Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in cmos image sensors
Номер патента: US20240363658A1
Опубликовано: 31-10-2024
Автор(ы): Chih-Yu Tseng, Ming-Hsien Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-10-2024
Автор(ы): Chih-Yu Tseng, Ming-Hsien Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Back-side illuminated (BSI) image sensor with global shutter scheme
Номер патента: US09812483B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Wei Chuang Wu,Kuan-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.