Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device using a shallow trench isolation

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US20010002720A1
Опубликовано: 07-06-2001
Автор(ы): Takeshi Kajiyama
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US5982008A. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US6525360B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953982B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with capping structure and method of forming the same

Номер патента: US20180166545A1. Автор: Chung-Ming Wang,Fang-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device with shallow trench isolation (STI) having edge profile

Номер патента: US09653343B1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Chang-Po Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072147A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09349719B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device semiconductor device and memory

Номер патента: US20220115385A1. Автор: Shiran ZHANG,Youquan YU,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device with increased isolation breakdown voltage

Номер патента: US12046629B2. Автор: Yon Sup PANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device thereby formed

Номер патента: US20210193529A1. Автор: Qingmin Li,Zhongxiang MA,Baihua GONG. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559180B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure with conductive spacer in shallow trench isolation region

Номер патента: US20240120372A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160300918A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9419104B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device manufacturing method to reduce process induced stress and crystalline defects

Номер патента: US6514885B1. Автор: Hideki Takada,Yoshinori Asahi,Robert W. Dutton,Hiroshi Ohtani,Kyeongjae Cho,Sinji Onga,Takako K. Okada. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160104785A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160284551A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device including two-dimensional semiconductor material

Номер патента: US20240363689A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including two-dimensional semiconductor material

Номер патента: US12062697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601635B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for Forming a Gate and a Shallow Trench Isolation Region and for Planarizating an Etched Surface of Silicon Substrate

Номер патента: US20090155977A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09991337B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Reduced STI Loss for Superior Surface Planarity of Embedded Stressors in Densely Packed Semiconductor Devices

Номер патента: US20110269293A1. Автор: Stephan Kronholz,Thomas Feudel,Matthias KESSLER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device, method for packaging semiconductor chip, method for manufacturing shallow trench isolation (sti)

Номер патента: US20220037200A1. Автор: Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing semiconductor device, method for packaging semiconductor chip, method for manufacturing shallow trench isolation (sti)

Номер патента: US20190035676A1. Автор: Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-01-31.

Shallow trench isolation spacers

Номер патента: US20240030058A1. Автор: Chen Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor Device Made by Using a Laser Anneal to Incorporate Stress into a Channel Region

Номер патента: US20090065880A1. Автор: Manoj Mehrotra,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799769B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Trench isolation interfaces

Номер патента: US11031283B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583600B1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170170306A1. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Tomoo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Shallow trench isolation

Номер патента: EP2321847A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Shallow trench isolation

Номер патента: WO2010019876A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130200485A1. Автор: Hiroaki Naruse. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Electrode Pick Up Structure In Shallow Trench Isolation Process

Номер патента: US20110156151A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Deep trench isolation structure layout and method thereof

Номер патента: US20150255537A1. Автор: Randall C. Gray,Brent D. Rogers,John M. Pigott. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US20210050414A1. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11882693B2. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220077160A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor trench isolation including polysilicon and nitride layers

Номер патента: US8766355B2. Автор: Dong-kak Lee,Hee-Don Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20020005529A1. Автор: Takashi Kuroi,Yoshinori Okumura,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Shallow Trench Isolation Method for Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980074323A. Автор: 손정환,허기재. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12040220B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including fin shaped structure including silicon germanium layer

Номер патента: US09954108B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170186872A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653358B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210098571A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20150048476A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Implantation for shallow trench isolation (sti) formation and for stress for transistor performance enhancement

Номер патента: SG158008A1. Автор: Zhang Fan,TEH Young Way,Liu Jinping,TAN Juan Boon,HSIA Liang Choo,Sheng Haifeng,SIEW YONG KONG,LIN WENHE,Vincent Ho,Johnny Widodo,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device Having Improved Oxide Thickness at a Shallow Trench Isolation Edge and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20100001364A1. Автор: Binghua Hu,Mindricelu P. Eugen,Damien T. Gilmore,Bill A. Wofford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12100750B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953880B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Deep trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US09768220B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021735A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119160A1. Автор: Chih-Hao Wang,Keng-Chu Lin,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220051933A1. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170047447A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US09502292B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Die size reduction and deep trench density increase using deep trench isolation after shallow trench isolation integration

Номер патента: US20240038579A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20140099773A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-04-10.

Structures and methods for fabricating semiconductor devices using fin structures

Номер патента: US09871037B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun-Hsiang FAN,Tung-Ying Lee,Yung-Ta Li,Chi-Kang Liu,Clement HSING-JEN WANN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabricating shallow-trench isolation semiconductor devices to reduce or eliminate oxygen diffusion

Номер патента: US09484402B2. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09508834B1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for Filling the Trenches of Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20160336217A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for filling the trenches of shallow trench isolation (STI) regions

Номер патента: US09558988B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347588A1. Автор: Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Jia-He Lin,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Bulk semiconductor fins with self-aligned shallow trench isolation structures

Номер патента: US09406545B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

A semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20220173110A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4231343A3. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating a fin field effect transistor and a shallow trench isolation

Номер патента: US09991154B2. Автор: Hsien-Che Teng,Jia-Ming Lin,Yun-Wen Chu,Wei Ken Lin,Yung-Chou Shih,Kun-Dian She,Lichia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20160013096A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide processes

Номер патента: US5982017A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide process

Номер патента: US5891771A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144100A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device including a recessed-channel-array misfet

Номер патента: US20080203483A1. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Shallow trench isolation regions made from crystalline oxides

Номер патента: US09589827B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Shallow trench isolation area having buried capacitor

Номер патента: US09536872B2. Автор: Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20210367033A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150349050A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202715A1. Автор: Chih-Hao Wang,Keng-Chu Lin,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230109238A1. Автор: Chih-Hao Wang,Keng-Chu Lin,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device having fin-shaped structure and bump

Номер патента: US20180211960A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Strain memorization in strained soi substrates of semiconductor devices

Номер патента: US20110210427A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Sealed shallow trench isolation region

Номер патента: US20140015092A1. Автор: Ying Li,Xiang Hu,Byeong Y. Kim,Yong M. Lee,Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153812A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Wen-Kai Lin,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP4120340A2. Автор: Takayuki Igarashi,Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20240047519A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US11824087B2. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Substrate-transferred, deep trench isolation silicon-on-insulator (soi) semiconductor devices formed from bulk semiconductor wafers

Номер патента: WO2017048531A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230010383A1. Автор: Takayuki Igarashi,Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods of forming low noise semiconductor devices

Номер патента: US09583595B2. Автор: Giovanni Calabrese,Uwe Hodel,Wolfgang Molzer,Domagoj Siprak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and device for shallow trench isolation in a fin type field effect transistors

Номер патента: US20200135928A1. Автор: Min Gyu Sung,Johannes Van Meer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: EP3840031A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device having self-isolating bulk substrate and method therefor

Номер патента: US10084039B2. Автор: Johan Camiel Julia Janssens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device having self-isolating bulk substrate and method therefor

Номер патента: US20170338304A1. Автор: Johan Camiel Julia Janssens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-23.

Trench isolation structure having isolating trench elements

Номер патента: US20160260800A1. Автор: Takao Kaji,Yuuki Doi,Katsuhito Sasaki,Takaaki Kodaira,Minako Oritsu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Trench isolation structure having isolating trench elements

Номер патента: US09627477B2. Автор: Takao Kaji,Yuuki Doi,Katsuhito Sasaki,Takaaki Kodaira,Minako Oritsu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with trench isolation

Номер патента: US20150115397A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device with trench isolation

Номер патента: US20150303265A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with trench isolation

Номер патента: US09634096B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090140379A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for manufacturing memory device and method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: US09799755B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US20160056234A1. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150364598A1. Автор: Dae-Sub Jung,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11710786B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shogo IKEURA,Shinichirou YANAGI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074852A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shogo IKEURA,Shinichirou YANAGI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Trench isolation structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008144631A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Craig Hall. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US7846850B2. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100151668A1. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Deep trench isolation

Номер патента: US09601564B2. Автор: Xu Cheng,Zhihong Zhang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Deep trench isolation

Номер патента: US09343526B2. Автор: Xu Cheng,Zhihong Zhang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for manufacturing an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100671155B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Technique of reducing shallow trench isolation loss during fin formation in finFETs

Номер патента: US09646888B2. Автор: HAI Zhao,Lijuan Du. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11915967B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices structures including an isolation structure

Номер патента: US20130001737A1. Автор: Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11842921B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor Device with Electrical Resistor

Номер патента: US20190371882A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device with electrical resistor

Номер патента: US11217658B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-04.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230282249A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process

Номер патента: WO2010090903A2. Автор: John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307435A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: WO1999031728A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11887977B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240120329A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having plug and metal line

Номер патента: US11038014B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210265462A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200083325A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09972678B2. Автор: Chia-Lin Wang,Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Shih-Chieh Pu,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure

Номер патента: US09741723B2. Автор: Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09985021B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09824934B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Trench isolation implantation

Номер патента: US09514976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20110175190A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US20180096989A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming a shallow trench with tapered profile and round corners for the application of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US5807789A. Автор: Chao-Cheng Chen,C. H. Yu,C. S. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Avoiding Field Oxide Gouging In Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20070262412A1. Автор: Yider Wu,Jusuke Ogura,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of fabricating shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040147135A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Hsiao-Kang Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190326398A1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190245038A1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon recess etch and epitaxial deposit for shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09911805B2. Автор: Shih-Ting Hung,Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu,Ching-Feng Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: US20130099851A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200006154A1. Автор: I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of forming a semiconductor device having an air spacer

Номер патента: US11769770B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: EP2502267A2. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device having strain material

Номер патента: WO2011063292A2. Автор: Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-26.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230387125A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US11901217B2. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20120178237A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US20220093450A1. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for reducing micro-masking defects in trench isolation regions

Номер патента: US20020182852A1. Автор: Kailash Singh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for isolating semiconductor devices with use of shallow trench isolation method

Номер патента: US7166519B2. Автор: Sang-Tae Ahn,Dong-Sun Sheen,Seok-Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of forming shallow trench isolation and semiconductor device

Номер патента: US20150364360A1. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Ching-Feng Fu,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming shallow trench isolation and semiconductor device

Номер патента: US09460956B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Ching-Feng Fu,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Low cost shallow trench isolation using non-conformal dielectric material

Номер патента: US6270353B1. Автор: Howard S. Landis,Shaw-Ning Mei,John W. Andrews,Bao T. Hwang,James M. Tyler,Edward J. Vishnesky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110215384A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tadashi Koike,Kohei Watanuki,Tatsuhiko Adachi,Takaaki Matsuoka,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Ube Nitto Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Trench isolation process

Номер патента: US20220122880A1. Автор: Clark Lee,Cheng-Hsin Chen,Che-Yi Lin,Chung-Lei Chen,Chung Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Narrow channel width effect modification in a shallow trench isolation device

Номер патента: US20100323494A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369134A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chun-Hsiang FAN,Ta-Wei Lin,Chun-Liang Tai,Shih-Hsiang Chiu,Chieh-Chun CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Light receiving device and semiconductor device

Номер патента: US20210305289A1. Автор: Koichi Kokubun. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US7196395B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Yukihiro Kumagai,Katsuyuki Nakanishi,Michihiro Mishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Formation of thin spacer at corner of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US6080638A. Автор: Shwangming Jeng,Kong-Beng Thei,Chung-Te Lin,Yuan-Horng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making a shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20140120693A1. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09780165B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with deep trench isolation mask layout

Номер патента: US20220384595A1. Автор: Sang Uk LEE,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Shallow trench isolation structures for semiconductor devices including wet etch barriers and methods of fabricating same

Номер патента: US20080290446A1. Автор: Il-young Yoon,Dong-Suk Shin,Yong-kuk Jeong,Jung-Shik HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-27.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US20010013631A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127650A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7482246B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device including protection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3693993A8. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device including deep trench isolation structure comprising dielectric structure and copper structure and method of making the same

Номер патента: US12046615B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Cheng-Hsien Chen,Yu-Lung Yeh,Bo-Chang Su,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for preparing trench isolation structure and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20210384066A1. Автор: ChenMing XU,Beonseok Cha,WenJing GUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Image sensor with hybrid deep trench isolation

Номер патента: US09923009B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Chih-Wei Hsiung. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing shallow trench isolations

Номер патента: US11817344B2. Автор: Li He,Yi Wang,Liyuan LIU,Fulong Qiao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US20040152324A1. Автор: Manfred Horstmann,Ralf Bentum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US7064074B2. Автор: Manfred Horstmann,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-20.

Deep trench isolation structures and methods of forming same

Номер патента: US09704904B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: KR100607770B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230395379A1. Автор: Chia-Che Chung,Chee-Wee Liu,Chia-Jung TSEN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20160365272A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230290853A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wei-Jin Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US8846486B2. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Dual contact trench resistor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20120205776A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: EP3308394A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method for forming trench isolation

Номер патента: US20020098660A1. Автор: Jian Chen,Choh-Fei Yeap,Franklin Nkansah. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Chemical mechanical planarization polishing for shallow trench isolation

Номер патента: EP4413088A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and fabricating method of the same

Номер патента: US20240379670A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Po-Tsang Chen,Wei-Che Chen,Wen-Liang Huang,Lung-En Kuo,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Po-Chang Lin,Ya-Ting Hu,Yun-Yang He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09536774B2. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Elimination of walkout in high voltage trench isolated devices

Номер патента: US20010023974A1. Автор: Rashid Bashir,Wipawan Yindeepol,Joel M. McGregor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Shallow trench isolation structures and contact patterning

Номер патента: US10242918B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for forming trenches and trench isolation on a substrate

Номер патента: US20120190168A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device including hydrogen introduction layer provided on semiconductor substrate and method of forming the same

Номер патента: US20240170327A1. Автор: Hidekazu Goto,Shinichi Nakata,Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods and assemblies for cooling semiconductor devices using carbon allotropes

Номер патента: US20240258197A1. Автор: Michael Roberg,Christo Bojkov,zhi-qi Li,Harold Isom. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20240347571A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Cheng-Hsien Chen,Yu-Lung Yeh,Bo-Chang Su,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Shallow trench isolation (STI) for VLSI applications

Номер патента: EP1026734B1. Автор: Herbert Ho,Erwin Hammerl,Radhika Srinivasan,Bertrand Flietner,Gary Bronner,Farid Agahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-27.

Method for shallow trench isolation fabrication and partial oxide layer removal

Номер патента: US6794270B2. Автор: Yi-Nan Chen,Chang Rong Wu,Pei-Ing Lee,Tzu En Ho,Hsien Wen Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20240105501A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: WO2019125867A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

String driver with deep trench isolations

Номер патента: US20240274594A1. Автор: Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR20050011488A. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-29.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR20060076587A. Автор: 정종구,박형순,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Silicon recess ETCH and epitaxial deposit for shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US9129823B2. Автор: Shih-Ting Hung,Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu,Ching-Feng Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR20040006466A. Автор: 정승훈,김형균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-24.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US11908729B2. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20220277986A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20190198382A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Rudolf Berger,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device manufacturing method using a multilayer resist

Номер патента: US09711344B2. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device marking apparatus using a rotating stopper

Номер патента: US6087623A. Автор: Sung Ho Choi,Mun Ki Kwon,Byung Mun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11854688B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: WO2019165107A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Forming a semi-recessed metal for better EM and Planarization using a silo mask

Номер патента: US5585307A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09984974B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Process for forming an active area and a shallow trench isolation self-aligned to a deep trench

Номер патента: EP1037281B1. Автор: Carl Radens,Jack Mandelman,Larry Nesbit,Rama Divakaruni,Ulrike Gruning,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Shallow trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US09698043B1. Автор: Alfred Grill,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Shallow trench isolation structure with nitride pullback by implantation treatment

Номер патента: US20240006230A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Haowen Bu,Byron Joseph Palla,Douglas Harvey Newman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20230299196A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Gas injection system with precursor for planar deprocessing of semiconductor devices using a focused ion beam

Номер патента: US09761467B2. Автор: Chad Rue,Clive D. Chandler. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US20230299149A1. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device using a self-aligned OPL replacement contact and patterned HSQ and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US09548238B2. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Enlarged shallow trench isolation for backside power

Номер патента: US20240203878A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR20090064804A. Автор: 김상철. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-06-22.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20120264265A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Materials suitable for shallow trench isolation

Номер патента: WO2005114707A3. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Ananth Naman. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for producing cavities with submicrometer patterns in a semiconductor device using a freezing process liquid

Номер патента: US20030042612A1. Автор: Rainer Leuschner,Egon Mergenthaler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09768199B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Forming esd devices using multi-gate compatible processes

Номер патента: US20240258301A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su,Chia-Ju Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728441B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09698258B2. Автор: Tae Hoon Lee,Yu Shin RYU,Bo Seok OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US09455156B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for isolating semiconductor device

Номер патента: KR100842902B1. Автор: 이진욱,최홍길. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Method of manufacturing semiconductor device using gas blowing agent

Номер патента: US20230087718A1. Автор: Hwail Jin,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Nanotube semiconductor devices

Номер патента: US09704955B2. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with active fins separated by shallow and deep trench isolations and method for fabricating the same

Номер патента: US09627376B2. Автор: Tae-Joong Song,Jae-Ho Park,Kang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220093742A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US20220093741A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US11646349B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Tsai-Yu Wen,Shi You Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device assembled using two lead frames

Номер патента: US20150357266A1. Автор: Huan WANG,Weiping Sun,Hejin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09871135B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Ronghua Zhu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09647128B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09425153B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US12033900B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20050230709A1. Автор: Ga Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110003467A1. Автор: Takayuki Kanda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11424366B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180144988A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190027410A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121704B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11817503B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066501A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09853021B1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

High-speed high-power semiconductor devices

Номер патента: US09543383B2. Автор: Yang Du,Vladimir Aparin,Robert P. Gilmore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device comprising plurality of conductive portions disposed within wells and a nanowire coupled to conductive portion

Номер патента: US09583481B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device with counter doped layer

Номер патента: US09406743B2. Автор: Koichi Arai,Natsuki Yokoyama,Haruka Shimizu,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305127A1. Автор: Masakazu Kanechika,Tsutomu Uesugi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09871108B2. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and a method for manufacturing same

Номер патента: US20040147078A1. Автор: Naoto Fujishima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240274606A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11825657B2. Автор: Chia-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140284625A1. Автор: Koichi Arai,Natsuki Yokoyama,Haruka Shimizu,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150236089A1. Автор: Koichi Arai,Natsuki Yokoyama,Haruka Shimizu,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823023A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20160093608A1. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with trench transistors and method for manufacturing such a device

Номер патента: US20080116511A1. Автор: Erwin Bacher,Franz Hirler,Markus Zundel,Rudolf Zelsacher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09876092B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US09761710B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device including sense insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09659901B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09466700B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Shuo-Lun Tu,Shih-Chin Lien,Jiun-Yan Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Patterning multiple, dense features in a semiconductor device using a memorization layer

Номер патента: US20150303273A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Fin semiconductor device and method of manufacture with source/drain regions having opposite conductivities

Номер патента: US09685528B2. Автор: Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method of bonding semiconductor die to substrate in reconstituted wafer form

Номер патента: US09721921B2. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of backgrinding and singulation of semiconductor wafer while reducing kerf shifting and protecting wafer surfaces

Номер патента: US09401289B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Minjung Kim,Joungin Yang,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for fabricating a semiconductor device having a shallow doped region

Номер патента: US5279976A. Автор: James R. Pfiester,David Burnett,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178036A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09449968B2. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Franz Hirler,Markus Zundel,Peter Irsigler,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130178032A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Shielded semiconductor device and lead frame therefor

Номер патента: US20200131030A1. Автор: Michael B. Vincent,Zi-Song Poh,Lee Fee Ngion. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and crack detection method

Номер патента: US20210223305A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847423B1. Автор: Huang-Ren Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12074070B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371703A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Layout of semiconductor device

Номер патента: US09899365B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09627268B2. Автор: Ching-Yu Chang,Hsin-Yu Chen,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Yi-Ren CHEN,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Controlling active fin height of finfet device using etch protection layer to prevent recess of isolation layer during gate oxide removal

Номер патента: US20200027796A1. Автор: Yi Song,Ekmini Anuja De Silva,Jay W. Strane,Veeraraghavan S. Baskar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230170261A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11901239B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128127A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin,Ssu-l Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7687351B2. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230326806A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11688647B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210166978A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358814A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256460A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256461A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: WO2007072292A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287944A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yu-Shu Lin,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Asymmetrical field-effect semiconductor device with sti region

Номер патента: EP1966828A1. Автор: Theodore James Letavic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20200212171A1. Автор: Manabu Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09583617B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09755046B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09478664B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722056B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US7220649B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device including a high voltage MOS and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US8237224B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Deposition method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09698008B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Makoto Furuno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200279853A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Kuan-Lun Cheng,Jiun-Jia Huang,Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09461036B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Reusable substrate bases, semiconductor devices using such reusable substrate bases, and methods for making the reusable substrate bases

Номер патента: US09419081B2. Автор: John Stokely,Basavaraja Sangappa Devaramani,Raju Addepalle Raghurama. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20240364343A1. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor Device Convex Source/Drain Region

Номер патента: US20200111711A1. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor Device Convex Source/Drain Region

Номер патента: US20190393095A1. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device convex source/drain region

Номер патента: US11004745B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170005182A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Precise junction placement in vertical semiconductor devices using etch stop layers

Номер патента: US09954101B2. Автор: Huiming Bu,Junli Wang,Siyuranga O. Koswatta,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576796B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09449852B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9824931B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US12148800B2. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of making cBN semiconductor device having an ohmic electrode

Номер патента: US5444017A. Автор: Yoshiyuki Suda,Osamu Mishima,Satoshi Agawa,Koh Era. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1995-08-22.

cBN semiconductor device having an ohmic electrode and a method of making the same

Номер патента: US5414279A. Автор: Yoshiyuki Suda,Osamu Mishima,Satoshi Agawa,Koh Era. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1995-05-09.

Semiconductor device having oxide semiconductor layer

Номер патента: US09711610B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hiroshi Fujiki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120149157A1. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

High-voltage semiconductor device used as switching element or the like

Номер патента: US20030015771A1. Автор: Akio Nakagawa,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US7365830B2. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US20070177126A1. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Tape automated manufacture of power semiconductor devices

Номер патента: US4635092A. Автор: Alexander J. Yerman,James A. Loughran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-01-06.

Semiconductor device testing method, using a spring-biased transformable conductive member electrode connection

Номер патента: US20020060579A1. Автор: Masaru Tateishi,Makoto Haseyama. Владелец: Makoto Haseyama. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321858A1. Автор: Cheng-Yu Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049117A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Materials with enhanced properties for shallow trench isolation/premetal dielectric applications

Номер патента: US20060008659A1. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Brian Daniels,Ananth Naman,Denis Endisch,Paul Apen,Arlene Suedmeyer,Deling Zhou. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180358266A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh,Chun-Tsen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of etching a shallow trench

Номер патента: US09842743B1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of manufacturing semiconductor device using meander-shaped heating element

Номер патента: US09449849B2. Автор: Hitoshi Murata,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240234096A1. Автор: Sang Ki Nam,Jun Ho Lee,Sang Chul Han,Hyun Jae Lee,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150348859A1. Автор: Hironobu Moriyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Edge cut debond using a temporary filler material with no adhesive properties and edge cut debond using an engineered carrier to enable topography

Номер патента: US11094684B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Christopher J. Gambee,Chandra S. Tiwari,Tony M. Lindenberg,Kurt J. Bossart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190006364A1. Автор: Kazuo Sakamoto,Toshiaki Ito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for measuring impurity concentration profile, wafer used for same, and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20130161617A1. Автор: Kazuya Nishihori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437B1. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2005-02-17.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A3. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Univ Arizona State. Дата публикации: 2004-11-25.

Improved performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth

Номер патента: WO2004034437A2. Автор: Yong-Hang Zhang,Yuri Sadofyev,Shane Richard Johnson. Владелец: Arizona Board Of Regents A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor device resistor structure

Номер патента: US09923046B1. Автор: Hui Zang,Josef S. Watts,Shesh M. Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Abrasive particle, polishing slurry, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09469800B2. Автор: Seung Won Jung. Владелец: INDUSTRIAL BANK OF KOREA. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220139716A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device using a self-assembly method for its manufacturing

Номер патента: WO2015008870A4. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20240282604A1. Автор: SunWoo PARK,Seungdon Lee,Hyunjin Lee,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Sujie Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device using organic underlayer film forming composition for solvent development lithography process

Номер патента: US09384977B2. Автор: Yasunobu Someya,Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Keisuke Hashimoto,Tetsuya Shinjo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device package including bonding layer having Ag3Sn

Номер патента: US09520377B2. Автор: Jeong-Won Yoon,Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee,Chang-mo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20240282797A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Mask for photolithography, method for fabricating the same and method for manufacturing semiconductor device using the mask

Номер патента: US09470972B2. Автор: Suk-joo Lee,Se-Jin Park,Jong-Doo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20170278765A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20200006177A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and method of forming encapsulated wafer level chip scale package (EWLCSP)

Номер патента: US09704769B2. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming a fan-in package-on-package structure using through silicon vias

Номер патента: US09559046B2. Автор: YoungChul KIM,Hyunil Bae,Myungkil Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Vacuum dryer and method of drying semiconductor device using the same

Номер патента: US6112430A. Автор: Jong-jae Lee,Chan-geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A3. Автор: Sinan Goktepeli,James D Burnett. Владелец: James D Burnett. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having a p-mos transistor with source-drain extension counter-doping

Номер патента: WO2007032897A2. Автор: Sinan Goktepeli,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: US20070264593A1. Автор: Cheol Kyu Bok,Tae Seung Eom,Hyun Sook Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

BGA semiconductor device using insulating film

Номер патента: US20020079565A1. Автор: Noriaki Kikuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09685318B2. Автор: Wonseok Yoo,Hanjin Lim,Young-Lim Park,Changyup Park,Hyokyoung Kim,Kongsoo Lee,Wook-Yeol Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Pattern forming device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437414B2. Автор: Takumi Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming a packaged semiconductor device using ganged conductive connective assembly and structure

Номер патента: US20180350735A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming duplex plated bump-on-lead pad over substrate for finer pitch between adjacent traces

Номер патента: US09799621B2. Автор: Kyu Won Lee,Soo Won Lee,Eun Jin Jeong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09728508B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: WO2023126144A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847392B1. Автор: Yu-Jen Liu,Yi-Ping Huang,Hsin-Kai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Source/drain structure of semiconductor device

Номер патента: US09472647B2. Автор: Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices for high frequency applications

Номер патента: US20230352522A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Mattias Dahlstrom,Joseph De Santis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4362106A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: US09722046B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20020173147A1. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Capacitive measurements of divots in semiconductor devices

Номер патента: US20160370311A1. Автор: Yan He,Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09911853B2. Автор: Masahiro Takahashi,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Trench semiconductor device having multiple trench depths and method

Номер патента: US09716187B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Junction overlap control in a semiconductor device using a sacrificial spacer layer

Номер патента: US09530864B2. Автор: Chia-Yu Chen,Tenko Yamashita,Michael J. Hargrove,Ryan O. Jung,Steven J. Bentley,Sivanandha K. Kanakasabapathy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120034744A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: EP4437810A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09548365B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device structure with vertical transistor over underground bit line

Номер патента: US20240145536A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: EP3218937A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-09-20.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250162A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor devices and methods of making thereof

Номер патента: US20240194783A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal oxide semiconductor devices and method of making thereof

Номер патента: EP4386852A1. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09818882B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09450084B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and communication system

Номер патента: US09384439B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170110585A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09991265B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09853069B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09793295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI,Tetsuhiro Tanaka,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691789B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09537478B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09437594B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI,Tetsuhiro Tanaka,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20020139991A1. Автор: Eisuke Suekawa,Kouichi Mochizuki,Kazushige Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for making isolation region of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220199659A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: US5913106A. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Structure for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: WO1998004925A2. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09711561B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure

Номер патента: US09543350B2. Автор: Kazuichiro Itonaga,Yu Oya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Image sensors with voltage-biased trench isolation structures

Номер патента: US09584744B2. Автор: Victor Lenchenkov,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Capacitive measurements of divots in semiconductor devices

Номер патента: US09941179B2. Автор: Yan He,Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230420464A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu,Shen-Hui Hong,Chih-Kuan YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422491A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380148A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8940600B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Chun-Wei Hsu,Yen-Ming Chen,Ren-Peng Huang,Jie-Ning Yang,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Chih-Hsun Lin,Chang-Hung Kung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Test key transistor for deep trench isolation depth detection

Номер патента: US20240071846A1. Автор: Jingyi Bai,Bo-Ray LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US12034025B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US20240321924A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of inspecting semiconductor device

Номер патента: US20230266258A1. Автор: Suyoung LEE,Chungsam Jun,Yujin Cho,Inhye Park,Jong Cheon Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US09482519B2. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and system of measuring semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US9991174B2. Автор: Jihye Lee,Choonshik Leem,Deokyong KIM,Soobok CHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Dual contact trench resistor and capacitor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20130292798A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Test equipment for testing semiconductor device and methods of testing semiconductor device using the same

Номер патента: US09618568B2. Автор: Jung-Hyun Park,Young-Chul Lee,Sang-Youl Lee,Nam-Hong Lee,Kyung-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: MY149401A. Автор: Banba Toshio. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-08-30.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Polymer for preparing resist underlayer film, resist underlayer film composition containing the polymer and method for manufacturing semiconductor device using the composition

Номер патента: US09996007B2. Автор: Yu Na Shim,Min Ho Jung,Soo Young Hwang,Jin Su Ham,Kyun Phyo Lee. Владелец: SK Global Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09660356B1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Improved semiconductor device for isolating a photodiode to reduce junction leakage and method of formation

Номер патента: WO2003019675A1. Автор: Richard A. Mann. Владелец: CONEXANT SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Optical measurement apparatus, optical measurement method using the same, and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219314A1. Автор: Young Hoon Sohn,Min Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Metrology apparatus and method based on diffraction using oblique illumination and method of manufacturing semiconductor device using the metrology method

Номер патента: US12002698B2. Автор: Myungjun Lee,Jaehwang Jung,Wookrae Kim,Jinseob KIM,Changhyeong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Bonded die assembly using a face-to-back oxide bonding and methods for making the same

Номер патента: US20200402990A1. Автор: Akio Nishida,Masatoshi Nishikawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, wafer work piece and method for manufacturing semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: MY193426A. Автор: Fujiwara Takenori,Tomikawa Masao,Arimoto Shinji. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2022-10-12.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: EP4398290A1. Автор: Toshihiro Murayama,Masaki Hatano,Yoshihiro Makita,Atsushi TUKADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Resin mold semiconductor device

Номер патента: US20030047815A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Makoto Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and temperature measurement method

Номер патента: US20220244111A1. Автор: Shinichi Masuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device using purified block copolymers and semiconductor devices

Номер патента: US09627205B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jung-Sik Choi,Su-Jin KWON,Jun Won HAN,Hye-Ryun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Buried photodiode for image sensor with shallow trench isolation technology

Номер патента: US20070045794A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20090154209A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20120014155A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210041738A1. Автор: Hsiang Yuan Cheng. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device with flexible substrate

Номер патента: US11579478B2. Автор: Hsiang Yuan Cheng. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09886997B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09711536B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220028760A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Optical semiconductor device using a SiGeC random mixed crystal

Номер патента: US6678296B1. Автор: Mari Ohfuti. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20230301069A1. Автор: Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4280839A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Heating system and method of testing a semiconductor device using a heating system

Номер патента: US09609693B2. Автор: Carlos Pereira,Maxime Clairet. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Shallow trench transistor deep trench capacitor memory cell

Номер патента: WO2002027797A2. Автор: Ulrike Gruening,Johann Alsmeier. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and methods of setting voltages

Номер патента: US20200106440A1. Автор: Fumiki Kawakami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device having flexible substrate

Номер патента: US20230148207A1. Автор: Hsiang Yuan Cheng. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20130198486A1. Автор: Hiroyuki Nakajima,Shigeyuki Ueno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Bi-directional power flow control using a single battery charger

Номер патента: US20240170995A1. Автор: Sungkeun Lim,Yen-Mo CHEN,Rahul Ramesh,Shahriar Jalal Nibir. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and apparatus for testing defective portion of semiconductor device

Номер патента: US20050218922A1. Автор: Kohji Kanamori,Junichi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Estimating a property of a semiconductor device using a quantum computing device

Номер патента: WO2024096767A1. Автор: Rui Hou,Ahsan Javed AWAN,Anders WINKA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-05-10.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120275245A1. Автор: Yusuke Sekine,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Remote programming of serialised semiconductor devices using web or internet protocols

Номер патента: EP1343081A3. Автор: David Watson,Francis Zhu. Владелец: Mitel Knowledge Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device for control read or write operation using a bank address and system including the same

Номер патента: US09711198B1. Автор: Bo Ra Choi,Seon Kwang Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Design of photomasks for semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2001042996A2. Автор: Henning Haffner,Scott M. Mansfield,Lars W. Liebmann,Shahid Butt. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Berger Rudolf,Goellner Reinhard. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Shallow trench isolation

Номер патента: MY141557A. Автор: Inki Kim,Naoto Inoue,Sang Yeon Kim,Hitomi Watanabe,Min Paek,Ramakrishnan Rajagopal,Chiew Sin Ping,Wan Gie Lee,Choong Shiau Chien,Charlie Tay,Chang Gi Lee,Ch Ng Toh Ghee. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2010-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Trench isolation method for semiconductor devices

Номер патента: KR19980083839A. Автор: 홍수진. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.