Poly finger fabrication for hci degradation improvement of ultra-low-ron ednmos
Номер патента: US20190252521A1
Опубликовано: 15-08-2019
Автор(ы): Lin Wei, Raj Verma Purakh, Upinder Singh
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-08-2019
Автор(ы): Lin Wei, Raj Verma Purakh, Upinder Singh
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
POLY FINGER FABRICATION FOR HCI DEGRADATION IMPROVEMENT OF ULTRA-LOW-RON EDNMOS
Номер патента: US20190252521A1. Автор: Singh Upinder,Wei Lin,PURAKH Raj Verma. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.