FILM-FORMING METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM ON TUNGSTEN FILM OR TUNGSTEN OXIDE FILM
Номер патента: US20150332917A1
Опубликовано: 19-11-2015
Автор(ы): Chou Pao-Hwa, Sato Jun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-11-2015
Автор(ы): Chou Pao-Hwa, Sato Jun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Film forming method, method of manufacturing semiconductor device, and processing system
Номер патента: US20240297209A1. Автор: Susumu Yamauchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.