Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20130322182A1
Опубликовано: 05-12-2013
Автор(ы): Pantas Sutardja
Принадлежит: MARVELL WORLD TRADE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20110310672A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8149626B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: WO2009026364A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2009-02-26.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8014206B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-09-06.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20110001547A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20120176846A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09659639B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09455029B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20150340086A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20160358647A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Threshold voltage analysis

Номер патента: EP3146348A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Threshold voltage analysis

Номер патента: WO2015179340A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US20230326493A1. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US11942179B2. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for managing threshold voltage, and method for reading flash data

Номер патента: US20230298676A1. Автор: Yunxin Huang,Haojun Fang. Владелец: Dapustor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US09520183B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Systems and methods for modeless read threshold voltage estimation

Номер патента: US11769556B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US20150243351A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: EP2748821A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: WO2013032928A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Pre-program detection of threshold voltages of select gate transistors in a memory device

Номер патента: US09418751B1. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Calibration of threshold voltage shift values

Номер патента: US12087379B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: WO2023018453A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Calibration of threshold voltage shift values

Номер патента: US20240071542A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20190355406A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Apparatuses and methods for compute components formed over an array of memory cells

Номер патента: US20210110858A1. Автор: Jason T. ZAWODNY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Threshold voltage distribution determination

Номер патента: US09607692B2. Автор: Mark A. Helm,Feng Pan,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for measuring the threshold voltage of flash EEPROM memory cells being applied a variable control gate bias

Номер патента: US5966330A. Автор: Yuan Tang,Chien-Sheng Su. Владелец: Eon Silicon Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Measuring threshold voltage distribution in memory using an aggregate characteristic

Номер патента: EP1993101A3. Автор: Mark Shlick,Menahem Lasser. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-07-08.

Readout from memory cells subjected to perturbations in threshold voltage distributions

Номер патента: US12148496B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate,Roy Roth. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: WO2021126885A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US11763896B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20230017981A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20210183454A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Adaptive calibration for threshold voltage offset bins

Номер патента: US20230395170A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Read threshold voltage estimation systems and methods for parametric PV-level modeling

Номер патента: US11769555B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Adaptive read threshold voltage tracking with gap estimation between adjacent read threshold voltages

Номер патента: US20190122726A1. Автор: Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

Flash memory having low threshold voltage distribution

Номер патента: US5978278A. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Die by die trimming of drain-side select gate threshold voltage to reduce cumulative read disturb

Номер патента: US20230410912A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

State dependent VPVD voltages for more uniform threshold voltage distributions in a memory device

Номер патента: US11790992B2. Автор: Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Temperature dependent sensing scheme to counteract cross-temperature threshold voltage distribution widening

Номер патента: US09530512B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Abuzer DOGAN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Techniques for threshold voltage scans

Номер патента: US20240029800A1. Автор: Ciro Feliciano,Aniello Palomba,Antonio Imperiale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Verification of an excessively high threshold voltage in a memory device

Номер патента: US20200395089A1. Автор: Sang-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230034752A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US20230402110A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Enhanced programmable pulsewidth modulating circuit for array clock generation

Номер патента: US20100302895A1. Автор: Tobias Werner,Rolf Sautter,Yuen H. Chan,Michael J. H. Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US11972817B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US11961566B2. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods

Номер патента: US20110261635A1. Автор: Lawrence T. Clark,David R. Allee,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-10-27.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Temperature dependent sensing scheme to counteract cross-temperature threshold voltage distribution widening

Номер патента: WO2016043959A1. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Abuzer DOGAN. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-03-24.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: EP4049279A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: WO2021167638A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Dynamic and adaptive optimization of read compare levels based on memory cell threshold voltage distribution

Номер патента: US20110194348A1. Автор: Nima Mokhlesi,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2011-08-11.

Sense circuit for use in variable threshold transistor memory arrays

Номер патента: US4179626A. Автор: Harry G. Oehler. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1979-12-18.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Threshold voltage offset bin selection based on die family in memory devices

Номер патента: US11791004B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael Sheperek,Steve Kientz,Anita Ekren,Gerald Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: WO2018048490A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: EP3455857A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-20.

Circuit and method for sensing memory cell having multiple threshold voltages

Номер патента: US6069830A. Автор: Seok-Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Systems and methods for parametric pv-level modeling and read threshold voltage estimation

Номер патента: US20220336039A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods and apparatuses for determining threshold voltage shift

Номер патента: US09536603B2. Автор: Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20180102146A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: WO2018004836A1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US09911466B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: US09824767B1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory programming using consecutive coarse-fine programming operations of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230360705A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Giovanni Maria Paolucci. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Non-equal threshold voltage ranges in MLC NAND

Номер патента: US7639532B2. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20190325921A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Multi-pass programming with modified pass voltages to tighten threshold voltage distributions

Номер патента: EP3711052A1. Автор: Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of controlling threshold voltage of NROM cell

Номер патента: US20050190596A1. Автор: Chao Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Read retry threshold voltage selection

Номер патента: US20210027845A1. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Chenrong Xiong,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: EP3769308A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: US20200227094A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: EP3619710A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-11.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: WO2019022811A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: US20100177569A1. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A3. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: David Alan Heisley. Дата публикации: 2009-07-09.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A2. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-14.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Block Health Monitoring Using Threshold Voltage Of Dummy Memory Cells

Номер патента: US20180075919A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Efficient reprogramming method for tightening a threshold voltage distribution in a memory device

Номер патента: US20150325297A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: WO2019221790A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory device with improved threshold voltage distribution and operating method thereof

Номер патента: US20240161842A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Sejun Park,Joonam KIM,Hyeji Lee,Kangin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20150143171A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US9679656B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method, electronic device and controller for recovering array of memory cells

Номер патента: US20160300616A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Threshold voltage expansion

Номер патента: EP3180789A1. Автор: Sanjay Rangan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON,Hanmant P. Belgal,Abhinav PANDEY,Arjun KRIPANIDHI,Sebastian T. Uribe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-21.

Semiconductor memory device and method of controlling a threshold voltage of the same

Номер патента: US6157571A. Автор: Koji Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-05.

System approach to reduce stable threshold voltage (vt) read disturb degradation

Номер патента: US20200118637A1. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Rohit S. Shenoy,Hinesh K. SHAH,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Programming to minimize cross-temperature threshold voltage widening

Номер патента: US20210050054A1. Автор: Peter Rabkin,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Gerrit Jan Hemink,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Threshold voltage expansion

Номер патента: US20160049209A1. Автор: Sanjay Rangan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON,Hanmant P. Belgal,Abhinav PANDEY,Arjun KRIPANIDHI,Sebastian T. Uribe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

A high-speed memory array using variable threshold transistors

Номер патента: US3624618A. Автор: Andrew James Lincoln. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1971-11-30.

System and apparatus for redundant array of independent disks striping against programming failures

Номер патента: US20240220169A1. Автор: Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory sub-system threshold voltage modification operations

Номер патента: US20230395176A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Dram positive wordline voltage compensation device for array device threshold voltage and voltage compensating method thereof

Номер патента: US20110080771A1. Автор: Ryan Andrew Jurasek,Richard Michael Parent,Benjamin James STEMBRIDGE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

A method circuit and system for operating an array of non-volatile memory ("nvm") cells and a corresponding nvm device

Номер патента: WO2010131198A3. Автор: Aner Arussi. Владелец: INFINITE MEMORIES LTD.. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor nonvolatile memory apparatus including threshold voltage shift circuitry

Номер патента: US5331597A. Автор: Sumio Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Circuit arrangement for the lowering of the threshold voltage of a diode configured transistor

Номер патента: US6501673B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Antonino Geraci,Carlo Lisi,Vincenzo Dima. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-31.

Threshold voltage margin analysis

Номер патента: US09728278B2. Автор: Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Abolfazl Rashwand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Threshold voltage margin analysis

Номер патента: US20170301408A1. Автор: Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Abolfazl Rashwand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US12075714B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and system of reading threshold voltage equalization

Номер патента: US09454420B1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon,Jinagli Zhu,Yeuh Yale Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US9583205B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device having memory cell pairs defining data based on threshold voltages

Номер патента: US10658031B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Threshold voltage based on program/erase cycles

Номер патента: US11776629B2. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil, Jr.,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method to improve flash EEPROM cell write/erase threshold voltage closure

Номер патента: US5949717A. Автор: Jian-Hsing Lee,Kuo-Reay Peng,Ming-Chou Ho,Juang-Ker Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Systems and methods for threshold voltage modification and detection

Номер патента: US20190122742A1. Автор: Daniel B. Penney,William C. Waldrop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Extra dummy erase pulses after shallow erase-verify to avoid sensing deep erased threshold voltage

Номер патента: US8130551B2. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-03-06.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Electronic circuit with array of programmable logic cells

Номер патента: EP1597825A2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-11-23.

Electronic circuit with array of programmable logic cells

Номер патента: US7271617B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-18.

Arrays of nonvolatile memory cells

Номер патента: WO2012074662A3. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

Threshold voltage measurement device

Номер патента: US20130301343A1. Автор: Yi-Wei Lin,Wei-Chiang Shih,Ching-Te Chuang,Nan-Chun Lien,Shao-cheng WANG,Shyh-Jye Jou,Geng-Cing Lin,Ming-Chien Tsai,Kuen-Di Lee,Jyun-Kai Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Threshold voltage compensation circuit of thin film transistor and method for the same, shift register, and display device

Номер патента: US09418756B2. Автор: Lujiang Huangfu,Yinan LIANG,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or reistance drift tolerant moving baseline memory data

Номер патента: GB201301474D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US11922041B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US20240057489A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Compensating for variations in selector threshold voltages

Номер патента: US09966127B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Self-convergent method for programming FLASH and EEPROM memory cells that moves the threshold voltage from an erased threshold voltage range to one of a plurality of programmed threshold voltage ranges

Номер патента: US5808937A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Method for compensating thin film transistor threshold voltage drift

Номер патента: US09571090B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

SRAM array with temperature-compensated threshold voltage

Номер патента: US20030151956A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Dual-threshold-voltage two-port sub-threshold SRAM cell apparatus

Номер патента: US20100172194A1. Автор: Wei Hwang,Mu-Tien Chang,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-08.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory controller, memory system with improved threshold voltage distribution characteristics, and operation method

Номер патента: US11894079B2. Автор: Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Hyeji Lee,Raeyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20220328560A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20210233958A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20230363181A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US11792999B2. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US11978509B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Method and configuration to allow a lower wordline boosted voltage operation while increasing a sensing signal with access transistor threshold voltage

Номер патента: US20030081447A1. Автор: Louis Hsu,Toshiaki Kirihata,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

One selector one resistor RAM threshold voltage drift and offset voltage compensation methods

Номер патента: US11004508B2. Автор: Daniel Bedau,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US11843055B2. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US20240113223A1. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Shift register unit and threshold voltage compensation method thereof, driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20210035517A1. Автор: Wei Feng,Xingyi LIU,Yongxian XIE,Jideng ZHOU,Yanchun LU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Receiver with time-varying threshold voltage

Номер патента: US09843309B2. Автор: QI Lin,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20230266904A1. Автор: Steven Michael Kientz,Max Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20240143214A1. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Structure And Method For Adjusting Threshold Voltage Of The Array Of Transistors

Номер патента: US20120217561A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US9484464B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US8058187B2. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US20100173503A1. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Data storage device compensating for initial threshold voltage distribution shift, method of operating the same, and data processing system including the same

Номер патента: US09875044B2. Автор: Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Dong Hwan Lee,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Goa circuit and display panel for reducing threshold voltage shift of transistor by pulling down signal during blank time of scan signal

Номер патента: US11837188B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-tier threshold voltage offset bin calibration

Номер патента: US11783901B2. Автор: Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Mustafa N. Kaynak,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US20140362638A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US20170004873A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US9666267B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: WO2000052702A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Systems and methods for stabilizing cell threshold voltage

Номер патента: US11830548B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Backplane for an array of emissive elements

Номер патента: US20220108651A1. Автор: Bo Li,Edwin Lyle Hudson. Владелец: Jasper Display Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Backplane for an array of emissive elements

Номер патента: US11847957B2. Автор: Bo Li,Edwin Lyle Hudson. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory controller, memory device and memory system having improved threshold voltage distribution characteristics and related operating methods

Номер патента: US11854623B2. Автор: Dongkyo Shim,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Ring oscillator and delay circuit using low threshold voltage type MOSFETS

Номер патента: US6154100A. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Single clock CMOS logic circuit with selected threshold voltages

Номер патента: US4250406A. Автор: Allan A. Alaspa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Semiconductor memory device comprising controllable threshold voltage dummy memory cells

Номер патента: US20080055983A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hideaki Kurata,Satoshi Noda,Masahiro Shimizu,Kenji Kozakai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Backplane for an array of emissive elements

Номер патента: US20200410923A1. Автор: Bo Li,Edwin Lyle Hudson. Владелец: Jasper Display Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Intelligent allocation of programmable comparison operations for reducing the number of associative memory entries required

Номер патента: US20080244170A1. Автор: Ayaskanta Pani. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20190214390A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Array of Cross Point Memory Cells and Methods of Forming an Array of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20200152633A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Array Of Cross Point Memory Cells And Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20170330881A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

Номер патента: WO2017196918A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Alignment of instructions and replies across multiple devices in a cascaded system, using buffers of programmable depths

Номер патента: US20130103863A1. Автор: Tom Teng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Backplane for an array of emissive elements

Номер патента: US20240221627A1. Автор: Bo Li,Edwin Lyle Hudson. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Arrays Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor And Methods Of Forming Such Arrays

Номер патента: US20200219807A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: EP3750181A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20240237330A1. Автор: Andrea Gotti,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Array of capacitors, array of memory cells, and methods used in forming an array of capacitors

Номер патента: WO2024151576A1. Автор: Andrea Gotti,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Defect avoidance in a multidimensional array of functional configurable units

Номер патента: US11762665B2. Автор: Gregory F. Grohoski,Manish K. Shah,Kin Hing Leung. Владелец: SambaNova Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Switch for routing data in an array of functional configurable units

Номер патента: US11740911B2. Автор: Gregory F. Grohoski,Manish K. Shah,Kin Hing Leung. Владелец: SambaNova Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Cross-Point Array of Polymer Junctions with Individually-Programmed Conductances

Номер патента: US20210020241A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: US20230170023A1. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: US12033698B2. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electronic amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US20020025617A1. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-28.

Cross-Point Array of Polymer Junctions with Individually-Programmed Conductances

Номер патента: US20220044728A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Cross-point array of polymer junctions with individually-programmed conductances

Номер патента: US11842771B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,James B. Hannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: WO2021110807A1. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Electronics amplifier circuit having a switchable input transistor, matrix array of memory cells and matrix array of photodetectors

Номер патента: US6512713B2. Автор: Bernhard Wicht,Steffen Paul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-28.

Semiconductor device including threshold voltage measurement circuitry

Номер патента: US20180052196A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Implementing Enchanced Data Write for Multi-Level Cell (MLC) Memory Using Threshold Voltage-Drift or Resistance Drift tolerant Moving Baseline Memory Data

Номер патента: GB201301472D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Recovery from errors in a redundant array of disk drives

Номер патента: CA2066154A1. Автор: David W. Palmer,Spencer W. Ng,Richard S. Thompson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-12-19.

Time multiplexed redundant array of independent tapes

Номер патента: US09495247B2. Автор: Mario Blaum,Steven R. Hetzler,Pin Zhou,Veera W. Deenadhayalan,Robert M. Rees,Wayne C. Hineman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US20210303768A1. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Threshold voltage sensing circuit of organic light-emitting diode display device

Номер патента: US09620053B2. Автор: Ji-Hun Kim,Hae-Won Lee,Yeong-Joon Son,Kyoung-Jik Min. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display

Номер патента: US09830854B2. Автор: JungHyeon Kim,Taegung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Time-based signal acquisition apparatus and method using sawtooth-shaped threshold voltage

Номер патента: US20180299566A1. Автор: Jae Sung Lee,Guen Bae KO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for adjusting shutdown threshold voltage, startup method, and electronic devices thereof

Номер патента: US09665166B2. Автор: Jie Zou,Konggang Wei,Qiang XIONG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Restoring OFF-state stress degradation of threshold voltage

Номер патента: US09531371B2. Автор: Alessio Spessot,Moon Ju Cho. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods And Circuits To Reduce Threshold Voltage Tolerance and Skew In Multi-Threshold Voltage Applications

Номер патента: US20080122524A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Display driver and threshold voltage measurement method

Номер патента: US20100321367A1. Автор: Yoshihiro Shona. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US12100740B2. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: WO2023192355A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US12057067B2. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US20230120112A1. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Detector of differential threshold voltage

Номер патента: EP1738186A1. Автор: Sami Ajram,Florent Garcia,Franck Strazzieri. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage

Номер патента: US09519741B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US11809802B2. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: EP4394541A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Circuit for Sensing Threshold Voltage and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180190203A1. Автор: Tae Ho Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor fuse with measurement circuit for the detecting of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297128A1. Автор: Stefan Hofinger. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Organic light emitting display with sensor transistor measuring threshold voltages of driving transistors

Номер патента: US09734800B2. Автор: Sungman Han,Jongsik Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Capacitor structures for display pixel threshold voltage compensation circuits

Номер патента: US09647048B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Pixel circuit, driving method for threshold voltage compensation, and organic light emitting display device using the same

Номер патента: US09349318B2. Автор: Jin-Hyun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: US20240223142A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High speed threshold voltage and average surface doping measurements

Номер патента: US20030173988A1. Автор: William Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method with compensation of threshold voltage changes

Номер патента: US09721507B2. Автор: Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Threshold voltage defined switches for programmable camouflage gates

Номер патента: WO2017176381A3. Автор: Swaroop Ghosh,Anirudh Srikant IYENGAR,Deepakreddy VONTELA,Ithihasareddy NIRMALA. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-12-21.

TFT modulating threshold voltage and flat panel display having the same

Номер патента: US20050110017A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Myeong-Seob So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Threshold voltage detection circuit for OLED display device

Номер патента: US09947271B2. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of sensing threshold voltage in display panel, display driver integrated circuit performing the same and display device including the same

Номер патента: US20210020083A1. Автор: Jungmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Electronic circuit with array of programmable logic cells

Номер патента: EP1606878A1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-21.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A3. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A2. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor fuse with detection circuit for the detection of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297492A1. Автор: Stefan Hofinger,Stefan Hagenauer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US7671666B2. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Methods and circuits to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080246533A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-09.

Device for measuring threshold voltage of a transistor based on constant drain voltage and constant drain source current

Номер патента: US09989582B2. Автор: Jung-Hyun Park,Seong-Ook Jung,Youngjae AN,Kiryong KIM,Hyucksang YIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080265983A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Single-ended semiconductor receiver with built in threshold voltage difference

Номер патента: US20010000953A1. Автор: Claude Bertin,William Tonti,Russell Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-10.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135105A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Threshold voltage calibration and compensation circuit for a digital radiographic detector

Номер патента: US09851459B2. Автор: Timothy J. Tredwell. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135106A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09672772B2. Автор: Ui Taek JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for controlling threshold voltage

Номер патента: US09660622B2. Автор: Sung Ho Kim,Eric Hyunsurk RYU,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Threshold voltage (VT)-type transistor sensitive and/or fan-out sensitive selective voltage binning

Номер патента: US09653330B1. Автор: Robert J. McMahon,Jeanne P. Bickford,John R. Goss,Troy J. Perry,Thomas G. Sopchak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Threshold voltage generator

Номер патента: CA1157550A. Автор: Jacobus Van Der Mark. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 1983-11-22.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US20230317012A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US11823599B2. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US20230369421A1. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display device and method for correcting signal voltage using determined threshold voltage shift

Номер патента: US9805660B2. Автор: Hiroshi Hayashi,Takahiro Kawashima. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Detector circuit with low threshold voltage and high voltage input

Номер патента: US20140091859A1. Автор: David Kung. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for calculating threshold voltage of pocket implant MOSFET

Номер патента: US20050086014A1. Автор: Michiko Miura,Daisuke Kitamaru. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US09791497B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Electronic Devices Having Displays With Compensation for Oxide Transistor Threshold Voltage

Номер патента: US20200243012A1. Автор: David A. Doyle,Michael H. Lim,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Timothy M. Johnson,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Electronic devices having displays with compensation for oxide transistor threshold voltage

Номер патента: EP3686875A1. Автор: Timothy Johnson,Michael Lim,David Doyle,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Simple cmos threshold voltage extraction circuit

Номер патента: US20180307262A1. Автор: Weston Roper,Xiaoxin Feng. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Pixel circuit having threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US9355597B2. Автор: FEI Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

High speed method of measuring the threshold voltage and surface doping

Номер патента: EP1345032B1. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2010-10-13.

Cascode circuits in dual threshold voltage, bicmos and dtmos technologies

Номер патента: EP1264348A2. Автор: Surinder P. Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Systems and methods for array antenna calibration

Номер патента: US09705611B1. Автор: James B. West. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with data voltage applied at light-emitting device

Номер патента: US20190295473A1. Автор: TONG Lu,Naoki Ueda,Tim Michael Smeeton,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Threshold voltage detection method, detection device, and display device

Номер патента: US20240044950A1. Автор: Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus and method for measuring dynamic threshold voltage of nitride-based power device

Номер патента: WO2024108420A1. Автор: Feng Huang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Determining settings for arrays of printing components

Номер патента: US09946187B2. Автор: Haim Vladomirski,Pavel Blinchuk,Tsafrir YEDID AM. Владелец: HP Indigo BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and circuits for optimizing performance and power consumption in a design and circuit employing lower threshold voltage (LVT) devices

Номер патента: US8924902B2. Автор: Lew G. Chua-Eoan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Display device and method of sensing a threshold voltage

Номер патента: US20220406259A1. Автор: Joon-Chul Goh,Sangik Lee,Soo Yeon Lee,Kyeong Soo Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Circuit to compensate threshold voltage variation due to process variation

Номер патента: US20080116962A1. Автор: Edward J. Nowak,William F. Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: EP3394894A1. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US20180300443A1. Автор: Hiu Yung Wong,Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US20170149423A1. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Methods and apparatus for array based lidar systems with reduced interference

Номер патента: US12078756B2. Автор: Robert A. Laumeyer,Jamie E. Retterath. Владелец: SOS Lab Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US09991879B2. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US09837523B2. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09548020B2. Автор: Jin Hyoung Kim,Seung Tae Kim,Kyoung Sik Choi,Ui Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Organic light emitting display with threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US09478197B2. Автор: Sangho Yu,MunJun Lee,Yirang LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods and apparatuses for threshold voltage measurement and related semiconductor devices and systems

Номер патента: US10914780B2. Автор: Rajesh N. Gupta,Binoy Jose Panakkal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Pixel capable of adjusting a threshold voltage of a driving transistor

Номер патента: US11881169B2. Автор: Wonkyu Kwak,Yangwan Kim,Chulkyu Kang,Minku LEE,Jihyun KA,Kyonghwan OH,Kimyeong Eom,Jintae Jeong,Soongi KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Image Data Compensation Based on Predicted Changes in Threshold Voltage of Pixel Transistors

Номер патента: US20200388215A1. Автор: XIN Lin,Baris CAGDASER,Alex H. Pai,Yun Wang,Hyunsoo Kim,Yongjun Li,Chaohao WANG,Hyunwoo Nho,Majid Gharghi,Jiun-Jye Chang,Junhua Tan,Derek K. Shaeffer,Wei H. Yao,Ching-Sang Chuang,Mohammad Reza Esmaeili Rad,Hsin-Ying Chiu,Hei Kam,Shihchang Chang,Aida Raquel Colon-Berrios. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Stretchable display panel, method for compensating threshold voltage of transistor and computer readable storage medium

Номер патента: US20220068177A1. Автор: Qian Yang,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Structure, design structure and process for increasing magnitude of device threshold voltage for low power applications

Номер патента: US20120084741A1. Автор: Wagdi W. Abadeer,Lilian Kamal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of forming a layout including cells having different threshold voltages, a system of implementing and a layout formed

Номер патента: US20140165020A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yen-Pin Chen,Yuan-Te Hou,King-Ho Tam,Zhe-Wei Jiang,Sung-Yen YEH,Yeh-Chi CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and methods for array structure processing

Номер патента: US11755300B1. Автор: Man Pok Ho,Henry Fangli KAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US20180259569A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US20170328948A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

ASIC low power activity detector to change threshold voltage

Номер патента: US6097241A. Автор: Claude L. Bertin,Wilbur D. Pricer,Kenneth J. Goodnow,William R. Tonti,Alvar A. Dean. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Measuring threshold voltage of transistors in a circuit

Номер патента: US20080204156A1. Автор: Atul Maheshwari,Greg Taylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Hierarchical Phase Shift Apparatus for Array Antenna Weight Look Ahead, Elaboration, and Beam-splitting Methods

Номер патента: US20180269573A1. Автор: James Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-09-20.

Hierarchical Phase Shift Apparatus for Array Antenna Weight Look Ahead, Elaboration, and Beam-splitting Methods

Номер патента: US20180269574A1. Автор: James Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-09-20.

Hierarchical Phase Shift Apparatus for Array Antenna Weight Look Ahead, Elaboration, and Beam-splitting Methods

Номер патента: US20180269575A1. Автор: James Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-09-20.

Methods and apparatus for loading data into a plurality of programmable devices

Номер патента: US6900659B2. Автор: Jonathan Lasselet Goldfinch. Владелец: Anadigm Ltd. Дата публикации: 2005-05-31.

Virtualization of programmable integrated circuits

Номер патента: US09503093B2. Автор: Kornelis A. Vissers,Michaela Blott,Kimon Karras. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Order of programme transactions fixation and conflict management

Номер патента: RU2439663C2. Автор: Майкл М. МЭГРУДЕР,Линли ЧЖАН,Винод К. ГРОУВЕР,Дэвид ДЕТЛЕФС,Джон Джозеф ДАФФИ,Гетц ГРИФИ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-01-10.

Touch sensitive device using threshold voltage signal

Номер патента: WO2011060114A3. Автор: Brock A. Hable,Billy L. Weaver. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2011-10-13.

Threshold Voltage Compensation Circuit

Номер патента: KR100278608B1. Автор: 전진,권오경. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-01.

Adaptive threshold voltage for frequency input modules

Номер патента: US8981756B2. Автор: Joseph G. Vazach. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Line transient improvement through threshold voltage modulation of buffer-fet in linear regulators

Номер патента: US20210096587A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat,Chizim Obinuchi OKPARA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods, systems, and computer readable media for storage, retrieval, and use of programmable pipeline device profiles

Номер патента: US20210377146A1. Автор: Christian Paul Sommers. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for protection of programme execution

Номер патента: RU2468428C2. Автор: Давид ДЕКРУА,Луи-Филипп ГОНКАЛЬВ,Гийом РУДЬЕР. Владелец: Морфо. Дата публикации: 2012-11-27.

Method for detecting off-target sites of programmable nucleases in a genome

Номер патента: US20190153530A1. Автор: Dae Sik Kim,Jin Soo Kim,Sang Su Bae. Владелец: INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE. Дата публикации: 2019-05-23.

Embedded network on chip accessible to programmable logic fabric of programmable logic device in multi-dimensional die systems

Номер патента: US12063037B2. Автор: Sean R. Atsatt,Scott J. Weber,Ravi Prakash Gutala,Aravind Raghavendra Dasu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for detecting anomaly of execution system of programmable logic controller

Номер патента: RU2637435C1. Автор: Дмитрий Александрович Кулагин,Павел Владимирович Дякин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2017-12-04.

Virtual machines controlling separate subsets of programmable hardware

Номер патента: EP3519959A1. Автор: Mark Bradley Davis,Asif Khan,Nafea BShara,Robert Michael Johnson,Christopher Joseph Pettey,Islam Mohamed Hatem Abdulfattah Mohamed Atta. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Virtual machines controlling separate subsets of programmable hardware

Номер патента: WO2018064416A1. Автор: Mark Bradley Davis,Asif Khan,Nafea BShara,Robert Michael Johnson,Christopher Joseph Pettey,Islam Mohamed Hatem Abdulfattah Mohamed Atta. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of programmable logic controller operation

Номер патента: RU2743247C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Новиков,Владимир Анатольевич Потёмкин,Александр Николаевич Ковылин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Электротехническая Компания-Приборы Автоматики". Дата публикации: 2021-02-16.

Method and apparatus for determining in a computer which of a number of programmes are allowed to utilise a rapid access memory

Номер патента: CA1283487C. Автор: Sten Edward Johnson,Terje Egeland,Hans Enar Sundell,Erik Bertil Friman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1991-04-23.

Methods, systems, and computer readable media for on-demand, on-device compiling and use of programmable pipeline device profiles

Номер патента: US20210389954A1. Автор: Christian Paul Sommers. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for loading data into a plurality of programmable devices

Номер патента: EP1326186A1. Автор: Jonathan Lasselet Goldfinch. Владелец: Anadigm Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Method and device for evaluating workload of programmers

Номер патента: US20240069910A1. Автор: Jinglei REN,Hezheng Yin. Владелец: Merico Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Assembling method for array substrate and color filter substrate of liquid crystal display

Номер патента: US09536911B2. Автор: GUO Zhao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of monitoring execution system of programmable logic controller

Номер патента: RU2638000C1. Автор: Дмитрий Александрович Кулагин,Павел Владимирович Дякин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2017-12-08.

Hierarchical Phase Shift Apparatus for Array Antenna Weight Look Ahead, Elaboration, and Beam-splitting Methods

Номер патента: US20160072186A1. Автор: James Wang. Владелец: Kacst. Дата публикации: 2016-03-10.

True root-mean-square detection with a sub-threshold transistor bridge circuit

Номер патента: US8060040B2. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for configuration and optimisation of programmable photonic devices based on meshed structures of integrated optical wave guides

Номер патента: CA3122545A1. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy,Ivana GASULLA MESTRE. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of configuration and optimisation of programmable photonic devices

Номер патента: US12013569B2. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy,Ivana GASULLA MESTRE. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for array shape inferencing for a class of functions in MATLAB

Номер патента: US20040019881A1. Автор: Prithviraj Banerjee,Pramod Joisha,Nagaraj Shenoy. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2004-01-29.

Abstraction for Arrays in Integrated Circuit Models

Номер патента: US20130036391A1. Автор: Steven M. German. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of path planning for array-based pick-and-place performed with robotic arm and compensator for use with the method

Номер патента: US20170252927A1. Автор: Shu-Hung LIU,Chen-Ming WONG. Владелец: Hiwin Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of path planning for array-based pick-and-place performed with robotic arm and compensator for use with the method

Номер патента: US09833906B2. Автор: Shu-Hung LIU,Chen-Ming WONG. Владелец: Hiwin Technologies Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Image driven quality control for array-based PCR

Номер патента: US11836614B2. Автор: Yong Chu,Nivedita MAJUMBAR,Manjula ALIMINATI,Yongzhi Chen,Kevin PAPENFUSS. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Array substrate and mother-board for array substrates

Номер патента: US11961846B2. Автор: Xu Qin,LU Zhang,Siming HU,Quan Liu,Weilong Li,Zhenzhen HAN. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Low-power-consumption low-voltage digital temperature sensor

Номер патента: US20240310220A1. Автор: Chen Li,LU LIU,Jingjing Guo,Yufeng Guo,Zixuan Wang,Zhikuang CAI,Zushuai XIE. Владелец: Nanjing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2024-09-19.

Top loading multi-fiber ferrule and fiber insertion method for array fiber interconnection

Номер патента: US20150074967A1. Автор: Yao Li,Gang Xu,Yonglu Ma. Владелец: Alliance Fiber Optic Products Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

System for the detection of programmable stop codes

Номер патента: CA1233261A. Автор: Pierre Debesson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-02-23.

System and method for universal extensibility that supports a plurality of programmable logic controllers

Номер патента: US7565660B2. Автор: David E. Martin. Владелец: Siemens Energy and Automation Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Method for collecting data by a manufacturing process manager from a plurality of programmable logic controllers

Номер патента: CA2042790C. Автор: James F. Hall,John H. Faett, Iii. Владелец: Saturn Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Manufacturing method for insulation layer, manufacturing method for array substrate and array substrate

Номер патента: US20180005813A1. Автор: Deyong Fan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Configurable bnn asic using a network of programmable threshold logic standard cells

Номер патента: US20220121915A1. Автор: Sarma Vrudhula,Ankit Wagle,Sunil Khatri. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of making device for arraying biomolecules and for monitoring cell motility in real-time

Номер патента: US20030030184A1. Автор: Emanuele Ostuni,Gregory Kirk,Enoch Kim,Olivier Schueller. Владелец: Surface Logix Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Systems and methods for array level terrain based backtracking

Номер патента: US11888435B2. Автор: Nagendra Srinivas Cherukupalli,Andrew Joseph Morse. Владелец: FTC Solar Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature sensor capable of determining whether to convert reference voltage to voltage digital code based on condition, and devices having the same

Номер патента: US20230273073A1. Автор: Kwangho Kim,Cheolhwan LIM,Junhee Shin,Haejung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

High voltage digital voltmeter and wireless phaser

Номер патента: US09658265B2. Автор: William John Mcnulty,James S. Buchanan,Mark R. Hoffman. Владелец: HD Electric Co. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods for array binning flow cytometry data and systems for same

Номер патента: WO2023146623A1. Автор: Austin WU. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2023-08-03.

Illumination device having array of controlled emitters

Номер патента: RU2455706C2. Автор: Георг ЗАУЭРЛЕНДЕР,Бернд АКЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-07-10.

Transceiving module of active phased array of microwave range

Номер патента: RU2713079C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий,Максим Сергеевич Карасев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2020-02-03.

Method of collecting data through three-dimensional regular electromagnetic array of small integration cells

Номер патента: RU2500002C2. Автор: Чжаньсян ХЭ,Вэйбинь СУНЬ,Юэ Чжан,Юнтао ВАН,Дэцян ТАО,Цзучжи ХУ,Вэйфэн ЛО. Владелец: Бгп Инк., Чайна Нэшнл Петролеум Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-27.

Method for determining direction to target with digital antenna array of monopulse radar station

Номер патента: RU2761106C1. Автор: Сергей Евгеньевич Мищенко,Виталий Валентинович Шацкий,Николай Витальевич Шацкий. Владелец: Николай Витальевич Шацкий. Дата публикации: 2021-12-06.

Device for detecting infrared radiation, having resistive imaging bolometer, system having array of said bolometers, and method of reading imaging bolometer integrated into said system

Номер патента: RU2473059C2. Автор: Мишель ВИЛЕН,Бенуа ДЮПОН. Владелец: Юлис. Дата публикации: 2013-01-20.

Method for generating optimal combination of pairs of arrays of two groups of objects

Номер патента: RU2725185C1. Автор: Тамара Александровна Симонова,Глеб Владимирович Челышков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Обоз». Дата публикации: 2020-06-30.

Method for intelligent processing of array of non-uniform images

Номер патента: RU2767281C1. Автор: Владимир Юрьевич Лупанчук,Александр Владимирович Зайцев,Валерий Александрович Скиба,Максим Александрович Чаровский,Вячеслав Викторович Катин,Дмитрий Валерьевич Данилочев,Александр Леонидович Шиховцев,Виктор Михайлович Лазарев,Иван Евгеньевич Стручков,Александр Викторович Кулак. Владелец: Вячеслав Викторович Катин. Дата публикации: 2022-03-17.

Arrays of infrared sensors for monitoring occupants and vehicle windows

Номер патента: RU2716528C1. Автор: Клэй Уизли МЭРАНВИЛЛ,Виктория Ли ШЕЙН,Майк Джеймс УАЙТНС,Синтия Моуери ФЛАНИГАН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for generation of stimulating signals for implantable electrode array of cochlear implant (versions) and cochlear implant system

Номер патента: RU2491762C2. Автор: Клеменс М. ЦИРХОФЕР. Владелец: Мед-Эль Электромедицинише Герэте Гмбх. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of obtaining array of seismic data on analysed section

Номер патента: RU2738594C1. Автор: Жан-Люк БОЭЛЛЬ,Изабелла МАСОНИ,Реми ЭСТИВАЛЬ,Сандра БАРБУТО. Владелец: Тоталь Са. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of forming array of bragg fiber gratings with different reflection wavelengths

Номер патента: RU2690230C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-05-31.

Device for detecting electromagnetic radiation having resistive imaging bolometer, system having array of said devices and method of reading imaging bolometer of said system

Номер патента: RU2486689C2. Автор: Мишель ВИЛЕН,Бенуа ДЮПОН. Владелец: Юлис. Дата публикации: 2013-06-27.

Polariser based on array of nanoconductors

Номер патента: RU2413255C2. Автор: Валерий К. Смирнов,Дмитрий С. Кибалов. Владелец: Уостек, Инк.. Дата публикации: 2011-02-27.

Method of making array of optical elements (versions), article containing said array and method of making said article

Номер патента: RU2422861C2. Автор: Стивен Р. ЧЭПМЭН,Деннис И. КАЗИН,Кэцзянь ХУАН,Деннис И. КАЗИН (US),Кэцзянь ХУАН (US),Стивен Р. ЧЭПМЭН (US). Владелец: Эвери Деннисон Копэрейшн. Дата публикации: 2011-06-27.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: EP4391376A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Performing an operation on an array of values at a processing unit

Номер патента: US20240231826A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: US20240231913A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Performing an operation on an array of values at a processing unit

Номер патента: EP4390711A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Performing an operation on an array of values at a processing unit

Номер патента: GB2625583A. Автор: CSÉFALVAY Szabolcs. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and Device for Optically Exciting a Plurality of Analytes in an Array of Reaction Vessels and for Sensing Fluorescent Light from the Analytes

Номер патента: US20190240657A1. Автор: Hans-Joachim Polland,Martin Gutekunst. Владелец: Hain Lifescience GmbH. Дата публикации: 2019-08-08.

A method and system for automatic alignment of a transversal array of ultrasonic transducers

Номер патента: US20240180522A1. Автор: Alessandro Colombo,Leonardo Baldasarre,Marco TRAVAGLIATI,Federica CONFALONIERI. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Light source with an array of micro-leds

Номер патента: WO2023200924A9. Автор: Samir Mezouari,Wei Sin Tan,Andrea Pinos,John Lyle WHITEMAN. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for probing at arbitrary locations within an inaccessible array of leads the solder balls or pins actually connecting a VLSI IC package to a substrate or socket

Номер патента: US20070176611A1. Автор: Kenneth Johnson,Brent Holcombe,Brock LaMeres. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-08-02.

Keypad array of portable terminal for input of alphabetic letters

Номер патента: US20070222644A1. Автор: Young-Jae Jung,Hong-Jae Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Emulation of spatially distributed objects with a sparsely populated array of radar target simulators

Номер патента: US20240288545A1. Автор: Gregory S. Lee,Bernhard Holzinger,Karam Noujeim,Tom Vandeplas. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming high-density arrays of holes in glass

Номер патента: US09802855B2. Автор: Alexander Mikhailovich Streltsov,Robert Carl Burket,Heather Debra Boek,Daniel Ralph Harvey. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of finding the largest and smallest number in arbitrary array of binary multi-digit numbers and device for implementing said method

Номер патента: RU2710936C2. Автор: Владимир Викторович Храмов,Сергей Олегович Крамаров,Имран Гурру оглы Акперов,Ольга Юрьевна Митясова,Олег Юрьевич Романченко. Владелец: Частное образовательное учреждение высшего образования "ЮЖНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (ИУБиП)". Дата публикации: 2020-01-14.

Display device, method of controlling light emitting diode array of display device, and computer programme product

Номер патента: RU2516284C2. Автор: Альфред ПЕТЕРС,Дирк СЕЙНАВЕ,Кристоф ХУБЕК,Филип БРЮЙНЕЛЬ. Владелец: ТП Вижн Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2014-05-20.

Uniform electrochemical plating of metal onto arrays of pillars having different lateral densities and related technology

Номер патента: US11923329B2. Автор: Jonathan S. Hacker. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Displaying a three-dimensional image of a user using an array of infrared illuminators

Номер патента: EP4173286A1. Автор: Bhumika CHHABRA,Carla L. Christensen,Zahra Hosseinimakarem. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Displaying a three-dimensional image of a user using an array of infrared illuminators

Номер патента: WO2021262807A1. Автор: Bhumika CHHABRA,Carla L. Christensen,Zahra Hosseinimakarem. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-30.

Printer head with linear array of individually addressable diode-lasers

Номер патента: WO2002045007A1. Автор: Harry Asonen,Tuomo Konnunaho,Arto K. Salokatve,Jari Tapani Naeppi. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for arranging current source array of digital-to-analog converter and layout of common-source current source array

Номер патента: US20200067520A1. Автор: Junshi Qiao,Jiewei Lai,Te HAN. Владелец: Beijing Ziguang Zhanrui Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and system for detecting failure in an array of thermocouples connected in parallel

Номер патента: CA3171300A1. Автор: Issam Al-Khairy. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2023-03-13.

Uniform electrochemical plating of metal onto arrays of pillars having different lateral densities and related technology

Номер патента: US20240178175A1. Автор: Jonathan S. Hacker. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and process for the lateral deflection and separation of flowing particles by a static array of optical tweezers

Номер патента: US20050001063A1. Автор: David Grier,Pamela Korda. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2005-01-06.

Apparatus and process for the lateral deflection and separation of flowing particles by a static array of optical tweezers

Номер патента: EP1425944A1. Автор: David G. Grier,Pamela T. Korda. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2004-06-09.

Redundant array of independent disks (raid) management method, raid controller and system

Номер патента: EP3958125A1. Автор: Zhiming Zhu,Dengben WU,Yuanyue Zheng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Generation of multi-dimensional array of intermediate values in multiple code executions

Номер патента: US20240241703A1. Автор: Benjamin Goth Zorn,Andrew Donald Gordon,Advait SARKAR,John Herbert Martin WILLIAMS,Carina Suzana NEGREANU,Neil Blunt Toronto,Kasra FERDOWSIFARD,Ian Zachariah DROSOS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

A method and apparatus for making an array of optical fibers with very high pitch

Номер патента: WO2008053470A3. Автор: David BROOKS,Serge Steinblatt,Eli Arad. Владелец: Color Chip Israel Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Data storage system connectors with parallel array of dense memory cards and high airflow

Номер патента: EP3430869A1. Автор: Jawad B. Khan,Michael D. Nelson,Randall K. Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: EP4081956A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-11-02.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: US20220351063A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2022-11-03.

Readout of a quantum state in an array of quantum dots

Номер патента: WO2021133173A1. Автор: Cornelis Jacobus VAN DIEPEN,Tzu-Kan HSIAO. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-07-01.

Improved array of scanning sensors

Номер патента: WO2012036817A2. Автор: John A. Tardif. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

Microelectronic packages having an array of resilient leads and methods therefor

Номер патента: US20020145182A1. Автор: John Smith,Bruce McWilliams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Optical switch using an annular array of optical ports

Номер патента: US20040008925A1. Автор: Julie Fouquet,Datong Chen. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-01-15.

Searching an array of multi-byte elements using an n-byte search instruction

Номер патента: US20240256284A1. Автор: Motohiro Kawahito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Interrogation of arrays of equally spaced weak reflectors in optical fibers

Номер патента: US12044557B2. Автор: Shaul Ozeri,Nadav ARBEL,Avishay Eyal. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Array of electromagnetic radiation sensors with on-chip processing circuitry

Номер патента: WO2009013483A1. Автор: Stephen Morgan,Barrie Hayes-Gill. Владелец: THE UNIVERSITY OF NOTTINGHAM. Дата публикации: 2009-01-29.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A3. Автор: Mino Green. Владелец: Mino Green. Дата публикации: 2003-05-08.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: EP1438127A2. Автор: Mino Green. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2004-07-21.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A2. Автор: Mino Green. Владелец: IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2003-01-09.

Compute array of a processor with mixed-precision numerical linear algebra support

Номер патента: US20210182060A1. Автор: Andreas Wagner,Silvia Melitta Mueller,Brett Olsson,Brian W. Thompto,Jose E. Moreira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

System and method for scanning an object using an array of ultrasonic transducers

Номер патента: CA3138634C. Автор: Nicolas Grimard,Rene Sicard,Sam H. Serhan. Владелец: Tecscan Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Imaging devices with an array of transducers and methods of manufacture and use

Номер патента: US20140243679A1. Автор: Anming He Cai,Wenguang Li,Lewis Jones Thomas, Iii. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Method and system for detecting failure in an array of thermocouples connected in parallel

Номер патента: EP4151969A1. Автор: Issam Al-Khairy. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Methods, devices and computer program products for managing a redundant array of independent disks

Номер патента: US20190155535A1. Автор: Jian Gao,Hongpo Gao,Geng Han,Jibing Dong,Liam Xiongcheng Li. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Compact Array of Imaging Devices With Supplemental Imaging Unit

Номер патента: US20190335159A1. Автор: David A. Newman,Timothy Macmillan,Adeel Abbas. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for determining relative positions of arrays of flexible array device

Номер патента: EP4166087A1. Автор: Byung Chul Lee,Dong-Hyun Kang,Shinyong SHIM. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2023-04-19.

Raid storage systems having arrays of solid-state drives and methods of operation

Номер патента: US9152498B2. Автор: Franz Michael Schuette,Anthony Leach. Владелец: OCZ Storage Solutions Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Driver circuit for an addressable array of optical emitters

Номер патента: US20230299555A1. Автор: Lijun Zhu,Mikhail DOLGANOV. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Split one-time password digits for secure transmissions to selected devices

Номер патента: US12056230B2. Автор: George Chen Kaidi,Antony Amalraj Morais. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Generation of multi-dimensional array of intermediate values in multiple code executions

Номер патента: WO2024151384A1. Автор: Benjamin Goth Zorn,Andrew Donald Gordon,Advait SARKAR,John Herbert Martin WILLIAMS,Carina Suzana NEGREANU,Neil Blunt Toronto,Kasra FERDOWSIFARD,Ian Zachariah DROSOS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for improving the brightness of a transparent display using supplemental light sources that include ambient light collected by an array of diffraction gratings

Номер патента: US11747541B1. Автор: Hiroshi Ando,Ercan Mehmet DEDE,Sean P. Rodrigues,Kojiro Tachi,Masaaki Kawauchi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Chucking system comprising an array of fluid chambers

Номер патента: EP2007566A2. Автор: Steven C. Shackleton,Byung-Jin Choi,Anshuman Cherala,Pankaj B. Lad. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integration of array of non-rod shaped optical with array of optical fibers

Номер патента: WO2001033262A2. Автор: Michael Feldman,Hongtao Han. Владелец: Digital Optics Corporation. Дата публикации: 2001-05-10.

Mapped Redundant Array of Independent Nodes for Data Storage

Номер патента: US20200133586A1. Автор: Mikhail Danilov,Yohannes Altaye. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Affinity sensitive storage of data corresponding to a mapped redundant array of independent nodes

Номер патента: US20200319807A1. Автор: Mikhail Danilov,Konstantin Buinov. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Data processing apparatus that provides parallel access to multi-dimensional array of data values

Номер патента: EP1741296A2. Автор: Balakrishnan Srinivasan,Gerard Veldman,Ramanathan Sethuraman,Patrick P. E. Meuwissen,Aleksandar Beric,Carlos A. Alba Pinto,Harm J. A. M. Peters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-10.

Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory computer-readable storage medium, and information processing apparatus

Номер патента: US20240288781A1. Автор: Ryota Makino,Mitsuru Inose. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Article and method for parallel labeling of an array of connections

Номер патента: US20180330640A1. Автор: Joseph C. Carls. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Uniforming an array of leds having asymmetric optical characteristics

Номер патента: US20200258868A1. Автор: Daniel Max Staloff. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for enrichment and isolation of endogenous transcription factor and complexes thereof and corresponding tandem arrays of concatenated transcription factor response elements

Номер патента: US20130225423A1. Автор: LEI Song,CHEN DING,Jun Qin,Qiongming Liu,Mingwei Liu,Wanlin Liu. Владелец: Institute of Radiation Medicine of CAMMS. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for enrichment and isolation of endogenous transcription factor and complexes thereof and corresponding tandem arrays of concatenated transcription factor response elements

Номер патента: US8846884B2. Автор: LEI Song,CHEN DING,Jun Qin,Qiongming Liu,Mingwei Liu,Wanlin Liu. Владелец: Institute of Radiation Medicine of CAMMS. Дата публикации: 2014-09-30.

File server for redundant array of independent disks (raid) system

Номер патента: WO2008013695A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-07-30.

File server for redundant array of independent disks (raid) system

Номер патента: WO2008013695A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-01-31.

Data storage system connectors with parallel array of dense memory cards and high airflow

Номер патента: US20210007235A1. Автор: Jawad B. Khan,Michael D. Nelson,Randall K. Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Array of pointers prefetching

Номер патента: US12050916B2. Автор: Alok Garg,Paul S Keltcher,Chetana N Keltcher. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Redundant array of independent disks and conversion method thereof

Номер патента: US20050144512A1. Автор: Chien Ming. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

System and method for modulating an array of emissive elements

Номер патента: US12067932B2. Автор: Edwin Lyle Hudson,Robert Lo. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method using a linear array of optical sensors for imaging a rotating component of a gas turbine engine

Номер патента: WO2015009408A1. Автор: Forrest R. Ruhge. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

Raid storage systems having arrays of solid-state drives and methods of operation

Номер патента: US20150039971A1. Автор: Franz Michael Schuette,Anthony Leach. Владелец: OCZ Storage Solutions Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Method and system for illumination using laser diode bar and microlenses array of same pitch

Номер патента: US20020033990A1. Автор: Serge Steinblatt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Heterogeneous Mapped Redundant Array of Independent Nodes for Data Storage

Номер патента: US20210132828A1. Автор: Mikhail Danilov,Yohannes Altaye. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods and Systems for Transmitting Arrays of Sequenced Data Blocks

Номер патента: US20210303507A1. Автор: Vidhya Seran,II Richard John Kern. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2021-09-30.

Sheet Metal Enclosure with an Array of Extruded Heat Transfer Holes

Номер патента: US20230415680A1. Автор: Ravindra Kulkarni,Kesav Kumar SRIDHARAN,Shrikant Bhadri. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and circuit for the control of large arrays of electrostatic actuators

Номер патента: WO2003063332A2. Автор: Eugen I. Cabuz. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-07-31.

Data processing apparatus that provides parallel access to multi-dimensional array of data values

Номер патента: WO2005104027A3. Автор: Balakrishnan Srinivasan,Gerard Veldman,Ramanathan Sethuraman,Aleksandar Beric,Patrick P E Meuwissen,Harm J A M Peters,Pinto Carlos A Alba. Владелец: Pinto Carlos A Alba. Дата публикации: 2006-03-02.

A method and system for determining ground properties of a sub-surface target volume using a 2-dimensional array of surface wave sensors

Номер патента: NL2033830B1. Автор: Fliedner Moritz,Staring Myrna,Eddies Rod. Владелец: FNV IP BV. Дата публикации: 2024-07-05.

Array of graduated pre-tilted mems mirrors

Номер патента: WO2008070764A2. Автор: Andres Fernandez,Bryan P. Staker,Alexander P. KINDWALL,Windsor E. OWENS. Владелец: Glimmerglass Networks, Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

A method and system for determining ground properties of a sub-surface target volume using a 2-dimensional array of surface wave sensors

Номер патента: WO2024133141A1. Автор: Myrna STARING,Rod EDDIES,Moritz FLIEDNER. Владелец: FNV IP B.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Searching an array of multi-byte elements using an n-byte search instruction

Номер патента: US12106115B2. Автор: Motohiro Kawahito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Array of waveguide diffusers for light detection using an aperture

Номер патента: US12111422B2. Автор: Pierre-Yves Droz,David Hutchison. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and method for projecting an array of multiple charged particle beamlets on a sample

Номер патента: US12123841B2. Автор: Andries Pieter Johan EFFTING. Владелец: Delmic IP BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Array of compliant connectors for electronic assemblies

Номер патента: US20240356255A1. Автор: Aydin Nabovati,Rishabh BHANDARI,Yong Guo Li,Mitchell Heschke,Mohamed Haitham Helmy NASR,Samuel Lichy,Shiva FARZINAZAR. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory storage medium, and information processing apparatus

Номер патента: US12130562B2. Автор: Atsushi Shigenobu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Display backplane including an array of tiles

Номер патента: US12107072B2. Автор: Gang He,Melissa Archer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Array of magnetometers operating in zero field and associated method for calibrating inter-magnetometer couplings

Номер патента: US12078690B2. Автор: Matthieu Le Prado,Agustin PALACIOS LALOY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture to enhance sudden power off recovery of page-group-based redundant array of independent disks protection with aid of multi-table control using dummy flag

Номер патента: US12131035B1. Автор: Jie-Hao LEE,Szu-I Yeh,Ting-Fong Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Depth sensing using a sparse array of pulsed beams

Номер патента: US12117286B2. Автор: Thierry Oggier. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems and methods for improving the brightness of a building-window transparent display using supplemental light sources that include ambient light collected by an array of diffraction gratings

Номер патента: US12055745B2. Автор: Hiroshi Ando,Ercan Mehmet DEDE,Sean P. Rodrigues,Danny J. LOHAN,Kojiro Tachi,Masaaki Kawauchi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Ordered arrays of microdots

Номер патента: EP3861326A1. Автор: Fausto D'APUZZO,Steven Barcelo,Raghuvir N. SENGUPTA. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-11.

System and method for displaying messages in a column-by-column format via an array of LEDs connected to a circuit of a compressor

Номер патента: US09965928B2. Автор: Charles E. Green. Владелец: Emerson Climate Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Light guide and lighting assembly with array of rotated micro-optical elements

Номер патента: US09946007B2. Автор: Kurt Starkey,Dane A. Sahlhoff,Greg Coghlan,Todd Winski. Владелец: Rambus Delaware LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Redundant array of independent disks (RAID) write hole solutions

Номер патента: US09921914B2. Автор: Sanjeev N Trika,Kapil Karkra,Piotr Wysocki,Slawomir Ptak,Rajib Ghosal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Collimating light emitted by a fiber via an array of lenslets on a curved surface

Номер патента: US09921408B2. Автор: Russell Gruhlke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

3-D localization and imaging of dense arrays of particles

Номер патента: US09858464B2. Автор: Rafael Piestun,Anthony BARSIC. Владелец: University of Colorado Foundation Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Declustered array of storage devices with chunk groups and support for multiple erasure schemes

Номер патента: US09841908B1. Автор: Jun Xu,Zhengyi Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Image gating using an array of reflective elements

Номер патента: US09835849B2. Автор: EYAL Zohar,Ron Schneider. Владелец: Elbit Systems Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Determining a geometric position of a display screen within an array of coupled display screens

Номер патента: US09824622B1. Автор: Amir Said,Majid Fozunbal. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-11-21.

Gas-filled neutron detectors and imaging system and array of such detectors

Номер патента: US09817138B2. Автор: Douglas S. McGregor,Steven L. Bellinger,Kyle A. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Highly ordered arrays of micelles or nanoparticles on a substrate surface and methods for producing the same

Номер патента: US09789458B2. Автор: Joachim P. Spatz,Robert Brunner,Christoph Morhard,Christian WILLIGES. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and system for inspecting an object with an array of beams

Номер патента: US09784689B2. Автор: Ron Naftali,Ido Almog. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Light guide and lighting assembly with array of rotated micro-optical elements

Номер патента: US09703031B2. Автор: Kurt Starkey,Dane A. Sahlhoff,Greg Coghlan,Todd Winski. Владелец: Rambus Delaware LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and circuit for reading an array of oscillators

Номер патента: US09667897B2. Автор: VIGIER Margaux,Bertrand Dupont,Arnaud Peizerat,Jean-Pierre Rostaing. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of fabricating an array of optical lens elements

Номер патента: US09649788B2. Автор: Edwin Maria Wolterink,Willem Matthijs BROUWER,Robertus Johannes Gerardus Coninx. Владелец: ANTERYON WAFER OPTICS BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Efficient optical analysis of polymers using arrays of nanostructures

Номер патента: US09624537B2. Автор: Martin Huber,Stuart DAVIDSON. Владелец: Quantapore Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Redundant array of independent disk (RAID) storage recovery

Номер патента: US09619353B2. Автор: Eric J. Bartlett,Matthew J. Fairhurst,William J. Scales. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for class-based execution of an instruction broadcasted to an array of processing elements

Номер патента: US09563433B1. Автор: Gheorghe Stefan,Bogdan Mitu,Lazar Bivolarksi. Владелец: Allsearch Semi LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and system for predicting redundant array of independent disks (RAID) vulnerability

Номер патента: US09535779B1. Автор: Ao Ma,Frederick Douglis,Surendar Chandra,Guanlin Lu. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Active array of capacitive touch panel and associated capacitive touch panel

Номер патента: US09501185B2. Автор: Shen-Feng Tai,Chia-Wei Hu,Jui-Ni Li. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Arrangement for and method of optimally adjusting the scan rate of scan beams generated bya radio frequency identification (RFID) tag reader having an array of antennas

Номер патента: US09465963B2. Автор: Randy L Ekl,Daniel S Griesmann,Binit Jain. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Synchronized array of vibration actuators in a network topology

Номер патента: US09459632B2. Автор: Rob MORRIS,John Houston,Nathan Delson,Gabe GRAHAM. Владелец: Coactive Drive Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus for coherent beam combining in an array of laser collimators

Номер патента: US09454004B2. Автор: Leonid A. Beresnev,Jony J. Liu,Gary W. Carhart. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2016-09-27.

Imaging devices with an array of transducers and methods of manufacture and use

Номер патента: US09427210B2. Автор: Anming He Cai,Wenguang Li,Lewis Jones Thomas, Iii. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing ordered nanowire array of NiO doped with Pt in situ

Номер патента: US09418843B2. Автор: Yu Liu,HAO Zhang,Ming Liu,Xin Chen,Xiaojing Li,Qing LUO,Dongmei Li,Changqing Xie,Peiwen ZHANG,Shengfa LIANG,Jiebin Niu,Shuang ZHAN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and system for image analysis based upon correlation relationships of sub-arrays of a descriptor array

Номер патента: US09412037B2. Автор: Massimo Balestri,Gianluca Francini,Skjalg Lepsoy. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2016-08-09.

Signed multiplier circuit utilizing a uniform array of logic blocks

Номер патента: US09411554B1. Автор: Steven P. Young,Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Khrustalev method for determining gravitational pressure of array of material medium

Номер патента: RU2609427C1. Автор: Евгений Николаевич Хрусталев. Владелец: Евгений Николаевич Хрусталев. Дата публикации: 2017-02-01.

Method of detecting array of liquid crystal display and apparatus thereof

Номер патента: US20060163476A1. Автор: Chih-Chiang Chen,Ting-Hui Huang,Feng-Lung Chang,Kuo-Kuei Lee. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2006-07-27.

Backplane adaptable to drive emissive pixel arrays of differing pitches

Номер патента: US20220148497A1. Автор: Bo Li,Kaushik Sheth. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Display With Array of Light-Transmitting Windows

Номер патента: US20220392965A1. Автор: CHENG Chen,Rui Liu,Shih Chang Chang,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin,Sang Y. Youn,Minhyuk Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for determining relative position between arrays of flexible array device

Номер патента: US11957514B2. Автор: Byung Chul Lee,Dong-Hyun Kang,Shinyong SHIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and apparatus for separating individual sealed tubes from an array of tubes sealed with a membrane

Номер патента: GB201204682D0. Автор: . Владелец: Tap Biosystems PHC Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Display With Array of Light-Transmitting Windows

Номер патента: US20200258950A1. Автор: CHENG Chen,Rui Liu,Shih Chang Chang,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin,Sang Y. Youn,Minhyuk Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method and apparatus for stereoscopic display employing an array of pixels each employing an organic light emitting diode

Номер патента: US20070035484A1. Автор: Sin-Min Chang. Владелец: Ryko Manufacturing Co. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for determining relative position between arrays of flexible array device

Номер патента: US20230086770A1. Автор: Byung Chul Lee,Dong-Hyun Kang,Shinyong SHIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-03-23.

Mold having nanometric features, method for realising such a mold and corresponding use of it in a method for realising an array of carbon nanotubes

Номер патента: EP2107041A3. Автор: Raffaele Vecchione,Luigi Occhipinti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-10-20.

Methods for arranging atoms in an array of optical traps

Номер патента: EP4244775A1. Автор: Thierry Lahaye,Antoine BROWAEYS,Daniel BARREDO,Kai-Niklas SCHYMIK,Vincent Lienhard. Владелец: Institut d'Optique Theorique et Appliquee. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods for arranging atoms in an array of optical traps

Номер патента: CA3201431A1. Автор: Thierry Lahaye,Antoine BROWAEYS,Daniel BARREDO,Kai-Niklas SCHYMIK,Vincent Lienhard. Владелец: Institut d'Optique Theorique et Appliquee. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods for arranging atoms in an array of optical traps

Номер патента: WO2022101145A1. Автор: Thierry Lahaye,Antoine BROWAEYS,Daniel BARREDO,Kai-Niklas SCHYMIK,Vincent Lienhard. Владелец: Institut d'Optique Theorique et Appliquee. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and system for solid state drive (ssd)-based redundant array of independent disks (raid)

Номер патента: US20230409245A1. Автор: Rekha Pitchumani,Tong Zhang,Yang Seok KI,Heekwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Arrays of integrated analytical devices

Номер патента: US20230314325A1. Автор: Paul Lundquist,Ravi Saxena,Annette Grot. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Device comprising an array of electronic elements, based on diagonal line routing

Номер патента: EP1588214A1. Автор: Hanns-Ingo Maack. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-10-26.

Electronic device comprising an array of electronic elements based on diagonal line routing

Номер патента: EP1588214B1. Автор: Hanns-Ingo Maack. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2008-04-09.

Redundant Array of Independent Disks (RAID) Management Method, and RAID Controller and System

Номер патента: US20220075525A1. Автор: Zhiming Zhu,Dengben WU,Yuanyue Zheng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Driver circuit for an addressable array of optical emitters

Номер патента: US20220299604A1. Автор: Hao Huang,Sean Burns,Lijun Zhu,Mikhail DOLGANOV. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

Recovery of failed disks in an array of disks

Номер патента: US20120072767A1. Автор: Sandeep R. Patil,Abhinay R. Nagpal,Sri Ramanathan,Matthew B. TREVATHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Methods for routing packets on a linear array of processors

Номер патента: US20050254492A1. Автор: Monty Denneau,Peter Hochschild,Richard Swetz,Henry Warren. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

System and method for evaluating the planarity and parallelism of an array of probe tips

Номер патента: US20030206031A1. Автор: Michael Harris. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Quantum computing device and method including qubit arrays of entangled states using negative refractive index lenses

Номер патента: US20080237579A1. Автор: Delmar L. Barker,Ross D. Rosenwald,William R. Owens. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2008-10-02.

System for communicating information from an array of sensors

Номер патента: GB201314874D0. Автор: . Владелец: Genia Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Electronic device and method for testing redundant array of independent disks level

Номер патента: US20150177998A1. Автор: Ji-Bao Chen,ji-ping Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Formation of Array of Membranes and Apparatus Therefor

Номер патента: US20240253004A1. Автор: Andrew John Heron,Clive Gavin Brown,Jason Robert Hyde,Pedro Miguel Ortiz Bahamon,Paul Raymond MACKETT. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US7397075B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US20080176350A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

MOS dynamic load circuit for switching high voltages and adapted for use with high threshold transistors

Номер патента: US4580067A. Автор: Robert J. Proebsting,Donald R. Dias. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1986-04-01.

Digitizer for a digital receiver system

Номер патента: US20080284631A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Mario Chiricosta,Pietro Antonio Paolo Calo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

High threshold voltage nmos transistors for low power ic technology

Номер патента: US20130196476A1. Автор: Jun Yuan,Huiling Shang,Victor W. C. Chan,Roger Allen Booth, Jr.,Narasimhulu Kanike,Varadarajan Vidya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030203579A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030122198A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20160293493A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US9985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20170077098A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09728462B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09536791B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Vertical transport FETs having a gradient threshold voltage

Номер патента: US10600883B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of fabricating dual threshold voltage n-channel and p-channel mosfets with a single extra masked implant operation

Номер патента: US20030094659A1. Автор: Kaizad R. Mistry,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Adjustment of threshold voltages of selected NMOS and PMOS transistors using fewer masking steps

Номер патента: US20030181004A1. Автор: Jeffrey Watt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A3. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: Xiaoju Wu. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20230095534A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Vertical transport fets having a gradient threshold voltage

Номер патента: US20190172922A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A2. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-08-25.

Gate-all-around fets having uniform threshold voltage

Номер патента: US20200043808A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus to tune threshold voltage of device with high angle source/drain implants

Номер патента: US20160172443A1. Автор: SONG Zhao,Kwan-Yong Lim,Seung-Chul Song,Younsung Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Power converter controller having a short-circuit protection threshold voltage no higher than an over-current protection threshold voltage

Номер патента: US20210328501A1. Автор: Chih-Liang Wang,Chin-Chuan Chen,Shu-Chia Lin,Kuo-Jung Wu. Владелец: Inno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Apparatus and methods for adjusting performance of programmable logic devices

Номер патента: US20070200596A1. Автор: Christopher Lane,David Lewis,Richard Cliff,Srinivas Reddy,Ketan Zaveri,Cameron McClintock,Andy Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20070034912A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: SG188041A1. Автор: Flachowsky Stefan,Wei Andy,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Method and semiconductor circuit for maintaining integrity of field threshold voltage requirements

Номер патента: US5981994A. Автор: Jian Chen,Ming Sang Kwan,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Threshold voltage and delay time setting circuit, and battery management system including the same

Номер патента: US20140016239A1. Автор: Jin-Tae Kim,Eun CHEON. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for PFETS

Номер патента: US09735176B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

On line automatic detection of the time phase of the threshold voltage of a lighting load and its application in lighting management

Номер патента: US09655219B2. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pFETs

Номер патента: US09425293B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Threshold Voltage Tuning for Fin-Based Integrated Circuit Device

Номер патента: US20190139828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen,Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US20170309619A1. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US20200286994A1. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Volumeless Threshold Voltage Tuning for Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290662A1. Автор: Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Low threshold voltage anti-fuse device

Номер патента: CA2646367A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: US20240282848A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: EP4445420A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced MOS threshold voltage mismatch

Номер патента: US11869956B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20240088262A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods and systems for forming structures comprising a threshold voltage tuning layer

Номер патента: US20240234129A1. Автор: Eric James Shero,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Charles DEZELAH,Paul Ma,Marko Tuominen,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi,Eric Jen Cheng Liu,Gejian Zhao,Eva Elisabeth Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20150318307A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20160111340A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: EP1019968A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-19.

Low threshold voltage diode-connected FET

Номер патента: US6097247A. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-08-01.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1999-04-08.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20190287970A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods And Materials For Modifying The Threshold Voltage Of Metal Oxide Stacks

Номер патента: US20200234959A1. Автор: Atashi Basu,Paul F. Ma,Siddarth Krishnan,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Uniform threshold voltage for nanosheet devices

Номер патента: US20180350935A1. Автор: Koji Watanabe,Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced CMOS device technology

Номер патента: US10636792B2. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Shallow low energy ion implantation into pad oxide for improving threshold voltage stability

Номер патента: US20050239256A1. Автор: Kim Sik,ZHAO Lun,Yisuo Li,Francis Benistant. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Threshold voltage adjustment in a fin-transistor by corner implantation

Номер патента: SG188066A1. Автор: Flachowsky Stefan,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom,Wie Andy. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: US20140027825A1. Автор: Andy Wei,Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20080296698A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20090236673A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Mosfet with reduced threshold voltage and on resistance and process for its manufacture

Номер патента: US20030089945A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Harold Davis,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of making a low leakage dynamic threshold voltage mos (dtmos) transistor

Номер патента: US20020076887A1. Автор: Sheng Hsu,Yanjun Ma. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical transport cmos transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220165850A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2616541A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111788A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111787A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Dual channel structures with multiple threshold voltages

Номер патента: US09997519B1. Автор: Michael A. Guillorn,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Nanowire transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09865681B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-K layer

Номер патента: US09627484B1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US09530699B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Geometry for threshold voltage tuning on semiconductor device

Номер патента: US11935957B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: EP4312378A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-01-31.

Intrinsic channel planar field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007143A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni,Barry P. Linder,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Transistor capable of electrically controlling a threshold voltage and semiconductor device including the transistor

Номер патента: US20230101075A1. Автор: Seonhaeng Lee,Gangjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US20170133373A1. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Fin field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007144A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Pam-n receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of pam-n receiver

Номер патента: US20230188391A1. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-06-15.

PAM-N receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of PAM-N receiver

Номер патента: US11716229B2. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-08-01.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated assemblies having threshold-voltage-inducing-structures proximate gated-channel-regions, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11177265B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US20180331278A1. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US10580961B2. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-03-03.

Variable threshold voltage complementary MOSFET with SOI structure

Номер патента: US20040262647A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20050148126A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Dynamic threshold voltage mosfet having gate to body connection for ultra-low voltage operation

Номер патента: US5559368A. Автор: Fariborz Assaderaghi,Chenming Hu,Ping K. Ko,Stephen Parke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-09-24.

MISFET threshold voltage control

Номер патента: GB2348318A. Автор: Tohru Mogami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-27.

Method and gate structure for threshold voltage modulation in transistors

Номер патента: US20150123167A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pfets

Номер патента: US20170194357A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US11688770B2. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of forming structures for threshold voltage control

Номер патента: US20220123131A1. Автор: Qi Xie,Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Giuseppe Alessio Verni,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US10109624B2. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-23.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Multiple threshold voltage semiconductor device

Номер патента: US20150287725A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of modulating threshold voltage of a mask ROM

Номер патента: US20040208040A1. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Slew rate control of output drivers using fets with different threshold voltages

Номер патента: US20030025542A1. Автор: Guy Harlan Humphrey. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-02-06.

A threshold voltage (vth), power supply (vdd), and temperature compensation bias circuit for cmos passive mixer

Номер патента: SG147283A1. Автор: Tan Chun Geik,Masaaki Itoh. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2008-11-28.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus and method of adjusting work-function metal thickness to provide variable threshold voltages in finFETs

Номер патента: US09805982B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of adjusting spacer thickness to provide variable threshold voltages in FinFETs

Номер патента: US09620425B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit comprising a clamping structure and method of adjusting a threshold voltage of a clamping transistor

Номер патента: US09490244B2. Автор: Anton Mauder,Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A3. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-08-09.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A2. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-02-23.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: US20240056060A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200287048A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2016144530A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Incorporating nitrogen in dipole engineering for multi-threshold voltage applications in stacked device structures

Номер патента: US12040365B1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Buck converter system with an asymmetric threshold voltage gate drive circuit design

Номер патента: US20230299673A1. Автор: Weidong Zhu,Wenkai Wu,Jialun Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Thayer switch of reduced threshold voltage

Номер патента: UST934012I4. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-05-06.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US10734378B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Nanowire mesh fet with multiple threshold voltages

Номер патента: WO2010135206A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Paul Chang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-25.

Switched-capacitor charge pump with reduced diode threshold voltage and on state resistance

Номер патента: US20180337596A1. Автор: Wern Ming Koe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Incorporating Nitrogen in Dipole Engineering for Multi-Threshold Voltage Applications in Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290630A1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US20160049940A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3195477A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2016025261A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20240282587A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Multiple threshold voltage devices

Номер патента: US20210013109A1. Автор: Jiehui SHU,Rinus Tek Po Lee,Bharat V. Krishnan,Hyung Yoon CHOI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for manufacturing a MOS device with multiple threshold voltages

Номер патента: US6235596B1. Автор: Kuan-Yang Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US20190019793A1. Автор: MORRIS Daniel H,Ian A. Young,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Organic thin film devices with stabilized threshold voltage and mobility, and method for preparing the devices

Номер патента: US20110272674A1. Автор: Yongqiang Wang,Beatrice Fraboni,Piero Cosseddu,Annalisa Bonfiglio,Michael Anthony Nastasi. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US20240322037A1. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US09941300B2. Автор: Terence B Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Multi-threshold voltage field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837416B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Chi-Hsun Hsieh,Che-Min Chu,Yu-Hsuan Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Controlling threshold voltage in nanosheet transistors

Номер патента: US09818616B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US09761713B2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R. C. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09716155B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Simplified multi-threshold voltage scheme for fully depleted SOI MOSFETs

Номер патента: US09633911B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Scott Luning,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Interconnect circuits having low threshold voltage P-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US09628081B2. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Use of self-assembled layers for checking the threshold voltage of organic transistors

Номер патента: US09583540B2. Автор: Jean-Pierre Simonato,Caroline Celle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-28.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Multiple threshold voltage trigate devices using 3D condensation

Номер патента: US09536795B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Channel SiGe devices with multiple threshold voltages on hybrid oriented substrates, and methods of manufacturing same

Номер патента: US09490161B2. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Multiple threshold voltage FinFETs

Номер патента: US09425196B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage

Номер патента: US09356043B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

MOSFET structure and fabrication process for decreasing threshold voltage

Номер патента: US5729037A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,True-Lon Lin,Danny Chi Nim. Владелец: MegaMOS Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Field effect transistor with self-adjusting threshold voltage

Номер патента: US20140239371A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Charge-induced threshold voltage tuning in III-N transistors

Номер патента: US11715790B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Charge-induced threshold voltage tuning in iii-n transistors

Номер патента: US20200335590A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Uniform threshold voltage non-planar transistors

Номер патента: US20220376069A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103982A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Methods And Materials For Modifying The Threshold Voltage Of Metal Oxide Stacks

Номер патента: US20190181011A1. Автор: Atashi Basu,Paul F. Ma,Siddarth Krishnan,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US10366897B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9984883B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9972497B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US9275908B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: US11923365B2. Автор: KANG Ill Seo,Ki-Il KIM,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Ultra-low threshold voltage transistor cell layout

Номер патента: EP4345881A1. Автор: Yanbin LUO,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A3. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-06-17.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: US20240170486A1. Автор: KANG Ill Seo,Ki-Il KIM,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods for backside threshold voltage adjustment

Номер патента: US20130168823A1. Автор: Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP4092723A1. Автор: Kangill Seo,Gilhwan Son,Jeonghyuk Yim,Kiil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods for Threshold Voltage Tuning and Structure Formed Thereby

Номер патента: US20200083114A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Zoe Chen,Wei-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180226257A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170278713A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103897A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180096851A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170104066A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20180277540A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Circuit for eliminating threshold voltage difference between backlight LED strings and liquid crystal display using the same

Номер патента: US8624512B2. Автор: Fei Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US20050194648A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US7217985B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Switch with improved threshold voltage

Номер патента: CA2058509C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Gan-based hemt structure having multiple threshold voltages, and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4336563A1. Автор: Yong Yang,Xin Chen,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao,Xiaolu Guo. Владелец: Guangdong Institute Of Semiconductor Micro Nano Manufacturing Technology. Дата публикации: 2024-03-13.

Improvements in or relating to devices for regulating the threshold voltages of IGFET transistors of integrated circuits

Номер патента: GB2001494A. Автор: . Владелец: Ebauches SA. Дата публикации: 1979-01-31.

Switch with improved threshold voltage

Номер патента: US5330630A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1994-07-19.

Programmable delay circuit including threshold-voltage programmable field effect transistor

Номер патента: US11855642B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Soi mosfet device having second gate electrodes for threshold voltage control

Номер патента: US20040070031A1. Автор: Shunsuke Baba. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device with tunable threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021709A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Yao-Sheng Huang,Yu-Chia LIANG,Tzer-Min Shen,Hsiang-Pi Chang,Chansyun David Yang,Yen-Tien Tung,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10978593B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US11894444B2. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: EP4254500A2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341497A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US11996298B2. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US11145677B2. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control

Номер патента: US20160336432A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for changing threshold voltage of device in resist asher

Номер патента: WO2006127305A3. Автор: William Markland,Chungdar Daniel Wang. Владелец: Chungdar Daniel Wang. Дата публикации: 2007-04-05.

Threshold voltage control for mixed-type non-planar semiconductor devices

Номер патента: US9209186B1. Автор: Yiqun Liu,Mitsuhiro Togo,Rohit Pal,Changyong Xiao,Dina H. Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Microelectronic fabrication method minimizing threshold voltage variation

Номер патента: CA1132722A. Автор: Roy L. Maddox, Iii. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1982-09-28.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: EP4254500A3. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20230360926A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Gate-all-around field-effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220123144A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Carrier barrier layer for tuning a threshold voltage of a ferroelectric memory device

Номер патента: US11769815B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US9941370B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20170170298A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10985280B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20230109345A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Ribbon or wire transistor stack with selective dipole threshold voltage shifter

Номер патента: US20220199620A1. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Matthew Metz,Charles Kuo,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US20170179156A1. Автор: Terence B. Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: GB2616547A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Jason Oteri Clint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20180090581A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Trench Vertical JFET With Improved Threshold Voltage Control

Номер патента: US20160380117A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20180337173A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20170317073A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20200126975A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Composite Semiconductor Device with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20150325565A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Pete Rodriguez. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor structure including semiconductor devices with different threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411520A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Chun-I Wu,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (CT)

Номер патента: US11282962B2. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341498A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2619470A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US20200083253A1. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Formation of gate stacks comprising a threshold voltage tuning layer

Номер патента: US20230197796A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang,Eric Jen Cheng Liu,Gejian Zhao. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-22.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200052125A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190296151A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US20200098791A1. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Sram with dipole dopant threshold voltage modulation for greater read stability

Номер патента: EP4203641A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Leonard GULER,Eric A. KARL,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong,Yen Ting Chiu,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US12021141B2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R. C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control

Номер патента: EP3510637A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Ac-ac converter comprising a matrix array of bidirectional switches of programmable configuration

Номер патента: US20210184589A1. Автор: Francis Abdesselam. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and apparatus for array size invariant beamforming

Номер патента: EP4278458A1. Автор: Robert Baldemair,Sven Petersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and apparatus for array size invariant beamforming

Номер патента: US20240072879A1. Автор: Robert Baldemair,Sven Petersson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-29.

Circuit comprising a matrix of programmable logic cells

Номер патента: EP2102985A2. Автор: Alexander A. Danilin,Martinus T. Bennebroek. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-09-23.

Circuit comprising a matrix of programmable logic cells

Номер патента: WO2008084363A2. Автор: Alexander A. Danilin,Martinus T. Bennebroek. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-07-17.

Method and device for protection of programmable integrated microcircuits, for example microcontrollers, from thyristor effect

Номер патента: RU2716030C1. Автор: Леонид Рувимович Варенбуд,Иван Владимирович Логинов,Артем Олегович Тищенко,Александр Викторович Чурсин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Орбита". Дата публикации: 2020-03-05.

Methods for operation of programmable signal control circuits

Номер патента: CA1199078A. Автор: James F. Bedard,Charles W. Eichelberger,Salvatore F. Nati, Jr.. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-01-07.

Circuit of programmable timber, electronic circuit of delay detonator and electronic delay detonator

Номер патента: RU2129295C1. Автор: К.Гвинн Джеймс III. Владелец: Дзе Энсайн-Бикфорд Компани. Дата публикации: 1999-04-20.

Integrated circuit with a matrix of programmable logic cells

Номер патента: US20020009001A1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Jean-Paul Theis,Jozef Van Meerbergen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of determining parameter of textile products and/or parameter of programme execution in device of textile products treatment

Номер патента: RU2452802C2. Автор: Ханс-Йоахим КЛЮГ,Ута КРОЙТЦФЕЛЬДТ,Йоханнес СИРЛ,Томас ЛОЙ,Роланд СИДЕНТОПФ. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2012-06-10.

Technological board with modular integration of programmable controller and with extension

Номер патента: RU2313200C2. Автор: Освальд ДАХС,Дитер РАЙНЕККЕ,Карл-Рудольф ЛЮТТИХ,Райнер НИКЛЬ. Владелец: Демаг Эрготех Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Package for array of cans including plastics band and paperboard cover

Номер патента: NZ264255A. Автор: William N Weaver,Michael A Binsfeld. Владелец: Illinois Tool Works. Дата публикации: 1995-07-26.

Methods for array assembly and detection involving elongation of self-complementary looped probes

Номер патента: US09670534B2. Автор: Yi Zhang,Sukanta Banerjee,Michael Seul,Chiu Chau,Jiacheng Yang. Владелец: Bioarray Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and device for transferring user equipment status information signals for packet transfer of reverse communication line in the region of programmable token passing

Номер патента: RU2308818C2. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Коок-Хеуй ЛИ,Дзоон-Янг ЧО,Йонг-Дзун КВАК,Янг-Бум КИМ,Юн-Хиоунг ХЕО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-10-20.

Pulsed current averaging controller with amplitude modulation and time division multiplexing for arrays of independent pluralities of light emitting diodes

Номер патента: WO2007016373A2. Автор: Anatoly Shteynberg,Harry Rodriguez. Владелец: Synditec, Inc.. Дата публикации: 2007-02-08.

Airfoil shape for arrays of airfoils

Номер патента: CA1166968A. Автор: Joseph H. Lubenstein,Alan K. Ross,Brian A. Robideau. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Apparatus and method for arraying beads

Номер патента: US20060024208A1. Автор: Hiroshi Kishida,Noriko Ban. Владелец: Hitachi Software Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Cover for array of reaction tubes

Номер патента: US5282543A. Автор: Timothy M. Woudenberg,Enrico Picozza,Robert Ragusa,Ralph Keese. Владелец: Perkin Elmer Corp. Дата публикации: 1994-02-01.

Movable system for assembling support frames for arrays of photovoltaic panels and for installing said support frames on a receiving structure

Номер патента: WO2023079377A1. Автор: Francesco Lolli. Владелец: Enel Green Power SpA. Дата публикации: 2023-05-11.

Method and apparatus for error mitigation of programmable logic device configuration memory

Номер патента: US7298168B1. Автор: Glenn C. Steiner. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Protection device of programmable semiconductor surge suppressor having deep-well structure

Номер патента: US7855399B2. Автор: Ken Ou,Shouming Zhang,Walance Sun,Man Ng. Владелец: Semitel Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Analog beamformer used for array antenna and operating method thereof

Номер патента: US11750261B2. Автор: Janne-wha Wu,Tang-Yu Lee,Ming Jie Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-09-05.

Jig apparatus for arraying and supporting works to be soldered

Номер патента: US4580523A. Автор: Takeshi Sunaga,Kiyoshi Suzuki,Takayuki Yuzawa. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 1986-04-08.

Method for arraying micro-led chips for manufacturing led display panel and multi-chip carrier used in the method

Номер патента: US20190252358A1. Автор: Taekyung Yoo,Juok SEO,Bogyun KIM,Gunha KIM,Jugyeong MUN. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for hybridisation of reading lsi chips and photosensitive element array of photodetector devices

Номер патента: RU2537089C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Константин Олегович Болтарь,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2014-12-27.

Array of waveguide-horn radiators, methods of building arrays of waveguide-horn radiators and antenna systems

Номер патента: RU2589488C2. Автор: Юаньцзин ЛИ,Цзыжань ЧЖАО,Лэй ЧЖЭН,Ваньлун У,Бинь САН,Чжицян ЧЖЭНЬ,Цзецин ЯН,Вэньго ЛЮ,Силэй ЛУО. Владелец: Цзинхуа Юниверсити. Дата публикации: 2016-07-10.

Active phased antenna array of radar spacecraft for remote earth probing

Номер патента: RU2738160C1. Автор: Александр Иванович Коваленко,Виктор Владимирович Риман,Анатолий Васильевич Шишанов,Владимир Антонович Алексеев,Николай Васильевич Дементьев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точных приборов" (АО "НИИ ТП"). Дата публикации: 2020-12-09.

Equidistant array of beam antennas

Номер патента: RU2649043C1. Автор: Александр Ильич Баскаков,Михаил Сергеевич Михайлов,Владлен Ильич Гусевский,Алена Викторовна Клементьева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2018-03-29.

Transmit-receive module of active phased array of microwave range

Номер патента: RU2730042C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий,Максим Сергеевич Карасев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2020-08-14.

Crystalline colloidal array of particles, containing reactionable surface-active substance

Номер патента: RU2534616C2. Автор: Ноэль Р. ВАНЬЕР,Сянлин СЮЙ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for application of arrays of carbon nanotubes on metal substrates

Номер патента: RU2601335C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Николай Николаевич Колесников,Александр Алексеевич Левченко,Валентина Кирилловна Гартман. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-11-10.

Method for forming an ordered array of silicon nanocrystals or nanoclusters in a dielectric matrix

Номер патента: RU2692406C2. Автор: Александр Афанасьевич Попов,Денис Михайлович Жигунов,Ирина Александровна Каменских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-06-24.

Method of connection of tubes of shell-and-tube heat exchanger with tube array of shell-and-tube heat exchanger

Номер патента: RU2718393C2. Автор: Георг ВИММЕР,Кристоф ЗЕХОЛЬЦЕР. Владелец: Линде Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2020-04-02.

Two-dimensional array of laser diodes and method for its assembly

Номер патента: RU2757055C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2021-10-11.

Multichannel system for controlling information channels of receiving-transmitting modules of active phased antenna array of radar station with code separation of channels

Номер патента: RU2685415C2. Автор: Дмитрий Борисович Аникин,Владислав Робертович Бичёв. Владелец: Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники". Дата публикации: 2019-04-18.

Device for producing polarized light based on oriented array of nanoplates gase/gaas

Номер патента: RU2721717C1. Автор: Татьяна Васильевна Шубина,Сергей Валерьевич Сорокин,Павел Сергеевич Авдиенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2020-05-21.

Switched array of light elements and method of operation

Номер патента: RU2427983C2. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦ,Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-08-27.

Method of producing arrays of regular submicron metal structures on optically transparent substrates

Номер патента: RU2706265C1. Автор: Илья Анатольевич Родионов,Елена Владимировна Рыжова,Анастасия Александровна Пищимова,Николай Александрович Орликовский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-11-15.

High-capacity microwave generator for radiation of short pulses, its application in antenna array and antenna array of such microwave generators

Номер патента: RU2406218C2. Автор: Роберт ШТАРК,Юрген УРБАН. Владелец: Диль Бгт Дефенс Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2010-12-10.

Web of an ultra-wideband waveguide receiving antenna array of linear polarisation

Номер патента: RU2766132C1. Автор: Константин Николаевич Климов,Григорий Геннадьевич Макарушкин. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "Алмаз" имени академика А.А. Расплетина" (ПАО "НПО "Алмаз"). Дата публикации: 2022-02-08.

Method for manufacturing array of detectors of thz radiation using of carbon nanotubes

Номер патента: RU2667345C2. Автор: Надежда Андреевна Титова,Григорий Наумович Гольцман,Борис Моисеевич Воронов,Наталья Сергеевна Каурова,Георгий Евгеньевич Федоров,Игорь Андреевич Гайдученко,Татьяна Сергеевна Степанова,Арсен Шахсенович Газалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2018-09-18.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Capacitors, And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20220037342A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Electromagnetic tracking method and apparatus for compensation of metal artifacts using modular arrays of reference sensors

Номер патента: WO2007069186A3. Автор: Guy Schechter. Владелец: Guy Schechter. Дата публикации: 2007-10-11.

Device including an array of memory cells and well contact areas, and method for the formation thereof

Номер патента: US20140367794A1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

A method of making an array of sensor pixels, and associated apparatus and methods

Номер патента: US20190148421A1. Автор: Richard White,Chris Bower,Yinglin Liu,Ashley Rushton. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Ordered array of one dimensional iron oxide nanostructures

Номер патента: US20210371994A1. Автор: Jurgen Kosel,Julian Alberto MORENO. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-12-02.

Ordered array of one dimensional iron oxide nanostructures

Номер патента: WO2019193536A1. Автор: Jurgen Kosel,Julian Alberto MORENO. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-10-10.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Device and method for producing a replicate or derivative from an array of molecules, and applications thereof

Номер патента: US09725758B2. Автор: Jochen Hoffmann,Roland Zengerle,Guenter Roth,Felix VON STETTEN. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2017-08-08.

Array of gated devices and methods of forming an array of gated devices

Номер патента: US09673054B2. Автор: Marcello Mariani,Anna Maria Conti,Sara Vigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Array of capacitors, array of memory cells, methods of forming an array of capacitors, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US12150312B2. Автор: Mark Fischer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and device positioning a linear array of electrodes in a patient's respiratory airways

Номер патента: US09474468B2. Автор: Christer Sinderby,Jennifer Beck,Joachim Sällvin,Frederik Jalde. Владелец: Maquet Critical Care AB. Дата публикации: 2016-10-25.

Positioning and long-distance module oblique polarization antenna array of mobile multi-function longtime heart monitoring and ergometry hardware and software complex

Номер патента: RU2617796C2. Автор: Сергей Владимирович Волков,Виктор Михайлович Курейчик,Сергей Федорович Огурцов,Александр Анатольевич Корецкий,Владимир Викторович Курейчик,Евгений Сергеевич Огурцов,Олег Борисович Лебедев,Елена Сергеевна Семенистая. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2017-04-26.

Send-receive positioning and long-distance module antenna array of mobile multi-function longtime heart monitoring and ergometry hardware and software complex

Номер патента: RU2617794C2. Автор: Сергей Владимирович Волков,Виктор Михайлович Курейчик,Сергей Федорович Огурцов,Александр Анатольевич Корецкий,Владимир Викторович Курейчик,Евгений Сергеевич Огурцов,Олег Борисович Лебедев,Елена Сергеевна Семенистая. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2017-04-26.

Method for control of array of elements, game device, strategic computer game and methods for its presentation to player

Номер патента: RU2099782C1. Автор: Валентин Александрович Писаревский. Владелец: Валентин Александрович Писаревский. Дата публикации: 1997-12-20.

Integrated transistor/memory structures and array of such matrix-addressing structures

Номер патента: RU2287205C2. Автор: Ханс Гуде Гудесен,Ханс Гуде ГУДЕСЕН (BE). Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-11-10.

Arrays of electrodes coated with molecules and their production

Номер патента: AU2003300509A1. Автор: Michael Pepper,Anton Peter Jacob Middelberg,Christoph WÄLTI,Alexander Giles Davies,Rene Wirtz. Владелец: Cambridge University Technical Services Ltd CUTS. Дата публикации: 2004-05-04.

Arrays of electrodes coated with molecules and their production employing masking molecules

Номер патента: EP1551999B1. Автор: Michael Pepper,Anton Peter Jacob Middelberg,Christoph WÄLTI,Alexander Giles Davies,Rene Wirtz. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2010-12-15.

Apparatus, method, computer program for calibrating an array of dual-polarized antenna elements

Номер патента: US20230224001A1. Автор: Simon Svendsen,Morten Toft,Stig BLÜCHER BRINK,Poul Olesen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-07-13.

Methods for forming arrays of small, closely spaced features

Номер патента: US20120273131A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Spatial array of sensors mounted on a tool

Номер патента: EP2355709A1. Автор: Juan Manuel Cruz-Hernandez,Danny A. Grant,Christopher J. Ullrich. Владелец: Immersion Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Method and device for producing oligomers and arrays of oligomers and the use ofsaid device

Номер патента: AU2156301A. Автор: Michael Hinz,Hartmut Seliger,Eberhard P. Hofer,Claus Maier,Mario Adamschik,Cornelia Egger,Eberhard Kohn. Владелец: Merckle GmbH. Дата публикации: 2001-06-06.

Close-packed array of light emitting devices

Номер патента: WO2012040172A2. Автор: Ilia N. Ivanov,John T. Simpson. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Designing method for a baffle for use with an array of shell moulds in a directional solidification casting apparatus

Номер патента: EP3292926A3. Автор: Felicity Freeman,George Durrant,John Torpey. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2018-03-21.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Using single lookup table to correct differential non-linearity errors in an array of A/D converters

Номер патента: US6456212B1. Автор: Michael Kaplinsky. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Using single lookup table to correct differential non-linearity errors in an array of A/D converters

Номер патента: US20030107506A1. Автор: Michael Kaplinsky. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Apparatuses, methods, and systems for an array of devices

Номер патента: US12046601B2. Автор: Sandeep Kumar Gupta. Владелец: Zetagig Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Air flow apparatus including cleaning device for cleaning an array of air channels of the air flow applaratus

Номер патента: EP4023999A1. Автор: Johannes STICKLING,Matthew MOORADIAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-06.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of fabrication of an array of graded refractive index microlenses integrated in an image sensor

Номер патента: US9153615B2. Автор: Giovanni Margutti,Andrea Del Monte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-10-06.

Array of disposable absorbent article configurations and merchandise display system for identifying disposable absorbent article configurations for wearers

Номер патента: EP1437991A4. Автор: Kathy Quinlan AMES-OOTEN,Merlene Adams Cummins,Karl Patrick Ronn,Barry Robert Feist,Mary Lee Carr,Danielia Threase Wilkins,Ooma Balkaran Rampersad-Cutler,Monica Jean Mohlenkamp,Vicki Lee Streithorst. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2004-07-21.

Array of disposable absorbent article configurations and merchandise display system for identifying disposable absorbent article configurations for wearers

Номер патента: EP1437991A2. Автор: Kathy Quinlan AMES-OOTEN,Merlene Adams Cummins,Karl Patrick Ronn,Barry Robert Feist,Mary Lee Carr,Danielia Threase Wilkins,Ooma Balkaran Rampersad-Cutler,Monica Jean Mohlenkamp,Vicki Lee Streithorst. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2004-07-21.

Methods for forming arrays of small, closely spaced features

Номер патента: US20140087554A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Methods for forming arrays of small, closely spaced features

Номер патента: US20150325791A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method and apparatus for adhering and centering particles to the tacky areas on a surface containing an array of tacky and non-tacky areas

Номер патента: US6406541B1. Автор: Allan Cairncross,John Edwin Gantzhorn, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-06-18.

Semiconductor memory devices with arrays of vias and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12058868B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Arrays of n aqueous polymer dispersions and m formulations of aqueous polymer dispersions

Номер патента: AU2001269131A1. Автор: Peter Rossmanith,Sebastian Koltzenburg,Dirk Wulff,Walter Mächtle,Wolfgang Schrof,Harald RÖCKEL. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2002-01-30.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20240268093A1. Автор: Jieun Lee,Andrea Gotti,Hsiao Wei Liu,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon,Kai Yen Lo,Daniel Rave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Dermatological cryospray devices having linear array of nozzles and methods of use

Номер патента: US20210244459A1. Автор: Jesse Rosen,Steven Harrington,Erik Stauber,Ryan Richard Butrym. Владелец: R2 Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Diversity communication method and system with arrays of antennas using adaptive matched filters and decision feedback equalizers

Номер патента: EP1646161A3. Автор: Ichiro Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Adult disposable absorbent articles and arrays of said articles comprising improved capacity profiles

Номер патента: US20160374871A1. Автор: Gary Dean Lavon,Bret Darren Seitz. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-12-29.

Adult disposable absorbent articles and arrays of said articles comprising improved capacity profiles

Номер патента: EP3313344A1. Автор: Gary Dean Lavon,Bret Darren Seitz. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-05-02.

Hot plate with programmable array of lift devices for multi-bake process optimization

Номер патента: US20180102265A1. Автор: Mark Somervell,Michael Carcasi,Josh Hooge. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Making multilayer 3d capacitors using arrays of upstanding rods or ridges

Номер патента: US20160322456A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of fabrication of an array of graded refractive index microlenses integrated in a imager sensor

Номер патента: US20140302632A1. Автор: Giovanni Margutti,Andrea Del Monte. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Formation of an array of nanostructures

Номер патента: EP4425532A1. Автор: Asif Muhammad,Jonas Sundqvist,Dmitry SUYATIN,Amin Karimi,Reza JAFARI JAM,Yoana Ilarionova. Владелец: Alixlabs AB. Дата публикации: 2024-09-04.

Formation of an array of nanostructures

Номер патента: WO2024179973A1. Автор: Asif Muhammad,Jonas Sundqvist,Dmitry SUYATIN,Amin Karimi,Reza JAFARI JAM,Yoana Ilarionova. Владелец: Alixlabs AB. Дата публикации: 2024-09-06.

Injection system and method for injecting a cylindrical array of discrete liquid jets

Номер патента: CA2985931C. Автор: Jeffery S. Anderson,Erin R. GISH. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-03-08.

Density modification in arrays of surface-attached nucleic acid molecules

Номер патента: US20090325819A1. Автор: Yuan Gao,Wei Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of forming regular array of microscopic structures on a substrate

Номер патента: US20020181304A1. Автор: François Bardou,James Snowdon,Marcus Batzill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of generating a switching sequence for an unary array of conducting branches and a relative thermometrically decoded digital-to-analog converter

Номер патента: US20050012650A1. Автор: Francesco Cretti,Fleana Albertoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-01-20.

micro-patterned plate composed of an array of releasable elements surrounded with solid or gel walls

Номер патента: US20100285992A1. Автор: Yuli Wang,Nancy Allbritton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Density modification in arrays of surface-attached nucleic acid molecules

Номер патента: US20110136694A1. Автор: Yuan Gao,Wei Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of generating a switching sequence for an unary array of conducting branches and a relative thermometrically decoded digital-to-analog converter

Номер патента: US6888487B2. Автор: Francesco Cretti,Fleana Albertoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-05-03.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Arrays of double-sided dram cells including capacitors on the frontside and backside of a stacked transistor structure

Номер патента: US12120865B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Aerohydrodynamic surface, array of vortex generators, and method of mounting array of vortex generators

Номер патента: US12110099B2. Автор: Sergey Nikolaevich NIZOV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US20240339374A1. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

An ultrasound transducer and a tiled array of ultrasound transducers

Номер патента: EP4149691A1. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Vincent Adrianus HENNEKEN,Antonia Cornelia VAN RENS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-03-22.

An ultrasound transducer and a tiled array of ultrasound transducers

Номер патента: WO2021228720A1. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Vincent Adrianus HENNEKEN,Antonia Cornelia VAN RENS. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2021-11-18.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Array of heat-sinked power semiconductors

Номер патента: US12046529B2. Автор: Jeffrey J. Ronning. Владелец: American Axle and Manufacturing Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Hot plate with programmable array of lift devices for multi-bake process optimization

Номер патента: US09978618B2. Автор: Mark Somervell,Michael Carcasi,Josh Hooge. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Light spot position detector with an array of nanorods

Номер патента: US09954125B2. Автор: Jinhui Song,Chengming Jiang. Владелец: Forwarding Technology Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods

Номер патента: US09929306B2. Автор: Prem Nath,Mohan S. Misra,Venugopala R. Basava. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Efficient pumping of an array of optical amplifiers

Номер патента: US09899792B1. Автор: Peter J. Winzer,Alan H. Gnauck. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming an array of a multi-device unit cell

Номер патента: US09893041B2. Автор: Sharon N. Farrens,Anusha Pokhriyal. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and structure for forming a dense array of single crystalline semiconductor nanocrystals

Номер патента: US09892910B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Making multilayer 3D capacitors using arrays of upstanding rods or ridges

Номер патента: US09865675B2. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects

Номер патента: US09852969B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Localized heating via an infrared heat source array of edge seals for a vacuum insulating glass unit, and/or unitized oven with infrared heat source array for accomplishing the same

Номер патента: US09783447B2. Автор: Hong Wang,David J. Cooper. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of transferring and bonding an array of micro devices

Номер патента: US09773750B2. Автор: Andreas Bibl,John A. Higginson,Hung-fai Stephen Law,Hsin-Hua Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods for the synthesis of arrays of thin crystal grains of layered semiconductors SnS2 and SnS at designed locations

Номер патента: US09761446B2. Автор: Haibing Peng,Guoxiong Su,Debtanu De. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-09-12.

Polymer co-location in surface-attached biopolymers and arrays of biopolymers

Номер патента: US09745628B2. Автор: Yuan Gao,Gunjan Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof

Номер патента: US09735022B2. Автор: Matthew L. Scullin,Gabriel Matus,Chii Guang Lee,Sylvain Muckenhirn,Mingqiang Yi,Dawn L. Hilken. Владелец: Alphabet Energy Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Array of carbon nanotube micro-tip structures

Номер патента: US09734976B2. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nucleic acid arrays of spatially discrete features on a surface

Номер патента: US09677069B2. Автор: Roberto Rigatti,Geoffrey Paul Smith,Jonathan Mark Boutell. Владелец: Illumina Cambridge Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Detecting and processing weak signals using an array of antennas

Номер патента: US09660772B2. Автор: William Preston Geren,Anthony P. Goodson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-05-23.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for making an array of micro-needles

Номер патента: US09561355B2. Автор: Pietro Ferraro,Andrea Finizio,Simonetta Grilli,Raffaele Vecchione,Paolo Antonio Netti,Sara Coppola,Veronica Vespini,Eliana Esposito. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2017-02-07.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09553262B2. Автор: Jun Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Tailorable flexible sheet of monolithically fabricated array of separable cells each comprising a wholly organic, integrated circuit adapted to perform a specific function

Номер патента: US09543360B2. Автор: Manuela La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for controlling microstructural arrangement of nominally-aligned arrays of carbon nanotubes

Номер патента: US09505615B2. Автор: Chiara DARAIO,Abha MISRA,Jordan R. RANEY. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-29.

Arrays of absorbent article packages with natural fibers

Номер патента: EP4440948A1. Автор: Paul Thomas Weisman,Michael Remus,Andreas Peter Motsch. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-10-09.

Micro-patterned plate composed of an array of releasable elements surrounded with solid or gel walls

Номер патента: US09487745B2. Автор: Yuli Wang,Nancy Allbritton. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for a printed circuit board with an array of high density AC coupling/DC blocking capacitors

Номер патента: US09414496B2. Автор: Ricki Dee Williams,Ray Ping-kwan Chan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Making multilayer 3D capacitors using arrays of upstanding rods or ridges

Номер патента: US09412806B2. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Arrays of recessed access devices, methods of forming recessed access gate constructions, and methods of forming isolation gate constructions in the fabrication of recessed access devices

Номер патента: US09385132B2. Автор: Troy R. Sorensen,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of efficiently implementing a MPEG-4 AVC deblocking filter on an array of parallel processors

Номер патента: US09369725B1. Автор: Brian G. Lewis. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Systems and methods for beamforming using an array of phase change materials

Номер патента: US20240120652A1. Автор: Enxiao LUAN,Mahsa SALMANI,Armaghan ESHAGHI,Sreenil SAHA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Solar cell panel integrated with a conforming array of miniature lenses

Номер патента: US20080053524A1. Автор: Kurt Lehovec. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Preparation of fibers from a supported array of nanotubes

Номер патента: CA2583759A1. Автор: Yuntian T. Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Array of electrical connectors having offset electrical connectors

Номер патента: WO2011081992A2. Автор: Alan Crighton,Steven Minich. Владелец: FCI. Дата публикации: 2011-07-07.

Systems, apparatus, and methods for grouping articles into arrays of various configurations

Номер патента: EP3307631A1. Автор: Clifford Theodore Papsdorf,Jason Lee Debruler,Geoffrey John Kerr,Rodney Alan HOLLOWAY. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-04-18.

Array of electrical connectors having offset electrical connectors

Номер патента: WO2011081992A3. Автор: Alan Crighton,Steven Minich. Владелец: FCI. Дата публикации: 2011-11-03.

Electronic device with an array of processing units

Номер патента: EP1745640A1. Автор: Walter Ruetten,Michael Overdick. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2007-01-24.

Device, system, and method for wirelessly controlling an array of beach umbrellas

Номер патента: EP4125489A1. Автор: Joerg Schulhofer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-08.

Bi-stable quantum wire array of self-assembled nanomedicine and the preparation method therefor

Номер патента: US20080166333A1. Автор: Yan Fang,Rong Wu. Владелец: Zhongshan Hospital Fudan University. Дата публикации: 2008-07-10.

Capacitor with array of interconnects for improved self-resonant frequency and quality factor

Номер патента: US20240105387A1. Автор: Tejinder Singh,Morris Repeta. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrical connector having an array of signal contacts

Номер патента: US20150104978A1. Автор: Richard Elof Hamner,Christopher David Ritter,Justin Shane Mcclellan. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Ultrasonic transducer with zipper array of transducing elements

Номер патента: US11850094B2. Автор: Cheng-Yuan HSIEH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrostatic methods and apparatus for mounting and demounting particles from a surface having an array of tacky and non-tacky areas

Номер патента: US7191930B2. Автор: Allan Cairncross,John Edwin Gantzhorn, Jr.,Thomas Kenneth Bednarz,George Yeaman Thomson, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-03-20.

Biodegradable sheet and an array of separable pouches for liquids

Номер патента: US20150175759A1. Автор: Shai Garty,Tal Neuman,Daphna Nissenbaum,Ana Lea Dotan,Noam Tenenbaum. Владелец: Tipa Corp Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Array of cells for detecting time-dependent image data

Номер патента: US20210281779A1. Автор: Chenghan LI. Владелец: Inivation AG. Дата публикации: 2021-09-09.

Array of cells for detecting time-dependent image data

Номер патента: WO2020011651A1. Автор: Chenghan LI. Владелец: Inivation AG. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Highly ordered arrays of colloidal 2d crystals and methods for producing the same

Номер патента: WO2012119609A1. Автор: Stefan Quint,Claudia PACHOISKI. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2012-09-13.

An array of absorbent articles having functional enhancement indicators

Номер патента: EP1827343A2. Автор: Giovanni Carlucci,Paul Thomas Weisman,Ronald Bosman Visscher,Peter Charles Mason, Jr.,Jeanne Marie Hughes,Folke Schlueter,Emma Somma. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2007-09-05.

A feeding system for an array of bor antenna elements

Номер патента: EP4062491A1. Автор: Sten Gunnarsson,Johan MALMSTRÖM. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2022-09-28.

Method and device for processing microstructure arrays of polystyrene-graphene nanocomposites

Номер патента: US20200230644A1. Автор: Jian Gao,Qiang Liu,Xin Chen,Shuang Zhou,Yun Chen,Ching-Ping Wong,Shenghui Zhang,Junyu LONG. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-07-23.

Encryption/identification using array of resonators at transmitter and receiver

Номер патента: EP2359519A1. Автор: Valtteri Niemi,Mikko Uusitalo,Markku Oksanen,Nikolai Nefedov. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2011-08-24.

Linked arrays of void cells

Номер патента: EP3033541A1. Автор: Collin Metzer,Peter M. Foley,Rico TRESSO,Ethan WYMAN,Eric Difelice. Владелец: Skydex Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Device, system, and method for wirelessly controlling an array of beach umbrellas

Номер патента: WO2021201917A1. Автор: Joerg Schulhofer. Владелец: Joerg Schulhofer. Дата публикации: 2021-10-07.

Dispensing device having an array of laterally spaced tubes

Номер патента: US20120325854A1. Автор: James William Ashmead,William Gerald DiMaio. Владелец: ACTAMAX SURGICAL MATERIALS LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Array of polymeric hydrogel nanostructures and their uses

Номер патента: WO2020033227A2. Автор: YE Fang. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2020-02-13.

Ultrasonic transducer with zipper array of transducing elements

Номер патента: US20220249059A1. Автор: Cheng-Yuan HSIEH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-11.

Electrostatic methods and apparatus for mounting and demounting particles from a surface having an array of tacky and non-tacky areas

Номер патента: US6871777B2. Автор: Allan Cairncross,John Edwin Gantzhorn, Jr.,Thomas Kenneth Bednarz,George Yeaman Thomson, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-03-29.

Output stage for an array of electrical transducers

Номер патента: EP1115244A3. Автор: John Scott-Thomas,George Chamberlain,Paul Hua. Владелец: Symagery Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-03-20.

Apparatus and method for separating a sheet from an array of sheets

Номер патента: WO1993012027A2. Автор: William John Hommes,Doyle Donald Chesnutt,James Andrew Holler,Arnold Cushing Sheldon Ii. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 1993-06-24.

Laser-based method for growing an array of carbon nanotubes

Номер патента: US20140363586A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Zhuo Chen,Chun-Xiang Luo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Efficient Arrays of Amplified Polynucleotides

Номер патента: US20120004126A1. Автор: . Владелец: Complete Genomics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-voltage digital device for current measurement

Номер патента: RU2368906C2. Автор: Вадим Валерьевич Старцев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Арматурно-Изоляторный Завод". Дата публикации: 2009-09-27.

Device for construction of programmable digital microprocessor systems

Номер патента: RU2374672C1. Автор: Борис Германович Терехин,Борис Германович Терехин (RU). Владелец: Борис Германович Терехин. Дата публикации: 2009-11-27.

Device of formulation of economically best feed ration and making economically best feed mixture in case of programmable growth of animals and poultry

Номер патента: RU2553385C2. Автор: Павел Борисович Лукьянов,Александр Владимирович Дубровин,Борис Васильевич Лукьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства" (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2015-06-10.

UNIT PIXEL ARRAY OF AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Array of superconducting detectors of submillimetre and far-infrared radiation

Номер патента: RU2515416C1. Автор: Григорий Наумович Гольцман,Наталья Сергеевна Каурова,Иван Васильевич Третьяков,Матвей Ильич Финкель,Сергей Валерьевич Селиверстов,Анна Игоревна Кардакова,Павел Александрович Ларионов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский педагогический государственный университет". Дата публикации: 2014-05-10.

Method to produce arrays of aligned carbon nanotubes on substrate surface

Номер патента: RU2561616C2. Автор: Александр Владимирович Окотруб,Артем Владимирович Гусельников,Сергей Николаевич Багаев,Геннадий Николаевич Грачев,Александр Леонидович Смирнов,Вячеслав Евгеньевич Архипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук Российской Федерации. Дата публикации: 2015-08-27.

Transceiving module of active phased array of microwave range

Номер патента: RU2454763C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Виктор Михайлович Малыщик. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-06-27.

Method of exciting and tuning cophased antenna array of rhomb shaped elements and antenna-feeder device to this end

Номер патента: RU2343603C2. Автор: Виктор Владимирович Приходько,Владимир Григорьевич Калугин,В чеслав Валентинович Караванов,Вячеслав Валентинович Караванов. Владелец: Вячеслав Валентинович Караванов. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of checking correctness of data entry in dual-controller data storage system based on array of nonvolatile media and apparatus therefor

Номер патента: RU2552151C2. Автор: Николай Павлович КОПАНЫГИН. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РЭЙДИКС". Дата публикации: 2015-06-10.

Thermal imager based on staring array of 256x256 format

Номер патента: RU2454022C1. Автор: Антонина Иннокентьевна Садовникова,Владимир Григорьевич Сиренко,Павел Алексеевич Осетров,Алексей Николаевич Хрусталев,Николай Владимирович Ефремов,Роман Владимирович Грачев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Субмикрон". Дата публикации: 2012-06-20.

Method utilized to search for information in poly-topic arrays of unorganized texts

Номер патента: RU2266560C1. Автор: С.В. Попов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт промышленного развития "Информэлектро". Дата публикации: 2005-12-20.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of forming ordered array of nanosized spheroids on substrate

Номер патента: RU2444084C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2012-02-27.

Method for protection from wind loads on phased antenna arrays of all-around looking radar stations

Номер патента: RU2499336C1. Автор: Леонтий Прокофьевич Демяносов,Иван Витальевич Орлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод". Дата публикации: 2013-11-20.

Phased array of reflector type

Номер патента: RU2048699C1. Автор: А.В. Шишлов,Б.А. Левитан,Б.А. Ремизов,А.А. Толкачев,В.А. Колобов,Г.В. Маркин,А.Г. Шубов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Радиофизика". Дата публикации: 1995-11-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.