High performance MOSFETs having varying channel structures
Номер патента: US11855090B2
Опубликовано: 26-12-2023
Автор(ы): Chi-Hsing Hsu, Ching-Wei Tsai, Jiun-Jia Huang, Kuan-Lun Cheng, Tetsu Ohtou
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-12-2023
Автор(ы): Chi-Hsing Hsu, Ching-Wei Tsai, Jiun-Jia Huang, Kuan-Lun Cheng, Tetsu Ohtou
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-planar transistors with channel regions having varying widths
Номер патента: US20200295002A1. Автор: Richard Schenker,Sam Sivakumar,Stephanie A. BOJARSKI,Leonard GULER,Michael K. Harper,Urusa ALAAN,Stephen D. Snyder,Achala Bhuwalka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.