Thin film transistor of the electro luminescence device and electro luminescence device using the same and method for fabricating thereof
Номер патента: KR100936908B1
Опубликовано: 18-01-2010
Автор(ы): 주인수, 최범락, 최준후, 허종무
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-01-2010
Автор(ы): 주인수, 최범락, 최준후, 허종무
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Color temperature variable light emitting diode module, lighting device using the light emitting diode module and method for fabricating the light emitting diode module
Номер патента: US20190239308A1. Автор: Junhyung LIM,Jungwoo Lee,Hyunpyo Hong,Jihye Chang. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.