Methods of forming an isolation layer and methods of manufacturing semiconductor devices having an isolation layer.

Methods of forming an isolation layer and methods of manufacturing semiconductor devices having an isolation layer

Номер патента: US8524569B2
Опубликовано: 03-09-2013
Автор(ы): Bo-Un Yoon, Dae-hyuk Kang, Jung-Won Lee, Kun-tack Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10483276B2. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190035800A1. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080286922A1. Автор: Ju Hyun Kim,Haeng Leem Jeon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Three dimensional memory device and method of making thereof by forming channel and memory film after word line replacement

Номер патента: US12101936B2. Автор: Akio Nishida,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Ramy Nashed Bassely SAID,Tatsuya Hinoue,Ryousuke ITOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Radiation tolerant dummy gate-assisted n-mosfet, and method and apparatus for modeling channel of semiconductor device

Номер патента: US20150001596A1. Автор: Min-Su Lee,Hee-Chul Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-01-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of increasing resistivity of silicon carbide wafer and high-frequency device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207386A1. Автор: Mao-Nan Chang,Ta-Ching HSIAO,Kuo-Lun Huang,Pei-Ying Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Contact Features and Methods of Fabricating the Same in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230238319A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Contact features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12021025B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, Method of depositing silicon dioxide-comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming bit line over capacitor arrays of memory cells

Номер патента: US20060160375A1. Автор: Gurtej Sandhu,Weimin Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Memory devices and method of forming same

Номер патента: US09978759B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240038862A1. Автор: Yanlong Li,Si Zhang,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120025294A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

3d ufet devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240105777A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of Forming Conductive Material of a Buried Transistor Gate Line and Method of Forming a Buried Transistor Gate Line

Номер патента: US20170317086A1. Автор: Hidekazu Nobuto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming conductive material of a buried transistor gate line and method of forming a buried transistor gate line

Номер патента: US10002874B2. Автор: Hidekazu Nobuto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor Structure With Contact Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120104542A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor structure with contact structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492216B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

On-chip metal-insulator-metal (mim) capacitor and methods and systems for forming same

Номер патента: US20190312028A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of making a trench isolated device

Номер патента: US4519128A. Автор: Donald G. Chesebro,Francis J. Soychak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20200105864A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343339A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

High voltage semiconductor device and fabrication process

Номер патента: CA2021671C. Автор: Denis Jaume,Andre Peyre Lavigne,Georges Charitat. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1993-11-02.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US20140097441A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2014055277A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: EP2904642A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Film embedding method and semiconductor device

Номер патента: US20130249062A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US20230369393A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same

Номер патента: WO2005065143A3. Автор: Stephen J Burden. Владелец: Isonics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device segmented interconnect

Номер патента: US12034009B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352526A1. Автор: Sung Soo Kim,Donghyun Roh,Gyuhwan Ahn,Chaeho Na,Woongsik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210118991A1. Автор: Sung Soo Kim,Donghyun Roh,Gyuhwan Ahn,Chaeho Na,Woongsik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220173212A1. Автор: Sung Soo Kim,Donghyun Roh,Gyuhwan Ahn,Chaeho Na,Woongsik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of manufacturing multi-channel field effect transistors

Номер патента: US12034042B2. Автор: Sung Soo Kim,Donghyun Roh,Gyuhwan Ahn,Chaeho Na,Woongsik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12068162B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US12062687B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213314A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chun Hsiung Tsai,Ya-Yun Cheng,Clement Hsing Jen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Composite pattern for monitoring various defects of semiconductor device

Номер патента: US20060145152A1. Автор: Jung Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20220028967A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,hong-yang Chen,Chiu-Hua Chung,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices having fins and an isolation region

Номер патента: US11798942B2. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor devices having fins and an isolation region

Номер патента: US20230378175A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Layer structure including metal layer and carbon layer, method of manufacturing the layer structure, electronic device including the layer structure, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230070355A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Methods for forming integrated circuit isolation layers using oxygen diffusing layers

Номер патента: US5814551A. Автор: Sung-Han Lee,Jae-kyung Lee,Chan-Sik Park,Kyung-hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor devices and forming methods thereof

Номер патента: US20200388543A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332060A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display device having thin film transistor

Номер патента: US8964141B2. Автор: Ji-Yong Park,Kyung-Min Park,Jin-Suk Park,Sung-In Ro,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US11830878B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US20230395601A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of suppressing diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US7592243B2. Автор: Kenichi Okabe,Takashi Saiki,Hidenobu Fukutome,Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-22.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240282571A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jen Hung Wang,Shing-Chyang Pan,Wan-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Wafer level chip scale package interconnects and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09892962B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Hui-min Huang,Cheng-Tar Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate structure and method of forming the same

Номер патента: US12015070B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150221552A1. Автор: Koji Suzuki,Yoshiyuki Kadokura,Yuta Sakamoto,Junichi Hamaguchi,Yukinobu Numata,Shuji Kodaira,Koukichi Kamada,Joji Hiroishi,Akifumi Sano. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Interconnect structures and methods of formation

Номер патента: US09984976B2. Автор: Deenesh Padhi,Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Srinivas Guggilla,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of preventing bridging between polycrystalline microscale features

Номер патента: IL140566A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240339377A1. Автор: Jongmin Baek,DeokYoung Jung,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Junghwan CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices having multi-width isolation layer structures

Номер патента: US20130126814A1. Автор: Dae-won Kim,Yong-Kwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System on Integrated Chips and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190287911A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

System on Integrated Chips and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210202398A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100227472A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Three-dimensional memory device containing word lines formed by selective tungsten growth on nucleation controlling surfaces and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200105595A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Senaka Krishna Kanakamedala,Fumitaka Amano,Genta Mizuno. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230163025A1. Автор: TING Li,Hou-Hong Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Bi-layer alloy liner for interconnect metallization and methods of forming the same

Номер патента: US11854878B2. Автор: Chun-Sheng Chen,Wen-Hsuan Chen,Huei-Wen Hsieh,Kai-Shiang KUO,Cheng-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bl-LAYER ALLOY LINER FOR INTERCONNECT METALLIZATION AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20240079270A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Wen-Hsuan Chen,Huei-Wen Hsieh,Kai-Shiang KUO,Cheng-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268279A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US20100258860A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Gate Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20190245055A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180197975A1. Автор: Yasuhiro Jinbo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of measuring breakdown voltage of semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20160064292A1. Автор: Mitsuhiko Sakai,Susumu Yoshimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US11723240B2. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US20210305343A1. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device having the display panel

Номер патента: US20230345774A1. Автор: Woosik Jeon,Eon Seok OH,Jungmin Choi,Seungsoo Hong,Junkyeong Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Compound having thiol anchoring group, method of synthesizing the same, and molecular electronic device having molecular active layer formed using the compound

Номер патента: US20100090210A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Gyeong Sook BANG,Seung Rim Shin,Nak-Jin Choi,Heeyoel Baek,Kun Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of removing a photoresist pattern, method of forming a dual polysilicon layer using the removing method and method of manufacturing a semiconductor device using the removing

Номер патента: US20070298596A1. Автор: Keum-Joo Lee,Kyoung-Chul Kim,Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-27.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9176375B2. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-03.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20110260220A1. Автор: Min-Hwa Chi,Mu-Chi Chiang,Cheng-Ku Chen,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: US3765970A. Автор: T Athanas,A Anastasio. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335637A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having a saddle fin shaped gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110306178A1. Автор: Seung Joo Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222430A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Huang-Chao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Metal wiring, method of manufacturing the same, TFT substrate having the same, method of manufacturing TFT substrate and display device having the same

Номер патента: US20060086979A1. Автор: Yang-Sun Kim,Taek-Hee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing organic light emitting display device having cathode electrode connected with an auxiliary electrode via a gap space between the first and second banks

Номер патента: US20180204894A1. Автор: Jin-Hee Jang,Sejune Kim,SoJung LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of designing electroluminescent device, electroluminescent device manufactured with the design method, and method of manufacturing electroluminescent device with the design method

Номер патента: US09893324B2. Автор: Koujirou Sekine,Mitsuru Yokoyama,Kou Osawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of preparing quantum dot layer, qled display device having the quantum dot layer and method of preparing the same

Номер патента: US20170271549A1. Автор: Xiang Zhou,Tian Yang,Zhao Kang,Ning Chen,Xiaoyan Zhu,Biao TIAN,Xiaona Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Methods of forming a magnetic electrode of a magnetic tunnel junction and methods of forming a magnetic tunnel junction

Номер патента: US9520553B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Quantum computing apparatus with interposer and methods of fabrication and operation thereof, quantum computing apparatus comprising tantalum nitride and method of fabrication thereof

Номер патента: AU2023217913A1. Автор: Alessandro Bruno,Matthijs RIJLAARSDAM,Sophia VLAAR. Владелец: Quantware Holding BV. Дата публикации: 2024-07-18.

Miniaturized lens packaging module, preparation method of the lens packaging module, and electronic device having the lens packaging module

Номер патента: US20240266448A1. Автор: Hsin-Yen Hsu. Владелец: Rayprus Technology Foshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Isolation device and method of transmitting a signal across an isolation material using wire bonds

Номер патента: US20220029043A1. Автор: Kok Keong Richard Lum,Hong Sia Tan. Владелец: Mpics Innovations Pte Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Isolation device and method of transmitting a signal across an isolation material using wire bonds

Номер патента: US20230231070A1. Автор: Kok Keong Richard Lum,Hong Sia Tan. Владелец: Mpics Innovations Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20140363633A1. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Structures and methods for improving solder bump connections in semiconductor devices

Номер патента: US20100167522A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Timothty D. SULLIVAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of inspecting back surface of epitaxial wafer, epitaxial wafer back surface inspection apparatus, method of managing lift pin of epitaxial growth apparatus, and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US10718722B2. Автор: Keiko Matsuo,Naoyuki Wada,Masahiko Egashira. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Neutron Detectors and Methods of Fabricating the Same Using Boron as Neutron Conversion Layer and Conformal Doping Source

Номер патента: US20230065803A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-02.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: EP4097772A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-12-07.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: WO2021155202A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-08-05.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Transparent Adhesive Composition, Film-Shaped Transparent Adhesive, Method of Producing Transparent Adhesive Cured Layer-Attached Member, and Electronic Component and Method of Producing the Same

Номер патента: MY196339A. Автор: Morita Minoru,WATAHIKI Keita,SAKAI Koyuki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Method of fabricating an apparatus of fabricating an flat panel display device and method for fabricating flat panel display device

Номер патента: US20090139960A1. Автор: Jin Wuk Kim,Mi Kyung Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers, and devices so fabricated

Номер патента: WO2012138512A1. Автор: Jasper Cabalu,Alan Wellford Dillon. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers, and devices so fabricated

Номер патента: US20120256211A1. Автор: Jasper Cabalu,Alan Wellford Dillon. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140051190A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140011307A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US8592323B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US9105518B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240322017A1. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US11729963B2. Автор: Daeyoung MOON,Jamin KOO,Hyokyoung Kim,Jonghyeok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device including gate structure

Номер патента: US20240276707A1. Автор: Jieun Lee,Sinyeon KIM,Hana Cho,Jooseong Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09935017B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220352155A1. Автор: Zhong Yuan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing South China Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US20170221771A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Metal gate structure of a cmos semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210082772A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230282739A1. Автор: Po-hsun Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Super-junction power device having adjustable resistor connected in parallel between gate and source, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386861A1. Автор: WEI Hu. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of forming asymmetric differential spacers for optimized MOSFET performance and optimized MOSFET and SONOS co-integration

Номер патента: US11973130B2. Автор: Sotirios Athanasiou,Sébastien Daveau. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20070145476A1. Автор: Jae Hwan Shim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

High voltage mosfet having Si/SiGe heterojunction structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060105528A1. Автор: Jong Dae Kim,Dae Woo Lee,Sung Ku Kwon,Young Kyun Cho,Tae Moon Roh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-05-18.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Circuit and Method of Reducing Body Diode Reverse Recovery Time of Lateral Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20080042196A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Bipolar junction transistor integrated with pip capacitor and method for making the same

Номер патента: US20100283123A1. Автор: Jian-Bin Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flexible substrate and method of manufacturing thereof and flexible display device having the flexible substrate

Номер патента: US09935280B2. Автор: Jin Hwan Choi,Young Gug Seol,Tae Woong Kim,Ju Chan Park,Pil Suk Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180182769A1. Автор: Chun-Yen Chang,Chun-Hu CHENG,Yu-Chien Chiu. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Mask Plate, Manufacturing Method of Patterned Film Layer and Manufacturing Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20210232043A1. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180102428A1. Автор: Taegon Kim,Changhwa KIM,Kyungin Choi,Hyunchul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257659A3. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230313040A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257658A2. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257659A2. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230407174A1. Автор: Ham Cheol,Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM,Jingmin OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Three-dimensional stacking semiconductor assemblies and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020251751A1. Автор: Mark E. Tuttle,Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of fabricating T-type gate

Номер патента: US7141464B2. Автор: Sang Gi Kim,Jong Moon Park,Bo Woo Kim,Yong Sun Yoon,Jin Gun Koo,Seong Wook Yoo,Kun Sik Park,Yoon Kyu Bae,Byung Won Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-11-28.

Method of fabricating T-type gate

Номер патента: US20060079030A1. Автор: Sang Gi Kim,Jong Moon Park,Bo Woo Kim,Yong Sun Yoon,Jin Gun Koo,Seong Wook Yoo,Kun Sik Park,Yoon Kyu Bae,Byung Won Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Electronic Component and Method for the Passivation Thereof

Номер патента: US20160071648A1. Автор: Michael Stahl,Oliver Dernovsek. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2016-03-10.

Exposure apparatus for manufacturing semiconductors and method for inspecting pellicles

Номер патента: US20070035715A1. Автор: Yong-Hoon Lee,Yo-han Ahn,Ok-sun Lee,Hyung-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Packaged integrated circuit having stacked die and method for therefor

Номер патента: US20200027823A1. Автор: Kim Roger Gauen,Burton Jesse CARPENTER. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257658A3. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220149242A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, METHOD OF FORMING PATTERN STRUCTURE, IMPRINT MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, IMPRINT MOLD SET, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD

Номер патента: US20180310413A1. Автор: Furukawa Tadashi,FURUSE Ayako,SOTODA Teppei,KASAI Ryohei,FURUGEN Ryo,HOSODA Tetsushi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

Devices and methods of forming sadp on sram and saqp on logic

Номер патента: US20180012760A1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Mask for surface processing, method of forming the mask, surface processing method, particle-containing film, and method of forming the film

Номер патента: TW201013778A. Автор: Kimio Ichikawa,Shotaro Ogawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110159694A1. Автор: Young-Bang Lee,Ok-Min Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Housing structure and method of manufacturing the same, and electronic device having the same

Номер патента: US20230352776A1. Автор: Hung-Chun Ma,Hai-Peng Yan,Fuh-Feng Tang,Ching-Sheng Sun. Владелец: Fuyu Precision Components Kunshan Co ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure including a thin-film layer and flash-sintering method of forming same

Номер патента: US20200087211A1. Автор: Rishi Raj,Niriaina Andriamady,Thomas Clemenceau,Shikhar Jha. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2020-03-19.

Vinylidene fluoride polymer composition and method of producing same, resin composition, electrode mixture, and electrode containing these, and method of producing same

Номер патента: US20240010826A1. Автор: Takuya Ikeda,Yoshiyuki Nagasawa,Tamito Igarashi,Kayoko Okada,Masataka KATONO. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of coating an inductive stabilization ballast with an insulating layer, and inductive stabilization ballast coated with an insulating layer by means of this method

Номер патента: CA1201628A. Автор: Jacobus I.M. Van Dam. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-03-11.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C9. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of processing steel for electric steel sheet with aligned grain structure and method of making electric steel sheet with aligned grain structure

Номер патента: RU2471877C1. Автор: Суити НАКАМУРА,Йосиюки УСИГАМИ,Норихиро ЯМАМОТО,Томодзи КУМАНО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2013-01-10.

Integrated circuit device having a resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138759A1. Автор: Keon-Soo Kim,Young-Ho Lee,Seong-Soon Cho,Jin- Hyun SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Space transformer comprising an isolation resistor for a probe card, and method for manufacturing same

Номер патента: US20110254578A1. Автор: Min Soo Kim,Sung Man Yoon. Владелец: Imtech Inc Korea. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor integrated circuit device having superconductive layer and isolation member with nitride isolation

Номер патента: US5266815A. Автор: Takahiko Kato,Yasuo Wada,Yutaka Misawa,Hideo Sunami,Shoji Shukuri,Toshikazu Nishino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-30.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080131990A1. Автор: Sang-il Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing package structure

Номер патента: US20220367392A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9608170B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US9356196B2. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: WO2006001317A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2006-01-05.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US20090206435A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Ushibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US7737044B2. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-15.

Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device

Номер патента: US20090243017A1. Автор: Takeshi Takeda,Kenji Takeo,Tadayuki Dofuku. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070023764A1. Автор: Hyung Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US7573082B2. Автор: Hyung Sik Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080315273A1. Автор: Sang-il Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing thin-film solar cell

Номер патента: US20150243830A1. Автор: Manabu Tanaka,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2015-08-27.

Manufacturing method of array substrate, array substrate, and display panel

Номер патента: US20240162400A1. Автор: Bin Zhao,Xiaodan LIN,Juncheng Xiao. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US11372291B2. Автор: Chunhui Yang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20210373393A1. Автор: Chunhui Yang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Package structure as well as manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307370A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Kai Li,Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Work pieces and methods of laser drilling through holes in substrates using an exit sacrificial cover layer

Номер патента: US09953912B2. Автор: Uta-Barbara Goers. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of charging capacity structure

Номер патента: US8673730B2. Автор: Li-Hsun Chen,Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Pei-Chun Hung. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Manufacturing method of charging capacity structure

Номер патента: US20130130463A1. Автор: Li-Hsun Chen,Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Pei-Chun Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: WO2011109058A2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: US20230087893A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: WO2021163766A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2021-08-26.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Methods of forming semiconductor element, and semiconductor elements

Номер патента: US20020168794A1. Автор: Tadashi Hori,Masafumi Sano,Koichi Matsuda,Akira Sakai,Yuzo Koda,Takaharu Kondo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: US20240107758A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: WO2024072502A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Luminous member, method of driving luminous member, non-volatile memory device, sensor, method of driving sensor, and display apparatus

Номер патента: US10706768B2. Автор: Cheolmin Park,Beomjin Jeong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2020-07-07.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having capacitor element

Номер патента: US7323735B2. Автор: Naotaka Hashimoto,Shuji Ikeda,Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315032A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US09871062B2. Автор: Su Wan WOO,Wan Soon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory and method for manufacturing memory

Номер патента: US20220285352A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Color conversion layer and manufacturing method

Номер патента: US20220113625A1. Автор: Yongwei Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Production method of organic EL device

Номер патента: US10600984B2. Автор: Masataka Iwasaki,Takaaki Okamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method for treating a semiconductor device

Номер патента: US9555451B2. Автор: Phil WAGGONER,Scott Parker,James A. Ball. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: US20070058068A1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: EP1759414A1. Автор: Kenzo c/o TOPPAN PRINTING CO. LTD FUKUYOSHI,Tadashi c/o TOPPAN PRINTING CO. LTD ISHIMATSU,Keisuke c/o TOPPAN PRINTING CO. LTD OGATA,Mitsuhiro c/o TOPPAN PRINTING CO. LTD NAKAO,Akiko c/o TOPPAN PRINTING CO. LTD. UCHIBORI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-07.

Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device

Номер патента: WO2006001317B1. Автор: Kenzo Fukuyoshi,Keisuke Ogata,Mitsuhiro Nakao,Tadashi Ishimatsu,Akiko Uchibori. Владелец: Akiko Uchibori. Дата публикации: 2006-04-06.

Three-dimensional memory device including wrap around word lines and methods of forming the same

Номер патента: US20210358942A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160020363A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of manufacturing light emitting element

Номер патента: US20160240742A1. Автор: Keiji Emura,Shun KITAHAMA,Shinichi Daikoku. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US12103289B2. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Secondary battery, anode can thereof, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020187392A1. Автор: Morio Ishizaki. Владелец: Ishizaki Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of manufacture for an ion mobility filter

Номер патента: US11092568B2. Автор: Matthew Hart,Max Allsworth,Daniel Melhirst. Владелец: Owlstone Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Method of forming positive electrode active material and method of fabricating secondary battery

Номер патента: US20230295005A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yohei MOMMA,Tetsuji Ishitani,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US20240263285A1. Автор: Takeshi Imamura,Takafumi Suzuki,Masanori Takenaka. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing positive electrode active material, method of manufacturing sodium ion battery, positive electrode active material, and sodium ion battery

Номер патента: US20240343604A1. Автор: Jun Yoshida,Satoshi Wakasugi,Shohei Kawashima,So Yubuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming floating structure of substrate and method of manufacturing floating structure gate electrode and field emission device employing the floating structure

Номер патента: US20030113450A1. Автор: Young-Jun Park,In-taek Han. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Reinforced battery thermal barrier and method

Номер патента: WO2024137008A1. Автор: John Williams,Lixin Wang,Younggyu Nam,Christopher STOW. Владелец: ASPEN AEROGELS, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of installing of antennas of a notebook

Номер патента: US20090100666A1. Автор: Daniel Chang,Chia-Lun Tang. Владелец: Auden Techno Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of manufacturing a fuel cell stack having an electrically conductive interconnect

Номер патента: US20150303490A1. Автор: Subhasish Mukerjee,Karl Jacob Haltiner, Jr.,Jin Yong Kim,Eric S. Mast,Kerry D. Meinhardt,Vincent L. Sprenkle. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Flat fluorescent lamp, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20050269931A1. Автор: Sang-Yu Lee,In-Sun Hwang,Joong-Hyun Kim,Hae-Soo Ha. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of manufacturing positive electrode active material

Номер патента: US20240262708A1. Автор: Masahiro Morimoto,So Yubuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of carbon-coated lithium iron phosphate material

Номер патента: AU2023285732A1. Автор: Ya-Hui Wang,Feng-Yen Tsai. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of carbon-coated lithium iron phosphate material

Номер патента: AU2023285785A1. Автор: Ya-Hui Wang,Feng-Yen Tsai. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Multi-electrode field emission device having single power source and method of driving same

Номер патента: US20140346975A1. Автор: Jae-Woo Kim,Jin-woo Jeong,Yoon-Ho Song,Jun-Tae KANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-11-27.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US20220153011A1. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of forming resist pattern, process for producing printed wiring board, and method of forming partition wall for plasma display

Номер патента: TW200712769A. Автор: Takashi Kumaki,Masahiro Miyasaka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-01.

Silver-coated stainless steel strip for movable contacts and method of producing the same

Номер патента: US20060188744A1. Автор: Satoshi Suzuki,Kuniteru Mihara,Naofumi Tokuhara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Devices having a cavity structure and related methods

Номер патента: US8497183B2. Автор: Hsiang Hsiang Ko,Hung Jui Chang,You-Hua Chou,Yi Ming Chen,Hsien-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device having monochromatic filter layer

Номер патента: US12016234B2. Автор: Ke Liu,Jie Li,Xiaoqi Ding,Jiali WANG,Guoyi Cui,Xinlei YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of creating compound file and data storage device having the compound file

Номер патента: US9514392B2. Автор: Young-cheul Wee,Young-Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Frame format with a short ssw for the process of forming an sls beam between connected associated stations and a method of preparing wireless communication

Номер патента: RU2698316C1. Автор: Янь Синь,Шен СУНЬ,Квок Шум АУ,Осама АБУЛ-МАГД. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-08-26.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of generating gain combination of pre-amplifier in transmitter of mobile communication system, method of controlling output power of transmitter of mobile communication system in transmitter manufacturing process, and system for controlling output power of transmitter of mobile communication system in transmitter manufacturing process

Номер патента: US20150111509A1. Автор: Inho Song,Ei Ho LEE. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and methods of iterative decoding

Номер патента: US20140250349A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: US20120131415A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: US8719672B2. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-05-06.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: WO2011004939A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2011-01-13.

Method of contentions mitigation for an operational application, associated computer program product and method for determining a stress application

Номер патента: US11803427B2. Автор: Marc Fumey,Pierrick LAMOUR. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of processing authorization messages destined for a plurality of mobile receivers and method of transmitting such messages

Номер патента: CA2632049A1. Автор: Yishan Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Compound for molecular electronic device having thiol anchoring group, method of synthesizing the compound, and molecular electronic device having molecular active layer obtained from the compound

Номер патента: US20070120121A1. Автор: Jung Lee,Nak Choi,Jong Park,Hyo Lee,Gyeong Bang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of managing communication buffers for a plurality of communication layers and node employing the same

Номер патента: US20060077993A1. Автор: Marco Naeve,Luis Pereira,Sujit Das. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of constructing information on associate meanings between segments of multimedia stream and method of browing video using the same

Номер патента: US20050240980A1. Автор: Kyoung Yoon,Sung Jun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-10-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of identifying a precoding matrix corresponding to a wireless network channel and method of approximating a capacity of a wireless network channel in a wireless network

Номер патента: WO2011037738A3. Автор: Ayelet Doron,Rotem Avivi,Yuval Lomnitz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of allowing user to participate in video conference using qr code and method of participating, by user, in video conference using qr code

Номер патента: US20240089410A1. Автор: Daekyeong Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of and a session management function for provisioning a user plane function, a method of and a user plane function for processing user traffic and a method of and charging function for charging user traffic

Номер патента: US20230362024A1. Автор: Miguel Angel MUÑOZ DE LA TORRE ALONSO,Erik Wikström,Carlos JIMENEZ CORDON. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of selectively killing cancer cells using low-temperature plasma jet device and method of treating tumors using the same

Номер патента: US20170319256A1. Автор: Tae-Hong Kang,Ji-Ye CHOI. Владелец: Research Foundation for Industry Academy Cooperation of Dong A University. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of processing authorization messages destined for a plurality of mobile receivers and method of transmitting such messages

Номер патента: US8341706B2. Автор: Yishan Zhao. Владелец: Nagra France SAS. Дата публикации: 2012-12-25.

System and method for balancing data traffic load of mobile communication device having multiple interfaces

Номер патента: US20150289158A1. Автор: Ho Yong Ryu,Pyung Koo Park,Jae Chan Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of controlling rapid charging of an industrial storage cell having an alkaline electrolyte

Номер патента: US6094032A. Автор: Thierry Berlureau,Marc Bariand,Jean-Louis Liska. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2000-07-25.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: WO2011071372A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-06-16.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240268199A1. Автор: Hyuneok Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: WO2024186381A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing silicon oxycarbide liners and methods of forming the same

Номер патента: US20240260267A1. Автор: Takashi Kudo,Ryota Suzuki,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional memory device containing silicon oxycarbide liners and methods of forming the same

Номер патента: WO2024158467A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Takashi Kudo,Tomohiro Kubo,Ryota Suzuki,Takashi Kashimura,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Tatsuya Hinoue,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura,Hisakazu Otoi,Seiji Shimabukuro,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041773B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory device with dielectric fins in staircase region and methods of making thereof

Номер патента: US20240196610A1. Автор: Kenji Sugiura,Yudai Tanaka,Kota Funayama,Ryoichi EHARA,Katsufumi Okamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming pixel cell for three-dimensional image display

Номер патента: US20050057567A1. Автор: Sang-Hoon Shin,Jung-Young Son,Yong-jin Choi,Kae-Dal Kwack,Saveliev Vladmir. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Phase change structure, method of forming a phase change layer, phase change memory device and method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: TW201135999A. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-16.

Touch substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US09830038B2. Автор: Youn-Gu Lee,Bo-Sung Kim,Kyu-Young Kim,Nam-Ok Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive heater substrates and methods of manufacturing resistive heater substrates

Номер патента: US20240334553A1. Автор: Douglas Munroe Beall,Vishwanath Ganpat DESHMANE,Cheryl Barnett Gross. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing circuit board

Номер патента: US7047629B2. Автор: Takeshi Suzuki,Satoru Tomekawa,Tatsuo Ogawa,Fumio Echigo,Daizo Andoh,Yoshihiro Kawakita,Shinobu Kokufu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel having scan lines and scatter lines connected to switches, method of driving a display unit, and display device having a display unit driven thereby

Номер патента: US12094411B2. Автор: Rongrong Li,Mancheng ZHOU. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for improved processing of message queries

Номер патента: US12041021B2. Автор: Shalini Agarwal,Bikin Chiu,Han Seul Lee,Clarence YUNG,Srinivas Vasudevan,Mary Linnell,Rodrigo Ipince,Syed Albiz. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for improved processing of message queries

Номер патента: US20230275856A1. Автор: Shalini Agarwal,Bikin Chiu,Han Seul Lee,Clarence YUNG,Srinivas Vasudevan,Mary Linnell,Rodrigo Ipince,Syed Albiz. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and Methods for Task Assistance

Номер патента: US20190362320A1. Автор: Tristan Harris,Timothy Youngjin Sohn,Erwin Can Sar,Vijay Umapathy,Jacqueline Amy TSAY,Seth Isaac Glickman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Systems and Methods for Task Assistance

Номер патента: US20160063452A1. Автор: Tristan Harris,Timothy Youngjin Sohn,Erwin Can Sar,Vijay Umapathy,Jacqueline Amy TSAY,Seth Isaac Glickman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20070103624A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Jong-Seong Kim,Sung-Hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Methods of screening an agent in an isolated eye of a teleost

Номер патента: EP2187975A1. Автор: Patricia Mcgrath,Wen Lin Seng. Владелец: Phylonix Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2010-05-26.

Methods of screening an agent in an isolated eye of a teleost

Номер патента: WO2008154641A1. Автор: Patricia Mcgrath,Wen Lin Seng. Владелец: Phylonix Pharmaceuticals, Inc.. Дата публикации: 2008-12-18.

Window, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US20240301240A1. Автор: Sangwon Lee,Hyuk-Hwan Kim,Jae Sul An,Jonghwan Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of preparing an isolated population of dendritic cells and methods of treating cancer using same

Номер патента: US20240263136A1. Автор: Steven A. Rosenberg,Paul F. Robbins,Gal CAFRI,Jared J. Gartner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of forming a flexible display panel and alignment layer and spacer thereof

Номер патента: US20110083797A1. Автор: Chi-Neng Mo,Jui-Shu Chou,Mei-Tsao Chiang,Chi-Yuan Huang,Keng-Yu Tsao,Ching-Shan Tsai. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of recording an exposure pattern in a recording layer of a holographic mask, method of forming an exposure pattern in a photosensitive material film, method of manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing an electro-optic device

Номер патента: US20070229927A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of making array of optical elements (versions), article containing said array and method of making said article

Номер патента: RU2422861C2. Автор: Стивен Р. ЧЭПМЭН,Деннис И. КАЗИН,Кэцзянь ХУАН,Деннис И. КАЗИН (US),Кэцзянь ХУАН (US),Стивен Р. ЧЭПМЭН (US). Владелец: Эвери Деннисон Копэрейшн. Дата публикации: 2011-06-27.

A method of manufacturing a wind turbine rotor blade part having an embedded placeholder

Номер патента: EP4382285A1. Автор: Flemming Sorensen. Владелец: Nordex Blade Technology Centre ApS. Дата публикации: 2024-06-12.

A method of manufacturing a wind turbine rotor blade part having an embedded placeholder

Номер патента: WO2024120684A1. Автор: Flemming Sorensen. Владелец: Nordex Blade Technology Centre ApS. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US09971250B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory computer-readable storage medium, and information processing apparatus

Номер патента: US20240288781A1. Автор: Ryota Makino,Mitsuru Inose. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

A method of starting a burner device and heating device having a burner device

Номер патента: US20240310045A1. Автор: Christian Bauer,Jörgen van KOPPEN. Владелец: Truma Geraetetechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of managing data in a portable electronic device having a plurality of controllers

Номер патента: WO2009156404A2. Автор: François-Xavier Marseille,Michel Thill. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2009-12-30.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacture of liquid crystal display device having characteristics which differ locally

Номер патента: US6051444A. Автор: Toshimi Watanabe,Takehiko Ueda,Toru Iwane,Itaru Homma. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Indium oxide nanowire having copper-based dopants, method of forming the same and gas sensor having the same, and method of forming nanowires having metal phthalocyanine, nanowire arrangement and gas sensor having the same

Номер патента: US20170307561A1. Автор: Chaoyi Yan,Pooi See Lee,Jiangxin Wang,Nandan Singh,Abhishek Singh Dahiya. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-26.

Methods of preparing an isolated population of dendritic cells and methods of treating cancer using same

Номер патента: US11976299B2. Автор: Steven A. Rosenberg,Paul F. Robbins,Gal CAFRI,Jared J. Gartner. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of correcting mask pattern, computer program product, mask pattern correcting apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244707A1. Автор: Toshiya Kotani,Taiga Uno,Hiromitsu Mashita,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

Method of growing and maintaining non-differentiated hemopoietic stem cells or precursors cells (options), method of preparing conditioned stromal cell medium, method of transplanting non-differentiated hemopoietic stem cells or precursors cells (options)

Номер патента: RU2249039C2. Автор: Шай МЕРЕЦКИ,Шошана МЕРЧАВ. Владелец: Текнион Рисерч Энд Дивелопмент Фаундейшн Лтд.. Дата публикации: 2005-03-27.

Method of production of paraffin wax for water-dispersible polymerization of tetrafluoroethylene and method of production of polytetrafluoroethylene with the use of this wax

Номер патента: RU2268895C2. Автор: Дзун ХОСИКАВА,Сигеки КОБАЯСИ,Хироки КАМИЯ,Казуо КАТО,Хироюки ХИРАИ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2006-01-27.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

2,2'-di(3,4-alkylenedioxythiophene)s, their application, method of their obtaining, method of obtaining 5,5'-dihalogen-2,2'-(3,4-alkylenedioxythiophene)s and method of obtaining poly(3,4-alkylenedioxythiophene)s based on them

Номер патента: RU2345081C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2009-01-27.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Method of quantitative determination of n-diphenylnitrosamine in meat samples of food production by method of chromatography-mass-spectrometry

Номер патента: RU2626601C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Татьяна Валентиновна Нурисламова,Нина Анатольевна Попова,Ольга Андреевна МАЛЬЦЕВА. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2017-07-28.

Liver-type fatty acid-binding protein standard, method for evaluating standard, method for regulating variation range of measured value caused by liver-type fatty acid-binding protein in measurement using standard, liver-type fatty acid-binding protein, dna encoding protein, cell transformed by dna, method of producing protein, method of drawing calibration curve for liver-type fatty acid-binding protein, and method of quantifying protein

Номер патента: US20190359663A1. Автор: Takeshi Sugaya,Tsuyoshi Oikawa,Masateru OKAZAKI. Владелец: CMIC Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of making catalyst for production of synthesis gas, catalyst thus made and method of producing synthesis gas with its application

Номер патента: RU2491118C1. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2013-08-27.

Method of formation in well of gravel packing in zone of formation and method of well completion

Номер патента: RU2123103C1. Автор: Гарнер Джоунс Ллойд,Дж.Ятс Томми. Владелец: Мобил Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 1998-12-10.

Method of creating track of movement for autonomous movement of movable object and method of autonomous movement of movable object along path of movement

Номер патента: RU2691679C1. Автор: Андрей Владимирович ВАВИЛИН,Анатолий Сергеевич Терский. Владелец: Андрей Владимирович ВАВИЛИН. Дата публикации: 2019-06-17.

Method of fuel firing using oxygen-contaning gas, burner for independent injection and method of glass load heating and furnace heating

Номер патента: RU2361149C2. Автор: Паскаль ДЮПЕРРЕ,Бенуа ГРАН,Бертран ЛЕРУ,Реми Пьер ТСИАВА,Мохан АМИРА,Патрик Жан-Мари РЕКУР,Лоик СИЛЬВЕСТР. Владелец: Л`Эр Ликид, Сосьете Аноним А Директуар Э Консей Де Сюрвейянс Пур Л`Этюд Э Л`Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2009-07-10.

Frame with an outer silicone layer and a manufacturing method of forming the silicone layer on the outer part of frame

Номер патента: US11772310B2. Автор: Lei Cheng,Chin-Hsing Lee,Kuo-Chi Lee. Владелец: DRAGONSTATE Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240233074A9. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US12031234B2. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

A method of training an artificial deep neural network for estimation of hemodynamic parameter, a method of estimation of hemodynamic parameter, computer program products and computer systems

Номер патента: EP4428871A1. Автор: Pawel Pluszka,Maciej ZIĘBA,Tomasz KONOPCZYŃSKI,Patryk RYGIEL. Владелец: Hemolens Diagnostics Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2024-09-11.

A method of training an artificial deep neural network for estimation of hemodynamic parameter, a method of estimation of hemodynamic parameter, computer program products and computer systems

Номер патента: WO2024184690A1. Автор: Pawel Pluszka,Maciej ZIĘBA,Tomasz KONOPCZYŃSKI,Patryk RYGIEL. Владелец: Hemolens Diagnostics Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2024-09-12.

Biopolymeric fibre, composition of forming solution for its obtaining, method of forming solution preparation, linen of biomedical purpose, biological bandage and method of wound treatment

Номер патента: RU2468129C2. Автор: Юрий Александрович Дмитриев,Анна Борисовна Шиповская,Николай Владимирович Островский,Юрий Евгеньевич Сальковский,Екатерина Владимировна Козырева,Ирина Борисовна Белянина,Вадим Владимирович Березяк,Ольга Игоревна Александрова,Ирина Васильевна Кириллова,Дмитрий Валерьевич Перминов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2012-11-27.

Method of producing a drug based on oligopeptide alloferon-1, having an antiviral and immunomodulating effect, and prolonged storage medicinal product obtained with its help

Номер патента: RU2737852C2. Автор: . Владелец: Беккер Герман Петрович. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of reduction of intermetallic compounds along interface of coupling of matrix bit by method of reduced temperature

Номер патента: RU2722380C2. Автор: Жиль ГАЛЛЕГО,Альфазази ДУРФЭ,Бруно КЮЙЕ ДЕ МЕНДРЕВИЛЛЬ,Оливье ТЕР,Уилльямс ГОМЕС,Ив КАЗАЛАС. Владелец: Варель Ероп С.А.С.. Дата публикации: 2020-05-29.

Method of synthesis of derivatives of 2-chloro-nitroquinolineamines, method of synthesis of 2-chloro-3,4-diaminoquinolines, method of synthesis of derivatives of 4-chloro-1h-imidazo-[4,5-c]-quinolines, method of synthesis of derivative of 1h-imidazo-[4,5-c]-quinolines, 2-chloro-3-nitroaminoquinoline, 2-chloro-3,4-diaminoquinoline

Номер патента: RU2083563C1. Автор: Fr],Жан-Дени Андре,Даниэль Жан Мари Лаган. Владелец: Райкер Лабораториз, Инк.. Дата публикации: 1997-07-10.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20140146254A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20220308380A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20210103172A1. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US9494811B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US8643812B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US11803073B2. Автор: Dong-Ho Shin,Sung-Hoon Kim,Kook-Hyun Choi,Hyo-Seop Kim,Sang-Yong NO,Young-Je Cho,Hyo-Taek Lim,Yong-jo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of visualizing data, device for visualizing data as well as use of a method of visualizing data

Номер патента: EP3690818A1. Автор: Baris GUEZELARSLAN. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-05.

Protected one-vial formulation for nucleic acid molecules, methods of making the same by in-line mixing, and related products and methods

Номер патента: EP1104309A2. Автор: Mark J. Logan,Russ Mumper,Maria Bruno,Jenna Tagliaferri,Luke Lawson. Владелец: Urigen Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2001-06-06.

Method of injecting liquid agents at acupuncture points to arrive internal organs and method of visualizing arrival of liquid agents

Номер патента: US8057783B2. Автор: Min Soo Kim,Kwang Sup Soh,Cheon Joo Choi,Baeck Kyoung Sung,Vyacheslav Ogay. Владелец: Mobase Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of injecting liquid agents at acupuncture points to arrive internal organs and method of visualizing arrival of liquid agents

Номер патента: US20090098058A1. Автор: Min Soo Kim,Kwang Sup Soh,Cheon Joo Choi,Baeck Kyoung Sung,Vyacheslav Ogay. Владелец: Mobase Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of deciding risk of obstructive sleep apnea syndrome, method of deciding sinking of hyoid bone, programs, x-ray diagnostic system, and method of making oral appliance

Номер патента: US20150320379A1. Автор: Daiki HIRABAYASHI. Владелец: Cephmedical Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of preparing compound for killing insects or mites (variants), insecticide and antimite composition, method of killing insects or mite, strain saccharopolyspora spinosa used for preparing compound for insect and mite killing

Номер патента: RU2165704C2. Автор: КРИМЕР Лоуренс,А. КИРСТ Херберт,С. МИНДЕРС Джон,С. БРАФТОН Мери,Л. Б. ХЬЮБЕР Мери,В. МАРТИН Джеймс,Р. ТЕРНЕР Джан. Владелец: ДАУ Агросайнсис ЛЛС. Дата публикации: 2001-04-27.

Window, method of manufacturing the window, and display device having the window

Номер патента: US20240103198A1. Автор: Su-Hyoung Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: EP1980898A3. Автор: Hye-Young Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Methods of increasing mesenchymal stromal cell biosynthesis of specialized pro-resolving mediators and methods of use

Номер патента: WO2024044666A2. Автор: Thomas Turner,Edward Botchwey,Nick WILLETT,Elaine DELORIMIER. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: US20130188178A1. Автор: Steve Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Methods of producing bioconjugates of e. coli o-antigen polysaccharides, compositions thereof, and methods of use thereof

Номер патента: EP4253554A2. Автор: Stefan Jochen KEMMLER,Michael Thomas KOWARIK,Eveline Marleen WEERDENBURG,Jeroen GEURTSEN,Kellen Cristhina FAE,Pieter Jan Burghout,Jan Theunis Poolman,Martin Edward Braun,Maria Paula Carranza Sandmeier,Veronica Gambillara FONCK,Darren Robert Abbanat,Manuela Mally,Patricia Ibarra Yon. Владелец: Janssen Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: EP2605882A1. Автор: Stephen Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Preparation with the viable mycoparasitic microorganism pythium oligandrum for the treatment of dermaphytoses and yeast infections on the skin and mucous membranes, method of determining the cell's viability of the microorganism pythium oligandrum and method of applying the preparation

Номер патента: EP3478302A1. Автор: Martin Suchanek,Radim Klimes. Владелец: Bio Agens Research And Development - Bard Sro. Дата публикации: 2019-05-08.

Preparation with the mycoparasitic microorganism pythium oligandrum for the treatment of dermaphytoses and yeast infections on the skin and mucouses, method of determing the cell's viability of the microorganism pythium oligandrum and method of applying the preparation

Номер патента: US20200085893A1. Автор: Martin Suchanek,Radim Klimes. Владелец: Bio Agens Research And Development - Bard Sro. Дата публикации: 2020-03-19.

V-mn-sb-tio2 catalyst, method of fabricating the catalyst, heat recovery steam generator comprising the catalyst, and method of eliminating yellow plume using the catalyst

Номер патента: EP4410421A1. Автор: Dongho Kim,Heon Phil Ha,Dong-Wook Kwon,Yeonjae PARK. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of musical sequences formation corresponding to amino acid sequences in proteins and a method of protein sequence characterization

Номер патента: RU2113487C1. Автор: Стернэмер Жоэль. Владелец: Стернэмер Жоэль. Дата публикации: 1998-06-20.

Cobalt metal foam catalyst, method of making same, thermal-medium-circulating heat-exchange reactor using same, and method of producing a liquid fuel by means of a fischer-tropsch synthesis reaction using thermal-medium-circulating heat-exchange reactor

Номер патента: US20160200985A1. Автор: Heon Jung,Jung-Il Yang,Dong-Hyun Chun,Ji-Chan Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of automatically recognizing and classifying design information in imaged PID drawing and method of automatically creating intelligent PID drawing using design information stored in database

Номер патента: US11756323B2. Автор: Sung Oh KANG,Hum Kyung BAEK,Eul Bum LEE. Владелец: Doftech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of and circuitry for controlling access by a master to a peripheral, a method of configuring such circuitry, and associated computer program products

Номер патента: US09946669B2. Автор: Carl Culshaw,Alan Devine,Alistair Robertson,Andrei KOVALEV. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of using a degradable component in a wellbore and related systems and methods of forming such components

Номер патента: US9856411B2. Автор: Anil K. Sadana,Jeffrey R. Potts. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

A method of combusting coal solid fuels, an additive to coal solid fuels and a method of manufacturing an additive to coal solid fuels

Номер патента: WO2023177311A1. Автор: Elzbieta LATOCHA. Владелец: Latocha Elzbieta. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US20160132626A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming a layer of silica to be eliminated subsequently and method for mounting an integrated optical component

Номер патента: US5736429A. Автор: Estelle Derouin,Claude Artigue,Denis Tregoat,Frederic Pommereau. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1998-04-07.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Method and apparatus for determining defect detection sensitivity data, control method of defect detection apparatus, and method and apparatus for detecting defect of semiconductor devices

Номер патента: US20040151362A1. Автор: Akira Hamaguchi,Takamitsu Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of apparatus for forming an object by means of additive manufacturing

Номер патента: US20210362431A1. Автор: Herman Hendrikus Maalderink,Fabien Bernard Jacques Bruning,Wijnand Christiaan Germs. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of apparatus for forming an object by means of additive manufacturing

Номер патента: EP3774285A1. Автор: Herman Hendrikus Maalderink,Fabien Bernard Jacques Bruning,Wijnand Christiaan Germs. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of managing data in a portable electronic device having a plurality of controllers

Номер патента: EP2304556A2. Автор: François-Xavier Marseille,Michel Thill. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-04-06.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

System and method for improved statistical bar code reading for electronic devices having a camera

Номер патента: US20060138237A1. Автор: HAO WANG,Kongqiao Wang,Yanming Zou. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-06-29.

Synthetic fibre for three-dimensional reinforcement of cement product and method of preparing said fibre (versions), cement product containing dispersed synthetic fibre and method of preparing said cement product

Номер патента: RU2396379C2. Автор: Евгений Павлович Бабенков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Си Айрлайд". Дата публикации: 2010-08-10.

Method of production of blended metal composition based on additive, catalytic composition and method of catalytic hydraulic treatment of hydrocarbon material

Номер патента: RU2287367C2. Автор: Франс Лодевейк ПЛАНТЕНГА,Сонь ЭЙСБАУТС,Сонья Эйсбаутс,Маринус Брюс СЕРФОНТАЙН. Владелец: Альбемарл Недерландс Б.В.. Дата публикации: 2006-11-20.

Method of detecting preceding feature and apparatus for detecting preceding feature jump and method of producing cold pipe using the method of detecting preceding feature

Номер патента: RU2603398C2. Автор: Такуя ХАНАДА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2016-11-27.

Method of identification, diagnostics and evaluation of a substance quality using the integral scintillation method of substance investigation

Номер патента: RU2647533C1. Автор: Валентин Николаевич Аполицкий,Маргарита Николаевна Рыбалова. Владелец: Валентин Николаевич Аполицкий. Дата публикации: 2018-03-16.

Sulfonamides, pharmaceutical composition based on said, method of treatment of endothelin-dependent diseases, method of inhibition of binding endothelin peptide with endothelina-(eta) or b-(etb) receptor, method of modulation of activity inducing by endothelin receptor

Номер патента: RU2151144C1. Автор: Минг Фей ЧЭН,Боур Говда РАДЖУ,Эдам КОИС,Эрик Джоил Вернер,Ченджд ВУ,Розарио Сильвестр Кастилло,Венкатачалапати ЯЛАМУРИ,Вайтукуди Нарайанэйенгар БАЛАДЖИ,Кальянэрэмэн РАМНАРАЙАН. Владелец: Тексаз Байотекнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of control over material particle size reduction, machine to this end and method of machine calibration

Номер патента: RU2484636C2. Автор: Ханс-Петер БЕРНАУЕР,Вольфганг ШТАНКМАНН,Юрген ЗИЛЛ,Олаф БАЛЬЦЕР,Оливер МЕКЛЕНБУРГ,Йорг МЕРТЕН,Бруно ДЕРИЙК. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of low-temperature local loading of oil-and-gas pipeline with acoustic-emission method of non-destructive testing

Номер патента: RU2715077C2. Автор: Александр Михайлович Большаков,Яков Михайлович Андреев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Якутский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2020-02-25.

Amino-derivatives, method of inhibition of synthesis of nitrogen oxide, method of selective inhibition of synthesis of nitrogen oxide produced by inducible no-synthase, method of decrease of nitrogen oxide level, pharmaceutical composition

Номер патента: RU2152927C1. Автор: Е.Энн Холлинан,Дональд В. Хансен (младший),София Цимбалов. Владелец: Джи.Ди.Сирл энд Ко.. Дата публикации: 2000-07-20.

Space device and aircraft, elongated element of space device or aircraft, method of making model of elongated element of space device or aircraft, and method of producing elongated element of space device or aircraft, and computer

Номер патента: RU2486102C2. Автор: Эрик Стивен ВУД. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of producing paper web for applying pattern on concrete surface (embodiments) and method of applying pattern on concrete surface

Номер патента: RU2698923C2. Автор: Владимир Николаевич Нешта,Анатолий Львович Апекишев. Владелец: Анатолий Львович Апекишев. Дата публикации: 2019-09-02.

Method of growing crystals of quartz or amethyst or amethyst druses by a hydrothermal method of temperature drop in aqueous solutions of ammonium fluoride

Номер патента: RU2707771C1. Автор: Владимир Сергеевич Балицкий,Людмила Васильевна Балицкая,Денис Владимирович Балицкий,Сергей Петрович Семенченко,Михаил Васильевич Гуменный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт экспериментальной минералогии имени академика Д.С. Коржинского Российской академии наук (ИЭМ РАН). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of producing carbon material modified with chlorine and carbon material modified with chlorine, method of producing composite electroconductive material and electroconductive composite material

Номер патента: RU2717516C2. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский,Александр Александрович Хасин,Артем Владимирович Алексеев,Олег Филиппович Бобренок. Владелец: МСД Текнолоджис С.а.р.л.. Дата публикации: 2020-03-23.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US11954822B2. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Chromatography method, method of determining the concentration of at least one compound in a chromatography method, method of obtaining an adsorption isotherm, method of obtaining at least one stationary phase and method of evaluating the accuracy of a predetermined adsorption isotherm

Номер патента: WO2020239393A1. Автор: Jan Schwellenbach,Dominik Stein. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2020-12-03.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US20240026571A1. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US11866849B2. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Chromatography method, method of determining the concentration of at least one compound in a chromatography method, method of obtaining an adsorption isotherm, method of obtaining at least one stationary phase and method of evaluating the accuracy of a predetermined adsorption isotherm

Номер патента: EP3977115A1. Автор: Jan Schwellenbach,Dominik Stein. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2022-04-06.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US11970788B2. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US11976385B2. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240135490A1. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of transporting mesenchymal stem cells by means of a transporting solution and a method of administering stem cells to wounds

Номер патента: US11998569B2. Автор: Brian M. Freed,Toan Thang Phan. Владелец: CellResearch Corp Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of separating gases in fluid for oil production, oil production system and method of oil production

Номер патента: RU2465444C2. Автор: Реймонд Николас ФРЕНЧ,Заида ДИАЗ,Джефри Мэтью УОРЕН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2012-10-27.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

High strength dip galvanized steel plate with excellent characteristic of impact strength, and method of its manufacturing, and high strength alloyed dip galvanized steel plate and method of its manufacturing

Номер патента: RU2566121C1. Автор: Хироюки КАВАТА,Наоки МАРУЯМА,Акинобу МУРАСАТО,Акинобу МИНАМИ,Такеси ЯСУИ,Такуя КУВАЯМА,Хироюки БАН,Каору ХИРАМАЦУ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of enhancing the effects of plant disease control of fungicide arylphenylketone and a method of combating plant diseases

Номер патента: RU2735252C2. Автор: Мунеказу ОГАВА,Акихиро НИСИМУРА,Сюко НИСИМИ. Владелец: Исихара Сангио Кайся, Лтд.. Дата публикации: 2020-10-29.

A method of protecting plants or crops from insect pests and pathogenic microbes and a method of imparting aroma thereto in a facility or installation for cultivating agricultural products

Номер патента: CA2220211C. Автор: Riichiro Ohtsuka. Владелец: ABION Corp Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of producing crystalline rods having regions of reversed dominant ferroelectric polarity and method for clarifying such a rod

Номер патента: US5171400A. Автор: Robert L. Byer,Martin M. Fejer,Gregory A. Magel. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1992-12-15.

Methods of producing bioconjugates of e. coli o-antigen polysaccharides, compositions thereof, and methods of use thereof

Номер патента: EP4253554A3. Автор: Stefan Jochen KEMMLER,Michael Thomas KOWARIK,Eveline Marleen WEERDENBURG,Jeroen GEURTSEN,Kellen Cristhina FAE,Pieter Jan Burghout,Jan Theunis Poolman,Martin Edward Braun,Maria Paula Carranza Sandmeier,Veronica Gambillara FONCK,Darren Robert Abbanat,Manuela Mally,Patricia Ibarra Yon. Владелец: Janssen Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Methods of identifying a tumor that is sensitive to treatment with talazoparib and methods of treatment thereof

Номер патента: US20240052423A1. Автор: Joshua James Gruber,Melinda TELLI. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-02-15.

METHOD OF HIGHLY EXPRESSING TARGET PROTEIN FROM PLANT USING RbcS FUSION PROTEIN AND METHOD OF PREPARING COMPOSITION FOR ORAL ADMINISTRATION OF MEDICAL PROTEIN USING TARGET PROTEIN EXPRESSION PLANT BODY

Номер патента: US20170335361A1. Автор: Per-Olof Berggren,Inhwan Hwang,Yong Jik Lee,Jae Yoon Kim,Eun Ju Sohn,Hyang Ju KANG,Yun Joo YOO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-11-23.

Methods of identifying a tumor that is sensitive to treatment with talazoparib and methods of treatment thereof

Номер патента: EP4256088A1. Автор: Joshua James Gruber,Melinda TELLI. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2023-10-11.

Processing and manufacturing method of a master for optical disk, the master for optical disk, a manufacturing method of an optical disk substrate, the optical disk substrate, and a processing device of a master for optical disk

Номер патента: US20020060967A1. Автор: Hideaki Yamada,Hiroyasu Kaseya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of inducing differentiation in stem cells, methods of generating tissue using scaffold matrices derived from micro-organs and stem cells, methods of producing adult stem cells and methods of continuously generating stem cells by implantation of micro-organs as sources of stem cells

Номер патента: EP1471788A2. Автор: Eduardo N. Mitrani. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2004-11-03.

Methods of inducing differentiation in stem cells, methods of generating tissue using scaffold matrices derived from micro-organs and stem cells, methods of producing adult stem cells and methods of continuously generating stem cells by implantation of micro-organs as sources of stem cells

Номер патента: EP1471788A4. Автор: Eduardo N Mitrani. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2006-02-01.

Methods of inducing differentiation in stem cells, methods of generating tissue using scaffold matrices derived from micro-organs and stem cells, methods of producing adult stem cells and methods of continuously generating stem cells by implantation of micro-organs as sources of stem cells

Номер патента: EP1471788B1. Автор: Eduardo N. Mitrani. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2010-11-10.

Computer-implemented method of building a database of pulse sequences for magnetic resonance imaging, and a method of performing magnetic resonance imaging using such a database

Номер патента: US10976395B2. Автор: Alexandre VIGNAUD,Nicolas Boulant,Vincent Gras,Alexis Amadon,Raphael TOMI-TRICOT,Bertrand THIRION. Владелец: Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique INRIA. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US20210090657A1. Автор: Seongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of increasing mesenchymal stromal cell biosynthesis of specialized pro-resolving mediators and methods of use

Номер патента: WO2024044666A3. Автор: Thomas Turner,Edward Botchwey,Nick WILLETT,Elaine DELORIMIER. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of producing antibodies to a restricted population of t lymphocytes, antibodies and method of use

Номер патента: WO1993005813A1. Автор: Steven M. Friedman,Mary K. Crow,David Posnett. Владелец: New York Society For The Relief Of The Ruptured And Crippled, Maintaining The Hospital For Special Surgery. Дата публикации: 1993-04-01.

Method of encoding watermark into digital image, apparatus for encoding watermark into digital image, method of detecting watermark in digital image, apparatus for detecting watermark in digital image, and computer-program product

Номер патента: US20210334932A1. Автор: XiaoJun Tang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of encoding watermark into digital image, apparatus for encoding watermark into digital image, method of detecting watermark in digital image, apparatus for detecting watermark in digital image, and computer-program product

Номер патента: EP3938994A1. Автор: XiaoJun Tang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Method of production of high-value hydrocarbon products from waste plastics and apparatus for method of production of high-value hydrocarbon products from waste plastics

Номер патента: EP2435368A1. Автор: Bartłomiej Samardakiewicz,Daria FRĄCZAK. Владелец: Clariter Poland Sp zoo. Дата публикации: 2012-04-04.

Mold for forming an expandable balloon for intraluminal use, balloon and method

Номер патента: EP4237216A1. Автор: Mario Salerno. Владелец: I Vasc Srl. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of making an anti-slip coating and an article having an anti-slip coating

Номер патента: CA2421660C. Автор: William S. Molnar,Kevin J. Heinl. Владелец: W S Molnar Co. Дата публикации: 2010-11-23.

Colorimeter and method of measuring colour of a sample in a container having an aperture

Номер патента: WO2020231331A1. Автор: Nikolai YAKOVLEV. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of and apparatus for supplying cooling water to laser processing head and method of producing cooling water

Номер патента: US11878370B2. Автор: Jun Iwasaki. Владелец: Amada Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Interferometer system, method of determining a mode hop of a laser source of an interferometer system, method of determining a position of a movable object, and lithographic apparatus

Номер патента: US20230324164A1. Автор: Engelbertus Antonius Fransiscus Van Der Pasch,Maarten Jozef Jansen,Manoj Kumar MRIDHA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and Methods for Dynamically Changing Regulator Voltage of a Scanning Device Having an Illumination System and an Imager

Номер патента: US20240103554A1. Автор: Gennaro Squillante,Mahmudul H. Bhuiyan. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Suturable cuff, method of integrating a tissue construct with a host organ or vasculature, and method of making a suturable cuff

Номер патента: WO2023164426A2. Автор: Jennifer A. Lewis,Daniel S. Reynolds,Sebastien G.M. UZEL,Ramsey DOOLITTLE,Luba PERRY. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2023-08-31.

Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (FBAR) having an insulating layer

Номер патента: US9046464B2. Автор: Thomas Huber,Matthias Schreiter,Martin Nirschl,Dana Pitzer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-06-02.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: EP4421148A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacture of an absorbent soundproofing element and absorbent soundproofing element of automobile panelling

Номер патента: RU2744359C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Хельмут БЕККЕР,Фолькер КУРШ,Маурицио ТАРЕЛЛО. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2021-03-05.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US20240264533A1. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing aluminum oxide (Al2O3) substrate

Номер патента: US20080311032A1. Автор: Tsung-Ting Sun. Владелец: Edison Opto Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of preparing pharmaceutical microsphere

Номер патента: US20190142753A1. Автор: Rui Li,Li Ma,Weidong Sun,Yongsheng Dong. Владелец: Zhongshuai Pharmaceutical Sci & Tech Co ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Composite fiber web having superior heat resistance and sound absorption and method of manufacturing same

Номер патента: US20240217206A1. Автор: Jung Wook Lee,Keun Young Kim,Tae Yoon Kim,Ji Wan Kim,Jong Hyuk Cha,Seong Je KIM,Jae Sam KIM. Владелец: Iksung Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US8419951B2. Автор: Yuki Hirai,Yoshiko Takahashi,Tomoo Shige. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2013-04-16.

Colon stem cells associated with colitis and colorectal cancer and methods of use

Номер патента: WO2010009121A3. Автор: Edward W. Scott,Emina H. Huang,Joseph E. Carpentino. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Isolated pediococcus acidilactici 05b0111 and method of producing exopolysaccharide

Номер патента: US20110091432A1. Автор: Chii-Cherng Liao,Fwu-Ling Lee,Hing-Yuen Chan,Tsung-Chen Huang,Fu-Mei Lin,Shy-Yunn Wann. Владелец: Food Industry Research and Development Institute. Дата публикации: 2011-04-21.

Isolated pediococcus acidilactici 05b0111 and method of producing exopolysaccharide

Номер патента: US20150329886A1. Автор: Chii-Cherng Liao,Fwu-Ling Lee,Hing-Yuen Chan,Tsung-Chen Huang,Fu-Mei Lin,Shy-Yunn Wann. Владелец: Food Industry Research and Development Institute. Дата публикации: 2015-11-19.

Isolated Pediococcus acidilactici 05B0111 and method of producing exopolysaccharide

Номер патента: US9873899B2. Автор: Chii-Cherng Liao,Fwu-Ling Lee,Hing-Yuen Chan,Tsung-Chen Huang,Fu-Mei Lin,Shy-Yunn Wann. Владелец: Food Industry Research and Development Institute. Дата публикации: 2018-01-23.

Manufacturing method of alignment layer and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US09880423B2. Автор: Xiao Xin,Feifei Zhang,Wenpeng ZHANG,Xing Qin,Peiqiang GUAN,Xiaohui Yi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of medical image forming

Номер патента: RU2736160C1. Автор: Вольдемар Освальдович Ребони,Василий Иванович Нагаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательская производственная компания "Электрон" (АО "НИПК "Электрон"). Дата публикации: 2020-11-12.

Protein, osteoclast differentiation inhibitor, inflammatory bone resorption therapeutic agent, gene, recombinant vector, method of manufacturing a protein, method of inhibiting osteoclast differentiation, and method of treating inflammatory bone resorption

Номер патента: US20090074742A1. Автор: Yasuhiro Kobayashi. Владелец: Matsumoto Dental University. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US20170369327A1. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-12-28.

Laser-treated anti-deposition object and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240337016A1. Автор: Chien-Cheng Chang,Chien-Hsun Chen,Chih-Chiang Fang,He-Pu Lu. Владелец: Highlight Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of production of counterfeit-proof document and/or valuable document with personalised information attributes

Номер патента: RU2526680C2. Автор: ХАГЕМАНН Михаэль,МАТЕА Артур,МУТ Оливер,ПФЛУГХЁФФТ Мальте,ФИШЕР Йёрг,ПУДЛАЙНЕР Хайнц. Владелец: Байер Матириелсайенс Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of making one or more fibrils, computer implemented method of simulating an adhesive force of one or more fibrils and fibril

Номер патента: US20240149501A1. Автор: Metin Sitti,Ville LIIMATAINEN,Donghoon SON. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of making one or more fibrils, computer implemented method of simulating an adhesive force of one or more fibrils and fibril

Номер патента: WO2022189631A1. Автор: Metin Sitti,Ville LIIMATAINEN,Donghoon SON. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2022-09-15.

Sealing plug assemblies, sealing elements, and bleed lances for line stopping a pipe and systems and methods thereof

Номер патента: WO2024108051A2. Автор: Paul Hatch,Brian Anderson,David Albertson,Brian Gresh,Ray PRATER,Joaquin REYES ESPINOSA,Robert NIKSICH,Timothy IRELAN. Владелец: Weldfit LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Display substrate, method of manufacturing the same and display device having the same

Номер патента: US20090217521A1. Автор: Yong-Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Sealing plug assemblies, sealing elements, and bleed lances for line stopping a pipe and systems and methods thereof

Номер патента: WO2024108051A3. Автор: Paul Hatch,Brian Anderson,David Albertson,Brian Gresh,Ray PRATER,Joaquin REYES ESPINOSA,Robert NIKSICH,Timothy IRELAN. Владелец: Weldfit LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of producing synthetic latex

Номер патента: RU2507218C2. Автор: ДЕР ВАЛ Арвин В. ВАН,Марк СОНДЕРМАН,Стефен В. БУРН,ДЕР ХЕЙЗЕН Адри А. ВАН,Алесанре Родригес да СИЛВА,Дэвид Х. БРУКС. Владелец: КРЭЙТОН ПОЛИМЕРС ЮЭс ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-02-20.

Composition and method of improving formation of crystal agglomerates from mother solution

Номер патента: RU2556217C2. Автор: Дмитрий Л. Кузнецов,Джон Д. КИЛДИ,Цзяньцзюнь ЛЮ,Ким Ричард КОУЛМАН,Райан Трэвис ЧЕСТЕР. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of producing multilayer components and vulcaniser to this end

Номер патента: RU2417894C2. Автор: Хайнц-Петер БУШ,Карстен ХЕССЕ,Карстен ХЕССЕ (DE),Хайнц-Петер БУШ (DE). Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of forming resist pattern

Номер патента: US4840874A. Автор: Fumiaki Shigemitsu,Tatsuo Nomaki,Kinya Usuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Lens forming systems and methods

Номер патента: WO2006135390A3. Автор: Kevin Krogman,Mahendra Sunkara,Xiaodong Sun,Omar M Buazza,Galen Powers,Loren C Lossman,John T Foreman,Matthew C Lattis,Thad Druffel. Владелец: Thad Druffel. Дата публикации: 2007-12-13.

Method of cooling control for thick steel plate, cooling control device, and method of producing thick steel plate

Номер патента: EP3922371A1. Автор: Satoshi Ueoka,Takahiro Hirano,Ori Kumano. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Method of manufacturing an anesthesia face mask

Номер патента: US11744975B2. Автор: Steven Saad. Владелец: Koo Medical Equipment (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof

Номер патента: US09968903B2. Автор: Robert Hess,Tanya S. Kanigan,John Linton,Colin Brenan,Can Ozbal. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Biodegradable and suitable for composting food packaging made of formed fibrous material and method of manufacture of such food packaging

Номер патента: RU2745320C2. Автор: Харалд КЁЙПЕР. Владелец: Хюхтамаки Молдед Файбер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2021-03-23.

Pro108 antibody compositions and methods of use and use of Pro108 to assess cancer risk

Номер патента: US7294704B2. Автор: NAM Kim,Glenn Pilkington,Laura Corral,Iris Simon,Charis Lawrenson,Robert L. Wolfert. Владелец: Diadexus Inc. Дата публикации: 2007-11-13.

Method of manufacturing a formed meat-replacement food product, a formed meat-replacement food product, a plant based proteinaceous binder ingredient, and a method for manufacturing a plant-based proteinaceous binder ingredient, method for manufacturing self-encapsulated proteinaceous particles, self-encapsulated proteinaceous particles, and methods for using self-encapsulated proteinaceous particles; a method of using plant-based proteinaceous binder ingredient in industrial manufacturing process of formed meat-replacement products; and a method of improving the stability of self-encapsulated

Номер патента: FI20216060A1. Автор: Jingwei Liu,Maija Itkonen,Samuel Mccormick,Zhongqing JIANG,Anni Katriina NISKAKOSKI,Alejandra KOLEHMAINEN,Maria SILVÉN. Владелец: Gold&Green Foods Oy. Дата публикации: 2022-06-24.

Method of manufacturing a formed meat-replacement food product, a formed meat-replacement food product, a plant based proteinaceous binder ingredient, and a method for manufacturing a plant-based proteinaceous binder ingredient, method for manufacturing self-encapsulated proteinaceous particles, self-encapsulated proteinaceous particles, and methods for using self-encapsulated proteinaceous particles; a method of using plant-based proteinaceous binder ingredient in industrial manufacturing process of formed meat-replacement products; and a method of improving the stability of self-encapsulated

Номер патента: FI130592B. Автор: Jingwei Liu,Maija Itkonen,Samuel Mccormick,Zhongqing JIANG,Anni Katriina NISKAKOSKI,Alejandra KOLEHMAINEN,Maria SILVÉN. Владелец: VALIO OY. Дата публикации: 2023-11-29.

Novel steroids and methods of manufacture

Номер патента: US20200199171A1. Автор: Glenn C. MICALIZIO,Alan Eastman. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2020-06-25.

Tissue repair medical devices and methods

Номер патента: AU2023212846A1. Автор: Michael Hiles,Bhavin B. Shah,Michelle CHUTKA,Christopher A. CARRUTHERS,Alexander BRETHAUER,Alex de Poix,Alycia Berman,Katie Herget,George Malinee,Elena Monroe,Brayden Smith,Shaun Davis. Владелец: Cook Biotech Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Articles containing expanded poly (tetramethyl-p-silphenylenesiloxane) and methods for producing the same

Номер патента: CA3174313A1. Автор: Guy A. Sbriglia,Ravi Gupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Articles containing expanded poly (tetramethyl-p-silphenylenesiloxane) and methods for producing the same

Номер патента: EP4127036A1. Автор: Guy A. Sbriglia,Ravi Gupta. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

PCan065 antibody compositions and methods of use

Номер патента: US8173434B2. Автор: Rong A. Fan,Kirstin L. Krall. Владелец: Diadexus Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Ovr110 antibody compositions and methods of use

Номер патента: EP1841793B1. Автор: Jackie Papkoff,Kenneth R. Shroyer. Владелец: Diadexus Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Anti-prostate stem cell antigen (PSCA) antibody compositions and methods of use

Номер патента: AU778199B2. Автор: Brigitte Devaux,Gilbert-Andre Keller,Hartmut Koeppen,Laurence A Lasky. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Ovr110 antibody compositions and methods of use

Номер патента: CA2525899C. Автор: Glenn Pilkington,Gilbert-Andre Keller,Wenlu Li,Laura Corral,Iris Simon,Jackie Papkoff. Владелец: Diadexus Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Wnt/sfrp complexes, wnt-containing compositions, wnt-expressing cells, and methods of making, purifying, and using same

Номер патента: EP3694534A1. Автор: Anthony Person,Liwen Xiong,Ming Bi,Camrin Tracy. Владелец: Bio Techne Corp. Дата публикации: 2020-08-19.

Wnt/sfrp complexes, wnt-containing compositions, wnt-expressing cells, and methods of making, purifying, and using same

Номер патента: CA3075676A1. Автор: Anthony Person,Liwen Xiong,Ming Bi,Camrin Tracy. Владелец: Bio Techne Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Reinforced composite structure and methods of making the same

Номер патента: WO2018071518A1. Автор: Don Keim,Marion BLAIR,Todd KESKE. Владелец: Foam Supplies, Inc.. Дата публикации: 2018-04-19.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US10898955B2. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: Asme Netherlands BV. Дата публикации: 2021-01-26.

Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Номер патента: US11960213B2. Автор: Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Nicolaas Ten Kate,Nina Vladimirovna DZIOMKINA,Raymond Wilhelmus Louis Lafarre,Yogesh Pramod KARADE,Elisabeth Corinne RODENBURG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Tire With Pressure Zero Sidewall Hoop Rings and Method of Manufacture

Номер патента: US20240217273A1. Автор: Jon Stuart Gerhardt,Abraham Pannikottu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Polyesterimide resin composition, polyesterimide resin layer, flexible metal foil laminate, and methods of preparing the same

Номер патента: US20240254286A1. Автор: Hyuk Jun Kim,Dae Nyoun Kim,Ki Hoon Kim,Yun Jeong JO,Ra Mi LEE. Владелец: Nexflex Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Liquid-cryogen injection cooling devices and methods for using same

Номер патента: US09746250B2. Автор: Constantine Sandu. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2017-08-29.

Anti-tau protein antibodies and methods of using said antibodies

Номер патента: RU2732122C2. Автор: Исидро Хоцел,Оскар АДОЛЬФССОН,Гай ЭЙЕЛОН,КАРА Дэниелль Мари ДИ. Владелец: Ац Иммуне Са. Дата публикации: 2020-09-11.

Filter assembly, filter bag and method of replacing a filter bag

Номер патента: WO2021250310A1. Автор: Tommi Lustig,Samu Pöri,Heikki PÖRI. Владелец: Leanfil Oy. Дата публикации: 2021-12-16.

Filter assembly, filter bag and method of replacing a filter bag

Номер патента: EP4132681A1. Автор: Tommi Lustig,Samu Pöri,Heikki PÖRI. Владелец: Leanfil Oy. Дата публикации: 2023-02-15.

Filter assembly, filter bag and method of replacing a filter bag

Номер патента: CA3180170A1. Автор: Tommi Lustig,Samu Pöri,Heikki PÖRI. Владелец: Leanfil Oy. Дата публикации: 2021-12-16.

Abrasive articles and methods of forming same

Номер патента: WO2024145085A1. Автор: Godofredo VELA,Tony M. LANDES. Владелец: SAINT-GOBAIN ABRASIFS. Дата публикации: 2024-07-04.

Filter assembly, filter bag and method of replacing a filter bag

Номер патента: US20230294030A1. Автор: Tommi Lustig,Samu Pöri,Heikki PÖRI. Владелец: Leanfill Oy. Дата публикации: 2023-09-21.

Abrasive articles and methods of forming same

Номер патента: US20240217058A1. Автор: Godofredo VELA,Tony M. LANDES. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2024-07-04.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of erection of structure from building blocks and/or building boards and method of manufacture of building block or board

Номер патента: RU2566350C1. Автор: Виктор Павлович Ремез. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-Производственное предприятие "Эксорб". Дата публикации: 2015-10-27.

Composition of binder for impregnation of fibrous filler, prepreg on its base, method of production of prepreg, method of production of heat-resistant articles from prepreg-based composite material and method of manufacture of heat-resistant articles from composite material on base of fibrous filler

Номер патента: RU2304591C1. Автор: Николай Васильевич Мухин,Николай Владимирович Выморков,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Петровна Никулина,Борис Алексеевич Ковалев,Валентина Петровна Ларичева,Владимир Васильевич Викулин (RU),Николай Васильевич Мухин (RU),Николай Владимирович Выморков (RU),Валентина Петровна Ларичева (RU),Борис Алексеевич Ковалев (RU),Ирина Петровна Никулина (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова". Дата публикации: 2007-08-20.

Method of transcutaneous diagnostics of chronic insufficiency of blood circulation in celiac trunk by method of laser doppler flowmetry

Номер патента: RU2471425C1. Автор: Наталия Анатольевна Бархатова,Игорь Викторович Бархатов. Владелец: Игорь Викторович Бархатов. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of recording and/or playing back for record carrier, playback device, record carrier, method of determining record carrier and method of recording and playing back for device using record carrier

Номер патента: RU2274912C2. Автор: Еитиро САКО,Тацу ИНОКУТИ,Тацуя ИНОКУТИ,Коити САТО,Ацухиро КУМАГАИ,Мицухиро СИМАДА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of generating control commands on rocket rotating on banking angle, rocket control system, method of measuring banking angle on rocket, gyroscopic device for measuring banking angle, method of generating sine and cosine signals on rocket rotating on banking angle, and sine-cosine rocket control system generator

Номер патента: RU2514606C2. Автор: Юрий Михайлович Назаров,Валерий Николаевич Землевский,Андрей Викторович Гусев,Анатолий Сергеевич Капустин,Валерий Игорьевич Запесочный. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2014-04-27.

Method of controlling state and recording running time of power production equipment and method to this effect

Номер патента: RU2534704C1. Автор: Владимир Григорьевич Бартенев. Владелец: Владимир Григорьевич Бартенев. Дата публикации: 2014-12-10.

Methods of diagnosing condition of brake system of automobile furnished with antilocking system (versions); method of and device for diagnosing condition of automobile brake system

Номер патента: RU2297932C1. Автор: Александр Владимирович Бойко,Артур Геннадьевич Осипов,Александр Иванович Федотов,гин Евгений Михайлович Портн,Евгений Михайлович Портнягин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2007-04-27.

Method of treating periodontitis and oral mucosal diseases associated with helicobacter infection, and method for using it

Номер патента: RU2549445C1. Автор: Татьяна Григорьевна Хонина,Елена Владимировна Шадрина,Александр Витальевич Брагин,Марина Олеговна Нагаева,Гюзель Маратовна Акмалова,Екатерина Сергеевна Орлова,Елена Евгеньевна Короткова. Владелец: Екатерина Сергеевна Орлова. Дата публикации: 2015-04-27.

Heat-exchanger manufacturing method, heat exchanger heat exchange block manufacturing method (versions), manufacturing method of intermediate and/or upper heat exchange blocks of heat exchanger, and manufacturing method of lower heat exchange block of heat exchanger

Номер патента: RU2342239C2. Автор: Сергей Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов,Игорь Сергеевич Кузнецов,Андрей Владимирович Федосеев. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method

Номер патента: RU2156220C1. Автор: В.А. Карелин,А.И. Карелин,Д.А. Трубин,А.Г. Чернышев. Владелец: Чернышев Александр Георгиевич. Дата публикации: 2000-09-20.

Alcohol nitrates containing amide, dinitromethylene and nitroamine groups, method of preparing thereof 3- (acylaminodinitroalkyl)tetrahydo-1,3-oxazoles and oxazines, and method of preparing thereof

Номер патента: RU2146243C1. Автор: Л.Т. Еременко,А.Г. Корепин,П.В. Галкин,Е.К. Перепелкина,Н.М. Глушакова,И.Л. Еременко. Владелец: Институт химической физики в Черноголовке РАН. Дата публикации: 2000-03-10.

Method of water treatment from hydrocarbon, sorbent for water treatment from hydrocarbon and a method of its preparing

Номер патента: RU2042636C1. Автор: Г.Д. Чукин,Г.Я. Дукельский,В.М. Кильдяшев,И.Р. Томберг,А.Е. Савельев,А.И. Апретова,О.А. Чумаков. Владелец: Апретова Алла Ивановна. Дата публикации: 1995-08-27.

Method of blanking parts from multilayer sheets with central metal layer and elastic outer layers

Номер патента: RU2483823C1. Автор: Геннадий Васильевич Панфилов,Кирилл Владимирович Власов,Павел Владимирович Судаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of production of methacrylic acids by catalytic oxidation of propylene or isobutylene (versions), method of decomposition of by-product (versions) and plant for realization of this method

Номер патента: RU2300515C2. Автор: Ясуси ОГАВА,Сухеи ЯДА,Кендзи ТАКАСАКИ,Ёсиро СУЗУКИ,Киёси ТАКАХАСИ. Владелец: Мицубиси Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2007-06-10.

Method of maintenance cleaning and passivation of drum boiler pipe inner surface and method of maintenance cleaning and passivation of pipe inner surface of combined-cycle plant waste-heat boiler (versions)

Номер патента: RU2525033C1. Автор: Анастасия Васильевна Кирилина,Сергей Юрьевич Суслов,Игорь Александрович Сергеев,Тамара Викторовна Зезюля,Игорь Сергеевич Суслов,Екатерина Александровна Соколова. Владелец: Фонд поддержки научной, научно-технический и инновационной деятельности "Энергия без границ". Дата публикации: 2014-08-10.

Temperature measuring method of structural surface with resistance sensitive element, device for its implementation and manufacturing method of described device

Номер патента: RU2476835C1. Автор: Вячеслав Васильевич Шевчук,Евгений Георгиевич Зубов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2013-02-27.

Method of determination of coordinates of radio-frequency radiation source - repeater jammer and method of determination of coordinates of targets irradiated with repeater jammer

Номер патента: RU2531803C2. Автор: Сергей Яковлевич Прудников,Борис Григорьевич Беляев,Валерий Анатольевич Жибинов. Владелец: ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НИИ измерительных приборов-Новосибирский завод имени Коминтерна" /ОАО "НПО НИИИП-НЗиК"/. Дата публикации: 2014-10-27.

Method of receiving of sandy argil at reprocessing of argil-bearing raw material by method of sintering

Номер патента: RU2381992C2. Автор: Олег Алексеевич Чащин,Владимир Ильич Аникеев,Нина Николаевна Ананьева,Андрей Георгиевич Пихтовников,Евгений Геннадьевич Котлягин. Владелец: Открытое акционерное общество "РУСАЛ Ачинский Глиноземный Комбинат" (ОАО "РУСАЛ Ачинск"). Дата публикации: 2010-02-20.

Coagulant-adsorbent for cleaning industrial wastes from heavy metals, method of producing coagulant-adsorbent for cleaning industrial wastes from heavy metals and method of using coagulant-adsorbent for cleaning industrial wastes from heavy metals

Номер патента: RU2411191C1. Автор: Светлана Васильевна Караван,Анатолий Иванович Дробышев,Ольга Афанасьевна Пинчук,Ким Александрович Бурков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ). Дата публикации: 2011-02-10.

Method of extraction and separation of sarcoplasmic and myofibrillar meat proteins to fractions by method of one-dimensional electrophoresis in polyacrylamide gel

Номер патента: RU2524546C1. Автор: Ирина Михайловна Чернуха,Оксана Анатольевна Шалимова,Михаил Васильевич Радченко,Екатерина Михайловна Здрабова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of estimation of protection system efficiency against interference of high-voltage unit using method of measurement of partial-discharge characteristics for insulation test

Номер патента: RU2073289C1. Автор: Б.Д. Сыромятников. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт высоковольтного аппаратостроения". Дата публикации: 1997-02-10.

Method of water treatment from hydrocarbon, sorbent for water treatment from hydrocarbon and a method of its preparing

Номер патента: RU2042635C1. Автор: Г.Д. Чукин,Г.Я. Дукельский,В.М. Кильдяшев,И.Р. Томберг,А.Е. Савельев,А.И. Апретова,О.А. Чумаков. Владелец: Апретова Алла Ивановна. Дата публикации: 1995-08-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR DETECTING MUTATIONS IN JAK2 NUCLEIC ACID

Номер патента: US20120003653A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE-ACQUISITION AND FASTENING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120004677A1. Автор: Swope Bretton,Cole David,BALBIERZ DANIEL J.,Hambly Pablo R.,England Justen,Crews Samuel T.,Purdy Craig Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CARBON DIOXIDE-BASED GEOTHERMAL ENERGY GENERATION SYSTEMS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120001429A1. Автор: Saar Martin O.,Randolph Jimmy Bryan,Kuehn Thomas H.. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF PRODUCING C4 DICARBOXYLIC ACIDS

Номер патента: US20120003708A1. Автор: . Владелец: ARCHER DANIELS MIDLAND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of the platinum catalyst used for purification of the exhaust gases of the internal combustion engines

Номер патента: RU2307709C1. Автор: Геннадий Данилович Мальчиков,Елена Валерьевна Фесик,Вениамин Владимирович Гребнев,Олег Николаевич Голубев,Елена Николаевна Тупикова. Владелец: Вениамин Владимирович Гребнев. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of manufacture of sliding support

Номер патента: RU2274777C2. Автор: Виктор Владимирович Вашковец. Владелец: Хабаровский государственный технический университет. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of obtaining multi-layered covering

Номер патента: RU2534258C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Лариса Николаевна Спивакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Powder for a spray-coating process and method of forming the powder, spray-coating layer using the powder and method of forming the same

Номер патента: TW200930774A. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Chae-Jong Jung,Chung-Ryoul Ryu. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of forming an isolation layer and methods of manufacturing semiconductor devices having an isolation layer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты