Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

반도체 소자의 소자분리막 형성방법

Номер патента: KR20040006466A
Опубликовано: 24-01-2004
Автор(ы): 김형균, 정승훈
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100614575B1. Автор: 은병수,진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Method for laser separation of epitaxial film or layer of epitaxial film from growth substrate of epitaxial semiconductor structure (versions)

Номер патента: RU2469433C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2012-12-10.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100681212B1. Автор: 정채오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100460770B1. Автор: 김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100703836B1. Автор: 윤양한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-06.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20040059444A. Автор: 김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-05.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: US20240079240A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Methods of forming isolated germanium-containing fins for a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150200128A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for forming a inter layer dielectric of metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100326814B1. Автор: 구자춘. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-04.

Method for reducing metal content in a device layer of an SOI structure, and SOI structure manufactured by such a method

Номер патента: JP5976013B2. Автор: アレクシス・グラッベ,ローレンス・ピー・フラナリー. Владелец: MEMC Electronic Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4523976A. Автор: Yefim Bukhman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-06-18.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for cleaning the through-hole of the interconnection structure of semiconductor device structure

Номер патента: CN106356332B. Автор: 张哲诚,陈威廷,郑台新,萧伟印. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09985117B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and structure for forming dielectric isolated finFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09716046B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and structure for forming dielectric isolated FinFET with improved source/drain epitaxy

Номер патента: US09601514B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with body spacer at the bottom of the fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490159B2. Автор: Yang Bok Lee,Seung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US6780793B2. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a field effect transistor with local isolations on raised source/drain trench sidewalls

Номер патента: US09478656B2. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

FDSOI semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548317B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for forming FinFET devices

Номер патента: US09443729B1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a capping layer on a copper interconnect

Номер патента: US20020197865A1. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, and semiconductor device

Номер патента: US09834859B2. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Masayuki Imanishi,Mamoru Imade,Mihoko Hirao. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate

Номер патента: WO2023143804A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for Producing a Gate Cut Structure on an Array of Semiconductor Fins

Номер патента: US20200083090A1. Автор: Chan Boon Teik,Kim Ryan Ryoung Han,Altamirano Sanchez Efrain. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Methods for forming integrated circuit isolation layers using oxygen diffusing layers

Номер патента: US5814551A. Автор: Sung-Han Lee,Jae-kyung Lee,Chan-Sik Park,Kyung-hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-29.

Methods of forming an isolation layer and methods of manufacturing semiconductor devices having an isolation layer

Номер патента: US8524569B2. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Jung-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for removing impurities of a semiconductor wafer, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: US20040150087A1. Автор: Hideki Tsuya,Seigo Kishino. Владелец: Japan Society for Promotion of Science. Дата публикации: 2004-08-05.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for manufacturing semiconductor structures including isolation layer and semiconductor structures including isolation layer

Номер патента: US12119260B2. Автор: YUAN Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for planarizing the surface of an interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: US4634496A. Автор: Masahiro Abe,Masaharu Aoyama,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-06.

Method for realizing monoatomic layers of crystalline silicium upon a substrate of crystalline "beta" - silicium nitride

Номер патента: WO2014002123A1. Автор: Roberto Flammini,Daniele Maria Trucchi. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2014-01-03.

Method for local thinning of top silicon layer of SOI wafer

Номер патента: US9601389B1. Автор: Zhangli LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing transistor with SiCN/SiOCN multilayer spacer

Номер патента: US09882022B2. Автор: Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Fu-Yu Tsai,Tsai-Yu Wen,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for local thinning of top silicon layer of SOI wafer

Номер патента: US09601389B1. Автор: Zhangli LIU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

METHOD FOR FORMING AND USING STRESS-TUNED SILICON OXIDE FILMS IN SEMICONDUCTOR DEVICE PATTERNING

Номер патента: US20200152473A1. Автор: deVilliers Anton,Leusink Gerrit J.,Tapily Kandabara N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Method for forming cylindrical capacitor having titanium nitride bottom electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100602737B1. Автор: 김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-20.

METHOD FOR PRODUCING POLYAMID ACID FOR USE IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: DE2927864A1. Автор: Daisuke Makino,Yasuo Miyadera. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1980-01-24.

Method for realizing monoatomic layers of crystalline silicium upon a substrate of crystalline "beta" - silicium nitride

Номер патента: US20150194308A1. Автор: Roberto Flammini,Daniele Maria Trucchi. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2015-07-09.

Methods And Apparatus For Forming Tantalum Silicate Layers On Germanium Or III-V Semiconductor Devices

Номер патента: US20140065842A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Ahmed Khaled Z.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Method for the formation of silica film, silica film, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: EP1267395A3. Автор: Kinji Yamada,Eiji Hayashi,Atsushi Shiota,Michinori Nishikawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US7820344B2. Автор: Jae In Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080315323A1. Автор: Jae In Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: TWI362691B. Автор: Jae In Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-21.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363751A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features

Номер патента: US6653030B2. Автор: Ping Mei,Carl P. Taussig,Albert H Jeans. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-25.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR20060010933A. Автор: 김형균,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-03.

Method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100429555B1. Автор: 전승준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-03.

Method for forming a thin film transistor

Номер патента: US5834071A. Автор: Kang-Cheng Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-11-10.

Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate

Номер патента: EP4220686B1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for growing non-polar m-plane epitaxy layer of wurtzite semiconductors on single crystal oxide substrates

Номер патента: TW201112311A. Автор: Li Chang,Yen-Teng Ho. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-04-01.

PROCESS FOR FORMING ON A SUBSTRATE A LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL BASED ON GROUP II AND VI ELEMENTS

Номер патента: FR2601816B1. Автор: William E Hoke,Ralph Korenstein,Lindley T Specht. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1990-09-14.

Semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers and methods of forming semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers using self aligned double patterning

Номер патента: US8486818B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-16.

Structure and method for forming pattern using block copolymer, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR102107227B1. Автор: 김명수,복철규,반근도,허중군. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

A method for forming anti-reflect-film and its application to manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR970004447B1. Автор: 여기성,박정철,박춘근. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-27.

Nanoporous composition comprising polycaprolactone derivatives and method for forming an insulating film between metal layers in a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100585940B1. Автор: 진 규 이,이 열 류,상 국 마,상 율 김. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for forming line pattern array, photomask having the same and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: TW200901276A. Автор: Jae-In Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

System and method for monitoring operation failure of stacker for automatic manufacture of semiconductor

Номер патента: CN1155881C. Автор: ,李昌俊,徐庆镇. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for forming a gexsi1-x buffer layer of solar-energy battery on a silicon wafer

Номер патента: TWI377690B. Автор: Edward Yi Chang,Shih Hsuan Tang,Yue Cin Lin. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2012-11-21.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20160216605A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION BY MODIFYING PHOTO MASK OF SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер патента: US20190391485A1. Автор: KIM Dong Kyue,CHOI Byong Deok,Jee Kwang Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method of chemical-mechanical polishing of thick layers of cobalt-containing alloys

Номер патента: RU2687649C2. Автор: Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-05-15.

Method for simultaneous polishing of front surface and back surface of semiconductor wafer

Номер патента: JP2004343126A. Автор: Markus Schnappauf,ヴェーバー クリストフ,Christof Weber,Gunther H Kann,ハー カン グンター,マルクス　シュナップアウフ. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2004-12-02.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Apparatus and method for generting physical unclonable function by modifiying photo mask of semiconductor process

Номер патента: KR102339943B1. Автор: 김동규,최병덕,지광현. Владелец: 주식회사 아이씨티케이 홀딩스. Дата публикации: 2021-12-17.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210234044A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei Ning CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220352370A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

METHODS AND APPARATUS FOR FORMING SILICON PASSIVATION LAYERS ON GERMANIUM OR III-V SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130280918A1. Автор: Ahmed Khaled Z.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Methods and apparatus for forming silicon passivation layers on germanium or III-V semiconductor devices

Номер патента: US9093264B2. Автор: Khaled Z. Ahmed. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method for removing pollutants on the ceramic parts for use in a semiconductor device manufacturing equipment

Номер патента: KR100724184B1. Автор: 유승곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for producing 3c-sic epitaxial layer, 3c-sic epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20150108504A1. Автор: Yukimune Watanabe,Noriyasu KAWANA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140328742A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,Hirao Mihoko,IMANISHI Masayuki,IMADE Mamoru. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING OF THICK LAYERS OF COBALT-CONTAINING ALLOYS

Номер патента: RU2017134479A. Автор: Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-04-05.

Method for producing 3C-SiC epitaxial layer, 3C-SiC epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9758902B2. Автор: Yukimune Watanabe,Noriyasu KAWANA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Mechanism for Forming a Remote Delta Doping Layer of a Quantum Well Structure

Номер патента: US20100219396A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Suman Datta,Amlan Majumdar,Been-Yih Jin. Владелец: Chau Robert S. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for polishing semiconductor wafer, involves providing functional layer of polishing cloth with pores and small blind holes which are arranged in radially inward region and radially outward region

Номер патента: DE102012206708A1. Автор: Jürgen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for forming an oxynitride layer

Номер патента: US20030077915A1. Автор: Chia-Lin Ku,Yung-Hsien Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants

Номер патента: US09552982B2. Автор: Adrien Lavoie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide

Номер патента: EP1173886A1. Автор: Effiong Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-23.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Methods of removing fins so as to form isolation structures on products that include FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09455198B1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Xusheng Wu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100501549B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-18.

A method for forming trench type isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100825011B1. Автор: 김명진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for forming shallow trench isolation layer

Номер патента: KR100588643B1. Автор: 정민호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer

Номер патента: KR100509821B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-24.

Method of forming device isolation layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110003458A1. Автор: Seung-jae Lee,Jin-gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-06.

METHOD FOR SMOOTHING THE CONTOUR OF A USEFUL LAYER OF MATERIAL REFLECTED ON A SUPPORT SUBSTRATE

Номер патента: FR2842651B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2005-07-08.

Method for Improving the Quality of an SiC Crystal and an SiC Semiconductor Device

Номер патента: KR101287017B1. Автор: 히데카즈 쯔치다,리우타우라스 스토라스타. Владелец: 잇빤자이단호징 덴료쿠추오켄큐쇼. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for forming isolation member in trench of semiconductor substrate

Номер патента: US09570338B2. Автор: Yan Yan,Jun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for forming spacers for a transistor gate

Номер патента: US09583339B2. Автор: Srinivas Nemani,Olivier Joubert,Nicolas Posseme,Thibaut David,Laurent Vallier,Thorsten Lill. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer

Номер патента: US09385210B2. Автор: Hiroki Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices

Номер патента: WO2020214243A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Structure for relaxed SiGe buffers including method and apparatus for forming

Номер патента: US09752224B2. Автор: Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing nano-column heterostructure based on iii-n compounds

Номер патента: RU2758776C2. Автор: Сергей Викторович Иванов,Алексей Николаевич Семенов,Дмитрий Валерьевич Нечаев,Валентин Николаевич ЖМЕРИК,Демид Александрович Кириленко,Сергей Иванович Трошков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-11-01.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for reducing pillar structure dimensions of a semiconductor device

Номер патента: WO2009045347A1. Автор: Michael Chan,Steven J. Radigan,Yung-Tin Chen,Paul Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12119392B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type

Номер патента: US20090302425A1. Автор: Christian Belouet. Владелец: SOLARFORCE. Дата публикации: 2009-12-10.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09721805B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Chen-Wei Pan,Chia-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11915967B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for forming contact hole for dual damascene interconnection of semiconductor device and resultant structure

Номер патента: TW541656B. Автор: Jeong-lim Nam,Suk-joo Lee,Hee-Hong Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-11.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11955422B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method and equipment for forming gaps in a material layer

Номер патента: US20190096739A1. Автор: Yu-Ming Lin,Li-Te Lin,Chan-Syun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for forming self assembled monolayer and Cu wiring of semiconductor device using the same and method for forming the same

Номер патента: KR101096031B1. Автор: 김재홍,염승진,강성군,한원규. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-12-19.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Semiconductor device and process

Номер патента: US09837307B2. Автор: Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Yu-Chieh Liao,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and process

Номер патента: US09564396B2. Автор: Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Yu-Chieh Liao,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming electrical interconnection using dual damascene process of semiconductor device

Номер патента: KR100711929B1. Автор: 정성희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005931A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Junyi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for making an interconnect layout and a semiconductor device including an interconnect layout

Номер патента: GB2364598A. Автор: Sudhanshu Misra,Vivek Saxena,Donald Thomas Cwynar,Dennis Okumu Ouma,John Michael Sharpe. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for forming TiSiN film, diffusion preventive film comprising TiSiN film, semiconductor device and its production method, and apparatus for forming TiSiN film

Номер патента: US6919273B1. Автор: Hayashi Otsuki,Kimihiro Matsuse,Kunihiro Tada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-19.

METHOD FOR FORMING SEED LAYER ON HIGH-ASPECT RATIO VIA AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-ASPECT RATIO VIA FORMED THEREBY

Номер патента: US20160035620A1. Автор: Song Young Sik,YIM Tae Hong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Structure and method for manufacturing inter-metal dielectric layer between metal lines of semiconductor device

Номер патента: KR100818437B1. Автор: 황종택. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for forming tungsten film, film-forming apparatus, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20090045517A1. Автор: Masahito Sugiura,Yasushi Aiba,Yasutaka Mizoguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for forming seed layer on high-aspect ratio via and semiconductor device having high-aspect ratio via formed thereby

Номер патента: US9953867B2. Автор: Young Sik Song,Tae Hong Yim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-04-24.

Test system and method for reducing damage in seed layers in metallization systems of semiconductor devices

Номер патента: DE102009015718B4. Автор: Frank Feustel,Frank Koschinsky,Tobias Letz. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20070099430A1. Автор: Kelley Higgins,Joseph Wiseman. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for forming vapor phase grown film and apparatus for producing semiconductor devices

Номер патента: EP0536410A4. Автор: Kazuo Semiconductor Proc Maeda,Noboru Semiconductor Tokumasu,Yuhko Semiconductor Nishimoto. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 1994-06-29.

Semiconductor device suitable for electrostatic discharge (esd) protection

Номер патента: US20180342496A1. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse,Evgueniy Nikolov Stefanov. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for forming resin insulation film pattern on substrate surface and semiconductor device

Номер патента: JP5024348B2. Автор: 豊 福田,和人 加藤,明 田井,美知夫 亀山,輝和 深谷,学 富坂,和夫 赤松. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Self-aligned contacts for semiconductor device

Номер патента: US6165910A. Автор: Joel M. Cook,Janet M. Flanner,Ian J. Morey,Linda N. Marquez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Methods for utilization of disappearing silicon hard mask for fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US6689693B2. Автор: John H. Givens,Mark E. Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for manufacturing cover film and insulating layer on surface of semiconductor element

Номер патента: CN110117418B. Автор: 吴耀明,陈忆明,林圣钦,陈彦翔. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11854688B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230411474A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11862694B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Shih-Hsiang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing a pass-through device

Номер патента: US11031554B2. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud,Alain Persico. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for manufacturing a pass-through device

Номер патента: US20190252611A1. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud,Alain Persico. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of structuring a device layer of a recessed semiconductor device and recessed semiconductor device comprising a structured device layer

Номер патента: EP2802004B1. Автор: Martin Schrems,Bernhard LÖFFLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-11-04.

METHOD FOR THE MECHANICAL CHEMICAL POLISHING OF A LAYER OF A COPPER-BASED MATERIAL

Номер патента: FR2781922B1. Автор: Eric Jacquinot,Pascal Letourneau,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant France SA. Дата публикации: 2001-11-23.

Systems and methods for controlling the effective dielectric constant of materials used in a semiconductor device

Номер патента: US20080299779A1. Автор: Gregory C. Smith. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

METHOD FOR THE MECHANICAL CHEMICAL POLISHING OF A LAYER OF A COPPER-BASED MATERIAL

Номер патента: FR2781922A1. Автор: Eric Jacquinot,Pascal Letourneau,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant France SA. Дата публикации: 2000-02-04.

Electrical contact applying method for e.g. solar cell, involves applying layer of metallic powder on substrate, and guiding laser beam over substrate for local sintering and/or fusing metallic powder in inert atmosphere or in vacuum

Номер патента: DE102006040352B3. Автор: Ralf Preu,Stefan Glunz,Mónica ALEMÁN,Ansgar Mette. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing an electric device with a layer of conductive material contacted by nanowire

Номер патента: WO2006003620A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren,Erik P. A. M. Bakkers,Martijn H. R. Lankhorst,Prabhat Agarwal,Abraham R. Balkenende,Louis F. Feiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for manufacturing an electric device with a layer of conductive material contacted by nanowire

Номер патента: TW200627453A. Автор: Martijn Henri Richard Lankhorst,Pierre Hermanus Woerlee,Prabhat Agarwal,Abraham Rudolf Balkenende,Schaijk Robertus Theodorus Fransiscus Van,Duuren Michiel Jos Van,Erik Petrus Antonius Maria Bakkers,Louis Felix Feiner. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09601588B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming isolated semiconductor devices

Номер патента: US3695956A. Автор: Robert Ray Speers. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20060105540A1. Автор: Kousuke Hara,Toyokazu Sakata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084733A1. Автор: Jong-Doo Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for removing molding residues in the fabrication of plastic packages for semiconductor devices

Номер патента: US20010008139A1. Автор: Paolo Crema,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for forming contact windows in the layer of the protective foundation of a high-voltage device

Номер патента: RU2645920C2. Автор: Алексей Николаевич Харин,Эвелина Павловна Домашевская,Александр Васильевич Коновалов,Алексей Александрович Скиданов,Юрий Леонидович Фоменко,Владимир Андреевич Терехов,Сергей Юрьевич Турищев. Владелец: Акционерное общество "ВЗПП-Микрон". Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for producing a doping region in a layer of semiconductor material

Номер патента: DE2301384C3. Автор: John Anthony East Grinstead Kerr,John Martin Caterham Surrey Shannon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-02-07.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor devices and method for their manufacture

Номер патента: US20030211723A1. Автор: Ling Yun,Rick Teo Kok Hin. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure

Номер патента: US20210343711A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Uei JANG,Chung-Shu WU,Wei-Yeh TANG,An-Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods for forming a device having a capped through-substrate via structure

Номер патента: US09847256B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Yen-Hung Chen,Ebin Liao,Yin-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

A method for patterning layers of semiconductor devices

Номер патента: WO2002015231A2. Автор: Steffen Schneider,Virinder Grewal,Lars Paschedag,Ricky Mc Gowan. Владелец: Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2002-02-21.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for forming a semiconductor image sensor device

Номер патента: US09570494B1. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods for forming fin field-effect transistors

Номер патента: US12068199B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991290B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576986B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09755056B2. Автор: Ying-Tsung Chen,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Structure and method for forming integrated high density mim capacitor

Номер патента: US20240290823A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859158B2. Автор: Youngmok KIM,Kyoung-Eun Uhm,Kyunglyong KANG,Hodae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20220189853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11961787B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods for fabricating semiconductor devices having through electrodes

Номер патента: US09543200B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,SuKyoung Kim,Ju-Il Choi,Gilheyun CHOI,Kunsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for dicing a wafer

Номер патента: US20070224780A1. Автор: Fu Tang Chu,Chi Yuam Chung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for manufacturing semiconductor chip with two sided sawing process of semiconductor wafer and an apparatus for manufacturing semiconductor chip by the method

Номер патента: KR101116301B1. Автор: 김재도. Владелец: (주) 엔지온. Дата публикации: 2012-03-20.

Resonator and Preparation Method for Resonator

Номер патента: US20230318557A1. Автор: Chengliang SUN,Yang Zou,Yao Cai,Dawdon CHEAM,Bowoon SOON,Zhipeng DING,Binghui LIN. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Techniques for forming integrated inductor-capacitor oscillators and related methods, oscillators, semiconductor devices, systems-on-chips, and other systems

Номер патента: US11804803B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

TECHNIQUES FOR FORMING INTEGRATED INDUCTOR-CAPACITOR OSCILLATORS AND RELATED METHODS, OSCILLATORS, SEMICONDUCTOR DEVICES, SYSTEMS-ON-CHIPS, AND OTHER SYSTEMS

Номер патента: US20210218365A1. Автор: Leng Yaojian. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Process for forming the channel regions and the wells of semiconductor components

Номер патента: DE3012363C2. Автор: Alan Cowansville Quebec Aitken. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1986-04-03.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for forming an electrode with a layer of hemispherical grains thereon

Номер патента: US20020110993A1. Автор: Wengyi Chen,Chiuling Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Methods and arrangements for forming a tapered floating gate in non-volatile memory semiconductor devices

Номер патента: US5973353A. Автор: Lewis Shen,Wenge Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

METHOD FOR THE SELF-ALIGNMENT OF A DOUBLE LAYER OF POLYCRYSTALLINE SILICON, IN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, BY MEANS OF AN OXIDATION OPERATION

Номер патента: FR2543738A1. Автор: Pierangelo Pansana. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1984-10-05.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

High performance semiconductor devices fabricated with strain-induced processes and methods for making same

Номер патента: US20050079677A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yee-Chia Yeo,Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-14.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US7413925B2. Автор: Yoshimi Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method for polishing leads for semiconductor packages

Номер патента: US6726533B2. Автор: Takeyuki Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-27.

Method for Cleaning Hydrogen Plasma Downstream Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device Using Such Device

Номер патента: KR960005764A. Автор: 기꾸찌 준,후지무라 수조. Владелец: 세끼사와 다다시. Дата публикации: 1996-02-23.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Slurry and polishing method for fixed abrasive polishing pad for polishing conductive structure of semiconductor device containing copper and tungsten

Номер патента: JP2004507899A. Автор: チョプラ、ディネッシュ,シンハ、ニシュアント. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for forming an electrode on n-type nitride semiconductor, nitride semiconductor device and method for manufacutring the same

Номер патента: KR20150053171A. Автор: 김성준,김태훈,박태영,장태성,이완호,임완태,성영규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-15.

Method For The Simultaneous Double-Side Grinding Of A Plurality Of Semiconductor Wafers, And Semiconductor Wafer Having Outstanding Flatness

Номер патента: US20080014839A1. Автор: Georg Pietsch,Michael Kerstan. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for forming a gate electrode having polycide structure in a semiconductor device

Номер патента: KR100260364B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of etching a metal layer using a mask, a metallization method for a semiconductor device, a method of etching a metal layer, and an etching gas

Номер патента: US20040038547A1. Автор: Chang-jin Kang,Byeong-Yun Nam,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470B1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2007-04-20.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE ETCH DEPTH DURING PLASMA ALTERNATE ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: FR2880470A1. Автор: Michel Puech,Nicolas Launay. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-07.

Semiconductor apparatus, manufacturing method for semiconductor apparatus, and power converter

Номер патента: US11942400B2. Автор: Kei Yamamoto,Kuniyuki Sato,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods for polishing dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US11862472B2. Автор: Xiaohong Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer of semiconductor material in a deposition apparatus

Номер патента: IL308678A. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-01-01.

High frequency semiconductor device and producing the same

Номер патента: WO2004036650A1. Автор: Choong-Mo Nam. Владелец: Telephus Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for growing nitride III-V compound semiconductor layers and method for fabricating a nitride III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US5993542A. Автор: Masao Ikeda,Katsunori Yanashima,Satoshi Tomioka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method for doping impurity material into a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP0316940B1. Автор: Moritaka C/O Fujitsu Limited Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

Method for determining end point of cleaning in an apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: KR920010726B1. Автор: 마사히로 아베,오사무 하라다,야스가즈 마세. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1992-12-14.

METHODS FOR FILLING A GAP FEATURE ON A SUBSTRATE SURFACE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067014A1. Автор: Swaminathan Shankar,Xie Qi,Zope Bhushan,Shrestha Kiran,Zhu Chiyu,Jussila Henri Tuomas Antero. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR LAYER OF A WORKPIECE

Номер патента: US20210246546A1. Автор: Reber Stefan,Schillinger Kai,Reichhart Benjamin,MILENKOVIC Nena. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

METHOD OF AND SYSTEM FOR DETERMINING AN OVERLAY OR ALIGNMENT ERROR BETWEEN A FIRST AND A SECOND DEVICE LAYER OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,Navarro Paredes Violeta,VAN ES Maarten Hubertus. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for manufacturing field effect transistor using self-aligned silicide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100333647B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Techniques for forming trenches in a silicon layer of a substrate in a high density plasma processing system

Номер патента: KR100574141B1. Автор: 마크에이. 케나드. Владелец: 램 리서치 코포레이션. Дата публикации: 2006-04-25.

Method for manufacturing semiconductor wafer provided with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: CN103053016A. Автор: 满仓一行,藤井真二郎,森修一. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Systems and methods for improved adhesion between a leadframe and molding compound in a semiconductor device

Номер патента: US10211131B1. Автор: Rangsun Kitnarong,Chawalit Pinyo,Vichanart Nimibutr,Vorawat Pangwong,Kritsada Inchum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-19.

Elimination process of crystal defects produced in N-type layers of a silicon semiconductor device by phosphorus ion implantation and device produced by this method

Номер патента: EP0018520A1. Автор: Alfred Dr. Schmitt,Gerd Dr. Schorer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-12.

Apparatus and method for one-sided etching of a semiconductor layer of a workpiece

Номер патента: EP3794634B1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger,Nena MILENKOVIC,Benjamin Reichhart. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for reducing the contact resistance of the connection regions of a semiconductor device

Номер патента: EP1524686A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Jacob Christopher Hooker,Robert Lander. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-04-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US10859925B2. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-12-08.

DEVICE AND METHOD FOR AT LEAST PARTLY DISSOLVING A CONNECTING LAYER OF A TEMPORARILY BONDED SUBSTRATE STACK

Номер патента: US20180040489A1. Автор: FEHKUHRER Andreas. Владелец: EV Group E. Thallner GmbH. Дата публикации: 2018-02-08.

Apparatus and method for at least partially softening a connecting layer of a temporarily bonded substrate stack

Номер патента: KR102447153B1. Автор: 안드리아스 페쿠러. Владелец: 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하. Дата публикации: 2022-09-23.

Method for generating doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component

Номер патента: DE102014215893A1. Автор: Ralph Müller,Jan Benick,Martin Hermle,Christian Reichel,Julian Schrof. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-02-11.

Device and method for at least partially dissolving a connection layer of a temporarily crimped substrate stack

Номер патента: CN108028212B. Автор: A.费屈雷尔. Владелец: EV Group E Thallner GmbH. Дата публикации: 2022-02-18.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods for producing piezoelectric bulk and crystalline seed layers of different c-axis orientation distributions

Номер патента: US20170111023A1. Автор: John BELSICK,Kevin MCCARRON. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09870955B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240030316A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrates for semiconductor device assemblies and systems with improved thermal performance and methods for making the same

Номер патента: US20230154823A1. Автор: Chan H. Yoo,Xiaopeng Qu,Hyunsuk CHUN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601566B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09577043B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Sunjung Kim,Eunhye Choi,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing optoelectronic devices

Номер патента: US12112968B2. Автор: Ralph Wagner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748141B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Secure inspection and marking of semiconductor wafers for trusted manufacturing thereof

Номер патента: US20210134682A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09537010B2. Автор: Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for analyzing an integrated circuit, apparatus and integrated circuit

Номер патента: EP1886159A2. Автор: Martijn Philips Intell. Prop. & Standards GOOSSENS,Frank Philips Intell. Prop. & Standards ZACHARIASSE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6605512B2. Автор: Yukihiro Kiyota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-12.

Method for operating a power electronic converter, and power electronic converter

Номер патента: EP3973625A1. Автор: Martin KLAEUSLER,Simon Herold,Jerome Fischer,Giulia Beanato,Luigi Lucano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for removing non-bonding compound from polycrystalline materials on solar panel

Номер патента: US09498799B2. Автор: Shih-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure

Номер патента: US20180347966A1. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for providing and utilizing rerouting resources

Номер патента: US20040072390A1. Автор: Steven Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for surface roughness enhancement in semiconductor capacitor manufacturing

Номер патента: US20030114005A1. Автор: Helmut Tews,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Stephan Kudelka,Irene Mcstay,Stephen Rahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220085021A1. Автор: Xinran Liu,Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary

Номер патента: US5485949A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for laying out storage node contact and storage node of semiconductor device, semiconductor device thereby

Номер патента: KR100745069B1. Автор: 양현조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for allocating semiconductor package terminals, device for assisting allocation of semiconductor package terminals, semiconductor package, and program that executes method for allocating semiconductor package terminals

Номер патента: WO2012063284A1. Автор: 鈴木　啓介. Владелец: 富士通株式会社. Дата публикации: 2012-05-18.

Multilayer interconnect board and multilayer semiconductor device

Номер патента: US20030067056A1. Автор: Yasushi Araki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for forming organic silica film, organic silica film, wiring structure, semiconductor device, and composition for forming film

Номер патента: WO2005068541A1. Автор: Atsushi Shiota,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Takahiko Kurosawa. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2005-07-28.

METHOD FOR REMOVING HARD MASK OXIDE AND MAKING GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140162446A1. Автор: Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Sun Sey-Ping,Lin Yi-An,CHANG Chun-Wei. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for manufacturing a floating gate of a dual gate of semiconductor device

Номер патента: US20040224468A1. Автор: Sung-Bo Hwang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for forming organic silica film, organic silica film, wiring structure, semiconductor device, and composition for film formation

Номер патента: KR101163251B1. Автор: 아쯔시 시오따,마사히로 아끼야마,다까히꼬 구로사와,히사시 나까가와,다쯔야 야마나까. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for forming organic silica film, organic silica film, wiring structure, semiconductor device, and composition for film formation

Номер патента: EP1746123A1. Автор: Atsushi Shiota,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Takahiko Kurosawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Method for Forming Organic Silica Film, Organic Silica Film, Wiring Structure, Semiconductor Device, and Composition for Film Formation

Номер патента: US20080268264A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Atsushi Shiota,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Takahiko Kurosawa. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer bonded body, semiconductor wafer bonded body, and semiconductor device

Номер патента: WO2011034025A1. Автор: 白石　史広,高橋　豊誠,敏寛 佐藤,川田　政和,正洋 米山,裕久 出島. Владелец: 住友ベークライト株式会社. Дата публикации: 2011-03-24.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for controlling a processing device for a sequential processing of semiconductor wafers

Номер патента: US6684124B2. Автор: Sebastian Schmidt,Thomas Fischer,Thorsten Schedel,Karl Schumacher,Ralf Otto,Heiko Hommen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-27.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONDUCTING SOFT TURN-OFF OF A DRIVING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20150070078A1. Автор: Jeong Kang Ho,Jeong Jee Hye,Lee Ki Jong. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2015-03-12.

Radiation emitting semiconductor device

Номер патента: US20030173575A1. Автор: Dominik Eisert,Uwe Strauss,Volker Haerle,Frank Kuehn,Manfred Mundbrod-Vangerow,Ulrich Zehnder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

METHOD FOR CREATING OPTICAL INSULATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014A1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2018-03-16.

METHOD FOR CREATING OPTICAL ISOLATION BETWEEN PIXELS OF A MATRIX OF SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES

Номер патента: FR3056014B1. Автор: Vincent DuBois,Antoine De Lamberterie,Nicolas Lefaudeux,Guillaume THIN,Samira MBATA,Thomas Canonne,Van-Thai HOANG,Francois-Xavier AMIEL. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2020-05-29.

Method and an apparatus for treating a surface of a TCO material, in a semiconductor device

Номер патента: US11769851B2. Автор: Alison Joan Lennon,Vincent Akira ALLEN. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing an edge termination for a silicon carbide power semiconductor device

Номер патента: EP3180799A1. Автор: Jan Vobecky. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-21.

Gate pad protection structure for power semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030157753A1. Автор: Jun Zeng,Ming-Jiang Zhou,Tzong-Shiann Wu. Владелец: Pyramis Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for patterning metal foil, electric wiring substrate and its manufacturing method, semiconductor device and its manufacturing method, and circuit board and electronic device

Номер патента: JP2002012988A. Автор: 秀樹 湯澤,Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Method for setting the magnetization of the bias layer of a magneto-resistive sensor element, sensor element or sensor element system processed accordingly and sensor element and sensor substrate suitable for carrying out the method

Номер патента: DE19830344A1. Автор: Den Berg Hugo Van,Roland Mattheis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-01-20.

Method for setting the magnetization of the bias layer of a magneto-resistive sensor element, sensor element processed accordingly and sensor substrate suitable for carrying out the method

Номер патента: DE19830344C2. Автор: Den Berg Hugo Van,Roland Mattheis. Владелец: IPHT JENA INST fur PHYSIKALIS. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board mounted with the semiconductor device

Номер патента: WO1998036450A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-20.

Thermosetting compound, thermosetting composition, thermosetting composition for forming optical semiconductor element package, cured resin, and optical semiconductor device

Номер патента: JP6381446B2. Автор: 恭子 山本,広明 高松. Владелец: Nippon Carbide Industries Co Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Prduction method for copolymer film, copolymer film produced by the forming method, and semiconductor device using copolymer film

Номер патента: WO2003002629A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Jun Kawahara. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080157285A1. Автор: Shunichi Tokitoh. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

APPARATUSES AND METHODS FOR PIN CAPACITANCE REDUCTION INCLUDING BOND PADS AND CIRCUITS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190363060A1. Автор: Perry Guy S.,Ho Michael V.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-28.

Polymer blend, organic light emitting diodes using the same and method for controlling charge mobility of the emitting layer of thereof

Номер патента: KR101883739B1. Автор: 정용식,박연정,주원제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-31.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JPWO2008059856A1. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

METHOD FOR MEASURING THE THICKNESS VARIATIONS OF A LAYER OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2998047A1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Dutartre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2014-05-16.

Method for modifying the properties of a thin layer of a substrate for applications in making electronic and optoelectronic components

Номер патента: FR2839505A1. Автор: Volodymyr Lysenko,Olivier Marty. Владелец: Universite Claude Bernard Lyon 1 UCBL. Дата публикации: 2003-11-14.

High melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semiconductor device

Номер патента: EP0666336A1. Автор: Michio Sato,Noriaki Yagi,Hiromi Shizu,Toshihiro Maki,Takashi Yamanobe,Yoshiharu Fukasawa,Tohru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-09.

Method for removing at least regions of a layer of a layer stack

Номер патента: CA2782200A1. Автор: Vasile Raul Moldovan,Christoph Tobias Neugebauer. Владелец: Manz AG. Дата публикации: 2011-06-09.

A heat conductive layer, a photosensitive layer, a photosensitive composition, a method for manufacturing the heat conductive layer, and a laminate and a semiconductor device.

Номер патента: JP7018126B2. Автор: 和人 嶋田,広祐 山下. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for measuring a overlay status in a fabricating process of a semiconductor device

Номер патента: KR100688721B1. Автор: 지승민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for cooling power semiconductor switch e.g. rectifier, involves thermally connecting semiconductor device to phase-change material that is arranged in container or reservoir

Номер патента: DE102013206868A1. Автор: Karlheinz Benz. Владелец: EGO Elektro Geratebau GmbH. Дата публикации: 2014-05-08.

System and method for reducing cross-coupling noise between charge storage elements in a semiconductor device

Номер патента: US8759894B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Unsoon Kim,Yider Wu,Angela T. Hui. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Multilayer resin sheet, resin sheet laminate, cured multilayer resin sheet and method for producing the same, multilayer resin sheet with metal foil, and semiconductor device

Номер патента: JP6402763B2. Автор: 康彦 阿波野,敦司 桑野,敏明 白坂,智雄 西山,桑野　敦司,阿波野　康彦. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-10.

Thermosetting light reflecting resin composition, method for producing the same, optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Номер патента: JP5660173B2. Автор: 晃 永井,永井　　晃,直之 浦崎,勇人 小谷,光祥 濱田,加奈子 湯浅. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

METHOD FOR THE PREVENTION OF SURFACE ELECTRIC DISCHARGES IN PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE DURING THEIR TESTING

Номер патента: IT1217324B. Автор: Carmelo Magro,Carmelo Oliveri. Владелец: Ora S G S Thomson Microelectro. Дата публикации: 1990-03-22.

Aluminum paste for forming the back surface field layer of solar cells

Номер патента: JP5160381B2. Автор: フアン，ウェン−ジュイ,リン，チン−チャン,タイ，クオ−シュン,フアン，チエン−ス,ウ，ジュン−ミン,リン，チェン−スン. Владелец: Gigastorage Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Method for manufacturing semiconductor wafer bonding product, semiconductor wafer bonding product and semiconductor device

Номер патента: TW201207896A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR PRODUCING DOPING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20170236970A1. Автор: Hermle Martin,Reichel Christian,Benick Jan,Muller Ralph,Schrof Julian. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for manufacturing display device including a wiring layer of a molybdenum-based material

Номер патента: US10175518B2. Автор: Tetsuya Tarui,Hidenobu Kimoto,Yoshihiro Seguchi,Takehisa SUGIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Wiring Layer of Highly Integrated Semiconductor Devices

Номер патента: KR970013211A. Автор: 김승인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Substrate imprinted with a pattern for forming isolated device regions

Номер патента: US09806258B2. Автор: James A. Brug,Lihua Zhao,Carl A. TAUSSIG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09608099B1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating thin photovoltaic cells

Номер патента: US09484487B2. Автор: Alex Masolin,Maria Recaman Payo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-01.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for producing wafer notches with rounded corners and a tool therefor

Номер патента: US20030089931A1. Автор: Richard Guldi,James Garvin,Moitreyee Mukerjee-Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US8741708B2. Автор: Leo Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US12051738B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Method for making diodes for middle-wave ir range of spectrum

Номер патента: RU2647978C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова,Ольга Вениаминовна Иванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2018-03-21.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Electrode matrix, method for manufacturing it and device for processing and/or storing data

Номер патента: RU2275697C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Номер патента: US20220359846A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

System and method for operating an electric power converter

Номер патента: EP2590211A3. Автор: Robert Gregory Wagoner,Allen Michael Ritter,Paul Stephen Pate. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-17.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Iii-v semiconductor device

Номер патента: US20220406926A1. Автор: Benoit Bakeroot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing device comprising charge transport layer

Номер патента: US20230354685A1. Автор: Min Hee Kim,Hyun Suk Jung,Gill Sang HAN. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Electrode of power storage device using solid electrolyte, power storage device, and production method for positive electrode layer or negative electrode layer of power storage device

Номер патента: EP3930040A4. Автор: Shunji Hasuo. Владелец: Shenzhen I&t Micro Aluminium Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Composition for forming negative electrode active material layer of power storage device, negative electrode and power storage device containing the composition, and method for producing negative electrode for power storage device

Номер патента: JP6666259B2. Автор: 英明 伊藤,新田　耕司,耕司 新田,篤史 福永,将一郎 酒井,瑛子 今▲崎▼,昂真 沼田,仁 小林,伊藤　英明,小林　仁,利秋 山下,慎一 丸山. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-13.

Method for manufacturing slurry for insulation protective layer of rechargeable battery and device for manufacturing slurry for insulation protective layer of rechargeable battery

Номер патента: US20230256404A1. Автор: Hideki Hayashi,Hiroki Yamada,Masakazu Umehara,Naoya Kishimoto,Yuuki KUDOU,Naoto OOSHIRO. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Antenna system comprising two oppositely directed antennas and methods for controlling transmission of radiation through a multi-layered antenna structure

Номер патента: US11955719B1. Автор: Mahmoud F. Y. AL AHMAD,Abdul-Halim Jallad. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-09.

Electrode of power storage device using solid electrolyte, power storage device, and production method for positive electrode layer or negative electrode layer of power storage device

Номер патента: EP3930040A1. Автор: Shunji Hasuo. Владелец: Shenzhen I&t Micro Aluminium Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Method for Producing a Contact Region for a Layer of an Electrical Heating Device and Apparatus for an Electrical Heating Device for a Motor Vehicle

Номер патента: US20170325290A1. Автор: Thorsten Kabelitz. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2017-11-09.

Fuel cell assembly and method for bonding a separator and an electrolyte layer of a fuel cell assembly

Номер патента: CA2484302C. Автор: Yuji Saito,Toshifumi Suzuki,Jun Sasahara,Tadahiro Kubota,Nariaki Kuriyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-02.

Method for preparing compact Mn-Co spinel protective layer of stainless steel connector by hot-pressing sintering method

Номер патента: CN111690926A. Автор: 曹健,苏毅,李淳,高建伟,冯吉才,亓钧雷,司晓庆. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-09-22.

A fuel cell with bonding layer of functionally gradient material and the method for manufacturing a fuel cell with bonding layer of functionally gradient material

Номер патента: KR101218505B1. Автор: 정지훈,배중면,최도형. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for preparing nano-sized powders for protective layer of PDP application

Номер патента: KR100912176B1. Автор: 윤대호,정몽권,박우정,다카키 마사키. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2009-08-14.

Fuel cell assembly and method for bonding a separator and an electrolyte layer of a fuel cell assembly

Номер патента: US20090136825A9. Автор: Yuji Saito,Toshifumi Suzuki,Jun Sasahara,Tadahiro Kubota,Nariaki Kuriyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Fuel cell assembly and method for bonding a separator and an electrolyte layer of a fuel cell assembly

Номер патента: KR100645495B1. Автор: 사이토유지,사사하라쥰,스즈키도시후미,구보타다다히로,구리야마나리아키. Владелец: 혼다 기켄 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-11-14.

Fuel cell assembly and method for bonding a separator and an electrolyte layer of a fuel cell assembly

Номер патента: US20050175882A1. Автор: Yuji Saito,Toshifumi Suzuki,Jun Sasahara,Tadahiro Kubota,Nariaki Kuriyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Fuel cell assembly and method for bonding a separator and an electrolyte layer of a fuel cell assembly

Номер патента: EP1504489B1. Автор: Jun c/o K.K. Honda Gijutsu Kenkyusho SASAHARA,Toshifumi c/o K.K. Honda Gijutsu Kenkyusho SUZUKI,Tadahiro c/o K.K. Honda Gijutsu Kenkyusho KUBOTA,Nariaki c/o K.K. Honda Gijutsu Kenkyusho KURIYAMA,Yuji c/o Honda Research Institute USA Inc. SAITO. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: US20230165123A1. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Device and method for testing a resistance value of on-die-termination device and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090267637A1. Автор: Jung Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for manufacturing a photovoltaic element containing a liquid electrolyte

Номер патента: EP1095386B1. Автор: Johannes Adrianus Maria Van Roosmalen,Martin Spath,Andries Cornelis Tip,Paul Matthieu Sommeling. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2004-03-03.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Planar gate-controlled element and method for fabricating the same

Номер патента: WO2010068055A3. Автор: Young Kyoo Kim,Hwa Jeong Kim,Sung Ho Nam. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2010-09-30.

Copper clad laminate for forming of embedded capacitor layer, multilayered printed wiring board, and manufacturing method of multilayered printed wiring board

Номер патента: US09924597B2. Автор: Fujio Kuwako,Toshihiro Hosoi,Toshifumi Matsushima. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Signal transmission circuit, signal transmission method for synchronizing different delay characteristics, and data latch circuit of semiconductor device having the same

Номер патента: KR100335503B1. Автор: 김규현,이정배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Dielectric filler-containing resin for forming a built-in capacitor layer of a printed wiring board, double-sided copper-clad laminate having a dielectric layer formed using the dielectric filler-containing resin, and method for producing the double-sided copper-clad laminate

Номер патента: JP4148501B2. Автор: 哲朗 佐藤,敏文 松島,一浩 山崎,英章 三輪,彰 一柳,富士夫 桑子. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-10.

A compound for forming a self-assembling monolayer, a layered structure, a semiconductor device and a method for producing a layered structure

Номер патента: DE10329247A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Ute Zschieschang,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-27.

Binder for forming scattering layer and planarization layer of organic led, composition for forming scattering layer containing binder, and composition for forming planarization layer

Номер патента: WO2012102473A2. Автор: 송세호,박장우. Владелец: 주식회사 나노신소재. Дата публикации: 2012-08-02.

Vehicle, apparatus, method, and computer program for composing a message at a higher layer of a communications protocol stack

Номер патента: US20210385631A1. Автор: Hendrik-Jörn Günther. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2021-12-09.

POWER TRANSMISSION DEVICE, POWER TRANSMISSION AND RECEIVING DEVICE, METHOD FOR DETECTING POWER RECEIVING DEVICE, POWER RECEIVING DEVICE DETECTION PROGRAM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160226311A1. Автор: Kanno Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method for regulating the magnetization of the bias layer of a magnetoresistive sensor element, sensor element or sensor element system processed according to said method and sensor element and sensor substrate suitable for the implementation of said method

Номер патента: EP1093587A2. Автор: Hugo van den Berg,Roland Mattheis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-25.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: WO2021182545A1. Автор: 純一 竹谷,真理 佐々木,峻一郎 渡邉,龍幸 牧田. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2021-09-16.

Production method for patterned organic film, production apparatus for patterned organic film, organic semiconductor device produced by same, and integrated circuit including organic semiconductor device

Номер патента: EP4120325A4. Автор: Mari Sasaki,Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for reducing the surface roughness of a thin layer of conductive oxides

Номер патента: EP1695397A1. Автор: Massimo Consiglio Naz. delle Ricerche COCCHI,P. Consiglio Naz. delle Richerche DI MARCO,V. Consiglio Nazionale delle Ricerche FATTORI,Gabriele Consiglio Naz. delle Ricerche GIRO,Dalia Consiglio Nazionale delle Ricerche VIRGILI,Aberto Consiglio Nazionale delle Ricerche GARULLI. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2006-08-30.

Method for reducing the surface roughness of a thin layer of conductive oxides

Номер патента: WO2005057676A8. Автор: Massimo Cocchi,Valeria Fattori,Gabriele Giro,Dalia Virgili,Marco Piergiulio Di,Alberto Garulli. Владелец: Alberto Garulli. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for reducing the surface roughness of a thin layer of conductive oxides

Номер патента: US20070120472A1. Автор: Massimo Cocchi,Piergiulio Di Marco,Valeria Fattori,Gabriele Giro,Dalia Virgili,Alberto Garulli. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2007-05-31.

A method for controlling a line converter on board a track-bound vehicle

Номер патента: CA2993897C. Автор: Johann Galic. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2024-01-02.

System and method for protecting secret data items using multiple tiers of encryption and secure element

Номер патента: US20230327855A1. Автор: Wei Li. Владелец: Blue Space Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

System and method for protecting secret data items using multiple tiers of encryption and secure element

Номер патента: US11997191B2. Автор: Wei Li. Владелец: Blue Space Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

System and Method for Authenticating Network Transaction Trustworthiness

Номер патента: US20170278107A1. Автор: Changjun Jiang,Chungang Yan,Hongzhong Chen,Zhijun Ding,Wangyang Yu,Yonglong Ge. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for optimizing morphology and performance of active layer of organic solar cell

Номер патента: CN113097391B. Автор: 马伟,冯纪蕊,辛景明. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2022-12-09.

Method for improving corrosion resistance of hole absorption layer of perovskite solar cell

Номер патента: CN111613728A. Автор: 陈涛,陈庆,杨洁,白涛,廖健淞. Владелец: Chengdu New Keli Chemical Science Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for improving the remanent polarization of a layer of polymer material and applications to pyroelectric and piezoelectric transducers

Номер патента: FR2696872A1. Автор: Robin Philippe,Servet Bernard,Ries Simone,Alnot Patrick,Facoetti Hugues,Wittmann Jean-Claude. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-04-15.

Method for fabricating magnetic field sensor having multi-layer structure and RF semiconductor device equipped with magnetic field sensor

Номер патента: US20030112007A1. Автор: Dok Won Lee,Dong Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

METHODS FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC BULK AND CRYSTALLINE SEED LAYERS OF DIFFERENT C-AXIS ORIENTATION DISTRIBUTIONS

Номер патента: US20170111023A1. Автор: Belsick John,McCarron Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Cross-layer communication method for OFDM link physical layer and MAC layer of underwater acoustic communication network

Номер патента: CN106788782B. Автор: 聂东虎,乔钢,刘凇佐,孙宗鑫,周锋,马璐,尹艳玲. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2021-05-07.

Heterocyclic compound, organic light-emitting element comprising same, method for producing same, and composition for organic layer of organic light-emitting element

Номер патента: CN113056462A. Автор: 金东骏,朴建裕,金秀姸. Владелец: LT Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Preparation method for ink formulation, photoelectric device and functional layer of photoelectric device

Номер патента: EP3584292A4. Автор: Changgua Zhen,Haitao Guo,Junjun PENG. Владелец: Najing Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Device and method for spread coating a paste over a layer of substrate, for example for producing surface covering elements

Номер патента: WO2020016291A1. Автор: Jean-Yves Simon,Diego Gourdin. Владелец: TARKETT GDL S.A.. Дата публикации: 2020-01-23.

Device and method for spread coating a paste over a layer of substrate, for example for producing surface covering elements

Номер патента: EP3823765A1. Автор: Jean-Yves Simon,Diego Gourdin,Guillaume CHATTE. Владелец: Tarkett GDL SA. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for determining the composition of a surface layer of a nanoparticle in a matrix in a binary system

Номер патента: RU2654956C1. Автор: Азмет-Гери Аюбович Шебзухов,Мадина Азметовна Шебзухова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-05-23.

Data carrier, printing plate, method for manufacturing the form and metallographic printing method for sealing adjacent surfaces with continuous paint layers of different thickness

Номер патента: RU2236949C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Петер ФРАНЦ,Рогер АДАМЧИК,Эдуард ВИСЬЯК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2004-09-27.

System and method for access control of a plurality of instruments embedded in a semiconductor device

Номер патента: US12111356B2. Автор: Erik Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for determining the temperature of an active layer of a heating resistor

Номер патента: US12071042B2. Автор: Maximilian Benkert,Egor SAWAZKI. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: EP2462433A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2012-06-13.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: WO2011016936A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for determining a temperature of a depletion layer of a semiconductor switch, and device

Номер патента: US20240288318A1. Автор: Ingmar Kallfass,Kanuj Sharma. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for updating an instruction cache following a branch instruction in a semiconductor device

Номер патента: US9575761B2. Автор: Isao Kotera. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for updating an instruction cache following a branch instruction in a semiconductor device

Номер патента: US09575761B2. Автор: Isao Kotera. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Delivery tool and method for forming a structure having a layer of hardened paste and particles under the layer

Номер патента: US20200367953A1. Автор: Jiin-Huey Chern Lin,Chien-Ping Ju,Yen-Chun Chen,Bing-chen YANG. Владелец: Joy Medical Devices Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

A method for simulating distributed effects within a device such as a power semiconductor device

Номер патента: WO1995005626A2. Автор: Stephen John Battersby. Владелец: Philips Electronics U.K. Limited. Дата публикации: 1995-02-23.

Method for increasing wear resistance of a surface layer of an asphalt-concrete roadbed

Номер патента: RU2694639C1. Автор: Владимир Степанович Григорьев. Владелец: Владимир Степанович Григорьев. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of and device for forming an image of a layer of a three-dimensional object

Номер патента: US4461016A. Автор: Hermann Weiss,Erhard Klotz. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-07-17.

Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system

Номер патента: WO2020020759A1. Автор: FENG CHEN,Youping Zhang,Chi-Hsiang Fan,Wangshi Zhao. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2020-01-30.

System and method for access control of a plurality of instruments embedded in a semiconductor device

Номер патента: US20240061041A1. Автор: Erik Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for Determining the Temperature of an Active Layer of a Heating Resistor

Номер патента: US20200276901A1. Автор: Maximilian Benkert,Egor SAWAZKI. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus and methods for providing a route using a map layer of one or more sound events

Номер патента: US11898870B2. Автор: Leon Stenneth,Jerome Beaurepaire,Jeremy Young. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for continuously extruding and depositing an unbroken layer of mortar on a work surface or substrate

Номер патента: US20190024395A9. Автор: Douglas S. Campbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-24.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Arrangement and method for dynamic braking of a permanent magnet motor and an elevator utilizing thereof

Номер патента: US11855571B2. Автор: Mikko Paakkinen. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for manufacturing a titanium alloy for biomedical devices

Номер патента: US09677162B2. Автор: Thierry Gloriant,Doina Gordin. Владелец: INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE RENNES. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for producing optical connector, optical connector and optical fiber insertion device

Номер патента: RU2659191C2. Автор: Такаси ЯМАГУТИ,Такахару МАЦУДА,Хун Хуу ЛОН,Кадзухиро ТАКИДЗАВА,Кэйсукэ ЁНЭДА,Кадзутоси ТАКАМИДЗАВА,Юдзи АОЯГИ,Кацуси НАКАЯТИ. Владелец: Ниппон Телеграф Энд Телефон Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for pre-welding treatment of coated steel sheets

Номер патента: RU2755485C1. Автор: Геральд БРУГГЕР. Владелец: Фёстальпине Аутомотив Компонентс Линц Гмбх. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for manufacturing laminate consisting of a carrier plate and decorative paper

Номер патента: RU2766327C1. Автор: Норберт КАЛЬВА. Владелец: Флуринг Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for reducing mobility of upper layer of river or channel water flow

Номер патента: RU2634547C1. Автор: Борис Валерьевич Журавлев. Владелец: Борис Валерьевич Журавлев. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for determining a cooling structure

Номер патента: WO2024069484A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-04.

Screen filter (variants) and method for producing the same

Номер патента: RU2271440C2. Автор: Дэвид Вей ВАНГ,Колин ПРАЙС-СМИТ,Дэвид Вей ВАНГ (US),Колин ПРАЙС-СМИТ (US). Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for deterrmining a cooling structure

Номер патента: EP4345679A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods for driving electro-optic displays

Номер патента: US12085829B2. Автор: Bryan Hans Chan,Craig Lin. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for identifying the lithological layer of an excavated material for the purpose of its valorisation

Номер патента: US11879858B2. Автор: Laurence Boulange,Florian DOOM,Matthieu JEANNELLE. Владелец: Eiffage GC Infra Lineaires SAS. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for determining debonding energy of a composite laminate

Номер патента: US20220242066A1. Автор: José Manuel Menéndez Martin,David Lopez Bravo,Jagoba ALVARO GORDO,Raúl MARTIN REDONDO. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2022-08-04.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for transporting goods in containers in two layers and a wagon for transporting the containers

Номер патента: US20230356965A1. Автор: Marcin Witczak. Владелец: LAUDE SMART INTERMODAL Spólka Akcyjna. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and device for transferring layers of articles between adjacent modules

Номер патента: US09643801B2. Автор: Erhard Beer,Martin Osterhammer. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: US09818462B1. Автор: Jens Polney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A3. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Apparatus and methods for real-time three-dimensional sem imaging and viewing of semiconductor wafers

Номер патента: WO2012121834A2. Автор: Zain Saidin,Gordon Abbott,Takuji Tada,Stephen Lang,Chien-Huei Chen,Mark Neil,Hedong Yang,Cho Teh,Paul D. Macdonald,Rajasekhar KUPPA. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

Software deployment and management system and method for its work

Номер патента: RU2751215C1. Автор: Александр Александрович Леонович,Игорь Викторович Паловников,Денис Александрович Никитенко,Артем Сергеевич Стыценко,Сергей Сергеевич Терских. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «АЙТИ-ЮНИВЕРС». Дата публикации: 2021-07-12.

A method for realizing security storage and algorithm storage by means of semiconductor memory device

Номер патента: AU2003284792A1. Автор: Feng Xiang,Guoshun Deng,Xiaohua Cheng. Владелец: Netac Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

System and method for reducing dynamic range in images of patterned regions of semiconductor wafers

Номер патента: US09703207B1. Автор: Grace Chen,Daniel L. Cavan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming the reticle bit line bottom plug of semiconductor device

Номер патента: KR100431991B1. Автор: 김광철,김문회,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-22.

Method for forming photomask pattern to control critical Demension of semiconductor device

Номер патента: KR101096979B1. Автор: 한덕선,김미혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-20.

Devices, systems, and methods for suturing tissue

Номер патента: US7691112B2. Автор: David R. Widomski,Carol A. Devellian,Andrzej Chanduszko. Владелец: NMT Medical Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

PANORAMIC RADAR RADAR METHOD FOR DETERMINING THE STATE OF THE SURFACE LAYER OF AN OCEAN FROM A SATELLITE

Номер патента: RU2003124710A. Автор: Владимир Юрьевич Караев,Михаил Борисович Каневский,Владимир Юрьевич Караев (RU),Михаил Борисович Каневский (RU). Владелец: Институт прикладной физики РАН (RU). Дата публикации: 2005-02-10.

Method utilizing a modulated light beam for determining characteristics such as the doping concentration profile of a specimen of semiconductor material

Номер патента: US6034535A. Автор: Peter L. Domenicali,Alan H. Field,Sergey Liberman,Charles M. Kohn,Glendon P. Marston. Владелец: Semitest Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

The method for determining simple sugars in a thin layer of sorbent

Номер патента: RU2016110353A. Автор: Алексей Иванович Сливкин,Ольга Валерьевна Тринеева,Елена Федоровна Сафонова,Александра Александровна Назарова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2017-09-22.

Method for producing a pattern in the functional layer of an article

Номер патента: AU2002244993A1. Автор: Andrei Valerievich Cheglakov,Mikhail Abramovich Esterzon,Yakov Mikhailovich Ashkinazy,Boris Iliich Cherpakov,Sergei Aleksandrovich Pisarev,Olga Petrovna Sakharova,Valery Aleksandrovich Yakunin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-23.

Method for forming a lithographic pattern in a process for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: EP0634028B1. Автор: Jang Fung Chen,James A. Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1998-07-22.

Method for forming a fine pattern and apparatus of it in semiconductor device

Номер патента: KR100605787B1. Автор: 백승원,정재창,김형수,김진수,이근수,고차원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

For forming the KrF laser negative photoresist compositions of semiconductor pattern

Номер патента: CN107850841A. Автор: 李昇炫,李昇勋,李秀珍,尹相雄,崔映喆. Владелец: Rongchang Chemical Products Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Delivery tool and method for forming a structure having a layer of hardened paste and particles under the layer

Номер патента: US20200367953A1. Автор: Chen Yen-Chun,JU Chien-Ping,LIN Jiin-Huey Chern,YANG BING-CHEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method for producing silumins using amorphous microsilica

Номер патента: RU2754862C1. Автор: Михаил Петрович Кузьмин,Леонид Михайлович Ларионов,Марина Юрьевна Кузьмина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2021-09-08.

Sound absorbing and insulating material with excellent mouldability and appearance and method for manufacturing same

Номер патента: RU2666429C1. Автор: Кеун Йоунг КИМ. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-07.

Magnesium workpiece and method for forming a corrosion-protective top layer of a magnesium workpiece

Номер патента: DE10163107C1. Автор: Friedrich-Wilhelm Bach,Volker Kaese,Phan-Tan Tai,Heinrich-Dietrich Haferkamp. Владелец: Leibniz Universitaet Hannover. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for discharge of associated-produced water and gas separately in cluster of wells of oil deposit

Номер патента: RU2713544C1. Автор: Альберт Ринатович Ахметгалиев,Денис Михайлович Лащев. Владелец: Денис Михайлович Лащев. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for protection of solid slab reinforced-concrete foundations on undermined territories

Номер патента: RU2745311C1. Автор: Андрей Владимирович Угляница. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2021-03-23.

Method for reducing mobility of upper layer of river or channel water flow

Номер патента: RU2634542C1. Автор: Борис Валерьевич Журавлев. Владелец: Борис Валерьевич Журавлев. Дата публикации: 2017-10-31.

MACHINE AND METHOD FOR FORMING A SEALED JOINT BETWEEN LAYERS OF CARDBOARD COATED WITH THERMOPLASTIC MATERIAL

Номер патента: FR2352710A1. Автор: . Владелец: Ex-Cell-O Corp. Дата публикации: 1977-12-23.

Method for operating an electrical precipitation system for the production of semiconductor rods consisting in particular of silicon

Номер патента: DE2116746A1. Автор: Hans 8031 Gröbenzel" Stut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-10-19.

Method for forming an anti-etching shielding layer of resist patterns in semiconductor fabrication

Номер патента: US20060281320A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

System and method for generating an outer layer representation of an object

Номер патента: US20130176311A1. Автор: Wen-Jun Wu,Natalia Hortig,Kevin Mojek. Владелец: CHRYSLER GROUP LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for producing fine-grained solids and/or for depositing layers of poorly soluble compounds

Номер патента: AU6581001A. Автор: Gerald Ziegenbalg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-11.

Photosensitive resin composition for forming resist, resin film, cured film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2018088469A1. Автор: 裕馬 田中. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for unloading and blending layered stacks of bricks or similar articles

Номер патента: US3603466A. Автор: Hans M L Lingl Jr. Владелец: LINGL BELL CORP. Дата публикации: 1971-09-07.

Coated cutting tool and method for making coating layer

Номер патента: US20230286056A1. Автор: Dong Seob Kim,Geun Woo Park,Hye Min AHN. Владелец: YG-1 Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems and methods for improved dispensing, layering, and deposition of cross-linkable hydrogels

Номер патента: US11872745B2. Автор: Ricardo SOLORZANO,Taciana Leticia WOELLNER DUARTE PEREIRA,Gabriel David MONTOYA,Margaret Elizabeth PRENDERGAST. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Device and method for measuring contamination and lithographic apparatus provided with said device

Номер патента: EP4273626A1. Автор: Lei Liang,Debashis De Munshi,Joeri DE BRUIJCKERE,Francesco TORRETTI. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-11-08.

Apparatus and method for inspecting interface between ground layer and substrate of microstrip by using scattering parameters

Номер патента: US20050127892A1. Автор: Seong-Pal Lee,Jong-Won Eun,Sung-Tek Kahng. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-16.

Apparatus and method for inspecting interface between ground layer and substrate of microstrip by using scattering parameters

Номер патента: US7170300B2. Автор: Seong-Pal Lee,Jong-Won Eun,Sung-Tek Kahng. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-01-30.

Device and method for measuring contamination and lithographic apparatus provided with said device

Номер патента: WO2023213879A1. Автор: Lei Liang,Debashis De Munshi,Joeri DE BRUIJCKERE,Francesco TORRETTI. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus and method for improved acoustical transformation

Номер патента: WO2014039271A1. Автор: Wei Zhang,William E. Quinn,Raymond C. Logue,Don N. Sirota,Owan C. Watkins,Maria D. Ferreira. Владелец: VEECO INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for making an abrading tool with discontinuous diamond abrading surfaces

Номер патента: US4078906A. Автор: Thomas R. Green. Владелец: Elgin Diamond Products Co Inc. Дата публикации: 1978-03-14.

FLUX COMPOSITIONS FOR FORMING A SOLDER BUMP AND METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130192722A1. Автор: KIM Sunghoon,Kim Taesung,KANG Dong-Min,KIM Sang Tae,Kang Ingoo,AHN Seunghyun,Myung Jungjae,Sung Shijin,Song In-Kak,Cho Kyoochul. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Compound capable of being used as materials for forming a hole injection/transporting layer of organic emitting diode devices and the organic emitting diode device using the same

Номер патента: KR101111435B1. Автор: 광 석 서,종 은 김,태 영 김,태 희 이,민 원 서. Владелец: 광 석 서. Дата публикации: 2012-02-16.

Layer system having at least one mixed crystal layer of a polyoxide

Номер патента: MY151941A. Автор: Christian Wohlrab,Jürgen Ramm,Beno Widrig,Michael Ante. Владелец: Oerlikon Trading Ag Trübbach. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for determining the thickness of the resin layer of the insert film, and method for manufacturing the resin molded product with the insert film

Номер патента: JP6853278B2. Автор: 良次 岡部,保徳 渡邊,航介 池田,奥田　晃久,晃久 奥田,佳奈 佐近. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Gaming system and method for determining awards based on layering of symbols

Номер патента: US20180218563A1. Автор: David Twomey,Jennifer Bautista. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-08-02.

METHOD FOR MEASURING A THICKNESS THICKNESS OF MATERIAL LAYER OF MATERIAL PURELY RESISTIVE, DEVICE FOR CARRYING OUT AND USE OF SUCH A DEVICE IN AN EXHAUST POT

Номер патента: FR2917497A1. Автор: Claude Lucat,Pascal Tardy,Francis Louis Menil,Alexandrine Guedon,Patrick Ginet. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2008-12-19.

Method for the storage without formation of temperature layers of cryogenic liquids and device applying said method.

Номер патента: FR2713743A1. Автор: Martin Dipl Ing Mueller,Franz Grafwallner,Peter Dr Luger,Helmut Dr Peller,Valentin V Prof Malyshev,Sergei B Galperin,Viacheslav P Dr Logviniouk. Владелец: Tupolev AG. Дата публикации: 1995-06-16.

method, and, method for selective disruption of one or more layers of subcutaneous fat

Номер патента: BR112021006250A2. Автор: Gupta Rainuka,Miller Karen,VELIS Christopher,Javorsky Emilia,S Chaudhry Tarik. Владелец: MIRAKI INNOVATION THINK TANK LLC. Дата публикации: 2021-07-06.

Method for measuring the threshold thickness of a layer of a purely resistive material, device for implementing same and use of said device in an exhaust pipe

Номер патента: WO2009010645A2. Автор: Claude Lucat,Pascal Tardy,Francis Louis Menil,Alexandrine Guedon,Patrick Ginet. Владелец: Centre National De La Recherche Scientifique. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for atomic layer deposition of materials using an atmospheric pressure for semiconductor devices

Номер патента: US20070077356A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for production of dressings for the first layer of a bandage and dressing for the first layer of a bandage

Номер патента: AU1423901A. Автор: Mark Evgenievich Kazakov,Marina Lvovna Marakhovskaya. Владелец: Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju Nauchno- Proizvodstvenny Tsentr "uglerodyne Volonka I Kompozity". Дата публикации: 2001-05-30.

Apparatus and method for removal of a segment of a layer of a multi-layer laminate

Номер патента: US20160107433A1. Автор: Ekchian Jack A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING AN INSTRUCTION CACHE FOLLOWING A BRANCH INSTRUCTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170147498A1. Автор: Kotera Isao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

METHOD FOR DETERMINING A CHARACTERISTIC OF A SURFACE LAYER OF A FUSER ELEMENT

Номер патента: US20150168891A1. Автор: NNAFIE Hassan,VAN HERPEN Wilhelmus M.. Владелец: OCE-TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2015-06-18.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING AN INSTRUCTION CACHE FOLLOWING A BRANCH INSTRUCTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140297958A1. Автор: Kotera Isao. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for Determining the Temperature of an Active Layer of a Heating Resistor

Номер патента: US20200276901A1. Автор: Sawazki Egor,Benkert Maximilian. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-09-03.

A colored photosensitive resin composition for forming the frontal light-shielding layer of a display device

Номер патента: KR20150025924A. Автор: 김현우,조승현,정보람. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2015-03-11.

A colored photosensitive resin composition for formming the frontal light-shielding layer of a display device

Номер патента: KR102012476B1. Автор: 김훈식,정보람,장원영. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2019-08-20.

METHOD FOR MANUFACTURING A PLASTIC MATERIAL INTERNAL COATING LAYER OF A CONTAINER AND CONTAINER OBTAINED BY SUCH A METHOD

Номер патента: FR3051692A1. Автор: Christophe Wagner,Alexis Marsal. Владелец: Glass Surface Technology SAS. Дата публикации: 2017-12-01.

DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING THE STATUS OF A SURFACE LAYER OF A WALL.

Номер патента: FR3035969B1. Автор: Jean-Luc Garciaz. Владелец: Laboratoire Detudes Et De Rech Sur Les Materiaux. Дата публикации: 2019-07-12.

Piece of equipment i.e. armrest, manufacturing method for door of motor vehicle, involves injecting layer of flexible plastic material over flexible foam layer, and forming relief and rib on plastic material layer in zones to be rigidified

Номер патента: FR2971189A1. Автор: Christophe Blanc,Thibaut Ganivet. Владелец: Eurostyle Systems SAS. Дата публикации: 2012-08-10.

Method for controlling the process of applying a layer of road paving material and paver

Номер патента: EP2366831B1. Автор: Ralf Weiser,Achim Eul,Martin Dipl.-Ing. Buschmann. Владелец: JOSEPH VOEGELE AG. Дата публикации: 2014-12-24.

A white photosensitive resin composition for formming the frontal light-shielding layer of a display device

Номер патента: KR102025381B1. Автор: 김훈식,조승현,장원영. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2019-09-25.

Method for controlling the process of applying a layer of road paving material and paver

Номер патента: CN102304887A. Автор: 马丁·布施曼,拉尔夫·魏泽尔,阿希姆·奥伊尔. Владелец: JOSEPH VOEGELE AG. Дата публикации: 2012-01-04.

Discrimination method for oil-water displacement efficiency of oil layer of water-flooding exploitation oil pool

Номер патента: CN105678473A. Автор: 刘蕾,余光明,王丽莉,高春宁,李文宏,武平仓,熊维亮,康兴妹. Владелец: China Petroleum and Natural Gas Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-15.

Method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor wafer and nitride semiconductor device

Номер патента: US20030183160A1. Автор: Kazuyuki Iizuka,Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

A kind of method for energy saving of media access control layer of wireless mesh network

Номер патента: CN100547978C. Автор: 王军,曾鹏,于海斌,邢志浩,徐皑冬,杨志家. Владелец: Shenyang Institute of Automation of CAS. Дата публикации: 2009-10-07.

Method for controlling the thickness of the insulation layer of thin film fluxgate

Номер патента: KR100668770B1. Автор: 장한성. Владелец: 주식회사 마이크로게이트. Дата публикации: 2007-01-12.

System and method for measuring relative deformation of rolled soil layer of road roller in real time

Номер патента: CN112985284A. Автор: 张建民,孙玉军,王恩志,刘天云,芦永政,王玉孝. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-18.

Production method for the manufacturing of very thin monolithic layers of thermoplastic polyurethane and the manufactured product

Номер патента: EP2283989A1. Автор: Bart René Jos van Edom,Ivan Boeykens,Mieke Vanhoof. Владелец: Mondi Belcoat NV. Дата публикации: 2011-02-16.

System and method for parallel image reconstruction of multiple depth layers of an object under inspection from radiographic images

Номер патента: US20050041781A1. Автор: Stanley Jefferson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-02-24.

DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING THE STATUS OF A SURFACE LAYER OF A WALL.

Номер патента: FR3035969A1. Автор: Jean-Luc Garciaz. Владелец: Laboratoire D'etudes Et De Rech Sur Les Materiaux. Дата публикации: 2016-11-11.

Method for determining the damage to the electrocoating layer of a filler-free automotive paint by the action of light

Номер патента: DE102006028442A1. Автор: Richard Dr. Nömayr. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system

Номер патента: TW202010995A. Автор: 范期翔,幼平 張,陳峰,趙望石. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2020-03-16.

High-energy beam welding method for avoiding dilution damage of titanium composite layer of titanium/steel composite plate

Номер патента: CN114083101B. Автор: 高峰,张占伟,徐荣正,国旭明,闫婉迪. Владелец: Shenyang Aerospace University. Дата публикации: 2023-05-09.

PROCEDURE FOR FORMING A BINDING LAYER BETWEEN LAYERS OF ROAD SURFACE MATERIAL

Номер патента: ES501427A0. Автор: . Владелец: Skanska Cementgjuteriet AB. Дата публикации: 1982-08-16.

Inspection platform and method for coating quality of liquid heat insulating layer of solid engine

Номер патента: CN111077268A. Автор: 赵瑜,李莎莎,娄永春,左海丽,何快,纪晓婷. Владелец: Shanghai Xinli Power Equipment Research Institute. Дата публикации: 2020-04-28.

Production method for the manufacture of very thin monolithic layers of thermoplastic polyurethane

Номер патента: ES2400663T3. Автор: Bart René Jos van Edom,Ivan Boeykens,Mieke Vanhoof. Владелец: Mondi Belcoat NV. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for producing convenient poultry products in a layer of crispy cover, with controlled allergenicity and the poultry product in a layer of crispy cover

Номер патента: PL423843A1. Автор: Agnieszka Wierzbicka,Andrzej Półtorak,Grzegorz Pogorzelski,Arkadiusz Szpicer. Владелец: Zakład Mięsny Wierzejki J.M. Zdanowscy Spółka Jawna. Дата публикации: 2019-06-17.

Method for rotational molding of parts having a layer of thermoplastic foam

Номер патента: JP4434957B2. Автор: フィリップ・マザブロー,グェナエル・ドリン,アンドレ・サンチェス,ジャン−フランソワ・コテル. Владелец: コミツサリア タ レネルジー アトミーク. Дата публикации: 2010-03-17.

Method for determining the level of a submerged layer of liquified material

Номер патента: CA2190020A1. Автор: Bernard E. Speranza. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-08.

Method for obtaining donor transplant of bowman's layer of cornea

Номер патента: RU2741697C1. Автор: Павел Васильевич Макаров,Оганес Георгиевич Оганесян,Востан Рафаелович Гетадарян,Ануш Тиграновна Ханджян,Артур Александрович Грдиканян,Патимат Магомедрасуловна Ашикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр глазных болезней имени Гельмгольца" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ГБ им. Гельмгольца" Минздрава России). Дата публикации: 2021-01-28.

Method for measuring dynamic control reserves of all layers of multilayer low-permeability tight sandstone gas well

Номер патента: CN109577944B. Автор: 郭智,程立华,郭建林,王国亭,孟德伟,冀光,韩江晨,程敏华,靳锁宝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-21.

Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system

Номер патента: US20230144584A1. Автор: FENG CHEN,Youping Zhang,Chi-Hsiang Fan,Wangshi Zhao. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Simulation method for extreme low-temperature characteristics of typical CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN108875192B. Автор: 万博,付桂翠,冷红艳,姜贸公. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-25.

Device and method for determination of transition from layer to layer of lifting steel rope

Номер патента: RU2685742C1. Автор: Чжэньцай ЧЖУ,Юйсин ПЭН,Гохуа ЦАО,Сунъюн ЛЮ,Даган ВАН,Чжиюань ШИ,Вэньсюэ СЮЙ,Сяньшэн ГУН,Сяндун ЧАН. Владелец: Китайский Университет Горного Дела И Технологии. Дата публикации: 2019-04-23.

Method for isolating molecules contained in the organomineral layers of shells of bivalve marine mollusks

Номер патента: CA3140206A1. Автор: Serge Camprasse,Georges Camprasse. Владелец: MBP Mauritius Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatus and method for detecting soft breakdown of a dielectric layer of a semiconductor wafer

Номер патента: TW200603324A. Автор: William H Howland Jr,Robert J Hillard. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2006-01-16.

METHOD FOR GROWING NON-POLAR M-PLANE EPITAXIAL LAYER OF WURTZITE SEMICONDUCTORS ON SINGLE CRYSTAL OXIDE SUBSTRATES

Номер патента: US20150004435A1. Автор: CHANG Li,HO YEN-TENG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD FOR CONTINUOUSLY EXTRUDING AND DEPOSITING AN UNBROKEN LAYER OF MORTAR ON A WORK SURFACE OR SUBSTRATE

Номер патента: US20190024395A9. Автор: CAMPBELL Douglas S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR CONTINUOUSLY EXTRUDING AND DEPOSITING AN UNBROKEN LAYER OF MORTAR ON A WORK SURFACE OR SUBSTRATE

Номер патента: US20170101792A1. Автор: CAMPBELL Douglas S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Method for coating a surface with a transferable layer of thermoplastic particles and related apparatus

Номер патента: US20210178422A1. Автор: Benzion Landa,Anton KRASSILNIKOV,Moshe FAHIMA,Vadim YAKHEL. Владелец: Landa Labs 2012 Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for treating titanium objects with a surface layer of mixed tantalum and titanium oxides

Номер патента: WO2008006379A2. Автор: Bo Gillesberg,Søren ERIKSEN. Владелец: Danfoss A/S. Дата публикации: 2008-01-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A WINDOWED PART WITH A LAYER OF EXPANDED MATERIAL AND PART OBTAINED

Номер патента: FR2462260A1. Автор: Harald Frick,Herwig Schwarz. Владелец: Henkel Teroson GmbH. Дата публикации: 1981-02-13.

Method for applying a cant to a metal layer of a cylinder head gasket and cylinder head gasket

Номер патента: DE19611092A1. Автор: Hans-Rainer Dr Zerfas. Владелец: ELRINGKLINGER AG. Дата публикации: 1997-09-25.

Method for generating an open-pore near-surface layer of a microporous, hydrophobic molded thermal insulation body and which is wettable with aqueous systems

Номер патента: EP2621873B1. Автор: Helmut Weber,Frank Menzel,Gunter Kratel,Gerd Borchert. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2017-11-08.

Method for producing structures with the three-component layers of Zn₁-ₓMgₓO

Номер патента: PL423624A1. Автор: Henryk Teisseyre,Dawid Jarosz,Marcin Stachowicz,Mieczysław Pietrzyk,Ewa Przeździecka,Jacek Sajkowski,Adrian Kozanecki. Владелец: Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2019-06-03.

Method for embedding reinforced concrete structure on surface layer of anchored carbon fiber

Номер патента: CN109457991B. Автор: 孙伟,何涛,楼铁炯. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-08.

METHOD FOR SELECTING COMPOSITION FOR ONE OR MORE LAYERS OF MULTI-LAYER COATING

Номер патента: RU2003122225A. Автор: Даниель ШПИТЦЕР,Рулоф Йоханнес Баптист ГОТТЕНБОС,Даниель ШПИТЦЕР (CA),Рулоф Йоханнес Баптист ГОТТЕНБОС (NL). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2005-01-10.

Method for manufacturing polymer used as electron transfer layer of solar cell

Номер патента: CN102976986A. Автор: 张俊,梅欣. Владелец: LIYANG PRODUCTIVITY PROMOTION CENTER. Дата публикации: 2013-03-20.

Method for collecting carbon dioxide enhanced coal gas layer of deep low permeability coal bed

Номер патента: CN112761589A. Автор: 刘金锋,朱煜珣. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-05-07.

METHOD FOR PRODUCING A FORM WITH A BURNED LAYER OF A LUBRICANT ANTI-ADHESION AGENT

Номер патента: RU2007103827A. Автор: Мицуо УЕДА,Таро ОХНО,Мицухиро ЯСУДА,Манабу МИЯЗАКИ,Мицуо УЕДА (JP),Таро ОХНО (JP),Мицухиро ЯСУДА (JP),Манабу МИЯЗАКИ (JP). Владелец: Нихон Ямамура Гласс Ко., Лтд. (Jp). Дата публикации: 2008-08-10.

A manufacturing method for high frequency weldable mat laminated with layers of different materials

Номер патента: KR20200091667A. Автор: 이태수. Владелец: (주)아이앤에스. Дата публикации: 2020-07-31.

METHOD FOR PRODUCING A FILLING ELEMENT COMPRISING A LAYER OF LINEAR MATERIAL SUBJECTING A SOFTENING OPERATION

Номер патента: FR2991900B1. Автор: Hugo Piccin. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2014-08-01.

METHOD FOR DETERMINING THE SPATIAL STRUCTURE IN A LAYER OF AN EXAMINATION AREA

Номер патента: DE3608965A1. Автор: Geoffrey Dr Harding,Josef-Marie Dr Kosanetzky. Владелец: Philips Patentverwaltung GmbH. Дата публикации: 1987-10-01.

Construction method for reinforcing concrete beam by using multiple layers of prestressed fiber cloth

Номер патента: CN110029594B. Автор: 王强,李柏林,朱万旭,卢春玲. Владелец: GUILIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-24.

METHOD FOR REINFORCING SHEATH SHEETS FLATTED WITH A LAYER OF STRIPS

Номер патента: FR2383011A1. Автор: . Владелец: Windmoeller and Hoelscher KG. Дата публикации: 1978-10-06.

Method for coating an elastomeric material with a layer of antitoxic material

Номер патента: CA2792984A1. Автор: Pierre J. Messier,David O'hayon. Владелец: TrioMed Innovations Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for predicting a change in activity in layers of a fuel catalyst

Номер патента: WO2023128829A1. Автор: Олег Сергеевич Ведерников,Александр Васильевич Панов,Руслан Фаридович Меркулов,Дмитрий Юрьевич КЛИМИН,Алексей Евгеньевич ПУЗЫРЕВ,Виталий Михайлович ПАМПУРА,Евгений Вадимович КОРНИЛОВ,Андрей Андреевич КУСАКОВ. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть". Дата публикации: 2023-07-06.

METHOD FOR LOCATING HYDRAULIC BARRIERS WITHIN A GEOLOGICAL LAYER OF GAS STORAGE

Номер патента: FR2969769B1. Автор: Patrick Rasolofosaon,Sallee Noalwenn Dubos. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2012-12-28.

Sealing method for horse riding area floor, involves depositing layer of sediment material onto floor

Номер патента: DE10218647A1. Автор: Peter Weiers,Wilfried Crins. Владелец: Wilfried Crins. Дата публикации: 2003-11-06.

Filter train for underground collecting mains and method for introducing said filter train into predetermined layers of soil

Номер патента: WO2003038227A2. Автор: Michael Back,Hans-Joachim Bayer,Jorg Ganger. Владелец: DRILLTEC GUT GmbH. Дата публикации: 2003-05-08.

Crucible structure and method for forming isolating layer of crucible

Номер патента: US11534794B2. Автор: Ying-Ru Shih,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Bo-Kai Wang,Huang-Wei Lin. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Crucible structure and method for forming isolating layer of crucible

Номер патента: US20200398304A1. Автор: Ying-Ru Shih,Yu-Min YANG,Sung-Lin Hsu,Bo-Kai Wang,Huang-Wei Lin. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for producing a bioresorbable tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for reconstructing a small intestine wall experimentally using such a tube

Номер патента: RU2714200C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева,Андрей Сергеевич Колосов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Apparatus and method for forming an insertion pad for subretinal delivery of a therapeutic agent

Номер патента: RU2742971C2. Автор: Дэниэл В. ПРАЙС,Брендан Дж. ОБЕРКИРГЕР,Бенджамин Л. КО,Томас Э. МЕЙЕР,Дэниэл Дж. ПРЕНГЕР,Джеффри КИНГ. Владелец: Джироскоуп Терапьютикс Лимитед. Дата публикации: 2021-02-12.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for the ultrasonic microscopic measurement of semiconductor samples, computer program for the ultrasonic microscopic measurement of semiconductor samples, computer program product and ultrasound microscope

Номер патента: US20180113096A1. Автор: Helmut APPEL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for the ultrasonic microscopic measurement of semiconductor samples, computer program for the ultrasonic microscopic measurement of semiconductor samples, computer program product and ultrasound microscope

Номер патента: US10677760B2. Автор: Helmut APPEL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-09.

Standoffs for passive alignment of semiconductor chip and coupling bench

Номер патента: US20030138188A1. Автор: Yee Lam,Hwi Lim,Cher Randall Cha,Kian Teo. Владелец: DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD. Дата публикации: 2003-07-24.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Standoffs for passive alignment of semiconductor chip and coupling bench

Номер патента: WO2003048823A3. Автор: Yee Loy Lam,Hwi Siong Lim,Kian Hin Victor Teo,Cher Liang Randall Cha. Владелец: Finnie Peter John. Дата публикации: 2003-12-31.

Standoffs for passive alignment of semiconductor chip and coupling bench

Номер патента: WO2003048823A2. Автор: Yee Loy Lam,Hwi Siong Lim,Randall Cha Cher Liang,Victor Teo Kian Hin. Владелец: Finnie, Peter, John. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming parts by stretch forming of a movable die

Номер патента: RU2663016C2. Автор: Владимир Михайлович Бойко,Роман Фаддеевич Крупский,Антон Владиславович Станкевич,Антон Александрович Кривенок. Владелец: Публичное акционерное общество "Авиационная холдинговая компания "Сухой". Дата публикации: 2018-08-01.

Method for forming an active layer on the surface of the electrode for collecting biopotentials

Номер патента: RU2749599C1. Автор: Руслан Феликсович Шеханов,Анатолий Викторович Балмасов,Валерия Сергеевна Белова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for reducing gas emission and gas permeability in coal mine

Номер патента: RU2681047C2. Автор: Сергей Иванович Чужаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Партнер". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for creating structured x-ray screen

Номер патента: RU2757299C1. Автор: Борис Григорьевич Гольденберг,Владимир Петрович Назьмов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки, Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2021-10-13.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for forming three-dimensional product in microwave electromagnetic field

Номер патента: RU2629072C2. Автор: Николай Валерьевич Бекренев,Ирина Владимировна Злобина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2017-08-24.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same

Номер патента: US09394590B2. Автор: Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for forming 8-shaped single-row nodal inter-intestinal suture

Номер патента: RU2750590C1. Автор: Сергей Александрович Быстров,Сергей Евгеньевич Каторкин,Олег Евгеньевич Лисин,Евгений Викторович Шестаков,Иван Сергеевич Андреев. Владелец: Сергей Александрович Быстров. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for forming three-dimensional orthogonal fabrics

Номер патента: RU2643659C1. Автор: Леонид Алексеевич Тихомиров,Сергей Николаевич Ушаков,Дмитрий Владимирович Зайцев,Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин,Иван Владимирович Старинец. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Костромской государственный университет" (КГУ). Дата публикации: 2018-02-02.

Method for increasing the surface adhesion of a layer of epoxy resin on a metal object

Номер патента: CA1058983A. Автор: Heinz Haferkamp,Willi Domalski. Владелец: Salzgitter AG. Дата публикации: 1979-07-24.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for erythrocyte fractionation in density gradient of agarose solution

Номер патента: RU2271009C2. Автор: Владимир Петрович Иванов,Алексей Валерьевич Полоников,Юли Владимировна Шеверева,Юлия Владимировна Шеверева,Людмила Валентиновна Снегирева. Владелец: Людмила Валентиновна Снегирева. Дата публикации: 2006-02-27.

Method for forming isolation of air buffer trench elements in semiconductor devices

Номер патента: KR19980085786A. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Method for constructing uneven pavement on its main layer of vibration poured bituminous concrete mix

Номер патента: RU2160337C1. Автор: М.С. Мелик-Багдасаров,К.А. Гиоев,Ю.В. Чепурной,С.Б. Шастик,В.Ф. Денисенко,О.А. Балабанов. Владелец: Чепурной Юрий Васильевич. Дата публикации: 2000-12-10.

METHOD FOR MEASURING THE POSITION OF THE NEUTRAL LAYER OF THE BEAM AND THE DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: RU2005101194A. Автор: Давид Борисович Чернин,Екатерина Александровна Горынина,Григорий Васильевич Дорохов,Вадим Витальевич Ямчук,Екатерина Александровна Горынина (RU),Григорий Васильевич Дорохов (RU),Давид Борисович Чернин (RU),Вадим Витальевич Ямчук (RU). Владелец: Чел бинское высшее военное авиационное училище штурманов (RU). Дата публикации: 2006-06-27.

METHOD FOR MODIFICATION OF SURFACES OF METALS AND HETEROGENEOUS STRUCTURES OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: RU2011135110A. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2013-02-27.

METHOD FOR LIQUID CHROMATOGRAPHY IN A CLOSED THIN LAYER OF A SORBENT AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2011129962A. Автор: Виктор Григорьевич Березкин,Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов,Елена Николаевна Евтюгина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2013-01-27.

METHOD FOR DETERMINING TONUS OF SURFACE AND MIDDLE LAYERS OF THE SKELETAL MUSCLE MUSCLE

Номер патента: RU2013112338A. Автор: Ринат Маратович Гимазов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ханты-Мансийского автономного округа-Югры Сургутский государственный педагогический университет. Дата публикации: 2014-09-27.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL COPPER NANOSTRUCTURES ON THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: RU2013103122A. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

A method for improving the termination low breakdown voltage in the trench power semiconductor device

Номер патента: TW201612959A. Автор: Madhur Bobde,Yongping Ding,Yee-Heng Lee,xiao-bin Wang. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2016-04-01.

Method for construction of tobacco field fertile plough layer of red soil sloping farmland

Номер патента: ZA202201038B. Автор: Zheng Wang,Bo Li,Jianyu WEI,Haijiang Jia,Xiangnan Zeng,Jincheng Ao,Qigang Yang,Congguang Huang. Владелец: China Tobacco Guangxi Ind Co. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for the electric,mechanical and chemical protection of the surface ofthe semiconductor devices

Номер патента: HU188360B. Автор: Jozsef Lukacs,Endre Ebinger,Edit Eberhart,Istvan Sztorkay. Владелец: Villamosipari Kutato Intezet,Hu. Дата публикации: 1986-04-28.

METHOD FOR PRODUCING A FIGURE IN THE FUNCTIONAL LAYER OF THE PRODUCT

Номер патента: RU2004113421A. Автор: Михаил Абрамович Эстерзон,Андрей Валерьевич Чеглаков,Ольга Петровна Сахарова,Валерий Александрович Якунин,Борис Ильич Черпаков,Яков Михайлович Ашкиназий,Сергей Александрович Писарев,Андрей Валерьевич Чеглаков (RU),Яков Михайлович Ашкиназий (RU),Михаил Абрамович Эстерзон (RU),Борис Ильич Черпаков (RU),Ольга Петровна Сахарова (RU),Валерий Александрович Якунин (RU),Сергей Александрович Писарев (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Экспериментальный научно-исследовательский институт металлорежущих станков" (ОАО "ЭНИМС") (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures

Номер патента: RU2176422C2. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Киселев,С.В. Оболенский. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 2001-11-27.

Method for forming one layer or multiple layers of metal patterns on surface of ceramic products

Номер патента: CN101376602A. Автор: 林敏�. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for forming concave portion for phosphor layer of PDP for color display

Номер патента: JP2684716B2. Автор: 元雄 菅原. Владелец: Fujitsu General Ltd. Дата публикации: 1997-12-03.

APPARATUS AND METHODS FOR REAL-TIME THREE-DIMENSIONAL SEM IMAGING AND VIEWING OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20120223227A1. Автор: CHEN Chien-Huei,YANG Hedong,TADA Takuji,Lang Stephen,Neil Mark A.,MacDonald Paul D.,KUPPA Rajasekhar,ABBOTT Gordon,TEH Cho,SAIDIN Zain. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

Method for manufacturing reused fresh-keeping isolation layer in rubber tire preparation

Номер патента: CN103112110A. Автор: 卢建忠. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for separating composite member, separated member, separator, and manufacture of semiconductor base

Номер патента: JPH1145840A. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyobumi Sakaguchi,清文 坂口,隆夫 米原,和明 近江,一隆 柳田,Kazutaka Yanagida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-02-16.

Method for balancing gain errors of active optical fiber loop of semiconductor optical amplifier

Номер патента: CN102394470A. Автор: 韩芳,杨义,葛华勇,肖中银,许文凯. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-28.

Method for application of coating

Номер патента: RU2070943C1. Автор: Эрнст Михайлович Волин. Владелец: Эрнст Михайлович Волин. Дата публикации: 1996-12-27.

Method for producing single crystal diamond, single crystal diamond, method for producing single crystal diamond substrate, single crystal diamond substrate and semiconductor device

Номер патента: JP6636239B2. Автор: 秀夫 一色,勇治 相馬,一輝 小宮,隆平 小島. Владелец: THE UNIVERSITY OF ELECTRO-COMUNICATINS. Дата публикации: 2020-01-29.

Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, group-III nitride compound semiconductor device, and group-III nitride compound semiconductor luminous device

Номер патента: TW564484B. Автор: Kazuyoshi Tomita,Seiji Nagai,Masayoshi Koike. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

Method for Removing at least Sections of a Layer of a Layer Stack

Номер патента: US20120238049A1. Автор: Moldovan Vasile Raul,Neugebauer Christoph Tobias. Владелец: Manz Automation AG. Дата публикации: 2012-09-20.

Ellipsometry detection method for thickness and optical constant of metamorphic layer of polished silicon carbide substrate

Номер патента: CN109752321B. Автор: 陆静,徐西鹏,黄辉,胡中伟,崔长彩,杨栖凤. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-31.

Method for manufacturing silica-based film, silica-based film, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: JP3941327B2. Автор: 淳 塩田,孝治 住谷. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for manufacture of paper suited for inner layers of decorative laminated plastic

Номер патента: RU2000374C1. Автор: Глеб Владленович Денисов,Лиди Алексеевна Павлова. Владелец: Denisov Gleb V. Дата публикации: 1993-09-07.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062B. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Method for measuring direct light transmittance of covering layer of sunlight greenhouse

Номер патента: CN107643270B. Автор: 李涛,张义,李琨,方慧,伍纲,杨其长,程瑞锋,仝宇欣. Владелец: Institute of Environment and Sustainable Development in Agriculturem of CAAS. Дата публикации: 2020-04-21.

NON-DESTRUCTIVE METHOD FOR DETERMINING MECHANICAL STRESSES IN THE SURFACE LAYER OF PRODUCTS OF METALS AND ALLOYS

Номер патента: RU2006120347A. Автор: Сергей Юрьевич Иванов,Александр Иванович Бураков,Александр Борисович Гутнер,Дмитрий Витальевич Васильков,Сергей Дмитриевич Васильков,Сергей Юрьевич Иванов (RU),Дмитрий Витальевич Васильков (RU),Александр Борисович Гутнер (RU),Сергей Дмитриевич Васильков (RU),Александр Иванович Бураков (RU). Владелец: Александр Иванович Бураков (RU). Дата публикации: 2007-12-27.

A method for improving the quality of diffusion chromated layer of austenitic steel

Номер патента: SU108837A1. Автор: А.Н. Мясоедов,соедов А.Н. М,Ю.Н. Грибоедов,Б.И. Юнц. Владелец: Б.И. Юнц. Дата публикации: 1957-11-30.

Method for detecting thickness uniformity of each film layer of double-layer film

Номер патента: CN114264240A. Автор: 李定,熊长新,李钱陶,金天义,郝力凯. Владелец: 717th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2022-04-01.

Optimization method for mixture ratio of components of working layer of metal plastic composite material

Номер патента: CN101567020B. Автор: 陈保磊,骆志高,庞朝利. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2011-06-01.

Method for detecting source leakage defect of PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102193062A. Автор: 吴浩,赵宁,龙吟,王恺,范荣伟. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Method for determining allowable defect of honeycomb sandwich layer of helicopter

Номер патента: CN104778372A. Автор: 邹静,查丁平,顾文标,虞汉文,潘春蛟. Владелец: China Helicopter Research and Development Institute. Дата публикации: 2015-07-15.

A colored photosensitive resin composition for forming a frontal light-shielding layer of a display device

Номер патента: TW201504761A. Автор: Seung-Hyun Cho,Won-Young Chang,Bo-Ram Jung,Hun-Sik Kim. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-01.

Method for recovery and building-up of protective layer of concrete on vertical surfaces of reinforced-concrete constructions

Номер патента: RU2183713C2. Автор: А.И. Панченко,Г.А. Айрапетов,А.Л. Жолобов,П.В. Духанин,Б.Ф. Белецкий. Владелец: Духанин Петр Васильевич. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for increasing writing speed of floating body effect storage unit and semiconductor device

Номер патента: CN102437124B. Автор: 周军,俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-08.

Measuring method for modulation period and uniformity of multiple layers of films

Номер патента: CN105259194A. Автор: 李慧,韩滨,付德君,王泽松. Владелец: YICHANG HOUHUANG VACUUM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for combination of injected plastic with multi-layer of films

Номер патента: TW200720052A. Автор: mao-rong Chen. Владелец: Chen Han Prec Mould Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

NOVEL METHOD FOR PREPARING COMPOSITE PARTICLE COMPRISING SURFACE TREATMENT LAYER OF SUNSCREENING AGENT FORMED THEREON

Номер патента: US20120082708A1. Автор: Lee Sung-Ho,PARK Jin-kwan,CHOI Bou-kun,BAEG Dae-sung. Владелец: SUNJIN CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE QUASI-SUBSILES AND EPITAXIAL LAYERS OF III-GROUP NITRIDES

Номер патента: RU2006140666A. Автор: Владимир Михайлович Бойко,Николай Георгиевич Колин,Денис Игоревич Меркурисов,Николай Георгиевич Колин (RU),Денис Игоревич Меркурисов (RU),Владимир Михайлович Бойко (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предпри тие"Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU). Дата публикации: 2008-05-27.

Method for providing high electric conductivity to surface layer of diamond by ion implantation

Номер патента: JPS59195516A. Автор: Masaya Iwaki,Hideo Sakairi,正哉 岩木,坂入　英雄. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 1984-11-06.

Method for multi-section hydraulic fracture along coal layer of underground coal mine

Номер патента: CN103147734A. Автор: 张玉明,林府进,武文宾,陈金华,马代辉. Владелец: CHINA COAL SCIENCE AND INDUSTRY GROUP CHONGQING RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for fabricating inner connecting lines in insulating layer of wafer, and structure

Номер патента: CN100392809C. Автор: 林国世,邱素萍. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

METHOD FOR SIMULTANEOUSLY SEPARATE OIL PRODUCTION FROM TWO LAYERS OF ONE WELL

Номер патента: RU2012139769A. Автор: Аленик Григорьевич Газаров,Макмун Адгамович Музитов,Виктор Викторович Романец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актуальные технологии нефтеотдачи" (ООО "АТН"). Дата публикации: 2014-03-27.

Device and method for laying arc heating wires on middle layer of laminated glass

Номер патента: CN103200718B. Автор: 王生,陈其华,周遵光,卓光进,杨金城,郑长山,郑国立. Владелец: Fuyao Glass Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-03.

Method for fabricating inner connecting lines in insulating layer of wafer, and structure

Номер патента: CN1797708A. Автор: 林国世,邱素萍. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Manufacture method for laser cladded composite pipe with three layers of metals

Номер патента: CN102465287A. Автор: 陈江,张静波,赵爽. Владелец: DALU LASER TECHNOLOGY Co Ltd SHENYANG. Дата публикации: 2012-05-23.

METHOD FOR CHROMATOGRAPHIC ANALYSIS IN A CLOSED THIN LAYER OF A SORBENT AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2011138613A. Автор: Виктор Григорьевич Березкин,Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов,Елена Николаевна Евтюгина,Наталья Александровна Пивоварова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет". Дата публикации: 2013-03-27.

Ultra-low temperature gas assisted method for peeling off paint from the surface layer of a thermoplastic/thermoset composite material

Номер патента: TW424033B. Автор: Shau-Chian Tzeng. Владелец: Asian Pacific Alloy Ind Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-01.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for composing wireless information transfer networks and a high-altitude rotary-wing platform for realization of the method

Номер патента: RU2319319C1. Автор: Виктор Иванович Шабаев,Борис Николаевич Терещенко,Владимир Миронович Вишневский. Владелец: Владимир Миронович Вишневский. Дата публикации: 2008-03-10.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Method for production of relief in functional layer of print form

Номер патента: RU2288844C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2006-12-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

Method for forming of tuber layer in potato cultivation

Номер патента: RU2316944C2. Автор: Борис Лазаревич Охотников,Валерий Александрович Андреев. Владелец: ФГОУ ВПО Уральская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2008-02-20.

PROVIDING A BUFFERLESS TRANSPORT METHOD FOR MULTI-DIMENSIONAL MESH TOPOLOGY

Номер патента: US20120002675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

Method for obtaining heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures

Номер патента: RU2390874C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К". Дата публикации: 2010-05-27.

Method for producing silicon-on-insulator structures

Номер патента: RU2139595C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,Ж.А. Кормишина,И.А. Щербакова. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-10-10.

Method for making tool for forming

Номер патента: RU2248258C1. Автор: Б.П. Сахаров,А.А. Амирагян,н А.А. Амираг (RU),Б.П. Сахаров (RU). Владелец: Амирагян Альберт Арамаиси. Дата публикации: 2005-03-20.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming compression-valvular esophageal-small-intestinal anastomosis

Номер патента: RU2296518C1. Автор: Виктор Иванович Тихонов,Виктор Эдуардович Гюнтер,Георгий Цыренович Дамбаев,Елена Георгиевна Дамбаева,Андрей Викторович Тихонов. Владелец: Андрей Викторович Тихонов. Дата публикации: 2007-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Synthetic corneal lens and method for their manufacturing

Номер патента: RU2077873C1. Автор: Юрий Аркадьевич Шустеров,Владимир Евгеньевич Брагин,Александр Николаевич Быканов,Елена Владимировна Елисеева. Владелец: Елена Владимировна Елисеева. Дата публикации: 1997-04-27.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.