• Главная
  • Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with capping structure and method of forming the same

Номер патента: US20180166545A1. Автор: Chung-Ming Wang,Fang-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor tiling structure and method of formation

Номер патента: WO2002058133A2. Автор: Edward O. Travis,Sejal N. Chheda. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor tiling structure and method of formation

Номер патента: EP1354345A2. Автор: Edward O. Travis,Sejal N. Chheda. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Strained Si/SiGe/SOI islands and processes of making same

Номер патента: US20050029619A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Strained Si/SiGe/SOI islands and processes of making same

Номер патента: US7153753B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of making a gate structure

Номер патента: US09431505B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a FinFET device

Номер патента: US09496372B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of manufacturing fin diode structure

Номер патента: US09559091B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Ping-Chen CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230231033A1. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor integrated circuit device suppressing a junction leak and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020089035A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US5982008A. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US20010002720A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US6525360B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of selectively forming silicide

Номер патента: US6677234B1. Автор: Eric Gerritsen,Josephus F. A. M. Guelen,Walter J. A. De Coster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US20050142725A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Device isolation with improved thermal conductivity

Номер патента: US20150056777A1. Автор: Qizhi Liu,Dinh Dang,Mattias E. Dahlstrom,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Device isolation with improved thermal conductivity

Номер патента: US09564508B2. Автор: Qizhi Liu,Dinh Dang,Mattias E. Dahlstrom,Ramana M. MALLADI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20150048476A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

A semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20220173110A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Decoupling capacitor and method of making same

Номер патента: US09502400B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021735A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Oxide spacer in a contact over active gate finfet and method of production thereof

Номер патента: US20200083363A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Trench isolation interfaces

Номер патента: US11031283B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

FinFETs with reduced parasitic capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US09564353B2. Автор: Yu-Lien Huang,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Shallow trench isolation area having buried capacitor

Номер патента: US09536872B2. Автор: Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US09437595B2. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US20120292704A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US20150221646A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

FINFET stack gate memory and method of forming thereof

Номер патента: US11616145B2. Автор: Hsingya Arthur Wang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Method of forming a fin under a gate structure

Номер патента: US10937699B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Method of forming a fin under a gate structure

Номер патента: US20190267290A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150349050A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11887977B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240120329A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307435A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing MOSFET

Номер патента: US09691878B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-27.

FinFET and method of manufacturing same

Номер патента: US09515169B2. Автор: Haizhou Yin,Yunfei Liu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-06.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210265462A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559180B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Different shallow trench isolation fill in fin and non-fin regions of finFET

Номер патента: US09704994B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Minimizing transistor variations due to shallow trench isolation stress

Номер патента: US20090258468A1. Автор: Jong Shik Yoon,Andrew Tae Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of making triple well isolated diode

Номер патента: US12074208B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160300918A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9419104B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Trench isolation implantation

Номер патента: US09514976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Method of and apparatus for integrating flash EPROM and SRAM cells on a common substrate

Номер патента: US20030151111A1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of forming isolation trench with spacer formation

Номер патента: US20060094205A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Douglas Bonser,Asuka Nomura,Mark Kelling. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a trench structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US6107158A. Автор: Jie Zheng,Calvin Todd Gabriel,Suzanne Monsees. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US20170317161A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US09941348B2. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US11901217B2. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US20220093450A1. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of forming an STI feature while avoiding or reducing divot formation

Номер патента: US6689665B1. Автор: Syun-Ming Jang,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-10.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Method of manufacturing independent depth-controlled shallow trench isolation

Номер патента: US09779957B2. Автор: Jeng-Ping Lin,Shian-Jyh Lin,Jen-Jui HUANG,Chin-Piao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and method of forming a harmonic-effect-suppression structure

Номер патента: US20150001670A1. Автор: Tong-Yu Chen,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Trench isolation process

Номер патента: US20220122880A1. Автор: Clark Lee,Cheng-Hsin Chen,Che-Yi Lin,Chung-Lei Chen,Chung Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375879A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US8685830B2. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Oxynitride shallow trench isolation and method of formation

Номер патента: US20020177270A1. Автор: Fen Jamin,Klaus Beyer,Patrick Varekamp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuits with tub-ties and shallow trench isolation

Номер патента: US6358824B1. Автор: Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Thi-Hong-Ha Vuong. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Image sensor with hybrid deep trench isolation

Номер патента: US09923009B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Chih-Wei Hsiung. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of fabricating buried contact

Номер патента: US20020058367A1. Автор: Shih-Ying Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor-on-insulator device and method of fabricating the same

Номер патента: US09355889B2. Автор: Niamh Waldron. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of making semiconductor device having reduced bump height variation

Номер патента: US20240222318A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a semiconductor structure

Номер патента: US20210210381A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of making a local interconnect in an embedded memory

Номер патента: US20020098694A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: GB2600316A. Автор: Radens Carl,Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Basker Veeraraghavan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: WO2021009579A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09871135B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Ronghua Zhu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of making a programmable cell and structure thereof

Номер патента: US09634014B2. Автор: Akira Ito,Qintao Zhang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Transistor with a low-k sidewall spacer and method of making same

Номер патента: US09666679B2. Автор: DANIEL Benoit,Clement Gaumer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US12033900B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09997695B2. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09673376B1. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming a nanometer-gate mosfet device

Номер патента: US20030235990A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20200043900A1. Автор: Shin-puu Jeng,Jui-Pin Hung,Feng-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of making a semiconductor switch device

Номер патента: US20180337250A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09466700B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Shuo-Lun Tu,Shih-Chin Lien,Jiun-Yan Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: WO2003058644A2. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,I. S. T. Tsong,Levi Torrison. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2003-07-17.

Superhard dielectric compounds and methods of preparation

Номер патента: US20040191151A1. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Levi Torrison,I S T Tsong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of making RFID devices on fabrics by stitching metal wires

Номер патента: US09449942B1. Автор: Anwar Mohammed,Zhen Feng,Murad Kurwa,Weifeng Liu. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a transistor having a shallow junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100671594B1. Автор: 류창우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY

Номер патента: WO2006034355A3. Автор: Qizhi Liu,Peter J Geiss,Peter B Gray,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

FinFET device and method of manufacturing

Номер патента: US09966313B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Shesh Mani Pandey,Baofu ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of collector formation in BiCMOS technology

Номер патента: US20060124964A1. Автор: Peter Gray,Qizhi Liu,Peter Geiss,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Finfet device and method of manufacturing

Номер патента: US20180040516A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Shesh Mani Pandey,Baofu ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of making a semiconductor device with a stressor

Номер патента: US20080261355A1. Автор: Sinan Goktepeli,Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7687351B2. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

FINFET and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180337251A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Mis device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: EP1417717A2. Автор: Mohamed N. Darwish,Kyle Terrill,Kam Hong Lui,Kuo-In Chen,Frederick P. Giles. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of reducing leakage current in a MOS transistor

Номер патента: US20020155668A1. Автор: Chien-Hsing Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of ono integration into logic CMOS flow

Номер патента: US12048162B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Bo Jin,Fredrick B. Jenne. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method of etching a shallow trench

Номер патента: US09842743B1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of producing silicon single crystal ingot

Номер патента: US09777394B2. Автор: Wataru Sato,Nobuaki Mitamura,Susumu Sonokawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of making a current sensor and current sensor

Номер патента: US09810721B2. Автор: Robert Racz,Bruno Boury,Mathieu Ackermann,Laurent Coulot. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2017-11-07.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US20230209821A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: WO2023129203A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of making vertical MOSFET with sub-trench source contact

Номер патента: US5693547A. Автор: Mark I. Gardner,Michael Duane. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183863A1. Автор: Chia-Lan HSU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of testing wafer

Номер патента: US20210043566A1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Yen-Hsung Ho,Chih-Hsun Lin,Chia-Yi Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Asymmetrical FinFET structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09640660B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of making a fully depleted semiconductor-on-insulator programmable cell and structure thereof

Номер патента: US20170373074A1. Автор: Akira Ito,Qing Liu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US09466629B2. Автор: SunWoo PARK,Heegeun JEONG,Junho Yoon,Chungho SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing ESD protection structure

Номер патента: US20040058502A1. Автор: Jun Cai,Jun Song,Keng Lo,Guang Hua. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09711561B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09543350B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240064960A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

CMOS image sensor with peninsular ground contracts and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653511B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson Hsinchin Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Image sensors with voltage-biased trench isolation structures

Номер патента: US09584744B2. Автор: Victor Lenchenkov,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-emitting device and method of making said device

Номер патента: RU2510103C2. Автор: Косуке МАТОБА,Такеаки СИРАСЕ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of making a photovoltaic device with scratch-resistant antireflective coating and resulting product

Номер патента: EP2156474A2. Автор: Pramod K. Sharma. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Method of making bond pad

Номер патента: US20160020183A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of making wire connections of predetermined shape

Номер патента: SG77664A1. Автор: Hans Egger,Marit Seidel. Владелец: Esec Sa. Дата публикации: 2001-01-16.

Finger type photodiode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090085140A1. Автор: Deuk Hee Park,Ha Woong JEONG,Kyoung Soo Kwon,Chae Dong GO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of making light converting systems using thin light trapping structures and photoabsorptive films

Номер патента: US20240322059A1. Автор: Sergiy Vasylyev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of making a stack of the type comprising a first electrode, an active layer, and a second electrode

Номер патента: US09735361B2. Автор: Jean-Marie Verilhac,Simon Charlot. Владелец: Isorg SA. Дата публикации: 2017-08-15.

Monolithic ceramic component of gas delivery system and method of making and use thereof

Номер патента: US09580360B2. Автор: John Daugherty,Iqbal Shareef,Mike Ingamells. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Solid state detection devices, methods of making and methods of using

Номер патента: US09559225B2. Автор: Paul Bollond,Brijesh Vyas,Hugo F Safar. Владелец: LGS Innovations LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of making stacked chip layout

Номер патента: US09495500B2. Автор: Ying-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of Soldering for Making a PTC Device

Номер патента: KR100420470B1. Автор: 이안나,이종호,이종환,고창모,최수안,한준구,김주담. Владелец: 엘지전선 주식회사. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of making multilayer electronic component

Номер патента: US20070227642A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Hiroshi Yagi,Kazuharu Takahashi,Kazuyuki Hasebe,Akitoshi Yoshii,Tomohiko Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Focused ion beam system and method of making focal adjustment of ion beam

Номер патента: US09646805B2. Автор: Tomohiro Mihira. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Process for making a monomer solution for making cation exchange membranes

Номер патента: US09611368B2. Автор: Juchui Ray Lin. Владелец: Evoqua Water Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of making a cathode comprising a catalyst

Номер патента: EP1266416A2. Автор: George Cintra,Ignacio Chi,Jean Golay,Geoffrey Heyn,Marc J. Sinclair. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of making and processing catholyte and anolyte for solid state batteries

Номер патента: WO2023122203A1. Автор: Zhijun Gu,Rajesh Bashyam,Sai Nitin Yellamilli. Владелец: Hyzon Motors Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of making and processing catholyte and anolyte for solid state batteries

Номер патента: US20230198016A1. Автор: Zhijun Gu,Rajesh Bashyam,Sai Nitin Yellamilli. Владелец: Hyzon Motors Usa Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of making magnetically soft intermediate product

Номер патента: US20220282354A1. Автор: Thomas Kloss,Dieter Krech. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of making a magnetic material and a fluidized bed mixer for making the same

Номер патента: US20240226827A9. Автор: Qigui Wang,Yucong Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of making a magnetic material and a fluidized bed mixer for making the same

Номер патента: US20240131483A1. Автор: Qigui Wang,Yucong Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of making textured metals, textured metals, and uses thereof

Номер патента: US20240030400A1. Автор: Lynden A. Archer,Jingxu Zheng. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of making a flexible magnetized sheet

Номер патента: US09802353B2. Автор: Scott William Huffer. Владелец: Sonoco Development Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of making a part from powder

Номер патента: RU2699761C1. Автор: Денис Эрнестович Львов. Владелец: Денис Эрнестович Львов. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of making a perovskite layer at high speed

Номер патента: EP3977529A1. Автор: QI Li,Thomas Nathaniel Tombs,Scott Kenneth Christensen,Stephan J. DeLuca. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of making a perovskite layer at high speed

Номер патента: CA3142260A1. Автор: QI Li,Thomas Nathaniel Tombs,Scott Kenneth Christensen,Stephan J. DeLuca. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Shallow trench transistor deep trench capacitor memory cell

Номер патента: WO2002027797A2. Автор: Ulrike Gruening,Johann Alsmeier. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of making digital photograph and digital photograph made by that method

Номер патента: US7834913B2. Автор: Akira Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-16.

Method of making digital photograph and digital photograph made by that method

Номер патента: US20030112341A1. Автор: Akira Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of making digital photograph and digital photograph made by that method

Номер патента: US20080111895A1. Автор: Akira Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

On-demand method of making PCB pallets using additive manufacturing

Номер патента: US12041723B2. Автор: Luke Rodgers,Erik Gjovik. Владелец: Jabil Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of making a vehicle available and corresponding system for making a vehicle available

Номер патента: US09566943B2. Автор: Jean-Marc Dubois,Lionel FERRIERES,Eugenie Levallois. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2017-02-14.

Glass tubes and methods of making a substantially rectangular glass cover member

Номер патента: US9278877B2. Автор: Thierry Luc Alain Dannoux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Piezoelectric composites and methods of making

Номер патента: CA2876434C. Автор: Elizabeth Annamaria FRIIS,John Patrick Domann. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2020-12-01.

Glass tubes and methods of making a substantially rectangular glass cover member

Номер патента: US20140102142A1. Автор: Thierry Luc Alain Dannoux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A3. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-04-18.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A2. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2011-06-23.

Rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: US09714655B2. Автор: Marcus Ardron,Gunnar Moeller,Anthony O. Dye. Владелец: Epicam Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

ROTARY DEVICE AND A METHOD OF DESIGNING AND MAKING A ROTARY DEVICE

Номер патента: US20130142685A1. Автор: Moeller Gunnar,Ardron Marcus,Dye Anthony O.. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-06-06.

ROTARY DEVICE AND A METHOD OF DESIGNING AND MAKING A ROTARY DEVICE

Номер патента: US20180100502A1. Автор: Moeller Gunnar,Ardron Marcus,DYE Anthony Osborne. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Method of preparing or making a bore in a ground

Номер патента: DE102020119032A1. Автор: Christian Wild,Götz Tintelnot. Владелец: TPH Bausysteme GmbH. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of displaying and making a memo for specific positions using GPS

Номер патента: KR100444103B1. Автор: 김현철. Владелец: 에스케이텔레텍주식회사. Дата публикации: 2004-08-11.

Method of making a honeycomb body

Номер патента: RU2767424C2. Автор: Александер ШОЛЬЦ,Райнер ХАЙНРИХ,Лукас ХОРТ. Владелец: Кпт Груп Гмбх. Дата публикации: 2022-03-17.

Foldable digital microfluidic (dmf) device using flexible electronic platform and methods of making same

Номер патента: CA3134189A1. Автор: Gordon Hall. Владелец: NICOYA LIFESCIENCES Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Foldable digital microfluidic (DMF) device using flexible electronic platform and methods of making same

Номер патента: AU2020242931A1. Автор: Gordon Hall. Владелец: NICOYA LIFESCIENCES Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of producing polymer article

Номер патента: RU2710339C2. Автор: Йохан РОБРЕХТ. Владелец: Кейрё Пэкэджинг Са. Дата публикации: 2019-12-25.

Method of making a textile doll head and a doll head

Номер патента: RU2747122C1. Автор: Ирина Юрьевна Поцелуйко. Владелец: Ирина Юрьевна Поцелуйко. Дата публикации: 2021-04-28.

Method of making a hair for a clock mechanism

Номер патента: RU2696809C1. Автор: Кристиан ШАРБОН. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2019-08-06.

Method of making a container with stereoscopic effect and a label applied by deformation

Номер патента: RU2730527C2. Автор: Ву Хонг БИЮН. Владелец: Ву Хонг БИЮН. Дата публикации: 2020-08-24.

Method of making evacuation route label and evacuation route label

Номер патента: RU2533667C2. Автор: Вольфганг ЗУТТЕР. Владелец: Люфтганза Техник Аг. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of making turbojet nacelle structure with cellular cores

Номер патента: RU2515750C2. Автор: Бертран ДЕЖУАЙО,Тьерри ДЕШАМ,Джон МУТЬЕ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of making steel element

Номер патента: RU2700632C1. Автор: Хироёси ТАВА,Хироюки ИНОУЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-09-19.

Composition and method of making colour hologram

Номер патента: RU2350997C2. Автор: КАСИТАС Хуан ДАВИЛА. Владелец: Неопак, Сл. Дата публикации: 2009-03-27.

Method of making device containing at least one electronic element associated with substrate and antenna

Номер патента: RU2685973C2. Автор: Франсуа ДРО. Владелец: Нид Са. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of making part with channel to be assembled from separate parts

Номер патента: RU2480319C1. Автор: Клиффорд Х. БИЛЛ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-27.

Method of making a chocolate product

Номер патента: RU2672326C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of making portable data carrier

Номер патента: RU2382412C2. Автор: Фолькер ВАШК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Pad and method of its production

Номер патента: RU2736457C1. Автор: Томас Штрайхардт. Владелец: Фриц Эггер Гмбх Унд Ко. Ог. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of making a sign having raised characters

Номер патента: US5554685A. Автор: Robert W. Williams,Arnold R. Wolfe,Wayne L. Dorpfeld. Владелец: American Tactile Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Method of making and use of sterile plastic bag

Номер патента: US20240009908A1. Автор: Nick Bruns,Greg Hood. Владелец: Whirl Pak. Дата публикации: 2024-01-11.

Biosensor, method of making the same, and molecule detection method

Номер патента: US20240310373A1. Автор: Ying-Nien CHOU,Wei-Hao Gong. Владелец: SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-19.

Brush head with recessed bristles, brush, method of making and method of using same

Номер патента: US09635927B2. Автор: Sarina Godin,Jennifer Allen. Владелец: Bare Escentuals Beauty Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of making a flat-link chain

Номер патента: RU2702165C1. Автор: Дирк ФОРВЕРК. Владелец: Тиле Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-10-04.

Method of making blading part

Номер патента: RU2497627C2. Автор: БРУ ДЕ КЮИССАР Себастьен ДИГАР,Дамьен АЛЬКЬЕР. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Method of making cheap plastic ultrasonic flow metre

Номер патента: RU2398191C2. Автор: Саймон Джон РОДЕС. Владелец: Флоунетикс Лимитед. Дата публикации: 2010-08-27.

Method of making water-repellent element and use thereof

Номер патента: RU2729367C1. Автор: Франсуа РУФФЕНАХ. Владелец: Селлоз. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of making a grooved medical tube and apparatus for grooving the tube

Номер патента: IE58470B1. Автор: . Владелец: Sherwood Medical Co. Дата публикации: 1993-09-22.

Fence bracing apparatus and method of using the same

Номер патента: US20240240492A1. Автор: Raymond Lyons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of making hard copy prints of successively spaced pairs of half-frame film images

Номер патента: US20020105626A1. Автор: Joel Lawther. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of making tool path

Номер патента: US20020161471A1. Автор: Noriyuki Kato. Владелец: Okuma Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Methods of making coatings containing high density metal material and making coated articles with the same

Номер патента: US20180371282A1. Автор: Jason P. Dutter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-27.

Dry cellulose filaments and the method of making the same

Номер патента: US09803320B2. Автор: Patrick NEAULT,Yuxia Ben,Gilles Marcel Dorris,Thomas-Qiuxiong Hu. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2017-10-31.

Medical devices for delivering a bioactive to a point of treatment and methods of making medical devices

Номер патента: US09801983B2. Автор: Colleen Gemborys. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of making a buffer board of a treadmill

Номер патента: US09724842B2. Автор: Chung-Fu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Composite core and method of making same

Номер патента: US09713913B2. Автор: Paul Oldroyd,James D. Hethcock,Kenneth E. Nunn. Владелец: Textron Innovations Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making a construction panel

Номер патента: RU2720549C2. Автор: Юрий Михайлович Орлов. Владелец: Юрий Михайлович Орлов. Дата публикации: 2020-05-12.

Method of tribological characterization

Номер патента: WO2024121733A1. Автор: Matteo Redaelli,Pietro Barale,Francesco Varriale,Davide CARLEVARIS,Jens Christian WAHLSTRÖM. Владелец: BREMBO S.p.A.. Дата публикации: 2024-06-13.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US20170158923A1. Автор: Jawed Asrar,Uranchimeg Lester,Kiarash Alavi. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-06-08.

A radiation sensitive recording plate with orientation identifying marker, method of making, and of using same

Номер патента: EP1495364A1. Автор: George W. Kay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-12.

Bulk melt-to-make pectin-based gummy mix precursor and methods of making and using

Номер патента: AU2022347326A1. Автор: Sarah C. Walker-Mclaughlin,Siyue Gao. Владелец: M2m Gummies LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of making a coupled rangefinder / parallax 4x5 camera

Номер патента: US20040013422A1. Автор: Guillermo Litman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of making a coupled rangefinder/parallax 4×5 camera

Номер патента: US6778772B2. Автор: Guillermo E. Litman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-17.

Composite materials and methods of making and use thereof

Номер патента: WO2023235245A1. Автор: Chih-Hao Chang,I-Te Chen,Vijay Anirudh PREMNATH. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-12-07.

A method of making a header plate for a heat exchanger

Номер патента: GB2551003A8. Автор: Ciaffarafa Mario,Diakiw Andrew. Владелец: DENSO MARSTON LTD. Дата публикации: 2018-03-07.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20130130163A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: WO2009023479A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-02-19.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20110256644A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making a bullet-resistant transparent panel

Номер патента: US5372771A. Автор: Joseph Labock. Владелец: ArmorVision Plastic and Glass. Дата публикации: 1994-12-13.

Texturized Mottled Artificial Clothing Label and Methods of Making the Same

Номер патента: US20130196116A1. Автор: Cheryl B. Rueckert,Rhonda S. Lassila. Владелец: Neenah Paper Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Bulk melt-to-make pectin-based gummy mix precursor and methods of making and using

Номер патента: EP4401569A1. Автор: Sarah C. Walker-Mclaughlin,Siyue Gao. Владелец: M2m Gummies LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of making a homogeneous mixture of polyolefin solids and carbon solids

Номер патента: US12030220B2. Автор: Mohamed Esseghir,Saurav S. Sengupta. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Door comprising knotty surface and method of making the same

Номер патента: WO2019136193A1. Автор: Shirley Wang,Scott Evert Johnson,Jared Andrew Garrett. Владелец: PLASTPRO 2000, INC.. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of making disposable absorbent article with intergral landing zone

Номер патента: MY133749A. Автор: KLINE Mark James,Johnson Kevin Charles,Weirich David Michael. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2007-11-30.

Method for making a metallic credit card

Номер патента: US12045679B2. Автор: Travis Jean. Владелец: Travis Jean LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making a morphology-improved polyethylene powder

Номер патента: WO2024137235A1. Автор: Kishori DESHPANDE,Lalit A. DARUNTE,Pritishma Lakhe. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Spinel-structured metal oxide on a substrate and method of making same by molecular beam epitaxy

Номер патента: US20040123797A1. Автор: Scott Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Seasoning Composition and Method of Making a Gravy

Номер патента: US20240188612A1. Автор: James Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Wavelength shifting fiber and a method of making the same

Номер патента: WO2024182518A1. Автор: FANG Meng,Michael R. Kusner,Peter R. Menge,Steven R. BOSLEY. Владелец: Luxium Solutions, Llc. Дата публикации: 2024-09-06.

Wavelength shifting fiber and a method of making the same

Номер патента: US20240288626A1. Автор: FANG Meng,Michael R. Kusner,Peter R. Menge,Steven R. BOSLEY. Владелец: Luxium Solutions LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of making heat treated coated article using carbon based coating and protective film

Номер патента: US09845261B2. Автор: Jens-Peter Muller,Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-coated metallic articles and methods of making same

Номер патента: US09826805B2. Автор: Andrew Derrig. Владелец: FREDERICK GOLDMAN Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US09695311B2. Автор: Jawed Asrar,Kiarash Alavi Shooshtari,Uranchimeg Lester. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-07-04.

Shingle with reinforced nail zone and method of manufacturing

Номер патента: US09605434B2. Автор: James S. Belt,Bert W. Elliott. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making flat edible using a compact apparatus

Номер патента: US09603370B2. Автор: Pranoti Nagarkar Israni. Владелец: ZIMPLISTIC Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making lightweight heat pipe

Номер патента: US09481056B2. Автор: Cheng-Tu WANG,Pang-Hung Liao. Владелец: Chaun Choung Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and system of making composite structures having gap fillers with chopped fiber material

Номер патента: US09463880B2. Автор: Kenneth H. Griess,Derek P. Vetter,Michael J. Graves. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of making cell carrier

Номер патента: US09453197B2. Автор: Prameela Susarla,Slawomir Rubinsztajn,Yosang Yoon,Joel Matthew Caraher,Gary Stephen Balch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of making panel and panel made thereby

Номер патента: RU2463170C2. Автор: Франк ОЛЬДОРФФ,Франк ОЛЬДОРФФ (DE). Владелец: Флоринг Текнолоджиз Лтд.. Дата публикации: 2012-10-10.

Method of protecting the operator from production noise

Номер патента: RU2646876C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-03-12.

A method of making a duct member

Номер патента: CA2807396C. Автор: Patrick Walsh,Brian Rowan. Владелец: Walsh Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making shaped glass articles

Номер патента: US20170066677A1. Автор: Dana Craig Bookbinder,Pushkar Tandon,Natesan Venkataraman,Thierry Luc Alain Dannoux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Polyelemental heterostructure nanoparticles and methods of making the same

Номер патента: EP3837048A1. Автор: Pengcheng Chen,Chad A. Mirkin. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-06-23.

Method of making bespoke knitted compression garment

Номер патента: US20230250567A1. Автор: Najmal Hassan Chaudhury,Adam Harwood,Clive GUNTHER,James SOPPER. Владелец: Advanced Therapeutic Materials Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of making a geneticaly modified mammalian cell

Номер патента: US20070050859A1. Автор: Jian Zhou,Xiao Sun,Ian Frazer. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2007-03-01.

Microfluidic cartridge and method of making same

Номер патента: US12030050B2. Автор: Kalyan Handique. Владелец: HandyLab Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Dispensing device for a dental substance and method of making such a device

Номер патента: EP2654598A1. Автор: Marc Peuker,Andreas J. Boehm. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-10-30.

A method of making a window frame unit with a pane

Номер патента: EP2394012A1. Автор: Lars Kristensen,Carsten Bronnum Grinvalds,Peter Sønderkær,Kristian Ørnsvig NIELSEN. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2011-12-14.

Optical spot size converter and a method of making such

Номер патента: US12038611B2. Автор: Wei Jiang,Daniel Aloysius Nolan,Aramais Robert Zakharian,Dan Trung NGUYEN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of making a composite device

Номер патента: WO2010080100A1. Автор: Kurt Michael Sanger. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of making daylight redirecting window films employing embedded microstructures

Номер патента: US20230358380A1. Автор: Sergiy Vasylyev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-09.

Polyelemental heterostructure nanoparticles and methods of making the same

Номер патента: US20210163707A1. Автор: Pengcheng Chen,Chad A. Mirkin. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-06-03.

Metrological scale and method of manufacture

Номер патента: EP2208013A1. Автор: Alexander David Scott Ellin,James Reynolds Henshaw. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2010-07-21.

Structural assembly board and method of manufacturing same

Номер патента: US20200140335A1. Автор: Doug Brown. Владелец: Mgo Systems Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: EP4331826A2. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-03-06.

Highly structured, high vinylidene propylene oligomer and method of making

Номер патента: US20240239726A1. Автор: Sven Ivar Hommeltoft. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of making bespoke knitted compression garment

Номер патента: EP4178511A1. Автор: Najmal Hassan Chaudhury,Adam Harwood,Clive GUNTHER,James SOPPER. Владелец: Advanced Therapeutic Materials Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of making a tee rail having a high strength base

Номер патента: CA3123335C. Автор: Jason Mccullough,Raymond UHRIN,Zachary ROYER,Bruce Stevenson,Richard L. Perry. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2023-08-29.

Self-assembled cell sheet constructs and methods of making thereof

Номер патента: US20230272345A1. Автор: Ponnambalam Ravi Selvaganapathy,Alireza Shahin-Shamsabadi. Владелец: Caro Meats Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: EP4401599A1. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of making a hair-streaking cap

Номер патента: US4861528A. Автор: Vincent L. Ramik. Владелец: Duchess Ltd. Дата публикации: 1989-08-29.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of making a composite device

Номер патента: EP2358537A1. Автор: Kurt Michael Sanger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2011-08-24.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A2. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Cooking Utensil And Method Of Making The Same

Номер патента: US20240260786A1. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a conduit fitting

Номер патента: IE42310B1. Автор: . Владелец: Cornfield & Aldridge Ltd. Дата публикации: 1980-07-16.

Plastic wavelength shifting fiber and a method of making the same

Номер патента: US12061357B2. Автор: Jan J. Buzniak. Владелец: Luxium Solutions LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of making a laminated glazing and apparatus therefor

Номер патента: WO2016030678A1. Автор: Joachim Pilz,Peter Paulus. Владелец: Pilkington Group Limited. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of making a fibrous preform and a fibrous preform thus obtained

Номер патента: EP3768507A1. Автор: Omar Cividini. Владелец: Freni Brembo Spa. Дата публикации: 2021-01-27.

Texturized mottled artificial clothing label and methods of making the same

Номер патента: EP2539506A1. Автор: Cheryl B. Rueckert,Rhonda S. Lassila. Владелец: Neenah Paper Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

A method of making a synbiotic composition

Номер патента: WO2023272340A1. Автор: Hubertus Regtop,Jeffrey Flood,Lynette Rouse,Maryann Thexton. Владелец: Marl Wellness Research And Development Pty Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods of making gold-titanium alloys from sintered powders

Номер патента: US20240261854A1. Автор: Hyrum Lefler,Anastasios ARIMA. Владелец: Iperionx Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: US12036706B2. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Self-assembled cell sheet constructs and methods of making thereof

Номер патента: CA3184217A1. Автор: Ponnambalam SELVAGANAPATHY (Ravi),Alireza Shahin-Shamsabadi. Владелец: Caro Meats Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Self-assembled cell sheet constructs and methods of making thereof

Номер патента: WO2022000086A1. Автор: Ponnambalam Ravi Selvaganapathy,Alireza Shahin-Shamsabadi. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-06.

Meat based snack food product and method of making

Номер патента: EP3462911A1. Автор: David Taylor,Paul Kafer,Jeffrey Warner,Eric Tennant. Владелец: Smithfield Packaged Meats Corp. Дата публикации: 2019-04-10.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: WO2022183146A1. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2022-09-01.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: WO2022182424A1. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2022-09-01.

Cooking Utensil And Method Of Making The Same

Номер патента: US20240262081A1. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167738A2. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Cigarette wrapper with nanoparticle spinel ferrite catalyst and methods of making same

Номер патента: WO2005039330B1. Автор: Shalva Gedevanishvili. Владелец: Philip Morris Prod. Дата публикации: 2005-06-16.

Methods for Making a Multicomponent Hemostatic Dressing

Номер патента: US20090181072A1. Автор: Gustavo Larsen,Ruben Spretz. Владелец: LNK CHEMSOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of making a three-dimensional structure containing substructures

Номер патента: US20210114138A1. Автор: Jeremy K. Larsen. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of making a self-filling candle

Номер патента: US20240263101A1. Автор: Todd Nelson,Tammi Nelson,Andrew Bliese. Владелец: Afton Candle Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making silver-silicalite coated substrate

Номер патента: US20240117205A1. Автор: B. Rabindran JERMY,Vijaya Ravinayagam. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of making vacuum insulated panel with lasing duration

Номер патента: EP4423028A1. Автор: Scott V. Thomsen,Jun HUH. Владелец: Luxwall Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Foamed articles and methods of making the same

Номер патента: US12083717B2. Автор: Yihua Chang,Richard L. Watkins,Lyle R. Hanson,Petr Khlyabich. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of making a nonwoven from continuous filaments

Номер патента: US12098480B2. Автор: Tobias Wagner,Sebastian Sommer,Gerold LINKE. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of making groups of sewn patterns with zig-zag sewing machines

Номер патента: US5111758A. Автор: Lorenz Reber,Karl Nufer. Владелец: Fritz Gegauf AG. Дата публикации: 1992-05-12.

Methods of making gold-titanium alloys from sintered powders

Номер патента: WO2024163996A2. Автор: Hyrum Lefler,Anastasios ARIMA. Владелец: IperionX Limited. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making a powder egg analogue

Номер патента: US20240315293A1. Автор: Isabel Fernandez Farres,Lionel Jean Rene Bovetto,Edwin Alberto HABEYCH NARVAEZ. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2024-09-26.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A3. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167738A3. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a coated abrasive article and coated abrasive article

Номер патента: US20240316728A1. Автор: Marcos R. Nery,Carlos A. Baptista. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of making gold-titanium alloys from sintered powders

Номер патента: WO2024163996A3. Автор: Hyrum Lefler,Anastasios ARIMA. Владелец: IperionX Limited. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods of making a composite article

Номер патента: US20210101326A1. Автор: Bradley A. Newcomb. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of making a refractory article

Номер патента: US12091365B2. Автор: Marcel Gouin,Francois Veillette,Alain Simard. Владелец: Les Produits Industriels de Haute Temperature Pyrotek Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making metal-ligand complexes

Номер патента: US12129326B2. Автор: Roger L. Kuhlman,Pamela D. Nagel. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Precision fluorescently dyed particles and methods of making and using same

Номер патента: EP1023464A1. Автор: Van Chandler,Don Chandler,Beth Lambert,Janet Reber,Stacie Phipps. Владелец: Luminex Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Method of making a skin care composition

Номер патента: US09964534B2. Автор: Wenzhu Zhao,Tomohiro Hakozaki,II Leo Timothy LAUGHLIN. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making multi-coated metallic article

Номер патента: US09949539B2. Автор: Andrew Derrig. Владелец: FREDERICK GOLDMAN Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Medical devices including medicaments and methods of making and using same

Номер патента: US09931296B2. Автор: Praful Doshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for making a vehicular subassembly with a notched flange to reduce strain in bending

Номер патента: US09884360B2. Автор: Darrin Neil Wagner,John Joyce. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Microfluidic cartridge and method of making same

Номер патента: US09815057B2. Автор: Kalyan Handique. Владелец: HandyLab Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of making a cemented carbide or cermet body

Номер патента: US09777349B2. Автор: Michael Carpenter,Carl-Johan Maderud,Jane Smith,Tommy Flygare. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Composite wood flooring and method of making the same

Номер патента: US09744753B2. Автор: Matthew S. Sheffield,Eddie J. Bartlett,Timothy D. Cantwell. Владелец: Wabash National LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Fiber reinforced thermoset composites and methods of making

Номер патента: US09725563B2. Автор: Jawed Asrar,Klaus Friedrich Gleich,Mingfu Zhang,Asheber Yohannes. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of transitioning preform stacks in a system for making window treatments

Номер патента: US09670720B2. Автор: John A. Corey,James Barss,Rodney Akers,Thomas J. Marusak. Владелец: Comfortex Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Shoe with custom molded foot plate and method of making

Номер патента: US09662242B2. Автор: Stephen Michael Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

Compositions comprising bioadhesives and methods of making the same

Номер патента: US09642933B2. Автор: Jian Yang,Mohammadreza Mehdizadeh. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-05-09.

Molded confectionery products and methods of making same

Номер патента: EP3826470A1. Автор: Kevin Broderick,Jingping Liu,David R. Phillips. Владелец: Wm Wrigley Jr Co. Дата публикации: 2021-06-02.

Fiber reinforced thermoplastic composites and methods of making

Номер патента: US09574056B2. Автор: Jawed Asrar,Klaus Friedrich Gleich,Mingfu Zhang,Asheber Yohannes,Michael J Block. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making a golf ball

Номер патента: US09545741B2. Автор: Chen-Tai Liu,Ying-Kai Wang. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for making a papermaking belt

Номер патента: US09506189B2. Автор: Michael Douglas Hill,Nathan Michael Hill. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of accelerating curing and improving the physical properties of pozzolanic and cementitious-based material

Номер патента: US09505657B2. Автор: Romeo Ilarian Ciuperca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of making alcohol concentrate

Номер патента: US09487743B2. Автор: Patrick J. Tatera. Владелец: PAT'S BACKCOUNTRY BEVERAGES Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of making a spanner

Номер патента: US09463503B2. Автор: Ming-Chang Chen,Mao-Chih Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a polyurethane sword or sparring instrument

Номер патента: US09463395B2. Автор: Margaret Lu. Владелец: Neptune Trading Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making a sandwich panel

Номер патента: US09434142B2. Автор: Warren Francis Knoff,Dariusz Wlodzimierz Kawka,Llewellyn Bentley Richardson, III,Mikhail R Levit. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making a droplet-generating device

Номер патента: US09403294B2. Автор: Thomas H. Cauley, III. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing mosaic images (versions)

Номер патента: RU2621220C1. Автор: Константин Юрьевич Чайкин. Владелец: Гельфман Илья Леонидович. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of making articles in form of slabs or blocks using acrylic binder

Номер патента: RU2421422C2. Автор: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Владелец: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Дата публикации: 2011-06-20.

Method of making clear glass and colored iron-containing glass from broken glass

Номер патента: RU2250879C2. Автор: . Владелец: Кондрашов Дмитрий Валерьевич. Дата публикации: 2005-04-27.

Method of making golf club head

Номер патента: US20240208161A1. Автор: Te-Fu Hsiao,Yuan-Jen Hou,Pei-Yao LIN,You-Chi Chen,Yen-Zhou XIE. Владелец: Advanced International Multitech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Dental blank and method of making a dental ceramic blank

Номер патента: WO2009049127A2. Автор: Martin Goetzinger,Ingo W. Wagner,Thomas Sprengart. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2009-04-16.

Dental blank and method of making a dental ceramic blank

Номер патента: EP2207498A2. Автор: Martin Goetzinger,Ingo W. Wagner,Thomas Sprengart. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-07-21.

A dilator assembly, a device for facilitating tracheostomy and methods of making a percutaneous tracheostoma

Номер патента: WO2011012554A1. Автор: Jonas Karling,Gregory Margolin. Владелец: SAFETRACH AB. Дата публикации: 2011-02-03.

Shape memory actuator and method of making same

Номер патента: US20220065233A1. Автор: David Yang,Michael Kuntz,Alanna KIRCHNER,Jaideep Singh,Siu Kei TANG,Jak LI,Ibrahem KHAN. Владелец: Smarter Alloys Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of improving a uniformity in height for shallow trench isolation (STI) structure

Номер патента: TW200611369A. Автор: Wei-Ran Kung. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Method of improving a uniformity in height for shallow trench isolation (STI) structure

Номер патента: TWI246738B. Автор: Wei-Run Kung. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

Thermally weldeable flat material and method of of making the same

Номер патента: CS215160B1. Автор: Jan Durinda,Miloslav Marek,Jan Majling,Vladimir Keclik. Владелец: Vladimir Keclik. Дата публикации: 1982-07-30.

Method of forming mask alignment key in semiconductor device having trench isolation region

Номер патента: KR970053427A. Автор: 정인권. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of in situ making a micropile directly in the ground

Номер патента: PL317803A1. Автор: Grzegorz Lagowski,Wiktor Przybylowicz. Владелец: POLITECHNIKA SWIETOKRZYSKA. Дата публикации: 1998-07-06.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION WITH OFFSET DEEP WELL IMPLANTS

Номер патента: US20120001268A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

Molded Expanded Pellet Product and Method of Making

Номер патента: US20120003365A1. Автор: Ramirez Fernando,GUZMAN Roberto,GARCIA Anamaria,PACHECO Antonio. Владелец: SABRITAS, S. DE R.L. DE C.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making laced ceramic article

Номер патента: RU2594904C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2016-08-20.

Method of making diffraction grating

Номер патента: RU2470333C1. Автор: Виктор Алексеевич Турков. Владелец: Виктор Алексеевич Турков. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making a polymer article and resulting article

Номер патента: MY171179A. Автор: Diing Yaw CHIENG,Hung Than MAR. Владелец: NOBEL SCIENT Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-09-30.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making ice pistons and device to this end

Номер патента: RU2476291C1. Автор: Александр Михайлович Шейн. Владелец: Александр Михайлович Шейн. Дата публикации: 2013-02-27.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making decorative articles

Номер патента: RU2022942C1. Автор: Р.Г. Петроченков,Е.С. Булат. Владелец: Булат Евгения Самуиловна. Дата публикации: 1994-11-15.

Method of making laminate metallic tubes

Номер патента: RU2036063C1. Автор: Василий Савельевич Юркин. Владелец: Василий Савельевич Юркин. Дата публикации: 1995-05-27.