Method for removing carbon-rich particles adhered on the exposed copper surface of a copper/low k dielectric dual damascene structure
Номер патента: US20020068435A1
Опубликовано: 06-06-2002
Автор(ы): Chia-Lin Hsu, Ming-Sheng Yang, Teng-Chun Tsai, Yung-Tsung Wei
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-06-2002
Автор(ы): Chia-Lin Hsu, Ming-Sheng Yang, Teng-Chun Tsai, Yung-Tsung Wei
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for removing carbon-rich particles adhered on a copper surface
Номер патента: US6455432B1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-24.