Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US10431503B2
Опубликовано: 01-10-2019
Автор(ы): Chun W. Yeung, Jie Yang, Praneet Adusumilli, Shogo Mochizuki, Zuoguang Liu
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US20190341318A1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US20180082909A1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US09805989B1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Self-aligned sacrificial epitaxial capping for trench silicide

Номер патента: US09812453B1. Автор: HAO Zhang,George R. Mulfinger,Timothy J. McArdle,Judson R. Holt,Scott Beasor,Lakshmanan H. VANAMURTHY. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09831130B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming flash memory structure

Номер патента: US09859295B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20130323911A1. Автор: Young Man Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190259877A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20170110331A1. Автор: Martin Poelzl,Ravi Keshav Joshi,Johannes Baumgartl,Christoph Gruber,Petra Fischer,Georg Ehrentraut,Richard Gaisberger,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20190164848A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US11823960B2. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Film with Adhesion Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20150102470A1. Автор: Ming-Feng Hsieh,Chun-Heng Chen,Hongfa Luan,Chi-Ming Liao,Sheng-Po Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Methods of forming semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US5893745A. Автор: Kyu-Charn Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-13.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure with conductive layer between gate and gate contact

Номер патента: US20200058794A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11521975B2. Автор: Ying-Chu YEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US12107012B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20180061656A1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09905430B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming semiconductor substrate with convex shaped active region

Номер патента: US20030157759A1. Автор: Yin-Pin Wang,Hsin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Manufacturing method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160314969A1. Автор: Yu-Ying Lin,Yu-Ren Wang,Ted Ming-Lang Guo,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Manufacturing method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09502244B2. Автор: Yu-Ying Lin,Yu-Ren Wang,Ted Ming-Lang Guo,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Structures and methods for forming fin structures

Номер патента: US09484244B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Device Metal-Insulator-Semiconductor Contacts with Interface Layers and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160181380A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean Barstow,Ashish Bodke,Amol Joshi,Paul Besser,Zhendong Hong,Abhijit Pethe,Salil Mujumdar,Nobumichi Fuchigami,Shaoming Koh,Albert Sanghyup Lee,Mark Victor Raymond. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US12094821B2. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US20230116971A1. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US20210391330A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods for forming semiconductor devices with isolation structures

Номер патента: US20240071808A1. Автор: Soo Doo Chae,Mingmei Wang,Hojin Kim. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for forming semiconductor devices with isolation structures

Номер патента: WO2024049625A1. Автор: Soo Doo Chae,Mingmei Wang,Hojin Kim. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US20230420365A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

An integrated circuit device and a method for forming the same

Номер патента: EP4391040A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated Circuit Device and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20240203994A1. Автор: Anshul Gupta,Hans Mertens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor device with buried gate structure

Номер патента: US20210358798A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of forming semiconductor contacts and related semiconductor devices

Номер патента: EP2614529A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Jennifer Gao,Jennifer Duc. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12068163B2. Автор: Yi Lu,Hua Wang,Qin Zhang,Xiang Hu,Ying Jiang,Changyong Xiao,Yihui Lin,Xiaona ZHU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US11908914B2. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: EP4371150A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Method for forming semiconductor device structure using double patterning

Номер патента: US20180145145A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Po-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for forming semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20190043763A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yung-Cheng Lu,Chao-Cheng Chen,Yi-Cheng Li,Jr-Jung LIN,Chun-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and composite hard mask for forming deep trenches in a semiconductor substrate

Номер патента: US20050215061A1. Автор: Yinan Chen,Chang-Rong Wu,Tuz-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods of forming semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09887100B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Chia-Cheng Ho,Wei-Jen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for forming metal gate

Номер патента: US20120244675A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chin-Cheng Chien,Chiu-Hsien Yeh,Yeng-Peng Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of forming semiconductor device using high stress cleave plane

Номер патента: US20230299060A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230290642A1. Автор: Yu-Jen Huang,Hsiu-Han Liao,Chu-Chun HSIEH. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220102194A1. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12014950B2. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200365446A1. Автор: Yi Zhang,Hongbo Zhu. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming wiring structure, wiring structure, method for forming semiconductor device, and display device

Номер патента: US20070072417A1. Автор: Masaki Kado,Hiroki Nakamura,Shigeru Aomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods of forming semiconductor devices and FinFET devices, and FinFET devices

Номер патента: US09355920B2. Автор: Martin Christopher Holland,Matthias Passlack,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Planarizing method for forming FIN-FET device

Номер патента: US20050258476A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chung-Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

FinFET and method for forming the same

Номер патента: US09893182B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US09865460B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor package structure having first and second guard ring regions of different conductivity types and method for forming the same

Номер патента: US09786560B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor nanowire transistors

Номер патента: US09520484B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960084B1. Автор: Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Wen-Jiun Shen,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09786754B1. Автор: Chih-Ping Lin,Chung-Yeh Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230070135A1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240008258A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of forming semiconductor device structure

Номер патента: US20230343583A1. Автор: Shahaji B. More,Chien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US10847636B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20100081231A1. Автор: Shintaro Hirata,Daisuke Hobara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11824058B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20200294865A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US20170154978A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20200058661A1. Автор: Shih-Lu HSU,Cheng-Ming Wu,Ching-Yen HSAIO,Chien-Hsian WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09698218B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210407858A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Lo-Heng Chang,Jung-Hung CHANG,Pei-Hsun Wang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: EP4191672A1. Автор: Yachao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11749741B2. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for forming semiconductor stacked structures on a substrate and related semiconductor structures

Номер патента: US20240204057A1. Автор: Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming semiconductor device with reduced loading effect

Номер патента: EP3937210A1. Автор: Li-Te Lin,Wei-Lun Chen,Chao-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Method for forming semiconductor device and resulting device

Номер патента: US20190067129A1. Автор: Tsung-Han Wu,Tong-Min Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Processing methods and cluster tools for forming semiconductor devices

Номер патента: US20240038553A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Lequn Liu,Benjamin Colombeau,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Processing methods and cluster tools for forming semiconductor devices

Номер патента: WO2024025945A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Lequn Liu,Benjamin Colombeau,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US11784257B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US12015087B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

A method for forming a stacked fet device

Номер патента: EP4199057A1. Автор: Naoto Horiguchi,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for Forming SiGe Channel

Номер патента: US20240072168A1. Автор: Xinhua Cheng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming a fet device

Номер патента: US20230178635A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Aryan Afzalian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-08.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of forming semiconductor switching devices having trench-gate electrodes

Номер патента: US6051488A. Автор: Tea-Sun Lee,Sung-Kyu Song. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2000-04-18.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: US12034040B2. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: EP3916762A1. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for Forming Fin Structure in Fin Field Effect Transistor Process and Fin Structure

Номер патента: US20230170225A1. Автор: Xiaobo Guo. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20150187941A1. Автор: Zuyuan Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: WO2021118993A1. Автор: Yumiko Kawano,Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-17.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US20210175118A1. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US11915973B2. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for forming semiconductor-on-insulator (soi) substrate

Номер патента: US20240282775A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09887132B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230009114A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09425087B1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming contact window

Номер патента: US20010046782A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09991125B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210343523A1. Автор: Jian-Jun Zhang,Zhen-Zhen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US09899248B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20150318206A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160358816A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230011266A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20220384251A1. Автор: Yu-Jui Chang,Kwang-Ming Lin,Ya-Huei Kuo,Chih-Cherng Liao,Ya-Ting Chang,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Yu Chang,Kai-Chuan KAN,zheng-xian Wu,I-Ping Lee,Yow-Shiuan LIU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09425091B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US11955446B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US20230078105A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220301871A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4195274A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220068811A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20220367477A1. Автор: Xing Jin,SHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming semiconductor device with composite dielectric structure

Номер патента: US11937417B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402372A1. Автор: Tianlei Mu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220148913A1. Автор: Quan Zuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230015533A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20240153911A1. Автор: YU Zhou,Peng Sun,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240136284A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11791206B2. Автор: Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Jung-Tang WU,Szu-Hua Wu,Pao-Sheng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20200357693A1. Автор: Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Jung-Tang WU,Szu-Hua Wu,Pao-Sheng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4523976A. Автор: Yefim Bukhman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-06-18.

Method for providing a metal-semiconductor contact

Номер патента: CA1311565C. Автор: Adam Shepela. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US10032665B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102205A1. Автор: Yang Ming,HE ZUOPENG,BEI Duohui. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200411372A1. Автор: Yao-Wen Chang,Hai-Dang Trinh,Gung-Pei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for forming semiconductor device with multi-layer etch stop structure

Номер патента: US11848231B2. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Po-Cheng Shih,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220359378A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190164816A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Chih-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190019753A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US12009222B2. Автор: Shih-Ho Lin,Jen-Chieh LAI,Yu-chen Wei,Chun-Chieh Chan,Chun-Jui Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20200020576A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for forming semiconductor device structure with overlay grating

Номер патента: US10867933B2. Автор: Po-Chung Cheng,Kuei-Shun Chen,Kai-Hsiung Chen,Yu-ching Wang,Long-Yi Chen,Jia-Hong Chu,Chi-Wen LAI,Chia-Ching LIANG,Hsin-Chin Lin,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Methods for forming semiconductor package

Номер патента: US20240113034A1. Автор: Yu-Hung Lin,Chih-Hao Yu,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang,PaoTai HUANG,Pei-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200020580A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US10879109B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Chih-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20200251382A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Chih-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Methods of processing units comprising crystalline materials, and methods of forming semiconductor-on insulator constructions

Номер патента: EP2764551A1. Автор: Ming Zhang,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-13.

Semiconductor contact formation system and method

Номер патента: US20090294969A1. Автор: Kouros Ghandehari,Wenmei Li,Angela T. Hui,Dawn Hopper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for forming semiconductor-on-insulator (SOI) substrate by cleaving a multilayer structure along voids to separate a substrate

Номер патента: US12002813B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of forming semiconductor devices

Номер патента: US20100144113A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20040245650A1. Автор: Seung-Whan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor contact structure having wide lower portion embedded in conductive material

Номер патента: US6812577B2. Автор: Seung-Whan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming vias and method for forming contacts in vias

Номер патента: US11037820B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Tzu-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Metal-semiconductor contact structure with doped interlayer

Номер патента: US09466488B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Mechanisms for Forming Patterns Using Multiple Lithography Processes

Номер патента: US20170372891A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods for forming via hole and filling via hole in flexible substrate

Номер патента: US20240222141A1. Автор: Chao Zhou,Shuo Zhang,Tuo Sun,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming vias in a substrate

Номер патента: US20090035931A1. Автор: Meng-Jen Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for forming metal wiring

Номер патента: US20190088539A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Yusuke Tanaka,Akihiko Happoya,Atsushi Hieno,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210020752A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11476337B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Multi-step planarizing method for forming a patterned thermally extrudable material layer

Номер патента: US20030008494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US12087826B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09761436B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and process for forming plug including layer with pulled back sidewall part

Номер патента: US09679813B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Li-Han Chen,Chia Chang Hsu,Pin-Hong Chen,Shu Min Huang,Kuo-Chih Lai,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming three-dimensional interconnection, circuit arrangement comprising three-dimensional interconnection, and metal film-forming composition for three-dimensional interconnection

Номер патента: US09543201B2. Автор: Taichi Matsumoto,Kazuto Watanabe,Atsushi Kobayashi,Sugirou SHIMODA,Kenzou Ookita,Keisuke Kuriyama,Isao Aritome. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure and method for forming interconnect structure

Номер патента: US09543198B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming cu film and storage medium

Номер патента: US20120028462A1. Автор: Yasuhiko Kojima,Kenji Hiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for forming contacts applied to cmos image sensor

Номер патента: US20220130889A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for forming contacts applied to CMOS image sensor

Номер патента: US11728369B2. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for forming high density patterns

Номер патента: WO2009075959A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Ardavan Niroomand,Baosuo Zhou. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-06-18.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming a dielectric zone in a semiconductor substrate

Номер патента: US20020052092A1. Автор: Rudolf Lachner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20100190305A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210057550A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Wafer and Method for Forming Semiconductor

Номер патента: US20190229069A1. Автор: Yuki Tanaka,Hiroshi Shikauchi,Shinji Kudoh,Tomonori Hotate. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods for forming semiconductor wires and resulting devices

Номер патента: US20050285149A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09583356B1. Автор: Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yi-Jie Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190027607A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09666687B1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130137234A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12040400B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20220352366A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230064521A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210280709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming semiconductor device with gate

Номер патента: US20200295188A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230420525A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Min-Hsuan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming semiconductor gate structure and semiconductor gate structure

Номер патента: US20140291727A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11735429B2. Автор: ZHANG HAIYANG,LIU PANPAN,YANG Chenxi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for forming semiconductor device structure with gate electrode layer

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09634118B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US8741708B2. Автор: Leo Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220028899A1. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240128265A1. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US11398467B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US20140235026A1. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Integrated circuits using guard rings for esd, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20130084680A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods for forming electrostatic discharge protection clamps with increased current capabilities

Номер патента: US9018071B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Amaury Gendron. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-28.

Methods for forming semiconductor devices using sacrificial capping and insulation layers

Номер патента: US11784236B2. Автор: Jenn Hwa Huang,Karen Elizabeth MOORE,Bruce McRae Green,Yuanzheng Yue,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods for forming semiconductor devices using sacrificial capping and insulation layers

Номер патента: EP3975263A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Karen Elizabeth MOORE,Bruce McRae Green,Yuanzheng Yue,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Low Stress Sacrificial Cap Layer

Номер патента: US20070269951A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Srinivasan Chakravarthi,Periannan Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12033897B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US20160141386A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US09362382B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Planarization process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09859165B1. Автор: Li-Chieh Wu,Hui-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for forming semiconductor device having uniform fin pitch

Номер патента: US20220020593A1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming semiconductor microstructure, semiconductor device fabricated using this method, method for fabricating resonance tunneling device, and resonance tunnel device fabricated by this method

Номер патента: US5888852A. Автор: Kiyoyuki Morita,Kiyoshi Morimoto,Yoshihiko Hirai,Koichiro Yuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

Methods of forming semiconductor devices having diffusion regions of reduced width

Номер патента: US20120329258A1. Автор: Lequn Liu,Yongjun Jeff Hu,Anish A. Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of forming semiconductor memory device by selectively forming an insulating film on the drain region

Номер патента: US5629222A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-13.

Semiconductor devices, radio frequency devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20200135865A1. Автор: Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12027601B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming semiconductor device comprising metal oxide

Номер патента: US5474945A. Автор: Shunpei Yamazaki,Akira Mase,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1995-12-12.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230369123A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20080311715A1. Автор: Cheng-Che Lee,Meng-Cheng Chen,Po-Kang Hu,Ta-Wei Tung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming semiconductor fins

Номер патента: US20140148011A1. Автор: Dae-Han Choi,Chang Ho Maeng,Dae Geun Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor process for forming gates with different pitches and different dimensions

Номер патента: US09525041B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Three-dimensional memory device having pocket structure in memory string and method for forming the same

Номер патента: US12029038B2. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming a most device with reduced transient enhanced diffusion

Номер патента: US20080153238A1. Автор: Huan-Tsung Huang,Fung Ka Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Method for Forming a Test Pad and Method for Performing Array Test Using the Test Pad

Номер патента: US20160341789A1. Автор: Peng Du,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming semiconductor die with die region and seal-ring region

Номер патента: US11887892B2. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Thermal compensation method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20030027391A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Chang Chen,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of forming semiconductor integrated device

Номер патента: US20050221551A1. Автор: Yoshinori Ueda,Naohiro Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190279909A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Kai-Teng CHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for forming a diode protection circuit connecting to MOS device

Номер патента: US5946574A. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming n and p wells in a semiconductor substrate using a single masking step

Номер патента: US6207538B1. Автор: Chin-Hsiung Ho,Chu-Wei Hu,Chung-Te Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-03-27.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming gate structures in different operation voltages

Номер патента: US09929056B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Shan-Shi Huang,Hung-Yi Tsai,Tun-Jen Cheng,Ching-Wei Teng,Te-Chiu Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12027422B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,cheng-hong Wei,Tseng-Yao PAN,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for forming high-drain-voltage tolerance MOSFET transistor in a CMOS process flow with double well dose approach

Номер патента: US20080248623A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Yung Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for depositing a conductive carbon material on a semiconductor for forming a Schottky contact and semiconductor contact device

Номер патента: US20070010094A1. Автор: Franz Kreupl,Gernot Steinlesberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Methods and structures for preventing gate salicidation and for forming source and drain salicidation and for forming semiconductor device

Номер патента: US20060040481A1. Автор: Bor-Wen Chan,Yu-Shen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: SG11201901450QA. Автор: Roy E Meade,Sumeet C Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US9330924B2. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US20160093498A1. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for forming a metal / semiconductor contact via a dielectric

Номер патента: JP2008530775A. Автор: ピエール・ジャン・リベイロン,エマニュエル・ローラン. Владелец: コミツサリア タ レネルジー アトミーク. Дата публикации: 2008-08-07.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films

Номер патента: EP2676300A2. Автор: Hugh Hillhouse,Wooseok KI. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2013-12-25.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US12107051B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Matrix form semiconductor package substrate having an electrode of serpentine shape and method for forming

Номер патента: US20020145178A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Chung-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming semiconductor die package with thermal management features

Номер патента: US20240363474A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210358764A1. Автор: Hsin-Hung Chou,Cheng-Ta Yang,Ting-Wei Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Optical Annealing Apparatus And Method For Forming Semiconductor Structure

Номер патента: US20240105473A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190155156A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US12087579B2. Автор: Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Wei-Hsin Lin,Po-Cheng LAI,Yu-Hsin Hsu,Yi-Hsuan Lin,Kuan-Shien LEE,Wang Cheng Shih,Ming Che Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and apparatus for forming semiconductor

Номер патента: US09523158B2. Автор: Takao Yonehara,Fatih Mert OZKESKIN,Karl J. ARMSTRONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230326756A1. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20180096907A1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12087584B2. Автор: Daejoong Won. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11869930B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240170296A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Hung-Jung Yan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for Forming Semiconductor Film and Film Forming Device

Номер патента: US20200168455A1. Автор: Keisuke Fujita,Rui KANEMURA,Keita Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for forming semiconductor die package with ring structure comprising recessed parts

Номер патента: US12033871B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386843A1. Автор: Pin-Han CHIU,Feng-Jung Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11810790B2. Автор: Shu Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20170117232A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Methods for processing semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US11978636B2. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20240063043A1. Автор: Chung-Shi Liu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Yi-Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of Forming Semiconductor Packages Having Through Package Vias

Номер патента: US20230378075A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US11837550B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method to form semiconductor laser diode

Номер патента: US20110159620A1. Автор: Tomokazu Katsuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230360946A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220216049A1. Автор: LU Gan,Wenguang Zhang,Weiwei Wu,Chunsheng Zheng,Lanfang SHI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Light-absorbing polymer for forming organic anti-reflective layer, composition including the same, and method for forming semiconductor device pattern using the same

Номер патента: WO2003098670A1. Автор: Kwanku Lee. Владелец: Molay Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-11-27.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: US20240079246A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20200066523A1. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190157085A1. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210225649A1. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US10971363B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US11437239B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method for forming semiconductor structure by patterning resist layer having inorganic material

Номер патента: US20200365398A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US11848208B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Chin-Yuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11715638B2. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming semiconductor package transmission lines with micro-bump lines

Номер патента: US11978712B2. Автор: Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for forming semiconductor device packages

Номер патента: US20130280861A1. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor constructions; and methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20030168655A1. Автор: Yoshiki Hishiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Methods for forming semiconductor devices using metal hardmasks

Номер патента: WO2024049609A1. Автор: Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190122881A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190096675A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and apparatus for forming semiconductor device

Номер патента: US20230395449A1. Автор: Seunghyun Lee,Dayoung KWON,Hyeonchul Lee,Yujin Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210286269A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220037158A1. Автор: Daejoong Won. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: EP3803960A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: US20210074541A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: US20220270876A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and material deposition systems for forming semiconductor layers

Номер патента: US20210074542A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US10403493B2. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-09-03.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US20180366320A1. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming silicon dots

Номер патента: US20100260944A1. Автор: Hirokazu Kaki,Eiji Takahashi,Atsushi Tomyo. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for Forming Packaged Semiconductor Die with Micro-Cavity

Номер патента: US20220115282A1. Автор: Matthias Klein,Richard Gruenwald,Andreas Zakrzewski. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Composition for forming organic film, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: EP4451062A3. Автор: Yasuyuki Yamamoto,Daisuke Kori,Tomohiro Imata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Mechanisms for forming patterns using multiple lithography processes

Номер патента: US09875906B2. Автор: Shih-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for forming tungsten-containing layers

Номер патента: US20120003833A1. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Kai Wu,Emily Renuart,Amit Khandelwal,Jinqiu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, and patterning process

Номер патента: EP4398036A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, and patterning process

Номер патента: EP4398037A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Shohei Iwamori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Methods and apparatus for forming resist pattern using EUV light with electric field

Номер патента: US11754925B2. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods and apparatus for forming resist pattern using euv light with electric field

Номер патента: US20220244646A1. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for forming photomask and photolithography method

Номер патента: US20210080822A1. Автор: Minfeng CHEN,Shao-Chi Wei,Shih-Ming Chang,Min-An Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Photomask for forming small contact hole array and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20060110684A1. Автор: In-sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for forming conductive patterns using microwave

Номер патента: US20110185934A1. Автор: Jung-Ho Park,Joon-Hyung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for forming conductive patterns using microwave

Номер патента: US9006625B2. Автор: Jung-Ho Park,Joon-Hyung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

Die package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274565A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Jin-Neng Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Resist underlayer film-forming composition and method for forming resist pattern using the same

Номер патента: US12072631B2. Автор: Yasunobu Someya,Hiroyuki Wakayama,Ryuta Mizuochi,Shou SHIMIZU. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming slot on substrate and structure thereof

Номер патента: US20080263852A1. Автор: Kuang-Chun Chou,Shih-Ching Chang,Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

A method for forming a contoured floating gate cell

Номер патента: EP1091392A3. Автор: Yun Chang,Chin-Yi Huang,Chih-Jen Huang,Samuel C. Pan,James Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-15.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US12125776B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming semiconductor memory structure

Номер патента: US20210390992A1. Автор: Tsann Lin,Jui-Fen CHIEN,Hanwen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor packages and methods for forming semiconductor package

Номер патента: US09613877B2. Автор: Nathapong Suthiwongsunthorn,John Ducyao BELERAN,Serafin Padilla Pedron, Jr.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US09780051B2. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20040009435A1. Автор: Eun-Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220052151A1. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220052150A1. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11961881B2. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor strucutre, and memory

Номер патента: US20240074164A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Passivation layer for forming semiconductor bonding structure, sputtering target making the same, semiconductor bonding structure and semiconductor bonding process

Номер патента: US20240145421A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Chih-Han Chen,Hong-Yi Wu,Ying-Chan HUNG,Cheng-Yen Hsieh,Zhong-Jie HONG,Chih-I CHO,Ming-Wei WENG,Chiao-Yen WANG. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220320110A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20080122113A1. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230033022A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Leilei DUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230072310A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230081676A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230345712A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US20230145031A1. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386940A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor image sensor

Номер патента: US20210118933A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for forming semiconductor memory structure

Номер патента: US20230337417A1. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Pin-Han CHIU,Ling-Chun TSENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US20150171035A1. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11989966B2. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US20210096460A1. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US20230367206A1. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US11809076B2. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240063325A1. Автор: Siriguleng ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor package, method of forming semiconductor package, and power module

Номер патента: EP4456132A1. Автор: Qian Liu,Roberto Tiziani. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Adhesive composition and sheet for forming semiconductor wafer-protective film

Номер патента: US20110223420A1. Автор: Nobuhiro Ichiroku. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20080113501A1. Автор: Fred Fishburn,Scott Southwick,Terrence McDaniel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20210398892A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20230223329A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory and method for forming same

Номер патента: US20230301054A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Planarizing agent for forming organic film, composition for forming organic film, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: EP4235302A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Yasuyuki Yamamoto,Toshiharu Yano,Kenta Ishiwata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US20030176045A1. Автор: Setho Fee,Tay Yean,Lim Chye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US20040203191A1. Автор: Setho Fee,Tay Yean,Lim Chye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming capacitor of a dram having a wall protection structure

Номер патента: US20020110980A1. Автор: Ching-ming Lee,Kuo-Yuh Yang,Yu-Ju Yang,Yu-Hong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming a slot with a laterally recessed area at an end thereof through an interposer or other carrier substrate

Номер патента: US6951777B2. Автор: Tay Wuu Yean,Lim Thiam Chye,Setho Sing Fee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US12068233B2. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming a patterned layer

Номер патента: US09786504B1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming a dye-sensitized solar cell having a porous film of an inorganic substance on a base material by spraying dry fine particles of an inorganic substance on the base material

Номер патента: US09721733B1. Автор: Setsuo Nakajima,Shingo Hirose,Jun Akedo,Shunsuke Kunugi,Satoshi Yoguchi,Yukitoshi EZUKA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-08-01.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US09620551B2. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for forming apparatus for stud bump formation

Номер патента: US09498851B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Mirng-Ji Lii,Yeong-Jyh Lin,Yi-Li Hsiao,Hsin-Hung Liao,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming conductive electrode patterns and method for manufacturing solar cells comprising the same

Номер патента: US09412524B2. Автор: Kyoung Jin Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor contact arrangement

Номер патента: US4916516A. Автор: Clifford V. H. Miles,Patrick L. T. Bishop. Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-10.

Method for forming resist underlayer film, method for producing semiconductor substrate, composition, and resist underlayer film

Номер патента: US20240231231A1. Автор: Takashi Katagiri,Hiroyuki Miyauchi,Yuya Hayashi,Tomoharu KAWAZU,Ryotaro Tanaka,Daiki TATSUBO. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Composition for forming silicon-containing resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US20200341377A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Tsukasa Watanabe,Yusuke Biyajima,Masahiro Kanayama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Methods for forming lateral trench optical detectors

Номер патента: US20020115300A1. Автор: MIN Yang,Kern Rim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Methods for forming lateral trench optical detectors

Номер патента: EP1362380A1. Автор: MIN Yang,Kern Rim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Method for forming ball in bonding wire

Номер патента: US20180096965A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Noritoshi Araki. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Composition for forming conductive pattern, method of forming conductive pattern using the same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US20170096566A1. Автор: Ha Na Lee,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Compound For Forming Metal-Containing Film, Composition For Forming Metal-Containing Film, And Patterning Process

Номер патента: US20240248404A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

Pixel, a Storage Capacitor, and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20150056759A1. Автор: Yi-Sheng Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-02-26.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20130273707A1. Автор: Pragati Kumar,Prashant B. Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20140084236A1. Автор: Pragati Kumar,Prashant B. Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20230292629A1. Автор: Yu-Jen Wang,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Tzu-Ting Liu,Hung-Chao Kao,Liang-Wei WANG,Chih-Pin CHIU,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for forming pn junction in graphene with application of dna and pn junction structure formed using the same

Номер патента: US20150243917A1. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Young Tae Byun,Min Ah Seo,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Yeong Jun KIM,Seong Chan Jun,Taikjin Lee,Jong Chang Yi,Young Mo JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-08-27.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for forming memory and memory

Номер патента: US20220320104A1. Автор: Xiao Zhu,Hung-I Lin,Yi-Hsiang Chen,Lihui Yang,Yun-Chieh MI,Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for forming light pipe structure with high quantum efficiency

Номер патента: US11769778B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tzu-Ming WANG,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Composition for forming organic light-emitting device and method of preparing organic light-emitting device

Номер патента: US20200259093A1. Автор: Dongwoo Shin,Junwoo PARK,Donghoon KWAK,Jaekook HA,SeHun KIM,Dukki Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Dual deck three-dimensional nand memory and method for forming the same

Номер патента: US20210225866A1. Автор: FENG Lu,Jing Gao,Wenbin Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for forming lateral trench optical detectors

Номер патента: WO2002067339A1. Автор: MIN Yang,Kern Rim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-08-29.

Electrical connector having a sacrificial cap and integrated test point

Номер патента: WO2017083385A1. Автор: Larry N. Siebens. Владелец: Thomas & Belts International Llc. Дата публикации: 2017-05-18.

Method and an apparatus for forming a phosphor layer within a projection CCRT

Номер патента: US5736189A. Автор: Hyo Dae Bae. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1998-04-07.

Plasma CVD apparatus, and method for forming film and method for forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20070131170A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yasushi Fujioka,Akira Shimizu,Katsuhiko Nomoto,Yuhsuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Plasma CVD apparatus, and method for forming film and method for forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20040126493A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yasushi Fujioka,Akira Shimizu,Katsuhiko Nomoto,Yuhsuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Cold Forming Method for Forming Power Pins and Power Pin Formed Thereof

Номер патента: US20160336675A1. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Systems, apparatus and methods for forming metal strips into dies

Номер патента: US20200086435A1. Автор: Petr PIRO,Nir RIKOVITCH,Tin To CHAN,Jordan LLOYD,Robert AMIRAULT. Владелец: Ontario Die International Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Cold forming method for forming power pins and power pin formed thereof

Номер патента: US09634419B2. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming direction diagram by digital antenna array

Номер патента: RU2627958C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Лавренюк,Андрей Васильевич Вицукаев,Геннадий Владимирович Кауфман,Иван Николаевич Матвеев,Ольга Николаевна Гвоздкова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2017-08-14.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Process of manufacturing roll punch used for forming partition walls of plasma display panel

Номер патента: US20010004065A1. Автор: Bong Kim,Deok Kim,Sang Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2001-06-21.

Systems, apparatus and methods for forming metal strips into dies

Номер патента: EP3843916A1. Автор: Petr PIRO,Nir RIKOVITCH,Tin To CHAN,Jordan LLOYD,Robert AMIRAULT. Владелец: Ontario Die International Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Pattern-forming method for forming a conductive circuit pattern

Номер патента: US09980393B2. Автор: Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Jong Tae Moon,Jung Hyun Noh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-05-22.

Solution for forming insulating coating and sheet of textured electrotechnical steel

Номер патента: RU2639905C2. Автор: Лудгер ЛАН,Карстен ШЕПЕРС,Масару Такахаси,Режи ЛЁМЭТР,Суити ЯМАЗАКИ,Казутоси ТАКЭДА,Хирохико САТО,Кодзи КАНЭХАСИ. Владелец: Тиссенкрупп Илектрикел Стил Гмбх. Дата публикации: 2017-12-25.

Tubular sofc with cathode current collector and method for forming cathode fuel collector

Номер патента: RU2754352C1. Автор: Александр Владимирович Сивак,Илья Алексеевич Гвоздков,Егор Александрович Левченко,Руслан Сергеевич Тимербулатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "ТОПАЗ" (ООО "НИЦ "ТОПАЗ"). Дата публикации: 2021-09-01.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES EuO/Ge

Номер патента: RU2768948C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2022-03-25.

Apparatus for forming barrier ribs on panel for flat panel display

Номер патента: US20030122486A1. Автор: Manabu Yabe. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Multilayer electrode structure and method for forming

Номер патента: WO2001093296A1. Автор: Kishore K. Chakravorty,Christopher J. Spindt,Johan Knall,Matthew A. Bonn,Jueng Gil Lee. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 2001-12-06.

Solid-State Batteries Utilizing Template Layers for Electrode Formation and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160233541A1. Автор: Minh Huu Le,Jeroen Van Duren,Abraham Anapolsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

High-density field emission elements and a method for forming said emission elements

Номер патента: US20090280585A1. Автор: Seong Jin Koh,Gerald W. Gibson, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-11-12.

Method and apparatus for forming a multiple sectioned ring

Номер патента: US3746828A. Автор: L Minutillo. Владелец: Griffiths Electronics Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Method for forming a multiple sectional ring

Номер патента: US3562898A. Автор: Leonard D Minutillo. Владелец: Griffiths Electronics Inc. Дата публикации: 1971-02-16.

Method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: US09892814B2. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Solid-state batteries utilizing template layers for electrode formation and methods for forming the same

Номер патента: US09455437B2. Автор: Minh Huu Le,Jeroen Van Duren,Abraham Anapolsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming high energy density clumps in electron flow and a drift klystron

Номер патента: RU2654537C1. Автор: Олег Юрьевич Масленников,Игорь Анатольевич Гузилов. Владелец: Демидова Елена Викторовна. Дата публикации: 2018-05-21.

Device for forming multicomponent and multilayer coatings

Номер патента: RU2657671C2. Автор: Владимир Петрович Ращинский,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-06-14.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for forming polymer composite material onto capacitor element

Номер патента: US11177075B2. Автор: Chieh Lin,Hao-Pu Chang. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Method and apparatus for forming coating over inner wall of tube

Номер патента: WO2009147052A1. Автор: Gerhard Doell. Владелец: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming polymer composite material onto capacitor element

Номер патента: US20210012971A1. Автор: Chieh Lin,Hao-Pu Chang. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming ribs in a plasma display panel

Номер патента: US20020132550A1. Автор: Kuo-Pin Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-09-19.

Apparatus and method for forming pouch case for secondary battery

Номер патента: US20180243966A1. Автор: Hyun-Min Kim,Eun-Ju Lee,Sei-Woon Oh,Soo-Ji HWANG,Sun-Hwak Woo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for Forming Pouch

Номер патента: US20240297377A1. Автор: Yong Su Choi,Sung Ryul KWON,Dong Gyun SEOL,Gi Beom KANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389265A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11871555B2. Автор: Wenhao Hsieh,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210087052A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chen Hsiung Yang,Chun-Wen Cheng,En-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structure, and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240040777A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240196588A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: US12108688B2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389261A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: WO2023172295A2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd systems and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: US20230212781A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd systems and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same

Номер патента: WO2021225653A2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

System for forming a synthesized two-dimensional image of a biological sample with high depth of field

Номер патента: RU2734447C2. Автор: Елте Петер ВИНК,Бас ХУЛСКЕН,Мартейн ВОЛТЕРС,Маринус Бастиан ВАН ЛЕУВЕН,Стюарт Хамис САНД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-10-16.

Method and device for forming of initial value of pseudorandom number generator

Номер патента: RU2292074C2. Автор: Сергей Александрович Захаров,Алексей Викторович Уривский,Андрей Львович Чмора,Михаил Владимирович Некрасов,Алексей Александрович Богачев. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-01-20.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: US11849639B2. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: US20240065113A1. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Forming semiconductor-superconductor hybrid devices with a horizontally-confined channel

Номер патента: WO2023172295A3. Автор: Flavio Griggio,Michael James Manfra,Geoffrey Charles Gardner,Sergei Vyatcheslavovich Gronin,Raymond Leonard Kallaher,Noah Seth CLAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

System and method for forming a hairpin for motors

Номер патента: US11848589B2. Автор: Jiwon YU. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Device for forming copper wires of a flat wire motor stator

Номер патента: EP4462658A1. Автор: Lei Xu,Xin Ye,Liangliang ZHOU,Jianhai Xu,Shang TANG. Владелец: Uptec Intelligent Manufacturing Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Device for forming copper wires of flat wire motor stator

Номер патента: US20240380291A1. Автор: Lei Xu,Xin Ye,Liangliang ZHOU,Jianhai Xu,Shang TANG. Владелец: Uptec Intelligent Manufacturing Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for forming heat cumulative metal melting jet and channel of required length formed by it

Номер патента: RU2643530C2. Автор: Борис Николаевич Швилкин,Наталия Аркадьевна Мискинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-02-02.

System for forming broadband hyperspectral image based on compressible probing with a random diffraction grating

Номер патента: RU2653772C1. Автор: Шеншенг Хан,Цхентао Лиу,Джианронг Ву,Енронг Ли,Шию Тан,Цхе Чен. Владелец: Шанхайский институт оптики и точной механики китайской академии наук. Дата публикации: 2018-05-14.

Method for forming light flow on external screen for full color video information display system and device for realization of said method

Номер патента: RU2265964C2. Автор: Е.П. Шешин,Г.Ф. Бурчак,С.П. Червонобродов. Владелец: Червонобродов Семен Павлович. Дата публикации: 2005-12-10.

Method for forming bulk acoustic wave resonance device

Номер патента: EP4027516A1. Автор: YuHao LIU. Владелец: Changzhou Chemsemi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Apparatus and method for forming a winding for a stator of a dynamoelectric machine

Номер патента: WO2000004625A1. Автор: Mario Bo. Владелец: Pavesi Srl. Дата публикации: 2000-01-27.

Method for forming cells array of mask read only memory

Номер патента: US20020136989A1. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and device for forming messages of measurements of control channel strength

Номер патента: RU2258322C2. Автор: Тао ЧЕН,Рамин РЕЗАЙИФАР,Йу-Чеун ДЗОУ,Дзун ВАНГ,Баазиз АКХОУР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2005-08-10.

Device for forming a sawtooth voltage on capacitor

Номер патента: RU2760979C1. Автор: Сергей Николаевич Доля,Виктор Иванович Смирнов. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований (Оияи). Дата публикации: 2021-12-02.

Device and method for forming plurality of parametric sound flows and device and method for forming plurality of acoustic system signals

Номер патента: RU2633134C2. Автор: Фабиан КЮХ,Ахим КУНТЦ,Вилле ПУЛККИ,ГАЛЬДО Джованни ДЕЛЬ,Арсхонтис ПОЛИТИС. Владелец: Технише Универзитет Ильменау. Дата публикации: 2017-10-11.

Device for forming images

Номер патента: RU2257603C2. Автор: Торбьерн САНДСТРЕМ. Владелец: Микроник Лазер Системз Аб. Дата публикации: 2005-07-27.

Method for forming image with local brightness gradient and device for its implementation

Номер патента: RU2755092C1. Автор: Вячеслав Петрович Ходунков,Игорь Григорьевич Бронштейн,Татьяна Андреевна Компан,Сергей Валерьевич Кондратьев,Федор Михайлович Иночкин,Сергей Константинович Круглов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2021-09-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Devices and methods for forming engineered thermal paths of printed circuit boards by use of removable layers

Номер патента: EP4013195A1. Автор: Matt Neely,Michael Len,King Yip Leung. Владелец: TTM Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for forming a wiring pattern by laser irradiation

Номер патента: US20120219918A1. Автор: Hua-Min Huang,Chien-Han Ho. Владелец: Cretec Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Automatic data entry for form data structures using application programming interfaces

Номер патента: CA3225196A1. Автор: Milo Spirig,Pratik Tandel. Владелец: Brex Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Automatic data entry for form data structures using application programming interfaces

Номер патента: EP4364030A1. Автор: Milo Spirig,Pratik Tandel. Владелец: Brex Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for forming printing inspection data

Номер патента: WO2004017703A2. Автор: Takashi Katsuki,Yuji Otake,Takahiro Fukagawa. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2004-02-26.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US8623671B2. Автор: Pragati Kumar,Prashant Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US8481338B2. Автор: Pragati Kumar,Prashant Phatak,Nobi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for forming circuit board stacked structure

Номер патента: US20190098746A1. Автор: Ra-Min Tain,Kai-Ming Yang,Chien-Tsai Li. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for forming flash memory cell

Номер патента: US20020177274A1. Автор: Ping-Yi Chang,Wan-Yi Liu,Shu-Li Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board

Номер патента: EP1884147A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-02-06.

Method For Forming Via Hole in Substrate For Flexible Printed Circuit Board

Номер патента: US20080210661A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240286889A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Cap for receptacle such as a bottle

Номер патента: RU2648041C2. Автор: Гектор Дж. БАРЭ,Натан Е. ШИРЛИ,Моника ВАСКЕС,Кристофер Т. РИВЗ. Владелец: Дарт Индастриз Инк.. Дата публикации: 2018-03-21.

Gas-phase synthesis method for forming semiconductor nanowires

Номер патента: US09447520B2. Автор: Lars Samuelson,Martin Magnusson,Knut Deppert,Magnus Heurlin. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2016-09-20.

A method for forming a deep draw closure cap

Номер патента: NZ782388A. Автор: Thomas Haar. Владелец: Saeta Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2024-07-26.

Cap for receptacle such as a bottle

Номер патента: US09669963B2. Автор: Christopher T. Reeves,Nathan E. Shirley,Hector J. Barea,Monica Vasquez. Владелец: Dart Industries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Cap with channels for forming a sealed cavity around fastener

Номер патента: US09599141B2. Автор: Richard DOBBIN. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Cap for a tubular sleeve for a concrete structure

Номер патента: US12091853B2. Автор: Dennis Hart,Larry D. Brown,Virgil O'neil,James Cosley. Владелец: Reliance Worldwide Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and device for forming a continuous fibrous tape from a transportable band

Номер патента: RU2653052C2. Автор: Владимир Семенович Николаев,Иван Александрович Прошин,Игорь Александрович Булаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-05-04.

Methods (versions) and device for forming hardened parts

Номер патента: RU2467076C1. Автор: Маркус ПЕЛЛЬМАНН,Кристиан ХИЛЬШЕР. Владелец: Бентелер Аутомобильтехник Гмбх. Дата публикации: 2012-11-20.

Surgical suturing instrument with variable system for forming staples

Номер патента: RU2587307C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Джером Р. МОРГАН. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2016-06-20.

Device for forming images with lot of means for image formation

Номер патента: RU2629801C2. Автор: Йоханнес Бальтазар Мария СУТЕНС,Цзиньлин ЛЮ,Стивен Джон ПЛАММЕР,Дон БЭРАЙЛ,Крассимир Тодоров КРАСТЕВ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-09-04.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Electrochemical assembly for forming semiconductor features

Номер патента: US20240084473A1. Автор: Steven T. Mayer,Kari Thorkelsson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods And Systems For Forming Trays

Номер патента: US20230166474A1. Автор: Mark Woodward,Joseph C. Walsh,Robert L. Conatser. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods and systems for forming trays

Номер патента: CA3238201A1. Автор: Mark Woodward,Joseph C. Walsh,Robert L. Conatser. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods and systems for forming trays

Номер патента: AU2022400763A1. Автор: Mark Woodward,Joseph C. Walsh,Robert L. Conatser. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

A tool for forming a composite component

Номер патента: EP3288745A1. Автор: Scott Barber. Владелец: Composite Technology and Applications Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Methods and systems for forming trays

Номер патента: EP4440828A1. Автор: Mark Woodward,Joseph C. Walsh,Robert L. Conatser. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of forming a press-formed component and a die apparatus for forming a press-formed component

Номер патента: US09968979B2. Автор: Yuki Shimizu. Владелец: FCC Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Roll forming device for forming variable thickness plate

Номер патента: US09833821B2. Автор: Mun Yong Lee,Kuk-Rae CHO. Владелец: Sungwoo Hitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Process for forming a sheet of thermoplastic material

Номер патента: US09469065B2. Автор: Adrian Michael Woodward,Suzanne Emma AXE. Владелец: Conopco Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for forming lignin fraction, lignin composition and use thereof

Номер патента: RU2717097C2. Автор: Мауно МИЕТТИНЕН. Владелец: ЮПМ-Кюммене Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-18.

Opening device and device for forming opening device on sheet packaging material

Номер патента: RU2660506C1. Автор: Даниэле ГОЛЬФЬЕРИ,Франко КАНИ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-07-06.

Film-forming liquid for forming an insulating coating on sheet of anisotropic electrical steel, method for manufacturing sheet of anisotropic electrical steel, and sheet of anisotropic electrical steel

Номер патента: RU2753929C1. Автор: Кадзутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАДЗАКИ,Хироясу ФУДЗИИ,Тору НАГАИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for forming optical communication channel for transmitting acoustic signals

Номер патента: RU2758327C1. Автор: Дмитрий Александрович Тимонов. Владелец: Дмитрий Александрович Тимонов. Дата публикации: 2021-10-28.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Method for forming parts by stretch forming of a movable die

Номер патента: RU2663016C2. Автор: Владимир Михайлович Бойко,Роман Фаддеевич Крупский,Антон Владиславович Станкевич,Антон Александрович Кривенок. Владелец: Публичное акционерное общество "Авиационная холдинговая компания "Сухой". Дата публикации: 2018-08-01.

System and method for forming three-dimensional body

Номер патента: RU2759969C2. Автор: Клаус ШТАДЛЬМАНН. Владелец: Клаус ШТАДЛЬМАНН. Дата публикации: 2021-11-19.

Method for forming image of objects with subdiffraction resolution in millimetric, terahertz, infrared and optical ranges of wave lengths

Номер патента: RU2631006C1. Автор: Игорь Владиленович Минин,Олег Владиленович Минин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2017-09-15.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Method and device for forming and appropriate preform with medium for hydrostatic forming

Номер патента: RU2517425C2. Автор: Марк Р. МЭТСЕН,Уэсли Б. КРОУ,Ли К. ФИРТ. Владелец: Дзе Боинг Компани. Дата публикации: 2014-05-27.

Device for forming groove obtained by crushing, method for forming groove obtained by crushing, and absorbent product

Номер патента: RU2747960C1. Автор: Сатоси ВАТАНАБЕ,Риусуке ОДЗАКИ,Хироюки Ханао. Владелец: Одзи Холдингз Корпорейшн. Дата публикации: 2021-05-17.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

Interior electrode designed for forming shielding film and installation for forming this film

Номер патента: RU2366757C2. Автор: Минору ДАННО,Юдзи АСАХАРА,Хидео ЯМАКОСИ,Сейдзи ГОТО,Ацуси УЕДА,Кенити ОКАМОТО. Владелец: Мицубиси Хеви Индастриз Фуд Энд Пэкеджинг Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-09-10.

Ring for glass vessel neck forming and method of making of ring for forming machine for their production

Номер патента: RU2558866C2. Автор: Робин Л. ФЛИНН,Дейвид Л. ЛЬЮИС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

COMPOSITION FOR FORMING α-GEL, EXTERNAL SKIN CARE COMPOSITION CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING α-GEL, AND α-GEL COMPOSITION CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING α-GEL

Номер патента: RU2739984C2. Автор: Рейдзи МИЯХАРА,Такаси ОКА,Макото УЯМА,Саори ТАНАБЕ,Тецуро ЙОНЕДЗАВА,Михо ЯДЗИМА,Норико ОХИРА,Саори НИСИКАВА. Владелец: Шисейдо Компани, Лтд.. Дата публикации: 2020-12-30.

Composition for forming liquid crystal alignment film and liquid crystal display device

Номер патента: RU2470965C1. Автор: Коити МИЯТИ,Синити ТЕРАСИТА,Хироюки ХАКОИ,Риоу УЕДА,Митинори НИСИКАВА,Еидзи ХАЯСИ,Соуити НАКАТА,Такахиро МАЦУМОТО,Сатоси ФУКУМА,Дзюн ИСАЯМА,Сигео СИМИЗУ. Владелец: ДжейЭсАр КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-12-27.

Apparatus for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2765268C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming an osteochondral defect in animal experiments

Номер патента: RU2759474C1. Автор: Евгений Александрович Коновалов. Владелец: Евгений Александрович Коновалов. Дата публикации: 2021-11-15.

Method of controlling operation and implementing processes for forming jet streams of hydromassage scanner

Номер патента: RU2708865C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2019-12-11.

Method and apparatus for forming sheet of fluff pulp

Номер патента: RU2598284C2. Автор: Джирики Т. ДЖАККОЛА,Джеймс Е. СИЛИ. Владелец: Интернэшнл Пэйпа Кампани. Дата публикации: 2016-09-20.

Systems and methods for forming images with additional and virtual reality

Номер патента: RU2668532C2. Автор: Стивен С. БЛУМ,Брайан Б. МАККИЛЛИАН. Владелец: ЮНИВЕРСАЛ СИТИ СТЬЮДИОС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-10-01.

Method and system for forming of fibrous thick-flowing cheese bulk

Номер патента: RU2563538C2. Автор: Андреас МЮЛЛЕР,Дитер КУН,Оскар МИЛЬЦ. Владелец: Хохланд Се. Дата публикации: 2015-09-20.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Radiating module for forming radiating case

Номер патента: RU2751055C2. Автор: Вальтер Лолли. Владелец: В-А Проджеттацьони С.Р.Л.. Дата публикации: 2021-07-07.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Forming systems and methods for forming an elongate charge of composite material

Номер патента: US20240181726A1. Автор: John Dempsey Morris,Derek John Flolid. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-06-06.

Blank for forming disposable cup and disposable cup

Номер патента: EP3741697A1. Автор: Teemu Aittamaa. Владелец: Origamicup Oy. Дата публикации: 2020-11-25.

Method and device for forming a muliply web

Номер патента: EP1218591A1. Автор: Bengt NORDSTRÖM. Владелец: Sca Packaging Sweden Ab. Дата публикации: 2002-07-03.

Method and device for forming a muliply web

Номер патента: AU5861500A. Автор: Bengt NORDSTRÖM. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2001-01-02.

Method and device for forming a muliply web

Номер патента: WO2000077299A1. Автор: Bengt NORDSTRÖM. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2000-12-21.

A process for forming a moulded pulp fibre product

Номер патента: WO2024077344A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford,Rico TABOR,Liam Methven,Dion SANTOSO. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and device for forming consecutive images with alternating recording medium arrangement

Номер патента: US12050825B2. Автор: Aiguo Yin,Chengzhu YU,Dan Ning. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

System for forming a deep drawn helmet and method therefor

Номер патента: CA3218744A1. Автор: Vlad Lucuta,Thomas Moynihan,Mohamed Latreche,Grzegorz Czeremuszkin,Elaine Violet CRAIGIE,Enrick GAUTHIER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-17.

A multi-cavity forming mould system and a method for forming cellulose products in a multi-cavity forming mould system

Номер патента: CA3192089A1. Автор: Ove Larsson,Olle HÖGBLOM. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods And Systems For Forming Trays

Номер патента: US20230302756A1. Автор: Colin P. Ford,Mark Woodward,Joseph C. Walsh,Robert L. Conatser,Shawn Westerlund. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Device and machine for forming boxes with internal partition wall and relative method

Номер патента: WO2023161770A1. Автор: Michele Musillo,Daniele ANDREOLI. Владелец: I.M.A. INDUSTRIA MACCHINE AUTOMATICHE S.P.A.. Дата публикации: 2023-08-31.

Device for Forming a Bone Bed for Dental Implants

Номер патента: US20100047738A1. Автор: Elena E. Lomonova,Lev V. Chilikin,Mikhail A. Borik,Vladimir P. Voitsitskiy,Maria A. Vishniakova,Viacheslav V. Osiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods and equipment for forming tubes of fibrous material

Номер патента: EP4233578A2. Автор: John Richardson,Gerhard Le Roux,Gary Fallon,Arnold HERHOLDT. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods and equipment for forming tubes of fibrous material

Номер патента: EP4233578A3. Автор: John Richardson,Gerhard Le Roux,Gary Fallon,Arnold HERHOLDT. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Isocyanate-functional polymer components and polyurethane articles formed from recycled polyurethane articles and associated methods for forming same

Номер патента: US12054589B2. Автор: Rajesh Kumar,Steven Wujcik,Nikolay Lebediniski,Christopher Milantoni. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Device and method for forming a non-ground vial

Номер патента: WO2006127843A2. Автор: Herbert A. Gerretz,Wayne Mozzo,Ivan E. Perez. Владелец: Alcan Global Pharmaceutical Packaging Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Apparatus for forming concrete foundations

Номер патента: WO2004109023A2. Автор: Pete Mihelcic,Daniel M. Michelcic. Владелец: Michelcic Daniel M. Дата публикации: 2004-12-16.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: AU2245001A. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2001-06-25.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: WO2001044569A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Arrangement and method for forming a multilayered paper or paperboard web

Номер патента: EP1266087A1. Автор: Jukka Kinnunen. Владелец: METSO PAPER KARLSTAD AB. Дата публикации: 2002-12-18.

A pressing module for forming cellulose products and a method for forming cellulose products

Номер патента: EP4448266A1. Автор: Neil Anthony Litten,Adrian MORDUE,Mattias BERGFJORD. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for forming a hydraulic transfer film, hydraulic transfer film, and patterned article

Номер патента: US09989919B2. Автор: Mao-Feng Hsu,Chao-Chein Huang,Han-Cheng Wu-Lu. Владелец: Daigin Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

System for forming stacks of composite materials

Номер патента: US09969132B2. Автор: Jordi Brufau Redondo. Владелец: Applus Servicios Tecnologicos SL. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for forming elliptical hollow cylinder

Номер патента: US09821358B2. Автор: Shinji Hioki,Dai KAWASHIMA,Shuji Tokita. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Machine and method for forming reinforced polygonal containers from blanks

Номер патента: US09764526B2. Автор: Kenneth Charles Smith,Thomas Dean Graham,Amer Aganovic,Paul Andrew Spurlock,Robert Bradley Teany,Gregory Scott Gulik,John Hershcel CONLEY. Владелец: WestRock Shared Services LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Dielectric film forming apparatus and method for forming dielectric film

Номер патента: US09593409B2. Автор: Isao Kimura,Hiroki Kobayashi,Takehito Jinbo,Youhei ENDOU,Youhei OONISHI. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and apparatus for forming visible indicium on the tab portion of a beverage container

Номер патента: US09592569B2. Автор: Jim Reed,John Urbanowicz,Chris Neiner,Tim DiMenna,Keith Oravetz,Gary Stowers,Louis Lackey. Владелец: Metal Container Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Process for forming an artificial reef

Номер патента: US09498901B1. Автор: Thomas J. Hilton,Wayne BAUER. Владелец: Atlantis Marine Habitats LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods for forming tissue thickness compensator arrangements for surgical staplers

Номер патента: RU2649525C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Ричард В. ТИММ,Стивен Г. ХОЛЛ,Тамара ВАЙДЕНХАУЗ,Мэттью М. ЛЭНГ,Марк Д. ТИММЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Systems and methods for forming different plastic products from single melt

Номер патента: RU2605963C2. Автор: Саймон Дж. ВАЙТ,Доди ЭЙБ. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз, Ллк. Дата публикации: 2017-01-10.

Device and method for forming by titanium drawing

Номер патента: RU2566104C2. Автор: Ларри Александр ПОЛЕН,Гарольд Джон ВЕБЕР,Томас Сэнди ХЬЮСТОН. Владелец: Сирил Бат Компани. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Device for forming of a target route and the device for controlling the drive

Номер патента: RU2671602C1. Автор: Ясухиро СУДЗУКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-02.

Device for forming a circumferential groove on a pipe

Номер патента: RU2764631C1. Автор: Дуглас Р. ДОУЛ. Владелец: Виктаулик Компани. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for forming chiral structure

Номер патента: RU2656288C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Дмитрий Сергеевич Клюев,Олег Владимирович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГБОУ ВО ПГУТИ). Дата публикации: 2018-06-04.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for forming intrastomal pocket for keratoprosthesis implantation using femtosecond laser

Номер патента: RU2644850C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Евгения Владимировна Ковшун,Анна Владимировна Энкина. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

Compound for forming layer on friction metal surfaces

Номер патента: RU2266979C1. Автор: Ю.А. Червоненко. Владелец: Червоненко Юрий Александрович. Дата публикации: 2005-12-27.

System and method for forming appliance for oral care

Номер патента: RU2707516C2. Автор: Алан СОРРЕНТИНО,Стивен Нельсон. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-11-27.

Method for forming artificial wave

Номер патента: RU2755753C2. Автор: Александр Геннадьевич Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРЛДЭКС ГРУПП". Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus for forming double-wall thermoplastic tube with connection coupling

Номер патента: RU2309846C2. Автор: Стефан А. ЛЮПКЕ,Манфред Арно Альфред ЛЮПКЕ. Владелец: Манфред Арно Альфред ЛЮПКЕ. Дата публикации: 2007-11-10.

Device for forming interweaving knots and method of forming interweaving knots

Номер патента: RU2546474C2. Автор: Матиас ШТЮНДЛЬ. Владелец: Ёрликон Текстиле Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2015-04-10.

Method and device (variants) for forming the detonation front and the initiation device

Номер патента: RU2649997C1. Автор: Юрий Валентинович Власов,Александр Сергеевич Борискин,Василий Александрович Демидов,Сергей Аркадьевич Казаков,Сергей Николаевич Голосов,Антон Анатольевич Агапов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2018-04-06.

Method for forming of endless belt for belt-type separator

Номер патента: RU2309847C2. Автор: Бюлент СЕРТ,Дэвид Р. УИТЛОК. Владелец: Сепарейшн Текнолоджиз Ллс. Дата публикации: 2007-11-10.

Methods and equipment for forming of tubes from fibrous material

Номер патента: RU2740134C1. Автор: Джон Ричардсон,Герхард ЛЕ РУ,Гари Фаллон,Арнольд ХЕРХОЛЬДТ. Владелец: Бритиш Американ Тобакко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2021-01-11.

Improvements in or relating to apparatus for forming caps for bottles

Номер патента: GB884979A. Автор: Geoffrey Ewart Ford,Bertram George Poynton. Владелец: Fords Ltd. Дата публикации: 1961-12-20.

Mold and method for forming tilt boss

Номер патента: US20140374957A1. Автор: Tsung-Chin Liu,Ying-Huang Liu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2014-12-25.

Film forming device and method for forming metal film using the same

Номер патента: US20200190685A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for forming a foamed product integral with a sheet of covering material

Номер патента: US7323126B2. Автор: Yasushi Asano,Takahito Yabe. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Support block with individual hollow sections for a machine for forming glass articles, and manufacturing method

Номер патента: US12017946B2. Автор: Víctor TIJERINA RAMOS,Alejandro Becker Del Río. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2024-06-25.

Support block with individual hollow sections for a machine for forming glass objects, and manufacturing method

Номер патента: EP3872039A1. Автор: Víctor TIJERINA RAMOS,Alejandro Becker Del Río. Владелец: Vitro SAB de CV. Дата публикации: 2021-09-01.

Spring forming device, method for forming a helical spring and corresponding computer program

Номер патента: EP3021996A1. Автор: Paolo BOSCHIERO. Владелец: Simplex Rapid Srl. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for forming working fluid passages in a base of a hydraulic jack

Номер патента: US5346338A. Автор: Ta C. Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-09-13.

Method and apparatus for forming an object with a natural fibre-based substance

Номер патента: WO2024134544A2. Автор: Fiorenzo Parrinello,Fabrizio Pucci,Giovanni MAZZOTTI,Marcello Zama,Francesco PIRAZZOLI,Davide ZANOTTI. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2024-06-27.

Device for forming binding elements

Номер патента: EP3209836A1. Автор: Dante Bruno Priuli,Simone Rupoli. Владелец: Schnell SpA. Дата публикации: 2017-08-30.

Method for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece comprising a mold structure for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece train wheel support plate formed of the same

Номер патента: US20070237034A1. Автор: Yuichi Shino,Tamotsu Ono. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Method for forming micro-electro-mechanical system (mems) structure

Номер патента: US20190315620A1. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

"A method and tool for forming a hinge leaf"

Номер патента: IE910071A1. Автор: Michael John Mcdonagh. Владелец: Rosspark Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

A method and tool for forming a hinge leaf

Номер патента: IE66034B1. Автор: Michael John Mcdonagh. Владелец: Rosspark Ltd. Дата публикации: 1995-11-29.

Forming mould comprising a movable element and method for forming cellulose products

Номер патента: WO2024002723A1. Автор: Olle HÖGBLOM,Niklas Ekstrand,Mathias BERGFJORD,Martin Ljungberg,Björn Arlerot,Felix SJÖSTRAND JONSSON. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-01-04.

Device for forming binding elements

Номер патента: WO2016063221A4. Автор: Dante Bruno Priuli,Simone Rupoli. Владелец: Schnell S.P.A.. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for forming a foamed product integral with a sheet of covering material

Номер патента: US20050206027A1. Автор: Yasushi Asano,Takahito Yabe. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: CA3076175A1. Автор: Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi,Yuya Hirai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: EP3685928A1. Автор: Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi,Yuya Hirai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

A device for forming tooth form of sprocket gear for power transmission apparatus of cahinless bicycle

Номер патента: WO2004101195A1. Автор: Chil-Sung Hwang. Владелец: Bikevalley Co., Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Modular unit for forming constructions for toy use

Номер патента: EP3347111A1. Автор: Simon Carlo MARUSSI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-18.

Method for forming a sheet blank as a workpiece in a forming tool

Номер патента: US12064800B2. Автор: Peter Amborn. Владелец: Hodforming GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and apparatus for forming spring units

Номер патента: EP1051271A1. Автор: Simon Paul Spinks,Peter Douglas Spinks. Владелец: Harrison Spinks Beds LTD. Дата публикации: 2000-11-15.

Method and apparatus for forming a package box

Номер патента: WO2017109293A1. Автор: Jouni Suokas. Владелец: OY JOPAMAC AB. Дата публикации: 2017-06-29.

Method and apparatus for forming a polymeric container system for pressurized fluids

Номер патента: WO2002036333A1. Автор: John I. Izuchukwu,Stan A. Sanders. Владелец: Mallinckrodt Inc.. Дата публикации: 2002-05-10.

Method for forming precise porous metal structure by selective laser melting

Номер патента: US20210060646A1. Автор: Liping Wu,Shanfang ZOU,Ruicheng LIU,Zhixiao ZHANG,Anqi JIANG. Владелец: Chengdu Tianqi Additive Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for forming spring units

Номер патента: AU1569899A. Автор: Simon Paul Spinks,Peter Douglas Spinks. Владелец: Harrison Spinks Beds LTD. Дата публикации: 1999-07-05.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20200398308A1. Автор: Kenji Sakai,Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for forming fine particles, method for forming concavities and convexities, and device for forming fine particles

Номер патента: US20090127095A1. Автор: Noboru Iwata,Yoshiteru Murakami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Frangible firearm projectiles, methods for forming the same, and firearm cartridges containing the same

Номер патента: US20190242681A1. Автор: Robert Charles NICHOLS,Ralph Nauman,Joseph Franklin Morse. Владелец: ENVIRON-METAL Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for manufacturing metallic dental crown and mold material for forming dental crown occlusal portion used for the method

Номер патента: US20020031750A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Device and method for forming a mat

Номер патента: WO2003022541A1. Автор: Goran Lundgren,Sven-Ingvar Thorbjörnsson,Lena BÄCKMAN. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for forming three-dimensional object

Номер патента: US20180147775A1. Автор: Hirofumi Hara,Masaya Nagahari. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method and apparatus for forming a modified a cross-section wire material

Номер патента: US20040107758A1. Автор: Takao Mikami,Takao Karaoke,Yoshiki Masugata. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Stacked-film-forming system, sputtering apparatus, and method for forming stacked film

Номер патента: US20080233301A1. Автор: Katsunori Takahashi,Kazuya Takahashi,Yoichi Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Tissue construct-forming substrate, tissue construct-forming kit, method for forming tissue construct using the same and three-dimensional tissue construct formed by the method

Номер патента: US20080215073A1. Автор: Koji Nakazawa,Masatsugu Shimomura,Hiroshi Iwanaga,Kentaro Shiratsuchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Mold for forming golf ball and golf ball manufactured using the same

Номер патента: US20110070974A1. Автор: Hirotaka Shimosaka,Youichi Omura. Владелец: Bridgestone Sports Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Methods and machine for forming containers having top flange with glued corners

Номер патента: WO2024167998A1. Автор: John Valencia,Alyssa J. SCHERER,Tom J. WHATLING,Daniel Stamp. Владелец: WestRock Shared Services, LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for forming of 3d plastic parts

Номер патента: US20240278481A1. Автор: Scott WHITEHEAD. Владелец: Scrape Armor Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for forming plastic preforms into plastic containers with clean room

Номер патента: US20240269912A1. Автор: Daniel Peter,Florian Geltinger,Frank Winzinger,Juergen Soellner,Christian Wittmann,Beate Dorrmann,Alexandra Zinkl. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Material for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film

Номер патента: EP4428615A1. Автор: Yusuke Biyajima,Mamoru WATABE,Shohei Iwamori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Machine for forming a container from a blank

Номер патента: US20240293990A1. Автор: Thomas Dean Graham,Amer Aganovic,Claudio D'alesio. Владелец: WestRock Shared Services LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

An apparatus for forming a terrain feature

Номер патента: EP2318594A1. Автор: John Featherstone Melville. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US7163638B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12110604B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12123103B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and structure for forming a honeycomb curtain

Номер патента: US20240337150A1. Автор: Wen Ying Liang,Chien Chih Huang,Sheng Ying Hsu,Wu Chung Nien,Wei Ming Shih,Ming Chu Chiang. Владелец: Ching Feng Home Fashions Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

A packaging apparatus for forming a plurality of sealed packages filled with a pourable product

Номер патента: WO2024217950A1. Автор: Filippo Ferrarini,Mattia MONARI. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A.. Дата публикации: 2024-10-24.

Dental tool for forming a contact area on dental matrix

Номер патента: US09801695B2. Автор: Euler R Ferrer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Artificial reef and process for forming such an artificial reef

Номер патента: US09744687B2. Автор: Thomas J. Hilton,Wayne BAUER. Владелец: Atlantis Marine Habitats LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and apparatus for forming the profile of deformable materials and deformable tubular sections

Номер патента: US09676018B2. Автор: Shichao Ding. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2017-06-13.

Mold and method for forming tilt boss

Номер патента: US09545742B2. Автор: Tsung-Chin Liu,Ying-Huang Liu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for forming touch panel

Номер патента: US09495028B2. Автор: Yan Lin,Tsung-Ke Chiu,Zhuanyuan Zhang,Shunqing Su. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus and method for forming flanges on components

Номер патента: US09475218B2. Автор: Mark Ernest Vermilyea,Nicholas Joseph Kray,Matthew Allen Radebach,Alexander Joseph Vallee, Jr.,Craig Douglas Carmichael. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming three-dimensional product in microwave electromagnetic field

Номер патента: RU2629072C2. Автор: Николай Валерьевич Бекренев,Ирина Владимировна Злобина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2017-08-24.

Method for forming contour charges from emulsion explosives

Номер патента: RU2672078C1. Автор: Сергей Андреевич Толстунов,Сергей Петрович Мозер,Владимир Арнольдович Белин,Михаил Николаевич Оверченко. Владелец: Михаил Николаевич Оверченко. Дата публикации: 2018-11-09.

Device for forming fibrous article

Номер патента: RU2586210C2. Автор: Марко Антонио АЛКМИН,Жозе Франсиско КАУ,Жозе Мануэл Соарес КОТИНЬО,Франсиску Антонью РИМОЛИ,Франсиско Савастано НЕТО,Франсиску Х.В. ЭРНАНДЕС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Ду Бразил Индустия Э Комерсиу Ди Продутус Пара Сауди Лтда.. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for forming collection and long-term deposition of grapes in vitro

Номер патента: RU2764104C1. Автор: Наталья Петровна Дорошенко,Валентина Георгиевна Пузырнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2022-01-13.

Method for forming tracheoesophageal fistula

Номер патента: RU2634014C2. Автор: Вячеслав Вячеславович Виноградов,Сергей Сергеевич Решульский. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-клинический центр оториноларингологии" Федерального Медико-биологического Агентства России. Дата публикации: 2017-10-23.

Thermoplastic resin covering composition for particles designed for forming styrofoam containers

Номер патента: RU2328510C2. Автор: Цзяньшэн ТАН,Цз ньшэн ТАН,Дэвид Аллен КАУЭН,Деннис Х. ПИИСПАНЕН,Майкл Т. УИЛЛЬЯМС. Владелец: Нова Кемикалз Инк.. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for forming a distal anastomosis in reconstruction of right ventricular exit sites by extracardyal conduit in children with congenital heart diseases accompanied by oral stenosis of the right or left pulmonary artery

Номер патента: RU2647226C1. Автор: Константин Валентинович Шаталов,Константине Малхазович Джиджихия,Рустам Рафикович Ахтямов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр сердечно-сосудистой хирургии имени А.Н. Бакулева" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ССХ им. А.Н. Бакулева" Минздрава России). Дата публикации: 2018-03-14.

Systems and methods for forming cavities and perforation channels in well

Номер патента: RU2411352C2. Автор: Лоренс Дж. ЛЕЙСИНГ,Роберт Майкл РЭМСИ,Хауард Л. МАКГИЛЛ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for forming restriction in open end of container and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2283200C2. Автор: Эндрю ХАЛАС,Рене МЕНЕГЕН,Жан Ив Роман ПРУБЕ. Владелец: Рексам Беверидж Кэн Компани. Дата публикации: 2006-09-10.

Method for forming risk group for developing allergic pathology in preschool children living in territory with high content of manganese and nickel

Номер патента: RU2725045C1. Автор: Ольга Юрьевна Устинова,Константин Петрович Лужецкий,Ольга Анатольевна Маклакова,Светлана Леонидовна Валина,Ирина Евгеньевна Штина,Венера Галимзяновна МАКАРОВА,Дарья Александровна Эйсфельд. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2020-06-29.

Method and device for forming a wrapped container using pressing and converting

Номер патента: RU2721027C1. Автор: Марк Дж. МОРГАН,Майкл С. КАЗМИЕРСКИ,Рональд Дж. УИЛСОН. Владелец: Пейпер Машинери Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-15.

Appliance and method for forming case of cleaner (versions)

Номер патента: RU2546271C2. Автор: Ричард СОЙЯК,Джеймс Е. КИС. Владелец: Гвс Тьюб Фоминг Солюшинс Инк.. Дата публикации: 2015-04-10.

Production method for form-stable feed for pets (versions) and feed produced by this method (versions)

Номер патента: RU2361419C2. Автор: Ким Джин ФРИЗЕН,Харри Мид КЛАРК III,Крейг Ричард КОУЛИ,Уилльям Дэвид ШЕНХЕРР. Владелец: Хилл`С Пет Ньютришн, Инк.. Дата публикации: 2009-07-20.

Optical device for forming holographic images

Номер патента: RU2525317C1. Автор: Александр Викторович Морозов,Елена Геннадьевна Малиновская,Владислав Владимирович Дружин,Андрей Николаевич Путилин,Иван Владимирович Бовсуновский. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2014-08-10.

Method of and system for correcting images for forming and sealing device

Номер патента: RU2294868C2. Автор: Давиде БОРГИ,Бехрооз ФАСКХООДИ,Бо ХЕЛЛЬБЕРГ. Владелец: Тетра Лаваль Холдингз Энд Файнэнс Са. Дата публикации: 2007-03-10.

System and method for forming bound substrates

Номер патента: RU2669455C2. Автор: Вэй ХУН,Цзин ЧЖОУ,Мандакини КАНУНГО,Нэнси И. ДЖИА,Джеймс Р. БИЧНЕР,Пол Дж. МакКонвилл. Владелец: Зирокс Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-11.

Apparatus and a method for forming opening devices on a sheet packaging material for packaging pourable food products

Номер патента: RU2660106C2. Автор: Паоло БЕНЕДЕТТИ,Пьетро МАРТИНИ,Паоло ФОНТАНАЦЦИ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-07-04.

Method for forming glass products

Номер патента: RU2763578C1. Автор: Вячеслав Владимирович Головин. Владелец: Вячеслав Владимирович Головин. Дата публикации: 2021-12-30.

Die for forming panels

Номер патента: RU2707024C1. Автор: Владимир Иванович Максименков,Марина Владиславовна Молод,Владислав Игоревич Федосеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-11-21.

X-ray detector for forming phase-contrast images

Номер патента: RU2489762C2. Автор: Кристоф ХЕРРМАНН,Клаус Й. ЭНГЕЛЬ,Кристиан БОЙМЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-08-10.

Method for forming ileourocutaneostomy

Номер патента: RU2716458C1. Автор: Михаил Анатольевич Сальников,Александр Валерьевич Лыков,Артем Александрович Кельн,Гайк Саркисович Петросян,Аршалуйс Вагинакович Вайрадян,Александр Валерьевич Купчин. Владелец: Гайк Саркисович Петросян. Дата публикации: 2020-03-11.

Calcium phosphate coating for titanium and its alloys, method for forming such coating

Номер патента: RU2291918C1. Автор: Юрий Романович Колобов,Юрий Петрович Шаркеев,Анатолий Викторович Карлов,Галина Алексеевна Шашкина. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2007-01-20.

Method for forming atmospheric projective target for learning battle shooting and device for its implementation

Номер патента: RU2638510C1. Автор: Владимир Валентинович Колтунов,Николай Михайлович Ватутин,Михаил Игоревич Сидоров,Евгений Александрович Ломакин. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Научно-исследовательский институт "Геодезия" (ФКП "НИИ "Геодезия"). Дата публикации: 2017-12-13.

Method and device for forming precision holes in optically transparent film with ultra-short laser radiation pulse

Номер патента: RU2551043C1. Автор: Даниил Валентинович ГАНИН,Сергей Каренович Вартапетов,Алексей Захарович Обидин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосистемы". Дата публикации: 2015-05-20.

Method for forming anti-corrosive coating on the shaped surface of a product of structural steel of perlite class

Номер патента: RU2760352C1. Автор: Владимир Владимирович Кудинов,Денис Германович Куликов,Алексей Борисович Коростелев,Владимир Николаевич Ёлкин,Павел Евгеньевич Могилевский. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2021-11-24.

Method and apparatus for forming edges of honeycomb plastic panel and panel thus obtained

Номер патента: RU2668435C2. Автор: Франко БРЕССАН,НАРДИ Мирко ДЕ. Владелец: К-Холдинг С.П.А.. Дата публикации: 2018-10-01.

Composition for forming alpha-gel and composition of alpha-gel

Номер патента: RU2732289C2. Автор: Рейдзи МИЯХАРА,Такаси ОКА,Макото УЯМА,Саори ТАНАБЕ,Тецуро ЙОНЕДЗАВА. Владелец: Шисейдо Компани, Лтд.. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for forming a subpectoral pocket during breast reconstruction after mastectomy

Номер патента: RU2762205C1. Автор: Иван Александрович Виноградов,Игорь Александрович Чиж,Антон Валентинович Телишевский,Вера Витальевна Коларькова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Первый Санкт-Петербургский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-12-16.

Device with plunger for forming of workpiece for glass-blown article composed by glass-blowing machine

Номер патента: RU2551608C2. Автор: Юрген МАЙЕР. Владелец: Сэн-Гобэн Оберланд Аг. Дата публикации: 2015-05-27.

Screw for forming hole and thread and method of turning-in of screw

Номер патента: RU2144629C1. Автор: Пальм Эрих,Эстерле Хельмут. Владелец: Сфс Индустри Холдинг Аг. Дата публикации: 2000-01-20.

Device for forming jaw of weaving machine

Номер патента: RU2748556C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Владимир Иванович Тестов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-05-26.

Device for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving by path section that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2765659C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for forming composite parameter image from series of angiographic digital subtraction frames

Номер патента: RU2627270C1. Автор: Мария Геннадьевна Серикова,Виталий Валерьевич Юреня. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Импульс". Дата публикации: 2017-08-04.

Agricultural system for forming and wrapping bales of harvested material

Номер патента: RU2521600C2. Автор: Виллем Якобус РЕЙЕРСЕН-ВАН-БЮИРЕН. Владелец: Лели Патент Н.В.. Дата публикации: 2014-07-10.

Panel interconnectable with similar panels for forming covering

Номер патента: RU2671364C2. Автор: Эдди Альберик БУКЕ,Йохан Христиан РИТВЕЛЬДТ. Владелец: Инновейшнс 4 Флоринг Холдинг Н.В.. Дата публикации: 2018-10-30.

Method for forming glonass group navigation signal

Номер патента: RU2660126C1. Автор: Михаил Федорович Кудряшов,Александр Борисович Ткачев,Дмитрий Анатольевич Астахов. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-07-05.

Apparatus for forming monolithic pallet from pressed wood with increased load capacity

Номер патента: RU2750722C2. Автор: Паоло БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Имал С.Р.Л.. Дата публикации: 2021-07-01.

Mould set for forming complex ceramic workpieces

Номер патента: RU2642575C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Дмитрий Викторович Харитонов,Антонина Александровна Анашкина. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2018-01-25.

Method for producing spinning solution based on linseed cellulose for forming hydrate cellulose fibers

Номер патента: RU2748551C1. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Валерий Григорьевич КУЛИЧИХИН,Роза Фатыховна Гатина,Игорь Сергеевич Макаров,Людмила Константиновна Голова,Юрий Анатольевич Егоров,Маркел Игоревич Виноградов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2021-05-26.

Method for forming three-dimensional structural surfaces, in particular, on wood-based panels

Номер патента: RU2684741C2. Автор: Йерзи ШЕЙВИАН. Владелец: Схаттдекор Сп. З.О.О.. Дата публикации: 2019-04-12.

Frangible firearm projectiles, methods for forming the same, and firearm cartridges containing the same

Номер патента: US20210048280A1. Автор: Robert Charles NICHOLS,Ralph Nauman,Joseph Franklin Morse. Владелец: Federal Cartridge Co. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20210039136A1. Автор: Akihiro Nishimura. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: CA3095439A1. Автор: Akihiro Nishimura. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Process and apparatus for forming dual compartment pouches from a continuous web

Номер патента: EP1294615A1. Автор: Balbir Singh,David A. Blythe,Stephen Holten,Gary Willison. Владелец: Mars Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Process and apparatus for forming dual compartment pouches from a continuous web

Номер патента: EP1294615A4. Автор: Balbir Singh,David A Blythe,Stephen Holten,Gary Willison. Владелец: Mars Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Method for forming a facial pad

Номер патента: US20190335881A1. Автор: Susumu Omoto. Владелец: Nichiei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for forming gripper heads used to transport components

Номер патента: US20240157633A1. Автор: Mark Knight Robinson. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Blank for forming an insert

Номер патента: SE1951151A1. Автор: Pär MAGNUSSON. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2021-04-11.

Image forming apparatus having a member for forming an image

Номер патента: US9022675B2. Автор: Masatoshi Yamashita,Yoshiyuki Maekawa,Daisuke Takamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for forming a unassembled electrophoresis gel cassette

Номер патента: US20240167979A1. Автор: Kuan-Lin Lee. Владелец: Smobio Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Inverted cylinder assembly for forming and filling a container with liquid

Номер патента: EP3576925A1. Автор: Kirk Edward Maki,G. David Lisch. Владелец: Amcor Rigid Plastics USA LLC. Дата публикации: 2019-12-11.

Tubular and vesicular architectures formed from polymer-lipid blends and method for forming the same

Номер патента: EP3277419A1. Автор: Bo Liedberg,Madhavan Nallani,Amit Kumar KHAN,Hans-Peter DE HOOG,Seng Koon LIM,Atul N PARIKH. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-07.

Element for forming ground covering, restraining and reinforcing structures, particularly for forming retaining walls

Номер патента: IL131276A. Автор: . Владелец: MACCAFERRI SpA OFF. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming a reference list of marks, database and method for forming said database

Номер патента: US8271511B2. Автор: Vladimir Nickolaevich Bichigov,Pavel Anatolievich Zaytsev,Alexandr Vladimirovich Moksin,Ivan Borisovich Shapshal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-18.

An element for forming ground covering, restraining and reinforcing structures, particularly for forming retaining walls

Номер патента: EP1012406A1. Автор: Francesco Ferraiolo. Владелец: Officine Maccaferri SpA. Дата публикации: 2000-06-28.

Solventless method for forming a coating on a medical electrical lead body

Номер патента: EP2473211A1. Автор: James Q. Feng,Larry L. Hum,Tolga Tas,Arienne P. Simon. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for forming soldering layer of fiber arrays

Номер патента: US20030194494A1. Автор: Chung-I Chiang,Ming-Jen Wang,Huei-Pin Huang,Kun-Hsien Cheng,Hong-Jueng King,Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Method and device for forming wells in an electrophoresis gel slab

Номер патента: WO2002042758A1. Автор: N. Leigh Anderson. Владелец: Large Scale Proteomics Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Sheets of material having forming indicia for forming into flower pots or plant covers and methods

Номер патента: US20030029084A1. Автор: Donald Weder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Forming pocket suitable for forming moulded absorbent material deposit structure to be used as an absorbent core for absorbent articles

Номер патента: EP4368160A1. Автор: Thomas Heege,Michael HOCHHAUSEN. Владелец: Ontex Group NV. Дата публикации: 2024-05-15.

Device and method for forming a strip of dough into a hollow dough product wound into an overlapping helix

Номер патента: EP1484978A1. Автор: Henrikus Petrus Maria Clerx,Marinus Franciscus Leonardus Bekkers. Владелец: Pruve BV. Дата публикации: 2004-12-15.

Device and method for forming a strip of dough into a hollow dough product wound into an overlapping helix

Номер патента: AU2003221165A1. Автор: Henrikus Petrus Maria Clerx,Marinus Franciscus Leonardus Bekkers. Владелец: Pruve BV. Дата публикации: 2003-09-29.

Method and apparatus for forming an alcove

Номер патента: US5107645A. Автор: Robert A. Beasley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-28.

Method and unit for forming a tobacco bead

Номер патента: US20040020499A1. Автор: Fulvio Boldrini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Apparatus and method for forming a hermetic package for creamy products

Номер патента: WO2021161156A1. Автор: Giuseppe BORTOLAZZI. Владелец: I.M.A. INDUSTRIA MACCHINE AUTOMATICHE S.P.A.. Дата публикации: 2021-08-19.

System for forming stacks of composite materials

Номер патента: WO2013064309A1. Автор: Jordi Brufau Redondo,Antoni SOLÀ LORENTE. Владелец: Applus Servicios Tecnologicos, S.L.. Дата публикации: 2013-05-10.

Method and apparatus for forming spring units

Номер патента: WO1999030853A1. Автор: Simon Paul Spinks,Peter Douglas Spinks. Владелец: A HARRISON (BEDDING) LIMITED. Дата публикации: 1999-06-24.

Copolyester Material with Low Melting Point, Spinning and Weaving Functions and Method for Forming the Copolyester Material

Номер патента: US20200141030A1. Автор: Yuung-Ching Sheen,Shu-Yu Ho,Juh-Shyong Lee. Владелец: NAN PAO RESINS CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatus and method for forming a wave form for a stent from a wire

Номер патента: EP2736662A1. Автор: Dustin Thompson,Paul Coates,Larry Childs,Michael Costa,Rui Lam,Lance Ensign,Justin ECKHARDT,Jerry Warmerdam,Charlie DAWSON,Bob BOLDIG. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film, which includes a supplemental component, on a plant and plants including the exogenous flexible film

Номер патента: US20230016007A1. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,Victoria Towers,Daniel Manriquez. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming SbSI thin films

Номер патента: US6153262A. Автор: Kanwal K. Raina,Raghvendra K. Pandey,Narayanan Solayappan. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2000-11-28.

Apparatus for forming a collar of a double packet and packaging line for forming a double packet

Номер патента: EP3759024A1. Автор: Fiorenzo Draghetti. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2021-01-06.

Method and device for forming wells in an electrophoresis gel slab

Номер патента: WO2002042758B1. Автор: N Leigh Anderson. Владелец: N Leigh Anderson. Дата публикации: 2002-11-21.

Method and device for forming wells in an electrophoresis gel slab

Номер патента: WO2002042758A9. Автор: N Leigh Anderson. Владелец: N Leigh Anderson. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for forming a reference list of marks, database and method for forming said database

Номер патента: WO2010050846A2. Автор: Vladimir Nickolaevich Bichigov,Pavel Anatolievich Zaytsev,Alexandr Vladimirovich Moksin,Ivan Borisovich Shapshal. Владелец: Ivan Borisovich Shapshal. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of bessel beam laser processing for forming through glass vias

Номер патента: US20230227352A1. Автор: Schang-Jing Hon. Владелец: E & R Engineering Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for forming gripper heads used to transport components

Номер патента: WO2024102785A1. Автор: Mark Knight Robinson. Владелец: The Gillette Company LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods and systems for preparing blanks for forming carriers for containers

Номер патента: EP4405170A1. Автор: David F. Warner,Colin P. Ford,Jason C. ANDERSON. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of forming metal film and metal wiring pattern, undercoat composition for forming metal film and metal wiring pattern, and metal film

Номер патента: US20100215979A1. Автор: Tetsuya Mori,Seiji Nakajima,Hidemi Nawafune. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Method and system for forming protrusions, and method for manufacturing metal component having protrusions

Номер патента: US20230201902A1. Автор: Masakatsu Seki. Владелец: SEKI PRESS Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Abrasive articles and methods for forming same

Номер патента: US20230211469A1. Автор: Brahmanandam V. Tanikella,Charles J. Gasdaska. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2023-07-06.

Abrasive articles and methods for forming same

Номер патента: US20220282144A1. Автор: Brahmanandam V. Tanikella,Michael J. Lemberger,Charles J. Gasdaska. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2022-09-08.

Blank for forming an insert

Номер патента: EP4041645A1. Автор: Pär MAGNUSSON. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2022-08-17.

Light effect system for forming a light beam

Номер патента: EP2614292A1. Автор: Claus Ellevang Hansen. Владелец: Martin Professional ApS. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for making mold for forming anti-flare lens

Номер патента: US8454864B2. Автор: Chien-Feng Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Photosensitive laminate film for forming top plate portion of precision fine space and method of forming precision fine space

Номер патента: EP1839089A1. Автор: Toru Takahashi,Atsushi Yamanouchi,Naoya Katsumata,Hiroki Maeda. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Forming pocket suitable for forming moulded absorbent material deposit structure to be used as an absorbent core for absorbent articles

Номер патента: US20240148563A1. Автор: Thomas Heege,Michael HOCHHAUSEN. Владелец: Ontex Group NV. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus and method for forming a hermetic package for creamy products

Номер патента: EP4103476A1. Автор: Giuseppe BORTOLAZZI. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2022-12-21.

Method and apparatus for forming an object with a natural fibre-based substance

Номер патента: WO2024134544A3. Автор: Fiorenzo Parrinello,Fabrizio Pucci,Giovanni MAZZOTTI,Marcello Zama,Francesco PIRAZZOLI,Davide ZANOTTI. Владелец: Sacmi Cooperativa Meccanici Imola Societa' Cooperativa. Дата публикации: 2024-07-25.

System for forming stacks of composite materials

Номер патента: EP2773505A1. Автор: Jordi Brufau Redondo,Antoni SOLÀ LORENTE. Владелец: Applus Servicios Tecnologicos SL. Дата публикации: 2014-09-10.

Method and apparatus for forming multi-colored cap part of snap button

Номер патента: US20050132547A1. Автор: Chung-Lung Chen. Владелец: Button International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Apparatus and method for forming optical element

Номер патента: US20070252294A1. Автор: Takumi Tsuji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method and apparatus for forming concrete blocks

Номер патента: WO2008063637A1. Автор: James A. Manthei,Jeremy L. Manthei. Владелец: Rosetta Hardscapes, LLC. Дата публикации: 2008-05-29.

Apparatus and method for forming a wave form for a stent from a wire

Номер патента: WO2013015886A1. Автор: Dustin Thompson,Paul Coates,Larry Childs,Michael Costa,Rui Lam,Lance Ensign,Justin ECKHARDT,Jerry Warmerdam,Charlie DAWSON,Bob BOLDIG. Владелец: Medtronic Vascular Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

Flexible independent multi-layer container and method for forming

Номер патента: EP1885609A2. Автор: Charles W. True. Владелец: Environmental Packaging Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-02-13.

Solutions and methods for forming an exogenous flexible film, which includes a supplemental component, on a plant

Номер патента: EP4401557A1. Автор: Luis Fernando Hernandez Aguilar,Brian James Tipton,Sean Calvin Musser,Victoria Towers,Daniel Manriquez. Владелец: Cultiva LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Method and apparatus for forming carbon dioxide particles into blocks

Номер патента: EP2630080A1. Автор: Scott Thomas Hardoerfer,James R. Combs,Frederick C. Young,Matthew August Gunderson. Владелец: COLD JET LLC. Дата публикации: 2013-08-28.

An apparatus for forming a container

Номер патента: EP1087866A1. Автор: Jaakko Häggman. Владелец: UPM Kymmene Oy. Дата публикации: 2001-04-04.

An apparatus for forming a container

Номер патента: WO1999059805A1. Автор: Jaakko Häggman. Владелец: UPM-KYMMENE CORPORATION. Дата публикации: 1999-11-25.

Abrasive articles and methods for forming same

Номер патента: US12064850B2. Автор: Brahmanandam V. Tanikella,Charles J. Gasdaska. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2024-08-20.

Composition for forming coating film

Номер патента: US20210038530A1. Автор: Tatsuya Yoshino. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Composition for forming coating film

Номер патента: EP3750522A1. Автор: Tatsuya Yoshino. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2020-12-16.

Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, and patterning process

Номер патента: EP4425260A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for forming fixed images

Номер патента: EP2649495A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Akihiro Eida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Method for forming a moulding and moulding

Номер патента: US11590546B2. Автор: Johann Willdonner. Владелец: NEUMAN ALUMINIUM FLIESSPRESSWERK GmbH. Дата публикации: 2023-02-28.

Method and apparatus for forming and imaging laser beams

Номер патента: WO1988004820A1. Автор: Laszlo Otvos,Peter Vermes,Laszlo Csipka,Bela Plosz,Szabolcs TO^"KÉS,Gyo^"zo^" HORVÁTH. Владелец: Itex Kutató-Fejleszto^"-Termelo^" Egyesülés. Дата публикации: 1988-06-30.

Compositions for forming polyureas, methods of forming polyureas and kits for forming polyureas

Номер патента: WO2022180364A1. Автор: Richard John Foster. Владелец: Richard John Foster. Дата публикации: 2022-09-01.

Apparatus for forming and applying a pleated core wrap

Номер патента: WO2023164586A1. Автор: Jeffrey W. Fritz,Cory D. VELDMAN,Zachary J. Giffey,Hubert P. VAN DE PAS,JR. Randy J. TERESINSKI,Christopher S. LAWRENCE. Владелец: CURT G. JOA, INC.. Дата публикации: 2023-08-31.

Processing solution for forming hexavalent chromium free, black conversion film on zinc or zinc alloy plating layers, and method for forming hexavalent chromium free, black conversion film on zinc or zinc alloy plating layers

Номер патента: US20090178734A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Takeshi Watanabe,Yutaka Watanabe,Manabu Inoue,Ryo Nakajima,Kimitaka Watanabe,Fumie Watanabe,Toyoji Watanabe. Владелец: Dipsol Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20210245198A1. Автор: Satoshi Ishida,Akiko Senda,Kenta TAKEMURA. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Apparatus and method for forming a string of pocket springs

Номер патента: WO2014198816A1. Автор: Rudolf Fassler,Heinz Buchhold. Владелец: Spühl Gmbh. Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

Improvements in Machines for Forming Caps for Closing Bottles, Jars and other Vessels.

Номер патента: GB190014151A. Автор: George Cecil Dymond. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-12-15.

Improvements in Metal Caps for Bottles and Jars

Номер патента: GB190219735A. Автор: Amos Calleson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-08.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL PASTE COMPOSITION FOR FORMING ELECTRODE AND SILVER-CARBON COMPOSITE ELECTRODE AND SILICON SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20120000523A1. Автор: KIM Sang-Ho,PARK Jong-Wuk,Kim So-Won. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Forming Electronic Material Layer

Номер патента: US20120000775A1. Автор: Hong Mun Pyo,Lee Yoo Jong,Jang Yun-Sung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for forming semiconductor film and device used therefor

Номер патента: CA1251163A. Автор: Kazunori Tsuge,Yoshihisa Tawada. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-14.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming of creases on knitted articles

Номер патента: RU2309208C1. Автор: Елена Николаевна Колесникова,Тать на Евгеньевна Ермохина,Татьяна Евгеньевна Ермохина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for forming "grape bowl ru" of fruit shoots (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2535171C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Device for form connection to vibratory plate

Номер патента: RU2246399C1. Автор: У.А. Ямлеев,ков Д.А. Худ,Д.А. Худяков,С.А. Чернов. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for forming "grape bowl ru" of fruit shoots (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2535084C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Method and device for forming guide strips adapted for leveling underlay arrangement

Номер патента: RU2270304C1. Автор: Андрей Владимирович Текучев,Алексей Владимирович Текучев. Владелец: Алексей Владимирович Текучев. Дата публикации: 2006-02-20.

Automatic moulding machine for forming ledges in tubular billet

Номер патента: RU2481169C2. Автор: Александр Владимирович Чиннов,Алексей Анатольевич Лузгин. Владелец: Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов". Дата публикации: 2013-05-10.

Aerosol-forming composition for forming smoke screen

Номер патента: RU2471761C1. Автор: Михаил Сергеевич Резников,Азат Шамилович Мингазов,Алексей Иванович Сидоров,Владимир Львович Гинзбург,Римма Гафуровна Каримова,Владимир Павлович Куляпин. Владелец: Открытое акционерное общество "Чебоксарское производственное объединение им. В.И. Чапаева". Дата публикации: 2013-01-10.

Method for forming compression-valvular esophageal-small-intestinal anastomosis

Номер патента: RU2296518C1. Автор: Виктор Иванович Тихонов,Виктор Эдуардович Гюнтер,Георгий Цыренович Дамбаев,Елена Георгиевна Дамбаева,Андрей Викторович Тихонов. Владелец: Андрей Викторович Тихонов. Дата публикации: 2007-04-10.

Device for forming colored smoke trail

Номер патента: RU2323130C1. Автор: Николай Михайлович Варёных,Сергей Николаевич Вагонов,Владимир Николаевич Волков,Валентин Владимирович Ватолин,Александр Николаевич Гусев,Виктор Антонович Рац,Владимир Иосифович Свищев,Владимир Григорьевич Богацкий,Виктор Николаевич Афонин,Виталий Борисович Киселев,Владимир Владимирович Ищенко,Николай Николаевич Ермаков,Дмитрий Иванович Клишин,ков Леонид Георгиевич Дь,Леонид Георгиевич Дьяков,Валентина Алексеевна Мельник,Юрий Иванович Шаховский. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственное машиностроительное конструкторское бюро "Вымпел" им. И.И. Торопова". Дата публикации: 2008-04-27.

Method and device for forming high-speed no-containing gas flow for action on biological object

Номер патента: RU2597131C2. Автор: Евгений Владимирович Печёнкин. Владелец: Евгений Владимирович Печёнкин. Дата публикации: 2016-09-10.

Tooling for forming parts from polymer composite material

Номер патента: RU2401196C2. Автор: Вячеслав Иванович Иванов. Владелец: Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" (ОАО НИАТ). Дата публикации: 2010-10-10.

Method for making tool for forming

Номер патента: RU2248258C1. Автор: Б.П. Сахаров,А.А. Амирагян,н А.А. Амираг (RU),Б.П. Сахаров (RU). Владелец: Амирагян Альберт Арамаиси. Дата публикации: 2005-03-20.

Device for forming and testing of samples of thin coatings

Номер патента: RU2545082C1. Автор: Николай Григорьевич Бычков,Алексей Викторович Першин,Артем Шамилевич Хамидуллин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2015-03-27.

Radiator tube and method and apparatus for forming same

Номер патента: WO1995005571B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-04-13.

Method of determining trajectory of a hole when driving and device for determining position of unit for forming hole in ground

Номер патента: RU2013499C1. Автор: Владимир Владимирович Добросельский,Петр Владимирович Добросельский. Владелец: Петр Владимирович Добросельский. Дата публикации: 1994-05-30.

Device for forming articles from epoxy resin

Номер патента: RU2540636C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Олег Юрьевич Еренков,Максим Владимирович Зеленов,Вячеслав Леонидович Никишечкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-10.

Method and device for forming three-dimensional body

Номер патента: RU2035936C1. Автор: Юрий Иванович Гуркин. Владелец: Юрий Иванович Гуркин. Дата публикации: 1995-05-27.

Method for forming neotympanic membrane in subtotal tympanic defects

Номер патента: RU2537785C1. Автор: Иса Туктарович Мухамедов,Сергей Викторович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-клинический центр оториноларингологии Федерального медико-биологического агентства России" (ФГБУ НКЦО ФМБА России). Дата публикации: 2015-01-10.

Method and device for forming powerful laser pulse

Номер патента: RU2267197C1. Автор: А.Н. Стародуб,С.И. Федотов,Б.В. Круглов,М.В. Осипов. Владелец: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for forming of tuber layer in potato cultivation

Номер патента: RU2316944C2. Автор: Борис Лазаревич Охотников,Валерий Александрович Андреев. Владелец: ФГОУ ВПО Уральская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2008-02-20.

Device for form takedown from concrete article

Номер патента: RU2299802C2. Автор: Евгений Васильевич Филиппов,Багаутдин Омаргаджиевич Атрачев,Валерий Николаевич Литвинцев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Корпорация стройматериалов". Дата публикации: 2007-05-27.

Procedure for forming circular barrier in underground well, procedure for making well packer and design of well packer

Номер патента: RU2413836C2. Автор: Кристофер Дж. ЧОКЕР,Кристиан СОЛХЕУГ,Джерард П. КЕННЕДИ,Альф Колбьерн СЕВРЕ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2011-03-10.

Device for forming helical profile on well walls for bored piles

Номер патента: RU2478754C1. Автор: Николай Егорович Ромакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-04-10.

Electrolyte for forming black ceramic coat on rectifying metals and their alloys; method of forming such coat and coat formed by this method

Номер патента: RU2285066C1. Автор: Анатолий Иванович Мамаев,Павел Игоревич Бутягин,ков Евгений Васильевич Хохр,Евгений Васильевич Хохряков,гин Павел Игоревич Бут. Владелец: Анатолий Иванович Мамаев. Дата публикации: 2006-10-10.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Press for forming auger blades

Номер патента: RU2320485C2. Автор: Владимир Александрович Тимофеев. Владелец: Владимир Александрович Тимофеев. Дата публикации: 2008-03-27.

Device for form connection to vibratory plate

Номер патента: RU2246400C1. Автор: У.А. Ямлеев,ков Д.А. Худ,Д.А. Худяков,П.Б. Янгайкин. Владелец: Ульяновский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for forming structure of jet holes of shower gauzes made by pressure die casting of thermoplastic materials

Номер патента: RU2296672C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2007-04-10.

Device for forming musculoskeletal stump for evisceration-nucleation

Номер патента: RU2316291C1. Автор: Христо Периклович Тахчиди,Александр Александрович Караваев,Юрий Анатольевич Чеглаков,Павел Юрьевич Чеглаков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-02-10.

Device for forming helical profile on well walls for bored piles

Номер патента: RU2470133C2. Автор: Николай Егорович Ромакин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2012-12-20.

Procedure for forming at knee press with hydraulic drive

Номер патента: RU2425728C1. Автор: Александр Алексеевич Хорычев. Владелец: Александр Алексеевич Хорычев. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for forming holes in bone tissue of alveolar crest, and device for implementing it

Номер патента: RU2479263C1. Автор: Станислав Рафаелевич Абульханов,Олег Валентинович Слесарев,Николай Львович Казанский. Владелец: Российская академия наук Учреждение Российской академии наук Институт систем обработки изображений РАН (ИСОИ РАН). Дата публикации: 2013-04-20.

Method for forming of organic fertilizer windrows

Номер патента: RU2246198C1. Автор: А.П. Дьячков,чков А.П. Дь,М.Т. Золотых. Владелец: Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

Method for processing disperse thermo-plastic materials by induction-linked plasma and method for forming a flow of material for realization thereof

Номер патента: RU2257689C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.В. Побережный. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СХМ"). Дата публикации: 2005-07-27.

Method and device for forming three-dimensional body

Номер патента: RU2035934C1. Автор: Юрий Иванович Гуркин. Владелец: Юрий Иванович Гуркин. Дата публикации: 1995-05-27.

System for forming required thermal conditions

Номер патента: RU2286291C1. Автор: Владимир Иванович Халиманович,Владимир Афанасьевич Бартенев,Роман Петрович Туркенич,Александр Владимирович Анкудинов,Олег Валентинович Шилкин,Владимир Петрович Акчурин,Геннадий Давыдович Кесельман,Александр Сергеевич Близневский,Олег Вячеславович Загар,Альберт Владимирович Томчук,Юрий Матвеевич Голованов,Александр Евгеньевич Дюдин,Геннадий Валерьевич Дмитриев,Альберт Гаврилович Козлов,В чеслав Григорьевич Шелудько,Вячеслав Григорьевич Шелудько,Олег В чеславович Загар,Василий Алексеевич Аброськин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева". Дата публикации: 2006-10-27.

Device for forming locomotor stump for evisceration

Номер патента: RU2320296C1. Автор: Христо Периклович Тахчиди,Александр Александрович Караваев,Юрий Анатольевич Чеглаков,Юрий Кузьмич Спирочкин,Павел Юрьевич Чеглаков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for forming of charges with air gaps

Номер патента: RU2314488C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Method for forming body parts of pipeline fittings

Номер патента: RU2281822C1. Автор: Игорь Владимирович Панченко,Виктор Петрович Анисимов,Виталий Васильевич Долгов,Олег Иванович Кругов,Лев Михайлович Сандгартен. Владелец: ОАО "Алексинский завод тяжелой промышленной арматуры". Дата публикации: 2006-08-20.

Method for forming valvular areflux jejunostoma

Номер патента: RU2315567C1. Автор: Виктор Николаевич Блохин,Роман Николаевич Чирков,Владимир Самуилович Феллер. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО Тверская ГМА Росздрава). Дата публикации: 2008-01-27.

Die set for forming cone parts

Номер патента: RU2280525C1. Автор: Михаил Григорьевич Зарубин,Виктор Геннадьевич Чебыкин,к Сергей Владимирович Бур,Сергей Владимирович Буряк,Виктор Петрович Калашников,Василий Макарович Устюжанин,Алексей Васильевич Кулаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов". Дата публикации: 2006-07-27.

Method for forming butt welded seams on tubes

Номер патента: RU2285595C1. Автор: Сергей Иванович Козий,Геннадий Андреевич Батраев,Софь Сергеевна Козий,Софья Сергеевна Козий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ремонтно-механический завод". Дата публикации: 2006-10-20.

Method for forming double-flange sleeves

Номер патента: RU2274508C1. Автор: Семар Тимофеевич Басюк,Ирина Владимировна Гринберг,Виктор Михайлович Грешилов,гких Елена Семаровна М,Елена Семаровна Мягких,Ирина Сергеевна Рублева. Владелец: Ирина Сергеевна Рублева. Дата публикации: 2006-04-20.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

Pelletising screw extruder for forming catalysts masses

Номер патента: RU2503537C1. Автор: Данияр Шарафиевич Джумамухамедов,Анатолий Игнатьевич Михайличенко,Александр Валентинович Беспалов,Виктор Илларионович Ванчурин,Вячеслав Валерианович Костюченко,Максим Александрович Половинкин,Владимир Васильевич Водолеев,Сергей Григорьевич Лавров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2014-01-10.

Device for separation of radioactive elements possessing different ability for forming amalgams

Номер патента: RU2294314C2. Автор: Владимир Михайлович Лебедев,Николай Николаевич Андрейчук,Валентин Петрович Андреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2007-02-27.

Tool steel for forming rolls

Номер патента: RU2250929C2. Автор: К.Л. Марченко,И.И. Лубе,А.П. Чучвага,А.С. Рязанов,занов А.С. Р,А.И. Бойцев,В.М. Студенцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Ферро Балт". Дата публикации: 2005-04-27.

Method and device for forming of compact component

Номер патента: RU2309367C2. Автор: зев Александр Сергеевич Кн,Александр Сергеевич Князев,Дмитрий Владиленович Маляров,ров Дмитрий Владиленович Мал. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Федеральное агентство по атомной энергии-Агентство. Дата публикации: 2007-10-27.

Method for forming retrosternal tracheostoma

Номер патента: RU2312626C1. Автор: Игорь Владимирович Решетов,Евгений Иванович Трофимов,Валерий Иванович Чиссов,Евгений Михайлович Фуки. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Московский научно-исследовательский онкологический институт им. П.А.Герцена Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи" (ФГУ "МНИОИ им. П.А.Герцена Росмедтехнологий"). Дата публикации: 2007-12-20.

Method and device for forming of shock wave

Номер патента: RU2207492C2. Автор: В.А. Иванов,Г.И. Волков,В.К. Чернышев,Б.Е. Гриневич,С.В. Пак,А.Н. Скобелев,Д.В. Авдеев. Владелец: Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. Дата публикации: 2003-06-27.

Device for forming prosthetic appliance bed

Номер патента: RU2284793C1. Автор: Юрий Иванович Климашин,Антон Юрьевич Климашин. Владелец: Государственное учреждение Центральный научно-исследовательский институт стоматологии. Дата публикации: 2006-10-10.

Method for forming and decorating of cream confectionery

Номер патента: RU2310329C2. Автор: Валерий Эдуардович Агабабов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Круг". Дата публикации: 2007-11-20.

Device for forming of cavity in explosive charge

Номер патента: RU2310810C1. Автор: Геннадий Рафгатович Садыков,Евгений Григорьевич Фурсов,Юрий Константинович Дюдин,Михаил Эдуардович Денисов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт горного дела и металлургии цветных металлов" (ФГУП "Гипроцветмет"). Дата публикации: 2007-11-20.

Method for forming of air gaps from foam polystyrene

Номер патента: RU2314487C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Method and machine for forming bundles of trees

Номер патента: RU2550026C2. Автор: Яков Иванович Шестаков,Евгений Николаевич Богданов,Ильдар Нургаязович Багаутдинов,Николай Рихардович Шоль,Роман Витальевич Патраков,Дмитрий Евгеньевич Корнилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2015-05-10.

Method for forming involute plastic articles from thermoplastic sheet material

Номер патента: CA1077668A. Автор: Robert F. Mulvany (Jr.). Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-05-20.

Improved Means for Forming Screw-threads.

Номер патента: GB189901222A. Автор: SALOMON Frank. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-11-11.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.