Method and Apparatus for Forming Metal Oxide Film
Номер патента: US20150228473A1
Опубликовано: 13-08-2015
Автор(ы): Jun Ogawa, Kazuo Yabe
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-08-2015
Автор(ы): Jun Ogawa, Kazuo Yabe
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer
Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.