,Ecran Adem. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Methods Of Forming Electrically Insulative Materials, Methods Of Forming Low k Dielectric Regions, And Methods Of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20110159685A1. Автор: Alex J. Schrinsky. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: CA2421799A1. Автор: HUI Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Spacer-less low-k dielectric processes

Номер патента: SG191638A1. Автор: Sudijono John,Liang Choo Hsia,Yong Meng Lee,Khee Yong Lim,Wenhe Lin,Young Way Teh,Chung Woh Lai,Wee Leng Tan,Hui Peng Koh. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

Номер патента: US7183195B2. Автор: Kyoung-Woo Lee,Soo-Geun Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Wan-Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-27.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-K dielectric material

Номер патента: TW201813100A. Автор: 廖思雅,普拉提克 A. 帕特爾. Владелец: 英特爾公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics

Номер патента: US6893969B2. Автор: Chung-Ju Lee,Kuo-Lung Tang,Chok W. Ho. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Low-k dielectric etch

Номер патента: TW200616063A. Автор: S M Reza Sadjadi,Sean S Kang,Zhi-Song Huang. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Dual damascene trench formation to avoid low-k dielectric damage

Номер патента: TWI257129B. Автор: Chao-Cheng Chen,Tsiao-Chen Wu,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-21.

Methods for fabricating interconnect structures having low k dielectric properties

Номер патента: AU2002360756A1. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,Leonid Romm,Te Hua Lin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Process for low k dielectric plasma etching with high selectivity to deep uv photoresist

Номер патента: US7112534B2. Автор: Qiang Fu,James Jeong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Self-siphoning cmp tool design for application such as copper cmp and low-k dielectric cmp

Номер патента: SG104983A1. Автор: Roy Sudipto. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-07-30.

A gas mixture for removing photoresist and post etch residue from low-k dielectric material and method of use thereof

Номер патента: TW200729313A. Автор: Robert Charatan,David Schaefer,Tom Choi,Cristian Paduraru,Alan Jensen. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

Номер патента: US20040132291A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Soo-Geun Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Wan-Jae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-08.

Apparatus and method for low-k dielectric repair

Номер патента: US20110151590A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Kenneth S. Collins,Ellie Y. Yieh,Ajit Balakrishna,Michael D. Armacost,Ezra R. Gold,Hui Sun,Chunlei Zhang,James D. Carducci,Thorsten B. Lill,Hairong Tang,Igor Markovsky,Iwalani S. Kaya. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Technique for reducing resist poisoning in forming a metallization layer including a low-k dielectric

Номер патента: US20040121265A1. Автор: Thomas Werner,Christof Streck,Hartmut Ruelke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Deposition apparatus for providing uniform low-k dielectric

Номер патента: US20050284371A1. Автор: Mandyam Sriram,Robert Mcfadden,Shurong Liang,Vitaly Kasperovich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for tunably repairing low-k dielectric damage

Номер патента: TW201133616A. Автор: James DeYoung,Odette Turmel,Stephen M Sirard. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-10-01.

Low-K dielectric functional imprinting materials

Номер патента: US8889332B2. Автор: JUN Sung Chun,Frank Y. Xu,Michael P. C. Watts. Владелец: Canon Nanotechnologies Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Low-k dielectric functional imprinting materials

Номер патента: WO2006044690A3. Автор: JUN Sung Chun,Michael P C Watts,Frank Y Xu. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160358862A1. Автор: Jaw-Ming Ding,Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

DIE EDGE SEAL EMPLOYING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Bai Zhigang,Wang Zhijie,Ye Dehong,Zhang Huchang,NIU JIYONG. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: IL208534A. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230386981A1. Автор: Kengo Ohmori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240204092A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402432A1. Автор: Masaaki Matsuo,Kenji Hayashi,Makoto IKENAGA,Ryuta Watanabe,Akihiro Suzaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

METHOD OF FORMING THROUGH SILICON VIA OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20130228936A1. Автор: Han Kyu-hee,Ahn Sang-hoon,Lee Jang-hee,Kim Kyoung-hee,Park Byung-lyul,Kim Byung-hee,Beak Jong-min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

Low-K Dielectric Layer and Porogen

Номер патента: US20150270189A1. Автор: Liou Joung-Wei,Yang Hui-Chun,Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230395485A1. Автор: Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11776892B2. Автор: Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP3886154A1. Автор: Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

High k dielectric material with low k dielectric sheathed signal vias

Номер патента: US6430030B2. Автор: Mukta S. Farooq,Robert A. Rita,Herbert I. Stoller,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978753B2. Автор: Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sun-min MOON,Jin-Sun Lee,Se-Hyoung Ahn,Jae-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US09673272B2. Автор: Younsoo Kim,Yunjung Choi,Hanjin Lim,Jin-Su Lee,Se Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210184026A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240222494A1. Автор: Chien-Hsien Song,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20240170549A1. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321938A1. Автор: Jieun Lee,Hanjin Lim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jayun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with electron supply layer

Номер патента: US09786743B2. Автор: Akira Endoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacture method

Номер патента: US20240258392A1. Автор: Feng Wen HSU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240186410A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11942544B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180240800A1. Автор: Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sun-min MOON,Jin-Sun Lee,Se-Hyoung Ahn,Jae-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905657B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190267384A1. Автор: Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sun-min MOON,Jin-Sun Lee,Se-Hyoung Ahn,Jae-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170352666A1. Автор: Youn-Soo Kim,Jae-Hyoung Choi,Sun-min MOON,Jin-Sun Lee,Se-Hyoung Ahn,Jae-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240021664A1. Автор: Jinsu Lee,Hongsik CHAE,Junrak CHOI,Yaejin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240074206A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831339B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09722062B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230290814A1. Автор: Hyunjun Kim,Hayeon KIM,Cheoljin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11758710B2. Автор: An-Chi Liu,Ming-Feng Kuo,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Chien-Cheng Tsai,Junyi Zheng,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230292494A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor devices and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230395647A1. Автор: Jen-Po Lin,Hsiao-Kuan Wei,Cherng-Yu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119484A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021736A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer

Номер патента: US10096619B2. Автор: Shosuke Fujii,Seiji Inumiya,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230111881A1. Автор: Seung Bum Hong,Ji Hoon An,Byung Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device and dielectric film including a fluorite-type crystal

Номер патента: US09691973B2. Автор: Koichi Kato,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Takamitsu Ishihara,Tsunehiro Ino,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240049441A1. Автор: Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040938A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices having separation regions in gate electrode layers, and data storage systems including the same

Номер патента: US12120874B2. Автор: Seonghun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184028A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11935963B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20190165183A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047530A1. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7132686B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Taketomi Asami,Hiroshi Shibata,Yasuyuki Arai,Hiroki Adachi,Naoya Sakamoto,Toru Takayama,Masahiko Hayakawa,Ritsuko Kawasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Semiconductor device with dummy gates in peripheral region

Номер патента: US11784231B2. Автор: Takahisa Kanemura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079492A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Kazuki Arakawa,Shinichiro Miyahara,Atsuya Akiba,Tomoo MORINO,Yasushi Urakami,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semi-aqueous polymer removal compositions with enhanced compatibility to copper, tungsten, and porous low-k dielectrics

Номер патента: KR101983202B1. Автор: 윌리엄 알. 제밀,글렌 웨스트우드. Владелец: 아반토 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨. Дата публикации: 2019-05-28.

The semi-aqueous polymer to copper, tungsten and porous low-k dielectrics with enhanced compatibility removes composition

Номер патента: CN103782368B. Автор: W·R·格米尔,G·韦斯特伍德. Владелец: Anwantuo Materials LLC. Дата публикации: 2017-06-09.

Method of forming semiconductor device including low-k dielectric material layer

Номер патента: KR20210021420A. Автор: 김종욱,정재호,고영민,최동성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-26.

Back side illuminated image sensor device with select dielectric layers on the backside and methods of forming the same

Номер патента: US20240006458A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,Wei-Li Hu,Chia-Yen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

2-Dimensional Electron Gas and 2-Dimensional Hole Gas Junction Based Semiconductor Device

Номер патента: US20210305374A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230371273A1. Автор: Qing Shi,Ying-Chih Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Tzer-Min Shen,Blanka Magyari-Kope,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190097043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA,Yasushi Takaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180248010A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170207347A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device

Номер патента: US11990567B2. Автор: Youn Joon Sung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: EP4440275A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: US20240334669A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Tsai Shuang-Ji,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Wang Wen-De,Lin Yueh-Chiou. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108490A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURE HAVING LOW-K DIELECTRIC HEAT-INSULATING MATERIAL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Song Zhitang,Feng Songlin,Wu Liangcai. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160197161A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150200285A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160322488A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-11-03.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LOW-K DIELECTRIC GAPS BETWEEN ADJACENT METAL CONTACTS

Номер патента: US20220406930A1. Автор: Haase Robert,Leomant Sylvain,Naik Harsh,Brazzale Anita. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a layer of low-k dielectric material

Номер патента: CN112397440A. Автор: 金钟旭,高永珉,郑载琥,崔铜成. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020079547A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230387216A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764270B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional semiconductor devices with current path selection structure and methods of operating the same

Номер патента: US20140197469A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Dohyun LEE,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING LOW-K DIELECTRIC LAYER ON SIDEWALL OF CONTROL GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200274001A1. Автор: JUNG Hyun Soo,Kim Tae Whan,LEE Jun Gyu. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2020-08-27.

Face-up optical semiconductor device and method

Номер патента: US20110156087A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and dielectric film

Номер патента: US10403815B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Face-up optical semiconductor device and method

Номер патента: US8390020B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials

Номер патента: US20040028916A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry,Atsushi Shiota,Ralph Albano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Porous low k (<2.0) thin film derived from homo-transport-polymerization

Номер патента: US20030100691A1. Автор: Atul Kumar,Chung Lee. Владелец: Dielectric Systems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Plasma curing process for porous low-k materials

Номер патента: US20020106500A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ivan Berry,Ralph Albano,Cory Bargeron,Jeff Bremmer,Phil Dembowski,Nick Sbrockey. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and method for forming a shielded gate trench fet with an inter-electrode dielectric having a low-k dielectric therein

Номер патента: CN101626033A. Автор: 詹姆斯·J·墨菲,潘南西. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Semiconductor Device with a Super Junction Structure Based On a Compensation Structure with Compensation Layers and Having a Compensation Rate Gradient

Device with low-k dielectric material in close proximity thereto and its method of fabrication

Номер патента: TWI323036B. Автор: Hu Chenming,Denny Tang,Horng Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Mask reduction of LTPS-TFT array by use of photo-sensitive low-k dielectrics

Номер патента: TW200606487A. Автор: Chih-Chiang Chen,Yung-Fu Wu,Chen-Ming Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-02-16.

Electronic device including under display camera

Номер патента: US20230157105A1. Автор: Jeongyeol LEE,Sangyong JEON,Byungkwon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A HYBRID GATE SPACER INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20210036143A1. Автор: PATEL PRATIK A.,LIAO Sauya S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-04.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A HYBRID GATE SPACER INCLUDING A LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20220077311A1. Автор: LIAO Szuya S.,PATEL PRATIK A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

Low-k dielectric inner spacer for gate all around transistors

Номер патента: US20190267463A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

CMP compositions for low-k dielectric materials

Номер патента: US20030228762A1. Автор: Kevin Moeggenborg,Homer Chou,Jeffrey Chamberlain,Joseph Hawkins. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for chemical mechanical polishing (cmp) of low-k dielectric materials

Номер патента: EP1534795A2. Автор: K.J. Cabot Microelectronics Corp. MOEGGENBORG,H. Cabot Microelectronics Corporation CHOU,J.D. Cabot Microelectronics Corporation HAWKINS,J.P. Cabot Microelectronics Corp. CHAMBERLAIN. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

CMP compositions for low-k dielectric materials

Номер патента: US6974777B2. Автор: Jeffrey P. Chamberlain,Kevin J. Moeggenborg,Homer Chou,Joseph D. Hawkins. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-13.

Method for chemical mechanical polishing (cmp) of low-k dielectric materials

Номер патента: EP1534795B1. Автор: K.J. Cabot Microelectronics Corp. MOEGGENBORG,H. Cabot Microelectronics Corporation CHOU,J.D. Cabot Microelectronics Corporation HAWKINS,J.P. Cabot Microelectronics Corp. CHAMBERLAIN. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Compositions for dissolution of low-k dielectric films, and methods of use

Номер патента: US20020139387A1. Автор: Donald Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use

Номер патента: US6762132B1. Автор: Donald L. Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Chemical Mechanical Polishing Composition for polishing substrates containing a low-k dielectric material and Methods Relating Thereto

Номер патента: EP2196509B1. Автор: Zhendong Liu. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Multiple patterning using improved patternable low-k dielectric materials

Номер патента: US8163658B2. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Ultraviolet curing process for low k dielectric films

Номер патента: US20060274405A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Francesca Iacopi,Gerald Beyer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-07.

Methods for forming low-K dielectric films

Номер патента: EP1271634A2. Автор: Ce Ma,Richard Allen Hogle,Patrick Joseph Helly,Laura Joy Miller. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Compositions for dissolution of low-k dielectric film, and methods of use

Номер патента: US7432214B2. Автор: Donald L Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Ultraviolet curing process for low k dielectric films

Номер патента: WO2006132655A1. Автор: Orlando Escorcia,Francesca Iacopi,Gerald Beyer,Carlo Waldrfied. Владелец: Interuniversitair Micro-Electronic Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-14.

Low-K dielectric composition for frequency applications

Номер патента: CN109928617A. Автор: 叶·纱因·赫尔,奥维尔·W·布朗,约翰·J·马洛尼,科迪·J·格利森,斯里尼瓦桑·斯里哈兰,乔治·E·萨科斯科,彼得·马利,穆罕默德·H·麦格赫希,杰基·D·戴维斯,托马斯·约瑟夫·科菲,埃伦·S·陶梅,王志丞,大卫·L·维德莱夫斯基. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Low K dielectric compositions for high frequency applications

Номер патента: US10562809B2. Автор: Yie-Shein Her,Srinivasan Sridharan,Stanley Wang,Jackie D. Davis,John J. Maloney,George E. Sakoske,Peter Marley,Mohammed H. Megherhi,Orville W. Brown,Ellen S. Tormey,Cody J. Gleason,Thomas J. Coffey,David L. Widlewski. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Low K dielectric inorganic/organic hybrid films and method of making

Номер патента: CN1142059C. Автор: ,P,P·罗斯,E·洛帕塔,J·费尔茨. Владелец: SILICON VALLY GROUP HEAT SYSTEM Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing

Номер патента: WO2007005197A2. Автор: Gunilla Jacobsen,Subramanyam A. Iyer. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2007-01-11.

Test patterns for measurement of low-k dielectric cracking thresholds

Номер патента: US6787803B1. Автор: Tai-Chun Huang,Chih-Hsiang Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing

Номер патента: WO2007005197A3. Автор: Gunilla Jacobsen,Subramanyam A Iyer. Владелец: Subramanyam A Iyer. Дата публикации: 2007-04-12.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: TWI277118B. Автор: Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R Harshbarger,Kam S Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Ceramic Low-k dielectric composition with Nucleation Agent for low-temperature firing and ceramic Low-k dielectric

Номер патента: KR101038772B1. Автор: 박정현,김동완,최경진,박재관,이항원. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2011-06-03.

PARTIAL METAL FILL FOR PREVENTING EXTREME-LOW-K DIELECTRIC DELAMINATION

Номер патента: US20180082776A1. Автор: Wang Zhongze,CHEN Guoqing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

MULTI-FREQUENCY INDUCTORS WITH LOW-K DIELECTRIC AREA

Номер патента: US20170140865A1. Автор: Stamper Anthony K.,Vanukuru Venkata Narayana Rao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

RECESSING ULTRA-LOW K DIELECTRIC USING REMOTE PLASMA SOURCE

Номер патента: US20150200042A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Kang Sean S.,HOWARD Bradley J.,Ling Mang Mang,Pender Jeremiah T P. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20150380215A1. Автор: Nemani Srinivas D.,LUBOMIRSKY DMITRY,Pender Jeremiah T.,Zhou Qingjun,BELOSTOTSKIY Sergey G.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: EP2272068B1. Автор: Andreas Klipp,Hans-Joachim HÄHNLE,Arno Lange. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-07-04.

Low-K dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: CN102017015A. Автор: A·克里普,A·郎格,H-J·黑内尔. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-04-13.

Apparatus and method for depositing low K dielectric materials

Номер патента: US6176198B1. Автор: John Parks,Yeh-Jen Kao,Fong M. Chang,Robert B. Majewski,David Wanamaker,Yen-Kun Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

Low-k dielectrics obtainable by twin polymerization

Номер патента: WO2009133082A1. Автор: Andreas Klipp,Hans-Joachim HÄHNLE,Arno Lange. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240324171A1. Автор: Kotaro Noda,Tsuyoshi Sugisaki,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251542A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Multilayered printed circuit board useful in semiconductor device, comprises an internal magnetic layer, an internal conductive layer, a dielectric layer, a signal layer formed on the dielectric layer, and a cable bushing

Номер патента: DE102007055291A1. Автор: Shigeyoshi Sendai Yoshida,Koichi Sendai Kondo,Hiroshi Sendai Ono,Satoshi Sendai Arai,Tadashi Ebina Kubodera. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240008273A1. Автор: Takuya Konno,Shinya Okuda,Rikyu Ikariyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Low-k dielectric aerogel/polymer composite film preparation method

Номер патента: US20240301150A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen,Sheng-Hong PONG,Yang-Duan LI. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device designing method, designing apparatus, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20160132629A1. Автор: Hideyuki Shimizu,Fumitaka Shiraishi,Yasuhiro Yokoi,Kenta GOSHIMA,Yoshihiko Masushio. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

SEMI-AQUEOUS POLYMER REMOVAL COMPOSITIONS WITH ENHANCED COMPATIBILITY TO COPPER, TUNGSTEN, AND POROUS LOW-K DIELECTRICS

Номер патента: US20140248781A1. Автор: Westwood Glenn,Gemmill William R.. Владелец: Avantor Performance Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-04.

LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES

Номер патента: US20150232992A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,KIM Taewan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same

Номер патента: TWI262557B. Автор: Chang-Weon Lee. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

HYBRID POLYMER NETWORKS AS ULTRA LOW 'K' DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20130317183A1. Автор: WORSLEY Marcus A.,Lewicki James. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2013-11-28.

Low thermal conductivity and low-k dielectric aerogel material and preparation method therefor

Номер патента: US20230348284A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma chamber system and method of ashing photoresist pattern formed on substrate having low-k dielectric layer using the same

Номер патента: SG122873A1. Автор: Chang-Weon Lee. Владелец: PSK Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

UV ASSISTED SILYLATION FOR POROUS LOW-K FILM SEALING

Номер патента: US20160017492A1. Автор: Chan Kelvin,Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,Ren He,Xie Bo,NAIK Mehul B.,NGUYEN Vu Ngoc Tran. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

CUREABLE FORMULATIONS FOR FORMING LOW-k DIELECTRIC SILICON-CONTAINING FILMS USING POLYCARBOSILAZANE

Номер патента: US20210198429A1. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J. LARRABEE. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Pixel structure having a bolometer with spaced apart absorber and transducer layers and an associated fabrication method

Номер патента: AU4852800A. Автор: Han Chien-Jih,Eugene T. Fitzgibbons. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2000-12-28.

Low K Dielectric Compositions For High Frequency Applications

Номер патента: US20190135683A1. Автор: Sridharan Srinivasan,Maloney John J.,Widlewski David L.,Sakoske George E.,Marley Peter,Tormey Ellen S.,WANG Stanley,Davis Jackie D.,Brown Orville W.,Her Yie-Shein,Gleason Cody J.,Megherhi Mohammed H.,Coffey Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Номер патента: US20120301706A1. Автор: Purushothaman Sampath,Rossnagel Stephen,Nitta Satyanarayana V.,van der Straten Oscar,Park Dae-Gyu,Kim Hyungjun,Kellock Andrew J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Plasma curing of msq-based porous low-k film materials

Номер патента: AU2002320478A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Qingyuan Han,Ralph Albano,Ian Ball,Ivan L. Berry Iii,Jeff Jang. Владелец: Chemat Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-24.

Plasma curing process for porous low-k materials

Номер патента: AU2002326676A1. Автор: Carlo Waldfried,Orlando Escorcia,Ralph Albano,Cory Bargeron,Jeff Bremmer,Phil Dembowski,Nick Sbrockey,Iii Ivan L. Berry,Qinyuan Han. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Method for removing carbon-rich particles adhered on exposed copper surface of copper/low k dielectric dual damascene structure

Номер патента: TW497213B. Автор: Ming-Sheng Yang,Teng-Chiun Tsai,Jia-Lin Shiu,Yung-Tzung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Re-Establishing Surface Characteristics of Sensitive Low-K Dielectrics in Microstructure Devices by Using an In Situ Surface Modification

Номер патента: US20120049383A1. Автор: Fischer Daniel,Schaller Matthias,Oszinda Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Номер патента: US20120189782A1. Автор: Dong Wenting,Begag Redouane,Rhine Wendell E,Zafiropoulos Nicholas A,Nahass Paul,Trifu Roxana,White Shannon,Gould George L,Naiman Alaric,Sinta Roger. Владелец: ASPEN AEROGELS, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCH RESIDUE, AND COPPER OXIDE FROM SUBSTRATES HAVING COPPER, METAL HARDMASK AND LOW-K DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20130045908A1. Автор: Cui Hua. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Repair of Damaged Surface Areas of Sensitive Low-K Dielectrics of Microstructure Devices After Plasma Processing by In Situ Treatment

Номер патента: US20130072018A1. Автор: Fischer Daniel,Schaller Matthias,Oszinda Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POROUS LOW-K DIELECTRIC LAYER AND FABRICATION METHOD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты