Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Dual channel structures with multiple threshold voltages

Dual channel structures with multiple threshold voltages

Номер патента: US09997519B1
Опубликовано: 12-06-2018
Автор(ы): Michael A. Guillorn, Ruqiang Bao, Vijay Narayanan
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structures with sub-fin isolation

Номер патента: US20240332301A1. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Prashant Wadhwa,Chun-Kuo HUANG,Conor P. PULS,Giorgio Mariottini,Caleb Barrett,Daniel James Harris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having channel structure with 2D material

Номер патента: US11942536B2. Автор: Robert D. Clark,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanowire mesh fet with multiple threshold voltages

Номер патента: WO2010135206A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Paul Chang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-25.

Gate All Around Dual Channel Transistors

Номер патента: US20240186393A1. Автор: Effendi Leobandung,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Single stack dual channel gate-all-around nanosheet with strained pfet and bottom dielectric isolation nfet

Номер патента: US20230420457A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Heng Wu,Gen Tsutsui,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

High performance MOSFETs having varying channel structures

Номер патента: US11855090B2. Автор: Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Jiun-Jia Huang,Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High performance mosfets having varying channel structures

Номер патента: US20240113119A1. Автор: Chi-Hsing Hsu,Kuan-Lun Cheng,Jiun-Jia Huang,Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Gate-all-around fets having uniform threshold voltage

Номер патента: US20200043808A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Volumeless Threshold Voltage Tuning for Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290662A1. Автор: Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Uniform threshold voltage for nanosheet devices

Номер патента: US20180350935A1. Автор: Koji Watanabe,Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US11688770B2. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250116A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20220359695A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20240222458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with embedded epitaxial structure

Номер патента: US20240379862A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Gate-all-around field effect transistors with horizontal nanosheet conductive channel structures for MOL/inter-channel spacing and related cell architectures

Номер патента: US09685564B2. Автор: RWIK Sengupta,Titash Rakshit,Joon Goo Hong,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Controlling threshold voltage in nanosheet transistors

Номер патента: US09818616B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20150214312A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20170053989A9. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-23.

Termination Structure with Multiple Embedded Potential Spreading Capacitive Structures for Trench MOSFET and Method

Номер патента: US20110198605A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-18.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive for trench MOSFET and method

Номер патента: US9029236B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench MOSFET

Номер патента: US09960237B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-05-01.

Termination Structure with Multiple Embedded Potential Spreading Capacitive Structures for Trench MOSFET and Method

Номер патента: US20140167212A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105805A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers

Номер патента: EP1163697A1. Автор: Donald R. Disney,Vladimir Rumennik,Janardhanan S. Ajit. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2001-12-19.

Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers

Номер патента: EP1163697A4. Автор: Janardhanan S Ajit,Vladimir Rumennik,Donald R Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Dual channel trench ldmos transistors and transistors integrated therewith

Номер патента: US20130119465A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-16.

Dual channel trench ldmos transistors with drain superjunction structure integrated therewith

Номер патента: US20170213894A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Channel structures for semiconductor devices

Номер патента: US11942533B2. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Channel structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230061755A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Channel Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387262A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Composite Semiconductor Device with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20150325565A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Pete Rodriguez. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-12.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20240282587A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20230360926A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US11996298B2. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US20170133373A1. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Threshold Voltage Tuning for Fin-Based Integrated Circuit Device

Номер патента: US20190139828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen,Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Vertical transport cmos transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220165850A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2616541A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Multi-threshold voltage field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837416B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Chi-Hsun Hsieh,Che-Min Chu,Yu-Hsuan Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate-all-around field-effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220123144A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Tuning threshold voltage in nanosheet transitor devices

Номер патента: US20210134950A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Hou-Yu Chen,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Tuning threshold voltage in nanosheet transitor devices

Номер патента: US11502168B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Hou-Yu Chen,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US09941300B2. Автор: Terence B Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit (ic) structure with body contact to well with multiple diode junctions

Номер патента: US20220190116A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Anupam DUTTA,Venkata N.R. Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US10734378B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US20190019793A1. Автор: MORRIS Daniel H,Ian A. Young,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US20240322037A1. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Channel structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837497B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US09761713B2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R. C. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-K layer

Номер патента: US09627484B1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103982A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US10366897B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9984883B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9972497B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180226257A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170278713A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103897A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180096851A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170104066A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Intrinsic channel planar field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007143A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni,Barry P. Linder,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Vertically stacked dual channel nanosheet devices

Номер патента: US20200020768A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Technique for filling high aspect ratio, narrow structures with multiple metal layers and associated configurations

Номер патента: US09972541B2. Автор: Joseph M. Steigerwald,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical transport fets having a gradient threshold voltage

Номер патента: US20190172922A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Vertical transport FETs having a gradient threshold voltage

Номер патента: US10600883B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Geometry for threshold voltage tuning on semiconductor device

Номер патента: US11935957B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US20170309619A1. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: SG188041A1. Автор: Flachowsky Stefan,Wei Andy,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Threshold voltage adjustment in a fin-transistor by corner implantation

Номер патента: SG188066A1. Автор: Flachowsky Stefan,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom,Wie Andy. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2013-03-28.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: US20140027825A1. Автор: Andy Wei,Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Active device structure with oxide channel layer having degree of crystallinity and method thereof

Номер патента: US09905701B2. Автор: Chia-Ming Chang,Po-Liang Yeh,Chen-Chung Wu,Chun-An Chang,Jiang-Jin You. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic threshold voltage mosfet having gate to body connection for ultra-low voltage operation

Номер патента: US5559368A. Автор: Fariborz Assaderaghi,Chenming Hu,Ping K. Ko,Stephen Parke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-09-24.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US20050194648A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US10109624B2. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US7217985B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20070034912A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20050148126A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US20200286994A1. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Channel structures with sub-fin dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US11984449B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Channel structures with sub-fin dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20200006332A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and gate structure for threshold voltage modulation in transistors

Номер патента: US20150123167A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Channel SiGe devices with multiple threshold voltages on hybrid oriented substrates, and methods of manufacturing same

Номер патента: US09490161B2. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Nanowire transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09865681B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Dual channel memory

Номер патента: US20160049507A1. Автор: Zhijiong Luo. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09716155B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US9941370B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20170170298A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20180090581A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of modifying the strain state of a semiconducting structure with stacked transistor channels

Номер патента: US09853130B2. Автор: BENOÎT Mathieu,Yves Morand,Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Jean-Charles Barbe. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for PFETS

Номер патента: US09735176B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical channel structure

Номер патента: US09543319B1. Автор: Chih-Hsiang Yang,Tin-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pFETs

Номер патента: US09425293B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Formation method of semiconductor device structure with semiconductor nanostructures

Номер патента: US11978773B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of making a low leakage dynamic threshold voltage mos (dtmos) transistor

Номер патента: US20020076887A1. Автор: Sheng Hsu,Yanjun Ma. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Integrated assemblies having threshold-voltage-inducing-structures proximate gated-channel-regions, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11177265B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pfets

Номер патента: US20170194357A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US11843055B2. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US20240113223A1. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Incorporating nitrogen in dipole engineering for multi-threshold voltage applications in stacked device structures

Номер патента: US12040365B1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Incorporating Nitrogen in Dipole Engineering for Multi-Threshold Voltage Applications in Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290630A1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US09837523B2. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Dual channel memory

Номер патента: US09997640B2. Автор: Zhijiong Luo. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Dual channel memory

Номер патента: US09466731B2. Автор: Zhijiong Luo. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Gan-based hemt structure having multiple threshold voltages, and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4336563A1. Автор: Yong Yang,Xin Chen,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao,Xiaolu Guo. Владелец: Guangdong Institute Of Semiconductor Micro Nano Manufacturing Technology. Дата публикации: 2024-03-13.

Multi-operational mode transistor with multiple-channel device structure

Номер патента: EP1958263A1. Автор: James Pan,John Pellerin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20230095534A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US12100740B2. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus to tune threshold voltage of device with high angle source/drain implants

Номер патента: US20160172443A1. Автор: SONG Zhao,Kwan-Yong Lim,Seung-Chul Song,Younsung Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of fabricating a transistor channel structure with uniaxial strain

Номер патента: US09935019B2. Автор: Yves Morand,Francois Rieutord,Shay REBOH,Laurent Grenouillet,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Mosfet with reduced threshold voltage and on resistance and process for its manufacture

Номер патента: US20030089945A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Harold Davis,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-05-15.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US20230369421A1. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced MOS threshold voltage mismatch

Номер патента: US11869956B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20240088262A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200287048A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

MOSFET structure and fabrication process for decreasing threshold voltage

Номер патента: US5729037A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,True-Lon Lin,Danny Chi Nim. Владелец: MegaMOS Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20190287970A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced CMOS device technology

Номер патента: US10636792B2. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20180277540A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of forming a stacked memory structure with insulating patterns

Номер патента: US12075623B2. Автор: Sun Young Kim,Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20080296698A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20090236673A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit comprising a clamping structure and method of adjusting a threshold voltage of a clamping transistor

Номер патента: US09490244B2. Автор: Anton Mauder,Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US20160087100A1. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-03-24.

Stacked carbon nanotube multiple threshold device

Номер патента: US09837491B2. Автор: Sami Rosenblatt,Rasit O Topaloglu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Stacked carbon nanotube multiple threshold device

Номер патента: US09472773B1. Автор: Sami Rosenblatt,Rasit Onur Topaloglu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Gate Stack Designs for Analog and Logic Devices in Dual Channel Si/SiGe CMOS

Номер патента: US20200144057A1. Автор: Dechao Guo,ChoongHyun Lee,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Gate Stack Designs for Analog and Logic Devices in Dual Channel Si/SiGe CMOS

Номер патента: US20190295844A1. Автор: Dechao Guo,ChoongHyun Lee,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: EP4044231A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US20240355819A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US12051692B2. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20150318307A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20160111340A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US09530699B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure with vertical gate transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130832A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing semiconductor structure with vertical gate transistor

Номер патента: US20220293604A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US20210303768A1. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

TFT modulating threshold voltage and flat panel display having the same

Номер патента: US20050110017A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Myeong-Seob So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US11809802B2. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Stretchable display panel, method for compensating threshold voltage of transistor and computer readable storage medium

Номер патента: US20220068177A1. Автор: Qian Yang,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Electronic Devices Having Displays With Compensation for Oxide Transistor Threshold Voltage

Номер патента: US20200243012A1. Автор: David A. Doyle,Michael H. Lim,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Timothy M. Johnson,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: EP3394894A1. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US20180300443A1. Автор: Hiu Yung Wong,Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111787A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111788A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Dielectric tuning of negative capacitance in dual channel field effect transistors

Номер патента: US20230282523A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device including threshold voltage measurement circuitry

Номер патента: US20180052196A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Shallow low energy ion implantation into pad oxide for improving threshold voltage stability

Номер патента: US20050239256A1. Автор: Kim Sik,ZHAO Lun,Yisuo Li,Francis Benistant. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of forming structures for threshold voltage control

Номер патента: US20220123131A1. Автор: Qi Xie,Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Giuseppe Alessio Verni,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-21.

Simplified multi-threshold voltage scheme for fully depleted SOI MOSFETs

Номер патента: US09633911B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Scott Luning,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Low-Cost CMOS Structure with Dual Gate Dielectrics and Method of Forming the CMOS Structure

Номер патента: US20140252485A1. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09865507B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09431302B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: US20240282848A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: EP4445420A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Transistor capable of electrically controlling a threshold voltage and semiconductor device including the transistor

Номер патента: US20230101075A1. Автор: Seonhaeng Lee,Gangjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US8058187B2. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US20100173503A1. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Methods And Materials For Modifying The Threshold Voltage Of Metal Oxide Stacks

Номер патента: US20200234959A1. Автор: Atashi Basu,Paul F. Ma,Siddarth Krishnan,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods for forming three-dimensional memory device having channel structures with native oxide layer

Номер патента: WO2020073158A1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20220328560A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20210233958A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20230363181A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US11792999B2. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

MISFET threshold voltage control

Номер патента: GB2348318A. Автор: Tohru Mogami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-27.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030203579A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030122198A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Multiple threshold voltage trigate devices using 3D condensation

Номер патента: US09536795B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional flash memory device including channel structures having enlarged portions

Номер патента: US20220085068A1. Автор: Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Low threshold voltage anti-fuse device

Номер патента: CA2646367A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2016144530A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multiple threshold voltage FinFETs

Номер патента: US09425196B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A2. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-08-25.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A3. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: Xiaoju Wu. Дата публикации: 2005-12-15.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Fin field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007144A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Multiple threshold voltage semiconductor device

Номер патента: US20150287725A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Multiple threshold voltage devices

Номер патента: US20210013109A1. Автор: Jiehui SHU,Rinus Tek Po Lee,Bharat V. Krishnan,Hyung Yoon CHOI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods And Circuits To Reduce Threshold Voltage Tolerance and Skew In Multi-Threshold Voltage Applications

Номер патента: US20080122524A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Method and semiconductor circuit for maintaining integrity of field threshold voltage requirements

Номер патента: US5981994A. Автор: Jian Chen,Ming Sang Kwan,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Methods and circuits to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080246533A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080265983A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US7671666B2. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Memory devices having vertically extending channel structures therein

Номер патента: US20190287984A1. Автор: Yong Hoon Son,Han Vit Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a MOS device with multiple threshold voltages

Номер патента: US6235596B1. Автор: Kuan-Yang Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Bi-polar dual-channel charge-coupled device

Номер патента: CA1134037A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-19.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: EP1019968A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-19.

Low threshold voltage diode-connected FET

Номер патента: US6097247A. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-08-01.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1999-04-08.

Apparatus and method for measuring dynamic threshold voltage of nitride-based power device

Номер патента: WO2024108420A1. Автор: Feng Huang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Protective integrated structure with biasing devices having a predetermined reverse conduction threshold

Номер патента: US6057578A. Автор: Natale Aiello,Atanasio La Barbera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-05-02.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor fuse with measurement circuit for the detecting of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297128A1. Автор: Stefan Hofinger. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Components with multiple energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2665698C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of fabricating high-mobility dual channel material based on soi substrate

Номер патента: US20130029478A1. Автор: Xi Wang,Bo Zhang,Miao Zhang,Zhongying Xue. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-01-31.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135105A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135106A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US20080176350A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US7397075B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Variable threshold voltage complementary MOSFET with SOI structure

Номер патента: US20040262647A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Memory device havingprotruding channel structure

Номер патента: US20230371240A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device incorporating selector element with multiple thresholds

Номер патента: US09812499B1. Автор: Hongxin Yang,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-channel heat-conducting encapsulation structure and encapsulation method of a solid-state phosphor integrated light source

Номер патента: US10600766B2. Автор: WANG Guo,Maochun Hong,Yunfeng Zhang,Shanghui YE,Jieqin ZHANG,Wenxiong LIN. Владелец: Fujian Cas-Ceramic Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Structures for light-emitting diode packages with multiple light-emitting diode chips

Номер патента: WO2024197600A9. Автор: Zhenyu Zhong,Chak Hau Charles Pang,Yue Kwong Victor Lau,Robert David Schmidt,Juzuo Sheng. Владелец: Creeled , Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Structures for light-emitting diode packages with multiple light-emitting diode chips

Номер патента: WO2024197603A1. Автор: Zhenyu Zhong,Chak Hau Charles Pang,Yue Kwong Victor Lau,Robert David Schmidt,Juzuo Sheng. Владелец: Creeled , Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Dual-channel monoblock gas manifold

Номер патента: WO2024039811A1. Автор: Prahalad Narasinghdas Agarwal. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-22.

Light-emitting diode grain structure with multiple contact points

Номер патента: US20220302353A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage

Номер патента: US09356043B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

Substrate with multiple core layers to provide varied thickness cavities supporting varied thickness embedded electrical devices, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240355747A1. Автор: Xia Li,John Holmes,Bin Yang,Aniket Patil. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: US09824767B1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Adjustment of threshold voltages of selected NMOS and PMOS transistors using fewer masking steps

Номер патента: US20030181004A1. Автор: Jeffrey Watt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

Method of fabricating dual threshold voltage n-channel and p-channel mosfets with a single extra masked implant operation

Номер патента: US20030094659A1. Автор: Kaizad R. Mistry,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Compact RRAM structure with contact-less unit cell

Номер патента: US09847377B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Threshold voltage (VT)-type transistor sensitive and/or fan-out sensitive selective voltage binning

Номер патента: US09653330B1. Автор: Robert J. McMahon,Jeanne P. Bickford,John R. Goss,Troy J. Perry,Thomas G. Sopchak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Threshold voltage defined switches for programmable camouflage gates

Номер патента: WO2017176381A3. Автор: Swaroop Ghosh,Anirudh Srikant IYENGAR,Deepakreddy VONTELA,Ithihasareddy NIRMALA. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-12-21.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US20240057489A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

LED lamp beads with multiple light-emitting points

Номер патента: US09958142B2. Автор: Faquan Liang. Владелец: Dongguan Chen Cai Illuminating Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Lead frame array for carrying chips and led package structure with multiple chips

Номер патента: US20200105649A1. Автор: Chen-Hsiu Lin,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Lead frame array for carrying chips and LED package structure with multiple chips

Номер патента: US11211313B2. Автор: Chen-Hsiu Lin,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

LED package structure with multiple color temperatures and method for manufacturing the same

Номер патента: US10396252B2. Автор: Wen Lee,Shu-Yong Jia,Ju-Shan Lu. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Led package structure with multiple color temperatures and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170336054A1. Автор: Wen Lee,Shu-Yong Jia,Ju-Shan Lu. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods and systems for forming structures comprising a threshold voltage tuning layer

Номер патента: US20240234129A1. Автор: Eric James Shero,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Charles DEZELAH,Paul Ma,Marko Tuominen,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi,Eric Jen Cheng Liu,Gejian Zhao,Eva Elisabeth Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

A threshold voltage (vth), power supply (vdd), and temperature compensation bias circuit for cmos passive mixer

Номер патента: SG147283A1. Автор: Tan Chun Geik,Masaaki Itoh. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2008-11-28.

Semiconductor device including channel structure and through electrode, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US12120877B2. Автор: Hyuk Kim,Jinyoung Park,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

One selector one resistor RAM threshold voltage drift and offset voltage compensation methods

Номер патента: US11004508B2. Автор: Daniel Bedau,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Block Health Monitoring Using Threshold Voltage Of Dummy Memory Cells

Номер патента: US20180075919A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Heat dissipation module with multiple porosities

Номер патента: EP2650914A3. Автор: Chin Huan Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-14.

Self aligned patterning with multiple resist layers

Номер патента: US09581900B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Shih-Ming Chang,Ken-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US20180331278A1. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US10580961B2. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-03-03.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for calculating threshold voltage of pocket implant MOSFET

Номер патента: US20050086014A1. Автор: Michiko Miura,Daisuke Kitamaru. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2005-04-21.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A3. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-08-09.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A2. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-02-23.

Channel Structure for Signal Transmission

Номер патента: US20220115318A1. Автор: Kun-Hung Tsai,Yu-Jhan Lin. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US20160049940A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3195477A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2016025261A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Capacitor structures for display pixel threshold voltage compensation circuits

Номер патента: US09647048B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect circuits having low threshold voltage P-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US09628081B2. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Use of self-assembled layers for checking the threshold voltage of organic transistors

Номер патента: US09583540B2. Автор: Jean-Pierre Simonato,Caroline Celle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-28.

LED Lamp beads with multiple light-emitting points

Номер патента: GB2545279A. Автор: Liang Faquan. Владелец: Dongguan Chen Cai Illuminating Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-14.

Clamped dual-channel showerhead

Номер патента: EP4393002A1. Автор: Kiran Shyam Honnavar,Srikantha Raju,Gangadhar SHEELAVANT,Aniruddha Pal,Yao-Hung Yang,Basavaraja Shankarappa KENGUNTI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Fibre laser system with multiple beams

Номер патента: RU2700723C2. Автор: Валентин ФОМИН,Андрей АБРАМОВ,Холгер МАМЕРОВ,Юджин ЩЕРБАКОВ,Димитрий ЯГОДКИН. Владелец: АЙПИДЖИ ФОТОНИКС КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor fuse with detection circuit for the detection of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297492A1. Автор: Stefan Hofinger,Stefan Hagenauer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Current-perpendicular-to-plane (cpp) read sensor with multiple ferromagnetic sense layers

Номер патента: US20090244791A1. Автор: Tsann Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Determination of spacing between two beamlets in exposure device with multiple beamlets

Номер патента: RU2576018C2. Автор: Ян Андрис МЕЙЕР. Владелец: МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.. Дата публикации: 2016-02-27.

Dual-channel flexible circuit bridge connector and dual graphics card system using the same

Номер патента: US09936577B1. Автор: Wen-Sheng Liu,Qiang-Long Hu. Владелец: Wieson Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Dual-channel buried waveguide and method for fabricating the same

Номер патента: EP4080698A1. Автор: Christophe Caillaud,Cosimo Calo. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2022-10-26.

Dual-channel polarization correction

Номер патента: US20160344083A1. Автор: Christoph Haeussler,Thomas Merk. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2016-11-24.

Compact dual-channel transceivers

Номер патента: US09485037B1. Автор: Thomas McCrea Weller,Ibrahim Turki Nassar. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-01.

Electricity storing/discharging device with multiple-layer package structure having electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals converted into single input/output electric conductive interface

Номер патента: US09911963B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic structure with multiple individual magnets inserted into a lattice structure

Номер патента: RU2759599C2. Автор: Ромен РАВО,Василе МИХАЙЛА,Лоик МЕЙЁР,Югетт ТЬЕНЬЯ. Владелец: Уайлот Сас. Дата публикации: 2021-11-16.

Compact dual-channel transceivers

Номер патента: US9923650B1. Автор: Thomas McCrea Weller,Ibrahim Turki Nassar. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2018-03-20.

Electricity storing/discharging device having multiple input/output electric conductive interface covered by electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals with a single layer means

Номер патента: US09659715B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Switch structure with multiple usages

Номер патента: US5595290A. Автор: Hsuan-Jui Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-01-21.

Fuel cell with multiple electric connectors

Номер патента: US20210218035A1. Автор: Chih Hung Lin,Rong-jie CHEN. Владелец: Thunderzee Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Architecture for an antenna with multiple feeds per beam and comprising a modular focal array

Номер патента: CA2928165C. Автор: Pierre Bosshard,Olivier SAINT MARTIN,Jean-Christophe Odin,Daniel ANDRIEU. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-08-15.

Electronic device for controlling high-voltage with multiple low-voltage switches

Номер патента: US09953774B2. Автор: Tao Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Controlling method and device of fuel cell system with multiple stack towers

Номер патента: US11088376B2. Автор: Wen-Sheng Chang,Heng-Ju Lin,Chia-Hsin Lee,Cheng-Hao YANG,Shing-Cheng Chang,Chien-Chang Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-10.

Power outlet with multiple seats

Номер патента: WO2003050922A1. Автор: Francesco Voltolina. Владелец: Francesco Voltolina. Дата публикации: 2003-06-19.

Patch antenna having a patch fed with multiple signal

Номер патента: US09466880B2. Автор: Jae Young Lee,Se Hwan Choi. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2016-10-11.

Switchable combiner/divider with multiple inputs/outputs

Номер патента: WO2008035834A1. Автор: Jung-Pil Lee,Duk-Yong Kim,Nam-Shin Park,Taek-Dong Kim,Sang-Sig Park,Jin-Chul Hwang. Владелец: KMW INC.. Дата публикации: 2008-03-27.

Switchable combiner/divider with multiple inputs/outputs

Номер патента: EP2064772A1. Автор: Jung-Pil Lee,Duk-Yong Kim,Nam-Shin Park,Taek-Dong Kim,Sang-Sig Park,Jin-Chul Hwang. Владелец: KWM Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

Perovskite cell with multiple hole transport layers and preparation method thereof

Номер патента: US20230301123A1. Автор: Guodong Chen,Yandong Wang,Yongsheng Guo,Zhaohui Liu,Weile LIN,Shuojian Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Fuel Cell with Multiple Independent Reaction Regions

Номер патента: US20130029244A1. Автор: Yong Gao. Владелец: Yong Gao. Дата публикации: 2013-01-31.

Method and system for testing of antenna with multiple radiation elements

Номер патента: RU2744320C1. Автор: Люк ДЮШЕСН,Людовик ДЮРАН,Николя ГРОСС. Владелец: Мвж Индастриз. Дата публикации: 2021-03-05.

Aerosol-generating system with multiple induction coils

Номер патента: RU2764090C2. Автор: Олег МИРОНОВ,Жером Кристиан КУРБА,Тони РИВЕЛЛ,Энрико СТУРА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-01-13.

Low-pressure ultraviolet emitter with multiple threads

Номер патента: RU2689980C1. Автор: Ян Борис ЛЁЗЕНБЕК. Владелец: Ксилем Ай Пи Менеджмент С.А Р.Л.. Дата публикации: 2019-05-30.

Connector for battery with multiple orientation

Номер патента: RU2530738C2. Автор: Глен С. ЛАРСЕН. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-10-10.

Electronic device for controlling high-voltage with multiple low-voltage switches

Номер патента: CA2933454C. Автор: Tao Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-07.

Electricity storing/discharging device with single-layer folding covering and packaging single input/output electric conductive interface having electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals

Номер патента: US10014117B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-03.

Dual-channel architecture with ccdl excess links

Номер патента: RU2670941C2. Автор: Никола МАРТИ,Стефен ЛАНГФОР,Селин ЛИУ. Владелец: Сафран Электроникс Энд Дифенс. Дата публикации: 2018-10-25.

Dual-channel architecture with ccdl excess links

Номер патента: RU2670941C9. Автор: Никола МАРТИ,Стефен ЛАНГФОР,Селин ЛИУ. Владелец: Сафран Электроникс Энд Дифенс. Дата публикации: 2018-11-26.

Online portal access and management system utilizing multiple ip devices organized on a server application with multiple level restricted log-in and event logging

Номер патента: US20150081736A1. Автор: Gary A. Altenberg,James Ternus,David Fields,Martin H. Weik, III,Arthur Steven Weik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-19.

Online portal access and management system utilizing multiple IP devices organized on a server application with multiple level restricted log-in and event logging

Номер патента: US09521148B2. Автор: Gary A. Altenberg,James Ternus,David Fields,Martin H. Weik, III,Arthur Steven Weik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Producing articles with multiple color inks

Номер патента: CA3004411C. Автор: Allen LINEBERRY. Владелец: Coca Cola Co. Дата публикации: 2024-06-11.

Producing articles with multiple color inks

Номер патента: EP3370964A1. Автор: Allen LINEBERRY. Владелец: Coca Cola Co. Дата публикации: 2018-09-12.

Method and device for controlling connection identifiers in relay communication system with wireless access with multiple frequency tuning

Номер патента: RU2384951C1. Автор: Дзунг-Дзе СОН,Пан-Иух ДЗОО,Йеонг-Моон СОН,Хиун-Дзеонг КАНГ,Сунг-Дзин ЛИ,Хиоунг-Киу ЛИМ,Дзун-Йоунг ДЗУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2010-03-20.

Heavy oil cracking device scaleup with multiple electrical discharge modules

Номер патента: EP3781650A1. Автор: David Staack,Kunpeng Wang,Howard Jemison,Shariful Islam BHUIYAN,Charles Martens. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2021-02-24.

Heavy oil cracking device scaleup with multiple electrical discharge modules

Номер патента: AU2019256693A1. Автор: David Staack,Kunpeng Wang,Howard Jemison,Shariful Islam BHUIYAN,Charles Martens. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2020-11-12.

Dual-mode and dual-standby mobile terminal and dual-channel implementation method thereof

Номер патента: US09479639B2. Автор: Tao Xue,Lizhang Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Dual channel two-way satellite communication

Номер патента: EP1423927A4. Автор: Amiram Levinberg. Владелец: Spacenet Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Control scheme for fault tolerant converter topology based dual channel permanent magnet motor drive system

Номер патента: US20240356478A1. Автор: Maamar Benarous,Mohamed Elsayed Rashed Mohamed Alabassy. Владелец: Goodrich Actuation Systems Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Dual-channel orthogonal carriers assisted optical signal transmitting device, direct detection method and system

Номер патента: US9722707B2. Автор: QI Yang,Rong Hu,Shaohua Yu. Владелец: Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Dual channel transmission

Номер патента: EP2446540A1. Автор: Risto Vaisanen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-05-02.

System of wireless local computer network with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2485698C2. Автор: Джон У. КЕТЧУМ,Стивен Дж. ГОВАРД,Дж. Родни УОЛТОН,Марк С. УОЛЛЭЙС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-06-20.

System of wireless local computer network with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2485697C2. Автор: Джон У. КЕТЧУМ,Стивен Дж. ГОВАРД,Дж. Родни УОЛТОН,Марк С. УОЛЛЭЙС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-06-20.

Wireless local area network system with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2335852C2. Автор: Джон У. КЕТЧУМ,Стивен Дж. ГОВАРД,Дж. Родни УОЛТОН,Марк С. УОЛЛЭЙС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-10-10.

Dual-channel low current low noise block downconverter

Номер патента: WO1995006361A1. Автор: Robert J. Bayruns,Phillip W. Wallace,Thomas D. Denigris. Владелец: Anadigics. Дата публикации: 1995-03-02.

Dual channel reception

Номер патента: EP2345219A1. Автор: Risto Olavi Vaisanen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2011-07-20.

Dual channel controller for applying MPPT to an array of turbines

Номер патента: US11831164B2. Автор: Jonathan Forbes,Mark Daniel Farb. Владелец: Flower Turbines LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Dual-mode and dual-standby mobile terminal and dual-channel implementation method thereof

Номер патента: US20150222748A1. Автор: Tao Xue,Lizhang Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Dual channel controller for applying mppt to an array of turbines

Номер патента: US20230327456A1. Автор: Jonathan Forbes,Mark Daniel Farb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for Transmission and Reception in Parallel on Dual Channels, and Apparatus

Номер патента: US20180084582A1. Автор: Yun Liu,Sheng Liu,Teyan CHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Dual channel two-way satellite communication

Номер патента: EP1423927A1. Автор: Amiram Gilat Satellite Networks Ltd. LEVINBERG. Владелец: Spacenet Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

Method for dual channel monitoring on a radio device

Номер патента: WO2009134589A2. Автор: Wei Tuck Chong,Swee Aun Khor,Ing Boh Wong. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for dual channel monitoring on a radio device

Номер патента: EP2272266A2. Автор: Wei Tuck Chong,Swee Aun Khor,Ing Boh Wong. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2011-01-12.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

Dual channel current mode switching regulator

Номер патента: US4825144A. Автор: Jade H. Alberkrack,W. David Pace. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Dual channel power generation system

Номер патента: US7852049B2. Автор: Gregory I Rozman,Vijay K Maddali,Matthew L Wilhide. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Multiphase inductive boost converter with multiple operational phases

Номер патента: GB2621259A. Автор: Zhang Lingli,J King Eric,L Melanson John,G Mackay Graeme. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Motor controller providing a dual-channel functional-safety safe-torque-off function

Номер патента: US11749982B2. Автор: Henrik Rosendal Andersen,Per Knudsen,Ansgar Nielsen. Владелец: Danfoss Power Electronics AS. Дата публикации: 2023-09-05.

Dram structure with multiple memory cells sharing the same bit-line contact

Номер патента: US5955757A. Автор: Jia-Shyong Cheng,Tean-Sen Jen,Shiou-Yu Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Key structure with multiple appearance effects simultaneously presented at different angles of view

Номер патента: EP2015545A3. Автор: Wen-Chin Yao,Chao-Hsien Chien. Владелец: Silitech Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Transmission of pilot-signal and assessment of channel for systems with multiple inlets and single outlet (miso) and multiple inlets and multiple outlets (mimo)

Номер патента: RU2347315C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Дхананджай Ашок ГОРЕ,Тамер КАДОУС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-02-20.

Demodulator with multiple interference cancellers responsive to correlations between undesired signals and error signals

Номер патента: US4989262A. Автор: Masao Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-01-29.

Multiple thresholds for unlicensed channel access for full-duplex nodes

Номер патента: US20220386367A1. Автор: Krishna Kiran Mukkavilli,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Ahmed Attia ABOTABL,Abdelrahman Mohamed Ahmed Mohamed IBRAHIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Detector of differential threshold voltage

Номер патента: EP1738186A1. Автор: Sami Ajram,Florent Garcia,Franck Strazzieri. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US12075714B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Device and method for transfer/reception of data in communication system with multiple antennas

Номер патента: RU2369966C1. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзу-Хо ЛИ,Фарук КХАН,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,РЕНСБУРГ Корнелиус ВАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-10-10.

Structure of feedback channel for communication systems with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2437225C2. Автор: Нага БХУШАН,Минси Фань,Рашид Ахмед Акбар АТТАР,Йонгбин ВЭЙ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-12-20.

Media data with multiple images

Номер патента: RU2508609C2. Автор: Пер ФРЕЙДХ,Чжуанфэй ВУ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2014-02-27.

Method and device intended for multiplexing of multiple feedback channels of feedback line in wireless networks with multiple carriers

Номер патента: RU2397614C2. Автор: Йоунг Чеул ЙООН,Ли-Сиан СУНЬ,Сук Воо ЛИ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2010-08-20.

Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or reistance drift tolerant moving baseline memory data

Номер патента: GB201301474D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: WO2018004836A1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

Restoring OFF-state stress degradation of threshold voltage

Номер патента: US09531371B2. Автор: Alessio Spessot,Moon Ju Cho. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for formation of sequence of preamble for adaptive antenna system in communication system with multiple access and orthogonal frequency division of channels

Номер патента: RU2328826C1. Автор: Ин-Сеок ХВАНГ,Дзае-Хо ДЗЕОН,Соон-Йоунг ЙООН,Сеунг-Дзоо МАЕНГ,Хоон ХУХ,Дзае-Хее ЧО,Дзанг-Хоон ЯНГ,Дзее-Хиун КИМ,Кванг-Хее РОХ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-07-10.

Method and device for distributing resources in communication system with multiple inputs and outputs

Номер патента: RU2294599C2. Автор: Марк УОЛЛЭЙС,Джей Р. УОЛТОН,Стивен Дж. ХОВАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-02-27.

Method and apparatus for scheduling terminals in system with multiple antenna elements combined into common cell

Номер патента: RU2546679C1. Автор: Дагэн ЧЭНЬ,Бин ГУН,Сюэли КУН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-04-10.

Frame structures for wireless communication system with multiple radio communication methods

Номер патента: RU2386217C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Дурга П. МАЛЛАДИ,Рамасвами МУРАЛИ,Анастасиос СТАМОУЛИС,Ашок МАНТРАВАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-04-10.

Equaliser structure operating at elementary parcel or symbol level for systems with multiple transmitters and receivers

Номер патента: RU2336637C2. Автор: Кари ХООЛИ,Кай КИИСКИЛА,Яри ИЛИОЙНАС,Маркку ЮНТТИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2008-10-20.

Transmitter-controlled system with multiple access and code separation of channels, using multi-user separation for maximisation of throughput capacity with provision of equivalent user access

Номер патента: RU2390971C2. Автор: Нага БХУШАН,Питер Дж. БЛЭК,Этьенн Франсуа ШАПОНЬЕР,Дэвид Нгар Чинг ЦЕ,Нага БХУШАН (US),Питер Дж. БЛЭК (US),Этьенн Франсуа ШАПОНЬЕР (US),Дэвид Нгар Чинг ЦЕ (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-05-27.

Method and device for protection zones selection in assembly with multiple busbars

Номер патента: RU2562916C2. Автор: Ли ХЭ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2015-09-10.

Method and device for uplink transmission in frequency-division multiple access system with single carrier with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2407177C2. Автор: Дональд М. ГРИЕКО,Кайл Цзюн-Линь ПАНЬ,Инсюэ ЛИ,Роберт Линд ОЛЕСЕН. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-20.

Method and System for Authorizing and Charging Host with Multiple Addresses in IPv6 Network

Номер патента: US20070169180A1. Автор: JIN Wang,Hongguang Guan,Yongqiang Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for adjusting shutdown threshold voltage, startup method, and electronic devices thereof

Номер патента: US09665166B2. Автор: Jie Zou,Konggang Wei,Qiang XIONG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for compensating thin film transistor threshold voltage drift

Номер патента: US09571090B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Space encoding with spectrum spreading in communication system with multiple antennas

Номер патента: RU2331984C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Стивен Дж. ГОВАРД,Марк С. УОЛЛЭЙС,Джон В. КЕТЧУМ,Личжун ЧЖЭН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of and device for enhancement of handover between sectors and/or cells in wireless communication system with multiple carriers

Номер патента: RU2326497C2. Автор: Раджив ЛАРОЯ,Фрэнк А. ЛЕЙН. Владелец: Квэлкомм Флэрион Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2008-06-10.

Transmission method with spacing for communication systems with multiple inputs and multiple outputs, which use orthogonal frequency-division multiplexing

Номер патента: RU2474955C2. Автор: Джон У. КЕТЧУМ,Джей Р. УОЛТОН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-10.

Repeater with multiple inputs and multiple outputs (mimo)

Номер патента: RU2591048C1. Автор: Хён-Сик ЧО,Ки-хо ЕЕМ,Бён-ки ПАРК. Владелец: Хён-Сик ЧО. Дата публикации: 2016-07-10.

Use of resources application messages in mac with multiple carriers to achieve parity

Номер патента: RU2391798C2. Автор: Гэйвин Бернард ХОРН,Раджарши ГУПТА,Ашвин САМПАТХ,Никхил ДЖАИН,Анастасиос СТАМОУЛИС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-06-10.

Multiple thresholds for unlicensed channel access for full-duplex nodes

Номер патента: US11917679B2. Автор: Krishna Kiran Mukkavilli,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Ahmed Attia ABOTABL,Abdelrahman Mohamed Ahmed Mohamed IBRAHIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: US20240223142A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: EP4394541A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Implementing Enchanced Data Write for Multi-Level Cell (MLC) Memory Using Threshold Voltage-Drift or Resistance Drift tolerant Moving Baseline Memory Data

Номер патента: GB201301472D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Method for testing a radio frequency (rf) data packet signal transceiver with multiple transmitters and receivers capable of concurrent operations

Номер патента: US20170170916A1. Автор: Christian Volf Olgaard,Zhiyong Huang,Ruizu Wang. Владелец: Litepoint Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Power converter controller having a short-circuit protection threshold voltage no higher than an over-current protection threshold voltage

Номер патента: US20210328501A1. Автор: Chih-Liang Wang,Chin-Chuan Chen,Shu-Chia Lin,Kuo-Jung Wu. Владелец: Inno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Uplink transmission with multiple codewords

Номер патента: EP4393095A1. Автор: Zhipeng LIN,Yufei Blankenship,Shiwei Gao,Siva Muruganathan. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for selecting multiple transport formats and transmitting multiple transport blocks simultaneously with multiple H-ARQ processes

Номер патента: US09985768B2. Автор: JIN Wang,Arty Chandra,Stephen E. Terry. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for selecting multiple transport formats and transmitting multiple transport blocks simultaneously with multiple H-ARQ processes

Номер патента: US09515804B2. Автор: JIN Wang,Arty Chandra,Stephen E. Terry. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for providing audible, visual or tactile sidetone feedback notification to user of communication device with multiple microphones

Номер патента: RU2482617C2. Автор: Джереми ШРЕЙДЖ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-05-20.

Method and apparatus for improving control channel structure in shortened transmission time intervals in a wireless communication system

Номер патента: US11832245B2. Автор: Li-Chih Tseng,Ko-Chiang Lin,Ming-Che Li. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Rate matching for a downlink transmission with multiple transmission configurations

Номер патента: US20200100225A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Facilitating dynamic layer mapping with multiple downlink control channels for wireless communication systems

Номер патента: US20190158318A1. Автор: Sairamesh Nammi,Milap Majmundar,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-05-23.

Facilitating dynamic layer mapping with multiple downlink control channels for wireless communication systems

Номер патента: US20190280901A1. Автор: Sairamesh Nammi,Milap Majmundar,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-09-12.

Facilitating dynamic layer mapping with multiple downlink control channels for wireless communication systems

Номер патента: US10348525B2. Автор: Sairamesh Nammi,Milap Majmundar,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-07-09.

Rate matching for a downlink transmission with multiple transmission configurations

Номер патента: WO2020068956A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-04-02.

Method and apparatus for power control for wireless transmissions on multiple component carriers associated with multiple timing advances

Номер патента: US20150043413A1. Автор: Janet A. Stern-Berkowitz,John W. Haim,Stephen E. Terry,Virgil Comsa. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Rate matching for a downlink transmission with multiple transmission configurations

Номер патента: US20200205137A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Threshold voltage and delay time setting circuit, and battery management system including the same

Номер патента: US20140016239A1. Автор: Jin-Tae Kim,Eun CHEON. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

On line automatic detection of the time phase of the threshold voltage of a lighting load and its application in lighting management

Номер патента: US09655219B2. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for power control for wireless transmissions on multiple component carriers associated with multiple timing advances

Номер патента: US09503989B2. Автор: Stephen E Terry,Virgil Comsa,John W Haim,Janet A Stern-Berkowitz. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Simultaneous communication with multiple base stations

Номер патента: US09414279B2. Автор: Ming Jia,Wen Tong,Peiying Zhu,Jianglei Ma,Dong-Sheng Yu. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

System with multiple inputs and multiple outputs (mimo) with multiple modes of space multiplexing

Номер патента: RU2330381C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Джон У. КЕТЧУМ,Марк УОЛЛЭЙС,Стивен Дж. ГОВАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of upperlink transmission with multiple antennas

Номер патента: RU2533186C2. Автор: Сянян ЧЖУАН,Тайлер БРАУН,Колин ФРЭНК,Сандип КРИШНАМУРТХИ,Кеннет СТЮАРТ. Владелец: Моторола Мобилити, Инк.. Дата публикации: 2014-11-20.

Control of separation during reception with multiple antennas in wireless communication system

Номер патента: RU2347316C2. Автор: Эдвард Дж. мл. ТИДМАНН,Брайан Кларк БЭНИСТЕР,Фатих УЛУПИНАР,Грегори Алан БРЕЙТ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-02-20.

Operation with multiple schedulers in wireless system

Номер патента: RU2603626C2. Автор: Поль МАРИНЬЕ,Гислен ПЕЛЛЕТЬЕ,Диана ПАНИ,Стефен Э. ТЕРРИ,Паскаль М. АДЖАКПЛЕ,Самиан Дж. КАУР. Владелец: Интердиджитал Пэйтент Холдингз, Инк.. Дата публикации: 2016-11-27.

Diversity transmission method for communication systems with multiple inputs and multiple outputs, which use orthogonal frequency division multiplexing

Номер патента: RU2325757C2. Автор: Джон У. КЕТЧУМ,Джей Р. УОЛТОН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-05-27.

Fast distribution of carriers in systems with multiple carriers

Номер патента: RU2464740C2. Автор: Даньлу ЧЖАН,Мехмет ЯВУЗ,Азиз ГОЛМИЕХ,Шарад Дипак САМБХВАНИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Wireless communication system with multiple security levels

Номер патента: RU2739435C2. Автор: Вальтер ДЕС,Йоханнес Арнольдус Корнелис БЕРНСЕН,ДЕ ЛАР Францискус Антониус Мариа ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-12-24.

Apparatus and method of transmitting probing reference signal in uplinkwireless communication systems with multiple antennae and probing reference signal

Номер патента: RU2498504C2. Автор: Дзин Киу ХАН,Дзу Хо ЛИ,Дзоон Йоунг ЧО,Инян ЛИ,Санг Мин РО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2013-11-10.

System of matrix switches with multiple bus arbitrations in each cycle by means of arbitration device with increased frequency

Номер патента: RU2370807C2. Автор: Джая Пракаш Субраманиам ГАНАСАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-10-20.

Measurements of positioning and switching of carrier in wireless communication networks with multiple carriers

Номер патента: RU2564118C2. Автор: Мухаммад КАЗМИ,Яна СИОМИНА. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2015-09-27.

Systems and methods for indicating and determining channel structure information

Номер патента: RU2735715C1. Автор: Пэн ХАО,Чэньчэнь ЧЖАН. Владелец: ЗедТиИ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-11-06.

Transmission power control for a single-user system with multiple inputs and multiple uplink outputs of a new radio

Номер патента: RU2742135C1. Автор: Роберт Марк ХАРРИСОН,Никлас ВЕРНЕРСОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-02-02.

Method and device for distributing content for viewing with multiple screens

Номер патента: RU2628569C2. Автор: Вэй ЧЖОУ,Янь СЮЙ,Линь ДУ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2017-08-21.

Connecting cellular networks with multiple relay nodes using media access control sublayer network bridge

Номер патента: RU2441331C2. Автор: Адам САПЕК,Тхирувенгадам ВЕНКЕТЕСАН. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-01-27.

System and method for backward-compatible preamble formats for wireless connection with multiple access

Номер патента: RU2627043C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Хемантх САМПАТХ,Самир ВЕРМАНИ,Рауль ТАНДРА. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-08-03.

Simple and efficient mechanism for synchronising communication scheduling in medium with multiple relay intervals

Номер патента: RU2416883C2. Автор: Хайхонг ЖЕНГ,Хайхонг ЖЕНГ (US). Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2011-04-20.

Method and system for creating a television menu with multiple settings

Номер патента: US12014024B2. Автор: Yu-Jen Lin,Cheng-Hao Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Generalized frequency division multiplexing method with multiple-input multiple-output and flexible index modulation

Номер патента: US20210359777A1. Автор: Ertuğrul Başar,Hakan Ali CIRPAN,Ersin OZTURK. Владелец: Netas Telekomunikasyon AS. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for creating a television menu with multiple settings

Номер патента: US20220236839A1. Автор: Yu-Jen Lin,Cheng-Hao Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods and apparatus for configuring a front end to process multiple sectors with multiple radio frequency frames

Номер патента: US20220060912A1. Автор: Mehran Nekuii,Hong Jik Kim,Frank H. Worrell. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Sigma-delta difference-of-squares rms-to-dc converter with multiple feedback paths

Номер патента: WO2012078895A3. Автор: Paulo Gustavo Raymundo Silva. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-10-04.

Apparatus and method of enhanced channel state information (csi) feedback for enhanced physical downlink control channel (pdcch) transmission with multiple beams from multiple transmit receive points (trps)

Номер патента: US20230123975A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Data signal amplifier and processor with multiple signal gains for increased dynamic signal range

Номер патента: WO2005039039A3. Автор: Pieter Gerhard Roos,Gary Virshup,Richard Colbeth,Edward Seppi,Ivan Petrov Mollov. Владелец: Ivan Petrov Mollov. Дата публикации: 2005-12-15.

Rosen type piezoelectric transformer with multiple output electrodes, and stabilizer for multiple light source using that

Номер патента: US20030001461A1. Автор: Jong-Sun Kim,Jang-Hyoun Youm. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Ta indication and application with multiple transmission and reception points

Номер патента: US20240235781A1. Автор: Eko Onggosanusi,Aristides Papasakellariou,Kyoungmin Park,Dalin ZHU,Emad N. Farag. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Electric winding exchanger system for a multi-phase electric motor with multiple isolated neutrals and multiple coil paths

Номер патента: US20230283151A1. Автор: Ali Sarikhani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods, apparatuses and systems directed to beam management in connection with multiple cells and/or multiple transmission/reception points

Номер патента: US12126560B1. Автор: Paul Marinier,Moon Il Lee,Afshin Haghighat,Virgil Comsa,Young Woo Kwak. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Electric winding exchanger system for a multi-phase electric motor with multiple isolated neutrals and multiple coil paths

Номер патента: US12040664B2. Автор: Ali Sarikhani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods and apparatus for configuring a front end to process multiple sectors with multiple radio frequency frames

Номер патента: US11729640B2. Автор: Mehran Nekuii,Hong Jik Kim,Frank H Worrell. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods, apparatuses and systems directed to beam management in connection with multiple cells and/or multiple transmission/reception points

Номер патента: US20240372673A1. Автор: Paul Marinier,Moon Il Lee,Afshin Haghighat,Virgil Comsa,Young Woo Kwak. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Digital closed-loop control for DC/DC switch-mode power converters with multiple outputs

Номер патента: US09660538B2. Автор: Keng C. Wu. Владелец: Switching Power Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of establishing multiple links with multiple component carriers

Номер патента: US09490945B2. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Multiple-input and multiple-output (mimo) system with multiple spatial multiplexing modes

Номер патента: RU2477001C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Джон У. КЕТЧУМ,Марк УОЛЛЭЙС,Стивен Дж. ГОВАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-27.

Index of routing based on data along radio communication and band, letting through for multi-channel multiple-hop wireless networks with multiple radio stations

Номер патента: RU2423010C2. Автор: Линь ЛО,Хан ЛЮ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-06-27.

Repeated transfers in wireless access technology with multiple carriers

Номер патента: RU2444140C2. Автор: Мун-Иль ЛИ,Чжин-Ён ЧХОН,Чжэ-Вон ЧХАН,Чжин-Хёк ЧЖОН. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2012-02-27.

Pucch channel structure for mixed numerology

Номер патента: RU2724632C1. Автор: Стефан ПАРКВАЛЛЬ,Карола ФАРОНИУС,Эрик ДАЛЬМАН,Роберт БАЛЬДЕМАЙР. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2020-06-25.

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: EP4312378A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-01-31.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Multi-Bitcell Structure with Shared Read Port

Номер патента: US20230282253A1. Автор: Amit Chhabra. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Slew rate control of output drivers using fets with different threshold voltages

Номер патента: US20030025542A1. Автор: Guy Harlan Humphrey. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-02-06.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Receiver with time-varying threshold voltage

Номер патента: US09843309B2. Автор: QI Lin,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and apparatus for controlling threshold voltage

Номер патента: US09660622B2. Автор: Sung Ho Kim,Eric Hyunsurk RYU,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Separation in transmission and spatial expansion for communication system with multiple antennas, using multiplexing with orthogonal frequency separation

Номер патента: RU2368079C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Джон У. КЕТЧУМ,Стивен Дж. ГОВАРД,Марк С. УОЛЛЭЙС,Санджив НАНДА. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-09-20.

Wide-range pulse generator with multiple fractional automatic frequency tuning

Номер патента: RU2716222C1. Автор: Сергей Георгиевич Елизаров,Алексей Александрович Чернышов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инженерной физики при МГУ имени М.В. Ломоносова". Дата публикации: 2020-03-06.

Coordination of simultaneous fastening by technology with multiple rat

Номер патента: RU2718115C1. Автор: Йохан РУНЕ,Гуннар МИЛЬД,Икаро Л. Й. да СИЛВА,Хосе Луис ПРАДАС. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2020-03-30.

Channel structure with burst pilot in reverse link

Номер патента: US5920551A. Автор: Hun Lee,JongRay Na,YangGi Kang,HoonBok Lee,HyoungGoo Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-07-06.

Pixel capable of adjusting a threshold voltage of a driving transistor

Номер патента: US11881169B2. Автор: Wonkyu Kwak,Yangwan Kim,Chulkyu Kang,Minku LEE,Jihyun KA,Kyonghwan OH,Kimyeong Eom,Jintae Jeong,Soongi KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: WO2018048490A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Network slicing with multiple slice instance variation types

Номер патента: US20220353745A1. Автор: Jin Yang,Lalit R. KOTECHA,Suzann Hua. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2022-11-03.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: EP3455857A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-20.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: US20240056060A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-02-15.

Space-time processing for wireless systems with multiple transmit and receive antennas

Номер патента: AU5799301A. Автор: Angel Lozano,Farrokh Rashid-Farrokhi,Reinaldo A. Valenzuela. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

Transmission with multiple codewords

Номер патента: EP4393246A1. Автор: Zhipeng LIN,Yufei Blankenship,Shiwei Gao,Siva Muruganathan. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for communication with multiple connections

Номер патента: US20230103403A1. Автор: Xiandong Dong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Chopper amplifiers with multiple sensing points for correcting input offset

Номер патента: US20210367569A1. Автор: Yoshinori Kusuda. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Csi report configuration with multiple csi reports

Номер патента: WO2021174378A1. Автор: Yu Zhang,Hao Xu,Xiaoxia Zhang,Chenxi HAO,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-10.

Piezoelectric transformer with multiple outputs

Номер патента: US20030001514A1. Автор: Jong-Sun Kim,Jang-Hyoun Youm. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Shared control channel structure

Номер патента: EP2100471A1. Автор: Frank Frederiksen,Mika Rinne,Samuli Visuri,Troels Kolding. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-09-16.

Transmitting data on an uplink associated with multiple mobile stations in a spread spectrum cellular system

Номер патента: EP1938497A1. Автор: Ashok N. Rudrapatna,Sudhir Ramakrishna,Shupeng Li. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Video encoder with multiple processors

Номер патента: WO2007047250A3. Автор: Joseph T Friel,J William Mauchly. Владелец: J William Mauchly. Дата публикации: 2007-12-27.

Sidelink reception with multiple transmission reception points

Номер патента: EP4223040A1. Автор: Junyi Li,Kapil Gulati,Gabi SARKIS,Shuanshuan Wu,Sourjya Dutta,Hui Guo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Control circuit with multiple power sources

Номер патента: US20030098616A1. Автор: Li-Te Wu,Hsi-Yuan Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

System and method for displaying a sequence of image frames as a cine-loop with multiple playback speeds

Номер патента: US20240283892A1. Автор: Svein Arne Aase. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for simultaneous communication with multiple wireless communication devices

Номер патента: US09866416B2. Автор: Daniel Joseph Lyons. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Input receiver with multiple hysteresis levels

Номер патента: US09806700B2. Автор: Lakhdar Iguelmamene. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Ramp-type analogue-digital conversion, with multiple conversions or single conversion, depending on the light level received by a pixel

Номер патента: US09736414B2. Автор: Stephane Gesset. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Compact row decoder with multiple voltage support

Номер патента: US09609254B2. Автор: Li Guo,Guangbin Zhang. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

System and methods for simultaneous communication with multiple wireless communication devices

Номер патента: US09467986B2. Автор: Daniel Joseph Lyons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Secure storage and retrieval of data in a database with multiple data classes and multiple data identifiers

Номер патента: US09455973B1. Автор: Peter Robinson,Nikolaos Triandopoulos,David Alistair Healy. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Automatic remediation in a distributed computer system with multiple clusters of host computers

Номер патента: US09363192B2. Автор: Ajay Gulati,Parth Shah,Aastha Bhardwaj,Pradeep Padala. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Method and device for wireless communication with multiple carriers

Номер патента: RU2395905C2. Автор: Лоренцо КАСАЧЧИЯ,Александер ДАМНЯНОВИЧ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-07-27.

Method for inversion with multiplication of frequency and generator control device driven by internal combustion engine

Номер патента: RU2587170C2. Автор: Юй ЛОН,Гуи ТЯНЬ. Владелец: Лонсин Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-06-20.

Methods and apparatuses for threshold voltage measurement and related semiconductor devices and systems

Номер патента: US10914780B2. Автор: Rajesh N. Gupta,Binoy Jose Panakkal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Mec-based distributed computing environment with multiple edge hosts and user devices

Номер патента: EP3857366A1. Автор: Ned M. Smith,Francesc Guim Bernat,Kshitij Arun Doshi,Suraj Prabhakaran,Dario Sabella,Miltiadis FILIPPOU,Neal Oliver. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Mec-based distributed computing environment with multiple edge hosts and user devices

Номер патента: WO2020068238A1. Автор: Ned M. Smith,Francesc Guim Bernat,Kshitij Arun Doshi,Suraj Prabhakaran,Dario Sabella,Miltiadis FILIPPOU,Neal Oliver. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

Power management circuit operable with multiple supply voltages

Номер патента: US20240014782A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Mec-based distributed computing environment with multiple edge hosts and user devices

Номер патента: US20190141610A1. Автор: Ned M. Smith,Francesc Guim Bernat,Kshitij Arun Doshi,Suraj Prabhakaran,Dario Sabella,Miltiadis FILIPPOU,Neal Oliver. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Initial access with multiple prach transmissions

Номер патента: US20240032107A1. Автор: Carmela Cozzo,Hongbo Si. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for testing a radio frequency (rf) data packet signal transceiver with multiple transmitters and receivers capable of concurrent operations

Номер патента: WO2017099892A1. Автор: Christian Volf Olgaard,Zhiyong Huang,Ruizu Wang. Владелец: LITEPOINT CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-15.

Uplink transmission with multiple codewords

Номер патента: CA3230011A1. Автор: Zhipeng LIN,Yufei Blankenship,Shiwei Gao,Siva Muruganathan. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods for rrm measurements when ue is configured with multiple concurrent measurement gap patterns

Номер патента: EP4154580A1. Автор: XIANG Chen,YANG Tang,Dawei Zhang,Huaning Niu,Jie Cui,Manasa Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Method and apparatus for initial access with multiple prach transmissions

Номер патента: WO2024014922A1. Автор: Carmela Cozzo,Hongbo Si. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-18.

Pam-n receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of pam-n receiver

Номер патента: US20230188391A1. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-06-15.

PAM-N receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of PAM-N receiver

Номер патента: US11716229B2. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-08-01.

Adaptive two-stage downlink control channel structure for code block group based fifth generation (5g) or other next generation systems

Номер патента: EP3665799A1. Автор: Sairamesh Nammi,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2020-06-17.

Physical downlink control channel structure in low latency systems

Номер патента: SG11201908395RA. Автор: Wanshi Chen,Shimman Arvind Patel,Seyedkianoush HOSSEINI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Shared control channel structure

Номер патента: US20160227529A1. Автор: Frank Frederiksen,Mika Rinne,Samuli Visuri,Troels Kolding. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-08-04.

Systems and methods for indicating and determining channel structure information

Номер патента: EP4459888A2. Автор: Peng Hao,Chenchen Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Shared control channel structure

Номер патента: US09820263B2. Автор: Frank Frederiksen,Mika Rinne,Samuli Visuri,Troels Kolding. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-11-14.

Circuit for eliminating threshold voltage difference between backlight LED strings and liquid crystal display using the same

Номер патента: US8624512B2. Автор: Fei Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Resource management systems and methods using execution platform with multiple virtual warehouses

Номер патента: CA2939947C. Автор: Benoit Dageville,Thierry Cruanes,Marcin Zukowski. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Resource management systems and methods using execution platform with multiple virtual warehouses

Номер патента: CA2939947A1. Автор: Benoit Dageville,Thierry Cruanes,Marcin Zukowski. Владелец: Snowflake Computing Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Simple cmos threshold voltage extraction circuit

Номер патента: US20180307262A1. Автор: Weston Roper,Xiaoxin Feng. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Rate matching for a downlink transmission with multiple transmission configurations

Номер патента: US11032813B2. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Sensor with multiple focal zones

Номер патента: US11877041B2. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Kebin Li,Russell Gruhlke,Donald William KIDWELL,Jon LASITER,Khurshid Syed Alam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Power management apparatus operable with multiple configurations

Номер патента: US20240030873A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Quantum key distribution device capable of being configured with multiple protocols

Номер патента: US20220247557A1. Автор: JIAN Li,Chunhui Zhang,Qin Wang,Qingqing JIANG,Huajian Ding. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2022-08-04.

Rate matching for a downlink transmission with multiple transmission configurations

Номер патента: EP3857752A1. Автор: Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Mostafa KHOSHNEVISAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Power management apparatus operable with multiple configurations

Номер патента: EP4268364A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Sensor with multiple focal zones

Номер патента: EP4186225A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Kebin Li,Russell Gruhlke,Donald William KIDWELL,Jon LASITER,Khurshid Syed Alam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Sensor with multiple focal zones

Номер патента: WO2022020002A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Kebin Li,Russell Gruhlke,Donald William KIDWELL,Jon LASITER,Khurshid Syed Alam. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of modulating threshold voltage of a mask ROM

Номер патента: US20040208040A1. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Facilitating dynamic layer mapping with multiple downlink control channels for wireless communication systems

Номер патента: US20180323840A1. Автор: Sairamesh Nammi,Milap Majmundar,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-11-08.

Facilitating dynamic layer mapping with multiple downlink control channels for wireless communication systems

Номер патента: US20200021467A1. Автор: Sairamesh Nammi,Milap Majmundar,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2020-01-16.

Adaptive two-stage downlink control channel structure for code block group based fifth generation (5g) or other next generation systems

Номер патента: WO2019032509A1. Автор: Sairamesh Nammi,Arunabha Ghosh. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L.P.. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Buck converter system with an asymmetric threshold voltage gate drive circuit design

Номер патента: US20230299673A1. Автор: Weidong Zhu,Wenkai Wu,Jialun Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Thayer switch of reduced threshold voltage

Номер патента: UST934012I4. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-05-06.

Switched-capacitor charge pump with reduced diode threshold voltage and on state resistance

Номер патента: US20180337596A1. Автор: Wern Ming Koe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US20170149423A1. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: US20100177569A1. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Organic thin film devices with stabilized threshold voltage and mobility, and method for preparing the devices

Номер патента: US20110272674A1. Автор: Yongqiang Wang,Beatrice Fraboni,Piero Cosseddu,Annalisa Bonfiglio,Michael Anthony Nastasi. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A3. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: David Alan Heisley. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315011A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A2. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device having trench capacitors formed on channel structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315012A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US09991879B2. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Transmission with multiple carriers using multiple sizes of ofdm symbols

Номер патента: RU2380845C2. Автор: Джей Родни УОЛТОН,Джон У. КЕТЧУМ,Марк УОЛЛЭЙС,Стивен Дж. ГОВАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-01-27.

Electronic device for vaping with multiple dispersion generators

Номер патента: RU2724683C2. Автор: Кристофер С. ТАКЕР,Герд Кобал,Мунмайа К. Мишра,Дэвид КЕЙН,Питер Липович,Джордж КАРЛЕС,Джейсон ФЛОРА,Али А. РОСТАМИ,Йезди ПИТХАВАЛЛА,Кэтрин БАРНС,Ричард АРЕНА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of clock and frame synchronization with quality estimation during transmission of discrete messages by amplitude-manipulated signals with multiple frequency-time diversity

Номер патента: RU2711256C1. Автор: Виталий Львович Хазан,Андрей Николаевич Калинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет". Дата публикации: 2020-01-15.

Ophthalmic lens system capable of wireless communication with multiple external devices

Номер патента: RU2597069C2. Автор: Адам ТОНЕР,Шарика СНУК,Рэндалл Брэкстон ПЬЮ,Карсон С. ПАТТ,Кэмилл А. ХИГХАМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Transportation of control traffic through cellular network with multiple network segments

Номер патента: RU2411672C2. Автор: Стефен П. ЭМЕОТТ,мл. Чарлз Р. БАРКЕР,Энтони Дж. БРАСКИЧ. Владелец: МОТОРОЛА, ИНК.. Дата публикации: 2011-02-10.

Wind power station with multiple wind-driven power plants

Номер патента: RU2459112C1. Автор: Марк ХИЛЛЕР,Райнер ЗОММЕР,Норберт КЛАССЕН,Теодор ЗАЛЬЦМАНН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-08-20.

Codebook for full-size communication with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2689312C2. Автор: Сяоган ЧЭНЬ,Цзун-Каэ ФУ,Цинхуа ЛИ,Юань ЧЖУ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-27.

Electric motor with low short circuit moment, drive device with multiple engines and method of manufacturing such engine

Номер патента: RU2630254C2. Автор: Жером ПИАТОН. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2017-09-06.

Transmitter with multiple modulation

Номер патента: RU2305896C2. Автор: Гуннар ЙОХАНССОН,Андерс ГРАНСТРЕМ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2007-09-10.

Wireless communication network with multiple transit sections

Номер патента: RU2322764C1. Автор: Санджив НАНДА,Ранганатан КРИШНАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-04-20.

Broadband operation in an unlicensed spectrum with multiple separate frequency bands

Номер патента: RU2763454C1. Автор: Хидетоси СУЗУКИ,Цуань КУАН. Владелец: Панасоник Интеллекчуал Проперти Корпорейшн Оф Америка. Дата публикации: 2021-12-29.

Method for determining location in a network with multiple connections, a terminal and a functional location control unit

Номер патента: RU2758592C1. Автор: Нин ЯН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-01.

Amplification controller for receiver in communication system with multiple carriers

Номер патента: RU2389131C2. Автор: Вэй СЮН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-05-10.

Receiving mixer circuit for mobile radio transceiver designed to operate with multiple modulation modes and multiple frequency bands

Номер патента: US6006080A. Автор: Manabu Yamaguchi,Seiichi Yamaguchi,Hiroaki Kosugi,Kaoru Ishida,Takashi Enoki,Hidenobu Kato,Keiichi Nakayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-21.

Termination tool with multiple sealing modules

Номер патента: RU2632929C2. Автор: Мохамед АЗНАГ,ГРУ Эмили ДЕ,Филипп КУНЕГРАХТ,Пол Джозеф КЛЭС,ДЕ ВЕЙЕР Дирк Йозеф Г ВАН,Маартен МИХЕЛЬС,Дидрик ХУБЕН,Питер ДУЛТРЕМОН,Эдди МЭС,ГЕНЕХТЕН Геерт ВАН,Мэддн Надин ФРЕДЕРИКС. Владелец: ТАЙКО ЭЛЕКТРОНИКС РАЙХЕМ БВБА. Дата публикации: 2017-10-11.

Method of establishing multiple links with multiple component carriers and related communication device

Номер патента: EP2938149A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-10-28.

Polymer coextrusion head with a dual-channel nozzle

Номер патента: EP4219117A3. Автор: Stephan Sick,Ivo LOHR,Dirk Sander,Andrea ZUCCONI. Владелец: Sima Srl. Дата публикации: 2023-09-06.

Dual channel rinse ring system for toilet

Номер патента: US12024292B2. Автор: Nguyen Tram,Steven Schwartz,David Beach,Razmik Boodaghians,Jean Gayoso,Peter Kazemi. Владелец: MAG Aerospace Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Dual channel showerhead assembly

Номер патента: US20230294116A1. Автор: Satish Radhakrishnan,Prahallad Iyengar,Dhritiman Subha Kashyap,Parth Swaroop. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Dual channel showerhead assembly

Номер патента: WO2023183312A1. Автор: Satish Radhakrishnan,Prahallad Iyengar,Dhritiman Subha Kashyap,Parth Swaroop. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Polymer coextrusion head with a dual-channel nozzle

Номер патента: EP4219117A8. Автор: Stephan Sick,Ivo LOHR,Dirk Sander,Andrea ZUCCONI. Владелец: Sima Srl. Дата публикации: 2023-11-22.

Laminar composite structure with self-restoring layer

Номер патента: RU2494872C2. Автор: Энцо КОЗЕНТИНО. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Container plug having structure with multiple locking elements

Номер патента: RU2692433C2. Автор: Мин Сеок ЧОЙ. Владелец: СиДжей ЧЕИЛДЗЕДАНГ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-06-24.

Active agent-containing fibrous structure with multiple areas

Номер патента: RU2650884C1. Автор: Марк Роберт СИВИК,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Пол Томас ВЕЙСМАН,Андреас Йозеф ДРЕХЕР,Алыссандреа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПОУР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2018-04-18.

Stepped acoustic structures with multiple degrees of freedom

Номер патента: RU2707658C1. Автор: Фумитака ИТИХАСИ. Владелец: Хексел Корпорейшн. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for preparing dual-channel visual multicolor fluorescent probe and detection method

Номер патента: US20230358741A1. Автор: LEI Jia,Jun Xu,Rui Li,Yongxin Li. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for extracting and analyzing spatial information of control and protection zone of rail transit with multiple threshold constraints

Номер патента: US11760397B2. Автор: Chao Li,Hao Tang,Chun Yu,Bo Hu,Heng Zhang,Jing MING,Hanxin Chen,Xuexiang Xiong,Changzheng Yuan,Degui Teng,Zejun Xiang,Datao Wang,Jiangwei Lin. Владелец: CHONGQING SURVEY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-19.

Dual channel sipper assemblies and related instruments and methods

Номер патента: WO2024137365A1. Автор: Sze ANG. Владелец: Illumina, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Active agent-containing fibrous structure with multiple areas

Номер патента: RU2591704C2. Автор: Марк Роберт СИВИК,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Пол Томас ВЕЙСМАН,Андреас Йозеф ДРЕХЕР,Алыссандреа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПОУР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2016-07-20.

Seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US20240198026A1. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum Tyler De Vries. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US12059528B2. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum DE VRIES. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Shaving head with multiple shaving assemblies

Номер патента: RU2539257C2. Автор: Андреас ПЕТЕР,Торстен ПОЛЬ,Йоахим КРАУСС,Тобиас ШВАРЦ,Петер ДЖУНК,Райнхольд ЕИЧХОРН,Мартин ФЮЛЛЬГРАБЕ,Кристоф ЗЕГУЛА,Алоис КЁППЛЬ,Стефан ФЮРСТ,Михаэль ОДЕМЕР. Владелец: БРАУН ГмбХ. Дата публикации: 2015-01-20.

High-capacity double burner for gas stoves, with multiple concentric flame crowns

Номер патента: RU2406029C2. Автор: Пьеро АРМАННИ. Владелец: Со.М.И. Пресс-Сочиета`Металли Иньеттати С.П.А.. Дата публикации: 2010-12-10.

Device with multiple tripods for placement of containers with biological product removed from storage to store these containers, associated with laboratory automation system

Номер патента: RU2645088C2. Автор: Джанандреа ПЕДРАЦЦИНИ. Владелец: Инпеко Холдинг Лтд.. Дата публикации: 2018-02-15.

Blanket with multiple functionality and system

Номер патента: US20150026884A1. Автор: Simcha Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Targeted treatment of specific weed species with multiple treatment devices

Номер патента: US20240276971A1. Автор: Holger Hoffmann,Maik ZIES. Владелец: BASF Agro Trademarks GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Blade holder for razor cartridges with multiple blades

Номер патента: RU2454316C1. Автор: Мишель Хел БРУНО. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2012-06-27.

Controlled liquor sprayers with multiple deflectors

Номер патента: RU2498864C2. Автор: Стивен Р. ГИБОВСКИ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2013-11-20.

Fluidizing gas nozzle head and fluidized bed reactor with multiple fluidizing gas nozzle heads

Номер патента: RU2727817C1. Автор: Кари КАУППИНЕН,Марцин КЛАЙНИЙ. Владелец: СУМИТОМО ЭсЭйчАй ФВ ЭНЕРДЖИА ОЙ. Дата публикации: 2020-07-24.

Smart battery based electric vehicle charging system with multiple input ports and multiple output ports

Номер патента: CA3238796A1. Автор: Sung Ub Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-18.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US20230226298A1. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum Tyler De Vries. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US11844887B2. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum Tyler De Vries. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US20230414891A1. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum Tyler De Vries. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Smart battery based electric vehicle charging system with multiple input ports and multiple output ports

Номер патента: WO2024011326A1. Автор: Sung Ub Moon. Владелец: Sung Ub Moon. Дата публикации: 2024-01-18.

A Slender Unmanned Aerial Vehicle with Multiple Sets of Embedded Rotor Combinations

Номер патента: AU2021102289A4. Автор: Zhibin Li,Aidong Hao,Wanning Huang,Wencheng SONG,Kemin Zhou. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of Making Optical Fibers with Multiple Openings

Номер патента: US20180093912A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Daniel J. Gibson,Shyam S. Bayya,Rafael R. Gattass,L. Brandon Shaw,Daniel L. Rhonehouse. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-04-05.

Integrated overprint colorful seal with multiple printing surfaces

Номер патента: US20170001429A1. Автор: Kai Chen. Владелец: SHENZHEN WANXI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Waste system including disposal with multiple inlets

Номер патента: US20200087907A1. Автор: Matthew J. Lance,Christopher Douglas Dodd. Владелец: FB Global Plumbing Group LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for manufacturing storage containers by spirally winding with multiple bundles of fibers

Номер патента: US12070913B1. Автор: Jun Feng,Yujie Duan,Xinyu Wen,Qingxue HUANG,Jianguo Liang,Jianglin Liu,Lianyun JIANG,Jianhua Hu,Zhaotun JIA,Zhanchun Chen. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-27.

Textured glass-based articles with multiple haze levels and processes of producing the same

Номер патента: US12043567B2. Автор: Yuhui Jin,George Karl Kaufman,John Martin DAFIN,Hamidreza PIRAYESH,Shunda Denise Cannon Wilson,Thomas Christopher Zajicek. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Multi-effect solar distiller with multiple heat sources

Номер патента: US09884265B2. Автор: Chang-Dae Park,Byung Ju Lim,Kyung-Yul Chung. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated overprint colorful seal with multiple printing surfaces

Номер патента: US09815269B2. Автор: Kai Chen. Владелец: SHENZHEN WANXI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Switch device with multiple water outputs

Номер патента: US09714502B2. Автор: Huan-Long Huang,Wen-Hua Ye,Zhao-Yi Zhuo. Владелец: Xiamen Runner Industrial Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Microfluidic Flow Channel Structure and Microfluidic Chip

Номер патента: US20240246074A1. Автор: Ding Ding,Dandan Chen,Yunqing MU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Steering column mounted control stalk with multiple actuators for rotatable and slide type switches

Номер патента: US4219706A. Автор: David A. Koch,Michael G. Moore,Arthur L. Pawlus. Владелец: Chrysler Corp. Дата публикации: 1980-08-26.

Operating table with multiple degrees of freedom

Номер патента: AU2012266982B2. Автор: Zhubin Sun. Владелец: Zhejiang Linix Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Targeted treatment of specific weed species with multiple treatment devices

Номер патента: WO2022269083A1. Автор: Holger Hoffmann,Maik ZIES. Владелец: BASF Agro Trademarks GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Grid-based road model with multiple layers

Номер патента: US11891069B2. Автор: Kumar Vishwajeet,David A. Schwartz,Bin Jia,Sana Sarfraz. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Targeted treatment of specific weed species with multiple treatment devices

Номер патента: CA3224125A1. Автор: Holger Hoffmann,Maik ZIES. Владелец: BASF Agro Trademarks GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Targeted treatment of specific weed species with multiple treatment devices

Номер патента: EP4358712A1. Автор: Holger Hoffmann,Maik ZIES. Владелец: BASF Agro Trademarks GmbH. Дата публикации: 2024-05-01.

Grid-based road model with multiple layers

Номер патента: US11618453B2. Автор: Kumar Vishwajeet,David A. Schwartz,Bin Jia,Sana Sarfraz. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Grid-Based Road Model with Multiple Layers

Номер патента: US20220274601A1. Автор: Kumar Vishwajeet,David A. Schwartz,Bin Jia,Sana Sarfraz. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Asymmetrical channel structure of particulate trap filter body

Номер патента: US11753976B2. Автор: GE Xiao,Hua Tian,Wuqiang Long,Jingchen CUI. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for Producing a Nanoscale Channel Structure

Номер патента: US20230074834A1. Автор: Christoph Schelling. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-03-09.

Trough with multiple discharge cups

Номер патента: RU2495700C2. Автор: Бартеле ГРИПСМА. Владелец: Зульцер Хемтех Аг. Дата публикации: 2013-10-20.

Freight train control system with multiple locomotives

Номер патента: RU2722048C2. Автор: Ангело ГРАССО,Стефано ЛУКАРЕЛЛИ,Роберто ТИОНЕ. Владелец: ФАИВЕЛЕЙ ТРАНСПОРТ ИТАЛИЯ С.п.А.. Дата публикации: 2020-05-26.

Painted thin-sheet with multiple discrete long elements

Номер патента: RU2552435C2. Автор: Кит Джозеф СТОУН,Роджер Дэйл ЙОУНГ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Remote access to elevator control system with multiple subsystems

Номер патента: RU2500603C2. Автор: Салли Дэй МАХОНИ,Дэвид М. ХЬЮЗ,Дональд М. САКОНЧИК. Владелец: Отис Элевэйтор Компани. Дата публикации: 2013-12-10.

Rolling mill with multiple output sections

Номер патента: RU2380178C2. Автор: Т. Майкл ШОР. Владелец: Морган Констракшн Компани. Дата публикации: 2010-01-27.

Front headlight with multiple diffusers

Номер патента: RU2675727C2. Автор: Слейман Н. АБДЕЛНУР,Стивен Кеннет ХЕЛЬВИГ,Дэвид А. БРАУН,Ли ЯНЬ,Китан К. ДИСАЙ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2018-12-24.

Fabrication and assembly of absorbing articles with multiple components and embossed images

Номер патента: RU2540596C2. Автор: Марсилл Фэй РАМЭН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2015-02-10.

Shaving item with multiple set of blades

Номер патента: RU2336157C2. Автор: Стивен РАУЛЕ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2008-10-20.

Gamma/gamma'-superalloy on basis of nickel with multiple reaction active elements, and use of above said superalloy in complex systems of materials

Номер патента: RU2500827C2. Автор: Магнус ХАССЕЛКВИСТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-12-10.

Spiral-wound air duct with multiple holes, corresponding machine for mass production and corresponding strip

Номер патента: RU2760021C1. Автор: Джино ГУАСТИ. Владелец: Дзеффиро С.Р.Л.. Дата публикации: 2021-11-22.

Method for optimising operation of train with multiple locomotives with distributed power feed

Номер патента: RU2482990C2. Автор: Вольфганг ДАУМ,Гленн Роберт ШЭФФЕР,Аджит Куттаннаир КУМАР,Брайан Д. ЛОРИ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2013-05-27.

Industrial dust collector with multiple filter compartments

Номер патента: CA2347163C. Автор: Thomas M. Demarco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-17.

Dual-channel piezoelectric injector

Номер патента: US09447761B2. Автор: Xiangyu Zhang,Mingfa Yao,Zunqing ZHENG,Yongzhi Li,Laihui TONG. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-20.

Optical dual-channel current meter

Номер патента: RU2752341C1. Автор: Анатолий Иванович Пеньковский. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "ФОТОН" (АО "ЦКБ "ФОТОН"). Дата публикации: 2021-07-26.

System and method of read/write control for dual channel memory modules for robust performance

Номер патента: US09772913B1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Systems and methods for processing bi-mode dual-channel sound data for automatic speech recognition models

Номер патента: US20240087592A1. Автор: Jun Li,Julie Zhu,James J. Mou. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method and system for extracting features of logging while drilling and drilling-time logging based on UNET dual-channel output

Номер патента: US11988090B1. Автор: Fei Tian,Jiangyun Zhang,Wenhao Zheng. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual-channel injection bipolar high frequency electrosurgical knife

Номер патента: US12035960B2. Автор: Changqing Li,Zhi Tang,Huan XIE,Derong LENG,Mingqiao FAN. Владелец: Micro Tech Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dual-channel injection bipolar high frequency electrosurgical knife

Номер патента: US20210113260A1. Автор: Changqing Li,Zhi Tang,Huan XIE,Mingqiao FAN,Derong Long. Владелец: Micro Tech Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Dual channel detector with different measurement signals

Номер патента: US12078512B2. Автор: Stefan Sax,Sandro KAPPERT. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method of training optimization for dual channel memory modules

Номер патента: US09728236B1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-08-08.

System and Method for Providing a Back Door Communication Path Between Channels on Dual-Channel DIMMs

Номер патента: US20180232171A1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-08-16.

Array substrate with multiple common lines, liquid crystal display and control method thereof

Номер патента: US09568786B2. Автор: YUAN Li,Chengfeng Zhang,Jinjin YANG. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Dynamic equalization system for dual channel automatic pilot

Номер патента: CA1114925A. Автор: Stephen S. Osder. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Dual channel differential sensor

Номер патента: US11860203B2. Автор: David Witts,Rafael Giolbas,Marius Gloger. Владелец: Kyocera Avx Components Werne GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Dual channel RF delivery system

Номер патента: US5484400A. Автор: Ingemar H. Lundquist,Ronald G. Lax,Bruno Strul,Stuart D. Edwards,Roger A. Stern,Hugh R. Sharkey. Владелец: Vidamed Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Dual channel memory architecture having reduced interface pin requirements using a double data rate scheme for the address/control signals

Номер патента: EP2263153A1. Автор: Jian Mao,Raghu Sankuratri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Dual channel memory architecture having reduced interface pin requirements using a double data rate scheme for the address/control signals

Номер патента: EP2263153B1. Автор: Jian Mao,Raghu Sankuratri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Dual channel helical scan recorder

Номер патента: AU6965891A. Автор: Alireza Atai-Azimi,Timothy C Hughes,Steven P Georgis,Christopher Zook,Robert Bordasch,Christopher Pisciotta,Steve E Haugland. Владелец: Exabyte Corp. Дата публикации: 1991-06-13.

Dual-channel combine harvester suitable for strip-like compound planted soybeans and corns and method thereof

Номер патента: US20240260510A1. Автор: Kun Chen,Jinshan Xu,Liming DU,Yuanyang Wang,Chengqian Jin,Youliang NI,Zhengjiang LI,Junfu JIANG. Владелец: Hubei Shuangxing Intelligent Equipment Co ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Structure with multiple levels and method of its erection

Номер патента: RU2518580C2. Автор: Эпаминондас КАТСАЛИДИС. Владелец: ЭКО ПЭТЕНТ & АйПи ХОЛДИНГЗ ПиТиУай ЭлТиДи. Дата публикации: 2014-06-10.

Dual-channel adapter

Номер патента: RU2756967C2. Автор: Анатолий Васильевич Соколов,Дмитрий Владимирович Щекин,Дмитрий Вадимович Моисеев,Андрей Сергеевич Ромашев. Владелец: Акционерное Общество "Опытное Конструкторское Бюро Машиностроения Имени И.И. Африкантова". Дата публикации: 2021-10-07.

Dual channel readback recovery system

Номер патента: CA1292064C. Автор: Vadim Boris Minuhin,Robert Ellis Caddy Jr.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY INTERNATIONAL. Дата публикации: 1991-11-12.

Dual channel readback recovery system

Номер патента: US4760472A. Автор: Vadim B. Minuhin,Robert E. Caddy, Jr.. Владелец: Magnetic Peripherals Inc. Дата публикации: 1988-07-26.

Dual-channel injection bipolar high frequency electrosurgical knife

Номер патента: AU2018411482A1. Автор: Changqing Li,Zhi Tang,Huan XIE,Derong LENG,Mingqiao FAN. Владелец: Micro Tech Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory with multiple reference cells

Номер патента: US20110058414A1. Автор: Chia-Ching Li,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Dual-channel injection bipolar high frequency electrosurgical knife

Номер патента: EP3761894A1. Автор: Changqing Li,Zhi Tang,Huan XIE,Derong LENG,Mingqiao FAN. Владелец: Micro Tech Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-13.

Dual-channel injection bipolar high frequency electrosurgical knife

Номер патента: CA3090198A1. Автор: Changqing Li,Zhi Tang,Huan XIE,Derong LENG,Mingqiao FAN. Владелец: Micro Tech Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Product quality prediction method based on dual-channel information complementary fusion stacked auto-encoder

Номер патента: US20240094716A1. Автор: Xinmin Zhang,Hongyu ZHU,Bocun HE,Zhihuan SONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-03-21.

Dual-channel RF power delivery system

Номер патента: US5542916A. Автор: Bruno Strul,Chaya Hirsch,Robert Hale. Владелец: Vidamed Inc. Дата публикации: 1996-08-06.

Circuit and method for sensing memory cell having multiple threshold voltages

Номер патента: US6069830A. Автор: Seok-Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Dual channel strip chart recorder

Номер патента: US3787878A. Автор: R Kampf,L Sultzbaugh. Владелец: Beckman Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Dual channel dynamic line isolation monitor

Номер патента: CA1052864A. Автор: Ernest G. Anger. Владелец: Square D Co. Дата публикации: 1979-04-17.

Dual channel helical scan recorder

Номер патента: CA2066176A1. Автор: Alireza Atai-Azimi,Timothy C. Hughes,Steven P. Georgis,Steve E. Haugland,Christopher Zook,Robert Bordasch,Christopher Pisciotta. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-05-10.

Dual channel network for multivariate time series retrieval with static statuses

Номер патента: US20230267305A1. Автор: Liang Tong,Wei Cheng,Takehiko Mizoguchi,Haifeng Chen. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and system for reinforcement learning and dual channel action embedding based robotic navigation

Номер патента: US20240028039A1. Автор: Harshad KHADILKAR,Hardik Bharat Meisheri,Omkar Dilip Shelke,Durgesh Kalwar,Pranavi Pathakota. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Dual channel nondestructive testing method for rock bolt and related devices

Номер патента: US11796513B2. Автор: Liu Liu,QUAN Jiang,Shaojun Li,Guangliang FENG,Yaxun XIAO. Владелец: Wuhan Institute of Rock and Soil Mechanics of CAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Dual channel otoacoustic emission device

Номер патента: WO2018208266A2. Автор: Erdoğan BULUT,İlhan UMUT,Cem UZUN,Ahmet ATAŞ. Владелец: Atas Ahmet. Дата публикации: 2018-11-15.

Dual-channel current sensor

Номер патента: EP4375679A1. Автор: Jianfei ZHAO,Antonin Pons,Florent Jolly. Владелец: Suzhou Littelfuse OVS Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual-channel current sensor

Номер патента: US20240168064A1. Автор: Jianfei ZHAO,Antonin Pons,Florent Jolly. Владелец: C/o Suzhou Littelfuse Ovs Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Dual channel network for multivariate time series retrieval with static statuses

Номер патента: WO2023163845A1. Автор: Liang Tong,Wei Cheng,Takehiko Mizoguchi,Haifeng Chen. Владелец: NEC Laboratories America, Inc.. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor integrated circuit with multiple write operation modes

Номер патента: US6091640A. Автор: Hiroshi Sato,Satoshi Noda,Katsutaka Kimura,Keiichi Yoshida,Takayuki Kawahara,Hiroaki Kotani,Atsushi Nozoe,Shoji Kubono. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

System and method for migrating tree structures with virtual disks between computing environments

Номер патента: US20200192594A1. Автор: Hemanth Kumar PANNEM,Vipin BALACHANDRAN. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US12115314B2. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum DE VRIES. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US20240366896A9. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum DE VRIES. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Concurrently processing parts of cells of a data structure with multiple processes

Номер патента: US09501327B2. Автор: Matthew Sanchez,Theresa M. BROWN,Lokesh M. Gupta,Brian D. HATFIELD,Theodore T. Harris, Jr.,Nicolas M. Clayton,David B. Schreiber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display

Номер патента: US09830854B2. Автор: JungHyeon Kim,Taegung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

System and method of computerised diagnostics with multiple modalities

Номер патента: RU2566462C2. Автор: Лина Арбаш МЕЙНЕЛ,Джиллиан Маклейн НЬЮСТЕД. Владелец: Дзе Юниверсити Чикаго. Дата публикации: 2015-10-27.

Torque-variable single-shaft rotary shaft structure with multiple frictional pairs

Номер патента: US20220018423A1. Автор: Chin-Yu Hsiao,Ci-Syuan Wong. Владелец: Fositek Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US11922041B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Measuring threshold voltage distribution in memory using an aggregate characteristic

Номер патента: EP1993101A3. Автор: Mark Shlick,Menahem Lasser. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-07-08.

Time-based signal acquisition apparatus and method using sawtooth-shaped threshold voltage

Номер патента: US20180299566A1. Автор: Jae Sung Lee,Guen Bae KO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Compensating for variations in selector threshold voltages

Номер патента: US09966127B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Child containment system with multiple infant support modes

Номер патента: US09706855B2. Автор: John (Jason) C. Arnold, IV,Brandon Burkholder,Annette Stella,Matthew Rivera. Владелец: Graco Childrens Products Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Threshold voltage sensing circuit of organic light-emitting diode display device

Номер патента: US09620053B2. Автор: Ji-Hun Kim,Hae-Won Lee,Yeong-Joon Son,Kyoung-Jik Min. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vaginal insert having bearing part with multiple braces

Номер патента: RU2586207C2. Автор: Гарри Роланд УОЛТМАН,Джейсон Роберт БУН,Кимберли Луиз ЭЛЛЕФСОН,Мэри-Энн ЦУНКЕР,Патрисия Энн САМОЛИНСКИ,Уолтер Джордж БАУЭР,Вивьен Кейт БАРЭД,Николь Сара КАН,Джина Линн РОМЕРО,Эльгер ОБЕРВЕЛЬЦ,Джеймс Рольф ЮРЧЕНКО,Джона Лоренс ХЬЮСТОН,Тиффани Хизер КАРД,Мартин ШНИТЦЕР. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-06-10.

High speed threshold voltage and average surface doping measurements

Номер патента: US20030173988A1. Автор: William Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: WO2023192355A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Circuit for Sensing Threshold Voltage and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180190203A1. Автор: Tae Ho Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8014206B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-09-06.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Display driver and threshold voltage measurement method

Номер патента: US20100321367A1. Автор: Yoshihiro Shona. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09659639B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses for determining threshold voltage shift

Номер патента: US09536603B2. Автор: Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09455029B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and system of reading threshold voltage equalization

Номер патента: US09454420B1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon,Jinagli Zhu,Yeuh Yale Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Threshold voltage compensation circuit of thin film transistor and method for the same, shift register, and display device

Номер патента: US09418756B2. Автор: Lujiang Huangfu,Yinan LIANG,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Pixel circuit, driving method for threshold voltage compensation, and organic light emitting display device using the same

Номер патента: US09349318B2. Автор: Jin-Hyun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for predicting infectious complications in patients with multiple and combined damages of support-motor system

Номер патента: RU2636824C1. Автор: Наталья Борисовна Щёколова,Надежда Сергеевна Зубарева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный медицинский университет имени академика Е.А. Вагнера" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of treatment of infection related to the provision of medical assistance caused by a causative agent or pathogens with multiple drug resistance

Номер патента: RU2664681C1. Автор: Игорь Измаилович Вайншток,Владимир Андрианович Алёшкин,Андрей Владимирович Алешкин,Андрей Сергеевич Шкода,Евгений Олегович Рубальский,Эльдар Ринатович Зулькарнеев,Светлана Сергеевна Бочкарева,Ирина Анатольевна Киселева,Сергей Дмитриевич Митрохин,Ольга Николаевна Ершова,Ольга Евгеньевна Орлова,Ольга Сергеевна Калачева,Светлана Георгиевна Ведяшкина. Владелец: Андрей Владимирович Алешкин. Дата публикации: 2018-08-21.

Method of pathological process activity determining in patients with multiple sclerosis

Номер патента: RU2694614C1. Автор: Владимир Константинович Беляков,Ирина Анатольевна Василенко,Александр Борисович Кузнецов,Евгений Пантелеевич Сухенко,Владислав Борисович Метелин,Дарья Валерьевна Мосальская,Татьяна Игоревна Якушина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВЕСТТРЭЙД ЛТД" (ООО "ВЕСТТРЭЙД ЛТД"). Дата публикации: 2019-07-17.

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20110310672A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: WO2009026364A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2009-02-26.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Read threshold voltage estimation systems and methods for parametric PV-level modeling

Номер патента: US11769555B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20110001547A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8149626B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US12057067B2. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20180102146A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for managing threshold voltage, and method for reading flash data

Номер патента: US20230298676A1. Автор: Yunxin Huang,Haojun Fang. Владелец: Dapustor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Device for measuring threshold voltage of a transistor based on constant drain voltage and constant drain source current

Номер патента: US09989582B2. Автор: Jung-Hyun Park,Seong-Ook Jung,Youngjae AN,Kiryong KIM,Hyucksang YIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-06-05.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US09911466B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US09520183B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Active agent-containing fibrous structure with multiple areas with different densities

Номер патента: RU2588573C2. Автор: Марк Роберт СИВИК,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Пол Томас ВЕЙСМАН,Андреас Йозеф ДРЕХЕР,Алыссандреа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПОУР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2016-07-10.

Method for formation of shortened regimens of chemotherapy for respiratory tuberculosis with multiple and extensive drug resistance of mbt in older children and adolescents

Номер патента: RU2748957C1. Автор: Елена Сергеевна Овсянкина,Людмила Владимировна Панова,Екатерина Александровна Крушинская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт туберкулеза". Дата публикации: 2021-06-02.

Block with multiple connections, final distribution system and method to control it, and distributor

Номер патента: RU2756611C1. Автор: Чэнцзе ХУАН,Юэмин ГУ,Цяньлун ХУ,Хуну МЭН,Чжаньбяо ЮАНЬ. Владелец: Гри Электрик Эпплайенсиз, Инк. оф Чжухай. Дата публикации: 2021-10-04.

Method for neutralising antibodies determination in blood serum of patients with multiple sclerosis, treated with interferon-beta drugs

Номер патента: RU2626832C1. Автор: Татьяна Петровна Оспельникова,Феликс Иванович Ершов,Лариса Васильевна Колодяжная,Вячеслав Юрьевич Табаков. Владелец: Лариса Васильевна Колодяжная. Дата публикации: 2017-08-02.

Systems and methods of application of combustion behaviour adjustment algorithm by means of combustion chamber with multiple individual compartments

Номер патента: RU2478807C2. Автор: Антонио АСТИ,Мариятереза ПАЧИ,Джованни ТОННА,Джес Флойд СТЮАРТ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2013-04-10.

Method of diagnostic atrophy of optic nerve in patients with multiple sclerosis

Номер патента: RU2674883C1. Автор: Елена Эдуардовна Иойлева,Мария Сергеевна Кривошеева,Мария Алексеевна Бондаренко. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-13.

Articles of footwear and sole structures with pressure-mapped midsole topographies and inlaid outsoles

Номер патента: US11839259B2. Автор: Can Eldem,Dov Michael Lashmore,Darryl Matthews. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Multi-pass programming with modified pass voltages to tighten threshold voltage distributions

Номер патента: EP3711052A1. Автор: Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reinforcement learning with multiple objectives and tradeoffs

Номер патента: US20240232682A9. Автор: Parikshit Ram,Radu Marinescu,Paulito Palmes,Tejaswini Pedapati,Djallel Bouneffouf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Air Fryer with Multiple Frying Baskets

Номер патента: US20230131914A1. Автор: Jingyun Liu. Владелец: Guangdong Bruce Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20130322182A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Reinforcement learning with multiple objectives and tradeoffs

Номер патента: US20240135234A1. Автор: Parikshit Ram,Radu Marinescu,Paulito Palmes,Tejaswini Pedapati,Djallel Bouneffouf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US20230120112A1. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

SRAM array with temperature-compensated threshold voltage

Номер патента: US20030151956A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Organic light emitting display with sensor transistor measuring threshold voltages of driving transistors

Номер патента: US09734800B2. Автор: Sungman Han,Jongsik Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Stability region determining method for distributed power cyber-physical system with multiple time delays

Номер патента: US20220244687A1. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Systems and methods for modeless read threshold voltage estimation

Номер патента: US11769556B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A3. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A2. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-11-13.

Frontlight system with multiple angle light-turning features

Номер патента: WO2016178751A1. Автор: JIAN Ma,John Hyunchul Hong,Chung-Po Huang,Zheng-Wu Li. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-11-10.

Page table entry caches with multiple tag lengths

Номер патента: US20240338320A1. Автор: Shubhendu Sekhar Mukherjee,Perrine Peresse,Krste Asanovic. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Bilaterally driven drug infusion device with multiple infusion modes

Номер патента: US12102792B2. Автор: Cuijun YANG. Владелец: Medtrum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Baby garment with multiple interchangeable themed knee pads

Номер патента: US09883705B1. Автор: Thuan Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and magnetic resonance apparatus for image reconstruction with multiple virtual coils

Номер патента: US09880250B2. Автор: Patrick Gross,Rene Gumbrecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Disk drive with multiple read-write heads

Номер патента: US09728212B1. Автор: Leo Lee. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method with compensation of threshold voltage changes

Номер патента: US09721507B2. Автор: Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Extensible execution unit interface architecture with multiple decode logic and multiple execution units

Номер патента: US09710274B2. Автор: Paul E. Schardt,Robert A. Shearer,Matthew R. Tubbs,Adam J. Muff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Flat lens with multiple focal lengths and a passive infrared sensor device with the same

Номер патента: US20130284932A1. Автор: Wen-I Huang. Владелец: IR TEC International Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Threshold voltage distribution determination

Номер патента: US09607692B2. Автор: Mark A. Helm,Feng Pan,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Extensible execution unit interface architecture with multiple decode logic and multiple execution units

Номер патента: US09594562B2. Автор: Paul E. Schardt,Robert A. Shearer,Matthew R. Tubbs,Adam J. Muff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Temperature dependent sensing scheme to counteract cross-temperature threshold voltage distribution widening

Номер патента: US09530512B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Abuzer DOGAN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage

Номер патента: US09519741B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Readout from memory cells subjected to perturbations in threshold voltage distributions

Номер патента: US12148496B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate,Roy Roth. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Pre-program detection of threshold voltages of select gate transistors in a memory device

Номер патента: US09418751B1. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of reproductive function restoration in women with multiple unsuccessful extracorporeal fertilization attempts

Номер патента: RU2733045C1. Автор: Всеволод Иванович Киселев. Владелец: Всеволод Иванович Киселев. Дата публикации: 2020-09-28.

Method for processing an unprocessed operation in systems with multiple sets of commands

Номер патента: RU2287178C2. Автор: Эдвард Коллес НЭВИЛЛ,Эндрю Кристофер РОУЗ. Владелец: Арм Лимитед. Дата публикации: 2006-11-10.

Process control system with multiple module sequence options

Номер патента: CA1297561C. Автор: Richard D. Skeirik. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1992-03-17.

Blade structure with multiple blade angles and heat dissipation device

Номер патента: US20220205453A1. Автор: Chun-Hsien Chen,Shi Man XU. Владелец: Vast Glory Electronics and Hardware and Plastic Huizhou Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of sensing threshold voltage in display panel, display driver integrated circuit performing the same and display device including the same

Номер патента: US20210020083A1. Автор: Jungmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20230266904A1. Автор: Steven Michael Kientz,Max Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Detector circuit with low threshold voltage and high voltage input

Номер патента: US20140091859A1. Автор: David Kung. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20240143214A1. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Numerical Simulation Method for the Overflowing of River Channel Structures Based on Finite Volume Method

Номер патента: US20230169243A1. Автор: Liping Ma,Dawei Zhang,Juan LV,Dongya SUN,Qin JU,Jingming Hou,Donglai Li. Владелец: China Institute of Water Resources and Hydropower Research. Дата публикации: 2023-06-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Magnetic resonance coil device comprising a flexible array with multiple magnetic resonance receive coils

Номер патента: US20240248158A1. Автор: Christian Findeklee,Peter Vernickel,Ingo Schmale,Oliver Lips,Josef Scholz,Christoph Günther Leussler,Peter Caesar MAZURKEWITZ. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-07-25.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Implementing processor functional verification by generating and running constrained random irritator tests for multiple processor system and processor core with multiple threads

Номер патента: US20160162380A1. Автор: Olaf K. Hendrickson,Michael P. Mullen,Michal Rimon,Yugi Morimoto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Exercise machine with multiple platforms

Номер патента: US12059593B2. Автор: Sebastien Anthony Louis Lagree,Samuel D. Cox,Todd G. Remund. Владелец: Lagree Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin film transistor array substrate with multiple chamfers and liquid crystal display device

Номер патента: US7598525B2. Автор: Hideo Kawano,Hideki Sunayama. Владелец: Info Vision Optoelectronics Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

System and method for operating a combustor with multiple liquid fuels

Номер патента: EP4435244A2. Автор: Tuy Cam HUYNH,Rene GRAZIANO TORRES,Miroslaw Pawel BABIUCH,Joe Floyd Schornick,Ely Edgardo Tejeda,Jesus Daniel Castillo. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

System and method of implementing finite difference time domain models with multiple accelerated processing components (APCS)

Номер патента: US09995835B2. Автор: WEI Liu,Alexander Loddoch,Thor Johnsen. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Device with multiple selectable less-lethal options

Номер патента: US09989335B2. Автор: James Wayne Purvis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Fireworks aerial display shell with multiple breaks and a method involving same

Номер патента: US09897422B1. Автор: QIANG LI,Michael Marietta. Владелец: Jake's Fireworks Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Implementing processor functional verification by generating and running constrained random irritator tests for multiple processor system and processor core with multiple threads

Номер патента: US09734033B2. Автор: Olaf K. Hendrickson,Michael P. Mullen,Michal Rimon,Yugi Morimoto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Implementing processor functional verification by generating and running constrained random irritator tests for multiple processor system and processor core with multiple threads

Номер патента: US09720793B2. Автор: Olaf K. Hendrickson,Michael P. Mullen,Michal Rimon,Yugi Morimoto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Signal conversion circuit and liquid crystal display device with multiple fundamental colours having said circuit

Номер патента: RU2463671C2. Автор: Томохико МОРИ,Казунари ТОМИЗАВА,Юити ЙОСИДА,Сун УЕКИ,Кохзох НАКАМУРА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-10-10.

Methods and circuits for optimizing performance and power consumption in a design and circuit employing lower threshold voltage (LVT) devices

Номер патента: US8924902B2. Автор: Lew G. Chua-Eoan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Method and apparatus for measuring the threshold voltage of flash EEPROM memory cells being applied a variable control gate bias

Номер патента: US5966330A. Автор: Yuan Tang,Chien-Sheng Su. Владелец: Eon Silicon Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Threshold voltage generator

Номер патента: CA1157550A. Автор: Jacobus Van Der Mark. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 1983-11-22.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230034752A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Self-convergent method for programming FLASH and EEPROM memory cells that moves the threshold voltage from an erased threshold voltage range to one of a plurality of programmed threshold voltage ranges

Номер патента: US5808937A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US11961566B2. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Display device and method of sensing a threshold voltage

Номер патента: US20220406259A1. Автор: Joon-Chul Goh,Sangik Lee,Soo Yeon Lee,Kyeong Soo Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Read retry threshold voltage selection

Номер патента: US20210027845A1. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Chenrong Xiong,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: WO2021126885A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US11763896B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20230017981A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Textile seal-forming structure with multiple curvatures

Номер патента: US20240024605A1. Автор: Matthew Eves,Memduh Guney,Rupert Christian Scheiner,Callum DE VRIES. Владелец: ResMed Pty Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with data voltage applied at light-emitting device

Номер патента: US20190295473A1. Автор: TONG Lu,Naoki Ueda,Tim Michael Smeeton,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory programming using consecutive coarse-fine programming operations of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230360705A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Giovanni Maria Paolucci. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Dram positive wordline voltage compensation device for array device threshold voltage and voltage compensating method thereof

Номер патента: US20110080771A1. Автор: Ryan Andrew Jurasek,Richard Michael Parent,Benjamin James STEMBRIDGE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method and configuration to allow a lower wordline boosted voltage operation while increasing a sensing signal with access transistor threshold voltage

Номер патента: US20030081447A1. Автор: Louis Hsu,Toshiaki Kirihata,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20150340086A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Single-ended semiconductor receiver with built in threshold voltage difference

Номер патента: US20010000953A1. Автор: Claude Bertin,William Tonti,Russell Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-10.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20210183454A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Adaptive read threshold voltage tracking with gap estimation between adjacent read threshold voltages

Номер патента: US20190122726A1. Автор: Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20160358647A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Threshold voltage analysis

Номер патента: EP3146348A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Threshold voltage analysis

Номер патента: WO2015179340A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Cascode circuits in dual threshold voltage, bicmos and dtmos technologies

Номер патента: EP1264348A2. Автор: Surinder P. Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of controlling threshold voltage of NROM cell

Номер патента: US20050190596A1. Автор: Chao Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Threshold voltage detection circuit for OLED display device

Номер патента: US09947271B2. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Threshold voltage margin analysis

Номер патента: US09728278B2. Автор: Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Abolfazl Rashwand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09672772B2. Автор: Ui Taek JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for obtaining steel part with multiple-phase microstructure

Номер патента: RU2403291C2. Автор: Антуан МУЛЭН,Жак КОРКИЬЕ,Жак ДЕВРОК,Жан-Луи ОШАР,Жан-Пьер ЛОРАН,Натали РОМАНОВСКИ. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2010-11-10.

Absorbing article with multiple lengthwise channels

Номер патента: RU2524884C2. Автор: ПАКЕС Фернанда ВИРМАНН,Фернанда БРУЗАДИН,В. ЭРНАНДЕС Франсиску Х.. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Ин. Е Ком. Лтда. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of controlling change of master vessel in seismic survey system with multiple vessels

Номер патента: RU2682375C2. Автор: Дидье РЕНО. Владелец: СЕРСЕЛЬ. Дата публикации: 2019-03-19.

Electronic vaping device with multiple dispersion generators

Номер патента: RU2747607C2. Автор: Кристофер С. ТАКЕР,Сан Ли,Герд Кобал,Мунмайа К. Мишра,Джордж КАРЛЕС,Али А. РОСТАМИ,Йезди ПИТХАВАЛЛА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-05-11.

Non-equal threshold voltage ranges in MLC NAND

Номер патента: US7639532B2. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US9583205B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Flash memory having low threshold voltage distribution

Номер патента: US5978278A. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method to improve flash EEPROM cell write/erase threshold voltage closure

Номер патента: US5949717A. Автор: Jian-Hsing Lee,Kuo-Reay Peng,Ming-Chou Ho,Juang-Ker Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US20230317012A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Goa circuit and display panel for reducing threshold voltage shift of transistor by pulling down signal during blank time of scan signal

Номер патента: US11837188B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Threshold voltage offset bin selection based on die family in memory devices

Номер патента: US11791004B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael Sheperek,Steve Kientz,Anita Ekren,Gerald Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20190325921A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Display device and method for correcting signal voltage using determined threshold voltage shift

Номер патента: US9805660B2. Автор: Hiroshi Hayashi,Takahiro Kawashima. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Multiple threshold checkers for specific applications and fft based breathing detection for presence

Номер патента: US20210302563A1. Автор: Olivier Lemarchand,Kalyan-Kumar VADLAMUDI-REDDY,Pierre-Loic Felter,Darin K. Winterton. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device having memory cell pairs defining data based on threshold voltages

Номер патента: US10658031B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Threshold voltage measurement device

Номер патента: US20130301343A1. Автор: Yi-Wei Lin,Wei-Chiang Shih,Ching-Te Chuang,Nan-Chun Lien,Shao-cheng WANG,Shyh-Jye Jou,Geng-Cing Lin,Ming-Chien Tsai,Kuen-Di Lee,Jyun-Kai Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: EP3619710A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-11.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: WO2019022811A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory sub-system threshold voltage modification operations

Номер патента: US20230395176A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Die by die trimming of drain-side select gate threshold voltage to reduce cumulative read disturb

Номер патента: US20230410912A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Shift register unit and threshold voltage compensation method thereof, driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20210035517A1. Автор: Wei Feng,Xingyi LIU,Yongxian XIE,Jideng ZHOU,Yanchun LU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Multiple threshold checkers for specific applications and FFT based breathing detection for presence

Номер патента: US12001259B2. Автор: Olivier Lemarchand,Kalyan-Kumar VADLAMUDI-REDDY,Pierre-Loic Felter,Darin K Winterton. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-06-04.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US20150243351A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20120176846A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: EP2748821A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: WO2013032928A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Multiple threshold checkers for specific applications and FFT based breathing detection for presence

Номер патента: US12016670B2. Автор: Olivier Lemarchand,Kalyan-Kumar VADLAMUDI-REDDY,Pierre-Loic Felter,Darin K Winterton. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2024-06-25.

High speed method of measuring the threshold voltage and surface doping

Номер патента: EP1345032B1. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2010-10-13.

Apparatus and method for matching line item textual entries with individual image objects from a file with multiple image objects

Номер патента: US20210248365A1. Автор: Kunal Verma,Edris NADERAN,Thomas James WHITE,Deepti Chafekar,Debashish PANIGRAHI,Snigdha PUROHIT. Владелец: APPZEN Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A2. Автор: Dong Zhou,Marion C. Lineberry,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green. Владелец: NTT DOCOMO Inc.. Дата публикации: 2006-11-23.

Data Processing Method and System with Multiple Input Units

Номер патента: US20110084942A1. Автор: Yun-Hsiang Yeh,Cheng-Lu Liu. Владелец: Waltop International Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Optical pickup head compatible with multiple optical recording media

Номер патента: US20060077855A1. Автор: Wen-Hsin Sun. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Methods for supporting intra-document parallelism in xslt processing on devices with multiple processors

Номер патента: WO2006124795A3. Автор: Dong Zhou,Nayeen Islam,Dannellia Gladden-Green,Marion C Lineberry. Владелец: Marion C Lineberry. Дата публикации: 2007-08-23.

Exercise machine with multiple contact surfaces

Номер патента: US09981156B2. Автор: Sebastien Anthony Louis Lagree. Владелец: Lagree Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Booting method for computer system with multiple central processing units

Номер патента: US09690595B2. Автор: Shayori DAS,Aman SHAHI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Dry chemical test strip with multiple layers of membranes based on concentration gradient

Номер патента: US09664672B2. Автор: Rongbin ZENG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Performance management methods for electronic devices with multiple central processing units

Номер патента: US09552046B2. Автор: Ching-Tsung Lai,Chih-Tsung WU,Wen-Yen CHANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Bootability with multiple logical unit numbers

Номер патента: US09430250B2. Автор: Laurence Hamid,Dean Charles Michaud. Владелец: Kingston Digital Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

System with multiple temperature sensors

Номер патента: RU2535637C1. Автор: Пол Дж. ХЕЙС,Крейг Б. МАКАНАЛЛИ,Эндрю С. КРАВИТЦ. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2014-12-20.

Method for determining duration of chemotherapy of respiratory tuberculosis with multiple and wide mtb drug resistance in children and teenagers

Номер патента: RU2680972C1. Автор: Елена Сергеевна Овсянкина,Людмила Владимировна Панова,Евгения Александровна Виечелли. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт туберкулеза". Дата публикации: 2019-03-01.

Manufactured housing structure with a deck baffle panel

Номер патента: CA2747799C. Автор: David B. Rosten,David J. Bonanni,Richard Pirino. Владелец: Brentwood Industries Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Child containment system with multiple infant support modes

Номер патента: US9414694B2. Автор: John (Jason) C. Arnold, IV,Brandon Burkholder,Annette Stella,Matthew Rivera. Владелец: Graco Childrens Products Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US11823599B2. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory controller, memory system with improved threshold voltage distribution characteristics, and operation method

Номер патента: US11894079B2. Автор: Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Hyeji Lee,Raeyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US20230402110A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Child containment system with multiple infant support modes

Номер патента: US11864668B2. Автор: John (Jason) C. Arnold, IV,Brandon Burkholder,Annette Stella,Matthew Rivera. Владелец: Graco Childrens Products Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US11978509B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Child containment system with multiple infant support modes

Номер патента: US20240148161A1. Автор: John (Jason) C. Arnold, IV,Brandon Burkholder,Annette Stella,Matthew Rivera. Владелец: Graco Childrens Products Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Threshold voltage based on program/erase cycles

Номер патента: US11776629B2. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil, Jr.,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method to determine the oldest instruction in an instruction queue of a processor with multiple instruction threads

Номер патента: US20200293328A1. Автор: Arni Ingimundarson,Maarten J. Boersma,Niels Fricke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US11972817B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Techniques for threshold voltage scans

Номер патента: US20240029800A1. Автор: Ciro Feliciano,Aniello Palomba,Antonio Imperiale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Threshold voltage detection method, detection device, and display device

Номер патента: US20240044950A1. Автор: Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for parametric pv-level modeling and read threshold voltage estimation

Номер патента: US20220336039A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: WO2019221790A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory device with improved threshold voltage distribution and operating method thereof

Номер патента: US20240161842A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Sejun Park,Joonam KIM,Hyeji Lee,Kangin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for predicting lethal outcome in patients with multiple organ dysfunction

Номер патента: RU2670198C1. Автор: Виталий Федорович Поздняков,Сергей Анатольевич Точило,Алексей Викторович Марочков. Владелец: Государственное учреждение высшего профессионального образования "Белорусско-Российский университет". Дата публикации: 2018-10-19.

Button mechanism for controlling feed valve with multiple dosing

Номер патента: RU2522102C2. Автор: Йожеф БЕРЕЗНАИ. Владелец: Бери Интеллектуал Пропертис Селлеми Тулайдоньогокат Хасношито Эш Кезелё Кфт.. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Dual-threshold-voltage two-port sub-threshold SRAM cell apparatus

Номер патента: US20100172194A1. Автор: Wei Hwang,Mu-Tien Chang,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-08.

Dynamic and adaptive optimization of read compare levels based on memory cell threshold voltage distribution

Номер патента: US20110194348A1. Автор: Nima Mokhlesi,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2011-08-11.

Extra dummy erase pulses after shallow erase-verify to avoid sensing deep erased threshold voltage

Номер патента: US8130551B2. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-03-06.

Electronic devices having displays with compensation for oxide transistor threshold voltage

Номер патента: EP3686875A1. Автор: Timothy Johnson,Michael Lim,David Doyle,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Write control circuitry and method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20070237020A1. Автор: JOHN Davis,Donald Plass,Kenneth Reyer,Paul Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Pixel circuit having threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US9355597B2. Автор: FEI Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Stability region determining method for distributed power cyber-physical system with multiple time delays

Номер патента: US11513485B2. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-29.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: WO2000052702A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Circuit to compensate threshold voltage variation due to process variation

Номер патента: US20080116962A1. Автор: Edward J. Nowak,William F. Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Verification of an excessively high threshold voltage in a memory device

Номер патента: US20200395089A1. Автор: Sang-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Air-flow channel structure of air pump, micro air pump, waterproof air pump, and inflatable product

Номер патента: US12049898B2. Автор: Bing Sun,Houxi RAO,Jianbing YIN. Владелец: Jiangsu Guorun Electric Co ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods

Номер патента: US20110261635A1. Автор: Lawrence T. Clark,David R. Allee,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-10-27.

Calibration of threshold voltage shift values

Номер патента: US12087379B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Data storage device compensating for initial threshold voltage distribution shift, method of operating the same, and data processing system including the same

Номер патента: US09875044B2. Автор: Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Dong Hwan Lee,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US09791497B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09548020B2. Автор: Jin Hyoung Kim,Seung Tae Kim,Kyoung Sik Choi,Ui Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Organic light emitting display with threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US09478197B2. Автор: Sangho Yu,MunJun Lee,Yirang LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Multi-stroke microchannel heat exchanger with multiple bent plates

Номер патента: RU2722930C2. Автор: Ариндом ДЖОРДАР. Владелец: Кэрриер Корпорейшн. Дата публикации: 2020-06-04.

Percussive drill bit with multiple sets of front cutting inserts

Номер патента: RU2671386C2. Автор: Расмус ХЕМПХ,Андерс НОРДБЕРГ,Анна КАРЛССОН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2018-10-30.

Method and device to determine differential parameters of fluid flow for system of fluid flow measurement with multiple meters

Номер патента: RU2568950C2. Автор: Пол Дж. ХЕЙС,Джоэл ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2015-11-20.

Catalytic carboxylation of cellulose fibres in continuous process with multiple additions of catalyst, secondary oxidant and base into moving liquid mass of cellulose fibres

Номер патента: RU2531280C2. Автор: Ананда С. Уирэварна. Владелец: Вейерхойзер Нр Компани. Дата публикации: 2014-10-20.

Radiation detector with multiple electrodes on sensitive layer

Номер патента: RU2445647C2. Автор: Кристоф ХЕРРМАНН,Клаус Й. ЭНГЕЛЬ,БУКЕР Роджер СТЕДМЭН,Эвальд РЕССЛЬ,Роланд ПРОКСА,Гюнтер ЦАЙТЛЕР,Кристиан БОЙМЕР,Йенс ВИГЕРТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-03-20.

Absorbent product with multiple channels elongsted in longitudinal direction

Номер патента: RU2628895C2. Автор: Ана Мария Элена Р. МАРСЕЛО,ПАКЕС Фернанда ВИРМАНН,Стивен Х. УАЙТ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон До Бразил Индустрия Э Комерсио Де Продутос Пара Сауде Лтда. Дата публикации: 2017-08-22.

Control handle for medical device with multiple tension wires

Номер патента: RU2594817C2. Автор: Деннис К. КЕЙПЛ,Кешава ДАТТА,Раджеш ПЕНДЕКАНТИ. Владелец: Байосенс Вебстер (Изрэйл), Лтд.. Дата публикации: 2016-08-20.

Mining machine with multiple cutting heads

Номер патента: RU2749518C2. Автор: Наги ДАЕР,Питер А. ЛАГГ,Джеффри В. КИЧ,Брэдли М. НИЛСОН,Рик БОЙД. Владелец: ДЖОЙ ГЛОБАЛ АНДЕРГРАУНД МАЙНИНГ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-06-11.

Wind farm with multiple cutters

Номер патента: RU2719182C1. Автор: Дэвид В. Ротоул,Кайл Р. ТИЧ,Кайл А. ШИПЛИ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2020-04-17.

Method for preventing thromboembolic complications in patients with multiple fractures of limb long bones

Номер патента: RU2726358C1. Автор: Игорь Олегович Панков,Саяр Дамирович Сиразитдинов,Дамир Талибович Сиразитдинов,Ирина Викторовна Миронова. Владелец: Государственное автономное учреждение здравоохранения "Республиканская клиническая больница Министерства здравоохранения Республики Татарстан". Дата публикации: 2020-07-13.

High capacity magazine with multiple springs

Номер патента: RU2594318C2. Автор: Лерой Джеймс САЛЛИВАН,Роберт Ллойд УОТЕРФИЛД,Хиундзунг Самьюэл ЭССОТЬЕ. Владелец: АРМВЕСТ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-08-10.

Drug identification system for injection devices with multiple doses

Номер патента: RU2533985C2. Автор: Дэвид ПЛАМПТР,Крис СМИТ. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2014-11-27.

Differential classification with multiple neural networks

Номер патента: RU2652461C1. Автор: Константин Владимирович Анисимович,Алексей Алексеевич Журавлев,Владимир Рыбкин,Азат Айдарович Давлетшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аби Девелопмент". Дата публикации: 2018-04-26.

System based on brillouin scattering with multiple fbg

Номер патента: RU2511066C2. Автор: Кари-Микко ЯАСКЕЛАЙНЕН. Владелец: Сенсортран, Инк.. Дата публикации: 2014-04-10.

Ironing station with multiple stream flows

Номер патента: RU2664238C1. Автор: РОКА Луис ТРЕНЧ,ВИДАЛ Хосеп АЛЕТ,МОЛИНЕРО Валентин ВИСЕНТЕ,РУИС ДЕ АЗУА Хавьер КУЭВАС. Владелец: Компанья Эспаньола Де Электроменахе, Са. Дата публикации: 2018-08-15.

System with multiple display devices

Номер патента: RU2579678C2. Автор: Йосинори АСАМУРА,Санае ТЕРАМАЕ. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2016-04-10.

Pseudo-accommodative intraocular lenses with multiple diffraction structures

Номер патента: RU2418311C2. Автор: Синь ХУН,Сяосяо ЧЖАН,Стефен Дж. ВАННОЙ. Владелец: Алькон Рисерч, Лтд.. Дата публикации: 2011-05-10.

Lighter with multiple contacts of activation

Номер патента: RU2569803C2. Автор: Пол Х. АДАМС. Владелец: Зиппо Мэньюфэкчуринг Компани. Дата публикации: 2015-11-27.

Gen ii meter system with multiple processors, multiple detection sensor types, fault tolerance methods, power sharing and multiple user interface methods

Номер патента: CA2709594C. Автор: Scott Keller,Eric Groft,Chris Krstanovic,Tom Swiedler,David Fasciano. Владелец: Fybr LLC. Дата публикации: 2019-06-11.

Substrates with multiple images

Номер патента: EP1787277A2. Автор: Kenneth B. Wood,Jeffrey O. Emslander,Paul L. Acito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-05-23.

Fish hook with multiple convex facets

Номер патента: CA2836408C. Автор: Joseph E. Bartell. Владелец: Wright and McGill Co. Дата публикации: 2017-03-14.

Fish hook with multiple convex facets

Номер патента: CA2836408A1. Автор: Joseph E. Bartell. Владелец: Wright and McGill Co. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making a pin with multiple in-line contacts

Номер патента: US20040093051A1. Автор: Kenny Chinn,Stephen Goldman,Grace Jang,B. Lauro,Donald Sandford. Владелец: Sandford Donald L.. Дата публикации: 2004-05-13.

Re-writable memory with multiple memory layers

Номер патента: US20040160820A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Gen ii meter system with multiple processors, multiple detection sensor types, fault tolerance methods, power sharing and multiple user interface methods

Номер патента: CA2709594A1. Автор: Scott Keller,Eric Groft,Chris Krstanovic,Tom Swiedler,David Fasciano. Владелец: Innovapark Llc. Дата публикации: 2011-01-10.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Dual-channel flow head equipment

Номер патента: RU2305747C1. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Руслан Габделракибович Заббаров,Камиль Мансурович Гарифов,Владимир Гелиевич Фадеев,Рамиль Нафисович Ахметвалиев,Альберт Хамзеевич Кадыров,Владимир Михайлович Валовский,Константин Владимирович Валовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2007-09-10.

Aircraft dual channel coordinated controller

Номер патента: RU2532720C1. Автор: Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2014-11-10.

Dual channel signal detector circuit

Номер патента: CA1098975A. Автор: Robert Price,George V. Jacoby,Arthur P. Geffon. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1981-04-07.

Combined dual-channel observation device

Номер патента: RU2483336C1. Автор: Андрей Борисович Лихачев,Михаил Ясонович Булейшвили,Евгений Юрьевич Макаров,Игорь Михайлович Фроимсон. Владелец: Игорь Михайлович Фроимсон. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for predicting disease-free survival in patients with multiple myeloma after autologous hematopoietic stem cell transplantation

Номер патента: RU2580648C1. Автор: Елена Рэмовна Черных,Александр Анатольевич Останин,Егор Васильевич Баторов,Дарья Сергеевна Баторова,Наталья Викторовна Пронкина,Ирина Валентиновна Крючкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт фундаментальной и клинической иммунологии" (НИИФКИ). Дата публикации: 2016-04-10.

METHOD AND APPARATUS FOR BLOCK BASED IMAGE COMPRESSION WITH MULTIPLE NON-UNIFORM BLOCK ENCODINGS

Номер патента: US20120002873A1. Автор: . Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPILLARY PERFUSED BIOREACTORS WITH MULTIPLE CHAMBERS

Номер патента: US20120003729A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of predicting overall survival of patients with multiple myeloma

Номер патента: RU2456924C1. Автор: Тамара Павловна Загоскина,Александр Сергеевич Лучинин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Кировский научно-исследовательский институт гематологии и переливания крови Федерального медико-биологического агентства". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of treating visual pathway disorders in patients with multiple sclerosis

Номер патента: RU2479328C2. Автор: Ольга Петровна Ковтун,Сергей Александрович Коротких,Ирина Валерьевна Ионкина. Владелец: Государственное учреждение здравоохранения "Свердловская областная клиническая больница №1". Дата публикации: 2013-04-20.

Method of multiple parameter tracking of navigation signals and satellite navigation receiver with multiple parameter device of tracking of weak signals in conditions of ultrahigh dynamics of object

Номер патента: RU2551805C2. Автор: Александр Ефимович Фридман. Владелец: Александр Ефимович Фридман. Дата публикации: 2015-05-27.

Method for radio communication with multiple access

Номер патента: RU2386212C1. Автор: Виктор Дмитриевич Лукьянчиков,Вячеслав Васильевич Ливенцев,Владимир Юрьевич Заплетин,Виктор Дмитриевич Лукьянчиков (RU),Вячеслав Васильевич Ливенцев (RU),Владимир Юрьевич Заплетин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2010-04-10.

Method for prediction of risk of mycobacterium tuberculosis resistance to fluoroquinolones in tuberculosis patients with multiple resistance

Номер патента: RU2558992C1. Автор: Татьяна Игоревна Петренко,Яна Рэмовна Батыршина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт туберкулеза" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТ" Минздрава России). Дата публикации: 2015-08-10.

Jaw crusher with multiple drive means

Номер патента: CA1315252C. Автор: David P. Mcconnell, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-30.

Scanning probe microscope with multiple-probe sensor operating device

Номер патента: RU2538412C1. Автор: Андрей Викторович Быков,Виктор Александрович Быков. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Нанотехнология Мдт". Дата публикации: 2015-01-10.

Method for determining readiness of newborns with multiple organ failure to deactivation of artificial pulmonary ventilation

Номер патента: RU2556576C1. Автор: Павел Иванович Миночкин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО ЮУГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2015-07-10.

Method for detection of microorganisms sensitivity with multiple medicinal resistance to combinations of antibacterial preparations

Номер патента: RU2388827C1. Автор: Лариса Ивановна Ефанова,Виктория Владимировна Давыдова,Татьяна Анатольевна Панина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский ветеринарный институт патологии, фармакологии и терапии Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИВИПФиТ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2010-05-10.

Energy amplitude detector with multiple feedback

Номер патента: RU2351059C1. Автор: Самуил Соломонович Зельманов. Владелец: Открытое акционерное общество "Нижегородский авиастроительный завод "Сокол". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of tracheostomy in patients with multiple organ failure

Номер патента: RU2419461C1. Автор: Леонид Семенович Барбараш,Виталий Юрьевич Херасков,Георгий Павлович Плотников,Евгений Валерьевич Григорьев,Борис Львович Хаес,Артем Николаевич Попков. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний Сибирского отделения Российской академии медицинских наук (УРАМН НИИ КПССЗ СО РАМН). Дата публикации: 2011-05-27.

Method for distribution of reference signals in system with multiple inputs and multiple outputs (mimo)

Номер патента: RU2396714C1. Автор: Сын Хи ХАН,Хён Су КО,Чжэ Хун ЧХОН,Мун Иль ЛИ,Бин Чхоль ИМ,Чжин Ён ЧХОН,Ук Бон ЛИ,Чжэ Вон ЧХАН,Чжин Хёк ЧОН. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2010-08-10.

Low exhaust hood with multiple columns

Номер патента: CA174460S. Автор: . Владелец: Halton Group Ltd Oy. Дата публикации: 2018-05-24.

Intelligent cavitating rocket-powered torpedo with multiple warheads

Номер патента: RU2358234C1. Автор: Алексей Николаевич Белашов. Владелец: Алексей Николаевич Белашов. Дата публикации: 2009-06-10.

Electrostatic induction generator with multiplication of charges

Номер патента: RU2214033C2. Автор: В.А. Гришин,А.С. Пащина,В.И. Николаева. Владелец: Государственное предприятие Научно-исследовательский институт радиоприборостроения. Дата публикации: 2003-10-10.

Lead-replaceable writing implement with multiple lead channels.

Номер патента: MY104663A. Автор: KUO Chun-Liang. Владелец: Pencell Company Ltd. Дата публикации: 1994-05-31.

System and method to optimise parameters of multiple railway transport facilities running in railway networks with multiple crossings

Номер патента: RU2466049C2. Автор: Вольфганг ДАУМ,Эврен ЭРИУРЕК,Гленн Роберт ШЭФФЕР. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of treating patients with multiple organ pathology using ozone therapy

Номер патента: RU2502513C2. Автор: Илья Валерьевич Гаврилов,Елена Николаевна Герасименко,Виктор Николаевич Мещанинов,Сергей Леопольдович Леонтьев,Сергей Владимирович Сазонов. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения Свердловской области "Центр организации специализированных видов медицинской помощи "Институт медицинских клеточных технологий" (ГБУЗСО Институт медицинских клеточных технологий). Дата публикации: 2013-12-27.

Systems and methods for generation of antenna directivity patterns in systems of communication with multiple inputs and multiple outputs

Номер патента: RU2402163C2. Автор: Алексей ГОРОХОВ,Дхананджай Ашок ГОРЕ,Тамер КАДОУС,Хемантх САМПАТХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-10-20.

Prediction method for clinical course of pulmonary tuberculosis with multiple drug resistance in newly-diagnosed patients

Номер патента: RU2361212C1. Автор: Ольга Ивановна Уразова,Наталия Александровна Земляная,Ольга Владимировна Филинюк,Айвар-Янис Карлович Стрелис,Людмила Николаевна Буйнова,Ольга Владимировна Воронкова. Владелец: Ольга Владимировна Воронкова. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of treating necrotic ulcers of oral mucosa in patients with multiple myeloma considering free radical oxidation in oral fluid

Номер патента: RU2472486C1. Автор: Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Гузель Фанзяевна Сахапова. Владелец: Гузель Фанзяевна Сахапова. Дата публикации: 2013-01-20.

A speaker apparatus associable with multiple modes of operation

Номер патента: SG2013036959A. Автор: Wong Hoo Sim,Chin Fang Lim,Choong Hwee Tan. Владелец: Creative Tech Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Method for operating injector with multiple packer assembly

Номер патента: RU2541982C1. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Айрат Рафкатович Рахманов,Михаил Алексеевич Абрамов,Булат Флусович Закиев,Марат Мазитович Маликов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-02-20.

Multilayer wound dressing with multiple function nanomembranes and related products

Номер патента: RU2578458C2. Автор: Леонид Юрьевич Коссович,Кирилл Владимирович Хрустицкий,Анастасия Владимировна Хрустицкая. Владелец: Анастасия Владимировна Хрустицкая. Дата публикации: 2016-03-27.

Wireless communication system with multiple transmitting antennae using pilot signal subcarrier allocation

Номер патента: RU2445745C1. Автор: Дзин Сам КВАК,Бин Чул ИХМ,Воок Бонг ЛИ,Дзин Соо ЧОИ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2012-03-20.

Complex with multiple-element phased antenna array

Номер патента: RU2342749C1. Автор: Владимир Александрович Иванов,Александр Иосифович Иванов. Владелец: Александр Иосифович Иванов. Дата публикации: 2008-12-27.

Method for manufacture of purse with multiple portals

Номер патента: RU2498752C1. Автор: Игорь Анатольевич Ефремов. Владелец: Игорь Анатольевич Ефремов. Дата публикации: 2013-11-20.

Method of radio communication with multiple access

Номер патента: RU2445732C1. Автор: Николай Николаевич Семенов,Виктор Дмитриевич Лукьянчиков,Вячеслав Васильевич Ливенцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2012-03-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.