Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric

Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric

Номер патента: US20030194495A1
Опубликовано: 16-10-2003
Автор(ы): Ellie Yieh, Li Xia, Lihua Li, Tzu-Fang Huang, Wen Zhu
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Doped And Undoped Vanadium Oxides For Low-K Spacer Applications

Номер патента: US20200035486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Abhijit Basu Mallick,Atashi Basu,Kelvin Chan,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Hi-k dielectric layer deposition methods

Номер патента: US20060270247A1. Автор: Kenneth Stein,Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: US20140004717A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Low-k dielectric damage repair by vapor-phase chemical exposure

Номер патента: WO2014007924A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-09.

A method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications

Номер патента: MY134065A. Автор: Daniel C Edelstein,Richard A Conti,Gill Y Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Post treatment for dielectric constant reduction with pore generation on low K dielectric films

Номер патента: US09324571B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Sure Ngo,Pendar ARDALAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087881A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: WO2015126775A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

High-K dielectric gate material uniquely formed

Номер патента: US20040089887A1. Автор: Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz,Grace Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Forming a low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: US09850574B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Process for producing low-k dielectric films

Номер патента: EP1642329B1. Автор: Adolf KÜHNLE,Carsten Jost,Hartwig Rauleder,Hartmut Fischer,Klaas Timmer,Corne Rentrop,Roelant Van Dam. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Low-k dielectric films

Номер патента: WO2021030309A1. Автор: Kang Sub Yim,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Shaunak Mukherjee,William J. Durand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for depositing low-k dielectric films

Номер патента: US20240087880A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Lakmal C. Kalutarage,Ruitong Xiong,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Rui Lu,Shruba Gangopadhyay,Lauren Bagby. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method and structure for a large-grain high-K dielectric

Номер патента: US09590063B2. Автор: Rama I. Hegde. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods and apparatus for deposition of low-k films

Номер патента: US11990332B2. Автор: Lin Yang,Ning Li,Yijun Liu,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Zhelin SUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Low-k films

Номер патента: US20210388499A1. Автор: Ning Li,Mihaela Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Fabrication of porogen residues free low-k materials with improved mechanical and chemical resistance

Номер патента: US20120052692A1. Автор: Quoc Toan Le,Mikhaïl Baklanov,Patrick Verdonck,Laurent Souriau. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-03-01.

Low-k ald gap-fill methods and material

Номер патента: US20220037146A1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Ian John CURTIN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties

Номер патента: US6709721B2. Автор: Ellie Yieh,Shankar Venkataraman,Chen-An Chen,Juan Carlos Rocha-Alvarez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Physical vapor deposition methods and systems to form semiconductor films using counterbalance magnetic field generators

Номер патента: US20150311065A1. Автор: Jeonghee Park,Jae Yeol Park. Владелец: Semicat Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Process chamber for etching low k and other dielectric films

Номер патента: US09666414B2. Автор: Ellie Yieh,Dmitry Lubomirsky,Srinivas Nemani,Sergey G. BELOSTOTSKIY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing a low-k layer

Номер патента: US20130288045A1. Автор: Ben-Zu Wan,Hsin-Yan LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for preparing a nanoporous ultra-low dielectric thin film including a high-temperature ozone treatment and a nanoporous ultra-low dielectric thin film prepared by the same method

Номер патента: US09679761B2. Автор: Bum Suk Kim,Bo Ra Shin,Hee Woo Rhee,Kyu Yoon CHOI. Владелец: Sogang University. Дата публикации: 2017-06-13.

High-k dielectric films and methods of producing using titanium-based -diketonate precursors

Номер патента: EP2281073A1. Автор: Peter Nicholas Heys,Paul Raymond Chalker. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Method of Forming a Low-K Layer and Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190333754A1. Автор: Sunyoung Lee,Sunjung Kim,Se-Yeon Kim,Yong-Suk Tak,Minjae KANG,Teawon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Selective deposition on metals using porous low-k materials

Номер патента: WO2023083540A1. Автор: Son Nguyen,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hosadurga Shobha,Rudy Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Method of forming a low-k layer and method of forming a semiconductor device

Номер патента: SG10201903205RA. Автор: LEE Sunyoung,TAK Yong-Suk,Kim Sunjung,Kim Se-Yeon,KANG MinJae,Kim Teawon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US09972485B2. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and composition for removing resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper, metal hardmask and low-k dielectric material

Номер патента: US20160247672A1. Автор: Hua Cui. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: SG11201903865TA. Автор: Manchao Xiao,Richard Ho,Daniel Spence. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: EP3535436A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2019-09-11.

Precursors and flowable cvd methods for making low-k films to fill surface features

Номер патента: WO2018085093A1. Автор: Manchao Xiao,Daniel P. Spence,Richard Ho. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-05-11.

Composition and process for selectively etching a layer comprising an aluminium compound in the presence of layers of low-k materials, copper and/or cobalt

Номер патента: US20240093089A1. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Che Wei Wang,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-03-21.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20210226024A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200119151A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20230275136A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Compositions of low-K dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US09589789B2. Автор: Travis Savage,Mark L. F. Phillips. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: EP2915185A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts

Номер патента: US20160111275A1. Автор: Mark L.F. Phillips,Travis Savage. Владелец: SBA Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials

Номер патента: US7244683B2. Автор: Ling Chen,Nikolaos Bekiaris,Hua Chung,Christophe Marcadal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-07-17.

Devices comprising high-k dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US20160284540A1. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Devices comprising high-K dielectric layer and methods of forming same

Номер патента: US9673039B2. Автор: Yiqun Liu,Jin Ping Liu,Sandeep Gaan,Shishir Ray,Fabio D'ADDAMIO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Tic mos devices on high-k-dielectric gate stacks

Номер патента: WO2006076086A3. Автор: Katherine L Saenger,Sufi Zafar,Alessandro C Callegari,Fenton R Mcfeely,Dianne L Lacey,Michael A Gribelyuk. Владелец: Michael A Gribelyuk. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US10134583B2. Автор: Sang Ick Lee,Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a low-k dielectric layer and methods of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20170207083A1. Автор: Younjoung CHO,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Jungsik CHOI,Sunhye HWANG,Sang lck Lee,In Kyung JUNG,Wonwoong Chung. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Cu-low K cleaning and protection compositions

Номер патента: US09490142B2. Автор: Jiali Wu,Kellsie Shan. Владелец: Qualsig Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and solution for preparing SEM samples for low-K materials

Номер патента: US20030157802A1. Автор: Jane-Bai Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing

Номер патента: EP1936674A3. Автор: Junaid Ahmed Siddiqui,Rachel Dianne Mcconnell,Saifi Usmani. Владелец: DuPont Air Products NanoMaterials LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US8354350B2. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-15.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US8507665B2. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US20120231634A1. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Template derivative for forming ultra-low dielectric layer and method of forming ultra-low dielectric layer using the same

Номер патента: US20120231635A1. Автор: Chan Bae Kim,Sang Tae Ahn,Hyeon Ju An,Eun Jeong Kim,Ja Chun Ku,Hyo Seok Lee,Sung Kyu MIN,Chai O Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization

Номер патента: US09916977B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Jonathan D. Mohn,Nicholas Muga Ndiege. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Preparation method of niobium diselenide film with ultra-low friction and low electrical noise under sliding electrical contact in vacuum

Номер патента: US20230227963A1. Автор: Li Ji,Yang Yang,Jianmin Chen,Xiaohong Liu,Hongxuan Li,Huidi ZHOU. Владелец: Lanzhou Institute Of Chemical Physics Cas. Дата публикации: 2023-07-20.

Low-K晶圆切割保护液、制备方法、用途和切割保护方法

Номер патента: CN117402670. Автор: 侯军,张楠,褚雨露,于天佳. Владелец: Zhejiang Aoshou Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Low-K晶圆切割保护液、制备方法、用途和切割保护方法

Номер патента: CN117402670A. Автор: 侯军,张楠,褚雨露,于天佳. Владелец: Zhejiang Aoshou Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods of treating non-sputtered regions of pvd target constructions to form particle traps, and pvd target constructions comprising projections along a non-sputtered region

Номер патента: EP1552033A2. Автор: Jaeyeon Kim. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Methods of treating non-sputtered regions of pvd target constructions to form particle traps, and pvd target constructions comprising projections along a non-sputtered region

Номер патента: EP1552033A4. Автор: Jaeyeon Kim. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-12-20.

Multi-stage curing of low k nano-porous films

Номер патента: US20080099920A1. Автор: Yi Zheng,Li-Qun Xia,Alexandros Demos,Derek Witty,Hichem M'Saad,Dustin Ho,Francimar Schmitt,Sang Ahn,Kang Yim,Lester D'Cruz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Multi-stage curing of low k nano-porous films

Номер патента: WO2005098085A2. Автор: Yi Zheng,Li-Qun Xia,Alexandros T. Demos,Hichem M'Saad,Francimar Schmitt,Derek R. Witty,Kang Sub Yim,Dustin W. Ho,Sang H. Ahn,Lester A. D'Cruz. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357632A1. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Ultra-low k dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11309180B2. Автор: Yiqi GONG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Low-k dielectric damage prevention

Номер патента: US20220367259A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Chen-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Interconnect structure with precise conductor resistance and method to form same

Номер патента: US6710450B2. Автор: Sampath Purushothaman,Stephen McConnell Gates,Satyanarayana V. Nitta,Jeffrey Curtis Hedrick,Cristy Sensenich Tyberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-23.

Process for treating porous low k dielectric material in damascene structure to form a non-porous dielectric diffusion barrier on etched via and trench surfaces in the porous low k dielectric material

Номер патента: US6537896B1. Автор: Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Enhancement of modulus and hardness for UV-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US09659765B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Vapor phase repair and pore sealing of low-k dielectric materials

Номер патента: US20110020955A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US09633836B2. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Enhancement of modulus and hardness for uv-cured ultra low-k dielectric films

Номер патента: US20160020090A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Priyanka DASH,Mahendra Chhabra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Interconnect system with improved low-K dielectrics

Номер патента: US12080547B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect system with improved low-k dielectrics

Номер патента: US20240363336A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Yu Lun Ke,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming semiconductor devices including low-k dielectric layer

Номер патента: US20140370704A1. Автор: Kyu-hee Han,Seung-Hyuk Choi,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Methods for repairing low-k dielectrics using carbon plasma immersion

Номер патента: US09478437B2. Автор: Peter I. Porshnev,Daping Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US20170309513A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCALIZED LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) MATERIAL IN INTER-LAYER DIELECTRIC (ILD) MATERIAL FOR IMPROVED SPEED PERFORMANCE

Номер патента: US20160372544A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING LOCALIZED LOW DIELECTRIC CONSTANT (LOW-K) MATERIAL IN INTER-LAYER DIELECTRIC (ILD) MATERIAL FOR IMPROVED SPEED PERFORMANCE

Номер патента: WO2016204938A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-22.

Low-k dielectric material based upon carbon nanotubres and methods of forming such low-k dielectric materials

Номер патента: WO2006041793A1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Laminate low K film

Номер патента: US20040077179A1. Автор: Steven Reder,Michael Berman,Rennie Barber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for forming ultra-shallow junction

Номер патента: US20220254903A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of controlling solid phase diffusion of boron dopants to form ultra-shallow doping regions

Номер патента: US09899224B2. Автор: Robert D. Clark,David L. O'Meara,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Low dielectric constant (low-k) dielectric and method of forming the same

Номер патента: US20180068848A1. Автор: Xiangyu GUO,Weiyi Li,Huifeng Zheng,Dongfei Pei,J. Leon Shohet,Joshua Blatz. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Advanced ultra low k SiCOH dielectrics prepared by built-in engineered pore size and bonding structured with cyclic organosilicon precursors

Номер патента: US09449810B2. Автор: Donald F. Canaperi,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Zeolite—sol gel nano-composite low k dielectric

Номер патента: US7674390B2. Автор: Hai Deng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-09.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20180308801A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20200335449A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG144066A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Low-K dielectric gapfill by flowable deposition

Номер патента: US09412581B2. Автор: Jingmei Liang,Mukund Srinivasan,Young S. Lee,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Advanced ultra low k sicoh dielectrics prepared by built-in engineered pore size and bonding structured with cyclic organosilicon precursors

Номер патента: US20150279667A1. Автор: Donald F. Canaperi,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Advanced ultra low k sicoh dielectrics prepared by built-in engineered pore size and bonding structured with cyclic organosilicon precursors

Номер патента: US20160005597A1. Автор: Donald F. Canaperi,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Integrated Circuit Having Ultralow-K Dielectric Layer

Номер патента: US20080153310A1. Автор: Huang Liu,Johnny Widodo,Sin Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit having ultralow-k dielectric layer

Номер патента: SG162775A1. Автор: Liu Huang,Lim Sin Leng,Johnny Widodo. Владелец: Globalfoundries Singapore Pte. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for covalently grafting fluorine-free nano-pore low-k dielectric film on surface of semiconductor

Номер патента: CN112201565A. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-08.

Treatment of low k films with a silylating agent for damage repair

Номер патента: US7541200B1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Justin F. Gaynor. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Super critical drying of low k materials

Номер патента: WO2002017373A1. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-02-28.

Uv assisted silylation for recovery and pore sealing of damaged low k films

Номер патента: WO2012148641A3. Автор: Alexandros T. Demos,Kelvin Chan,Kang Sub Yim,Thomas Nowak,Bo Xie. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for manufacturing semiconductor device having low-k carbon-containing dielectric layer

Номер патента: US11848198B2. Автор: Ting-Ya Lo,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device including ultra low dielectric constant layer

Номер патента: US20090280637A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Hong-jae Shin,Jae-Hak Kim,Jae-ouk Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods for formation of low-k aluminum-containing etch stop films

Номер патента: US09633896B1. Автор: Pramod Subramonium,Nagraj Shankar,Daniel Damjanovic. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device including multilayer stack including seed layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US11664413B2. Автор: Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Reliability caps for high-k dielectric anneals

Номер патента: US20190019682A1. Автор: Shariq Siddiqui,Rohit Galatage,Chung-Ju Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Forming nitrogen-containing low-K gate spacer

Номер патента: US11948841B2. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US20240313040A1. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having interfacial layer and high-k dielectric layer

Номер патента: US20150187902A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Forming method and structure of porous low-k layer, interconnect process and interconnect structure

Номер патента: US20110147948A1. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Capacitor comprising anti-ferroelectric layers and high-k dielectric layers

Номер патента: US12034035B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Structure of porous low-k layer and interconnect structure

Номер патента: US8350246B2. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Process for forming low K silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A3. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Номер патента: EP1100121A2. Автор: Valeriy Sukharev,Wei-jen Hsia. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Uniform dielectric layer and method to form same

Номер патента: US20010024886A1. Автор: Trung Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

半导体表面共价接枝无氟纳米孔洞low k介电薄膜方法

Номер патента: CN112201565. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-08.

Selective oxidation of buried silicon-germanium to form tensile strained silicon FinFETs

Номер патента: US09570590B1. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation

Номер патента: CA2284760A1. Автор: Dong Kyu Choi,Neil H. Hendricks,Lynn Forester,Shi-Qing Wang,Jing Jun Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-10-01.

Hot plate cure process for BCB low k interlevel dielectric

Номер патента: US6066574A. Автор: LU You,Christof Streck,Dawn Hopper. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Halbleiter-Bauelement mit einer dielektrischen Extra-Low-k-Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE102017126997A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Halbleiter-Bauelement mit einer dielektrischen Extra-Low-k-Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE102017126997B4. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Protruded contact and insertion of inter-layer-dielectric material to match damascene hardmask to improve undercut for low-k interconnects

Номер патента: SG137744A1. Автор: HSIA Liang Choo,Liu Wuping,SEAH Boon Meng,Raymond Joy,Shyam Pal,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US20230098015A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Low-k dielectric aerogel and preparation method therefor

Номер патента: US12054585B2. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Recleaning process for metal plug that minimizes damage to low K dielectric

Номер патента: EP1081750A3. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Barney M. Cohen,Suraj Rengarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-05.

Curing Low-k Dielectrics for Improving Mechanical Strength

Номер патента: US20090250792A1. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for fabricating low-k dielectric and Cu interconnect

Номер патента: US8354346B2. Автор: Keng-Chu Lin,Tzu-Li Lee,Chih-hao Chen,Ming-Chung Liang,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Method For Reducing Reactive Ion Etch Lag in Low K Dielectric Etching

Номер патента: US20180358227A1. Автор: Christopher Cole,Angelique D. Raley,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

A method of controlled low-k via etch for cu interconnections

Номер патента: SG147366A1. Автор: TANG Teck Jung,Liu Wuping,Hermann Wendt,Johnny Widodo,Li Jung Hui,Ng Han Wah,Larry A Clevenger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-28.

Highly thermally conductive, ultra-low-k two-dimensional covalent organic framework dielectric layers

Номер патента: US20240092809A1. Автор: Mark C. Hersam,Patrick E. Hopkins,Ashutosh Giri,William Robert DICHTEL,Austin Michael Evans,Vinod Kumar Sangwan,Ioannina CASTANO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09887265B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09536945B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Dielectric composition with low k for applications at high frequencies

Номер патента: RU2701611C1. Автор: Сринивасан СРИДХАРАН,Годи ГЛИСОН,Джон Дж. МАЛОНЕЙ,Джордж И. САКОСКЕ,Питер МАРЛЕЙ,Мохаммед Х. МЕГХЕРХИ,Йи-Шейн ХЁ,Орвиль В. БРАУН,Джеки Д. ДЭВИС,Томас Джозеф КАФФИ,Эллен Эс. ТОРМЕЙ,Стэнли ВАНГ,Дэвид Эль ВИДЛЕВСКИ. Владелец: Ферро Корпорэйшн. Дата публикации: 2019-09-30.

带有Low-k膜的晶片的分割方法

Номер патента: CN110197811A. Автор: 村上健二,武田真和,荣田光希,田村健太. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Low-k막 부착 웨이퍼의 분단 방법

Номер патента: KR20190103006A. Автор: 켄지 무라카미,마사카즈 타케다,켄타 타무라,코키 에이다. Владелец: 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-09-04.

带有Low-k膜的晶片的分割方法

Номер патента: CN110197811. Автор: 村上健二,武田真和,荣田光希,田村健太. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20230326746A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Replacement low-k spacer

Номер патента: US20170194499A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Replacement low-k spacer

Номер патента: US9985135B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Low-K Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20210202235A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Halbleitervorrichtungen mit stabilen Low-k-Seitenwandabstandshaltern und Verfahren zur Herstellung selbiger

Номер патента: DE102019201288A1. Автор: TAO Han,Jinping Liu,Jiehui SHU,Asli Sirman,Man Gu,Charlotte Adams,Keith Tabakman,Junsic Hong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220230871A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Replacement low-k spacer

Номер патента: US09892926B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09824930B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09721842B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Replacement low-k spacer

Номер патента: US09660050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of patterning dopant films in high-K dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US09472419B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Номер патента: US20180219096A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor structure including low-k spacer material

Номер патента: US20190148557A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160190015A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160049337A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of patterning dopant films in high-k dielectrics in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160351452A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Rekha Rajaram,Hemanth Jagannathan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Porous fin as compliant medium to form dislocation-free heteroepitaxial films

Номер патента: US09947529B2. Автор: Kangguo Cheng,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Structure and method to form III-V, Ge and SiGe fins on insulator

Номер патента: US09754968B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Porous fin as compliant medium to form dislocation-free heteroepitaxial films

Номер патента: US09646832B2. Автор: Kangguo Cheng,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Advanced BEOL interconnect structures with low-k PE CVD cap layer and method thereof

Номер патента: US6939797B2. Автор: JIA LEE,John A. Fitzsimmons,Vincent McGahay,Stephen M. Gates,Thomas H. Ivers,Edward Barth,Darryl D. Restaino,Sarah L. Lane,Ann McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Ultra-low platinum group metal containing anode electrocatalysts for acid mediated proton exchange membrane fuel cells

Номер патента: US20240222652A1. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Moni Kanchan Datta,Shrinath Dattatray Ghadge. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for making a high purity aluminum conductor used at ultra low temperature

Номер патента: US5616191A. Автор: Akihiko Takahashi,Hitoshi Yasuda,Hong Zou,Karl T. Hartwig,Lacy C. McDonald. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-01.

Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material

Номер патента: US09589856B2. Автор: Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure and method for integrating ultra-low dielectric constant (k) dielectrics with improved reliability

Номер патента: JP4328725B2. Автор: ステファン・マッコネル・ゲート,ソン・バン・グエン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Ion implantation to form trench-bottom oxide of mosfet

Номер патента: US20220199806A1. Автор: Lei Zhong,Wei Zou,David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Felix Levitov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method to form nanosized pattern on substrate (versions) and structure with pattern comprising nanosized self-assembled self-built structures

Номер патента: RU2462412C2. Автор: Чарлз Т. БЛЭК,Тимоти Дж. ДЭЛТОН,Брюс Б. ДОРИС,Карл РЕЙДЕНС,Чарлз Т. БЛЭК (US),Тимоти Дж. ДЭЛТОН (US),Брюс Б. ДОРИС (US),Карл РЕЙДЕНС (US). Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11894231B2. Автор: HAIYANG Zhang,CHENXI Yang,Longjuan Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Fingered capacitor with low-k and ultra-low-k dielectric layers

Номер патента: US20200357881A1. Автор: YU Chen,Cheong Min Hong,Chunshan YIN. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor processing system with ultra low-k dielectric

Номер патента: SG144033A1. Автор: HSIA Liang Choo,ZHANG Bei Chao,Yasri Yudhistira,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: WO2006100632A1. Автор: Willem Frederik Adrianus Besling. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-09-28.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322B1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-01.

Method of manufacturing multilevel interconnects including performing a surface treatment to form a hydrophilic surface layer

Номер патента: US6429115B1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US09768061B1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Interconnect with high quality ultra-low-k dielectric

Номер патента: US20200258776A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Side wall pore sealing for low-k dielectrics

Номер патента: EP1864322A1. Автор: Willem F.A. Société Civile SPID BESLING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-12-12.

Self Forming Metal Fluoride Barriers for Fluorinated Low-K Dielectrics

Номер патента: US20100244252A1. Автор: Florian Gstrein,Christopher J. Jezewski,Daniel J. Zierath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

Номер патента: SG173321A1. Автор: James DeYoung. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-08-29.

Low-k dielectric interconnect systems

Номер патента: US20180005882A1. Автор: Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for tunably repairing low-k dielectric damage

Номер патента: US20110097821A1. Автор: James DeYoung,Stephen M. Sirard,Odette Turmel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014011382A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Pad Structure Including Glue Layer and Non-Low-K Dielectric Layer in BSI Image Sensor Chips

Номер патента: US20150228690A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Yueh-Chiou Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: EP1292978A2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: WO2001099184A3. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material

Номер патента: US09941151B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods to form multi threshold-voltage dual channel without channel doping

Номер патента: US09735061B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming through silicon via of semiconductor device using low-K dielectric material

Номер патента: US8872354B2. Автор: Han Kyu-hee,Byung-hee Kim,Jang-Hee Lee,Kyoung-Hee Kim,Byung-lyul Park,Sang-hoon Ahn,Jong-min Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by ild posts

Номер патента: EP1405337A2. Автор: Lawrence D. Wong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-07.

Damascene process having retained capping layer through metallization for protecting low-k dielectrics

Номер патента: US20080299718A1. Автор: Ping Jiang,Deepak A. Ramappa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Integrated Technology for Partial Air Gap Low K Deposition

Номер патента: US20130147046A1. Автор: Hung Jui Chang,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Shiu-Ko Jang Jian,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Composite manganese nitride/low-K dielectric cap

Номер патента: US09711456B2. Автор: Donald F. Canaperi,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Structure and Method for a Low-K Dielectric With Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20230369228A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of patterning a low-k dielectric film

Номер патента: WO2014120576A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Chia-Ling Kao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Backside via with a low-k spacer

Номер патента: US20240363428A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy

Номер патента: US7135402B2. Автор: Tien-I Bao,Keng-Chu Lin,Shwang-Ming Cheng,Ming Ling Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-11-14.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: WO2001099184A2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-12-27.

Low-k damage repair and pore sealing agents with photosensitive end groups

Номер патента: US09502255B2. Автор: George Andrew Antonelli,Andrew John McKerrow. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for etching low k dielectrics

Номер патента: WO1999052135A1. Автор: YAN Ye,Chun Yan,Diana Xiaobing Ma,Gary C. Hsueh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-10-14.

Method of embedding low-k materials in antennas

Номер патента: US11984668B2. Автор: En-Hsiang Yeh,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Chung-Hao Tsai,Jeng-Shien Hsieh,Lai Wei Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Die edge seal employing low-K dielectric material

Номер патента: US9406625B2. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Die edge seal employing low-k dielectric material

Номер патента: US20150371957A1. Автор: Zhijie Wang,Zhigang Bai,Dehong Ye,Huchang Zhang,Jiyong Niu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Ultralow-K dielectric-gap wrapped contacts and method

Номер патента: US11978661B2. Автор: Mark D. Levy,Felix P. Anderson,Siva P. Adusumilli,Fuad H. Al-Amoody,Spencer H. Porter. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Barrier film integrity on porous low k dielectrics by application of a hydrocarbon plasma treatment

Номер патента: US7242098B2. Автор: Thomas Joseph Abell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-07-10.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190115223A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned planarization of low-k dielectrics and method for producing the same

Номер патента: US20190198343A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Zhehui Wang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus for placing a gate contact inside a semiconductor active region having high-k dielectric gate caps

Номер патента: US09824921B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material

Номер патента: EP2030224A1. Автор: Brian W. Baird. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Protection of low-k ILD during damascene processing with thin liner

Номер патента: US20040147117A1. Автор: John Sanchez,Steven Avanzino,Christy Woo,Suzette Pangrle,Minh Ngo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: MY130338A. Автор: Narayanan Meyyappan. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2007-06-29.

Ultra-low power basic blocks and their uses

Номер патента: WO2002050911A1. Автор: Denis Flandre,Vincent Dessard,Stéphane Adriaensen. Владелец: UNIVERSITE CATHOLIQUE DE LOUVAIN. Дата публикации: 2002-06-27.

Ultra-low power basic blocks and their uses

Номер патента: EP1344253A1. Автор: Denis Flandre,Vincent Dessard,Stéphane Adriaensen. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-09-17.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Transistor with a low-k sidewall spacer and method of making same

Номер патента: US09666679B2. Автор: DANIEL Benoit,Clement Gaumer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Ultra-low sheet resistance metal/poly-si gate for deep sub-micron CMOS application

Номер патента: US6093628A. Автор: Lap Chan,Kin Leong Pey,Chong Wee Lim,Soh Yun Siah,Eng Hwa Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11871580B2. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11856765B2. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuit with doped low-k side wall spacers for gate spacers

Номер патента: US11699737B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect

Номер патента: US20020036336A1. Автор: Qi Xiang,WEI Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Bottom source nmos triggered zener clamp for configuring an ultra-low voltage transient voltage suppressor (tvs)

Номер патента: US20170194492A9. Автор: Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-06.

Low-K dual damascene integration process

Номер патента: US6323123B1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu,Cheng-Yuan Tsai,Anseime Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-27.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor devices including low-k metal gate isolation and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12009259B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Mechanisms for monitoring impurity in high-K dielectric film

Номер патента: US09553160B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Crystallization of High-K Dielectric Layer

Номер патента: US20240097039A1. Автор: Chien-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Poly finger fabrication for hci degradation improvement of ultra-low-ron ednmos

Номер патента: US20190252521A1. Автор: Lin Wei,Upinder Singh,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Fabrication technique for forming ultra-high density integrated circuit components

Номер патента: US20230154751A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Fabrication technique for forming ultra-high density integrated circuit components

Номер патента: WO2022015930A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

(110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US09406518B2. Автор: Chih-Hsin Ko,Chao-Ching Cheng,Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

降低多孔low-k材料的k值的互连工艺

Номер патента: CN104867866A. Автор: 雷通. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-26.

Self-aligned dual damascene beol structures with patternable low- k material and methods of forming same

Номер патента: US20100314767A1. Автор: Qinghuang Lin,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Sampath Purushothaman,Shawn M. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for etching porous organosilica low-k materials

Номер патента: US20140291289A1. Автор: Mikhaïl Baklanov,Shigeru Tahara,Frederic LAZZARINO,Mikhail Krishtab. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of improving the interlayer adhesion property of low-k layers in a dual damascene process

Номер патента: US20020173158A1. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法

Номер патента: CN115000005. Автор: 曹立强,戴风伟. Владелец: National Center for Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

Semiconductor device with gate structures having low-K spacers on sidewalls and electrical contacts therebetween

Номер патента: US09966374B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

PE-ALD OF TaN DIFFUSION BARRIER REGION ON LOW-K MATERIALS

Номер патента: WO2005122253A2. Автор: Hyungjun Kim,Soon-Cheon Seo,Stephen M. Rossnagel,Derren N. Dunn. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-22.

Structure and material for assembling a low-K Si die to achieve a low warpage and industrial grade reliability flip chip package with organic substrate

Номер патента: US7144756B1. Автор: YUAN Li,Wen-chou Vincent Wang,Donald S. Fritz. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Devices with Metal Gate, High-k Dielectric, and Butted Electrodes

Номер патента: US20080277726A1. Автор: Ying Zhang,Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Michelle L. Steen,Mark Todhunter Robson,Vamsi Paruchuri,Eduard Albert Cartier,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法

Номер патента: WO2023226547A1. Автор: 曹立强,戴风伟. Владелец: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method to form narrow structures using double-damascene process

Номер патента: EP1206798A1. Автор: Emi Ishida,Scott Luning,Tim Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-22.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Method to form narrow structures using double-damascene process

Номер патента: WO2001011675A1. Автор: Emi Ishida,Scott Luning,Tim Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

一种Low-K wafer结构及其工艺方法

Номер патента: CN115332191A. Автор: 徐烨锋,王红晓,王修垒. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-11.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Backside via with a low-k spacer

Номер патента: US12068200B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of patterning pillars to form variable continuity cuts in interconnection lines of an integrated circuit

Номер патента: US09852986B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods that use at least a dual damascene process and, optionally, a single damascene process to form interconnects with hybrid metallization and the resulting structures

Номер патента: US09824970B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices with self-aligned contacts and low-k spacers

Номер патента: US09543426B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with low-K spacers

Номер патента: US09425280B2. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

MOS transistor with low-k spacer to suppress capacitive coupling between gate and source/drain extensions

Номер патента: US6107667A. Автор: Bin Yu,Judy Xilin An,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

A method to form a low parasitic capacitance CMOS device

Номер патента: EP1255290A3. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Through substrate via (TSV) validation structure for an integrated circuit and method to form the TSV validation structure

Номер патента: US11823978B2. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques

Номер патента: EP1397833A2. Автор: Mei Chang,Ashok Sinha,Hua Chung,Jeong Soo Byun,Moris Kori,Alfred W. Mak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Eliminate IMC cracking in post wirebonded dies: macro level stress reduction by modifying dielectric/metal film stack in be layers during Cu/Low-K processing

Номер патента: US20070123024A1. Автор: HONG Ying,Peter Burke,Jayanthi Pallinti,Hemanshu Bhatt,Sey-Shing Sun,Ramaswamy Ranganathan,Qwai Low,Dilip Vijay,Chiyi Kao. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Method to form localized relaxed substrate by using condensation

Номер патента: US20170221903A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-03.

Method to form localized relaxed substrate by using condensation

Номер патента: US20160211376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-21.

Bi-directional esd diode structure with ultra-low capacitance that consumes a small amount of silicon real estate

Номер патента: US20150243757A1. Автор: Akihiko Yamashita,Kentaro Takahashi,Toshiyuki Tani,Motoaki KUSAMAKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

一种Low-K wafer结构及其工艺方法

Номер патента: CN115332191. Автор: 徐烨锋,王红晓,王修垒. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-11.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Package assembly including a semiconductor substrate in which a first portion of a surface of the semiconductor substrate is recessed relative to a second portion of the surface of the semiconductor substrate to form a recessed region in the semiconductor substrate

Номер патента: US09768144B2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Runzi Chang,Shiann-Ming Liou,Scott Wu,Chuan-Cheng Cheng,Roawen Chen,Chung Chyung (Justin) Han. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Integration process to form microelectronic or micromechanical structures

Номер патента: US09755016B2. Автор: Wai-Kin Li,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and structure to form tensile strained SiGe fins and compressive strained SiGe fins on a same substrate

Номер патента: US09754941B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods to form high density through-mold interconnections

Номер патента: US09741692B2. Автор: Debendra Mallik,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Eric J. Li,Edvin Cetegen,Bassam M. Ziadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods to form merged spacers for use in fin generation in IC devices

Номер патента: US09627389B1. Автор: Lei Yuan,Youngtag Woo,Srinivasa Banna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Wafer processing method using pulsed laser beam to form shield tunnels along division lines of a semiconductor wafer

Номер патента: US09536786B2. Автор: Hiroshi Morikazu,Motohiko Shimada. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Directed self assembly of block copolymers to form vias aligned with interconnects

Номер патента: US09530688B2. Автор: Robert Bristol,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing a silicon semiconductor substrate including a diffusion layer prior to forming a semiconductor device thereon

Номер патента: US09450070B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Novel integration process to form microelectronic or micromechanical structures

Номер патента: US20160322458A1. Автор: Wai-Kin Li,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Ultra low power transistor for 40nm processes

Номер патента: GB2524486A. Автор: David Vigar,Dave Verity,Rainer Herberholz. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Method to form selective strained si using lateral epitaxy

Номер патента: SG143174A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson R Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-06-27.

Method to form shallow junction transistors while eliminating shorts due to junction spiking

Номер патента: US20020011629A1. Автор: Lap Chan,Ravishankar Sundaresan,Cher Cha. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of doping gate electrodes discretely with either P-type or N-type impurities to form discrete semiconductor regions

Номер патента: US5328864A. Автор: Satoshi Kudo,Keiichi Yoshizumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-12.

一种应用于low-k开槽设备的三轴联动精密平台

Номер патента: CN109449116A. Автор: 李斌,施心星,邱鸿毅. Владелец: SUZHOU LUMI LASER SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Robust low-k bottom spacer for vfet

Номер патента: US20200279780A1. Автор: Kangguo Cheng,Pietro Montanini,Hiroki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device with low-k gate cap and self-aligned contact

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of pore sealing and metal encapsulation in porous low k interconnect

Номер патента: WO2004105124A1. Автор: Dung-Ching Perng. Владелец: Jsr Micro, Inc.. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: US20240332227A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor element with bonding layer having low-k dielectric material

Номер патента: WO2024206337A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Oliver Zhao. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Extreme low-K dielectric film scheme for advanced interconnects

Номер патента: USRE42514E1. Автор: Chih-Lung Lin,Shwang-Ming Jeng,Keng-Chu Lin,Fang-Wen Tsai,Kuan-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

POLYMER ENCAPSULATED DICING LANE (PEDL) TECHNOLOGY FOR Cu/LOW/ULTRA-LOW k DEVICES

Номер патента: WO2006041413A1. Автор: Vaidyanathan Kripesh,Seung Wook Yoon,Ganesh Vetrivel Periasamy. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2006-04-20.

Ultra-low profile package shielding technique using magnetic and conductive layers for integrated switching voltage regulator

Номер патента: US10950555B2. Автор: Jaejin Lee,Kaladhar Radhakrishnan,Chung-Hao J. Chen,Hao-Han Hsu,Dong-Ho Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Compliant passivated edge seal for low-k interconnect structures

Номер патента: WO2005067598A2. Автор: Daniel Edelstein,Lee M. Nicholson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for fabricating ultra-low density three-dimensional thin film structure based on photo-lithography

Номер патента: US09878472B2. Автор: Ki Ju Kang,Min Geun Lee,Seung Cheul HAN. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-30.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Structure and method to form a finfet device

Номер патента: US20170047350A1. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Structure and method to form a finfet device

Номер патента: US20150303272A1. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for Producing MIM Capacitors with High K Dielectric Materials and Non-Noble Electrodes

Номер патента: US20130285205A1. Автор: Pragati Kumar,Hanhong Chen. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US20220003678A1. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: EP3344972A1. Автор: Philippe C. ADELL,Harry A. ATWATERE. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-11.

Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics

Номер патента: US11808706B2. Автор: Harry A. Atwater,Philippe C. ADELL. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-11-07.

Electronic devices comprising segmented high-k dielectric materials and storage node materials, related systems, and methods of forming

Номер патента: US20230389311A1. Автор: XIN Lan,Yun Huang,Yifen Liu,Byeung Chul Kim,Sok Han Wong,Ye Xiang Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Ultra-low voltage ultraviolet photodetector

Номер патента: WO2024072325A1. Автор: Yuhan PU,Yung-Chii LIANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-04-04.

Microelectronic devices designed with ultra-high-k dielectric capacitors integrated with package substrates

Номер патента: US20200051743A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Johanna M. Swan,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Model for optical dispersion of high-K dielectrics including defects

Номер патента: US09405290B1. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Ultra-low drain-source resistance power MOSFET

Номер патента: US09887266B2. Автор: Martin Hernandez,Deva Pattanayak,Kyle Terrill,Kuo-In Chen,Sharon Shi,Qufei Chen,The-Tu Chau. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive random-access memory (RRAM) with a low-K porous layer

Номер патента: US09502647B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Te-Ming Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

High K dielectric channel lateral super-junction bilateral diffusion metal oxide wide band gap semiconducter field-effect tube and preparation method thereof

Номер патента: CN108198850A. Автор: 杨鑫,杨银堂,曹震,段宝兴,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-22.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Source/drain contact with low-k contact etch stop layer and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Wei-Yang Lee,Da-Wen Lin,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Ultra low voltage digital circuit and operation method thereof

Номер патента: US20170222648A1. Автор: Woojoo Lee,Kyung Jin Byun,Young-Su Kwon,Nak Woong Eum,Jin Ho Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-03.

Ultra low voltage digital circuit and operation method thereof

Номер патента: US09859889B2. Автор: Woojoo Lee,Kyung Jin Byun,Young-Su Kwon,Nak Woong Eum,Jin Ho Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a low-K spacer and method of forming the same

Номер патента: US09583628B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Fin structures and multi-Vt scheme based on tapered fin and method to form

Номер патента: US09583625B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Ultra low-voltage circuits

Номер патента: US20200321948A1. Автор: Matthew Johnston,Tejasvi Anand,Soumya Bose. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2020-10-08.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Ion implantation and process sequence to form smaller base pick-up

Номер патента: US7939414B1. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Method to form a capacitor having multiple pillars for advanced DRAMS

Номер патента: US5650351A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-07-22.

A method of detection Low-K processing chip lamination problem

Номер патента: CN110223930A. Автор: 杜新. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Method for detecting layering problem of Low-K process chip

Номер патента: CN110223930B. Автор: 杜新. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Low temperature, high germanium, high boron sige:b pepi with a silicon rich capping layer for ultra-low pmos contact resistivity and thermal stability

Номер патента: EP4156283A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Nazila Haratipour,Debaleena Nandi,Rushabh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Bidirectional precision surge clamp with near-zero dynamic resistance and ultra-low leakage current

Номер патента: US20190123556A1. Автор: Zhao Fang,Mark Benjamin Welty,Eddie W. Yu,Emmanuel Osei Boakye. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device with low-k spacer

Номер патента: US11877437B2. Автор: Seung Mi Lee,Beom Ho Mun,Ji Won Choi,Eun Jeong Kim,Jong Kook Park,Kyoung Tak KIM,Yun Hyuck Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240038439A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Ultra-low threshold voltage transistor cell layout

Номер патента: EP4345881A1. Автор: Yanbin LUO,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device with low-k spacer

Номер патента: US20240130109A1. Автор: Seung Mi Lee,Beom Ho Mun,Ji Won Choi,Eun Jeong Kim,Jong Kook Park,Kyoung Tak KIM,Yun Hyuck Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ultra-low voltage transistor cell design using gate cut layout

Номер патента: US20240113118A1. Автор: Paul A. Packan,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Inductor packages employing wire bonds over a lead frame to form integrated inductor(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024026243A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-01.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin composition and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09596753B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Ultra low loss dielectric thermosetting resin compositions and high performance laminates manufactured therefrom

Номер патента: US09332637B2. Автор: Sajal Das,Patrick Shipman. Владелец: NOVOSET LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Process to form compound with indolocarbazole moieties

Номер патента: CA2529245C. Автор: Beng S. Ong,Yiliang Wu,Yuning LI. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-02-02.

Ethyleneoxide-silane and bridged silane precursors for forming low k films

Номер патента: US20060134897A1. Автор: Jeffrey Roeder,Thomas Baum,Steven Bilodeau,Chongying Xu,Alexander Borovik,Abigail Ebbing,Daniel Vestyck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Ethyleneoxide-silane and bridged silane precursors for forming low k films

Номер патента: WO2005010941A2. Автор: Thomas H. Baum,Steven Bilodeau,Chongying Xu,Jeffrey R. Roeder,Alexander S. Borovik,Abigail Ebbing,Daniel Vestyck. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-02-03.

Ethyleneoxide-silane and bridged silane precursors for forming low k films

Номер патента: EP1649494A2. Автор: Thomas H. Baum,Steven Bilodeau,Chongying Xu,Jeffrey R. Roeder,Alexander S. Borovik,Abigail Ebbing,Daniel Vestyck. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source

Номер патента: WO2015105673A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Bradley J. Howard,Mang Mang Ling,Jeremiah T P Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-16.

Microelectronics package with ultra-low-K dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US11502400B2. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Microelectronics package with ultra-low-k dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US20210273323A1. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: US20020190651A1. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,Kam Law,William Harshbarger,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Plasma display panel with a low k dielectric layer

Номер патента: EP1415318A2. Автор: Dan Maydan,Quanyuan Shang,Takako Takehara,William R. Harshbarger,Kam S. Law,Taekyung Won. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Transmission line design and method, where high-k dielectric surrounds the transmission line for increased isolation

Номер патента: US09786976B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for creation of ultra-low frequency - low-frequency transmitting antenna and installation for its implementation

Номер патента: RU2717159C1. Автор: Сергей Степанович Абрамов,Вячеслав Федорович Мышкин,Виталий Львович Хазан,Иван Иванович Павлов,Сергей Флавиевич Баландин,Валерий Алексеевич Хан,Дмитрий Михайлович Хорохорин,Валерий Алексеевич Донченко,Евгения Сергеевна Абрамова,Мария Сергеевна Павлова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-03-18.

Lithium-ion battery with linear regulation for an aerosol delivery device

Номер патента: RU2745862C2. Автор: Раджеш СУР,Эрик Т. ХАНТ,Стивен Б. СИРС. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-04-02.

Etching high k dielectric films with reduced likelihood of delamination

Номер патента: US20130065023A1. Автор: ABBAS Ali,Hansley Regan Rampersad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Ultra-low-profile low frequency antenna

Номер патента: US20220224011A1. Автор: Jorge Rodriguez,Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,Sergio Cobos Reyes. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2022-07-14.

Magnetic antennas for ultra low frequency and very low frequency radiation

Номер патента: US09755765B2. Автор: James C. Zellner,Benjamin Dolgin,Steven Cotten. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Ultra-low-temperature device and method for refrigerating object to be refrigerated using the same

Номер патента: US09709313B2. Автор: Takashi Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods to form biocompatible energisation elements for biomedical devices comprising laminates and placed separators

Номер патента: RU2665702C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-09-04.

Ultra low profile pcb embeddable electrical connector assemblies for power and signal transmission

Номер патента: WO2016044393A1. Автор: Sudarshan Krishnamoorthy. Владелец: HELION CONCEPTS, INC.. Дата публикации: 2016-03-24.

Nanoparticle analysis for ultra-low level concentrations of nanoparticles in fluid samples

Номер патента: US12085497B1. Автор: Daesung Kim,So Young Kim,Daniel R. Wiederin,David Diaz,Austin Schultz,Myung Hwan Kim,JaeYoung Kim,Min-Soo Suh,SooYeon Kim,Cole Nardini,Kyle Uhlmeyer,Junghee Shin,Suyeon Jeong. Владелец: Elemental Scientific Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Ultra-low profile monopole antenna for 2.4GHz band

Номер патента: US09761945B2. Автор: Eleazar Zuniga. Владелец: Taoglas Group Holdings Ltd Ireland. Дата публикации: 2017-09-12.

Planar antenna with linear and circular polarisation

Номер патента: GB2389233A. Автор: Gennadi Yevtyushkin,Won-Sang Yoon. Владелец: Samsung Thales Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Magnetic antennas for ultra low frequency and very low frequency radiation

Номер патента: US20150372771A1. Автор: James C. Zellner,Benjamin Dolgin,Steven Cotten. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-12-24.

Magnetic antennas for ultra low frequency and very low frequency radiation

Номер патента: WO2015200081A1. Автор: James C. Zellner,Benjamin Dolgin,Steven Cotten. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-12-30.

Ultra-low-profile low frequency antenna

Номер патента: US11881638B2. Автор: Jorge Rodriguez,Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,Sergio Cobos Reyes. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2024-01-23.

Ultra-low-profile low frequency antenna

Номер патента: EP3959732A1. Автор: Jorge Rodriguez,Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,Sergio Cobos Reyes. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2022-03-02.

Raman fiber laser employing ultra-low reflectance fiber bragg grating

Номер патента: US20230216264A1. Автор: Yanxin Li,Xuewen Shu,Jiancheng Deng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-06.

Stacking method and stacking unit to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: US20240204231A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: Manz Italy SRL. Дата публикации: 2024-06-20.

Stacking unit and stacking method to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: WO2022219576A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: MANZ ITALY S.R.L.. Дата публикации: 2022-10-20.

Stacking unit and stacking method to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: CA3215626A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: Manz Italy SRL. Дата публикации: 2022-10-20.

Stacking unit and stacking method to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: EP4324037A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: Manz Italy SRL. Дата публикации: 2024-02-21.

Stacking method and stacking unit to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: CA3215630A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: Manz Italy SRL. Дата публикации: 2022-10-20.

Stacking method and stacking unit to form a stack of electrochemical cells of an electric battery

Номер патента: EP4324044A1. Автор: Massimiliano SALE,Luca ZAMBONELLI,Pasqualino Alongi,Sergio Cirino. Владелец: Manz Italy SRL. Дата публикации: 2024-02-21.

Membrane electrode with ultra-low oxygen mass transfer resistance

Номер патента: US12057610B2. Автор: Chao Wang,Xiaojing Cheng,Junliang Zhang,Guanghua Wei,Yutong Liu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-08-06.

Ultra-low rin fiber light source

Номер патента: EP1854187A2. Автор: Timothy L. Spicer,Sidney X. Huang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-14.

Method to form an inductive component

Номер патента: US12080472B2. Автор: Cheng-Hao Chang,Pei-I Wei,Shing Tak Li. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Ultra-low power beamforming wireless power transfer system

Номер патента: US12034310B2. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods and apparatus to form separators for biocompatible energization elements for biomedical devices

Номер патента: US09864213B2. Автор: Shivkumar Mahadevan,Frederick A. Flitsch,Daniel B. Otts,Randall B. Pugh,James Daniel Riall,Adam Toner. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods and apparatus to form biocompatible energization primary elements for biomedical devices

Номер патента: US09746695B2. Автор: Shivkumar Mahadevan,Frederick A. Flitsch,Daniel B. Otts,Randall B. Pugh,James Daniel Riall,Adam Toner. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods and apparatus to form three-dimensional biocompatible energization elements

Номер патента: US09406969B2. Автор: Frederick A. Flitsch,Daniel B. Otts,Randall B. Pugh,Katherine HARDY. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Ultra low emission solid state relay

Номер патента: EP3611840A3. Автор: Sergio Orozco. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Electrical connector having a shielding shell with a peripheral wall surrounding a pair of housing side walls to form an annular groove

Номер патента: US20220285888A1. Автор: Ming-Ching Chen. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

CUREABLE FORMULATIONS FOR FORMING LOW-k DIELECTRIC SILICON-CONTAINING FILMS USING POLYCARBOSILAZANE

Номер патента: US20210198429A1. Автор: Jean-Marc Girard,Peng Zhang,Yumin Liu,Fabrizio MARCHEGIANI,Gennadiy Itov,Fan QIN,Thomas J. LARRABEE. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of reconstruction of insulating surface of cathode-polarizable metal structures and structures (variants) and electroactive monomer immobilized as gel substance and method of providing polymeric organic compound with capability of electrodeposition from water solutions on cathode

Номер патента: RU2667843C1. Автор: Николай Николаевич Петров,Виктор Викторович Доценко,Николай Николаевич Буков. Владелец: Михеев Михаил Николаевич. Дата публикации: 2018-09-24.

Solid source metal-organic molecular beam epitaxy for deposition of ultra-low vapor pressure metals and metal oxides

Номер патента: US20230407520A1. Автор: Bharat Jalan,William Nunn,Anusha Kamath Manjeshwar. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Solid source metal-organic molecular beam epitaxy for depositon of ultra-low vapor pressure metals and metal oxides

Номер патента: WO2022087594A1. Автор: Bharat Jalan,William Nunn. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2022-04-28.

Deposition of low-k films

Номер патента: US11970777B2. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220154337A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing ultra-low viscosity hydroxyalkyl cellulose through partial neutralization method

Номер патента: US09598502B2. Автор: Ji Hun Park,Yong Sung Jang,Myeong Ho Jeon. Владелец: Lotte Fine Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Coating with ultra-low friction for assembled drilling strings

Номер патента: RU2509865C2. Автор: Мехмет Дениз Эртас,Аднан ОЗЕКЦИН,Джеффри Р. БЭЙЛИ,Вишвас Гупта,Нарасимха-Рао Венката БАНГАРУ,ХьюнВоо ДЖИН,Эрика А. Оотен БИДИГЕР,Уилльям К. ЭЛКС. Владелец: ЭкссонМобил Рисерч энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2014-03-20.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220325412A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Nanoporous low-k films with infiltrated porosity

Номер патента: WO2007047822A2. Автор: Jeffrey F. Roeder,Steven M. Bilodeau,Chongying Xu,Philip S.H. Chen,Daniel J. Vesyck. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Nanoporous low-k films with infiltrated porosity

Номер патента: WO2007047822A3. Автор: Steven M Bilodeau,Chongying Xu,Jeffrey F Roeder,Philip S H Chen,Daniel J Vesyck. Владелец: Daniel J Vesyck. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing a mechanical vibrator comprising epitaxially growing a cubic crystal on a material layer to form a laminate structure which is patterned to form a vibrator shape part

Номер патента: US12049711B2. Автор: Koji Onomitsu,Kazuyuki Hirama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Water soluble coating composition containing compounds with thiol functional group

Номер патента: RU2397191C2. Автор: Тако СХЕРЕР,Петрус Йоханнес Арнольдус ГЁРИНК,ВЕЙК Мишель Луис ВАН,ВЕЙС-РОТ Николетт ДЕ. Владелец: Акцо Нобель Коатингс Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2010-08-20.

Ultra-low friction coatings for drill stem assemblies

Номер патента: CA2734715C. Автор: Mehmet Deniz Ertas,Jeffrey R. Bailey,Vishwas Gupta,Adnan Ozekcin,Hyunwoo Jin,Erika A. Ooten Biediger,William C. Elks,Narasimha-Rao Bangaru (Deceased). Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2015-11-03.

Process for preparing amide gellant compounds with aromatic end groups

Номер патента: US8581000B2. Автор: Barkev Keoshkerian,Naveen Chopra,Daryl W Vanbesien,Michelle N Chretien,Thomas E Enright. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Method for laser-induced growth of nano-units to form oriented, chiral, and complex structures

Номер патента: US20220126364A1. Автор: Xiaolin Lu,Tao Ding. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-04-28.

Coating Composition for Applying Inkjet Printing Thereto to Form Marked Preparation, Preparation Marked with Aqueous Ink, and Method for Producing Marked Preparation

Номер патента: US20200385597A1. Автор: Takafumi Hoshino,Aya Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Vapor deposition methods to form group 8-containing films

Номер патента: US09738971B2. Автор: Satoko GATINEAU,Grigory Nikiforov. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-22.

Ultra-low VOC compositions and methods

Номер патента: US09738815B2. Автор: Dario Amicucci,Guy Hanoch Shmuel,Charles J Luccarelli. Владелец: Greenroof Materials Llc. Дата публикации: 2017-08-22.

Coating composition comprising compound with bicyclo-ortho-ester functional groups, compound with isocyanate functional groups, and compound with thiol functional groups

Номер патента: RU2265634C2. Автор: Хейг КЛИНКЕНБЕРГ,ДЕН БЕРГ Кеймпе Ян ВАН,Ари Номен,Юдит Йоханна Мари Адриана ВЕРКМАН-ЛУНЕН,Юдит Йоханна Мария Адриана ВЕРКМАН-ЛУНЕН,Фредерик РАУС,СПРАКСТЕ Эрик Герардус Йоханус АУДЕ. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2005-12-10.

Composition comprising compound with isocyanate functional group, compound capable of reacting with isocyanates, and cocatalyst

Номер патента: RU2265621C2. Автор: ДЕЙК Йосеф Теодорус Мари ВАН,ДЕЙК Йосеф Теодорус Мария ВАН,Эдит ХЮЛСБОС. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2005-12-10.

Curable compositions containing compounds with reactive functional groups and polysiloxane resins, industrial products and products containing coatings derived from compositions, and a method for reducing the accumulation of contaminants on the substrate

Номер патента: RU2764133C1. Автор: Бенджамин КАБАГАМБЕ,Сьюзан Ф. ДОНАЛЬДСОН,Рональд Дж. младший КРАЛИК. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing ultra-low viscosity hydroxyalkyl cellulose through partial neutralization method

Номер патента: US20150210779A1. Автор: Ji Hun Park,Yong Sung Jang,Myeong Ho Jeon. Владелец: Samsung Fine Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Bridge compound with N, N-dialkylamino group and application thereof

Номер патента: US20090054645A1. Автор: Chien-Yu Chen,Chen-Lung Kao,Wen-Jang Chen,Hong-Chang Huang,Ya-Cing Yu,Carolin Michaela Mueller. Владелец: Everlight USA Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Non-cfc refrigerant mixture for an ultra-low temperature refrigeration system

Номер патента: WO2005049758A2. Автор: Chuan Weng. Владелец: Kendro Laboratory Products, Lp. Дата публикации: 2005-06-02.

Water-flooding of formation with surfactant of ultra low concentration

Номер патента: RU2581854C1. Автор: Эгиль Сунне. Владелец: Глори Энерджи Инк.. Дата публикации: 2016-04-20.

Methods and ultra-low density sealing compositions for sealing pipe in well bores

Номер патента: EP1427682A1. Автор: Jiten Chatterji,Bobby J. King,Roger S. Cromwell,Ronald J. Crook,Frank Zamora,Dennis W. Gray,Christopher Paul Wain. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Non-HCFC refrigerant mixture for an ultra-low temperature refrigeration system

Номер патента: US20050072957A1. Автор: Chuan Weng. Владелец: Chuan Weng. Дата публикации: 2005-04-07.

Non-hcfc refrigerant mixture for an ultra-low temperature refrigeration system

Номер патента: EP1565538A1. Автор: Chuan Weng. Владелец: Kendro Laboratory Products LP. Дата публикации: 2005-08-24.

Non-cfc refrigerant mixture for an ultra-low temperature refrigeration system

Номер патента: WO2005049758A3. Автор: Chuan Weng. Владелец: Kendro Lab Prod Lp. Дата публикации: 2008-01-24.

980 mpa-grade ultra-low-carbon martensite and retained austenite ultra-high hole expansion steel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230304121A1. Автор: Chen Zhang,FENG Yang,Huanrong WANG,Ana YANG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Thermally expanded compound with high elastic properties and preparation method thereof

Номер патента: RU2585630C2. Автор: Василий Васильевич Новокшонов,Роман Васильевич Кропачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВР-Пласт" (ООО ВР-Пласт"). Дата публикации: 2016-05-27.

Mixtures of low K metallized formazan dyes with symmetrical and unsymmetrical cyanine dyes

Номер патента: US5731054A. Автор: Derek David Chapman,Ramanuj Goswami,Michael Paul Cunningham. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1998-03-24.

Ultra-low residue, high solids, wet cake products and methods of making same

Номер патента: WO2006001841A1. Автор: Edward J. Sare,James Stacey Johnson. Владелец: Imerys Kaolin, Inc.. Дата публикации: 2006-01-05.

Low-k dielectric aerogel/polymer composite film preparation method

Номер патента: US20240301150A1. Автор: Jean-Hong CHEN,Shiu-Shiu Chen,Sheng-Hong PONG,Yang-Duan LI. Владелец: Taiwan Aerogel Technology Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Ultra-low permeability polymeric encapsulated acoustic device and method

Номер патента: US8470921B2. Автор: Thomas S. Ramotowski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-06-25.

Process for producing an ultra-low-carbon steel slab, strip or sheet

Номер патента: EP2459756A1. Автор: Maarten Arie De Haas,Wouter Karel Tiekink,Ben Richards. Владелец: Corus Staal Bv. Дата публикации: 2012-06-06.

Magnesium-stabilized cracking catalysts with ultra-low content of sodium

Номер патента: RU2700409C2. Автор: Юйин ШУ,Ву-Чэн ЧЭН,Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР,Кевин Дж. СЮТОВИЧ,Ранджит КУМАР,Майкл С. ЗИБАРТ. Владелец: В.Р.Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2019-09-17.

Method of thermal energy transformation to electricity by free linked energy-module with linear electric generator and heat exchanger

Номер патента: RU2659908C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2018-07-04.

Method for forming aluminum alloy thin-walled curved part by ultra-low temperature gradient drawing

Номер патента: US11932915B2. Автор: Xiaobo Fan,Shijian YUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-03-19.

Fabrication of ultra low thermal expansion cordierite structures

Номер патента: EP1144334A1. Автор: Douglas M. Beall,Gregory A. Merkel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Ligand compounds comprising a chelating group as a bridging group

Номер патента: EP4380629A1. Автор: Hans-Jürgen Wester,Mara Parzinger,Lennard WENDLINGER. Владелец: Technische Universitaet Muenchen. Дата публикации: 2024-06-12.

Fabrication of ultra low thermal expansion cordierite structures

Номер патента: EP1144334A4. Автор: Gregory A Merkel,Douglas M Beall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Low-k material and method for manufacturing the same

Номер патента: US11939268B2. Автор: Tien-Heng Huang,Kuo-Chuang Chiu,Cheng-Ting Lin,Tzu-Chi Chou,Tzu-Yu Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and system for correlating content with linear media

Номер патента: EP1782276A2. Автор: Craig George Cockerton,Peter Philip Moodie,Patrick Mathias Kunz. Владелец: Ectus Ltd. Дата публикации: 2007-05-09.

Free-piston internal-combustion engine with linear ac generator

Номер патента: RU2150014C1. Автор: Ф.И. Пинский,Т.Ф. Пинский. Владелец: Пинский Тимур Феликсович. Дата публикации: 2000-05-27.

Method for adaptive power control in a radio line with linear prediction of the second order of interference power value

Номер патента: RU2704108C1. Автор: Владимир Алексеевич Золотарев,Владимир Александрович Белогуров. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-10-24.

Ultra-Low Permeability Polymeric Encapsulated Acoustic Device and Method

Номер патента: US20110027518A1. Автор: Thomas S. Ramotowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

Process of entrapping genetic materials in ultra-low size nanoparticles of inorganic compounds to form non-viral carriers

Номер патента: US20030027336A1. Автор: Amarnath Maitra,Indrajit Roy,Susmita Mitra,Subho Mozumdar. Владелец: University of Delhi. Дата публикации: 2003-02-06.

Ultra-thin, ultra-low density films for EUV lithography

Номер патента: US12085844B2. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec of America Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Active compounds with respect to bromo-domains

Номер патента: RU2743074C2. Автор: Лене Теубер,САЙЦБЕРГ Йимми ГЕРНЕР,АКИНЛЕМИНУ КРОНБОРГ Тине ТИТИЛОЛА,Виснья ПОЛЬЯК,Гитте ФРИБЕРГ. Владелец: Нуэволюшон А/С. Дата публикации: 2021-02-15.

Method for producing ferromanganese with ultra-low content of phosphorus and carbon as result of using ferromanganese slag

Номер патента: RU2453625C1. Автор: Донг-Шик МИН,Чан-Соо ПАРК,Йоунг-Еун ЛИ,Хаи-Чанг ЧО,Кванг-Дзунг ЛИ,Сунг-Хван ХОНГ. Владелец: Донгбу Метал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-06-20.

Muros modulation using linear baseband combinations with linear gaussian pulse shaping for two users on one timeslot used by non-darp and darp remote stations

Номер патента: RU2480933C2. Автор: Чжи-чжун Ю,Хассан РАФИК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-27.

Primary circuit control loop and method for operation at ultra-low offload power

Номер патента: RU2456736C1. Автор: Ричард Г. ДЬЮБОЗ. Владелец: Айгоу, Инк.. Дата публикации: 2012-07-20.

Method for reserving and allocating resources for ultra-low-latency uplink service flow based on air interface slice

Номер патента: US11343719B2. Автор: Kun Xiong,Guolin Sun. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-24.

MIMO-FBMC transmitter/receiver with linear precoding implemented in the frequency domain

Номер патента: US09948373B2. Автор: Nicolas Cassiau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Synchronization of interactivity with linear advertisement in a mobile broadcast network

Номер патента: US09668030B2. Автор: NAGARAJU Naik,Binita Gupta,Eitan Pilipski,Rajkumar Pitchaimani,Carla L. Riney,Qi Xue. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Damper with linear power generation and reluctance

Номер патента: US09472999B1. Автор: Ying-Che Lee. Владелец: Chi Hua Fitness Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Submersible pump installation with linear electric motor, double acting pump and operation method thereof

Номер патента: RU2677773C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-01-21.

Stirling free-piston engine cooler with linear generator

Номер патента: RU2754571C1. Автор: Юрий Александрович Антипов,Сергей Владимирович Смирнов,Хассан Халифе,Кирилл Владимирович Шкарин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН). Дата публикации: 2021-09-03.

Method for isolating biomolecules from a biological sample with linear polymers

Номер патента: US5525519A. Автор: James E. Woiszwillo. Владелец: Middlesex Sciences Inc. Дата публикации: 1996-06-11.

Method for isolating biomolecules from a biological sample with linear polymers

Номер патента: US5599719A. Автор: James E. Woiszwillo,Fred Rothstein. Владелец: Middlesex Sciences Inc. Дата публикации: 1997-02-04.

System for communication of the very-low-frequency and ultra-low-frequency range with deep-submerged and remote objects

Номер патента: RU2766153C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Андрей Алексеевич Шпилевой,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2022-02-08.

Optical fiber billet and method for manufacturing ultra-low attenuation optical fiber, as well as optical fiber

Номер патента: RU2768315C1. Автор: Или КЭ,Чэн ДУ,Вэй ЦИ,Вэньюн ЛО,Хуан ЮЙ,Чжицян ЮЙ,Шуцзянь ВУ,Цяо ЧЖУ,Фанцю ЦЗЭН. Владелец: Файберхоум Фуцзикура Оптик Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2022-03-23.

System and method for source of light signal with linear frequency modulation

Номер патента: RU2363105C2. Автор: Юйшэн БАЙ,Фэй ЧЖУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-07-27.

A catalyst and process for the manufacture of ultra-low sulfur distillate product

Номер патента: CA2659797C. Автор: Opinder Kishan Bhan. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2015-02-10.

A method to oligomerize c4 olefins together with linear alpha olefins

Номер патента: CA2152492A1. Автор: Salme Koskimies,Miroslav Marek,Erkki Halme,Frantisek Mikes,Vlastimil Halaska,Jan Pecka. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-07-21.

Device with linear slots for water drainage

Номер патента: WO2022031430A1. Автор: Charles B. Harmke,Chi T. Tran,Kuang Eng LIM,Geng Xiang Lee,Ji Ying Choong. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Ligand compounds comprising a chelating group as a bridging group

Номер патента: CA3224462A1. Автор: Hans-Jürgen Wester,Mara Parzinger,Lennard WENDLINGER. Владелец: Technische Universitaet Muenchen. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and system for correlating content with linear media

Номер патента: WO2006006875A3. Автор: Craig George Cockerton,Peter Philip Moodie,Patrick Mathias Kunz. Владелец: Ectus Ltd. Дата публикации: 2006-09-08.

Device with linear slots for water drainage

Номер патента: AU2021320083A1. Автор: Charles B. Harmke,Chi T. Tran,Kuang Eng LIM,Geng Xiang Lee,Ji Ying Choong. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Device with linear slots for water drainage

Номер патента: US20220046346A1. Автор: Charles B. Harmke,Chi T. Tran,Kuang Eng LIM,Geng Xiang Lee,Ji Ying Choong. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Device with linear slots for water drainage

Номер патента: AU2021320083B2. Автор: Charles B. Harmke,Chi T. Tran,Kuang Eng LIM,Geng Xiang Lee,Ji Ying Choong. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Device with linear slots for water drainage

Номер патента: EP4193605A1. Автор: Charles B. Harmke,Chi T. Tran,Kuang Eng LIM,Geng Xiang Lee,Ji Ying Choong. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Ultra-low frequency sound compensation method and system based on haptic feedback, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240223950A1. Автор: Wei Song,Yun Tang,Jie Ma,Ronglin Linghu,Lubin Mao,Xingzhi Huang. Владелец: AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Control method of nitrogen oxide ultra-low emission and carbon negative emission system

Номер патента: US20240228885A1. Автор: Zhongyang Luo,Jinsong Zhou,Mengxiang Fang,Chunjiang Yu,Qinhui Wang,Yinchen Wang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-11.

Vco with linear gain over a very wide tuning range

Номер патента: EP3028380A1. Автор: Ian Galton,Ashok Swaminathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Vco with linear gain over a very wide tuning range

Номер патента: WO2015017307A1. Автор: Ian Galton,Ashok Swaminathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-05.

Ultra low-power transmission system

Номер патента: EP2266206A1. Автор: Douglas B. Weiner,Richard C. Eden. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

Methods for preparing basic aluminum compounds with ultrasound

Номер патента: WO1994002415A1. Автор: Jawahar C. Parekh,Vijay K. Joshi. Владелец: Reheis, Inc.. Дата публикации: 1994-02-03.

Using NFC to configure ultra low power BLUETOOTH® devices

Номер патента: US12028444B2. Автор: Hannu Mallat. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Soybeans having high germination rates and ultra-low raffinose and stachyose content

Номер патента: EP4450618A2. Автор: Kristin D. Bilyeu,John A. Schillinger,Emily C. Dierking. Владелец: Benson Hill Seeds Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Output voltage hold scheme for ultra low power regulator

Номер патента: US09847717B1. Автор: Bin Shao. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Operating method of shift register with linear feedback

Номер патента: RU2726266C1. Автор: Андрей Сергеевич Рыбкин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Информационные Технологии И Коммуникационные Системы". Дата публикации: 2020-07-10.

Process of making prostacyclin compounds with linker thiol and pegylated forms

Номер патента: CA2908244C. Автор: Liang Guo,Hitesh Batra. Владелец: United Therapeutics Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Condensation products of complex copper compounds with nitrogen-containing compounds and aldehydes

Номер патента: GB736792A. Автор: . Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1955-09-14.

Method for melting 13cr-grade ultra-low carbon stainless steel

Номер патента: RU2764914C2. Автор: Инте СЮЙ,Чжаопин ЧЭНЬ,Баоцюань ЯН,Гуанвэй ЯН. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-01-24.

Ultra-thin, ultra-low density films for EUV lithography

Номер патента: US11740548B2. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec of America Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Ultra-thin, ultra-low density films for euv lithography

Номер патента: WO2022060877A1. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec Of America, Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

Enhanced ultra-thin, ultra-low density films for euv lithography and method of producing thereof

Номер патента: WO2023055739A1. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec Of America, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Ultra-thin, ultra-low density films for euv lithography

Номер патента: US20230393456A1. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec of America Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Ultra-thin, ultra-low density films for euv lithography

Номер патента: US20230095318A1. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima. Владелец: Lintec of America Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Zirconium-coated ultra-thin, ultra-low density films for euv lithography

Номер патента: WO2023055729A1. Автор: Takahiro Ueda,Marcio D. Lima,Mary Viola GRAHAM. Владелец: Lintec Of America, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Ultra-low zeolite content fcc catalyst in-situ crystallization

Номер патента: CA3176655A1. Автор: Junmei Wei,Lucas DORAZIO,Samantha L. RICE,Nicholas Robert FAVATE. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Ultra-low zeolite content fcc catalyst in-situ crystallization

Номер патента: EP4142936A1. Автор: Junmei Wei,Lucas DORAZIO,Samantha L. RICE,Nicholas Robert FAVATE. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Ultra-low zeolite content fcc catalyst in-situ crystallization

Номер патента: US20230166244A1. Автор: Junmei Wei,Lucas DORAZIO,Samantha L. RICE,Nicholas Robert FAVATE. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Ultra low power wake up radio architecture

Номер патента: US20240089018A1. Автор: Aatmesh Shrivastava,Ankit Mittal. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-14.

Ultra low power wideband non-coherent binary phase shift keying demodulator using first order sideband filters with phase zero alignment

Номер патента: US20170171007A1. Автор: Benjamin P. WILKERSON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-15.

Platform system and method for transmitting video in real time with ultra-low latency

Номер патента: US20240137586A1. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Platform system and method for transmitting video in real time with ultra-low latency

Номер патента: US20240236386A9. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Ultra-low jitter low-power W/D-band phase-locked loop using power-gating injection-locked frequency multiplierbased phase detector

Номер патента: US11895218B2. Автор: Jaehyouk Choi,Suneui PARK,Seyeon YOO,Seojin CHOI,Jooeun BANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-06.

Device and method of producing ultra-low sulfur biodiesel

Номер патента: US20190048369A1. Автор: Hong Wang,Hongpeng LI,Liyan FENG,Weiqing Chen,Aijun Li,Guangming Wen,Liguang FENG. Владелец: Tangshan Jinlihai Biodiesel Corp ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Motor Topology with Exchangeable Components to Form Different Classes of Motors

Номер патента: US20210057972A1. Автор: Charles J. Flynn. Владелец: QM Power Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Motor Topology with Exchangeable Components to Form Different Classes of Motors

Номер патента: US20190334419A1. Автор: Charles J. Flynn. Владелец: QM Power Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Motor topology with exchangeable components to form different classes of motors

Номер патента: US10819200B2. Автор: Charles J. Flynn. Владелец: QM Power Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Ultra-low jitter low-power w/d-band phase-locked loop using power-gating injection-locked frequency multiplierbased phase detector

Номер патента: US20230224138A1. Автор: Jaehyouk Choi,Suneui PARK,Seyeon YOO,Seojin CHOI,Jooeun BANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-07-13.

Ultra-low-loss optical fiber, and method and apparatus for producing same

Номер патента: US20170003444A1. Автор: Sung-Koog Oh,Ji-Hun Yun,Jong-Gil Park,Chi-Hwan OUH,Na-Eun KWACK,Eun-You HONG. Владелец: TAIHAN FIBEROPTICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Low voltage crystal oscillator (XTAL) driver with feedback controlled duty cycling for ultra low power

Номер патента: US09979348B2. Автор: Aatmesh Shrivastava,Benton H. Calhoun. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-22.

Ultra low power wideband non-coherent binary phase shift keying demodulator using first order sideband filters with phase zero alignment

Номер патента: US09860098B2. Автор: Benjamin P. WILKERSON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-02.

Ultra-low-loss optical fiber, and method and apparatus for producing same

Номер патента: US09726815B2. Автор: Sung-Koog Oh,Ji-Hun Yun,Jong-Gil Park,Chi-Hwan OUH,Na-Eun KWACK,Eun-You HONG. Владелец: TAIHAN FIBEROPTICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Ultra-low power transmitter applied in multi-channel frequency shift (FSK) communication

Номер патента: US09565042B2. Автор: Kuang-Wei Cheng,Sheng-Kai Chang,Wen-Hao HO. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-02-07.

Ultra-low frequency bio-medical active-RC lowpass filters

Номер патента: US09564874B1. Автор: Hussain Abdullah Alzaher,Mohammad Khalaf Alghamdi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-02-07.

Picolinamide compounds with fungicidal activity

Номер патента: RU2687160C2. Автор: Чэнлинь Яо,Кайл А. ДЕКОРВЕР,Дэвид М. ДЖОУНС,Джессика ХЕРРИК,Кевин Дж. МЕЙЕР,Джеффри Б. ЭПП,Джонатан Е. ДИЛОРБ,СР. Джон Ф. ДЭУБЛ,Карла БРАВО-АЛЬТАМИРАНО. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-05-07.

Method for slag release during production of steel with ultra-low phosphorus content and method for production of steel with ultra-low phosphorus content

Номер патента: RU2761852C1. Автор: Лян ЧЭНЬ,Тао Чжан,Ян Ян,И Жэнь,Ян ВАН,Си Чэнь,Шучэн Чжу,Ху ЧЖАО,Шаопу СЮЙ,Чжунбо Ли,Хунъян ЛИ,Чжэнлэй ТАН,Цинбо ЛЮ,Чжаньцзе ЧЖАН,Цзихэн ЮАНЬ,Са ЮЙ,Вэньцзю КАН,Шуай Чжан,Бо ЛИ,Чжицюань ДУ,Ди ЧЖАО,Лян ЛИ,Пэн ЦЗЯН,Яньшэн СЮЭ,Кэи ФУ,Инцзе ВАН,Янци ЮАНЬ,Чжэньчжэнь ДУН,Баймин ПАН,Хаймин ЧЖЭН,Вэйбо ЦЮАНЬ,Сяньсин ЧЖУ,Гаоцзянь ЮАНЬ,Чунь ЯН,Ибо БАЙ,Гацзы ЛИ,Юйлян ЛЮЙ,Сибинь Ван. Владелец: Наньян Ханье Спешал Стил Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-13.

Drive system with linear electric motor for use in well

Номер патента: RU2728132C2. Автор: Отто Н. ФАНИНИ,Себастьян ТЕГЕЛЕР,Стеффен ТОШЕР. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-07-28.

CONTROL OVER ULTRA-LOW TITANIUM CONTENT IN ULTRA-LOW-CARBON Al-Si KILLED STEEL

Номер патента: RU2527569C2. Автор: Сяо ЧЭНЬ,Фэн ЧЖАН,Цзяньжу ЧЖУ. Владелец: Баошань Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-09-10.

Cryogenic refrigeration system with linear drive motors

Номер патента: CA1247872A. Автор: Niels O. Young. Владелец: Helix Technology Corp. Дата публикации: 1989-01-03.

Process for ultra low benzene reformate using catalytic distillation

Номер патента: MY162505A. Автор: Willibrord A Groten,Lawrence A Smith Jr,Yongqiang Xu,Arvids Judzis,Montri Vichailak,Purvis K Ho,Martinus J Almering. Владелец: Catalytic Distillation Tech. Дата публикации: 2017-06-15.

Upgrading hydrocarbon liquids to ultra-low sulfur needle coke

Номер патента: WO2023220532A1. Автор: Stephen H. Brown,Sundararajan Uppili,Jonathan F. CARPENCY. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for reserving and allocating resources for ultra-low-latency uplink service flow based on air interface slice

Номер патента: US20210092648A1. Автор: Kun Xiong,Guolin Sun. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-03-25.

Damper with linear power generation and reluctance

Номер патента: US20160285344A1. Автор: Ying-Che Lee. Владелец: Chi Hua Fitness Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Signal design for ultra-low power receivers

Номер патента: WO2024049706A1. Автор: Yifan Li,Guodong Zhang,Pascal Adjakple,Virgile GARCIA,Hussain ELKOTBY,Ravikumar Pragada. Владелец: INTERDIGITAL PATENT HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods and apparatus for mitigating resource conflicts between ultra low latency (ull) and legacy transmissions

Номер патента: EP3272088A1. Автор: Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Durga Prasad Malladi,Michael Mao Wang,Shimman Arvind Patel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

A process for preparing a protected amidine group comprising reacting a nitrile containing compound with an oxyamide in the presence of a thio-keto activating agent

Номер патента: MY139915A. Автор: Tibor Musil,Sivaprasad Sivadasan,Firas Al-Saffar,Stefan Berlin. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2009-11-30.

New way of using thermolabile groups to protect hydroxyl functions, and new compounds for implementing the procedure

Номер патента: US20130085272A1. Автор: Marcin Krzysztof Chmielewski. Владелец: Instytut Chemii Bioorganicznej of PAN. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for the preparation of ethylenically unsaturated compounds with lactam-blocked isocyanate groups

Номер патента: WO2003070704A1. Автор: Jacobus Antonius Loontjens. Владелец: DSM IP ASSETS B.V.. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for the preparation of ethylenically unsaturated compounds with lactam-blocked isocyanate groups

Номер патента: EP1476430A1. Автор: Jacobus Antonius Loontjens. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2004-11-17.

Method for preparing trisilylamine (tsa) at ultra-low temperature

Номер патента: US20240246817A1. Автор: Jun Li,Gang Chen,Xiaodong Zhang,Ping Li,Wenhui Xiong,Qinqi Xu,Guangdi Zhang,Huilong HE. Владелец: Zhejiang Britech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for preparing titanium-containing ultra-low-carbon steel

Номер патента: US20240287635A1. Автор: Xiong Wu,Zhiqiang Zhang,Zhigang Ma,Jianjun Zhi,Zhaoping Chen,Hantao Hu. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods, architectures, apparatuses and systems for supporting idle/inactive rrc states paging using ultra-low power receivers

Номер патента: US20240284456A1. Автор: Keiichi Kubota,Virgile GARCIA,Hussain ELKOTBY,Ravikumar Pragada,Ali ESSWIE. Владелец: IDAC HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Orally bioavailable, brain-penetrant compound with selectivity for the cannabinoid type 2 receptor with potential use towards visceral pain management and neurodegenerative disorders

Номер патента: US12060358B2. Автор: Jason Richard PARIS,Mohamed Ali Mohamed Ali Ibrahim,Larry Anthony Walker,Abbas Gholipour Shilabin,Meirambek Ospanov. Владелец: UNIVERSITY OF MISSISSIPPI. Дата публикации: 2024-08-13.

Ultra-low voltage two-stage ring voltage-controlled oscillator applied to chip circuit

Номер патента: US20190165772A1. Автор: Shuihe CAI. Владелец: Aplus Microstructure Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Ultra-low voltage two-stage ring voltage-controlled oscillator applied to chip circuit

Номер патента: US10411679B2. Автор: Shuihe CAI. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Ultra-low-power RF receiver frontend with tunable matching networks

Номер патента: US09929760B2. Автор: Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Hong-Lin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Radar target detection system for autonomous vehicles with ultra-low phase noise frequency synthesizer

Номер патента: US09831881B2. Автор: Yekutiel Josefsberg,Tal Lavian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Ultra low power thermally-actuated oscillator and driving circuit thereof

Номер патента: US09621105B2. Автор: Sheng-Shian Li,Cheng-Chi Chen,Kuan-Hsien LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-11.

Polymers, functionalised with nitrile compounds with protective aminogroup

Номер патента: RU2538253C2. Автор: Стивен ЛУО,Эйдзу СУЗУКИ,Деннис Р. БРАМБАХ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Ultra-low-noise quartz oscillator

Номер патента: RU2748218C1. Автор: Алексей Валерьевич Голубев,Александр Александрович Добровольский,Олег Алексеевич Борисенко. Владелец: Алексей Валерьевич Голубев. Дата публикации: 2021-05-21.

Antiwear additive for ultra-low sulfur diesel fuel

Номер патента: RU2751712C1. Автор: Андрей Вячеславович Аристов. Владелец: Андрей Вячеславович Аристов. Дата публикации: 2021-07-16.

Ultra-low-frequency and extremely low-frequency communication system with deep-loaded and remote objects

Номер патента: RU2736926C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Василий Александрович Майоров,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2020-11-23.

Anti-wear additive to diesel fuel with ultra-low content of sulfur

Номер патента: RU2723116C1. Автор: Наталья Константиновна Кондрашева,Савелий Яковлевич Нелькенбаум,Константин Савельевич Нелькенбаум,Анжелика Михайловна Еремеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2020-06-08.

Crispr-cas system for detecting the antibiotic resistance gene blavim-2 (metallo-beta-lactamase class b vim-2) pseudomonas aeruginosa at ultra-low concentrations

Номер патента: RU2743861C1. Автор: Василий Геннадьевич Акимкин,Александр Игоревич Тюменцев,Марина Алексеевна Тюменцева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Центральный научно-исследовательский институт эпидемиологии" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН ЦНИИ Эпидемиологии Роспотребнадзора). Дата публикации: 2021-03-01.

Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation

Номер патента: US5412053A. Автор: Frank J. Feher,Joseph D. Lichtenhan,Jeffrey W. Gilman,Ngo Q. Vu. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 1995-05-02.

Method for the preparation of triazole compounds with hsp90 modulating activity

Номер патента: WO2007139952A3. Автор: David James,Weiwen Ying,Teresa Przewloka,Shijie Zhang,Junghyun Chae,Chi-Wan Lee,Dinesh U Chimmanamada. Владелец: Dinesh U Chimmanamada. Дата публикации: 2008-03-13.

Cyclization to form cephem ring and intermediates therefor

Номер патента: US4160085A. Автор: Hiroshi Tanida,Masayuki Narisada,Wataru Nagata,Taichiro Komeno,Yoshio Hamashima,Teruji Tsuji,Mitsuru Yoshioka. Владелец: Shionogi and Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-03.

CRISPR-Cas 12 SYSTEM FOR DETECTING SARS-CoV-2 VIRUS RNA IN ULTRA-LOW CONCENTRATIONS

Номер патента: RU2764023C1. Автор: Василий Геннадьевич Акимкин,Александр Игоревич Тюменцев,Марина Алексеевна Тюменцева,Анна Николаевна Преловская. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки «Центральный научно-исследовательский институт эпидемиологии» Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН ЦНИИ Эпидемиологии Роспотребнадзора). Дата публикации: 2022-01-12.

Primary side control circuit and method for ultra-low idle power operation

Номер патента: CA2713540C. Автор: Richard G. Dubose. Владелец: Igo Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Soybeans having high germination rates and ultra-low raffinose and stachyose content

Номер патента: EP2272327A1. Автор: Kristin D. Bilyeu,John A. Schillinger,Emily C. Dierking. Владелец: Schillinger Genetics Inc. Дата публикации: 2011-01-12.

Reducing oxysulfur compounds with a bimetallic catalyst

Номер патента: US3796795A. Автор: P Urban,D Albert. Владелец: Universal Oil Products Co. Дата публикации: 1974-03-12.

Method and apparatus for combining statistical eye channel compliance methods with linear continuous-time equalization

Номер патента: US7505512B1. Автор: Stephen D. Anderson,Matthew L. Bibee. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Plastic copolymers of propylene with linear dienes having conjugated double-bonds and process for preparing same

Номер патента: CA1264895A. Автор: Floriano Guglielmi,Giuliano Cecchin,Francesco Zerega. Владелец: Himont Inc. Дата публикации: 1990-01-23.

Method for acetylene hydrochlorination to vinyl chloride catalyzed by ultra-low content aurum-based material

Номер патента: US20230381747A1. Автор: Ming Xu,WEI SU,MIAO Chen,Jie Zhou,Chuan Wang,Heng Wang,Hongxia Liu,Hongda Li,Guangbin Wang,Lanxin Ye,Wensai Zhu,Guoqing GUO. Владелец: Cnsig Jilantai Chlor Alkali Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for pressure forming of aluminum alloy special-shaped tubular component by using ultra-low temperature medium

Номер патента: US20200346271A1. Автор: Xiaobo Fan,Shijian YUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and related systems for communication via extremely low and ultra low frequency electromagnetic waves

Номер патента: GB2621219A. Автор: Adel Mohamed Mahmoud Sadek Alaaeldin. Владелец: Alhazen BV. Дата публикации: 2024-02-07.

System of ultra-low nitrogen oxide emissions, negative carbon emissions and control method thereof

Номер патента: US11976242B2. Автор: Zhongyang Luo,Jinsong Zhou,Mengxiang Fang,Chunjiang Yu,Qinhui Wang,Yinchen Wang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-05-07.

Using NFC To Configure Ultra Low Power BLUETOOTH® Devices

Номер патента: US20230299946A1. Автор: Hannu Mallat. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Buck converter using ultra-low working current

Номер патента: US20240171075A1. Автор: Yi-Chuan Lu,Chih-Heng Su. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Ultra-Low Power Transmitter Applied in Multi-Channel Frequency Shift (FSK) Communication

Номер патента: US20160191282A1. Автор: Kuang-Wei Cheng,Sheng-Kai Chang,Wen-Hao HO. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2016-06-30.

Ultra-low frequency bio-medical active-rc lowpass filters

Номер патента: US20170063341A1. Автор: Hussain Abdullah Alzaher,Mohammad Khalaf Alghamdi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-03-02.

Idle mode mobility in ultra low power systems

Номер патента: US20240236739A1. Автор: Keiichi Kubota,Hussain ELKOTBY,Ravikumar Pragada. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Ultra-low frequency wireless power transfer technology for unmanned aerial vehicles

Номер патента: WO2024073166A3. Автор: Kamyar Keikhosravy,Farzad Rahbar Ris Foroushan. Владелец: FlyX Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Ull(ultra low latency) 및 레거시 송신들 사이의 리소스 충돌들을 완화시키기 위한 방법들 및 장치

Номер патента: KR20170128321A. Автор: 더가 프라사드 말라디,피터 가알,마이클 마오 왕,완시 첸,하오 수,시만 아르빈드 파텔. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-11-22.

Ultra-low-power circuit

Номер патента: WO2008132210A1. Автор: David Bol,Denis Flandre,Jean-Didier Legat. Владелец: UNIVERSITE CATHOLIQUE DE LOUVAIN. Дата публикации: 2008-11-06.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: EP1323229A2. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2003-07-02.

Ultra-low frequency wireless power transfer technology for unmanned aerial vehicles

Номер патента: WO2024073166A2. Автор: Kamyar Keikhosravy,Farzad Rahbar Ris Foroushan. Владелец: FlyX Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Near ultra-low energy field (nulef) headset communications

Номер патента: US20210204105A1. Автор: Anthony McFarthing,Zafer Boz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Ultra-low-power oscillator with dc-only sustaining amplifier

Номер патента: US20200220496A1. Автор: Sudhakar Pamarti,Hani Esmaeelzadeh. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-07-09.

Scalable, ultra-low-latency photonic tensor processor

Номер патента: US11546077B2. Автор: Dirk Robert Englund,Liane Sarah Beland BERNSTEIN,Alexander Sludds. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-01-03.

Scalable, Ultra-Low-Latency Photonic Tensor Processor

Номер патента: US20220337333A1. Автор: Dirk Robert Englund,Liane Sarah Beland BERNSTEIN,Alexander Sludds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-20.

Ultra low noise CMOS imager

Номер патента: US8334917B2. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Data transmission method for ultra-low latency and highly-reliable communication in wireless communication system, and apparatus therefor

Номер патента: US20230239089A1. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Uucom Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Third Order Derivative Distortion Cancellation for Ultra Low Power Applications

Номер патента: US20090243724A1. Автор: Viatcheslav Igorevich Suetinov. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2009-10-01.

Self-Adaptive, Ultra-Low Elastic Modulus Shape Memory Alloys

Номер патента: US20160281198A1. Автор: Ji Ma,Ibrahim KARAMAN. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2016-09-29.

Aluminum boron carbide composite and method to form said composite

Номер патента: US20110312484A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Robert A. Newman,Mark A. Chartier,Amy Wetzel,Christopher N. Haney. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Austenitic steel having excellent ultra-low temperature toughness in weld heat-affected zone, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3239334A1. Автор: Sang-Deok Kang,Soon-Gi Lee. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Ultra Low Enhancement Gas Injection

Номер патента: US20240301815A1. Автор: William A. Wood,Evan Charles Johnson. Владелец: Hytech Power LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Auxiliary power source circuit having ultra-low standby power consumption

Номер патента: US12107505B1. Автор: Jianguo BAI,Likuan Deng,Jianxiong Zheng. Владелец: Shenzhen Uu Green Power Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Ultra-low latency nfmi communication protocol

Номер патента: US20240348991A1. Автор: Ivo Leonardus Coenen,Alexander Heubi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of producing ultra-low density fiber composite materials

Номер патента: US09994712B2. Автор: Gilles Brunette,George Sacciadis,Xiaolin Cai,Dian-Qing Yang,Yuxia Ben,Nicolas DERY,Sebastien Lebel,Gilles Marcel Dorris,Michelle RICARD,Xixian (James) Deng,Yaolin ZHANG ZHANG. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2018-06-12.

Generating print data including data to form a flat and smooth color development layer and data to form a gloss layer

Номер патента: US09967433B2. Автор: Akira Shibasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Uplink power control techniques for ultra low latency in LTE devices

Номер патента: US09900843B2. Автор: Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Aleksandar Damnjanovic,Madhavan Srinivasan Vajapeyam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ultra dense and ultra low power microhotplates using silica aerogel and method of making the same

Номер патента: US09674896B2. Автор: Mohammad Reza Madani,Seyedmohammad Seyedjalaliaghdam. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2017-06-06.

Ultra low-voltage circuit and method for nanopower boost regulator

Номер патента: US09673696B2. Автор: Bin Shao,Yanfeng Lu. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-06.

Ultra low phase noise frequency synthesizer

Номер патента: US09660655B2. Автор: Tal I. Lavian,Yekutiel Josefsberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Successive-approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) with ultra low burst error rate

Номер патента: US09614539B2. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Ultra-low power converter

Номер патента: US09559596B2. Автор: Ross E. Teggatz,Wayne Chen,Brett Smith,Amer Atrash. Владелец: Triune Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Ultra-low-voltage current-reuse voltage-controlled oscillator and transconductance-capacitor filter

Номер патента: US09444431B2. Автор: Zhicheng Lin,Pui-In Mak,Rui Paulo da Silva Martins. Владелец: UNIVERSITY OF MACAU. Дата публикации: 2016-09-13.

Anti-wear additive for ultra-low sulfur fuel

Номер патента: RU2641736C1. Автор: Азат Миргалимович Сафиуллин,Мохтарам Мурад оглы Аббасов,Марат Кафилевич Гильмутдинов,Антонина Михайловна Безгина,Александр Михайлович Данилов,Тамара Никитовна Митусова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ГаммаАддитив"(ООО "ГаммаАддитив"). Дата публикации: 2018-01-23.

Anti-wear additives for ultra-low sulfur fuel

Номер патента: RU2634726C1. Автор: Антонина Михайловна Безгина,Александр Михайлович Данилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РегионХимТорг". Дата публикации: 2017-11-03.

Method for producing ultra low carbon cold-rolled electrotechnical isotropic steel with high complex of magnetic and mechanical properties

Номер патента: RU2758511C1. Автор: Алексей Анатольевич Уваркин,Сергей Васильевич Бахтин,Николай Петрович Удовенко,Юрий Юрьевич Бабушко,Евгений Николаевич Тюленев. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2021-10-29.

Method for production of high-strength ultra low carbon cold-rolled steel with high ductility

Номер патента: RU2764618C1. Автор: Олег Михайлович Губанов,Максим Игоревич Шкатов. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2022-01-18.

Method for obtaining preparation of ribonucleoprotein complex crispr / cas and preparation for detecting dna of john cunningham virus (jcpyv) in ultra-low concentrations

Номер патента: RU2747819C1. Автор: Василий Геннадьевич Акимкин,Александр Игоревич Тюменцев,Марина Алексеевна Тюменцева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки «Центральный научно-исследовательский институт эпидемиологии» Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН ЦНИИ Эпидемиологии Роспотребнадзора). Дата публикации: 2021-05-14.

Crispr-cas system for detecting proviral dna of human immunodeficiency virus integrated into a human genome in ultra-low concentrations

Номер патента: RU2720768C1. Автор: Василий Геннадьевич Акимкин,Александр Игоревич Тюменцев,Марина Алексеевна Тюменцева. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Центральный научно-исследовательский институт эпидемиологии" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН ЦНИИ Эпидемиологии Роспотребнадзора). Дата публикации: 2020-05-13.

Production of ultra low carbon steel by the basic oxygen process

Номер патента: CA1205638A. Автор: Wayne J. Maddever,Jennings B. Lewis,Michael T. Burns. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-06-10.

Ultra-high strength, weldable steels with excellent ultra-low temperature toughness

Номер патента: CA2295582C. Автор: Narasimha-Rao V. Bangaru,Takuya Hara,Hitoshi Asahi,Yoshio Terada,Hiroshi Tamehiro,Michael J. Luton,Jayoung Koo,Clifford W. Petersen. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of producing high nitrogen ultra low carbon steel

Номер патента: CA2399936C. Автор: Hisashi Ogawa,Yuki Nabeshima,Seiji Nabeshima,Shuji Takeuchi,Yasuyuki Masumoto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2009-12-29.

Circuit arrangement for a sound reproducer with linearized sound transmission

Номер патента: WO2008093146A1. Автор: László Babos. Владелец: Babos Laszlo. Дата публикации: 2008-08-07.

Ultra-low-latency communications

Номер патента: GB2565386A. Автор: John Russell Anthony,James O'Connor Ian. Владелец: Commerzbank AG. Дата публикации: 2019-02-13.

Defining cell coordination group to which interference management techniques such as comp can be applied

Номер патента: US20170230131A1. Автор: Lars Klockar,Magnus Lundevall,Fredric Kronestedt. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-08-10.

Ultra-low latency csi timeline for urllc csi reporting

Номер патента: US20230269612A1. Автор: Yufei Blankenship,Shiwei Gao,Siva Muruganathan. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-08-24.

Ultra-low power data transmission method and apparatus

Номер патента: US11870550B2. Автор: PanSoo Kim,Joon Gyu RYU,Soo Yeob JUNG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-09.

Ultra-low zeolite content fcc catalyst in-situ crystallization

Номер патента: WO2021222536A1. Автор: Junmei Wei,Lucas DORAZIO,Samantha L. RICE,Nicholas Robert FAVATE. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2021-11-04.

Advanced ultra low power error correcting code encoders and decoders

Номер патента: WO2024086433A1. Автор: Ran ZAMIR,Stella Achtenberg,Ofir Pele,Omer FAINZILBER. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Advanced ultra low power error correcting code encoders and decoders

Номер патента: US11838032B1. Автор: Ran ZAMIR,Stella Achtenberg,Ofir Pele,Omer FAINZILBER. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods and systems for multiplex gene amplification from ultra-low dna input amounts and uses thereof

Номер патента: WO2020056004A8. Автор: Ronald W. Davis,Curt Scharfe,Peidong Shen. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-25.

Composition and method to form a composite core material

Номер патента: US20180155521A1. Автор: Stephen Gleason, SR.. Владелец: Composite Technologies International LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Ultra-low-power circuit

Номер патента: EP2151056A1. Автор: David Bol,Denis Flandre,Jean-Didier Legat. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2010-02-10.

Ultra-low thermal mass refractory article

Номер патента: EP4232423A1. Автор: Jr. Sergio David Fernandes,Claudemir COSTA. Владелец: Unifrax Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for direct amination of hydrocarbons to form amino hydrocarbons with the electrochemical separation of hydrocarbon

Номер патента: US20120111732A1. Автор: Andreas Fischer,Petr Kubanek,Thomas Heidemann,Alexander Panchenko. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-05-10.

Cell Having Ability to Form Stratified Epithelial Tissue, and Method for Producing Same

Номер патента: US20180155695A1. Автор: Masakazu Kurita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-07.

Austenitic steel having excellent ultra-low temperature toughness in weld heat-affected zone, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3236520A1. Автор: Sang-Deok Kang,Soon-Gi Lee,Jong-Kyo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Method to form flash memory with very narrow polysilicon spacing

Номер патента: US20050112828A1. Автор: Wen-Ting Chu,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Methods for Joining Composite Components to Form a Unitary Composite Component

Номер патента: US20240279128A1. Автор: Joseph John Shiang,Daniel Gene Dunn,Jared Hogg Weaver,Jerome Geoffrey Magnant. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-adaptive, ultra-low elastic modulus shape memory alloys

Номер патента: EP2920332A1. Автор: Ji Ma,Ibrahim KARAMAN. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2015-09-23.

Module for Processing Geophysical Data Comprising Two Connectors Each Forming one Half-Shell and Being Arranged to Form a Shell in Which an Electronic Board is Placed, Connector and Sub-Assembly Corresponding

Номер патента: US20140153170A1. Автор: Johann Dabouineau,Yann Pichot. Владелец: Sercel SAS. Дата публикации: 2014-06-05.

Ultra-Low Power Readout Circuit With High-Voltage Bias Generation For MEMS Accelerometer

Номер патента: US20230146711A1. Автор: Dennis Sylvester,David Blaauw,Yimai PENG,David Kyojin CHOO. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-11.

Reactions of enolizable a-amino aldehydes or ketones to form amine

Номер патента: WO2006023720A2. Автор: Carlos F. Barbas, III,Rajeswari Thayumanavan. Владелец: The Scripps Research Institute. Дата публикации: 2006-03-02.

Method and system for using air gaps in hot-stamping tools to form tailor tempered properties

Номер патента: EP3924116A1. Автор: Kyle Daniel FAIRBARN,Leslie George SHUMAN,David Camil POLSONI. Владелец: Magna International Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide

Номер патента: WO2009005706A2. Автор: Tanmay Kumar. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Reactions of enolizable a-amino aldehydes or ketones to form amine

Номер патента: WO2006023720A3. Автор: Carlos F Barbas Iii,Rajeswari Thayumanavan. Владелец: Rajeswari Thayumanavan. Дата публикации: 2007-01-11.

Auxiliary power source circuit having ultra-low standby power consumption

Номер патента: US20240333163A1. Автор: Jianguo BAI,Likuan Deng,Jianxiong Zheng. Владелец: Shenzhen Uu Green Power Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Data transmission method for ultra-low latency and highly-reliable communication in wireless communication system, and apparatus therefor

Номер патента: US12120044B2. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Uucom Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of singulating optical waveguide sheets to form optical waveguide substrates

Номер патента: EP4428588A2. Автор: Sergio Tsuda,Kristopher Allen Wieland,Lars Martin Otfried BRUSBERG,Davide Domenico Fortusini,Jason Roy GRENIER. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Catalyst system and method for the catalytic combustion of ammonia to form nitrogen oxides in a medium-pressure system

Номер патента: US12109553B2. Автор: Dirk Maier,Willi Boll. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-08.

Ultra-low power bandgap reference using a clocked amplifier

Номер патента: US09866112B1. Автор: Rajat Chauhan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and device for processing pet polymers in order to form pellets

Номер патента: US20240351247A1. Автор: Michael Eloo,Frank Glöckner,Jürgen VELTEL,Stephan Dietmer WILHELMI. Владелец: MAAG AUTOMATIK GMBH. Дата публикации: 2024-10-24.

Halftone dot screen generation with conditional arrangement of growth centers to form dot blocks and bridges connecting adjacent dot blocks

Номер патента: US09787873B2. Автор: Hiroyuki Igawa,Hideki Kamaji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Ultra low phase noise frequency synthesizer

Номер патента: US09762251B2. Автор: Tal I. Lavian,Yekutiel Josefsberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-12.

Self-adaptive, ultra-low elastic modulus shape memory alloys

Номер патента: US09752219B2. Автор: Ji Ma,Ibrahim KARAMAN. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and system for estimating and compensating for direct current (DC) offset in ultra-low power (ULP) receiver

Номер патента: US09742600B2. Автор: Young-Jun Hong,Manoj Choudhary,Kiran Bynam,Jinesh P. Nair,Ashutosh Deepak Gore,Seokju Yun,ChangSoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Ultra low phase noise frequency synthesizer

Номер патента: US09705511B2. Автор: Tal I. Lavian,Yekutiel Josefsberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Process for oligomerising a hydrocarbon to form at least one co-monomer product

Номер патента: US09522856B2. Автор: Richard Neil Walsh,Matthew James Overett,Kevin Blann,Denise Louisette Venter,Kenny Tenza,Palesa Nongodlwana,Nicolaus Ladislaus Stark,Craig Mcgregor. Владелец: Sasol Technology Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Dehydrofluorination of pentafluoroalkanes to form tetrafluoroolefins

Номер патента: US09492816B2. Автор: Philippe Bonnet,Maher Y. Elsheikh,Benjamin Bin Chen,Olga C. N. Keeley. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method to form metal matrix composite reinforced with eggshell

Номер патента: US12134132B2. Автор: Mohamed Abdrabou HUSSEIN,Mohammed Abdul AZEEM,A. Madhan Kumar,Noha Mohamed EMARA. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-11-05.

Novel compounds with spirochiral carbon base, methods of their obtaining and pharmaceutical compositions which contain such compounds

Номер патента: RU2492173C2. Автор: Хеон-Дзоонг КАНГ,Дзунг-Рае РХО,Дзеон-Хо ХОНГ,Сеунг-Бум ПАРК,Чан-Соо ШИН,Дзае-Хван ЛИ,Дзун-Янг ХОНГ,Еун-О КИМ,Дзеонг-Ах КИМ,Санг-Ми ОХ. Владелец: СНУ Ар энд ДиБи ФАУНДЕЙШН. Дата публикации: 2013-09-10.

5-membered n-heterocyclic compounds with hypoglycemic and hypolipidemic activity

Номер патента: RU2252939C2. Автор: Хироюки ОДАКА,Хироюки КИМУРА,Йю МОМОСЕ,Цуеси МАЕКАВА. Владелец: Такеда Кемикал Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2005-05-27.

Kalmangafodipir, new chemical compound, and other mixed complex compounds with metals, methods for production, compositions and methods for treatment

Номер патента: RU2765805C2. Автор: Майкл ХОЛЛ,Ян Олоф КАРЛССОН,Карл РЕИНЕКЕ,Тино КУРЦ,Рольф АНДЕРССОН,Кристина МАКЛАФЛИН,Свен ЯКОБССОН,Жак НЕССТРЕМ. Владелец: Эгетис Терапьютикс Аб. Дата публикации: 2022-02-03.

Compounds with condensed 1,3-dihydroimidazole cycle

Номер патента: RU2328498C2. Автор: Сейдзи ЙОСИКАВА,Казунобу КИРА,Ричард КЛАРК,Тайсуке УЕХАРА. Владелец: Эйсай Ар Энд Ди Менеджмент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-07-10.

Picolinamide compounds with fungicidal activity

Номер патента: RU2708392C2. Автор: Чэнлинь Яо,Захари БАКЕН,Джессика ХЕРРИК,Джереми ВИЛМОТ,Джаред РИГОЛИ,Брайан ЛОЙ,Юй ЛУ,Карла БРАВО-АЛЬТАМИРАНО,Кайл ДЕКОРВЕР,Дэвид ДЖОУНЗ,Кевин Мейер,Сюэлинь ВАН,Джон ДЭУБЛ. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-06.

Isomerisation of aromatic compounds with application of double catalyst system

Номер патента: RU2564526C1. Автор: Грегори Дж. ГАЙДА,Вольфганг А. Спикер,Стенли Дж. ФРЕЙ,Патрик К. УИТЧЁРЧ,Пола Л. БОГДАН,Джеймс А. Джонсон. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2015-10-10.

Macrolide compounds with antiinflammatory effect

Номер патента: RU2330856C2. Автор: Мауро НАПОЛЕТАНО,Эрманно МОРИДЖИ,Франко ПЕЛЛАЧИНИ,Габриеле МОРАЦЦОНИ,Карло РИВА,Андреа Мереу,Фернандо ОРНАГИ,Роберто ЛОНГОНИ,Лучиано ПАККЕТТИ,Мауро НАПОЛЕТАНО (IT),Эрманно МОРИДЖИ (IT),Франко ПЕЛЛАЧИНИ (IT),Габриеле МОРАЦЦОНИ (IT),Карло РИВА (IT),Андреа МЕРЕУ (IT),Фернандо ОРНАГИ (IT),Роберто ЛОНГОНИ (IT),Лучиано ПАККЕТТИ (IT). Владелец: Замбон Груп С.П.А.. Дата публикации: 2008-08-10.

Compound with successive aricyclic structure, possessing activity of inhibiting acycloenzyme a diacylglycerolacyltransferase (dgat1)

Номер патента: RU2538964C1. Автор: Кендзи МОРОКУМА,Хироаки СИТАМА,Осаму САКУРАИ,Кунио САРУТА,Норимицу ХАЯСИ,Такаси ГОИ,Хидекадзу ЦУДЗИСИМА,Хироаки САВАМОТО,Рицуо ИМАСИРО. Владелец: Мицубиси Танабе Фарма Корпорейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Use of complex of nitrogen-containing compound with metal for diagnostics or treatment of tumors with integrin expression

Номер патента: RU2767398C2. Автор: Дайсуке НАКАГАВА,Такаюки ЯМАКАВА,Синитиро СЕКИНЕ,Хирофуми ФУКУНАГА,Сатико СИНДЗО. Владелец: Фуджифилм Корпорэйшн. Дата публикации: 2022-03-17.

Recombinant plasmid dna of ptrx-tevrs-pth coding a hybrid protein capable of proteolytic splitting to form a fragment of endogenous human parathyroid hormone (1-34), an escherichia coli bl21(de3)/ptrx-tevrs-pth strain - producer of said protein and a method of producing recombinant pth (1-34)

Номер патента: RU2700452C1. Автор: Татьяна Владимировна Воробьева,Анатолий Иванович Мирошников,Ирина Владимировна Соколова,Дмитрий Александрович Макаров,Алексей Алексеевич Зинченко,Даниил Михайлович Павленко,Николай Михайлович Новожилов,Роман Станиславович Есипов,Василий Николаевич Степаненко,Игорь Валентинович Мягких,Кристина Георгиевна Левандовская,Илья Александрович Пучков,Мария Андреевна Костромина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии наук (ИБХ РАН). Дата публикации: 2019-09-17.

Method of producing compounds with angiotensin-converting enzyme (ace) inhibitory activity

Номер патента: RU2377236C2. Автор: Бранко ЕНКО. Владелец: Лек Фармасьютиклз Д.Д.. Дата публикации: 2009-12-27.

5-aryl-sustituted 4-(5-nitrofuran-2-yl)pyrimidine, with wide spectrum of antibacterial activity, method for its production and intermediate compound with wide spectrum of antibacterial activity

Номер патента: RU2626647C1. Автор: Олег Николаевич Чупахин,Валерий Николаевич Чарушин,Наталья Петровна Евстигнеева,Наталья Авенировна Герасимова,Наталья Владимировна Зильберберг,Николай Васильевич Кунгуров,Геннадий Леонидович Русинов,Полина Геннадьевна Аминева,Егор Владимирович Вербицкий,Светлана Анатольевна Баскакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского Уральского отделения Российской академии наук (ИОС УрО РАН). Дата публикации: 2017-07-31.

Production of ultra-low phosphorus steel

Номер патента: CA1203986A. Автор: Takeo Aoki,Seiichi Masuda,Takeyuki Hirata,Hidemasa Nakajima,Shozo Okamura,Shoji Anezaki,Tohru Matsuo,Yoshimichi Ohkita. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1986-05-06.

Method and apparatus for alkylation of aromatic compound with aliphatic monoolefin compound with 8-18 carbon atoms

Номер патента: RU2458032C2. Автор: Марк Г. РАЙЛИ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2012-08-10.

Hydrocracking process for the production of ultra low sulfur diesel

Номер патента: US7005057B1. Автор: Tom N. Kalnes. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2006-02-28.

Macromolecular compounds with nucleus-shell structure, synthesis method thereof, use thereof as semiconductors in electronic functional element and as electronic functional element

Номер патента: RU2397995C2. Автор: Штефан КИРХМАЙЕР,Сергей ПОНОМАРЕНКО,Азиз МУЗАФАРОВ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Ultra low density thermally clad microspheres

Номер патента: CA2570832C. Автор: Richard F. Clark,Richard W. Johnston. Владелец: Henkel Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

Chlorinated linear ultra low density polyethylene

Номер патента: CA1240448A. Автор: Kazuo Matsuura,Junichi Watanabe,Shigeki Yokoyama,Noboru Yamaoka,Kozo Misumi,Seiji Kadomatsu. Владелец: Osaka Soda Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-09.

Image forming apparatus and method to form an invisible image and a visible image in a multi-pass simplex manner

Номер патента: US11754959B2. Автор: Yasuhiro Fujiwara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

System and Method for Optimizing Playlist Information for Ultra Low Latency Live Streaming

Номер патента: US20210044874A1. Автор: Jonathan James Valliere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-11.

Image forming apparatus and method to form an invisible image and a visible image in a multi-pass simplex manner

Номер патента: US20230350332A1. Автор: Yasuhiro Fujiwara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

System and method for optimizing playlist information for ultra low latency live streaming

Номер патента: US10805695B1. Автор: Jonathan James Valliere. Владелец: Look At Me Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

System and method for optimizing playlist information for ultra low latency live streaming

Номер патента: US10993000B2. Автор: Jonathan James Valliere. Владелец: Look At Me Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Wide area ultra-low pressure monitoring system

Номер патента: US20170238071A1. Автор: Bradford Charles Schwie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of labeling amine-containing compounds with a metal

Номер патента: WO1986003010A1. Автор: Ernest Karel Jacob Pauwels,Rolf Ide Johannes Feitsma. Владелец: Academisch Ziekenhuis Leiden. Дата публикации: 1986-05-22.

Ultra-Low Petroleum Plastics

Номер патента: US20150267040A1. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holdings Co. Дата публикации: 2015-09-24.

Apparatus and method for encoding video with ultra-low latency

Номер патента: US20240098132A1. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Selected ip flow ultra low latency

Номер патента: EP3219142A1. Автор: Jun Wang,Durga Prasad Malladi,Jelena Damnjanovic,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic,Miguel Griot,Ravindra Manohar Patwardhan,Madhavan Srinivasan Vajapeyam,Ozcan Ozturk,Taesang Yoo,Onkar Jayant Dabeer. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-20.

Methods, architectures, apparatuses and systems for supporting idle/inactive rrc states paging using ultra-low power receivers

Номер патента: EP4356655A1. Автор: Keiichi Kubota,Virgile GARCIA,Hussain ELKOTBY,Ravikumar Pragada,Ali ESSWIE. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Ultra-low petroleum plastics

Номер патента: US20120214915A1. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holdings Co. Дата публикации: 2012-08-23.

Ultra-low petroleum plastics

Номер патента: EP1907463A2. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holding Co. Дата публикации: 2008-04-09.

Ultra-low petroleum plastics

Номер патента: WO2007005783A2. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holding Company. Дата публикации: 2007-01-11.

Ultra-low petroleum plastics

Номер патента: CA2614175A1. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Ultra-low petroleum plastics

Номер патента: US9080037B2. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holdings Co. Дата публикации: 2015-07-14.

Ultra-Low Petroleum Plastics

Номер патента: US20180208747A1. Автор: Felix A. Dimanshteyn,Richard J. Barone. Владелец: American Thermal Holdings Co. Дата публикации: 2018-07-26.

Ultra-low latency telecommunications system

Номер патента: SG11201907274QA. Автор: Jaime Reed. Владелец: Airbus Defence & Space Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Ultra low power thermally-actuated oscillator and driving circuit thereof

Номер патента: US20160336941A1. Автор: Sheng-Shian Li,Cheng-Chi Chen,Kuan-Hsien LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-11-17.

Stabilization method of vinyl compound with hydroxy group and composition containing such vinyl compound

Номер патента: US5760278A. Автор: Yuichi Kita,Koichi Nakagawa,Mitsuaki Makino. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 1998-06-02.

Method and apparatus for selecting devices to form a community

Номер патента: EP2647225A1. Автор: Philip Ginzboorg,Sami Virtanen,Mikko Tirronen,Kari Leppänen,Markku Tapio Turunen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2013-10-09.

Method to form axisymmetric magnesium article by forging and flow-forming process

Номер патента: US11766713B2. Автор: Henry Zhan,Congjie Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for associating compounds with physiological conditions using fingerprint analysis

Номер патента: EP4356380A1. Автор: Nicholas McCartney PLUGIS,Fabian Alexander Wolf,Ragy HADDAD. Владелец: Flagship Pioneering Innovations VI Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Process to form a composition containing functionalized and un-functionalized ethylene-based polymers

Номер патента: US11981758B2. Автор: Brian W. Walther,Santosh S. BAWISKAR,Jianping Pan. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods and apparatus related to forming and/or managing a group of devices

Номер патента: WO2020007126A1. Автор: Yan Li,Lu Gao,Yiqing Cao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-01-09.

Methods and apparatus for forming and polishing glass, glass-ceramic and ceramic preforms to form shaped plates for liquid lenses

Номер патента: WO2019226534A3. Автор: Garrett Andrew Piech,Michael Peter GAJ,Nickolaos SADIVIS. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and methods for associating compounds with physiological conditions using fingerprint analysis

Номер патента: US12060578B2. Автор: Nicholas McCartney PLUGIS,Fabian Alexander Wolf,Ragy HADDAD. Владелец: Flagship Pioneering Innovations VI Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods and apparatus for forming and polishing glass, glass-ceramic and ceramic preforms to form shaped plates for liquid lenses

Номер патента: WO2019226530A1. Автор: Stephan Lvovich Logunov,Garrett Andrew Piech,Alexander Mikhailovich Streltsov,Michael Peter GAJ,Mark Alejandro Quesada,Leonard Charles II DABICH,Nickolaos SADIVIS. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-11-28.

Apparatus configured to form plural images on an image conveyor and method configured to form plural images on an image conveyor using the apparatus

Номер патента: US20130259503A1. Автор: Kunihiro Komai,Tatsuya Miyadera. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Running track for road on magnetic suspension with linear drive with elongated stator, set of components and method of making of running track

Номер патента: RU2271414C2. Автор: Герхард ХОЛЬЦИНГЕР,Карстен ДРАУДТ,Фальк ВОЛЬФ. Владелец: Трансрепид Интернэшнл Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2006-03-10.

Finite rank deep kernel learning with linear computational complexity

Номер патента: US20240256871A1. Автор: Ji Chen,Debasish Das,Sricharan Kallur Palli Kumar,Sambarta Dasgupta. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Revetment block mat with linear sides

Номер патента: US09499950B1. Автор: Lee A. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Reduced-pressure dressings, systems, and methods for use with linear wounds

Номер патента: CA3048819C. Автор: Timothy Mark Robinson,Colin John Hall,Tyler Simmons. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2022-03-15.

Active image state control with linear distributed actuators on development rolls

Номер патента: US20090190966A1. Автор: Joel A. Kubby,Lalit Keshav MESTHA,Dale R. Mashtare,John G. Shaw,Palghat Ramesh. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Microplate reader with linear variable filter

Номер патента: US09733124B2. Автор: Markus Schappacher. Владелец: BMG Labtech GmbH. Дата публикации: 2017-08-15.

Ultra-low-volume sprayer

Номер патента: RU2707628C1. Автор: Светлана Михайловна Борисова,Сергей Константинович Папуша,Никита Игоревич Чистяков,Николай Андреевич Никитенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2019-11-28.

Revetment block mat using toe blocks with linear sides

Номер патента: US9605389B1. Автор: Lee A. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Finite rank deep kernel learning with linear computational complexity

Номер патента: AU2020325094B2. Автор: Ji Chen,Debasish Das,Sambarta Dasgupta,Sricharan KUMAR. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for displacement of reservoir oil by waterflooding at microfracuring pressure of low/ultra-low permeability reservoir

Номер патента: NL2032670B1. Автор: Wu Xiaodong,LI Hongyang,LIU Yanjun,LI Mingjie,Zhang Weiyou,Yan Xiutao,Tian Zhongqiang. Владелец: De Zhou Hua Hai Petroleum Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Finite rank deep kernel learning with linear computational complexity

Номер патента: CA3119533C. Автор: Ji Chen,Debasish Das,Sambarta Dasgupta,Sricharan KUMAR. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Finite rank deep kernel learning with linear computational complexity

Номер патента: US11977978B2. Автор: Ji Chen,Debasish Das,Sambarta Dasgupta,Sricharan KUMAR. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Ultra-low frequency acoustic absorber

Номер патента: US20240185822A1. Автор: Ping Sheng,Xiaonan Zhang,Zhen DONG,Ho Yiu MAK. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2024-06-06.

Surgical instrument with linear and purse string suture staples

Номер патента: US20240350143A1. Автор: Paul Millman,Kristopher Yee,Emily Cooper,Heath Corbet,Charles Godin. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Ultra-low volume chamber sprayer

Номер патента: RU2710722C1. Автор: Светлана Михайловна Борисова,Сергей Константинович Папуша,Роман Александрович Медведев,Микаель Ада Нджомон. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет им. И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2020-01-10.

Extraction module with linear jointing for high pressure production of beverage from content of capsule

Номер патента: RU2339288C2. Автор: Альфред Иоаким,Кристиан ЖАРИШ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2008-11-27.

Free-piston internal combustion engine with linear generator

Номер патента: RU2730633C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2020-08-24.

Enclosure with linear part with combined interferometers

Номер патента: RU2769906C2. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-04-08.

Structured lighting microscopy with linear scanning

Номер патента: RU2736104C1. Автор: Минхао ГО. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-11-11.

Heat sealing mechanism with linearly movable seal bars

Номер патента: US5080747A. Автор: Scott J. Veix. Владелец: Kloeckner Bartelt Inc. Дата публикации: 1992-01-14.

Mattress and topper with variable and adjustable deflection areas for ultra-low pressures with postural alignment

Номер патента: US09770117B1. Автор: Earl Takefman,Philip Alan Torbet. Владелец: Perfect Pressure Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Coding coefficients quantization with linear prediction device, sound coding device, coding coefficients quantification with linear prediction device, sound decoding device and electronic device for this

Номер патента: RU2669139C1. Автор: Еун-Ми ОХ,Хо-Санг СУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-10-08.

Communication system of ultra-low frequency and ultra-rare-frequency bands with deep-loaded and remote objects -7

Номер патента: RU2692931C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-06-28.

Fibre-optic security detector with linear part with combined interferometers

Номер патента: RU2769886C2. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-04-07.

Electromagnetic hammer with linear electric motor drive

Номер патента: RU2630026C1. Автор: Виктор Викторович Миханошин,Андрей Алексеевич Горшков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Морской государственный университет имени адмирала Г.И. Невельского". Дата публикации: 2017-09-05.

Reel with linear part with joint interferometers for container device for assembling linear part of security fiber-optic detector

Номер патента: RU2765765C1. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-02-02.

Fence with means for detecting tunnel with linear part with interferometer with two arms

Номер патента: RU2769889C2. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-04-07.

Drum with linear part with open interferometer with two arms for container device for assembling linear part of security fibre-optic detector

Номер патента: RU2770141C2. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-04-14.

Ultrasonic inspection device with linear scanning and ultrasonic inspection method with linear scanning

Номер патента: RU2690063C1. Автор: Сецу ЯМАМОТО,Дзун СЕМБОСИ,Адзуса СУГАВАРА,Кентаро ЦУТИХАСИ,Масару ОЦУКА. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-30.

Formed ultra-flexible retroreflective cube-corner composite sheeting with target optical properties and method for making same

Номер патента: US5763049A. Автор: Paul E. Marecki,Jeanine M. Shusta,Matthew R. Atkinson,Cheryl M. Frey,Olester Benson, Jr.,Joseph R. Zwack. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1998-06-09.

Method for lung cancer screening using ultra-low-dose computed tomography in patients with body weight of 70 to 89 kg

Номер патента: RU2741712C1. Автор: Александр Николаевич Николаев,Николай Сергеевич Кульберг,Сергей Павлович Морозов,Виктор Александрович Гомболевский,Валерия Юрьевна Чернина,Альбина Шурумовна Лайпан,Анна Павловна Гончар,Татьяна Александровна Корб,Ольга Олеговна Алешина,Иван Андреевич Блохин,Ольга Андреевна Коркунова,Мария Максимовна Сучилова,Алексеев Борисович Елизаров. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы "Научно-практический клинический центр диагностики и телемедицинских технологий Департамента здравоохранения города Москвы" (ГБУЗ "НПКЦ ДиТ ДЗМ"). Дата публикации: 2021-01-28.

Thermoforming machine with linear recirculation of sheet holding frames

Номер патента: US5980231A. Автор: Albert W. Arends,Victor L. Chun,Roland Karklin. Владелец: Brown Machine Company of Michigan Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Method for screening lung cancer by ultra-low-dose computed tomography in patients with body weight of more than 90 kg

Номер патента: RU2741707C1. Автор: Александр Николаевич Николаев,Николай Сергеевич Кульберг,Сергей Павлович Морозов,Виктор Александрович Гомболевский,Валерия Юрьевна Чернина,Альбина Шурумовна Лайпан,Анна Павловна Гончар,Татьяна Александровна Корб,Ольга Олеговна Алешина,Иван Андреевич Блохин,Ольга Андреевна Коркунова,Мария Максимовна Сучилова,Алексей Борисович Елизаров. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы "Научно-практический клинический центр диагностики и телемедицинских технологий Департамента здравоохранения города Москвы" (ГБУЗ "НПКЦ ДиТ ДЗМ"). Дата публикации: 2021-01-28.

Exoskeleton glove with linear actuators

Номер патента: RU2717046C1. Автор: Илья Витальевич Оразов,Алексей Витальевич Оразов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени И.С. ТУРГЕНЕВА" (ОГУ им. И.С. Тургенева). Дата публикации: 2020-03-17.

Surgical instrument with linear and purse string suture staples

Номер патента: EP4274492A1. Автор: Paul Millman,Kristopher Yee,Emily Cooper,Heath Corbet,Charles Godin. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Low magnetic field, ultra-low magnetic field nuclear magnetic resonance and magnetic resonance image apparatus

Номер патента: US10162028B2. Автор: Kiwoong Kim,Seong-Joo Lee,Kwon-Kyu Yu,Jeong-hyun Shim,Seong-Min Hwang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2018-12-25.

Neural networks with linear recurrence and feedforward units

Номер патента: WO2024156796A1. Автор: Razvan PASCANU,Samuel Laurence SMITH,Antonio ORVIETO,Caglar GULCEHRE,Soham De,Albert GU,Anushan Kalinga FERNANDO. Владелец: DeepMind Technologies Limited. Дата публикации: 2024-08-02.

Low magnetic field, ultra-low magnetic field nuclear magnetic resonance and magnetic resonance image apparatus

Номер патента: US20160209482A1. Автор: Kiwoong Kim,Seong-Joo Lee,Kwon-Kyu Yu,Jeong-hyun Shim,Seong-Min Hwang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2016-07-21.

Ai-enabled ultra-low-dose ct reconstruction

Номер патента: US20240290014A1. Автор: Ge Wang,Chuang NIU,Weiwen Wu. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-29.

Free-piston internal combustion engine with linear electric three-phase generator

Номер патента: RU2731454C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2020-09-03.

Valve with linear drive

Номер патента: RU2766658C1. Автор: Андрей Леонидович Кузнецов. Владелец: Андрей Леонидович Кузнецов. Дата публикации: 2022-03-15.

Method and system for damping submersible pump plant with linear inverter electric motor

Номер патента: RU2686767C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-04-30.

Fiber-optic security detector with linear part with combined interferometers

Номер патента: RU2769887C2. Автор: Леонид Иванович Бризицкий,Сергей Львович Мелихов. Владелец: Акционерное Общество "Институт "Оргэнергострой". Дата публикации: 2022-04-07.

Transmitting communication complex of ultra-low frequency range

Номер патента: RU2736330C1. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Александр Клавдиевич Жаровов,Виктор Леонидович Муравченко,Павел Валерьевич Попов,Сергей Николаевич Матюшкин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2020-11-13.

Floating snow and swamp-going vehicle on ultra-low-pressure tires with wheel formula 8 × 8 with hydrostatic transmission and possibility of automatically controlling torque of each wheel

Номер патента: RU2652300C1. Автор: Владимир Викторович Беляков,Владимир Сергеевич Макаров,Алексей Александрович Еремин,Денис Владимирович Зезюлин,Дмитрий Михайлович Порубов,Павел Олегович Береснев,Валерий Игоревич Филатов,Лев Васильевич Барахтанов,Андрей Александрович Куркин,Сергей Евгеньевич Манянин,Алексей Владимирович Блинохватов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ). Дата публикации: 2018-04-25.

Process and installation for the rearrangement of articles palletised according to sorts to form groups of specific sort composition

Номер патента: US5269646A. Автор: Heinz Focke. Владелец: Focke and Co GmbH and Co KG. Дата публикации: 1993-12-14.

Failsafe apparatus for use with linear actuators

Номер патента: US8979063B2. Автор: Ross Arthur Schade. Владелец: FISHER CONTROLS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2015-03-17.

Immersive gallery with linear scroll

Номер патента: US11789602B1. Автор: Jinha Lee,Peter Ng,Anand Agarawala,Wonkee KiM. Владелец: Spatial Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Immersive gallery with linear scroll

Номер патента: US20230333727A1. Автор: Jinha Lee,Peter Ng,Anand Agarawala,Wonkee KiM. Владелец: Spatial Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Ultra low frequency tag and system

Номер патента: WO2006088806A3. Автор: John Stevens,Paul Waterhouse,Jason August,Michael Vandenberg,Ken C Truong. Владелец: Ken C Truong. Дата публикации: 2007-04-19.

Ultra-low field nuclear magnetic resonance and magnetic resonance imaging to discriminate and identify materials

Номер патента: WO2009023054A1. Автор: Robert H. Kraus, Jr.,Michelle A. Espy,Andrei N. Matlashov,Petr L. Volegov. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2009-02-19.

Ultra-Low Power Multicore Architecture For Parallel Biomedical Signal Processing

Номер патента: WO2013136259A3. Автор: Andreas Burg,David Atienza Alonso,Ahmed Yasir DOGAN,Jeremy CONSTANTIN. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2014-10-30.

Test system for measuring gas permeation parameters of ultra-low permeability medium in multi-field and multi-phase coupling conditions

Номер патента: US20240019351A1. Автор: Qiong Wang,Bao Chen,Yonggui Chen,Weimin YE,Linyong CUI,Yuheng JI. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

A method for comprehensive recovery of gold and silver from lead-zinc tailings with ultra-low gold content

Номер патента: ZA202310224B. Автор: Zhang Hongliang,Sun Wei,Liu Weiping,Sun Lei,Jiang Feng,Zhou Shuang,ZHANG Chenyang,HAN Haisheng,TANG Honghu,LIN Shangyong,Liu Runqing,Meng Xiangsong,Chai Xujian. Владелец: Univ Central South. Дата публикации: 2024-05-30.

Ultra low power apparatus and method to wake up a main processor

Номер патента: US09430024B2. Автор: Changryong HEO,Yongyi Kim,Kenhyung Park,Kiyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Machine for production of stones with linearly directed bearing element

Номер патента: RU2572630C2. Автор: Норберт Фоппе. Владелец: Рекерс Фервальтунгс Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for compensation of magnetic forces in magnetic refrigeration (thermal) machines with linear movement of regenerator

Номер патента: RU2734697C2. Автор: Юрий Иванович Спичкин,Евгений Павлович Красноперов,Василий Сергеевич Коротков,Борис Борисович Ковалев,Владимир Игоревич Зверев,Александр Метталинович Тишин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-10-22.

Flat blank to form rigid cigarette packs

Номер патента: RU2257124C2. Автор: Фьоренцо ДРАГЕТТИ,Сильвано БОРИАНИ. Владелец: Г.Д С.П.А.. Дата публикации: 2005-07-27.

Machine provided with linear drive for plastic working of metals

Номер патента: RU2320444C2. Автор: Джеффри Эдуард ГЕО,Харольд Джр. КУК,Кристофер Дж. ОЛСОН,Майкл Л. АТКИНСОН,Уиль м КЕННЕДИ,Уильям КЕННЕДИ. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2008-03-27.

Drive and fast stop block for gun with linear feed of breechblock or round

Номер патента: RU2499964C2. Автор: Ральф-Йоахим ХЕРМАН,Клаус ЛАВИЦКЕ,Хайнер ШМЕС,Бертхольд БАУМАН. Владелец: РЕЙНМЕТАЛЬ ВАФФЕ МУНИЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2013-11-27.

Form device and method to form groove during casting of structural element

Номер патента: RU2496956C2. Автор: Хуберт ФРИТЧИ. Владелец: Шок Баутайле Гмбх. Дата публикации: 2013-10-27.

Symmetric three-axis propulsor with linear sliding support and built-in control device, and symmetric walking platform on its basis

Номер патента: RU2643613C2. Автор: Алексей Евгеньевич Васильев,Георгий Сергеевич Васильянов. Владелец: Георгий Сергеевич Васильянов. Дата публикации: 2018-02-02.

Set of panels for floor boarding with linear pattern

Номер патента: RU2370603C2. Автор: Герхард ДЮРНБЕРГЕР. Владелец: Кайндль Флоринг Гмбх. Дата публикации: 2009-10-20.

Transport control system with linear motor drive

Номер патента: CA1235194A. Автор: Tomoyuki Kashiwazaki,Yoshitaka Murakawa,Kazumasa Moriya,Hiroshi Kawashima,Kazuyoshi Okawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

Mobile continuous mixing apparatus with linearly aligned feed belts

Номер патента: US11833714B2. Автор: Tirso Chavez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-05.

Electrostatic precipitator for ultra-low emission of power plant

Номер патента: LU503739B1. Автор: Jian Zhang,Jun Zhang,Yan Zhu,Chong Wang,Yun Zhao,Yi Ren,Zhi He,Shiyang Dai,Siyang Sun,Xin Sha,Yuanxu Li,Chengxin Ren. Владелец: Huaneng Power Int Inc Yingkou Power Plant. Дата публикации: 2023-11-30.

Tube picking mechanism for an automated, ultra-low temperature storage and retrieval system

Номер патента: WO2010014656A3. Автор: Julian Warhurst,James O'Toole,Raymond T. Howard,Behrouz Zandi,Michael A. Carman. Владелец: HAMILTON STORAGE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for controlling surface qualtiy of ultra-low carbon steel slab

Номер патента: US20160008876A1. Автор: Kae Young Lee,Hae Young Seo,Hyo Joong Kwon,Ju Tae Choi,Suk Hyun Yoo,Yeong Joo Do. Владелец: Hyundai Steel Co. Дата публикации: 2016-01-14.

Optical scanning microscope with linear scanning

Номер патента: US20060012868A1. Автор: Ralf Wolleschensky. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 2006-01-19.

Rack with linear guide

Номер патента: US20070144992A1. Автор: Hsin-Yueh Chen. Владелец: I Jang Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Diode array-based digitized miniature ultra-low-power-consumption impact monitoring system

Номер патента: US20170292880A1. Автор: Lei QIU,Hanfei MEI,Yuanqiang REN,Shenfang YUAN,Qianyun ZHENG,Qiao BAO. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2017-10-12.

Optical scanning microscope with linear scanning

Номер патента: US7388713B2. Автор: Ralf Wolleschensky. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 2008-06-17.

Ultra low power solid state spectral radiometer

Номер патента: WO2015042617A1. Автор: Robert J. Walters,Phillip P. Jenkins,Raymond Hoheisel,David A. Scheiman,Justin R. Lorentzen. Владелец: The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy. Дата публикации: 2015-03-26.

一种晶圆low-k膜激光开槽设备

Номер патента: CN113894433. Автор: 张伟,巩铁建,陶为银,蔡正道,闫兴,鲍占林. Владелец: Henan General Intelligent Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

一种晶圆low-k膜激光开槽设备

Номер патента: CN113894433A. Автор: 张伟,巩铁建,陶为银,蔡正道,闫兴,鲍占林. Владелец: Henan General Intelligent Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Ultra low power solid state spectral radiometer

Номер патента: US09945722B2. Автор: Robert J. Walters,Phillip P. Jenkins,Raymond Hoheisel,David A. Scheiman,Justin R. Lorentzen. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-04-17.

Ultra-low power bias current generation and utilization in current and voltage source and regulator devices

Номер патента: US09921600B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Ultra low power architecture to support always on path to memory

Номер патента: US09916876B2. Автор: Sridhar Lakshmanamurthy,Joydeep Ray,Sami Yehia,Shreekant S. Thakkar,Bruce L. Fleming,Kenneth D. Shoemaker,Suketu R. Partiwala,Prashanth Kalluraya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for controlling surface quality of ultra-low carbon steel slab

Номер патента: US09751126B2. Автор: Kae Young Lee,Hae Young Seo,Hyo Joong Kwon,Ju Tae Choi,Suk Hyun Yoo,Yeong Joo Do. Владелец: Hyundai Steel Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Co-emulsification of insoluble compounds with toner resins

Номер патента: US09625840B2. Автор: Ke Zhou,Guerino Sacripante,Kimberly D Nosella,Sonja Hadzidedic. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Devices and method utilizing ultra-low frequency non-vibratory tactile stimuli for regulation of physiological processes

Номер патента: US09610421B2. Автор: Gerard V. Sunnen,Martin SOKOLOFF. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Ultra-low power bias current generation and utilization in current and voltage source and regulator devices

Номер патента: US09519304B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Doppler speed and drift angle meter with linear frequency modulation

Номер патента: RU209855U1. Автор: Михаил Алексеевич Бойко. Владелец: Михаил Алексеевич Бойко. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of thermal energy transformation to electricity by free linked energy-module with linear electric generator, heat exchanger and refrigerator

Номер патента: RU2659598C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2018-07-03.

Gear to form polarizer, device for local removal of polarizer film and production line to form polarizers

Номер патента: RU2226285C2. Автор: Ю.А. Бобров. Владелец: ОПТИВА, Инк.. Дата публикации: 2004-03-27.

A kind of laser processing device and method of Low-k materials

Номер патента: CN107378259A. Автор: 高云峰,尹建刚,李福海,曾威,朱炜,庄昌辉,王焱华,陈治贤,冯田峰. Владелец: Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-24.

Method and system for impregnating fibres to form prepreg

Номер патента: RU2680505C1. Автор: Шоун ДЖАНКЕР,Ларри РЕЙНОЛДС. Владелец: Сайтек Индастриз Инк.. Дата публикации: 2019-02-21.

Set of tools comprising two drawing die to form thin metal containers in the form of a bottle

Номер патента: RU2689838C2. Автор: Марк ШРЕММЕР,Шон УИЛЛКОТТ. Владелец: Анхойзер-Буш, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-05-29.

Plate heat exchanger with surface projections and method to form higher heat transfer surface

Номер патента: RU2320946C2. Автор: Стивен Майкл ВЭНД,Брайен Джеймс ЭМЕРИ,Джеймс Эрик БОГАРТ. Владелец: Флэтплейт, Инк.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method and composition for solubilising a biologically active compound with low water solubility

Номер патента: US20040115255A1. Автор: Steven Leigh,Henricus Tiemessen,Mathew Steven Leigh,Peter Hoogevest. Владелец: Phares Pharmaceutical Research NV. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and composition for solubilising a biologically active compound with low water solubility

Номер патента: CA2442539C. Автор: Steven Leigh,Peter Van Hoogevest,Henricus Tiemessen,Mathew Louis Steven Leigh. Владелец: Phares Pharmaceutical Research NV. Дата публикации: 2011-11-08.

Serial printer with linear motor drive

Номер патента: CA1075631A. Автор: Joseph P. Pawletko,Hi D. Chai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-04-15.

Tube picking mechanisms with an ultra-low temperature or cryogenic picking compartment

Номер патента: WO2012033605A3. Автор: Julian Warhurst,James O'Toole,Frank Hunt,Elizabeth Alexander,ROBERT CLOUTIER,Bruce Zandi,Alexander Carbone. Владелец: HAMILTON STORAGE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

Synergistic effects of the combination of the specific compounds with paracetamol and their effects on various diseases

Номер патента: WO2012090218A4. Автор: Kamlesh Rajnikant Zota,Ketan Chandulal Zota,Sanjay Agrawal,Manukant Chandulal Zota,Himanshu Muktilal Zota. Владелец: Zota Health Care Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Apparatus for full-automatic, ultra-low pressure, fractionation-free and non-destructive extraction of water

Номер патента: US20180045624A1. Автор: Xiaobo Li,Yayong Liu,Youwu XING,Xiangning ZHU. Владелец: Beijing Lica United Technology Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Ai-enabled ultra-low-dose ct reconstruction

Номер патента: WO2022266406A1. Автор: Ge Wang,Chuang NIU,Weiwen Wu. Владелец: Niu chuang. Дата публикации: 2022-12-22.

Tube picking mechanisms with an ultra-low temperature or cryogenic picking compartment

Номер патента: WO2012033605A2. Автор: Julian Warhurst,James O'Toole,Frank Hunt,Elizabeth Alexander,ROBERT CLOUTIER,Bruce Zandi,Alexander Carbone. Владелец: HAMILTON STORAGE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

Ultra-low-voltage static random access memory (sram) cell for eliminating half-select disturbance under bit interleaving structure

Номер патента: US20240212748A1. Автор: Hongyu Chen,Jian Chen,Yifei Li,Yajun Ha. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-06-27.

Tube picking mechanisms with an ultra-low temperature or cryogenic picking compartment

Номер патента: EP2614320A2. Автор: Julian Warhurst,James O'Toole,Frank Hunt,Elizabeth Alexander,ROBERT CLOUTIER,Bruce Zandi,Alexander Carbone. Владелец: Hamilton Storage Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-17.

Refresh-free ultra low power pseudo DRAM

Номер патента: US6826105B2. Автор: Chih-Hsien Wang,Doung-Her Tsai. Владелец: Brilliance Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Body support system for emitting ultra-low radio frequency energy and associated systems and methods

Номер патента: AU2022219374A1. Автор: Scott Donnell,Brian Mogen,Gerard P. MURRAY. Владелец: Hapbee Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Body support system for emitting ultra-low radio frequency energy and associated systems and methods

Номер патента: EP4291303A2. Автор: Scott Donnell,Brian Mogen,Gerard P. MURRAY. Владелец: Hapbee Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: EP1529246A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-05-11.

Electronic portion of an ion gauge with ion collectors bowed out of plane to form a three dimensional arrangement

Номер патента: US7609067B1. Автор: Chien-Hua Chen,James Mckinnell. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-10-27.

Heterogeneous Integrated UV-IR Ultra-Low Loss Multi-Layer Platform with Electrical Interconnects, Gain, Modulation, Detection, and Nonlinear Optics

Номер патента: US20240255699A1. Автор: Daniel J. Blumenthal,Dirk Englund,Mikkel HEUCK,Matt Eichenfield. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

A connecting structure for mechanically connecting steel pipe profiles to each other to form a truss structure and a truss structure

Номер патента: WO2023135358A1. Автор: Jarmo Havula. Владелец: Hämeen Ammattikorkeakoulu Oy. Дата публикации: 2023-07-20.

Novel ultra-low profile wireless flow sensors to monitor hemodynamic alterations in the vascular system

Номер патента: US20190167120A1. Автор: Young Jae Chun,Sung Kwon Cho,Yanfei Chen,Woon-Hong Yeo,Connor HOWE,Yongkuk Lee,Brian T. Jankowitz. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of laser ablating a component, e.g. a turbine nozzle, to form a cavity ; corresponding non transitory computer readable medium

Номер патента: EP4052826A1. Автор: Timothy Francis ANDREWS,Caleb Dewayne Myers,Timothy John Koski. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-09-07.

Method for bending a vinyl floor plank to form a stair nose plank

Номер патента: US11982090B2. Автор: Asaad Alkhafaji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-14.

Image forming apparatus having a groove forming part to form a groove on a base member

Номер патента: US09892349B2. Автор: Kunihiko Sato,Kosuke Yamada. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Freezer, in particular ultra-low temperature freezer

Номер патента: US09835370B2. Автор: Sung-Han Jung,Erik Zamirowski. Владелец: Eppendorf SE. Дата публикации: 2017-12-05.

Object discrimination method using ultra-low magnetic field nuclear magnetic resonance and an object discrimination apparatus of the same

Номер патента: US09759793B2. Автор: Yong-Ho Lee,Kiwoong Kim,Seong-Joo Lee,Kwon-Kyu Yu,Chan-Seok Kang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-09-12.

Single sheet template for folding to form a wallet, a wallet, and a method of making a wallet from a single sheet template

Номер патента: US09750319B2. Автор: Michael Mueller-Heumann. Владелец: FOLDAGE Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming oriented block copolymer line patterns, block copolymer line patterns formed thereby, and their use to form patterned articles

Номер патента: US09718094B2. Автор: Ting Xu,Dong Hyun Lee,Thomas P. Russell,Soojin Park,Sung Woo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for shaping an essentially flat-surfaced blank to form a shell body and use thereof

Номер патента: US09468965B2. Автор: Wulf Radtke. Владелец: MT AEROSPACE AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Recirculate and filter air to form air barrier in image forming apparatus

Номер патента: US09409420B2. Автор: Kevin Lo,Steve A. O'Hara,Christie Dyan LARSON. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-08-09.

Gun breech block drive with linear feed of breech block or round

Номер патента: RU2505771C2. Автор: Ральф-Йоахим ХЕРМАН,Клаус ЛАВИЦКЕ,Хайнер ШМЕС,Бертхольд БАУМАН. Владелец: РЕЙНМЕТАЛЬ ВАФФЕ МУНИЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2014-01-27.

Panel with possibility of connection to similar panels to form coating

Номер патента: RU2764665C2. Автор: Эдди Альберик БУКЕ,Йохан Христиан РИТВЕЛЬДТ. Владелец: И4Ф Лайсенсинг Нв. Дата публикации: 2022-01-19.

Floor panel to form floor covering, floor covering formed by such floor panels, and method of manufacturing such floor panels

Номер патента: RU2640615C2. Автор: Марк Каппелль,Питер ДЕВО,Кристоф НЕЙЕР. Владелец: Флоринг Индастриз Лимитед, Сарл. Дата публикации: 2018-01-10.

Method of generating graphical user interface to form expanded search query in information retrieval system

Номер патента: RU2721377C1. Автор: Олег Владимирович Постников. Владелец: Олег Владимирович Постников. Дата публикации: 2020-05-19.

Cutting device and method for cutting section of continuous strip to form tire component

Номер патента: RU2748352C2. Автор: Питер Корнелис МЕЙЕРС,Ерун ВАН ТИНХОВЕН,Карел Йоханнес ВАН АССЕНБЕРГ,Рюд Альбертус Герхардус ХЕССЕЛИНК. Владелец: Вми Холланд Б.В.. Дата публикации: 2021-05-24.

Winding device to form rolls of wound thin-sheet material and method of roll production

Номер патента: RU2315705C2. Автор: Гульельмо БЬЯДЖОТТИ,Мауро ДЖЕЛЛИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2008-01-27.

Method to form workpiece of metal rubber material

Номер патента: RU2631064C1. Автор: Юрий Михайлович Корякин,Максим Витальевич Кременчугский,Роман Анатольевич Казаков,Ангелина Геннадьевна Петрова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2017-09-18.

Ultra low emissions gas turbine combustor

Номер патента: RU2566887C9. Автор: Аксел Ларс-уно Эжен АКСЕЛССО,Мартин БЕРАН,Екатерина СИНКЕВИЧ. Владелец: Опра Текнолоджиз, Би.Ви.. Дата публикации: 2016-05-20.

Structures and methods of testing them with linear microphones

Номер патента: US4747309A. Автор: Robert J. Weir. Владелец: Imperial Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1988-05-31.

Liquid level sender with linear float

Номер патента: CA1309316C. Автор: Frank C. Weaver. Владелец: Stewart Warner Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Biologically active compounds with anti-angiogenic properties

Номер патента: WO2005097142A1. Автор: Bernd Becker,Wim Meutermans,Craig Muldoon,Gerald Tometzki,Johannes Zuegg,Tracie Elizabeth Ramsdale,Declan Mckeveney,Rajaratnam Premraj,Judy Halliday,Glenn Condie. Владелец: Alchemia Limited. Дата публикации: 2005-10-20.

Methods and systems for maintaining cargo at an ultra-low temperature over an extended period of time

Номер патента: US11813925B2. Автор: Lars I. Sjoholm. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2023-11-14.

Phytosanitary herbicide composition in the form of a microemulsion with low surfactant content and high compatibility in ultra-low volume spray liquids, and method for obtaining it

Номер патента: US20230071545A1. Автор: Félix Silvestre GALÁN ROMANO. Владелец: Red Surcos Colombia Sas. Дата публикации: 2023-03-09.

Ultra-low temperature medium pressure forming method for complex curved-shaped components

Номер патента: US20220161308A1. Автор: Xiaobo Fan,Shijian YUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-05-26.

Radio frequency identification tag and low dropout regulator (ldo) circuit consuming ultra-low power

Номер патента: US20150310324A1. Автор: Wei Xu,Patrick Bian Wu,Fuqiang Han,Shehu Qi,Yuanming Luo. Владелец: WUXI EXCELIO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Biologically active compounds with anti-angiogenic properties

Номер патента: EP1732573A1. Автор: Bernd Becker,Wim Meutermans,Craig Muldoon,Gerald Tometzki,Johannes Zuegg,Tracie Elizabeth Ramsdale,Declan Mckeveney,Rajaratnam Premraj,Judy Halliday,Glenn Condie. Владелец: Alchemia Pty Ltd. Дата публикации: 2006-12-20.

Low moat volume single mode ultra-low loss fiber

Номер патента: US20220187531A1. Автор: Snigdharaj Kumar Mishra,Peter Gottfried Hebgen,Hazel Benton Matthews, III. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Low moat volume single mode ultra-low loss fiber

Номер патента: EP4260108A1. Автор: Snigdharaj Kumar Mishra,Peter Gottfried Hebgen,Hazel Benton Matthews, III. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Driving mechanism with linear clamp for rotatable ring on camera lens

Номер патента: US11586004B1. Автор: Peng-Cheng Lai. Владелец: Ortery Technologies Inc USA. Дата публикации: 2023-02-21.

Fiber optic biosensor for ultra-low trace analyte detection

Номер патента: WO2023126985A1. Автор: Raghavendra SAI,Sruthi PRASOOD USHA,Hariharan Manoharan. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-07-06.

Deep learning super-resolution training for ultra low-field magnetic resonance imaging

Номер патента: US20240215927A1. Автор: Hung-Yu Lin. Владелец: Neuro42 Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Deep learning super-resolution training for ultra low-field magnetic resonance imaging

Номер патента: WO2024145104A1. Автор: Hung-Yu Lin. Владелец: Neuro42 Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method to form hollow containers

Номер патента: EP3976343A1. Автор: Moreno Minghetti,Roberto Mentini,Antonio Martina. Владелец: Alphamac Srl. Дата публикации: 2022-04-06.

Apparatus and method to form hollow containers

Номер патента: CA3142140A1. Автор: Moreno Minghetti,Roberto Mentini,Antonio Martina. Владелец: Alphamac Srl. Дата публикации: 2020-12-03.

Ultra-low field nuclear magnetic resonance and magnetic resonance imaging to discriminate and identify materials

Номер патента: WO2011112665A1. Автор: Igor Mykhaylovich Savukov,Andrei Nikolaevich Matlashov,Michelle A. Espy,Petr Lvovich Volegov,Algis V. Urbaitis,Robert Henry Kraus. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2011-09-15.

Measuring power consumption of ciruit component operating in ultra-low power mode

Номер патента: US20150028887A1. Автор: Ingar Hanssen. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Refresh-free ultra low power pseudo dram

Номер патента: US20040042273A1. Автор: Chih-Hsien Wang,Doung-Her Tsai. Владелец: Brilliance Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Fabrication Materials and Processes Useful To Form Structures in Soft Materials

Номер патента: US20240253108A1. Автор: Subramanian Sundaram,Christopher S. Chen. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2024-08-01.

Printing apparatus having head to eject first type of liquid to form background and second type of liquid to form image

Номер патента: US20220266602A1. Автор: Shuhei Suzuki,Takashi Kanzaki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Blank configured to be erected to form a storage container, and a kit of blanks configured to be erected to form a storage container and a subcontainer

Номер патента: SE2050107A1. Автор: Roland WILLYSON. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2021-08-04.

Apparatus and method to form hollow containers

Номер патента: US12064914B2. Автор: Moreno Minghetti,Roberto Mentini,Antonio Martina. Владелец: Alphamac Srl. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication materials and processes useful to form structures in soft materials

Номер патента: WO2024159025A1. Автор: Subramanian Sundaram,Christopher S. Chen. Владелец: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-02.

System to Form Repeatable Shaped Slugs From a Plastic Bottle

Номер патента: US20090255421A1. Автор: Sagi Koren,Motty Chen. Владелец: Recise Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Sample storage cassette for ultra-low or cryogenic temperatures

Номер патента: WO2012033994A3. Автор: Julian Warhurst,Frank Hunt,ROBERT CLOUTIER,Bruce Zandi. Владелец: HAMILTON STORAGE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for testing ability of stem leydig cell to form leydig and myoid cell in adult testis

Номер патента: AU2021202717B2. Автор: Han Lin,XIN Wen,DAN CHEN,Ping Duan,Yue Wu,Xingxing Zhao,Fu Huang,Haolin Chen,Xiaoju GUAN,Minpeng JI,Xingyi ZHAO. Владелец: Second Affiliated Hospital and Yuying Childrens Hospital of Wenzhou Medical University. Дата публикации: 2023-08-10.

A system to form a chain

Номер патента: WO2002053308A1. Автор: Hans Gustav Erik Wahlbeck. Владелец: Hans Gustav Erik Wahlbeck. Дата публикации: 2002-07-11.

Apparatus, Composition, and Method to form an Image on a Substrate

Номер патента: US20080035268A1. Автор: Rick Duarte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

A mold, particularly a steam-chest mold, for processing expandable or expanded polymer beads to form a particle foam component

Номер патента: EP4420854A1. Автор: Justin Kendall. Владелец: JSP International SARL. Дата публикации: 2024-08-28.

Apparatus, composition, and method to form an image on a substrate

Номер патента: WO2006086625A9. Автор: Rick Duarte. Владелец: Rick Duarte. Дата публикации: 2006-12-07.

Ultra-low profile aerostatic bearing and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12110921B2. Автор: Shien Yang LEE. Владелец: Akribis Systems PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for vitrification and ultra-low-temperature preservation of embryogenic callus of magnolia officinalis

Номер патента: NL2031306B1. Автор: Xu Qian,LIN Liang,MA Junchao,LI Weiqi,Yu Buzhu,Jia Yanxia,Chen Hongying,Gao Yanfen. Владелец: Kunming Inst Botany Cas. Дата публикации: 2023-09-29.

Stackable storage tray adaptable to form an enclosed box

Номер патента: US09815588B2. Автор: Douglas B. Clark. Владелец: Clarkwerks LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Baling device and method to form bales of crop material

Номер патента: US09756789B2. Автор: Willem Jacobus Reijersen Van Buuren. Владелец: Lely Patent NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Blank configured to form a package and related package and method

Номер патента: US09738049B2. Автор: Jerry Wayne Pipes,Wesley Steven Jones. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fracking wells using a packer to form primary and secondary fracs and seal intervals for hydraulic fracturing

Номер патента: US09664024B2. Автор: Henry A. Baski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

Ultra low dose nutraceutical compositions for enhancing sleep quality and treating sleep disorders

Номер патента: US09549982B2. Автор: Ricky Dean Moneymaker,Larry S. Klesman,Jon S. Theus. Владелец: Foundational Biosystems LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Image forming apparatus and image forming method to form an image by scanning an image bearer with light modulated based on image information

Номер патента: US09527303B2. Автор: Masaaki Ishida,Atsufumi Omori,Muneaki IWATA,Hayato FUJITA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Measuring power consumption of circuit component operating in ultra-low power mode

Номер патента: US09470725B2. Автор: Ingar Hanssen. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods to form and to dismantle hermetically sealed chambers

Номер патента: US09440424B2. Автор: Raymond Miller Karam,Thomas Wynne,Anthony Thomas Chobot. Владелец: Picosys Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Cassettes with surgical staples with ejectors arrangement to form staple herringbone patterns

Номер патента: RU2727248C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Честер О. БАКСТЕР III,Джейсон Л. ХАРРИС. Владелец: ЭТИКОН ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-07-21.

Light lining system to form members from non-viscous materials for utilization in construction

Номер патента: RU2196208C2. Автор: ЛЕ ФЕВР Патрик И. ДЕ. Владелец: ЛЕ ФЕВР Патрик И. ДЕ. Дата публикации: 2003-01-10.

Method of welding combining using laser beam and electric arc with consumable electrode for welding metal pipes laid butted to form metal pipelines

Номер патента: RU2403135C2. Автор: Жиль РИШАР,Абделькрим ШЕЭБУ,Жиль РИШАР (FR),Абделькрим ШЕЭБУ (FR). Владелец: Энститю Де Судюр. Дата публикации: 2010-11-10.

Multilayer material to form containers

Номер патента: RU2600365C2. Автор: Тиерри МАУРИС,Джон САТЕР,Роберт МИСКЕВИЧ. Владелец: Албеа Сервисез. Дата публикации: 2016-10-20.

Pth compounds with low peak-to-minimum ratios

Номер патента: RU2766959C2. Автор: Ларс ХОЛЬТЕН-АНДЕРСЕН,Кеннетт СПРОГЕЕ,Дэвид Брайан КАРПФ. Владелец: Асцендис Фарма Боун Дизизис А/С. Дата публикации: 2022-03-16.

Method of detecting karelian birch seedlings with potential capability to form figured wood

Номер патента: RU2621254C1. Автор: Виктор Константинович Болондинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт леса Карельского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of producing monoalkylated aromatic compounds with high linearity and controlled isomery

Номер патента: RU2460715C2. Автор: АЛЬМЕЙДА Хосе Луис ГОНСАЛЬВЕС,ТЕХЕРО Хосе Луис БЕРНА. Владелец: Сепса Кимика, С.А.. Дата публикации: 2012-09-10.

Efficient ultra low drop out power regulator

Номер патента: US5736843A. Автор: Dilip A. Amin. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Improved Method of and Apparatus for Twisting Wires and the like and Assembling them to Form Rings.

Номер патента: GB124215A. Автор: Alphonso Comstock Pratt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1920-03-04.

Ultra-low pollutant emission combustion method and apparatus

Номер патента: US5158445A. Автор: Mark J. Khinkis. Владелец: Institute of Gas Technology. Дата публикации: 1992-10-27.

Method of manufacturing a node and of securing a plurality of structural components to the node to form an article

Номер патента: US20060064874A1. Автор: Robert Durand,Kenneth Bonnville. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Methods and system for treating human body part with ultra-low magneto-electric field

Номер патента: US20230293902A1. Автор: PV Shyam Sunder. Владелец: Aether Mindtech Solutions Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Analgesia via low and ultra-low frequency magnetic or electromagnetic fields and related systems and methods

Номер патента: US20240123249A1. Автор: Xavier A. Figueroa,Bennett Michael Butters. Владелец: Emulate Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ultra low power solid state spectral radiometer

Номер патента: US20150083890A1. Автор: Robert J. Walters,Phillip P. Jenkins,Raymond Hoheisel,David A. Scheiman,Justin R. Lorentzen. Владелец: US Naval Research Laboratory NRL. Дата публикации: 2015-03-26.

Ultra-Low Power, Ultra High Thruput (ULTRA2) ASIC-based Cognitive Processor

Номер патента: US20160125606A1. Автор: Medhat Azzazy,James W. Justice,Virgillio Villacorta,Xuemin Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Ultra-low idle management

Номер патента: EP3812569A1. Автор: Patrick Keller,Brent M. Hunold,Justin J. URBANEK,Justin E. Fritz. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2021-04-28.

Tube picking mechanism for an automated, ultra-low temperature storage and retrieval system

Номер патента: EP2315991A2. Автор: Julian Warhurst,James O'Toole,Raymond T. Howard,Behrouz Zandi,Michael A. Carman. Владелец: Hamilton Storage Technologies Inc. Дата публикации: 2011-05-04.

Methods and system for treating human body part with ultra-low magneto-electric field

Номер патента: WO2023175635A1. Автор: PV Shyam Sunder. Владелец: Aether Mindtech Solutions Private Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Ultra-low temperature storage and dispensing system

Номер патента: WO2022156002A1. Автор: Jun Chen,Kwan Chung Jonathan LAU. Владелец: Alpha International Health Solution Limited. Дата публикации: 2022-07-28.

Forming method to form a group of smoking articles and respective forming device

Номер патента: EP4365093A1. Автор: Roberto Polloni,Michele Squarzoni. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2024-05-08.

一种晶圆激光low-k设备旋转涂胶真空载台

Номер патента: CN218655292U. Автор: 张伟,巩铁建,陶为银,蔡正道,闫兴,乔赛赛,鲍占林. Владелец: Henan General Intelligent Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

一种晶圆激光low-k设备旋转涂胶真空载台

Номер патента: CN115106262A. Автор: 张伟,巩铁建,陶为银,蔡正道,闫兴,乔赛赛,鲍占林. Владелец: Henan General Intelligent Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

晶圆激光low-k设备旋转涂胶真空转接装置

Номер патента: CN114589073A. Автор: 张伟,巩铁建,陶为银,蔡正道,闫兴,乔赛赛,鲍占林. Владелец: Henan General Intelligent Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Ultra-low temperature rotator apparatus

Номер патента: WO2022195298A1. Автор: Anthony Matthews,Ben BRYANT. Владелец: Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for granting form operation authority respectively according to form field values

Номер патента: EP3651094A1. Автор: Dazhi Chen. Владелец: Chengdu Qianniucao Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Systems and methods of determining margins of an image for content insertion to form a composite image

Номер патента: US20240112304A1. Автор: Jessica Lundin,Michael Sollami. Владелец: Salesforce Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

一种晶圆low-k膜激光开槽设备

Номер патента: CN219597148U. Автор: 苏文华,苏佳莹. Владелец: Zhejiang Dashi Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

A mixing device and method for mixing a first substance and a second substance to form a mixed substance

Номер патента: US20240181405A1. Автор: Johan Adriaan Martens,Nielsen WILLEMARCK. Владелец: Magnets For Emulsions NV. Дата публикации: 2024-06-06.

Highly resistant self-adhesive laminated cover and device to form a self-adhesive laminated cover

Номер патента: US20130115403A1. Автор: Carlos Alfredo Lima,Pedro Luis Tardeli,Edilson Dominicheli. Владелец: Pertech do Brasil LTDA. Дата публикации: 2013-05-09.

System for bonding layers comprising fibers to form a nonwoven web

Номер патента: US12043933B2. Автор: Dennis Latendorf,Jean-Michel Ugnon-Coussioz. Владелец: ANDRITZ KUESTERS GMBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Dental implant instrument set and sinus curettes for vertically displacing sinus mucosa to form a space for bone augmentation

Номер патента: US20210378786A1. Автор: Hsiu-Kuo CHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-09.

Equipment to approximate tissue portions, which are intented to form an anastomosis, and a method for performing anastomoses in tracts of the digestive tube

Номер патента: WO2007080111A3. Автор: Alessandro Pastorelli,Jesse J Kuhns,Federico Bilotti,Arcangelo Michele D,Roberto Tacchino. Владелец: Roberto Tacchino. Дата публикации: 2007-12-13.

Equipment to approximate tissue portions, which are intented to form an anastomosis, and a method for performing anastomoses in tracts of the digestive tube

Номер патента: EP1973477A2. Автор: Alessandro Pastorelli,Michele D'arcangelo,Jesse J. Kuhns,Federico Bilotti,Roberto Tacchino. Владелец: Ethicon Endo Surgery Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Equipment to approximate tissue portions, which are intented to form an anastomosis

Номер патента: EP1973477B1. Автор: Alessandro Pastorelli,Michele D'arcangelo,Jesse J. Kuhns,Federico Bilotti,Roberto Tacchino. Владелец: Ethicon Endo Surgery Inc. Дата публикации: 2010-09-15.

Equipment to approximate tissue portions, which are intened to form an anastomosis, and a method for performing anastomoses in tracts of the digestive tube

Номер патента: US20120179177A1. Автор: Alessandro Pastorelli,Michele D'arcangelo,Jesse J. Kuhns,Federico Bilotti,Robert Tacchino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Equipment to approximate tissue portions, which are intented to form an anastomosis, and a method for performing anastomoses in tracts of the digestive tube

Номер патента: WO2007080111A2. Автор: Alessandro Pastorelli,Michele D'arcangelo,Jesse J. Kuhns,Federico Bilotti,Roberto Tacchino. Владелец: Ethicon Endo-Surgery, Inc.. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for bonding two fiber composite components with each other to form a fiber composite structure

Номер патента: US20230302740A1. Автор: Peter Linde,Norbert Heltsch. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-09-28.

A method of producing a retaining device for nails to form a row of nails,and an apparatus for carrying out the method

Номер патента: WO1980001790A1. Автор: Peder Pedersen,Erik Berendtsen. Владелец: Nordiske Kabel Traad. Дата публикации: 1980-09-04.

Preactive oxygen modification to form peripheral seal for vacuum insulated glazing (VIG) unit

Номер патента: US12054983B2. Автор: SIMON Johnsen,Søren Vejling ANDERSEN,Thibault DE RYCKE,Karsten Hansgaard NIELSEN. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2024-08-06.

Processing method for data which is combined to form a plurality of data records, using a plurality of applications

Номер патента: US20040040027A1. Автор: Gerold Herold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for bonding two fiber composite components with each other to form a fiber composite structure

Номер патента: EP4238743A1. Автор: Peter Linde,Norbert Heltsch. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of improved multilevel copper metallisation using dielectrics with ultra low dielectric constant (ultra low-k)

Номер патента: RU2486632C2. Автор: Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Владимир Александрович Гвоздев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2013-06-27.

Low k dielectric gapfill

Номер патента: WO2024129962A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Joel David Smith,Michael David GALLUZZO. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-20.

Способ изготовления усовершенствованной многоуровневой медной металлизации с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k)

Номер патента: RU2011130345A. Автор: Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Владимир Александрович Гвоздев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2013-01-27.

Impact-resistant polystyrene modified with linear and branched diene rubbers

Номер патента: RU2291875C1. Автор: Владимир Михайлович Бусыгин,Наиль Рахматуллович Гильмутдинов,Наталья Павловна Борейко,Хамит Хамисович ГИЛЬМАНОВ,Наталь Павловна Борейко,Ахат Фатхулба нович Минуллин,Ахат Фатхулбаянович Минуллин,Наиль Саитгалеевич Нургалиев. Владелец: Открытое акционерное общество "Нижнекамскнефтехим". Дата публикации: 2007-01-20.

Thermal formwork for manufacturing of pre-stressed monolithic reinforced concrete structures with linear and flat pre-stressing

Номер патента: RU2491395C2. Автор: Виктор Аршакович Кеворков. Владелец: Виктор Аршакович Кеворков. Дата публикации: 2013-08-27.

ULTRA-LOW FIELD NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE METHOD TO DISCRIMINATE AND IDENTIFY MATERIALS

Номер патента: US20120001631A1. Автор: Kraus,Espy Michelle A.,MATLASHOV ANDREI NIKOLAEVICH,VOLEGOV PETR LVOVICH,JR. ROBERT HENRY,Urbaitis Algis V.. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Folding bicycle with linear pedaling

Номер патента: RU2494910C1. Автор: Сергей Николаевич Лукьянов. Владелец: Сергей Николаевич Лукьянов. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for separation of quasi-stationarity segments in process of speech signal analysis in vocoders with linear prediction

Номер патента: RU2400831C1. Автор: Андрей Алексеевич Афанасьев,Илья Владимирович Ульянов,Станислав Рамзесович Габдулгазиев,Владимир Геннадьевич Трубицын. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФСО России). Дата публикации: 2010-09-27.

Method for generation of excitation signal in low-speed vocoders with linear prediction

Номер патента: RU2400832C2. Автор: Михаил Юрьевич Конышев,Андрей Алексеевич Афанасьев,Илья Владимирович Ульянов,Андрей Алексеевич Афанасьев (RU),Илья Владимирович Ульянов (RU),Михаил Юрьевич Конышев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФCО России). Дата публикации: 2010-09-27.

Method of making single-mode fiber light-guide with linear double-refraction

Номер патента: RU2259576C2. Автор: А.М. Курбатов. Владелец: Курбатов Александр Михайлович. Дата публикации: 2005-08-27.

Antenna device with linear polarization

Номер патента: RU2282287C1. Автор: Герман Ефимович Бердичевский,Андрей Николаевич Шестун. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Конверсия" (ОАО НПП "Конверсия"). Дата публикации: 2006-08-20.

Method of catalytic hudrogen cracking of hydrocarbon raw material for receiving of ultra low-sulphur light diesel fuel

Номер патента: RU2386669C2. Автор: Том Нельсон КЭЛЬНЕЗ,Васант Прагджи ТХАККАР,Ричард Кейт ХОЭН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of forming ultra-fine-grained structure in billets from metal and alloys

Номер патента: RU2456111C1. Автор: Владимир Валентинович Латыш,Владимир Алексеевич Шундалов,Сергей Петрович Павлинич,Владимир Юрьевич Иванов,Альфред Васимович Шарафутдинов,Игорь Николаевич Михайлов,Юрий Васильевич Артюхин. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское моторостроительное производственное объединение". Дата публикации: 2012-07-20.

Methods for preparing basic aluminium compounds with ultrasound

Номер патента: IE80671B1. Автор: Jawahar C Parekh,Vijay K Joshi. Владелец: Reheis Inc. Дата публикации: 1998-11-18.

Valve with linear actuator

Номер патента: RU2443922C2. Автор: Владислав Сергеевич Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект". Дата публикации: 2012-02-27.

Valve with linear actuator

Номер патента: RU2443923C2. Автор: Владислав Сергеевич Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект". Дата публикации: 2012-02-27.

Valve with linear actuator

Номер патента: RU2443924C2. Автор: Владислав Сергеевич Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект". Дата публикации: 2012-02-27.

Valve with linear drive

Номер патента: RU2450190C2. Автор: Владислав Сергеевич Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект". Дата публикации: 2012-05-10.

Production method of ultra low carbon cold-rolled isotropic electrical steel

Номер патента: RU2521921C1. Автор: Сергей Юрьевич Бубнов,Александр Сергеевич Лавров,Вячеслав Алексеевич Синельников,Сергей Васильевич Бахтин. Владелец: Открытое акционерное общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2014-07-10.

Ultra low mass airplane

Номер патента: RU2336200C2. Автор: Станислав Анатольевич Клюйкин,Юрий Анатольевич Бехтер,Владимир Александрович Бессмертный,Григорий Иванович Зинченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РЭМЗ-АВИА". Дата публикации: 2008-10-20.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657A. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657B. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法

Номер патента: CN117747657. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

METHOD AND APPARATUS FOR DELIVERING SEQUENTIAL SHOTS TO MULTIPLE CAVITIES TO FORM MULTILAYER ARTICLES

Номер патента: US20120003343A1. Автор: NAHILL THOMAS E.,ARMSTRONG RALPH. Владелец: Graham Packing Company, LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Polybiguanides with linear and comb-liked structure

Номер патента: RU2239629C1. Автор: П.А. Гембицкий,К.М. Ефимов,С.В. Мартыненко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Международный институт эколого-технологических проблем". Дата публикации: 2004-11-10.

Radar station with space probing with phase-shift keyed signals with linear adjustment of duration of partial radio pulses

Номер патента: RU2405169C2. Автор: Николай Иванович Козачок,Николай Михайлович Радько,Наиль Галимзянович Ибрагимов,Михаил Леонидович Артемов,Валентин Антонович Хитровский,Олег Аркадиевич Иркутский. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2010-11-27.

Submersible plant with linear electric motor and double-acting pump

Номер патента: RU2535900C1. Автор: Анатолий Михайлович Санталов,Ольга Николаевна Хоцянова,Иван Дмитриевич Хоцянов,Дмитрий Вячеславович Струнин,Сергей Леонидович Стенин. Владелец: Сергей Леонидович Стенин. Дата публикации: 2014-12-20.

System for train radio communication with linear composite digital channel (versions)

Номер патента: RU2475398C1. Автор: Олег Сергеевич Андрушко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт информатизации, автоматизации и связи на железнодорожном транспорте" (ОАО "НИИАС"). Дата публикации: 2013-02-20.

Valve with linear drive

Номер патента: RU2446337C2. Автор: Владислав Сергеевич Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Технопроект". Дата публикации: 2012-03-27.

Radar station for successive range scanning with linear adjustment of duration of probing phase-shift keyed radio pulses

Номер патента: RU2405170C1. Автор: Николай Иванович Козачок,Николай Михайлович Радько,Наиль Галимзянович Ибрагимов,Михаил Леонидович Артемов,Валентин Антонович Хитровский,Олег Аркадиевич Иркутский. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2010-11-27.

Relay pneumo-hydraulic drive with linearization by oscillation of rocket control systems and armament installations

Номер патента: RU2243491C1. Автор: А.В. Гусев,В.С. Фимушкин,Ф.Ф. Тошнов,А.А. Заславский. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2004-12-27.

Method to prevent concussion of piston groups against cylinder ends in free-piston compressor with linear electric motor with help of gas distribution valves

Номер патента: RU2548702C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2015-04-20.

Passenger door with linear guide for public passenger transport facilities

Номер патента: RU2569452C1. Автор: Андреас ПЕЛЛЕГРИНИ,Ульрих АРЕНД. Владелец: Гебр. Боде Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2015-11-27.

Recumbent bicycle with linear drive

Номер патента: RU2449914C1. Автор: Сергей Николаевич Лукьянов. Владелец: Сергей Николаевич Лукьянов. Дата публикации: 2012-05-10.

Multicopter with linear arrangement of propeller sets

Номер патента: RU2577822C2. Автор: Владимир Иванович Путинцев. Владелец: Владимир Иванович Путинцев. Дата публикации: 2016-03-20.

Method to prevent concussion of piston groups against cylinder ends in free-piston compressor with linear electric motor with help of electric energy counter pulses

Номер патента: RU2543911C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2015-03-10.

Improvements in or relating to forming apparatus

Номер патента: NZ551222A. Автор: Andrew Leo Haynes,Christopher John Nicholls,Samuel Gwynn Buckingham,Gabriel Ioan Girdiu. Владелец: Andrew Leo Haynes. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for assessment of ability of microorganisms to form biofilms on solid phase surface

Номер патента: RU2461631C1. Автор: Этери Ромеовна Толордава,Юлия Михайловна Романова,Александр Леонидович Гинцбург,Наталья Валентиновна Алексеева,Татьяна Валентиновна Степанова,Ирина Глебовна Тиганова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-исследовательский Институт эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ФГБУ "НИИЭМ им. Н.Ф. Гамалеи" Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-20.

Roll passes for asymmetric forming of breakdowns out of hard-to-form alloys

Номер патента: RU2218224C1. Автор: Ю.А. Мягков. Владелец: ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение. Дата публикации: 2003-12-10.

Method to form wear-resistant layer of working surface of sliding supports

Номер патента: RU2274776C2. Автор: Виктор Никонорович Семенов,Леонид Алексеевич Толстиков,Александр Сергеевич Сидоренко,Сергей Сергеевич Головченко,Михаил Викторович Зайцев,Константин Иванович Недашковский. Владелец: ОАО "НПО Энергомаш имени академика В.П. Глушко". Дата публикации: 2006-04-20.

Device to form products from loose powder-like materials

Номер патента: RU2366574C1. Автор: Николай Евдокимович Королев,Валерий Ерахмиельевич Зубкин,Владимир Михайлович Коновалов. Владелец: Владимир Михайлович Коновалов. Дата публикации: 2009-09-10.

Method to form epitaxial films of cobalt on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2465670C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Людмила Алексеевна Чеботкевич,Андрей Вадимович Зотов,Александр Вячеславович Давыденко,Алексей Игоревич Ильин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Method to form flat-topped microrelief of tribological conjunctions with lubricating microrecesses

Номер патента: RU2530606C2. Автор: Виктор Павлович Кузнецов,Владимир Георгиевич Горгоц,Ольга Венедиктовна Дмитриева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор". Дата публикации: 2014-10-10.

Method to form lane in winter period

Номер патента: RU2414561C1. Автор: Виктор Евгеньевич Кисляков,Ольга Александровна Корзун,Артем Александрович Гузеев,Андрей Александрович Шершнев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2011-03-20.

Method to form heat protective coating of rocket engine combustion chamber

Номер патента: RU2266422C1. Автор: Г.И. Шайдурова,Б.А. Нестеров,В.Б. Шатров,М.Е. Волк. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2005-12-20.

Method for making microwire from hard-to-form materials

Номер патента: RU2146975C1. Автор: М.В. Соколов,В.И. Новожонов,В.Л. Колмогоров,А.Г. Залазинский,А.А. Шабашов. Владелец: Институт машиноведения Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2000-03-27.

Method to form decorative face surface of concrete articles

Номер патента: RU2243890C1. Автор: А.А. Семенов,Р.Р. Сахибгареев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2005-01-10.

Method and gear to form polarization portrait of ground or sea surface in double-frequency radar with synthesized aperture

Номер патента: RU2166774C2. Автор: А.В. Очеповский,Д.В. Подгрудков,А.И. Топников. Владелец: Тамбовский военный авиационный инженерный институт. Дата публикации: 2001-05-10.

Method to form water impermeable reinforced concrete screen in cracked waterlogged rock massifs

Номер патента: RU2470117C1. Автор: Александр Порфирович Андриевский,Алексей Евгеньевич Зуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2012-12-20.

Method to form multicharge in drowned well

Номер патента: RU2449241C1. Автор: Юрий Викторович Субботин,Павел Борисович Авдеев,Валерий Васильевич Глотов,Юрий Михайлович Овешников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2012-04-27.

Tool to form angle-type variable-section products with metal back flow

Номер патента: RU2388560C2. Автор: Евгений Александрович Колкунов. Владелец: Евгений Александрович Колкунов. Дата публикации: 2010-05-10.

Method to form snow-compacted surfaces of ski slopes and ski runs and device for its realisation (versions)

Номер патента: RU2423574C1. Автор: Дмитрий Николаевич Устюгов. Владелец: Дмитрий Николаевич Устюгов. Дата публикации: 2011-07-10.

Mandrel device to form enclosure of complex shape

Номер патента: RU2542305C1. Автор: Евгений Николаевич Калинин,Илья Юрьевич Копанев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "ИВГПУ"). Дата публикации: 2015-02-20.

Method to form and structure of crown of treelike vineyard (version of russian logics - version 2)

Номер патента: RU2477602C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-03-20.

Dual transducer assembly with linear adjustment

Номер патента: CA1243777A. Автор: John H. Miller, Iii. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1988-10-25.

ULTRA LOW-POWER CMOS BASED BIO-SENSOR CIRCUIT

Номер патента: US20120001614A1. Автор: Zafar Sufi,Bansal Aditya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface in on-board doppler radar station with linear antenna array

Номер патента: RU2569843C1. Автор: Владимир Константинович Клочко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-11-27.

Bicycle with linear drive

Номер патента: RU2400391C2. Автор: Сергей Николаевич Лукьянов. Владелец: Сергей Николаевич Лукьянов. Дата публикации: 2010-09-27.

Programmable contact-free angular movement indicator with linear angular range within limits of 360°

Номер патента: RU2317522C2. Автор: Сергей Федорович Яцун,Светлана Станиславовна Сысоева,Иван Сафонович Захаров. Владелец: Курский государственный технический университет КурскГТУ. Дата публикации: 2008-02-20.

Method to form moisture-provided design of forest belt

Номер патента: RU2443101C1. Автор: Юрий Михайлович Жданов,Иван Григорьевич Зыков. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт агролесомелиорации. Дата публикации: 2012-02-27.

Method for producing hot rolled commercial and conversion tubes of large- and mean-diameters of hard-to-form steels and alloys in tube rolling plants with pilger mills

Номер патента: RU2306991C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Кирилл Николаевич Никитин,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг,Рашид Фасхеевич Нугумонов,Игорь Александрович Романцов,Валерий Александрович Логовиков,нов Анатолий Васильевич Сафь (RU),Валентин Иреклеевич Тазетдинов (RU),Исаак Иосифович Вольберг (RU),Леонид Игнатьевич Лапин (RU),Сергей Васильевич Ненахов (RU),Игорь Александрович Романцов (RU),Валерий Александрович Головинов (RU),Кирилл Николаевич Никитин (RU),Александр Анатольевич Федоров (RU),Николай Григорьевич Дановский (RU),Борис Семенович Литвак (RU),Александр Юрьевич Матюшин (RU),Валерий Александрович Логовиков (RU),Рашид Фасхеевич Нугумонов (RU). Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2007-09-27.

Facility to perforate holes and to form cracks in seam ( versions )

Номер патента: RU2170339C2. Автор: В.Н. Аликин,Г.Э. Кузьмицкий,П.М. Южанинов,С.Е. Ильясов,Н.М. Пивкин,Н.М. Пелых,А.М. Дуванов,Л.С. Воробьев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Пермский завод имени С.М. Кирова". Дата публикации: 2001-07-10.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method to form and maintain glades under air power lines in protection forests

Номер патента: RU2371908C2. Автор: Сергей Михайлович Львов. Владелец: Сергей Михайлович Львов. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of casting of ring-like ingots from refractory difficult-to-form nickel-based alloys

Номер патента: RU2422244C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Елена Михайловна Висик,Виктор Владимирович Герасимов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2011-06-27.

Method of obtaining l-threonine with use of bacterium belonging to sort escherichia, modified in such manner that ability to form "kerly" type villus is broken

Номер патента: RU2338782C2. Автор: тинер Михаил Маркович Гус,Михаил Маркович Гусятинер,Константин В чеславович Рыбак,Константин Вячеславович Рыбак,Эльвира Борисовна Ворошилова,Александра Юрьевна Скороходова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт Аджиномото-Генетика" (ЗАО АГРИ). Дата публикации: 2008-11-20.

Method to form surface layer of ice massif in closed premises

Номер патента: RU2416058C1. Автор: Анатолий Валентинович Шибаев,Константин Геннадьевич Бирюлин,Сергей Владимирович Усенко. Владелец: Сергей Владимирович Усенко. Дата публикации: 2011-04-10.

Manufacturing method of three-layered hollow centrifugal cast sections from difficult-to-form steel grades and alloys, which are cladded with ductile carbon steel grades, and rolling from them on pipe rolling units with pilger mills of hot-rolled mechanically treated merchantable and process pipes of large and mean diameters

Номер патента: RU2550040C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Кирилл Николаевич Никитин,Владимир Яковлевич Осадчий,Евгений Юрьевич Шмаков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Владимир Петрович Пашнин. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатныйй завод". Дата публикации: 2015-05-10.

Hydraulic press to form axially symmetric parts by rolling

Номер патента: RU2366578C2. Автор: Алексей Михайлович Володин,Владислав Алексеевич Сорокин,Николай Павлович Петров,Юрий Анатольевич Зимин,Анатолий Григорьевич Благодеров. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Тяжпрессмаш". Дата публикации: 2009-09-10.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

Method of hardening of concentrate of transplutonium or transplutonium and rare-earth elements to form cermet

Номер патента: RU2138866C1. Автор: В.И. Соколов,А.В. Стрельников,В.А. Старченко. Владелец: Научно-производственное объединение "Радиевый институт им.В.Г.Хлопина". Дата публикации: 1999-09-27.

Method of producing cold-rolled sheet steel from ultra-low-alloy steel

Номер патента: RU2452777C1. Автор: Александр Иванович Трайно,Андрей Дмитриевич Русаков,Игорь Зиновьевич Вольшонок,Виктор Тимофеевич Торшин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-06-10.

Method to form single information data base on surfaces of advertisement vehicles

Номер патента: RU2466465C2. Автор: Илья Владимирович Балахничёв,Алёна Юрьевна Балахничёва,Илья Владимирович Балахничёв (RU),Алёна Юрьевна Балахничёва (RU). Владелец: Илья Владимирович Балахничёв. Дата публикации: 2012-11-10.

一种超窄切割道low-k介质晶圆激光开槽装置

Номер патента: CN220296142U. Автор: 陈松涛,田耕,董和平,何在田. Владелец: Zhengzhou Rtit Research Institute. Дата публикации: 2024-01-05.

An Improved Appliance for Forging or Shaping the Ends of Tubes to form the Joints of Cycle Frames, Handle Bars, Saddle Pins, and the like.

Номер патента: GB189801859A. Автор: Charles Frederick Grapes,Thomas Teat. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-07-16.

Laminate/container formed from sheet wound on mandrel with removal of adhesive to form weakened areas for container corners

Номер патента: NZ578683A. Автор: Bertram Alan Lancaster. Владелец: B A LANCASTER Ltd. Дата публикации: 2010-11-26.

Machine for Packing the Ground, and for Mixing Sand, Water, and Cement to Form Concrete, and Discharging, Laveling, and Tamping the same on the Packed Ground, to Form a Bed for Street and Sidewalk Construction.

Номер патента: GB190203975A. Автор: James Thomas Dempsey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-05-08.

Head for attachment to a Fish to form a Fishing Lure and a Method of forming a Lure Head

Номер патента: AU2017203893B2. Автор: David Malcolm Stephens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-06.

一种Low-K wafer结构

Номер патента: CN215220699U. Автор: 徐烨锋,王红晓,王修垒. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Method to form forgings of elongated shape with two symmetrical longitudinal ribs and device for implementation of method

Номер патента: RU2641217C2. Автор: Алексей Викторович Пчельников,Екатерина Сергеевна Козинкина. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2018-01-16.

Capacitive pressure transducer and device to form its output signal

Номер патента: RU2010202C1. Автор: Е.М. Белозубов. Владелец: Научно-исследовательский институт физических измерений. Дата публикации: 1994-03-30.

FABRICATION METHOD OF SEAMLESS HOT-DEFORMED MECHANICALLY TREATED TUBES WITH DIAMETRE OF 530-550 mm FROM CORROSION-RESISTANT DIFFICULT-TO-FORM GRADES OF STEEL AND ALLOYS ON TUBE-FORMING INSTALLATION 8-16" WITH PILGER MILLS

Номер патента: RU2387501C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Сергей Геннадьевич Чикалов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method for preparing forged and continuously cast billets, electroslag refining ingots, hollow-sleeve-blanks of electroslag refining for rolling boiler tubes and preparing hollow sleeve-blanks of hard-to-form steels and alloys for rolling commercial and conversion tubes

Номер патента: RU2306993C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Исаак Иосифович Вольберг,Игорь Александрович Романцов,Сергей Генадьевич Чикалов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2007-09-27.

Method for producing by electrolag refining ingot-blanks of hard-to-form steels and alloys and for rolling of them commercial tubes of large and mean diameters in tube rolling plants with pilger mills and conversion tubes for further rerolling in tube cold rolling mills

Номер патента: RU2322317C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Кирилл Николаевич Никитин,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,нов Анатолий Васильевич Сафь,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Валерий Николаевич Половинкин,Владимир Александрович Демидов,Наталь Петровна Павлова,Наталья Петровна Павлова,Николай Николаевич Букин. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2008-04-20.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres from difficult-to-form grades of steel and alloys on tube-forming installation with pilger mills

Номер патента: RU2387497C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method to form flow of vegetation mass and to feed seed blossom clusters of crops into threshing zone and device for its realisation (versions)

Номер патента: RU2415551C2. Автор: Алексей Иванович Бурьянов,Михаил Алексеевич Бурьянов,Александр Иванович Дмитренко,Геннадий Ефимович Колесников,Алексей Иванович Бурьянов (RU),Александр Иванович Дмитренко (RU),Михаил Алексеевич Бурьянов (RU),Геннадий Ефимович Колесников (RU). Владелец: Государственное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский проектно-технологический институт механизации и электрификации сельского хозяйства" (ВНИПТИМЭСХ). Дата публикации: 2011-04-10.

Method for making conversion cast iron and technical-grade tubes from center-die cast hollow billets of hard-to-form steels and alloys

Номер патента: RU2233721C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,С.А. Панов,В.А. Логовиков,В.В. Гавриш,А.Ю. Матюшин. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-08-10.

Method to form distal-lateral interintestinal anastomosis

Номер патента: RU2071277C1. Автор: Н.А. Никитин. Владелец: Филиал Пермского медицинского института. Дата публикации: 1997-01-10.

Emulsion of perfluoroorganic compounds with gas transport properties

Номер патента: RU2469714C1. Автор: Георгий Николаевич Ворожцов,Виктор Васильевич Мороз,Валентина Николаевна Безуленко,Ир Гвон Хан,Алла Николаевна Калиниченко,Аркадий Валентинович Хромов,Лариса Викторовна Даниленко,Василий Иванович Решетняк,Аркадий Михайлович Голубев,Райся Курбан Галиевна Фейзулова,Екатерина Александровна Соболева,Александра Владимировна Каретенкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр "Научно-исследовательский институт органических полупродуктов и красителей" (ФГУП "ГНЦ "НИОПИК"). Дата публикации: 2012-12-20.

Dna coding modified antibody or compound with tpo agonist activity, method of producing them and animal cell or microorganism producing them

Номер патента: RU2422528C2. Автор: Масаюки ЦУТИЯ,Тосихико ОХТОМО,Наохиро ЯБУТА,Хироюки ЦУНОДА,Тецуро ОРИТА. Владелец: Тугаи Сейяку Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Method to form compact element and blaster projector for its realisation

Номер патента: RU2435128C1. Автор: Дмитрий Владиленович Маляров,Олеся Анатольевна Кочетова,Дмитрий Владиленович Маляров (RU),Олеся Анатольевна Кочетова (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2011-11-27.

Synthesis of novel class of fluorine-containing liquid-crystalline compounds with application of chladone 114b2 as initial compound

Номер патента: RU2505529C1. Автор: Алексей Владимирович Шастин,Алексей Андреевич Гольдберг,Елизавета Сергеевна Баленкова,Валентин Георгиевич Ненайденко,Василий Михайлович Музалевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2014-01-27.

Method of large-diameter pipe rolling of difficult-to-form steel brands at pilger mill

Номер патента: RU2334572C2. Автор: Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Владимир Яковлевич Осадчий,Николай Петрович Климов,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Дмитрий Всеволодович Марков,Евгений Витальевич Власов,нов Анатолий Васильевич Сафь (RU),Леонид Игнатьевич Лапин (RU),Сергей Васильевич Ненахов (RU),Николай Петрович Климов (RU),Валерий Андреевич Логовиков (RU),Дмитрий Всеволодович Марков (RU),Николай Григорьевич Дановский (RU),Виктор Николаевич Еремин (RU),Владимир Яковлевич Осадчий (RU),Евгений Витальевич Власов (RU). Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of production of difficult to form forging of high-alloy steels and alloys

Номер патента: RU2258575C1. Автор: Д.А. Лившиц,В.И. Антонов,А.А. Кудрин,Н.И. Воробьев,А.Л. Подкорытов,Д.В. Шабуров,В.И. Абарин,П.И. Павлюк,Р.А. Закиров,Н.И. Воробьев (RU),Д.А. Лившиц (RU),А.Л. Подкорытов (RU),В.И. Антонов (RU),Д.В. Шабуров (RU),В.И. Абарин (RU),Р.А. Закиров (RU),А.А. Кудрин (RU),П.И. Павлюк (RU). Владелец: ОАО Челябинский металлургический комбинат "МЕЧЕЛ". Дата публикации: 2005-08-20.

Reinforced cage, process of its manufacture and gear to form billet of reinforced cage

Номер патента: RU2198272C2. Автор: А.Н. Чернов,В.А. Миллер,А.И. Кабанов. Владелец: Чернов Алексей Николаевич. Дата публикации: 2003-02-10.

Down-hole gear to form directed cracks

Номер патента: RU2184214C1. Автор: Н.Г. Кю,А.В. Новик,Д.С. Симонов. Владелец: Институт горного дела - научно-исследовательское учреждение СО РАН. Дата публикации: 2002-06-27.

Device to form articles of concrete mixture

Номер патента: RU2031781C1. Автор: С.Л. Ситников,П.В. Отрошко,В.И. Левин,Д.Н. Попов,В.Л. Хван. Владелец: Ситников Сергей Львович. Дата публикации: 1995-03-27.

Method for manufacturing ultra low carbon steel by ingot techniques using vacuum-degassing system

Номер патента: PH12012000154A1. Автор: Yokoyama Hideki. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2015-11-09.

Method for granting form operation authority respectively according to form field values.

Номер патента: OA19383A. Автор: Dazhi Chen. Владелец: CHENGDU QIANNIUCAO INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-31.

Improvements in or relating to Means for Uniting a Pair of Bicycles to Form a Quadricycle.

Номер патента: GB190412783A. Автор: Charles Herbert Nicholas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-13.

low-k芯片的封装结构及其制造方法

Номер патента: CN103681605A. Автор: 张海洋,王冬江. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Improvements in the Joining of Geometrical Blocks to Form Composite Objects or Toy Structures.

Номер патента: GB190315778A. Автор: Theodor Koch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-09-03.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.