Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Low Threshold Voltage And Inversion Oxide Thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide Thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130032886A1
Опубликовано: 07-02-2013
Автор(ы): Changhwan Choi, Martin M. Frank, Takashi Ando, Unoh Kwon, Vijay Narayanan
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Low threshold voltage and inversion oxide thickness scaling for a high-k metal gate p-type mosfet

Номер патента: WO2013019696A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Niedrige Schwellenspannung und Skalierung der Inversionsoxiddicke für einen Mosfet vom P-Typ mit High-K-Metall-Gate

Номер патента: DE112012002543T5. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US8841731B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Low Threshold Voltage and Inversion Oxide Thickness Scaling for a High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20150243662A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Method and device for high k metal gate transistors

Номер патента: US09570611B2. Автор: YONG Li,Xiao Na Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and method to suppress work function effect by patterning boundary proximity in replacement metal gate

Номер патента: US09818746B2. Автор: Kai Zhao,Unoh Kwon,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of Forming a Single Metal that Performs N Work Function and P Work Function in a High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20180247937A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,CHAO Donald Y.,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming a single metal that performs n work function and p work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US20220216205A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of forming a single metal that peforms N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: TW201013759A. Автор: Kuo-Tai Huang,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Donald Y Chao,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Structure and method for 3D FinFET metal gate

Номер патента: US09876114B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated high-K/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US09601388B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing multi-voltage devices using high-k-metal-gate (hkmg) technology

Номер патента: US20190139837A1. Автор: Chii-Ming Wu,Cheng-Yuan Tsai,Yi-huan Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor,Ray Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: US9257426B2. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Integrated high-k/metal gate in cmos process flow

Номер патента: US20130140643A1. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Jr Jung Lin,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated High-K/Metal Gate in CMOS Process Flow

Номер патента: US20160293490A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Lin Jr-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345722A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

HIGH-K METAL GATE DEVICE AND MANUFATURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170345723A1. Автор: JING Xubin,He Zhibin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of integrating high-k/metal gate in CMOS process flow

Номер патента: TW201013849A. Автор: Chien-Hao Chen,Kuo-Tai Huang,Yi-Hsing Chen,Jr-Jung LIN,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-04-01.

Method to improve the quality of a high-k dielectric layer

Номер патента: EP3316289B1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma nitrided gate oxide, high-k metal gate based cmos device

Номер патента: WO2008121939A1. Автор: Manuel Quevedo-Lopez,Husam Niman Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

High-k metal gate devices with a dual work function and methods for making the same

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150380408A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Multiple patterning techniques for metal gate

Номер патента: US09960085B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Lung-Kun Chu,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Multiple patterning techniques for metal gate

Номер патента: US20170207133A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Lung-Kun Chu,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Reduced threshold voltage-width dependency in transistors comprising high-K metal gate electrode structures

Номер патента: US9425052B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High-k metal gate process and device

Номер патента: US10971602B2. Автор: Chun Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG183635A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-09-27.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

High-k transistors with low threshold voltage

Номер патента: US20120193716A1. Автор: Martin M. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of using polysilicon as stop layer in a replacement metal gate process

Номер патента: US09847402B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for making robust replacement metal gates and multi-threshold devices in a soft mask integration scheme

Номер патента: US20160086860A1. Автор: Balaji Kannan,Rekha Rajaram,Unoh Kwon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN101916771B. Автор: 休曼·达塔,贾斯廷·布拉斯克,杰克·卡瓦莱厄斯,马克·多克茨,尤黛·沙赫,克里斯·巴恩斯,马修·梅茨,安娜丽莎·卡佩尔拉尼,罗伯特·赵. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Method and structure for forming high-k/metal gate extremely thin semiconductor on insulator device

Номер патента: US20120043623A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Self-Aligned Insulated Film For High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20180019133A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Pei-Ren Jeng ,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATES FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20150021705A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20160336422A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Self-Aligned Insulated Film for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20190341263A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20090152636A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Reducing oxidation under a high K gate dielectric

Номер патента: US20080211033A1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Robert B. Turkot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177B1. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Metal gate transistors

Номер патента: SG161181A1. Автор: Han Jin-Ping,James Lee Yong Meng,Thean Voon-Yew. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20160293493A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US9985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20170077098A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09536791B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Selective growth of a work-function metal in a replacement metal gate of a semiconductor device

Номер патента: US20150108577A1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Method and gate structure for threshold voltage modulation in transistors

Номер патента: US20150123167A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Silicon Nitride Layer Deposited at Low Temperature to Prevent Gate Dielectric Regrowth High-K Metal Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20150084132A1. Автор: Ortolland Claude,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,Zhao Kai,Chou Anthony I-Chih. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: TW200847293A. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-12-01.

HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH A DUAL WORK FUNCTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20150011059A1. Автор: Yu Chen-Hua,YAO Liang-Gi,LIN CHENG-TUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: TW201513311A. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US9911746B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High-k metal gate devices and methods for making the same

Номер патента: US20080290416A1. Автор: Chen-Hua Yu,Cheng-Tung Lin,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9779947B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: US9252224B2. Автор: Jung-Hui Kao,Pei-Ren Jeng,Chih-Yang Yeh,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Chih-tang Peng,Huan-Just Lin,Jen-Sheng Yang,Jin-Aun Ng,Hui-Wen LIN,Ta-Wei Lin,Yuan-Tien Tu,Shih-Hao Lo,Maxi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

PMOS high-k metal gates

Номер патента: US12051734B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20230097400A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: US20220077298A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Low threshold voltage CMOS device

Номер патента: US09455203B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Low threshold voltage cmos device

Номер патента: US20160126145A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Low threshold voltage cmos device

Номер патента: US20150147876A1. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Gate structure in high-k metal gate technology

Номер патента: US20240290859A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Wei Cheng Wu,Shih-Hao Lo,Hung-Pin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20140367802A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao,CHUANG HARRY-HAK-LA Y. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

SUPERIOR INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY FORMING A CONTROLLED UNDERCUT ON THE BASIS OF A WET CHEMISTRY

Номер патента: US20150137270A1. Автор: Beyer Sven,Reimer Berthold,Graetsch Falk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20120187522A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for making very low Vt metal-gate/high-k CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US20090280630A1. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for making very low Vt metal-gate/high-κ CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US7754551B2. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-13.

Metal-gate high-k reference structure

Номер патента: WO2010018070A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-02-18.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

Номер патента: WO2004095572A1. Автор: Byung Jin Cho,Chang Seo Park,Balasubramanian Narayanan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2004-11-04.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US09406679B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US20150333065A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Methods for high-k metal gate CMOS with SiC and SiGe source/drain regions

Номер патента: US09595585B2. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Cmos-vorrichtung einschliesslich pmos- metall-gate mit niedriger schwellenspannung

Номер патента: DE102019107531A1. Автор: Ying Pang,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20220148924A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-05-12.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20170025315A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20190318966A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-VOLTAGE DEVICES USING HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20190139837A1. Автор: WU Chii-Ming,TSAI Cheng-Yuan,TSAO Chun-Han,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

A semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-k metal gate transistors

Номер патента: KR101486504B1. Автор: 틸 쉬로에쎄르,피터 바르스. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2015-01-23.

Boundary region for high-k-metal-gate (HKMG) integration technology

Номер патента: US10991693B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US11894444B2. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20230109345A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: GB2616547A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Jason Oteri Clint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High voltage extended drain mosfet (edmos) devices in a high-k metal gate (hkmg)

Номер патента: US20220020746A1. Автор: Peter Baars,Thorsten E. Kammler. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

Method and structure for threshold voltage control and drive current improvement for high-k metal gate transistors

Номер патента: TW201110239A. Автор: Wei He,Naim Moumen,Young-Hee Kim,Wesley Natzle,Renee T Mo,Rashmi Jha,Michael P Chudzik,Siddarth A Krishnan,Hui-Ming Bu. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-03-16.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TWI310588B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: TW200639947A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Jose Maiz,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Sang-Woo Pae. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: KR101639464B1. Автор: 로버트 디 클라크. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-13.

Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof

Номер патента: CN1885560A. Автор: 陈自强,雷贾拉奥·詹米,斯蒂芬·L·布朗,维杰伊·纳拉亚南,瓦姆西·K·帕鲁丘里. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-27.

METHOD FOR FORMING A HIGH-k GATE STACK WITH REDUCED EFFECTIVE OXIDE THICKNESS

Номер патента: US20100248464A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness

Номер патента: WO2010111453A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2010-09-30.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

PMOS HIGH-K METAL GATES

Номер патента: US20220077298A1. Автор: YANG Yong,SRIRAM Mandyam,Gandikota Srinivas,Yang Yixiong,Wrench Jacqueline S.,HUNG Steven C. H.. Владелец: APPLIED MATERIAL, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140183653A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

high-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375B. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

High-k metal gate stack

Номер патента: CN102893375A. Автор: 王岩峰,郭德超,P·欧尔迪吉斯,T-C·陈. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Method of fabricating high-k/metal gate device

Номер патента: US20110143529A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6806146B1. Автор: YING Zhou,Justin K. Brask,Mark L. Doczy,John P. Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US7575991B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz,Robert L. Norman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

High k metal grid structure and method for manufacturing same

Номер патента: CN103794481A. Автор: 韩秋华,倪景华,李凤莲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

High-K metal gate

Номер патента: US09431509B2. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

High-k metal gate

Номер патента: US20140183653A1. Автор: James Joseph Chambers,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

High-voltage transistor with thin high-k metal gate and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240206183A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US09685521B2. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20100317184A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20150255294A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Lowering parasitic capacitance of replacement metal gate processes

Номер патента: US20160111512A1. Автор: Effendi Leobandung,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Lateral undercut of metal gate in SOI device

Номер патента: US20070040223A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US20120322253A1. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for reducing interfacial layer thickness for high-k and metal gate stack

Номер патента: US8470659B2. Автор: Chen-Yi Lee,Clement Hsingjen Wann,Liang-Gi Yao,Jeff J. Xu,Chun-Hu CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: US7989902B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: KR101606210B1. Автор: 타카시 안도,창환 최,비제이 나라야난,마틴 엠. 프랭크. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2016-03-24.

Self-Aligned Contacts for High k/Metal Gate Process Flow

Номер патента: US20120175711A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR HIGH k/METAL GATE PROCESS FLOW

Номер патента: US20130189834A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Integrated High-K/Metal Gate In CMOS Process Flow

Номер патента: US20150061031A1. Автор: Lin Jr Jung,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing,Chen Ray Chia-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD AND DEVICE FOR HIGH K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160225903A1. Автор: Li Yong,WANG XIAO NA. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: US8536656B2. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: CN103299428A. Автор: 李影,R·拉玛钱德兰,R·迪瓦卡鲁尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252493A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE MOSFET

Номер патента: US20150011069A1. Автор: Zhu Huilong,Chen Dapeng,Xu Qiuxia,Xu Gaobo,Zhou Huajie. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

P TYPE MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150041925A1. Автор: Zhu Huilong,Xu Qiuxia,Yang Hong,ZHANG Yanbo. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE MOSFET

Номер патента: US20150295067A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing,Xu Qiuxia,Xu Gaobo,Zhou Huajie. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2015-10-15.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Enhanced gate replacement process for high-K metal gate technology

Номер патента: US09691876B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by preserving a resist material above end caps of gate electrode structures

Номер патента: US8481381B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Metal gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US20140246735A1. Автор: Richard Carter,Thilo Scheiper,Martin Trentzsch,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US20170309722A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: CN100524660C. Автор: S·达塔,A·米勒,C·巴恩斯,M·梅茨,J·布拉斯克,J·卡瓦利罗斯,R·曹,M·多茨,U·夏. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Gate-all-around devices with different gate oxide thicknesses

Номер патента: US20240186327A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

METHOD FOR THRESHOLD VOLTAGE TUNING THROUGH SELECTIVE DEPOSITION OF HIGH-K METAL GATE (HKMG) FILM STACKS

Номер патента: US20210013111A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Fulford H. Jim,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Gardner Mark. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-01-14.

Reduced threshold voltage-width dependence in transistors having high-k metal gate electrode structures

Номер патента: DE102010040064A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Steven Langdon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FORMING A SINGLE METAL THAT PERFORMS N AND P WORK FUNCTIONS IN HIGH-K/METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20140319619A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-10-30.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Preventing fully silicided formation in high-k metal gate processing

Номер патента: US20130330899A1. Автор: Ming Cai,Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Kevin K. Chan,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for tuning a work function of high-k metal gate devices

Номер патента: TW201025509A. Автор: Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh,Harry Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Pmos high-k metal gates

Номер патента: WO2021091995A1. Автор: Srinivas Gandikota,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Steven C.H. Hung,Chi-Chou Lin,Haoyan Sha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric layer

Номер патента: US8912611B2. Автор: Hajin LIM,Jinho Do,Weonhong Kim,Moonkyun Song,Dae-Kwon Joo,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

Replacement gate structure for transistor with a high-k gate stack

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TW200425392A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

System and method for integrating multiple metal gates for CMOS applications

Номер патента: US20040171222A1. Автор: Wei Gao,Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Gate-all-around fets having uniform threshold voltage

Номер патента: US20200043808A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Tri-gate integration with embedded floating body memory cell using a high-k dual metal gate

Номер патента: US20090017589A1. Автор: Ibrahim Ban,Peter L.D. Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US09508816B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Low resistance replacement metal gate structure

Номер патента: US20160163809A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Enhanced confinement of sensitive materials of a high-K metal gate electrode structure

Номер патента: US8748281B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by a Replacement Gate Approach Based on Superior Planarity of Placeholder Materials

Номер патента: US20120196425A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Andy Wei,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

High-k metal gate electrode structure formed by removing a work function on sidewalls in replacement gate technology

Номер патента: US8735236B2. Автор: Christopher Prindle,Klaus Hempel,Rolf Stephan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Superior integrity of high-k metal gate stacks by capping sti regions

Номер патента: SG10201405133YA. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device comprising ferroelectric elements and fast high-K metal gate transistors

Номер патента: US09564521B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: US20130234254A1. Автор: Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200105532A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai,Chun-I Wu,Chien-Shun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

BOUNDARY REGION FOR HIGH-K-METAL-GATE (HKMG) INTEGRATION TECHNOLOGY

Номер патента: US20200144263A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

High-K Metal Gate Process and Device

Номер патента: US20200251574A1. Автор: Wang Chun-Chieh,YANG Huai-Tei,WU Chun-I,PAI Yueh-Ching,Liao Chien-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Structure and Method for High-K Metal Gate

Номер патента: US20200295157A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: KR101403097B1. Автор: 진언 능,포니엔 챈,솅챈 정,바오루 영,학-래이 정. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of hybrid high-k/metal-gate stack fabrication

Номер патента: CN103311185A. Автор: 庄学理,黄仁安,陈柏年,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Low temperature nitridation of amorphous high-k metal-oxide in inter-gates insulator stack

Номер патента: TW200541080A. Автор: Tai-Peng Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-16.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9006837B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

E-fuse design for high-K metal-gate technology

Номер патента: US09515155B2. Автор: Roman Boschke,Maciej Wiatr,Stefan Flachowsky,Christian Schippel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Replacement metal gate

Номер патента: US09515070B2. Автор: Stefan Schmitz,Effendi Leobandung,David V. Horak,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile split-gate memory cell with integrated high-K metal gate and method of making the same

Номер патента: JP6407488B1. Автор: シャン リウ,チエン−シェン スー,ジェン−ウェイ ヤン,ニャン ドー,フェン ジョウ. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-17.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20180166452A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-14.

INTEGRATION OF A MEMORY TRANSISTOR INTO HIGH-K, METAL GATE CMOS PROCESS FLOW

Номер патента: US20170278853A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS technology

Номер патента: CN105845686A. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Integration techniques for plate capacitors with flash memory and/or high-k metal gate CMOS

Номер патента: CN105845686B. Автор: 庄学理,刘振钦,王驭熊. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Vertical transport cmos transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220165850A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2616541A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Metall-gate-strukturen und verfahren zum herstellen derselben in feldeffekttransistoren

Номер патента: DE102020122120A1. Автор: Ying Lu,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Pin Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US09634116B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Scaling EOT by eliminating interfacial layers from high-K/metal gates of MOS devices

Номер патента: US09478637B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09401311B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Self aligned structure and method for high-k metal gate work function tuning

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

P-Type MOSFET and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20210043725A1. Автор: Zhonghua Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10978593B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10985280B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341498A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190296151A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341497A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Effective Work Function Tuning Via Silicide Induced Interface Dipole Modulation For Metal Gates

Номер патента: US20230104442A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US11990522B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Effective work function tuning via silicide induced interface dipole modulation for metal gates

Номер патента: US20240313067A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Kuan-Ting Liu,Szu-Wei Huang,Chung-Wei Wu,Yen-Tien Tung,Yin-Chuan Chuang,Zhi-Ren Xiao,Yung-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Lateral bicmos replacement metal gate

Номер патента: US20170005085A1. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Lateral BiCMOS replacement metal gate

Номер патента: US09478534B2. Автор: Effendi Leobandung,Tak H. Ning,Jin Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods for doping high-k metal gates for tuning threshold voltages

Номер патента: US20240379365A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Hoong Shing Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

EMBEDDED SONOS AND HIGH VOLTAGE SELECT GATE WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20200350213A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Prabhakar Venkatraman. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200720A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US09997518B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20220285161A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US9490255B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

High-k metal gate structure fabrication method including hard mask

Номер патента: TW201011815A. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Shun-Jang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-16.

Method Of Forming A Singe Metal That Performs N and P Work Functions In High-K/Metal Gate Devices

Номер патента: US20150303062A1. Автор: Lin Su-Horng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Structure and method for nfet with high k metal gate

Номер патента: US20130270647A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170162575A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

LOW RESISTIVE ELECTRODE FOR AN EXTENDABLE HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20170200654A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20150318284A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Self-aligned insulated film for high-k metal gate device

Номер патента: KR101618511B1. Автор: 해리-학-레이 추앙,바오-루 영,후안-주스트 린,치-탕 펭,진-아운 엔쥐,맥시 창,젠-셍 양,타-웨이 린,쉬-하오 로,치-양 예,휘-웬 린,정-휘 카오,유안 티엔 투,페이-렌 젱. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2016-05-04.

Low resistive electrode for an extendable high-k metal gate stack

Номер патента: US9960161B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252492A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11950413B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Gan-based hemt structure having multiple threshold voltages, and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4336563A1. Автор: Yong Yang,Xin Chen,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao,Xiaolu Guo. Владелец: Guangdong Institute Of Semiconductor Micro Nano Manufacturing Technology. Дата публикации: 2024-03-13.

Gan-based hemt structure having multithreshold voltage, and preparation method and application therefor

Номер патента: CA3209196A1. Автор: Yong Yang,Xin Chen,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao,Xiaolu Guo. Владелец: Guangdong Institute Of Semiconductor Micro Nano Manufacturing Technology. Дата публикации: 2024-01-07.

Manufacturing method for metal gate

Номер патента: US20130023098A1. Автор: Yen-Liang Lu,Hsin-Chih Yu,Yu-Wen Wang,Po-Cheng Huang,Ching-I Li,Yu-Shu Lin,Ya-Jyuan Hung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

A dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: SG135914A1. Автор: Mei Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-29.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Stephan Kronholz,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for forming a transistor comprising high-k metal gate electrode structures including a polycrystalline semiconductor material and embedded strain-inducing semiconductor alloys

Номер патента: US8343826B2. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Metal gate structure with multi-layer composition

Номер патента: US09679984B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsien-Ming Lee,Hung-Chin Chung,Hsiao-Kuan Wei,Shiang-Rung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US20230238450A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Partial sacrificial dummy gate with CMOS device with high-k metal gate

Номер патента: US09853116B2. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J Jaeger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Partial sacrificial dummy gate with cmos device with high-k metal gate

Номер патента: US20160099332A1. Автор: Yu Lu,Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Wilfried E. Haensch,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

High-k/metal gate transistor with L-shaped gate encapsulation layer

Номер патента: US9263276B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Vijay Narayanan,Wesley C. Natzle,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Structure and method for reduction of Vt-W effect in high-k metal gate devices

Номер патента: TW201238001A. Автор: Vijay Narayanan,Richard A Conti,Michael V Aquilino,Daniel J Jaeger,Christopher V Baiocco. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-09-16.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

A method and system for forming a feature in a high-k layer

Номер патента: TW200629542A. Автор: Lee Chen,Akiteru Koh,Annie Xia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-08-16.

Sealing structure for high-k metal gate and method of making

Номер патента: US20120225529A1. Автор: Kuo-Tai Huang,Harry Chuang,Kang-Cheng Lin,Chii-Horng Li,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Hao-Ming Lien,Jin-Aun Ng,Jun-Lin Yeh,Chieh-Hao Chen,Ssu-Yu Li,Chung-Hau Fei,Chi Hsin Chang,Chun Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: US20130140670A1. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of Forming Different Voltage Devices with High-K Metal Gate

Номер патента: US20150069524A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958B. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-29.

Novel high-k metal gate structure and method of making

Номер патента: CN101661958A. Автор: 庄学理,林纲正,杨文志,黄国泰,陈建良,陈建豪,李启弘,连浩明,李思毅,费中豪,黄仁安,张启新,林俊铭,叶俊林. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Structure and method for reduction of vt-w effect in high-k metal gate devices

Номер патента: WO2012099928A3. Автор: Vijay Narayanan,Richard A. Conti,Christopher V. Baiocco,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

High-k/metal gate transistor

Номер патента: WO2011060972A1. Автор: Vijay Narayanan,Wesley Natzle,Renee Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-26.

Thin Film Transistor Including a High-k Insulating Thin Film and Method for Manufacturing The Same

Номер патента: KR102000829B1. Автор: 이지원,정재경. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-07-16.

Maintaining integrity of a high-k gate stack by passivations using an oxygen plasma

Номер патента: WO2011025800A3. Автор: Sven Beyer,Rick Carter,Andreas Hellmich,Berthold Reimer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

A method for modifying a gate dielectric stack containing a high-k layer using plasma processing

Номер патента: KR101163264B1. Автор: 타츠오 마츠도,히로아키 니이미,루이지 콜롬보,코지 시모무라,타쿠야 수가와라. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-07-05.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TW200407994A. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

A method for making a semiconductor device having a high-K gate dielectric

Номер патента: TWI240315B. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003231821A1. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Ein Metall-Isolator-Poly-Kondensator in einem High-k-Metal-Gate-Prozess und ein Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019207177B4. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-k dielectric material

Номер патента: US09911732B2. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Atomic Layer Deposition of HfAlC as a Metal Gate Workfunction Material in MOS Devices

Номер патента: US20160035631A1. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Atomic layer deposition of HfAlC as a metal gate workfunction material in MOS devices

Номер патента: US09607904B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi,Paul Besser,Salil Mujumdar,Albert Sanghyup Lee,Edward L Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of adjusting metal gate work function of NMOS device

Номер патента: US8298927B2. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-10-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: US20190057863A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: WO2019036709A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170098654A1. Автор: Zhou Feng,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20150187897A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

High k dielectric material and method of making a high k dielectric material

Номер патента: US20030224218A1. Автор: Martin Green,Lalita Manchanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358587A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MULTI TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING LOCAL IMPLANTATION IN HIGH-K/ METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20170358588A1. Автор: Ando Takashi,Kothandaraman Chandrasekharan,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Transistors comprising high-k metal gate electrode structures and adapted channel semiconductor materials

Номер патента: US8198152B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Greater integrity of a high-k gate metal electrode structure by employing a sacrificial spacer for overcoat removal

Номер патента: DE102009055438A1. Автор: Uwe 04416 Griebenow,Jan 01309 Hoentschel,Thilo 01099 Scheiper,Andy 01097 Wei. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20040180523A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Matthew Metz,Timothy Glassman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Control Gates And Method Of Making Same

Номер патента: US20190172942A1. Автор: CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Ultra-low threshold voltage transistor cell layout

Номер патента: EP4345881A1. Автор: Yanbin LUO,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Dual channel structures with multiple threshold voltages

Номер патента: US09997519B1. Автор: Michael A. Guillorn,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09728462B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of Forming an Electrical Fuse and a Metal Gate Transistor and the Related Electrical Fuse

Номер патента: US20110147853A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120228718A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of forming an electrical fuse and a metal gate transistor and the related electrical fuse

Номер патента: US20120225524A1. Автор: Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,Chang-Chien Wong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method to form a polysilicon nanocrystal thin film storage bitcell within a high k metal gate platform technology using a gate last process to form transistor gates

Номер патента: US9275864B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H Perera,Jane A Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A4. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20160204219A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140175569A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09514943B1. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for etching high-k metal gate stack

Номер патента: US09431255B2. Автор: Hae-Jung Lee,Su-Bum Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid

Номер патента: US09601535B2. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Chih-Nan Wu,Shiu-Ko Jang Jian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Method and system for forming a high-k dielectric layer

Номер патента: US20060228898A1. Автор: Gerrit Leusink,Masanobu Igeta,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200211908A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Differential stoichiometries by infusion thru gcib for multiple work function metal gate cmos

Номер патента: US20120037999A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: US9991375B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Metal Gates and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20200266282A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Third type of metal gate stack for CMOS devices

Номер патента: US09634006B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Ramachandra Divakaruni,Sameer H. Jain,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20150187586A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US20170263458A1. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9337042B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US9680007B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal gate cut with hybrid material fill

Номер патента: US20240213100A1. Автор: Matthew J. Prince,Anupama Bowonder,Chiao-Ti HUANG,Swapnadip Ghosh,Yulia Gotlib,Bishwajit Debnath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal gate structure for midgap semiconductor device and method of making same

Номер патента: US09496143B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Reduced trench profile for a gate

Номер патента: US09564501B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-07.

METHOD TO REDUCE THRESHOLD VOLTAGE (Vt) IN SILICON GERMANIUM (SIGE), HIGH-K DIELECTRIC-METAL GATE, P-TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20100013021A1. Автор: Dae-Gyu Park,Xiangdong Chen,Jong Ho Lee,Kenneth J. Stein,Voon-Yew Thean,Weipeng Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: US20160056250A1. Автор: Liu Shih-Chang,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MEMORY DEVICE AND A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20170125432A1. Автор: Beyer Sven,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

P-type MOSFET and its manufacture method

Номер патента: CN103855014B. Автор: 杨红,朱慧珑,徐秋霞,张严波. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-10-20.

STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190067457A1. Автор: Wang Chun-Chieh,LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

NOVEL E-FUSE DESIGN FOR HIGH-K METAL-GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20150179753A1. Автор: Flachowsky Stefan,Boschke Roman,Wiatr Maciej,Schippel Christian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

SELF ALIGNED STRUCTURE AND METHOD FOR HIGH-K METAL GATE WORK FUNCTION TUNING

Номер патента: US20160315083A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160336180A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Structure and method for Vt tuning and short channel control with high K / metal gate MOSFETs.

Номер патента: JP5669954B2. Автор: ワン、シンリン,チェン、シャンドン,カイ、チン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

The structure controlled for the Vt adjustment and short channel with high-k/metal gate mosfet and method

Номер патента: CN103262246B. Автор: 陈向东,蔡劲,王新琳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: WO2012078225A1. Автор: Xiangdong Chen,Xinlin Wang,Jin Cai. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

High-k Metal Gate (HKMG) method for forming a memory cell with a large operating window

Номер патента: DE102018108894A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Sealing spacer to reduce or eliminate lateral oxidation of a high-k gate dielectric

Номер патента: US20070262399A1. Автор: Gilbert Dewey,Suman Datta,Jack Kavalieros,Justin Sandford,Nancy Zelick. Владелец: Kavalieros Jack T. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for manufacturing P-type MOSFET

Номер патента: US9196706B2. Автор: Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Tianchun Ye,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-11-24.

Si stacked gate structure of P-type MOSFET

Номер патента: TW502323B. Автор: Kuan-Ting Lin,Jui-Chun Lin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-11.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433B1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high k metal control gates and method of making

Номер патента: EP3721433A4. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US09608086B2. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US20170162688A1. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Dual metal gate corner

Номер патента: WO2010020546A4. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-04-15.

Dual metal gate corner

Номер патента: US20120267726A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Recessed Salicide Structure to Integrate a Flash Memory Device with a High K, Metal Gate Logic Device

Номер патента: CN105390465A. Автор: 庄学理,吴伟成,刘世昌,高雅真. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Non-volatile Split Gate Memory Cells With Integrated High K Metal Gate Logic Device And Metal-Free Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20170025427A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

NON-VOLATILE SPLIT GATE MEMORY CELLS WITH INTEGRATED HIGH K METAL GATE LOGIC DEVICE AND METAL-FREE ERASE GATE, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20170373077A1. Автор: Zhou Feng,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Nonvolatile, isolated gate memory cells having integrated high-K metal gate logic devices and metal-free erase gates, and methods of making same

Номер патента: KR20180030189A. Автор: 펭 조우,젱-웨이 양,치엔-쉥 수. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-03-21.

High-K/metal gate CMOS finFET with improved pFET threshold voltage

Номер патента: US7993999B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Non-volatile split game memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US10381359B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING A LOW GATE RESISTANCE HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140110790A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,HUANG Jingyan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

GATE STRUCTURE IN HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20200251566A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Wu Wei Cheng,Ko Hung-Pin,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120181616A1. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

METHODS AND STRUCTURE TO FORM HIGH K METAL GATE STACK WITH SINGLE WORK-FUNCTION METAL

Номер патента: US20150255463A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Siddiqui Shahab,Kannan Balaji,KRISHNAN SIDDARTH. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Structure and method of Tinv scaling for high k metal gate technology

Номер патента: US9087784B2. Автор: Michael P. Chudzik,Dechao Guo,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20150021672A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150069518A1. Автор: HAN QIUHUA. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US20180006133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chia-Lin Liu,Chun-Lung Chen,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods for manufacturing metal gates

Номер патента: EP2842159A1. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Wei Tang,Maitreyee Mahajani,Shih Chung CHEN,Xinyu Fu,Xinliang Lu,Atif Noori. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Method of Patterning a Metal Gate of Semiconductor Device

Номер патента: US20130130488A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of patterning a metal gate of semiconductor device

Номер патента: US20150206755A1. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Donald Y. Chao,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shun Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Flash Memory Utilizing a High-K Metal Gate

Номер патента: US20140038404A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190371806A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Cap removal in a high-k metal gate electrode structure by using a sacrificial fill material

Номер патента: US8329526B2. Автор: Ralf Richter,Jens Heinrich,Markus Lenski,Frank Seliger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for cmos devices

Номер патента: US20120276720A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods for Doping High-K Metal Gates for Tuning Threshold Voltages

Номер патента: US20210082706A1. Автор: Yu Kuo-Feng,TSAI Chun Hsiung,Chen Jian-Hao,WONG Hoong Shing,Hsu Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Control of threshold voltages in high-k metal gate stack and structures for CMOS devices

Номер патента: US8835260B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20160111522A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Enhanced gate replacement process for high-k metal gate technology

Номер патента: KR101366484B1. Автор: 밍 주,해리 학 레이 청. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-02-21.

Methods for high temperature etching a high-k material gate structure

Номер патента: TW200908144A. Автор: WEI Liu,Shashank Deshmukh,Meihua Shen,Michael D Willwerch,David Palagashvili,Eiichi Matsusue,Yohei Kawase,Anh-Liet Quang Phan,Jong I Shin,Barrett Finch. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

PROCEDURE FOR A UNIFORMITY OF DIELECTRIC ELEMENTS WITH A HIGH K

Номер патента: DE112018004228B4. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Wing Yeung Chun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: TW200703459A. Автор: Olubunmi O Adetutu,David C Gilmer,Hsing H Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor device and integrated circuit with high-k/metal gate without high-k direct contact with sti

Номер патента: US20130146975A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20130273729A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190035924A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20210202743A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Chiang Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

METHOD FOR ETCHING HIGH-K METAL GATE STACK

Номер патента: US20160181107A1. Автор: LEE Hae-Jung,SHIN Su-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160196979A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

FinFET Device with High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20150303305A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for cmp of high-k metal gate structures

Номер патента: US20150340451A1. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

FinFET Device With High-K Metal Gate Stack

Номер патента: US20180350992A1. Автор: Wu Zhiqiang,CHANG Chih-Sheng,Ching Kuo-Cheng,Fung Ka-Hing. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials in transistors of different conductivity type

Номер патента: US20110101470A1. Автор: Stephan Kruegel,Klaus Hempel,Sven Beyer,Markus Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

High-k metal gate electrode structures formed by cap layer removal without sacrificial spacer

Номер патента: TW201227812A. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2012-07-01.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING PERFORMING A HEAT TREATMENT AFTER FORMING A METAL LAYER AND A HIGH-K LAYER

Номер патента: US20160013107A1. Автор: KIM Weon-Hong,Song Moon-Kyun,WON Seok-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure

Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating a flash memory comprising a high-K dielectric and a metal gate

Номер патента: US8822286B2. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

P-type MOSFET and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111584636A. Автор: 王海涛,李中华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

High voltage polysilicon gate in high-K metal gate device

Номер патента: US11569251B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

A method for improving hole mobility enhancement in strained silicon p-type mosfet

Номер патента: WO2004001811A3. Автор: Eugene Fitzgerald,Minjoo L Lee. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2004-02-26.

A method for improving hole mobility enhancement in strained silicon p-type mosfet

Номер патента: WO2004001811A2. Автор: Eugene Fitzgerald,Minjoo L. Lee. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-12-31.

Methods of forming a high-k contact liner to improve effective via separation distance and the resulting devices

Номер патента: US09825031B1. Автор: Jagannathan Vasudevan,Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jason E. Stephens,David M. Permana. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

METHODS FOR HIGH-K METAL GATE CMOS WITH SiC AND SiGe SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160087040A1. Автор: MAO Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

High-k metal gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190088556A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo Bin HUANG,Ying-Liang Chuang,Ju-Li Huang,Chih-Long Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND HIGH-K METAL GATE FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200105921A1. Автор: He Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Drain-extended FinFET with a High-k Dielectric Field Plate and Method of fabricating the same

Номер патента: KR102300071B1. Автор: 조현수,백창기,공병돈,김향우. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-09-07.

Methods of forming a high-k contact liner to improve effective via separation distance and the resulting devices

Номер патента: TWI645510B. Автор: 古拉密 波奇,安迪Ｃ 韋,傑森Ｅ 史蒂芬斯,大衛Ｍ 佩爾曼,賈卡納斯 瓦德凡. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2018-12-21.

Integrating formation of a replacement gate transistor and a non-volatile memory cell using a high-k dielectric

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

A method for improving hole mobility enhancement in strained silicon p-type mosfet

Номер патента: AU2003247712A8. Автор: Eugene Fitzgerald,Minjoo L Lee. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-01-06.

Low Leakage Replacement Metal Gate FET

Номер патента: US20240313081A1. Автор: Simon Edward Willard,Jagar Singh. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Low leakage replacement metal gate fet

Номер патента: WO2024190843A1. Автор: Simon Edward Willard,Jagar Singh. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-09-19.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming different FinFET devices with different threshold voltages and integrated circuit products containing such devices

Номер патента: US09564367B2. Автор: Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

METAL-INSULATOR-POLY CAPACITOR IN A HIGH-K METAL GATE PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20200020761A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Junction field effect transistors for low voltage and low temperature operation

Номер патента: US20230317718A1. Автор: ABHISHEK Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Resistive device for high-k metal gate technology

Номер патента: US8334572B2. Автор: Harry Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030203579A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030122198A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Field effect transistor with electroplated metal gate

Номер патента: US20060081885A1. Автор: Emanuel Cooper,Hariklia Deligianni,Panayotis Andricacos,Caliopi Andricacos,Katherine Saenger,Philippe Vereecken,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Metal gate of gate-all-around transistor

Номер патента: US09786774B2. Автор: Chi-Wen Liu,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US09691871B1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a mosfet device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US20170256625A1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-09-07.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US10211059B2. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-02-19.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2619470A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US20240250139A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11978740B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240250089A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor-on-insulator (soi) semiconductor structures including a high-k dielectric layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230261004A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Henry Wang,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin,Hsien Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods and applications of novel amorphous high-k metal-oxide dielectrics by super-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US20240194479A1. Автор: Lai ZHAO,Kwang Soo Huh,Zhelin SUN,Soo Yong Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Low threshold voltage anti-fuse device

Номер патента: CA2646367A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Mosfet with reduced threshold voltage and on resistance and process for its manufacture

Номер патента: US20030089945A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Harold Davis,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-05-15.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332892A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Chung-Hsun Lin,Jeffrey N. Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332890A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Thin film transistor structure for a field emission display and the method for making the same

Номер патента: US6958492B2. Автор: Cheng-Chung Chen,Chun-Yao Huang,Chen-Ming Chen,Huai-Yuan Tseng,Yu-Wu Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-10-25.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Metal gate double diffusion MOSFET with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: US20020084486A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Metal gate double diffusion mosfet with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: WO2000039858A8. Автор: Brian S Mo,Duc Q Chau. Владелец: Duc Q Chau. Дата публикации: 2001-11-01.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Tuning threshold voltage in field-effect transistors

Номер патента: US11855181B2. Автор: Huang-Lin Chao,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111788A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111787A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Tuning Threshold Voltage in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200119164A1. Автор: Huang-Lin Chao,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Tuning Threshold Voltage in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20240105813A1. Автор: Huang-Lin Chao,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method Of Forming A Single Metal That Performs N Work Function And P Work Function In A High-K/Metal Gate Process

Номер патента: US20140001566A1. Автор: CHEN Ryan Chia-Jen,Mor Yi-Shien,Lin Yih-Ann,Huang Kuo-Tai,CHAO Yuan-Shun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

High-k gate insulator for a thin-film transistor

Номер патента: WO2019135832A1. Автор: Soo Young Choi,Dong-Kil Yim,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Yujia ZHAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-11.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09978850B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US09711605B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Novel spacer structures for a transistor device

Номер патента: US20200168731A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Guowei Xu,Chung Foong Tan,Scott Beasor,Tek Po Rinus Lee,Yue Zhong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Spacer structures for a transistor device

Номер патента: US10872979B2. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Guowei Xu,Chung Foong Tan,Scott Beasor,Tek Po Rinus Lee,Yue Zhong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-12-22.

Novel gate structure for a transistor device with a novel pillar structure positioned thereabove

Номер патента: US20200176587A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Contact for high-k metal gate device

Номер патента: US20160293721A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

P-type MOSFET preparation method

Номер патента: CN107749398A. Автор: 陈大鹏,李俊峰,叶甜春,许高博,徐秋霞,陶桂龙. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-02.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130187239A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

WET PROCESS ASSISTED APPROACH FOR SELECTIVE BARRIER METAL PATTERNING ON HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20190273149A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Liang Chun-Sheng,Huang Ming-Chi,Chuang Ying-Liang,CHIANG Hsin-Che,Huang Ju-Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-05.

Structures and methods for manufacturing P-type mosfet

Номер патента: CN1716554A. Автор: 朱慧珑. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-04.

3D SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20220084869A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD TO IMPROVE RELIABILITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS

Номер патента: US20160181397A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Composite High-K Metal Gate Stack for Enhancement Mode GaN Semiconductor Devices

Номер патента: US20160204207A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20160293721A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20170317180A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Lin Huan-Just. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method to improve reliability of high-K metal gate stacks

Номер патента: US9299802B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Barry P. Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Multi time programmable memories using local implantation in high-K/ metal gate technologies

Номер патента: US10361093B2. Автор: Takashi Ando,Chandrasekharan Kothandaraman,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Contact for high-K metal gate device

Номер патента: US8546227B2. Автор: Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Huan-Just Lin,Sheng-Chen Chung,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

The contact of high-K metal gate device

Номер патента: CN103000572B. Автор: 庄学理,李再春,林焕哲,吴伟成,杨宝如,钟升镇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR102198938B1. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-01-05.

Composite high-k metal gate stack for enhancement mode gan semiconductor devices

Номер патента: KR20160061969A. Автор: 로버트 에스. 차우,산삽탁 다스굽타,사나즈 케이. 가드너,마르코 라도사블예비치,승 훈 성,한 위 덴. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: TW200924196A. Автор: Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-06-01.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: EP2160757B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR POWER DEVICE (DMOS) INCLUDING GATE ELECTRODE FORMED OVER A GATE INSULATION FILM HAVING SiO2 PORTIONS AND A HIGH-K PORTION THEREBETWEEN

Номер патента: US20170092743A1. Автор: Nakano Yuki,Okumura Keiji,KAWAMOTO Noriaki,MIURA Mineo,ABE Hidetoshi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-30.

A method of encapsulating a high-k gate stack by forming a coating at two different process temperatures

Номер патента: DE102008016437B3. Автор: Fabian Koehler,Katy Schabernack,Falk Graetsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2009-09-10.

A method for increasing the integrity of a high-k gate stack by creating a controlled sub-cavity based on wet chemistry and transistor produced by the methods

Номер патента: DE102010042229B4. Автор: Sven Beyer,Berthold Reimer,Falk Graetsch. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-10-25.

Structures and methods for manufacturing p-type MOSFET with graded embedded silicon-germanium source-drain and/or extension

Номер патента: US7288443B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Group IV and III-V p-type MOSFET with high hole mobility and method of manufacturing the same

Номер патента: US11171211B1. Автор: Hong-Hyun Park,Zhengping Jiang,Hesameddin Ilatikhameneh,Woosung CHOI,Chihak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-09.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Hydrogenation and nitridization processes for modifying effective oxide thickness of a film

Номер патента: US10510545B2. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20110068369A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRIC DEVICES WITH PFET CHANNEL SiGe

Номер патента: US20120267685A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Metal gate and high-K dielectric devices with PFET channel SiGe

Номер патента: US8796773B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed on the basis of a simplified spacer regime

Номер патента: US20110129972A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US7390709B2. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz,Ramune Nagisetty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-24.

STRUCTURE AND METHOD TO MODULATE THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs)

Номер патента: US20130316503A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE-WIDTH DEPENDENCY IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20150228490A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Langdon Steven. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Method for reducing high K metal gate device threshold voltage fluctuation

Номер патента: CN105304568A. Автор: 景旭斌,何志斌. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-03.

Method and apparatus for a semiconductor device with a high-k gate

Номер патента: SG118387A1. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Forming STI Regions After Gate Metals

Номер патента: US20130075820A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

High-k metal gate electrode structures formed by reducing a gate fill aspect ratio in replacement gate technology

Номер патента: US8716120B2. Автор: Klaus Hempel,Andy Wei,Martin Mazur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

PARTIAL SACRIFICIAL DUMMY GATE WITH CMOS DEVICE WITH HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20140217481A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lu Yu,Haensch Wilfried E.,Jaeger Daniel J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated Circuits Having a Plurality of High-K Metal Gate FETs with Various Combinations of Channel Foundation Structure and Gate Stack Structure and Methods of Making Same

Номер патента: US20150287645A1. Автор: McWilliams Bruce,Ranade Pushkar,Zhao Dalong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

DUAL SILICIDE FORMATION METHOD TO EMBED SPLIT GATE FLASH MEMORY IN HIGH-K METAL GATE (HKMG) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150333082A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Kao Ya-Chen,Chu Fang-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

N/P METAL CRYSTAL ORIENTATION FOR HIGH-K METAL GATE Vt MODULATION

Номер патента: US20140154848A1. Автор: Yang Chi-Ming,Lin Chin-Hsiang,CHERN Chyi Shyuan,Lin Su-Horng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING HIGH-K/METAL GATE EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR DEVICE

Номер патента: US20130153929A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-20.

TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES AND EMBEDDED STRAIN-INDUCING SEMICONDUCTOR ALLOYS FORMED IN A LATE STAGE

Номер патента: US20130240988A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRIC ELEMENTS AND FAST HIGH-K METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20130270619A1. Автор: Baars Peter,Schloesser Till. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-17.

Contact for High-K Metal Gate Device

Номер патента: US20130328115A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-12.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

Methods of forming high-k/metal gates for nfets and pfets

Номер патента: US20090250760A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Hongwen Yan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated method for forming high-k metal gate FinFET devices

Номер патента: US8034677B2. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Integrated method for forming high-k metal gate finfet devices

Номер патента: US20110207279A1. Автор: Chia-Pin Lin,Hsien-Chin Lin,Shyue-Shyh Lin,Wen-Sheh Huang,Tian-Choy GAN,Chia-Lung HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Nonvolatile Memory Bitcell With Inlaid High K Metal Select Gate

Номер патента: US20150041875A1. Автор: Perera Asanga H.. Владелец: Freescale Seminconductor, Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US20050194648A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US7217985B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20180337173A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20170317073A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20200126975A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Vertical transport fets having a gradient threshold voltage

Номер патента: US20190172922A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Vertical transport FETs having a gradient threshold voltage

Номер патента: US10600883B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

FinFET with Metal Gate Stressor

Номер патента: US20150056774A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Wei-Hsiung Tseng,Andrew Joseph Kelly,Pei-Shan Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09698061B2. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Conductive spline for metal gates

Номер патента: US09548384B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Steve Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09514998B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09502313B1. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor device with metal gate etch selectivity control

Номер патента: US20180174915A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chia-Ching Tsai,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US20200286994A1. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

High-K Metal Gate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20190341317A1. Автор: Yeh Ming-Hsi,Chuang Ying-Liang,Huang Kuo Bin,Huang Ju-Li,Chiang Chih-Long. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Vertical Metal Insulator Metal Capacitor Having a High-K Dielectric Material

Номер патента: US20170373056A1. Автор: JOU Chewn-PU,BAO Tien-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Vertical metal insulator metal capacitor having a high-K dielectric material

Номер патента: US9793264B1. Автор: Tien-I Bao,Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for self-aligned removal of a high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20090057813A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN A HIGH-K GATE ELECTRODE STRUCTURE AFTER TRANSISTOR FABRICATION BY USING LANTHANUM

Номер патента: US20140015058A1. Автор: Beyer Sven,Carter Richard,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

MOSFET structure and fabrication process for decreasing threshold voltage

Номер патента: US5729037A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,True-Lon Lin,Danny Chi Nim. Владелец: MegaMOS Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electroless plating method for metal gate fill

Номер патента: US12107150B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-uniform gate oxide thickness for dram device

Номер патента: US20170179133A1. Автор: Arvind Kumar,Tristan MA,Steven Sherman,Simon Ruffell,Kyu-Ha Shim,John Hautala. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Etch Stop Layer Formation In Metal Gate Process

Номер патента: US20130277764A1. Автор: Michael P. Chudzik,Zhengwen Li,Ramachandra Divakaruni,Unoh Kwon,Richard S. Wise,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Replacement metal gate with borderless contact

Номер патента: WO2012066019A1. Автор: David Vaclav Horak,Theodorus Eduardus Standaert,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for creating metal gate resistor in FDSOL and resulting device

Номер патента: US09431424B1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method to Form a Polysilicon Nanocrystal Thin Film Storage Bitcell within a High K Metal Gate Platform Technology Using a Gate Last Process to Form Transistor Gates

Номер патента: US20150054044A1. Автор: HONG CHEONG Min,Kang Sung-Taeg,Yater Jane A.,Perera Asanga H.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-02-26.

LOW THICKNESS DEPENDENT WORK-FUNCTION nMOS INTEGRATION FOR METAL GATE

Номер патента: WO2019014448A1. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Atashi Basu,Naomi Yoshida,Sang Ho Yu,Paul F. Ma,Shih Chung CHEN,Liqi Wu,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-17.

Low Thickness Dependent Work-Function nMOS Integration For Metal Gate

Номер патента: US20190019874A1. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Atashi Basu,Naomi Yoshida,Sang Ho Yu,Paul F. Ma,Shih Chung CHEN,Liqi Wu,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

SALICIDED STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013197A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

RECESSED SALICIDE STRUCTURE TO INTEGRATE A FLASH MEMORY DEVICE WITH A HIGH K, METAL GATE LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160013198A1. Автор: Liu Ming Chyi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

EMBEDDED SONOS WITH A HIGH-K METAL GATE AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20190103414A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-04.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: US20110241119A1. Автор: George Liu,Kuei Shun Chen,Chia-Ching Lin,Jiann Yuan Huang,Meng-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

A high-k dielectric material and methods of forming the high-k dielectric material

Номер патента: WO2012021318A2. Автор: Tsai-Yu Huang,Ching-Kai Lin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

STRUCTURE AND METHOD OF Tinv SCALING FOR HIGH k METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20140170844A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Radens Carl J.,Guo Dechao,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876068B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

METHODS FOR HIGH TEMPERATURE ETCHING A HIGH-K GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130344701A1. Автор: Liu Wei,SHEN MEIHUA,Willwerth Michael D.,Palagashvili David,MATSUSUE Eiichi,DESHMUKH Shashank C.,PHAN Anh-Kiet Quang,SHIN Jong I.,FINCH Barrett,KAWASE Yohei. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Structure And Method For A High-K Transformer With Capacitive Coupling

Номер патента: US20150325517A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process

Номер патента: CN101298663A. Автор: 施里亚斯·凯尔,德加尔·戈亚尼,巴拉志·卡南. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Structure and method for a high-K transformer with capacitive coupling

Номер патента: US9633940B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of predicting lifetimes of MISFET having a high-k gate dielectric and integrated circuit

Номер патента: TW200625537A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Image sensor with trenched filler grid within a dielectric grid including a reflective portion, a buffer and a high-K dielectric

Номер патента: US09490288B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Wang Chun-Ying,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Zhe-Ju Liu,Feng-Chien Hsieh,Shih-Ciang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

STRUCTURE AND METHOD FOR NFET WITH HIGH K METAL GATE

Номер патента: US20150004779A1. Автор: ZHU Ming,LIU Chi-Wen,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

A kind of method for forming high-k/metal gate

Номер патента: CN103811319B. Автор: 陈勇,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

System and method for providing alignment mark for high-k metal gate process

Номер патента: CN102332448A. Автор: 黄建元,林家庆,陈孟伟,陈桂顺,刘家助. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

INTEGRATED PATCH ANTENNA HAVING AN INSULATING SUBSTRATE WITH AN ANTENNA CAVITY AND A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20220368012A1. Автор: Chen Ching-Hui,KUO Feng Wei,Liao Wen-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: KR101037308B1. Автор: 리 첸,히로미츠 감바라,노부히로 이와마,메이키 코,히로마사 모치키,마사아키 하기하라. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-05-27.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US20050260347A1. Автор: Pravin Narwankar,Gregg Higashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: US8119210B2. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material

Номер патента: WO2005117087A1. Автор: Gregg Higashi,Pravin K. Narwankar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: US20050164511A1. Автор: Lee Chen,Akiteru Ko,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: WO2004109772A2. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-12-16.

Low temperature method of forming a gate stack with a high k layer deposited over an interfacial oxide layer

Номер патента: US6806145B2. Автор: Eric Shero,Suvi Haukka,Christophe Pomarede,Marko Tuominen,Jan Willem Hub Maes. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2004-10-19.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI239563B. Автор: Shah Uday,Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,Jack Kavalieros. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

HIGH-K METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180122893A1. Автор: Yang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Atomic layer deposition of high k metal silicates

Номер патента: WO2004017378A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems, Ltd.. Дата публикации: 2004-02-26.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: AU2003263872A8. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Electrical Test Structure for Devices Employing High-K Dielectrics or Metal Gates

Номер патента: US20130140564A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: EP1019968A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-19.

Low threshold voltage diode-connected FET

Номер патента: US6097247A. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-08-01.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1999-04-08.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20150236260A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20140319449A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Electrical test structure for devices employing high-k dielectrics or metal gates

Номер патента: US20140203280A1. Автор: Robert C. Lutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US20090200637A1. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Methods and devices for a high-k stacked capacitor

Номер патента: US7902033B2. Автор: Binghua Hu,Byron Lovell Williams,Betty Mercer,Scott Montgomery,Maxwell Walthour Lippitt, III. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A3. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-06-17.

High threshold voltage nmos transistors for low power ic technology

Номер патента: US20130196476A1. Автор: Jun Yuan,Huiling Shang,Victor W. C. Chan,Roger Allen Booth, Jr.,Narasimhulu Kanike,Varadarajan Vidya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY PRESERVING A RESIST MATERIAL ABOVE END CAPS OF GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20130267044A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

LOGIC HIGH-K/METAL GATE 1T-1C RRAM MTP/OTP DEVICES

Номер патента: US20160093672A1. Автор: Li Xia,Perry,Kang Seung Hyuk,JR. Daniel Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

INTEGRATION TECHNIQUES FOR MIM OR MIP CAPACITORS WITH FLASH MEMORY AND/OR HIGH-k METAL GATE CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20160225846A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,LIU Chen-Chin,Wang Yu-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Post silicide testing for replacement high-k metal gate technologies

Номер патента: US8610451B2. Автор: David M. Fried,Ishtiaq Ahsan,Lidor Goren,Jiun-Hsin Liao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US6884475B2. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Chemical vapor deposition method for depositing a high k dielectric film

Номер патента: US20040228968A1. Автор: Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

Voltage detector, method for setting reference voltage and computer readable medium

Номер патента: US09666287B2. Автор: Satoshi Takehara,Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

TFT modulating threshold voltage and flat panel display having the same

Номер патента: US20050110017A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Myeong-Seob So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US12100740B2. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of fabricating dual threshold voltage n-channel and p-channel mosfets with a single extra masked implant operation

Номер патента: US20030094659A1. Автор: Kaizad R. Mistry,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Clamp for a hybrid switch

Номер патента: US09998115B1. Автор: Sorin Georgescu,Hartley Horwitz,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Clamp for a hybrid switch

Номер патента: US09871510B1. Автор: Sorin Georgescu,Hartley Horwitz,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Nitrogen implantation using a shadow effect to control gate oxide thickness in DRAM semiconductor

Номер патента: US6967147B1. Автор: Jochen Beintner,Helmut Horst Tews. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-22.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US20080176350A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US7397075B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135106A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of increasing field inversion threshold voltage and reducing leakage current and electrical noise in semiconductor devices

Номер патента: US4154873A. Автор: Robert E. Hickox,Heber J. Bresee. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US20160049940A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3195477A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage P-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US09628081B2. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2016025261A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Threshold voltage defined switches for programmable camouflage gates

Номер патента: WO2017176381A3. Автор: Swaroop Ghosh,Anirudh Srikant IYENGAR,Deepakreddy VONTELA,Ithihasareddy NIRMALA. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-12-21.

A threshold voltage (vth), power supply (vdd), and temperature compensation bias circuit for cmos passive mixer

Номер патента: SG147283A1. Автор: Tan Chun Geik,Masaaki Itoh. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2008-11-28.

Evaluating the lifetime and reliability of a TFT in a stress test using gate voltage and temperature measurements

Номер патента: US5838022A. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Electrostatic discharge protection for a magnetoresistive sensor

Номер патента: US20150123655A1. Автор: Icko E. T. Iben,Ephrem G. Gebreselasie,Alain Loiseau,Andreas D. Stricker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor fuse with measurement circuit for the detecting of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297128A1. Автор: Stefan Hofinger. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Electrostatic discharge protection for a magnetoresistive sensor

Номер патента: US20160148628A1. Автор: Icko E. T. Iben,Ephrem G. Gebreselasie,Alain Loiseau,Andreas D. Stricker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: US09824767B1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Electrostatic discharge protection for a magnetoresistive sensor

Номер патента: US09601139B2. Автор: Icko E. T. Iben,Ephrem G. Gebreselasie,Alain Loiseau,Andreas D. Stricker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Device and method for improved threshold voltage distribution for non-volatile memory

Номер патента: US09524784B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

TTL to CMOS level translator with voltage and threshold compensation

Номер патента: US5731713A. Автор: Robert J. Proebsting,Hyunsoo Sim. Владелец: Townsend and Townsend and Crew LLP. Дата публикации: 1998-03-24.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of forming a substrate comprising a titanium layer or foil covered with a titanium oxide layer covered with a high k ceramic, electrode, capacitor, mutilayer capacitor and medical device using it

Номер патента: WO2024120850A3. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for enabling multiple vt devices using high-k metal gate stacks

Номер патента: WO2009056417A1. Автор: Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Vamsi Paruchuri,Jeffrey Sleight,Martin Michael Frank. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-07.

Logic high-k/metal gate 1t-1c rram mtp/otp devices

Номер патента: WO2016048681A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Daniel Wayne PERRY JR.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

High k metal-insulator-metal (mim) capacitor network for lag mitigation

Номер патента: US20240244350A1. Автор: Duli Mao,Woon Il Choi,Bill Phan,Yuanliang Liu,Yifei Du,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Crossed nanobeam structure for a low-threshold germanium laser

Номер патента: US09595812B2. Автор: Jelena Vuckovic,Jan A. Petykiewicz,Shashank Gupta,Krishna C. Saraswat,Donguk Nam,Devanand S. Sukhdeo. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-03-14.

Low threshold current laser

Номер патента: US5172384A. Автор: Saied N. Tehrani,Herbert Goronkin,Michael S. Lebby. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-12-15.

Diagnostic system for a voltage regulator

Номер патента: US09728359B1. Автор: Kerfegar K. Katrak,Kunal Tipnis. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Low-threshold supercontinuum generation in bulk dielectrics and semiconductors

Номер патента: EP4252323A1. Автор: Igor Moskalev,Sergey Vasilyev,Mike Mirov. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Low-threshold supercontinuum generation in bulk dielectrics and semiconductors

Номер патента: US20240103337A1. Автор: Igor Moskalev,Sergey Vasilyev,Mike Mirov. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Pvt compensated delay cell for a monostable

Номер патента: EP3758224A1. Автор: Marco Zamprogno,Alireza TAJFAR. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-30.

Electronic device for protecting components from surge voltage, and structure thereof

Номер патента: EP3813344A1. Автор: Jongsung Lee,JinGook Kim,Junsik PARK,Cheolgu JO,Byongsu SEOL. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2021-04-28.

Semiconductor fuse with detection circuit for the detection of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297492A1. Автор: Stefan Hofinger,Stefan Hagenauer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Startup procedure for a passive infrared sensing circuit

Номер патента: US12117346B2. Автор: James P. Steiner,Dinesh Sundara Moorthy. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

External-cavity-free low-threshold perovskite laser device and application thereof

Номер патента: US20240006857A1. Автор: Dawei Di,Yaxiao LIAN,Xuhui CAO,Shiyu XING. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of preparing an active medium for a liquid laser

Номер патента: US3558504A. Автор: Charles Brecher,Kenneth W French. Владелец: General Telephone and Electronics Corp. Дата публикации: 1971-01-26.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Circuit architecture and layout for a voting interlocked logic cell

Номер патента: WO2023204878A1. Автор: Klas Lilja. Владелец: Klas Lilja. Дата публикации: 2023-10-26.

Circuit architecture and layout for a voting interlocked logic cell

Номер патента: WO2023204878A9. Автор: Klas Lilja. Владелец: Klas Lilja. Дата публикации: 2024-02-15.

PROGRAMMABLE/RE-PROGRAMMABLE DEVICE IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20130229882A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Memory cell using BTI effects in high-k metal gate MOS

Номер патента: US8432751B2. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Memory cell using bti effects in high-k metal gate mos

Номер патента: TWI470633B. Автор: Anisur Rahman,Chia-Hong Jan,Walid M Hafez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Display device having organic light emitting diode with low threshold layer

Номер патента: US11895858B2. Автор: Hayata AOKI. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and methods for a controller for reducing power loss of power converters

Номер патента: US12057764B2. Автор: Lieyi Fang,Xiangkun Zhai,Tuofu Liu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

MOS dynamic load circuit for switching high voltages and adapted for use with high threshold transistors

Номер патента: US4580067A. Автор: Robert J. Proebsting,Donald R. Dias. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1986-04-01.

Ring oscillator and delay circuit using low threshold voltage type MOSFETS

Номер патента: US6154100A. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Noise suppression circuit for a switchable transistor

Номер патента: US20170005650A1. Автор: Denis Sergeevich SHUVALOV. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Enabling white space networks independent of low-threshold sensing

Номер патента: EP2586229A2. Автор: Thomas Moscibroda,Ranveer Chandra,Paramvir Bahl,Rohan Narayana Murty. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-05-01.

Enabling white space networks independent of low-threshold sensing

Номер патента: EP2586229A4. Автор: Thomas Moscibroda,Ranveer Chandra,Paramvir Bahl,Rohan Narayana Murty. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Enabling white space networks independent of low-threshold sensing

Номер патента: WO2011163271A2. Автор: Thomas Moscibroda,Ranveer Chandra,Paramvir Bahl,Rohan Narayana Murty. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2011-12-29.

Dynamic threshold voltage compensation

Номер патента: US09746894B1. Автор: Vigneswaran Rajagopalan. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Noise suppression circuit for a switchable transistor

Номер патента: US09729345B2. Автор: Denis Sergeevich SHUVALOV. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Segmented driver for a transistor device

Номер патента: US09601985B2. Автор: Ibrahim S. Kandah,Kim R. Gauen,Fred T. Brauchler,Steven R. Everson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Circuit for making a CRT display a TV picture for a copy with dots superposed on half-tone picture areas

Номер патента: US4205340A. Автор: Masanobu Morishita,Yoshio Yui,Akiyoshi Kouno. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Electrostatic discharge protection for a transformer balun

Номер патента: US09806521B2. Автор: Michael G. Khazhinsky,Ravi K. Kummaraguntla. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-phase turn-on blanking time with VBATT-based fault threshold voltage

Номер патента: US09733296B2. Автор: Jorge GONZALEZ-AMAYA,Chung Heum Baik. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Circuit and method for controlling operation voltage, and storage device

Номер патента: US09564886B2. Автор: Jun Xiao,Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Inverter including transistors having different threshold voltages and memory cell including the same

Номер патента: US20230170907A1. Автор: Seokhyeong Kang,Youngchang CHOI,Sunmean KIM,Kyongsu Lee. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and Device for Determining Voltages and/or Powers Available in an Electrical Recharging Network

Номер патента: US20170256959A1. Автор: Maurice Gagnaire,Fadi Abi Abdallah. Владелец: Institut Mines Telecom IMT. Дата публикации: 2017-09-07.

Method and device for determining voltages and/or powers available in an electrical recharging network

Номер патента: US10193367B2. Автор: Maurice Gagnaire,Fadi Abi Abdallah. Владелец: Institut Mines Telecom IMT. Дата публикации: 2019-01-29.

Method for measuring resistance for a subscriber line interface circuit using a protective circuit

Номер патента: US20050238165A1. Автор: Alberto Canella,Gerhard NÖSSING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-27.

Detector of differential threshold voltage

Номер патента: EP1738186A1. Автор: Sami Ajram,Florent Garcia,Franck Strazzieri. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Digitizer for a digital receiver system

Номер патента: US20080284631A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Mario Chiricosta,Pietro Antonio Paolo Calo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-11-20.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US12075714B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Diagnostic system for a DC-DC voltage converter

Номер патента: US09964599B2. Автор: Kerfegar K. Katrak,Mehdi Rexha. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Pre-charging and voltage supply system for a DC-AC inverter

Номер патента: US09748768B2. Автор: Alexander Jeffrey SMITH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Device and method for quantising and inverse quantising lpc filters in super-frame

Номер патента: RU2509379C2. Автор: Редван САЛАМИ,Брюно БЕССЕТТ,Филипп ГУРНЕ. Владелец: Войсэйдж Корпорейшн. Дата публикации: 2014-03-10.

Low Voltage and High Driving Charge Pump

Номер патента: US20130222050A1. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or reistance drift tolerant moving baseline memory data

Номер патента: GB201301474D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Scalable eos and aging tolerant level shifter for a high voltage design for thin gate technology

Номер патента: US20230092548A1. Автор: Raj Dua,Hari Vijay Venkatanarayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Device, system, and method for providing a low-voltage fault ride-through for a wind generator farm

Номер патента: WO2006127844A3. Автор: Anthony William Galbraith,Colin David Schauder,Janos Rajda. Владелец: Janos Rajda. Дата публикации: 2007-12-13.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: WO2018004836A1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Adaptable voltage control for a variable gain amplifier

Номер патента: US20050258900A1. Автор: Guangming Yin,Mario Caresosa. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Adaptable voltage control for a variable gain amplifier

Номер патента: US20060028270A1. Автор: Guangming Yin,Mario Caresosa. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Adaptable voltage control for a variable gain amplifier

Номер патента: US20070069817A1. Автор: Guangming Yin,Mario Caresosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Adaptable voltage control for a variable gain amplifier

Номер патента: US7135926B2. Автор: Guangming Yin,Mario Caresosa. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-11-14.

Threshold voltage and delay time setting circuit, and battery management system including the same

Номер патента: US20140016239A1. Автор: Jin-Tae Kim,Eun CHEON. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Method and apparatus for a brown out detector

Номер патента: US09991886B2. Автор: Anand Subramanian,Subramanian J. Narayan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Transform and inverse transform circuit and method

Номер патента: US09918088B2. Автор: QIANG LI,Fei Su,Yinglai XI,Jumei LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for adjusting shutdown threshold voltage, startup method, and electronic devices thereof

Номер патента: US09665166B2. Автор: Jie Zou,Konggang Wei,Qiang XIONG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for a brown out detector

Номер патента: US09634653B2. Автор: Anand Subramanian,Subramanian J. Narayan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Restoring OFF-state stress degradation of threshold voltage

Номер патента: US09531371B2. Автор: Alessio Spessot,Moon Ju Cho. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Low voltage and high driving charge pump

Номер патента: US09438103B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and system for a programmable parallel computation and data manipulation accelerator

Номер патента: US09432180B2. Автор: Bryan Doi,Lee P. Noehring,Michael Dean Collins. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-08-30.

Signaling method using constant reference voltage and devices thereof

Номер патента: US20150097606A1. Автор: Kyung Hoi Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-09.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

Circuits, Systems, and Methods for a Voltage Controlled Oscillator with Coarse, Fine, and Center Tuning

Номер патента: US20090033433A1. Автор: Gregory Blum,George Jordy. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Dynamic brown-out threshold voltage for power control

Номер патента: US20160285438A1. Автор: Per Torstein ROINE,Danielle Griffith,Stefan Dannenberger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Electronic circuit breaker with self-triggering protection for a vehicle, and a method therefor

Номер патента: US12128776B2. Автор: Georgios Papadopoulos,Hans-Peter Nee,Carl Tengstedt,Christer Roos,Jens Gustavsson. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2024-10-29.

Dynamic voltage/frequency scaling for multi-processors using end user experience metrics

Номер патента: US09904612B2. Автор: Tongzeng Yang,Chukwuchebem Chinemelum Orakwue. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic brown-out threshold voltage for power control

Номер патента: US09812948B2. Автор: Per Torstein ROINE,Danielle Griffith,Stefan Dannenberger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Signaling method using constant reference voltage and devices thereof

Номер патента: US09786355B2. Автор: Kyung Hoi Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Programmable resistor array for a continuous time PGA filter

Номер патента: US09742369B2. Автор: Nitin Agarwal,Aniruddha Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power stealing circuitry for a control device

Номер патента: US09620991B2. Автор: Pierre Simard,Benoit Meilleur,Daniel Tousignant. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for compensating thin film transistor threshold voltage drift

Номер патента: US09571090B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Gate controlling apparatus for a thyristor valve

Номер патента: CA1063672A. Автор: Hisao Amano,Ryuji Iyotani,Fumio Ogata,Atsumi Watanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-02.

Electronic circuit for a timepiece

Номер патента: GB2015205A. Автор: . Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-05.

Rapid starter switch for a fluorescent lamp

Номер патента: US4360762A. Автор: Hiromi Adachi,Seiichiro Yamamoto,Shoichi Iwaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Light emitting diode failure detection system for a vehicle

Номер патента: US10065563B2. Автор: Scott Troutman,Kevin Cornelius. Владелец: Truck Lite Co LLC. Дата публикации: 2018-09-04.

Balancing voltage for a multi-cell battery system

Номер патента: EP2649700A1. Автор: Steven Diamond,Reinhard Hofmann,Martin F. Eberhard,Alexander Barke,Jessica Riley,Manfred Ammler,Marc Tarpenning. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2013-10-16.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Inverse-image sampling device, inverse-image sampling method, and inverse-image sampling program

Номер патента: US11216533B2. Автор: Yuki Tanaka,Kazuhiko Minematsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-01-04.

Unified forward and inverse transform architecture

Номер патента: US11995147B2. Автор: Madhukar Budagavi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Unified forward and inverse transform architecture

Номер патента: US11163852B2. Автор: Madhukar Budagavi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Unified Forward and Inverse Transform Architecture

Номер патента: US20200226198A1. Автор: Madhukar Budagavi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Oscillator having compensation for a schmitt trigger response delay

Номер патента: US6172573B1. Автор: Chang-sik Lim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-01-09.

Supply modulators with voltage and frequency partitioning

Номер патента: US09813088B2. Автор: Zhiyuan ZHOU,Deukhyoun HEO,Nghia Tang. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2017-11-07.

Power saving method for a mobile terminal

Номер патента: GB2384655B. Автор: Kazuhiro Arimitsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Ram having a stabilized substrate bias and low-threshold narrow-width transfer gates

Номер патента: US4262298A. Автор: Hsing T. Tuan,Donald L. Henderson, Sr.,Robert N. Ruth, Jr.. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1981-04-14.

Power converter circuit for a lighting device

Номер патента: US11924939B2. Автор: Ryan M. Bocock,Quinn BROGAN. Владелец: Lutron Technology Co. Дата публикации: 2024-03-05.

Maximum frequency adjustment control for a switched capacitor power converter

Номер патента: US20240154526A1. Автор: Arvind Raghavan,Tamir Salus,Huanhuan Zhang,Keng Chen,Christopher SCHAEF,Gayathri Devi Sridharan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Ram having a stabilized substrate bias and low-threshold narrow-width transfer gates

Номер патента: WO1981000791A1. Автор: D Henderson,R Ruth,H Tuan. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1981-03-19.

Ramp down sensing between program voltage and verify voltage in memory device

Номер патента: WO2019199372A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Power converter circuit for a lighting device

Номер патента: US20240215131A1. Автор: Ryan M. Bocock,Quinn BROGAN. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Organic thin film devices with stabilized threshold voltage and mobility, and method for preparing the devices

Номер патента: US20110272674A1. Автор: Yongqiang Wang,Beatrice Fraboni,Piero Cosseddu,Annalisa Bonfiglio,Michael Anthony Nastasi. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Raising programming currents of magnetic tunnel junctions using word line overdrive and high-k metal gate

Номер патента: US8879308B2. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: WO2009016606A3. Автор: Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser,Beek Jozef Thomas Martinus Van,Marieke Klee. Владелец: Marieke Klee. Дата публикации: 2009-08-06.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

High-k metal gate device structure for human blood gas sensing

Номер патента: US20140299922A1. Автор: Chen Shi,Yanfeng Wang,Sufi Zafar,Steven E. Steen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

HIGH-K METAL GATE DEVICE STRUCTURE FOR HUMAN BLOOD GAS SENSING

Номер патента: US20140300340A1. Автор: Zafar Sufi,Wang Yanfeng,SHI CHEN,Steen Steven E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

Cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: US20100202254A1. Автор: Mareike Klee,Jozef Thomas Martinus Van Beek,Klaus Reimann,Aarnoud Laurens Roest,John Douglas Fraser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-08-12.

cmuts with a high-k dielectric

Номер патента: CN101772383A. Автор: M·克莱,J·D·弗雷泽,K·赖曼,A·L·鲁斯特,J·T·M·范贝克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-07-07.

High-k metal oxide thin films, method for forming thereof and devices comprising the same

Номер патента: KR100866305B1. Автор: 강상원,박판귀. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-10-31.

Power circuit applying AC voltage and DC voltage to respective terminals of a capacitor, for outputting AC voltage shifted in accordance with the DC voltage

Номер патента: US20050146225A1. Автор: Ryuji Yamamoto,Tomoshi Yoshida,Kazunori Nohara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Systems and methods for a reference circuit in a dual bit flash memory device

Номер патента: US20070058439A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Han-Sung Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Flash memory having low threshold voltage distribution

Номер патента: US5978278A. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Detector circuit with low threshold voltage and high voltage input

Номер патента: US20140091859A1. Автор: David Kung. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Dual-threshold-voltage two-port sub-threshold SRAM cell apparatus

Номер патента: US20100172194A1. Автор: Wei Hwang,Mu-Tien Chang,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-08.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Process, voltage, and temperature tracking SRAM retention voltage regulator

Номер патента: US09792979B1. Автор: Michael A. Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

SRAM array with temperature-compensated threshold voltage

Номер патента: US20030151956A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Pacing lead with porous electrode for stable low threshold high impedance pacing

Номер патента: US5991667A. Автор: Frederick Feith. Владелец: Vitatron Medical BV. Дата публикации: 1999-11-23.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09659639B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09455029B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

High impedance, low polarization, low threshold miniature steriod eluting pacing lead electrodes

Номер патента: US5282844A. Автор: Kenneth B. Stokes,Fred Lindemans. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 1994-02-01.

Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display

Номер патента: US09830854B2. Автор: JungHyeon Kim,Taegung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Circuit for Sensing Threshold Voltage and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180190203A1. Автор: Tae Ho Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Time-based signal acquisition apparatus and method using sawtooth-shaped threshold voltage

Номер патента: US20180299566A1. Автор: Jae Sung Lee,Guen Bae KO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Ultra fast transistor threshold voltage extraction

Номер патента: US09678140B2. Автор: Ming Fang,Faheem Zain MOHAMEDI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Threshold voltage sensing circuit of organic light-emitting diode display device

Номер патента: US09620053B2. Автор: Ji-Hun Kim,Hae-Won Lee,Yeong-Joon Son,Kyoung-Jik Min. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High speed threshold voltage and average surface doping measurements

Номер патента: US20030173988A1. Автор: William Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20130322182A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Display driver and threshold voltage measurement method

Номер патента: US20100321367A1. Автор: Yoshihiro Shona. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for managing threshold voltage, and method for reading flash data

Номер патента: US20230298676A1. Автор: Yunxin Huang,Haojun Fang. Владелец: Dapustor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US09715430B2. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-07-25.

Resource and core scaling for improving performance of power-constrained multi-core processors

Номер патента: US09606842B2. Автор: Nam Sung Kim. Владелец: National Science Foundation (NSF). Дата публикации: 2017-03-28.

Compensation of threshold voltage in driving transistor of organic light emitting diode display device

Номер патента: US09466243B2. Автор: Joongsun Yoon,Minjae Shin,Nayoung BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and system of reading threshold voltage equalization

Номер патента: US09454420B1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon,Jinagli Zhu,Yeuh Yale Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Locked axle detector for a multi-axle traction vehicle

Номер патента: US4161717A. Автор: James Long,James W. Hoover,Edward S. Matulevich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1979-07-17.

Adjustable programming pulses for a multi-level cell

Номер патента: US20220392560A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Amitava Majumdar,Xuan-Anh Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages

Номер патента: EP2030205A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-04.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Read amplifier subcircuit for a DRAM memory

Номер патента: US20020024854A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A3. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A2. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-11-13.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20180102146A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Speed-regulating device for a rotating wheel set of a timepiece

Номер патента: US20240337984A1. Автор: Jean-Jacques Born,Pierpasquale Tortora,Cedric Nicolas,Baptiste Hinaux. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2024-10-10.

Device for measuring threshold voltage of a transistor based on constant drain voltage and constant drain source current

Номер патента: US09989582B2. Автор: Jung-Hyun Park,Seong-Ook Jung,Youngjae AN,Kiryong KIM,Hyucksang YIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-06-05.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US09911466B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Technology mapping apparatus for a combination circuit for use in automatically synthesizing an LSI logic circuit

Номер патента: US5311442A. Автор: Hisayo Fukushima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-05-10.

Method and configuration to allow a lower wordline boosted voltage operation while increasing a sensing signal with access transistor threshold voltage

Номер патента: US20030081447A1. Автор: Louis Hsu,Toshiaki Kirihata,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Temperature compensation circuit and method for a display panel and display panel

Номер патента: US20190108792A1. Автор: Zhenling Wang,Tai-Jiun Hwang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of controlling threshold voltage of NROM cell

Номер патента: US20050190596A1. Автор: Chao Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: US20120075924A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: EP2619764A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09672772B2. Автор: Ui Taek JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fault detection scheme for a variable reluctance sensor interface having a differential input and adaptive control

Номер патента: US5493214A. Автор: Brian K. Good,Mark R. Keyse. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1996-02-20.

Memory sub-system threshold voltage modification operations

Номер патента: US20230395176A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20150340086A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20160358647A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Threshold voltage analysis

Номер патента: EP3146348A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Threshold voltage analysis

Номер патента: WO2015179340A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array

Номер патента: US20040027871A1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Programming and erasing methods for a reference cell of an NROM array

Номер патента: EP1225596B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Sensor network design and inverse modeling for reactor condition monitoring

Номер патента: AU2018271327B2. Автор: Krishnan Kumaran,Limin Song,Jing Bo Wang,Bhaskar Sengupta. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2020-05-14.

Nozzle for a fan assembly

Номер патента: US12049902B2. Автор: Steven Eduard PEET,Ryan Alexander HUGHES,Joseph Robert CARLING,Peter Harley,Timothy Neil JUKES,Lucy HORTON,Charles Edward POUGET. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Nozzle for a fan assembly

Номер патента: US11767853B2. Автор: Steven Eduard PEET,Ryan Alexander HUGHES,Joseph Robert CARLING,Peter Harley,Timothy Neil JUKES,Lucy HORTON,Charles Edward POUGET. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Source-receiver position estimation using direct arrival modeling and inversion

Номер патента: AU2018325477B2. Автор: Bernard Deschizeaux,Vetle Vinje,Carl-Inge NILSEN. Владелец: Sercel SAS. Дата публикации: 2024-07-25.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Low Threshold Voltage And Inversion Oxide thickness Scaling For A High-K Metal Gate P-Type MOSFET

Номер патента: US20130034940A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Choi Changhwan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

REDUCING THE INVERSION OXIDE THICKNESS OF A HIGH-K STACK FABRICATED ON HIGH MOBILITY SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140001516A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

REDUCING THE INVERSION OXIDE THICKNESS OF A HIGH-K STACK FABRICATED ON HIGH MOBILITY SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140004674A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Sacrificial Spacer Approach for Differential Source/Drain Implantation Spacers in Transistors Comprising a High-K Metal Gate Electrode Structure

Номер патента: US20120156837A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Ruttloff Kerstin,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD FOR FABRICATING A HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120164824A1. Автор: JIANG LI,Li Mingqi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

CONTROL OF FLATBAND VOLTAGES AND THRESHOLD VOLTAGES IN HIGH-K METAL GATE STACKS AND STRUCTURES FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20120286338A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

N-CHANNEL TRANSISTOR COMPRISING A HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURE AND A REDUCED SERIES RESISTANCE BY EPITAXIALLY FORMED SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS

Номер патента: US20130032877A1. Автор: Flachowsky Stefan,Ostermay Ina,Illgen Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

CREATING AN EMBEDDED RERAM MEMORY FROM A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221317A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazosky David. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049293A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Reduced Threshold Voltage-Width Dependency and Reduced Surface Topography in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures by a Late Carbon Incorporation

Номер патента: US20120282744A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

Non-volatile Memory Cell Having A High K Dielectric And Metal Gate

Номер патента: US20130032872A1. Автор: KOTOV Alexander,Su Chien-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Structure and Method to Modulate Threshold Voltage For High-K Metal Gate Field Effect Transistors (FETs)

Номер патента: US20130313643A1. Автор: Ponoth Shom,Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Schmitz Stefan,Holmes Steven J.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Methods for high temperature etching a high-k material gate structure

Номер патента: CN101339903A. Автор: 刘炜,沈美华,松末英一,肖尚可·德谢穆克,川濑羊平,安基特·强·潘,戴维·帕拉加什利,迈克尔·D·威沃思,约翰·I·夏恩,巴尔特·芬奇. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

STRUCTURE AND METHOD TO IMPROVE THRESHOLD VOLTAGE OF MOSFETS INCLUDING A HIGH K DIELECTRIC

Номер патента: US20120168874A1. Автор: Liang Qingqing,Greene Brian J.,Maciejewski Edward P.,Leobandung Effendi,Wang Yanfeng,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY REDUCING A GATE FILL ASPECT RATIO IN REPLACEMENT GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120319205A1. Автор: Wei Andy,Hempel Klaus,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

The manufacture method of high-K metal gate electrode and high-K metal gate structure thereof

Номер патента: CN103187255B. Автор: 韩秋华,黄怡,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

METHOD AND STRUCTURE FOR GATE HEIGHT SCALING WITH HIGH-K/METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20120126335A1. Автор: Chudzik Michael P.,Liang Yue,DONATON Ricardo A.,HENSON William K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

Combined Substrate High-K Metal Gate Device and Oxide-Polysilicon Gate Device, and Process of Fabricating Same

Номер патента: US20120292708A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

HIGH-K/METAL GATE TRANSISTOR WITH L-SHAPED GATE ENCAPSULATION LAYER

Номер патента: US20120299122A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey W.,MO Renee T.,NATZLE Wesley C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Preserving a Resist Material Above End Caps of Gate Electrode Structures

Номер патента: US20130065329A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan-Detlef,Wiatr Maciej. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

ENHANCED GATE REPLACEMENT PROCESS FOR HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGY

Номер патента: US20130154021A1. Автор: ZHU Ming,Chuang Hak-Lay. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-20.

High-K Metal Gate Electrode Structure Formed by Removing a Work Function on Sidewalls in Replacement Gate Technology

Номер патента: US20130168773A1. Автор: Hempel Klaus,Stephan Rolf,PRINDLE Christopher. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks by Using a Multi-Layer Contact Level

Номер патента: US20130214335A1. Автор: Prindle Christopher M.,Groschopf Johannes F.,Ott Andreas R.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

CET AND GATE CURRENT LEAKAGE REDUCTION IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY HEAT TREATMENT AFTER DIFFUSION LAYER REMOVAL

Номер патента: US20130288435A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin,Bayha Boris,Grass Carsten. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Metal Finger Capacitor for High-K Metal Gate Processes

Номер патента: US20130113077A1. Автор: ITO Akira,WOO Agnes Neves,Tran Pascal,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,Wang Jung. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

Gate P type water seal installation parameter measuring tool

Номер патента: CN215598257U. Автор: 刘文亮,刘文忠,周益,董万里,樊小波. Владелец: China Yangtze Power Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-21.

STRUCTURE AND METHOD FOR A HIGH-K TRANSFORMER WITH CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20130099352A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Lin Yu-Ling,Kuo Chin-Wei,Chen Ho-Hsiang,Jeng Min-Chie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-25.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140001573A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140004695A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Integration fabrication method of a CMOS device with a high-k layer

Номер патента: TW200625541A. Автор: Chih-Wei Yang,Cheng-Tzung Tsai,Wen-Tai Chiang,Wei-Min Lin,Yi-Sheng Hsieh,Wei Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

BARRIER COAT FOR ELIMINATION OF RESIST RESIDUES ON HIGH k/METAL GATE STACKS

Номер патента: US20120018813A1. Автор: Wang Junli,SUNAMURA Hiroshi,Jagannathan Hemanth,Holmes Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys Formed in a Late Stage

Номер патента: US20120025266A1. Автор: Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Beyer Sven,Griebenow Uwe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Polysilicon Resistors Formed in a Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120049291A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF FABRICATING DUAL HIGH-K METAL GATE FOR MOS DEVICES

Номер патента: US20120086085A1. Автор: Lin Kang-Cheng,Huang Kuo-Tai,Hsu Peng-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-12.

STRUCTURE OF HIGH-K METAL GATE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20120098067A1. Автор: Yuan Jun,Yin Haizhou,Luo Zhijiong,Park Dae-Gyu,Gluschenkov Oleg,Schepis Dominic. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

FABRICATION OF SEMICONDUCTORS WITH HIGH-K/METAL GATE ELECTRODES

Номер патента: US20120112281A1. Автор: Pal Rohit,Waidmann Stephan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

POST SILICIDE TESTING FOR REPLACEMENT HIGH-K METAL GATE TECHNOLOGIES

Номер патента: US20120119778A1. Автор: Fried David M.,Ahsan Ishtiaq,Goren Lidor,Liao Jiun-Hsin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

SILICON REMOVAL FROM SURFACES AND METHOD OF FORMING HIGH K METAL GATE STRUCTURES USING SAME

Номер патента: US20120135590A1. Автор: . Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

STRUCTURE AND METHOD FOR Vt TUNING AND SHORT CHANNEL CONTROL WITH HIGH K/METAL GATE MOSFETs

Номер патента: US20120138953A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120146160A1. Автор: Tan Shyue Seng,Yin Chunshan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

PERFORMANCE ENHANCEMENT IN TRANSISTORS COMPRISING HIGH-K METAL GATE STACKS AND AN EMBEDDED STRESSOR BY PERFORMING A SECOND EPITAXY STEP

Номер патента: US20120153354A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

High-K Metal Gate Electrode Structures Formed by Cap Layer Removal Without Sacrificial Spacer

Номер патента: US20120161243A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

Transistor Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures Including a Polycrystalline Semiconductor Material and Embedded Strain-Inducing Semiconductor Alloys

Номер патента: US20120161250A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS

Номер патента: US20120163103A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Rahman Anisur. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

METHODS OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120164822A1. Автор: Lin Jr Jung,CHEN Ryan Chia-Jen,Lin Yih-Ann,Chen Chien-Hao,Huang Kuo-Tai,Chen Yi-Hsing. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for Enabling Multiple Vt Devices Using High-K Metal Gate Stacks

Номер патента: US20120181610A1. Автор: Narayanan Vijay,Sleight Jeffrey,Frank Martin M.,Kumar Arvind,Paruchuri Vamsi K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD AND STRUCTURE FOR PMOS DEVICES WITH HIGH K METAL GATE INTEGRATION AND SiGe CHANNEL ENGINEERING

Номер патента: US20120181631A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120184073A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,Kothandaraman Chandrasekharan,BOOTH,JR. ROGER A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

Номер патента: US20120187522A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Complementary Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Epitaxially Formed Semiconductor Materials in the Drain and Source Areas

Номер патента: US20120211838A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Beernink Gunda. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Superior Integrity of High-K Metal Gate Stacks by Capping STI Regions

Номер патента: US20120223407A1. Автор: Baars Peter,Scheiper Thilo,Beyer Sven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-06.

SUPERIOR INTEGRITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS BY REDUCING STI DIVOTS BY DEPOSITING A FILL MATERIAL AFTER STI FORMATION

Номер патента: US20120235245A1. Автор: Pal Rohit,Kronholz Stephan-Detlef. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20120292719A1. Автор: TEH Young Way,AQUILINO Michael V.,SHEIKH Arifuzzaman (Arif),TAN Yun Ling,ZHANG Hao,NAIR Deleep R.,LI Jinghong H. (John). Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

DUMMY PATTERNS FOR IMPROVING WIDTH DEPENDENT DEVICE MISMATCH IN HIGH-K METAL GATE PROCESS

Номер патента: US20130009250A1. Автор: Hsu Tse-Hsiang,Ko Ching-Chung,LEE Tung-Hsing. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

WORK FUNCTION ADJUSTMENT IN HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES BY SELECTIVELY REMOVING A BARRIER LAYER

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Lenski Markus,Hempel Klaus,Schroeder Vivien,Metzger Joachim,Binder Robert. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

HIGH-K METAL GATE ELECTRODE STRUCTURES FORMED BY EARLY CAP LAYER ADAPTATION

Номер патента: US20130034942A1. Автор: Wei Andy,Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

SELF-ALIGNED INSULATED FILM FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130056837A1. Автор: Peng Chih-Tang,Jeng Pei-Ren,Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,LIN Hui-Wen,Lin Ta-Wei,Yeh Chih-Yang,Yang Jen-Sheng,Tu Yuan-Tien,Ng Jin-Aun,Chang Maxi,Kao Jung-Hui,Lo Shih-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-07.

CONTACT FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE

Номер патента: US20130069174A1. Автор: Chuang Hak-Lay,Young Bao-Ru,Lin Huan-Just,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Li Tsai-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-21.

HIGH-K METAL GATE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20130168751A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,HUANG CHUNG-LIN,Chu Ron Fu. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

MULTIPLE HIGH-K METAL GATE STACKS IN A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130277766A1. Автор: Carter Richard,Kelwing Torben,Trentzsch Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

SUPERIOR STABILITY OF CHARACTERISTICS OF TRANSISTORS HAVING AN EARLY FORMED HIGH-K METAL GATE

Номер патента: US20130316511A1. Автор: Kronholz Stephan,Lenski Markus,Zakowsky Nadja. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

PREVENTING FULLY SILICIDED FORMATION IN HIGH-K METAL GATE PROCESSING

Номер патента: US20130328135A1. Автор: Guo Dechao,Bu Huiming,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang,Ramachandran Ravikumar,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

Method to Improve Reliability of High-k Metal Gate Stacks

Номер патента: US20140120707A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Linder Barry P.,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

High-K metal gate CMOS device and forming method thereof

Номер патента: CN105448831A. Автор: 库尔班·阿吾提. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-30.

Fin-shaped active area is prepared the method for high-K metal gate

Номер патента: CN103295889B. Автор: 严钧华,张明华,丁弋,方精训. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

Superior Integrity of a High-K Gate Stack by Forming a Controlled Undercut on the Basis of a Wet Chemistry

Номер патента: US20120086056A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

ENHANCING INTEGRITY OF A HIGH-K GATE STACK BY PROTECTING A LINER AT THE GATE BOTTOM DURING GATE HEAD EXPOSURE

Номер патента: US20130157432A1. Автор: Beyer Sven,Seliger Frank,GRASSHOFF Gunter. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

REPLACEMENT GATE STRUCTURE FOR TRANSISTOR WITH A HIGH-K GATE STACK

Номер патента: US20130175630A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Cartier Eduard A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

INTEGRATING FORMATION OF A REPLACEMENT GATE TRANSISTOR AND A NON-VOLATILE MEMORY CELL USING A HIGH-K DIELECTRIC

Номер патента: US20130330893A1. Автор: Shroff Mehul D.,HALL MARK D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Method and system for etching a high-k dielectric material

Номер патента: TW200426941A. Автор: Lee Chen,Hiromitsu Kambara,Masaaki Hagihara,Nobuhiro Iwama,Hiromasa Mochiki,Meiki Koh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

METHODS OF TAILORING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH-K/METAL LAYER GATE STRUCTURES BY PERFORMING A FLUORINE IMPLANT PROCESS

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Hoentschel Jan,Pandey Shesh Mani,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

SIGNAL DRIVER CIRCUIT HAVING ADJUSTABLE OUTPUT VOLTAGE FOR A HIGH LOGIC LEVEL OUTPUT SIGNAL

Номер патента: US20120002489A1. Автор: Lee Seong-Hoon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Material on basis of diamond with low threshold of field emission of electrons

Номер патента: RU2137242C1. Автор: С.К. Гордеев,С.Г. Жуков,В.Г. Ральченко,А.В. Карабутов,П.И. Белобров. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Карбид". Дата публикации: 1999-09-10.

Method of direct and inverse fast two-dimensional wavelet-transform

Номер патента: RU2540781C1. Автор: Анатолий Германович Шоберг,Кирилл Анатольевич Шоберг. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИмПро Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Efficient fixed-point approximation for direct and inverse discrete cosine transforms

Номер патента: RU2496139C2. Автор: Юрий РЕЗНИК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-10-20.

Radar station with pulse-by-pulse carrier frequency tuning, neural network recognition of objects and inverse antenna aperture synthesis

Номер патента: RU2439611C1. Автор: Дмитрий Геннадьевич Митрофанов. Владелец: Дмитрий Геннадьевич Митрофанов. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of generating integer orthogonal decorrelating matrices of given dimensions for forward and inverse decorrelating transformation of video images and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2509437C1. Автор: Ольга Владимировна Евстигнеева,Александр Николаевич Кошарновский,Андрей Александрович Бондаренко,Василий Дмитриевич Лебедев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем". Дата публикации: 2014-03-10.

A low threshold flashlamp-pumped nd:yag laser

Номер патента: MY162204A. Автор: Bidin Noriah,Rahman Tamuri Abd,Mat Daud Yaacob. Владелец: Univ Malaysia Teknologi. Дата публикации: 2017-05-31.

Efficient fixed-point approximation for direct and inverse discrete cosine transforms

Номер патента: RU2417423C2. Автор: Юрий РЕЗНИК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-04-27.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.