Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric
Номер патента: US6040233A
Опубликовано: 21-03-2000
Автор(ы): Robert Louis Hodges
Принадлежит: STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-03-2000
Автор(ы): Robert Louis Hodges
Принадлежит: STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions
Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.